JP2014179095A - ハイバネーションからの迅速な再開のための装置、方法およびデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ハイバネートからの迅速な再開を実現するための装置、システム、および方法を開示する。
【解決手段】１つの実施形態では、装置は、ハイバネーションデータの第１のメモリ場所を、ホストからこの第１のメモリ場所の指示を受信することなく判定し、このハイバネーションデータをＤＳＤの第２のメモリ場所に記憶するように構成された回路を有する、データ記憶デバイスを含むことができる。
【選択図】図１

Description

背景
本開示は、コンピュータシステムおよび記憶デバイスの中でのハイバネーション機能に関する。

データ記憶デバイスは、ハイバネーションデータの第１のメモリ場所を、ホストからこの第１のメモリ場所の指示を受信することなく判定し、このハイバネーションデータをデータ記憶デバイスの第２のメモリ場所に記憶するように構成された回路を含み得る。

ある方法は、ホストから取り外し可能なデータ記憶デバイス（ＤＳＤ）内部で行われ、ハイバネーションデータの第１のメモリ場所を、ホストからこの第１のメモリ場所の指示を受信することなく判定し得る。この方法は、ハイバネーションデータを、データ記憶デバイスの第２のメモリ場所に記憶し得る。

あるデバイスは、第１のメモリと、この第１メモリとは異なる少なくとも１つのプロパティを有する第２のメモリと、コントローラとを含み得る。このコントローラは、第１のメモリでのハイバネーションデータの第１のデータ記憶場所を、ホストからこの第１のデータ記憶場所の指示を受信することなく判定し、このハイバネーションデータを第２のメモリの第２のデータ記憶場所に記憶するように構成することが可能である。

ハイバネートから迅速に再開するシステムの例示の実施形態の図である。 ハイバネートから迅速に再開するシステムの別の例示の実施形態の図である。 ハイバネートから迅速に再開する記憶パーティションの例示の実施形態の図である。 ハイバネートからの迅速な再開に対するサンプルパーティションテーブルである。 ハイバネートから迅速に再開する方法の例示の実施形態のフローチャートである。

実施形態の以下の詳細な説明において、本明細書の一部を形成し、その明細書において特定の実施形態の例示として示される、添付の図面に対する参照がなされる。他の実施形態が利用され得ることと、構造的変更が本開示の範囲から逸脱することなくなされ得ることとが理解されるべきである。

コンピュータシステムは、オペレーティングシステムのステータスを保存しながらも、電力を節約するためにハイバネーション状態に置かれ得る。しかしながら、ユーザがコンピュータをハイバネーションから脱出させてからコンピュータが完全に目覚めて作動するまでの、２０〜３０秒の長さにもなりかねない時間間隔のために、問題が起こりかねない。オペレーティングシステムは、ドライバ、およびデータ記憶デバイス（ＤＳＤ）とのインターフェースを有して、起動時間をより早くするためにＤＳＤに情報を提供することが可能である。しかしながら、このようなドライバおよびインターフェースは、煩雑であり得る。したがって、起動時間を減少させ、追加のドライバおよびインターフェースに対する必要性を排除するシステムおよび方法を、本明細書で提示する。

図１を参照すると、ハイバネートから迅速に再開するシステムの例示の実施形態が示されており、一般的に１００と示されている。ホスト１０２システムは、デスクトップ、ラップトップ、タブレット、電話、またはハイバネーションシステムを使用し得る他の任意の計算システムであり得る。ホストシステム１０２は、１０６で、ハイバネーション状態にあるときに記憶すべき重要なデータを判定することが可能なオペレーティングシステム（ＯＳ）１０４を含み得る。ハイバネーションデータは、１０８で、ＤＳＤ１１４の第１のメモリ場所１１０に、書き込むことが可能である。第１のメモリ場所１１０は、不揮発性ソリッドステート媒体、ディスク記憶媒体、または他の任意の記憶媒体であり得る。

さらに、ホストシステム１０２は、ハイバネーション制御機器１１２と通信状態にあり得るが、これは、ソフトウエア、コントローラ、ハードウエアロジック、ディスクリート回路、またはこれらの任意の組み合わせを用いて実現され得る。ＤＳＤ１１４は、ハイブリッドデバイス、ソリッドステートデバイス、光学デバイス、磁気デバイス、他の任意のタイプのデータ記憶デバイス、またはこれらの任意の組み合わせであり得る。

ホストシステム１０２は、ハイバネーションデータをＤＳＤ１１４に送り、また、ＤＳＤ１１４に、このハイバネーションデータをハイバネーションパーティションに記憶するように命令し得る。一部の実施形態では、このハイバネーションパーティションは、パーティション識別子（ＩＤ）を介して指定することが可能である。各々のパーティションは、パーティションＩＤを有することが可能であるが、パーティションＩＤは、ＯＳのタイプに基づいて異なり得る。例えば、マイクロソフトウインドウズ７ＯＳでは、ハイバネーションパーティションのパーティションＩＤは８４ｈである。ＤＳＤ１１４は、どのパーティションＩＤ値がハイバネーションパーティションを示すかを知り得るが、ＤＳＤ１１４は、ハイバネーションパーティションが配置される論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）範囲または物理的場所を本質的には知り得ない。

動作中、ハイバネーション制御機器１１２は、ホスト１０２からの通知なしで、ハイバネーションデータの場所を単独で判定するように構成することが可能である。ハイバネーション制御機器１１２は、ハイバネーションデータの場所をパーティションタイプに基づいて判定し得る。

１つの例では、ハイバネーション制御機器１１２は、ハイバネーションパーティションに対応するパーティションＩＤを求めてマスターブート記録（ＭＢＲ）を走査することが可能である。ハイバネーションパーティションが見つかれば、ハイバネーション制御機器１１２は、ハイバネーションパーティションに対する論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）範囲を判定することによって、ハイバネーションパーティションの場所を計算し得る。この例では、ＤＳＤ１１４にとって、ハイバネーションパーティションまたはハイバネーションデータを突き止めるためには、ホストのヒントは必要ない。ハイバネーションパーティションは、不揮発性のソリッドステート媒体、ディスク記憶媒体、または他の任意の記憶媒体を含み得る。

ハイバネーション制御機器１１２は、適切なパーティションを選択して、次に、読み出しおよび書き込み用の後続の第２のメモリ場所１１６を指定することによって、第２のメモリ場所１１６にハイバネーションデータを割り当て得る。ＬＢＡ範囲の第２のメモリ場所１１６は、第１のメモリ場所よりも速いアクセス時間を有し得、かつ多層ＤＳＤのいずれかの層に配置され得る不揮発性のソリッドステート媒体を含み得る。例として、多層メモリシステムの層１および層２が、層３よりも早い場合、第１のメモリ場所を層３に配置することが可能であり、第２のメモリ場所を層１または層２に配置し得る。第２のメモリパーティションは、不揮発性のソリッドステート媒体、ディスク記憶媒体、または他の任意の記憶媒体を含み得る。

図２を参照すると、ハイバネートから迅速に再開するデータ記憶デバイスの実施形態が図示され、一般的に２００と示されている。このデータ記憶デバイス２００は、データ記憶デバイス２００をホスト２００から物理的に取り外すことを許容するコネクタを含み得るインターフェース２０４を介してホストデバイス２０２と通信することが可能である。インターフェース２０４は、ハードウェア回路、ロジック、ファームウエア、またはこれらの任意の組み合わせを含み得る。ある特定の実施形態では、インターフェース２０４は、データ記憶デバイスを、ＵＳＢ、ＩＥＥＥ１３９４、Ｃｏｍｐａｃｔ Ｆｌａｓｈ、ＳＡＴＡ、ｅＳＡＴＡ、ＰＡＴＡ、ＳＣＳＩ、ＳＡＳ、またはファイバチャネルなどの別のコンピュータシステムに取り付けることを許容するインターフェースを備える。データ記憶デバイス２００は、ホスト２０２の筐体の内部または外部にあり得る。

データ記憶デバイス２００は、関連付けられたメモリ２０８およびプロセッサ２１０を持つプログラム可能コントローラ２０６を含むことが可能である。プログラム可能コントローラ２０６は、メモリ２０９およびバッファ２１４に連結され得る。メモリ２０９は、ファームウエアコード、すなわちブートコードを記憶することが可能な、ＦｌａｓｈまたはＥＥＰＲＯＭなどの、不揮発性ソリッドステートメモリであって、コントローラが、ディスク２３２に対するスピンアップシーケンスなどの、データ記憶デバイス２００の機能を実施することを許容する。バッファ２１４は、読み出し動作および書き込み動作中にユーザデータを一時的に記憶することが可能であり、また、複数の処理待ちアクセス動作を実行待ち状態に一時的に記憶することが可能な指令待ち行列（ＣＱ）２１６を含むことが可能である。ＣＱ２１６は、不揮発性メモリまたは揮発性メモリに配置し得る。

さらに、図２は、データ記憶デバイス２００が、書き込み動作中にデータを符号化し、読み出し動作中にディスク（複数可）２３２から受信したユーザデータを再現する読み出し／書き込み（Ｒ／Ｗ）チャネル２２０を含むことが可能であることをさらに示す。プリアンプ／ドライバ回路（プリアンプ）２２２は、書き込み電流をヘッド（複数可）２３０に印加し、また、リードバック信号を事前増幅し得る。サーボ制御回路２２４は、サーボデータを用いて適切な電流をコイル２２８に提供し、ヘッド（複数可）２３０を位置付けすることが可能である。コントローラ２０６は、コマンドキュー２１６におけるさまざまな保留コマンドの実行の間に、（複数の）ディスク２３２上の所望の位置に（複数の）ヘッド２３０を動かすように、プロセッサ２２６と通信することができる。

ある特定的な実施形態では、データ記憶デバイス２００はまた、コントローラ２０６の内部にあるファームウエア、ロジック、もしくは回路であり得る、またはこのコントローラの外部にあり得る、ハイバネーション制御機器２１２を含み得る。ハイバネーション制御機器２１２は、図１に示すハイバネーション制御機器１１２であり得、ＤＳＤ２００は、図１に示すＤＳＤ１１４であり得る。ホスト２０２は、ホストインターフェース２０４を介してＤＳＤ２００に指令を送って、ＤＳＤ２００のデータ記憶媒体のうちの１つ以上のハイバネーションパーティションに配置され得る第１のメモリ場所にハイバネーションデータを記憶し得る。このハイバネーションパーティションは、不揮発性のソリッドステート媒体２１８、ディスク記憶媒体２３２、または他の任意の記憶媒体を含み得る。

動作中、ハイバネーション制御機器２１２は、ホストからの通知なしで、ハイバネーションデータの場所を単独で判定するように構成することが可能である。例えば、ハイバネーション制御機器２１２は、ハイバネーションデータの場所をパーティションタイプに基づいて判定することが可能である。これを実現するために、ハイバネーション制御機器２１２は、ハイバネーションパーティションに対応するパーティションＩＤを求めてマスターブート記録（ＭＢＲ）を走査し得る。ハイバネーションパーティションが見つかれば、ハイバネーション制御機器２１２は、ハイバネーションパーティションに対する論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）範囲を判定することによって、ハイバネーションパーティションの場所を計算し得る。したがって、ＤＳＤ２００にとって、ハイバネーションパーティションまたはハイバネーションデータを突き止めるためには、ホストのヒントは必要ない。ハイバネーション制御機器２１２は、別のパーティションまたはデータ記憶媒体などの適切な場所を選択して、次に、ハイバネーションパーティションのために意図される後続の読み出しおよび書き込み用の第２のメモリ場所を指定することによって、第２のメモリ場所にハイバネーションデータを割り当て得る。第２のメモリ場所は、第１のメモリ場所よりも速いアクセス時間を有し得る。第２のメモリ場所は、不揮発性のソリッドステート媒体、ディスク記憶媒体、または他の任意の記憶媒体を含み得る。

ＤＳＤ２００またはその中のデータ記憶媒体のいずれかのメモリ記憶容量は、論理的または物理的パーティションに分割され得る。パーティションは、類似のまたは互いに異なった機能を有し得るが、不揮発性のソリッドステート媒体２１８またはディスク記憶媒体２３２などの、ＤＳＤ２００中の利用可能なデータ記憶メモリのうちのいずれかに配置され得る。

図３を参照すると、ハイバネートから迅速に再開する記憶パーティションの例示の実施形態の図が示されており、一般的に３００と示される。図３の例では、第１のパーティション３０２、第２のパーティション３０４、第ｎのパーティション３０６などの、ＤＳＤと関連付けられたいくつかのパーティションがあり得る。各々のパーティションは、パーティションのうちの少なくとも１つがハイバネーションパーティションとして指定されるパーティションタイプを割り当てられ得る。図３に示す例では、第２のパーティション３０４は、ハイバネーションパーティションとして指定され、また、１０００から１９９９までなどの論理ブロックアドレス（ＬＢＡ）の関連付けられた範囲を有し得る。

この割り当てられたパーティションタイプは、ＯＳによって定義もしくは作成され、またはＯＳの具体的な要件に順守するように作成され得る。各々のパーティションは、異なったパーティションタイプを有し、また、あるパーティションをハイバネートパーティションとして指定する１つ以上のパーティションまたはパーティションタイプが存在し得る。割り当てられたパーティションタイプは、図４に示す例となるマスターブート記録（ＭＢＲ）などのパーティション記録中に指定され得る。

図４を参照すると、一般的に４００、すなわち、マスターブート記録（ＭＢＲ）パーティションテーブルという形態のパーティション記録の例が、示されている。このようなテーブルは、ＤＳＤ内のパーティションに関連する識別情報および他の有用な情報を記憶することが可能である。この例４００では、左から右へ、テーブル中のエントリは、パーティションタイプ識別子、ヘッド開始値、セクター開始値、シリンダ開始値、パーティション識別子（ＣＥｈ）、ヘッド終了値、セクター終了値、シリンダ終了値、開始セクター値、およびパーティションサイズ値を含むことが可能である。このような例となるテーブルは、シリンダ−ヘッド−セクター別のデータ記憶媒体と共に使用可能であり、また、このデータ記憶媒体のパーティションにアクセスしてこれらを用いるために必要な情報を提供することが可能である。しかしながら、このテーブルの変形形態を、ＤＳＤのタイプおよび関連付けられたＯＳに基づいて、必要に応じて、これより多いまたは少ないエントリを持つように構築することが可能である。

本明細書中のシステムおよび機能は、パーティションタイプを示すいかなるタイプのシステムとも連動することが可能である。パーティションテーブルまたは記録は、ＤＳＤのメモリに記憶し得るが、これによって、ＤＳＤまたはＯＳは、このパーティション記録を検索して、どのパーティションがハイバネートパーティションとして指定されているかを判定することを許容することが可能である。加えて、ＤＳＤまたはＯＳを、他のパーティションタイプを選択して、これと関連付けられたデータ記憶を、現在の物理的場所よりも早いまたは信頼性の高いレベルのデータ記憶に促進するように選ぶことが可能である。

更に、ＤＳＤは、ＭＢＲまたはＧＵＩＤパーティションテーブル（ＧＰＴ）などの異なった識別システムを用い得る。ＭＢＲ識別システムは、最大で４つの一次パーティションを持つＤＳＤをサポートすることが可能であり、また、ＧＰＴ識別システムは、無制限の数のパーティションを持つＤＳＤをサポートすることが可能である。更に、本明細書に説明するこれらのＤＳＤは、基本入出力システム（ＢＩＯＳ）の代わりであるユニファイド・エクステンシブル・ファームウェア・インタフェース（ＵＥＦＩ）イニシアティブに適合することが可能である。

図５を参照すると、ハイバネートから迅速に再開する方法の例示の実施形態のフローチャートが図示されており、一般的に５００と示される。この方法５００は、ＤＳＤが、どのデータ記憶エリアがハイバネーションデータのために用いられるかを、ホストからの干渉や指示なしで自己判定することを許容する。方法５００は、５０１で、ホストが、データを第１のメモリ場所に記憶するようにＤＳＤに指令を送ることを含み得る。ＤＳＤは、５０２でパーティションテーブルを読み出し、５０４でハイバネーションパーティションを判定するためにこのパーティションテーブルを走査し得る。ＤＳＤは、５０６で、パーティションテーブル中のパーティションの各々のパーティションＩＤを見ることによってハイバネーションパーティションを検索することが可能である。パーティションテーブルは、マスターブート記録（ＭＢＲ）などの、上述した例に類似し得る。ハイバネーションパーティションが見つからなければ、５１２で、ＤＳＤは、ハイバネーションパーティションが見つかるまでパーティションを検索し続け得る。ハイバネーションパーティションが見つからず、かつすべてのパーティションが検索された場合、検索は５１４で終了し得る。ＤＳＤは、いつでも走査を終了し得る。

ハイバネーションパーティションが見つかれば、ＤＳＤは、５０８で、ハイバネーションパーティションの場所を計算することが可能である。ハイバネーションパーティションの場所は、ハイバネーションパーティションのＬＢＡ範囲を判定することによって計算し得る。５１０で、ＤＳＤは、次に、適切なメモリ場所を選択し、次に、ハイバネーションデータを記憶するようにこの選択したメモリ場所を指定することによって、ハイバネーションデータを第２のメモリ場所に割り当て得る。この選択されたメモリ場所は、不揮発性のソリッドステート媒体を含み、また、第１のメモリ場所よりも早いアクセス時間を有し得る。ＤＳＤは、５１６で、この選択されたメモリ場所におけるハイバネーションパーティション用に意図されたデータを記憶し得る。また、ＤＳＤは、５１６で、更なるハイバネーションデータまたはパーティションを検索し、また、更なるハイバネーションデータを、選択されたメモリ場所に記憶し得る。

いくつかの事例では、ホストがＤＳＤに書き込みをすると、パーティションテーブルが変更され得る。５１８で、ＤＳＤは、パーティションテーブルが変化したかどうかを絶えずチェックすることが可能である。パーティションテーブルが変化していない場合、ＤＳＤは、５１６で、ハイバネーションデータを選択されたメモリ場所に記憶し続け得る。パーティションテーブルが変化していれば、ＤＳＤは、変化したパーティションテーブルを５０２で読み出して、このプロセスを最初から開始することが可能である。ＤＳＤは、パーティションテーブルが変化したかどうかを絶えずチェックするのではなく、むしろ、周期的にチェックしたり、非周期的にチェックしたり、トリガ事象（指令、電力事象、またはエラー表示など）に応答してチェックしたり、または、パーティションテーブルに対する変化をチェックしなかったりし得る。

本明細書に説明する実施例では、ＤＳＤは、ホストとは無関係にハイバネーションパーティションの場所を判定することが可能であり、また、ハイバネーションデータを優先的に記憶する異なったメモリ場所があるかどうかを判定することが可能であるため、ハイバネーションパーティションの場所を判定するために、ホストから干渉も、命令も、ヒントも必要としない。更に、本明細書中の方法および機能は、図１のＤＳＤ１１４または図２のＤＳＤ２００を介して実現され得る。

本明細書に提供される説明および例は、本開示をどのようにデータ記憶システムに応用可能であるかについての少数の例にすぎない。本明細書に説明される方法およびシステムが、計算システムおよびデータ記憶システムに応用可能な関連が他にも多く存在する。例えば、本明細書に説明される方法およびシステムは、計算システム、およびハイブリッドストレージを有するデータ記憶デバイスにとって、この計算システムまたはこのデータ記憶デバイスが、少なくとも１つの不揮発性ソリッドステートデータ記憶媒体および少なくとも１つのディスク記憶媒体を有する場合、またはハイブリッドデータ記憶デバイスが、異なるプロパティを持つ２つの異なるタイプの不揮発性メモリを有し、かつこれらのタイプのメモリのうちの一方がハイバネーションデータを優先的に記憶する場合などに、特に有用である。

限定されるものではないが、特定用途向け集積回路、プログラム可能な論理アレイ、および他のハードウェアデバイスを含む専用ハードウェアの実装は、本明細書に記載された方法を実装するように同様に構築され得る。更に、本明細書に説明される方法は、実行されると、プロセッサに対して、本明細書に説明される方法および機能を実施させる命令を含む、コンピュータ可読媒体として実現され得る。

本明細書に記載された実施形態の実例は、さまざまな実施形態の構造の一般的な理解を与えることを意図される。実例は、本明細書に記載された構造もしくは方法を利用する装置およびシステムの要素や特徴の全ての完全な記載として供されることを意図されない。多くの他の実施形態は、開示を検討すれば、当業者に明らかであろう。他の実施形態は、構造的および論理的置換や変更が開示の範囲から逸脱することなくなされ得るように、利用され得、開示から導かれ得る。その上、特定の実施形態が本明細書に例示され記載されたが、同じまたは類似目的を達成するように設計された任意の後続の配置が、示された特定の実施形態に置換され得ることが理解されるべきである。

この開示は、さまざまな実施形態の任意のおよび全ての後続の適応または変形を包含することが意図される。上記実施形態の組み合わせ、および本明細書に特に記載されていない他の実施形態は、説明を再検討すれば、当業者に明らかになるであろう。更に、実例は、単に代表するものであり、縮尺に合わせて描かれていない可能性がある。実例の範囲内の一定部分は、誇張され得る一方で、他の部分は縮小され得る。したがって、開示および図面は、限定的なものではなくて、例示的なものであるとして、みなされるべきである。

Claims (20)

1. 装置であって、
   データ記憶デバイス（ＤＳＤ）であって、
   ハイバネーションデータの第１のメモリ場所を、前記第１のメモリ場所の指示をホストから受信することなく判定し、
   前記ハイバネーションデータを前記ＤＳＤの第２のメモリ場所に記憶する、
   ように構成された回路、
   を含む、ＤＳＤ、
   を備える、装置。
2. インターフェースであって、前記ＤＳＤが、前記ホストから物理的に取り外されることと、前記インターフェースが前記ホストに連結されると前記ホストから指令を受信することと、を許容するように構成された、インターフェースを更に備える、請求項１に記載の装置。
3. パーティションテーブルを検索することによって、前記データ記憶デバイスのハイバネーションパーティションを識別するように構成された回路を更に備える、請求項１に記載の装置。
4. 前記ハイバネーションデータが前記第２のメモリ場所に記憶された後で、更なるハイバネーションデータを受信し、前記更なるハイバネーションデータを前記第２のメモリ場所に記憶するように構成された回路を更に備える、請求項３に記載の装置。
5. 前記第２の記憶場所が、前記第１の場所よりも速いアクセス時間を有することを更に含む、請求項４に記載の装置。
6. 前記第１の記憶場所が、ディスクデータ記憶媒体であり、前記第２の記憶場所が、不揮発性ソリッドステート記憶媒体であることを更に含む、請求項５に記載の装置。
7. 前記更なるハイバネーションデータが、データを前記第１のメモリ場所に記憶するための命令を含むことを更に含む、請求項４に記載の装置。
   
8. 指定されたパーティションタイプに基づいて、前記ハイバネーションデータの場所を判定するように構成された回路を更に備える、請求項３に記載の装置。
9. ハイバネーションデータを求めて前記ＤＳＤの前記パーティションの各々を検索するように構成された回路を更に備える、請求項８に記載の装置。
10. 前記ハイバネーションパーティションと関連付けられたハイバネーションパーティションタイプを識別するパーティションテーブルを含む、パーティション識別システムを更に備える、請求項１に記載の装置。
11. 前記パーティションテーブルが変更されたかどうかを判定し、
    前記記録が変更された場合、ハイバネーションデータの第１のメモリ場所を、前記ホストから前記第１のメモリ場所の指示を受信することなく判定することを繰り返す、
    ように構成された回路を更に備える、請求項１０に記載の装置。
12. ホストから取り外し可能なデータ記憶デバイス（ＤＳＤ）内部で、ハイバネーションデータの第１のメモリ場所を、ホストから前記第１のメモリ場所の指示を受信することなく判定することと、
    前記ハイバネーションデータを前記ＤＳＤの第２のメモリ場所に記憶することと、
    を含む、方法。
13. 前記第１のメモリ場所を有するハイバネーションパーティションを、パーティションタイプに基づいて判定することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記第１のメモリ場所向けの更なるデータを前記ホストから受信することと、前記第２のメモリ場所にある前記ハイバネーションデータを前記更なるデータで更新することと、を更に含む、請求項１３に記載の方法。
15. パーティション識別記録が変更されたかどうかを判定することと、
    前記パーティション識別記録が変更された場合、前記第１のメモリ場所の場所を判定することを繰り返すことと、
    を更に含む、請求項１２に記載の方法。
16. 前記第１のメモリ場所より速いアクセス時間を有する前記第２のメモリ場所のためのメモリ記憶場所を選択することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
17. 第１のメモリと、
    前記第１のメモリとは異なる少なくとも１つのプロパティを有する第２のメモリと、
    前記第１のメモリにあるハイバネーションデータの第１のデータ記憶場所を、ホストから前記第１のデータ記憶場所の指示を受信することなく判定し、
    前記ハイバネーションデータを、前記第２のメモリの第２のデータ記憶場所に記憶する、
    ように構成された、コントローラと、
    を備える、デバイス。
18. 前記少なくとも１つの異なるプロパティが、前記第１のメモリのアクセス速度と比較した前記第２のメモリのアクセス速度であることを更に含む、請求項１７に記載のデバイス。
19. 前記少なくとも１つの異なるプロパティが、前記第１のメモリの信頼性と比較した前記第２のメモリの信頼性であることを更に含む、請求項１７に記載のデバイス。
20. ホストから指令およびデータを受信するように構成され、前記デバイスが前記ホストから分離されることを許容するようにも構成される、インターフェースと、
    パーティションテーブル中で識別されたハイバネーションパーティションを検索することによって、前記第１のデータ記憶場所を識別し、
    更なるハイバネーションデータを受信して、前記更なるハイバネーションデータを前記第２のデータ記憶場所に記憶する、
    ように更に構成された、前記コントローラと、
    を更に備える、請求項１７に記載のデバイス。