JP2014146665A - 有機半導体膜の製造方法、その製造装置および有機半導体基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】有機半導体化合物を含む液滴を特定のノズルから基材面に向け吐出し、液滴を基材面に着弾させて形成する有機半導体膜の製造方法であって、液滴の吐出を、ノズルを基材面に沿って相対移動させながら行う有機半導体膜の製造方法、当該製造方法により製造した有機半導体基板、当該製造方法に適用する製造装置。
【選択図】図1
Description
〔2〕ノズル先端に設けられた孔の内径が10μm以下である〔1〕に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔3〕ノズルの相対移動速度が0.01mm/s以上5mm/s以下である〔1〕または〔2〕に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔4〕有機半導体膜の厚さが1μm以下である〔1〕〜〔3〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔5〕有機半導体膜が線状でありその線幅が1000μm以下である〔1〕〜〔4〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔6〕ノズルと基材面との間の距離を1μm以上500μm以下の範囲でノズルを前記基材面に沿って相対移動させる〔1〕〜〔5〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔7〕有機半導体膜の移動度が1cm2/Vs以上である〔1〕〜〔6〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔8〕ノズルから液滴を吐出するに当たり、ノズルに設けられた電極に電圧を印加してノズルの先端に電界を集中させ、集中電界の効果により液滴を基材面に向け飛翔、着弾させる〔1〕〜〔7〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔9〕有機半導体膜中で、有機半導体化合物が結晶化される〔1〕〜〔8〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
〔10〕有機半導体膜を基板上に有する有機半導体基板であって、
有機半導体膜が、厚さ1μm以下幅1000μm以下であり、有機半導体膜は有機半導体化合物の結晶を複数含有してなり、その結晶のそれぞれの方位分布が面内で30°以下に保たれている有機半導体基板。
〔11〕上記有機半導体膜が、絶縁膜あるいは絶縁層に接している〔10〕に記載の有機半導体基板。
〔12〕有機半導体膜が1つ以上の金属電極に接している〔10〕または〔11〕に記載の有機半導体基板。
〔13〕〔10〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の有機半導体基板を具備する電子素子。
〔14〕〔10〕〜〔12〕のいずれか1項に記載の有機半導体基板を具備する光学素子。
〔15〕ノズルと、ノズルに設けられた電極と、電極に所定波形の電圧を印加する電圧印加手段と、ノズルを相対移動させるノズル相対移動手段とを具備する、有機半導体膜の製造装置であって、
有機半導体化合物を含む液体をノズルに供給し、電圧印加手段から印加される所定波形電圧に応じて、ノズル先端に電界を集中させ、電界集中の効果によりノズル先端から有機半導体を含む液体の液滴を基材に向けて吐出し、液滴を基材面に着弾させるに当たり、液滴の吐出を、ノズルを基材面に沿って相対移動させながら行い有機半導体膜を基材上に形成する有機半導体膜の製造装置。
〔16〕ノズル先端に設けられた孔の内径が10μm以下である〔15〕に記載の有機半導体膜の製造装置。
〔17〕ノズルの相対移動速度が0.01mm/s以上5mm/s以下である〔15〕または〔16〕に記載の有機半導体膜の製造装置。
〔18〕ノズルの相対移動手段が、電動モーターを使用した1方向以上の駆動軸を有する手段である〔15〕〜〔17〕のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造装置。
有機半導体化合物としては、半導体特性を示す有機化合物であればどのようなものでも適用できるが、本発明においては結晶性の有機半導体化合物を用いることが好ましく、チエノチオフェン、TIPS−ペンタセン、TES−ADT、ペリレン、TCNQ、F4−TCNQ、ルブレン、ペンタセン、p3HT、pBTTT、pDA2T−C16、及びこれらの誘導体から選択したいずれかの材料を用いることができる。チエノチオフェン誘導体としては、[1]benzothieno[3,2−b]benzothiophene、2,9−Dialkyldinaphtho[2,3−b:2’,3’−f]thieno[3,2−b]thiophene、dinaphth[2,3−b:2,3−f]thiopheno[3,2−b]thiophene(Cn−DNTT)、およびその各誘導体が挙げられる。なお、本明細書において誘導体とは、当該化合物そのものの他、本発明の効果を奏する範囲で、その化合物に所定の置換基を導入するなどして修飾した化合物を含む意味である。
有機半導体化合物を含む液体(分散液、溶液、混合液)を調製する際の溶媒は特に限定されず、上記有機半導体化合物を溶解ないし分散するものが好ましい。例えば、芳香族化合物溶媒、脂肪族化合物溶媒などが好ましい。芳香族化合物溶媒の中では、ハロゲン系溶剤が好ましい。具体的には、o−ジクロロベンゼン、1,2,4−トリクロロベンゼン、クロロベンゼンや非ハロゲン系溶剤であるテトラリン、キシレン、トルエン,アニソール、o-ジメトキシベンゼンなどが好ましい。脂肪族化合物溶剤の中では、ハロゲン系溶剤であるクロロホルム、ジクロロエタンや、非ハロゲン系溶剤であるペンタデカン、ヘプタン、シクロヘキサンなどが好適に用いられる。また、特に、インクジェットの安定吐出性に鑑みると、高沸点溶剤(例えば、沸点100℃以上300℃以下)がより望ましい。
本発明により形成される有機半導体膜の物性は特に限定されないが、その電荷移動度は1cm2/Vs以上であることが好ましく、3cm2/Vs以上であることがより好ましく、10cm2/Vs以上であることが特に好ましい。上限は特にないが、100cm2/Vs以下(低めの設定の場合は10cm2/Vs以下)であることが実際的である。有機半導体膜の寸法は特に限定されないが、線状の薄膜とするときには、本発明の効果が顕著になることから、その幅が、0.1〜1000μmであることが好ましく、1〜1000μmであることがより好ましく、1〜10μmであることがさらに好ましく、3〜10μmであることがさらに好ましく、5〜10μmであることが特に好ましい。薄膜の厚さは、薄膜にする本発明の利点を活かす観点からは、0.001〜1μmであることが好ましく、0.01〜0.5μmであることがより好ましく、0.05〜0.5μmであることがさらに好ましく、0.1〜0.1μmであることが特に好ましい。このとき、薄膜を複数回塗りかさねて厚みのある膜としてもよい。
本発明において移動度は特に断らない限り、下記の方法によって測定した値とする。有機半導体膜に対して、チャネルがA方向すなわち結晶成長の方向に平行になるように、ソース及びドレイン電極を蒸着により形成する。チャネルの長さ及び幅はそれぞれ、100μm及び1.5mmとする。基板における不純物添加Si層を、ゲート電極として用い、それにより500nm厚のSiO2(誘電率は約3.9)に電界を印加する。測定温度は、常温(23℃)とする。
基材の材料としては、特に限定されず、例えば、Si層上にSiO2層が形成されたものを用いることができる。また、これに限らず、銅やアルミニウムなどの導電性金属表面に、パリレンやポリビニルフェノールなどの高分子絶縁膜をコートしたもの等を用いることもできる。基材の形状は特に限定されず、平面を有する基材(基板)であれば、ノズルをそれに沿って水平に相対移動させ好適に有機半導体膜を形成することができる。凹凸を有するものであれば、それに追従するようにノズルの相対位置を制御し、基材の表面とノズルとの距離が大きく変化しないようにノズルを相対移動させることが好ましい。本発明においては、このようにノズル−基板距離を略一定にしてノズルを相対移動させ、基材面に沿って相対移動させることが好ましい。ノズル−基板間距離の変動は小さい方が好ましく、変動幅が20μm以下に抑えられることが好ましく、10μm以下に抑えられることが好ましく、3μm以下に抑えられることがより好ましい。本発明によれば、結晶の成長性を調節する端面接触部材などを基材に設ける必要がなく、基材の形態の自由度が高いことが利点の一つである。
図1は、本発明において一実施形態として用いられる超微細流体ジェット装置(スーパーインクジェット)を模式化して示した説明図である。本実施形態の超微細流体ジェット100において、超微細径のノズル(超微細ノズル体:Super Fine Nozzle Member)1はノズル本体101及び電極102で構成されている。液滴サイズの超微細化を考慮するとき、ノズル本体101を低コンダクタンスのものにすることが好ましい。このためには、ガラス製キャピラリーが好適である。その他、導電性物質に絶縁材でコーティングしたものでも可能である。
(1)ノズル本体を電気絶縁材で形成しノズル内に電極を挿入する。
(2)ノズル本体を電気絶縁材で形成しノズル内に電極をメッキ形成する。
(3)ノズル本体の外側に電極を設ける。
(4)ノズル本体をガラス製の微細キャピラリーチューブとする。
(5)ノズル本体を低コンダクタンスの形状にする。
(6)基材を導電性材料又は絶縁性材料により形成する。
(7)ノズルと基板との距離が500μm以下である。
(8)基材を導電性または絶縁性の基板ホルダーに裁置する。
(9)ノズル内の液体に圧力を付加する。
(10)ノズル内電極またはノズル外側電極に所定波形の電圧を印加する。
(11)所定波形電圧を発生する所定波形電圧発生装置を設ける。
(12)印加する所定波形電圧を直流とする。
(13)印加する所定波形電圧をパルス波形とする。
(14)印加する所定波形電圧を交流とする。
(15)印加する所定波形電圧が700V以下である。
(16)印加する所定波形電圧が500V以下である。
(17)ノズルと基板間の距離を一定にするとともに印加する所定波形電圧を制御することにより超微細径の流体液滴の吐出を制御する。
(18)印加する所定波形電圧を一定にするとともにノズルと基板間の距離を制御することにより流体液滴の吐出を制御する。
(20)ノズルと基板間の距離および印加する所定波形電圧を制御することにより流体液滴の吐出を制御する。
(21)印加する所定波形電圧を交流とし、該交流電圧の振動数を制御することによりノズル端面における流体のメニスカス形状を制御し、流体液滴の吐出を制御する。
本発明の有機半導体膜の製造方法の好ましい実施態様においては、ノズルの相対移動速度を調節することが好ましい。このノズルの相対移動速度とは、初期のノズルないし液滴着弾位置と一定時間が経過した後のノズルないし液滴着弾位置との間の移動速度(単位時間あたりの移動距離)を意味する。これは、有機半導体化合物含有液の粘度、吐出量、溶媒の沸点や飽和蒸気圧、材料の溶解性、濃度、気温および基材(ステージ)の温度などに依存するため、各条件に合わせて適宜調節されることが好ましい。製膜時の傾向としていえば、有機半導体化合物含有液の濃度が高い場合、多結晶が発生する確率が高く、濃度が低い場合に単結晶が成長しやすくなる。これは今回本発明者が得た知見であるが、このような傾向を呈する背景には、上記超微細流体ジェット装置を用いて吐出された液滴およびその着弾膜における特有の作用があると考えられる。つまり、まず、先行して吐出された液滴は急激な蒸発および乾燥をうけ、着弾した際に無秩序ではない特定の結晶性が付与されると考えられる。その後、ノズルの移動に伴いそこに隣接して後続の液滴を滴下することで、既に着弾して形成された有機半導体膜の結晶方位に倣い、後続する着弾液滴の膜内での結晶成長が制御されるものと推定される。
一般に、結晶の成長方向と、移動度が最大となる方位との間の関係は、必ずしも同一ではない。そのため、実際の応用において、ノズルの走査方向(すなわち)結晶成長方向が、デバイス等のレイアウトに対して、制限を与える可能性がある。これに対し、上記の実施形態に係る手法を応用すれば、単結晶領域の大きさや方向などを任意に制御することが可能となる。これは特にTFTアレイ等の方向性に制約のあるデバイスの形成において非常に有効な手法となる。
材料としては、3,9−ジヘキシルジナフト[2,3−b:2’,3’−d]チオフェンをo−ジクロロベンゼンに溶かした溶液(室温、飽和溶液[1.5質量%]を約10倍希釈したもの)を用い、ガラス製ノズル中に、液を充填した。本実験では、ノズルの内径としては、約2.5μmのノズルを用いた。ノズル−基板間の距離は40μmに設定した。
前記と同様にして得られた膜の電荷移動度を前述の条件で測定したところ、最大で3.8cm2/Vsを示した。
図6の顕微鏡写真は、過剰な電圧を印加してインクを大量に吐出した痕(スピット:直径300μm)を観察したものである。液滴の乾燥後の状態(顕微鏡写真)から、多数の結晶が見られることが分かる。
図7(に示したグラフは、上記実施例1で得られた有機半導体膜(SIJ)の電気特性(電流−電圧曲線)を測定した結果である。左側のグラフは、ゲート電圧に対するドレイン電流のプロットで、右のグラフは、ドレイン電圧に対するドレイン電流のプロットで、各ゲート電圧に対しプロットしたものである。
図8に示したグラフは、同様に実施例1で得た有機半導体膜(SIJ)及び一般的なCVD(Chemical Vapor Deposition)法で作成した有機半導体膜(CVD)の電気特性(電流−電圧曲線)を測定した結果である。測定の条件は、前記電荷移動度の測定における条件に準じた。結果は、グラフに示したとおり、本発明に係る有機半導体膜(SIJ)の方が大幅に優れた特性を示すことがわかる。
左側のグラフは、線形領域におけるプロットで、縦軸は、チャネル形状およびドレイン電圧で規格化した、導電率である。(s2T=ID/VD×L/W)、横軸は、キャパシタンスで規格化した値で、CVGは電荷密度に対応する。右のグラフは、飽和領域におけるプロットで、縦軸は、チャネル形状で規格化した電流値IDで、L/Wで二次元の伝導なので単位に長さの次元はない。一方横軸は、キャパシタンスで規格化した値,CVG 2である。
101 ノズル本体
102 電極
103 液体
104 シールドゴム
105 ノズルクランプ
106 ホルダー
107 圧力調整器
108 圧力チューブ
109 コンピューター
110 電圧の発生装置(電圧印加手段)
111 高電圧アンプ
3 薄膜
4 基材
Claims (18)
- 有機半導体化合物を含む液体の液滴を特定のノズルから基材面に向け吐出し、前記液滴を前記基材面に着弾させて形成する有機半導体膜の製造方法であって、前記液滴の吐出を、前記ノズルを前記基材面に沿って相対移動させながら行う有機半導体膜の製造方法。
- 前記ノズル先端に設けられた孔の内径が10μm以下である請求項1に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記ノズルの相対移動速度が0.01mm/s以上5mm/s以下である請求項1または2に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記有機半導体膜の厚さが1μm以下である請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記有機半導体膜が線状でありその線幅が1000μm以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記ノズルと基材面との間の距離を1μm以上500μm以下の範囲で当該ノズルを前記基材面に沿って相対移動させる請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記有機半導体膜の移動度が1cm2/Vs以上である請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記ノズルから前記液滴を吐出するに当たり、当該ノズルに設けられた電極に電圧を印加して当該ノズルの先端に電界を集中させ、当該集中電界の効果により前記液滴を前記基材面に向け吐出、飛翔、着弾させる請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 前記有機半導体膜中で、前記有機半導体化合物が結晶化される請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造方法。
- 有機半導体膜を基板上に有する有機半導体基板であって、
前記有機半導体膜が、厚さ1μm以下幅1000μm以下であり、当該有機半導体膜は有機半導体化合物の結晶を複数含有してなり、その結晶のそれぞれの方位分布が面内で30°以下に保たれている有機半導体基板。 - 上記有機半導体膜が、絶縁膜あるいは絶縁層に接している請求項10に記載の有機半導体基板。
- 前記有機半導体膜が1つ以上の金属電極に接している請求項10または11に記載の有機半導体基板。
- 請求項10〜12のいずれか1項に記載の有機半導体基板を具備する電子素子。
- 請求項10〜12のいずれか1項に記載の有機半導体基板を具備する光学素子。
- ノズルと、該ノズルに設けられた電極と、当該電極に所定波形の電圧を印加する電圧印加手段と、前記ノズルを相対移動させるノズル相対移動手段とを具備する、有機半導体膜の製造装置であって、
有機半導体化合物を含む液体を前記ノズルに供給し、前記電圧印加手段から印加される所定波形電圧に応じて、ノズル先端に電界を集中させ、当該電界集中の効果によりノズル先端から前記有機半導体を含む液体の液滴を基材に向けて吐出し、前記液滴を前記基材面に着弾させるに当たり、前記液滴の吐出を、前記ノズルを前記基材面に沿って相対移動させながら行い有機半導体膜を基材上に形成する有機半導体膜の製造装置。 - 前記ノズル先端に設けられた孔の内径が10μm以下である請求項15に記載の有機半導体膜の製造装置。
- 前記ノズルの相対移動速度が0.01mm/s以上5mm/s以下である請求項15または16に記載の有機半導体膜の製造装置。
- 前記ノズルの相対移動手段が、ノズルの相対移動手段が、電動モーターを使用した1方向以上の駆動軸を有する手段である請求項15〜17のいずれか1項に記載の有機半導体膜の製造装置。
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