JP2014182236A - Liquid crystal display and manufacturing method of the same - Google Patents

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Daisuke Sonoda
大介 園田
Toshimasa Ishigaki
利昌 石垣
Osamu Ito
理 伊東
Takahito Hiratsuka
崇人 平塚
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display capable of preventing light leaks caused by defective orientation near wall electrodes.SOLUTION: The liquid crystal display has a first substrate and a second substrate disposed so as to face each other via a liquid crystal layer, and includes: a pair of wall shaped electrodes formed along an edge part in a longitudinal direction of pixels facing each other, and formed so as to stand and protrude from a liquid crystal side surface of the first substrate to a second substrate side; and a light orientation film formed so as to cover a pixel area. There is provided a protection film formed along standing surfaces of the pair of wall shaped electrodes. The protection film covers a surface of the light orientation film extending to the second substrate side, along the pair of wall shaped electrodes, and a first substrate side end of the protection film covers a surface of the light orientation film extending in an in-plane direction of the first substrate, and located near the wall shaped electrode.

Description

本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係わり、特に、基板面から突出して形成される壁状の電極を有する液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, and more particularly to a liquid crystal display device having wall-like electrodes formed so as to protrude from a substrate surface.

表示モード効率を向上させた液晶表示装置として、図7に示すように、画素境界に配置した一対の壁状の画素電極(壁画素電極)PXの間の領域に、この一対の壁画素電極PXの延在方向に沿って形成される壁状の共通電極CT1を形成した液晶表示装置がある。この液晶表示装置では、画素境界に形成される一対の壁画素電極PXと壁状の共通電極CT1との間の領域にも、壁画素電極PX及び壁状の共通電極CT1からそれぞれ延在した平板状の電極(透明電極)が絶縁膜PAS2を介して形成されている。さらには、壁状の共通電極CT1は壁画素電極PXよりも突出量が小さく形成され、一対の壁画素電極PXに囲まれる領域には、壁状の共通電極CT1の形成に伴う表面の凹凸を平坦化するために、壁状の共通電極CT1をも覆うようにして平坦化膜となる絶縁膜PAS5が形成されている。この一対の壁画素電極PXが形成される領域を除く他の領域を平坦化する構成により、第1基板の面内方向に平行な均一の電界を生成する構成となっている。   As a liquid crystal display device with improved display mode efficiency, as shown in FIG. 7, a pair of wall pixel electrodes PX is arranged in a region between a pair of wall-like pixel electrodes (wall pixel electrodes) PX arranged at pixel boundaries. There is a liquid crystal display device in which a wall-like common electrode CT1 formed along the extending direction is formed. In this liquid crystal display device, flat plates extending from the wall pixel electrode PX and the wall-shaped common electrode CT1 also in a region between the pair of wall pixel electrodes PX and the wall-shaped common electrode CT1 formed at the pixel boundary. Electrode (transparent electrode) is formed through the insulating film PAS2. Furthermore, the wall-shaped common electrode CT1 is formed to have a smaller protrusion than the wall pixel electrode PX, and the surface unevenness associated with the formation of the wall-shaped common electrode CT1 is formed in the region surrounded by the pair of wall pixel electrodes PX. In order to planarize, an insulating film PAS5 serving as a planarization film is formed so as to cover the wall-shaped common electrode CT1. With the configuration in which other regions except the region where the pair of wall pixel electrodes PX are formed are planarized, a uniform electric field parallel to the in-plane direction of the first substrate is generated.

しかしながら、図8に示すように、絶縁膜PAS5を有機絶縁膜材料で形成した場合、壁画素電極PXの近傍では有機絶縁膜材料が壁画素電極PXに沿った形状にエッチングされる、いわゆる「引き上がり」が生じることとなる。この引き上がりのために、絶縁膜PAS5の表面を含む第1基板SUB1の液晶層LCの側に形成される光配向膜ORIにおいても、一対の壁画素電極PXとの間の領域はほぼ平坦な形状であるが、各壁画素電極PXの近傍では光配向膜ORIも絶縁膜PAS5の表面形状に沿って曲面状に成膜されることとなる。このため、光配向膜ORIの配向処理において、壁画素電極PXの近傍では、図7の丸印Eに示すように、第1基板SUB1の正面から照射される光配向用の光(偏光光)LTの一部が曲面状の光配向膜ORIの上面で反射された偏光光LT1となり、壁画素電極PXの近傍において配向乱れが生じてしまうことが明らかとなった。   However, as shown in FIG. 8, when the insulating film PAS5 is formed of an organic insulating film material, the organic insulating film material is etched into a shape along the wall pixel electrode PX in the vicinity of the wall pixel electrode PX. "Rising" will occur. Because of this pulling up, also in the photo-alignment film ORI formed on the liquid crystal layer LC side of the first substrate SUB1 including the surface of the insulating film PAS5, the region between the pair of wall pixel electrodes PX is almost flat. In the shape, the photo-alignment film ORI is also formed in a curved shape along the surface shape of the insulating film PAS5 in the vicinity of each wall pixel electrode PX. For this reason, in the alignment processing of the photo-alignment film ORI, in the vicinity of the wall pixel electrode PX, as shown by a circle E in FIG. 7, light for light alignment (polarized light) irradiated from the front of the first substrate SUB1. It became clear that a part of LT becomes polarized light LT1 reflected by the upper surface of the curved photo-alignment film ORI, and alignment disturbance occurs in the vicinity of the wall pixel electrode PX.

この配向乱れの生じた領域に接する液晶層LCでは、液晶分子の初期配向に乱れが生じることとなる。このとき、配向乱れが生じる領域は、第2基板SUB2とカラーフィルタCFとの間の層に形成されるブラックマトリクスBMにより遮光されない領域となっている。その結果、黒表示時において、図8中に矢印S1で示すように、丸印Eで示す領域ではバックライト光が透過してしまうこととなり、ダイナミックレンジが低下してしまうという問題が生じ、その解決方法が要望されている。   In the liquid crystal layer LC in contact with the region where the alignment is disturbed, the initial alignment of the liquid crystal molecules is disturbed. At this time, the region where the alignment is disturbed is a region which is not shielded by the black matrix BM formed in the layer between the second substrate SUB2 and the color filter CF. As a result, at the time of black display, as indicated by an arrow S1 in FIG. 8, the backlight light is transmitted through the region indicated by the circle E, and the dynamic range is deteriorated. A solution is desired.

第1基板SUB1の液晶層側の表面に形成される突起部における配向不良を防止する技術として、例えば、特許文献1に記載の液晶表示装置がある。この特許文献1に記載の技術では、各画素内の平坦化された絶縁膜の表面に成膜した導電膜をエッチングし、複数本の線状電極を並設する際に、各線状電極の端部をテーパー状に形成することにより、配向処理用の光の反射に伴う配向乱れを防止する構成となっている。このとき、各線状電極の厚さをx、端部のテーパー角度をθ、配向制御膜(配向膜)の膜厚をyとした場合、θは45度より大きく75度以下であり、かつy>x/2sinθを満たす構成となる。 For example, there is a liquid crystal display device described in Patent Document 1 as a technique for preventing alignment failure in a protrusion formed on the liquid crystal layer side surface of the first substrate SUB1. In the technique described in Patent Document 1, when the conductive film formed on the surface of the planarized insulating film in each pixel is etched and a plurality of linear electrodes are arranged in parallel, the ends of the linear electrodes are arranged. By forming the portion in a taper shape, the alignment is prevented from being disturbed due to the reflection of light for alignment treatment. At this time, when the thickness of each linear electrode is x, the taper angle of the end is θ, and the film thickness of the alignment control film (alignment film) is y, θ is greater than 45 degrees and 75 degrees or less, and y > X / 2sin 2 θ.

特許第4383825号Japanese Patent No. 4383825

特許文献1に記載の線状電極の構造では、各線状電極における液晶側への突出量すなわち線状電極厚さは、液晶層の厚さよりも非常に小さい構成となっている。これに対して、第1基板の表面に立設する壁画素電極PXを用いる液晶表示装置では、特許文献1の線状電極の厚さに相当する壁画素電極PXの高さが非常に高く形成される構成となる。このため、壁画素電極PXの高さと配向膜の膜厚との関係を満たす構造を実現できないという問題があった。   In the structure of the linear electrode described in Patent Document 1, the amount of protrusion of each linear electrode to the liquid crystal side, that is, the linear electrode thickness, is much smaller than the thickness of the liquid crystal layer. On the other hand, in the liquid crystal display device using the wall pixel electrode PX standing on the surface of the first substrate, the height of the wall pixel electrode PX corresponding to the thickness of the linear electrode of Patent Document 1 is formed very high. It becomes the composition to be done. For this reason, there is a problem that a structure satisfying the relationship between the height of the wall pixel electrode PX and the thickness of the alignment film cannot be realized.

本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、壁電極の近傍における配向不良に起因する光漏れを防止することが可能な液晶表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of these problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of preventing light leakage due to poor alignment in the vicinity of a wall electrode. .

(1)前記課題を解決すべく、液晶層を介して対向配置される第1基板と第2基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第1基板の液晶側面から前記第2基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜とを備える液晶表示装置であって、
前記一対の壁状電極の立設面に沿って形成される防護膜を備え、
前記防護膜が、前記一対の壁状電極に沿い前記第2基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、
前記防護膜の第1基板側の端部が、前記第1基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う液晶表示装置である。
(1) In order to solve the above-mentioned problem, the first substrate and the second substrate which are disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween are formed along the longitudinal edges of the pixels facing each other. A liquid crystal display device comprising a pair of wall-like electrodes formed so as to protrude from a liquid crystal side surface of a substrate toward the second substrate side, and a photo-alignment film formed so as to cover a pixel region. ,
Comprising a protective film formed along the standing surface of the pair of wall electrodes;
The protective film covers the surface of the photo-alignment film extending toward the second substrate along the pair of wall electrodes,
In the liquid crystal display device, an end portion of the protective film on the first substrate side extends in an in-plane direction of the first substrate and covers a surface of the photo-alignment film positioned in the vicinity of the wall-shaped electrode.

(2)前記課題を解決すべく、液晶層を介して対向配置される第1基板と第2基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第1基板の液晶側面から前記第2基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜と、前記一対の壁状電極に沿い前記第2基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、その端部が、前記第1基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う防護膜とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記光配向膜を前記第1基板の上面に形成する工程と、
前記光配向膜を光配向処理する工程と、
前記光配向膜の全面を覆うようにして無機絶縁膜材料からなる無機膜層を形成する工程と、
前記無機膜層を前記第1基板の法線方向から異方性ドライエッチングでエッチングする工程と、
を備える液晶表示装置の製造方法である。
(2) In order to solve the above-described problem, the first substrate and the second substrate are disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and are formed along the longitudinal edges of the pixels facing each other. A pair of wall-like electrodes formed so as to protrude from the liquid crystal side surface of the substrate to the second substrate side, a photo-alignment film formed so as to cover the pixel region, and the pair of wall-like electrodes Covering the surface of the photo-alignment film extending toward the second substrate along the edge and extending in the in-plane direction of the first substrate and located in the vicinity of the wall electrode A manufacturing method of a liquid crystal display device comprising a protective film covering the surface of the alignment film,
Forming the photo-alignment film on the upper surface of the first substrate;
A step of photoaligning the photoalignment film;
Forming an inorganic film layer made of an inorganic insulating film material so as to cover the entire surface of the photo-alignment film;
Etching the inorganic film layer by anisotropic dry etching from the normal direction of the first substrate;
A method for manufacturing a liquid crystal display device comprising:

本発明によれば、壁電極の近傍における配向不良に起因する光漏れを防止することができる。   According to the present invention, it is possible to prevent light leakage due to poor alignment in the vicinity of the wall electrode.

本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。   Other effects of the present invention will become apparent from the description of the entire specification.

本発明の実施形態1の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the whole structure of the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the pixel structure in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態1の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation process of the protective film in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the pixel structure in the liquid crystal display device of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the formation process of the protective film in the liquid crystal display device of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態3の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the pixel structure in the liquid crystal display device of Embodiment 3 of this invention. 従来の液晶表示装置における光配向処理を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the photo-alignment process in the conventional liquid crystal display device. 従来の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the pixel structure in the conventional liquid crystal display device.

以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、X,Y,ZはそれぞれX軸、Y軸、Z軸を示す。   Embodiments to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. However, in the following description, the same components are denoted by the same reference numerals, and repeated description is omitted. X, Y, and Z represent the X axis, the Y axis, and the Z axis, respectively.

《実施形態1》
〈全体構成〉
図1は本発明の実施形態1の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図1に基づいて、本発明の液晶表示装置の全体構成を説明する。
Embodiment 1
<overall structure>
FIG. 1 is a plan view for explaining the overall configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, the overall configuration of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIG.

図1に示すように、実施形態1の液晶表示装置は、壁状の画素電極(壁画素電極)PXや薄膜トランジスタTFT等が形成される第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向して配置されカラーフィルタ等が形成される第2基板SUB2と、第1基板SUB1と第2基板SUB2とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルPNLを有する。また、液晶表示パネルPNLと光源となる図示しないバックライトユニット(バックライト装置)とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第1基板SUB1と第2基板SUB2との固定及び液晶の封止は、第2基板の周辺部に環状に塗布されたシール材SLで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態1の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示用の画素(以下、画素と略記する)の形成される領域が表示領域ARとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ARとはならない。   As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device according to the first embodiment is arranged to face a first substrate SUB1 on which a wall-like pixel electrode (wall pixel electrode) PX, a thin film transistor TFT, and the like are formed, and the first substrate SUB1. The liquid crystal display panel PNL includes a second substrate SUB2 on which a color filter and the like are formed, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. Further, a liquid crystal display device is configured by combining a liquid crystal display panel PNL and a backlight unit (backlight device) (not shown) serving as a light source. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are fixed and the liquid crystal is sealed with a sealing material SL applied to the periphery of the second substrate in an annular shape, and the liquid crystal is also sealed. However, in the liquid crystal display device according to the first embodiment, a region where a display pixel (hereinafter abbreviated as a pixel) is formed in the region where the liquid crystal is sealed becomes the display region AR. Therefore, even in the region where the liquid crystal is sealed, a region where pixels are not formed and which is not involved in display is not the display region AR.

また、第2基板SUB2は第1基板SUB1よりも小さな面積となっており、第1基板SUB1の図中下側の辺部を露出させるようになっており、第1基板SUB1の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路DRが搭載されている。この駆動回路DRは、表示領域ARに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルPNLの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第1基板SUB1及び第2基板SUB2としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板等であってもよい。   Further, the second substrate SUB2 has a smaller area than the first substrate SUB1, and the lower side of the first substrate SUB1 in the figure is exposed, and the side of the first substrate SUB1 A drive circuit DR composed of a semiconductor chip is mounted. The drive circuit DR drives each pixel arranged in the display area AR. In the following description, the liquid crystal display panel PNL may also be described as a liquid crystal display device. Further, as the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, for example, a known glass substrate is generally used as a base material, but may be a resinous transparent insulating substrate or the like.

実施形態1の液晶表示装置では、第1基板SUB1の液晶側の面であって表示領域ARには、図1中X方向に延在しY方向に並設され、駆動回路DRからの走査信号が供給される走査信号線(ゲート線)GLが形成されている。また、図1中Y方向に延在しX方向に並設され、駆動回路DRからの映像信号(階調信号)が供給される映像信号線(ドレイン線)DLが形成されている。隣接する2本のドレイン線DLと隣接する2本のゲート線GLとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素がドレイン線DL及びゲート線GLに沿って、表示領域AR内においてマトリックス状に配置されている。   In the liquid crystal display device according to the first embodiment, the liquid crystal side surface of the first substrate SUB1 and the display area AR extend in the X direction in FIG. 1 and are arranged in parallel in the Y direction. Is formed as a scanning signal line (gate line) GL. Further, a video signal line (drain line) DL is formed which extends in the Y direction in FIG. 1 and is juxtaposed in the X direction to which a video signal (gradation signal) from the drive circuit DR is supplied. A region surrounded by two adjacent drain lines DL and two adjacent gate lines GL constitutes a pixel, and a plurality of pixels form a matrix in the display region AR along the drain line DL and the gate line GL. Is arranged.

各画素は、例えば、図1中丸印Aの等価回路図A’に示すように、ゲート線GLからの走査信号によってオン/オフ駆動される薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜トランジスタTFTを介してドレイン線DLからの映像信号が供給される壁画素電極PXと、共通信号線(コモン線)CLを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極CT1,CT2とを備えている。図1中丸印Aの等価回路図A’においては、壁画素電極PX及び共通電極CT1,CT2を模式的に線状に記しているが、実施形態1の壁画素電極PX及び共通電極CT1,2の構成については、後に詳述する。なお、実施形態1の薄膜トランジスタTFTは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線DLと接続される側をドレイン電極、壁画素電極PXと接続される側をソース電極と記す。   For example, as shown in an equivalent circuit diagram A ′ indicated by a circle A in FIG. 1, each pixel includes a thin film transistor TFT which is turned on / off by a scanning signal from the gate line GL and a drain through the turned on thin film transistor TFT. The wall pixel electrode PX to which the video signal from the line DL is supplied, and the common electrode CT1, to which a common signal having a reference potential with respect to the potential of the video signal is supplied via the common signal line (common line) CL. CT2. In the equivalent circuit diagram A ′ indicated by a circle A in FIG. 1, the wall pixel electrode PX and the common electrodes CT1 and CT2 are schematically illustrated in a linear shape, but the wall pixel electrode PX and the common electrodes CT1 and CT2 of the first embodiment are illustrated. This configuration will be described in detail later. Note that the thin film transistor TFT of Embodiment 1 is driven so that the drain electrode and the source electrode are switched by application of the bias. In this specification, for convenience, the side connected to the drain line DL is the drain electrode and the wall. A side connected to the pixel electrode PX is referred to as a source electrode.

壁画素電極PXと共通電極CT1,CT2との間には、第1基板SUB1の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から横電界方式と称される。また、実施形態1の液晶表示装置においては、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小(黒表示)とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。   An electric field having a component parallel to the main surface of the first substrate SUB1 is generated between the wall pixel electrode PX and the common electrodes CT1 and CT2, and liquid crystal molecules are driven by this electric field. Such a liquid crystal display device is known to be capable of so-called wide viewing angle display, and is referred to as a lateral electric field method because of the peculiarity of application of an electric field to liquid crystal. In the liquid crystal display device according to the first embodiment, normally black is used in which the light transmittance is minimized (black display) when no electric field is applied to the liquid crystal, and the light transmittance is improved by applying the electric field. The display is performed in the display form.

各ドレイン線DL及び各ゲート線GLはその端部においてシール材SLを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板FPCを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路DRに接続される。ただし、実施形態1の液晶表示装置では、駆動回路DRを半導体チップで形成し第1基板SUB1に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板FPCにテープキャリア方式やCOF(Chip On Film)方式で搭載し、第1基板SUB1に接続させる構成であってもよい。   Each drain line DL and each gate line GL extend beyond the sealing material SL at their ends, and based on an input signal input from an external system through the flexible printed circuit board FPC, a video signal, a scanning signal, etc. Is connected to a drive circuit DR that generates a drive signal. However, in the liquid crystal display device of the first embodiment, the drive circuit DR is formed of a semiconductor chip and mounted on the first substrate SUB1, but the video signal drive circuit that outputs the video signal and the scan signal drive that outputs the scan signal are used. One or both of the drive circuits may be mounted on the flexible printed circuit board FPC by a tape carrier method or a COF (Chip On Film) method and connected to the first substrate SUB1.

〈画素の詳細構成〉
図2は本発明の実施形態1の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、特に、画素の短手方向の断面図である。ただし、図2に示す断面図では、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の露出面(液晶表示装置の表示面側及び裏面側)に配置される周知の一対の偏光板(上偏光板及び下偏光板)、及び第2基板SUB2の液晶層LCの側の面に形成される配向膜は省略する。また、薄膜トランジスタTFTやゲート線GL等も周知の構成となるので、その薄膜層についても省略する。なお、偏光板については、周知の技術を用いて、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の液晶層LCの側の面に形成する構成であってもよい。
<Detailed pixel configuration>
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a pixel configuration in the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, and in particular, a cross-sectional view in the short direction of the pixel. However, in the cross-sectional view shown in FIG. 2, a well-known pair of polarizing plates (an upper polarizing plate and a lower polarizing plate) disposed on the exposed surfaces (the display surface side and the back surface side of the liquid crystal display device) of the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The polarizing film and the alignment film formed on the surface of the second substrate SUB2 on the liquid crystal layer LC side are omitted. Further, since the thin film transistor TFT, the gate line GL, and the like have a well-known configuration, the thin film layer is also omitted. In addition, about the polarizing plate, the structure formed in the surface by the side of the liquid crystal layer LC of 1st board | substrate SUB1 and 2nd board | substrate SUB2 using a well-known technique may be sufficient.

図2に示すように、実施形態1の液晶表示装置では、第1基板SUB1と第2基板SUB2とが液晶層LCを介して対向配置される構成となっている。このとき、実施形態1の画素構成では、第1基板SUB1の上面(液晶側面)にはドレイン線DLが形成され、このドレイン線DLをも覆うようにして、絶縁膜PAS1が形成されている。絶縁膜PAS1の液晶側面(上面)には、XZ面での断面形状が矩形状をなし、少なくともY方向(画素の長手方向)に断続的に延在する柱状形状の絶縁膜(以下、壁電極絶縁膜と記す)PAS3が形成され、基板表面から液晶層LC側に大きく突出する凸状形状をなす構成となっている。なお、実施形態1の画素構成においては、例えば、表示に係わらない領域であるゲート線と交差する部分には壁電極絶縁膜PAS3が形成されない構成となっており、液晶の流動性を妨げない構成となっている。   As shown in FIG. 2, the liquid crystal display device of Embodiment 1 has a configuration in which the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are arranged to face each other with the liquid crystal layer LC interposed therebetween. At this time, in the pixel configuration of the first embodiment, the drain line DL is formed on the upper surface (side surface of the liquid crystal) of the first substrate SUB1, and the insulating film PAS1 is formed so as to cover the drain line DL. On the liquid crystal side surface (upper surface) of the insulating film PAS1, a columnar insulating film (hereinafter referred to as a wall electrode) that has a rectangular cross-sectional shape on the XZ plane and extends intermittently at least in the Y direction (longitudinal direction of the pixel). PAS3 (denoted as an insulating film) is formed, and has a convex shape projecting greatly from the substrate surface toward the liquid crystal layer LC. In the pixel configuration of the first embodiment, for example, the wall electrode insulating film PAS3 is not formed in a portion intersecting with the gate line which is a region not related to display, and the fluidity of the liquid crystal is not hindered. It has become.

また、壁電極絶縁膜PAS3は画素のX方向(短手方向)の配置に対しては、画素の辺縁部となる隣接画素との境界部分(画素境界部分)に形成されている。この壁電極絶縁膜PAS3の側面(側壁面) には、絶縁膜PAS2を介してその側面(側壁面)を覆うように、壁画素電極PXが形成されている。実施形態1の壁画素電極PXは、基板側の辺縁部(下端側)から画素の平面方向(第1基板SUB1の面内方向)にも伸延する構成となっており、その端部は壁状の共通電極CT1の側壁面に沿って第2基板SUB2の方向に伸延する構成となっている。この構成からなる壁画素電極PXが各画素にそれぞれ形成され、後に詳述する共通電極CT1を介して対向配置される一対の壁画素電極PXにより、1つの画素が構成されている。   Further, the wall electrode insulating film PAS3 is formed at a boundary portion (pixel boundary portion) with an adjacent pixel serving as a peripheral portion of the pixel with respect to the arrangement of the pixel in the X direction (short direction). A wall pixel electrode PX is formed on the side surface (side wall surface) of the wall electrode insulating film PAS3 so as to cover the side surface (side wall surface) via the insulating film PAS2. The wall pixel electrode PX of the first embodiment is configured to extend in the planar direction of the pixel (in-plane direction of the first substrate SUB1) from the edge portion (lower end side) on the substrate side, and the end portion is a wall. The common electrode CT1 extends in the direction of the second substrate SUB2 along the side wall surface. A wall pixel electrode PX having this configuration is formed in each pixel, and one pixel is configured by a pair of wall pixel electrodes PX that are arranged to face each other via a common electrode CT1 described in detail later.

一対の壁画素電極PXに挟まれる各画素の領域には、液晶層LCを介して一対の電極CT1,CT2がZ方向に対向配置され、共通電極を構成している。特に、第2基板SUB2の側にY方向に延在する線状の共通電極CT2が形成され、第1基板SUB1の側にY方向に延在する壁状の共通電極CT1が形成され、該2つの共通電極CT1,CT2により擬似的な壁状の共通電極(擬似壁共通電極)を構成している。なお、第1基板SUB1に形成される共通電極CT1のみを用いる構成であってもよい。   In the region of each pixel sandwiched between the pair of wall pixel electrodes PX, a pair of electrodes CT1 and CT2 are arranged opposite to each other in the Z direction via the liquid crystal layer LC to form a common electrode. In particular, a linear common electrode CT2 extending in the Y direction is formed on the second substrate SUB2 side, and a wall-like common electrode CT1 extending in the Y direction is formed on the first substrate SUB1 side. The two common electrodes CT1 and CT2 constitute a pseudo wall-like common electrode (pseudo wall common electrode). Note that only the common electrode CT1 formed on the first substrate SUB1 may be used.

第1基板SUB1側の電極である共通電極CT1の構成では、隣接する壁電極絶縁膜PAS3間に、該壁電極絶縁膜PAS3と同様にY方向に延在する柱状の絶縁膜(擬似壁電極絶縁膜)PAS4が形成されている。該擬似壁電極絶縁膜PAS4は、壁電極絶縁膜PAS3と同様に絶縁膜PAS1の上面に形成され、X方向及びZ方向の大きさが壁電極絶縁膜PAS3よりも小さい構成となっている。擬似壁電極絶縁膜PAS4を覆うように透明導電膜からなる共通電極CT1が形成されると共に、該共通電極CT1のX方向の端部は絶縁膜PAS1の表面すなわち第1基板SUB1の面内方向に沿い、壁電極絶縁膜PAS3の方向に伸延されている。   In the configuration of the common electrode CT1 that is the electrode on the first substrate SUB1 side, a columnar insulating film (pseudo wall electrode insulating film) extends in the Y direction between the adjacent wall electrode insulating films PAS3 in the same manner as the wall electrode insulating film PAS3. Membrane) PAS4 is formed. The pseudo wall electrode insulating film PAS4 is formed on the upper surface of the insulating film PAS1 similarly to the wall electrode insulating film PAS3, and has a smaller size in the X direction and the Z direction than the wall electrode insulating film PAS3. A common electrode CT1 made of a transparent conductive film is formed so as to cover the pseudo wall electrode insulating film PAS4, and an end portion in the X direction of the common electrode CT1 is in the surface of the insulating film PAS1, that is, in the in-plane direction of the first substrate SUB1. Along the direction of the wall electrode insulating film PAS3.

このとき、実施形態1の液晶表示装置では、共通電極CT1及び壁電極絶縁膜PAS3の露出面を含む第1基板SUB1の表面を覆うように形成される絶縁膜PAS2を介し、該絶縁膜PAS2の上面に形成される壁画素電極PXの一部と重畳される構成となっている。この構成により、保持容量Cstを形成し、各画素内に保持容量Cstを形成するための電極を形成することを不要とし、各画素においてバックライト光が透過(通過)する領域(透過領域)を大きく形成することを可能とし、開口率を向上させる構成となっている。なお、壁画素電極PX及び共通電極CT1,CT2は、周知のITO(tin-doped indium oxide),GZO,AZO等の透明導電膜で形成される。また、各画素内に保持容量Cstをそれぞれ形成し、共通電極CT1及び壁画素電極PXが第1基板SUB1の面内方向に延在されない構成であってもよい。   At this time, in the liquid crystal display device of Embodiment 1, the insulating film PAS2 is interposed via the insulating film PAS2 formed so as to cover the surface of the first substrate SUB1 including the exposed surfaces of the common electrode CT1 and the wall electrode insulating film PAS3. It is configured to overlap with a part of the wall pixel electrode PX formed on the upper surface. With this configuration, it is not necessary to form the storage capacitor Cst and to form an electrode for forming the storage capacitor Cst in each pixel, and a region (transmission region) through which the backlight is transmitted (passed) in each pixel. It can be formed large and has a configuration that improves the aperture ratio. The wall pixel electrode PX and the common electrodes CT1 and CT2 are formed of a well-known transparent conductive film such as ITO (tin-doped indium oxide), GZO, or AZO. Further, the storage capacitor Cst may be formed in each pixel, and the common electrode CT1 and the wall pixel electrode PX may not extend in the in-plane direction of the first substrate SUB1.

また、共通電極CT1の形状に伴う各画素内の凹凸を平坦化するための平坦化膜となる絶縁膜PAS5が、一対の壁画素電極PXの立設部分の間に形成されている。この壁画素電極PXの立設部分は第1基板SUB1の法線方向とほぼ一致する構成となるので、壁画素電極PXの立設部分の第1基板SUB1の側は絶縁膜PAS5にその一部が覆われる構成となる。また、絶縁膜PAS5の表面を含む第1基板SUB1の表面の内で、少なくとも表示領域AR内には、周知の光配向膜材料からなる光配向膜ORIが形成される構成となっている。さらには、第1基板SUB1の法線方向に延在する領域部分の光配向膜ORIの表面を覆うようにして、防護膜DFが形成されている。   In addition, an insulating film PAS5 serving as a flattening film for flattening unevenness in each pixel due to the shape of the common electrode CT1 is formed between the standing portions of the pair of wall pixel electrodes PX. Since the standing portion of the wall pixel electrode PX substantially coincides with the normal direction of the first substrate SUB1, the first substrate SUB1 side of the standing portion of the wall pixel electrode PX is part of the insulating film PAS5. Is covered. Further, a photo-alignment film ORI made of a well-known photo-alignment film material is formed at least in the display area AR in the surface of the first substrate SUB1 including the surface of the insulating film PAS5. Furthermore, a protective film DF is formed so as to cover the surface of the photo-alignment film ORI in a region portion extending in the normal direction of the first substrate SUB1.

一方、液晶層LCを介して対向配置される第2基板SUB2の液晶面側には、遮光層となる周知のブラックマトリクスBM、R(赤色),G(緑色),B(青色)に対応した周知のカラーフィルタCF、共通電極CT2、及びその上面を覆う周知のオーバーコート層OCが形成されている。また、オーバーコート層OCの上面には、図示しない配向膜が形成されている。   On the other hand, on the liquid crystal surface side of the second substrate SUB2 opposed to the liquid crystal layer LC, the black matrixes BM, R (red), G (green), and B (blue) that serve as light shielding layers are supported. A well-known color filter CF, a common electrode CT2, and a well-known overcoat layer OC covering the upper surface thereof are formed. An alignment film (not shown) is formed on the upper surface of the overcoat layer OC.

〈防護膜の詳細構成〉
図2中丸印Bの拡大図B’に示すように、実施形態1の画素構造では、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿う領域の光配向膜ORI表面を覆うようにして、窒化シリコン(SiN)や酸化シリコン(SiO)等の一層又は多層の無機絶縁膜からなる防護膜DFが形成されている。特に、実施形態1の防護膜DFは、壁画素電極PXの立設部分の光配向膜ORIの表面に沿いY方向に延在して形成されると共に、第1基板SUB1の側の辺端部は絶縁膜PAS5を覆う光配向膜ORIの表面に到達し密着される構成となっている。すなわち、実施形態1の画素構成では、壁画素電極PXの立設部分の光配向膜ORIの表面を覆うと共に、壁画素電極PXの立設部分の光配向膜ORIと絶縁膜PAS5を覆う光配向膜ORIとが交差する境界部分近傍の光配向膜ORIの表面も覆う構成となっている。この構成により、防護膜DFが壁画素電極PXの立設部分に沿って形成される光配向膜ORIの立設領域表面を覆うと共に、初期配向乱れの生じた光配向膜ORIの表面領域(配向乱れ領域)ODAをも壁画素電極PXの延在方向に沿って覆う構成となっている。
<Detailed configuration of protective film>
As shown in an enlarged view B ′ of a circle B in FIG. 2, in the pixel structure of Embodiment 1, silicon nitride (SiN) is formed so as to cover the surface of the photo-alignment film ORI in the region along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3. ) Or silicon oxide (SiO) or the like, a protective film DF made of a single or multilayer inorganic insulating film is formed. In particular, the protective film DF of the first embodiment is formed to extend in the Y direction along the surface of the photo-alignment film ORI at the standing portion of the wall pixel electrode PX, and at the side edge on the first substrate SUB1 side. Is configured to reach and adhere to the surface of the photo-alignment film ORI covering the insulating film PAS5. That is, in the pixel configuration of the first embodiment, the photo-alignment covering the surface of the photo-alignment film ORI in the standing portion of the wall pixel electrode PX and covering the photo-alignment film ORI and the insulating film PAS5 in the stand-up portion of the wall pixel electrode PX. The surface of the photo-alignment film ORI in the vicinity of the boundary portion where the film ORI intersects is also covered. With this configuration, the protective film DF covers the surface of the photo-alignment film ORI formed along the standing part of the wall pixel electrode PX, and the surface region (alignment) of the photo-alignment film ORI in which the initial alignment disorder has occurred. The disturbance area ODA is also covered along the extending direction of the wall pixel electrode PX.

また、配向乱れ領域ODAのX方向幅をW、防護膜DFの膜厚をtとした場合、実施形態1の防護膜DFの構成では、t≧Wを満たすように防護膜DFが形成されている。さらには、Y方向に延在しX方向に並設されるブラックマトリクス(遮光膜)BMとの間の領域、すなわちバックライト光が透過する画素の領域(透過領域)内に、実施形態1の防護膜DFの端部が形成される構成となっている。すなわち、配向乱れ領域ODAが原因となって発生する液晶分子の初期配向の乱れが生じる領域である、黒表示時にバックライト光が透過してしまう領域を表示不良領域とした場合、少なくとも防護膜DFが表示不良領域を占めるように形成されている。   Further, when the width in the X direction of the orientation disorder region ODA is W and the film thickness of the protective film DF is t, the protective film DF is formed so as to satisfy t ≧ W in the configuration of the protective film DF of the first embodiment. Yes. Further, in the region between the black matrix (light-shielding film) BM extending in the Y direction and arranged in parallel in the X direction, that is, in the pixel region (transmission region) through which the backlight is transmitted, The end of the protective film DF is formed. That is, when a region in which backlight light is transmitted during black display, which is a region in which the initial alignment disorder of the liquid crystal molecules generated due to the disordered alignment region ODA occurs, at least the protective film DF. Is formed so as to occupy a display defect region.

さらには、実施形態1の画素構成では、壁画素電極PX及び防護膜DFの辺端部がそれぞれ第2基板SUB2の液晶側面に当接される構成、すなわち壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面を覆う光配向膜ORIが第2基板SUB2の液晶側面に当接される構成となっている。この構成では、表示不良領域に液晶分子が侵入してしまうことを防護膜DFが防止できる。すなわち、配向乱れ領域ODAの発生に伴って液晶分子の初期配向の乱れが生じてしまうこととなる幅Wの領域に液晶層LCが形成されないように、幅Wよりも膜厚(膜幅)tが大きい防護膜DFが形成される構成となっている。   Furthermore, in the pixel configuration of the first embodiment, the side edge portions of the wall pixel electrode PX and the protective film DF are in contact with the liquid crystal side surfaces of the second substrate SUB2, that is, the top surface of the wall electrode insulating film PAS3 is covered. The photo-alignment film ORI is in contact with the liquid crystal side surface of the second substrate SUB2. In this configuration, the protective film DF can prevent liquid crystal molecules from entering the display defect region. That is, the film thickness (film width) t is larger than the width W so that the liquid crystal layer LC is not formed in the region of the width W that causes the disorder of the initial alignment of the liquid crystal molecules with the occurrence of the alignment disorder region ODA. A large protective film DF is formed.

このように、実施形態1の画素構成では、防護膜DFが壁画素電極PXに沿って形成されているので、光配向膜ORIに配向乱れ領域ODAが形成されている場合であっても、液晶層LCに表示不良領域が生じてしまうことを防止できる。   As described above, in the pixel configuration of the first embodiment, since the protective film DF is formed along the wall pixel electrode PX, even if the alignment disorder region ODA is formed in the photo-alignment film ORI, the liquid crystal It is possible to prevent a display defect region from occurring in the layer LC.

このとき、実施形態1の画素構成では、画素の透過領域に形成される防護膜DFにはバックライト光が入射することとなるが、第1基板SUB1及び第2基板SUB2に配置される偏光板がクロスニコルに配置される構成となっている。従って、第1基板SUB1の側の偏光板(下偏光板)を透過した後に、偏光されることなく防護膜DFを透過し第2基板SUB2に達したバックライト光は該第2基板SUB2の側の偏光板(上偏光板)で遮蔽されることとなる。その結果、実施形態1の構成では、光配向膜ORIに配向乱れ領域ODAが形成される構成であっても、表示不良領域が形成され防護膜DFの形成により配向乱れに伴う黒表示時におけるバックライト光の透過を防止できる。よって、ダイナミックレンジを向上することができ、表示品質を向上させることができる。   At this time, in the pixel configuration of the first embodiment, the backlight light is incident on the protective film DF formed in the transmission region of the pixel, but the polarizing plate disposed on the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. Are arranged in crossed Nicols. Therefore, after passing through the polarizing plate (lower polarizing plate) on the side of the first substrate SUB1, the backlight that has passed through the protective film DF without being polarized and reaches the second substrate SUB2 is transmitted to the side of the second substrate SUB2. The polarizing plate (upper polarizing plate) is shielded. As a result, in the configuration of the first embodiment, even when the alignment disordered region ODA is formed in the photo-alignment film ORI, the display failure region is formed and the back-up at the time of black display due to the alignment disorder is formed by the formation of the protective film DF. Transmission of light can be prevented. Therefore, the dynamic range can be improved and the display quality can be improved.

このとき、実施形態1の画素構成では、防護膜DFの膜厚方向により配向乱れの領域ODAのX方向の拡がり方向(壁画素電極PXからの離れる方向)を覆う構成となっているので、防護膜DFの膜厚を制御することにより配向乱れ領域ODAを覆う範囲を制御できる。従って、第1基板SUB1の表面に各薄膜層を形成する際の位置合わせ精度よりも配向乱れ領域ODAのY方向幅が微細幅であっても、配向乱れ領域ODAのみを覆うことができ、表示に寄与しない領域を小さくすることができるので、開口率の減少を最小限に抑制できるという効果を得ることもできる。   At this time, in the pixel configuration of the first embodiment, the film thickness direction of the protective film DF covers the spreading direction in the X direction (the direction away from the wall pixel electrode PX) of the alignment disorder region ODA. By controlling the film thickness of the film DF, the range covering the orientation disorder region ODA can be controlled. Accordingly, even if the width in the Y direction of the disordered alignment region ODA is finer than the alignment accuracy when forming each thin film layer on the surface of the first substrate SUB1, only the disordered alignment region ODA can be covered. Since the region that does not contribute to the area can be reduced, it is possible to obtain an effect that the decrease in the aperture ratio can be minimized.

なお、壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面と第2基板SUB2との間に液晶層LCが介在される液晶表示装置に本願発明を適用した場合であっても、各画素領域内に表示不良領域が形成されることを防止できる。この場合、第1基板SUB1の側に形成される光配向膜ORIの配向乱れ領域ODA(表示不良領域を含む)は防護膜DFに覆われ、防護膜DFと第2基板SUB2との間の液晶分子の配向は第2基板SUB2の図示しない配向膜で配向されることとなる。よって、液晶分子の初期配向が配向乱れ領域ODAの影響を受けて表示不良領域が形成されてしまうことを防止できるからである。   Even when the present invention is applied to a liquid crystal display device in which the liquid crystal layer LC is interposed between the top surface of the wall electrode insulating film PAS3 and the second substrate SUB2, there is a display defect region in each pixel region. It can be prevented from being formed. In this case, the alignment disorder region ODA (including the display failure region) of the photo-alignment film ORI formed on the first substrate SUB1 side is covered with the protective film DF, and the liquid crystal between the protective film DF and the second substrate SUB2 The molecules are aligned by an alignment film (not shown) of the second substrate SUB2. Therefore, it is possible to prevent the display defect region from being formed due to the influence of the disordered alignment region ODA on the initial alignment of the liquid crystal molecules.

また、実施形態1の画素構成においては、防護膜DFの第2基板SUB2の側の辺端部は、絶縁膜PAS3の頭頂面を覆う部分の光配向膜ORIの表面から突出しない構成が好ましいが、液晶層LCのZ方向の厚さによっては、突出する構成であってもよい。   In the pixel configuration of the first embodiment, it is preferable that the side edge of the protective film DF on the second substrate SUB2 side does not protrude from the surface of the photo-alignment film ORI that covers the top surface of the insulating film PAS3. Depending on the thickness of the liquid crystal layer LC in the Z direction, a protruding structure may be used.

〈防護膜の形成方法〉
次に、図3に本発明の実施形態1の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図を示し、以下、図3に基づいて、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿って光配向膜ORIの上面を覆う防護膜DFの形成方法について詳細に説明する。ただし、実施形態1の液晶表示装置は、第1基板SUB1に形成される防護膜DFの形成工程を除く他の薄膜層の形成工程は従来と同様となる。従って、以下の説明では、本願発明に特徴的な防護膜DFの形成工程について詳細に説明する。なお、図3においては、第1基板SUB1は省略する。また、無機材料である窒化シリコン(SiN)を用いた防護膜DFを形成する場合について説明するが、酸化シリコン(SiO)等の他の無機材料又はその組み合わせによる多層構造であってもよい。また、各薄膜層の形成は、周知のフォトリソグラフィ技術で形成されるので、その詳細な説明は省略する。
<Method of forming protective film>
Next, FIG. 3 shows a view for explaining a protective film forming step in the liquid crystal display device of Embodiment 1 of the present invention. Hereinafter, based on FIG. 3, along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3. A method for forming the protective film DF covering the upper surface of the photo-alignment film ORI will be described in detail. However, in the liquid crystal display device of the first embodiment, the thin film layer forming process other than the protective film DF forming process formed on the first substrate SUB1 is the same as the conventional one. Therefore, in the following description, the formation process of the protective film DF characteristic of the present invention will be described in detail. In FIG. 3, the first substrate SUB1 is omitted. In addition, although the case where the protective film DF using silicon nitride (SiN) which is an inorganic material is formed will be described, a multilayer structure of other inorganic materials such as silicon oxide (SiO) or a combination thereof may be used. Further, since each thin film layer is formed by a well-known photolithography technique, detailed description thereof is omitted.

a)光配向膜の形成工程
第1基板SUB1の液晶面側に順次、ゲート線GL等を含む薄膜トランジスタTFT、ドレイン線DL、層間絶縁膜PAS1、擬似壁電極絶縁膜PAS4、壁電極絶縁膜PAS3、共通電極CT1、層間絶縁膜PAS2、壁画素電極PX、絶縁膜PAS5、及び光配向膜ORIが形成される。このとき、実施形態1の画素構成においても、壁画素電極PXの立設部分の表面に沿って絶縁膜PAS5に引き上がりが生じるので、光配向膜ORIの延在方向が水平から垂直に変化する部分(境界部)は直交しない曲線状の構造となる。
a) Forming process of photo-alignment film In order on the liquid crystal surface side of the first substrate SUB1, the thin film transistor TFT including the gate line GL, the drain line DL, the interlayer insulating film PAS1, the pseudo wall electrode insulating film PAS4, the wall electrode insulating film PAS3, The common electrode CT1, the interlayer insulating film PAS2, the wall pixel electrode PX, the insulating film PAS5, and the photo-alignment film ORI are formed. At this time, also in the pixel configuration of the first embodiment, since the insulating film PAS5 is pulled up along the surface of the standing portion of the wall pixel electrode PX, the extending direction of the photo-alignment film ORI changes from horizontal to vertical. The portion (boundary portion) has a curved structure that is not orthogonal.

この後に、図3(a)に示すように、少なくとも一対の壁画素電極PXに囲まれる領域の光配向膜ORIに上方から矢印で示す偏光光LTを照射し、配向処理を行う。このとき、実施形態1の光配向膜ORIへの光配向処理においても、偏光光LTの反射等により直線的に偏光光LTが照射されない領域である壁画素電極PXの立設部分の下端側に沿った領域には配向乱れが生じることとなる。すなわち、図3(a)中に矢印で示す偏光光LTの内で、基板表面から突出する壁電極絶縁膜PAS3の側壁面の近傍に照射される偏光光LT1は、折れ線の矢印で示すように、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿って垂直方向に延在する光配向膜ORIの表面等で反射される。この反射された偏光光LT1も、水平方向に延在する光配向膜ORIに照射されることとなり、水平方向に延在する光配向膜ORIの壁電極絶縁膜PAS3に沿った領域に配向乱れが生じる領域が形成される。   Thereafter, as shown in FIG. 3A, the alignment process is performed by irradiating at least the light alignment film ORI in the region surrounded by the pair of wall pixel electrodes PX with the polarized light LT indicated by the arrow from above. At this time, also in the photo-alignment processing on the photo-alignment film ORI of the first embodiment, on the lower end side of the standing portion of the wall pixel electrode PX that is a region where the polarized light LT is not linearly irradiated by reflection of the polarized light LT or the like In the region along the alignment, disorder of alignment occurs. That is, of the polarized light LT indicated by the arrow in FIG. 3A, the polarized light LT1 irradiated near the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3 protruding from the substrate surface is as indicated by the broken line arrow. The light is reflected on the surface of the photo-alignment film ORI extending in the vertical direction along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3. The reflected polarized light LT1 is also applied to the photo-alignment film ORI extending in the horizontal direction, and alignment disorder is caused in the region along the wall electrode insulating film PAS3 of the photo-alignment film ORI extending in the horizontal direction. The resulting region is formed.

b)薄膜層の形成工程
次に、周知の化学的気相成長法(CVD法)により、第1基板SUB1の上面を覆うように、例えば、窒化シリコン(SiN)等の無機膜材料からなる薄膜層TFを成膜する。この薄膜層TFは、図3(b)に示すように、光配向膜ORIの表面を覆うように形成され、その膜厚は基板表面でほぼ同じ膜厚となる。
b) Formation process of thin film layer Next, a thin film made of an inorganic film material such as silicon nitride (SiN) so as to cover the upper surface of the first substrate SUB1 by a well-known chemical vapor deposition method (CVD method). A layer TF is formed. As shown in FIG. 3B, the thin film layer TF is formed so as to cover the surface of the photo-alignment film ORI, and the film thickness thereof is substantially the same on the substrate surface.

c)エッチング工程
次に、周知のドライエッチングにより、薄膜層TFをエッチング処理する。このとき、実施形態1のドライエッチング処理では、第1基板SUB1の上面すなわち第1基板SUB1の法線方向から反応性イオンを基板表面に衝突(入射)させることにより、薄膜層TFを異方性ドライエッチング処理する。特に、実施形態1の異方性ドライエッチングでは、エッチングマスクを用いることなく、第1基板SUB1の法線方向から薄膜層TFの膜厚分に相当するエッチング処理(ドライエッチング)を行う。この異方性ドライエッチング処理により、薄膜層TFの表面の内で、第1基板SUB1の面内方向に延在される部分の薄膜層TFのみがエッチングされ、除去されることとなる。なお、薄膜層TFの異方性ドライエッチングでは光配向膜ORIの表面も一部エッチングされることとなるが、光配向膜ORIは膜中においても配向性能を有しているので、エッチングで露出された面も配向性能を有することとなる。
c) Etching Step Next, the thin film layer TF is etched by well-known dry etching. At this time, in the dry etching process of the first embodiment, the reactive ions are made to collide (incident) with the substrate surface from the upper surface of the first substrate SUB1, that is, the normal direction of the first substrate SUB1, thereby making the thin film layer TF anisotropic. Perform dry etching. In particular, in the anisotropic dry etching of the first embodiment, an etching process (dry etching) corresponding to the film thickness of the thin film layer TF is performed from the normal direction of the first substrate SUB1 without using an etching mask. By this anisotropic dry etching process, only the portion of the thin film layer TF extending in the in-plane direction of the first substrate SUB1 in the surface of the thin film layer TF is etched and removed. In addition, in anisotropic dry etching of the thin film layer TF, the surface of the photo-alignment film ORI is also partially etched, but the photo-alignment film ORI has alignment performance even in the film, so it is exposed by etching. The finished surface also has orientation performance.

このエッチング時において、図3(b)に示すように、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面は第1基板SUB1の法線方向に形成されている。従って、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿って形成される薄膜層TFの上端側においては、その上端側部分が壁電極絶縁膜PAS3の上面(頭頂面)を覆うように形成される薄膜層TFと共にエッチングされ、壁電極絶縁膜PAS3の上面側を覆うように形成される光配向膜ORIの表面が露出されることとなる。一方、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿って形成される薄膜層TFの下端側においては、第1基板SUB1の面内方向の薄膜層TFのみがエッチングされる。よって、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿った薄膜層TFの下端側は、第1基板SUB1の面内方向に延在する光配向膜ORIの辺縁部上面を覆う構成となる。   At the time of this etching, as shown in FIG. 3B, the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3 is formed in the normal direction of the first substrate SUB1. Therefore, on the upper end side of the thin film layer TF formed along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3, the thin film layer is formed so that the upper end side portion covers the upper surface (the top surface) of the wall electrode insulating film PAS3. The surface of the photo-alignment film ORI formed by etching together with TF so as to cover the upper surface side of the wall electrode insulating film PAS3 is exposed. On the other hand, only the thin film layer TF in the in-plane direction of the first substrate SUB1 is etched on the lower end side of the thin film layer TF formed along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3. Therefore, the lower end side of the thin film layer TF along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3 is configured to cover the upper surface of the edge portion of the photo-alignment film ORI extending in the in-plane direction of the first substrate SUB1.

その結果、図3(c)に示すように、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿うと共に、その下端側が配向乱れの生じる部分の光配向膜ORIの上面を覆う薄膜層である防護膜DFを有する第1基板SUB1が形成される。   As a result, as shown in FIG. 3C, the protective film DF, which is a thin film layer that covers the upper surface of the photo-alignment film ORI at the lower end side along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3 and where the alignment disorder occurs, is formed. A first substrate SUB1 is formed.

エッチング工程の後に、前述する製造工程で形成された第1基板SUB1と、周知の製造工程で形成された第2基板SUB2とを固定すると共に、その間に液晶を封止した後に、マザーガラスを切断する。次に、周知の技術を用いて、切断後の各液晶表示パネルの第1基板SUB1及び第2基板SUB2の液晶層LCと対向する側の面に周知の偏光板を貼り付けすることにより、図2に示す実施形態1の液晶表示パネルが形成される。この液晶表示パネルの裏面側に周知のバックライト装置を搭載することにより、図1に示す実施形態1の液晶表示装置が形成される。   After the etching process, the first substrate SUB1 formed in the manufacturing process described above and the second substrate SUB2 formed in the well-known manufacturing process are fixed and the liquid crystal is sealed therebetween, and then the mother glass is cut. To do. Next, by using a known technique, a known polarizing plate is attached to the surface of the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 facing the liquid crystal layer LC of each of the cut liquid crystal display panels. The liquid crystal display panel of Embodiment 1 shown in FIG. 2 is formed. By mounting a known backlight device on the back side of the liquid crystal display panel, the liquid crystal display device of Embodiment 1 shown in FIG. 1 is formed.

このように、実施形態1の液晶表示装置では、防護膜DFの成膜において、CVD法による薄膜層TFの成膜工程と、該薄膜層TFの異方性ドライエッチングによるエッチング工程との2つの工程の追加のみで、防護膜DFの成膜ができる。すなわち、一般的なエッチング工程で必要となるエッチングマスクの形成及び除去を行うためのレジスト材料の塗布や仮ベイク、露光、現像、及びエッチングマスクの除去を行うための各工程が不要となり、工程の増加を大幅に抑制することができる。その結果、生産効率の低下を大幅に抑制しつつ、画素端部の光漏れを防止できるという格別の効果を得ることができる。   As described above, in the liquid crystal display device according to the first embodiment, in forming the protective film DF, there are two film formation processes: a film formation process of the thin film layer TF by the CVD method and an etching process by anisotropic dry etching of the thin film layer TF. The protective film DF can be formed only by adding a process. That is, it is not necessary to apply the resist material for the formation and removal of the etching mask necessary for the general etching process, and to perform temporary baking, exposure, development, and removal of the etching mask. The increase can be greatly suppressed. As a result, it is possible to obtain a special effect that the light leakage at the pixel end portion can be prevented while greatly suppressing the reduction in production efficiency.

特に、実施形態1の防護膜DFの形成では、異方性ドライエッチングのみで防護膜DFのパターニングが完了する、すなわち防護膜DFの形成に位置合わせが必要なエッチングマスクが不要となる。従って、高精細化のために画素が非常に小さい液晶表示装置に対しては、防護膜DFの形成に位置合わせ等が不要となる実施形態1の画素構成が有利となる。   In particular, in the formation of the protective film DF according to the first embodiment, the patterning of the protective film DF is completed only by anisotropic dry etching, that is, an etching mask that requires alignment for forming the protective film DF is not necessary. Therefore, for a liquid crystal display device having very small pixels for high definition, the pixel configuration of the first embodiment that does not require alignment for forming the protective film DF is advantageous.

なお、前述するエッチング工程においては、一対の壁画素電極PX間の領域及び壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面に形成される薄膜層TFの膜厚が均一に形成されている場合について説明したが、壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面の形状等により、薄膜層TFの膜厚が均一とならないこともある。この場合、実施形態1の画素構成では、画像表示に係わる領域である、絶縁膜PAS5の上面を覆う光配向膜ORIすなわち一対の壁画素電極PXの間に形成される光配向膜ORIが液晶分子の初期配向を決定することとなる。従って、絶縁膜PAS5の上層に形成される薄膜層TFの厚さを基準として、当該薄膜層TFをエッチングする構成がよい。この場合、壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面の形状によっては、薄膜層TFの一部が残ることも考えられるが、壁電極絶縁膜PAS3が形成される領域にはブラックマトリクスBMが形成されており、画像表示に寄与しない領域である。よって、薄膜層TFの一部が残る構成であってもよい。   In the above-described etching process, the case where the film thickness of the thin film layer TF formed on the region between the pair of wall pixel electrodes PX and the top surface of the wall electrode insulating film PAS3 is uniformly formed has been described. Depending on the shape of the top surface of the wall electrode insulating film PAS3, the film thickness of the thin film layer TF may not be uniform. In this case, in the pixel configuration of the first embodiment, the photo-alignment film ORI that covers the upper surface of the insulating film PAS5, which is an area related to image display, that is, the photo-alignment film ORI formed between the pair of wall pixel electrodes PX is a liquid crystal molecule. This determines the initial orientation. Therefore, it is preferable to etch the thin film layer TF with reference to the thickness of the thin film layer TF formed on the insulating film PAS5. In this case, a part of the thin film layer TF may remain depending on the shape of the top surface of the wall electrode insulating film PAS3, but the black matrix BM is formed in the region where the wall electrode insulating film PAS3 is formed. This is a region that does not contribute to image display. Therefore, the structure in which a part of the thin film layer TF remains may be used.

以上説明したように、実施形態1の液晶表示装置では、光配向膜ORIの塗布後の光配向処理の際に配向乱れが生じる部分とその上方領域に防護膜DFが形成される構成となるので、配向乱れが生じた個所を含む壁画素電極PXの立設部分に沿った光配向膜ORIの近傍に液晶層LCが形成されることを防止できる。その結果、液晶層LCの液晶分子の配向乱れを防止することができ、壁画素電極PXの立設部分の近傍における光漏れを防止することができるので、液晶表示装置のダイナミックレンジを向上させることができ、表示画像の表示品質を向上できる。   As described above, the liquid crystal display device according to the first embodiment has a configuration in which the protective film DF is formed in the portion where the alignment is disturbed in the photo-alignment process after the application of the photo-alignment film ORI and the region above it. The liquid crystal layer LC can be prevented from being formed in the vicinity of the photo-alignment film ORI along the standing portion of the wall pixel electrode PX including the portion where the alignment disorder has occurred. As a result, alignment disorder of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer LC can be prevented, and light leakage in the vicinity of the standing portion of the wall pixel electrode PX can be prevented, so that the dynamic range of the liquid crystal display device can be improved. And the display quality of the display image can be improved.

ただし、第2基板SUB2に形成されるブラックマトリクスBMのX方向の幅を大きく形成することにより、配向乱れ領域ODAの部分で透過したバックライト光を遮蔽する構成も可能である。しかしながら、ブラックマトリクスBMの形成精度及び第1基板SUB1と第2基板SUB2とを貼り合わせる際の位置合わせ精度等を考慮した場合、ブラックマトリクスBMの幅を配向乱れ領域ODAの幅Wの数倍で形成する必要がある。このために、本願発明の実施形態1の画素構成に比較して、ブラックマトリクスBMの幅を大きくする構成では、各画素の開口率が大幅に低下してしまい、表示品質が大幅に低下してしまうこととなる。これに対して、実施形態1の液晶表示装置では、前述するように、各画素の開口率の低下を抑えることができる。   However, a configuration is also possible in which backlight light transmitted through the portion of the alignment disorder region ODA is shielded by forming the black matrix BM formed on the second substrate SUB2 with a large width in the X direction. However, in consideration of the formation accuracy of the black matrix BM and the alignment accuracy when the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are bonded, the width of the black matrix BM is several times the width W of the alignment disorder region ODA. Need to form. For this reason, in the configuration in which the width of the black matrix BM is increased as compared with the pixel configuration of the first embodiment of the present invention, the aperture ratio of each pixel is greatly reduced, and the display quality is greatly reduced. It will end up. On the other hand, in the liquid crystal display device of Embodiment 1, as described above, it is possible to suppress a decrease in the aperture ratio of each pixel.

なお、実施形態1の液晶表示装置では、壁電極絶縁膜PAS3に壁画素電極PXのみを配置した壁状電極を有する液晶表示装置に本願発明を適用した場合について説明したが、この画素構造に限定されることはない。例えば、各画素の辺縁部に壁状の画素電極と壁状の共通電極とがそれぞれ配置される画素構造、すなわち透過領域を介して壁状電極が対向配置される画素構造の液晶表示装置にも適用可能である。   In the liquid crystal display device of Embodiment 1, the case where the present invention is applied to a liquid crystal display device having a wall electrode in which only the wall pixel electrode PX is arranged in the wall electrode insulating film PAS3 has been described. However, the present invention is limited to this pixel structure. It will never be done. For example, in a liquid crystal display device having a pixel structure in which a wall-like pixel electrode and a wall-like common electrode are respectively arranged on the edge of each pixel, that is, a pixel structure in which wall-like electrodes are arranged to face each other through a transmission region. Is also applicable.

《実施形態2》
図4は本発明の実施形態2の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、実施形態1の図2に対応する断面図である。ただし、実施形態2の液晶表示装置では、防護膜DFの構成及び形成方法が異なるのみで、他の構成は実施形態1と同様となる。従って、以下の説明では、防護膜DFについて詳細に説明する。
<< Embodiment 2 >>
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a pixel configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view corresponding to FIG. However, the liquid crystal display device according to the second embodiment is the same as the first embodiment except for the configuration and the formation method of the protective film DF. Therefore, in the following description, the protective film DF will be described in detail.

図4に示す実施形態2の液晶表示装置では、有機膜材料であるフォトレジスト材料で防護膜DFが形成されている。この実施形態2の防護膜DFの構成においても、実施形態1と同様に、光配向膜ORIの表面の内で、第1基板SUB1の法線方向に延在する部分すなわち壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿った部分を覆うように、その表面に防護膜DFが形成される構成となっている。このとき、図4の丸印Cの拡大図C’から明らかなように、実施形態2の防護膜DFの構成においても、実施形態1の防護膜DFと同様に、防護膜DFの絶縁膜PAS5の側の端面が光配向膜ORIの水平領域と密着する構成となっている。すなわち、防護膜DFの絶縁膜PAS5の側の端面が光配向膜ORIの面内方向から法線方向に変化する領域をも覆うように形成されている。   In the liquid crystal display device of Embodiment 2 shown in FIG. 4, the protective film DF is formed of a photoresist material that is an organic film material. Also in the configuration of the protective film DF of the second embodiment, as in the first embodiment, the portion of the surface of the photo-alignment film ORI that extends in the normal direction of the first substrate SUB1, that is, the wall electrode insulating film PAS3. A protective film DF is formed on the surface so as to cover a portion along the side wall surface. At this time, as apparent from the enlarged view C ′ of the circle C in FIG. 4, also in the configuration of the protective film DF of the second embodiment, the insulating film PAS5 of the protective film DF is the same as the protective film DF of the first embodiment. The end face on the side is in close contact with the horizontal region of the photo-alignment film ORI. In other words, the end face of the protective film DF on the insulating film PAS5 side is formed so as to cover a region where the end face direction of the photo-alignment film ORI changes from the normal direction.

その結果、光配向膜ORIの面内方向から法線方向に変化する領域に形成されることとなる配向乱れ領域ODAは防護膜DFの絶縁膜PAS5の側の端面に覆われる構成となり、実施形態2の防護膜DFの構成においても、光配向膜ORIの初期配向乱れの生じる配向乱れ領域ODAを覆うと共に、光配向膜ORIの立設部分の上面には防護膜DFが形成される構成となっている。よって、液晶分子が初期配向乱れ領域ODAに侵入することを防止でき、実施形態1と同様の効果を得ることができる。   As a result, the alignment disorder region ODA that is to be formed in a region that changes from the in-plane direction to the normal direction of the photo-alignment film ORI is configured to be covered by the end surface of the protective film DF on the insulating film PAS5 side. Also in the configuration of the protective film DF, the protective film DF is formed on the upper surface of the standing portion of the photo-alignment film ORI while covering the alignment disorder region ODA in which the initial alignment disorder of the photo-alignment film ORI occurs. ing. Therefore, liquid crystal molecules can be prevented from entering the initial alignment disorder region ODA, and the same effect as in the first embodiment can be obtained.

なお、実施形態2の防護膜DFにおいては、後に詳述するように、周知のフォトレジスト膜と同様の露光・現像処理で形成される構成となっているので、防護膜DFの角部がエッチングされ、液晶層LCと接する側面は曲面形状となる。すなわち、現像処理により、実施形態2の防護膜DFの上面(第2基板SUB2の側の面)と共通電極CT1の側の側壁面との角部もエッチングされ、防護膜DFの壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面側から第1基板SUB1の面内方向の光配向膜ORIの表面に至る曲面形状となる。   Note that the protective film DF of the second embodiment is formed by exposure / development processing similar to that of a known photoresist film, as will be described in detail later. The side surface in contact with the liquid crystal layer LC has a curved surface shape. That is, the corner portion between the upper surface of the protective film DF of Embodiment 2 (the surface on the second substrate SUB2 side) and the side wall surface on the common electrode CT1 side is also etched by the development process, and the wall electrode insulating film of the protective film DF The curved surface shape extends from the top surface side of the PAS 3 to the surface of the photo-alignment film ORI in the in-plane direction of the first substrate SUB1.

〈防護膜の形成方法〉
次に、図5に本発明の実施形態2の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図を示し、以下、図5に基づいて、実施形態2の防護膜DFの形成方法について詳細に説明する。ただし、実施形態2の液晶表示装置においても、第1基板SUB1に形成される防護膜DFの形成工程を除く他の薄膜層の形成工程は従来と同様となる。従って、以下の説明では、本願発明に特徴的な防護膜DFの形成工程について詳細に説明する。また、以下の説明では、フォトレジスト材料としてポジ型のフォトレジスト材料を用いた場合について説明する。
<Method of forming protective film>
Next, FIG. 5 shows a view for explaining a protective film forming step in the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention. Hereinafter, a method for forming the protective film DF according to the second embodiment will be described with reference to FIG. This will be described in detail. However, also in the liquid crystal display device of Embodiment 2, the thin film layer forming process other than the protective film DF forming process formed on the first substrate SUB1 is the same as the conventional process. Therefore, in the following description, the formation process of the protective film DF characteristic of the present invention will be described in detail. In the following description, a case where a positive photoresist material is used as the photoresist material will be described.

a)光配向膜の形成工程
実施形態2の光配向膜ORIの光配向処理においても、図5(a)に示すように、実施形態1と同様、偏光光LTの内で、基板表面から突出する壁電極絶縁膜PAS3の側壁面の近傍に照射される偏光光LT1は、折れ線の矢印で示すように、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿って垂直方向に延在する光配向膜ORIの表面等で反射される。この反射された偏光光LT1により、水平方向に延在する光配向膜ORIの壁電極絶縁膜PAS3に沿った領域に配向乱れ領域ODAが形成されることとなる。
a) Formation Step of Photo Alignment Film Also in the photo alignment process of the photo alignment film ORI of the second embodiment, as shown in FIG. 5A, as in the first embodiment, the polarized light LT protrudes from the substrate surface. The polarized light LT1 irradiated to the vicinity of the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3 is generated by the photo-alignment film ORI extending in the vertical direction along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3, as indicated by the broken line arrows. Reflected by the surface. The reflected polarized light LT1 forms an alignment disorder region ODA in a region along the wall electrode insulating film PAS3 of the photo-alignment film ORI extending in the horizontal direction.

b)フォトレジスト材料の塗布工程
次に、周知の液体状のフォトレジスト材料を第1基板SUB1の上面を覆うように塗布した後に、仮ベイク処理(仮焼成処理)することにより、第1基板SUB1の表面を覆う有機材料からなるレジスト膜REGを成膜する。このとき、フォトレジスト材料はポジ型及びネガ型のいずれのレジスト材料であってもよい。なお、この塗布工程は通常のレジスト材料の塗布工程と同様である。
b) Photoresist Material Application Step Next, after applying a known liquid photoresist material so as to cover the upper surface of the first substrate SUB1, the first substrate SUB1 is subjected to a temporary baking process (temporary baking process). A resist film REG made of an organic material covering the surface is formed. At this time, the photoresist material may be either a positive type or a negative type. This coating process is the same as a normal resist material coating process.

c)露光・現像工程
次に、露光工程において、露光マスクを用いて、レジスト膜REGの内で、壁電極絶縁膜PAS3の側壁面に沿った部分を除く領域、すなわち壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面及び壁電極絶縁膜PAS3の近傍領域を除く隣接間並びに壁電極絶縁膜PAS3の近傍領域の上側部分のみを露光する。この露光では、フォトレジスト材料としてポジ型のフォトレジスト材料を用いる場合、露光した領域の溶解性が増大される。このときの露光工程では、防護膜DFの上方部分のレジスト膜REGもエッチングする必要があるので、防護膜DFが形成される領域への露光は周知のハーフ露光等を適宜行う。これにより、第1基板SUB1の面内方向と平行をなす領域のレジスト膜REGが露光領域となるので、後述の現像工程において、レジスト膜REGを現像した際に、防護膜DFの上端が壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面の光配向膜ORIの表面よりも突出しない構成とすることができる。
c) Exposure / development step Next, in the exposure step, using the exposure mask, a region of the resist film REG excluding the portion along the side wall surface of the wall electrode insulating film PAS3, that is, the top of the wall electrode insulating film PAS3. Only the upper part of the adjacent region excluding the region near the surface and wall electrode insulating film PAS3 and the upper region of the region near the wall electrode insulating film PAS3 are exposed. In this exposure, when a positive photoresist material is used as the photoresist material, the solubility of the exposed region is increased. In the exposure process at this time, it is necessary to etch the resist film REG above the protective film DF, so that well-known half exposure or the like is appropriately performed for exposure to the region where the protective film DF is formed. As a result, the resist film REG in a region parallel to the in-plane direction of the first substrate SUB1 becomes an exposure region. Therefore, when the resist film REG is developed in the development process described later, the upper end of the protective film DF is the wall electrode. The insulating film PAS3 can be configured so as not to protrude from the top surface of the photo-alignment film ORI.

なお、実施形態2の防護膜DFの構成においては、壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面に形成される光配向膜ORIの表面が第2基板SUB2の液晶層LCの側の面と当接する又は近接する構成となるので、防護膜DFの上端が壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面の光配向膜ORIの表面よりも突出しない構成とするものである。従って、壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面に形成される光配向膜ORIの表面が第2基板SUB2の液晶層LCの側の面と当接する又は近接しない構成の場合には、防護膜DFの上端が壁電極絶縁膜PAS3の頭頂面の光配向膜ORIの表面よりも突出する構成であってもよい。すなわち、防護膜DFを形成する部分へのハーフ露光等を行うことなく、通常の露光マスクを用いた露光で防護膜DFを形成できる。   In the configuration of the protective film DF of the second embodiment, the surface of the photo-alignment film ORI formed on the top surface of the wall electrode insulating film PAS3 is in contact with or close to the surface on the liquid crystal layer LC side of the second substrate SUB2. Accordingly, the upper end of the protective film DF is configured not to protrude beyond the surface of the photo-alignment film ORI on the top surface of the wall electrode insulating film PAS3. Therefore, when the surface of the photo-alignment film ORI formed on the top surface of the wall electrode insulating film PAS3 is in contact with or not close to the surface of the second substrate SUB2 on the liquid crystal layer LC side, the upper end of the protective film DF May protrude from the surface of the photo-alignment film ORI on the top surface of the wall electrode insulating film PAS3. That is, the protective film DF can be formed by exposure using a normal exposure mask without performing half exposure or the like on the portion where the protective film DF is formed.

次に、現像工程において、露光領域のレジスト膜REGを除去することにより、図3(c)に示す防護膜DFが形成される。このとき、防護膜DFの上面と共通電極CT1の側の側壁面との角部もエッチングされ、防護膜DFの側壁面は曲面形状となる。   Next, in the development step, the protective film DF shown in FIG. 3C is formed by removing the resist film REG in the exposure region. At this time, the corners between the upper surface of the protective film DF and the side wall surface on the common electrode CT1 side are also etched, and the side wall surface of the protective film DF has a curved shape.

以上説明したように、実施形態2の防護膜DFの形成方向においては、光配向膜ORIの形成の後に、フォトレジスト材料の塗布工程、露光工程、及び現像工程を追加するのみで、防護膜DFを形成できるという効果を得ることができるので、防護膜DFの形成に伴う生産効率の低下を最小限に抑制することができる。   As described above, in the formation direction of the protective film DF according to the second embodiment, the protective film DF is simply added after the formation of the photo-alignment film ORI by adding a photoresist material application process, an exposure process, and a development process. As a result, it is possible to minimize the reduction in production efficiency associated with the formation of the protective film DF.

なお、実施形態2の液晶表示装置では、防護膜DFをレジスト材料で形成する場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁膜PAS5のように平坦化膜を形成する際に用いるアクリル樹脂等の他の感光性の有機膜材料を用いる構成であってもよい。   In the liquid crystal display device according to the second embodiment, the case where the protective film DF is formed of a resist material has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, another photosensitive organic film material such as an acrylic resin used when forming a planarizing film like the insulating film PAS5 may be used.

《実施形態3》
図6は本発明の実施形態3の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、実施形態1の図2に対応する断面図である。ただし、図6に示す画素構成では、防護膜DFの構成を除く他の構成は実施形態1と同様となるので、以下の説明では,防護膜DFについて詳細に説明する。
<< Embodiment 3 >>
FIG. 6 is a cross-sectional view for explaining a pixel configuration in the liquid crystal display device of Embodiment 3 of the present invention, and is a cross-sectional view corresponding to FIG. 2 of Embodiment 1. However, in the pixel configuration shown in FIG. 6, the configuration other than the configuration of the protective film DF is the same as that of the first embodiment, and therefore the protective film DF will be described in detail in the following description.

図6に示すように、実施形態3の構成では、光配向膜ORIの配向乱れ領域ODAの表面に、その膜厚が他の薄膜層と同程度となる防護膜DFが形成される構成となっている。従って、実施形態3の画素構造では、防護膜DFの第2基板SUB2の側には液晶層LCが形成される構成となっている。すなわち、実施形態3の画素構成では、光配向膜ORIの上面である第1基板SUB1の全面に、例えば、周知の無機絶縁膜材料から薄膜層を成膜した後に、防護膜DFの形状に対応したエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて薄膜層をパターニングした後に、エッチングマスクを除去することにより、実施形態3の防護膜DFを形成する。この実施形態3の防護膜DFは、第1基板SUB1の面内方向に沿って形成される光配向膜ORIの表面に、第1基板SUB1の法線方向が防護膜DFの膜厚方向となる構成が実施形態1,2の防護膜DFと異なる構成となっている。なお、このときのエッチングマスクとして、例えば、実施形態2の防護膜DFを用いる構成であってもよい。   As shown in FIG. 6, in the configuration of the third embodiment, a protective film DF having the same film thickness as other thin film layers is formed on the surface of the alignment disorder region ODA of the photo-alignment film ORI. ing. Therefore, in the pixel structure of Embodiment 3, the liquid crystal layer LC is formed on the second substrate SUB2 side of the protective film DF. That is, in the pixel configuration of the third embodiment, a thin film layer is formed from, for example, a known inorganic insulating film material on the entire surface of the first substrate SUB1 that is the upper surface of the photo-alignment film ORI, and then corresponds to the shape of the protective film DF. After forming the etching mask and patterning the thin film layer using the etching mask, the protective film DF of the third embodiment is formed by removing the etching mask. In the protective film DF of Embodiment 3, the normal direction of the first substrate SUB1 is the film thickness direction of the protective film DF on the surface of the photo-alignment film ORI formed along the in-plane direction of the first substrate SUB1. The configuration is different from the protective film DF of the first and second embodiments. Note that, for example, the protective film DF of the second embodiment may be used as the etching mask at this time.

この実施形態3の画素構造では、図6中の丸印Dの拡大図D’に示すように、防護膜DFと第2基板SUB2との間の領域すなわち防護膜DFの上面にも液晶層LCが形成されることとなるが、防護膜DFのX方向の幅は非常に狭い幅となる。さらには、防護膜DFは液晶分子の配向に影響を与えない薄膜材料で形成されているので、防護膜DFと第2基板SUB2との間の液晶分子の初期配向は、近傍の液晶分子の初期配向方向と揃うように配向されることとなる。従って、実施形態3の液晶表示装置においても、黒表示時における初期配向乱れに伴うバックライト光の透過を防止でき、ダイナミックレンジを向上させることができる。   In the pixel structure of the third embodiment, as shown in the enlarged view D ′ of the circle D in FIG. 6, the liquid crystal layer LC is also formed on the region between the protective film DF and the second substrate SUB2, that is, the upper surface of the protective film DF. However, the width of the protective film DF in the X direction is very narrow. Furthermore, since the protective film DF is formed of a thin film material that does not affect the alignment of the liquid crystal molecules, the initial alignment of the liquid crystal molecules between the protective film DF and the second substrate SUB2 is the initial alignment of the neighboring liquid crystal molecules. It will be aligned to align with the alignment direction. Therefore, also in the liquid crystal display device according to the third embodiment, it is possible to prevent the transmission of the backlight light due to the initial alignment disturbance at the time of black display and to improve the dynamic range.

また、実施形態3の構成では、防護膜DFの上面部分配向乱れ領域ODAの上面部分にも液晶層LCが形成される構成となり、この領域もバックライト光の透過する領域として表示に寄与することが可能となる。従って、開口率の低下を防止できるという格別の効果を得ることもできる。   Further, in the configuration of the third embodiment, the liquid crystal layer LC is also formed on the upper surface portion of the upper surface partial alignment disordered region ODA of the protective film DF, and this region also contributes to display as a region through which the backlight is transmitted. Is possible. Therefore, it is possible to obtain a special effect that the reduction of the aperture ratio can be prevented.

なお、実施形態1〜3の液晶表示装置においては、壁画素電極PX及び壁状の共通電極CT1の第1基板SUB1側の端部から当該第1基板SUB1の面内方向に延在する延在部を形成し、絶縁膜PAS2を介して該延在部を対向配置させ、保持容量Cstを形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、壁画素電極PX及び壁状の共通電極CT1の延在部を設けない構成、すなわち、保持容量Cstを別に形成する構成であってもよい。   In the liquid crystal display devices according to the first to third embodiments, the wall pixel electrode PX and the wall-shaped common electrode CT1 extend from the end on the first substrate SUB1 side in the in-plane direction of the first substrate SUB1. However, the present invention is not limited to this, although the storage portion Cst is formed by forming the portion and arranging the extending portions to face each other via the insulating film PAS2. For example, a configuration in which the extending portions of the wall pixel electrode PX and the wall-shaped common electrode CT1 are not provided, that is, a configuration in which the storage capacitor Cst is separately formed may be employed.

また、実施形態1〜3の液晶表示装置においては、Y方向が長手方向となり、X方向が短手方向となる矩形形状の画素に本願発明を適用した場合について説明したが、画素の形状はこれに限定されない。例えば、画素の長手方向の中心よりも上側領域ではY方向に対して時計回りに画素が傾斜し、中心よりも下側領域ではY方向に対して反時計回りに画素が傾斜する、いわゆるマルチドメイン形状等の他の形状の画素にも適用可能である。   In the liquid crystal display devices of Embodiments 1 to 3, the case where the present invention is applied to a rectangular pixel in which the Y direction is the longitudinal direction and the X direction is the short direction has been described. It is not limited to. For example, a so-called multi-domain in which a pixel is inclined clockwise with respect to the Y direction in a region above the center in the longitudinal direction of the pixel and a pixel is inclined counterclockwise with respect to the Y direction in a region below the center. The present invention can also be applied to pixels having other shapes such as shapes.

さらには、実施形態1〜3の液晶表示装置においては、画素の両端から延在する一対の壁画素電極PXを映像信号が供給されるソース電極とし、一対の壁画素電極PXの間に配置される擬似壁共通電極を共通信号が供給されるコモン電極とするが、画素両端の壁画素電極PXに共通信号を供給し、擬似壁共通電極に映像信号を供給する構成としてもよい。ただし、第2基板SUB2の側に形成される共通電極CT2に薄膜トランジスタTFTの出力を接続する構成は非常に困難となるので、第2基板SUB2側に形成され共通電極CT2は設けない構成とする。   Furthermore, in the liquid crystal display devices according to the first to third embodiments, the pair of wall pixel electrodes PX extending from both ends of the pixel are used as source electrodes to which video signals are supplied, and are arranged between the pair of wall pixel electrodes PX. The pseudo wall common electrode is a common electrode to which a common signal is supplied. However, a common signal may be supplied to the wall pixel electrode PX at both ends of the pixel and a video signal may be supplied to the pseudo wall common electrode. However, since it is very difficult to connect the output of the thin film transistor TFT to the common electrode CT2 formed on the second substrate SUB2 side, the common electrode CT2 is not provided on the second substrate SUB2 side.

以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment of the invention. However, the invention is not limited to the embodiment of the invention, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It can be changed.

PNL……液晶表示パネル、SUB1……第1基板、SUB2……第2基板
AR……表示領域、DR……駆動回路、FPC……フレキシブルプリント基板
SL……シール材、TFT……薄膜トランジスタ、DL……映像信号線(ドレイン線)
CL……共通信号線(コモン線)、GL……走査信号線(ゲート線)、LC……液晶層
PX……壁画素電極、CT1,2……共通電極、Cst……保持容量、DF……防護膜
BM……ブラックマトリクス(遮光膜)、CF……カラーフィルタ、ORI……光配向膜
OC……オーバーコート層、PAS1,2……絶縁膜、PAS3……壁電極絶縁膜
PAS4……擬似壁電極絶縁膜 、PAS5……絶縁膜(平坦化膜)、TF……薄膜層
ODA……配向乱れ領域、LT,LT1……偏光光
PNL: Liquid crystal display panel, SUB1: First substrate, SUB2: Second substrate AR: Display area, DR: Drive circuit, FPC: Flexible printed circuit board SL: Seal material, TFT: Thin film transistor, DL ...... Video signal line (drain line)
CL: Common signal line (common line), GL: Scanning signal line (gate line), LC: Liquid crystal layer PX: Wall pixel electrode, CT1, 2 ... Common electrode, Cst: Retention capacitance, DF ... ... Protective film BM ... Black matrix (light shielding film), CF ... Color filter, ORI ... Photo-alignment film OC ... Overcoat layer, PAS1,2 ... Insulating film, PAS3 ... Wall electrode insulating film
PAS4: Pseudo wall electrode insulating film, PAS5: Insulating film (flattening film), TF: Thin film layer ODA: Disturbed alignment region, LT, LT1: Polarized light

Claims (10)

液晶層を介して対向配置される第1基板と第2基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第1基板の液晶側面から前記第2基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜とを備える液晶表示装置であって、
前記一対の壁状電極の立設面に沿って形成される防護膜を備え、
前記防護膜が、前記一対の壁状電極に沿い前記第2基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、
前記防護膜の第1基板側の端部が、前記第1基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
A first substrate and a second substrate that are arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and are formed along the opposing longitudinal edges of the pixels, from the liquid crystal side surface of the first substrate to the second substrate side A liquid crystal display device comprising a pair of wall-like electrodes formed so as to protrude so as to protrude and a photo-alignment film formed so as to cover the pixel region,
Comprising a protective film formed along the standing surface of the pair of wall electrodes;
The protective film covers the surface of the photo-alignment film extending toward the second substrate along the pair of wall electrodes,
An end portion of the protective film on the first substrate side extends in an in-plane direction of the first substrate, and covers a surface of the photo-alignment film located in the vicinity of the wall electrode. Display device.
前記光配向膜は、前記一対の壁状電極に沿い前記第2基板側に延在する領域と、前記配向膜が前記第1基板の面内方向に延在する領域とが交差する境界部の表面が、少なくとも曲面状に形成され、
前記防護膜は、前記光配向膜の曲面状の境界部を含む前記壁状電極の近傍の面内方向に延在する前記光配向膜の表面を覆うことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
The photo-alignment film has a boundary portion where a region extending toward the second substrate along the pair of wall-shaped electrodes intersects with a region where the alignment film extends in an in-plane direction of the first substrate. The surface is formed at least in a curved shape,
The said protective film covers the surface of the said photo-alignment film | membrane extended in the surface direction of the vicinity of the said wall-shaped electrode containing the curved-surface-shaped boundary part of the said photo-alignment film | membrane. Liquid crystal display device.
前記一対の壁状電極に挟まれる領域に平坦化膜を有し、
前記平坦化膜の上層に前記光配向膜が形成され、
前記壁状電極面に沿って前記平坦化膜の辺端部が上方に引き上がると共に、前記光配向膜も前記平坦化膜の引き上がりに沿い、少なくとも前記光配向膜の境界部の表面が曲面状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。
Having a planarization film in a region sandwiched between the pair of wall electrodes;
The photo-alignment film is formed on the planarization film,
A side edge of the planarizing film is pulled upward along the wall-shaped electrode surface, and the photo-alignment film is also along the pull-up of the planarizing film, and at least the surface of the boundary portion of the photo-alignment film is a curved surface The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the liquid crystal display device is formed in a shape.
前記防護膜は、無機絶縁膜材料で形成されることを特徴とする請求項1乃至3のうちの何れかに記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the protective film is made of an inorganic insulating film material. 前記防護膜は、光配向処理後の前記光配向膜の上面に形成した無機膜を異方性ドライエッチングで形成してなることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。   5. The liquid crystal display device according to claim 4, wherein the protective film is formed by anisotropic dry etching an inorganic film formed on the upper surface of the photo-alignment film after photo-alignment treatment. 前記防護膜は、有機絶縁膜材料で形成されることを特徴とする請求項1乃至3のうちの何れかに記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the protective film is made of an organic insulating film material. 前記防護膜は、光配向処理後の前記光配向膜の上面に塗布した有機膜を露光・現像処理で形成してなることを特徴とする請求項6に記載の液晶表示装置。   7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein the protective film is formed by exposing and developing an organic film coated on the upper surface of the photo-alignment film after the photo-alignment process. 前記第2基板は、平面的に見て、前記壁状電極を覆う遮光膜を有し、
前記防護膜の端部は、平面的に見て、前記遮光膜の端部よりも画素の透過領域側に形成されることを特徴とする請求項1乃至7のうちの何れかに記載の液晶表示装置。
The second substrate has a light-shielding film that covers the wall-like electrode in a plan view,
8. The liquid crystal according to claim 1, wherein an end portion of the protective film is formed closer to a transmission region of the pixel than an end portion of the light shielding film in a plan view. Display device.
前記一対の壁状電極に挟まれる画素の透過領域に形成され、前記一対の壁状電極の延在方向に沿って形成される第2の電極を備え、
前記一対の壁状電極と前記第2の電極とに間に印加される駆動信号で液晶を駆動することを特徴とする請求項1乃至8のうちの何れかに記載の液晶表示装置。
A second electrode formed in a transmission region of a pixel sandwiched between the pair of wall electrodes and formed along an extending direction of the pair of wall electrodes;
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal is driven by a drive signal applied between the pair of wall electrodes and the second electrode.
液晶層を介して対向配置される第1基板と第2基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第1基板の液晶側面から前記第2基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜と、前記一対の壁状電極に沿い前記第2基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、その端部が、前記第1基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う防護膜とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記光配向膜を前記第1基板の上面に形成する工程と、
前記光配向膜を光配向処理する工程と、
前記光配向膜の全面を覆うようにして無機絶縁膜材料からなる無機膜層を形成する工程と、
前記無機膜層を前記第1基板の法線方向から異方性ドライエッチングでエッチングする工程と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A first substrate and a second substrate that are arranged to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and are formed along the opposing longitudinal edges of the pixels, from the liquid crystal side surface of the first substrate to the second substrate side A pair of wall-like electrodes formed so as to protrude to the side, a photo-alignment film formed so as to cover the pixel region, and the second wall side extending along the pair of wall-like electrodes. A protective film that covers the surface of the photo-alignment film and covers the surface of the photo-alignment film, the end of which extends in the in-plane direction of the first substrate and is located in the vicinity of the wall electrode A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising:
Forming the photo-alignment film on the upper surface of the first substrate;
A step of photoaligning the photoalignment film;
Forming an inorganic film layer made of an inorganic insulating film material so as to cover the entire surface of the photo-alignment film;
Etching the inorganic film layer by anisotropic dry etching from the normal direction of the first substrate;
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2019075887A1 (en) * 2017-10-19 2019-04-25 深圳市华星光电技术有限公司 Array substrate and display panel

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