JP2014165340A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents
Semiconductor device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014165340A JP2014165340A JP2013035059A JP2013035059A JP2014165340A JP 2014165340 A JP2014165340 A JP 2014165340A JP 2013035059 A JP2013035059 A JP 2013035059A JP 2013035059 A JP2013035059 A JP 2013035059A JP 2014165340 A JP2014165340 A JP 2014165340A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- semiconductor device
- resin
- manufacturing
- soluble protective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものである。特に樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
半導体チップが固定されるダイパッドが複数配列されたリードフレームを用いて製造される樹脂封止型の半導体装置において、樹脂封止の際にモールド金型の僅かな隙間から漏れ出してリード部などに付着した樹脂バリを除去する工程がある。
これらの樹脂バリを除去する従来工法として例えば、ウォータージェットによる方法、切断金型による方法があるが、近年は半導体装置小型化がすすみ、これら従来工法では細部まで取り除くことが困難で、レーザー照射による工法が用いられている。（例えば、特許文献１参照）
In a resin-sealed semiconductor device manufactured using a lead frame in which a plurality of die pads to which a semiconductor chip is fixed are arranged, the resin leaks from a slight gap in the mold during resin sealing, and leads to a lead portion or the like. There is a step of removing the adhered resin burrs.
Conventional methods for removing these resin burrs include, for example, a method using a water jet and a method using a cutting die. In recent years, semiconductor devices have become smaller, and it is difficult to remove details in these conventional methods. The construction method is used. (For example, see Patent Document 1)
又、前述のレーザー照射による工法においては、リードフレームの金属部分の表層を溶融させてしまい、その結果、溶融した金属がデブリとなって半導体装置に飛散して付着することより、図５に示すようなリード間短絡１６が発生しないように、封止樹脂およびリードフレームをテープで被覆する工法が提案されている。（例えば、特許文献２参照） Further, in the above-described laser irradiation method, the surface layer of the metal portion of the lead frame is melted, and as a result, the molten metal becomes debris and scatters and adheres to the semiconductor device, as shown in FIG. In order to prevent such a short circuit 16 between the leads, a method of covering the sealing resin and the lead frame with a tape has been proposed. (For example, see Patent Document 2)
しかしながら、半導体装置は、更なる小型化が求められており、付着防止テープと半導体装置との貼り合わせには高精度な重ね合わせ技術が必要となり、超小型の半導体装置への適用できないという課題がある。また、半導体装置の大きさに合わせて様々なテープサイズを揃えるという煩雑さを伴う。
本発明は、上記課題に鑑み成されたもので、付着防止テープに代わる新たな課題解決手段を提供するものである。
However, there is a demand for further downsizing of the semiconductor device, and high-precision overlay technology is required for bonding the adhesion preventing tape and the semiconductor device, and there is a problem that it cannot be applied to an ultra-small semiconductor device. is there. In addition, it is complicated to arrange various tape sizes according to the size of the semiconductor device.
The present invention has been made in view of the above problems, and provides a new means for solving problems in place of an adhesion prevention tape.
上述の課題を解決するための手段は以下の通りである。
まず、リードフレームに搭載された半導体チップの樹脂封止によって形成された樹脂バリを除去する樹脂バリ取り工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記樹脂バリ取り工程は、前記半導体チップを封止する封止樹脂と前記リードフレームと前記樹脂バリを可溶性保護膜で被覆する工程と、前記樹脂バリをレーザーで除去するレーザーバリ取り工程と、前記可溶性保護膜が可溶な除去液を用いて前記封止樹脂表面および前記リードフレーム表面から前記可溶性保護膜を除去するとともに前記可溶性保護膜上のデブリをリフトオフする可溶性保護膜除去工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
Means for solving the above-described problems are as follows.
First, a method of manufacturing a semiconductor device having a resin deburring step of removing a resin burr formed by resin sealing of a semiconductor chip mounted on a lead frame, wherein the resin deburring step encapsulates the semiconductor chip. A sealing resin to be stopped, the lead frame, the step of coating the resin burr with a soluble protective film, a laser deburring step of removing the resin burr with a laser, and a removing liquid in which the soluble protective film is soluble A method of manufacturing a semiconductor device comprising: a soluble protective film removing step of removing the soluble protective film from the sealing resin surface and the lead frame surface and lifting off debris on the soluble protective film. .
また、前記可溶性保護膜が水溶性保護膜であって、前記除去液が水であることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記水溶性保護膜がポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、エチレンオキシ、ポリエチレングリコールのいずれかであることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記可溶性保護膜がポジレジスト膜であって、前記除去液がイソプロピルアルコールであることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記可溶性保護膜が紫外線照射したポジレジスト膜であって、前記除去液がアルカリ水溶液であることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
Also, a method for manufacturing a semiconductor device is used, wherein the soluble protective film is a water-soluble protective film and the removal liquid is water.
Further, the method for manufacturing a semiconductor device is characterized in that the water-soluble protective film is any one of polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, ethyleneoxy, and polyethylene glycol.
Further, the semiconductor device manufacturing method is characterized in that the soluble protective film is a positive resist film and the removing liquid is isopropyl alcohol.
Further, the semiconductor device manufacturing method is characterized in that the soluble protective film is a positive resist film irradiated with ultraviolet rays, and the removing solution is an alkaline aqueous solution.
また、前記アルカリ水溶液がＴＭＡＨまたはコリンを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記可溶性保護膜塗布工程は、スプレー方式または浸漬方式であることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
そして、前記可溶性保護膜除去工程は、スプレー方式または浸漬方式であることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。
Further, a method for manufacturing a semiconductor device is used, wherein the alkaline aqueous solution contains TMAH or choline.
The soluble protective film coating step is a spray method or a dipping method, and a semiconductor device manufacturing method is used.
The soluble protective film removing step uses a spray method or a dipping method, and uses a method for manufacturing a semiconductor device.
上記手段を用いることで、レーザー照射工法により発生するデブリの付着防止を簡便に行うことができる。 By using the above-mentioned means, it is possible to simply prevent adhesion of debris generated by the laser irradiation method.
本発明の実施形態を、図を用いて説明する。
図３に示すように、樹脂封止型の半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を固定するダイパッド３と、ダイパッド３の両側に延びるリード４とを備えている。半導体チップ２は、例えば、半導体基板と、半導体基板上に設けられた配線層などで構成されるものであり、ダイパッド３に接着固定されている。ダイパッド３及びリード部４は、導電性を有するものであり、例えば、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｃｕ合金等の金属で形成されている。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 3, the resin-encapsulated semiconductor device 1 includes a semiconductor chip 2, a die pad 3 that fixes the semiconductor chip 2, and leads 4 that extend on both sides of the die pad 3. The semiconductor chip 2 is composed of, for example, a semiconductor substrate and a wiring layer provided on the semiconductor substrate, and is bonded and fixed to the die pad 3. The die pad 3 and the lead part 4 have conductivity, and are formed of a metal such as an Fe—Ni alloy or a Cu alloy, for example.
ダイパッドの周囲には複数のリード４があり、本実施形態においては、ダイパッド３の一辺側に２本、対向する他辺側に２本、計４本配置されている。そして、これらのリード部４の内の１本であるリードは、吊りリード５であり、吊りリード５の基部５ａがダイパッド３に固定されている。他の３本はダイパッド３から離間したリード部６であり、そのインナー部６ａが導電性を有するボンディングワイヤ７を介して半導体チップ２と電気的に接続されている。ボンディングワイヤ７には、金線や銅線が用いられる。 There are a plurality of leads 4 around the die pad. In this embodiment, two leads 4 are arranged on one side of the die pad 3 and two on the opposite side. A lead that is one of the lead portions 4 is a suspension lead 5, and a base portion 5 a of the suspension lead 5 is fixed to the die pad 3. The other three are lead portions 6 spaced apart from the die pad 3, and the inner portions 6 a are electrically connected to the semiconductor chip 2 via conductive bonding wires 7. For the bonding wire 7, a gold wire or a copper wire is used.
このように構成された半導体チップ２、ダイパッド３及びリード６のインナー部６ａは、樹脂で形成された封止樹脂８で封止され、半導体チップ２を外部からの衝撃等から保護し、電気的に絶縁するとともに、封止樹脂８から露出している複数のリード４のアウター部５ｂ、６ｂを介して半導体チップ２と外部とを電気的に接続可能な構成としている。封止樹脂８としては、例えば、フェノール系硬化剤やシリコンゴムやフィラー等が添加されたビフェニール系の絶縁樹脂が用いられる。 The thus configured semiconductor chip 2, die pad 3, and inner portion 6a of the lead 6 are sealed with a sealing resin 8 formed of a resin, and the semiconductor chip 2 is protected from an external impact and the like. The semiconductor chip 2 and the outside can be electrically connected to each other through the outer portions 5b and 6b of the plurality of leads 4 exposed from the sealing resin 8. As the sealing resin 8, for example, a biphenyl insulating resin to which a phenolic curing agent, silicon rubber, filler, or the like is added is used.
上記半導体装置１を製造する工程の詳細について、図１の全体フロー図に基づいて説明する。
まず、図の上段に示した工程Ｓ１〜Ｓ１０について説明する。ダイボンド工程Ｓ１は半導体チップをリードフレームのダイパッド領域に銀ペースト等を用いて接着する工程である。次のダイボンドキュア工程Ｓ２は接着されたダイパッドと半導体チップを加熱して接合部を硬化させる工程である。次のワイヤボンド工程Ｓ３は熱圧着に超音波振動を併用したボンディング法などによって、半導体チップ表面の電極部分とリードインナー部をボンディングワイヤにより接続する工程である。そして、組立検査工程Ｓ４にて、ダイパッドと半導体チップの接合状態、半導体チップとボンディングワイヤとの接合状態について検査を行い、樹脂封止工程Ｓ５に移行する。
The details of the process for manufacturing the semiconductor device 1 will be described with reference to the overall flowchart of FIG.
First, steps S1 to S10 shown in the upper part of the figure will be described. The die bonding step S1 is a step of bonding the semiconductor chip to the die pad region of the lead frame using a silver paste or the like. The next die bond curing step S2 is a step of heating the bonded die pad and the semiconductor chip to cure the bonded portion. The next wire bonding step S3 is a step of connecting the electrode portion on the surface of the semiconductor chip and the lead inner portion with a bonding wire by a bonding method using ultrasonic vibration in combination with thermocompression bonding. Then, in the assembly inspection step S4, the bonding state between the die pad and the semiconductor chip and the bonding state between the semiconductor chip and the bonding wire are inspected, and the process proceeds to the resin sealing step S5.
樹脂封止工程Ｓ５においては、まず、各ダイパッドに対応して、ダイパッド及び半導体チップを囲む空間であるキャビティと、注入される封止樹脂を各キャビティの近傍まで流入させるランナーと、ランナーとキャビティとを連通するゲートとを備えるモールド金型を用意する。そして、リードフレームをモールド金型で挟み込み、各モールド金型に封止樹脂を注入、充填したのち、封止されたリードフレームをモールド金型から取出す。この時点では、リード間等に薄い樹脂バリが形成されている。これは、モールド金型のキャビティに樹脂を充填した際に、僅かな隙間から漏れ出した樹脂によるものであり、モールド金型に依存して、モールド金型ごとに異なった位置、形状で形成される。 In the resin sealing step S5, first, corresponding to each die pad, a cavity that is a space surrounding the die pad and the semiconductor chip, a runner that allows the injected sealing resin to flow into the vicinity of each cavity, the runner and the cavity, A mold mold having a gate that communicates with each other is prepared. Then, the lead frame is sandwiched between mold dies, a sealing resin is injected and filled in each mold dies, and then the sealed lead frame is taken out from the mold dies. At this point, a thin resin burr is formed between the leads. This is due to the resin leaking from a slight gap when filling the mold cavity with resin, and depending on the mold, it is formed in a different position and shape for each mold. The
次に、判別工程Ｓ６を行う。判別工程Ｓ６は、いずれのモールド金型で樹脂封止されたのかを判別する工程である。すなわち、識別記号として機能する充填用穴を撮像し、充填された部分と充填していない部分とを判別して、そのパターンからいずれのモールド金型であるかを判別する。上述のように樹脂封止工程Ｓ５で形成される樹脂バリの位置、形状は、使用したモールド金型に依存し、キャビティごとにも異なる。 Next, discrimination process S6 is performed. The discrimination step S6 is a step of discriminating which mold die is resin-sealed. That is, the filling hole functioning as an identification symbol is imaged, the filled portion and the unfilled portion are discriminated, and which mold die is discriminated from the pattern. As described above, the position and shape of the resin burr formed in the resin sealing step S5 depend on the mold used, and are different for each cavity.
次の樹脂バリ取り工程Ｓ７は、モールド金型から漏れ出して形成された樹脂バリを除去する工程である。樹脂バリ除去には、切断金型による機械的なカットやウォータージェットなど様々な手法が用いられるが、本実施形態ではレーザー照射による樹脂バリ除去という手段を選択した。これは、半導体装置が小型になると機械的な方法では細部まで樹脂バリを除去することが困難であるためである。 The next resin deburring step S7 is a step of removing resin burrs that have leaked out of the mold. Various methods such as mechanical cutting with a cutting die and water jet are used for removing the resin burrs. In this embodiment, the method of removing the resin burrs by laser irradiation is selected. This is because if the semiconductor device is downsized, it is difficult to remove resin burrs in detail by a mechanical method.
本樹脂バリ取り工程の詳細を図１の下段及び図２に示した。図のように、樹脂バリ取り工程Ｓ７はＳ７−１〜Ｓ７−６に分解される。まず、可溶性保護膜塗布工程Ｓ７−１にて封止樹脂表面やリードフレーム表面に可溶性保護膜を塗布する。塗布方法は、図２に示すように、保護膜を溶媒に溶かした保護膜浸漬槽に浸漬するという方法でも良いし、スプレー塗布するという方法でも良い。次工程の乾燥工程Ｓ７−２にて塗布膜に含まれる溶媒を蒸発させて可溶性保護膜を形成する。 Details of the resin deburring process are shown in the lower part of FIG. 1 and FIG. As shown in the figure, the resin deburring step S7 is broken down into S7-1 to S7-6. First, a soluble protective film is applied to the sealing resin surface and the lead frame surface in a soluble protective film application step S7-1. As shown in FIG. 2, the coating method may be a method of immersing the protective film in a protective film immersion bath in which a protective film is dissolved in a solvent, or a method of spray coating. In the next drying step S7-2, the solvent contained in the coating film is evaporated to form a soluble protective film.
次に、レーザーバリ取り工程Ｓ７−３にて可溶性保護膜を介してレーザー照射し、樹脂バリの除去を行う。図４にレーザー照射時の断面模式図を示す。リードフレーム１０に設けられたダイパッド３上に搭載された半導体チップ２は封止樹脂８によって封止されているが、その側壁には樹脂バリ１４が形成されている。封止樹脂８やリードフレーム１０全体は可溶性保護膜１５によって完全に包まれている。レーザー源１１から出射されたレーザー１２は樹脂バリ１４に照射され、樹脂バリ１４を精度良く除去することができる。しかしながら、レーザー１２は樹脂バリ１４のみに選択的に照射されるものではなく、樹脂バリ１４と隣り合うリードフレーム１０にも当たることになる。そして、リードフレームの一部を昇華させることになるが、昇華した金属は飛散してデブリ１３となって、可溶性保護膜１５の表面に付着する。デブリ１３が付着する部分は封止樹脂やリードフレームの上面だけではなく、側面や裏面にも及ぶことがあるが、本方法では可溶性保護膜が封止樹脂やリードフレームの全表面を包む構成となっているため様々な方向へ飛散したデブリの直接的な付着を防止している。 Next, in the laser deburring step S7-3, the resin burrs are removed by laser irradiation through the soluble protective film. FIG. 4 shows a schematic cross-sectional view during laser irradiation. The semiconductor chip 2 mounted on the die pad 3 provided in the lead frame 10 is sealed with a sealing resin 8, and a resin burr 14 is formed on the side wall thereof. The sealing resin 8 and the entire lead frame 10 are completely enclosed by the soluble protective film 15. The laser 12 emitted from the laser source 11 is applied to the resin burr 14, and the resin burr 14 can be removed with high accuracy. However, the laser 12 does not selectively irradiate only the resin burr 14 but also hits the lead frame 10 adjacent to the resin burr 14. Then, a part of the lead frame is sublimated, but the sublimated metal is scattered to become debris 13 and adheres to the surface of the soluble protective film 15. The portion to which the debris 13 adheres may extend not only to the top surface of the sealing resin and the lead frame but also to the side surface and the back surface. In this method, the soluble protective film covers the entire surface of the sealing resin and the lead frame. Therefore, direct adhesion of debris scattered in various directions is prevented.
次の可溶性保護膜除去工程Ｓ７−４において、封止樹脂表面やリードフレーム表面を包んでいる可溶性保護膜を各種除去液にて選択的に除去する。保護膜を除去するための除去液は封止樹脂やリードフレームにダメージを与えないようなものを選択しなければならない。可溶性保護膜としてポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、エチレンオキシ、ポリエチレングリコールなどを用いた場合は、除去するための保護膜除去液は水で良い。また、ノボラック樹脂からなるポジレジストを用いた場合は、イソプロピルアルコールで除去すれば良い。ポジレジストが感光性であるという特徴を利用してレーザー照射前に紫外線照射して、除去工程にてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）やコリン（トリメチル２−ヒドロオキシエチルアンモニウム）を含むアルカリ水溶液で保護膜を剥離しても良い。なお、図２に示すように、除去工程では、除去液を入れた剥離槽にディップする、あるいは、除去液を対象物にスプレー洗浄する、などの手段を用いる。可溶性保護膜の除去の際、保護膜表面に付着しているデブリはリフトオフされる。リフトオフされたデブリは除去液に可溶ではないが、剥離槽やスプレー洗浄機内でフィルタリングされることになり、再付着の心配は無い。 In the next soluble protective film removal step S7-4, the soluble protective film covering the sealing resin surface and the lead frame surface is selectively removed with various removal solutions. The removal liquid for removing the protective film must be selected so as not to damage the sealing resin and the lead frame. When polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, ethyleneoxy, polyethylene glycol or the like is used as the soluble protective film, the protective film removing liquid for removal may be water. If a positive resist made of novolak resin is used, it may be removed with isopropyl alcohol. Utilizing the feature that the positive resist is photosensitive, it is irradiated with ultraviolet rays before laser irradiation, and an alkaline aqueous solution containing TMAH (tetramethylammonium hydroxide) or choline (trimethyl-2-hydroxyethylammonium) in the removal step. The protective film may be peeled off. As shown in FIG. 2, in the removing step, means such as dipping in a peeling tank containing the removing liquid or spray cleaning the removing liquid on an object is used. When removing the soluble protective film, debris adhering to the surface of the protective film is lifted off. The lifted off debris is not soluble in the removal solution, but will be filtered in a peeling tank or spray cleaner, so there is no fear of reattachment.
封止樹脂表面の除去液は次の乾燥工程Ｓ７−５にて蒸発させ、一連の樹脂バリ取り工程は完了となる（Ｓ７−６）。
そして、ランナー及びゲートを除去した後に、樹脂キュア工程Ｓ８にて、封止樹脂を加熱して硬化させて、さらに、メッキ工程Ｓ９にて、リードに半田メッキ処理を施す。最後に、リード切断工程Ｓ１０にて、リードをアウター部５ｂ、６ｂで切断することで各半導体装置１がリードフレーム１０から切り離され、個片化された半導体装置１となる。
The removal liquid on the surface of the sealing resin is evaporated in the next drying step S7-5, and a series of resin deburring steps are completed (S7-6).
Then, after removing the runner and the gate, the sealing resin is heated and cured in the resin curing step S8, and the lead is subjected to a solder plating process in the plating step S9. Finally, in the lead cutting step S10, the leads are cut at the outer portions 5b and 6b, whereby each semiconductor device 1 is cut off from the lead frame 10, and the semiconductor device 1 is singulated.
以上説明した本発明の製造方法を用いれば、超小型の半導体装置であってもレーザー照射工法により発生するデブリの付着防止を簡便、かつ低コストで行うことができる。
なお、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
By using the manufacturing method of the present invention described above, it is possible to easily prevent adhesion of debris generated by a laser irradiation method even at an ultra-small semiconductor device at a low cost.
Although the embodiment of the present invention has been described in detail with reference to the drawings, the specific configuration is not limited to this embodiment, and includes design changes and the like within a scope not departing from the gist of the present invention.
１ 半導体装置
２ 半導体チップ
３ ダイパッド
４ リード
５ 吊りリード
５ａ 吊りリード基部
５ｂ 吊りリードアウター部
６ リード
６ａ リードインナー部
６ｂ リードアウター部
７ ボンディングワイヤ
８ 封止樹脂
９ 単位フレーム
１０ リードフレーム
１１ レーザー源
１２ レーザー
１３ デブリ
１４ 樹脂バリ
１５ 可溶性保護膜
１６ リード間短絡
Ｓ１ ダイボンド工程
Ｓ２ ダイボンドキュア工程
Ｓ３ ワイヤボンド工程
Ｓ４ 組立検査工程
Ｓ５ 樹脂封止工程
Ｓ６ 判別工程
Ｓ７ 樹脂バリ取り工程
Ｓ８ キュア工程
Ｓ９ メッキ工程
Ｓ１０ リード切断工程
Ｓ７−１ 可溶性保護膜塗布工程
Ｓ７−２ 乾燥工程
Ｓ７−３ レーザーバリ取り工程
Ｓ７−４ 可溶性保護膜除去工程
Ｓ７−５ 乾燥工程
Ｓ７−６ レーザーバリ取り工程完了
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Semiconductor chip 3 Die pad 4 Lead 5 Hanging lead 5a Hanging lead base part 5b Hanging lead outer part 6 Lead 6a Lead inner part 6b Lead outer part 7 Bonding wire 8 Sealing resin 9 Unit frame 10 Lead frame 11 Laser source 12 Laser 13 Debris 14 Resin burr 15 Soluble protective film 16 Lead short circuit S1 Die bond process S2 Die bond cure process S3 Wire bond process S4 Assembly inspection process S5 Resin sealing process S6 Determination process S7 Resin deburring process S8 Cure process S9 Plating process S10 Lead cutting Step S7-1 Soluble protective film coating step S7-2 Drying step S7-3 Laser deburring step S7-4 Soluble protective film removing step S7-5 Drying step S7-6 Laser deburring step completed
Claims (8)
前記樹脂バリ取り工程は、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と前記リードフレームと前記樹脂バリを可溶性保護膜で被覆する工程と、
前記樹脂バリをレーザーで除去するレーザーバリ取り工程と、
前記可溶性保護膜が可溶な除去液を用いて、前記封止樹脂の表面および前記リードフレームの表面から、前記可溶性保護膜を除去するとともに前記可溶性保護膜の上に付着したデブリをリフトオフする可溶性保護膜除去工程と、
からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 A method for manufacturing a semiconductor device having a resin deburring step of removing a resin burr formed when resin-sealing a semiconductor chip mounted on a lead frame,
The resin deburring step includes:
A step of covering the semiconductor chip with a sealing resin, the lead frame, and the resin burr with a soluble protective film;
A laser deburring step of removing the resin burr with a laser;
A soluble solution that removes the soluble protective film from the surface of the sealing resin and the surface of the lead frame and lifts off the debris adhering to the soluble protective film using a removing solution in which the soluble protective film is soluble A protective film removing step;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013035059A JP6144069B2 (en) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | Manufacturing method of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013035059A JP6144069B2 (en) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | Manufacturing method of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014165340A true JP2014165340A (en) | 2014-09-08 |
| JP6144069B2 JP6144069B2 (en) | 2017-06-07 |
Family
ID=51615686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013035059A Expired - Fee Related JP6144069B2 (en) | 2013-02-25 | 2013-02-25 | Manufacturing method of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6144069B2 (en) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034015A (en) * | 1983-08-05 | 1985-02-21 | Canon Inc | Pattern formation |
| JPS60147122A (en) * | 1983-12-30 | 1985-08-03 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | Method of producing semiconductor device |
| JPH08148624A (en) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | Manufacture of semiconductor device and semiconductor device and lead frame |
| JPH11305437A (en) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | Pattern forming method |
| JP2004322168A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining apparatus |
| JP2005275413A (en) * | 1995-06-30 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | Method for forming pattern by using mask |
| JP2007214266A (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | Liquid resin coating device and laser processing device |
| JP2008001101A (en) * | 2006-05-30 | 2008-01-10 | Nordson Corp | Removing method of surplus amount of forming material from substrate |
| JP2010010187A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device |
-
2013
- 2013-02-25 JP JP2013035059A patent/JP6144069B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034015A (en) * | 1983-08-05 | 1985-02-21 | Canon Inc | Pattern formation |
| JPS60147122A (en) * | 1983-12-30 | 1985-08-03 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | Method of producing semiconductor device |
| JPH08148624A (en) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | Manufacture of semiconductor device and semiconductor device and lead frame |
| JP2005275413A (en) * | 1995-06-30 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | Method for forming pattern by using mask |
| JPH11305437A (en) * | 1998-04-21 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | Pattern forming method |
| JP2004322168A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining apparatus |
| JP2007214266A (en) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | Liquid resin coating device and laser processing device |
| JP2008001101A (en) * | 2006-05-30 | 2008-01-10 | Nordson Corp | Removing method of surplus amount of forming material from substrate |
| JP2010010187A (en) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Renesas Technology Corp | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6144069B2 (en) | 2017-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102287698B1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US8455304B2 (en) | Routable array metal integrated circuit package fabricated using partial etching process | |
| TWI591775B (en) | Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2017175131A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| US20080009102A1 (en) | Method for Encasulating Sensor Chips | |
| JP5930843B2 (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| US9824960B2 (en) | Lead frame and method for manufacturing same | |
| JPWO2011142006A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2000058711A (en) | Semiconductor package with bga structure of csp | |
| JP2014067750A (en) | Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| KR102139034B1 (en) | Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame | |
| CN106601627A (en) | Process of first sealing then corrosion electro copper column conduction three-dimensional packaging structure | |
| TW201803060A (en) | Flat no-leads package with improved contact leads | |
| CN108878300B (en) | Package with backside protection layer to prevent mold flash failure during molding | |
| JP3074264B2 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method, lead frame and its manufacturing method | |
| JP4614818B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2013258348A (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| CN106601631A (en) | Technique for first-packaging second-etching electroplated copper column conduction once-for-all three-dimensional packaged structure | |
| JP2019160882A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2018046289A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
| JP6144069B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2011159692A (en) | Electronic device and method for manufacturing the same | |
| CN208781831U (en) | A kind of chip-packaging structure | |
| JP2018166182A (en) | Lead frame for semiconductor device, and method of manufacturing the same | |
| CN109830469B (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151204 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20160112 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160923 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160927 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161124 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170510 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6144069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |