JP2014178541A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】壁構造体を有する液晶表示装置において、低温衝撃気泡の発生を抑制する。また、製造時の基板内部の電極等の損傷を防止する。
【解決手段】第一基板と、前記第一基板に対向するように設けられた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との聞に設けられた液晶層６と、前記第一基板上に形成された壁構造体４と、壁構造体４の少なくとも側面に設けられた画素電極８と、前記第一基板上に形成された共通電極５とを有し、画素電極８と、共通電極５を含む複数の画素を備え、壁構造体４の一部分に高さの高い部分が設けられており、かかる高さの高い部分において前記第一基板と前記第二基板が接触する液晶表示装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、いわゆる横電界方式で駆動する液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタ等が形成された対向基板との聞に液晶を充填し、この液晶の分子を電界によって駆動・制御することによって画像を形成する。その中でも、近年では横電界方式（ＩＰＳ方式）と呼ばれる方式で駆動される液晶表示装置が多く用いられている。

ＩＰＳ方式とは、液晶分子をパネル面に水平に配向させ、パネル面と平行な電界（横電界）を印加して液晶分子をパネル面と水平な面内で回転させる液晶の駆動方式である。このＩＰＳ方式の液晶表示装置は、映像信号線（ドレイン線）や走査信号線（ゲート線）及び薄膜トランジスタや画素電極等が形成される第一基板側に共通電極も形成され、画素電極と共通電極とに印加する電圧差で生じる第一基板の面内方向の電界により液晶層を駆動する。この構成からなるＩＰＳ方式の液晶表示装置では、例えば、透明導電膜で形成される面状の共通電極の上層に絶縁膜を介して線状の画素電極が重畳して配置される構成となっている。

このＩＰＳ方式の中でも、液晶表示部の関口率をより高めるために、液晶表示装置の隣接画素を跨ぐようにして壁構造体を形成し、この壁構造体の側壁に画素電極を形成し、さらに、ＴＦＴ基板と対向基板に共通電極と対向電極をそれぞれ形成し、基板面に平行な電界を発生せしめて液晶層を駆動する方式が近年多く用いられるようになっている。

また、液晶表示装置におけるＴＦＴ基板と対向基板の間の間隔は数ミクロンと非常に小さく、ＴＦＴ基板と対向基板の間の間隔を適切に設定することは、液晶による光の透過を制御するためには極めて重要である。そこで、上記の壁構造体に、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を保持させるスペーサとしての機能を兼備させることが提案されてきた。

ところで、液晶表示装置を製造する際には、基板間に液晶を充填して封止する必要がある。そして近年多用されている液晶の充填方法として、まず一方の基板上に液晶を必要量滴下し、その後他方の基板を封止して液晶を充填する液晶滴下注入法（ＯＤＦ方式）と呼ばれる方法がある。

ＯＤＦ方式によると、従来の液晶注入法に比べて大型の製造設備が不要で、また製造に掛る時間も短縮でき、且つ液晶の大量生産が容易になるという利点があるが、液晶の滴下や、上記の基板間の間隔の保持に非常に高い精度が求められる。

このＯＤＦ方式を、上記のように壁構造体にスペーサ機能を備えさせた液晶表示装置に対して適用すると、低温衝撃気泡の発生が懸念される。低温衝撃気泡とは、液晶を封入した液晶パネル等に外力等による衝撃が加わった際に、液晶層中に負圧が生じ、液晶層中に溶け込んでいた窒素等の気体成分が溶出して発生するいわゆる真空気泡の中でも、特に−２０℃程度の低温環境下で発生する気泡のことである。

この低温衝撃気泡は、再溶解し難く、なかなか消滅しないため、表示むら発生等の大きな原因となる。低温衝撃気泡は、基板とスペーサとの接触部において発生しやすく、また低温衝撃気泡の発生を抑制する性能は、スペーサと基板との接触面積に反比例することが実験的に確かめられている。

壁構造体を採用したＩＰＳ方式の液晶表示装置において低温衝撃気泡の発生が問題となる理由は、壁構造体の高さは一定で、旦つ画素の長辺上すべてに形成されることから、いわゆるメインスペーサのみを高密度で配した状態となり、メインスペーサよりわずかに高さが低いサブスペーサを配置するスペースがないからである。即ち、サブスペーサを配置する場合と比べて基板とスペーサ間の接触面積が増加してしまうからである。

また、壁構造体をスペーサと兼用する場合に上記のＯＤＦ方式を用いて液晶表示装置を製造した場合、基板を張り合わせた際の圧力を壁構造体が直接受けることとなり、電極であるＩＴＯや、層間絶縁膜、あるいは壁構造体自体にダメージが発生することが懸念される。

特許文献１においては、ＶＡ方式の液晶表示装置において、基板間に壁構造体と支持体を配置して液晶層の厚さを規定する技術が開示されている。また、特許文献２及び３においても、スペーサを用いて基板間の厚さを保持する技術が開示されている。しかし、これらのいずれも、ＩＰＳ方式の低温衝撃気泡を抑制したり、壁構造体等の損傷を防止するには不十分であった。

特開２００５−１５７２２４号公報 特開２００９−１４５８６５号公報 特開２０１０−２１０８６６号公報

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、壁構造体を有する液晶表示装置において、低温衝撃気泡の発生を抑制することである。また、さらなる追加の課題は、壁構造体を有する液晶表示装置において、製造時の基板内部の電極等の損傷を防止することである。

上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、以下のような技術的特徴を有している。

（１）第一基板と、前記第一基板に対向するように設けられた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との聞に設けられた液晶層と、前記第一基板上に形成された壁構造体と、前記壁構造体の少なくとも側面に設けられた画素電極と、前記第一基板上に形成された共通電極とを有し、前記画素電極と、前記共通電極を含む複数の画素を備え、前記壁構造体の一部分に高さの高い部分が設けられており、かかる高さの高い部分において前記第一基板と前記第二基板が接触する。

（２）（１）において、前記壁構造体の一部分は、前記第一基板上に形成されたＴＦＴ部の直上に形成される。

（３）（１）又は（２）において、前記壁構造体の一部分は、前記第一基板上に形成されたスペーサ膜の直上に形成される。

（４）前記壁構造体の一部分の側面には、前記画素電極は形成されていない。

（５）（４）において、前記壁構造体の一部分の側面には、前記共通電極は形成されていない。

（６）（５）において、前記壁構造体の一部分の側面には、前記画素電極と前記共通電極を隔てる絶縁膜は形成されていない。

（７）（１）乃至（６）のいずれかにおいて、前記画素の数と、前記壁構造の一部分の数が異なる。

（８）（１）乃至（７）のいずれかにおいて、前記画素はその長手方向の中央付近で屈曲した形状である。

本発明の上記各技術的特徴によれば、壁構造体を有する液晶表示装置において、低温衝撃気泡の発生を抑制することができる。また、壁構造体を有する液晶表示装置において、製造時の基板内部の電極等の損傷を防止することができる。

本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置における画素構成を模式的に表す断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置における画素構成を模式的に表す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の変形例における断面を示す図である。 本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置のさらなる変形例における断面を示す図である。 隣接する３画素の構成を模式的に表す平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置における画素構成を模式的に表す断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置における画素構成を模式的に表す平面図である。

以下、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置１００を図１乃至図＊を用いて詳細に説明する。

図１は、本実施形態の液晶表示装置１００における画素構成を模式的に表す断面図であり、図２は、本実施形態の液晶表示装置における画素構成を模式的に表す平面図である。

液晶表示装置１００は、図１に示すように、第一基板であるＴＦＴ基板２と、ＴＦＴ基板２に対向するように設けられた第二基板であるカラーフィルタ（ＣＦ）基板１と、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板１との間に設けられた液晶層６とを積層した構造となっている。ＴＦＴ基板２上には、壁構造体４と、壁構造体４より高さの低い副壁構造体１２が形成され、少なくとも壁構造体４の側面に設けられた第一電極である画素電極８と、ＴＦＴ基板２上に形成され、少なくとも副壁構造体１２を覆う共通電極５とを有している。画素電極８は、本実施形態では、壁構造体４の側面と、壁構造体４と副壁構造体１２との間の領域を覆うように設けられており、図示の断面構造は概略Ｌ字状である。そのため、副壁構造体１２は平面視において画素電極８に覆われていない。共通電極５は、本実施形態では、ＴＦＴ基板２の全面を覆うように設けられているが、副壁構造体１２を覆っていればよい。すなわち、平面視において、副壁構造体１２が配置されている領域では共通電極５は画素電極８に覆われない。画素電極８と共通電極５の間は絶縁膜１３により隔てられている。また、壁構造体４と副壁構造体１２との間の領域において、画素電極８を覆うように絶縁膜７が設けられている。絶縁膜７は、副壁構造体１２を覆っていてもよい。なお、同図では配向膜はその図示を省略している。

ＣＦ基板１は、赤色用フィルタ、緑色用フィルタ、青色用フィルタを有し、バックライト（不図示）から照射されて、液晶層６を透過した光に色彩を与える役割を果たす。また後述するようにＣＦ基板上の、画素間を画する位置にはブラックマトリクスＢＭが形成され、さらに対向電極９、オーバーコート層ＯＣを含む。

液晶表示装置１００は、このように、互いに対向するＣＦ基板１とＴＦＴ基板２との聞に所定の間隙を設け、その間隙に液晶を満たすことにより液晶層６が形成された構造となっている。そして、液晶層６は、画素電極８と副壁構造体１２上に配置された共通電極間に生成される電界によって駆動される。すなわち、隣り合う壁構造体４にはさまれ、共通の電位が与えられる画素電極８と共通電極５により液晶が駆動される領域が１つの画素１０となる。図１は、液晶表示装置１００の１つの画素の断面を示している。

なお、壁構造体４はブラックマトリクス層ＢＭにより遮光される遮光領域に配置されており、また、壁構造体４の下部にはドレイン信号線１４が配置されている。また、ＴＦＴ基板２上には、ドレイン信号線１４の他、図示していない走査信号を印加するゲート信号線がマトリクス状に配置され、１組のゲート信号線及びドレイン信号線１４によって矩形状の画素１０が形成されている。ＴＦＴ基板２上には、その他にもＴＦＴ等のスイッチング素子その他の回路要素が配置されているが、これらは図１に示した断面には現れていない。

ＣＦ基板１及びＴＦＴ基板２の素材としては、例えばガラス基板が一般的であるが、絶縁性を有する透明樹脂基板であっても良い。また、画素電極８及び共通電極５は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料を用いて、スパックリング法で電極膜を形成して、フォトリソグラフィ法で選択エッチングする等の方法で形成されている。また、ＩＴＯ以外にも例えばＩｎＺｎＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）等の各種の金属酸化物材料を用いて良い。壁構造体４及び副壁構造体１２は、例えば感光性樹脂材料を用い、既知のフォトリソグラフィ法等によりを形成される。

なお、壁構造体４は、画素１０と隣接画素１１との境界を画する遮光領域或いは液晶表示装置１００の有効表示領域ではない表示部の周辺回路領域に形成されている。ここで遮光領域とは、ＣＦ基板１上に形成される、表示に寄与せずに遮光する領域のことであり、本実施形態においては感光性樹脂等で形成されたブラックマトリクス層ＢＭを形成して遮光領域としている。遮光領域は、ブラックマトリクス層ＢＭ以外にも例えばＴＦＴやゲート信号配線、ドレイン信号線１４等に遮光能力をもたせることにより形成してもよい。また、画素電極８は、前述のように、液晶層６に均一な横電界を印加するために、少なくとも壁構造体４の側面に形成されているが、壁構造体４の上部には形成しないことが好ましい。隣接画素１１の画素電極８との短絡を避けるためである。従って、画素電極８を形成する際には、適当なマスクを用いるか、壁構造体４の上部に予め剥離用の膜を形成しておき、電極膜の形成後除去するとよい。絶縁膜７は、共通電極５と画素電極８の間、或いはこれらの電極とその他の回路要素との間で不必要な短絡が生じないようにするためのものであり、ＳｉＮ等の材料により公知のＣＶＤ法等で形成する。

以上の構成により、画素電極８の特に壁構造体４の側面に形成された部分と、副壁構造体１２を覆う共通電極５の部分との間に、画素電極８に印加された電圧に応じた強さのＣＦ基板１及びＴＦＴ基板２に平行な方向成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶層６中の液晶の分子の配向方向が水平面内で回転するように駆動される。このような液晶表示装震は、一般にＩＰＳ方式あるいは横電界方式と称され、広視野角表示ができるものとして知られている。なお、本実施形態に係る液晶表示装置１００は、液晶層６に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を増加させていくノーマリブラックの表示を行うようになっている。

図２は本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置１００における画素構成を模式的に表す平面図である。同図に示すように画素１０は概ね矩形をしており、図示されていないがゲート信号線とドレイン信号線とで固まれる領域からなっている。なお、同図はＴＦＴ基板２上に形成された構造を図示しており、絶縁膜７，１３については図示を省略している。

そして本実施例において壁構造体４は、画素の左右両端側に、画素を挟み込むように連続して形成されており、壁構造体４の一部はＴＦＴ部１７に覆いかぶさるように形成されている。ここで、ＴＦＴ部１７とは、ＴＦＴ基板２の一部領域であって、ＴＦＴを形成する層、すなわち、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び半導体層が形成されている領域であり、かかるＴＦＴ部１７では、ＴＦＴを構成する各層の厚みの分だけＴＦＴ基板２の表面が盛り上がった形状となっている。また、スルーホール１５は、画素電極８とＴＦＴ部１７に形成されたＴＦＴのドレイン電極（又はソース電極）とを接続する構造である。なお、先に示した図１は図２のＩ−Ｉ線による断面を示す図である。

図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面を示す図である。同図に示されるように、ＴＦＴ部１７の直上に形成された壁構造体４は、ＴＦＴ部１７の厚みの分だけその高さが部分的に高くなる。そして、壁構造体４は、その部分的に高さが高くなった部分において、ＣＦ基板１のオーバーコート層ＯＣと接触し、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２との間の間隙の幅を規定している。すなわち、壁構造体４のＴＦＴ部１７の直上以外の大半の部分は、ＣＦ基板１とは接触せず、ＴＦＴ部１７の厚みの分だけ隙間があいていることになる。

この構造により、ＣＦ基板１はＴＦＴ部１７の直上のわずかな範囲での接触によりＴＦＴ基板２との距離が規定されることとなり、残る大半の範囲においては面の法線方向への撓みが許容される。このため、低温により液晶層６の体積が収縮した場合にも、ＣＦ基板１のたわみによりその体積変化は吸収され、液晶層６が著しい減圧雰囲気となることはなく、低温衝撃気泡の発生が防止される。

なお、図３に示したように、ＴＦＴ部１７の直上に形成された壁構造体４の側面には、画素電極８は形成されていない。これは、ＴＦＴ部１７は光を透過する開口部の外側に形成されているため、その直上に形成された壁構造体４の部分もまた開口部の外側に形成されており、係る部分に画素電極８を設けても表示に寄与するところはなく、むしろ不要な部分に画素電極８を設けることによる電界の乱れを防ぐためである。

なお、以上説明した構造による効果は、ＴＦＴ基板２上に形成された壁構造体４の一部分のみがＣＦ基板１と接触することにより、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板１との間の距離を規定するものであれば得られるのであり、その具体的な構造はここで説明した実施形態のものに限定されない。壁構造体４の一部分のみがＣＦ基板１と接触するための構造は、本実施形態で挙げたように、壁構造体４の下部に適宜の厚みを有する構造を設けることにより壁構造体４の一部分の高さを高くするもののほか、壁構造体４の頂面の一部分に突起である支持体を作成するもの、ＣＦ基板１側に突起である支持体を作成するものが挙げられ、そのいずれを採用するものとしても差し支えない。

図４は、本実施形態に係る液晶表示装置１００の変形例における断面を示す図である。なお、同図は、図３に対応した図であり、図３と同じく図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面を示している。本変形例では、ＴＦＴ部１７の直上における壁構造体４の側面及び頂面に共通電極５を形成しないようにしている。この理由は次のとおりである。すなわち、液晶表示装置１００をＯＤＦ方式を用いて製造するにあたり、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２を貼り合わせる際の圧力は、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２とが接触するＴＦＴ部１７の直上における壁構造体４の部分に集中し、この圧力は壁構造体４を垂直方向に圧縮する力として作用する。このとき、壁構造体４の側面に形成された膜にも膜の面内方向における圧縮力が作用するため、その膜が壁構造体４との密着力が弱かったり、弾性変形しづらく脆性を示すなど変形に対して弱い膜である場合には、当該膜が破損し壁構造体４から剥離して、液晶層６中に異物として混入する恐れがある。そして、共通電極５は、本実施形態の場合、先に説明した通りＩＴＯ等の金属酸化物であり、変形に弱いため、あらかじめＴＦＴ部１７の直上における壁構造体４の側面にこれを形成しないようにしているのである。

図５は、本実施形態に係る液晶表示装置１００のさらなる変形例における断面を示す図である。同図もまた図３に対応した図であり、図３と同じく図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面を示している。本変形例では、共通電極５に加え、ＳｉＮ等の無機膜である絶縁膜１３についても、ＴＦＴ部１７の直上における壁構造体４の側面にこれらを形成しないようにしており、ＯＤＦ方式による製造の際に、これら膜の破損及び剥離を防止している。

ところで、以上の説明では、１画素に付き１箇所の割合で、壁構造体４の一部分に高さの高い部分（すなわち、ＴＦＴ部１７の直上に位置する部分）を設けるものとして説明した。しかしながら、これに限定されず、複数の画素に対し１箇所の割合とする等、壁構造体４の一部分の高さの高い場所の数と配置は必ずしも画素と１対１に対応せずともよく、例えば、複数の画素に対して、壁構造体４の一部分の高さの高い場所を１箇所設けるようにしてもよい。図６は、隣接する３画素の構成を模式的に表す平面図である。同図に示した例では、隣接する３画素に対して、図中Ａで示した位置においてのみ壁構造体４がＴＦＴ部１７（図示せず）の直上に配置されており、３画素に対し１箇所の割合で壁構造体４の一部分に高さの高い部分が設けられている。壁構造体４の一部分に設けられる高さの高い部分の個数及び配置は任意であるが、かかる部分の個数が多く、密に配置されているほどＣＦ基板１とＴＦＴ基板２との間の間隙は変動せず、低温衝撃気泡が発生する恐れが強くなる。一方で、かかる部分の個数が少なく、疎に配置されているほどＣＦ基板１（又はＴＦＴ基板２）がたわみやすく、液晶層６の厚さが変化しやすくなるため表示する画像にむらが生じる恐れが強くなる。従って、壁構造体４の一部分の高さの高い部分の個数及び配置は、製造しようとする製品に応じて最適となるよう選択すべきである。また、配置に関して言えば、壁構造体４の一部分の高さの高い部分は規則正しく配置されていても（例えば、格子状配置）、不規則に配置されていてもよい。

以上説明した本実施形態に係る液晶表示装置１００では、壁構造体４を、その一部がＴＦＴ部１７の直上に形成されるようにすることにより、壁構造体４の一部分に高さの高い部分を作り出し、係る部分がＣＦ基板１と接触するようにしていたが、壁構造体４の一部部に高さの高い部分を作り出す手法はこれに限定されない。

図７は本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置２００における画素構成を模式的に表す断面図である。同図は先の第１の実施形態１００における図１に対応する図である。また、液晶表示装置２００は壁構造体４の一部分に高さの高い部分を作り出す方法が異なる他は第１の実施形態１００に係る液晶表示装置１００と同様であるから、共通する部分については同符号を付し、その重複する説明は省略する。

同図には、画素１０の右側と左側に位置する壁構造体４がそれぞれ示されており、画素１０の右側に位置する壁構造体４には、その一部分に形成された高さの高い部分の断面が示されている。本実施形態では、先の実施形態のように、壁構造体４の高さの高い部分はＴＦＴ部の直上に壁構造体４を形成することによってではなく、壁構造体４の下部に所定の厚みを有する膜であるスペーサ膜１６をあらかじめ形成しておき、その上に跨るように壁構造体４を形成することにより、スペーサ膜１６の直上に高さの高い部分を設けている。スペーサ膜１６の材質や製法はどのようなものであってもよく、特に限定はないが、副壁構造体１２を作成する際に同時に作成するようにすると、スペーサ膜１６を作成するための追加の工程が不要であるため、製造コストの増加が抑えられる。その場合、副壁構造体１２の材質と、スペーサ膜１６の材質は等しいことになる。

なお、本実施形態は、ＴＦＴ部の直上に壁構造体４を形成することによって高さの高い部分を設けることを妨げるものではなく、スペーサ膜１６により形成された壁構造体４の高さの高い部分と、ＴＦＴ部により形成された壁構造体４の高さの高い部分とが混在していても差し支えない。また、壁構造体４の高さの高い部分の高さを調整するため、ＴＦＴ部の直上にさらにスペーサ膜１６を設けるようにしてもよい。

図８は、本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置３００における画素構成を模式的に表す平面図である。同図は先の第１の実施形態１００における図２に対応する図である。また、液晶表示装置３００は画素１０全体の平面形状が異なる他は第１の実施形態１００に係る液晶表示装置１００と同様であるから、共通する部分については同符号を付し、その重複する説明は省略する。

同図に示すように、液晶表示装置３００における画素１０は、その長手方向の中央付近で屈曲しており、画素１０の長手方向の配置方向（図中上下方向）に対し、壁構造体４及び副壁構造体１２がなす角度が互いに逆となるように領域Ｄ１及び領域Ｄ２を有している。このため、壁構造体４の側面に形成された画素電極８及び、副壁構造体１２を覆う共通電極５の部分もまた、領域Ｄ１及び領域Ｄ２で互いに逆となるような角度で配置されることになる。

図示の構成は、いわゆるマルチドメイン構造として知られているものであり、領域Ｄ１と領域Ｄ２において発生する電界を逆向き対称なものとすることで、それぞれの領域における液晶の回転角度を互いに逆向き対称とするためのものである。こうすることにより、液晶表示装置１００を特定の方向から見たときに発生する意図せぬ着色を、領域Ｄ１と領域Ｄ２において相殺し合い、広い視野角において高品質の画像表示を行うというものである。

上述の第１の実施形態に基づいて液晶表示装置１００を試作した。この際、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２との間の接触面積率を、画像表示領域の面積に対する、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２とが接触している部分の面積（すなわち、ＴＦＴ部１７の直上に形成された壁構造体４の部分）で定義した際に、接触面積率が０．０５４％となるようにＴＦＴ部１７の直上に形成された壁構造体４の部分の個数及び配置を行った。

かかる液晶表示装置１００に対し、低温衝撃気泡の発生に対する耐性を評価するため、次の低温衝撃気泡試験を実施した。また、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２との間隙の大きさの維持性能を評価するため、次の繰り返し押し試験を実施した。

［低温衝撃気泡試験］
液晶表示装置１００を−２０℃で２４時間保持した後、−２０℃の環境下で直径１１ｍｍの鋼球を１０ｃｍの距離から自由落下させ液晶表示装置１００に衝突させ、低温衝撃気泡の発生の有無を目視で評価する。

［繰り返し押し試験］
液晶表示装置１００の表面の直径１０ｍｍの範囲に対し、１０５Ｎの負荷を２００Ｎ／ｓの速度で５回反復して負荷し、除荷１分後の圧迫痕の発生の有無を目視で評価する。

これら低温衝撃気泡試験及び繰り返し押し試験の結果、低温衝撃気泡の発生及び圧迫痕の発生は共に見られず、低温衝撃気泡に対し耐性を有し、なおかつ、ＣＦ基板１とＴＦＴ基板２との間隙の大きさが問題なく維持される液晶表示装置１００が得られていることが分かった。

１ ＣＦ基板、２ ＴＦＴ基板、３ 支持体、４ 壁構造体、５ 共通電極、６ 液晶層、７ 絶縁膜、８ 画素電極、１０ 画素、１１ 隣接画素、１２ 副壁構造体、１３ 絶縁膜、１４ ドレイン信号線、１５ スルーホール、１６ スペーサ膜、１７ ＴＦＴ部。

Claims (8)

1. 第一基板と、
   前記第一基板に対向するように設けられた第二基板と、
   前記第一基板と前記第二基板との聞に設けられた液晶層と、
   前記第一基板上に形成された壁構造体と、
   前記壁構造体の少なくとも側面に設けられた画素電極と、
   前記第一基板上に形成された共通電極とを有し、
   前記画素電極と、前記共通電極を含む複数の画素を備え、
   前記壁構造体の一部分に高さの高い部分が設けられており、かかる高さの高い部分において前記第一基板と前記第二基板が接触する液晶表示装置。
2. 前記壁構造体の一部分は、前記第一基板上に形成されたＴＦＴ部の直上に形成される請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記壁構造体の一部分は、前記第一基板上に形成されたスペーサ膜の直上に形成される請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
4. 前記壁構造体の一部分の側面には、前記画素電極は形成されていない請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記壁構造体の一部分の側面には、前記共通電極は形成されていない請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記壁構造体の一部分の側面には、前記画素電極と前記共通電極を隔てる絶縁膜は形成されていない請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記画素の数と、前記壁構造の一部分の数が異なる請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
8. 前記画素はその長手方向の中央付近で屈曲した形状である請求項１乃至７のいずれかに記載の液晶表示装置。

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