JP2014177673A

JP2014177673A - パルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法及びその装置

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Publication number: JP2014177673A
Application number: JP2013052219A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Yamamura; 和也山村; Yasuhisa Sano; 泰久佐野
Original assignee: Osaka University NUC
Current assignee: Osaka University NUC
Priority date: 2013-03-14
Filing date: 2013-03-14
Publication date: 2014-09-25
Anticipated expiration: 2033-03-14
Also published as: JP6048886B2

Abstract

【課題】
安定に発生させた局所プラズマで被処理物表面を走査して加工、成膜若しくは改質などの処理を行うために、被処理物表面における局所的なプラズマ処理能率を高速に制御して、被処理物表面を数値制御して効率良く高精度に処理することが可能なパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】
局所的に発生させた高周波プラズマＰを被処理物２表面に対して等速度で走査するとともに、被処理物表面における局所的なプラズマ処理能率を、予め設定した被処理物表面の最小処理領域毎の位置情報とその処理量とからなるＮＣ処理データに基づき、高周波プラズマのＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させるパルス幅変調（ＰＷＭ）電力制御によって変化させ、被処理物表面の所定領域を数値制御して処理する。
【選択図】図１

Description

本発明は、パルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法及びその装置に係わり、更に詳しくは被処理物表面に対する局所プラズマの印加電力をパルス幅変調によって制御してプラズマ処理能率を変化させる局所プラズマ処理方法及びその装置に関するものである。

大気開放型Plasma Chemical Vaporization Machining（ＰＣＶＭ）法は、大気圧雰囲気中で局所的に発生させたプラズマを用いて加工を行う超精密形状創成法である。つまり、ＰＣＶＭは、局所プラズマを被加工物表面に対して相対的に走査して被加工物表面を局所的に加工し、加工量を局所的に制御して任意曲面を創成するものであり、非接触かつ化学反応を利用した加工法であるため、被加工物表面の原子配列を乱すことなくダメージフリーな加工が可能である。

従来のＰＣＶＭでは、不活性ガスと反応ガスの雰囲気中で電極に高周波電力を投入して、安定な局所プラズマを発生させ、被加工物表面に対するプラズマの滞在時間と単位加工痕形状から加工量を決定していた。例えば、特許文献１に記載されたＰＣＶＭを用いた数値制御加工方法では、加工電極を固定し、被加工物を載せたＸＹステージを駆動して、加工量をＸＹステージの走査速度をパラメータとし、プラズマ滞在時間を数値制御することで目的形状を高精度に創成するものであった。この場合に、ＸＹステージの加速、減速が急激にならないように走査速度を制御する工夫をしていた。また、ＰＣＶＭ装置、特に加工電極への電力投入系については、特許文献２に記載されている。

このように、従来のＰＣＶＭにおいて任意の形状を創成するには、プラズマに対する被加工物ステージの走査速度を制御することにより、任意座標における加工量を制御していた。また、反応ガスを適宜選択することにより、同様な局所プラズマ処理装置で、被処理物表面に成膜すること（Plasma Chemical Vaporization Deposition：ＰＣＶＤ）、あるいは被処理物表面を改質することが可能である。これらの処理の場合にも、局所的なプラズマ処理能率を制御するために、被処理物ステージの走査速度を制御することになる。

特許第２９６２５８３号公報特許第２８１６３６５号公報

しかしながら、加工量が短区間で急激に変化する場合には、ステージの走査速度の変化も大きくなるため、ステージの運動性能によっては設定値に追従できなくなって加工誤差が生じてしまうことが問題となっていた。そのため、加工量を多く設定し、加工前の表面凹凸の影響を小さくする必要があるが、その分だけ加工時間が長くなるといった課題があった。また、加工速度（加工能率）を下げて、ステージの走査速度を遅くすれば、加工量が少なくても、比較的高精度に形状を創成できるが、やはり加工時間が長くなるという課題は残る。

そこで、本発明が前述の状況に鑑み、解決しようとするところは、安定に発生させた局所プラズマで被処理物表面を走査して加工、成膜若しくは改質などの処理を行うために、被処理物表面における局所的なプラズマ処理能率を高速に制御して、被処理物表面を数値制御して効率良く高精度に処理することが可能なパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法及びその装置を提供する点にある。

本発明は、前述の課題解決のために、局所的に発生させた高周波プラズマを被処理物表面に対して等速度で走査するとともに、該被処理物表面における局所的なプラズマ処理能率を、予め設定した前記被処理物表面の最小処理領域毎の位置情報とその処理量とからなるＮＣ処理データに基づき、高周波プラズマのＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させるパルス幅変調（Pulse Width Modulation：ＰＷＭ）電力制御によって変化させ、該被処理物表面の所定領域を数値制御して処理することを特徴とするパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法を構成した（請求項１）。

ここで、本発明の方法において、前記高周波プラズマは、大気開放下のプロセスガス雰囲気中で、電極に１０ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの一定の高周波電力を印加して発生させてなることが好ましい（請求項２）。

また、本発明の方法において、前記パルス幅変調電力制御に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周期（ｔ１＋ｔ２）は、処理量を数値制御する最小処理領域を局所プラズマが通過する時間よりも短く設定する必要がある（請求項３）。

更に、本発明の方法において、前記パルス幅変調電力制御に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周波数は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに設定することがより好ましい（請求項４）。

そして、本発明の方法において、高周波プラズマの投入電力を一定とし、デューティ比[ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）]を変化させて高周波プラズマの平均電力を変化させた際のデューティ比に対するプラズマ処理能率の検量線を予め取得し、前記被処理物表面の最小処理領域の処理量に応じて、前記検量線に基づいてデューティ比を数値制御してなるのである（請求項５）。

更に、本発明の方法において、前記プラズマ処理が、被処理物表面の精密加工であるとより好ましい（請求項６）。

また、本発明は、大気開放下のプロセスガス雰囲気中で局所的に高周波プラズマを発生させる電極と、前記電極との間に一定のギャップを維持して被処理物を保持し、前記電極に対して等速度で走査する移動ステージと、前記電極に１０ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの一定の高周波電力を供給する高周波電源と、前記高周波電源のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させるパルス幅変調（ＰＷＭ）電力制御手段と、前記移動ステージの位置情報を取得し、前記パルス幅変調電力制御手段に位置情報を入力するエンコーダと、を備え、予め設定した前記被処理物表面の最小処理領域毎の位置情報とその処理量とからなるＮＣ処理データに基づき、パルス幅変調電力制御手段によって前記高周波電源のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させて局所的なプラズマ処理能率を変化させ、該被処理物表面の所定領域を数値制御して処理することを特徴とするパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置を構成した（請求項７）。

同様に、本発明の装置において、前記パルス幅変調電力制御手段に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周期（ｔ１＋ｔ２）は、処理量を数値制御する最小処理領域を局所プラズマが通過する時間よりも短く設定する必要がある（請求項８）。

また、本発明の装置において、前記パルス幅変調電力制御手段に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周波数は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに設定することがより好ましい（請求項９）。

そして、本発明の装置において、前記高周波電源による電極への投入電力を一定とし、前記パルス幅変調電力制御手段におけるデューティ比[ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）]を変化させて高周波プラズマの平均電力を変化させた際のデューティ比に対するプラズマ処理能率の検量線を予め取得し、前記被処理物表面の最小処理領域の処理量に応じて、前記検量線に基づいてデューティ比を数値制御してなるのである（請求項１０）。

更に、前本発明の装置において、記プラズマ処理が、被処理物表面の精密加工であるとより好ましい（請求項１１）。

本発明のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法及びその装置によれば、被処理物の移動ステージの走査速度は一定の下、局所プラズマを発生させる高周波電力をパルス幅変調（Pulse Width Modulation：ＰＷＭ）制御により増減させてプラズマ処理能率（加工速度）の制御を行うので、電気的に行われるＰＷＭ制御はステージの速度制御と比較して応答速度が格段に速く、従来の応答遅れによる加工誤差を無くすることができ、また走査における急激な加減速も不要となるため機械的な負荷が小さくなり、駆動機構のコストを低減できる。本発明は、被加工物表面を数値制御加工して任意の形状を創成するのに最も威力を発揮するが、成膜や改質においても駆動機構に対する要求度が緩和されるので効果的である。

本発明の加工装置の簡略説明図である。局所プラズマで被加工物表面を走査する例を示す説明用平面図である。加工電極の簡略断面図である。走査速度を変化させて局所プラズマの滞在時間を制御する加工方法において、（ａ）は加工前表面と二つの加工量の関係を示すグラフ、（ｂ）は二つの加工量に対する走査速度の関係を示すグラフである。パルス幅変調電力制御の説明図であり、（ａ）は高周波電源の出力をＰＷＭ制御するためのパルス信号波形を示すグラフ、（ｂ）はＰＷＭ制御された高周波電源の出力波形を示すグラフである。ＰＷＭ制御及びＡＭ制御と加工速度との関係（検量線）を示すグラフである。（ａ）はＰＷＭ制御するためのパルス信号の周波数が１ｋＨｚの場合のデューティ比と加工速度の関係のグラフ、（ｂ）はＰＷＭ制御するためのパルス信号の周波数が１０ｋＨｚの場合のデューティ比と加工速度の関係のグラフ、（ｃ）はＰＷＭ制御するためのパルス信号の周波数が１００ｋＨｚの場合のデューティ比と加工速度の関係のグラフである。

次に、添付図面に示した実施形態に基づき、本発明を更に詳細に説明する。本実施形態では、本発明に係るパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置のなかで、特に加工装置を説明するが、成膜装置や改質装置も原理的には同じである。図１は本発明の加工装置の概念図であり、図中符号１は加工電極、２は被加工物、３は移動ステージ、４は高周波電源、５はマッチングユニット、６はパルス幅変調電力制御インターフェイス、７はエンコーダ、Ｐは局所プラズマをそれぞれ示している。

本発明の加工装置は、図１及び図２に示すように、大気開放下のプロセスガス雰囲気中で局所的に高周波プラズマＰを発生させる加工電極１と、前記加工電極１との間に一定のギャップＧを維持して被加工物２を保持し、前記加工電極１に対して等速度で走査する移動ステージ３と、前記加工電極１に１０ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの一定の高周波電力を供給する高周波電源４と、前記高周波電源４と負荷とのインピーダンスを整合させるためのマッチングユニット５と、前記高周波電源４のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させるパルス幅変調（ＰＷＭ）電力制御インターフェイス６と、前記移動ステージ３の位置情報を取得し、前記パルス幅変調電力制御インターフェイス６に位置情報を入力するエンコーダ７とを備えている。そして、予め設定した前記被加工物２表面の最小処理領域毎の位置情報とその処理量とからなるＮＣ処理データに基づき、パルス幅変調電力制御インターフェイス６によって前記高周波電源４のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させて局所的なプラズマ加工能率（加工速度）を変化させ、該被加工物２表面の所定領域を数値制御して加工するのである。

図２は、局所プラズマＰを被加工物２の表面に沿ってジグザグに走査する例を示し、走査方向が変化する部分を除き、等速度で相対的に走査する。本実施形態では、前記加工電極１は固定し、ＸＹ方向の移動ステージ３で被加工物２を局所プラズマＰに対して移動させるようにしている。走査方向は図中Ｓで表している。

前記加工電極１は、図３に示すように、中心の電極棒８の外周に絶縁体からなる外筒９を同心配置し、前記電極棒８と外筒９の間から先端へプロセスガスを噴出させながら、前記電極棒８に高周波電力を印加して局所的に高周波プラズマＰを発生させるのである。ここで、プロセスガスとして、例えばＨｅやＡｒなどの不活性ガスとＣＦ₄やＯ₂などの反応ガスの混合ガスを用いる。加工は、プラズマ中で反応ガスから生成された反応種（主に中性ラジカル）と被加工物２の表面原子との化学的な反応によって発生した揮発性化合物を、被加工物２の表面から除去することで進行する。被加工物２の材質によって最適なガスは異なる。このプロセスガスを変えるだけで、成膜や改質を行うことができる。

先ず、従来の局所プラズマＰの滞在時間を制御する数値制御加工方法についてシミュレーションした結果を図４に基づいて説明する。図４（ａ）の最上段のギザギザの実線は、加工前の表面形状を示し、中段の実線は取りしろ２８ｎｍの場合の加工後の目標表面形状（厚さ２００ｎｍ）、下段の点線は取りしろ１７８ｎｍの場合の加工後の目標表面形状（厚さ５０ｎｍ）を示している。横軸は加工面の位置を示している。図４（ｂ）は、（ａ）のような表面形状を持った試料を取りしろ２８ｎｍ及び１７８ｎｍとした場合の速度分布を直径３ｍｍの加工電極から得られる単位加工痕からシミュレーションしたものである。取りしろが小さい場合、加工時間は短いが図４（ｂ）の実線で示すように速度変化が激しいためステージの走査速度を制御するモータの性能上、急激な速度変化に追従できず加工精度に誤差が生じる要因となりうる。一方、取りしろが多い場合は、加工時間がかかってしまうが、図４（ｂ）の点線で示すように速度変化は緩やかである。

それに対して本発明は、走査速度一定の下、電極-基板間に投入する平均電力を制御し加工量分布制御を行うことで目的形状創成の高精度化を目指すのである。平均電力を制御する投入電力制御の方法として振幅変調（Amplitude Modulation：ＡＭ）制御及びパルス幅変調（Pulse Width Modulation：ＰＷＭ）制御が挙げられる。ＰＷＭ制御は投入電力一定の下、パルス波を高周波電源に印加することでＯＮ／ＯＦＦを外部から制御し、平均電力を制御する方法である。そのための手段が、ＰＷＭ制御インターフェイス６である。尚、ＡＭ制御は、周波数一定で振幅を変化させる通常の電力制御の方法である。

図５（ａ）は高周波電源の出力をＰＷＭ制御するためのパルス信号波形を示し、図５（ｂ）はＰＷＭ制御された高周波電源の出力波形を示している。図５は、横軸は時間、縦軸は電圧を示している。ここで、ｔ１はパルス幅を示し、高周波電源のＯＮ時間に対応し、ｔ２はＯＦＦ時間に対応し、周期は（ｔ１＋ｔ２）であり、デューティ比は[ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）]と定義される。図５に示すように、ＰＷＭ制御インターフェイス６で発生させるパルス波のデューティ比を変化させることによって、高周波電源４から加工電極１に投入される平均電力を制御することが可能となる。

次に、投入電力制御として本発明のＰＷＭ制御とＡＭ制御を適用して平均電力を制御し加工を行った。作製した静止加工痕を位相シフト干渉顕微鏡で測定し体積加工量を計算した。

具体的には、プラズマＣＶＭ装置を用いてＳｉ（１１１）基板上に静止加工痕を作製した。加工条件はプロセスガス流量Ｈｅ:ＣＦ₄:Ｏ₂＝７５０:２０:２．５ｓｃｃｍ、加工ギャップ４００μｍ、加工時間を２分とした。高周波電源の周波数は１３．５６ＭＨｚである。ＡＭ制御の場合、投入電力（ＣＷ）はＰＣＶＭ装置内でグロー放電を維持出来る４５Ｗから８０Ｗまでを５Ｗ刻みで変化させて加工を行った。ＰＷＭ制御の場合、繰り返し周波数１ｋＨｚのパルス波を高周波電源に印加させ、投入電力をデューティ比１００％時の８０Ｗで固定し、デューティ比を１０％から１００％まで１０％刻みで変化させて加工を行った。

図６はＡＭ制御の場合の加工速度と投入電力の関係及びＰＷＭ制御における加工速度と平均電力の関係を示したものである。ＡＭ制御における投入電力とＰＷＭ制御における平均電力が等しい場合でも、ＰＷＭ制御はＡＭ制御に比べて電極−試料間に印加される高周波電圧の波高値が高いためＡＭ制御と比べて電界が強い。ＰＷＭ制御はＡＭ制御と比べて衝突前に電子の持つエネルギーが大きいため解離しやすくプラズマ中に多くの反応種が発生し加工速度が多いと推測される。ただ、ＰＷＭ制御及びＡＭ制御の何れの場合も平均電力によらず、電子温度は約０．９ｅＶで一定であった。また、図６よりＡＭ制御の場合加工量は０．９５×１０^-2ｍｍ³／ｍｉｎから３．６２×１０^-2ｍｍ³／ｍｉｎの範囲で加工速度制御することでき、ＰＷＭ制御は０．２４×１０^-2ｍｍ³／ｍｉｎから３．３４×１０^-2ｍｍ³／ｍｉｎの範囲で加工速度制御可能なことが分かる。ＡＭ制御の場合、投入電力８０Ｗにおける加工速度を１００％とすると、２６％まで加工速度を制御することが可能である。それに対してＰＷＭ制御の場合、平均電力が８０Ｗ(デューティ比１００％)の時の加工速度を１００％とすると、７％まで加工速度を制御することが可能である。以上より、本発明のＰＷＭ制御は、ＡＭ制御より加工速度の制御範囲が広いことが確かめられた。この平均電力（デューティ比）と加工速度（プラズマ処理能率）の関係が検量線として用いられる。

本発明では、等速度で移動するステージ３の座標情報をエンコーダ７で読み取り、座標毎に予め設定した電力印加パルス幅（デューティ比）をプラズマ発生用高周波電源（ＲＦ電源）４にインターフェイス６を通して指令する。図５に示すように、デューティ比で決定される平均電力に応じて加工量は線型的に変化するため、基板の任意座標位置における加工量は正確に制御できる。本発明では、取りしろを小さくして、加工時間を大幅に短縮できるにも係わらず、移動ステージを等速度で駆動するだけであるので、安価な駆動機構を用いることができるのである。ここで、前記被加工物表面の最小加工領域毎の位置情報とその加工量（取りしろ）とからなるＮＣ処理データは、従来のＰＣＶＭ装置での加工の際にも作成するものと同じである。尚、最小加工領域とは、静止加工痕ではなく、被加工物の加工量を決定するデータの最小領域である。

ＰＷＭ制御に用いるパルス波のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周期（ｔ１＋ｔ２）は、処理量を数値制御する最小処理領域を局所プラズマが通過する時間よりも短く設定する必要がある。ここで、「局所プラズマが通過する時間」とは、局所プラズマの中心が最小処理領域を通過する時間のことであり、最小処理領域の走査方向距離を走査速度で割った時間のことである。例えば、走査速度が最高８０ｍｍ／ｓｅｃの場合、最小処理領域を０．５ｍｍの間隔とした場合、６．２５×１０^-3ｓｅｃで通過する。これは、パルス波の周波数が１６０Ｈｚに対応する。少なくとも、この周波数よりも高くする必要がある。実用的には、ＰＷＭ制御に用いるパルス波の周波数は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに設定する。

ＰＷＭ制御に用いるパルス波の周波数の違いによる影響を調べた。試料は、Ｓｉ（１１１）基板である。高周波電源の電力を８０Ｗとし、プロセスガス流量Ｈｅ:ＣＦ₄:Ｏ₂＝７５０:２０:２．５ｓｃｃｍ、加工ギャップ４００μｍ、加工時間を２分とした。そして、パルス周波数を１，１０，１００ｋＨｚとし、デューティ比を１０〜９０％で加工速度を測定した。図７に示した結果から分かるように、どの周波数でもデューティ比に対して加工速度は線形になっているが、パルス周波数が低い方がデューティ比の小さい値まで加工速度が制御できる。しかし、ＰＷＭ制御に用いるパルス波の周波数は、前述のように下限があるので、走査速度と高周波電源の周波数に応じて適当な値を選択することが望ましい。

１加工電極、
２被加工物（被処理物）、
３移動ステージ、
４高周波電源、
５マッチングユニット、
６パルス幅変調電力制御インターフェイス、
７エンコーダ、
８電極棒、
９外筒、
Ｐ局所プラズマ、
Ｓ走査方向。

Claims

局所的に発生させた高周波プラズマを被処理物表面に対して等速度で走査するとともに、該被処理物表面における局所的なプラズマ処理能率を、予め設定した前記被処理物表面の最小処理領域毎の位置情報とその処理量とからなるＮＣ処理データに基づき、高周波プラズマのＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させるパルス幅変調（ＰＷＭ）電力制御によって変化させ、該被処理物表面の所定領域を数値制御して処理することを特徴とするパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法。
前記高周波プラズマは、大気開放下のプロセスガス雰囲気中で、電極に１０ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの一定の高周波電力を印加して発生させてなる請求項１記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法。
前記パルス幅変調電力制御に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周期（ｔ１＋ｔ２）は、処理量を数値制御する最小処理領域を局所プラズマが通過する時間よりも短く設定する請求項１又は２記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法。
前記パルス幅変調電力制御に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周波数は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに設定する請求項３記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法。
高周波プラズマの投入電力を一定とし、デューティ比[ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）]を変化させて高周波プラズマの平均電力を変化させた際のデューティ比に対するプラズマ処理能率の検量線を予め取得し、前記被処理物表面の最小処理領域の処理量に応じて、前記検量線に基づいてデューティ比を数値制御してなる請求項３又は４記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法。
前記プラズマ処理が、被処理物表面の精密加工である請求項１〜５何れか１項に記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理方法。
大気開放下のプロセスガス雰囲気中で局所的に高周波プラズマを発生させる電極と、
前記電極との間に一定のギャップを維持して被処理物を保持し、前記電極に対して等速度で走査する移動ステージと、
前記電極に１０ＭＨｚ〜２．４５ＧＨｚの一定の高周波電力を供給する高周波電源と、
前記高周波電源のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させるパルス幅変調（ＰＷＭ）電力制御手段と、
前記移動ステージの位置情報を取得し、前記パルス幅変調電力制御手段に位置情報を入力するエンコーダと、
を備え、予め設定した前記被処理物表面の最小処理領域毎の位置情報とその処理量とからなるＮＣ処理データに基づき、パルス幅変調電力制御手段によって前記高周波電源のＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の比率を変化させて局所的なプラズマ処理能率を変化させ、該被処理物表面の所定領域を数値制御して処理することを特徴とするパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置。
前記パルス幅変調電力制御手段に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周期（ｔ１＋ｔ２）は、処理量を数値制御する最小処理領域を局所プラズマが通過する時間よりも短く設定する請求項７記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置。
前記パルス幅変調電力制御手段に用いるＯＮ時間（ｔ１）とＯＦＦ時間（ｔ２）の繰り返し周波数は、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに設定する請求項８記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置。
前記高周波電源による電極への投入電力を一定とし、前記パルス幅変調電力制御手段におけるデューティ比[ｔ１／（ｔ１＋ｔ２）]を変化させて高周波プラズマの平均電力を変化させた際のデューティ比に対するプラズマ処理能率の検量線を予め取得し、前記被処理物表面の最小処理領域の処理量に応じて、前記検量線に基づいてデューティ比を数値制御してなる請求項８又は９記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置。
前記プラズマ処理が、被処理物表面の精密加工である請求項７〜１０何れか１項に記載のパルス幅変調電力制御を用いた局所プラズマ処理装置。