JP6134173B2 - Magnetic annealing equipment - Google Patents

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JP6134173B2 JP2013058325A JP2013058325A JP6134173B2 JP 6134173 B2 JP6134173 B2 JP 6134173B2 JP 2013058325 A JP2013058325 A JP 2013058325A JP 2013058325 A JP2013058325 A JP 2013058325A JP 6134173 B2 JP6134173 B2 JP 6134173B2
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Description

本発明は、磁気アニール装置に関する。   The present invention relates to a magnetic annealing apparatus.

近年、次世代の半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの1つであるMRAM(Magnetic Random Access Memory)が注目されている。MRAMは、例えば半導体ウエハ(以後、ウエハ)である被処理体上に形成された磁性体膜を強磁場中で熱処理(磁気アニール)し、その磁気特性を発現させることによって製造される。   In recent years, MRAM (Magnetic Random Access Memory), which is one of nonvolatile memories, has attracted attention as a next-generation semiconductor memory device. An MRAM is manufactured by, for example, subjecting a magnetic film formed on an object to be processed, which is a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), to heat treatment (magnetic annealing) in a strong magnetic field to develop its magnetic characteristics.

例えば特許文献1では、磁気アニールするための磁場発生手段として、ソレノイド型磁石を使用した設置面積が比較的小さい磁気アニール装置が開示されている。   For example, Patent Document 1 discloses a magnetic annealing apparatus having a relatively small installation area using a solenoid type magnet as magnetic field generating means for magnetic annealing.

特開2004−263206号公報JP 2004-263206 A

しかしながら、特許文献1などの磁気アニール装置は、HDD(ハードディスクドライブ)向け又はMRAMの研究開発向け小規模な装置である。今後予想されるMRAMの市場規模を鑑みると、多数枚、例えば100枚のウエハを(半)連続的に処理することが可能な磁気アニール装置の開発が求められている。   However, the magnetic annealing apparatus of Patent Document 1 or the like is a small-scale apparatus for HDD (hard disk drive) or MRAM research and development. In view of the expected market size of MRAM in the future, development of a magnetic annealing apparatus capable of (semi-) continuously processing a large number of wafers, for example, 100 wafers, is demanded.

単位時間あたりのウエハの処理枚数を向上させるためには、多数枚のウエハを一括処理することができるのみならず、次バッチ分のウエハを短時間で磁気アニール装置内に取り込むことが可能である装置構成が必要となる。   In order to improve the number of wafers processed per unit time, not only a large number of wafers can be processed at once, but also the wafers for the next batch can be taken into the magnetic annealing apparatus in a short time. A device configuration is required.

上記課題に対して、多数枚のウエハを連続的に磁気アニール処理できる、磁気アニール装置を提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a magnetic annealing apparatus capable of continuously performing a magnetic annealing process on a large number of wafers.

一群の被処理体を収納した収納容器を搬送する収納容器搬送領域と、前記被処理体を搬送する被処理体搬送領域とが開閉ドアを介して形成され、制御部を有する磁気アニール装置であって、
前記収納容器搬送領域には、
当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第1の載置台と、
前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第2の載置台と、
複数の前記収納容器を保管する保管部と、
前記第1の載置台、前記第2の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
が配置され、
前記被処理体搬送領域には、
複数の前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
複数群の前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記第2の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記被処理体に磁界を印加する、横型超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
前記被処理体保持具に保持された前記被処理体を前記磁界発生手段内に移載する移載機構と、
が配置され、
前記横型超伝導磁石の均磁場領域の長さは前記被処理体の直径の2倍より大きく、
前記被処理体保持具は、前記磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体を、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
磁気アニール装置。
In a magnetic annealing apparatus having a control unit, a storage container transfer area for transferring a storage container storing a group of objects to be processed and a process object transfer area for transferring the object to be processed are formed through an open / close door. And
In the storage container transport area,
A first mounting table for mounting a storage container carried into the magnetic annealing apparatus;
A plurality of second mounting tables on which the storage container is mounted in order to transfer the target object in an airtight manner from the storage container transfer region to the target object transfer region via the open / close door;
A storage unit for storing a plurality of the storage containers;
A storage container transport mechanism for carrying in and out the storage container between the first mounting table, the second mounting table and the storage unit;
Is placed,
In the workpiece conveyance area,
An aligner for aligning a plurality of the objects to be processed;
A workpiece holder that can hold a plurality of groups of the workpieces;
A target object transport mechanism for transporting the target object between the storage container mounted on the second mounting table, the aligner and the target object holder;
Heating means for heating the object to be processed;
A magnetic field generating means having a horizontal superconducting magnet for applying a magnetic field to the object to be processed;
A transfer mechanism for transferring the target object held by the target object holder into the magnetic field generating means;
Is placed,
The length of the uniform magnetic field region of the horizontal superconducting magnet is greater than twice the diameter of the object to be processed,
The object holder holds a plurality of laminated bodies in which a plurality of the objects to be processed are stacked in a direction perpendicular to the direction of the magnetic field, arranged in parallel in a direction parallel to the direction of the magnetic field,
Magnetic annealing equipment.

本発明によれば、多数枚のウエハを連続的に処理することができる磁気アニール装置を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the magnetic annealing apparatus which can process many wafers continuously can be provided.

ウエハWのキャリアの一例の概略斜視図である。2 is a schematic perspective view of an example of a carrier for a wafer W. FIG. 磁気アニール装置の一例の概略上面図である。It is a schematic top view of an example of a magnetic annealing apparatus. 磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図である。It is a schematic longitudinal cross-sectional view of the carrier conveyance area | region vicinity of a magnetic annealing apparatus. 磁気アニール装置のウエハ搬送領域近傍の概略平面図である。It is a schematic plan view of the vicinity of the wafer transfer region of the magnetic annealing apparatus.

以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings.

(キャリア)
図1に、ウエハWのキャリアCの一例の概略斜視図を示す。なお、本実施形態においては、ウエハWを収容するキャリアCとして、密閉型のFOUP(Front Opening Unified Pod)を使用する場合について説明するが、本発明はこの点において限定されない。
(Career)
In FIG. 1, the schematic perspective view of an example of the carrier C of the wafer W is shown. In the present embodiment, a case where a sealed FOUP (Front Opening Unified Pod) is used as the carrier C that accommodates the wafer W will be described, but the present invention is not limited in this respect.

図1に示すように、ウエハWのキャリアCは、一端部が開口部として形成され、他端部が例えば略半楕円形状に形成されている。   As shown in FIG. 1, the carrier C of the wafer W has one end portion formed as an opening and the other end portion formed in a substantially semi-elliptical shape, for example.

キャリアCの内壁面には、ウエハWを多段に配置することができる支持部が形成されている。この支持部に、例えば直径300mmのウエハWの周縁部を載置して支持することにより、略等ピッチで多段にウエハWを収納することができる。一般的に、1つのキャリアCに対して、25枚のウエハWを収納することができる。   On the inner wall surface of the carrier C, a support portion on which the wafers W can be arranged in multiple stages is formed. For example, by placing and supporting the peripheral portion of a wafer W having a diameter of 300 mm on this support portion, the wafers W can be accommodated in multiple stages at a substantially equal pitch. Generally, 25 wafers W can be stored in one carrier C.

キャリアCの天井部には、キャリアCを把持する際に掴むことが可能である把手10が設けられる。   A grip 10 that can be gripped when the carrier C is gripped is provided on the ceiling of the carrier C.

キャリアCの開口部には、この開口部に対応する開閉蓋12が着脱可能に取り付けられており、キャリアC内は開閉蓋12によって実質的に気密状態とされる。一般的に、キャリアの内部の雰囲気は、清浄空気となっている。   An opening / closing lid 12 corresponding to the opening is detachably attached to the opening of the carrier C, and the inside of the carrier C is substantially airtight by the opening / closing lid 12. Generally, the atmosphere inside the carrier is clean air.

開閉蓋12には、例えば2つのロック機構14が設けられており、ロック機構14を施錠又は開錠することにより、開閉蓋12を開口部から着脱することができる構成となっている。   The opening / closing lid 12 is provided with, for example, two locking mechanisms 14, and the opening / closing lid 12 can be detached from the opening by locking or unlocking the locking mechanism 14.

キャリアCの底部の下面には、図示しない複数の位置決め凹部が設けられており、後述する載置台に載置する際に、このキャリアを位置決め可能な構成となっている。また、キャリアの底部の下面には、図示しないロック片が設けられており、載置台に載置した際にロックできる構成となっている。   A plurality of positioning recesses (not shown) are provided on the bottom surface of the bottom of the carrier C, and the carrier can be positioned when it is placed on a mounting table to be described later. Further, a lock piece (not shown) is provided on the lower surface of the bottom portion of the carrier, so that the carrier can be locked when placed on the mounting table.

(磁気アニール装置)
次に、本実施形態の磁気アニール装置について説明する。図2に、磁気アニール装置の一例の概略平面図を示す。
(Magnetic annealing equipment)
Next, the magnetic annealing apparatus of this embodiment will be described. FIG. 2 shows a schematic plan view of an example of a magnetic annealing apparatus.

図1において示されるように、磁気アニール装置100は、筐体102に収容されて構成される。筐体102は、磁気アニール装置の外装体を構成し、この筐体102内に、キャリア搬送領域S1とウエハ搬送領域S2とが形成されている。   As shown in FIG. 1, the magnetic annealing apparatus 100 is configured to be housed in a housing 102. The casing 102 constitutes an exterior body of a magnetic annealing apparatus, and a carrier transfer area S1 and a wafer transfer area S2 are formed in the casing 102.

キャリア搬送領域S1は、被処理体であるウエハWを収納したキャリアCが磁気アニール装置に対して搬入、搬出される領域である。また、ウエハ搬送領域S2は、キャリアC内のウエハWを搬送して、後述する磁気アニール炉内に搬入するための移載領域である。   The carrier transfer area S1 is an area where the carrier C containing the wafer W, which is the object to be processed, is carried into and out of the magnetic annealing apparatus. The wafer transfer area S2 is a transfer area for transferring the wafer W in the carrier C and loading it into a magnetic annealing furnace described later.

キャリア搬送領域S1とウエハ搬送領域S2とは、隔壁104により仕切られている。   The carrier transfer area S1 and the wafer transfer area S2 are partitioned by a partition wall 104.

キャリア搬送領域S1は、大気雰囲気下にある領域であり、キャリアCに収納したウエハWを搬送する領域である。各処理装置間の領域がキャリア搬送領域S1に該当し、本実施形態においては、磁気アニール装置100の外部のクリーンルーム内の空間が、キャリア搬送領域S1に該当する。   The carrier transfer area S1 is an area under an air atmosphere, and is an area where the wafer W stored in the carrier C is transferred. An area between the processing apparatuses corresponds to the carrier transport area S1, and in this embodiment, a space in the clean room outside the magnetic annealing apparatus 100 corresponds to the carrier transport area S1.

一方、ウエハ搬送領域S2の雰囲気としては、特に制限されず、大気雰囲気であっても良いし、不活性ガス雰囲気、例えば窒素(N)ガス雰囲気であっても良い。被処理体の構成によって、より低酸素雰囲気下での処理を要する場合、例えば酸化膜等が形成されることを防ぎたい場合などには、不活性ガス雰囲気としても良い。また、ウエハ搬送領域S2は、一般的には、キャリア搬送領域S1よりも清浄度が高く、かつ、低酸素濃度に維持されている。 On the other hand, the atmosphere in the wafer transfer region S2 is not particularly limited, and may be an air atmosphere or an inert gas atmosphere, for example, a nitrogen (N 2 ) gas atmosphere. Depending on the configuration of the object to be processed, an inert gas atmosphere may be used when processing in a lower oxygen atmosphere is required, for example, when it is desired to prevent the formation of an oxide film or the like. Further, the wafer transfer region S2 is generally higher in cleanliness than the carrier transfer region S1 and is maintained at a low oxygen concentration.

以後の説明では、キャリア搬送領域S1及びウエハ搬送領域S2の配列方向を、磁気アニール装置の前後方向とする。なお、キャリア搬送領域S1側を前方(図2のX方向)とし、ウエハ搬送領域S2側を後方(図2のY方向)とする。   In the following description, the arrangement direction of the carrier transfer region S1 and the wafer transfer region S2 is the front-rear direction of the magnetic annealing apparatus. The carrier transfer area S1 side is the front (X direction in FIG. 2), and the wafer transfer area S2 side is the rear (Y direction in FIG. 2).

[キャリア搬送領域S1]
キャリア搬送領域S1について、より詳細に説明する。図3に、磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図を示す。
[Carrier transport area S1]
The carrier transport area S1 will be described in more detail. FIG. 3 shows a schematic longitudinal sectional view of the vicinity of the carrier transport region of the magnetic annealing apparatus.

キャリア搬送領域S1は、第1の搬送領域106と、第1の搬送領域106の後方側に位置する第2の搬送領域108と、を含む。   The carrier transport area S1 includes a first transport area 106 and a second transport area 108 located on the rear side of the first transport area 106.

図2に示すように、第1の搬送領域106の左右方向には、キャリアCを各々載置する2つの第1の載置台110a、110bが設けられている。各第1の載置台110a、110bの載置面には、キャリアCの位置決め凹部に対応する、キャリアCを位置決めするピン112が、例えば3箇所に設けられている。   As shown in FIG. 2, two first mounting tables 110 a and 110 b on which the carrier C is mounted are provided in the left-right direction of the first transport region 106. On the mounting surface of each of the first mounting tables 110a and 110b, pins 112 for positioning the carrier C corresponding to the positioning recesses of the carrier C are provided, for example, at three locations.

第2の搬送領域108には、左右の第1の載置台のいずれか一方(本実施形態では載置台110a)に対して前後に並び、かつ、上下方向に配置された、2つの第2の載置台114a、114bが設けられている。各第2の載置台114は、前後に移動自在に構成されている。   In the second transfer area 108, two second second arrays arranged in the front-rear direction and in the vertical direction with respect to any one of the left and right first mounting tables (the mounting table 110a in the present embodiment). Mounting tables 114a and 114b are provided. Each second mounting table 114 is configured to be movable back and forth.

第2の載置台114の載置面にも第1の載置台110と同様に、キャリアCを位置決めするピン112が、例えば3箇所に設けられている。また、前記載置面には、キャリアCを固定するための図示しないフックが設けられている。   Similarly to the first mounting table 110, pins 112 for positioning the carrier C are provided on the mounting surface of the second mounting table 114, for example, at three locations. In addition, a hook (not shown) for fixing the carrier C is provided on the mounting surface.

図3に示すように、第2の搬送領域108及び/又は第1の搬送領域106の上部側には、キャリアCを保管する第1のキャリア保管部116a、116bが設けられている。キャリア保管部116a、116bは、2段以上の棚により構成されており、各棚は左右に2つのキャリアCを載置することができる。   As shown in FIG. 3, first carrier storage units 116 a and 116 b that store the carrier C are provided on the upper side of the second transport region 108 and / or the first transport region 106. The carrier storage units 116a and 116b are composed of two or more shelves, and two shelves C can be placed on the left and right of each shelf.

また、図2に示すように、第2の載置台114の左右方向に、複数段の棚により構成された第2のキャリア保管部116cが設けられている。   In addition, as shown in FIG. 2, a second carrier storage unit 116 c configured by a plurality of shelves is provided in the left-right direction of the second mounting table 114.

第1のキャリア保管部116a、116bと第2のキャリア保管部116cが設けられていることにより、キャリア搬送領域S1内に、十分な数のキャリアC(即ち、ウエハW)を保持することができる。そのため、後述するウエハ移載方法によって、例えば100枚のウエハWをウエハ搬送領域S2に移載する場合にも、予めキャリア保管部116にキャリアCを保管することによって、キャリアCの数が不足することはない。   By providing the first carrier storage units 116a and 116b and the second carrier storage unit 116c, a sufficient number of carriers C (that is, wafers W) can be held in the carrier transfer region S1. . Therefore, even when, for example, 100 wafers W are transferred to the wafer transfer region S2 by the wafer transfer method described later, the number of carriers C is insufficient by storing the carriers C in the carrier storage unit 116 in advance. There is nothing.

第2の搬送領域108には、キャリアCを、第1及び第2の載置台、第1及び第2の載置台並びにキャリア保管部との間で搬送するキャリア搬送機構118が設けられている。このキャリア搬送機構118は、上下方向に昇降自在なガイド部118aと、ガイド部118aにガイドされながら上下に移動する移動部118bと、この移動部118bに設けられ、の底部を支持して水平方向に搬送する搬送アーム118cと、を備えている。   In the second transport region 108, a carrier transport mechanism 118 that transports the carrier C to and from the first and second mounting tables, the first and second mounting tables, and the carrier storage unit is provided. The carrier transport mechanism 118 includes a guide part 118a that can be moved up and down, a moving part 118b that moves up and down while being guided by the guide part 118a, and a horizontal part that supports the bottom of the moving part 118b and supports the bottom part thereof. And a transport arm 118c for transporting to the head.

隔壁104には、キャリア搬送領域S1とウエハ搬送領域S2とを連通させるウエハWの搬送口120が設けられている。搬送口120には、この搬送口120をウエハ搬送領域S2側から塞ぐ開閉ドア122が設けられている。開閉ドア122には、図示しない駆動機構が接続されており、駆動機構により開閉ドア122は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口120が開閉される。   The partition 104 is provided with a transfer port 120 for the wafer W that allows the carrier transfer region S1 and the wafer transfer region S2 to communicate with each other. The transfer port 120 is provided with an opening / closing door 122 that closes the transfer port 120 from the wafer transfer region S2 side. A drive mechanism (not shown) is connected to the open / close door 122, and the open / close door 122 is configured to be movable in the front-rear direction and the up-down direction by the drive mechanism, and the conveyance port 120 is opened and closed.

キャリア搬送領域S1からウエハ搬送領域S2へのウエハWの搬送について、説明する。先ず、前述の搬送アーム118cによって、キャリアCは、第1の載置台110、第1のキャリア保管部116a、116b又は第2のキャリア保管部116cから、第2の載置台114へと移載される。キャリアCは、その位置決め凹部とピン112とが係合するように載置される。第2の載置台114にキャリアCが載置されると、第2の載置台114が隔壁104側に移動され、キャリアCが隔壁104に当接する。キャリアCの当接状態は、図示しない固定機構により保持される。   The transfer of the wafer W from the carrier transfer area S1 to the wafer transfer area S2 will be described. First, the carrier C is transferred from the first mounting table 110, the first carrier storage units 116a and 116b, or the second carrier storage unit 116c to the second mounting table 114 by the transfer arm 118c. The The carrier C is placed so that the positioning recess and the pin 112 are engaged. When the carrier C is placed on the second placement table 114, the second placement table 114 is moved to the partition wall 104 side, and the carrier C comes into contact with the partition wall 104. The contact state of the carrier C is held by a fixing mechanism (not shown).

その後、隔壁104に形成された開閉ドア122及びキャリアCの開閉蓋12が密閉されている状態で、開閉蓋12を図示しない開閉機構によって開く。ウエハ搬送領域S2の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする場合は、先ず、キャリアCの開閉蓋12が密閉されている状態で、図示しない不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行い、開閉ドア122と開閉蓋12との間の大気を取り除いて不活性ガスを充満させる。次に、キャリアC内を不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行う。   Thereafter, in a state where the opening / closing door 122 formed on the partition wall 104 and the opening / closing lid 12 of the carrier C are sealed, the opening / closing lid 12 is opened by an opening / closing mechanism (not shown). When the atmosphere of the wafer transfer region S2 is an inert gas atmosphere, first, with the opening / closing lid 12 of the carrier C being sealed, inert gas replacement is performed by an inert gas replacement means (not shown), and the opening / closing door 122 is opened. And the atmosphere between the opening / closing lid 12 is removed and the inert gas is filled. Next, inert gas replacement is performed in the carrier C by an inert gas replacement means.

そして、キャリアCの隔壁104に形成された開閉ドア122を開き、後述するウエハ搬送機構124によってキャリアC内のウエハWが搬入、搬出される。   Then, the opening / closing door 122 formed on the partition wall 104 of the carrier C is opened, and the wafer W in the carrier C is loaded and unloaded by a wafer transfer mechanism 124 described later.

キャリアCの交換及びウエハWの搬出時には、上述の逆の動作が実施される。   When the carrier C is replaced and the wafer W is unloaded, the reverse operation described above is performed.

[ウエハ搬送領域S2]
図4に、磁気アニール装置100のウエハ搬送領域S2近傍の概略平面図を示す。図4に示すように、ウエハ搬送領域S2には、主として、ウエハ搬送機構124、アライナー装置126、ウエハボート128及び磁界発生手段130が設置される。
[Wafer transfer area S2]
FIG. 4 shows a schematic plan view of the vicinity of the wafer transfer region S2 of the magnetic annealing apparatus 100. FIG. As shown in FIG. 4, in the wafer transfer area S2, a wafer transfer mechanism 124, an aligner 126, a wafer boat 128, and a magnetic field generating means 130 are mainly installed.

ウエハ搬送機構124は、ウエハ搬送領域S2でのウエハWの搬送を担っており、ウエハボート128と、隔壁104の搬送口120と、の間に設けられている。ウエハ搬送機構124は、上下に伸びるガイド機構124aに沿って移動すると共に、鉛直軸回りに回動する移動体124bに、例えば5枚の進退自在なアーム124cを設けて構成され、ウエハボート128と、第2の載置台114上のキャリアCと、アライナー装置126と、の間でウエハを搬送する。   The wafer transfer mechanism 124 is in charge of transferring the wafer W in the wafer transfer region S <b> 2 and is provided between the wafer boat 128 and the transfer port 120 of the partition wall 104. The wafer transfer mechanism 124 is configured by moving along a guide mechanism 124a extending vertically, and by providing, for example, five movable arms 124c on a moving body 124b that rotates about a vertical axis. The wafer is transferred between the carrier C on the second mounting table 114 and the aligner 126.

アライナー装置126は、例えば、ウエハWのエッジを把持し、センタリングとノッチ等の角度合わせを行うものである。   The aligner device 126, for example, grips the edge of the wafer W and performs angle alignment such as centering and notching.

磁界発生手段130は、ウエハWに磁気アニール処理を施す、右端が炉口である横型のソレノイド型磁石(超伝導磁石)から構成される磁気アニール炉が使用される。ソレノイド型磁石は、その中心線軸方向が実質的に水平となるように配置され、図示しない電源装置に接続される。横型のソレノイド型磁石により発生する磁界の方向は、前述の前後方向となる。   As the magnetic field generating means 130, a magnetic annealing furnace configured by a horizontal solenoid type magnet (superconducting magnet) that performs a magnetic annealing process on the wafer W and has a furnace opening on the right end is used. The solenoid-type magnet is arranged so that its center line axis direction is substantially horizontal, and is connected to a power supply device (not shown). The direction of the magnetic field generated by the horizontal solenoid magnet is the aforementioned front-rear direction.

また、磁界発生手段130には、その内周に沿って加熱手段132が配置されており、ウエハWを所定の温度に加熱することができる。即ち、磁界発生手段130によって、ウエハWは、均一な磁界の元で加熱処理される。   Further, the magnetic field generating means 130 is provided with a heating means 132 along the inner periphery thereof, so that the wafer W can be heated to a predetermined temperature. In other words, the wafer W is heated by the magnetic field generating means 130 under a uniform magnetic field.

ソレノイド型磁石を用いて複数枚、例えば100枚のウエハWに同様の磁気アニール処理を施す場合、全てのウエハWに対して均一な処理を施すために、均磁場領域にウエハWを配置する必要がある。ソレノイド型磁石の均磁場領域は、その軸方向長さの約20%程度である。そのため、例えば100枚のφ300mmのウエハWを磁気アニール装置によって処理する場合、横型のソレノイド型磁石の設計例としては、内径(ボア径)φ570mm、外径φ1900mm、長さ2500mm、(その場合の均磁場領域の長さは、約680mm程度)、とすることができる。   When a similar magnetic annealing process is performed on a plurality of wafers W, for example, 100 wafers W using a solenoid type magnet, it is necessary to arrange the wafers W in the uniform magnetic field region in order to perform a uniform process on all the wafers W. There is. The uniform magnetic field region of the solenoid type magnet is about 20% of its axial length. Therefore, for example, when 100 wafers of φ300 mm are processed by a magnetic annealing apparatus, horizontal solenoid type magnets are designed as an inner diameter (bore diameter) of 570 mm, an outer diameter of φ1900 mm, a length of 2500 mm, The length of the magnetic field region can be about 680 mm).

また、上記設計の横型のソレノイド型磁石の重量は、略25トン程度となる。そのため、ソレノイド型磁石の底部には、ソレノイド型磁石を保持するための、図示しない保持台及びこの保持台の底部に図示しない保持板が設けられる。   Further, the weight of the horizontal solenoid magnet of the above design is about 25 tons. Therefore, a bottom of the solenoid type magnet is provided with a holding base (not shown) for holding the solenoid type magnet and a holding plate (not shown) at the bottom of the holding base.

磁界発生手段130の前方側には、複数のキャリアC、例えば4つのキャリアC内の多数枚のウエハWを保持するウエハボート128が、断熱部134を介してキャップ136の左側に載置されている。キャップ136は、移載機構138の後方に支持されており、この移載機構138によりウエハボート128が磁界発生手段130に対して搬入又は搬出される。   A wafer boat 128 that holds a plurality of carriers C, for example, a large number of wafers W in the four carriers C, is placed on the left side of the cap 136 via the heat insulating portion 134 on the front side of the magnetic field generating means 130. Yes. The cap 136 is supported behind the transfer mechanism 138, and the wafer boat 128 is carried into or out of the magnetic field generation unit 130 by the transfer mechanism 138.

例えば100枚のウエハWを磁気アニール装置100によって同時に処理する場合における、ウエハボートへのウエハWの配置構成例について、説明する。ウエハWに対して、面内磁化方式で磁気アニール処理を施す場合、磁界の方向(本実施形態の前後方向)に垂直な方向にウエハWを50枚積層した積層体を、前後方向に2つ並列に並べ、ウエハボートに配置する。一方、ウエハWに対して、垂直磁化方式で磁気アニール処理を施す場合、磁界の方向に水平な方向にウエハWを100枚棚状に積層した積層体を、ウエハボートに1つ配置する。   For example, an arrangement configuration example of wafers W on a wafer boat when 100 wafers W are simultaneously processed by the magnetic annealing apparatus 100 will be described. When the magnetic annealing process is performed on the wafer W by the in-plane magnetization method, two stacked bodies in which 50 wafers W are stacked in the direction perpendicular to the direction of the magnetic field (front-rear direction in the present embodiment) are provided in the front-rear direction. Arrange them in parallel and place them on the wafer boat. On the other hand, when the magnetic annealing process is performed on the wafer W by the perpendicular magnetization method, one stacked body in which 100 wafers W are stacked in a shelf shape in the direction horizontal to the direction of the magnetic field is arranged on the wafer boat.

[ウエハ搬送領域S2内でのウエハWの搬入・搬出]
ウエハWを、2つの第2の載置台114a、114bに載置されたキャリアCから磁気アニール装置へと搬入する際の、一連のフローについて、簡単に説明する。なお、ここでは、例えば100枚のウエハWを磁気アニール装置100へと搬入する場合について説明する。
[Loading / unloading of wafer W in wafer transfer area S2]
A series of flows when carrying the wafer W from the carrier C mounted on the two second mounting tables 114a and 114b to the magnetic annealing apparatus will be briefly described. Here, a case where, for example, 100 wafers W are carried into the magnetic annealing apparatus 100 will be described.

ウエハ搬送領域S2に搬入されたウエハWは、ウエハ搬送機構124により、先ず、アライナー装置126へと移載され、センタリングとノッチ等の角度合わせが行われる。次いで、ウエハWは、ウエハ搬送機構124により、アライナー装置126からウエハボート128へと移載される。ウエハボート128へウエハWの移載が終わった後、ウエハ搬送機構124はキャリアCへと戻って、次のウエハWが移載される。   The wafer W carried into the wafer transfer region S2 is first transferred to the aligner 126 by the wafer transfer mechanism 124, and angle adjustment such as centering and notch is performed. Next, the wafer W is transferred from the aligner device 126 to the wafer boat 128 by the wafer transfer mechanism 124. After the transfer of the wafer W to the wafer boat 128 is completed, the wafer transfer mechanism 124 returns to the carrier C, and the next wafer W is transferred.

1つのキャリアC内に保持されるウエハWの枚数は、一般的に、25枚であり、ウエハ搬送機構124によるウエハWの搬送枚数は、一般的に、5枚である。そのため、1つのキャリアCに対して、キャリアCからアライナー装置126を経たウエハボート128へのウエハWの移載は、5回行われる。一方の第2の載置台(例えば第2の載置台114a)に載置されたキャリアCからのウエハWの移載が終わった後は、ウエハ搬送機構124によって、他方の第2の載置台(例えば第2の載置台114b)に載置されたキャリアCからのウエハWの移載を行う。その際、第2の載置台114aに載置された空となったキャリアCは、他方の第2の載置台114bに載置されたキャリアCからのウエハWの移載を行っている間に、キャリア保管部116に保管されている他のキャリアCと取り替えられる。   The number of wafers W held in one carrier C is generally 25, and the number of wafers W transferred by the wafer transfer mechanism 124 is generally 5. Therefore, the transfer of the wafer W from the carrier C to the wafer boat 128 via the aligner 126 is performed five times for one carrier C. After the transfer of the wafer W from the carrier C mounted on one second mounting table (for example, the second mounting table 114a) is finished, the other second mounting table ( For example, the wafer W is transferred from the carrier C mounted on the second mounting table 114b). At that time, the empty carrier C placed on the second mounting table 114a is transferred while the wafer W is transferred from the carrier C placed on the other second mounting table 114b. The carrier C is replaced with another carrier C stored in the carrier storage unit 116.

これらの作動を繰り返し、所定の枚数、例えば100枚のウエハWが、ウエハ搬送機構によってウエハボート128へと移載された後には、このウエハボート128は、移載機構138によって磁界発生手段130内にロードされ、所定の磁気アニール工程が実施される。処理収量後のウエハWの搬出は、先ず、磁界発生手段130からウエハボート128をアンロードし、前述の搬入とは逆に、ウエハ搬送機構124を用いて、第2の載置台114a又は114bに位置する開閉窓からキャリアCへと移載することにより実行される。その後、図示しない開閉機構で開閉蓋をキャリアCへと取付け、キャリアCをキャリア搬送機構118により搬出し、次工程へと進められる。   These operations are repeated, and after a predetermined number of wafers, for example, 100 wafers W are transferred to the wafer boat 128 by the wafer transfer mechanism, the wafer boat 128 is moved into the magnetic field generating means 130 by the transfer mechanism 138. And a predetermined magnetic annealing process is performed. In order to unload the wafer W after the processing yield, first, the wafer boat 128 is unloaded from the magnetic field generation unit 130, and, contrary to the above-described loading, using the wafer transfer mechanism 124, the wafer W is transferred to the second mounting table 114a or 114b. It is executed by transferring from the opening / closing window to the carrier C. Thereafter, the opening / closing lid is attached to the carrier C by an opening / closing mechanism (not shown), the carrier C is unloaded by the carrier transport mechanism 118, and the process proceeds to the next step.

なお、図2に示すように、この磁気アニール装置100には、例えばコンピュータからなる制御部140が設けられている。制御部140はプログラム、メモリ、CPUからなるデータ処理部などを備えており、プログラムには、制御部から磁気アニール装置の各部に制御信号を送り、各処理工程を進行させるように命令(各ステップ)が組み込まれている。その制御信号によりキャリアCの搬送、ウエハWの搬送、開閉ドアの開閉、蓋体の開閉、各処理が行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部にインストールされる。   As shown in FIG. 2, the magnetic annealing apparatus 100 is provided with a control unit 140 made up of a computer, for example. The control unit 140 includes a program, a memory, a data processing unit including a CPU, and the like. The program sends a control signal from the control unit to each unit of the magnetic annealing apparatus to instruct each process step to proceed (each step ) Is incorporated. By the control signal, carrier C, wafer W, opening / closing door opening / closing, lid opening / closing, and other processes are performed. This program is stored in a storage medium such as a computer storage medium such as a flexible disk, a compact disk, a hard disk, an MO (magneto-optical disk), and a memory card and installed in the control unit.

以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。   The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and substitutions can be made to the above-described embodiments without departing from the scope of the present invention. Can be added.

10 把手
12 開閉蓋
14 ロック機構
100 磁気アニール装置
102 筐体
104 隔壁
106 第1の搬送領域
108 第2の搬送領域
110 第1の載置台
112 ピン
114 第2の載置台
116 キャリア保管部
118 キャリア搬送機構
120 搬送口
122 開閉ドア
124 ウエハ搬送機構
126 アライナー装置
128 ウエハボート
130 磁界発生手段
132 加熱手段
134 断熱部
136 キャップ
138 移載機構
140 制御部
S1 キャリア搬送領域
S2 ウエハ搬送領域
C キャリア
W ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Handle 12 Opening / closing lid 14 Lock mechanism 100 Magnetic annealing apparatus 102 Case 104 Bulkhead 106 1st conveyance area 108 2nd conveyance area 110 1st mounting base 112 Pin 114 2nd mounting base 116 Carrier storage part 118 Carrier conveyance Mechanism 120 Transfer port 122 Opening / closing door 124 Wafer transfer mechanism 126 Aligner device 128 Wafer boat 130 Magnetic field generation means 132 Heating means 134 Heat insulation part 136 Cap 138 Transfer mechanism 140 Control part S1 Carrier transfer area S2 Wafer transfer area C Carrier W Wafer

Claims (6)

一群の被処理体を収納した収納容器を搬送する収納容器搬送領域と、前記被処理体を搬送する被処理体搬送領域とが開閉ドアを介して形成され、制御部を有する磁気アニール装置であって、
前記収納容器搬送領域には、
当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第1の載置台と、
前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第2の載置台と、
複数の前記収納容器を保管する保管部と、
前記第1の載置台、前記第2の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
が配置され、
前記被処理体搬送領域には、
複数の前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
複数群の前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記第2の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記被処理体に磁界を印加する、横型超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
前記被処理体保持具に保持された前記被処理体を前記磁界発生手段内に移載する移載機構と、
が配置され、
前記横型超伝導磁石の均磁場領域の長さは前記被処理体の直径の2倍より大きく、
前記被処理体保持具は、前記磁界の方向に垂直な方向に前記被処理体を複数枚積層した積層体を、前記磁界の方向に平行な方向に複数並列に配置して保持する、
磁気アニール装置。
In a magnetic annealing apparatus having a control unit, a storage container transfer area for transferring a storage container storing a group of objects to be processed and a process object transfer area for transferring the object to be processed are formed through an open / close door. And
In the storage container transport area,
A first mounting table for mounting a storage container carried into the magnetic annealing apparatus;
A plurality of second mounting tables on which the storage container is mounted in order to transfer the target object in an airtight manner from the storage container transfer region to the target object transfer region via the open / close door;
A storage unit for storing a plurality of the storage containers;
A storage container transport mechanism for carrying in and out the storage container between the first mounting table, the second mounting table and the storage unit;
Is placed,
In the workpiece conveyance area,
An aligner for aligning a plurality of the objects to be processed;
A workpiece holder that can hold a plurality of groups of the workpieces;
A target object transport mechanism for transporting the target object between the storage container mounted on the second mounting table, the aligner and the target object holder;
Heating means for heating the object to be processed;
A magnetic field generating means having a horizontal superconducting magnet for applying a magnetic field to the object to be processed;
A transfer mechanism for transferring the target object held by the target object holder into the magnetic field generating means;
Is placed,
The length of the uniform magnetic field region of the horizontal superconducting magnet is greater than twice the diameter of the object to be processed,
The object holder holds a plurality of laminated bodies in which a plurality of the objects to be processed are stacked in a direction perpendicular to the direction of the magnetic field, arranged in parallel in a direction parallel to the direction of the magnetic field,
Magnetic annealing equipment.
前記制御部は、前記複数の第2の載置台の一の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体を前記被処理体保持具へと搬送している間に、前記保管部に保管された前記収納容器を前記複数の第2の載置台の他の載置台へと搬送するよう制御する、
請求項1に記載の磁気アニール装置。
The control unit is configured to store the processing object in the storage container placed on one mounting table of the plurality of second mounting tables while transporting the processing object to the processing object holder. Control to transport the storage container stored in the section to another mounting table of the plurality of second mounting tables,
The magnetic annealing apparatus according to claim 1.
前記制御部は、所定の数の群の前記被処理体が、前記被処理体保持具に保持された後、前記被処理体保持具を前記磁界発生手段に移載するよう、前記移載機構を制御する、
請求項1又は2に記載の磁気アニール装置。
The control unit is configured to transfer the processing object holder to the magnetic field generation unit after a predetermined number of the objects to be processed are held by the processing object holder. To control the
The magnetic annealing apparatus according to claim 1 or 2.
前記制御部は、
(i)前記複数の第2の載置台の一の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体を、前記アライナーを経て前記被処理体保持具へと搬送するよう前記被処理体搬送機構を制御し、
(ii)前記(i)における搬送の間に、前記複数の第2の載置台の他の載置台に載置された前記収納容器を前記他の載置台から搬出し、かつ、前記保管部に保管された前記収納容器を、前記他の載置台へと搬送するよう前記収納容器搬送機構を制御し、
(iii)前記一の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体が全て前記被処理体保持具へと搬送された後、前記他の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体を、前記アライナーを経て前記被処理体保持具へと搬送するよう前記被処理体搬送機構を制御し、
(iv)前記(iii)における搬送の間に、前記一の載置台に載置された前記収納容器を前記一の載置台から搬出し、かつ、前記保管部に保管された前記収納容器を、前記一の載置台へと搬送するよう前記収納容器搬送機構を制御し、
(v)前記(i)〜(iv)を繰り返して、所定の数の群の前記被処理体が、前記被処理体保持具に保持された後、前記被処理体保持具を前記磁界発生手段内に移載するよう、前記移載機構を制御する、
請求項1に記載の磁気アニール装置。
The controller is
(I) The object to be processed so as to convey the object to be processed in the storage container placed on one of the plurality of second placement tables to the object holder through the aligner. Control the body transport mechanism,
(Ii) During the transfer in (i), the storage container mounted on the other mounting table of the plurality of second mounting tables is unloaded from the other mounting table, and is stored in the storage unit. Controlling the storage container transport mechanism to transport the stored storage container to the other mounting table;
(Iii) The storage container mounted on the other mounting table after all the processed objects in the storage container mounted on the one mounting table are transferred to the processing object holder Controlling the target object transport mechanism so as to transport the target object within to the target object holder via the aligner,
(Iv) During the transfer in (iii), the storage container placed on the one placement table is unloaded from the one placement table, and the storage container stored in the storage unit is Controlling the storage container transport mechanism to transport to the one mounting table;
(V) repeating (i) to (iv), and after the predetermined number of groups of the objects to be processed are held by the object holder, the object holder is moved to the magnetic field generating means. Controlling the transfer mechanism to transfer in,
The magnetic annealing apparatus according to claim 1.
前記複数の第2の載置台は、2つの載置台であり、
前記2つの載置台は、鉛直方向に直列に配置されている、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
The plurality of second mounting tables are two mounting tables,
The two mounting tables are arranged in series in the vertical direction.
The magnetic annealing apparatus as described in any one of Claims 1 thru | or 4.
前記被処理体はウエハであり、前記収納容器はFOUPであり、
前記FOUPは25枚の前記ウエハを収納可能であり、
前記被処理体保持具は、100枚の前記ウエハを保持可能である、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
The object to be processed is a wafer, and the storage container is a FOUP.
The FOUP can store 25 wafers,
The object holder can hold 100 wafers.
The magnetic annealing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
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