JP2014175282A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性が高く且つ光取り出し効率が高いトップエミッション型の発光素子を提供する。
【解決手段】基板１００上に反射性の第１電極１１０と発光層１２２と半透明性の第２電極１３０とが順番に配置されている。第２電極１３０の光出射面側に非接触状態で対向する封止部材１４０と、第２電極１３０の光出射面に沿った面方向において第１電極１１０と発光層１２２と第２電極１３０との端縁を囲むように基板１００と封止部材１４０との間に設けられた側壁部１５０とを備える。第２電極１３０の光出射面と封止部材１４０と側壁部１５０とで囲まれた中空封止空間Ｓには、不活性ガス又は空気が充填され、乾燥剤１６０が配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機ＥＬ素子などの発光素子に関するものである。

この種の発光素子として、基板と反射性電極と有機化合物層と半透明性電極とを順次積層させて積層方向に光射出させるトップエミッション型の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が知られている。このトップエミッション型の有機ＥＬ素子は、配線や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）による開口率のロスを防ぐことができる。

従来、上記トップエミッション型の有機ＥＬ素子において、光取り出し効率を向上させる取り組みがなされている。
例えば、反射性電極と半透明性電極との光学的距離を発光波長の略１／２の整数倍にした有機ＥＬ素子が知られている。この有機ＥＬ素子では、反射性電極と半透明性電極との間で反射する光が互いに強め合う共振器構造の関係となり、光取り出し効率が向上する。
また、反射性電極と発光面との光学的距離を発光波長の略１／４の奇数倍とした有機ＥＬ素子が知られている。この有機ＥＬ素子では、発光される光と反射性電極とで反射されて戻る光との光の強め合いを利用することにより、光取り出し効率を向上させることができる。また、この有機ＥＬ素子では、有機化合物層の発光面から半透明性電極までの光学的距離は発光波長の略１／４の奇数倍となる。
また、半透明性電極の有機化合物層とは反対側に設けた多層ミラーによる干渉効果を利用して光取り出し効率を向上させた有機ＥＬ素子が知られている。

一方、有機ＥＬ素子の発光材料は水分に弱いため、信頼性を高めるために防湿膜（防湿層）を形成した有機ＥＬ素子が知られている。例えば、特許文献１や特許文献２には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタリング法などによって形成した無機膜や有機膜からなる防湿層を配置した有機ＥＬ素子が開示されている。

上記従来のトップエミッション型の有機ＥＬ素子において光取り出し効率を向上させるために共振器構造を構成すると、有機化合物層の発光面から半透明性電極の光出射面までの膜厚が薄くなってしまう。そのため、上記特許文献１などに開示されているようなＣＶＤ法などによって半透明性電極の光出射面側に防湿層を形成すると、プラズマ暴露や高エネルギー粒子打ち込み等によって、半透明性電極や有機化合物層にダメージが顕著に発生してしまう。このようなダメージが発生すると、防湿膜を形成したとしても有機ＥＬ素子の寿命特性が著しく損なわれ、高い信頼性が得られない。

本発明は以上の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、信頼性が高く且つ光取り出し効率が高いトップエミッション型の発光素子を提供することである。

上記目的を達成するために、請求項１の発明は、基板上に反射性の第１電極と発光層と半透明性の第２電極とが順番に配置された発光素子であって、前記第２電極の光出射面側に非接触状態で対向する封止部材と、前記第２電極の光出射面に沿った面方向において前記第１電極と前記発光層と前記第２電極との端縁を囲むように前記基板と前記封止部材との間に設けられた側壁部と、を備え、前記第２電極の光出射面と前記封止部材と前記側壁部で囲まれた中空封止空間に、不活性ガス又は空気が充填され、乾燥剤が配置されていることを特徴とするものである。

本発明によれば、半透明性の第２電極の光出射面と封止部材と側壁部とで囲まれた中空封止空間に不活性ガス又は空気が充填され乾燥剤が配置されている。これにより、第２電極の基板側に位置する発光層に対する防湿性を確保できる。しかも、その防湿性を確保するために、従来のような第２電極の光出射面に対してプラズマ暴露や高エネルギー粒子打ち込み等を行うＣＶＤ法等で防湿保護膜を形成する必要がない。従って、発光層と第２電極の光出射面との間の厚さを、光学的な共振器構造を形成する程度まで薄くしても、防湿保護膜の形成による発光層や第２電極へのダメージがない。このようにトップエミッション型の発光素子において光取り出し効率が高くするために発光層と半透明性の第２電極との構造を光学的な共振器構造にした場合でも、発光層に対する防湿性を確保できる。よって、信頼性が高く且つ光取り出し効率が高いトップエミッション型の発光素子を提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子の切断前の構成例を示す断面模式図。 有機ＥＬ層（有機化合物層）の層構造の一例を示す断面模式図。 同有機ＥＬ素子の切断後の断面模式図。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子の他の構成例を示す断面模式図。 本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子の更に他の構成例を示す断面模式図。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子の切断前の構成例を示す断面模式図。 同有機ＥＬ素子の切断後の断面模式図。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子の他の構成例を示す断面模式図。 本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子の更に他の構成例を示す断面模式図。 ダークスポットの一例を示す図。

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
〔実施形態１〕
まず、本発明の第１の実施形態に係る発光素子としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子１０について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の切断前の構成例を示す断面模式図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１０は、光学的な共振器構造を有するトップエミッション型の発光素子である。有機ＥＬ素子１０は、基板１００上に、反射性の第１電極（以下「反射性電極」という。）１１０と、発光層を含む有機化合物層（以下「有機ＥＬ層」という。）１２０と、半透明性の第２電極（以下「半透明性電極」という。）１３０とが順番に配置されている。なお、以下の説明において、基板１００上に形成された反射性電極１１０と有機ＥＬ層１２０と半透明性電極１３０とを含む、有機ＥＬ素子の本体部分を「有機ＥＬ素子本体」と呼ぶ。

反射性電極１１０は、ＡｇＰｄＣｕ層とＩＴＯ層の２層構造になっている。ここで、ＩＴＯ層は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）に少量の酸化スズ（ＳｎＯ_２）を添加して作製した化合物である酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）からなる層であり、後述の正孔輸送層との相性が良いので使用されている。

有機ＥＬ層１２０は、図２に示すように正孔輸送層１２１と発光層１２２と電子輸送層１２３と電子注入層１２４とを有している。これらの層のうち、発光層１２２以外の、正孔輸送層１２１、電子輸送層１２３及び電子注入層１２４は必要に応じて用いられる。この有機ＥＬ素子１０に電流を通電することで、反射性電極１１０及び半透明性電極１３０から注入された正孔と電子とが発光層１２２において再結合して発光を生じる。

本実施形態の有機ＥＬ素子１０は、光学的な共振器構造を有する。この共振器構造の関係を位相シフトも含めた式は、次の関係式（１）で表される。
（２Ｄ／λ）＋（（φ１＋φ２）／２π）＝Ｎ（整数） ・・・（１）

ここで、Ｄは反射性電極１１０から半透明性電極１３０までの光学的距離、λは発光波長、φ１は反射性電極１１０における位相シフト量（ラジアン）、φ２は半透明性電極１３０における位相シフト量（ラジアン）である。

通常、反射性電極１１０における位相シフト量φ１と半透明性電極１３０における位相シフト量φ２はそれぞれπとなる。よって、反射性電極１１０から半透明性電極１３０までの光学的距離Ｄを発光層１２２の発光波長の略１／２の整数倍とすることで、反射性電極１１０と半透明性電極１３０との間で反射する光が互いに強め合う共振器構造の関係となる。この光学的な共振器構造により、光取り出し効率が向上する。

更に、発光される光と反射性電極１１０で反射されて戻る光との光の強め合いを利用することができる。この光学干渉の関係を位相シフトも含めた式、次の関係式（２）で表される。
（２Ｌ／λ）＋（φ１／２π）＝Ｎ（整数） ・・・（２）

ここで、Ｌは反射性電極１１０から発光層１２２の発光面までの光学的距離、λは発光波長、φ１は反射性電極１１０における位相シフト量（ラジアン）である。

通常、反射性電極１１０における位相シフト量φ１はπとなるため、反射性電極１１０から発光層１２２の発光面までの光学的距離Ｌを発光波長の略１／４の奇数倍とすることで、発光される光と反射性電極１１０で反射されて戻る光が互いに強め合う関係となる。これにより、光取り出し効率が更に向上する。

なお、実際の有機ＥＬ素子では、発光面に垂直な正面での光取り出し効率とトレードオフ関係にある視野角特性なども考慮して、必ずしも上記式（１）や式（２）を満たす膜厚に完全に一致させる必要はない。

次に、本実施形態の有機ＥＬ素子１０の各部位についてそれぞれ詳しく説明する。
有機ＥＬ層１２０の正孔輸送層１２１は、陽極である反射性電極１１０からの正孔注入と正孔輸送の役割を担う。必要に応じて陽極である反射性電極１１０と正孔輸送層１２１との間に、銅フタロシアニンや酸化バナジウムなどの正孔注入層を形成してもよい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子材料としては、トリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体、及びポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられる。しかしながら、これらに限定されるものではない。また、必要に応じて正孔輸送層１２１と発光層１２２との間に、最低空軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーの絶対値が小さい電子ブロック層を形成してもよい。

有機ＥＬ層１２０の発光層１２２には、公知の発光材料をいずれも好適に用いることができる。発光材料は、単体で発光層１２２として機能する材料でもよいし、ホスト材料と発光ドーパントや電荷輸送ドーパントなどとの混合層として機能する材料でもよい。

有機ＥＬ層１２０の電子輸送層１２３としては、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等を用いることができる。また、必要に応じて発光層１２２と電子輸送層１２３との間に、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）エネルギーの絶対値が大きい正孔ブロック層を形成してもよい。

有機ＥＬ層１２０の電子注入層１２４としては、アルカリ（土類）金属、またはアルカリ（土類）金属化合物の薄膜を用いることができる。電子注入層１２４の厚さは、例えば０．５［ｎｍ］（５［オングストローム］）以上、１［ｎｍ］１０［オングストローム］以下である。電子注入層１２４の材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）やフッ化カリウム（ＫＦ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が好ましい。また、厚膜化が可能な電子注入層１２４として、有機化合物にドナー（電子供与性）ドーパントとして機能する金属又は金属化合物を混合する層を用いることができる。電子注入層１２４の電子注入効率を向上させるために仕事関数の低い金属、もしくはその化合物をドーパントとして用いることが好ましく、仕事関数が低い金属としてはアルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類が好ましい。アルカリ金属化合物は、大気中での取り扱いが比較的容易なため好ましい。例えば、アルカリ金属化合物としてセシウム化合物が好ましく、炭酸セシウムは大気中で安定であり、取り扱いが容易である。電子注入層１２４の有機化合物としては電子輸送性の材料が好ましく、公知の材料、例えばアルミキノリノール錯体やフェナントロリン化合物等を用いることができる。

半透明性電極１３０は、薄膜の金、白金、銀、アルミニウム、クロム、マグネシウム又はこれらの合金などを用いることができる。特に、導電率と反射率が高い銀又は銀合金の薄膜が好ましい。また、金属薄膜は５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］以下の膜厚であることが好ましい。例えば、銀又は銀合金の膜厚が５［ｎｍ］未満だと、光学的な共振器構造として十分な反射率が得られない。一方で、銀又は銀合金の膜厚が２０［ｎｍ］より大きい値であると、青色のＥＬ発光波長（ピーク波長４６０［ｎｍ］近辺）に対して吸収での光ロスが発生してしまい、また赤色のＥＬ発光波長（ピーク波長６２０［ｎｍ］近辺）に対しては反射率が大きくなる。最も波長の長い赤色に対して共振器構造が強くなりすぎることは、膜厚変動に対するロバスト性の観点から好ましくない。これは、光学干渉が強くなることで、有機ＥＬ層（有機化合物層）１２０の膜厚変動に対する輝度変化の割合が大きくなり、最も有機ＥＬ層１２０の膜厚が厚くなる赤色素子の膜厚管理が厳しくなってしまうからである。

また、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満の半透明性電極１３０は、スパッタリング法で形成された金属薄膜であることが好ましい。本実施形態の構成では、半透明性電極１３０のみでカソードの導通を確保することとなる。しかしながら、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満の金属薄膜を蒸着法で形成すると島状の（連続膜でない）膜となり、画素分離膜やコンタクトホールなどの凹凸部で断線するなど信頼性の面で問題となる場合が多い。また、金属薄膜のプロセス管理が厳しくなってしまう。それに対して、スパッタリング法で形成する場合には連続膜となりやすく、本発明者の検討では、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満という薄膜であればスパッタ時間が短く、スパッタリング法による有機ＥＬ層１２０へのダメージは特段の問題とならない。また、この場合、電子注入層１２４には、有機化合物に金属又は金属化合物（電子供与性のドナードーパント）を混合した電子注入層１２４が好ましい。ＬｉＦなどの薄膜の電子注入層と違って厚膜化が可能であり、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満という薄膜のスパッタリングであればダメージ緩和層として機能すると考えられる。

また、本実施形態の有機ＥＬ素子１０は、樹脂基板１４０と側壁部１５０とを備えている。樹脂基板１４０は、半透明性電極１３０の光出射面側に非接触状態で対向し、無機膜１４１、１４２が表面に形成されている。側壁部１５０は、半透明性電極１３０の光出射面に沿った面方向において反射性電極１１０と発光層１２２を含む有機ＥＬ層１２０と、半透明性電極１３０の端縁を囲むように基板１００と樹脂基板１４０との間に設けられている。そして、半透明性電極１３０の光出射面と樹脂基板１４０と側壁部１５０とで囲まれた中空封止空間Ｓが形成されている。この中空封止空間Ｓに不活性ガス又は空気が充填され、乾燥剤１６０が配置されている。

乾燥剤１６０としては、例えば、双葉電子工業社製の透明乾燥剤（「ＯｌｅＤｒｙ」）のような液状のものを用いることができる。この液状の乾燥剤の塗布は、例えば武蔵エンジニアリング社製の高粘度・非接触ジェットディスペンサ（「エアロジェット」）を用いたディスペンサー方式により行うことができる。
また、中空封止空間Ｓを完全密封できない場合は、かえって信頼性に影響をおよぼす可能性があるので、例えばシート状の乾燥剤を用いてもよい。シート状の乾燥剤は、有機ＥＬ層１２０の発光部分に対応する部分のみをパンチ等で開け、例えば樹脂基板１４０の内面に両面接着で固定してもよい。このシート状の乾燥剤は、液だれなどのよごれもでないし、ホットメルト等の熱硬化時に接着力が増すような接着剤を用いることではがれにくくなる。この乾燥剤のシートの厚みで最後に接着する樹脂基板１４０との厚みをある程度規制することもできる。

樹脂基板１４０の材料としては、例えば、ＰＥＴ（Poly Ethylene Terephthalate）やＰＥＮ（Poly Ethylene Naphthalate）を挙げることができる。ＰＥＴ及びＰＥＮはどちらもポリエステルという高分子であり、ポリエステルは，エステル結合（−ＣＯＯ−）を主鎖にもつ高分子である。上記ホットメルトは、このような材質の樹脂基板に適した軟化点の低い（例えば１２０度以下）程度を選定することが望ましい。

また、本発明者は、共振器構造を有したトップエミッション型の有機ＥＬ素子の場合、本実施形態のように、樹脂基板１に少なくともＺｎＳＳｉＯ_２を含む保護膜（防湿膜）を形成することが寿命特性を改善する上で有効であることを見いだした。すなわち、共振器構造を有した有機ＥＬ素子の上に保護膜（防湿膜）を直接設けるのではなく、上記中空封止空間Ｓを構成する樹脂基板１４０に少なくともＺｎＳＳｉＯ_２を含む保護膜（防湿膜）を形成することが寿命特性を改善する上で有効である。発明者は、樹脂基板１４０に少なくともＺｎＳＳｉＯ_２を含む保護膜（防湿膜）を形成することで、従来の無機保護層（防湿層）をＣＶＤ法等で有機ＥＬ素子上に成膜する構成するよりも、安価で著しく寿命特性を改善できることを実験により見出した。

従来のように半透明性電極１３０上に例えばＣＶＤ法により無機保護層を成膜する場合、製造工程中の有機ＥＬ素子がプラズマ中の高エネルギーイオン雰囲気に曝され、また成膜粒子自体も高エネルギーをもって半透明性電極１３０上に打ち込まれる。半透明性電極１３０から発光層１２２までの距離が近い場合は半透明性電極１３０のみならず下層にまで成膜の影響が及び、発光層１２２にもダメージを与えてしまう。

本実施形態では、樹脂基板１４０の表面にＺｎＳＳｉＯ_２層１４１、１４２をスパッタ法にて作製するが、樹脂基板１４０の両面に形成することで樹脂基板１４０が反らない形状にできる。ＺｎＳＳｉＯ_２層１４１、１４２は、ＲＦスパッタの膜の方がＤＣ（直流）スパッタ膜よりも膜質は良いが、熱が樹脂基板１４０にかかるので、ＤＣスパッタで形成してもよい。

本発明者の実験によって得られたＺｎＳＳｉＯ_２膜の典型的な効果は、次のとおりである。樹脂基板１４０のみでは、８０度及び８５％の条件で１０時間すると輝度で３０％以上劣化した。これに対し、樹脂基板１４０の両面にＺｎＳＳｉＯ_２膜を３０［ｎｍ］形成した場合、５０００時間で輝度が１０％程度の劣化であった。

共振器構造のない従来の有機ＥＬ素子であれば、スパッタリング法やＣＶＤ法によるダメージを緩和する方法として、電子注入層１２４などを厚く形成する方法が考えられる。例えば、電子注入層１２４を厚くするために、発光層１２２の発光面から半透明性電極１３０までの光学的距離を発光層の発光波長の略３／４倍や５／４倍等にする。しかしながら、電子注入層１２４を厚くすると、厚膜化による光吸収や材料消費の問題、またプロセスのタクトが長くなる等の問題が生じる。よって、発光層１２２の発光面から半透明性電極１３０までの光学的距離を発光層１２２の発光波長の略１／４とすることが好ましい。

また、本実施形態の共振器構造に用いる半透明性電極１３０は十数［ｎｍ］と非常に薄いために、ダメージ緩和層としては機能しない。

本実施形態でＺｎＳＳｉＯ_２膜を用いた保護膜については、光ディスクに用いた場合の例であるが、特許文献３に保護層に要求される特性として次の３点が挙げられている。
（１）使用波長領域で透明であること
（２）融点が比較的高いこと
（３）クラックを生じないこと
これらの要求に適した下部・上部保護層として、従来のＧｅＯ_２やＳｉＯ_２に代えて、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ等の材料を用いることが提案されている。これらの材料を用いることにより、２０００℃程度の耐熱性を確保でき、基板よりも屈折率を大きくして光学干渉効果による吸収率向上を図ることができる。

また、特許文献４及び特許文献５には、下部・上部保護層に要求される特性として、次の５点が挙げられている。
（１）使用波長領域で透明であること
（２）融点が動作する温度より高いこと
（３）機械的強度が高いこと
（４）化学的に安定なこと
（５）適当な熱定数（熱伝導率、比熱）を持っていること
そして、これらの要求を満たす下部保護層・上部保護層として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ等の結晶質カルコゲン化物とＳｉＯ_２、ＧｅＯ_２、ＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｅＯ_２等のガラス物質の混合物を用いることが提案されている。ガラス物質が２０モル％前後で光ディスクの記録パワーが低減し、その結果として熱ダメージが低減することでオーバーライト性能が向上するとしている。

本実施形態の用途の有機ＥＬ素子１０では熱的な繰り返しがないが、本実施形態で樹脂基板１４０の保護膜として用いたＺｎＳＳｉＯ_２膜は次のようなメリットを有する
・ポリカーボネートやＰＥＴなどの樹脂基板１４０との密着力がよい
・単なるＳｉＯ_２などよりも膜厚が１００［ｎｍ］程度でも応力が少ない
・青色波長から赤色波長にかけての透過率が９９．３％と高く、ポリカーボネート（タキロン、ユーピロン）やＰＥＴも東レ（ルミラー）で９１−９５％と透過率的には問題ない

有機ＥＬ層１２０の発光層１２２からの熱放熱に関しては、反射性電極層（ＡｇＰｄＣｕ）１１０への急冷構造としてはＩＴＯも熱伝導率が高いが急冷構造ではない。これに対し、ＺｎＳＳｉＯ_２層を反射性電極１１０と有機ＥＬ層１２０との間に設けることで急冷構造になり、有機ＥＬ素子１０の長寿命化に貢献する。特に、有機ＥＬ素子１０では電流制御発光なので、特に書き込み用プリントヘッドに用いた場合などではかなり電流を流すので、熱が発生し有機ＥＬ素子の寿命を短くすることになるので、上記ＺｎＳＳｉＯ_２層は有効である。

なお、本実施形態では、樹脂基板１４０の表面にＺｎＳＳｉＯ_２膜を形成したが、ＺｎＳＳｉＯ_２／ＴｉＣ−ＴｉＯ_２の２層からなる膜を樹脂基板１４０の表面に形成してもよい。また、ＺｎＳＳｉＯ_２／ＴｉＣ−ＴｉＯ_２／ＺｎＳＳｉＯ_２の３層からなる膜を樹脂基板１４０の表面に形成してもよい。

また、本実施形態では、基板１００上の反射性電極１１０が陽極となる構成で説明してきたが、本発明はこの形態に限定されるものではない。また、基板１００側より反射性電極（陰極）１１０、電子注入層１２４、発光層１２２、正孔輸送層１２１、半透明性電極（陽極）１３０、バッファ層、無機保護層の順序で構成されてもよい。

次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０のより具体的な実施例について説明する。
（実施例１−１）
実施例１−１の有機ＥＬ素子１０の構成は、図１（切断前の断面図）及び図３（切断後の
断面図）に示した構成である。
本実施例１−１では、基板１００としてのシリコン基板上に、反射性電極１２０として、先ずＡｇ合金（Ａｇ９５Ｐｄ３Ｃｕ２）を１００［ｎｍ］の膜厚でスパッタリング法にて成膜した。更に、ＩＴＯをスパッタリング法にて７０［ｎｍ］の膜厚で形成した。また、バンク１７０を、感光性ポリイミドを用いてフォトリソグラフィーにて形成した。バンク１７０は、高さ１［μｍ］でテーパー角４０°程度に形成し、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄した後、ＩＰＡで煮沸洗浄して乾燥した。更に、この基板の表面に対してＵＶ／オゾン洗浄を施した。

有機ＥＬ層１２０は次のように作製した。先ず、正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いて形成し、正孔輸送層１２１は、トリアリールアミン系正孔輸送材料を４０ｎｍの膜厚となるように蒸着にて成膜して形成した。次に、発光層１２２をＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル）を用いて厚さ約３５ｎｍにて形成した。次に、電子輸送層１２３をＡｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）にて厚さ約３５［ｎｍ］にて形成し、電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）１２４を連続して形成した。電子注入層１２４はＬｉＦにて厚さ約０．５［ｎｍ］にて形成した。

その後、半透明性電極１３０としてＭｇＡｇを１５［ｎｍ］形成し、有機ＥＬ層１２０の製造プロセスが完結した。有機ＥＬ層（有機化合物層）１２０の蒸着速度は約０．１［ｎｍ／ｓｅｃ］（１［オングストローム／ｓｅｃ］）であった。

乾燥剤１６０は、シリカ・アルミナゲル（学名：アロフェン）にパルプ及び適量のバインダーを添加してシート状に成形・加工された乾燥剤を用いた。シート状の乾燥剤であるため、任意な形状、大きさに加工して使用できるので、事前に所定の大きさに加工しておいた。そして、樹脂基板１４０（東レ製の「ルミラー」（ＰＥＴ：１００［μｍ］）の両面にＲＦスパッタ膜６０［ｎｍ］を形成した。その後、ホットメルト（Ｍｏｒｉｂｅ製の「９６６Ｐ」、軟化点：１０９℃）をスプレーでメタルマスクを経由して有機ＥＬ素子本体側に塗布して、樹脂基板１４０と接着させた。

有機ＥＬ素子１０の切断は、図１に示す切断面の位置で、樹脂基板１４０、ホットメルト接着剤からなる側壁部１５０及びＳｉ基板１００をステルスダイシングして行った。このステルスダイシングは、浜松ホトニクス製のレーザー切断装置で行った。

（実施例１−２）
実施例１−２では、図４に示すようにＺｎＳＳｉＯ_２膜１１５を反射性電極１１０上に膜厚２０［ｎｍ］にて形成したが、ほかの構成は全て実施例１−１と同じ構成である。ＺｎＳＳｉＯ_２膜の成膜は、プロセスガスとしてＡｒを用いたＡｒガスＤＣスパッタにて行った

（実施例１−３）
実施例１−３では、反射性電極１１０と半透明性電極１３０の間に、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層及びＺｎＳＳｉＯ_２層を形成したが、他の構成は全て実施例１−１と同じ構成である。Ｔｉ−Ｃ−Ｏの場合、（ＴｉＣ_２）ｘ（ＴｉＯ_２）１００−ｘの組成で、許容範囲は６０≦ｘ≦９０、好ましくは７０〜８０ａｔ％である。実際に用いたものは（ＴｉＣ_２）８０（ＴｉＯ_２）２０の組成のものである。ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層及びＺｎＳＳｉＯ_２層の成膜は、プロセスガスとしてＡｒを用いたＡｒガスＤＣスパッタにて行った。

（実施例１−４）
実施例１−４では、図５に示すように半透明性電極１３０の上に封止層１８０としてＺｎＳＳｉＯ_２層を形成したが、他の構成は全て実施例１−１と同じ構成である。

（実施例１−５）
実施例１−５では、樹脂基板１４０として、ＰＥＴ基板の代わりにＰＥＮ基板（厚さ：１００［μｍ］）を用いたが、他の構成は全て実施例１−１と同じ構成である。

（比較例１−１）
比較例１−１では、ＺｎＳＳｉＯ_２膜１４１、１４２を両面に形成した樹脂基板１４０をガラス基板に置き換えた以外は実施例１−１と全て同じ構成である。

（比較例１−２）
比較例１−２では、乾燥剤１６０を形成しない事以外は実施例１−１と全て同じ構成である。

（比較例１−３）
比較例１−３では、樹脂基板１４０の表面にＺｎＳＳｉＯ_２膜を形成しないこと以外は実施例１−１と全て同じ構成である。

表１は、以上の実施例及び比較例の有機ＥＬ素子について寿命試験を行った結果である。表１の寿命試験の結果は、５０［ｍＡ／ｃｍ^２］の電流を、６０℃及び７０℃の温度並びに４０％ＲＨの環境下で１００時間通電試験を行ったときの、初期状態の輝度（ｃｄ／ｍ^２）を１として正規化した値を示している。

表１に示すように、本発明の実施例１−１〜実施例１−５の構成であれば、比較例１−１のガラス基板で封止した構成並みの寿命が得られた。一方、比較例１−２及び比較例１−３の構成では、実施例１−１〜実施例１−５の構成よりも早く輝度が低下し、後述の図１０に示すような部分的なダークスポットが発生した。特に、比較例１−３に示すように樹脂基板１４０にＺｎＳＳｉＯ_２膜の構成が無い場合は、劣化が早く起きた。

〔実施形態２〕
次に、本発明の第２の実施形態に係る発光素子としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子１０について説明する。
図６は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の切断前の構成例を示す断面模式図である。なお、図６及び後述の図７〜図９において前述の第１の実施形態と共通する部分については同じ符号を付し、説明を省略する。

第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０では、反射性電極１１０と有機ＥＬ層１２０との間に酸化インジウム亜鉛層１１６を配置することにより、有機ＥＬ素子本体の平坦化および寿命の向上を図っている。ここで、酸化インジウム亜鉛層は、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を添加して作製した化合物である酸化インジウム亜鉛（Indium Zinc Oxide）からなる層である。酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）との比率は、例えばＩｎ_２Ｏ_３：ＺｎＯ＝９０：１０（単位：モル％）である。この酸化インジウム亜鉛は、ＩＺＯ（登録商標）と呼ばれる場合もある。

また、第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０では、少なくとも酸化インジウム亜鉛の薄膜を含む半透明性電極１３０を用いている。酸化インジウム亜鉛の薄膜は５ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚であることが好ましい。最も波長の長い赤色に対して共振器構造が強くなりすぎることは、膜厚変動に対するロバスト性の観点から好ましくない。これは、光学干渉が強くなることで、有機ＥＬ層（有機化合物層）１２０の膜厚変動に対する輝度変化の割合が大きくなり、最も有機ＥＬ層１２０の膜厚が厚くなる赤色素子の膜厚管理が厳しくなってしまうからである。

また、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の半透明性電極は、スパッタリング法で形成された酸化インジウム亜鉛の薄膜であることが好ましい。本実施形態の構成では、半透明性電極１３０のみでカソードの導通を確保することとなる。しかしながら、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満の薄膜を蒸着法で形成すると島状の（連続膜でない）膜となり、画素分離膜やコンタクトホールなどの凹凸部で断線するなど信頼性の面で問題となる場合が多い。また、酸化インジウム亜鉛の薄膜のプロセス管理が厳しくなってしまう。それに対して、スパッタリング法で形成する場合には連続膜となりやすく、本発明者の検討では、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満という薄膜であればスパッタ時間が短く、スパッタリング法による有機ＥＬ層１２０へのダメージは特段の問題とならない。また、この場合、電子注入層１２４としては、有機化合物に金属又は金属化合物（電子供与性のドナードーパント）を混合した電子注入層が好ましい。ＬｉＦなどの薄膜の電子注入層と違って厚膜化が可能であり、膜厚が５［ｎｍ］以上２０［ｎｍ］未満という薄膜のスパッタリングであればダメージ緩和層として機能すると考えられる。

また、本実施形態において、有機ＥＬ層１２０の発光層１２２からの熱放熱に関しては、反射性電極層（ＡｇＰｄＣｕ）１１０への急冷構造としては上記酸化インジウム亜鉛も熱伝導率が高いが急冷構造ではない。これに対し、ＺｎＳＳｉＯ_２層を反射性電極層１１０と有機ＥＬ層１２０との間に設けることで急冷構造になり、有機ＥＬ素子１０の長寿命化に貢献する。特に、有機ＥＬ素子１０では電流制御発光なので、特に書き込み用プリントヘッドに用いた場合などではかなり電流を流すので、熱が発生し有機ＥＬ素子の寿命を短くすることになるので、上記ＺｎＳＳｉＯ_２層は有効である。

次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ素子１０のより具体的な実施例について説明する。
（実施例２−１）
実施例２−１の有機ＥＬ素子１０の構成は、図６（切断前の断面図）及び図７（切断後の断面図）に示した構成である。
本実施例２−１では、基板１００としてのシリコン基板上に、反射性電極１２０として、先ずＡｇ合金（Ａｇ９５Ｐｄ３Ｃｕ２）を１００［ｎｍ］の膜厚でスパッタリング法にて成膜した。更に、酸化インジウム亜鉛層１１６をスパッタリング法にて２０［ｎｍ］の膜厚で形成した。また、バンク１７０を、感光性ポリイミドを用いてフォトリソグラフィーにて形成した。バンク１７０は、高さ１［μｍ］でテーパー角４０°程度に形成し、アセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄した後、ＩＰＡで煮沸洗浄して乾燥した。更に、この基板の表面に対してＵＶ／オゾン洗浄を施した。

有機ＥＬ層１２０は次のように作製した。先ず、正孔注入層は、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いて形成し、正孔輸送層１２１は、トリアリールアミン系正孔輸送材料を４０［ｎｍ］の膜厚となるように蒸着にて成膜して形成した。次に、発光層１２２をＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル）を用いて厚さ約３５［ｎｍ］にて形成した。次に、電子輸送層１２３をＡｌｑ３（８−ヒドロキシキノリンアルミニウム）にて厚さ約３５［ｎｍ］にて形成し、電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）１２４を連続して形成した。電子注入層１２４はＬｉＦにて厚さ約０．５ｎｍにて形成した。

その後、半透明性電極１３０としてＭｇＡｇを１５［ｎｍ］形成し、有機ＥＬ層１２０の製造プロセスが完結した。有機ＥＬ層（有機化合物層）１２０の蒸着速度は約０．１［ｎｍ／ｓｅｃ］（１［オングストローム／ｓｅｃ］）であった。

乾燥剤１６０は、シリカ・アルミナゲル（学名：アロフェン）にパルプ及び適量のバインダーを添加してシート状に成形・加工された乾燥剤を用いた。シート状の乾燥剤であるため、任意な形状、大きさに使用できるので、事前に所定の大きさに加工しておいた。そして、樹脂基板１４０（東レ製の「ルミラー」（ＰＥＴ：１００［μｍ］）を両面にＲＦスパッタ膜６０［ｎｍ］を形成した。その後、ホットメルト（Ｍｏｒｉｂｅ製の「９６６Ｐ」、軟化点：１０９℃）をスプレーでメタルマスクを経由して有機ＥＬ素子本体側に塗布して、樹脂基板１４０と接着させた。

有機ＥＬ素子１０の切断は、図６に示す切断面の位置で、樹脂基板１４０、ホットメルト接着剤からなる側壁部１５０及びＳｉ基板１００をステルスダイシングして行った。このステルスダイシングは、浜松ホトニクス製のレーザー切断装置で行った。

（実施例２−２）
実施例２−２では、図８に示すようにＺｎＳＳｉＯ_２膜１１５を反射性電極１１０上に膜厚２０［ｎｍ］にて形成したが、ほかの構成は全て実施例２−１と同じ構成である。ＺｎＳＳｉＯ_２膜の成膜は、プロセスガスとしてＡｒを用いたＡｒガスＤＣスパッタにて行った。

（実施例２−３）
実施例２−３では、反射性電極１１０と半透明性電極１３０との間に、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層及びＺｎＳＳｉＯ_２層を形成したが、他の構成は全て実施例２−１と同じ構成である。Ｔｉ−Ｃ−Ｏの場合、（ＴｉＣ_２）ｘ（ＴｉＯ_２）１００−ｘの組成で、許容範囲は６０≦ｘ≦９０、好ましくは７０〜８０ａｔ％である。実際に用いたものは（ＴｉＣ_２）８０（ＴｉＯ_２）２０の組成のものである。ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層及びＺｎＳＳｉＯ_２層の成膜は、プロセスガスとしてＡｒを用いたＡｒガスＤＣスパッタにて行った。

（実施例２−４）
実施例２−４では、図９に示すように半透明性電極１３０の上に封止層１８０としてＺｎＳＳｉＯ_２層を形成したが、他の構成は全て実施例３−１と同じ構成である。

（実施例２−５）
実施例２−５では、樹脂基板１４０としてＰＥＴ基板の代わりに、ＰＥＮ基板（厚さ：１００［μｍ］）を用いたが、他の構成は全て実施例２−１と同じ構成である。

（比較例２−１）
比較例２−１では、ＺｎＳＳｉＯ_２膜１４１、１４２を両面に形成した樹脂基板１４０をガラス基板に置き換えた以外は実施例２−１と全て同じ構成である。

（比較例２−２）
比較例２−２では、乾燥剤１６０を形成しない事以外は実施例２−１と全て同じ構成である。

（比較例２−３）
比較例２−３では、樹脂基板にＺｎＳＳｉＯ_２膜を形成しないこと以外は実施例２−１と全て同じ構成である。

表２は、以上の実施例及び比較例の有機ＥＬ素子について寿命試験を行った結果である。表２の寿命試験の結果は、５０［ｍＡ／ｃｍ^２］の電流を、６０℃及び７０℃の温度並びに４０％ＲＨの環境下で１００時間通電試験を行ったときの、初期状態の輝度（ｃｄ／ｍ^２）を１として正規化した値を示している。

表２に示すように、本発明の実施例２−１〜実施例２−５の構成であれば、比較例２−１のガラス基板で封止した構成並みの寿命が得られた。一方、比較例２−２及び比較例２−３の構成では、実施例２−１〜実施例２−５の構成よりも早く輝度が低下し、図１０に示すような部分的なダークスポットが発生した。特に、比較例２−３に示すように樹脂基板１４０にＺｎＳＳｉＯ_２膜の構成が無い場合は、劣化が早く起きた。

以上に説明したものは一例であり、本発明は、次の態様毎に特有の効果を奏する。
（態様Ａ）
Ｓｉ基板などの基板１００上に反射性電極１１０などの反射性の第１電極と発光層１２２と半透明性基板１３０などの半透明性の第２電極とが順番に配置された有機ＥＬ素子１０などの発光素子であって、前記第２電極の光出射面側に非接触状態で対向する樹脂基板１４０などの封止部材と、前記第２電極の光出射面に沿った面方向において前記第１電極と前記発光層と前記第２電極との端縁を囲むように前記基板と前記封止部材との間に設けられた側壁部１５０と、を備え、前記第２電極の光出射面と前記封止部材と前記側壁部で囲まれた中空封止空間Ｓに、不活性ガス又は空気が充填され、乾燥剤１６０が配置されている。
これによれば、上記実施形態について説明したように、半透明性の第２電極の光出射面と封止部材と側壁部で囲まれた中空封止空間に不活性ガス又は空気が充填され乾燥剤が配置されている。これにより、第２電極の基板側に位置する発光層に対する防湿性を確保できる。しかも、その防湿性を確保するために、従来のような第２電極の光出射面に対してプラズマ暴露や高エネルギー粒子打ち込み等を行うＣＶＤ法等で防湿保護膜を形成する必要がない。従って、発光層と第２電極の光出射面との間の厚さを、光学的な共振器構造を形成する程度まで薄くしても、防湿保護膜の形成による発光層や第２電極へのダメージがない。このようにトップエミッション型の発光素子において光取り出し効率が高くするために発光層と半透明性の第２電極との構造を光学的な共振器構造にした場合でも、発光層に対する防湿性を確保できる。よって、信頼性が高く且つ光取り出し効率が高いトップエミッション型の発光素子を提供することができる。
（態様Ｂ）
上記態様Ａにおいて、前記封止部材は、無機膜１４１、１４２が表面に形成された樹脂基板１４０である。これによれば、上記実施形態について説明したように、第２電極が面した中空封止空間における封止機能を確保しつつ、その中空封止空間に対する防湿機能を高めることができる。
（態様Ｃ）
上記態様Ｂにおいて、前記樹脂基板１４０の表面に形成された無機膜１４１、１４２は、ＺｎＳＳｉＯ_２の層を含む。これによれば、上記実施形態について説明したように、樹脂基板１４０による防湿保護機能をより高めることができる。
（態様Ｄ）
上記態様Ｂにおいて、樹脂基板１４０の表面に形成された無機膜１４１、１４２は、ＺｎＳＳｉＯ_２の層と、チタン炭化物とチタン酸化物との混合物の層とを含む。これによれば、上記実施形態について説明したように、樹脂基板１４０による防湿保護機能をより高めることができる。
（態様Ｅ）
上記態様Ａ乃至Ｄのいずれかにおいて、前記基板と前記封止部材との間に設けられた側壁部１５０は、ホットメルト接着剤で形成されている。これによれば、上記実施形態について説明したように、第２電極が面した中空封止空間における封止機能を確保しつつ、基板上に封止部材を固定できる。
（態様Ｆ）
上記態様Ａ乃至Ｅのいずれかにおいて、前記乾燥剤１６０は、円環状に形成されている。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層から発した光路を確保しつつ、第２電極が面した中空封止空間における防湿機能を高めることができる。
（態様Ｇ）
上記態様Ａ乃至Ｆのいずれかにおいて、前記第１電極と発光層１２２との間に、ＺｎＳＳｉＯ_２層を有する。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層などで発生した熱に対する冷却機能を高めて寿命の向上を図ることができる。
（態様Ｈ）
上記態様Ａ乃至Ｆのいずれかにおいて、前記第１電極と発光層１２２との間に、ＺｎＳＳｉＯ_２層とＩＴＯ層とを有する。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層などで発生した熱に対する冷却機能を高めて寿命の向上を図ることができる。
（態様Ｉ）
上記態様Ａ乃至Ｆのいずれかにおいて、前記第１電極と発光層１２２との間に、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層とＺｎＳＳｉＯ_２層とＩＴＯ層とを有する。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層などで発生した熱に対する冷却機能を高めて寿命の向上を図ることができる。
（態様Ｊ）
上記態様Ａ乃至Ｆのいずれかにおいて、前記第１電極と発光層１２２との間に、酸化インジウム亜鉛層を有する。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層などで発生した熱に対する冷却機能を高めて寿命の向上を図るとともに発光素子本体部分の平坦化を図ることができる。
（態様Ｋ）
上記態様Ａ乃至Ｆのいずれかにおいて、前記第１電極と発光層１２２との間に、ＺｎＳＳｉＯ_２層と酸化インジウム亜鉛層とを有する。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層などで発生した熱に対する冷却機能を高めて寿命の向上を図るとともに発光素子本体部分の平坦化を図ることができる。
（態様Ｌ）
上記態様Ａ乃至Ｆのいずれかにおいて、前記第１電極と発光層１２２との間に、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層とＺｎＳＳｉＯ_２層と酸化インジウム亜鉛層とを有する。これによれば、上記実施形態について説明したように、発光層などで発生した熱に対する冷却機能を高めて寿命の向上を図るとともに発光素子本体部分の平坦化を図ることができる。
（態様Ｍ）
上記態様Ａ乃至Ｌのいずれかにおいて、前記第２電極は酸化インジウム亜鉛を含む。これによれば、上記実施形態について説明したように、第２電極の平坦化および寿命の向上を図ることができる。
（態様Ｎ）
上記態様Ａ乃至Ｍのいずれかにおいて、前記発光層１２２は有機ＥＬの発光層である。これによれば、上記実施形態について説明したように、信頼性が高く且つ光取り出し効率が高いトップエミッション型の有機ＥＬ発光素子を提供できる。

１０ 有機ＥＬ素子
１００ 基板
１１０ 反射性電極
１１５ ＺｎＳＳｉＯ_２膜
１１６ 酸化インジウム亜鉛層
１２０ 有機ＥＬ層（発光層）
１２１ 正孔輸送層
１２２ 発光層
１２３ 電子輸送層
１２４ 電子注入層
１３０ 半透明性電極
１４０ 樹脂基板
１５０ 側壁部
１６０ 乾燥剤
１７０ バンク
１８０ 封止層
Ｓ 中空封止空間

特開２００４−３２７４０２号公報 特開２００５−３１９６７８号公報 特公平６−８７３２０号公報 特公平４−７４７８５号公報 特公平６−９０８０８号公報

Claims (14)

1. 基板上に反射性の第１電極と発光層と半透明性の第２電極とが順番に配置された発光素子であって、
   前記第２電極の光出射面側に非接触状態で対向する封止部材と、
   前記第２電極の光出射面に沿った面方向において前記第１電極と前記発光層と前記第２電極との端縁を囲むように、前記基板と前記封止部材との間に設けられた側壁部と、を備え、
   前記第２電極の光出射面と前記封止部材と前記側壁部で囲まれた中空封止空間に、不活性ガス又は空気が充填され、乾燥剤が配置されていることを特徴とする発光素子。
2. 請求項１の発光素子において、
   前記封止部材は、無機膜が表面に形成された樹脂基板であることを特徴とする発光素子。
3. 請求項２の発光素子において、
   前記樹脂基板の表面に形成された無機膜は、ＺｎＳＳｉＯ_２の層を含むことを特徴とする発光素子。
4. 請求項２の発光素子において、
   前記樹脂基板の表面に形成された無機膜は、ＺｎＳＳｉＯ_２の層と、チタン炭化物とチタン酸化物との混合物の層とを含むことを特徴とする発光素子。
5. 請求項１乃至４のいずれかの発光素子において、
   前記基板と前記封止部材との間に設けられた側壁部は、ホットメルト接着剤で形成されていることを特徴とする発光素子。
6. 請求項１乃至５のいずれかの発光素子において、
   前記乾燥剤は、円環状に形成されていることを特徴とする発光素子。
7. 請求項１乃至６のいずれかの発光素子において、
   前記第１電極と前記発光層との間に、ＺｎＳＳｉＯ_２層を有することを特徴とする発光素子。
8. 請求項１乃至６のいずれかの発光素子において、
   前記第１電極と前記発光層との間に、ＺｎＳＳｉＯ_２層とＩＴＯ層とを有することを特徴とする発光素子。
9. 請求項１乃至６のいずれかの発光素子において、
   前記第１電極と前記発光層との間に、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層とＺｎＳＳｉＯ_２層とＩＴＯ層とを有することを特徴とする発光素子。
10. 請求項１乃至６のいずれかの発光素子において、
    前記第１電極と前記発光層との間に、酸化インジウム亜鉛層を有することを特徴とする発光素子。
11. 請求項１乃至６のいずれかの発光素子において、
    前記第１電極と前記発光層との間に、ＺｎＳＳｉＯ_２層と酸化インジウム亜鉛層とを有することを特徴とする発光素子。
12. 請求項１乃至６のいずれかの発光素子において、
    前記第１電極と前記発光層との間に、ＴｉＣ−ＴｉＯ_２層とＺｎＳＳｉＯ_２層と酸化インジウム亜鉛層とを有することを特徴とする発光素子。
13. （
    請求項１乃至１２のいずれかの発光素子において、
    前記第２電極は酸化インジウム亜鉛を含むことを特徴とする発光素子。
14. 請求項１乃至１３のいずれかの発光素子において、
    前記発光層は有機ＥＬの発光層であることを特徴とする発光素子。