JP2014149306A - pHセンサおよびpH測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】参照極1はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、pチャネル電界効果トランジスタのゲート10が水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面12として形成され、ダイヤモンド表面12はドープダイヤモンドで形成されたものである。
【選択図】図1
Description
(1)
参照極と、作用極とを備え、前記参照極および前記作用極の出力に基づいて被測定液のpHを測定するpHセンサにおいて、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤ
モンド表面として形成され、
前記ダイヤモンド表面はドープダイヤモンドで形成されたものである
ことを特徴とするpHセンサ。
(2)
参照極と、作用極とを備え、前記参照極および前記作用極の出力に基づいて被測定液のpHを測定するpHセンサにおいて、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤ
モンド表面として形成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのソースに電位が与えられソースフォロア回路が形成される
ことを特徴とするpHセンサ。
(3)
参照極および作用極に被測定液を接触させるステップと、
前記参照極および前記作用極の出力に基づいて前記被測定液のpHを測定するステップ
と、を備えるpH測定方法において、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成され、
前記ダイヤモンド表面はドープダイヤモンドで形成されたものである
ことを特徴とするpH測定方法。
(4)
参照極および作用極に被測定液を接触させるステップと、
前記参照極および前記作用極の出力に基づいて前記被測定液のpHを測定するステップ
と、を備えるpH測定方法において、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのソースに電位が与えられソースフォロア回路が形成される
ことを特徴とするpH測定方法。
このpHセンサによれば、参照極が内部液を含まないpチャネル電界効果トランジスタにより構成されているので、参照極における内部液の漏洩や経時劣化等の問題を解消できる。このとき、参照極は、pチャネル電界効果トランジスタにより構成される。
つまり、前記ダイヤモンド表面を構成するダイヤモンドはsp3結合の結晶からなる炭素構造体が最も好ましいがsp2結合の結晶を含んでいても良い。sp2結合の結晶を含む場合、(sp3結合の結晶の含有量)/(sp2結合の結晶の含有量)の値が高い方が良い。
このpH測定方法によれば、参照極がpチャネル電界効果トランジスタにより構成されているので、参照極における内部液の漏洩や経時劣化等の問題を解消できる。
である。
2 ガラス電極(作用極)
3 被測定液
4 作用極
5 サーミスタ
10 ゲート
11 シリコンウェハ
12 ダイヤモンド薄膜(ダイヤモンド表面)
13 ドレイン
14 ソース
15 保護膜
21 ガラス膜
22 内部液
23 内部電極
23A 出力端子
41 基板
42 ゲート絶縁膜
43 ドレイン
44 ソース
45 保護膜
Claims (4)
- 参照極と、作用極とを備え、前記参照極および前記作用極の出力に基づいて被測定液のpHを測定するpHセンサにおいて、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤ
モンド表面として形成され、
前記ダイヤモンド表面はドープダイヤモンドで形成されたものである
ことを特徴とするpHセンサ。 - 参照極と、作用極とを備え、前記参照極および前記作用極の出力に基づいて被測定液のpHを測定するpHセンサにおいて、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤ
モンド表面として形成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのソースに電位が与えられソースフォロア回路が形成される
ことを特徴とするpHセンサ。 - 参照極および作用極に被測定液を接触させるステップと、
前記参照極および前記作用極の出力に基づいて前記被測定液のpHを測定するステップ
と、を備えるpH測定方法において、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成され、
前記ダイヤモンド表面はドープダイヤモンドで形成されたものである
ことを特徴とするpH測定方法。 - 参照極および作用極に被測定液を接触させるステップと、
前記参照極および前記作用極の出力に基づいて前記被測定液のpHを測定するステップ
と、を備えるpH測定方法において、
前記参照極はpチャネル電界効果トランジスタにより構成され、
前記ゲートが水素イオン鈍感応終端を有するダイヤモンド表面として形成され、
前記pチャネル電界効果トランジスタのソースに電位が与えられソースフォロア回路が形成される
ことを特徴とするpH測定方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017150669A1 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
JP2017161510A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-14 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004109020A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Japan Science & Technology Corp | pチャネル電界効果トランジスタ |
JP2007078373A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ISFETからなるpHセンサー及びその製造方法 |
JP2009236687A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Horiba Ltd | イオンセンサ |
-
2014
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004109020A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Japan Science & Technology Corp | pチャネル電界効果トランジスタ |
JP2007078373A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ISFETからなるpHセンサー及びその製造方法 |
JP2009236687A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Horiba Ltd | イオンセンサ |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013000064; H.Kawarada et al.: 'Electrolyte-Solution-Gate FETs Using Diamond Surface for Biocompatible Ion Sensor' phys. stat. sol. (a)185, No.1, 2001, p.79-83 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017150669A1 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-08 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
JP2017161510A (ja) * | 2016-03-02 | 2017-09-14 | 学校法人早稲田大学 | イオンセンサ、イオン濃度測定方法、および電子部品 |
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JP5725318B2 (ja) | 2015-05-27 |
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