JP2014179234A - Method for forming conductive pattern, and transparent conductive sheet - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a conductive pattern, by which favorable adhesiveness is obtained in a transparent conductive film to a resist film and a conductive pattern with high accuracy can be easily and inexpensively formed.SOLUTION: The method for forming a conductive pattern comprises forming a conductive pattern on a substrate and includes steps of: forming a transparent conductive film by applying a coating composition comprising a conductive polymer and an alkoxysilane on one major surface of the substrate; forming a resist film at a position where the conductive pattern is to be formed on the transparent conductive film; deactivating conductivity in an exposed portion of the transparent conductive film through the resist film as a mask by using a deactivating agent that deactivates the conductive polymer; and peeling the resist film by using a pressure-sensitive adhesive sheet to obtain the conductive pattern. The alkoxysilane comprises an alkoxysilane having an organic functional group; and the proportion of the organic functional group is 1 mol% or more and 20 mol% or less in the whole alkoxysilane.

Description

本発明は、導電パターン形成方法及び透明導電性シートに関する。   The present invention relates to a conductive pattern forming method and a transparent conductive sheet.

液晶ディスプレイ、透明タッチパネルなどの各種デバイスに用いられる透明電極には、スズ含有酸化インジウム(ITO)などの酸化物系の導電性材料が多く使用されている。例えば、基材上にITO膜を成膜し、ITO膜を所望の形状にパターニングすることにより形成される導電パターンを透明電極として用いる。ITO膜のパターニング方法としては、エッチング方式が主流となっているが、エッチング方式の問題点は、製造コストが高い点と、基材とITO膜との屈折率差が大きいことにより、パターニングが見える点にある。また、ITO膜は、スパッタリングを用いて成膜されるため、製造コストが高くなる。   For transparent electrodes used in various devices such as liquid crystal displays and transparent touch panels, oxide-based conductive materials such as tin-containing indium oxide (ITO) are often used. For example, a conductive pattern formed by forming an ITO film on a substrate and patterning the ITO film into a desired shape is used as the transparent electrode. Etching methods are the mainstream patterning method for ITO films, but the problems with the etching methods are that the manufacturing cost is high and the difference in refractive index between the substrate and the ITO film is large, so that patterning can be seen. In the point. Further, since the ITO film is formed by sputtering, the manufacturing cost is increased.

そこで、導電性材料として、ITOに代えて、優れた安定性及び導電性を有するチオフェン系やアニリン系の高分子にドーパントを付加した導電性高分子が注目されている。   Therefore, a conductive polymer obtained by adding a dopant to a thiophene-based or aniline-based polymer having excellent stability and conductivity instead of ITO is attracting attention as a conductive material.

導電性高分子を導電性材料として用いた導電パターン形成方法としては、導電性高分子を含むコーティング組成物を用いて基材上に導電性膜を形成し、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分をエッチング液により溶解・除去することにより、残った導電性膜を導電パターンとする方法が知られている。しかし、この方法は、エッチング方式を利用するため、前述したような問題がある。   As a method for forming a conductive pattern using a conductive polymer as a conductive material, a conductive film is formed on a substrate using a coating composition containing the conductive polymer, and the conductive pattern is not formed on the conductive film. There is known a method in which the remaining conductive film is dissolved and removed with an etching solution to make the remaining conductive film a conductive pattern. However, since this method uses an etching method, there are problems as described above.

一方、エッチング方式を用いずに、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分の導電性を極端に下げる(抵抗を上げる)不活性化を行い、不活性化された部分(以下、非導電部という。)と不活性化されていない部分(以下、導電部という。)との表面抵抗値の差をつけることで、導電パターンを形成する方法も知られている。この方法の利点は、非導電部をエッチングにより除去する必要がないので、パターニングが見えない(骨見えがない)点と、導電パターン形成面に凹凸がないため、十分な硬度が得られる点にある。   On the other hand, an inactive portion (hereinafter referred to as a non-conductive portion) is inactivated by extremely lowering the conductivity of the portion other than the conductive pattern formation position of the conductive film (increasing the resistance) without using the etching method. There is also known a method of forming a conductive pattern by giving a difference in surface resistance value between a non-inactivated portion (hereinafter referred to as a conductive portion). The advantage of this method is that it is not necessary to remove the non-conductive portion by etching, so that the patterning is not visible (the bone is not visible) and the conductive pattern forming surface is not uneven, and sufficient hardness is obtained. is there.

ここで言う不活性化とは、導電性膜をある処理液(不活性化剤)に接触反応させることで、導電に関与する導電性高分子の二重結合を切断することにより、導電性高分子の導電性を失活させることをいう。   The inactivation mentioned here means that the conductive film is brought into contact with a processing solution (deactivator) to break the double bond of the conductive polymer involved in the conductivity, thereby increasing the conductivity. Deactivating the conductivity of molecules.

例えば、特許文献1には、基材上に不活性化剤を用いて膜パターンを形成し、その基材を、導電性膜へ接触させることにより、上記膜パターンに対応する部分の導電性を失活させて非導電部を形成し、残りの導電部を配線部とする導電パターン形成方法が提案されている。この特許文献1によれば、導電性膜の導電性を選択的に失活させて、所望の形状の導電パターンを、安価、簡便、且つ確実に形成することができ、各種デバイスの低廉化及び安定化を実現することができる。   For example, in Patent Document 1, a film pattern is formed on a base material using an inactivating agent, and the base material is brought into contact with a conductive film, whereby the conductivity of a portion corresponding to the film pattern is increased. A conductive pattern forming method is proposed in which a non-conductive portion is formed by deactivation and the remaining conductive portion is a wiring portion. According to Patent Document 1, the conductivity of a conductive film is selectively deactivated, and a conductive pattern having a desired shape can be formed inexpensively, simply, and reliably. Stabilization can be realized.

特開2011−054617号公報JP 2011-054617 A

しかし、上記特許文献1に記載の方法では、導電部と非導電部との表面抵抗値の差が十分ではなく、回路として機能させるには、導電部と非導電部との表面抵抗値の差をより大きなものとする必要がある。   However, in the method described in Patent Document 1, the difference in surface resistance value between the conductive part and the non-conductive part is not sufficient, and in order to function as a circuit, the difference in surface resistance value between the conductive part and the non-conductive part. Need to be larger.

また、導電性膜のレジスト膜への密着性についても更なる検討が必要である。すなわち、導電性膜のレジスト膜への密着性が不十分であると、導電性膜とレジスト膜との間に不活性化剤が浸食し、導電パターンの形成精度が悪くなるという問題が生じる。一方、導電性膜のレジスト膜への密着性が強すぎると、レジスト膜を導電性膜から完全に剥離することが困難になる。   Furthermore, further examination is necessary for the adhesion of the conductive film to the resist film. That is, if the adhesiveness of the conductive film to the resist film is insufficient, there arises a problem that the deactivator erodes between the conductive film and the resist film and the formation accuracy of the conductive pattern is deteriorated. On the other hand, if the adhesion of the conductive film to the resist film is too strong, it becomes difficult to completely remove the resist film from the conductive film.

本発明は、上記問題を解消するためになされたものであり、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成可能な導電パターン形成方法、及び、透明性及び導電性に優れた導電パターンを有し、導電パターン形成面が平滑で、硬度に優れた安価な透明導電性シートを提供する。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems. The conductive pattern formation is capable of easily and inexpensively forming a highly accurate conductive pattern with good adhesion of the transparent conductive film to the resist film. A method and an inexpensive transparent conductive sheet having a conductive pattern excellent in transparency and conductivity, having a smooth conductive pattern forming surface and excellent in hardness are provided.

上記課題を解決するため、本発明の導電パターン形成方法は、基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、上記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、上記透明導電性膜上の上記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、上記レジスト膜をマスクとして、上記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、上記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、上記導電パターンを得る工程と、を含み、上記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、上記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a conductive pattern forming method of the present invention is a conductive pattern forming method for forming a conductive pattern on a base material, wherein a conductive polymer and an alkoxy are formed on one main surface of the base material. Applying a coating composition containing silane to form a transparent conductive film; forming a resist film at a position where the conductive pattern is formed on the transparent conductive film; and losing the conductive polymer. Deactivating the conductivity of the exposed portion of the transparent conductive film using the resist film as a mask, using an inactivating agent to be activated, and peeling the resist film using an adhesive sheet, and the conductive pattern The alkoxysilane contains an alkoxysilane having an organic functional group, and the ratio of the organic functional group is 1 mol% or more and 20 mol% or less in all alkoxysilanes. It is characterized in.

本発明の透明導電性シートは、透明な基材と、上記基材の少なくとも一方の主面に上記本発明の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンと、を有することを特徴とする。   The transparent conductive sheet of the present invention has a transparent substrate and a conductive pattern formed on at least one main surface of the substrate by using the conductive pattern forming method of the present invention. .

本発明の導電パターン形成方法によれば、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成できる。   According to the conductive pattern forming method of the present invention, it is possible to improve the adhesion of the transparent conductive film to the resist film, and to form a highly accurate conductive pattern easily and inexpensively.

本発明の透明導電性シートによれば、透明性及び導電性に優れた導電パターンを有し、導電パターン形成面が平滑で、硬度に優れた安価な透明導電性シートを提供できる。   According to the transparent conductive sheet of the present invention, an inexpensive transparent conductive sheet having a conductive pattern excellent in transparency and conductivity, having a smooth conductive pattern forming surface and excellent in hardness can be provided.

図1は、本発明の導電パターン形成方法の一例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a conductive pattern forming method of the present invention.

本発明の導電パターン形成方法は、基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、上記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、上記透明導電性膜上の上記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、上記レジスト膜をマスクとして、上記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、上記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、上記導電パターンを得る工程と、を含み、上記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、上記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする。これにより、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成できる。   The conductive pattern forming method of the present invention is a conductive pattern forming method for forming a conductive pattern on a substrate, and a coating composition comprising a conductive polymer and an alkoxysilane on one main surface of the substrate. A step of forming a transparent conductive film by applying a resist, a step of forming a resist film at a position where the conductive pattern is formed on the transparent conductive film, and a deactivator for deactivating the conductive polymer. And using the resist film as a mask to deactivate the conductivity of the exposed portion of the transparent conductive film, and peeling the resist film using an adhesive sheet to obtain the conductive pattern. The alkoxysilane contains an alkoxysilane having an organic functional group, and the ratio of the organic functional group is 1 mol% or more and 20 mol% or less in the total alkoxysilane. Thereby, the adhesiveness of the transparent conductive film to the resist film is improved, and a highly accurate conductive pattern can be formed easily and inexpensively.

以下、本発明の導電パターン形成方法について図1を用いて詳細に説明する。図1は、本発明の導電パターン形成方法の一例を説明するための図である。   Hereinafter, the conductive pattern forming method of the present invention will be described in detail with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram for explaining an example of the conductive pattern forming method of the present invention.

<透明導電性膜の形成>
まず、図1(a)に示すように、基材11の一方の主面上(図1では上面)にコーティング組成物を塗布し、該コーティング組成物を乾燥することにより、透明導電性膜12を形成する。
<Formation of transparent conductive film>
First, as shown in FIG. 1A, a transparent conductive film 12 is formed by applying a coating composition on one main surface (upper surface in FIG. 1) of a substrate 11 and drying the coating composition. Form.

上記コーティング組成物は、導電性高分子とアルコキシシランとを含む。   The coating composition includes a conductive polymer and an alkoxysilane.

上記コーティング組成物を構成する導電性高分子とは、Conductive Polymers(CPs)と呼ばれる高分子であり、ドーパントによるドーピングによって、ポリラジカルカチオニック塩またはポリラジカルアニオニック塩が形成された状態で、それ自体が導電性を発揮し得る高分子をいう。   The conductive polymer constituting the coating composition is a polymer called Conductive Polymers (CPs), and in a state where a polyradical cationic salt or a polyradical anionic salt is formed by doping with a dopant. A polymer that itself can exhibit electrical conductivity.

上記導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系化合物とドーパントとを含むものを用いることができる。具体的には、ポリチオフェン系化合物としてポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)と、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸とを含む混合物(以下、PEDOT/PSSともいう。)を用いることができる。   As the conductive polymer, for example, a polymer containing a polythiophene compound and a dopant can be used. Specifically, a mixture (hereinafter also referred to as PEDOT / PSS) containing poly (3,4-ethylenedioxythiophene) as a polythiophene compound and polystyrene sulfonic acid as a dopant can be used.

上記コーティング組成物を構成するアルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びアルコキシオリゴマーからなる群から選ばれる少なくとも1種の多官能アルコキシシランを含むものであることが好ましい。   The alkoxysilane constituting the coating composition preferably contains at least one polyfunctional alkoxysilane selected from the group consisting of tetraalkoxysilane, trialkoxysilane, dialkoxysilane and alkoxy oligomer.

上記テトラアルコキシシランの例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラiso−プロポキシシラン、テトラt−ブトキシシランなどの炭素数1〜4のアルコキシ基でテトラ置換されたシランが挙げられる。具体例としては、信越化学社製の“KBE−04”などが挙げられる。   Examples of the tetraalkoxysilane include silane tetrasubstituted with an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetraiso-propoxysilane, and tetra-t-butoxysilane. It is done. Specific examples include “KBE-04” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

上記トリアルコキシシランの例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、トリiso−プロポキシシラン、トリL−ブトキシシランなどの炭素数1〜4のアルコキシ基でトリ置換されたシランが挙げられる。   Examples of the trialkoxysilane include trimethoxysilane, triethoxysilane, tripropoxysilane, tributoxysilane, triiso-propoxysilane, tri-L-butoxysilane, and the like. Silane.

上記ジアルコキシシランの例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどが挙げられる。   Examples of the dialkoxysilane include dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, and diphenyldiethoxysilane.

上記アルコキシオリゴマーは、有機基とアルコキシシリル基を併せ持つ比較的低分子のレジンである。具体例としては、信越化学社製の“X−40−2308”、“X−40−9238”、“X−40−9247”、“KR−401N”、“KR−510”、“KR−9218”などが挙げられる。   The alkoxy oligomer is a relatively low-molecular resin having both an organic group and an alkoxysilyl group. Specific examples include “X-40-2308”, “X-40-9238”, “X-40-9247”, “KR-401N”, “KR-510”, “KR-9218” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ".

上記アルコキシシランの具体例のうち、より高い硬度の透明導電性膜を形成するためには、テトラアルコキシランが好ましく、より安定した状態で再現性良く、良質の膜を形成するためには、テトラアルコキシシラン及びトリアルコキシシランを併用することが好ましい。   Among the specific examples of the alkoxysilane, tetraalkoxylane is preferable for forming a transparent conductive film with higher hardness. In order to form a high-quality film in a more stable state with good reproducibility, tetraalkoxylane is preferable. It is preferable to use together alkoxysilane and trialkoxysilane.

上記アルコキシシランとして、テトラアルコキシシランとトリアルコキシシランとを併用する場合は、テトラアルコキシシランとトリアルコキシシランとのモル比は9:1〜5:5であることが好ましく、より好ましくは8:2〜6:4である。このモル比関係が好ましい理由は、透明導電性膜の硬度の低下を防止しつつ、経時変化によって透明導電性膜に亀裂が発生する危険性をより一層なくし、かつ基材との密着性をより高めることができるからである。上記テトラアルコキシシランは、高い膜硬度の発現に作用し、上記トリアルコキシシランは、膜の亀裂発生防止、基材との密着性に作用すると考えられる。   When tetraalkoxysilane and trialkoxysilane are used in combination as the alkoxysilane, the molar ratio of tetraalkoxysilane to trialkoxysilane is preferably 9: 1 to 5: 5, more preferably 8: 2. ~ 6: 4. The reason why this molar ratio relationship is preferable is that while preventing a decrease in the hardness of the transparent conductive film, the risk of cracking in the transparent conductive film due to changes over time is further reduced, and the adhesion to the substrate is further improved. This is because it can be increased. It is considered that the tetraalkoxysilane acts on the expression of high film hardness, and the trialkoxysilane acts on prevention of cracking of the film and adhesion to the substrate.

上記アルコキシシランの含有量は、上記導電性高分子に対して100〜900重量%が好ましく、より好ましくは200〜600重量%ある。アルコキシシランの含有量が少なすぎると、十分な硬度を有する透明導電性膜が得られにくい傾向にある。アルコキシシランの含有量が多すぎると、膜が白濁化し、光学特性が悪化する傾向にある。   The content of the alkoxysilane is preferably 100 to 900% by weight, more preferably 200 to 600% by weight with respect to the conductive polymer. If the alkoxysilane content is too low, a transparent conductive film having sufficient hardness tends to be difficult to obtain. When there is too much content of alkoxysilane, it exists in the tendency for a film to become cloudy and for optical characteristics to deteriorate.

上記コーティング組成物を構成するアルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、1モル%以上20モル%以下である。有機官能基を含有させることで、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとすることができる。すなわち、後の不活性化剤を用いる工程で、透明導電性膜とレジスト膜との間に不活性化剤が浸食するのを防ぎ、導電パターンを精度よく形成できる。ただし、有機官能基の割合が大きくなりすぎると、透明導電性膜のレジスト膜への密着性が強くなり、後のレジスト膜を剥離する工程で、粘着シートを用いたレジスト膜の剥離が困難になるため、有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、20モル%以下が好ましい。   The alkoxysilane which comprises the said coating composition contains the alkoxysilane which has an organic functional group, and the ratio of an organic functional group is 1 mol% or more and 20 mol% or less in all the alkoxysilanes. By containing an organic functional group, the adhesiveness of the transparent conductive film to the resist film can be improved. That is, it is possible to prevent the deactivator from eroding between the transparent conductive film and the resist film in the subsequent step of using the deactivator, and to form the conductive pattern with high accuracy. However, if the ratio of the organic functional group becomes too large, the adhesion of the transparent conductive film to the resist film becomes strong, and it becomes difficult to remove the resist film using the adhesive sheet in the process of peeling the resist film later. Therefore, the proportion of the organic functional group is preferably 20 mol% or less in the total alkoxysilane.

上記有機官能基としては、有機物や無機物と反応しない安定かつ疏水性のある官能基を用いることができる。例えば、メチル基、エチル基、フェニル基、脂肪族系の長鎖アルキル基などが挙げられるが、導電性高分子との相溶性を考慮すると、メチル基およびエチル基がより好ましい。   As the organic functional group, a stable and water-repellent functional group that does not react with an organic substance or an inorganic substance can be used. For example, a methyl group, an ethyl group, a phenyl group, an aliphatic long-chain alkyl group, and the like can be mentioned. In consideration of compatibility with a conductive polymer, a methyl group and an ethyl group are more preferable.

また、上記コーティング組成物を構成するアルコキシシランは、その全てが有機官能基を有するアルコキシシランとした場合、十分な強度(硬度、耐溶剤性)の膜が得られにくい傾向にあるため、有機官能基を有するアルコキシシランと、有機官能基を有さないアルコキシシランとを併用することが好ましい。有機官能基を有するアルコキシシランの割合は、全アルコキシシラン中、1モル%以上80モル%以下が好ましい。   In addition, the alkoxysilane constituting the coating composition tends to be difficult to obtain a film having sufficient strength (hardness, solvent resistance) when all of the alkoxysilanes have an organic functional group. It is preferable to use together an alkoxysilane having a group and an alkoxysilane having no organic functional group. The proportion of the alkoxysilane having an organic functional group is preferably 1 mol% or more and 80 mol% or less in all alkoxysilanes.

上記コーティング組成物には、上記以外に、アルコール(エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなど)と水との混合溶媒が添加される。アルコールと水との混合溶媒の添加により、上記アルコキシシランは若干加水分解するが実質的にはゲルまで進行せずにヒドロゾル液が得られる。水の含有量は、アルコキシシラン1モルに対して1〜4.5モルが好ましく、より好ましくは2〜4モルであり、アルコールの含有量は、アルコキシシラン1モルに対して、5〜40モルが好ましく、より好ましくは10〜30モルである。ここで水の含有量が上記数値範囲内であると好ましいのは、次のような理由による。水は、加水分解反応の反応速度に作用するだけでなく、透明導電性膜の品質にも影響を及ぼす。つまり、水の含有量が多すぎると、基材との密着性が低下する傾向にあり、均一な膜厚の透明導電性膜が得られなくなる場合がある。逆に水の含有量が少なすぎると、加水分解反応の反応速度が遅くなったり、未反応物が残りやすくなったりするなど、十分な硬度の透明導電性膜を得られなくなる場合がある。一方、アルコールは、直接上記加水分解反応に関わるのものではないため、アルコールの含有量はそれほど厳しく制限されるものではないが、アルコールの含有量が多すぎると上記加水分解反応の反応速度が遅くなったり、透明導電性膜の厚みが薄くなったりするなどの問題が生じるため、適宜調整する必要がある。   In addition to the above, a mixed solvent of alcohol (ethanol, methanol, isopropyl alcohol, etc.) and water is added to the coating composition. By the addition of a mixed solvent of alcohol and water, the alkoxysilane is slightly hydrolyzed, but a hydrosol solution is obtained without substantially proceeding to the gel. The content of water is preferably 1 to 4.5 mol, more preferably 2 to 4 mol, with respect to 1 mol of alkoxysilane, and the content of alcohol is 5 to 40 mol with respect to 1 mol of alkoxysilane. Is more preferable, and more preferably 10 to 30 mol. The reason why the water content is preferably within the above numerical range is as follows. Water not only affects the reaction rate of the hydrolysis reaction but also affects the quality of the transparent conductive film. That is, when there is too much content of water, there exists a tendency for adhesiveness with a base material to fall, and it may become impossible to obtain the transparent conductive film of uniform film thickness. On the other hand, if the water content is too small, there may be a case where a transparent conductive film with sufficient hardness cannot be obtained, for example, the reaction rate of the hydrolysis reaction becomes slow or unreacted substances are likely to remain. On the other hand, since alcohol is not directly related to the hydrolysis reaction, the alcohol content is not so severely limited. However, if the alcohol content is too high, the reaction rate of the hydrolysis reaction is slow. Or the thickness of the transparent conductive film is reduced. Therefore, it is necessary to adjust appropriately.

また、上記コーティング組成物には、一般に使用される酸触媒(塩酸、硫酸、酢酸など)をさらに添加することができる。この場合、より安定した性能で高品質の透明導電性膜を再現性よく形成可能となる。   Moreover, generally used acid catalysts (hydrochloric acid, sulfuric acid, acetic acid, etc.) can be further added to the coating composition. In this case, it is possible to form a high-quality transparent conductive film with more reproducibility with more stable performance.

上記コーティング組成物の調製方法は、特に限定されず、公知の手法により適宜混合すればよい。   The preparation method of the said coating composition is not specifically limited, What is necessary is just to mix suitably by a well-known method.

上記コーティング組成物の塗布方法には、例えば、バーコート法、リバース法、グラビア印刷法、マイクログラビア印刷法、ディッピング法、スピンコート法、スプレー法などの公知の塗布方法を用いることができる。   As the coating method of the coating composition, for example, a known coating method such as a bar coating method, a reverse method, a gravure printing method, a micro gravure printing method, a dipping method, a spin coating method, or a spray method can be used.

上記コーティング組成物の乾燥方法としては、コーティング組成物中の溶媒を除去できれば、特に限定されず、例えば、加熱乾燥、真空乾燥、自然乾燥などにより行うことができる。   The method for drying the coating composition is not particularly limited as long as the solvent in the coating composition can be removed. For example, the coating composition can be dried by heat drying, vacuum drying, natural drying, or the like.

上記基材には、例えば、プラスチック、ゴム、ガラス、金属、セラミックス、紙など種々のものを使用できる。   Various materials such as plastic, rubber, glass, metal, ceramics, and paper can be used as the substrate.

上記透明導電性膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定されるものであるが、通常、0.01〜10μm程度である。膜厚が薄すぎても厚すぎても、均一な透明導電性膜を形成することが困難となる。コーティング組成物中に含まれる導電性高分子の割合にもよるが、膜厚が薄いと、表面抵抗値が増加する傾向にあり、膜厚が厚すぎると、全光線透過率が低下する傾向にある。   Although the film thickness of the said transparent conductive film is suitably set according to a use, it is about 0.01-10 micrometers normally. If the film thickness is too thin or too thick, it becomes difficult to form a uniform transparent conductive film. Depending on the proportion of the conductive polymer contained in the coating composition, if the film thickness is thin, the surface resistance tends to increase, and if the film thickness is too thick, the total light transmittance tends to decrease. is there.

上記透明導電性膜の波長範囲380〜780nmにおける全光線透過率は、85%以上であることが好ましく、より好ましくは88%以上である。全光線透過率が高いほど良好な光学特性を示す。上記全光線透過率は、紫外可視近赤外線分光光度計、例えば、日本分光社製の“V−570”により測定可能である。   The total light transmittance in the wavelength range of 380 to 780 nm of the transparent conductive film is preferably 85% or more, and more preferably 88% or more. The higher the total light transmittance, the better the optical properties. The total light transmittance can be measured with an ultraviolet-visible near-infrared spectrophotometer, for example, “V-570” manufactured by JASCO Corporation.

上記透明導電性膜の表面硬度は、日本工業規格(JIS)K5400に規定された鉛筆硬度の測定方法により求められ、H以上であることが好ましく、より好ましくは2H以上である。鉛筆硬度が高いほど良好な硬度を示す。   The surface hardness of the transparent conductive film is determined by the pencil hardness measurement method defined in Japanese Industrial Standard (JIS) K5400, and is preferably H or more, more preferably 2H or more. The higher the pencil hardness, the better the hardness.

<レジスト膜の形成>
上記透明導電性膜12の形成後、図1(b)に示すように、透明導電性膜12上の導電パターン形成位置にレジスト膜13を形成する。レジスト膜の形成方法としては、例えば、レジスト剤をスクリーン印刷することにより形成される。レジスト剤としては、例えば、ヘレウス社製の“Clvious SET S”など、公知のものを使用できる。
<Formation of resist film>
After the formation of the transparent conductive film 12, a resist film 13 is formed at a conductive pattern formation position on the transparent conductive film 12, as shown in FIG. As a method for forming the resist film, for example, the resist film is formed by screen printing a resist agent. As the resist agent, for example, known ones such as “Clvious SET S” manufactured by Heraeus can be used.

<導電性の低下>
上記レジスト膜13の形成後、図1(c)に示すように、レジスト膜13をマスクとして、透明導電性膜12の露出部の導電性を低下させる。具体的には、透明導電性膜12の露出部に、導電高分子を失活させる不活性剤を接触させることにより、露出部の導電性を失活(低下)させ、表面抵抗値を上昇させる。つまり、導電高分子が不活性化された部分(以下、非導電部という。)12aと、導電高分子が不活性化されていない部分(以下、導電部という。)12bとの表面抵抗値の差をつけることができる。そして、後の工程で、マスクとしてのレジスト膜13を剥がすと、導電部12bが導電パターンとして機能することになる。このように本発明では、非導電部をエッチングすることなく、透明導電性膜の導電性を選択的に低下させて導電パターンを形成できるため、製造コストを抑制できる。また、導電パターン形成面が平滑であるため、骨見えの問題の発生を防止できるとともに、高硬度の透明導電性膜が得られる。
<Decrease in conductivity>
After the formation of the resist film 13, as shown in FIG. 1C, the conductivity of the exposed portion of the transparent conductive film 12 is lowered using the resist film 13 as a mask. Specifically, the exposed portion of the transparent conductive film 12 is brought into contact with an inactive agent that deactivates the conductive polymer, thereby deactivating (decreasing) the conductivity of the exposed portion and increasing the surface resistance value. . That is, the surface resistance value between the portion where the conductive polymer is deactivated (hereinafter referred to as a non-conductive portion) 12a and the portion where the conductive polymer is not deactivated (hereinafter referred to as a conductive portion) 12b. You can make a difference. Then, when the resist film 13 as a mask is peeled off in a later step, the conductive portion 12b functions as a conductive pattern. As described above, in the present invention, since the conductive pattern can be formed by selectively reducing the conductivity of the transparent conductive film without etching the non-conductive portion, the manufacturing cost can be suppressed. Further, since the conductive pattern forming surface is smooth, it is possible to prevent the problem of bone appearance and to obtain a transparent conductive film having high hardness.

ここで、上記導電部12bの表面抵抗値は、5×102Ω/スクエア以下であることが好ましい。表面抵抗値が小さいほど、導電性が高く、電気特性に優れる。上記表面抵抗値は、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計“Loresta−GP”(MCP−T610型)などの表面抵抗率測定装置によって測定可能である。 Here, the surface resistance value of the conductive portion 12b is preferably 5 × 10 2 Ω / square or less. The smaller the surface resistance value, the higher the conductivity and the better the electrical characteristics. The surface resistance value can be measured by a surface resistivity measuring device such as a resistivity meter “Loresta-GP” (MCP-T610 type) manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech.

上記非導電部12aの表面抵抗値は、導電部12bの表面抵抗値よりも1×106Ω/スクエア以上大きいことが好ましい。この場合、回路として機能するくらいに、導電部12bと非導電部12aとの表面抵抗値の差をつけて、良好な電気的コントラストが得られる。上記表面抵抗値は、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計“Hiresta−UP”(MCP−HT450型)などの表面抵抗率測定装置によって測定可能である。 The surface resistance value of the non-conductive portion 12a is preferably 1 × 10 6 Ω / square or more larger than the surface resistance value of the conductive portion 12b. In this case, a satisfactory electrical contrast can be obtained by adding a difference in surface resistance between the conductive portion 12b and the nonconductive portion 12a to the extent that it functions as a circuit. The surface resistance value can be measured by a surface resistivity measuring device such as a resistivity meter “Hiresta-UP” (MCP-HT450 type) manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech.

上記不活性化剤としては、導電性高分子を失活できるものであればよく、例えば、酸化性化合物、塩基性化合物が挙げられるが、酸性化合物がより好ましい。酸化性化合物は、塩基性化合物に比べて表面抵抗値の増加が大きく、また、失活処理後の表面抵抗値の変動が少ないからである。   The deactivator is not particularly limited as long as it can deactivate the conductive polymer, and examples thereof include an oxidizing compound and a basic compound, but an acidic compound is more preferable. This is because the oxidizing compound has a large increase in the surface resistance value compared to the basic compound, and the variation in the surface resistance value after the deactivation treatment is small.

上記酸化性化合物としては、例えば、過酸化水素系化合物、過塩素酸系化合物、次亜塩素酸系化合物、過酢酸系化合物、メタクロロ安息香酸系化合物、亜硫酸系化合物などが挙げられる。   Examples of the oxidizing compound include hydrogen peroxide compounds, perchloric acid compounds, hypochlorous acid compounds, peracetic acid compounds, metachlorobenzoic acid compounds, sulfite compounds, and the like.

上記塩基性化合物としては、例えば、アンモニア、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、4−メチルピリジン、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが挙げられる。   Examples of the basic compound include ammonia, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, pyridine, 4-methylpyridine, and tetramethylammonium hydroxide.

<レジスト膜の剥離>
上記透明導電性膜12の導電性を選択的に低下させた後、図1(d)及び(e)に示すように粘着シート14を用いてレジスト膜13を剥離する。具体的には、図1(d)に示すように、基材14aの一主面に粘着層14bが形成されてなる粘着シート14の粘着層14b側の面を、透明導電性膜12上に貼り付けた後、図1(e)に示すように、粘着シート14を引き剥がすことにより、粘着シート14とレジスト膜13とを一体に剥離除去する。すると、図1(f)に示すように、透明導電性膜12のレジスト膜13が形成されていた位置に、導電部12bからなる導電パターンが得られる。このようにしてパターニングされた透明導電性膜12と基材11との積層体は、透明導電性シート15として用いられる。このように本発明では、粘着シートによってレジスト膜を簡単に剥離できるため、製品の歩留まりを向上できる。
<Removal of resist film>
After selectively reducing the conductivity of the transparent conductive film 12, the resist film 13 is peeled off using an adhesive sheet 14 as shown in FIGS. 1 (d) and 1 (e). Specifically, as shown in FIG. 1 (d), the surface on the adhesive layer 14 b side of the adhesive sheet 14 in which the adhesive layer 14 b is formed on one main surface of the base material 14 a is placed on the transparent conductive film 12. After pasting, as shown in FIG. 1E, the pressure-sensitive adhesive sheet 14 is peeled off, whereby the pressure-sensitive adhesive sheet 14 and the resist film 13 are integrally peeled off. Then, as shown in FIG.1 (f), the conductive pattern which consists of the electroconductive part 12b is obtained in the position in which the resist film 13 of the transparent conductive film 12 was formed. The laminated body of the transparent conductive film 12 and the base material 11 patterned in this way is used as the transparent conductive sheet 15. Thus, in this invention, since a resist film can be easily peeled with an adhesive sheet, the yield of a product can be improved.

次に、本発明の透明導電性シートについて説明する。   Next, the transparent conductive sheet of the present invention will be described.

本発明の透明導電性シートは、透明な基材と、その基材の少なくとも一方の主面に上記本発明の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンとを有する。これにより、透明性及び導電性に優れた導電パターンを有し、導電パターン形成面が平滑で、硬度に優れた透明導電性シートを安価に提供できる。   The transparent conductive sheet of this invention has a transparent base material and the conductive pattern formed in the at least one main surface of the base material using the said conductive pattern formation method of this invention. Thereby, the transparent conductive sheet which has the conductive pattern excellent in transparency and electroconductivity, the conductive pattern formation surface is smooth, and was excellent in hardness can be provided at low cost.

上記透明導電性シートの上記導電パターン形成面において、上記導電パターンが形成されていない部分の表面抵抗値は、上記導電パターンが形成されている部分の表面抵抗値よりも1×106Ω/スクエア以上大きいことが好ましい。この場合、回路として機能させることができる程度の良好な電気的コントラストが得られる。 In the conductive pattern forming surface of the transparent conductive sheet, the surface resistance value of the portion where the conductive pattern is not formed is 1 × 10 6 Ω / square than the surface resistance value of the portion where the conductive pattern is formed. It is preferable that it is larger. In this case, a good electrical contrast that can function as a circuit is obtained.

以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、特に指摘がない場合、下記において、「部」は「質量部」を意味する。また、下記において、「導電性高分子分散体」とは、本発明の導電性高分子を含む水溶液のことを意味する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In addition, unless otherwise indicated, in the following, “part” means “part by mass”. In the following, the “conductive polymer dispersion” means an aqueous solution containing the conductive polymer of the present invention.

(実施例1)
<透明導電性膜の形成>
まず、以下の組成物を添加、混合してヒドロゾル液を調製した。
(1)アルコキシシラン:テトラエトキシシラン(信越化学社製、商品名“KBE−04”):19.2ミリモル(4.0部)
(2)有機官能基を有するアルコキシシラン:メチルトリメトキシシラン(信越化学社製、商品名“KBM−13”):2.9ミリモル(0.4部)
(3)エタノール:27.8部
(4)硝酸水溶液(濃度:1重量%):4.5部
Example 1
<Formation of transparent conductive film>
First, the following composition was added and mixed to prepare a hydrosol solution.
(1) Alkoxysilane: Tetraethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name “KBE-04”): 19.2 mmol (4.0 parts)
(2) Alkoxysilane having an organic functional group: methyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., trade name “KBM-13”): 2.9 mmol (0.4 parts)
(3) Ethanol: 27.8 parts (4) Nitric acid aqueous solution (concentration: 1% by weight): 4.5 parts

次に、以下の組成物を上記ヒドロゾル液に添加、混合してコーティング組成物を得た。本実施例1では、有機官能基の割合が、全アルコキシシラン中、3.3モル%であった。
(5)導電性高分子分散体(導電性高分子:PEDOT−PSS、ヘレウス社製、商品名“PH−1000”、固形分濃度:1.2%):100.0部
(6)エチレングリコール:11.1部
(7)ヒドロゾル液:36.7部
Next, the following composition was added to the hydrosol solution and mixed to obtain a coating composition. In the present Example 1, the ratio of the organic functional group was 3.3 mol% in all alkoxysilanes.
(5) Conductive polymer dispersion (conductive polymer: PEDOT-PSS, manufactured by Heraeus, trade name “PH-1000”, solid content concentration: 1.2%): 100.0 parts (6) ethylene glycol : 11.1 parts (7) Hydrosol solution: 36.7 parts

次に、10cm角の膜厚0.7mmの無アルカリガラスを基材として用い、基材の一方の主面に上記コーティング組成物をスピンコーティング法により回転速度800rpm、30秒間塗布した後、150℃で10分間加熱した。これにより、基材と、基材の一方の主面に形成された透明導電性膜とからなる積層体を得た。なお、透明導電性膜の膜厚は0.6μmであった。   Next, a 10 cm square non-alkali glass film having a thickness of 0.7 mm was used as a base material, and the coating composition was applied to one main surface of the base material by a spin coating method at a rotational speed of 800 rpm for 30 seconds, and then 150 ° C. For 10 minutes. Thereby, the laminated body which consists of a base material and the transparent conductive film formed in one main surface of a base material was obtained. The film thickness of the transparent conductive film was 0.6 μm.

<レジスト膜の形成>
次に、上記積層体の透明導電性膜側の主面の中央部に5cm角の面積にスクリーン印刷法によりレジスト剤(ヘレウス社製、商品名“Clvious SET S”)を#400の版を用いてスクリーン印刷し、その後100℃で5分間加熱した。これにより、透明導電性膜上にレジスト膜が形成された積層体を得た。
<Formation of resist film>
Next, using a # 400 plate, a resist agent (trade name “Clvious SET S”, manufactured by Heraeus Co., Ltd.) is applied to the central portion of the main surface of the laminate on the transparent conductive film side by screen printing at an area of 5 cm square. Screen-printed and then heated at 100 ° C. for 5 minutes. Thereby, the laminated body in which the resist film was formed on the transparent conductive film was obtained.

<導電性の低下>
次に、透明導電性膜上にレジスト膜が形成された積層体を、不活性剤(ヘレウス社製、商品名“Clvious Etch”)を10%水溶液に調製した溶液に30分間浸漬した後、蒸留水で洗浄し、100℃で5分間加熱した。これにより、透明導電性膜の露出部の導電性を低下させた。
<Decrease in conductivity>
Next, the laminate in which the resist film is formed on the transparent conductive film is dipped in a solution prepared by adding 10% aqueous solution of an inert agent (trade name “Clvious Etch” manufactured by Heraeus) for 30 minutes, and then distilled. Wash with water and heat at 100 ° C. for 5 minutes. Thereby, the conductivity of the exposed portion of the transparent conductive film was lowered.

<レジスト膜の剥離>
次に、上記積層体の前記透明導電性膜側の主面上に、粘着シート(ニチバン社製の商品名“セロテープ(登録商標)”)の粘着層側の面を貼り付け、引き剥がす剥離操作を施すことにより、粘着シートとレジスト膜とを一体に剥離除去し、導電パターンを有する透明導電性シートを得た。得られた透明導電性シートの導電パターン形成面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜の残渣は全くみられず、レジスト膜が完全に剥離除去されていることがわかった。
<Removal of resist film>
Next, a peeling operation in which the adhesive layer side surface of an adhesive sheet (trade name “Cellotape (registered trademark)” manufactured by Nichiban Co., Ltd.) is attached to the main surface on the transparent conductive film side of the laminate and peeled off. As a result, the pressure-sensitive adhesive sheet and the resist film were integrally peeled and removed to obtain a transparent conductive sheet having a conductive pattern. When the conductive pattern forming surface of the obtained transparent conductive sheet was observed with a microscope, no residue of the resist film was observed, and it was found that the resist film was completely removed.

次に、得られた透明導電性シートの電気特性を評価した。評価方法については以下に説明する。   Next, the electrical characteristics of the obtained transparent conductive sheet were evaluated. The evaluation method will be described below.

<電気特性>
まず、透明導電性シートの導電パターン形成面において、導電パターンが形成されている導電部の表面抵抗値を、三菱化学アナリテック社製の抵抗率測定計“Loresta−GP”(MCP−T610型)とLSPプローブを用いて測定した。また、透明導電性シートの導電パターン形成面において、導電パターンが形成されていない非導電部の表面抵抗値を、三菱化学アナリテック社製の抵抗率測定計“Hiresta−UP”(MCP−HT450型)とURSプローブを用いて測定した。ここでは、導電部と非導電部の表面抵抗値の差が、1×106Ω/スクエア以上である場合は、良好な電気的コントラストが得られていると評価する。実施例1の場合、導電部の表面抵抗値は1×102Ω/スクエアであり、非導電部の表面抵抗値は1×109Ω/スクエアであり、良好な電気的コントラストが得られていることがわかった。
<Electrical characteristics>
First, on the conductive pattern forming surface of the transparent conductive sheet, the surface resistance value of the conductive part on which the conductive pattern is formed is measured by a resistivity meter “Loresta-GP” (MCP-T610 type) manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech. And LSP probe. In addition, on the conductive pattern forming surface of the transparent conductive sheet, the surface resistance value of the non-conductive portion where the conductive pattern is not formed is determined as a resistivity meter “Hiresta-UP” (MCP-HT450 type) manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech. ) And a URS probe. Here, when the difference in surface resistance between the conductive portion and the non-conductive portion is 1 × 10 6 Ω / square or more, it is evaluated that a good electrical contrast is obtained. In the case of Example 1, the surface resistance value of the conductive portion is 1 × 10 2 Ω / square, and the surface resistance value of the non-conductive portion is 1 × 10 9 Ω / square, and good electrical contrast is obtained. I found out.

(比較例1)
組成物成分(2)メチルトリメトキシシランを、2.9ミリモルから22.1ミリモルに変更し、組成物成分(1)テトラエトキシシランを、使用しないこと以外は、実施例1と同様にして、比較例1の透明導電性シートを作製した。本比較例1のコーティング組成物に含まれる有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、25モル%であった。
(Comparative Example 1)
The composition component (2) methyltrimethoxysilane was changed from 2.9 mmol to 22.1 mmol, and the composition component (1) tetraethoxysilane was used in the same manner as in Example 1 except that it was not used. A transparent conductive sheet of Comparative Example 1 was produced. The ratio of the organic functional group contained in the coating composition of Comparative Example 1 was 25 mol% in all alkoxysilanes.

比較例1の透明導電性シートについて、導電パターン形成面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜の残渣はが一部残っていることが確認され、レジスト膜が完全に剥離除去されていないことがわかった。また、上記実施例1と同様にして電気特性を評価したところ、導電部の表面抵抗値は1×109Ω/スクエアであり、非導電部の表面抵抗値は1×109Ω/スクエアであり、良好な電気的コントラストが得られていないことがわかった。 About the transparent conductive sheet of the comparative example 1, when the conductive pattern formation surface was observed with the microscope, it was confirmed that a part of the residue of the resist film remained, and the resist film was not completely peeled and removed. It was. When the electrical characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1, the surface resistance value of the conductive part was 1 × 10 9 Ω / square and the surface resistance value of the non-conductive part was 1 × 10 9 Ω / square. It was found that good electrical contrast was not obtained.

(比較例2)
組成物成分(1)テトラエトキシシランを、19.2ミリモルから22.1ミリモルに変更し、組成物成分(2)メチルトリメトキシシランを、使用しないこと以外は、実施例1と同様にして比較例2の透明導電性シートを作製した。本比較例2のコーティング組成物に含まれる有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、0モル%であった。
(Comparative Example 2)
Comparison was made in the same manner as in Example 1 except that the composition component (1) tetraethoxysilane was changed from 19.2 mmol to 22.1 mmol and the composition component (2) methyltrimethoxysilane was not used. The transparent conductive sheet of Example 2 was produced. The ratio of the organic functional group contained in the coating composition of Comparative Example 2 was 0 mol% in all alkoxysilanes.

比較例2の透明導電性シートについて、導電パターン形成面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜の残渣は全くみられず、レジスト膜が完全に剥離除去されていることがわかった。また、上記実施例1と同様にして電気特性を評価したところ、導電部の表面抵抗値は1×107Ω/スクエアであり、非導電部の表面抵抗値は1×109Ω/スクエアであり、良好な電気的コントラストが得られなかった。 When the conductive pattern forming surface of the transparent conductive sheet of Comparative Example 2 was observed with a microscope, no residue of the resist film was observed, and it was found that the resist film was completely peeled and removed. Further, when the electrical characteristics were evaluated in the same manner as in Example 1, the surface resistance value of the conductive part was 1 × 10 7 Ω / square, and the surface resistance value of the non-conductive part was 1 × 10 9 Ω / square. And good electrical contrast was not obtained.

本発明は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、有機エレクトロルミネッセンス素子等の透明電極や、電磁シールド材として好適に利用可能な透明導電性シートを提供できる。   INDUSTRIAL APPLICATION This invention can provide the transparent conductive sheet which can be utilized suitably as transparent electrodes, such as a liquid crystal display, a touch panel, an organic electroluminescent element, and an electromagnetic shielding material.

11 基材
12 透明導電性膜
12a 非導電部
12b 導電部
13 レジスト膜
14 粘着シート
14a 基材
14b 粘着層
15 透明導電性シート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Base material 12 Transparent conductive film 12a Non-conductive part 12b Conductive part 13 Resist film 14 Adhesive sheet 14a Base material 14b Adhesive layer 15 Transparent conductive sheet

Claims (5)

基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、
前記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、
前記透明導電性膜上の前記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、
導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、
前記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、前記導電パターンを得る工程と、を含み、
前記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、
前記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする導電パターン形成方法。
A conductive pattern forming method for forming a conductive pattern on a substrate,
Applying a coating composition containing a conductive polymer and an alkoxysilane on one main surface of the substrate to form a transparent conductive film;
Forming a resist film at a position where the conductive pattern is formed on the transparent conductive film;
Using a deactivator that deactivates the conductive polymer, using the resist film as a mask, and deactivating the conductivity of the exposed portion of the transparent conductive film; and
Peeling the resist film using an adhesive sheet to obtain the conductive pattern,
The alkoxysilane includes an alkoxysilane having an organic functional group,
The ratio of the said organic functional group is 1 mol% or more and 20 mol% or less in all the alkoxysilanes, The conductive pattern formation method characterized by the above-mentioned.
前記アルコキシシランは、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びアルコキシオリゴマーからなる群から選ばれる少なくとも1種の多官能アルコキシシランを含む請求項1に記載の導電パターン形成方法。   The conductive pattern forming method according to claim 1, wherein the alkoxysilane includes at least one polyfunctional alkoxysilane selected from the group consisting of tetraalkoxysilane, trialkoxysilane, dialkoxysilane, and alkoxy oligomer. 前記導電性高分子は、ポリチオフェン系化合物とポリスチレンスルホン酸とを含む請求項1又は2に記載の導電パターン形成方法。   The conductive pattern forming method according to claim 1, wherein the conductive polymer includes a polythiophene compound and polystyrene sulfonic acid. 透明な基材と、前記基材の少なくとも一方の主面に請求項1〜3のいずれか1項に記載の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンと、を含むことを特徴とする透明導電性シート。   A transparent substrate and a conductive pattern formed using the conductive pattern forming method according to any one of claims 1 to 3 on at least one main surface of the substrate. Transparent conductive sheet. 前記透明導電性シートの前記導電パターン形成面において、前記導電パターンが形成されていない部分の表面抵抗値は、前記導電パターンが形成されている部分の表面抵抗値よりも1×106Ω/スクエア以上大きい請求項4に記載の透明導電性シート。 In the conductive pattern forming surface of the transparent conductive sheet, the surface resistance value of the portion where the conductive pattern is not formed is 1 × 10 6 Ω / square than the surface resistance value of the portion where the conductive pattern is formed. The transparent conductive sheet according to claim 4, which is larger than the above.
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