JP2014187416A - Differential amplifier and data output circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に適用されるカレントミラー型差動増幅器とデータ出力回路に関する。 Embodiments described herein relate generally to a current mirror type differential amplifier and a data output circuit applied to a semiconductor device.
半導体装置に適用されるカレントミラー型差動増幅器は、差動対を構成する2つのトランジスタのゲート電極にそれぞれ供給される信号が遷移状態から出力信号が決定された場合においても、差動対に接続された定電流源を介して常時テール電流が流れている。このため、カレントミラー型差動増幅器は、消費電流が多いという問題を有している。 A current mirror type differential amplifier applied to a semiconductor device is a differential pair even when an output signal is determined from a transition state of signals supplied to gate electrodes of two transistors constituting the differential pair. A tail current always flows through the connected constant current source. For this reason, the current mirror type differential amplifier has a problem that current consumption is large.
本実施形態は、テール電流を抑制し、消費電流を低減することが可能な差動増幅器とデータ出力回路を提供する。 The present embodiment provides a differential amplifier and a data output circuit capable of suppressing tail current and reducing current consumption.
本実施形態の差動増幅器は、第1の入力信号の反転信号と、前記第1の入力信号と相補的な第2の入力信号の反転信号が供給される第1導電型の第1のカレントミラー型差動増幅器と、第1の定電流源と、前記第1の定電流源と前記第1のカレントミラー型差動増幅器との間に接続され、ゲート電極に前記第1の入力信号が供給される第2導電型の第1のトランジスタと、前記第1の入力信号の反転信号と、前記第2の入力信号の反転信号が供給され、出力端が前記第1のカレントミラー型差動増幅器の出力端に接続された第2導電型の第2のカレントミラー型差動増幅器と、第2の定電流源と、前記第2の定電流源と前記第2のカレントミラー型差動増幅器との間に接続され、ゲート電極に前記第1の入力信号が供給される第1導電型の第2のトランジスタと、を具備することを特徴とする。 The differential amplifier according to this embodiment includes a first conductivity type first current to which an inverted signal of a first input signal and an inverted signal of a second input signal complementary to the first input signal are supplied. A mirror type differential amplifier, a first constant current source, and the first constant current source and the first current mirror type differential amplifier are connected between the first input signal and the gate electrode. The supplied first transistor of the second conductivity type, the inverted signal of the first input signal, and the inverted signal of the second input signal are supplied, and the output terminal is the first current mirror type differential. Second conductivity type second current mirror type differential amplifier connected to output terminal of amplifier, second constant current source, second constant current source and second current mirror type differential amplifier Connected to the gate electrode, and the first input signal is supplied to the gate electrode. Characterized by comprising the transistor, the.
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る差動増幅器を示している。この差動増幅器は、貫通電流が抑制された差動増幅器である。
(First embodiment)
FIG. 1 shows a differential amplifier according to the first embodiment. This differential amplifier is a differential amplifier in which a through current is suppressed.
図1において、差動増幅器13は、カレントミラー型の第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2を備え、例えばPMOSトランジスタP101〜P105と、NMOSトランジスタN101〜N105と、インバータ回路I101、I103と、定電流源CI1、CI2を有している。
In FIG. 1, the
第1の差動増幅器CDA1において、カレントミラー回路を構成するPMOSトランジスタP101、P102の電流通路の一端は、電源VDDが供給されるノードに接続されている。PMOSトランジスタP101、P102のゲート電極は、PMOSトランジスタP101の電流通路の他端に接続されている。PMOSトランジスタP101、P102の流通路の他端は、NMOSトランジスタN101、N102の電流通路の一端にそれぞれ接続されている。これらNMOSトランジスタN101、N102の電流通路の他端は、NMOSトランジスタN103、定電流源CI1を介して接地されている。 In the first differential amplifier CDA1, one end of the current path of the PMOS transistors P101 and P102 constituting the current mirror circuit is connected to a node to which the power supply VDD is supplied. The gate electrodes of the PMOS transistors P101 and P102 are connected to the other end of the current path of the PMOS transistor P101. The other ends of the flow paths of the PMOS transistors P101 and P102 are connected to one ends of the current paths of the NMOS transistors N101 and N102, respectively. The other ends of the current paths of the NMOS transistors N101 and N102 are grounded via the NMOS transistor N103 and the constant current source CI1.
第1の入力信号(例えばクロック信号REOLATe)は、インバータ回路I101を介してNMOSトランジスタN101のゲート電極(反転入力端BIN)に供給され、第2の入力信号(例えばクロック信号REOLATo)は、インバータ回路I103を介してNMOSトランジスタN102のゲート電極(入力端IN)に供給される。 The first input signal (eg, clock signal REOLATe) is supplied to the gate electrode (inverting input terminal BIN) of the NMOS transistor N101 via the inverter circuit I101, and the second input signal (eg, clock signal REOLATo) is supplied from the inverter circuit. The voltage is supplied to the gate electrode (input terminal IN) of the NMOS transistor N102 via I103.
さらに、第1の入力信号は、NMOSトランジスタN103のゲート電極に供給される。 Further, the first input signal is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N103.
一方、第2の差動増幅器CDA2において、定電流源CI2の一端は電源VDDの供給ノードに接続され、他端は、PMOSトランジスタP102の電流通路の一端に接続されている。このPMOSトランジスタP102の電流通路の他端は、PMOSトランジスタP104、P105の電流通路の一端にそれぞれ接続されている。これらPMOSトランジスタP104、P105の電流通路の他端は、カレントミラー回路を構成するNMOSトランジスタN104、N105の電流通路の一端に接続されている。これらNMOSトランジスタN104、N105の電流通路のゲート電極は、NMOSトランジスタN104の電流通路の一端に接続されている。これらNMOSトランジスタN104、N105の電流通路の他端は、接地されている。 On the other hand, in the second differential amplifier CDA2, one end of the constant current source CI2 is connected to the supply node of the power supply VDD, and the other end is connected to one end of the current path of the PMOS transistor P102. The other end of the current path of the PMOS transistor P102 is connected to one end of the current path of the PMOS transistors P104 and P105. The other ends of the current paths of the PMOS transistors P104 and P105 are connected to one end of the current paths of the NMOS transistors N104 and N105 constituting the current mirror circuit. The gate electrodes of the current paths of the NMOS transistors N104 and N105 are connected to one end of the current path of the NMOS transistor N104. The other ends of the current paths of the NMOS transistors N104 and N105 are grounded.
PMOSトランジスタP103のゲート電極には、第1の入力信号(例えばクロック信号REOLATe)が供給されている。 A first input signal (eg, clock signal REOLATe) is supplied to the gate electrode of the PMOS transistor P103.
PMOSトランジスタP104のゲート電極は、反転入力端BINに接続され、PMOSトランジスタP105のゲート電極は、入力端INに接続さている。 The gate electrode of the PMOS transistor P104 is connected to the inverting input terminal BIN, and the gate electrode of the PMOS transistor P105 is connected to the input terminal IN.
PMPSトランジスタP102とNMOSトランジスタN102の接続ノード、及びPMPSトランジスタP105とNMOSトランジスタN105の接続ノードは、出力端OUTに接続される。 A connection node between the PMPS transistor P102 and the NMOS transistor N102 and a connection node between the PMPS transistor P105 and the NMOS transistor N105 are connected to the output terminal OUT.
上記構成の差動増幅器13において、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2は、第1、第2の入力信号REOLATe、REOLAToがハイレベルからローレベル、又ローレベルからハイレベルに遷移するときに動作し、第1、第2の入力信号REOLATe、REOLAToの遷移が終了した状態において、停止する。
In the
図2(a)に示すように、時刻t1において、例えば第1入力信号REOLATeがハイレベルからローレベルとなり、第2の入力信号REOLAToがローレベルからハイレベルとなると、第1の差動増幅器CDA1のNMOSトランジスタN103はオフするため、第1の定電流源CI1は停止状態となり、第2の差動増幅器CDA2のPMOSトランジスタP103は、オンとなるため、第2の定電流源CI2は動作状態となる。PMOSトランジスタP105はオンとなり、出力端OUTは、ハイレベルとなる。このとき、反転入力BINがハイレベルであるため、PMOSトランジスタP104はオフ状態であり、NMOSトランジスタN104とN105のゲート電極に接続されたPMOSトランジスタP104とNMOSトランジスタN104の接続ノードは、NMOSトランジスタN104の閾値電圧と等しい電位に保持される。このため、NMOSトランジスタN104とN105はオフ状態となり、第2の差動増幅器CDA2も貫通電流が阻止される。 As shown in FIG. 2A, at the time t1, for example, when the first input signal REOLATe changes from high level to low level and the second input signal REOLATo changes from low level to high level, the first differential amplifier CDA1. Since the NMOS transistor N103 is turned off, the first constant current source CI1 is stopped, and the PMOS transistor P103 of the second differential amplifier CDA2 is turned on, so that the second constant current source CI2 is in the operating state. Become. The PMOS transistor P105 is turned on, and the output terminal OUT is at a high level. At this time, since the inverting input BIN is at a high level, the PMOS transistor P104 is in an off state, and the connection node between the PMOS transistor P104 and the NMOS transistor N104 connected to the gate electrodes of the NMOS transistors N104 and N105 is connected to the NMOS transistor N104. It is held at a potential equal to the threshold voltage. As a result, the NMOS transistors N104 and N105 are turned off, and the second differential amplifier CDA2 is also prevented from passing through.
一方、時刻t2において、例えば第1入力信号REOLATeがローレベルからハイレベルとなり、第2の入力信号REOLAToがハイレベルからローレベルとなると、第1の差動増幅器CDA1のNMOSトランジスタN103はオンとなるため、第1の定電流源CI1は動作状態となり、第2の差動増幅器CDA2のPMOSトランジスタP103は、オフとなるため、第2の定電流源CI2は停止状態となる。このとき、反転入力端BINは、ローレベルであり、非反転入力端INはハイレベルであるため、NMPSトランジスタN101はオフとなり、N102はオンとなり、PMOSトランジスタP105がオンであるため、出力端OUTは、ローレベルベルとなる。このとき、反転入力BINがローレベルであるため、NMOSトランジスタN101はオフ状態であり、PMOSトランジスタP101とP102のゲート電極に接続されたPMOSトランジスタP101とNMOSトランジスタN101の接続ノードは、電源VDDからPMOSトランジスタP101の閾値電圧分だけ低い電位に保持される。このため、PMOSトランジスタP101とP102はオフ状態となり、第1の差動増幅器CDA1の貫通電流を阻止することができる。 On the other hand, at time t2, for example, when the first input signal REOLATe changes from low level to high level and the second input signal REOLATo changes from high level to low level, the NMOS transistor N103 of the first differential amplifier CDA1 is turned on. Therefore, the first constant current source CI1 is in an operating state, and the PMOS transistor P103 of the second differential amplifier CDA2 is turned off, so that the second constant current source CI2 is in a stopped state. At this time, since the inverting input terminal BIN is at a low level and the non-inverting input terminal IN is at a high level, the NMPS transistor N101 is turned off, the N102 is turned on, and the PMOS transistor P105 is turned on. Becomes a low-level bell. At this time, since the inverting input BIN is at a low level, the NMOS transistor N101 is in an off state, and the connection node between the PMOS transistor P101 and the NMOS transistor N101 connected to the gate electrodes of the PMOS transistors P101 and P102 is connected to the PMOS from the power supply VDD. The potential is kept lower by the threshold voltage of the transistor P101. Therefore, the PMOS transistors P101 and P102 are turned off, and the through current of the first differential amplifier CDA1 can be prevented.
また、図2(b)に示すように、第1、第2の入力信号REOLATe、REOLAToの立ち上り時間、立ち下り時間にずれが有る場合においても、第1、第2の入力信号REOLATe、REOLAToのレベルが一致した時点において、第1の差動増幅器CDA1、又は第2の差動増幅器CDA2の出力電位が確定する。 In addition, as shown in FIG. 2B, even when the rise time and fall time of the first and second input signals REOLATe and REOLATo are different, the first and second input signals REOLATe and REOLATo When the levels match, the output potential of the first differential amplifier CDA1 or the second differential amplifier CDA2 is determined.
このため、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2は、第1、第2の入力信号REOLATe、REOLAToの遷移時において、第1、第2の入力信号REOLATe、REOLATo間に電位差が生じたときに貫通電流が流れ、定常状態(ハイインピーダンス状態)において、貫通電流が阻止される。 For this reason, the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2 have a potential difference between the first and second input signals REOLATe and REOLATo at the transition of the first and second input signals REOLATe and REOLATo. Sometimes a through current flows and is blocked in a steady state (high impedance state).
上記第1の実施形態によれば、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2は、第1、第2の定電流源CI1、CI2に直列接続されたNMOSトランジスタN103と、PMOSトランジスタP103を有し、これらNMOSトランジスタN103と、PMOSトランジスタP103を第1の入力信号REOLATeにより制御している。このため、第1、第2の定電流源CI1、CI2は、第1の入力信号REOLATeがローレベルからハイレベル、又はハイレベルからローレベルに遷移するとき、同時に動作し、第1の入力信号REOLATeがハイレベル、又はローレベルとなった場合、第1、第2の定電流源CI1、CI2の一方が停止される。また、第1、第2の定電流源CI1、CI2の他方は、動作可能であるが、差動対を構成する、NMOSトランジスタN101、N102、又は、PMOSトランジスタP104、P105がオフとなるため、第1、第2の定電流源CI1、CI2の他方にテール電流が流れない。したがって、差動増幅器13は、第1の入力信号REOLATeがローレベルからハイレベル、又はハイレベルからローレベルに遷移するときに電流を消費し、定常状態において、消費電流を低減することができる。
According to the first embodiment, the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2 include the NMOS transistor N103 and the PMOS transistor P103 connected in series to the first and second constant current sources CI1 and CI2. The NMOS transistor N103 and the PMOS transistor P103 are controlled by the first input signal REOLATe. Therefore, the first and second constant current sources CI1 and CI2 operate simultaneously when the first input signal REOLATE transitions from the low level to the high level, or from the high level to the low level, and the first input signal When REOLATe becomes high level or low level, one of the first and second constant current sources CI1 and CI2 is stopped. The other of the first and second constant current sources CI1 and CI2 is operable, but the NMOS transistors N101 and N102 or the PMOS transistors P104 and P105 that constitute the differential pair are turned off. The tail current does not flow to the other of the first and second constant current sources CI1 and CI2. Therefore, the
(第2の実施形態)
図3は、第2の実施形態を示している。第2の実施形態において、第1の実施形態と同一部分には、同一符合を付し、異なる部分について説明する。
(Second Embodiment)
FIG. 3 shows a second embodiment. In the second embodiment, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and different parts will be described.
図3において、NMOSトランジスタN103には、並列にNMOSトランジスタN106が接続され、PMOSトランジスタP103には、並列にPMOSトランジスタP106が接続されている。出力端OUTにインバータ回路I102が接続され、このインバータ回路I102の出力信号は、NMOSトランジスタN106のゲート電極とPMOSトランジスタP106のゲート電極に供給されている。 In FIG. 3, an NMOS transistor N106 is connected in parallel to the NMOS transistor N103, and a PMOS transistor P106 is connected in parallel to the PMOS transistor P103. An inverter circuit I102 is connected to the output terminal OUT, and an output signal of the inverter circuit I102 is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N106 and the gate electrode of the PMOS transistor P106.
上記第2の実施形態によれば、出力信号をNMOSトランジスタN106、及びPMOSトランジスタP106にフィードバックすることにより、第1の入力信号REOLATeがローレベルからハイレベルに遷移するとき、NMOSトランジスタN103とN106により、第1の定電流源CI1の電流駆動能力を増加できる。このため、出力信号がローレベルからハイレベル、又はハイレベルからローレベルに遷移する際のバランスを改善することができる。 According to the second embodiment, by feeding back the output signal to the NMOS transistor N106 and the PMOS transistor P106, when the first input signal REOLATE transitions from the low level to the high level, the NMOS transistors N103 and N106 The current driving capability of the first constant current source CI1 can be increased. For this reason, it is possible to improve the balance when the output signal transitions from the low level to the high level or from the high level to the low level.
また、第1の入力信号REOLATeがハイレベルからローレベルに遷移するとき、PMOSトランジスタP103とP106により、第2の定電流源CI2の電流駆動能力を増加でき。このため、出力信号がハイレベルからローレベル、又はローレベルからハイレベルに遷移するときのバランスを改善することができる。 Further, when the first input signal REOLATe transitions from a high level to a low level, the current driving capability of the second constant current source CI2 can be increased by the PMOS transistors P103 and P106. For this reason, it is possible to improve the balance when the output signal transitions from the high level to the low level or from the low level to the high level.
したがって、出力信号がハイレベルからローレベルに遷移するとき、或いは、ローレベルからハイレベルに遷移するときの速度のバランスを改善することができる。 Therefore, it is possible to improve the speed balance when the output signal transitions from the high level to the low level, or when the output signal transitions from the low level to the high level.
(第3の実施形態)
図4は、第3の実施形態を示すものである。第3の実施形態は、第2の実施形態の変形例であり、第2の実施形態に示す差動増幅器の電流駆動能力を可変とし、OCD(Off chip Driver)回路の前段の制御回路に適用した例を示している。図4において、第2の実施形態と同一部分には同一符合を付し、異なる部分についてのみ説明する。
(Third embodiment)
FIG. 4 shows a third embodiment. The third embodiment is a modification of the second embodiment. The differential amplifier shown in the second embodiment has a variable current drive capability and is applied to a control circuit in front of an OCD (Off chip Driver) circuit. An example is shown. In FIG. 4, the same parts as those of the second embodiment are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
図4に示す制御回路は、カレントミラー型の第1乃至第4の差動増幅器CDA1〜CDA4を備える。第3、第4の差動増幅器CDA3、CDA4は、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2と制御信号以外、同一であるため、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2について、その構成を説明し、第3、第4の差動増幅器CDA3、CDA4については、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2と異なる部分についてのみ説明する。 The control circuit shown in FIG. 4 includes current mirror type first to fourth differential amplifiers CDA1 to CDA4. Since the third and fourth differential amplifiers CDA3 and CDA4 are the same as the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2 except for the control signal, the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2 are The configuration will be described, and only differences between the third and fourth differential amplifiers CDA3 and CDA4 from the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2 will be described.
第3の実施形態において、第2の実施形態と異なるのは、第1、第2のカレントミラー型差動増幅器CDA1、CDA2がそれぞれ3つの定電流源を有し、このうちの2つの定電流源がスイッチにより選択可能とされていることである。 The third embodiment is different from the second embodiment in that each of the first and second current mirror type differential amplifiers CDA1 and CDA2 has three constant current sources, and two of these constant currents. The source is selectable by a switch.
すなわち、第1の差動増幅器CDA1において、NMOSトランジスタN103、N106と接地間には、NMOSトランジスタN111と、定電流源CI11と、NMOSトランジスタN112と定電流源CI12の直列回路と、NMOSトランジスタN113と定電流源CI13の直列回路とが接続されている。 That is, in the first differential amplifier CDA1, between the NMOS transistors N103 and N106 and the ground, the NMOS transistor N111, the constant current source CI11, the series circuit of the NMOS transistor N112 and the constant current source CI12, the NMOS transistor N113, A series circuit of a constant current source CI13 is connected.
NMOSトランジスタN111のゲート電極には制御信号ByPnが供給され、NMOSトランジスタN112のゲート電極には制御信号SWPn1が供給され、NMOSトランジスタN113のゲート電極には制御信号SWPn2が供給されている。 A control signal ByPn is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N111, a control signal SWPn1 is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N112, and a control signal SWPn2 is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N113.
また、第2の差動増幅器CDA2において、電源VDDの供給ノードとPMOSトランジスタP103、P105の間には、PMOSトランジスタP111と、定電流源CI21と、定電流源CI22とPMOSトランジスタP112の直列回路と、定電流源CI23とPMOSトランジスタP113の直列回路とが接続されている。 In the second differential amplifier CDA2, a series circuit of a PMOS transistor P111, a constant current source CI21, a constant current source CI22, and a PMOS transistor P112 is provided between the supply node of the power supply VDD and the PMOS transistors P103 and P105. The constant current source CI23 and the series circuit of the PMOS transistor P113 are connected.
PMOSトランジスタP111のゲート電極には、制御信号ByPpが供給され、PMOSトランジスタP112のゲート電極には、制御信号SWPp1が供給され、PMOSトランジスタP113のゲート電極には、制御信号SWPp2が供給されている。 A control signal ByPp is supplied to the gate electrode of the PMOS transistor P111, a control signal SWPp1 is supplied to the gate electrode of the PMOS transistor P112, and a control signal SWPp2 is supplied to the gate electrode of the PMOS transistor P113.
第3、第4の差動増幅器CDA3、CDA4は、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2と制御信号が相違している。 The third and fourth differential amplifiers CDA3 and CDA4 are different in control signal from the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2.
すなわち、第3の差動増幅器CDA3において、NMOSトランジスタN111のゲート電極には制御信号ByNnが供給され、NMOSトランジスタN112のゲート電極には制御信号SWNn1が供給され、NMOSトランジスタN113のゲート電極には制御信号SWNn2が供給されている。 That is, in the third differential amplifier CDA3, the control signal ByNn is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N111, the control signal SWNn1 is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N112, and the control electrode is supplied to the gate electrode of the NMOS transistor N113. Signal SWNn2 is supplied.
また、第4の差動増幅器CDA4において、PMOSトランジスタP111のゲート電極には、制御信号ByNpが供給され、PMOSトランジスタP112のゲート電極には、制御信号SWNp1が供給され、PMOSトランジスタP113のゲート電極には、制御信号SWNp2が供給されている。 In the fourth differential amplifier CDA4, the control signal ByNp is supplied to the gate electrode of the PMOS transistor P111, the control signal SWNp1 is supplied to the gate electrode of the PMOS transistor P112, and the gate electrode of the PMOS transistor P113 is supplied. Is supplied with a control signal SWNp2.
また、第1の入力信号Bと第2の入力信号Aは、例えば相補信号であり、第1の入力信号Bはインバータ回路I113を介して第1乃至第4の差動増幅器CDA1〜CDA4に供給される。第2の入力信号Aは、インバータ回路I111、I112を介して第1乃至第4の差動増幅器CDA1〜CDA4に供給される。インバータ回路I111とインバータ回路I112の間には、MOSキャパシタを構成するNMOSトランジスタN115、PMOSトランジスタP115のゲート電極が接続されている。このMOSキャパシタは、第2の入力信号Aを第1の入力信号Bの遅延時間と同一時間遅延させる。 The first input signal B and the second input signal A are complementary signals, for example, and the first input signal B is supplied to the first to fourth differential amplifiers CDA1 to CDA4 via the inverter circuit I113. Is done. The second input signal A is supplied to the first to fourth differential amplifiers CDA1 to CDA4 via the inverter circuits I111 and I112. Between the inverter circuit I111 and the inverter circuit I112, the gate electrodes of the NMOS transistor N115 and the PMOS transistor P115 constituting the MOS capacitor are connected. This MOS capacitor delays the second input signal A by the same time as the delay time of the first input signal B.
さらに、第1、第2の差動増幅器CDA1、CDA2の出力信号は、インバータ回路I114を介して図示せぬPMOSドライブトランジスタに供給され、第3、第4の差動増幅器CDA3、CDA4の出力信号は、インバータ回路I114を介して図示せぬNMOSドライブトランジスタに供給される。 Further, the output signals of the first and second differential amplifiers CDA1 and CDA2 are supplied to the PMOS drive transistor (not shown) via the inverter circuit I114, and the output signals of the third and fourth differential amplifiers CDA3 and CDA4. Is supplied to an NMOS drive transistor (not shown) via an inverter circuit I114.
(作用)
上記構成において、第1乃至第4の差動増幅器CDA1〜CDA4は、動作時、制御信号ByPn、ByPp、ByNn、ByNpにより、NMOSトランジスタN111,N111,PMOSトランジスタP111、P111がオフ状態に設定される。このため、定電流回路CI11,CI11,CI21,CI21が動作される。
(Function)
In the above configuration, in the first to fourth differential amplifiers CDA1 to CDA4, in operation, the NMOS transistors N111 and N111 and the PMOS transistors P111 and P111 are set to the off state by the control signals ByPn, ByPp, ByNn, and ByNp. . For this reason, the constant current circuits CI11, CI11, CI21, CI21 are operated.
この状態において、出力信号OUT_P、OUT_Nは、入力信号Aの反転信号を出力する。 In this state, the output signals OUT_P and OUT_N output an inverted signal of the input signal A.
また、例えばコマンドにより、制御信号SWPn1、SWPn2、SWPp1、SWPp2、SWNn1、SWNn2、SWNp1、SWNp2が制御されると、第1乃至第4の差動増幅器CDA1〜CDA4の電流駆動能力が調整される。このため、出力信号OUT_P、OUT_Nの立ち上がり時間、立ち下がり時間、及びハイインピーダンス期間を調整することが可能であり、出力信号OUT_P、OUT_Nのデューティ比を調整することができる。 For example, when the control signals SWPn1, SWPn2, SWPp1, SWPp2, SWNn1, SWNn2, SWNp1, and SWNp2 are controlled by a command, the current driving capabilities of the first to fourth differential amplifiers CDA1 to CDA4 are adjusted. Therefore, the rise time, fall time, and high impedance period of the output signals OUT_P and OUT_N can be adjusted, and the duty ratio of the output signals OUT_P and OUT_N can be adjusted.
上記第3の実施形態によれば、第1、第2の実施形態と同様に、入力信号の定常状態において、テール電流を遮断して消費電流を低減できる。 According to the third embodiment, similarly to the first and second embodiments, in the steady state of the input signal, it is possible to cut off the tail current and reduce the current consumption.
しかも、第3の実施形態によれば、制御信号SWPn1、SWPn2、SWPp1、SWPp2、SWNn1、SWNn2、SWNp1、SWNp2により、定電流源CI11〜CI13、CI21〜CI23の駆動数を制御し、第1乃至第4の差動増幅器CDA1〜CDA4のトータルの電流駆動能力を調整できる。このため、出力信号OUT_P、OUT_Nの立ち上がり時間、立ち下がり時間、及びハイインピーダンス期間を調整することが可能であり、出力信号OUT_P、OUT_Nのデューティ比を調整することができる。 In addition, according to the third embodiment, the control signals SWPn1, SWPn2, SWPp1, SWPp2, SWNn1, SWNn2, SWNp1, and SWNp2 are used to control the number of drives of the constant current sources CI11 to CI13 and CI21 to CI23. The total current drive capability of the fourth differential amplifiers CDA1 to CDA4 can be adjusted. Therefore, the rise time, fall time, and high impedance period of the output signals OUT_P and OUT_N can be adjusted, and the duty ratio of the output signals OUT_P and OUT_N can be adjusted.
さらに、第3の実施形態によれば、デューティ比を50%に設定する(近づける)ことができるため、データをラッチするための有効データ時間を十分確保することができる。したがって、第3の実施形態を例えばDDR(Double Data Rate)のデータ出力回路に適用した場合、高速で確実な動作を行うことが可能である。 Furthermore, according to the third embodiment, since the duty ratio can be set to 50% (approaching), a sufficient effective data time for latching data can be secured. Therefore, when the third embodiment is applied to, for example, a DDR (Double Data Rate) data output circuit, it is possible to perform a reliable operation at high speed.
(データ出力回路の一例)
図5は、DDRのデータ出力回路の一例を示している。
(Example of data output circuit)
FIG. 5 shows an example of a DDR data output circuit.
このデータ出力回路は、第1、第2の差動増幅器11、12、第3、第4の差動増幅器13、14、レベル変換器15、マルチプレクサ16、第5の差動増幅器17を備える。
This data output circuit includes first and second
第3、第4の差動増幅器13、14には、例えば第1又は第2の実施形態に示すカレントミラー型差動増幅器を用い、第5の差動増幅器17には、第3の実施形態に示すOCD回路を用いる。
For the third and fourth
第3、第4の差動増幅器13、14は、相補信号としてのクロック信号REOLATe及びREOLAToを受ける。クロック信号REOLATe及びREOLAToは、第1の電圧、例えばVDDレベルの信号である。
The third and fourth
第3の差動増幅器13は、クロック信号REOLATe及びREOLAToからクロック信号を生成する。このクロック信号は、インバータ回路21、22、23を介してVDDレベルのクロック信号clkedとして第1の差動増幅器11に供給される。
The third
第4の差動増幅器14は、クロック信号REOLATe及びREOLAToからクロック信号を生成する。このクロック信号は、インバータ回路24、25、26を介してVDDレベルのクロック信号clkodとして第2の差動増幅器12に供給される。
The fourth differential amplifier 14 generates a clock signal from the clock signals REOLATe and REOLATo. This clock signal is supplied to the second
クロック信号clkedとクロック信号clkodは、相補信号である。 The clock signal clked and the clock signal clkod are complementary signals.
(レベル変換器)
インバータ回路21、24の出力端はレベル変換器(LS)15に接続されている。このレベル変換器15は、VDDレベルのクロック信号を、VDDより高い、第2の電圧、例えばVCCQレベルのクロック信号に変換する。
(Level converter)
Output terminals of the
このレベル変換器15は、複数のPチャネルMOSトランジスタ(以下、PMOSトランジスタと称す)P1〜P6、及び複数のNチャネルMOSトランジスタ(以下、NMOSトランジスタと称す)N1、N2を備える。
The
レベル変換器15の出力信号としてのクロック信号clkeqとクロック信号clkoqは、相補信号である。
The clock signal clkeq and the clock signal clkoq as output signals of the
(第1の差動増幅器)
第1の差動増幅器11は、PMOSトランジスタP11〜P21と、NMOSトランジスタN11〜N15を備える。PMOSトランジスタP11〜P21は、出力端OUTe、BOUTeのプリチャージ回路を構成している。
(First differential amplifier)
The first
第1の差動増幅器11において、クロック信号clkeqは、PMOSトランジスタP14、P17、P20のゲート電極に供給されている。クロック信号clkedは、NMOSトランジスタN15のゲート電極に供給されている。データDTeは、NMOSトランジスタN12のゲート電極に供給され、データBDTeは、NMOSトランジスタN14のゲート電極に供給される。
In the first
(第2の差動増幅器)
第2の差動増幅器12は、第1の差動増幅器11と同一構成であるため、同一部分に同一符号を付している。
(Second differential amplifier)
Since the second
第2の差動増幅器12において、クロック信号clkoqは、PMOSトランジスタP14、P17、P20のゲート電極に供給されている。クロック信号clkodは、NMOSトランジスタN15のゲート電極に供給されている。データDToは、NMOSトランジスタN14のゲート電極に供給され、データBDToは、NMOSトランジスタN12のゲート電極に供給される。
In the second
(マルチプレクサ)
マルチプレクサ16は、PMOSトランジスタP41〜P46とNMOSトランジスタN41〜N46、インバータ回路I11〜I14、及びラッチ回路LTを備える。
(Multiplexer)
The
PMOSトランジスタP41、NMOSトランジスタN46は、クロック信号clkodにより制御され、PMOSトランジスタP44、NMOSトランジスタN43は、クロック信号clkedにより制御される。 The PMOS transistor P41 and the NMOS transistor N46 are controlled by the clock signal clkod, and the PMOS transistor P44 and the NMOS transistor N43 are controlled by the clock signal clked.
PMOSトランジスタP42、P43、NMOSトランジスタN41、N42は、第1の差動増幅器11の出力端OUTe、BOUTeの出力信号により制御され、PMOSトランジスタP46、P45、NMOSトランジスタN45、N44は、第2の差動増幅器12の出力端OUTo、BOUToの出力信号により制御される。
The PMOS transistors P42 and P43 and the NMOS transistors N41 and N42 are controlled by the output signals of the output terminals OUTe and BOUTe of the first
ラッチ回路LTは、マルチプレクサ16の第1、第2の出力端A、Bに接続されている。マルチプレクサ16の第1、第2の出力端A、Bは、差動増幅器17の一対の入力端に接続されている。差動増幅器17の出力端は、図示せぬPMOSドライブトランジスタ、NMOSドライブトランジスタにそれぞれ接続されている。
The latch circuit LT is connected to the first and second output terminals A and B of the
第1の差動増幅器11は、クロック信号clkeqの立ち上がりで、出力端OUTe、BOUTeの充電を止め、クロック信号clkedの立ち上がりで、偶数番目の相補データDTe、BDTeを受け、第2の差動増幅器12は、クロック信号clkoqの立ち上がりで、出力端OUTo、BOUToの充電を止め、クロック信号clkodの立ち上がりで、奇数番目の相補データDTo、BDToを受けている。
The first
このように、第1、第2の差動増幅器11、12は、偶数番目及び奇数番目の相補データを、クロック信号clkedとclkodの立ち上がりでそれぞれ受けているため、各相補データの位相差を抑制でき、偶数番目のデータと奇数番目のデータとの位相差も抑制できる。
In this way, the first and second
しかも、図5に示すデータ出力回路は、差動増幅器13,14として第1、第2の実施形態の差動増幅器を用い、差動増幅器17として第3の実施形態のOCD回路を用いているため、第1乃至第3の実施形態の効果を得ることができる。
In addition, the data output circuit shown in FIG. 5 uses the differential amplifiers of the first and second embodiments as the
尚、第1、第2の実施形態において、第1、第2の定電流源CI1、CI2を第3の実施形態と同様に制御信号により、電流駆動能力を調整できるようにすることも可能である。 In the first and second embodiments, the current driving capability of the first and second constant current sources CI1 and CI2 can be adjusted by a control signal as in the third embodiment. is there.
その他、本発明は上記各実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。 In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. Moreover, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.
11…差動増幅器、CDA1、CDA2、CDA3、CDA4…カレントミラー型の第1乃至第4の差動増幅器、N101、N102、N103、N106…NMOSトランジスタ、P101、P102、P103、P106…PMOSトランジスタ、CI1、CI2、CI11〜CI13,CI21〜CI23…定電流源、REOLATe、REOLATo…第1、第2の入力信号。 11 ... Differential amplifier, CDA1, CDA2, CDA3, CDA4 ... Current mirror type first to fourth differential amplifiers, N101, N102, N103, N106 ... NMOS transistors, P101, P102, P103, P106 ... PMOS transistors, CI1, CI2, CI11 to CI13, CI21 to CI23... Constant current source, REOLATe, REOLATo... First and second input signals.
Claims (7)
前記第1のカレントミラー回路に接続され、差動対を構成する第2導電型の第1、第2のトランジスタと、
前記第1、第2のトランジスタに接続された第2導電型の第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタに接続された第1の定電流源と、
前記第1のカレントミラー回路と前記第2のトランジスタの接続ノードに接続された出力端と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極に反転された第1の入力信号が供給され、前記第2のトランジスタのゲート電極に前記第1の入力信号の反転信号としての第2の入力信号が供給され、前記第3のトランジスタのゲート電極に前記第1の入力信号が供給される第1の差動増幅器と、
差動対を構成する第1導電型の第4、第5のトランジスタと、
前記第4、第5のトランジスタに接続され、第2導電型のトランジスタを備える第2のカレントミラー回路と、
第2の定電流源と、
前記第2の定電流源と前記第4、第5のトランジスタとの間に接続された第1導電型の第6のトランジスタと、
を有し、
前記第4のトランジスタのゲート電極に反転された前記第1の入力信号が供給され、前記第5のトランジスタのゲート電極に反転された前記第2の入力信号が供給され、
前記第6のトランジスタのゲート電極に前記第1の入力信号が供給され、
前記第5のトランジスタと前記第2のカレントミラー回路の接続ノードが前記出力端に接続された第2の差動増幅器と、
を具備することを特徴とする差動増幅器。 A first current mirror circuit comprising a first conductivity type transistor;
First and second transistors of a second conductivity type connected to the first current mirror circuit and constituting a differential pair;
A second transistor of the second conductivity type connected to the first and second transistors;
A first constant current source connected to the third transistor;
An output terminal connected to a connection node of the first current mirror circuit and the second transistor;
An inverted first input signal is supplied to the gate electrode of the first transistor, and a second input signal as an inverted signal of the first input signal is supplied to the gate electrode of the second transistor, A first differential amplifier in which the first input signal is supplied to a gate electrode of the third transistor;
Fourth and fifth transistors of the first conductivity type constituting a differential pair;
A second current mirror circuit connected to the fourth and fifth transistors and comprising a second conductivity type transistor;
A second constant current source;
A sixth transistor of a first conductivity type connected between the second constant current source and the fourth and fifth transistors;
Have
The inverted first input signal is supplied to the gate electrode of the fourth transistor, and the inverted second input signal is supplied to the gate electrode of the fifth transistor,
The first input signal is supplied to a gate electrode of the sixth transistor;
A second differential amplifier in which a connection node of the fifth transistor and the second current mirror circuit is connected to the output terminal;
A differential amplifier comprising:
第1の定電流源と、
前記第1の定電流源と前記第1のカレントミラー型差動増幅器との間に接続され、ゲート電極に前記第1の入力信号が供給される第2導電型の第1のトランジスタと、
前記第1の入力信号の反転信号と、前記第2の入力信号の反転信号が供給され、出力端が前記第1のカレントミラー型差動増幅器の出力端に接続された第2導電型の第2のカレントミラー型差動増幅器と、
第2の定電流源と、
前記第2の定電流源と前記第2のカレントミラー型差動増幅器との間に接続され、ゲート電極に前記第1の入力信号が供給される第1導電型の第2のトランジスタと、
を具備することを特徴とする差動増幅器。 A first conductivity type first current mirror type differential amplifier to which an inverted signal of the first input signal and an inverted signal of the second input signal complementary to the first input signal are supplied;
A first constant current source;
A first transistor of a second conductivity type connected between the first constant current source and the first current mirror type differential amplifier and having the gate electrode supplied with the first input signal;
An inverted signal of the first input signal and an inverted signal of the second input signal are supplied, and an output terminal is connected to an output terminal of the first current mirror type differential amplifier. Two current mirror type differential amplifiers;
A second constant current source;
A second transistor of a first conductivity type connected between the second constant current source and the second current mirror type differential amplifier, wherein the first input signal is supplied to a gate electrode;
A differential amplifier comprising:
前記第2のトランジスタに並列接続され、ゲート電極に前記出力端の出力信号が反転されて供給される第1導電型の第4のトランジスタと、
をさらに具備することを特徴とする請求項2記載の差動増幅器。 A third transistor of a second conductivity type connected in parallel to the first transistor and supplied by inverting the output signal of the output terminal to the gate electrode;
A fourth transistor of the first conductivity type connected in parallel to the second transistor and supplied by inverting the output signal of the output terminal to the gate electrode;
The differential amplifier according to claim 2, further comprising:
前記第1の差動増幅器は、
前記第1、第2の入力信号が供給され、第1の出力端を有する第1導電型の第1のカレントミラー型差動増幅器と、
前記第1のカレントミラー型差動増幅器に接続され、ゲート電極に反転された前記第1の入力信号が供給される第2導電型の第1のトランジスタと、
複数の第1の定電流源と、
前記第1のトランジスタと複数の前記第1の定電流源との間に接続され、第1の制御信号により選択される第2導電型の複数の第2のトランジスタと、
複数の第2の定電流源と、
前記第1、第2の入力信号が供給され、出力端が前記第1の出力端に接続された第2導電型の第2のカレントミラー型差動増幅器と、
前記第2のカレントミラー型差動増幅器に接続され、ゲート電極に反転された前記第1の入力信号が供給される第1導電型の第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタと複数の前記第2の定電流源との間に接続され、第2の制御信号により選択される第1導電型の複数の第4のトランジスタと、
を具備し、
前記第2の差動増幅器は、
前記第1、第2の入力信号が供給され、第2の出力端を有する第1導電型の第3のカレントミラー型差動増幅器と、
前記第3のカレントミラー型差動増幅器に接続され、ゲート電極に反転された前記第1の入力信号が供給される第2導電型の第5のトランジスタと、
複数の第3の定電流源と、
前記第5のトランジスタと複数の前記第3の定電流源との間に接続され、第3の制御信号により選択される第2導電型の複数の第6のトランジスタと、
複数の第4の定電流源と、
前記第1、第2の入力信号が供給され、出力端が前記第2の出力端に接続された第2導電型の第4のカレントミラー型差動増幅器と、
前記第4のカレントミラー型差動増幅器に接続され、ゲート電極に反転された前記第1の入力信号が供給される第1導電型の第7のトランジスタと、
前記第7のトランジスタと複数の前記第4の定電流源との間に接続され、第4の制御信号により選択される第1導電型の複数の第8のトランジスタと、
を具備することを特徴とする差動増幅器。 A first input signal and a second input signal complementary to the first input signal are supplied, and first and second differential amplifiers are provided to output inverted signals of the second input signal, respectively. A differential amplifier,
The first differential amplifier includes:
A first conductivity type first current mirror type differential amplifier which is supplied with the first and second input signals and has a first output end;
A first transistor of a second conductivity type connected to the first current mirror type differential amplifier and supplied with the first input signal inverted to a gate electrode;
A plurality of first constant current sources;
A plurality of second transistors of a second conductivity type connected between the first transistor and the plurality of first constant current sources and selected by a first control signal;
A plurality of second constant current sources;
A second current mirror type differential amplifier of a second conductivity type, supplied with the first and second input signals and having an output terminal connected to the first output terminal;
A third transistor of a first conductivity type connected to the second current mirror type differential amplifier and supplied with the inverted first input signal to the gate electrode;
A plurality of fourth transistors of a first conductivity type connected between the third transistor and the plurality of second constant current sources, and selected by a second control signal;
Comprising
The second differential amplifier is:
A first conductivity type third current mirror type differential amplifier which is supplied with the first and second input signals and has a second output end;
A fifth transistor of a second conductivity type connected to the third current mirror type differential amplifier and supplied with the inverted first input signal to the gate electrode;
A plurality of third constant current sources;
A plurality of sixth transistors of a second conductivity type connected between the fifth transistor and the plurality of third constant current sources, and selected by a third control signal;
A plurality of fourth constant current sources;
A fourth conductivity mirror type differential amplifier of a second conductivity type supplied with the first and second input signals and having an output terminal connected to the second output terminal;
A seventh transistor of a first conductivity type connected to the fourth current mirror type differential amplifier and supplied with the first input signal inverted to the gate electrode;
A plurality of eighth transistors of a first conductivity type connected between the seventh transistor and the plurality of fourth constant current sources and selected by a fourth control signal;
A differential amplifier comprising:
前記第1、第2のクロック信号を受け前記第3のクロック信号と相補的な第4のクロック信号を出力する第2の差動増幅器と、
前記第3のクロック信号に基づき第1のレベルの相補的な第1、第2のデータ受け、第1のレベルと異なる第2のレベルの相補的な第3、第4のデータを出力する第3の差動増幅器と、
前記第4クロック信号に基づき第1のレベルの相補的な第5、第6のデータ受け、前記第2のレベルの相補的な第7、第8のデータを出力する第4の差動増幅器と、
前記第3の差動増幅器から出力される前記第3、第4のデータと、前記第4の差動増幅器から出力される前記第7、第8のデータを交互に選択する選択回路と、
前記選択回路に接続された第5の差動増幅器と
を具備し、
前記第1、第2の差動増幅器は、請求項2記載の差動増幅器であることを特徴とするデータ出力回路。 A first differential amplifier that receives complementary first and second clock signals and outputs a third clock signal;
A second differential amplifier that receives the first and second clock signals and outputs a fourth clock signal complementary to the third clock signal;
Based on the third clock signal, first and second data receiving complementary at the first level, and outputting third and fourth complementary data at a second level different from the first level. 3 differential amplifiers;
A fourth differential amplifier for receiving complementary fifth and sixth data at a first level and outputting complementary seventh and eighth data at the second level based on the fourth clock signal; ,
A selection circuit that alternately selects the third and fourth data output from the third differential amplifier and the seventh and eighth data output from the fourth differential amplifier;
A fifth differential amplifier connected to the selection circuit;
The data output circuit according to claim 2, wherein the first and second differential amplifiers are the differential amplifiers according to claim 2.
前記第1、第2のクロック信号を受け前記第3のクロック信号と相補的な第4のクロック信号を出力する第2の差動増幅器と、
前記第3クロック信号に基づき第1のレベルの相補的な第1、第2のデータ受け、第1のレベルより高い第2のレベルの相補的な第3、第4のデータを出力する第3の差動増幅器と、
前記第4クロック信号に基づき第1のレベルの相補的な第5、第6のデータ受け、前記第2のレベルの相補的な第7、第8のデータを出力する第4の差動増幅器と、
前記第3の差動増幅器から出力される前記第3、第4のデータと、前記第4の差動増幅器から出力される前記第7、第8のデータを交互に選択する選択回路と、
前記選択回路に接続された第5の差動増幅器と
を具備し、
前記第5の差動増幅器は、請求項5記載の差動増幅器であることを特徴とするデータ出力回路。 A first differential amplifier that receives complementary first and second clock signals and outputs a third clock signal;
A second differential amplifier that receives the first and second clock signals and outputs a fourth clock signal complementary to the third clock signal;
Based on the third clock signal, the first level and the second level of complementary data are received, and the third level and the fourth level of the second level higher than the first level are output. Differential amplifier,
A fourth differential amplifier for receiving complementary fifth and sixth data at a first level and outputting complementary seventh and eighth data at the second level based on the fourth clock signal; ,
A selection circuit that alternately selects the third and fourth data output from the third differential amplifier and the seventh and eighth data output from the fourth differential amplifier;
A fifth differential amplifier connected to the selection circuit;
The data output circuit according to claim 5, wherein the fifth differential amplifier is a differential amplifier according to claim 5.
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9679617B2 (en) | 2015-09-09 | 2017-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplifier |
JP2019161522A (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | Semiconductor device and memory system |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004112453A (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Ricoh Co Ltd | Signal transmission apparatus |
JP2011103648A (en) * | 2002-09-10 | 2011-05-26 | Nec Corp | Differential amplifier circuit, semiconductor device, and display device |
-
2013
- 2013-03-21 JP JP2013058940A patent/JP5814967B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011103648A (en) * | 2002-09-10 | 2011-05-26 | Nec Corp | Differential amplifier circuit, semiconductor device, and display device |
JP2004112453A (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Ricoh Co Ltd | Signal transmission apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9679617B2 (en) | 2015-09-09 | 2017-06-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Amplifier |
JP2019161522A (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | Semiconductor device and memory system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150206 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150609 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150825 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150918 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5814967 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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