JP2014183281A - Magnetic annealing device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、磁気アニール装置に関する。 The present invention relates to a magnetic annealing apparatus.
近年、次世代の半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの1つであるMRAM(Magnetic Random Access Memory)が注目されている。MRAMは、例えば半導体ウエハ(以後、ウエハ)である被処理体上に形成された磁性体膜を強磁場中で熱処理(磁気アニール)し、その磁気特性を発現させることによって製造される。 In recent years, MRAM (Magnetic Random Access Memory), which is one of nonvolatile memories, has attracted attention as a next-generation semiconductor memory device. An MRAM is manufactured by, for example, subjecting a magnetic film formed on an object to be processed, which is a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), to heat treatment (magnetic annealing) in a strong magnetic field to develop its magnetic characteristics.
例えば特許文献1では、磁気アニールするための磁場発生手段として、ソレノイド型の超伝導磁石を使用した設置面積が比較的小さい磁気アニール装置が開示されている。
For example,
一般的に、半導体デバイス用の磁気アニール装置に使用される超伝導磁石は、漏洩磁場を抑制する部材が配設されるために、重量及び占有面積が大きくなる傾向がある。また、磁気アニール処理の処理効率の観点において、単位時間あたりのウエハの処理枚数を向上させるためには、磁気アニール処理を施す超伝導磁石を大型化することが考えられる。 Generally, a superconducting magnet used in a magnetic annealing apparatus for a semiconductor device tends to increase in weight and occupied area because a member for suppressing a leakage magnetic field is provided. From the viewpoint of the processing efficiency of the magnetic annealing process, it is conceivable to increase the size of the superconducting magnet to be subjected to the magnetic annealing process in order to improve the number of wafers processed per unit time.
超伝導磁石を大型化する場合、設置上の制限から、超伝導磁石を略横向きに配置することが好ましい。しかしながら、大型の磁気アニール装置を横向きに設置する場合、超伝導磁石の軸が水平にならないことがある。特に、磁気アニール処理時においては、ウエハ面と磁力線との間の位置合わせ精度に対する要求が非常に大きい。そのため、設置時のソレノイド型磁石の軸方向が水平からずれている場合、このずれに応じて、ウエハを保持するウエハ保持具を超伝導磁石へと搬送する移載機構を傾斜させる必要がある。 When increasing the size of the superconducting magnet, it is preferable to dispose the superconducting magnet in a substantially lateral direction due to installation limitations. However, when a large magnetic annealing apparatus is installed sideways, the axis of the superconducting magnet may not be horizontal. In particular, during the magnetic annealing process, there is a great demand for alignment accuracy between the wafer surface and the magnetic field lines. Therefore, when the axial direction of the solenoid type magnet at the time of installation is deviated from the horizontal, it is necessary to incline the transfer mechanism that conveys the wafer holder holding the wafer to the superconducting magnet in accordance with this deviation.
しかしながら、移載機構を傾斜させた場合、それに応じてウエハ保持具も傾斜するため、従来のウエハ搬送機構では搬送できない場合があるという問題を有していた。 However, when the transfer mechanism is tilted, the wafer holder is also tilted accordingly. Therefore, there is a problem that the conventional wafer transfer mechanism may not be able to transfer.
上記課題に対して、効率良くウエハを磁気アニール装置へと搬入可能な磁気アニール装置を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a magnetic annealing apparatus capable of efficiently carrying a wafer into a magnetic annealing apparatus.
磁界発生手段として横型の超伝導磁石を用いて、被処理体を磁気アニール処理する磁気アニール装置であって、
前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記被処理体を収納する収納容器と、前記被処理体保持具と、の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体保持具に接続部を介して接続され、前記被処理体を前記被処理体搬送機構で搬送する際の第1の位置と、前記被処理体を磁気アニール処理する際の第2の位置との間で、前記被処理体保持具を移載可能な移載機構と、
を有し、
前記接続部は、前記被処理体保持具の傾斜角を調節可能な角度調節部を有する、
磁気アニール装置。
A magnetic annealing apparatus that magnetically anneals an object to be processed using a horizontal superconducting magnet as a magnetic field generating means,
A workpiece holder that can hold the workpiece, and
A target object transport mechanism for transporting the target object between a storage container for storing the target object and the target object holder;
A first position when the workpiece is transported by the workpiece transport mechanism and a second position when the workpiece is magnetically annealed, connected to the workpiece holder via a connecting portion. A transfer mechanism capable of transferring the object holder between the position and
Have
The connection unit includes an angle adjustment unit capable of adjusting an inclination angle of the object holder.
Magnetic annealing equipment.
本発明によれば、効率良くウエハを磁気アニール装置へと搬入可能な磁気アニール装置を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the magnetic annealing apparatus which can carry in a wafer into a magnetic annealing apparatus efficiently can be provided.
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.
(キャリア)
図1に、ウエハWのキャリアCの一例の概略斜視図を示す。なお、本実施形態においては、ウエハWを収容するキャリアCとして、密閉型のFOUP(Front Opening Unified Pod)を使用する場合について説明するが、本発明はこの点において限定されない。
(Career)
In FIG. 1, the schematic perspective view of an example of the carrier C of the wafer W is shown. In the present embodiment, a case where a sealed FOUP (Front Opening Unified Pod) is used as the carrier C that accommodates the wafer W will be described, but the present invention is not limited in this respect.
ウエハWのキャリアCは、一端部が開口部として形成され、他端部が例えば略半楕円形状に形成されている。 One end of the carrier C of the wafer W is formed as an opening, and the other end is formed in a substantially semi-elliptical shape, for example.
キャリアCの内壁面には、ウエハWを多段に配置することができる支持部が形成されている。この支持部に、例えば直径300mmのウエハWの周縁部を載置して支持することにより、略等ピッチで多段にウエハWを収納することができる。一般的に、1つのキャリアCに対して、25枚のウエハWを収納することができる。 On the inner wall surface of the carrier C, a support portion on which the wafers W can be arranged in multiple stages is formed. For example, by placing and supporting the peripheral portion of a wafer W having a diameter of 300 mm on this support portion, the wafers W can be accommodated in multiple stages at a substantially equal pitch. Generally, 25 wafers W can be stored in one carrier C.
キャリアCの天井部には、キャリアCを把持する際に掴むことが可能である把手10が設けられる。
A
図1に示すように、キャリアCの開口部には、この開口部に対応する開閉蓋12が着脱可能に取り付けられており、キャリアC内は開閉蓋12によって実質的に気密状態とされる。一般的に、キャリアの内部の雰囲気は、清浄ガス(清浄気体)となっている。
As shown in FIG. 1, an opening /
開閉蓋12には、例えば2つのロック機構14が設けられており、ロック機構14を施錠又は開錠することにより、開閉蓋12を開口部から着脱することができる構成となっている。
The opening /
キャリアCの底部の下面には、図示しない複数の位置決め凹部が設けられており、後述する載置台に載置する際に、このキャリアを位置決め可能な構成となっている。また、キャリアの底部の下面には、図示しないロック片が設けられており、載置台に載置した際にロックできる構成となっている。 A plurality of positioning recesses (not shown) are provided on the bottom surface of the bottom of the carrier C, and the carrier can be positioned when it is placed on a mounting table to be described later. Further, a lock piece (not shown) is provided on the lower surface of the bottom portion of the carrier, so that the carrier can be locked when placed on the mounting table.
(磁気アニール装置)
次に、本実施形態の磁気アニール装置について説明する。図2に、磁気アニール装置の一例の概略平面図を示す。なお、後述するウエハボート128、断熱部134、キャップ136及び角度調節機構137及び移載機構138に関して、実線は、ウエハWをウエハボート128に搬送する際の位置を示し、破線は、ウエハWを磁気アニール処理する際の位置を示している。
(Magnetic annealing equipment)
Next, the magnetic annealing apparatus of this embodiment will be described. FIG. 2 shows a schematic plan view of an example of a magnetic annealing apparatus. Regarding the
図2において示されるように、磁気アニール装置100は、筐体102に収容されて構成される。筐体102は、磁気アニール装置の外装体を構成し、この筐体102内に、キャリア搬送領域S1とウエハ搬送領域S2とが形成されている。
As shown in FIG. 2, the
キャリア搬送領域S1は、被処理体であるウエハWを収納したキャリアCが磁気アニール装置に対して搬入、搬出される領域である。また、ウエハ搬送領域S2は、キャリアC内のウエハWを搬送して、後述する磁気アニール炉内に搬入するための移載領域である。 The carrier transfer area S1 is an area where the carrier C containing the wafer W, which is the object to be processed, is carried into and out of the magnetic annealing apparatus. The wafer transfer area S2 is a transfer area for transferring the wafer W in the carrier C and loading it into a magnetic annealing furnace described later.
キャリア搬送領域S1とウエハ搬送領域S2とは、隔壁104により仕切られている。
The carrier transfer area S1 and the wafer transfer area S2 are partitioned by a
キャリア搬送領域S1は、大気雰囲気下にある領域であり、キャリアCに収納したウエハWを搬送する領域である。各処理装置間の領域がキャリア搬送領域S1に該当し、本実施形態においては、磁気アニール装置100の外部のクリーンルーム内の空間が、キャリア搬送領域S1に該当する。
The carrier transfer area S1 is an area under an air atmosphere, and is an area where the wafer W stored in the carrier C is transferred. An area between the processing apparatuses corresponds to the carrier transport area S1, and in this embodiment, a space in the clean room outside the
一方、ウエハ搬送領域S2の雰囲気としては、特に制限されず、大気雰囲気であっても良いし、不活性ガス雰囲気、例えば窒素(N2)ガス雰囲気であっても良い。被処理体の構成によって、より低酸素雰囲気下での処理を要する場合、例えば酸化膜等が形成されることを防ぎたい場合などには、不活性ガス雰囲気としても良い。また、ウエハ搬送領域S2は、一般的には、キャリア搬送領域S1よりも清浄度が高く、かつ、低酸素濃度に維持されている。 On the other hand, the atmosphere in the wafer transfer region S2 is not particularly limited, and may be an air atmosphere or an inert gas atmosphere, for example, a nitrogen (N 2 ) gas atmosphere. Depending on the configuration of the object to be processed, an inert gas atmosphere may be used when processing in a lower oxygen atmosphere is required, for example, when it is desired to prevent formation of an oxide film or the like. Further, the wafer transfer region S2 is generally higher in cleanliness than the carrier transfer region S1 and is maintained at a low oxygen concentration.
以後の説明では、図2の左右方向を、磁気アニール装置の前後方向とする。なお、キャリア搬送領域S1側を前方(図2のX方向)とし、ウエハ搬送領域S2側を後方(図2のY方向)とする。 In the following description, the left-right direction in FIG. 2 is the front-rear direction of the magnetic annealing apparatus. The carrier transfer area S1 side is the front (X direction in FIG. 2), and the wafer transfer area S2 side is the rear (Y direction in FIG. 2).
[キャリア搬送領域S1]
キャリア搬送領域S1について、より詳細に説明する。図3に、磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図を示す。
[Carrier transport area S1]
The carrier transport area S1 will be described in more detail. FIG. 3 shows a schematic longitudinal sectional view of the vicinity of the carrier transport region of the magnetic annealing apparatus.
キャリア搬送領域S1は、第1の搬送領域106と、第1の搬送領域106の後方側に位置する第2の搬送領域108と、を含む。
The carrier transport area S1 includes a
図2に示すように、第1の搬送領域106の左右方向(図2のXY軸方向とは垂直な方向)には、キャリアCを各々載置する2つの第1の載置台110a、110bが設けられている。各第1の載置台110a、110bの載置面には、キャリアCの位置決め凹部に対応する、キャリアCを位置決めするピン112が、例えば3箇所に設けられている。 As shown in FIG. 2, in the left-right direction of the first transfer area 106 (direction perpendicular to the XY axis direction in FIG. 2), two first mounting tables 110a and 110b each mounting the carrier C are provided. Is provided. On the mounting surface of each of the first mounting tables 110a and 110b, pins 112 for positioning the carrier C corresponding to the positioning recesses of the carrier C are provided, for example, at three locations.
第2の搬送領域108には、左右の第1の載置台のいずれか一方(本実施形態では載置台110a)に対して前後方向に並び、かつ、図3の上下方向に配置された、2つの第2の載置台114a、114bが設けられている。各第2の載置台114は、前後方向に移動自在に構成されている。
The
第2の載置台114の載置面にも第1の載置台110と同様に、キャリアCを位置決めするピン112が、例えば3箇所に設けられている。また、前記載置面には、キャリアCを固定するための図示しないフックが設けられている。 Similarly to the first mounting table 110, pins 112 for positioning the carrier C are provided on the mounting surface of the second mounting table 114, for example, at three locations. In addition, a hook (not shown) for fixing the carrier C is provided on the mounting surface.
図3に示すように、第2の搬送領域108及び/又は第1の搬送領域106の上部側には、キャリアCを保管する第1のキャリア保管部116a、116bが設けられている。キャリア保管部116a、116bは、例えば2段以上の棚により構成されており、各棚は左右方向に例えば2つのキャリアCを載置することができる。
As shown in FIG. 3, first
また、図2に示すように、第2の載置台114の左右方向に、複数段の棚により構成された第2のキャリア保管部116cが設けられている。
In addition, as shown in FIG. 2, a second
第1のキャリア保管部116a、116bと第2のキャリア保管部116cが設けられていることにより、キャリア搬送領域S1内に、十分な数のキャリアC(即ち、十分な枚数のウエハW)を保持することができる。
Since the first
第2の搬送領域108には、キャリアCを、第1の載置台、第2の載置台並びに第1及び第2のキャリア保管部との間で搬送するキャリア搬送機構118が設けられている。このキャリア搬送機構118は、上下方向に昇降自在なガイド部118aと、ガイド部118aにガイドされながら上下に移動する移動部118bと、この移動部118bに設けられ、の底部を支持して水平方向に搬送する搬送アーム118cと、を備えている。
In the
隔壁104には、キャリア搬送領域S1とウエハ搬送領域S2とを連通させるウエハWの搬送口120が設けられている。搬送口120には、この搬送口120をウエハ搬送領域S2側から塞ぐ開閉ドア122が設けられている。開閉ドア122には、図示しない駆動機構が接続されており、駆動機構により開閉ドア122は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口120が開閉される。
The
<キャリア搬送領域S1でのキャリアC(ウエハW)の搬送>
キャリア搬送領域S1からウエハ搬送領域S2へのウエハWの搬送について、説明する。先ず、前述の搬送アーム118cによって、キャリアCは、第1の載置台110、第1のキャリア保管部116a、116b又は第2のキャリア保管部116cから、第2の載置台114へと移載される。キャリアCは、その位置決め凹部とピン112とが係合するように載置される。第2の載置台114にキャリアCが載置されると、第2の載置台114が隔壁104側に移動され、キャリアCが隔壁104に当接する。キャリアCの当接状態は、図示しない固定機構により保持される。
<Conveyance of carrier C (wafer W) in carrier conveyance area S1>
The transfer of the wafer W from the carrier transfer area S1 to the wafer transfer area S2 will be described. First, the carrier C is transferred from the first mounting table 110, the first
その後、隔壁104に形成された開閉ドア122及びキャリアCの開閉蓋12が密閉されている状態で、開閉蓋12を図示しない開閉機構によって開く。ウエハ搬送領域S2の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする場合は、先ず、キャリアCの開閉蓋12が密閉されている状態で、図示しない不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行い、開閉ドア122と開閉蓋12との間の大気を取り除いて不活性ガスを充満させる。次に、キャリアC内を不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行う。
Thereafter, in a state where the opening /
そして、キャリアCの隔壁104に形成された開閉ドア122を開き、後述するウエハ搬送機構124によってキャリアC内のウエハWが搬入、搬出される。
Then, the opening /
キャリアCの交換及びウエハWの搬出時には、上述の逆の動作が実施される。 When the carrier C is replaced and the wafer W is unloaded, the reverse operation described above is performed.
[ウエハ搬送領域S2]
図4に、磁気アニール装置100のウエハ搬送領域S2近傍の概略平面図を示す。図4に示すように、ウエハ搬送領域S2には、主として、ウエハ搬送機構124、アライナー装置126、ウエハボート128及び磁界発生手段130(図2参照)が設置される。
[Wafer transfer area S2]
FIG. 4 shows a schematic plan view of the vicinity of the wafer transfer region S2 of the
ウエハ搬送機構124は、ウエハ搬送領域S2でのウエハWの搬送を担っており、ウエハボート128と、隔壁104の搬送口120と、の間に設けられている。ウエハ搬送機構124は、上下に伸びるガイド機構124aに沿って移動すると共に、鉛直軸回りに回動する移動体124bに、例えば5枚の進退自在なアーム124cを設けて構成され、ウエハボート128と、第2の載置台114上のキャリアCと、アライナー装置126と、の間でウエハを搬送する。
The
アライナー装置126は、例えば、ウエハWのエッジを把持し、センタリングとノッチ等の角度合わせを行うものである。
The
ウエハボート128は、一般的に、円筒状の形状を有し、複数のキャリアC、例えば4つのキャリアC内の多数枚のウエハWを保持することが可能である。また、ウエハボート128は、断熱部134を介してキャップ136の後方側に載置されている。キャップ136は、移載機構138の後方側に支持されており、この移載機構138によりウエハボート128が磁界発生手段130に対して搬入又は搬出される。
The
一般的には、キャップ136と断熱部134とは、キャップ136の主表面と断熱部134の軸方向とが垂直となるように、固定されて構成される。また、断熱部134の軸方向とウエハボート128の軸方向とは、平行となるように固定されて構成される。
In general, the
本実施形態の磁気アニール装置100においては、キャップ136の主表面と断熱部134の軸方向との角度が可変となるように、キャップ136及び断熱部134の少なくとも一方に、角度調節機構137が設けられる。即ち、角度調節機構137を設けることにより、ウエハボート128の傾斜角を変更することができる。
In the
また、角度調節機構137は、好ましくは水平器を有し、ウエハボート128の軸が水平か否かを判定することができ、水平でない場合、角度調節機構137によって、断熱部134を介してウエハボート128の傾斜角を変更し、その軸を例えば水平に保持することが可能な構成となっている。
Further, the
後述する図6に示すように、移載機構138は、キャップ136に接続された接続部138aと、この接続部138aに接続されて移載機構138を案内する、前述の前後方向に沿って形成された案内レール138bと、図示しない駆動機構とを有する。これにより、移載機構138は、案内レール138上にスライド移動自在となっている。
As shown in FIG. 6, which will be described later, the
また、キャップ136、接続部138a及び案内レール138bは、剛体で形成され、各々の部材間の相対角度は一定となるように構成される。
Further, the
ウエハボート128の後方側には、ウエハWに磁気アニール処理を施す、磁界発生手段130が配置される。磁界発生手段としては、右端が炉口である横型のソレノイド型磁石(超伝導磁石)から構成される磁気アニール炉を使用することができる。ソレノイド型磁石は、その中心線軸方向が実質的に水平となるように配置され、図示しない電源装置に接続される。横型のソレノイド型磁石により発生する磁石内の磁界の方向(磁力線の向き)は、前述の前後方向となる。
On the rear side of the
また、磁界発生手段130には、その内周に沿って加熱手段132が配置されており、ウエハWを所定の温度に加熱することができる。即ち、磁界発生手段130によって、ウエハWは、均一な磁界の元で加熱処理される。 Further, the magnetic field generating means 130 is provided with a heating means 132 along the inner periphery thereof, so that the wafer W can be heated to a predetermined temperature. In other words, the wafer W is heated by the magnetic field generating means 130 under a uniform magnetic field.
ソレノイド型磁石を用いて複数枚、例えば100枚のウエハWに同様の磁気アニール処理を施す場合、全てのウエハWに対して均一な処理を施すために、均磁場領域にウエハWを配置する必要がある。ソレノイド型磁石の均磁場領域は、その軸方向長さの約20%程度である。そのため、例えば100枚のφ300mmのウエハWを磁気アニール装置によって処理する場合、横型のソレノイド型磁石の設計例としては、内径(ボア径)φ570mm、外径φ1900mm、長さ2500mm、(その場合の均磁場領域の長さは、約680mm程度)、とすることができる。 When a similar magnetic annealing process is performed on a plurality of wafers W, for example, 100 wafers W using a solenoid type magnet, it is necessary to arrange the wafers W in the uniform magnetic field region in order to perform a uniform process on all the wafers W. There is. The uniform magnetic field region of the solenoid type magnet is about 20% of its axial length. Therefore, for example, when 100 wafers of φ300 mm are processed by a magnetic annealing apparatus, the design example of the horizontal solenoid magnet includes an inner diameter (bore diameter) φ570 mm, an outer diameter φ1900 mm, a length 2500 mm, The length of the magnetic field region can be about 680 mm).
また、上記設計の横型のソレノイド型磁石の重量は、略25トン程度となる。そのため、ソレノイド型磁石の底部には、ソレノイド型磁石を保持するための、図示しない保持台及びこの保持台の底部に図示しない保持板が設けられる。 Further, the weight of the horizontal solenoid magnet of the above design is about 25 tons. Therefore, a bottom of the solenoid type magnet is provided with a holding base (not shown) for holding the solenoid type magnet and a holding plate (not shown) at the bottom of the holding base.
なお、図2に示すように、この磁気アニール装置100には、例えばコンピュータからなる制御部140が設けられている。制御部140はプログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部などを備えており、プログラムには、制御部から磁気アニール装置の各部に制御信号を送り、各処理工程を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。その制御信号によりキャリアCの搬送、角度調節機構137によるウエハボート128の傾斜角の制御、ウエハWの搬送、開閉ドアの開閉、蓋体の開閉、各処理が行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部にインストールされる。
As shown in FIG. 2, the
<ウエハ搬送領域S2でのウエハWの搬送>
前述した通り、本実施形態の磁気アニール装置は、角度調節部137により、キャップ136と断熱部134との為す角度を調節することで、ウエハボート128の傾斜角を調節することができる。これにより、ウエハWをウエハボート128へ搬送する際と、ウエハWを収納したウエハボート128を磁界発生手段130へとロードする際とで、各々独立して、キャップ136と断熱部134とが為す角度を最適に調節することができる。
<Transfer of wafer W in wafer transfer area S2>
As described above, the magnetic annealing apparatus of the present embodiment can adjust the tilt angle of the
具体的な実施例を挙げて、角度調節部137の効果について説明する。
The effect of the
先ず、ウエハWを、第2の載置台114a、114bに載置されたキャリアCからウエハボート128へと搬送するまでの一連のフローについて、説明する。
First, a series of flows until the wafer W is transferred from the carrier C mounted on the second mounting tables 114a and 114b to the
ウエハ搬送領域S2に搬入されたウエハWは、ウエハ搬送機構124により、先ず、アライナー装置126へと移載され、センタリングとノッチ等の角度合わせが行われる。次いで、角度合わせが済んだウエハWは、ウエハ搬送機構124により、アライナー装置126からウエハボート128へと移載される。ウエハボート128へウエハWの移載が終わった後、ウエハ搬送機構124はキャリアCへと戻って、次のウエハWが移載される。
The wafer W carried into the wafer transfer region S2 is first transferred to the
なお、後述するように、ウエハ搬送機構124によるウエハボート128へのウエハWの搬送は、ウエハボート128が実質的に水平である状態で実施されることが好ましい。
As will be described later, the transfer of the wafer W to the
1つのキャリアC内に保持されるウエハWの枚数は、一般的に、25枚であり、ウエハ搬送機構124によるウエハWの搬送枚数は、一般的に、5枚である。そのため、1つのキャリアCに対して、キャリアCからアライナー装置126を経たウエハボート128へのウエハWの移載は、5回行われる。一方の第2の載置台(例えば第2の載置台114a)に載置されたキャリアCからのウエハWの移載が終わった後は、ウエハ搬送機構124によって、他方の第2の載置台(例えば第2の載置台114b)に載置されたキャリアCからのウエハWの移載を行う。その際、第2の載置台114aに載置された空となったキャリアCは、他方の第2の載置台114bに載置されたキャリアCからのウエハWの移載を行っている間に、キャリア保管部116に保管されている他のキャリアCと取り替えられる。
The number of wafers W held in one carrier C is generally 25, and the number of wafers W transferred by the
図5に、ウエハボート128内に保持されるウエハWの配置例を説明するための概略図を示す。
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining an arrangement example of the wafers W held in the
図5(a)は、ウエハWの積載方向が、前述の前後方向である場合の配置例であり、図5(b)は、ウエハWの積載方向が、鉛直方向である場合の配置例である。 FIG. 5A shows an arrangement example when the loading direction of the wafer W is the above-described front-rear direction, and FIG. 5B shows an arrangement example when the loading direction of the wafer W is the vertical direction. is there.
ウエハWの磁気アニール処理は、ウエハWの主表面に対して垂直な方向に磁界を印加する垂直磁化方式と、ウエハWの主表面に対して平行な方向に磁界を印加する面内磁化方式と、の2種類の方式が知られている。本実施形態のように、磁界発生手段130として横型のソレノイド型磁石を採用する場合、磁石内の磁界(磁力線)の向きは、前述の前後方向となる。 The magnetic annealing process for the wafer W includes a perpendicular magnetization method in which a magnetic field is applied in a direction perpendicular to the main surface of the wafer W, and an in-plane magnetization method in which a magnetic field is applied in a direction parallel to the main surface of the wafer W. Two types of methods are known. As in the present embodiment, when a horizontal solenoid magnet is employed as the magnetic field generating means 130, the direction of the magnetic field (lines of magnetic force) in the magnet is the aforementioned front-rear direction.
より具体的な例として、100枚のウエハWをウエハボート128に搬送する例について説明するが、本発明はこの点において限定されない。ウエハWを垂直磁化方式によって磁気アニール処理する場合、図5(a)に示すように、ウエハWの積載方向が前述の前後方向となるように配置する。例えば100枚のウエハWを処理する場合には、図5(a)に示すように、ウエハWを100枚所定の間隔で棚状に積載した積載体を、ウエハボート128に1つ配置する。一方、ウエハWを面内磁化方式によって磁気アニール処理する場合、図5(b)に示すように、ウエハWを所定の間隔で50枚積載した積載体を、前述の前後方向に2つ並列に並べてウエハボート128に配置することができる。
As a more specific example, an example in which 100 wafers W are transferred to the
図6に、ウエハボート128の、磁界発生手段130に対する搬入又は搬出を説明するための概略図を示す。なお、図6では、ウエハWを鉛直方向に50枚所定の間隔で積載した積載体を、前述の前後方向に2つ並列に並べてウエハボート128に配置した場合について、説明するが、本発明はこの実施形態に限定されない。
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the loading or unloading of the
より具体的には、図6(a)は、磁界発生手段130が水平に配置された場合の概略図であり、図6(b)は、磁界発生手段130が水平からαの角度(但し、α>0)を有して配置された場合の概略図である。なお、図6(a)及び図6(b)においては、ウエハWがウエハボート128へと搬送されるときの、ウエハボート128、断熱部134及びキャップ136の配置位置を実線で示し、ウエハWが磁界発生手段130へと搬送されたときの、それらの配置位置を破線で示す。
More specifically, FIG. 6A is a schematic view when the magnetic
図6(a)に示すように、設置された磁界発生手段130が水平である場合、移載機構138の案内レール138bも同様に、水平となる。また、この場合、コイル状の磁界発生手段130の中の磁力線の向きは、水平方向となる。
As shown in FIG. 6A, when the installed magnetic field generating means 130 is horizontal, the
一方、キャップ136の主表面の面方向は鉛直方向となり、断熱部134の軸方向及びウエハボート128の軸方向は略水平となる。これにより、ウエハボート128の軸を傾斜させることなく、ウエハWをウエハボート128へと安定して搬送することができる。
On the other hand, the surface direction of the main surface of the
一般的には、ウエハボート128の図示しないウエハ保持部には、ウエハボート128が水平でない場合でもウエハ搬送機構124によってウエハWが搬送されるよう、十分なクリアランスが形成される。しかしながら、本実施形態のような、例えば100枚のφ300mmのウエハWを一度に処理可能な磁気アニール装置の場合、コイル状の磁界発生手段130の軸方向長さが長くなる。前述した通り、コイル状態の磁界発生手段130の軸方向長さに対して、均磁場領域は20%程度であるため、必要とされる断熱部134の軸方向長さも長くなり、ウエハボート128(及びこれに収納されるウエハW)の重さによって、断熱部134が撓む場合がある。この撓み等によってウエアボート128の軸が傾斜し、この傾斜分が前述のクリアランス分を超える場合、ウエハ搬送機構124によってウエハWをウエハボート128に搬送できないことがある。
In general, a sufficient clearance is formed in a wafer holding unit (not shown) of the
しかしながら、本実施形態の磁気アニール装置100は、ウエハボート128の傾斜角を調節可能な角度調節機構137を有する。そのため、角度調節機構137によってキャップ136と断熱部134との角度を調節し、ウエハボート128の軸を水平にした状態で、ウエハWのウエハボート128への搬送を実施することが可能となる。
However, the
一方、ウエハWをウエハボート128へと搬送した後においても、搬送したウエハWの枚数に依存して、断熱部134が撓むことがある。断熱部134が撓むと、ウエハボート128の軸が水平から傾くため、磁力線の向きとウエハ面とが為す角度が、所望の角度からずれる場合がある。この場合、ウエハWに所望の磁気アニール処理を実施することができない。また、近年のウエハWの大型化により、ウエハボート128の軸が水平から傾いた場合、磁気アニール処理時に自重によりウエハW自体に撓みが生じ、応力集中によるスリップ転位が生じる等の不具合が生じやすい。
On the other hand, even after the wafer W is transferred to the
しかしながら、本実施形態の磁気アニール装置100は、ウエハボート128の傾斜角を調節可能な角度調節機構137を有する。そのため、キャップ136と断熱部134とが為す角度を変更して、ウエハボート128の傾斜角を調節し、ウエハボート128の軸(即ち、ウエハ面)と磁力線とが所望の角度を為すようにされる。
However, the
そして、ウエハボート128は、移載機構138によって磁界発生手段130にロードされる。
Then, the
なお、角度調節機構137によるキャップ136と断熱部134とが為す角度の調節は、ウエハボート128が磁界発生手段130にロードされた後でも良い。
The angle adjustment between the
一方、図6(b)に示すように磁界発生手段130が水平から例えばαの角度で傾斜して設置された場合、移載機構138の案内レール138bも同様に、水平からαの角度で傾斜して設置される。この場合、コイル状の磁界発生手段130の中の磁力線の向きは、水平方向からαの角度で傾斜する。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, when the magnetic field generating means 130 is installed at an angle α, for example, from the horizontal, the
また、キャップ136の主表面の面方向は、鉛直方向からαの角度で傾斜し、断熱部134の軸方向及びウエハボート128の軸は、水平からαの角度で傾斜する。
The surface direction of the main surface of the
前述した通り、ウエハボート128にウエハWを搬送する場合、ウエハボート128は水平であることが好ましい。そのため、ウエハWをウエハボート128に搬送する場合には、角度調節機構137によって、キャップ136と断熱部134とが為す角度を変更し、断熱部134及びウエハボート128の軸を水平にする。
As described above, when the wafer W is transferred to the
ウエハWをウエハボート128へと搬送した後には、搬送したウエハWの枚数に依存して、断熱部134が撓む。そのため、ウエハボート128を磁界発生手段130にロードする場合には、この撓みも考慮して、角度調節機構137により、コイル状の磁界発生手段130の中の磁力線の向きと、ウエハ面とが為す角度が、所望の角度となるように調節される。そして、その状態で、ウエハボート128は、移載機構138によって磁界発生手段130にロードされる。
After the wafer W is transferred to the
即ち、本実施形態の磁気アニール装置100は、角度調節機構137を有することにより、ウエハ搬送機構124でのウエハWのウエハボート128への搬送時と、ウエハボート128に搬送されたウエハWを磁界発生手段130へと搬送時とで、各々独立して、ウエハボート128の傾斜角(ウエハボート128の軸の水平)を調節することができる。そのため、効率良く、且つ、精度良くウエハを磁気アニール装置へと搬入可能な磁気アニール装置を提供することができる。
That is, the
また、本実施形態の磁気アニール装置100は、図6(b)に示すように、ウエハボート128の底面側に設置され、ウエハボート128を押し上げることが可能な押上機構139を有していても良い。
In addition, as shown in FIG. 6B, the
押上機構139は、昇降自在なガイド部139aと、ガイド部139aにガイドされながら上下に移動する移動部139bと、押上時にウエハボート128の底面と当接する押上部材139cとから形成される。
The push-up mechanism 139 includes a
押上機構139を有することにより、ウエハWをウエハボート128へと搬送する際に、より確実にウエハボート128の軸を水平に保持することができる。そのため、ウエハWをウエハボート128へと安定して搬送することができる。
By having the push-up mechanism 139, when the wafer W is transferred to the
ウエハボート128が移載機構138によって磁界発生手段130にロードされた後、ウエハWは、所定の磁気アニール処理が実施される。処理終了後のウエハWの搬出は、先ず、磁界発生手段130からウエハボート128をアンロードし、前述の搬入とは逆に、ウエハ搬送機構124を用いて、第2の載置台114a又は114bに位置する開閉窓からキャリアCへと移載することにより実行される。この場合も、ウエハボート128の底面が水平となるように、角度調節機構137によって調節される。ウエハWがウエハ搬送機構124によってキャリアCへと搬送された後、図示しない開閉機構で開閉蓋をキャリアCへと取付け、キャリアCをキャリア搬送機構118により搬出し、次工程へと進められる。
After the
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。 The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.
10 把手
12 開閉蓋
14 ロック機構
100 磁気アニール装置
102 筐体
104 隔壁
106 第1の搬送領域
108 第2の搬送領域
110 第1の載置台
112 ピン
114 第2の載置台
116 キャリア保管部
118 キャリア搬送機構
120 搬送口
122 開閉ドア
124 ウエハ搬送機構
126 アライナー装置
128 ウエハボート
130 磁界発生手段
132 加熱手段
134 断熱部
136 キャップ
137 角度調節機構
138 移載機構
139 押上機構
140 制御部
150 保持台
S1 キャリア搬送領域
S2 ウエハ搬送領域
C キャリア
W ウエハ
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記被処理体を収納する収納容器と、前記被処理体保持具と、の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体保持具に接続部を介して接続され、前記被処理体を前記被処理体搬送機構で搬送する際の第1の位置と、前記被処理体を磁気アニール処理する際の第2の位置との間で、前記被処理体保持具を移載可能な移載機構と、
を有し、
前記接続部は、前記被処理体保持具の傾斜角を調節可能な角度調節部を有する、
磁気アニール装置。 A magnetic annealing apparatus that magnetically anneals an object to be processed using a horizontal superconducting magnet as a magnetic field generating means,
A workpiece holder that can hold the workpiece, and
A target object transport mechanism for transporting the target object between a storage container for storing the target object and the target object holder;
A first position when the workpiece is transported by the workpiece transport mechanism and a second position when the workpiece is magnetically annealed, connected to the workpiece holder via a connecting portion. A transfer mechanism capable of transferring the object holder between the position and
Have
The connection unit includes an angle adjustment unit capable of adjusting an inclination angle of the object holder.
Magnetic annealing equipment.
請求項1に記載の磁気アニール装置。 The angle adjuster horizontally adjusts the object holder in the first position, and the shaft of the object holder and the horizontal superconducting magnet in the second position. Adjusting the angle of inclination of the object holder so that the angle formed by the magnetic field lines of the above becomes a predetermined angle;
The magnetic annealing apparatus according to claim 1.
請求項2に記載の磁気アニール装置。 In the second position, the angle adjusting unit is configured so that the angle formed by the axis of the workpiece holder and the magnetic lines of force in the horizontal superconducting magnet is parallel or vertical. Adjust the tilt angle of
The magnetic annealing apparatus according to claim 2.
請求項1乃至3のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。 The first position further includes a push-up mechanism that pushes up the bottom surface of the object holder to be processed from below so that the axis of the object holder is horizontal.
The magnetic annealing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
前記FOUPは25枚の前記ウエハを収納可能であり、
前記被処理体保持具は、100枚の前記ウエハを保持可能である、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。 The object to be processed is a wafer, and the storage container is a FOUP.
The FOUP can store 25 wafers,
The object holder can hold 100 wafers.
The magnetic annealing apparatus as described in any one of Claims 1 thru | or 4.
請求項5に記載の磁気アニール装置。 The workpiece holder can hold 100 wafers at a predetermined interval with the direction of the axis as the loading direction.
The magnetic annealing apparatus according to claim 5.
請求項5に記載の磁気アニール装置。 The workpiece holder can hold two stacks of 50 wafers stacked at a predetermined interval in parallel in the axial direction, with the direction perpendicular to the axis being the stacking direction.
The magnetic annealing apparatus according to claim 5.
前記収納容器搬送領域には、
当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第1の載置台と、
前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第2の載置台と、
複数の前記収納容器を保管する保管部と、
前記第1の載置台、前記第2の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
が配置され、
前記被処理体搬送領域には、
前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
前記位置合わせが行われた前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記第2の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記被処理体に磁界を印加する、横型の超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
前記被処理体保持具に接続部を介して接続され、前記被処理体を前記被処理体搬送機構で搬送する際の第1の位置と、前記被処理体を磁気アニール処理する際の第2の位置との間で、前記被処理体保持具を移載可能な移載機構と、
が配置され、
前記接続部は、前記被処理体保持具の傾斜角を調節可能な角度調節部を有する、
磁気アニール装置。 A magnetic annealing apparatus in which a storage container transport region for transporting a storage container storing a target object and a target object transport region for transporting the target object are formed through an open / close door,
In the storage container transport area,
A first mounting table for mounting a storage container carried into the magnetic annealing apparatus;
A plurality of second mounting tables on which the storage container is mounted in order to transfer the target object in an airtight manner from the storage container transfer region to the target object transfer region via the open / close door;
A storage unit for storing a plurality of the storage containers;
A storage container transport mechanism for carrying in and out the storage container between the first mounting table, the second mounting table and the storage unit;
Is placed,
In the workpiece conveyance area,
An aligner for aligning the object to be processed;
A workpiece holder capable of holding the workpiece subjected to the alignment; and
A target object transport mechanism for transporting the target object between the storage container mounted on the second mounting table, the aligner and the target object holder;
Heating means for heating the object to be processed;
A magnetic field generating means having a horizontal superconducting magnet for applying a magnetic field to the object to be processed;
A first position when the workpiece is transported by the workpiece transport mechanism and a second position when the workpiece is magnetically annealed, connected to the workpiece holder via a connecting portion. A transfer mechanism capable of transferring the object holder between the position and
Is placed,
The connection unit includes an angle adjustment unit capable of adjusting an inclination angle of the object holder.
Magnetic annealing equipment.
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