JP2014183230A - 発光装置及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】本実施形態の目的は、光取出し効率の向上ができる発光装置及び照明装置を得ることにある。
【解決手段】
本実施形態によると光反射面31や配線パッド29,30に加えてボンディングワイヤー41,42も銀製の材料を使用しているため、封止部材45からの光取出し効率が非常に高くすることができる。発光ダイオード36の点灯消灯による点灯サイクルによって封止部材45や基板21等の部材が収縮、膨張及び変形することがあってもボンディングワイヤー41,42の垂直直線部61の長さを110μm以上に確保しているため、この部分で断線等が生じることを抑制できるものである。
【選択図】図6
【解決手段】
本実施形態によると光反射面31や配線パッド29,30に加えてボンディングワイヤー41,42も銀製の材料を使用しているため、封止部材45からの光取出し効率が非常に高くすることができる。発光ダイオード36の点灯消灯による点灯サイクルによって封止部材45や基板21等の部材が収縮、膨張及び変形することがあってもボンディングワイヤー41,42の垂直直線部61の長さを110μm以上に確保しているため、この部分で断線等が生じることを抑制できるものである。
【選択図】図6
Description
本発明の実施形態は、基板に実装された発光素子を封止部材で覆った発光装置および発光装置を光源として用いた照明装置に関する。
COB(chip on board)型の発光モジュールは、照明装置の光源として広く用いられている。この種の発光モジュールは、基板の上に実装された複数の発光素を備えている。発光素子は、互いに間隔を存して配列されているとともに、個々に透光性を有する封止部材で封止されている。このような発光素子に電気を供給するために基板上に形成された配線パターンと発光素子との電極とをワイヤを介して接続されているものがある。そして、このワイヤには腐食や変色を抑制することを目的として金製のワイヤが用いられている(例えば特許文献1参照。)。
しかしながら金ワイヤを用いると反射率が比較的高くないため、封止部材で封止された状態からの光取出し効率が低下してしまう虞があった。これは、基板上に高反射の反射面を形成したとしても発光素子と封止部材との間にワイヤが介在しているため、光の吸収が避けられず、光取出し効率の向上を阻害してしまうためである。
本発明の目的は、光取出し効率の向上ができる発光装置及び照明装置を得ることにある。
本発明の目的は、光取出し効率の向上ができる発光装置及び照明装置を得ることにある。
本発明の実施形態における発光装置は、実装面を有する基板と、基板の実装面に実装された発光素子と、基板の実装面又は実装面側に設けられた配線パターンと、発光素子及び配線パターンを覆う封止部材と、発光素子の電極と配線パターンとを電気的に接続する銀ワイヤと、を有する発光装置であって、銀ワイヤは、一方側の端部に形成された台座部よって前記電極又は配線パターンに接続され、他方側の端部は配線パターン又は電極に接続されており、前記台座部が形成されて接続された一方側は、前記台座部から連続した発光素子又は配線パターンに対して垂直となる垂直直線部を有し、この垂直直線部は110μm以上であって封止部材を超えない長さで形成されている。
本発明の実施形態によれば、発光素子の発光及び消灯による熱サイクルでも断線が生じることが抑制できる銀ワイヤを用いることができるので、光取出し効率の向上が容易に実現することが可能となる。
以下、実施形態について図1ないし図6を参照して説明する。
図1ないし図3は、全般照明用のベースライト1を示している。ベースライト1は、例えば屋内で使用する照明装置の一例であって、建物の天井面Cに直付けされている。
ベースライト1は、装置本体2、一対のセード3、光源4および点灯装置5を備えている。装置本体2は、シャーシ6、センターカバー7、第1のサイドカバー8aおよび第2のサイドカバー8bで構成されている。
シャーシ6は、例えば亜鉛めっき鋼板のような板金材で形成されており、天井面Cに沿って延びる細長い形状を有している。シャーシ6は、固定部10と一対の光源支持部11a,11bとを含んでいる。
固定部10は、略フラットな板状であり、例えば建物の天井を構成する要素に複数のねじで固定されている。光源支持部11a,11bは、固定部10を間に挟んで互いに平行に配置されている。光源支持部11a,11bは、夫々平坦な支持面12を有している。支持面12は、固定部10よりも下方に張り出すとともに、シャーシ6の長手方向に真っ直ぐに延びている。
センターカバー7は、シャーシ6の固定部10に支持されている。センターカバー7は、光源支持部11a,11bの間からシャーシの下方に向けてV形に突出されている。
第1のサイドカバー8aは、シャーシ6の長手方向に沿う一端およびセンターカバー7の長手方向に沿う一端を連続して覆っている。第2のサイドカバー8bは、シャーシ6の長手方向に沿う他端およびセンターカバー7の長手方向に沿う他端を連続して覆っている。
セード3は、例えばアクリル樹脂あるいはポリカーボネート樹脂のような透光性を有する樹脂材料で構成されている。セード3は、シャーシ6の長手方向に真っ直ぐに延びている。
図3に示すように、セード3は、シャーシ6の光源支持部11a,11bに向けて開口された開口部13を有している。開口部13は、シャーシ6の長手方向に延びるスリット状である。一対の保持溝14a,14bが開口部13の縁に形成されている。保持溝14a,14bは、セード3の全長に亘って延びている。保持溝14a,14bの開口端は、シャーシ6の幅方向に互いに間隔を存して向かい合っている。
さらに、セード3は、複数のブラケットを介してシャーシ6に取り付けられている。セード3をシャーシ6に取り付けた状態では、シャーシ6の光源支持部11a,11bが下方からセード3で覆われている。
図2に示すように、光源4は、第1ないし第6の発光装置である発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fを備えている。第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fは、光源支持部11a,11bの長手方向に延びる細長い形状を有している。
本実施形態によると、第1ないし第3の発光モジュール20a,20b,20cは、一方のセード3の保持溝14a,14bに保持されて、一方の光源支持部11aの長手方向に沿うように一列に並んでいる。同様に、第4ないし第6の発光モジュール20d,20e,20fは、他方のセード3の保持溝14a,14bに保持されて、他方の光源支持部11bの長手方向に沿うように一列に並んでいる。
したがって、第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fは、セード3と一体化されているとともに、セード3で覆われている。さらに、第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fは、電気的に直列に接続されている。
点灯装置5は、第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fの点灯を制御するためのものであり、交流電源から出力される交流を直流に変換して第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fに供給する。点灯装置5は、シャーシ6の固定部10に支持されているとともに、センターカバー7で覆われている。
第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fは、基本的に共通の構成を有している。このため、本実施形態では、第1の発光モジュール20aを代表して説明する。
図4ないし図6に示すように、第1の発光モジュール20aは、基板21を備えている。基板21は、ベース22、金属層23およびレジスト層24を有する三層構造である。ベース22は、例えばエポキシ樹脂あるいはガラスコンポジット基板のような合成樹脂製であり、シャーシ6の長手方向に延びる細長い形状を有している。
金属層23は、例えば銅箔で構成されているとともに、ベース22の裏面22aに積層されている。レジスト層24は、例えば合成樹脂のような絶縁材料で構成されている。レジスト層24は、金属層23およびベース22の裏面22aの外周部に連続して積層されている。金属層23およびレジスト層24は、基板21の反りを防止するため、互いに協働して基板21を補強している。
図5又は図6に示すように、複数の導体パターン26および絶縁層27がベース22の表面22bの上に積層されている。導体パターン26は、基板21の幅方向に間隔を存して二列に並べられているとともに、各列毎に基板21の長手方向に互いに離れている。
各導体パターン26は、実装パッド28、第1の配線パッド29および第2の配線パッド30を有している。実装パッド28は、例えば第1ないし第3の金属層C、N、Sを組み合わせた三層構造を採用している。
具体的には、第1の金属層Cは、ベース22の表面22bに積層された銅箔にエッチングを施すことにより形成されている。第2の金属層Nは、第1の金属層Cの上に積層されている。第2の金属層Nは、第1の金属層Cにニッケルめっきを施すことにより形成されている。第3の金属層Sは、第2の金属層Nの上に積層されている。第3の金属層Sは、第2の金属層Nに銀めっきを施すことにより形成されている。第3の金属層Sは、実装パッド28の表層を構成している。このため、実装パッド28の表面は、銀製の光反射面31となっている。光反射面31の全光線反射率は、例えば90%以上とすることが望ましい。また、本実施形態の実装パッド28は、略楕円形であって、一対の凹部34a,34bとを含んでいる。
第1および第2の配線パッド29,30は、実装パッド28よりも遥かに小さな楕円形であって、互いに同じ大きさを有している。第1および第2の配線パッド29,30は、実装パッド28と同様に第1ないし第3の金属層C、N、Sを有する三層構造であり、夫々の表層が銀により形成されている。そして、第1および第2の配線パッド29,30は、実装パッド28の凹部34a,34bに入り込むようにベース22の表面22bに形成されている。
さらに、第1および第2の配線パッド29,30は、実装パッド28の凹部34a,34bから離れており、実装パッド28に対し電気的に絶縁された状態に保たれている。したがって、実装パッド28の凹部34a,34bは、第1および第2の配線パッド29,30を避けるように切り欠かれているということができる。
また、絶縁層27は、図6に示すように、ベース22の表面22bに積層されている。この絶縁層27は、ベース22の表面22bのうち実装パッド28、第1の配線パッド29および第2の配線パッド30を外れた領域を覆っている。したがって、実装パッド28の表層、第1の配線パッド29の表層および第2の配線パッド30の表層は、夫々絶縁層27で覆われることなく基板21の表面側に露出されている。
絶縁層27の一部は、実装パッド28の凹部34a,34bに充填されて、実装パッド28と第1の配線パッド29との間、および実装パッド28と第2の配線パッド30との間に介在されている。さらに、絶縁層27は、実装パッド28の表層、第1の配線パッド29の表層および第2の配線パッド30の表層よりも基板21の厚さ方向に張り出している。そして、本実施形態によると、絶縁層27は、例えば電気絶縁性を有する白色の樹脂材料で構成されている。そのため、絶縁層27は、光反射層としての機能を兼ね備えている。
第1ないし第3の発光ダイオード36が実装パッド28の光反射面31の上に実装されている。第1ないし第3の発光ダイオード36は、夫々発光素子の一例であって、例えば青色の光を発する共通のチップで構成されている。チップは、平面的に見た時の形状が長方形であり、例えば長辺の長さが600〜650μm、短辺の長さが200〜250μmである。さらに、各チップは、アノードとしての第1の電極37と、カソードとしての第2の電極38とを有している。第1および第2の電極37,38は、チップの長手方向に間隔を存して並んでいる。この第1ないし第3の発光ダイオード36は、夫々透光性を有するダイボンド材39を用いて光反射面31に接着されている。
第1ないし第3の発光ダイオード36の第1の電極37は、個々に第1のボンディングワイヤー41を介して第1の配線パッド29に電気的に接続されている。同様に、第1ないし第3の発光ダイオード36の第2の電極38は、個々に第2のボンディングワイヤー42を介して第2の配線パッド30に電気的に接続されている。この結果、各実装パッド28に接着された第1ないし第3の発光ダイオード36は、互いに並列に接続されたダイオード群43を構成している。
この各ボンディングワイヤー41、42は概ね主成分のうち88%以上が銀からなる銀製ワイヤとなっている。そして、各ワイヤー41、42は、図7である発光ダイオード36及びボンディングワイヤー41,42の要部拡大図に示したように、各発光ダイオード36の第1及び第2の電極37,38側に台座部60が形成された状態で各電極37,38に接続されている。この台座部60は、各ワイヤー41,42を各電極37,38に接続するいわゆるワイヤボンディングのファーストボンディングによって形成されるものである。すなわち、銀ワイヤの先端に銀ボールを形成させ、この銀ボールを各電極37,38と溶着等によって接続することで形成される形態を意味している。
また、ボンディングワイヤー41、42は、台座部60から連続した垂直直線部61を有している。この垂直直線部61は、各発光ダイオード36を平面的に見た場合において発光ダイオード36又は配線パッド29,30垂直となるように形成されている。そして、この垂直直線部の長さは少なくとも110μm以上で形成されており、本実施形態では長さαは130μmとなっている。そして、ボンディングワイヤー41,42の保護の観点から封止部材45から突出しない位置まで形成されている。なお、突出高さであるαは、上限は165μm以下であることが望ましい。165μm以上になると発光ダイオード36の点灯サイクルによる封止部材45等の膨張収縮の影響から垂直直線部が断線してしまうことが頻繁に生じるし、封止部材45の大きさも大きくなってしまうため実使用において好適ではない。また、銀製のワイヤーの場合、ファーストボンディングでボンディングワイヤー41、42を各電極37,38に接続する際に熱やエネルギー等の影響によって台座部60から概ね50μmから100μmの間は十分な硬さを確保することが困難な状態となり、変形及び曲がりやすいことが分かった。したがって、この50μmから100μmの間で変形又は曲げ部分を形成すると発光ダイオード36の点灯サイクルの影響を受けて断線が生じやすくなってしまい、こちらも実使用において好適ではない。
また、ボンディングワイヤー41、42は、垂直直線部61から連続し、かつ、封止部材45の外側に向かって伸びる平行直線部62が形成されている。この平行直線部62は、発光ダイオード36よりも外側まで延在しており、基板21の実装面と平行になるように形成されているものである。
なお、上記垂直直線部61及び平行直線部62における垂直、平行及び直線の程度は本実施形態の作用及び効果を奏するものであれば厳密に解釈されるものではなく、多少のずれ、変形及び曲線は許容するものである。そして、この解釈は、以下の傾斜直線部63にも適用されるものである。
そして、ボンディングワイヤー41,42は、平行直線部62から連続し、かつ、配線パッド29,30側に向かって傾斜する傾斜直線部62が形成されている。この傾斜直線部62は、封止部材45における外周曲面と同一形状ではないものの、封止部材45の頂部側と基板21との接続部分との間に形成されている封止部材45の外周曲面に倣うように形成されているものである。
また、図4ないし図6に示すように、複数の封止部材45が基板21に形成されている。封止部材45は、導体パターン26に対応するように基板21の幅方向に間隔を存して二列に並べられているとともに、各列毎に基板21の長手方向に互いに離れている。
封止部材45は、実装パッド28に接着されたダイオード群43、ダイオード群43に対応する第1および第2のボンディングワイヤー41,42を基板21の上に封止するための要素である。また、封止部材45は、母材である樹脂の中に混ぜられた所定量の蛍光体粒子及び所定量のフィラーを含んでいる。
樹脂としては、例えば透光性を有するフェニル系シリコーン樹脂、レジン系シリコーン樹脂又はハイブリット系シリコーン樹脂を用いることが好ましい。フェニル系シリコーン樹脂、レジン系シリコーン樹脂およびハイブリット系シリコーン樹脂は、三次元的に架橋された組織を有するので、透光性のシリコーンゴムよりも硬い。
さらに、フェニル系シリコーン樹脂、レジン系シリコーン樹脂は、シリコーンオイルやシリコーンゴムと比較して酸素や水蒸気のようなガスが透過する性能が低い。本実施形態の場合、樹脂の酸素透過率が1200cm3(m2・day・atm)以下であり、水蒸気透過率が35g/m2以下である。この種の樹脂を選択することで、大気中のガスが封止部材45を透過することを要因とする銀製である各ボンディングワイヤー41,42、実装パッド28及び配線パッド29,30の劣化を防止することができ、ボンディングワイヤー41,42及光反射面31の光反射性能を良好に維持できる。そして、蛍光体粒子としては、チップが発する青色の光により励起されて黄色の光を発する黄色蛍光体粒子を用いている。なお、樹脂に混ぜる蛍光体粒子は、黄色蛍光体粒子に限らない。例えば、チップが発する光の演色性を改善するために、青色の光で励起されて赤色の光を発する赤色蛍光体粒子あるいは緑色の光を発する緑色蛍光体粒子を樹脂に添加するようにしてもよい。
封止部材45は、実装パッド28、実装パッド28に対応する第1および第2の配線パッド29,30、実装パッド28の上のダイオード群43、ダイオード群43と第1および第2の配線パッド29,30との間に跨る第1および第2のボンディングワイヤー41,42を一体的に包み込むように基板21の絶縁層27から盛り上がっている。
封止部材45は、樹脂が硬化する前の液状の状態で実装パッド28に向けて滴下される。封止部材45を滴下する際には、ディスペンサーを用いることが望ましい。実装パッド28に向けて滴下された封止部材45は、例えば150℃の温度で60分加熱することによりドーム状の形態に硬化される。
本実施形態において、ベースライト1では、ベースライト1の電源スイッチがONされると、直流電圧が点灯装置5から第1ないし第6の発光モジュール20a,20b,20c,20d,20e,20fの導体パターン26に印加される。これにより、複数の実装パッド28に実装されたダイオード群43が一斉に発光する。
ダイオード群43のチップが発する青色の光は、封止部材45に入射される。封止部材45に入射された青色の光の一部は、蛍光体粒子に吸収される。残りの青色の光は、蛍光体粒子に吸収されることなく封止部材45を透過する。
青色の光を吸収した蛍光体粒子は、励起されて補色の関係にある黄色の光を発する。黄色の光は、封止部材45を透過する。これにより、黄色の光および青色の光が封止部材45の内部で互いに混じり合って白色光となる。白色光は、封止部材45およびセード3を透過してベースライト1の外に放射され、天井面Cから室内を照明する用途に供される。
そして、本実施形態の封止部材45によると、その主成分となる樹脂は、実装パッド28に向けて滴下された直後の未硬化の状態でも予め決められた形状を維持し得るような物性を有している。樹脂の物性とは、チクソ性、粘性および硬度等のことを指している。すなわち、図6に示すように、封止部材45は、実装パッド28に滴下された直後の未硬化の段階でも、実装パッド28、第1および第2の配線パッド29,30、ダイオード群43、第1および第2のボンディングワイヤー41,42を連続して覆うような偏平なドーム形状を維持するようになっている。
また、本実施形態によると光反射面31や配線パッド29,30に加えてボンディングワイヤー41,42も銀製の材料を使用しているため、封止部材45からの光取出し効率が非常に高くすることができる。さらに、本実施形態においては、単にボンディングワイヤー41,42を銀製としたのではなく、発光ダイオード36の点灯消灯による点灯サイクルによって封止部材45や基板21等の部材が収縮、膨張及び変形することがあっても垂直直線部61の長さを110μm以上確保しているため、この部分で断線等が生じることを抑制できるものである。すなわち、台座部60を形成した状態の銀製のワイヤーである場合、台座部60から概ね50μmから100μmまでの領域が軟化しやすいが、この領域は略直線で形成しているため、断線の虞を抑制しているものである。
また、本実施形態の封止部材45は、ドーム形状をなすフェニル系シリコーン樹脂で形成されているため、樹脂の酸素透過率及び水蒸気透過率のいずれも低いものとなっており、銀製のボンディングワイヤー41,42であっても劣化を抑制することができるため、光取出し効率の低下を招きにくい。
また、ボンディングワイヤー41、42は、垂直直線部61から連続し、かつ、封止部材45の外側に向かって伸びる平行直線部62が形成され、さらに、傾斜直線部62が形成されているが、この平行直線部62及び傾斜直線部62は、封止部材45における扁平のドーム形状の外周曲面と同一形状ではないものの、封止部材45の頂部側と基板21との接続部分との間に形成されている封止部材45の外周曲面に倣うように形成されている。この構成によると、本実施形態におけるフェニル系シリコーン樹脂は、比較的硬度が高いため、点灯サイクルによって特に封止部材45の膨張収縮による変形が生じる場合には、ボンディングワイヤー41,42に掛かる応力が高くなる傾向になる。しかしながら、極力ボンディングワイヤー41,42の形状を封止部材45の外形形状に倣うように形成することによって、ボンディングワイヤー41,42のいずれかの部分に応力が集中することを抑制することができる。これにより、比較的硬度の封止樹脂45を用いるとしても銀製のボンディングワイヤー41,42の断線を生じにくくできることになる。
なお、本実施形態によれば、封止部材の形状は楕円に限定されるものではなく、例えば真円とすることも可能である。加えて、発光モジュールは天井に直付けするベースライト用の光源に限らず、例えば直管形蛍光ランプに置き換えて使用する直管形ランプの光源としても利用することができる。それとともに、照明装置にしても天井に直付けするベースライトに限定されるものではなく、例えば街路灯や誘導灯のようなその他の形態の照明装置であっても同様に実施可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
20a…発光装置である発光モジュール、21…基板、36a,36b,36c…発光素子、29,30・・・配線パターンである配線パッド、45…封止部材、41,42…銀ワイヤであるボンディングワイヤー
Claims (3)
- 実装面を有する基板と;
基板の実装面に実装された発光素子と;
基板の実装面又は実装面側に設けられた配線パターンと;
発光素子及び配線パターンを覆う封止部材と;
発光素子の電極と配線パターンとを電気的に接続する銀ワイヤと;
を有する発光装置であって、
銀ワイヤは、一方側の端部に形成された台座部よって前記電極又は配線パターンに接続され、他方側の端部は配線パターン又は電極に接続されており、前記台座部が形成されて接続された一方側は、前記台座部から連続した発光素子又は配線パターンに対して垂直となる垂直直線部を有し、この垂直直線部は110μm以上であって封止部材を超えない長さで形成されていることを特徴とする発光装置。 - 封止部材は、半球状又は半球状に類似した曲面を有する凸状で形成されており、
銀ワイヤは、前記垂直直線部から連続し、かつ、実装面と平行となるように平行直線部と、平行直線部から他端側に向かって傾斜する傾斜直線部とを有し、
銀ワイヤは、封止部材の頂部側に前記垂直直線部と平行直線部とが位置するように形成されていることを特徴とする請求項1記載の発光装置 - 請求項1又は2記載の発光装置と;
発光装置が設けられる器具本体と;
を具備することを特徴とする照明装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013057313A JP2014183230A (ja) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 発光装置及び照明装置 |
CN201320578388.4U CN203413434U (zh) | 2013-03-19 | 2013-09-17 | 发光装置及照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013057313A JP2014183230A (ja) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 発光装置及び照明装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014183230A true JP2014183230A (ja) | 2014-09-29 |
Family
ID=49976322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013057313A Pending JP2014183230A (ja) | 2013-03-19 | 2013-03-19 | 発光装置及び照明装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014183230A (ja) |
CN (1) | CN203413434U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018137280A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-03-19 JP JP2013057313A patent/JP2014183230A/ja active Pending
- 2013-09-17 CN CN201320578388.4U patent/CN203413434U/zh not_active Expired - Fee Related
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JP2018137280A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
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CN203413434U (zh) | 2014-01-29 |
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