JP2014137523A - Photosensitive resin composition - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、感光性樹脂組成物に関する。より詳しくは、半導体素子等の表面保護膜、層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに好適に用いられる感光性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a photosensitive resin composition. More specifically, the present invention relates to a photosensitive resin composition suitably used for a surface protective film such as a semiconductor element, an interlayer insulating film, and an insulating layer of an organic electroluminescent element.
従来、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜、有機電解素子の絶縁層やＴＦＴ基板の平坦化膜には、耐熱性や電気絶縁性等に優れたポリイミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂が広く使用されている。さらに、生産性の向上のために感光性を付与した感光性ポリイミドや、感光性ポリベンゾオキサゾールの検討も行われている（特許文献１、特許文献２）。しかしこれらは現像時の膜減りが大きく、あるいは使用時の環境による影響が大きく、工業的な使用は困難であると指摘されてきた。 Conventionally, polyimide-based resins and polybenzoxazole-based resins with excellent heat resistance and electrical insulation have been widely used for surface protective films and interlayer insulating films of semiconductor elements, insulating layers of organic electrolytic elements, and planarization films of TFT substrates. It is used. Furthermore, studies have been made on photosensitive polyimide imparted with photosensitivity to improve productivity and photosensitive polybenzoxazole (Patent Documents 1 and 2). However, it has been pointed out that they are difficult to use industrially because they have a large film loss during development or are greatly affected by the environment during use.
また、ヒドロキシスチレン樹脂とポリアミド酸、キノンジアジド化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物（特許文献３）、ノボラック樹脂やポリヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂とポリイミド前駆体またはポリベンゾオキサゾール前駆体、キノンジアジド化合物多官能メチロール化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物が提案されている（特許文献４、特許文献５）。あるいは、ポリアミド酸、ポリヒドロキシスチレン、光酸発生剤を含有する感光性樹脂組成物にシランカップリング剤を添加する方法（特許文献６）、既閉環ポリイミド、フェノール性樹脂、光酸発生剤および架橋剤を含有する感光性樹脂組成物にシランカップリング剤を添加する方法（特許文献７）、ノボラック樹脂、ポリイミド前駆体、エポキシ基またはオキセタニル基を有するシランカップリング剤、キノンジアジド化合物、アルコキシメチル基含有化合物からなる感光性組成物（特許文献８）などが提案されている。しかしこれらは、感度や解像度、基板材料との密着性、電気絶縁性のような諸特性のバランスの点で問題があった。 In addition, a positive photosensitive resin composition (Patent Document 3) containing a hydroxystyrene resin, a polyamic acid, and a quinonediazide compound, an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group such as a novolac resin or polyhydroxystyrene, a polyimide precursor, or a polybenzo A positive photosensitive resin composition containing an oxazole precursor and a quinonediazide compound polyfunctional methylol compound has been proposed (Patent Documents 4 and 5). Alternatively, a method of adding a silane coupling agent to a photosensitive resin composition containing polyamic acid, polyhydroxystyrene, and a photoacid generator (Patent Document 6), a closed ring polyimide, a phenolic resin, a photoacid generator, and a crosslinking Of adding a silane coupling agent to a photosensitive resin composition containing an agent (Patent Document 7), novolak resin, polyimide precursor, silane coupling agent having an epoxy group or oxetanyl group, quinonediazide compound, alkoxymethyl group-containing A photosensitive composition comprising a compound (Patent Document 8) has been proposed. However, these have problems in balance of various characteristics such as sensitivity, resolution, adhesion to the substrate material, and electrical insulation.
さらに、アルコキシメチル基を有するポリイミド、アルコキシメチル基またはメチロール基を２つ以上有する化合物を含有する感光性樹脂組成物（特許文献９）や、ポリヒドロキシスチレン樹脂、アルコキシメチル基またはメチロール基を有する化合物を含有するポジ型感光性樹脂組成物（特許文献１０）が提案されている。しかし近年、デバイスの低ストレス化、低反り化の要求が強くなり、これらの材料では高温焼成後の膜収縮が大きく、発生するストレスの高さから生じる基板材料の反りが大きいという問題があった。 Furthermore, a polyimide having an alkoxymethyl group, a photosensitive resin composition containing a compound having two or more alkoxymethyl groups or methylol groups (Patent Document 9), a polyhydroxystyrene resin, a compound having an alkoxymethyl group or a methylol group A positive-type photosensitive resin composition (Patent Document 10) containing benzene has been proposed. However, in recent years, there has been a strong demand for low stress and low warpage of devices, and in these materials, film shrinkage after high-temperature baking is large, and there is a problem that warpage of the substrate material resulting from high stress is large. .
本発明は上記のような従来技術に伴う問題点を解決し、感度、解像度、密着性、電気絶縁性、低ストレス性に優れた硬化膜を得ることができる感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。 The present invention provides a photosensitive resin composition that can solve the problems associated with the prior art as described above and obtain a cured film excellent in sensitivity, resolution, adhesion, electrical insulation, and low stress. With the goal.
上記課題を解決するため、本発明の樹脂組成物は下記の構成からなる。すなわち、一般式（１）で表される構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂(ａ１）と、(ａ１)の反応性基と反応する置換基を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体から選ばれるアルカリ可溶性樹脂（ａ２）と、感光剤（Ｂ）を有することを特徴とする感光性樹脂組成物である。 In order to solve the above problems, the resin composition of the present invention has the following constitution. That is, an alkali-soluble resin (a1) having a structural unit represented by the general formula (1), a polyimide having a substituent that reacts with the reactive group of (a1), polybenzoxazole, or polyamideimide, A photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin (a2) selected from a precursor or a copolymer thereof and a photosensitive agent (B).
Ｒ１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ａは０〜４、ｂは１〜３を表し、ａ＋ｂは１〜５の範囲内である。Ｒ２は水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基の内から選ばれた原子または一つの基を表す。 R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a represents 0 to 4, b represents 1 to 3, and a + b is in the range of 1 to 5. R 2 represents an atom or one group selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a propyl group.
本発明は、感度、解像度、密着性、電気絶縁性、低ストレス性に優れた硬化膜を得ることができる感光性樹脂組成物を提供する。 The present invention provides a photosensitive resin composition capable of obtaining a cured film excellent in sensitivity, resolution, adhesion, electrical insulation, and low stress.
本発明の感光性樹脂組成物は、一般式（１）で表される構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂(ａ１）と、(ａ１)の反応性基と反応する置換基を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体から選ばれるアルカリ可溶性樹脂（ａ２）と、感光剤（Ｂ）を有することを特徴とする感光性樹脂組成物である。 本発明の感光性樹脂組成物は、一般式（１）で表される構造単位を有するアルカリ可溶性樹脂(ａ１）を含む。 The photosensitive resin composition of the present invention includes an alkali-soluble resin (a1) having a structural unit represented by the general formula (1), a polyimide having a substituent that reacts with the reactive group of (a1), and polybenzoxazole Alternatively, it is a photosensitive resin composition comprising an alkali-soluble resin (a2) selected from polyamideimide, a precursor thereof, or a copolymer thereof, and a photosensitive agent (B). The photosensitive resin composition of this invention contains alkali-soluble resin (a1) which has a structural unit represented by General formula (1).
Ｒ１は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ａは０〜４、ｂは１〜３を表し、ａ＋ｂは１〜５の範囲内である。Ｒ２は水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基の内から選ばれた原子または一つの基を表す。 R 1 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a represents 0 to 4, b represents 1 to 3, and a + b is in the range of 1 to 5. R 2 represents an atom or one group selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a propyl group.
前記アルカリ可溶性樹脂（ａ１）は、感度をより向上させ、アルカリ現像液への溶解性を調整できる利便性の面から、一般式（２）、一般式（３）、および一般式（４）で表される構造単位を含む共重合体であることが好ましい。さらに、アルカリ現像液への溶解性の点から、一般式（４）の構造単位は、５０モル％以下であることが好ましい。 The alkali-soluble resin (a1) is represented by the general formula (2), the general formula (3), and the general formula (4) from the viewpoint of convenience in which sensitivity can be further improved and solubility in an alkali developer can be adjusted. It is preferable that it is a copolymer containing the structural unit represented. Furthermore, from the viewpoint of solubility in an alkali developer, the structural unit of the general formula (4) is preferably 50 mol% or less.
Ｒ４は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｃは１〜４、ｄは１〜３を表し、ｃ＋ｄは２〜５の範囲内である。Ｒ３は水素原子、メチル基、エチル基またはプロピル基内から選ばれた原子または一つの基を表す。 R 4 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, c represents 1 to 4, d represents 1 to 3, and c + d is in the range of 2 to 5. R 3 represents an atom or one group selected from a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a propyl group.
Ｒ５は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表し、ｅは１〜５を表す。 R 5 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and e represents 1 to 5.
Ｒ６は水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。 前記アルカリ可溶性樹脂（ａ１）は、一般式（１）で表される構造単位を有する。この構造単位は、例えば、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｐ−イソプロペニルフェノール、ｍ−イソプロペニルフェノール、ｏ−イソプロペニルフェノールなどのフェノール性水酸基を有する芳香族ビニル化合物、および、スチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物のうち、単独または２種類以上を公知の方法で重合して得られた重合体または共重合体の一部に、公知の方法でアルコキシ基を付加反応させることにより得られる。 R 6 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. The alkali-soluble resin (a1) has a structural unit represented by the general formula (1). This structural unit is, for example, an aromatic vinyl compound having a phenolic hydroxyl group such as p-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, o-hydroxystyrene, p-isopropenylphenol, m-isopropenylphenol, o-isopropenylphenol. , And a polymer or copolymer obtained by polymerizing a single or two or more kinds of aromatic vinyl compounds such as styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, and p-methylstyrene by a known method. It can be obtained by subjecting a part of this compound to an addition reaction of an alkoxy group by a known method.
フェノール性水酸基を有する芳香族ビニル化合物は、ｐ−ヒドロキシスチレンおよび／またはｍ−ヒドロキシスチレンが好ましく用いられ、芳香族ビニル化合物は、スチレンが好ましく用いられる。 As the aromatic vinyl compound having a phenolic hydroxyl group, p-hydroxystyrene and / or m-hydroxystyrene is preferably used, and styrene is preferably used as the aromatic vinyl compound.
前記アルカリ可溶性樹脂（ａ１）のポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）は、３０００〜６００００の範囲であることが好ましく、３０００〜２５０００の範囲であることがより好ましい。この範囲から外れ、分子量が小さい場合は、アルカリ溶解性が高すぎることで感光性材料の樹脂として不適であり、分子量が大きい場合は、塗布性および現像性に問題が出る場合がある。 本発明の感光性樹脂組成物は、(ａ１)の反応性基と反応する置換基を有するポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体から選ばれるアルカリ可溶性樹脂（ａ２）を含む。
（ａ２）成分は、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールもしくはポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体またはそれらの共重合体を含み、（ａ２）成分を２種以上含有してもよいし、これらの２種以上の繰り返し単位を有する共重合体を含有してもよい。また、(ａ１)の反応性基とは、アルコキシメチル基を指し、（ａ２）成分はアルコキシメチル基に反応する置換基を有していればその構造は特に限定されないが、主鎖または末端に、カルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基より選ばれる基を少なくとも一つ以上有することが好ましい。また、（ａ２）成分の含有量は、（ａ１）成分の樹脂１００重量部に対して、２０〜３００重量部が好ましく、５０〜２００重量部がより好ましい。（ａ２）成分の含有量をこの範囲とすることにより、より高い耐薬品性と高い耐熱性を図ることができる。
The polystyrene-converted weight average molecular weight (Mw) of the alkali-soluble resin (a1) is preferably in the range of 3000 to 60000, and more preferably in the range of 3000 to 25000. When the molecular weight is out of this range and the molecular weight is small, the alkali solubility is too high, which is not suitable as a resin for the photosensitive material, and when the molecular weight is large, there are cases where the coating property and the developability are problematic. The photosensitive resin composition of the present invention is an alkali-soluble compound selected from polyimides, polybenzoxazoles, polyamideimides, precursors thereof, or copolymers thereof having a substituent that reacts with the reactive group (a1). Resin (a2) is included.
The component (a2) includes polyimide, polybenzoxazole or polyamideimide, a precursor thereof, or a copolymer thereof, and may contain two or more components (a2), or two or more of these You may contain the copolymer which has these repeating units. Further, the reactive group of (a1) refers to an alkoxymethyl group, and the structure of (a2) component is not particularly limited as long as it has a substituent that reacts with the alkoxymethyl group. It preferably has at least one group selected from a carboxyl group, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group and a thiol group. Moreover, 20-300 weight part is preferable with respect to 100 weight part of resin of (a1) component, and, as for content of (a2) component, 50-200 weight part is more preferable. By setting the content of the component (a2) within this range, higher chemical resistance and higher heat resistance can be achieved.
本発明の感光性樹脂組成物は、感光剤（Ｂ）を含有する。感光剤（Ｂ）は光によって硬化するネガタイプでも、光によって可溶化するポジタイプでも良く、（ｂ−１）重合性不飽和化合物および光重合開始剤、または、（ｂ−２）キノンジアジド化合物などが好ましく用いられる。 The photosensitive resin composition of the present invention contains a photosensitive agent (B). The photosensitive agent (B) may be a negative type that is cured by light or a positive type that is solubilized by light, and (b-1) a polymerizable unsaturated compound and a photopolymerization initiator, or (b-2) a quinonediazide compound, etc. are preferred. Used.
（ｂ−１）中の重合性不飽和化合物としては、例えば、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基等の不飽和二重結合官能基および／またはプロパルギル基などの不飽和三重結合官能基が挙げられ、これらの中でも共役型のビニル基やアクリロイル基、メタクリロイル基が重合性の面で好ましい。またその官能基が含有される数としては安定性の点から１〜４であることが好ましく、それぞれは同一の基でなくとも構わない。また、ここで言う化合物は、分子量３０〜８００のものが好ましい。分子量が３０〜８００の範囲であれば、ポリマーおよび反応性希釈剤との相溶性がよい。具体的には、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、１，２−ジヒドロナフタレン、１，３−ジイソプロペニルベンゼン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２−ビニルナフタレン、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレート、ヘキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，１０−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−ジアクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，３−ジメタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルアクリレート、Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールＡジアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールＡジメタクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどが挙げられる。これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用される。 Examples of the polymerizable unsaturated compound in (b-1) include unsaturated double bond functional groups such as vinyl group, allyl group, acryloyl group, methacryloyl group and / or unsaturated triple bond functional groups such as propargyl group. Among these, a conjugated vinyl group, an acryloyl group, and a methacryloyl group are preferable from the viewpoint of polymerizability. Moreover, it is preferable that it is 1-4 from the point of stability as the number which the functional group contains, and it does not need to be the same group, respectively. Further, the compound referred to here preferably has a molecular weight of 30 to 800. When the molecular weight is in the range of 30 to 800, the compatibility with the polymer and the reactive diluent is good. Specifically, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylol Methylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, styrene, α-methylstyrene, 1,2-dihydronaphthalene, 1,3-diisopropenylbenzene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, 2-vinylnaphthalene, butyl Acrylate, butyl methacrylate, isobutyl acrylate, hexyl acrylate, isooctyl acrylate , Isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, 1,3-butanediol diacrylate, 1,3-butanediol dimethacrylate, neopentyl glycol diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1 , 4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecanedi Acrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol Thritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,3-diacryloyloxy-2-hydroxypropane, 1,3-dimethacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylene Bisacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl methacrylate, 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, N-methyl-2 , 2,6,6-tetramethylpiperidinyl methacrylate, N-methyl-2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate, ethylene oxide modified bisphenol Nord A dimethacrylate, N- vinylpyrrolidone, etc. N- vinyl caprolactam. These may be used alone or in combination of two or more.
これらのうち、特に好ましくは、１，９−ノナンジオールジメタクリレート、１，１０−デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール−トリシクロデカンジアクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルアクリレート、Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルメタクリレート、Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジニルアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールＡジアクリレート、エチレンオキシド変性ビスフェノールＡジメタクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタムなどが挙げられる。 Of these, 1,9-nonanediol dimethacrylate, 1,10-decanediol dimethacrylate, dimethylol-tricyclodecane diacrylate, isobornyl acrylate, isobornyl methacrylate, pentaerythritol triacrylate, penta Erythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, methylenebisacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, 2,2,6,6- Tetramethylpiperidinyl methacrylate, 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, N-methyl -2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl methacrylate, N-methyl-2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl acrylate, ethylene oxide modified bisphenol A diacrylate, ethylene oxide modified bisphenol A dimethacrylate, N -Vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam, etc. are mentioned.
（ｂ−１）中の光重合開始剤とは、紫外〜可視光域の光が照射されることによって、主としてラジカルを発生することにより重合を開始するものを意味する。汎用の光源が使用できる点および速硬化性の観点から、アセトフェノン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾインエーテル誘導体、キサントン誘導体から選ばれる光重合開始剤が好ましい。好ましい光重合開始剤の例としては、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケトン、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾインメチルエーテル、チオキサントン、イソプロピルチオキサントン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１などが挙げられるがこれらに限定されない。 The photopolymerization initiator in (b-1) means one that initiates polymerization mainly by generating radicals when irradiated with light in the ultraviolet to visible light range. A photopolymerization initiator selected from an acetophenone derivative, a benzophenone derivative, a benzoin ether derivative, and a xanthone derivative is preferable from the viewpoint that a general-purpose light source can be used and quick curing properties. Examples of preferred photopolymerization initiators include diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxy-cyclohexyl phenyl ketone, Isobutylbenzoin ether, benzoin methyl ether, thioxanthone, isopropylthioxanthone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- ( 4-morpholinophenyl) -butanone-1 and the like, but are not limited thereto.
（ｂ−２）のキノンジアジド化合物としては、ポリヒドロキシ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合したもの、ポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がスルホンアミド結合したもの、ポリヒドロキシポリアミノ化合物にキノンジアジドのスルホン酸がエステル結合および／またはスルホンアミド結合したものなどが挙げられる。これらポリヒドロキシ化合物、ポリアミノ化合物、ポリヒドロキシポリアミノ化合物の全ての官能基がキノンジアジドで置換されていなくてもよいが、平均して官能基全体の４０モル％以上がキノンジアジドで置換されていることが好ましい。このようなキノンジアジド化合物を用いることで、一般的な紫外線である水銀灯のｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）に感光するポジ型の感光性樹脂組成物を得ることができる。 As the quinonediazide compound of (b-2), a quinonediazide sulfonic acid bonded to a polyhydroxy compound, a quinonediazide sulfonic acid bonded to a polyamino compound, and a quinonediazide sulfonic acid ester to a polyhydroxypolyamino compound. Examples thereof include a bond and / or a sulfonamide bond. Although all the functional groups of these polyhydroxy compounds, polyamino compounds, and polyhydroxypolyamino compounds may not be substituted with quinonediazide, it is preferable that 40 mol% or more of the entire functional groups are substituted with quinonediazide on average. . By using such a quinonediazide compound, a positive photosensitive resin composition that is sensitive to i-line (wavelength 365 nm), h-line (wavelength 405 nm), and g-line (wavelength 436 nm) of a mercury lamp, which is a general ultraviolet ray. Can be obtained.
ポリヒドロキシ化合物は、Ｂｉｓ−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＥＺ、ＴｅｋＰ−４ＨＢＰＡ、ＴｒｉｓＰ−ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ、ＴｒｉｓＰ−ＳＡ、ＴｒｉｓＯＣＲ−ＰＡ、ＢｉｓＯＣＨＰ−Ｚ、ＢｉｓＰ−ＭＺ、ＢｉｓＰ−ＰＺ、ＢｉｓＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＯＣＰ−ＩＰＺ、ＢｉｓＰ−ＣＰ、ＢｉｓＲＳ−２Ｐ、ＢｉｓＲＳ−３Ｐ、ＢｉｓＰ−ＯＣＨＰ、メチレントリス−ＦＲ−ＣＲ、ＢｉｓＲＳ−２６Ｘ、ＤＭＬ−ＭＢＰＣ、ＤＭＬ−ＭＢＯＣ、ＤＭＬ−ＯＣＨＰ、ＤＭＬ−ＰＣＨＰ、ＤＭＬ−ＰＣ、ＤＭＬ−ＰＴＢＰ、ＤＭＬ−３４Ｘ、ＤＭＬ−ＥＰ、ＤＭＬ−ＰＯＰ、ジメチロール−ＢｉｓＯＣ−Ｐ、ＤＭＬ−ＰＦＰ、ＤＭＬ−ＰＳＢＰ、ＤＭＬ−ＭＴｒｉｓＰＣ、ＴｒｉＭＬ−Ｐ、ＴｒｉＭＬ−３５ＸＬ、ＴＭＬ−ＢＰ、ＴＭＬ−ＨＱ、ＴＭＬ−ｐｐ−ＢＰＦ、ＴＭＬ−ＢＰＡ、ＴＭＯＭ−ＢＰ、ＨＭＬ−ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ−ＴＰＨＡＰ（以上、商品名、本州化学工業製）、ＢＩＲ−ＯＣ、ＢＩＰ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＣ、ＢＩＲ−ＰＴＢＰ、ＢＩＲ−ＰＣＨＰ、ＢＩＰ−ＢＩＯＣ−Ｆ、４ＰＣ、ＢＩＲ−ＢＩＰＣ−Ｆ、ＴＥＰ−ＢＩＰ−Ａ、４６ＤＭＯＣ、４６ＤＭＯＥＰ、ＴＭ−ＢＩＰ−Ａ（以上、商品名、旭有機材工業製）、２，６−ジメトキシメチル−４−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジメトキシメチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジアセトキシメチル−ｐ−クレゾール、ナフトール、テトラヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチルエステル、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＥ、メチレンビスフェノール、ＢｉｓＰ−ＡＰ（商品名、本州化学工業製）、ノボラック樹脂などが挙げられるが、これらに限定されない。 Polyhydroxy compounds include Bis-Z, BisP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, TrisP-SA, TrisOCR-PA, BisOCHP-Z, BisP-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, BisOCP -IPZ, BisP-CP, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, Methylenetris-FR-CR, BisRS-26X, DML-MBPC, DML-MBOC, DML-OCHP, DML-PCHP, DML-PC, DML-PTBP, DML-34X, DML-EP, DML-POP, dimethylol-BisOC-P, DML-PFP, DML-PSBP, DML-MTrisPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-BP, TML-HQ TML-pp-BPF, TML-BPA, TMOM-BP, HML-TPPHBA, HML-TPPHAP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry), BIR-OC, BIP-PC, BIR-PC, BIR-PTBP, BIR -PCHP, BIP-BIOC-F, 4PC, BIR-BIPC-F, TEP-BIP-A, 46DMOC, 46DMOEP, TM-BIP-A (above, trade name, manufactured by Asahi Organic Materials Co., Ltd.), 2,6-dimethoxy Methyl-4-t-butylphenol, 2,6-dimethoxymethyl-p-cresol, 2,6-diacetoxymethyl-p-cresol, naphthol, tetrahydroxybenzophenone, gallic acid methyl ester, bisphenol A, bisphenol E, methylene bisphenol , BisP-AP (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry) Such as novolak resins include, but are not limited to.
ポリアミノ化合物は、１，４−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィドなどが挙げられるが、これらに限定されない。 Polyamino compounds are 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, 4,4′-diaminodiphenyl. Examples thereof include, but are not limited to, sulfide.
また、ポリヒドロキシポリアミノ化合物は、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−ジヒドロキシベンジジンなどが挙げられるが、これらに限定されない。 Examples of the polyhydroxypolyamino compound include 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 3,3'-dihydroxybenzidine, but are not limited thereto.
これらの中でも（ｂ−２）キノンジアジド化合物が、フェノール化合物および５−ナフトキノンジアジドスルホニル基とのエステルを含むことがより好ましい。これによりｉ線露光で高い感度と、より高い解像度を得ることができる。 Among these, it is more preferable that the (b-2) quinonediazide compound contains an ester with a phenol compound and a 5-naphthoquinonediazidesulfonyl group. Thereby, high sensitivity and higher resolution can be obtained by i-line exposure.
（ｂ−２）キノンジアジド化合物の含有量は、（ａ１）成分の樹脂１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましく、１０〜４０重量部がより好ましい。キノンジアジド化合物の含有量をこの範囲とすることにより、より高感度化を図ることができる。さらに増感剤などを必要に応じて添加してもよい。 (B-2) The content of the quinonediazide compound is preferably 1 to 50 parts by weight and more preferably 10 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a1). By setting the content of the quinonediazide compound within this range, higher sensitivity can be achieved. Furthermore, you may add a sensitizer etc. as needed.
本発明の感光性樹脂組成物は、必要に応じて基板との濡れ性を向上させる目的で界面活性剤、乳酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、エタノールなどのアルコール類、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエ−テル類を含有してもよい。 The photosensitive resin composition of the present invention includes surfactants, esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate, alcohols such as ethanol, cyclohexanone, methyl for the purpose of improving the wettability with the substrate as necessary. Ketones such as isobutyl ketone and ethers such as tetrahydrofuran and dioxane may be contained.
本発明の感光性樹脂組成物は、溶剤を含有してもよい。これによりワニスの状態にすることができ、塗布性を向上させることができる。 The photosensitive resin composition of the present invention may contain a solvent. Thereby, it can be set as a varnish state and applicability | paintability can be improved.
前記溶剤は、ガンマブチロラクトンなどの極性の非プロトン性溶媒、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、プロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、ジアセトンアルコールなどのケトン類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチルなどのエステル類、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、ぎ酸ｎ−ペンチル、酢酸ｉ−ペンチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、酪酸エチル、酪酸ｎ−プロピル、酪酸ｉ−プロピル、酪酸ｎ−ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸ｎ−プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸エチルなどの他のエステル類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド類などが挙げられるが、これらは単独、または混合して使用することができる。これらの中でもガンマブチロラクトンは他の成分を良好に溶解させ平坦性の良い塗膜を形成させることができるため好ましい。 The solvent is a polar aprotic solvent such as gamma butyrolactone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol mono-n-propyl ether, diethylene glycol mono-n-butyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, Propylene glycol mono-n-butyl ether, dipro Ethers such as lenglycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol mono-n-propyl ether, dipropylene glycol mono-n-butyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl ether, tetrahydrofuran, dioxane Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diisobutyl ketone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone, diacetone alcohol, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate , Propylene glycol Esters such as methyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl lactate, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, Ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl pro Pionate, ethyl acetate, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, n-pentyl formate, i-pentyl acetate, n-butyl propionate, ethyl butyrate, n-propyl butyrate , I-propyl butyrate , N-butyl butyrate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, n-propyl pyruvate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethyl 2-oxobutanoate, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene , N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, amides such as N, N-dimethylacetamide, and the like can be used, but these can be used alone or in combination. Among these, gamma butyrolactone is preferable because it can dissolve other components well and form a coating film with good flatness.
前記溶剤の使用量は、必要とする膜厚や採用する塗布方法に応じて変更するため特に限定されないが、（ａ１）成分の樹脂１００重量部に対して、５０〜２０００重量部が好ましく、特に１００〜１５００重量部が好ましい。 The amount of the solvent used is not particularly limited because it varies depending on the required film thickness and the coating method employed, but is preferably 50 to 2000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin (a1). 100-1500 weight part is preferable.
以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。まず、各実施例および比較例における評価方法について説明する。評価には、あらかじめ１μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター（住友電気工業（株）製）で濾過した感光性樹脂組成物（以下ワニスと呼ぶ）を用いた。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated, this invention is not limited by these examples. First, an evaluation method in each example and comparative example will be described. For the evaluation, a photosensitive resin composition (hereinafter referred to as “varnish”) filtered in advance with a 1 μm polytetrafluoroethylene filter (manufactured by Sumitomo Electric Industries, Ltd.) was used.
（１）感度の評価
ワニスを、８インチのシリコンウエハ上に塗布現像装置ＡＣＴ―８（東京エレクトロン製）を用いてスピンコート法で塗布し、１２０℃で３分間プリベークを行った。プリベーク後の基板を露光機ｉ線ステッパーＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ（ニコン製）を用いて露光した。露光後、ＡＣＴ−８の現像装置を用いて、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウム水溶液（以下ＴＭＡＨ、多摩化学工業製）を用いてパドル法で現像液の吐出時間１０秒、パドル時間４０秒の現像を２回繰り返し、その後純水でリンス後、振り切り乾燥し、露光部が完全に溶解している時の最低露光量を感度とした。感度が５００ｍＪ／ｃｍ２以上であるもの、または露光部が完全に溶解せず残渣があるものを不十分（×）、３００ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２未満のものを良好（○）、３００ｍＪ／ｃｍ２未満のものをきわめて良好（◎）とした。 （２）解像度の評価
ワニスを、８インチのシリコンウエハ上に塗布現像装置ＡＣＴ―８を用いてスピンコート法で塗布し、１２０℃で３分間プリベークを行った。露光機ｉ線ステッパーＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ（ニコン製）にパターンの切られたレチクルをセットし、プリベーク後の基板を８００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した。露光後、ＡＣＴ−８の現像装置を用いて、２．３８重量％のＴＭＡＨを用いてパドル法で現像液の吐出時間１０秒、パドル時間４０秒の現像を２回繰り返し、その後純水でリンス後、振り切り乾燥し、ポジ型のパターンを得た。イナートオーブンＣＬＨ−２１ＣＤ−Ｓ（光洋サーモシステム製）を用いて、窒素気流下において酸素濃度２０ｐｐｍ以下で毎分３．５℃の昇温速度で２００℃まで昇温し、２００℃で１時間加熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでウェハーを取り出し、パターンを顕微鏡で観察し、ラインアンドスペースが解像している最小寸法を解像度とした。解像度が１０μｍ以上のもの、またはパターン形成出来ないものを不十分（×）、５μｍ以上１０μｍ未満のものを良好（○）、５μｍ未満のものをきわめて良好（◎）とした。
(1) Evaluation of sensitivity The varnish was applied onto an 8-inch silicon wafer by spin coating using a coating / developing apparatus ACT-8 (manufactured by Tokyo Electron), and prebaked at 120 ° C. for 3 minutes. The substrate after pre-baking was exposed using an exposure machine i-line stepper NSR-2005i9C (manufactured by Nikon). After the exposure, using a developing device of ACT-8, a developer discharge time of 10 seconds and a paddle time of 40 seconds by a paddle method using a 2.38 wt% tetramethylammonium aqueous solution (hereinafter TMAH, manufactured by Tama Chemical Industries). This development was repeated twice, then rinsed with pure water, shaken and dried, and the minimum exposure when the exposed area was completely dissolved was defined as sensitivity. Those having a sensitivity of 500 mJ / cm 2 or more, or those in which the exposed part is not completely dissolved and having a residue (x), those having a residue of 300 mJ / cm 2 or more and less than 500 mJ / cm 2 are good (◯), 300 mJ Those with less than / cm 2 were considered very good (◎). (2) Evaluation of resolution The varnish was applied on an 8-inch silicon wafer by spin coating using a coating / developing apparatus ACT-8, and prebaked at 120 ° C. for 3 minutes. A reticle with a cut pattern was set in an exposure machine i-line stepper NSR-2005i9C (manufactured by Nikon), and the pre-baked substrate was exposed at an exposure amount of 800 mJ / cm 2 . After the exposure, using an ACT-8 developing device, using a 2.38% by weight TMAH, the paddle method is used to repeat the development with a developer discharge time of 10 seconds and a paddle time of 40 seconds, and then rinse with pure water. Thereafter, it was shaken and dried to obtain a positive pattern. Using an inert oven CLH-21CD-S (manufactured by Koyo Thermo System), the temperature was raised to 200 ° C. at a temperature rising rate of 3.5 ° C./min with an oxygen concentration of 20 ppm or less and heated at 200 ° C. for 1 hour. Processing was performed. When the temperature reached 50 ° C. or lower, the wafer was taken out, the pattern was observed with a microscope, and the minimum dimension resolved by line and space was defined as the resolution. Those having a resolution of 10 μm or more, or those incapable of pattern formation were insufficient (×), those having a resolution of 5 μm or more and less than 10 μm were good (◯), and those having a resolution of less than 5 μm were extremely good (◎).
（３）絶縁性の評価
ワニスを、シリコンウエハ上に１２０℃で３分間プリベークを行った後の膜厚が１μｍとなるように塗布現像装置ＡＣＴ−８を用いてスピンコート法で塗布し、プリベークした後、イナートオーブンＣＬＨ−２１ＣＤ−Ｓを用いて、窒素気流下において酸素濃度２０ｐｐｍ以下で毎分３．５℃の昇温速度で２００℃まで昇温し、２００℃で１時間加熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し、菊水電子工業（株）製耐電圧／絶縁抵抗試験器ＴＯＳ９２０１を使用して、ＤＣＷで昇圧速度０．１ｋＶ／４秒で昇圧し、絶縁破壊が起こったときの電圧を測定し、得られた電圧を膜厚で割ることにより、単位膜厚あたりの絶縁破壊電圧を求めた。計算によって得られた、膜厚１ｍｍあたりの絶縁破壊電圧が、２００ｋＶ未満のときを不十分（×）、２００ｋＶ以上４００ｋＶ未満を良好（○）、４００ｋＶ以上をきわめて良好（◎）とした。
(3) Evaluation of insulation The varnish is applied by spin coating using a coating / developing apparatus ACT-8 so that the film thickness after pre-baking on a silicon wafer at 120 ° C. for 3 minutes is 1 μm, and pre-baking. Then, using an inert oven CLH-21CD-S, the temperature was raised to 200 ° C. at a rate of temperature increase of 3.5 ° C. per minute at an oxygen concentration of 20 ppm or less in a nitrogen stream, and heat treatment was performed at 200 ° C. for 1 hour. It was. When the temperature falls below 50 ° C., the silicon wafer is taken out, and using a withstand voltage / insulation resistance tester TOS9201 manufactured by Kikusui Electronics Co., Ltd., the voltage is increased with DCW at a voltage increase rate of 0.1 kV / 4 seconds, and dielectric breakdown occurs. The dielectric breakdown voltage per unit film thickness was determined by measuring the voltage at which this occurred and dividing the voltage obtained by the film thickness. When the dielectric breakdown voltage per 1 mm of film thickness obtained by calculation was less than 200 kV, it was insufficient (×), 200 kV or more and less than 400 kV was good (◯), and 400 kV or more was very good (◎).
（４）ストレスの評価
ワニスを、シリコンウエハ上に１２０℃で３分間プリベークを行った後の膜厚が１０μｍとなるように塗布現像装置ＡＣＴ−８を用いてスピンコート法で塗布し、プリベークした後、イナートオーブンＣＬＨ−２１ＣＤ−Ｓを用いて、窒素気流下において酸素濃度２０ｐｐｍ以下で毎分３．５℃の昇温速度で２００℃まで昇温し、２００℃で１時間加熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し、その硬化膜をストレス装置ＦＬＸ２９０８（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）にて測定した。その結果が、３０ＭＰａ以上のものを不十分（×）、２０ＭＰａ以上３０ＭＰａ未満の場合は良好（○）、２０ＭＰａ未満のものはきわめて良好（◎）とした。
(4) Evaluation of stress The varnish was applied by spin coating using a coating / developing apparatus ACT-8 so that the film thickness after pre-baking on a silicon wafer at 120 ° C. for 3 minutes was 10 μm and pre-baked. Then, using an inert oven CLH-21CD-S, the temperature was raised to 200 ° C. at a rate of temperature increase of 3.5 ° C. per minute at an oxygen concentration of 20 ppm or less under a nitrogen stream, and heat treatment was performed at 200 ° C. for 1 hour. . When the temperature reached 50 ° C. or lower, the silicon wafer was taken out, and the cured film was measured with a stress device FLX2908 (manufactured by KLA Tencor). When the result was 30 MPa or more, the result was insufficient (×), when 20 MPa or more and less than 30 MPa, the result was good (◯), and when the result was less than 20 MPa, the result was very good (き わ め て).
（５）耐薬品性評価
（２）でパターン加工したシリコンウエハをイナートオーブンＩＮＨ−２１ＣＤを用いて、窒素気流下において酸素濃度２０ｐｐｍ以下で毎分３．５℃の昇温速度で２００℃まで昇温し、２５０℃で１時間加熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し樹脂パターンを作製した。得られた樹脂パターンを剥離液１０６（東京応化工業製）中に浸漬し、７０℃で１０分間処理した後、水洗した。光学顕微鏡でパターンに剥がれやクラックなど異常がないか観察し、著しい変化がなかった場合を良好（◎）とし、剥がれやクラックが発生した場合を不良（×）とした。
(5) Chemical resistance evaluation The silicon wafer patterned in (2) is heated to 200 ° C. at a rate of temperature increase of 3.5 ° C. per minute at an oxygen concentration of 20 ppm or less under an nitrogen stream using an inert oven INH-21CD. Warm and heat treated at 250 ° C. for 1 hour. When the temperature reached 50 ° C. or lower, the silicon wafer was taken out to produce a resin pattern. The obtained resin pattern was immersed in a stripping solution 106 (manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.), treated at 70 ° C. for 10 minutes, and then washed with water. An optical microscope was used to observe whether there were any abnormalities such as peeling or cracking in the pattern. The case where there was no significant change was evaluated as good (（), and the case where peeling or cracking occurred was evaluated as poor (x).
合成例１ 感光剤（Ｂ）の合成
乾燥窒素気流下、ＴｒｉｓＰ−ＰＡ（商品名、本州化学工業（株）製）２１．２２ｇ（０．０５モル）と５−ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリド（東洋合成（株）製、ＮＡＣ−５）２６．８ｇ（０．１モル）を１，４−ジオキサン４５０ｇに溶解させ、室温にした。ここに、１，４−ジオキサン５０ｇと混合したトリエチルアミン１２．６５ｇを、系内が３５℃以上にならないように滴下した。滴下後４０℃で２時間撹拌した。撹拌後、トリエチルアミン塩を濾過し、濾液を水に投入した。その後、析出した沈殿を濾過で集め、さらに１％塩酸水１Ｌで洗浄した。その後、さらに水２Ｌで２回洗浄した。この沈殿を真空乾燥機で乾燥し、下記式で表されるキノンジアジド化合物を得た。
Synthesis Example 1 Synthesis of Photosensitizer (B) Under a dry nitrogen stream, TrisP-PA (trade name, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) 21.22 g (0.05 mol) and 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid chloride (Toyosei Co., Ltd.) 26.8 g (0.1 mol) manufactured by NAC-5 was dissolved in 450 g of 1,4-dioxane and brought to room temperature. Here, 12.65 g of triethylamine mixed with 50 g of 1,4-dioxane was added dropwise so that the temperature in the system would not be 35 ° C. or higher. After dropping, the mixture was stirred at 40 ° C. for 2 hours. After stirring, the triethylamine salt was filtered and the filtrate was poured into water. Thereafter, the deposited precipitate was collected by filtration and further washed with 1 L of 1% aqueous hydrochloric acid. Thereafter, it was further washed twice with 2 L of water. This precipitate was dried with a vacuum dryer to obtain a quinonediazide compound represented by the following formula.
合成例２ ポリヒドロキシスチレン樹脂（ａ０−１）の合成
テトラヒドロフラン５００ｍｌ、開始剤としてｓｅｃ−ブチルリチウム０．０１モルを加えた混合溶液に、ｐ−ｔ−ブトキシスチレンとスチレンをモル比３：１の割合で合計２０ｇを添加し、３時間撹拌しながら重合させた。重合停止反応は反応溶液にメタノール０．１モルを添加して行った。次にポリマーを精製するために反応混合物をメタノール中に注ぎ、沈降した重合体を乾燥させたところ白色重合体が得られた。更に、白色重合体をアセトン４００ｍｌに溶解し、６０℃で少量の濃塩酸を加えて７時間撹拌後、水に注ぎ、ポリマーを沈澱させ、ｐ−ｔ−ブトキシスチレンを脱保護してヒドロキシスチレンに変換し、洗浄乾燥したところ、精製されたｐ−ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体（以下（ａ０−１））が得られた。（ａ０−１）はＧＰＣによる分析により重量平均分子量（Ｍｗ）が３５００（ＧＰＣポリスチレン換算）、分散度は（Ｍｗ／Ｍｎ）２．８０であった。
Synthesis Example 2 Synthesis of polyhydroxystyrene resin (a0-1) 500 ml of tetrahydrofuran and 0.01 mol of sec-butyllithium as an initiator were added to a mixed solution of pt-butoxystyrene and styrene at a molar ratio of 3: 1. A total of 20 g was added in a proportion and polymerized with stirring for 3 hours. The polymerization termination reaction was performed by adding 0.1 mol of methanol to the reaction solution. Next, in order to purify the polymer, the reaction mixture was poured into methanol, and the precipitated polymer was dried to obtain a white polymer. Further, the white polymer was dissolved in 400 ml of acetone, a small amount of concentrated hydrochloric acid was added at 60 ° C., and the mixture was stirred for 7 hours, poured into water to precipitate the polymer, and pt-butoxystyrene was deprotected to give hydroxystyrene. When converted and washed and dried, a purified copolymer of p-hydroxystyrene and styrene (hereinafter (a0-1)) was obtained. As for (a0-1), the weight average molecular weight (Mw) was 3500 (GPC polystyrene conversion) and the dispersity was (Mw / Mn) 2.80 by analysis by GPC.
合成例３ ポリヒドロキシスチレン樹脂（ａ０−２）の合成
前記合成例２において、ｐ−ｔ−ブトキシスチレンの代わりにｍ−ｔ−ブトキシスチレンを使用する以外は同様に行った。得られたｍ−ヒドロキシスチレンとスチレンの共重合体（以下（ａ０−２））は、ＧＰＣによる分析により重量平均分子量（Ｍｗ）が５０００（ＧＰＣポリスチレン換算）、分散度は（Ｍｗ／Ｍｎ）３．２０であった。
Synthesis Example 3 Synthesis of Polyhydroxystyrene Resin (a0-2) In Synthesis Example 2, the same procedure was performed except that mt-butoxystyrene was used instead of pt-butoxystyrene. The obtained copolymer of m-hydroxystyrene and styrene (hereinafter referred to as (a0-2)) has a weight average molecular weight (Mw) of 5000 (in terms of GPC polystyrene) and a dispersity of (Mw / Mn) 3 by GPC analysis. .20.
合成例４ ポリヒドロキシスチレン樹脂（ａ０−３）の合成
前記合成例２において、スチレンを加えない以外は同様に行った。得られたｐ−ヒドロキシスチレン樹脂（以下（ａ０−３））は、ＧＰＣによる分析により重量平均分子量（Ｍｗ）が３０００（ＧＰＣポリスチレン換算）、分散度は（Ｍｗ／Ｍｎ）１．６０であった。
Synthesis Example 4 Synthesis of polyhydroxystyrene resin (a0-3) The same procedure as in Synthesis Example 2 was performed except that styrene was not added. The obtained p-hydroxystyrene resin (hereinafter (a0-3)) had a weight average molecular weight (Mw) of 3000 (converted to GPC polystyrene) and a dispersity of (Mw / Mn) of 1.60 according to analysis by GPC. .
合成例５ アルカリ可溶性樹脂（ａ１−１）の合成
水酸化ナトリウム８０ｇ（２．０モル）を純水８００ｇに溶解させた溶液に、ポリヒドロキシスチレン樹脂（ａ０−１）を溶解させた。完全に溶解させた後、２０〜２５℃で３６〜３８重量％のホルマリン水溶液６８６ｇを２時間かけて滴下した。その後２０〜２５℃で１７時間撹拌した。これに硫酸９８ｇと水５５２ｇを加えて中和を行い、そのまま２日間放置した。放置後に溶液に生じた白色固体を水１００ｍＬで洗浄した。この白色固体を５０℃で４８時間真空乾燥した。
Synthesis Example 5 Synthesis of alkali-soluble resin (a1-1) Polyhydroxystyrene resin (a0-1) was dissolved in a solution in which 80 g (2.0 mol) of sodium hydroxide was dissolved in 800 g of pure water. After complete dissolution, 686 g of 36-38 wt% formalin aqueous solution was added dropwise at 20-25 ° C. over 2 hours. Then, it stirred at 20-25 degreeC for 17 hours. This was neutralized by adding 98 g of sulfuric acid and 552 g of water, and allowed to stand for 2 days. The white solid formed in the solution after standing was washed with 100 mL of water. This white solid was vacuum-dried at 50 ° C. for 48 hours.
次に、このようにして得た化合物をメタノール３００ｍＬに溶解させ、硫酸２ｇを加えて室温で２４時間撹拌した。この溶液にアニオン型イオン交換樹脂（Ｒｏｈｍａｎｄ Ｈａａｓ社製、アンバーリストＩＲＡ９６ＳＢ）１５ｇを加え１時間撹拌し、濾過によりイオン交換樹脂を除いた。その後、ガンマブチロラクトン５００ｍＬを加え、ロータリーエバポレーターでメタノールを除き、ガンマブチロラクトン溶液にした。この樹脂をＮＭＲ（日本電子（株）製、ＧＸ−２７０）により分析したところ、一部がアルコキシ化したポリヒドロキシスチレン樹脂であるアルカリ可溶性樹脂（以下（ａ１−１））を得た。（ａ１−１）はＧＰＣによる分析により重量平均分子量（Ｍｗ）が８０００（ＧＰＣポリスチレン換算）であり、アルコキシ化したヒドロキシスチレンはヒドロキシスチレン１モルあたり３５モル％の導入率であった。 Next, the compound thus obtained was dissolved in 300 mL of methanol, 2 g of sulfuric acid was added, and the mixture was stirred at room temperature for 24 hours. To this solution, 15 g of an anionic ion exchange resin (Rohman Haas, Amberlyst IRA96SB) was added and stirred for 1 hour, and the ion exchange resin was removed by filtration. Thereafter, 500 mL of gamma butyrolactone was added, and methanol was removed by a rotary evaporator to obtain a gamma butyrolactone solution. When this resin was analyzed by NMR (manufactured by JEOL Ltd., GX-270), an alkali-soluble resin (hereinafter referred to as (a1-1)) which was a partially hydroxylated polyhydroxystyrene resin was obtained. (A1-1) has a weight average molecular weight (Mw) of 8000 (in terms of GPC polystyrene) as analyzed by GPC, and the alkoxylated hydroxystyrene has an introduction rate of 35 mol% per mol of hydroxystyrene.
合成例６ アルカリ可溶性樹脂（ａ１−２）の合成
前記合成例５において、（ａ０−１）の代わりに（ａ０−２）を用いる以外は同様の製法において合成を行った。得られたアルコキシ化したポリヒドロキシスチレン樹脂であるアルカリ可溶性樹脂（以下（ａ１−２））は、ＧＰＣによる分析により重量平均分子量（Ｍｗ）が７５００（ＧＰＣポリスチレン換算）であり、アルコキシ化したヒドロキシスチレンはヒドロキシスチレン１モルあたり５５モル％の導入率であった。
Synthesis Example 6 Synthesis of Alkali-Soluble Resin (a1-2) Synthesis was performed in the same manner as in Synthesis Example 5 except that (a0-2) was used instead of (a0-1). Alkoxy-soluble resin (hereinafter referred to as (a1-2)), which is an alkoxylated polyhydroxystyrene resin, has a weight average molecular weight (Mw) of 7500 (in terms of GPC polystyrene) as analyzed by GPC, and is alkoxylated hydroxystyrene. Was an introduction rate of 55 mol% per mol of hydroxystyrene.
合成例７ アルカリ可溶性樹脂（ａ１−３）の合成
前記合成例５の（ａ０−１）の代わりに（ａ０−３）を用いる以外は同様の製法において合成を行った。得られたアルコキシ化したポリヒドロキシスチレン樹脂であるアルカリ可溶性樹脂（以下（ａ１−３））は、ＧＰＣによる分析により重量平均分子量（Ｍｗ）が３５００（ＧＰＣポリスチレン換算）であり、アルコキシ化したヒドロキシスチレンはヒドロキシスチレン１モルあたり６９モル％の導入率であった。
Synthesis Example 7 Synthesis of Alkali-Soluble Resin (a1-3) Synthesis was performed in the same production method except that (a0-3) was used instead of (a0-1) in Synthesis Example 5. Alkoxy-soluble resin (hereinafter referred to as (a1-3)), which is an alkoxylated polyhydroxystyrene resin, has a weight average molecular weight (Mw) of 3500 (in terms of GPC polystyrene) as analyzed by GPC, and is alkoxylated hydroxystyrene. Was an introduction rate of 69 mol% per mol of hydroxystyrene.
合成例８ アルカリ可溶性ポリイミド樹脂（ａ２−１）の合成
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以下、ＢＡＨＦ）２９．３０ｇ（０．０８モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（以下、ＳｉＤＡ）１．２４ｇ（０．００５モル、）、末端封止剤として、３−アミノフェノール（以下、ＭＡＰ）３．２７ｇ（０．０３モル）をＮ−メチルピロリドン（以下、ＮＭＰ）８０ｇに溶解させた。ここに３，３’，４，４’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（以下、ＯＤＰＡ）３１．２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、１５０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集め、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂であるポリイミド樹脂（以下、（ａ２−１））を得た。
Synthesis Example 8 Synthesis of alkali-soluble polyimide resin (a2-1) 29.30 g (0.08 mol) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane (hereinafter referred to as BAHF) under a dry nitrogen stream ), 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (hereinafter referred to as SiDA) 1.24 g (0.005 mol), and 3-aminophenol (hereinafter referred to as MAP) as a terminal blocker. 27 g (0.03 mol) was dissolved in 80 g of N-methylpyrrolidone (hereinafter NMP). Here, 31.2 g (0.1 mol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as ODPA) was added together with 20 g of NMP and reacted at 20 ° C. for 1 hour, and then at 50 ° C. For 4 hours. Thereafter, 15 g of xylene was added, and the mixture was stirred at 150 ° C. for 5 hours while azeotropically distilling water with xylene. After stirring, the solution was poured into 3 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried for 20 hours in a vacuum dryer at 80 ° C. to obtain a polyimide resin (hereinafter referred to as (a2-1)) which is an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group. It was.
合成例９ アルカリ可溶性ポリイミド前駆体樹脂（ａ２−２）の合成
乾燥窒素気流下、４，４’−ジアミノフェニルエーテル（以下、ＤＡＥ）５．０１ｇ（０．０２５モル）、ＳｉＤＡ１．２４ｇ（０．００５モル）をＮＭＰ５０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ９．３６ｇ（０．０３モル）をＮＭＰ１４ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドジメチルアセタール７．１４ｇ（０．０６モル）をＮＭＰ５ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下し、５０℃で３時間反応させた。反応終了後、溶液を水２Ｌに投入して、ポリマー固体の沈殿を濾過で集めた。さらに水２Ｌで２回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、カルボキシル基を有するアルカリ可溶性樹脂であるポリイミド前駆体樹脂（ａ２−２）を得た。
Synthesis Example 9 Synthesis of Alkali-Soluble Polyimide Precursor Resin (a2-2) Under a dry nitrogen stream, 4,1′-diaminophenyl ether (hereinafter referred to as DAE) 5.01 g (0.025 mol), SiDA 1.24 g (0. 005 mol) was dissolved in 50 g of NMP. To this, 9.36 g (0.03 mol) of ODPA was added together with 14 g of NMP and reacted at 20 ° C. for 1 hour, and then reacted at 50 ° C. for 4 hours. Thereafter, a solution prepared by diluting 7.14 g (0.06 mol) of N, N-dimethylformamide dimethylacetal with 5 g of NMP was added dropwise over 10 minutes, and reacted at 50 ° C. for 3 hours. After completion of the reaction, the solution was poured into 2 L of water, and a precipitate of polymer solid was collected by filtration. Further, after washing twice with 2 L of water, it was dried with a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours to obtain a polyimide precursor resin (a2-2) which is an alkali-soluble resin having a carboxyl group.
合成例１０ ポリイミド樹脂（ａ２−３）の合成
乾燥窒素気流下、ＤＡＥ１８．０ｇ（０．０９モル）をＮＭＰ８０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ３１．２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。さらにその後、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集め、水で３回洗浄した後、８０℃の真空乾燥機で２０時間乾燥し、（ａ１）の反応性基と反応する置換基を有さないポリイミド樹脂（以下、（ａ２−３））を得た。
Synthesis Example 10 Synthesis of Polyimide Resin (a2-3) 18.0 g (0.09 mol) of DAE was dissolved in 80 g of NMP under a dry nitrogen stream. To this, 31.2 g (0.1 mol) of ODPA was added together with 20 g of NMP and reacted at 20 ° C. for 1 hour, and then reacted at 50 ° C. for 4 hours. Thereafter, the mixture was stirred at 180 ° C. for 5 hours. After stirring, the solution was poured into 3 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed with water three times, and then dried in a vacuum dryer at 80 ° C. for 20 hours to obtain a polyimide resin having no substituent that reacts with the reactive group (a1) (hereinafter referred to as (a2 -3)) was obtained.
実施例１〜７、比較例１〜５
以下の表１に示す重量比で、各成分を混合したのち、溶剤を加え、固形分濃度４０％のワニスを調製し、これらの特性を上記評価方法により測定した。得られた結果を表２に示す。
Examples 1-7, Comparative Examples 1-5
After mixing each component at the weight ratio shown in Table 1 below, a solvent was added to prepare a varnish having a solid content concentration of 40%, and these characteristics were measured by the above evaluation method. The obtained results are shown in Table 2.
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