JP2014170923A - Bernoulli hand, and semiconductor manufacturing device - Google Patents
Bernoulli hand, and semiconductor manufacturing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014170923A JP2014170923A JP2014002003A JP2014002003A JP2014170923A JP 2014170923 A JP2014170923 A JP 2014170923A JP 2014002003 A JP2014002003 A JP 2014002003A JP 2014002003 A JP2014002003 A JP 2014002003A JP 2014170923 A JP2014170923 A JP 2014170923A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- hand
- tray
- bernoulli
- side member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 21
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 137
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Gripping Jigs, Holding Jigs, And Positioning Jigs (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
本発明は、半導体の製造工程等において、半導体基板等のワークを保持する際に用いられるベルヌーイハンド、及びベルヌーイハンドを備えた半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a Bernoulli hand used when holding a workpiece such as a semiconductor substrate in a semiconductor manufacturing process or the like, and a semiconductor manufacturing apparatus including the Bernoulli hand.
半導体の製造工程では、ラックから処理前基板を取り出して基板処理装置に搬送したり、基板処理装置から処理済基板を取り出してラックに収納したりするために基板搬送装置が用いられる。基板搬送装置には基板を保持するハンドと該ハンドの移動機構が備えられている。 In a semiconductor manufacturing process, a substrate transport apparatus is used to take out a substrate before processing from a rack and transport it to a substrate processing apparatus, or to take out a processed substrate from the substrate processing apparatus and store it in a rack. The substrate transport apparatus includes a hand for holding a substrate and a moving mechanism for the hand.
基板を保持して搬送する手段の1つとして、ベルヌーイ効果を利用して基板を保持するベルヌーイハンド(以下、単に「ハンド」とする。)が知られている。特許文献1には、厚さ方向に小径の貫通孔が1乃至複数形成された平板状のハンドと、該ハンドを移動させるハンド移動機構、及び後述するように貫通孔に空気を送給する空気送給手段を備えた基板搬送装置が記載されている。
As one of means for holding and transporting a substrate, a Bernoulli hand (hereinafter simply referred to as “hand”) that holds a substrate using the Bernoulli effect is known. In
ハンドにより基板を保持する動作を説明する。まず、ハンド移動機構を動作させてハンドを基板の上に位置させ、ハンドを降下させてハンドの下面を基板の上面に近接させる。続いて、ハンド上部から空気送給手段により貫通孔に空気を送給してハンドと基板の間に送り込む。貫通孔から基板に向けて空気が送給されると、ベルヌーイ効果によってハンドと基板の間の空間が負圧になる。基板の裏面(ハンドと対向していない面)側は大気圧であるため、その圧力差により基板が持ち上げられる。その後、空気の送給を継続している間、基板は、ハンドとわずかに離間した状態で保持される。この状態でハンドを所定の位置に移動させたあと、空気の送給を停止する。すると、上記圧力差が解消され、ハンドによる基板の保持が解除されて所定の位置への基板の搬送が完了する。 The operation of holding the substrate with the hand will be described. First, the hand moving mechanism is operated to position the hand on the substrate, and the hand is lowered to bring the lower surface of the hand close to the upper surface of the substrate. Subsequently, air is supplied from the upper part of the hand to the through hole by the air supply means and is supplied between the hand and the substrate. When air is supplied from the through hole toward the substrate, the space between the hand and the substrate becomes negative due to the Bernoulli effect. Since the back surface (surface not facing the hand) side of the substrate is at atmospheric pressure, the substrate is lifted by the pressure difference. Thereafter, while the air supply is continued, the substrate is held in a state of being slightly separated from the hand. After moving the hand to a predetermined position in this state, the air supply is stopped. Then, the pressure difference is eliminated, the holding of the substrate by the hand is released, and the conveyance of the substrate to a predetermined position is completed.
最初に空気を送給する際、基板は上記圧力差により勢いよくハンド側に持ち上げられる。そのため、基板がハンドの表面に衝突して基板が破損したり、基板表面が傷ついたりする場合がある。特に、基板が平坦な面に置かれて基板の下面に空間がない状態で基板を持ち上げる場合には、基板の裏面側の圧力が低いため、ハンドの貫通孔から勢いよく空気を送給しなければならず、基板が持ち上げられる時の勢いが大きくなり、基板がハンドに衝突して破損したり、表面に傷がついたりする可能性が高くなる。また、基板上面側に素子が形成されていると、回路が破損したりパーティクルが付着したりして不具合が発生する恐れがある。 When air is supplied for the first time, the substrate is vigorously lifted to the hand side by the pressure difference. For this reason, the substrate may collide with the surface of the hand and the substrate may be damaged or the substrate surface may be damaged. In particular, when the substrate is lifted when the substrate is placed on a flat surface and there is no space on the lower surface of the substrate, the pressure on the back side of the substrate is low, so air must be supplied vigorously from the through hole of the hand. In other words, the momentum when the substrate is lifted increases, and there is a high possibility that the substrate collides with the hand and is damaged or the surface is damaged. In addition, if an element is formed on the upper surface side of the substrate, there is a risk that a circuit may be damaged or particles may adhere to cause a problem.
特許文献2には、基板の中心を囲い該基板の周縁と対応する6点において、それぞれハンドの下面から基板に向かって外方に傾斜する傾斜部をハンド本体にネジ止めした構成を有するものが記載されている。このハンドでは、最初に空気を送給した際に基板が勢いよく持ち上げられても、その周縁が傾斜部によって止められる。このため、基板の上面がハンドの表面に直接衝突することが防止される。
半導体の製造工程では、様々な大きさの基板が用いられる。特許文献2に記載のハンドでは、大きさが異なる基板を保持する際に、基板の外形に合わせてネジ止めされている傾斜部の位置を変更する必要がある。そのため、保持する基板の大きさが変わるたびに、搬送装置を停止し、傾斜部の位置あわせをしなければならず、面倒で効率が悪い。
In the semiconductor manufacturing process, substrates of various sizes are used. In the hand described in
本発明が解決しようとする課題は、半導体の製造工程等において、面倒な作業を伴うことなく、大きさが異なる半導体基板等のワークを保持することができ、また、ワークの表面に半導体素子等が形成されている場合でも、それを破損させることなく保持位置を調整することができるベルヌーイハンド、及びそのようなベルヌーイハンドを備えた半導体製造装置を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is that a work such as a semiconductor substrate having a different size can be held without a troublesome work in a semiconductor manufacturing process or the like, and a semiconductor element or the like on the surface of the work It is to provide a Bernoulli hand capable of adjusting the holding position without damaging the semiconductor device, and a semiconductor manufacturing apparatus equipped with such a Bernoulli hand.
上記課題を解決するために成された本発明に係るベルヌーイハンドは、
a) 円板状のワークを保持する保持面上であって、前記ワークの中心を囲う少なくとも3点において該ワークの周縁と対応する位置に設けられ、前記保持面から前記ワークに向かって外方に傾斜する形状を有する複数の傾斜部と、
b) 前記傾斜部のうちの少なくとも1つを前記ワークの径方向に移動させる傾斜部移動機構
を備えることを特徴とする。
Bernoulli hand according to the present invention made to solve the above problems,
a) On the holding surface for holding the disc-shaped workpiece, provided at positions corresponding to the peripheral edge of the workpiece at at least three points surrounding the center of the workpiece, and outward from the holding surface toward the workpiece A plurality of inclined portions having a shape inclined to
b) It is provided with an inclined part moving mechanism for moving at least one of the inclined parts in the radial direction of the workpiece.
ワークの中心を囲う3点とは、それら3点で形成される三角形の内部にワークの中心が位置するような点をいう。上記傾斜部は、そのような3点にそれぞれ設けてもよく、あるいは、そのような3点においてワークの周縁と対応するように、2つの傾斜部を設けてもよい。当然、傾斜部を4つ以上備えるようにしてもよい。 The three points surrounding the center of the workpiece are points where the center of the workpiece is located inside a triangle formed by these three points. The inclined portion may be provided at each of such three points, or two inclined portions may be provided so as to correspond to the periphery of the workpiece at such three points. Of course, you may make it provide four or more inclination parts.
本発明に係るベルヌーイハンドでは、傾斜部移動機構を用いてワークの径方向に傾斜部を移動させ、複数の傾斜部の間の距離を調整することができる。そのため、大きさの異なる基板を保持する場合でも、搬送装置を停止して傾斜部の位置あわせをするといった面倒な作業を行う必要がない。
また、前述のとおり、最初に空気を送給した際に基板が勢いよく持ち上げられるため、基板の周縁が傾斜部に接触して保持位置がずれてしまう場合があるが、本発明に係るベルヌーイハンドを用いると、基板を保持した状態のままで保持位置のずれを修正することができる。
In the Bernoulli hand according to the present invention, it is possible to adjust the distance between the plurality of inclined portions by moving the inclined portion in the radial direction of the workpiece using the inclined portion moving mechanism. Therefore, even when holding substrates of different sizes, there is no need to perform troublesome work such as stopping the transfer device and aligning the inclined portion.
Further, as described above, since the substrate is lifted vigorously when air is first supplied, the peripheral edge of the substrate may come into contact with the inclined portion, and the holding position may be shifted. By using this, it is possible to correct the shift of the holding position while holding the substrate.
上記傾斜の形状は、滑らかな傾斜面、あるいは階段状のいずれであってもよいが、ワークの保持位置を調整する際に、該ワークを滑らかに移動させることができる点で、傾斜部の形状は滑らかな傾斜面であることが望ましい。 The inclined shape may be either a smooth inclined surface or a stepped shape, but the shape of the inclined portion is that the workpiece can be moved smoothly when adjusting the holding position of the workpiece. Is preferably a smooth inclined surface.
また、本発明の別の態様は、上述した特徴を有するベルヌーイハンドを備えた半導体製造装置である。 Another aspect of the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus including a Bernoulli hand having the above-described characteristics.
本発明に係るベルヌーイハンドは傾斜部をワークの径方向に移動させる傾斜部移動機構を備えるため、面倒な作業でスループットを低下させることなく、大きさの異なる基板を保持することができる。また、ワークを保持した状態で、ワークの保持位置を調整することもできる。さらに、本発明に係るベルヌーイハンドでは、ワークを保持する際に、基板が勢いよく持ち上げられても、ワークの上面がハンドの表面と衝突してワークが破損したり表面が傷ついたりすることがない。また、本発明に係る半導体製造装置においても、上記同様の効果を得ることができる。 Since the Bernoulli hand according to the present invention includes an inclined portion moving mechanism for moving the inclined portion in the radial direction of the workpiece, it is possible to hold substrates of different sizes without reducing throughput in a troublesome operation. Further, the holding position of the workpiece can be adjusted while the workpiece is held. Further, in the Bernoulli hand according to the present invention, even when the substrate is lifted vigorously when holding the workpiece, the upper surface of the workpiece does not collide with the surface of the hand and the workpiece is not damaged or the surface is not damaged. . Also in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the same effect as described above can be obtained.
はじめに、本発明に係るベルヌーイハンドの一実施例について、図面を参照して説明する。図1(a)に本実施例のベルヌーイハンドの下面図、図1(b)にA-A'断面図を示す。 First, an embodiment of a Bernoulli hand according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 (a) shows a bottom view of the Bernoulli hand of this embodiment, and FIG. 1 (b) shows a cross-sectional view along AA ′.
本実施例のベルヌーイハンド1では、円板状の半導体基板60を上から保持する。ベルヌーイハンド1の基部は、ハンド支持部2にスライド機構(図示なし)によりスライド可能に支持されている。また、ハンド支持部2は移動機構(図示なし)により移動、回転可能になっている。以下、スライド機構と移動機構を併せてハンド移動機構と呼ぶ。
In the Bernoulli
ベルヌーイハンド1は、平板状の本体10と、本体10の下面(保持面)の先端部に形成された先端側部材20、及び本体10の保持面に形成された6箇所の空気吐出部30を備えている。空気吐出部30の中央には貫通孔31が形成されている。また、本体10の保持面の基部には、基部側部材支持部50を介して基部側部材40が備えられている。基部側部材支持部50は、エアシリンダを備えた基部側部材移動機構51により半導体基板60の径方向に移動可能となっている。つまり、基部側部材支持部50を移動させることにより、基部側部材40を半導体基板60の径方向に移動させることが可能になっている。
The Bernoulli
先端側部材20は、傾斜部21と、その外側に隣接して設けられたストッパ22から構成されており、傾斜部21は、半導体基板60に向かって外方に滑らかに傾斜する形状を有している。基部側部材40も同様に、傾斜部41とストッパ42から構成されている。先端側部材20は基部側部材支持部50の厚さ分だけ基部側部材40よりも厚みを有しており、傾斜部21と傾斜部41、ストッパ22とストッパ42の鉛直方向の位置がそれぞれ揃えられている。
The distal
図2を参照して、本実施例のベルヌーイハンド1により半導体基板60を保持する動作を説明する。まず、ハンド移動機構を動作させてベルヌーイハンド1を半導体基板60の上部に位置させ、ベルヌーイハンド1を降下させてベルヌーイハンド1の保持面を半導体基板60の上面に近接させる。続いて、ハンド上部から空気送給手段(図示なし)により貫通孔31に空気を送給してベルヌーイハンド1と半導体基板60の間に送り込む。半導体基板60に向けて貫通孔31から吹き出された空気は、図2(a)に矢印で示すように流れ込む。既述の通り、貫通孔31から基板に向けて空気が送給されると、ベルヌーイ効果によってベルヌーイハンド1と半導体基板60の間の空間が負圧になる。半導体基板60の下面側は大気圧であるため、その圧力差により半導体基板60が持ち上げられる。
With reference to FIG. 2, the operation | movement which hold | maintains the
本実施例のベルヌーイハンド1の本体10の先端部及び基部には、それぞれ、半導体基板60の周縁の一部に対応する位置に傾斜部21、41が形成されている。そのため、半導体基板60が勢いよく持ち上げられても、その周縁が傾斜部21、41によって止められる。そのため、半導体基板60の上面がベルヌーイハンド1の保持面に直接衝突することが防止され、半導体基板60が破損したり、その表面が傷ついたりすることがない。
しかし、最初に空気を送給した際には半導体基板60が勢いよく持ち上げられるため、半導体基板60の周縁が傾斜部21、41に接触して保持位置がずれてしまうことがある(図2(b))。このような場合には、基部側部材移動機構51により基部側部材40を移動させて、傾斜部41を半導体基板60側に移動させる。これにより、半導体基板60の保持位置のずれを修正する(図2(c))。
また、本実施例のベルヌーイハンド1では、傾斜部41の位置を調整することにより、本体10の保持面と半導体基板60の上面の間の距離を調整することができる。これにより、前述した圧力差(ベルヌーイ効果により生じる負圧と大気圧の差)や半導体基板の重量等を考慮して、前記距離を、半導体基板60を安定的に保持するために最適なものにすることができる。
However, since the
Further, in the
ベルヌーイハンド1により半導体基板60を保持した状態では、本体10の先端部に形成された傾斜部21と、本体の基部に形成された傾斜部41により半導体基板60の横滑りが規制される。また、基部側部材40を半導体基板60の径方向に移動させることにより、基部側部材40の傾斜部41で半導体基板60の保持位置をアライメントすることができる。そのため、従来のように半導体基板60を位置決めするためのアライメントステージなどを別途備える必要がない。
In a state where the
また、基板側部材移動機構51を用いて基部側部材40を移動させることにより、先端側部材20と基部側部材40の間の距離を自在に変更することができる。従って、大きさの異なる半導体基板60を保持する場合に、従来のように基板搬送装置からベルヌーイハンド1aを取り外して傾斜部の位置あわせをするなどの面倒な作業を行う必要がない。
Moreover, the distance between the front
次に、本発明に係る半導体製造装置をプラズマ処理装置に適用した一実施例について説明する。
図3及び図4に本実施例のプラズマ処理装置101の構成を示す。本実施例のプラズマ処理装置101は、真空反応室102、搬送室(ロードロック室)104、及び大気室106と、真空反応室102と搬送室104の間、搬送室104と大気室106の間にそれぞれ設けられたゲートバルブ108、110とを備えている。
Next, an embodiment in which the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is applied to a plasma processing apparatus will be described.
3 and 4 show the configuration of the
真空反応室102の内部には、原料ガスの供給口であるシャワーヘッド112、トレイ114が載置される載置台116、載置台116上のトレイ114の温度を検出する温度センサ118(第1温度検出手段)が設けられている。トレイ114の材質としては、例えばアルミナやアルミニウムを用いることができるが、本実施例では熱伝導性に優れたアルミニウム製のトレイ114を用いている。また、載置台116にはヒータ120及び図示しない静電チャックが設けられている。本実施例では、シャワーヘッド112が上部電極を兼用し、載置台116が下部電極を兼用する。
Inside the
トレイ114の表面には複数の座繰り部(凹部)114aが設けられている。これら座繰り部114aには被処理基板である半導体基板W(以下、単に「基板」という。)が載置され、安定して搬送される。座繰り部114aの大きさ(内径及び深さ)は基板Wの外径及び厚みとほぼ同じに設定されており、座繰り部114aに収容された基板Wは、トレイ114の表面と面一になる。
A plurality of countersunk portions (concave portions) 114 a are provided on the surface of the
搬送室104には、真空反応室102と大気室106との間でトレイ114を搬送するロボット122が設けられている。また、搬送室104にはその内部を減圧するための減圧手段(図示なし)が接続されている。
The
大気室106にはトレイステージ130、基板Wを収納する基板ケース132、トレイステージ130と基板ケース132との間で基板Wを移動させる移載用のロボット134、トレイステージ130上のトレイ114の温度を検出する温度センサ136(第2温度検出手段)が設けられている。ロボット134は、アーム134aとその先端に取り付けられた基板捕捉手段としてのベルヌーイハンド134bを有している。ベルヌーイハンド134bは上述した実施例の構成を有している。ロボット134にはトレイステージ130上のトレイ114の座繰り部114aが予め記憶されており、ベルヌーイハンド134bによりトレイ114の座繰り部114aからプラズマ処理済みの基板Wを吸着して取り出し、基板ケース132に収納する。また、基板ケース132から基板Wをチャックして取り出し、トレイステージ130上のトレイ114の座繰り部114aに収納する。トレイステージ130にはヒータ138が設けられている。なお、図3及び図4では、トレイ114及び基板Wは大気室106のトレイステージ130上に載置された状態にある。
The
ヒータ120、138は制御装置140によって制御される。制御装置140には温度センサ118の検出信号が入力されるようになっており、この信号に基づきヒータ120が制御される。また、制御装置140には、温度センサ136の検出信号も入力されるようになっており、温度センサ118、136の検出信号に基づきトレイステージ130上のトレイ114の温度がプラズマ処理中における真空反応室102内のトレイ114温度と略同一になるようにヒータ138の出力が調節される。
The
続いて、本実施例のプラズマ処理装置101の動作を説明する。
まず、ロボット134により未処理の基板Wが基板ケース132から取り出され、トレイステージ130上のトレイ114の座繰り部114aに載置される。このとき、トレイ114はトレイステージ130内のヒータ138により所定の温度に加熱されている。
Subsequently, the operation of the
First, an unprocessed substrate W is taken out from the
トレイ114の座繰り部114aに基板Wが載置された後、ゲートバルブ110が開放され、搬送室104内のロボット122によってトレイステージ130上のトレイ114が搬送室104内に搬送される。その後、ゲートバルブ110が閉じられ、搬送室104内が所定圧力まで減圧される。続いて、ゲートバルブ108が開放されてロボット122によりトレイ114が真空反応室102内に搬送され、載置台116上に載置される。載置台116上に載置されたトレイ114は静電チャックによって吸着されると共にヒータ120によって加熱される。
After the substrate W is placed on the countersunk
載置台116のトレイ114の温度が所定温度に達すると、シャワーヘッド112から真空反応室102内に成膜用の原料ガスであるテトラエトキシシラン(TEOS)及び酸素が導入される。そして、下部電極(載置台116)と上部電極(シャワーヘッド112)との間に高周波電源が印加されて原料ガスがプラズマ化されると、基板Wの表面に酸化膜が形成される。プラズマ処理中における温度センサ118の検出信号は制御装置140に入力され、記憶される。
When the temperature of the
プラズマ処理が終了すると、ゲートバルブ108が開放されて載置台116上のトレイ114がロボット122により所定圧力まで減圧されている搬送室104内に搬送される。続いて、ゲートバルブ108を閉じて、搬送室104内を大気圧に戻した後、ゲートバルブ110を開放して、ロボット122によりトレイステージ130上にトレイ114が搬送される。
When the plasma processing is completed, the
トレイステージ130上にトレイ114が移載される際、制御装置140は温度センサ136の検出信号とプラズマ処理中の温度センサ118の検出信号とに基づき、トレイ114の温度がプラズマ処理中のトレイ114の温度とほぼ同じになるようにヒータ138の出力を調節する。これにより、トレイステージ130のトレイ114がプラズマ処理中のトレイ114の温度に維持される。
When the
この状態で、大気室106内のロボット134のベルヌーイハンド134bによりプラズマ処理済みの基板Wが吸着され、トレイステージ130上のトレイ114から基板ケース132に収納される。トレイ114の全ての座繰り部114aから基板Wが吸着されて基板ケース132に収納されると、続いて、基板ケース132内の未処理の基板Wがロボット134のベルヌーイハンド34bにより吸着され、トレイステージ130上のトレイ114に載置される。
In this state, the plasma-treated substrate W is adsorbed by the
このような基板Wの交換作業が行われている間、トレイステージ130上のトレイ114の温度はプラズマ処理中の温度に維持されており、トレイ114の熱膨張によってトレイ114上の基板Wの位置や座繰り部114aの位置が変化することがない。従って、ロボット34はトレイ114上の基板Wの所定位置を正確に吸着することができる。また、トレイ114の座繰り部114aに対して正確に基板Wを載置することができる。
While such a substrate W replacement operation is being performed, the temperature of the
さらに、本実施例のプラズマ処理装置101では、トレイ114の温度がプラズマ処理中の温度とほぼ同一に維持されるので、未処理の基板Wが載置された後、真空反応室102内の載置台116に載置されたトレイ114を、プラズマ処理のためにヒータ120で加熱して温度調節する必要がなくスループットが向上する。また、トレイ114の温度が頻繁に変化することによるトレイ114の劣化が生じることもない。
Furthermore, in the
この実施例では、プラズマ処理によりトレイ114の温度が高温になる例を説明したが、プラズマ処理によりトレイ114の温度が低温になる場合は、トレイステージ130の内部に冷媒循環路を設けてトレイステージ130上のトレイ114を冷却するようにすると良い。これにより、トレイステージ130上のトレイ114をプラズマ処理中の温度に維持することができる。
In this embodiment, an example in which the temperature of the
また、本実施例のプラズマ処理装置101では、トレイステージ130上のトレイ114から基板Wを取り出したり該トレイ114に基板Wを載置したりする作業中に収縮したり膨張したりしないようにすればよい。従って、トレイステージ130上に載置されたトレイ114の温度をプラズマ処理中のトレイ114の温度と同一にすることは必須ではなく、トレイステージ130上のトレイ114の温度が所定の温度範囲に維持されていれば良い。ただし、トレイステージ130上のトレイ114の温度を室温付近に維持するようにすると、プラズマ処理中のトレイ114との温度差が大きくなるため、大きな温度変化による膨張と収縮が頻繁に起こり、トレイ114が劣化し易くなる。また、スループットも低下する。従って、これらの事情を考慮すると、プラズマ処理中のトレイ114の温度に維持することが有効である。
In the
本発明に係るベルヌーイハンドは種々の形態を採ることができる。以下、本発明に係るベルヌーイハンドの別の形態について、図5及び図6を参照して説明する。なお、以下の説明では、上記実施例において説明した半導体基板の保持動作等に関する説明を省略し、各実施例のベルヌーイハンド1a、1bの特徴的な構成のみを説明する。 The Bernoulli hand according to the present invention can take various forms. Hereinafter, another embodiment of the Bernoulli hand according to the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. In the following description, the description regarding the holding operation and the like of the semiconductor substrate described in the above embodiments is omitted, and only the characteristic configuration of the Bernoulli hands 1a and 1b in each embodiment will be described.
図5に、本発明に係るベルヌーイハンドの別の実施例であるベルヌーイハンド1aの構成を示す。図5(a)は下面図、図5(b)はB-B'断面図である。ベルヌーイハンド1aの本体10aはY字状を有している。本体10aは中央から3方向に枝分かれしており、各方向において保持面上にそれぞれ2箇所ずつ、合計6箇所に空気吐出部30a及び貫通孔31aが形成されている。上記実施例と同様に、基部側部材40aは基部側部材支持部50aを介して本体10aに設けられており、基部側部材支持部50aは、エアシリンダを備えた基部側部材移動機構51aによって半導体基板60の径方向に移動可能となっている。この実施例のベルヌーイハンド1aでも、上記実施例と同様に、基部側部材40aを半導体基板60の径方向に移動させることで、上記実施例において説明した効果を得ることができる。なお、本実施例のベルヌーイハンド1aではストッパを設けていないため、先端側部材20a、基部側部材40aがそれぞれ本発明の傾斜部に対応する。
FIG. 5 shows a configuration of a
図6に、本発明に係るベルヌーイハンドのさらに別の実施例であるベルヌーイハンド1bの構成を示す。図6(a)は下面図、図6(b)はB-B'断面図である。前述のベルヌーイハンド1、1aでは、傾斜部が弧で半導体基板60の周縁に対応するように構成した。しかし、保持対象の半導体基板60の大きさが変わると外周の曲率が変わるため、弧で対応させることが困難になる。この実施例のベルヌーイハンド1bは、大小さまざまな半導体基板60を保持する場合に、特に好適に用いることができる。以下、ベルヌーイハンド1bの構成を説明する。
FIG. 6 shows a configuration of a
本実施例のベルヌーイハンド1bも、本体10bと、保持面上の6箇所に空気吐出部30a及び貫通孔31aが形成された本体10bと、傾斜部21b及びストッパ22bにより構成され上面視してV字状を有する先端側部材20bと、傾斜部41b及びストッパ42bにより構成され上面視して矩形状を有する基部側部材40bを備えている。また、基部側部材40bは基部側部材支持部50bを介して本体10bに設けられており、基部側部材支持部50bは、基部側部材移動機構51bによって半導体基板60の径方向に移動可能となっている。
The
ベルヌーイハンド1bにより大きさが異なる半導体基板60を保持する際の様子を図7に示す。図7では、理解を容易にするため、ベルヌーイハンド1bの先端側部材20bと基部側部材40bのみを図示している。図7(a)は大きな基板を保持する場合、図7(b)は小さな基板を保持する場合の様子である。このように、ベルヌーイハンド1bを用いると、半導体基板60の大きさが大きく異なるものであっても、V字状を有する基部側部材40bの2辺においてそれぞれ1点ずつ、先端側部材20bにおいて1点の合計3点であって、半導体基板60の中心を囲む3点において半導体基板60の周縁部に対応させることができる。
FIG. 7 shows a state in which the
上記実施例はいずれも一例であって、本発明の趣旨に沿って適宜に変更することができる。例えば、基部側部材(基部側に設けられた傾斜部)ではなく、先端側部材(先端側に設けられた傾斜部)を半導体基板の径方向に移動させるようにしてもよい。あるいは、基部側部材と先端側部材の両方を移動させるようにしてもよい。また、これらを移動させる機構は、エアシリンダに限らず、例えばステッピングモータやサーボモーターの駆動源を備えるようにしてもよい。さらに、傾斜部とストッパを別部材として、傾斜部のみが半導体基板の径方向に移動可能となるように構成してもよい。
また、上記実施例では、傾斜部を直線的な傾斜断面を有するものとしたが、弧状断面を有するものや、階段状のものとしてもよい。
その他、空気吐出部30の形状や個数も上記実施例に記載の構成に限定されない。
上記実施例ではハンドの保持面でワークを上方から保持する場合を例に説明したが、ワークを下方や側方から保持するようにしてもよい。また、ワークを半導体基板としたが、ワークの種類はこれに限定されない。
Each of the above-described embodiments is an example, and can be appropriately changed in accordance with the gist of the present invention. For example, not the base side member (inclined part provided on the base side) but the tip side member (inclined part provided on the front end side) may be moved in the radial direction of the semiconductor substrate. Or you may make it move both a base side member and a front end side member. Further, the mechanism for moving these is not limited to the air cylinder, and for example, a drive source for a stepping motor or a servo motor may be provided. Furthermore, the inclined portion and the stopper may be separate members, and only the inclined portion may be configured to be movable in the radial direction of the semiconductor substrate.
Moreover, in the said Example, although the inclined part shall have a linear inclined cross section, it may be a thing with an arc-shaped cross section, or a step shape.
In addition, the shape and the number of the
In the above embodiment, the case where the workpiece is held from above by the holding surface of the hand has been described as an example, but the workpiece may be held from below or from the side. Moreover, although the workpiece | work was made into the semiconductor substrate, the kind of workpiece | work is not limited to this.
1、1a、1b…ベルヌーイハンド
2、2a、2b…ハンド支持部
10、10a、10b…ハンド本体
20、20a、20b…先端側部材
21、21b…傾斜部
22、22b…ストッパ
30、30a、30b…空気吐出部
31、31a、31b…貫通孔
40、40a、40b…基部側部材
60…半導体基板
101…プラズマ処理装置(半導体製造装置)
102…真空反応室
104…搬送室
106…大気室
108…ゲートバルブ
110…ゲートバルブ
112…シャワーヘッド
114…トレイ
114a…座繰り部
116…載置台
118…温度センサ(第1温度検出手段)
120、138…ヒータ
122…ロボット(トレイ搬送機構)
130…トレイステージ
132…基板ケース
134…ロボット(基板移載機構)
134a…アーム
134b…ベルヌーイハンド
136…温度センサ(第2温度検出手段)
140…制御装置
W…半導体基板(被処理基板)
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF
120, 138 ...
130 ...
134a ...
140 ... Control device W ... Semiconductor substrate (substrate to be processed)
Claims (3)
b) 前記傾斜部のうちの少なくとも1つを前記ワークの径方向に移動させる傾斜部移動機構
を備えることを特徴とするベルヌーイハンド。 a) On the holding surface for holding the disc-shaped workpiece, provided at positions corresponding to the peripheral edge of the workpiece at at least three points surrounding the center of the workpiece, and outward from the holding surface toward the workpiece A plurality of inclined portions having a shape inclined to
b) A Bernoulli hand comprising an inclined portion moving mechanism for moving at least one of the inclined portions in the radial direction of the workpiece.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014002003A JP6496919B2 (en) | 2013-02-05 | 2014-01-08 | Bernoulli hand and semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013020588 | 2013-02-05 | ||
JP2013020588 | 2013-02-05 | ||
JP2014002003A JP6496919B2 (en) | 2013-02-05 | 2014-01-08 | Bernoulli hand and semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014170923A true JP2014170923A (en) | 2014-09-18 |
JP6496919B2 JP6496919B2 (en) | 2019-04-10 |
Family
ID=51693070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014002003A Active JP6496919B2 (en) | 2013-02-05 | 2014-01-08 | Bernoulli hand and semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6496919B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020064896A (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | Wafer transfer apparatus and transfer method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004140058A (en) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Wafer conveying device and wafer processing apparatus |
JP2005536889A (en) * | 2002-08-20 | 2005-12-02 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | Bonded structures for use in semiconductor device manufacturing environments |
JP2009177032A (en) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer carrier device and wafer machining device |
-
2014
- 2014-01-08 JP JP2014002003A patent/JP6496919B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005536889A (en) * | 2002-08-20 | 2005-12-02 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | Bonded structures for use in semiconductor device manufacturing environments |
JP2004140058A (en) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Wafer conveying device and wafer processing apparatus |
JP2009177032A (en) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | Wafer carrier device and wafer machining device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020064896A (en) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 株式会社ディスコ | Wafer transfer apparatus and transfer method |
JP7189722B2 (en) | 2018-10-15 | 2022-12-14 | 株式会社ディスコ | Wafer transfer device and transfer method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6496919B2 (en) | 2019-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101443899B (en) | Substrate conveyance device and vertical heat treatment equipment | |
TWI485798B (en) | Substrate processing apparatus | |
JP5080090B2 (en) | Holding device and holding method | |
CN115985812A (en) | Joining device, system, method, program, and computer storage medium | |
KR101400453B1 (en) | Substrate conveyance method and substrate conveyance system | |
JP5548163B2 (en) | Substrate transport mechanism, substrate processing apparatus, and semiconductor device manufacturing method | |
TW201301428A (en) | Substrate processing device | |
CN109923640A (en) | Engagement device, mating system, joint method and computer storage medium | |
US10950474B2 (en) | Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing semiconductor device | |
TWI657901B (en) | Film suction mechanism | |
JP2006261377A (en) | Substrate conveyance robot and substrate conveyance system provided with same | |
TW201611154A (en) | Wafer loading and unloading | |
JP2020065003A (en) | Substrate processing device and conveyance position correction method | |
JP2006019544A (en) | Substrate transfer apparatus and substrate carrier system | |
JP6496919B2 (en) | Bernoulli hand and semiconductor manufacturing equipment | |
JP5545488B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JP7441711B2 (en) | How to place the substrate support stand, plasma processing system, and edge ring | |
JP2011086795A (en) | Substrate conveying apparatus and vacuum processing system with the substrate conveying apparatus | |
JP2005259858A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2010239023A (en) | Substrate transfer device, and substrate processing device | |
WO2022044834A1 (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
JP2011077288A (en) | Carrying device | |
JP2013197164A (en) | Plate-like member moving device | |
JP2021098885A (en) | Film deposition device | |
JP2009218505A (en) | Unload chamber, and method for operating the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160930 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170808 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180105 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180118 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20180209 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6496919 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |