JP2014178143A - Concentration measurement sensor, concentration measurement sensor sheet, and manufacturing method thereof - Google Patents

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口 拓 也 樋
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a concentration measurement sensor, a concentration measurement sensor sheet, and a manufacturing method thereof, capable of preventing a defect caused by presence of endotoxin in an area where a reagent layer is arranged.SOLUTION: A concentration measurement sensor 10 includes: an insulation base material 12 with at least one surface serving as an insulation surface 12a having insulation property; and a conductive pattern 30 arranged on the insulation surface 12a of the insulation base material 12. The insulation base material 12 has a support base material 11 supporting the insulation base material 12 on the other surface thereof. A reagent layer 18 is arranged on the conductive pattern 30. An endotoxin concentration in an area 18a on which at least the reagent layer 18 is arranged, of the insulation base material 12 and the conductive pattern 30, is 0.01EU/mL or lower.

Description

本発明は、物質の濃度を測定するための濃度測定センサ、このような濃度測定センサを作製する際に用いられる濃度測定センサ用シート及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a concentration measuring sensor for measuring the concentration of a substance, a sheet for a concentration measuring sensor used for producing such a concentration measuring sensor, and a method for manufacturing the same.

血液等の生体試料中の特定成分について迅速かつ簡便に濃度等を測定する方法として、電気化学的検出手段によるセンサ(濃度測定センサ)が実用化されている。このようなセンサの一例として、電気化学的に血液中のグルコース濃度を定量化するグルコースセンサがある。   As a method for quickly and easily measuring a concentration or the like of a specific component in a biological sample such as blood, a sensor (concentration measurement sensor) using an electrochemical detection means has been put into practical use. An example of such a sensor is a glucose sensor that quantifies the glucose concentration in blood electrochemically.

グルコースセンサでは、基材と、基材上に設けられた作用電極と対電極を含む電極系と、酵素及び電子受容体とを基本構成として備えている。酵素は血液中のグルコースを選択的に酸化してグルコン酸を生成し、また同時に電子受容体を還元して還元体を生じる。この還元体に外部デバイスから電極系へ一定の電圧を印加することで還元体が再び酸化され、その際に電流が発生する。この電流値が血液中のグルコース濃度に依存することから、血液中のグルコースを定量化して測定することができる。   A glucose sensor includes a base material, an electrode system including a working electrode and a counter electrode provided on the base material, an enzyme, and an electron acceptor as basic components. The enzyme selectively oxidizes glucose in the blood to produce gluconic acid, and at the same time reduces the electron acceptor to produce a reduced form. By applying a certain voltage to the reductant from the external device to the electrode system, the reductant is oxidized again, and current is generated at that time. Since this current value depends on the glucose concentration in the blood, glucose in the blood can be quantified and measured.

特開2012−127695号公報JP 2012-127695 A

ところで、一般にエンドトキシンという細菌壁毒素が知られている。このエンドトキシンは、大腸菌やサルモネラ菌をはじめとするグラム陰性菌の外膜を構成している毒性物質である。このエンドトキシンが極微量(たとえば、ng/mLオーダー)でも血液中等に混入した場合、ショック症状等を引き起こし、最悪死に至る可能性もある。ただし、空気中にはエンドトキシンが広く存在している。このため、透析液等の医薬品にエンドトキシンが存在していないか等の検査が実施されている。   By the way, a bacterial wall toxin called endotoxin is generally known. This endotoxin is a toxic substance that constitutes the outer membrane of Gram-negative bacteria such as Escherichia coli and Salmonella. If this endotoxin is mixed in blood or the like even in a very small amount (for example, ng / mL order), it may cause a shock symptom or the like, resulting in the worst death. However, endotoxins are widely present in the air. For this reason, inspections such as the presence of endotoxins in pharmaceuticals such as dialysate are being carried out.

従来、エンドトキシンの濃度を測定する場合、リムルス試験を利用した比濁法と比色法と呼ばれる方法が存在する。また、近年では、電気化学法を用いてエンドトキシンの濃度を測定する方法も研究されている。例えば、被検体及び試薬の混合物に電極を入れ、ディファレンシャルパルスボルタンメトリー(DPV)に基づく測定を行う技術が知られている(特許文献1参照)。   Conventionally, when measuring the concentration of endotoxin, there are methods called a turbidimetric method and a colorimetric method using a Limulus test. In recent years, methods for measuring the concentration of endotoxin using an electrochemical method have also been studied. For example, a technique is known in which an electrode is placed in a mixture of an analyte and a reagent, and measurement based on differential pulse voltammetry (DPV) is performed (see Patent Document 1).

また、電気化学法を用いてグルコース濃度やエンドトキシン濃度を測定する濃度測定センサは、基材と電極とを有している。この場合、一般にスクリーン印刷法、グラビア印刷法、蒸着法などを用いて基材上に電極を形成する。しかしながら、電極や基材の材料および濃度測定センサの製造場所には、エンドトキシンが広く存在している。このため、エンドトキシン濃度を測定する濃度測定センサにおいては、基材上に電極を形成した後、電極上にエンドトキシンが存在する可能性がある。したがって、電極上のエンドトキシンが除去されないと、エンドトキシン測定時に電極に付着したエンドトキシンを誤って測定してしまうという問題が生じる。また、グルコース濃度を測定する濃度測定センサにおいては、濃度測定センサを瞬間的に血液に付着させて血液を採取する。この際、誤って電極に付着したエンドトキシンが体内に入ってしまい、問題を引き起こす可能性もある。   Moreover, the concentration measurement sensor which measures glucose concentration and endotoxin concentration using an electrochemical method has a base material and an electrode. In this case, the electrode is generally formed on the substrate by using a screen printing method, a gravure printing method, a vapor deposition method, or the like. However, endotoxins are widely present in the production sites of electrode and substrate materials and concentration measurement sensors. For this reason, in a concentration measurement sensor that measures an endotoxin concentration, endotoxin may exist on the electrode after the electrode is formed on the substrate. Therefore, if the endotoxin on the electrode is not removed, there arises a problem that the endotoxin adhering to the electrode is erroneously measured when measuring the endotoxin. Further, in a concentration measurement sensor that measures glucose concentration, blood is collected by instantaneously attaching the concentration measurement sensor to blood. At this time, endotoxin accidentally attached to the electrode may enter the body and cause problems.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、試薬層が配置される領域にエンドトキシンが存在することによって生じる不具合を防止することが可能な濃度測定センサ、濃度測定センサ用シート及びその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and a concentration measurement sensor, a concentration measurement sensor sheet, and a concentration measurement sensor capable of preventing problems caused by the presence of endotoxin in the region where the reagent layer is disposed, and It aims at providing the manufacturing method.

本発明は、溶液中の物質の濃度を測定するための濃度測定センサにおいて、少なくとも一方の面が絶縁性をもつ絶縁面となる絶縁性基材と、前記絶縁性基材の前記絶縁面上に設けられた導電性パターンと、前記導電性パターン上に配置された試薬層とを備え、前記絶縁性基材および前記導電性パターンのうち、少なくとも前記試薬層が配置される領域のエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっていることを特徴とする濃度測定センサである。   The present invention provides a concentration measurement sensor for measuring the concentration of a substance in a solution, wherein at least one surface is an insulating surface having an insulating property, and the insulating substrate has an insulating surface on the insulating surface. A conductive layer provided and a reagent layer disposed on the conductive pattern, and at least an endotoxin concentration in a region where the reagent layer is disposed is 0 among the insulating base material and the conductive pattern. .01EU / mL or less is a concentration measurement sensor.

本発明は、前記絶縁性基材の厚みは、5μm〜300μmであることを特徴とする濃度測定センサである。   The present invention is the concentration measurement sensor, wherein the insulating substrate has a thickness of 5 μm to 300 μm.

本発明は、前記導電性パターンの厚みは、0.3μm〜50μmであることを特徴とする濃度測定センサである。   The present invention is the concentration measurement sensor, wherein the conductive pattern has a thickness of 0.3 μm to 50 μm.

本発明は、前記導電性パターンのうち、少なくとも前記試薬層が配置される領域は、下地導電層と、前記下地導電層上に設けられた導電性パターン保護層とを含むことを特徴とする濃度測定センサである。   The present invention is characterized in that at least a region of the conductive pattern in which the reagent layer is arranged includes a base conductive layer and a conductive pattern protective layer provided on the base conductive layer. It is a measurement sensor.

本発明は、前記絶縁性基材の他方の面に、前記絶縁性基材を支持する支持基材が配設されていることを特徴とする濃度測定センサである。   The present invention is the concentration measurement sensor, wherein a supporting base material that supports the insulating base material is disposed on the other surface of the insulating base material.

本発明は、濃度測定センサを作製するための濃度測定センサ用シートにおいて、少なくとも一方の面が絶縁性をもつ絶縁面となる絶縁性基材と、前記絶縁性基材の前記絶縁面上に設けられた複数の導電性パターンとを備え、前記絶縁性基材および前記導電性パターンのうち、少なくとも試薬層が配置される領域のエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっていることを特徴とする濃度測定センサ用シートである。   The present invention provides a sheet for a concentration measurement sensor for producing a concentration measurement sensor, wherein at least one surface is an insulating substrate having an insulating property, and is provided on the insulating surface of the insulating substrate. The endotoxin concentration of at least the region where the reagent layer is arranged among the insulating base material and the conductive pattern is 0.01 EU / mL or less. It is the sheet | seat for density | concentration measurement sensors.

本発明は、前記絶縁性基材の厚みは、5μm〜300μmであることを特徴とする濃度測定センサ用シートである。   The present invention is the concentration measurement sensor sheet, wherein the insulating base has a thickness of 5 μm to 300 μm.

本発明は、前記導電性パターンの厚みは、0.3μm〜50μmであることを特徴とする濃度測定センサ用シートである。   The present invention is the concentration measurement sensor sheet, wherein the conductive pattern has a thickness of 0.3 μm to 50 μm.

本発明は、前記導電性パターンのうち、少なくとも前記試薬層が配置される領域は、下地導電層と、前記下地導電層上に設けられた導電性パターン保護層とを含むことを特徴とする濃度測定センサ用シートである。   The present invention is characterized in that at least a region of the conductive pattern in which the reagent layer is arranged includes a base conductive layer and a conductive pattern protective layer provided on the base conductive layer. It is a sheet for a measurement sensor.

本発明は、濃度測定センサの製造方法であって、少なくとも一方の面が絶縁性をもつ絶縁面となる帯状の絶縁性基材を供給する絶縁性基材供給工程と、前記絶縁性基材の絶縁面に複数の導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程とを備え、前記絶縁性基材および前記導電性パターンのうち、少なくとも試薬層が配置される領域のエンドトキシン濃度を、0.01EU/mL以下とすることを特徴とする濃度測定センサ用シートの製造方法である。   The present invention is a method for manufacturing a concentration measurement sensor, comprising: an insulating base material supplying step of supplying a strip-shaped insulating base material having at least one surface having an insulating surface; and the insulating base material A conductive pattern forming step of forming a plurality of conductive patterns on the insulating surface, and the endotoxin concentration in the region where at least the reagent layer is arranged among the insulating base material and the conductive pattern is 0.01 EU / It is a manufacturing method of the sheet | seat for density | concentration measurement sensors characterized by setting it as mL or less.

本発明は、前記絶縁性基材および前記導電性パターンに対して、フラッシュアニール処理、プラズマアッシング処理、又は加熱殺菌処理を実施する工程を更に備えたことを特徴とする濃度測定センサ用シートの製造方法である。   The present invention further comprises a step of performing a flash annealing process, a plasma ashing process, or a heat sterilization process on the insulating substrate and the conductive pattern. Is the method.

本発明は、前記絶縁性基材供給工程と前記導電性パターン形成工程とが、クリーンルームで実施されることを特徴とする濃度測定センサ用シートの製造方法である。   This invention is a manufacturing method of the sheet | seat for density | concentration measurement sensors characterized by the said insulating base material supply process and the said electroconductive pattern formation process being implemented in a clean room.

本発明によれば、試薬層が配置される領域にエンドトキシンが存在することによって生じる不具合を防止することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the malfunction which arises when endotoxin exists in the area | region where a reagent layer is arrange | positioned can be prevented.

図1は本発明の第1の実施の形態による濃度測定センサを示す分解斜視図。FIG. 1 is an exploded perspective view showing a concentration measuring sensor according to a first embodiment of the present invention. 図2は濃度測定センサと外部デバイスとを示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view showing a concentration measurement sensor and an external device. 図3は濃度測定センサの変形例を示す分解斜視図。FIG. 3 is an exploded perspective view showing a modified example of the concentration measuring sensor. 図4は本発明の第1の実施の形態による濃度測定センサ用シートを示す平面図。FIG. 4 is a plan view showing a concentration measuring sensor sheet according to the first embodiment of the present invention. 図5(a)(b)は濃度測定センサの製造装置を示す概略図。FIGS. 5A and 5B are schematic views showing a concentration measuring sensor manufacturing apparatus. 図6(a)は絶縁性基材供給工程における絶縁性基材を示す平面図、図6(b)は図6(a)のVI−VI線断面図。Fig.6 (a) is a top view which shows the insulating base material in an insulating base material supply process, FIG.6 (b) is the VI-VI sectional view taken on the line of Fig.6 (a). 図7(a)は水溶性樹脂層形成工程における絶縁性基材を示す平面図、図7(b)は図7(a)のVII−VII線断面図。FIG. 7A is a plan view showing an insulating substrate in the water-soluble resin layer forming step, and FIG. 7B is a cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG. 図8(a)は導電層形成工程における絶縁性基材を示す平面図、図8(b)は図8(a)のVIII−VIII線断面図。Fig.8 (a) is a top view which shows the insulating base material in a conductive layer formation process, FIG.8 (b) is the VIII-VIII sectional view taken on the line of Fig.8 (a). 図9(a)は水溶性樹脂層除去工程における絶縁性基材を示す平面図、図9(b)は図9(a)のIX−IX線断面図。Fig.9 (a) is a top view which shows the insulating base material in a water-soluble resin layer removal process, FIG.9 (b) is the IX-IX sectional view taken on the line of Fig.9 (a). 図10(a)は支持基材配設工程における支持基材および絶縁性基材を示す平面図、図10(b)は図10(a)のX−X線断面図。FIG. 10A is a plan view showing a support substrate and an insulating substrate in the support substrate disposing step, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 図11(a)は切断工程における濃度測定センサ用シートを示す平面図、図11(b)は図11(a)のXI−XI線断面図。Fig.11 (a) is a top view which shows the sheet | seat for density | concentration measurement sensors in a cutting process, FIG.11 (b) is the XI-XI sectional view taken on the line XI of Fig.11 (a). 図12は本発明の第2の実施の形態による濃度測定センサを示す平面図。FIG. 12 is a plan view showing a concentration measuring sensor according to a second embodiment of the present invention. 図13は本発明の第2の実施の形態による濃度測定センサ用シートを示す平面図。FIG. 13 is a plan view showing a sheet for a concentration measurement sensor according to a second embodiment of the present invention.

(第1の実施の形態)
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態について説明する。図面は例示であり、説明のために特徴部を誇張することがあり、実物とは異なる場合がある。また、技術思想を逸脱しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。
(First embodiment)
The first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Drawing is an illustration and may exaggerate a characteristic part for explanation, and may differ from an actual thing. In addition, the present invention can be implemented with appropriate modifications without departing from the technical idea. Note that, in the following drawings, the same portions are denoted by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted.

(濃度測定センサ)
まず図1により濃度測定センサの一実施の形態について説明する。図1は本発明による濃度測定センサの一実施の形態を示す図である。図1に示す濃度測定センサ10は、溶液中の物質の濃度を測定するものであり、例えば血液中のグルコースの濃度を測定することにより、血糖値を検出するものである。
(Concentration measurement sensor)
First, an embodiment of a concentration measuring sensor will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a concentration measuring sensor according to the present invention. The concentration measurement sensor 10 shown in FIG. 1 measures the concentration of a substance in a solution, and detects a blood glucose level by measuring the concentration of glucose in blood, for example.

このような濃度測定センサ10は、支持基材11と、支持基材11上に設けられた絶縁性基材12と、絶縁性基材12の表面(一方の面)12a上に設けられた一対の配線部13a、13bとを備えている。   Such a concentration measuring sensor 10 includes a support base 11, an insulating base 12 provided on the support base 11, and a pair provided on the surface (one surface) 12 a of the insulating base 12. Wiring portions 13a and 13b.

このうち、絶縁性基材12により、表面12aが絶縁面となる基材が構成される。また絶縁性基材12は、その裏面(他方の面)12b側において、剛性をもつ支持基材11により保持されている。   Among these, the insulating base material 12 constitutes a base material whose surface 12a is an insulating surface. Moreover, the insulating base material 12 is hold | maintained by the support base material 11 which has rigidity in the back surface (other side) 12b side.

また、一方の配線部13aの一端に作用電極14aが設けられ、他方の配線部13bの一端に対電極14bが設けられている。これら作用電極14aと対電極14bとにより、被測定溶液が接触する電極系14が構成されている。   A working electrode 14a is provided at one end of one wiring portion 13a, and a counter electrode 14b is provided at one end of the other wiring portion 13b. The working electrode 14a and the counter electrode 14b constitute an electrode system 14 in contact with the solution to be measured.

さらに一対の配線部13a、13bの他端には、各々接続端子15a、15bが設けられている。   Furthermore, connection terminals 15a and 15b are provided at the other ends of the pair of wiring portions 13a and 13b, respectively.

この接続端子15a、15bは、濃度測定センサ10を後述のように、外部デバイス25の挿入口26内に挿入した際、外部デバイス25側の接続部(図示せず)に接続される(図2)。   The connection terminals 15a and 15b are connected to a connection portion (not shown) on the external device 25 side when the concentration measurement sensor 10 is inserted into the insertion port 26 of the external device 25 as will be described later (FIG. 2). ).

なお、一対の配線部13a、13bと、作用電極14aおよび対電極14bと、一対の接続端子15a、15bとにより、導電性パターン30が構成されている。   The pair of wiring portions 13a and 13b, the working electrode 14a and the counter electrode 14b, and the pair of connection terminals 15a and 15b constitute a conductive pattern 30.

また導電性パターン30を覆ってキャビティ17が設けられている。このキャビティ17は絶縁性材料からなり、外部からの被測定対象となる血液を作用電極14aおよび対電極14bへ導く吸引口17aを有している。また、キャビティ17は、それぞれ作用電極14a、対電極14bの一部および一対の接続端子15a、15bの一部を外方へ露出するよう導電性パターン30を覆っている。   A cavity 17 is provided to cover the conductive pattern 30. The cavity 17 is made of an insulating material and has a suction port 17a that guides blood to be measured from the outside to the working electrode 14a and the counter electrode 14b. The cavity 17 covers the conductive pattern 30 so as to expose the working electrode 14a, part of the counter electrode 14b, and part of the pair of connection terminals 15a, 15b to the outside.

さらにキャビティ17上には絶縁性材料からなるカバー19が設けられ、導電性パターン30上であってキャビティ17上には、試薬層18が設けられている。すなわちキャビティ17とカバー19とによって、グルコース酸化酵素を含む試薬層18が保持されている。   Further, a cover 19 made of an insulating material is provided on the cavity 17, and a reagent layer 18 is provided on the conductive pattern 30 and on the cavity 17. That is, the reagent layer 18 containing glucose oxidase is held by the cavity 17 and the cover 19.

ところで、本実施の形態においては、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aのエンドトキシン濃度が、0.01EU/mL以下となっている。例えば、作用電極14aおよび対電極14bを含む電極系14や、電極系14の周囲に位置する絶縁性基材12のエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっている。なお、EUはエンドトキシンの活性単位を意味し、米国食品医薬品局(FDA)が定めたEndotoxin Unit(エンドトキシン単位)の略である。   By the way, in this Embodiment, the endotoxin density | concentration of the area | region 18a where the reagent layer 18 is arrange | positioned among the insulating base material 12 and the electroconductive pattern 30 is 0.01 EU / mL or less. For example, the endotoxin concentration of the electrode system 14 including the working electrode 14a and the counter electrode 14b and the insulating base material 12 positioned around the electrode system 14 is 0.01 EU / mL or less. EU means an endotoxin activity unit, and is an abbreviation of Endotoxin Unit defined by the US Food and Drug Administration (FDA).

なお、エンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となる部分は、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、試薬層18が配置される領域18aのみに限られない。例えば、キャビティ17およびカバー19のうち、試薬層18が配置される領域18aの周囲のエンドトキシン濃度も0.01EU/mL以下とすることが好ましい。また例えば、絶縁性基材12および導電性パターン30の全域、あるいは濃度測定センサ10の全域にわたってエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっていても良い。   The portion where the endotoxin concentration is 0.01 EU / mL or less is not limited to only the region 18 a where the reagent layer 18 is disposed in the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30. For example, it is preferable that the endotoxin concentration around the region 18a where the reagent layer 18 is arranged in the cavity 17 and the cover 19 is also 0.01 EU / mL or less. Further, for example, the endotoxin concentration may be 0.01 EU / mL or less over the entire region of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 or the entire region of the concentration measurement sensor 10.

エンドトキシン濃度を0.01EU/mL以下とする場合、絶縁性基材12および導電性パターン30に対して、例えば、(i)フラッシュアニール処理、(ii)プラズマアッシング処理、又は(iii)加熱殺菌処理を実施しても良い。あるいは、(iv)濃度測定センサ10の製造工程の少なくとも一部をクラス1万以下のクリーンルームで実施しても良い。なお、これらの方法については後述する。   When the endotoxin concentration is 0.01 EU / mL or less, for example, (i) flash annealing treatment, (ii) plasma ashing treatment, or (iii) heat sterilization treatment for the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30. May be implemented. Alternatively, (iv) at least a part of the manufacturing process of the concentration measuring sensor 10 may be performed in a clean room of class 10,000 or less. These methods will be described later.

エンドトキシン濃度の測定方法としては、各種方法を用いることができる。例えば、濃度測定センサ10を、エンドトキシンフリーの水に一定時間(例えば1日)沈めて放置し、その後、その水中のエンドトキシン濃度を公知のエンドトキシン測定機器(例えば和光純薬工業株式会社製ET6000)を用いて測定することにより、エンドトキシン濃度を得ても良い。   Various methods can be used for measuring the endotoxin concentration. For example, the concentration measuring sensor 10 is left to stand in an endotoxin-free water for a certain time (for example, 1 day), and then the endotoxin concentration in the water is measured using a known endotoxin measuring device (for example, ET6000 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). The endotoxin concentration may be obtained by using the measurement.

次に各部の構成部材について説明する。   Next, components of each part will be described.

支持基材11
支持基材11は、ロール・ツー・ロール(Roll to Roll)方式に適用できるよう絶縁性樹脂を用いることが好ましい。支持基材11は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン(PS)樹脂、ポリプロピレン(PP)樹脂等の絶縁性樹脂からなり、なかでもより好適にはPET製となっている。
Support base 11
The support base 11 is preferably made of an insulating resin so that it can be applied to a roll-to-roll method. The support base 11 is made of an insulating resin such as polyethylene terephthalate (PET) resin, polyester resin, vinyl chloride resin, polystyrene (PS) resin, polypropylene (PP) resin, and more preferably made of PET. It has become.

支持基材11は、絶縁性基材12を補強することができ、取扱い時に自重で折れたりしない程度の剛性があればよい。また支持基材11は、絶縁性基材12を補強するために、絶縁性基材12よりも厚いことが好ましい。具体的には、100μm〜1mm(100μm以上かつ1mm以下のことをいう。以下同様)の範囲であるとよい。なお、支持基材11は、複数の基材を貼合わせた構成からなっていても良い。このように支持基材11を設けることにより、濃度測定センサ10の使いやすさを増すことができる。   The support base material 11 can reinforce the insulating base material 12 and has only to have a rigidity that does not break due to its own weight during handling. The support base 11 is preferably thicker than the insulating base 12 in order to reinforce the insulating base 12. Specifically, it may be in the range of 100 μm to 1 mm (referred to as 100 μm or more and 1 mm or less; the same applies hereinafter). In addition, the support base material 11 may consist of the structure which bonded the some base material. By providing the support base 11 in this way, the ease of use of the concentration measurement sensor 10 can be increased.

絶縁性基材12
絶縁性基材12は、導電性パターン30を支持する基材であり、少なくとも導電性パターン30が配置される表面12aは絶縁面となっている。絶縁性基材12は、ロール・ツー・ロール方式に適用できるよう絶縁性樹脂を用いることが好ましい。具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリスチレン(PS)樹脂、ポリプロピレン(PP)樹脂等のフィルムを好適に用いることができる。
Insulating substrate 12
The insulating substrate 12 is a substrate that supports the conductive pattern 30, and at least the surface 12a on which the conductive pattern 30 is disposed is an insulating surface. The insulating substrate 12 is preferably made of an insulating resin so that it can be applied to a roll-to-roll method. Specifically, for example, a film of polyethylene terephthalate (PET) resin, polyester resin, vinyl chloride resin, polystyrene (PS) resin, polypropylene (PP) resin, or the like can be suitably used.

絶縁性基材12の厚さは、例えば5μm〜300μmの範囲とすることが好ましい。絶縁性基材12の厚さを5μm〜300μmにすることにより、特にプラズマアッシング処理(後述)によってエンドトキシンを除去する際に、絶縁性基材12まで除去されてしまうことがなく、絶縁性基材12の機能を保持することができる。なお、絶縁性基材12と支持基材11との熱膨張係数を合わせることが好ましく、とりわけ絶縁性基材12と支持基材11とを同一の材料から構成するとよい。   The thickness of the insulating substrate 12 is preferably in the range of 5 μm to 300 μm, for example. By setting the thickness of the insulating substrate 12 to 5 μm to 300 μm, the insulating substrate 12 is not removed even when the endotoxin is removed particularly by plasma ashing (described later). Twelve functions can be retained. In addition, it is preferable to match | combine the thermal expansion coefficient of the insulating base material 12 and the support base material 11, and it is good to comprise the insulating base material 12 and the support base material 11 from the same material especially.

なお、後述する膜厚測定工程において、導電性パターン30の厚さを測定しやすくするため、絶縁性基材12が透明な樹脂からなっていることが好ましい。また、絶縁性基材12の材料として比較的高価な着色樹脂を用いる必要がないので、濃度測定センサ10の製造コストを低減することもできる。   In addition, in the film thickness measurement process mentioned later, in order to make it easy to measure the thickness of the electroconductive pattern 30, it is preferable that the insulating base material 12 consists of transparent resin. In addition, since it is not necessary to use a relatively expensive colored resin as the material of the insulating substrate 12, the manufacturing cost of the concentration measurement sensor 10 can be reduced.

導電性パターン30
導電性パターン30は、導電性をもつものであればその形状、本数、材料、構成について特に限定はなく、例えばAg、Al、Fe、Ni、Cr、Ti、Ta、PdまたはCuから選択される金属材料を含んでいても良い。導電性パターン30は、形成方法に応じて、例えば0.3μm〜50μmの範囲の厚みとするとよい。導電性パターン30の厚さを0.3μm〜50μmとすることにより、後述するプラズマアッシング処理により導電性パターン30の膜厚が減少した場合であっても、導電性パターン30として機能する厚みを残すことが可能となる。
Conductive pattern 30
The conductive pattern 30 is not particularly limited as long as it has conductivity, and is selected from, for example, Ag, Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Ta, Pd, or Cu. A metal material may be included. The conductive pattern 30 may have a thickness in the range of 0.3 μm to 50 μm, for example, depending on the forming method. By setting the thickness of the conductive pattern 30 to 0.3 μm to 50 μm, even if the thickness of the conductive pattern 30 is reduced by the plasma ashing process described later, the thickness that functions as the conductive pattern 30 remains. It becomes possible.

試薬層18
試薬層18は酵素と電子受容体を含み、本実施の形態では酵素としてグルコース酸化還元酵素を含んでおり、血液中のグルコースの濃度を測定することができる。しかしながら試薬層18はグルコース酸化酵素以外の酵素を含んでいてもよい。
Reagent layer 18
The reagent layer 18 includes an enzyme and an electron acceptor. In the present embodiment, the reagent layer 18 includes glucose oxidoreductase as the enzyme, and the concentration of glucose in blood can be measured. However, the reagent layer 18 may contain an enzyme other than glucose oxidase.

試薬層18はグルコース酸化酵素以外の酵素、例えばコレステロールセンサ、アルコールセンサ、スクロールセンサ、乳酸センサ、フルクトースセンサとして機能する酵素を含んでいてもよい。この場合、各センサに用いる酵素としては、コレステロールエステラーゼ、コレステロールオキシダーゼ、アルコールオキシダーゼ、乳酸オキシダーゼ、フルクトースデヒドロゲナーゼ、キサンチンオキシダーゼ、アミノ酸オキシダーゼ等の反応系に合ったものを適宜用いることができる。   The reagent layer 18 may contain an enzyme other than glucose oxidase, for example, an enzyme that functions as a cholesterol sensor, an alcohol sensor, a scroll sensor, a lactic acid sensor, or a fructose sensor. In this case, as the enzyme used for each sensor, those suitable for the reaction system such as cholesterol esterase, cholesterol oxidase, alcohol oxidase, lactate oxidase, fructose dehydrogenase, xanthine oxidase, amino acid oxidase can be appropriately used.

キャビティ17およびカバー19
キャビティ17およびカバー19は、絶縁性基材12と同様の材料から形成することができ、キャビティ17およびカバー19の厚みは各々100μm〜300μmおよび50μm〜100μmとなっている。
Cavity 17 and cover 19
The cavity 17 and the cover 19 can be formed from the same material as that of the insulating substrate 12, and the thickness of the cavity 17 and the cover 19 is 100 μm to 300 μm and 50 μm to 100 μm, respectively.

なお、図3(変形例)に示すように、導電性パターン30を複数の層から構成するようにしても良い。この場合、導電性パターン30は、絶縁性基材12側に位置する下地導電層35と、下地導電層35上であって少なくとも試薬層18が配置される領域18aに設けられた導電性パターン保護層39(導電性アッシング犠牲層)とを含んでいる。このうち下地導電層35は、例えばニッケル(Ni)からなっており、100nm〜20μmの厚みをもっている。下地導電層35を形成する方法は問わないが、例えば、蒸着法又はスパッタリング法等の真空成膜法、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法等の印刷法、電解めっき法又は無電解めっき法等のめっき法等を挙げることができる。   As shown in FIG. 3 (modification), the conductive pattern 30 may be composed of a plurality of layers. In this case, the conductive pattern 30 includes a base conductive layer 35 located on the insulating substrate 12 side, and a conductive pattern protection provided on the base conductive layer 35 and at least in the region 18a where the reagent layer 18 is disposed. Layer 39 (conductive ashing sacrificial layer). Among these, the base conductive layer 35 is made of, for example, nickel (Ni) and has a thickness of 100 nm to 20 μm. The method for forming the underlying conductive layer 35 is not limited, but for example, vacuum deposition methods such as vapor deposition or sputtering, printing methods such as screen printing or gravure printing, plating such as electrolytic plating or electroless plating The law etc. can be mentioned.

また、導電性パターン保護層39は、後述するように濃度測定センサ10に対してプラズマアッシング処理を行った際、薄膜状の下地導電層35が一緒に除去されてしまう不具合を防止するために設けられている。この導電性パターン保護層39は、導電性を有しており、下地導電層35を保護するとともに導電機能も確保することができる。導電性パターン保護層39としては、カーボン、ニッケル、パラジウム又は金を挙げることができる。導電性パターン保護層39を設ける方法としては、例えばめっき法、蒸着法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法を挙げることができる。   The conductive pattern protective layer 39 is provided to prevent a problem that the thin base conductive layer 35 is removed together when a plasma ashing process is performed on the concentration measuring sensor 10 as will be described later. It has been. The conductive pattern protective layer 39 has conductivity, and can protect the underlying conductive layer 35 and also ensure a conductive function. Examples of the conductive pattern protective layer 39 include carbon, nickel, palladium, and gold. Examples of the method for providing the conductive pattern protective layer 39 include a plating method, a vapor deposition method, a screen printing method, and an ink jet printing method.

なお、導電性パターン保護層39は、少なくとも下地導電層35のうちプラズマアッシング処理を行う際に外方に露出する領域に設けられることが好ましい。しかしながら、これに限られるものではなく、例えば下地導電層35の全域を覆うように設けられても良い。   The conductive pattern protection layer 39 is preferably provided in at least the region of the base conductive layer 35 that is exposed to the outside when performing the plasma ashing process. However, the present invention is not limited to this. For example, the base conductive layer 35 may be provided so as to cover the entire area.

(濃度測定センサ用シート)
次に、図4により濃度測定センサ用シートの一実施の形態について説明する。図4は本発明による濃度測定センサ用シートの一実施の形態を示す図である。図4に示す濃度測定センサ用シート50は、上述した図1に示す濃度測定センサ10を作製する際に用いられるものであり、枚葉状であるかロール状であるかは問わない。
(Concentration measurement sensor sheet)
Next, an embodiment of the density measuring sensor sheet will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a view showing an embodiment of a density measuring sensor sheet according to the present invention. The density measuring sensor sheet 50 shown in FIG. 4 is used when the above-described density measuring sensor 10 shown in FIG. 1 is manufactured, and it does not matter whether it is a single wafer or a roll.

このような濃度測定センサ用シート50は、支持基材11と、支持基材11上に設けられた絶縁性基材12と、絶縁性基材12の表面(一方の面)12a上に設けられた複数の導電性パターン30とを備えている。   Such a concentration measurement sensor sheet 50 is provided on the support substrate 11, the insulating substrate 12 provided on the support substrate 11, and the surface (one surface) 12 a of the insulating substrate 12. And a plurality of conductive patterns 30.

この場合、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aのエンドトキシン濃度は、0.01EU/mL以下となっている。例えば、作用電極14aおよび対電極14bを含む電極系14や、電極系14の周囲に位置する絶縁性基材12のエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっている。また、キャビティ17およびカバー19のうち、試薬層18が配置される領域18aの周囲のエンドトキシン濃度も0.01EU/mL以下とすることが好ましい。あるいは、絶縁性基材12および導電性パターン30の全域、あるいは濃度測定センサ10の全域にわたってエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっていても良い。   In this case, the endotoxin concentration of at least the region 18a in which the reagent layer 18 is arranged in the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 is 0.01 EU / mL or less. For example, the endotoxin concentration of the electrode system 14 including the working electrode 14a and the counter electrode 14b and the insulating base material 12 positioned around the electrode system 14 is 0.01 EU / mL or less. Moreover, it is preferable that the endotoxin density | concentration around the area | region 18a where the reagent layer 18 is arrange | positioned among the cavity 17 and the cover 19 is also 0.01 EU / mL or less. Alternatively, the endotoxin concentration may be 0.01 EU / mL or less over the entire region of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 or the entire region of the concentration measurement sensor 10.

さらに各導電性パターン30をそれぞれ覆ってキャビティ17が設けられている。また、各キャビティ17上にはそれぞれカバー19が設けられ、各キャビティ17と各カバー19との間には、それぞれ試薬層18が介在されている。   Further, a cavity 17 is provided so as to cover each conductive pattern 30. A cover 19 is provided on each cavity 17, and a reagent layer 18 is interposed between each cavity 17 and each cover 19.

図4には示していないが、図3に示す濃度測定センサ10を作製するための濃度測定センサ用シート50においては、導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aは、下地導電層35と、下地導電層35上に設けられた導電性パターン保護層39とを含んでいる。   Although not shown in FIG. 4, in the concentration measurement sensor sheet 50 for producing the concentration measurement sensor 10 shown in FIG. 3, at least the region 18 a in which the reagent layer 18 is disposed in the conductive pattern 30 is A base conductive layer 35 and a conductive pattern protective layer 39 provided on the base conductive layer 35 are included.

なお、濃度測定センサ用シート50を構成する各要素の構成については既に説明したので、図4において、図1および図3に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。   In addition, since the structure of each element which comprises the sheet | seat 50 for density | concentration measurement sensors has already been demonstrated, in FIG. 4, the same code | symbol is attached | subjected to the same part as embodiment shown in FIG. 1 and FIG. The detailed explanation is omitted.

(濃度測定センサ用シートおよび濃度測定センサの製造方法)
次に濃度測定センサ用シートおよび濃度測定センサの製造方法について、図5乃至図11を用いて説明する。具体的には、図4に示す濃度測定センサ用シート50および図1に示す濃度測定センサ10を作製する方法について説明する。図5(a)(b)は、濃度測定センサの製造装置を示す概略図であり、図6乃至図11は、それぞれ濃度測定センサ用シートおよび濃度測定センサの製造方法の各工程における、絶縁性基材12または濃度測定センサ用シート50を示す平面図及び断面図である。
(Sheet for concentration measuring sensor and method for manufacturing concentration measuring sensor)
Next, the density measuring sensor sheet and the method for manufacturing the density measuring sensor will be described with reference to FIGS. Specifically, a method for manufacturing the density measurement sensor sheet 50 shown in FIG. 4 and the density measurement sensor 10 shown in FIG. 1 will be described. FIGS. 5A and 5B are schematic views showing a concentration measurement sensor manufacturing apparatus, and FIGS. 6 to 11 show the insulating properties in the respective steps of the concentration measurement sensor sheet and the concentration measurement sensor manufacturing method, respectively. It is the top view and sectional drawing which show the base material 12 or the sheet | seat 50 for density | concentration measurement sensors.

まず絶縁性基材供給ロール41(図5(a))から帯状の絶縁性基材12が連続して供給される(絶縁性基材供給工程)(図6(a)(b))。   First, the strip-shaped insulating base material 12 is continuously supplied from the insulating base material supply roll 41 (FIG. 5A) (insulating base material supply step) (FIGS. 6A and 6B).

次に絶縁性基材12は、水溶性樹脂層形成部42(図5(a))に搬送される。この水溶性樹脂層形成部42において、絶縁性基材12の絶縁性をもつ表面(絶縁面)12a上にパターン状に水溶性樹脂が塗布されて、パターン状の水溶性樹脂層32が形成される(水溶性樹脂層形成工程)(図7(a)(b))。   Next, the insulating substrate 12 is conveyed to the water-soluble resin layer forming part 42 (FIG. 5A). In the water-soluble resin layer forming portion 42, the water-soluble resin is applied in a pattern on the insulating surface 12a of the insulating base 12 to form the pattern water-soluble resin layer 32. (Water-soluble resin layer forming step) (FIGS. 7A and 7B).

この場合、水溶性樹脂層32は、各導電性パターン30以外の部分に対応する形状を有している。換言すれば、導電性パターン30に対応する部分には水溶性樹脂層32が設けられず、絶縁性基材12が露出している。   In this case, the water-soluble resin layer 32 has a shape corresponding to a portion other than each conductive pattern 30. In other words, the water-soluble resin layer 32 is not provided in the portion corresponding to the conductive pattern 30, and the insulating substrate 12 is exposed.

なお、水溶性樹脂層32は、例えば水溶性ビニル樹脂からなるリフトオフ材料からなり、その厚みは例えば0.1μm〜10μmとすることができる。水溶性樹脂層32を塗布する方法は、例えばスクリーン印刷法又はグラビア印刷法等の印刷法を挙げることができる。   The water-soluble resin layer 32 is made of, for example, a lift-off material made of a water-soluble vinyl resin, and the thickness thereof can be set to 0.1 μm to 10 μm, for example. Examples of the method for applying the water-soluble resin layer 32 include a printing method such as a screen printing method or a gravure printing method.

次に絶縁性基材12は、導電層形成部43(図5(a))に搬送される。この導電層形成部43において、水溶性樹脂層32上および水溶性樹脂層32から露出する絶縁性基材12上に、ニッケルからなる導電層33が形成される(導電層形成工程)(図8(a)(b))。   Next, the insulating base material 12 is conveyed to the conductive layer forming part 43 (FIG. 5A). In this conductive layer forming portion 43, a conductive layer 33 made of nickel is formed on the water-soluble resin layer 32 and on the insulating substrate 12 exposed from the water-soluble resin layer 32 (conductive layer forming step) (FIG. 8). (A) (b)).

この導電層33は、水溶性樹脂層32上および水溶性樹脂層32から露出する絶縁性基材12上の略全面に渡って設けられることが好ましい。   The conductive layer 33 is preferably provided over substantially the entire surface of the water-soluble resin layer 32 and the insulating substrate 12 exposed from the water-soluble resin layer 32.

導電層33は、導電性パターン30を構成する導電性材料からなり、例えばAg、Al、Fe、Ni、Cr、Ti、Ta、PdまたはCuから選択される金属材料を含んでいても良い。また導電層33の厚みは例えば0.3μm〜50μmとすることができる。後述する透過率を利用した膜厚測定工程を行う場合には、導電層33と絶縁性基材12を透過する光の透過率が5%以上となるように、導電層33の厚みを設定することが好ましい。   The conductive layer 33 is made of a conductive material constituting the conductive pattern 30, and may include, for example, a metal material selected from Ag, Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Ta, Pd, or Cu. Further, the thickness of the conductive layer 33 can be set to, for example, 0.3 μm to 50 μm. In the case of performing a film thickness measurement process using transmittance described later, the thickness of the conductive layer 33 is set so that the transmittance of light transmitted through the conductive layer 33 and the insulating substrate 12 is 5% or more. It is preferable.

なお、導電層33を設ける方法としては、例えば蒸着法又はスパッタリング法等の真空成膜法、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法等の印刷法、電解めっき法又は無電解めっき法等のめっき法等を挙げることができる。このうち真空成膜法を用いた場合、導電層33を薄膜で形成することができ、材料コストを低減することができる。また、絶縁性基材供給ロール41から繰り出される長尺の絶縁性基材12に対して導電層33を高速で形成することができる。   In addition, as a method of providing the conductive layer 33, for example, a vacuum film forming method such as an evaporation method or a sputtering method, a printing method such as a screen printing method or a gravure printing method, a plating method such as an electrolytic plating method or an electroless plating method, or the like. Can be mentioned. Among these, when the vacuum film forming method is used, the conductive layer 33 can be formed as a thin film, and the material cost can be reduced. In addition, the conductive layer 33 can be formed at a high speed on the long insulating base 12 fed from the insulating base supply roll 41.

次いで、絶縁性基材12は、水溶性樹脂層除去部44(図5(a))に搬送される。この水溶性樹脂層除去部44において、水溶性樹脂層32が水によって除去され、水溶性樹脂層32上の導電層33が選択的に除去される。これにより、絶縁性基材12上に、導電層33の一部からなる複数の導電性パターン30が形成される(水溶性樹脂層除去工程)(図9(a)(b))。なお図9(a)において、6組の導電性パターン30が示されている。   Next, the insulating substrate 12 is transported to the water-soluble resin layer removing unit 44 (FIG. 5A). In the water-soluble resin layer removing unit 44, the water-soluble resin layer 32 is removed with water, and the conductive layer 33 on the water-soluble resin layer 32 is selectively removed. Thereby, the some electroconductive pattern 30 which consists of a part of electroconductive layer 33 is formed on the insulating base material 12 (water-soluble resin layer removal process) (FIG. 9 (a) (b)). In FIG. 9A, six sets of conductive patterns 30 are shown.

この場合、図5(a)に示すように水溶性樹脂層除去部44のノズル44aから導電層33上にシャワー状の水を噴出することにより、導電層33中に水を浸透させ、水溶性樹脂層32を除去しても良い。あるいは、絶縁性基材12ごと水溶性樹脂層32を水中に浸漬させることにより、水溶性樹脂層32を除去しても良い。   In this case, as shown in FIG. 5A, water is infiltrated into the conductive layer 33 by ejecting shower-like water from the nozzle 44a of the water-soluble resin layer removing portion 44 onto the conductive layer 33, thereby water-soluble. The resin layer 32 may be removed. Alternatively, the water-soluble resin layer 32 may be removed by immersing the water-soluble resin layer 32 together with the insulating base 12 in water.

このように水溶性樹脂層形成工程、導電層形成工程および水溶性樹脂層除去工程を順次経ることにより、絶縁性基材12の表面12aに、複数の導電性パターン30が形成される(導電性パターン形成工程)。   In this way, a plurality of conductive patterns 30 are formed on the surface 12a of the insulating substrate 12 by sequentially performing the water-soluble resin layer forming step, the conductive layer forming step, and the water-soluble resin layer removing step (conductive Pattern formation step).

なお、導電性パターン形成工程としてはこれに限られるものではなく、例えば絶縁性基材供給工程の後、グラビア印刷などの印刷法により、絶縁性基材12の表面12aに複数の導電性パターン30を形成しても良い。   The conductive pattern forming step is not limited to this. For example, after the insulating base material supplying step, a plurality of conductive patterns 30 are formed on the surface 12a of the insulating base material 12 by a printing method such as gravure printing. May be formed.

続いて、絶縁性基材12は、膜厚測定部45(図5(a))に搬送される。膜厚測定部45は、例えば透過型の光計測装置からなっている。この膜厚測定部45において、絶縁性基材12上に形成された少なくとも1つの導電性パターン30に対して光が照射され、その透過光を用いて導電性パターン30の厚さが測定される(膜厚測定工程)。これにより導電性パターン30の厚さが規定の範囲内にあるか否かを確認することができる。   Subsequently, the insulating substrate 12 is conveyed to the film thickness measuring unit 45 (FIG. 5A). The film thickness measuring unit 45 is composed of, for example, a transmission type optical measuring device. In the film thickness measuring unit 45, light is irradiated to at least one conductive pattern 30 formed on the insulating substrate 12, and the thickness of the conductive pattern 30 is measured using the transmitted light. (Film thickness measurement process). Thereby, it can be confirmed whether or not the thickness of the conductive pattern 30 is within a specified range.

上述したように、絶縁性基材12の厚さは例えば5μm〜300μmの範囲とされている。このように絶縁性基材12の厚さが薄くなっていることにより、光の透過性を高めることができ、膜厚測定部45において膜厚測定を正確に行うことができる。   As described above, the thickness of the insulating substrate 12 is in the range of 5 μm to 300 μm, for example. Thus, since the thickness of the insulating base material 12 is reduced, the light transmittance can be increased, and the film thickness measurement unit 45 can accurately measure the film thickness.

続いて、絶縁性基材12は、支持基材配設部46(図5(a))に搬送される。この支持基材配設部46において、絶縁性基材12の裏面12bに、絶縁性基材12を支持する支持基材11が配設される(支持基材配設工程)(図10(a)(b))。   Subsequently, the insulating base material 12 is transported to the support base material disposition portion 46 (FIG. 5A). In this support base material placement portion 46, the support base material 11 that supports the insulating base material 12 is provided on the back surface 12b of the insulating base material 12 (support base material placement step) (FIG. 10A (B)).

この際、支持基材11が支持基材供給ロール47から支持基材配設部46に供給され、支持基材配設部46において、例えば接着剤によって支持基材11が絶縁性基材12の裏面12bに貼着される。なお接着剤としては、公知のものを使用することができる。   At this time, the support base material 11 is supplied from the support base material supply roll 47 to the support base material disposition unit 46, and the support base material disposition unit 46 is formed of, for example, an adhesive with the support base material 11 being the insulating base material 12. Affixed to the back surface 12b. In addition, as an adhesive agent, a well-known thing can be used.

続いて、支持基材11および絶縁性基材12は、巻取りロール48(図5(a))に巻き取られる。   Then, the support base material 11 and the insulating base material 12 are wound up by the winding roll 48 (Fig.5 (a)).

その後、支持基材11および絶縁性基材12を所定の大きさ毎に切断することにより、濃度測定センサ用シート50が枚葉状に切断される(切断工程)(図11(a)(b))。各濃度測定センサ用シート50は、それぞれ1つまたは複数(この場合6組)の導電性パターン30を含んでいる。   Thereafter, the support base material 11 and the insulating base material 12 are cut into predetermined sizes, whereby the concentration measuring sensor sheet 50 is cut into a single sheet (cutting step) (FIGS. 11A and 11B). ). Each concentration measurement sensor sheet 50 includes one or a plurality (in this case, six sets) of conductive patterns 30.

なお、支持基材11および絶縁性基材12を巻取りロール48(図4)に巻き取ることなく、支持基材配設部46から供給された支持基材11および絶縁性基材12をそのまま切断しても良い。   In addition, the support base material 11 and the insulating base material 12 supplied from the support base material arrangement | positioning part 46 as it is, without winding up the support base material 11 and the insulating base material 12 on the winding roll 48 (FIG. 4). It may be cut.

続いて、図4に示すように、濃度測定センサ用シート50の導電性パターン30上にキャビティ17を設ける(キャビティ配設工程)。   Subsequently, as shown in FIG. 4, the cavity 17 is provided on the conductive pattern 30 of the density measurement sensor sheet 50 (cavity arrangement step).

次に、濃度測定センサ用シート50は、エンドトキシン除去部61(図5(b))に搬送される。このエンドトキシン除去部61において、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aのエンドトキシンを除去する。具体的には、この箇所のエンドトキシン濃度を0.01EU/mL以下とする(エンドトキシン除去工程)。なお、本実施の形態において、絶縁性基材12および導電性パターン30の全域がエンドトキシン除去処理され、エンドトキシン濃度を0.01EU/mL以下とされるようになっている。   Next, the concentration measuring sensor sheet 50 is conveyed to the endotoxin removing unit 61 (FIG. 5B). In the endotoxin removing unit 61, at least the endotoxin in the region 18 a where the reagent layer 18 is disposed is removed from the insulating base 12 and the conductive pattern 30. Specifically, the endotoxin concentration at this location is 0.01 EU / mL or less (endotoxin removal step). In the present embodiment, the entire region of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 is subjected to endotoxin removal treatment so that the endotoxin concentration is 0.01 EU / mL or less.

エンドトキシン除去部61は、例えばプラズマアッシング処理装置からなっていても良い。この場合、エンドトキシン除去部61(プラズマアッシング処理装置)において、絶縁性基材12および導電性パターン30がプラズマアッシング処理され、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のエンドトキシンが除去される。例えば、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面をプラズマ等で反応させ、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面を気相中で分解ないし除去することにより、当該表面とともにエンドトキシンを取り除いても良い。なお、図3に示すように、下地導電層35上に導電性パターン保護層39を設けておき、プラズマアッシングされた際に下地導電層35が残存するようにすることが好ましい。このように、プラズマアッシング処理を用いることにより、エンドトキシンの除去を短時間で行うことができる。   The endotoxin removal part 61 may consist of a plasma ashing processing apparatus, for example. In this case, in the endotoxin removing unit 61 (plasma ashing apparatus), the insulating base 12 and the conductive pattern 30 are subjected to plasma ashing, and the endotoxins on the surfaces of the insulating base 12 and the conductive pattern 30 are removed. For example, by reacting the surfaces of the insulating base material 12 and the conductive pattern 30 with plasma or the like, and decomposing or removing the surfaces of the insulating base material 12 and the conductive pattern 30 in the gas phase, endotoxin is removed together with the surfaces. It may be removed. As shown in FIG. 3, it is preferable to provide a conductive pattern protective layer 39 on the base conductive layer 35 so that the base conductive layer 35 remains when plasma ashing is performed. Thus, by using plasma ashing treatment, endotoxin can be removed in a short time.

あるいは、エンドトキシン除去部61は、フラッシュアニール処理装置からなっていても良い。この場合、エンドトキシン除去部61(フラッシュアニール処理装置)において、絶縁性基材12および導電性パターン30がフラッシュアニール処理され、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のエンドトキシンが除去される。例えば、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のみを瞬間的(例えば1μs〜1ms)に600℃〜1200℃程度まで加熱し、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のエンドトキシンを殺菌除去しても良い。このように、フラッシュアニール処理を用いることにより、エンドトキシンの除去を短時間で行うことができるという効果が得られる。このように絶縁性基材12および導電性パターン30がフラッシュアニール処理することにより、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のエンドトキシン濃度を、例えば0.5 EU/mL〜10EU/mLから0.01EU/mL以下まで大幅に低下させることができる。   Or the endotoxin removal part 61 may consist of a flash annealing treatment apparatus. In this case, in the endotoxin removing unit 61 (flash annealing apparatus), the insulating base 12 and the conductive pattern 30 are subjected to flash annealing, and endotoxins on the surfaces of the insulating base 12 and the conductive pattern 30 are removed. For example, only the surfaces of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 are instantaneously heated (for example, 1 μs to 1 ms) to about 600 ° C. to 1200 ° C., and endotoxins on the surfaces of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 are reduced. It may be sterilized and removed. As described above, by using the flash annealing treatment, it is possible to remove endotoxin in a short time. Thus, the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 are subjected to the flash annealing treatment, so that the endotoxin concentration on the surfaces of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 is, for example, from 0.5 EU / mL to 10 EU / mL. It can be significantly reduced to 0.01 EU / mL or less.

あるいは、エンドトキシン除去部61は、加熱殺菌処理装置からなっていても良い。この場合、エンドトキシン除去部61(加熱殺菌処理装置)において、絶縁性基材12および導電性パターン30が加熱され、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のエンドトキシンが殺菌除去される。例えば、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面を一定時間(例えば30分)、600℃〜1200℃程度まで加熱し、絶縁性基材12および導電性パターン30の表面のエンドトキシンを取り除いても良い。なお、加熱方法としては、乾式法を挙げることができる。このように、加熱殺菌処理を用いることにより、高価な設備なしに殺菌することが可能である。   Or the endotoxin removal part 61 may consist of a heat sterilization processing apparatus. In this case, in the endotoxin removing unit 61 (heat sterilization processing apparatus), the insulating base 12 and the conductive pattern 30 are heated, and endotoxins on the surfaces of the insulating base 12 and the conductive pattern 30 are sterilized and removed. For example, the surfaces of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 are heated to about 600 ° C. to 1200 ° C. for a predetermined time (for example, 30 minutes), and endotoxins on the surfaces of the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30 are removed. Also good. In addition, a dry method can be mentioned as a heating method. Thus, by using the heat sterilization treatment, it is possible to sterilize without expensive equipment.

あるいは、エンドトキシン除去部61を用いる代わりに、上述した各工程(絶縁性基材供給工程、導電性パターン形成工程、膜厚測定工程、および支持基材配設工程)をクラス1万以下のクリーンルームで実施しても良い。また、上述したエンドトキシン除去部61(プラズマアッシング処理装置、フラッシュアニール処理装置、又は加熱殺菌処理装置)を用いてエンドトキシン除去処理を行う場合においても、上述した各工程およびエンドトキシン除去工程をクラス1万以下のクリーンルームで実施しても良い。   Alternatively, instead of using the endotoxin removing unit 61, the above-described steps (insulating base material supplying step, conductive pattern forming step, film thickness measuring step, and supporting base material disposing step) are performed in a clean room of class 10,000 or less. You may carry out. Further, even when the endotoxin removal process is performed using the above-described endotoxin removal unit 61 (plasma ashing treatment apparatus, flash annealing treatment apparatus, or heat sterilization treatment apparatus), the above steps and the endotoxin removal process are performed in class 10,000 or less. It may be carried out in a clean room.

その後、図4に示すように、キャビティ17上に試薬層18を設け(試薬層配設工程)、次いで、試薬層18上にカバー19を設けて試薬層18をキャビティ17とカバー19との間で挟持する(カバー配設工程)。このようにして、図4に示す濃度測定センサ用シート50が得られる。   Thereafter, as shown in FIG. 4, a reagent layer 18 is provided on the cavity 17 (reagent layer disposing step), and then a cover 19 is provided on the reagent layer 18 so that the reagent layer 18 is placed between the cavity 17 and the cover 19. (Cover disposing step). In this way, the density measuring sensor sheet 50 shown in FIG. 4 is obtained.

その後、濃度測定センサ用シート50を切断し、各導電性パターン30毎に個片化することにより、図1に示す濃度測定センサ10が得られる。   Thereafter, the concentration measuring sensor sheet 10 shown in FIG. 1 is obtained by cutting the sheet 50 for the concentration measuring sensor and separating the sheet 50 for each conductive pattern 30.

なお、上記において、エンドトキシン除去工程は、キャビティ配設工程の後に設けられているが、これに限られるものではない。例えば絶縁性基材供給工程の後、導電性パターン形成工程の後、膜厚測定工程の後、支持基材配設工程の後、又は切断工程の後に設けられていても良い。また、エンドトキシン除去工程が複数回実施されても良い。   In the above, the endotoxin removing step is provided after the cavity disposing step, but is not limited thereto. For example, it may be provided after the insulating base material supplying step, after the conductive pattern forming step, after the film thickness measuring step, after the supporting base material disposing step, or after the cutting step. Further, the endotoxin removal step may be performed a plurality of times.

次に濃度測定センサ10を用いた濃度測定について説明する。   Next, concentration measurement using the concentration measurement sensor 10 will be described.

まず濃度測定センサ10が外部デバイス25(図2)の挿入口26内に挿入される。このとき外部デバイス25側の接続部が濃度測定センサ10の接続端子15a、15bにそれぞれ接触する。そして、外部デバイス25内のスイッチ(図示せず)が濃度測定センサ10により作動し、外部デバイス25は液体試料吸引待機状態となる。   First, the concentration measuring sensor 10 is inserted into the insertion port 26 of the external device 25 (FIG. 2). At this time, the connection portion on the external device 25 side comes into contact with the connection terminals 15a and 15b of the concentration measurement sensor 10, respectively. Then, a switch (not shown) in the external device 25 is activated by the concentration measurement sensor 10, and the external device 25 enters a liquid sample suction standby state.

その後、使用者が、濃度測定センサ10のキャビティ17の吸引口17aに液体試料を付着させる。このときキャビティ17の吸引口17aの毛細管現象によって、キャビティ17の吸引口17aから液体試料が引き込まれる。液体試料としては、例えば、血液、汗、尿等の生体由来の液体試料や、環境由来の液体試料、食品由来の液体試料等が用いられる。例えば、濃度測定センサ10を血糖値センサとして用いる場合、使用者は、自身の指、掌、又は腕等を穿刺して、少量の血液を搾り出し、この血液を液体試料として、キャビティ17の吸引口17aに付着させる。   Thereafter, the user attaches a liquid sample to the suction port 17 a of the cavity 17 of the concentration measurement sensor 10. At this time, the liquid sample is drawn from the suction port 17 a of the cavity 17 by capillary action of the suction port 17 a of the cavity 17. As the liquid sample, for example, a liquid sample derived from a living body such as blood, sweat or urine, a liquid sample derived from the environment, a liquid sample derived from food, or the like is used. For example, when the concentration measurement sensor 10 is used as a blood glucose level sensor, the user punctures his / her finger, palm, arm or the like to squeeze out a small amount of blood, and this blood is used as a liquid sample to suck the suction port of the cavity 17. It adheres to 17a.

本実施の形態においては、上述したように、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aのエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっている。これにより、使用者が、自身の指、掌、又は腕等の血液をキャビティ17の吸引口17aに瞬間的に付着させた際、濃度測定センサ10に付着したエンドトキシンが体内に入ってしまうおそれがない。   In the present embodiment, as described above, the endotoxin concentration in at least the region 18a in which the reagent layer 18 is disposed is 0.01 EU / mL or less in the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30. As a result, when the user instantaneously attaches blood such as his / her finger, palm or arm to the suction port 17a of the cavity 17, the endotoxin attached to the concentration measuring sensor 10 may enter the body. Absent.

キャビティ17の吸引口17aに付着された血液は、その後試薬層18に達し、血液が試薬層18に達した後、血液中のグルコース濃度が外部デバイス25により測定され、測定結果は外部デバイス25の表示部27に表示される。   The blood adhering to the suction port 17a of the cavity 17 then reaches the reagent layer 18. After the blood reaches the reagent layer 18, the glucose concentration in the blood is measured by the external device 25, and the measurement result is obtained from the external device 25. It is displayed on the display unit 27.

次に外部デバイス25によるグルコース濃度の測定の原理について述べる。   Next, the principle of measuring the glucose concentration by the external device 25 will be described.

まず試薬層18はグルコース酸化還元酵素と、電子受容体としてフェリシアン化カリウムを含み、血液中のブドウ糖と特異的に反応し、グルコン酸と電子を発する。この電子はフェリシアン化カリウムをフェロシアン化カリウムとし、これに外部デバイス25側から接続端子15a、15b、配線部13a、13b、および作用電極14aおよび対電極14bを介して一定の電圧を加えることで再びフェリシアン化カリウムとなり、そのとき電流が発生する。この場合の電流値は血液中のグルコース濃度に比例するため、この電流値を外部デバイス25により測定することによりグルコース濃度を測定することができる。   First, the reagent layer 18 contains glucose oxidoreductase and potassium ferricyanide as an electron acceptor, specifically reacts with glucose in blood, and emits gluconic acid and electrons. This electron turns potassium ferricyanide into potassium ferrocyanide. By applying a certain voltage from the external device 25 side through the connection terminals 15a and 15b, the wiring portions 13a and 13b, the working electrode 14a and the counter electrode 14b, potassium ferricyanide is added again. Then, current is generated. Since the current value in this case is proportional to the glucose concentration in the blood, the glucose concentration can be measured by measuring this current value with the external device 25.

試薬層18内での反応を更に述べる。酸化還元酵素としてグルコースオキシダーゼ(GOD)、電子伝達体としてフェリシアン化カリウム(KFe(CN))を用いた場合、試薬層18内において、以下の反応がおこる。 The reaction in the reagent layer 18 will be further described. When glucose oxidase (GOD) is used as the oxidoreductase and potassium ferricyanide (K 3 Fe (CN) 6 ) is used as the electron carrier, the following reaction occurs in the reagent layer 18.

グルコース + 2[Fe(CN)3− + HO → グルコン酸 +2H + 2[Fe(CN)4− Glucose +2 [Fe (CN) 6 ] 3− + H 2 O → Gluconic acid + 2H + +2 [Fe (CN) 6 ] 4−

このとき、フェロシアン化イオンは、作用電極14aで酸化されて酸化電流を生じ、以下のようにしてフェリシアン化イオンに還元される。   At this time, the ferrocyanide ions are oxidized at the working electrode 14a to generate an oxidation current, and are reduced to ferricyanide ions as follows.

2[Fe(CN)4− → 2[Fe(CN)3− + 2e 2 [Fe (CN) 6] 4- → 2 [Fe (CN) 6] 3- + 2e -

測定終了後、使用者は濃度測定センサ10を外部デバイス25の挿入口26から引き抜く。   After the measurement is completed, the user pulls out the concentration measurement sensor 10 from the insertion port 26 of the external device 25.

以上のように本実施の形態によれば、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aのエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっている。これにより、使用者が、自身の指、掌、又は腕等の血液をキャビティ17の吸引口17aに瞬間的に付着させた際、濃度測定センサ10に付着したエンドトキシンが体内に入ってしまい、問題を引き起こすおそれがない。   As described above, according to the present embodiment, the endotoxin concentration in at least the region 18a in which the reagent layer 18 is disposed is 0.01 EU / mL or less in the insulating base 12 and the conductive pattern 30. As a result, when the user instantaneously attaches blood such as his / her finger, palm or arm to the suction port 17a of the cavity 17, the endotoxin adhering to the concentration measuring sensor 10 enters the body, which causes a problem. There is no risk of causing.

(第2の実施の形態)
次に、図12および図13を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。図12および図13は本発明の第2の実施の形態を示す図である。図12および図13において、上述した第1の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13 are views showing a second embodiment of the present invention. 12 and 13, the same parts as those in the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.

図12に示す濃度測定センサ10は、エンドトキシンの濃度を測定する際に用いられるものであり、図13に示す濃度測定センサ用シート50は、図12に示す濃度測定センサ10を作製する際に用いられるものである。   The concentration measuring sensor 10 shown in FIG. 12 is used when measuring the concentration of endotoxin, and the concentration measuring sensor sheet 50 shown in FIG. 13 is used when producing the concentration measuring sensor 10 shown in FIG. It is what

図12に示す濃度測定センサ10および図13に示す濃度測定センサ用シート50において、一方の配線部13aと他方の配線部13bとの間に、参照電極用の配線部13cが設けられている。配線部13cの一端には、例えば銀塩化銀電極からなる参照電極14cが設けられ、配線部13cの他端には、接続端子15cが設けられている。   In the concentration measurement sensor 10 shown in FIG. 12 and the concentration measurement sensor sheet 50 shown in FIG. 13, a reference electrode wiring portion 13c is provided between one wiring portion 13a and the other wiring portion 13b. A reference electrode 14c made of, for example, a silver-silver chloride electrode is provided at one end of the wiring portion 13c, and a connection terminal 15c is provided at the other end of the wiring portion 13c.

この場合、試薬層18は、測定する溶液中に含まれるエンドトキシンに対して反応を生じる物質を含んでいる。例えば、試薬層18には、C因子、B因子、及び凝固酵素前駆体を含む物質、具体的にはカブトガニ・アメボサイト・ライセート(カブトガニ血球抽出液)が含まれていても良い。   In this case, the reagent layer 18 contains a substance that reacts with endotoxin contained in the solution to be measured. For example, the reagent layer 18 may contain a substance containing factor C, factor B, and a clotting enzyme precursor, specifically, horseshoe crab, amebocyte lysate (a horseshoe crab blood cell extract).

本実施の形態においても、絶縁性基材12および導電性パターン30のうち、少なくとも試薬層18が配置される領域18aのエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっている。これにより、試薬層18が配置される領域18aに予めエンドトキシンが存在することによって、エンドトキシン濃度が誤って測定されることを防止することができる。   Also in the present embodiment, the endotoxin concentration of at least the region 18a in which the reagent layer 18 is arranged is 0.01 EU / mL or less in the insulating base material 12 and the conductive pattern 30. Accordingly, it is possible to prevent the endotoxin concentration from being erroneously measured due to the presence of the endotoxin in the region 18a where the reagent layer 18 is disposed in advance.

図12および図13において、エンドトキシン濃度を0.01EU/mL以下とする方法は、上述した第1の実施の形態と同様である。すなわち、絶縁性基材12および導電性パターン30に対して、例えば、(i)フラッシュアニール処理、(ii)プラズマアッシング処理、又は(iii)加熱殺菌処理を実施しても良い。あるいは、(iv)濃度測定センサ10の製造工程の少なくとも一部をクラス1万以下のクリーンルームで実施しても良い。   12 and 13, the method for setting the endotoxin concentration to 0.01 EU / mL or less is the same as that in the first embodiment described above. That is, for example, (i) flash annealing treatment, (ii) plasma ashing treatment, or (iii) heat sterilization treatment may be performed on the insulating substrate 12 and the conductive pattern 30. Alternatively, (iv) at least a part of the manufacturing process of the concentration measuring sensor 10 may be performed in a clean room of class 10,000 or less.

なお、図12に示す濃度測定センサ10および図13に示す濃度測定センサ用シート50は、上述した第1の実施の形態の場合と略同様にして作製することができる。図12および図13において、図1乃至図11に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。   The density measurement sensor 10 shown in FIG. 12 and the density measurement sensor sheet 50 shown in FIG. 13 can be manufactured in substantially the same manner as in the first embodiment described above. 12 and 13, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 11 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組み合わせることも可能である。あるいは、上記実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。例えば、図12に示す形態と図3に示す形態とを組合せ、図12に示す濃度測定センサ10においても、導電性パターン30のうち少なくとも試薬層18が配置される領域18aを、下地導電層35と、下地導電層35上の導電性パターン保護層39とから構成しても良い。   A plurality of constituent elements disclosed in the above-described embodiment can be appropriately combined as necessary. Or you may delete a some component from all the components shown by the said embodiment. For example, the form shown in FIG. 12 and the form shown in FIG. 3 are combined, and also in the concentration measurement sensor 10 shown in FIG. 12, at least the region 18 a in which the reagent layer 18 is disposed in the conductive pattern 30. And a conductive pattern protective layer 39 on the underlying conductive layer 35.

10 濃度測定センサ
11 支持基材
12 絶縁性基材
13a、13b 配線部
14 電極系
14a 作用電極
14b 対電極
15a、15b 接続端子
17 キャビティ
18 試薬層
19 カバー
30 導電性パターン
50 濃度測定センサ用シート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Concentration measuring sensor 11 Support base material 12 Insulating base material 13a, 13b Wiring part 14 Electrode system 14a Working electrode 14b Counter electrode 15a, 15b Connection terminal 17 Cavity 18 Reagent layer 19 Cover 30 Conductive pattern 50 Concentration sensor sheet

Claims (12)

溶液中の物質の濃度を測定するための濃度測定センサにおいて、
少なくとも一方の面が絶縁性をもつ絶縁面となる絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の前記絶縁面上に設けられた導電性パターンと、
前記導電性パターン上に配置された試薬層とを備え、
前記絶縁性基材および前記導電性パターンのうち、少なくとも前記試薬層が配置される領域のエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっていることを特徴とする濃度測定センサ。
In a concentration measurement sensor for measuring the concentration of a substance in a solution,
An insulating base material on which at least one surface is an insulating surface having an insulating property;
A conductive pattern provided on the insulating surface of the insulating substrate;
A reagent layer disposed on the conductive pattern,
An endotoxin concentration in at least a region where the reagent layer is arranged in the insulating base material and the conductive pattern is 0.01 EU / mL or less.
前記絶縁性基材の厚みは、5μm〜300μmであることを特徴とする請求項1記載の濃度測定センサ。   The concentration measuring sensor according to claim 1, wherein the insulating base has a thickness of 5 μm to 300 μm. 前記導電性パターンの厚みは、0.3μm〜50μmであることを特徴とする請求項1又は2記載の濃度測定センサ。   The concentration measuring sensor according to claim 1, wherein the conductive pattern has a thickness of 0.3 μm to 50 μm. 前記導電性パターンのうち、少なくとも前記試薬層が配置される領域は、下地導電層と、前記下地導電層上に設けられた導電性パターン保護層とを含むことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の濃度測定センサ。   The area | region where the said reagent layer is arrange | positioned among the said conductive patterns contains a base conductive layer and the conductive pattern protective layer provided on the said base conductive layer, The Claim 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. The concentration measuring sensor according to any one of the above. 前記絶縁性基材の他方の面に、前記絶縁性基材を支持する支持基材が配設されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の濃度測定センサ。   5. The concentration measuring sensor according to claim 1, wherein a supporting base material that supports the insulating base material is disposed on the other surface of the insulating base material. 濃度測定センサを作製するための濃度測定センサ用シートにおいて、
少なくとも一方の面が絶縁性をもつ絶縁面となる絶縁性基材と、
前記絶縁性基材の前記絶縁面上に設けられた複数の導電性パターンとを備え、
前記絶縁性基材および前記導電性パターンのうち、少なくとも試薬層が配置される領域のエンドトキシン濃度が0.01EU/mL以下となっていることを特徴とする濃度測定センサ用シート。
In the sheet for concentration measurement sensor for producing the concentration measurement sensor,
An insulating base material on which at least one surface is an insulating surface having an insulating property;
A plurality of conductive patterns provided on the insulating surface of the insulating substrate;
An endotoxin concentration in a region where a reagent layer is disposed at least among the insulating substrate and the conductive pattern is 0.01 EU / mL or less, and the concentration measuring sensor sheet.
前記絶縁性基材の厚みは、5μm〜300μmであることを特徴とする請求項6記載の濃度測定センサ用シート。   The thickness of the said insulating base material is 5 micrometers-300 micrometers, The sheet | seat for density | concentration measurement sensors of Claim 6 characterized by the above-mentioned. 前記導電性パターンの厚みは、0.3μm〜50μmであることを特徴とする請求項6又は7記載の濃度測定センサ用シート。   The thickness of the said conductive pattern is 0.3 micrometer-50 micrometers, The sheet | seat for density | concentration measurement sensors of Claim 6 or 7 characterized by the above-mentioned. 前記導電性パターンのうち、少なくとも前記試薬層が配置される領域は、下地導電層と、前記下地導電層上に設けられた導電性パターン保護層とを含むことを特徴とする請求項6乃至8のいずれか一項記載の濃度測定センサ用シート。   The region of the conductive pattern in which at least the reagent layer is disposed includes a base conductive layer and a conductive pattern protective layer provided on the base conductive layer. The sheet | seat for density | concentration measurement sensors as described in any one of these. 濃度測定センサの製造方法であって、
少なくとも一方の面が絶縁性をもつ絶縁面となる帯状の絶縁性基材を供給する絶縁性基材供給工程と、
前記絶縁性基材の絶縁面に複数の導電性パターンを形成する導電性パターン形成工程とを備え、
前記絶縁性基材および前記導電性パターンのうち、少なくとも試薬層が配置される領域のエンドトキシン濃度を、0.01EU/mL以下とすることを特徴とする濃度測定センサ用シートの製造方法。
A method for manufacturing a concentration measuring sensor, comprising:
An insulative base material supplying step of supplying a strip-shaped insulative base material in which at least one surface is an insulating surface having an insulating property;
A conductive pattern forming step of forming a plurality of conductive patterns on the insulating surface of the insulating substrate;
A method for producing a sheet for a concentration measurement sensor, wherein an endotoxin concentration in at least a region where a reagent layer is arranged in the insulating substrate and the conductive pattern is 0.01 EU / mL or less.
前記絶縁性基材および前記導電性パターンに対して、フラッシュアニール処理、プラズマアッシング処理、又は加熱殺菌処理を実施する工程を更に備えたことを特徴とする請求項10記載の濃度測定センサ用シートの製造方法。   The concentration measurement sensor sheet according to claim 10, further comprising a step of performing flash annealing treatment, plasma ashing treatment, or heat sterilization treatment on the insulating substrate and the conductive pattern. Production method. 前記絶縁性基材供給工程と前記導電性パターン形成工程とが、クリーンルームで実施されることを特徴とする請求項10又は11記載の濃度測定センサ用シートの製造方法。   The method for producing a sheet for a concentration measuring sensor according to claim 10 or 11, wherein the insulating base material supplying step and the conductive pattern forming step are performed in a clean room.
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