JP2014132104A - Composition for forming electroless plating primer film - Google Patents

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JP2014132104A JP2013000573A JP2013000573A JP2014132104A JP 2014132104 A JP2014132104 A JP 2014132104A JP 2013000573 A JP2013000573 A JP 2013000573A JP 2013000573 A JP2013000573 A JP 2013000573A JP 2014132104 A JP2014132104 A JP 2014132104A
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師健 中村
Fumioki Fukatsu
文起 深津
Shingo Onodera
真吾 小野寺
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a primer film that, in electroless plating, has sufficient adhesion to a substrate such as polycarbonate (PC), and has sufficient adhesion to a plating layer as well.SOLUTION: The present invention provides the composition for forming an electroless plating primer film that contains a conductive polymer and a urethane resin.

Description

本発明は、無電解めっき下地膜形成用組成物、それから得られる薄膜、めっき積層体、無電解めっき下地膜の製造方法及び無電解めっき積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to a composition for forming an electroless plating base film, a thin film obtained therefrom, a plating laminate, a method for producing an electroless plating base film, and a method for producing an electroless plating laminate.

導電性高分子は、電解コンデンサや電子機器のバックアップ用電池、携帯電話やノート型パソコンに使用されているリチウムイオン電池の電極等に使用されている。   Conductive polymers are used for electrolytic capacitors, backup batteries for electronic devices, electrodes for lithium ion batteries used in mobile phones and notebook computers, and the like.

例えば導電性高分子の一種であるポリアニリンは、その電気的な特性に加え,安価なアニリンから比較的簡便に合成でき、かつ導電性を示す状態で酸素等に対して優れた安定性を示すという利点及び特性を有する。また,特許文献1に記載の方法によって簡便に、かつ高導電のポリアニリンを得ることができる。   For example, polyaniline, a kind of conductive polymer, can be synthesized relatively easily from inexpensive aniline in addition to its electrical properties, and exhibits excellent stability against oxygen and the like in a state of conductivity. Has advantages and characteristics. In addition, a highly conductive polyaniline can be easily obtained by the method described in Patent Document 1.

また、導電性高分子には還元力を有するものも多く、この特性を活かして無電解めっきの下地膜として注目されている(特許文献2〜8)。
ポリアニリン複合体単体からなる無電解めっき下地膜では、ポリカーボネート(PC)やポリエチレンテレフタラート(PET)等の各種基材との密着性が十分ではなかった。また、めっき層との密着性も十分ではなかった。
In addition, many conductive polymers have reducing power, and are attracting attention as base films for electroless plating taking advantage of this characteristic (Patent Documents 2 to 8).
An electroless plating base film made of a polyaniline complex alone has not been sufficiently adhered to various substrates such as polycarbonate (PC) and polyethylene terephthalate (PET). Moreover, the adhesiveness with a plating layer was not enough.

国際公開第2005/052058号パンフレットInternational Publication No. 2005/052058 Pamphlet 特開2007−270180号公報JP 2007-270180 A 特開2008−163371号公報JP 2008-163371 A 特開2011−208174号公報JP 2011-208174 A 特開2011−168814号公報JP 2011-168814 A 特開2011−168813号公報JP 2011-168813 A 特開2011−74407号公報JP 2011-74407 A 特開2010−95776号公報JP 2010-95776 A

本発明の目的は、無電解めっきにおいて、ポリカーボネート(PC)等の基材との密着性が十分であり、かつめっき層との密着性も十分である下地膜形成用の組成物を提供することである。   An object of the present invention is to provide a composition for forming a base film that has sufficient adhesion to a substrate such as polycarbonate (PC) in electroless plating and also has sufficient adhesion to a plating layer. It is.

本発明によれば、以下の無電解めっき下地膜形成用組成物等が提供される。
1.導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む無電解めっき下地膜形成用組成物。
2.前記導電性ポリマーが置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である1に記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
3.前記ドーパントが下記式(III)で表されるスルホコハク酸誘導体である2に記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。

Figure 2014132104
(式(III)中、Mは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。m’は、Mの価数である。R13及びR14は、それぞれ炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15は、それぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。R17は、それぞれ炭化水素基である。)
4.前記ドーパントがジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである2又は3に記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
5.前記導電性ポリマー及びウレタン樹脂の合計に対する前記ウレタン樹脂の割合が20〜80重量%である1〜4のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
6.1〜5のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物から得られる無電解めっき下地膜。
7.金属を含む無電解めっき層と、
導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む無電解めっき下地膜と、
基板とを含み、
前記無電解めっき層の一方の面と前記無電解めっき下地膜の一方の面が接しているめっき積層体。
8.前記導電性ポリマーが置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である7に記載のめっき積層体。
9.前記ドーパントが下記式(III)で表されるスルホコハク酸誘導体である8に記載のめっき積層体。
Figure 2014132104
(式(III)中、Mは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。m’は、Mの価数である。R13及びR14は、それぞれ炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15は、それぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。R17は、それぞれ炭化水素基である。)
10.前記ドーパントがジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである8又は9に記載のめっき積層体。
11.前記導電性ポリマー及びウレタン樹脂の合計に対する前記ウレタン樹脂の割合が20〜80重量%である7〜10のいずれかに記載のめっき積層体。
12.前記金属が銅である7〜11のいずれかに記載のめっき積層体。
13.前記基板が樹脂である7〜12のいずれかに記載のめっき積層体。
14.前記基板がポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、又はポリフェニレンサルファイド樹脂である13に記載のめっき積層体。
15.1〜5のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いる無電解めっき下地膜の製造方法。
16.基板上に、1〜5のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて無電解めっき下地膜を形成する工程、及び
前記無電解めっき下地膜上に、金属を含む無電解めっき層を形成する工程を含む
無電解めっき積層体の製造方法。
17.前記無電解めっき下地膜にパラジウムを担持させ、その後前記無電解めっき液に接触させることにより無電解めっき層を形成する16に記載の無電解めっき積層体の製造方法。
18.前記無電解めっき下地膜に塩化パラジウム溶液を接触させることによりパラジウムを担持させる17に記載の無電解めっき積層体の製造方法。
19.前記無電解めっき液がCu、Ni、Au、Pd、Ag、Sn、Co及びPtから選択される1以上の金属を含む16〜18のいずれかに記載の無電解めっき積層体の製造方法。 According to the present invention, the following composition for forming an electroless plating base film is provided.
1. A composition for forming an electroless plating base film comprising a conductive polymer and a urethane resin.
2. 2. The composition for forming an electroless plating base film according to 1, wherein the conductive polymer is a polyaniline composite in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant.
3. The composition for forming an electroless plating base film according to 2, wherein the dopant is a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 2014132104
(In formula (III), M is a hydrogen atom, an organic free radical or an inorganic free radical. M ′ is a valence of M. R 13 and R 14 are a hydrocarbon group or — (R 15 , respectively). O) r— R 16 group, wherein R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. R 17 is each a hydrocarbon group.)
4). The composition for forming an electroless plating base film according to 2 or 3, wherein the dopant is sodium di-2-ethylhexyl sulfosuccinate.
5. The composition for forming an electroless plating base film according to any one of 1 to 4, wherein the ratio of the urethane resin to the total of the conductive polymer and the urethane resin is 20 to 80% by weight.
The electroless-plating base film obtained from the composition for electroless-plating base film formation in any one of 6.1-5.
7). An electroless plating layer containing metal;
An electroless plating base film containing a conductive polymer and a urethane resin;
Including a substrate,
A plating laminate in which one surface of the electroless plating layer is in contact with one surface of the electroless plating base film.
8). The plating laminate according to 7, wherein the conductive polymer is a polyaniline composite in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant.
9. 9. The plating laminate according to 8, wherein the dopant is a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 2014132104
(In formula (III), M is a hydrogen atom, an organic free radical or an inorganic free radical. M ′ is a valence of M. R 13 and R 14 are a hydrocarbon group or — (R 15 , respectively). O) r— R 16 group, wherein R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. R 17 is each a hydrocarbon group.)
10. The plating laminate according to 8 or 9, wherein the dopant is sodium di-2-ethylhexyl sulfosuccinate.
11. The plating laminated body in any one of 7-10 whose ratio of the said urethane resin with respect to the sum total of the said conductive polymer and urethane resin is 20 to 80 weight%.
12 The plating laminated body in any one of 7-11 whose said metal is copper.
13. The plating laminated body in any one of 7-12 whose said board | substrate is resin.
14 14. The plated laminate according to 13, wherein the substrate is a polycarbonate resin, a polyester resin, a polyimide resin, or a polyphenylene sulfide resin.
15. A method for producing an electroless plating base film using the electroless plating base film forming composition according to any one of 15.1 to 5.
16. A step of forming an electroless plating base film using the composition for forming an electroless plating base film according to any one of 1 to 5 on a substrate, and electroless containing a metal on the electroless plating base film The manufacturing method of the electroless-plating laminated body including the process of forming a plating layer.
17. The manufacturing method of the electroless-plating laminated body of 16 which forms palladium on the said electroless-plating base film, and forms an electroless-plating layer by making it contact with the said electroless-plating liquid after that.
18. 18. The method for producing an electroless plating laminate according to 17, wherein palladium is supported by bringing a palladium chloride solution into contact with the electroless plating base film.
19. The method for producing an electroless plating laminate according to any one of 16 to 18, wherein the electroless plating solution contains one or more metals selected from Cu, Ni, Au, Pd, Ag, Sn, Co, and Pt.

本発明によれば、無電解めっきにおいて、PC等の基材との密着性が十分であり、かつめっき層との密着性も十分である下地膜形成用の組成物が提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in electroless plating, the composition for base film formation which has sufficient adhesiveness with base materials, such as PC, and sufficient adhesiveness with a plating layer can be provided.

本発明のめっき積層体の一実施形態の層構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the layer structure of one Embodiment of the plating laminated body of this invention.

本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物は、導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む。
無電解めっきとは、電気分解を行わず、還元剤を用いる自己触媒作用を有する金属のめっき方法であり、例えば無電解銅めっきの場合、溶液中の銅イオンを、ホルムアルデヒド等の還元剤を用いて還元して金属銅皮膜を析出させ、析出した金属銅が自己触媒となってさらに銅イオンを金属化し、析出させる化学的プロセスである。
本発明の組成物は無電解めっき層の下地層の形成に用いる。
The composition for forming an electroless plating base film of the present invention includes a conductive polymer and a urethane resin.
Electroless plating is a metal plating method that does not perform electrolysis and has a self-catalytic action using a reducing agent. For example, in the case of electroless copper plating, a copper ion in a solution is used with a reducing agent such as formaldehyde This is a chemical process in which a metallic copper film is deposited by reduction, and the deposited metallic copper becomes an autocatalyst to further metallize and precipitate copper ions.
The composition of the present invention is used to form an underlayer for an electroless plating layer.

本発明の組成物は、密着性を向上させるバインダーとしてウレタン樹脂を混合することで、PCやPET等の各種基材との密着性が十分となり、かつめっき層との密着性にも優れるため、密着性良好なめっき積層体とすることができる。   Since the composition of the present invention is mixed with a urethane resin as a binder for improving the adhesion, the adhesion with various substrates such as PC and PET becomes sufficient, and the adhesion with the plating layer is also excellent. It can be set as the plating laminated body with favorable adhesiveness.

[導電性ポリマー]
導電性ポリマーとしては、π共役ポリマーがドーパントによってドープされているπ共役ポリマー複合体が挙げられ、具体的には、置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされているポリアニリン複合体、置換又は無置換のポリピロールがドーパントによってドープされているポリピロール複合体、並びに置換又は無置換のポリチオフェンがドーパントによってドープされているポリチオフェン複合体が挙げられ、置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされているポリアニリン複合体が好ましい。
[Conductive polymer]
Examples of the conductive polymer include a π-conjugated polymer complex in which a π-conjugated polymer is doped with a dopant. Specifically, a polyaniline complex in which a substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant, a substituted or non-substituted polymer. Examples include polypyrrole composites in which substituted polypyrrole is doped with a dopant, and polythiophene composites in which substituted or unsubstituted polythiophene is doped with a dopant, and polyaniline composites in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant The body is preferred.

ポリアニリンの重量平均分子量(以下、分子量という)は、好ましくは20,000以上である。分子量が20,000未満であると、組成物から得られる導電性物品の強度や延伸性が低下する恐れがある。分子量は、好ましくは20,000〜500,000であり、より好ましくは20,000〜300,000であり、さらに好ましくは20,000〜200,000である。分子量は、例えば50,000〜200,000、53,000〜200,000である。ここで、上記の重量平均分子量はポリアニリン複合体の分子量ではなく、ポリアニリンの分子量である。   The weight average molecular weight of polyaniline (hereinafter referred to as molecular weight) is preferably 20,000 or more. If the molecular weight is less than 20,000, the strength and stretchability of the conductive article obtained from the composition may be reduced. Molecular weight becomes like this. Preferably it is 20,000-500,000, More preferably, it is 20,000-300,000, More preferably, it is 20,000-200,000. The molecular weight is, for example, 50,000 to 200,000, 53,000 to 200,000. Here, the above weight average molecular weight is not the molecular weight of the polyaniline complex but the molecular weight of polyaniline.

分子量分布は、好ましくは1.5以上10.0以下である。導電率の観点からは分子量分布は小さい方が好ましいが、溶剤への溶解性や成形性の観点では、分子量分布が広い方が好ましい場合もある。
分子量と分子量分布は、ゲルパーミェションクロマトグラフィ(GPC)によりポリスチレン換算で測定する。
The molecular weight distribution is preferably 1.5 or more and 10.0 or less. A smaller molecular weight distribution is preferable from the viewpoint of conductivity, but a wider molecular weight distribution may be preferable from the viewpoint of solubility in solvents and moldability.
The molecular weight and molecular weight distribution are measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).

置換ポリアニリンの置換基としては、例えばメチル基、エチル基、ヘキシル基、オクチル基等の直鎖又は分岐の炭化水素基;メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;トリフルオロメチル基(−CF基)等のハロゲン化炭化水素が挙げられる。
ポリアニリンは、汎用性及び経済性の観点から無置換のポリアニリンが好ましい。
Examples of the substituent of the substituted polyaniline include linear or branched hydrocarbon groups such as methyl group, ethyl group, hexyl group and octyl group; alkoxy groups such as methoxy group and ethoxy group; aryloxy groups such as phenoxy group; Halogenated hydrocarbons such as a fluoromethyl group (—CF 3 group) are exemplified.
The polyaniline is preferably unsubstituted polyaniline from the viewpoints of versatility and economy.

置換もしくは無置換のポリアニリンは、好ましくは塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンである。塩素原子を含まない酸とは、例えば1族〜16族及び18族に属する原子からなる酸である。具体的には、リン酸が挙げられる。塩素原子を含まない酸の存在下で重合して得られるポリアニリンとして、リン酸の存在下で重合して得られるポリアニリンが挙げられる。
塩素原子を含まない酸の存在下で得られたポリアニリンは、ポリアニリン複合体の塩素含有量をより低くすることができる。
The substituted or unsubstituted polyaniline is preferably a polyaniline obtained by polymerization in the presence of an acid containing no chlorine atom. The acid containing no chlorine atom is, for example, an acid composed of atoms belonging to Group 1 to Group 16 and Group 18. Specific examples include phosphoric acid. Examples of the polyaniline obtained by polymerization in the presence of an acid not containing a chlorine atom include polyaniline obtained by polymerization in the presence of phosphoric acid.
The polyaniline obtained in the presence of an acid containing no chlorine atom can lower the chlorine content of the polyaniline complex.

ポリアニリン複合体の塩素含有量は、好ましくは0.6重量%以下であり、より好ましくは0.1重量%以下であり、さらに好ましくは0.04重量%以下であり、最も好ましくは0.0001重量%以下である。
ポリアニリン複合体の塩素含有量が0.6重量%超の場合、ポリアニリン複合体と接触する金属部分が腐食するおそれがある。
上記塩素含有量は、燃焼−イオンクロマト法によって測定する。
The chlorine content of the polyaniline complex is preferably 0.6% by weight or less, more preferably 0.1% by weight or less, still more preferably 0.04% by weight or less, and most preferably 0.0001%. % By weight or less.
When the chlorine content of the polyaniline complex is more than 0.6% by weight, the metal part that comes into contact with the polyaniline complex may be corroded.
The chlorine content is measured by combustion-ion chromatography.

ポリアニリン複合体のドーパントとしては、例えばブレンステッド酸又はブレンステッド酸の塩から生じるブレンステッド酸イオンが挙げられ、好ましくは有機酸又は有機酸の塩から生じる有機酸イオンであり、さらに好ましくは下記式(I)で示される化合物(プロトン供与体)から生じる有機酸イオンである。
尚、本発明において、ドーパントが特定の酸であると表現する場合、及びドーパントが特定の塩であると表現する場合があるが、いずれも特定の酸又は特定の塩から生じる特定の酸イオンが、上述したπ共役ポリマーにドープするものとする。
Examples of the dopant of the polyaniline complex include Bronsted acid ions generated from Bronsted acid or Bronsted acid salts, preferably organic acid ions generated from organic acids or salts of organic acids, and more preferably the following formula: It is an organic acid ion generated from the compound (proton donor) represented by (I).
In the present invention, when the dopant is expressed as a specific acid, and when the dopant is expressed as a specific salt, the specific acid ion generated from the specific acid or the specific salt may be used. The above-mentioned π-conjugated polymer is doped.

M(XARn)m (I)
式(I)のMは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。
上記有機遊離基としては、例えば、ピリジニウム基、イミダゾリウム基、アニリニウム基が挙げられる。また、上記無機遊離基としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、アンモニウム、カルシウム、マグネシウム、鉄が挙げられる。
式(I)のXは、アニオン基であり、例えば−SO 基、−PO 2−基、−PO(OH)基、−OPO 2−基、−OPO(OH)基、−COO基が挙げられ、好ましくは−SO 基である。
M (XARn) m (I)
M in the formula (I) is a hydrogen atom, an organic radical or an inorganic radical.
Examples of the organic free radical include a pyridinium group, an imidazolium group, and an anilinium group. Examples of the inorganic free radical include lithium, sodium, potassium, cesium, ammonium, calcium, magnesium, and iron.
X in the formula (I) is an anionic group, for example, —SO 3 group, —PO 3 2 — group, —PO 4 (OH) 2 , —OPO 3 2 — group, —OPO 2 (OH) —. group, -COO - group, and preferably -SO 3 - is a group.

式(I)のAは(M(XARn)mのAの定義は)、置換又は無置換の炭化水素基である。
上記炭化水素基は、鎖状もしくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状もしくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基である。
A in formula (I) (the definition of A in M (XARn) m) is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group.
The hydrocarbon group is a chain or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group, a chain or cyclic unsaturated aliphatic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group.

鎖状の飽和脂肪族炭化水素基としては、直鎖もしくは分岐状のアルキル基が挙げられる。
環状の飽和脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。環状の飽和脂肪族炭化水素基は、複数の環状の飽和脂肪族炭化水素基が縮合していてもよい。例えば、ノルボルニル基、アダマンチル基、縮合したアダマンチル基が挙げられる。
Examples of the chain saturated aliphatic hydrocarbon group include a linear or branched alkyl group.
Examples of the cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group include cycloalkyl groups such as a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and a cyclooctyl group. The cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group may be a condensation of a plurality of cyclic saturated aliphatic hydrocarbon groups. Examples thereof include a norbornyl group, an adamantyl group, and a condensed adamantyl group.

芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基が挙げられる。鎖状の不飽和脂肪族炭化水素としては、直鎖もしくは分岐状のアルケニル基が挙げられる。   Examples of the aromatic hydrocarbon group include a phenyl group, a naphthyl group, and an anthracenyl group. Examples of the chain unsaturated aliphatic hydrocarbon include linear or branched alkenyl groups.

ここで、Aが置換の炭化水素基である場合の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル基である。   Here, when A is a substituted hydrocarbon group, the substituent is alkyl group, cycloalkyl group, vinyl group, allyl group, aryl group, alkoxy group, halogen group, hydroxy group, amino group, imino group, nitro group. Group, silyl group or ester group.

式(I)のRは、Aと結合しており、それぞれ、−H、−R、−OR、−COR、−COOR、−(C=O)−(COR)、又は−(C=O)−(COOR)で表わされる置換基あり、Rは、置換基を含んでもよい炭化水素基、シリル基、アルキルシリル基、−(RO)x−R基、又は−(OSiR )x−ORである。Rはそれぞれアルキレン基、Rはそれぞれ炭化水素基であり、xは1以上の整数である。 R in formula (I) is bonded to A, and each represents —H, —R 1 , —OR 1 , —COR 1 , —COOR 1 , — (C═O) — (COR 1 ), or — There is a substituent represented by (C═O) — (COOR 1 ), and R 1 is a hydrocarbon group that may contain a substituent, a silyl group, an alkylsilyl group, — (R 2 O) x—R 3 group, Or-(OSiR 3 2 ) x -OR 3 . R 2 is an alkylene group, R 3 is a hydrocarbon group, and x is an integer of 1 or more.

の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、直鎖もしくは分岐のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、エイコサニル基等が挙げられる。また、上記炭化水素基の置換基は、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基又はエステル基である。Rの炭化水素基もRと同様である。 Examples of the hydrocarbon group for R 1 include a methyl group, an ethyl group, a linear or branched butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, an octyl group, a nonyl group, a decyl group, a dodecyl group, a pentadecyl group, and an eicosanyl group. Is mentioned. The substituent of the hydrocarbon group is an alkyl group, a cycloalkyl group, a vinyl group, an allyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, an imino group, a nitro group, or an ester group. The hydrocarbon group for R 3 is the same as R 1 .

のアルキレン基としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
式(I)のnは1以上の整数であり、式(I)のmは、Mの価数/Xの価数である。
Examples of the alkylene group for R 2 include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.
N in the formula (I) is an integer of 1 or more, and m in the formula (I) is a valence of M / a valence of X.

式(I)で示される化合物としては、ジアルキルベンゼンスルフォン酸、ジアルキルナフタレンスルフォン酸、又はエステル結合を2以上含有する化合物が好ましい。
上記エステル結合を2以上含有する化合物は、スルホフタール酸エステル、又は下記式(II)で表される化合物がより好ましい。

Figure 2014132104
式(II)中、M及びXは、式(I)と同様である。Xは、−SO 基が好ましい。
、R及びRは、それぞれ水素原子、炭化水素基又はR Si−基である。ここで、3つのRはそれぞれ炭化水素基である。
、R及びRが炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基、アルキルアリール基等が挙げられる。
の炭化水素基としては、R、R及びRの場合と同様である。 As the compound represented by the formula (I), dialkylbenzenesulfonic acid, dialkylnaphthalenesulfonic acid, or a compound containing two or more ester bonds is preferable.
The compound containing two or more ester bonds is more preferably a sulfophthalic acid ester or a compound represented by the following formula (II).
Figure 2014132104
In formula (II), M and X are the same as in formula (I). X is preferably a —SO 3 group.
R 4 , R 5 and R 6 are each a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 9 3 Si— group. Here, each of three R 9 is a hydrocarbon group.
Examples of the hydrocarbon group when R 4 , R 5 and R 6 are hydrocarbon groups include linear or branched alkyl groups having 1 to 24 carbon atoms, aryl groups containing aromatic rings, and alkylaryl groups. It is done.
The hydrocarbon group for R 9 is the same as in the case of R 4 , R 5 and R 6 .

式(II)のR及びRは、それぞれ、炭化水素基又は−(R10O)−R11基である。R10は炭化水素基又はシリレン基であり、R11は水素原子、炭化水素基又はR12 Si−であり、qは1以上の整数である。3つのR12は、それぞれ炭化水素基である。 R 7 and R 8 in the formula (II) are each a hydrocarbon group or a — (R 10 O) q —R 11 group. R 10 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 11 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or R 12 3 Si—, and q is an integer of 1 or more. Three R < 12 > is a hydrocarbon group, respectively.

及びRが炭化水素基である場合の炭化水素基としては、炭素数1〜24、好ましくは炭素数4以上の直鎖もしくは分岐状のアルキル基、芳香環を含むアリール基、アルキルアリール基等が挙げられ、R及びRが炭化水素基である場合の炭化水素基の具体例としては、例えば、直鎖又は分岐状のブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基等が挙げられる。 When R 7 and R 8 are hydrocarbon groups, the hydrocarbon group is a linear or branched alkyl group having 1 to 24 carbon atoms, preferably 4 or more carbon atoms, an aryl group containing an aromatic ring, or an alkylaryl. Specific examples of the hydrocarbon group when R 7 and R 8 are hydrocarbon groups include, for example, a linear or branched butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, decyl group Etc.

及びRにおける、R10が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、例えば炭素数1〜24の直鎖もしくは分岐状のアルキレン基、芳香環を含むアリーレン基、アルキルアリーレン基、アリールアルキレン基である。また、R及びRにおける、R11及びR12が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、R、R及びRの場合と同様であり、qは、1〜10であることが好ましい。 Examples of the hydrocarbon group when R 10 in R 7 and R 8 is a hydrocarbon group include a linear or branched alkylene group having 1 to 24 carbon atoms, an arylene group containing an aromatic ring, an alkylarylene group, An arylalkylene group. In addition, the hydrocarbon group in the case where R 11 and R 12 in R 7 and R 8 are hydrocarbon groups is the same as in the case of R 4 , R 5 and R 6 , and q is 1 to 10 Preferably there is.

及びRが−(R10O)−R11基である場合の式(II)で表わされる化合物の具体例としては、下記式で表わされる2つの化合物である。

Figure 2014132104
(式中、Xは式(I)と同様である。) Specific examples of the compound represented by the formula (II) when R 7 and R 8 are — (R 10 O) q —R 11 group include two compounds represented by the following formulas.
Figure 2014132104
(Wherein X is the same as in formula (I).)

上記式(II)で表わされる化合物は、下記式(III)で示されるスルホコハク酸誘導体であることがさらに好ましい。

Figure 2014132104
式(III)中、Mは、式(I)と同様である。m’は、Mの価数である。
13及びR14は、それぞれ、炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15はそれぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。3つのR17はそれぞれ炭化水素基である。 The compound represented by the above formula (II) is more preferably a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 2014132104
In formula (III), M is the same as in formula (I). m ′ is the valence of M.
R 13 and R 14 are each a hydrocarbon group or a — (R 15 O) r —R 16 group. R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. Each of the three R 17 is a hydrocarbon group.

13及びR14が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、R及びRと同様である。
13及びR14において、R15が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記R10と同様である。また、R13及びR14において、R16及びR17が炭化水素基である場合の炭化水素基としては、上記R、R及びRと同様である。
rは、1〜10であることが好ましい。
The hydrocarbon group when R 13 and R 14 are hydrocarbon groups is the same as R 7 and R 8 .
In R 13 and R 14 , the hydrocarbon group when R 15 is a hydrocarbon group is the same as R 10 described above. In R 13 and R 14 , the hydrocarbon group in the case where R 16 and R 17 are hydrocarbon groups is the same as R 4 , R 5 and R 6 described above.
r is preferably from 1 to 10.

13及びR14が−(R15O)−R16基である場合の具体例としては、R及びRにおける−(R10O)−R11と同様である。
13及びR14の炭化水素基としては、R及びRと同様であり、ブチル基、ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、デシル基が好ましい。
Specific examples in the case where R 13 and R 14 are — (R 15 O) r —R 16 groups are the same as those for — (R 10 O) q —R 11 in R 7 and R 8 .
The hydrocarbon group for R 13 and R 14 is the same as R 7 and R 8 and is preferably a butyl group, a hexyl group, a 2-ethylhexyl group, or a decyl group.

上記ドーパントはその構造を変えることにより、ポリアニリン複合体の導電性や、溶剤への溶解性をコントロールできることが知られている(特許第3384566号)。本発明においては、用途毎の要求特性によって最適なドーパントを選択できる。本発明において、式(I)で示される化合物としては、ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸、ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム(エーロゾルOT)が好ましい。本発明のドーパントとしては、ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸イオンが好ましい。   It is known that the conductivity of the polyaniline complex and the solubility in a solvent can be controlled by changing the structure of the above dopant (Japanese Patent No. 338466). In the present invention, an optimum dopant can be selected according to required characteristics for each application. In the present invention, the compound represented by the formula (I) is preferably di-2-ethylhexylsulfosuccinic acid or sodium di-2-ethylhexylsulfosuccinate (aerosol OT). As the dopant of the present invention, di-2-ethylhexyl sulfosuccinate ion is preferable.

ポリアニリン複合体のドーパントが、置換又は無置換のポリアニリンにドープしていることは、紫外・可視・近赤外分光法やX線光電子分光法によって確認することができ、当該ドーパントは、ポリアニリンにキャリアを発生させるに十分な酸性を有していれば、特に化学構造上の制限なく使用できる。   It can be confirmed that the dopant of the polyaniline complex is doped to the substituted or unsubstituted polyaniline by ultraviolet / visible / near-infrared spectroscopy or X-ray photoelectron spectroscopy. As long as it has sufficient acidity to generate odor, it can be used without any restriction on the chemical structure.

ポリアニリンに対するドーパントのドープ率は、好ましくは0.35以上0.65以下であり、より好ましくは0.42以上0.60以下であり、さらに好ましくは0.43以上0.57以下であり、特に好ましくは0.44以上0.55以下である。ドープ率が0.35未満である場合、ポリアニリン複合体の有機溶剤への溶解性が高くならないおそれがある。
尚、ドープ率は(ポリアニリンにドープしているドーパントのモル数)/(ポリアニリンのモノマーユニットのモル数)で定義される。例えば無置換ポリアニリンとドーパントを含むポリアニリン複合体のドープ率が0.5であることは、ポリアニリンのモノマーユニット分子2個に対し、ドーパントが1個ドープしていることを意味する。
The dopant doping ratio with respect to polyaniline is preferably 0.35 or more and 0.65 or less, more preferably 0.42 or more and 0.60 or less, and further preferably 0.43 or more and 0.57 or less. Preferably they are 0.44 or more and 0.55 or less. When the dope rate is less than 0.35, the solubility of the polyaniline complex in the organic solvent may not be increased.
The doping rate is defined by (number of moles of dopant doped in polyaniline) / (number of moles of monomer unit of polyaniline). For example, a doping ratio of a polyaniline complex containing unsubstituted polyaniline and a dopant of 0.5 means that one dopant is doped with respect to two monomer unit molecules of polyaniline.

尚、ドープ率は、ポリアニリン複合体中のドーパントとポリアニリンのモノマーユニットのモル数が測定できれば算出可能である。例えば、ドーパントが有機スルホン酸の場合、ドーパント由来の硫黄原子のモル数と、ポリアニリンのモノマーユニット由来の窒素原子のモル数を、有機元素分析法により定量し、これらの値の比を取ることでドープ率を算出できる。但し、ドープ率の算出方法は、当該手段に限定されない。   The dope rate can be calculated if the number of moles of the dopant and the polyaniline monomer unit in the polyaniline complex can be measured. For example, when the dopant is an organic sulfonic acid, the number of moles of sulfur atoms derived from the dopant and the number of moles of nitrogen atoms derived from the monomer unit of polyaniline are quantified by organic elemental analysis, and the ratio of these values is calculated. The doping rate can be calculated. However, the calculation method of the dope rate is not limited to the means.

ポリアニリン複合体は、無置換ポリアニリンとドーパントであるスルホン酸イオンとを含み、下記式(5)を満たすことが好ましい。
0.42≦S/N≦0.60 (5)
(式中、Sはポリアニリン複合体に含まれる硫黄原子のモル数の合計であり、Nはポリアニリン複合体に含まれる窒素原子のモル数の合計である。)
尚、上記窒素原子及び硫黄原子のモル数は、例えば有機元素分析法により測定した値である。
The polyaniline complex preferably contains unsubstituted polyaniline and a sulfonate ion as a dopant, and satisfies the following formula (5).
0.42 ≦ S 5 / N 5 ≦ 0.60 (5)
(In the formula, S 5 is the total number of moles of sulfur atoms contained in the polyaniline complex, and N 5 is the total number of moles of nitrogen atoms contained in the polyaniline complex.)
The number of moles of nitrogen and sulfur atoms is a value measured by, for example, an organic elemental analysis method.

ポリアニリン複合体は、さらにリンを含んでも含まなくてもよい。
ポリアニリン複合体がリンを含む場合、リンの含有量は例えば10重量ppm以上5000重量ppm以下である。またリンの含有量は、例えば2000重量ppm以下、500重量ppm以下、250重量ppm以下である。
上記リンの含有量は、ICP発光分光分析法で測定することができる。
また、ポリアニリン複合体は、不純物として第12族元素(例えば亜鉛)を含まないことが好ましい。
The polyaniline complex may or may not further contain phosphorus.
When the polyaniline complex contains phosphorus, the phosphorus content is, for example, not less than 10 ppm by weight and not more than 5000 ppm by weight. Moreover, phosphorus content is 2000 weight ppm or less, 500 weight ppm or less, and 250 weight ppm or less, for example.
The phosphorus content can be measured by ICP emission spectrometry.
Moreover, it is preferable that a polyaniline composite does not contain a Group 12 element (for example, zinc) as an impurity.

ポリアニリン複合体は、周知の製造方法で製造することができる。例えば、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、2つの液相を有する溶液中で、置換又は無置換のアニリンを化学酸化重合することにより製造できる。また、置換又は無置換のアニリン、プロトン供与体、リン酸、及びプロトン供与体とは異なる乳化剤を含み、2つの液相を有する溶液中に、酸化重合剤を加えることにより製造できる。
尚、乳化剤は、後述する転相を防ぐ役割を担っていると考えられる。プロトン供与体及びリン酸を含み2つの液相を有する溶液中で、置換又は無置換のアニリンを化学酸化重合してポリアニリン複合体を製造すると、リン酸ではなく塩酸を用いていた場合に比べて、低分子量成分が増えてしまう。ここでリン酸を用いた際の重合中の様子から、上記2つの液相は重合中に転相を起こしていると考えられる。そして、この転相が低分子量成分を増やす理由と考えられる。この転相という現象は、連続相であった液相が分散相へ、分散相であった他方の液相が連続相へ変化する現象である。
The polyaniline complex can be produced by a known production method. For example, it can be produced by chemical oxidative polymerization of a substituted or unsubstituted aniline in a solution containing a proton donor, phosphoric acid, and an emulsifier different from the proton donor and having two liquid phases. Moreover, it can manufacture by adding an oxidation polymerization agent in the solution which contains the emulsifier different from a substituted or unsubstituted aniline, a proton donor, phosphoric acid, and a proton donor, and has two liquid phases.
In addition, it is thought that the emulsifier plays the role which prevents the phase inversion mentioned later. When a polyaniline complex is produced by chemically oxidatively polymerizing a substituted or unsubstituted aniline in a solution containing a proton donor and phosphoric acid and having two liquid phases, compared to the case where hydrochloric acid is used instead of phosphoric acid. , Low molecular weight components will increase. From the state during polymerization when phosphoric acid is used, it is considered that the two liquid phases cause phase inversion during the polymerization. And it is thought that this phase inversion increases the low molecular weight component. This phenomenon of phase inversion is a phenomenon in which the liquid phase that was a continuous phase changes to a dispersed phase, and the other liquid phase that was a dispersed phase changes to a continuous phase.

ここで「2つの液相を有する溶液」とは、溶液中に相溶しない2つの液相が存在する状態を意味する。例えば、溶液中に「高極性溶媒の相」と「低極性溶媒の相」が存在する状態、を意味する。
また、「2つの液相を有する溶液」は、片方の液相が連続相であり、他方の液相が分散相である状態も含む。例えば「高極性溶媒の相」が連続相であり「低極性溶媒の相」が分散相である状態、及び「低極性溶媒の相」が連続相であり「高極性溶媒の相」が分散相である状態が含まれる。
上記ポリアニリン複合体の製造方法に用いる高極性溶媒としては、水が好ましく、低極性溶媒としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素が好ましい。
Here, the “solution having two liquid phases” means a state in which two liquid phases that are incompatible with each other exist in the solution. For example, it means a state in which a “high polarity solvent phase” and a “low polarity solvent phase” exist in the solution.
Further, “a solution having two liquid phases” includes a state in which one liquid phase is a continuous phase and the other liquid phase is a dispersed phase. For example, a state where the “high polarity solvent phase” is a continuous phase and the “low polarity solvent phase” is a dispersed phase, and the “low polarity solvent phase” is a continuous phase and the “high polarity solvent phase” is a dispersed phase. Is included.
As a highly polar solvent used for the manufacturing method of the said polyaniline composite_body | complex, water is preferable and aromatic hydrocarbons, such as toluene and xylene, are preferable as a low polarity solvent, for example.

上記プロトン供与体は、好ましくは上記式(I)で表わされる化合物である。
プロトン供与体の使用量は、アニリン単量体1molに対して好ましくは0.1〜0.5molであり、より好ましくは0.3〜0.45molであり、さらに好ましくは0.35〜0.4molである。
プロトン供与体の使用量が当該範囲より多い場合、重合終了後に例えば「高極性溶剤の相」と「低極性溶剤の相」を分離することができないおそれがある。
The proton donor is preferably a compound represented by the above formula (I).
The amount of the proton donor used is preferably 0.1 to 0.5 mol, more preferably 0.3 to 0.45 mol, and still more preferably 0.35 to 0.005 mol per mol of the aniline monomer. 4 mol.
When the amount of the proton donor used is larger than the above range, for example, there is a possibility that the “high-polar solvent phase” and the “low-polar solvent phase” cannot be separated after completion of polymerization.

上記乳化剤は、親水性部分がイオン性であるイオン性乳化剤、及び親水性部分が非イオン性である非イオン性乳化剤のどちらでも使用でき、また、1種又は2種以上の乳化剤を混合して使用してもよい。   The emulsifier can be either an ionic emulsifier whose hydrophilic part is ionic or a nonionic emulsifier whose non-ionic hydrophilic part is used, or a mixture of one or more emulsifiers. May be used.

イオン性乳化剤としては、カチオン性乳化剤、アニオン性乳化剤及び双性乳化剤が挙げられる。
アニオン性乳化剤(陰イオン乳化剤)の具体例としては、脂肪酸、不均化ロジン石けん、高級アルコールエステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸、アルケニルコハク酸、ザルコシネート、及びそれらの塩が挙げられる。
カチオン性乳化剤(陽イオン乳化剤)の具体例としては、アルキルジメチルベンジルアンモニウム塩、アルキルトリメチルアンモニウム塩が挙げられる。
双性乳化剤(両イオン乳化剤)の具体例としては、アルキルベタイン型、アルキルアミドベタイン型、アミノ酸型、アミンオキサイド型が挙げられる。
非イオン乳化剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールポリエチレングリコールエーテル、ポリオキシエチレングリセロールボレート脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルが挙げられる。
Examples of the ionic emulsifier include a cationic emulsifier, an anionic emulsifier, and a zwitter emulsifier.
Specific examples of the anionic emulsifier (anionic emulsifier) include fatty acids, disproportionated rosin soaps, higher alcohol esters, polyoxyethylene alkyl ether phosphates, alkenyl succinic acids, sarcosinates, and salts thereof.
Specific examples of the cationic emulsifier (cationic emulsifier) include alkyl dimethyl benzyl ammonium salt and alkyl trimethyl ammonium salt.
Specific examples of the zwitterionic emulsifier (both ion emulsifier) include alkyl betaine type, alkyl amide betaine type, amino acid type, and amine oxide type.
Specific examples of the nonionic emulsifier include polyoxyethylene alkyl ether, polypropylene glycol polyethylene glycol ether, polyoxyethylene glycerol borate fatty acid ester, and polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester.

上記乳化剤のうち、アニオン性乳化剤及び非イオン乳化剤が好ましい。
アニオン性乳化剤としては、リン酸エステル構造を有するアニオン性乳化剤がさらに好ましい。また、非イオン乳化剤としては、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル構造を有する非イオン乳化剤がさらに好ましい。
Of the above emulsifiers, anionic emulsifiers and nonionic emulsifiers are preferred.
As the anionic emulsifier, an anionic emulsifier having a phosphate ester structure is more preferable. Further, as the nonionic emulsifier, a nonionic emulsifier having a polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester structure is more preferable.

乳化剤の使用量は、アニリン単量体1molに対して好ましくは0.001〜0.1molであり、より好ましくは0.002〜0.02molであり、さらに好ましくは0.003〜0.01molである。
乳化剤の使用量が当該範囲より多い場合、重合終了後に「高極性溶剤の相」と「低極性溶剤の相」を分離することができないおそれがある。
The amount of the emulsifier used is preferably 0.001 to 0.1 mol, more preferably 0.002 to 0.02 mol, and still more preferably 0.003 to 0.01 mol with respect to 1 mol of the aniline monomer. is there.
When the amount of the emulsifier used is larger than the above range, the “high polar solvent phase” and the “low polar solvent phase” may not be separated after the completion of the polymerization.

リン酸の使用濃度は、高極性溶媒に対して0.3〜6mol/Lであり、より好ましくは1〜4mol/Lであり、さらに好ましくは1〜2mol/Lである。   The use concentration of phosphoric acid is 0.3 to 6 mol / L, more preferably 1 to 4 mol / L, still more preferably 1 to 2 mol / L with respect to the highly polar solvent.

化学酸化重合に用いる酸化剤としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、過酸化水素のような過酸化物;二クロム酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、硫酸カリウム鉄(III)、三塩化鉄(III)、二酸化マンガン、ヨウ素酸、過マンガン酸カリウム、あるいはパラトルエンスルホン酸鉄等が使用でき、好ましくは過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩である。
これら酸化剤は単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
Oxidizing agents used for chemical oxidative polymerization include peroxides such as sodium persulfate, potassium persulfate, ammonium persulfate, hydrogen peroxide; ammonium dichromate, ammonium perchlorate, potassium iron (III) sulfate, trichloride Iron (III), manganese dioxide, iodic acid, potassium permanganate, iron paratoluenesulfonate, etc. can be used, and persulfates such as ammonium persulfate are preferred.
These oxidizing agents may be used alone or in combination of two or more.

酸化剤の使用量は、アニリン単量体1molに対して好ましくは0.05〜1.8molであり、より好ましくは0.8〜1.6molであり、さらに好ましくは1.2〜1.4molである。酸化剤の使用量を当該範囲とすることで、十分な重合度が得られる。また、アニリンが十分に重合しているので、分液回収が容易であり、また重合体の溶解性が低下するおそれもない。
重合温度は通常−5〜60℃で、好ましくは−5〜40℃である。また、重合温度は重合反応の途中に変えてもよい。重合温度が当該範囲であることで、副反応を回避することができる。
The amount of the oxidizing agent used is preferably 0.05 to 1.8 mol, more preferably 0.8 to 1.6 mol, still more preferably 1.2 to 1.4 mol, relative to 1 mol of the aniline monomer. It is. A sufficient degree of polymerization can be obtained by setting the amount of the oxidizing agent used within the above range. Further, since aniline is sufficiently polymerized, it is easy to recover the liquid separation, and there is no possibility that the solubility of the polymer is lowered.
The polymerization temperature is usually −5 to 60 ° C., preferably −5 to 40 ° C. The polymerization temperature may be changed during the polymerization reaction. Side reactions can be avoided when the polymerization temperature is within this range.

ポリアニリン複合体は、具体的には以下の方法で製造することができる。
プロトン供与体及び乳化剤をトルエンに溶解した溶液を、窒素等の不活性雰囲気の気流下においたセパラブルフラスコに入れ、さらにこの溶液に、置換又は無置換のアニリンを加える。その後、不純物として塩素を含まないリン酸を溶液に添加し、溶液温度を冷却する。
Specifically, the polyaniline complex can be produced by the following method.
A solution in which a proton donor and an emulsifier are dissolved in toluene is placed in a separable flask placed in a stream of inert atmosphere such as nitrogen, and a substituted or unsubstituted aniline is added to the solution. Thereafter, phosphoric acid containing no chlorine as an impurity is added to the solution, and the solution temperature is cooled.

溶液内温を冷却した後、撹拌を行う。過硫酸アンモニウムをリン酸に溶解した溶液を、滴下ロートを用いて滴下し、反応させる。その後、溶液温度を上昇させ、反応を継続する。反応終了後、静置することで二相に分離した水相側を分液する。有機相側にトルエンを追加し、リン酸及びイオン交換水で洗浄を行うことでポリアニリン複合体(プロトネーションされたポリアニリン)トルエン溶液が得られる。
得られた複合体溶液に含まれる若干の不溶物を除去し、ポリアニリン複合体のトルエン溶液を回収する。この溶液をエバポレーターに移し、加温及び減圧することにより、揮発分を蒸発留去し、ポリアニリン複合体が得られる。
After the solution internal temperature is cooled, stirring is performed. A solution in which ammonium persulfate is dissolved in phosphoric acid is dropped using a dropping funnel and reacted. Thereafter, the solution temperature is raised and the reaction is continued. After completion of the reaction, the aqueous phase separated into two phases by standing is separated. Toluene is added to the organic phase side and washed with phosphoric acid and ion-exchanged water to obtain a polyaniline complex (protonated polyaniline) toluene solution.
Some insolubles contained in the obtained complex solution are removed, and a toluene solution of the polyaniline complex is recovered. The solution is transferred to an evaporator, heated and decompressed to evaporate and remove volatile components, whereby a polyaniline complex is obtained.

ポリピロールの分子量、分子量分布、置換ポリピロールの置換基は上記ポリアニリンと同様である。   The molecular weight of polypyrrole, the molecular weight distribution, and the substituent of the substituted polypyrrole are the same as those of the above polyaniline.

ポリピロール複合体のドーパントとしては、特に制限はなく、一般的にピロール及び/又はピロール誘導体の重合体を含んでなる導電性ポリマーに好適に用いられるアクセプター性ドーパントを適宜使用できる。
代表的なものとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アリルスルホン酸等のスルホン酸類、過塩素酸、塩素、臭素等のハロゲン類、ルイス酸、プロトン酸等がある。これらは、酸形態であってよいし、塩形態にあることもできる。モノマーに対する溶解性の観点から好ましいものは、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、過塩素酸テトラエチルアンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、トリフルオロメタンスルホン酸テトラブチルアンモニウム、トリフルオロスルホンイミドテトラブチルアンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等である。
There is no restriction | limiting in particular as a dopant of a polypyrrole composite_body | complex, The acceptor type dopant used suitably for the conductive polymer which generally contains the polymer of a pyrrole and / or a pyrrole derivative can be used suitably.
Typical examples include polystyrene sulfonic acid, paratoluene sulfonic acid, methane sulfonic acid, trifluoromethane sulfonic acid, anthraquinone sulfonic acid, benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, sulfosalicylic acid, dodecyl benzene sulfonic acid, allyl sulfonic acid. Sulfonic acids such as perchloric acid, halogens such as chlorine and bromine, Lewis acids, proton acids and the like. These may be in the acid form or in the salt form. Preferred from the viewpoint of solubility in monomers, tetrabutylammonium perchlorate, tetraethylammonium perchlorate, tetrabutylammonium tetrafluoroborate, tetrabutylammonium trifluoromethanesulfonate, tetrabutylammonium trifluorosulfonimide, dodecylbenzene Examples thereof include sulfonic acid and p-toluenesulfonic acid.

ドーパントを使用する場合のドーパントの使用量は、ピロール重合体単位ユニット当たりドーパント0.01〜0.3分子となる量が好ましい。0.01分子以下では、十分な導電性パスを形成するに必要なドーパント量としては不十分であり、高い導電性を得ることが難しい。一方、0.3分子以上加えてもドープ率は向上しないから、0.3分子以上のドーパントの添加は経済上好ましくない。ここでピロール重合体単位ユニットとは、ピロールモノマーが重合して得られるピロール重合体のモノマー1分子に対応する繰返し部分のことを指す。   When the dopant is used, the dopant is preferably used in an amount of 0.01 to 0.3 molecule of dopant per pyrrole polymer unit unit. When the amount is 0.01 molecule or less, the amount of dopant necessary to form a sufficient conductive path is insufficient, and it is difficult to obtain high conductivity. On the other hand, addition of 0.3 molecule or more does not improve the doping rate, so the addition of 0.3 molecule or more dopant is not economically preferable. Here, the pyrrole polymer unit unit refers to a repeating portion corresponding to one molecule of a pyrrole polymer monomer obtained by polymerizing a pyrrole monomer.

ポリチオフェンの分子量、分子量分布、置換ポリチオフェンの置換基は上記ポリアニリンと同様である。置換ポリチオフェンとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)が好ましい。   The molecular weight of polythiophene, the molecular weight distribution, and the substituent of the substituted polythiophene are the same as those of the polyaniline. As the substituted polythiophene, polyethylenedioxythiophene (PEDOT) is preferable.

ポリチオフェン複合体のドーパントとしては、アニオン系界面活性剤の有機酸イオン、無機酸イオンが挙げられる。アニオン系界面活性剤の有機酸イオンとしては、スルホン酸系イオン、エステル化された硫酸イオン等が挙げられる。無機酸イオンとしては、硫酸イオン、ハロゲンイオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、ヘキサシアノ鉄酸イオン、リン酸イオン、リンモリブデン酸イオン等が挙げられる。   Examples of the dopant of the polythiophene complex include organic acid ions and inorganic acid ions of an anionic surfactant. Examples of the organic acid ions of the anionic surfactant include sulfonic acid ions and esterified sulfate ions. Examples of inorganic acid ions include sulfate ions, halogen ions, nitrate ions, perchlorate ions, hexacyanoferrate ions, phosphate ions, and phosphomolybdate ions.

[ウレタン樹脂]
ウレタン樹脂としては、例えば、ポリイソシアネートとポリオールを反応させて得られるもの等を用いることができる。
[Urethane resin]
As the urethane resin, for example, those obtained by reacting polyisocyanate and polyol can be used.

ポリイソシアネートとしては、少なくとも2つ以上のイソシアネート基を有する化合物であれば、特に限定されず公知のものを使用することができる。
具体的には、例えば、TDI(トリレンジイソシアネート)系、MDI(ジフェニルメタンジイソシアネート)系、XDI(キシリレンジイソシアネート)系、NDI(ナフチレン1,5−ジイソシアネート)系、TMXDI(テトラメチレンキシリレンジイソシアネート)系等の芳香族系イソシアネート、IPDI(イソホロンジイソシアネート)系、H12MDI(水添MDI、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート)系、H6XDI(水添XDI)系等の脂環族系イソシアネート、HDI(ヘキサメチレンジイソシアネート)系、DDI(ダイマー酸ジイソシアネート)系、NBDI(ノルボルネン・ジイソシアネート)系等の脂肪族系イソシアネート等がある。これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。
The polyisocyanate is not particularly limited as long as it is a compound having at least two isocyanate groups, and known ones can be used.
Specifically, for example, TDI (tolylene diisocyanate), MDI (diphenylmethane diisocyanate), XDI (xylylene diisocyanate), NDI (naphthylene 1,5-diisocyanate), TMXDI (tetramethylene xylylene diisocyanate) Aromatic isocyanate such as IPDI (isophorone diisocyanate), H12MDI (hydrogenated MDI, dicyclohexylmethane diisocyanate), H6XDI (hydrogenated XDI), and the like, HDI (hexamethylene diisocyanate), DDI There are aliphatic isocyanates such as (dimer acid diisocyanate) and NBDI (norbornene diisocyanate). These may be used alone or in combination of two or more.

また、ポリオールとしては、ポリオキシエチレングリコール、ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシテトラメチレングリコール等のポリエーテルポリオール類、ポリエチレンアジペート、ポリエチレン−ブチレンアジペート、ポリカプロラクトン等のポリエステルポリオール類、アクリル系ポリオール、ポリカーボネート系ポリオール、ポリジメチルシロキサン−エチレンオキサイド付加物、ポリジメチルシロキサン−プロピレンオキサイド付加物、ひまし油等を挙げることができる。これらは1種を単独で用いても2種以上を併用してもよい。   Polyols include polyether polyols such as polyoxyethylene glycol, polyoxypropylene glycol, and polyoxytetramethylene glycol, polyester polyols such as polyethylene adipate, polyethylene-butylene adipate, and polycaprolactone, acrylic polyols, and polycarbonates. Examples thereof include polyols, polydimethylsiloxane-ethylene oxide adducts, polydimethylsiloxane-propylene oxide adducts, and castor oil. These may be used alone or in combination of two or more.

ウレタン樹脂は柔らかく延伸性があるため、ポリアニリンと混合してもポリアニリンが有する延伸追随性を損ねることはない。
塗膜中のウレタン樹脂の含有量、即ち、組成物中の導電性ポリマー及びウレタン樹脂の合計に対するウレタン樹脂の割合は10wt%〜90wt%が好ましく、より好ましくは20wt%〜80wt%であり、さらに好ましくは30wt%〜60wt%であり、最も好ましくは40wt%〜60wt%である。
含有量が少なすぎると、基材への密着性が発現せず容易に剥離してしまうおそれがある。また、多すぎるとポリアニリンの割合が低下するため、めっきの析出性が悪化するおそれがある。
Since the urethane resin is soft and stretchable, even if it is mixed with polyaniline, the stretch following property of polyaniline is not impaired.
The content of the urethane resin in the coating film, that is, the ratio of the urethane resin to the total of the conductive polymer and the urethane resin in the composition is preferably 10 wt% to 90 wt%, more preferably 20 wt% to 80 wt%, Preferably it is 30 wt%-60 wt%, Most preferably, it is 40 wt%-60 wt%.
When there is too little content, there exists a possibility that the adhesiveness to a base material may not express but it may peel easily. Moreover, since the ratio of polyaniline will fall when there is too much, there exists a possibility that the precipitation of plating may deteriorate.

ウレタン樹脂としては、具体的に、ハイドランAP−20、AP−30F、AP−40F、WLS−213等のハイドランシリーズ(DIC社製)、ユーコートUX−150、UX−200、UX−310、UWS−145等のユーコートシリーズ(三洋化成社製)、アクリットWBR−2018、WBR−016U、WEM−3008等のアクリットシリーズ(大成ファインケミカル社製)、PTG−RSN(DICグラフィックス社製)等が挙げられる。   Specific examples of the urethane resin include hydran series (manufactured by DIC) such as hydran AP-20, AP-30F, AP-40F, WLS-213, U-coat UX-150, UX-200, UX-310, UWS. U-coat series (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd.) such as -145, Acryt series (manufactured by Taisei Fine Chemical Co., Ltd.) such as ACRITT WBR-2018, WBR-016U, WEM-3008, PTG-RSN (manufactured by DIC Graphics), etc. It is done.

ウレタン樹脂は、通常、下記式で表される構造を有する。

Figure 2014132104
式中、R及びXは、それぞれウレタン樹脂を合成する際のモノマーに由来する、置換もしくは無置換の2価の芳香族炭化水素基、置換もしくは無置換の2価の脂肪族炭化水素基、又は1以上の置換もしくは無置換の2価の芳香族炭化水素基と1以上の置換もしくは無置換の2価の脂肪族炭化水素基とを任意の順で結合した2価の基である。
2価の芳香族炭化水素基としては、環形成炭素数6〜50の芳香族炭化水素基等が挙げられる。具体的には、フェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。
2価の脂肪族炭化水素基としては、炭素数6〜50の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数6〜50の分岐状脂肪族炭化水素基等が挙げられる。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
1以上の2価の芳香族炭化水素基と1以上の2価の脂肪族炭化水素基とを任意の順で結合した2価の基としては、フェニレン基とメチレン基が結合した基、ナフチレン基とエチレン基が結合した基等が挙げられる。
置換基を有する場合の置換基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アミノ基等が挙げられる。 The urethane resin usually has a structure represented by the following formula.
Figure 2014132104
In the formula, R and X are each a substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon group, a substituted or unsubstituted divalent aliphatic hydrocarbon group derived from a monomer for the synthesis of a urethane resin, or A divalent group in which one or more substituted or unsubstituted divalent aromatic hydrocarbon groups and one or more substituted or unsubstituted divalent aliphatic hydrocarbon groups are bonded in any order.
Examples of the divalent aromatic hydrocarbon group include an aromatic hydrocarbon group having 6 to 50 ring carbon atoms. Specific examples include a phenylene group and a naphthylene group.
Examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group include a linear aliphatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms and a branched aliphatic hydrocarbon group having 6 to 50 carbon atoms. Specific examples include a methylene group, an ethylene group, and a propylene group.
As the divalent group in which one or more divalent aromatic hydrocarbon groups and one or more divalent aliphatic hydrocarbon groups are bonded in any order, a group in which a phenylene group and a methylene group are bonded, a naphthylene group And a group in which an ethylene group is bonded.
Examples of the substituent in the case of having a substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a nitro group, a cyano group, and an amino group.

本発明の組成物は、本発明の効果を損ねない範囲において、導電性ポリマー、ウレタン樹脂及び溶媒以外の他の成分を含有していてもよいし、実質的に導電性ポリマー、ウレタン樹脂及び溶媒のみ、又は導電性ポリマー、ウレタン樹脂及び溶媒のみからなっていてもよい。
ここで、「実質的」とは、組成物の95重量%以上100重量%以下(好ましくは98重量%以上100重量%以下)が導電性ポリマー、ウレタン樹脂及び溶媒であることを意味する。
他の成分としては、後述するフェノール性化合物、耐熱安定化剤等が挙げられる。
The composition of the present invention may contain other components other than the conductive polymer, the urethane resin and the solvent within the range not impairing the effects of the present invention, and substantially contains the conductive polymer, the urethane resin and the solvent. Or a conductive polymer, a urethane resin and a solvent alone.
Here, “substantially” means that 95% to 100% by weight (preferably 98% to 100% by weight) of the composition is a conductive polymer, a urethane resin, and a solvent.
Examples of other components include phenolic compounds and heat stabilizers described later.

本発明の組成物は、導電性ポリマーとしてポリアニリン複合体を含む場合、さらにフェノール性化合物を含んでいてもよい。
フェノール性化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物であれば特に限定されない。フェノール性水酸基を有する化合物とは、フェノール性水酸基を1つ有する化合物、フェノール性水酸基を複数有する化合物、及びフェノール性水酸基を1つ又は複数有する繰り返し単位から構成されるポリマー化合物である。
When the composition of the present invention contains a polyaniline complex as a conductive polymer, it may further contain a phenolic compound.
The phenolic compound is not particularly limited as long as it is a compound having a phenolic hydroxyl group. The compound having a phenolic hydroxyl group is a polymer compound composed of a compound having one phenolic hydroxyl group, a compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups, and a repeating unit having one or more phenolic hydroxyl groups.

フェノール性水酸基を1つ有する化合物は、好ましくは下記式(A)、(B)及び(C)で表わされる化合物である。

Figure 2014132104
(式中、nは1〜5の整数であり、好ましくは1〜3であり、より好ましくは1である。
Rは、炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。) The compound having one phenolic hydroxyl group is preferably a compound represented by the following formulas (A), (B) and (C).
Figure 2014132104
(In formula, n is an integer of 1-5, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkylaryl group, or an arylalkyl group. )

式(A)で表されるフェノール性化合物において、−ORの置換位置はフェノール性水酸基に対し、メタ位、又はパラ位であることが好ましい。−ORの置換位置をメタ位又はパラ位とすることにより、フェノール性水酸基の立体障害が低減され、組成物の導電性をより高めることができる。   In the phenolic compound represented by the formula (A), the substitution position of -OR is preferably a meta position or a para position with respect to the phenolic hydroxyl group. By making the substitution position of —OR the meta position or the para position, the steric hindrance of the phenolic hydroxyl group is reduced, and the conductivity of the composition can be further increased.

式(A)で表わされるフェノール性化合物の具体例としては、メトキシフェノール(例えば4−メトキシフェノール)、エトキシフェノール、プロポキシフェノール、イソプロポキシフェノール、ブチルオキシフェノール、イソブチルオキシフェノール、ターシャルブチルオキシフェノールが挙げられる。   Specific examples of the phenolic compound represented by the formula (A) include methoxyphenol (for example, 4-methoxyphenol), ethoxyphenol, propoxyphenol, isopropoxyphenol, butyloxyphenol, isobutyloxyphenol, and tertiary butyloxyphenol. Can be mentioned.

Figure 2014132104
(式中、nは0〜7の整数であり、好ましくは0〜3であり、より好ましくは1である。
Rは、それぞれ炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。)
式(B)で表わされるフェノール性化合物の具体例としては、ヒドロキシナフタレンが挙げられる。
Figure 2014132104
(In formula, n is an integer of 0-7, Preferably it is 0-3, More preferably, it is 1.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, an alkylthio group, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkylaryl group, or an arylalkyl group. )
Specific examples of the phenolic compound represented by the formula (B) include hydroxynaphthalene.

Figure 2014132104
(式中、nは1〜5の整数であり、好ましくは1〜3であり、より好ましくは1である。
Rは、それぞれ炭素数1〜20のアルキル基、アルケニル基、アルキルチオ基、炭素数3〜10のシクロアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、アルキルアリール基又はアリールアルキル基である。)
式(C)で表わされる化合物の具体例としては、o−,m−もしくはp−クレゾール、o−,m−もしくはp−エチルフェノール、o−,m−もしくはp−プロピルフェノール(例えば4−イソプロピルフェノール)、o−,m−もしくはp−ブチルフェノール、o−,m−もしくはp−ペンチルフェノール(例えば、4−tert−ペンチルフェノール)が挙げられる。
Figure 2014132104
(In formula, n is an integer of 1-5, Preferably it is 1-3, More preferably, it is 1.
R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group, an alkylthio group, a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an alkylaryl group, or an arylalkyl group. )
Specific examples of the compound represented by the formula (C) include o-, m- or p-cresol, o-, m- or p-ethylphenol, o-, m- or p-propylphenol (for example, 4-isopropyl Phenol), o-, m- or p-butylphenol, o-, m- or p-pentylphenol (for example, 4-tert-pentylphenol).

式(A)、(B)及び(C)のRについて、炭素数1〜20のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ターシャルブチル等が挙げられる。
アルケニル基としては、上述したアルキル基の分子内に不飽和結合を有する基が挙げられる。
シクロアルキル基としては、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル、ナフチル等が挙げられる。
アルキルアリール基、及びアリールアルキル基としては、上述したアルキル基とアリール基を組み合わせて得られる基等が挙げられる。
Regarding R in formulas (A), (B), and (C), examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, and tertiary butyl.
Examples of the alkenyl group include groups having an unsaturated bond in the molecule of the alkyl group described above.
Examples of the cycloalkyl group include cyclopentane and cyclohexane.
Examples of the aryl group include phenyl and naphthyl.
Examples of the alkylaryl group and the arylalkyl group include groups obtained by combining the above-described alkyl group and aryl group.

上記フェノール性水酸基を1つ有する化合物の例を示したが、置換フェノール類の具体例としてはフェノール、o−,m−もしくはp−クロロフェノール、サリチル酸、ヒドロキシ安息香酸が挙げられる。フェノール性水酸基を複数有する化合物の具体例としてはカテコール、レゾルシノール、下記式(D)で表される化合物が挙げられる。

Figure 2014132104
(式中、Rは炭化水素基、ヘテロ原子含有炭化水素基、ハロゲン原子、カルボン酸基、アミノ基、SH基、スルホン酸基、又は水酸基であり、複数のRはそれぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。nは0〜6の整数である。) Although the example of the compound which has one said phenolic hydroxyl group was shown, a phenol, o-, m- or p-chlorophenol, a salicylic acid, hydroxybenzoic acid is mentioned as a specific example of substituted phenols. Specific examples of the compound having a plurality of phenolic hydroxyl groups include catechol, resorcinol, and a compound represented by the following formula (D).
Figure 2014132104
(In the formula, R is a hydrocarbon group, a hetero atom-containing hydrocarbon group, a halogen atom, a carboxylic acid group, an amino group, an SH group, a sulfonic acid group, or a hydroxyl group. May be different, n is an integer from 0 to 6.)

式(D)で表わされるフェノール性化合物は、互いに隣接しない2以上の水酸基を有することが好ましい。
また、式(D)で表されるフェノール性化合物の具体例としては、1,6−ナフタレンジオール、2,6−ナフタレンジオール、2,7−ナフタレンジオールが挙げられる。
The phenolic compound represented by the formula (D) preferably has two or more hydroxyl groups that are not adjacent to each other.
Specific examples of the phenolic compound represented by the formula (D) include 1,6-naphthalenediol, 2,6-naphthalenediol, and 2,7-naphthalenediol.

フェノール性水酸基を1つ又は複数有する繰り返し単位から構成されるポリマー化合物の具体例としては、フェノール樹脂、ポリフェノール、ポリ(ヒドロキシスチレン)が挙げられる。   Specific examples of the polymer compound composed of a repeating unit having one or more phenolic hydroxyl groups include phenol resin, polyphenol, and poly (hydroxystyrene).

本発明の組成物が導電性ポリマーとしてポリアニリン複合体を含む場合、フェノール性化合物の含有量は、好ましくはポリアニリン複合体1gに対してフェノール性化合物のモル濃度が0.01[mmol/g]以上100[mol/g]以下、より好ましくは0.05[mmol/g]以上1[mol/g]以下、さらに好ましくは0.1[mmol/g]以上500[mmol/g]以下、特に好ましくは0.2[mmol/g]以上80[mmol/g]以下の範囲である。
フェノール性化合物の含有量が少なすぎる場合、電気伝導率の改善効果が得られないおそれがある。一方、フェノール性化合物の含有量が多すぎる場合、膜質が悪くなるおそれがある。また、揮発除去する際に多大な熱や時間等の労力を必要としコスト増となる。
When the composition of the present invention contains a polyaniline complex as a conductive polymer, the phenolic compound content is preferably such that the molar concentration of the phenolic compound is 0.01 [mmol / g] or more per 1 g of the polyaniline complex. 100 [mol / g] or less, more preferably 0.05 [mmol / g] or more and 1 [mol / g] or less, further preferably 0.1 [mmol / g] or more and 500 [mmol / g] or less, particularly preferably Is in the range of 0.2 [mmol / g] to 80 [mmol / g].
When there is too little content of a phenolic compound, there exists a possibility that the electrical conductivity improvement effect may not be acquired. On the other hand, when there is too much content of a phenolic compound, there exists a possibility that film quality may worsen. In addition, a large amount of heat, time, and other labor are required to volatilize and remove, which increases costs.

本発明の組成物は、導電性ポリマーとしてポリアニリン複合体を含む場合、さらに耐熱安定化剤を含んでいてもよい。
耐熱安定化剤とは、酸性物質又は酸性物質の塩であり、酸性物質は有機酸(有機化合物の酸)、無機酸(無機化合物の酸)のいずれでもよい。また、導電性ポリマー層は、複数の耐熱安定化剤を含んでいてもよい。
When the composition of the present invention contains a polyaniline complex as a conductive polymer, it may further contain a heat resistance stabilizer.
The heat resistance stabilizer is an acidic substance or a salt of an acidic substance, and the acidic substance may be either an organic acid (an acid of an organic compound) or an inorganic acid (an acid of an inorganic compound). Further, the conductive polymer layer may contain a plurality of heat stabilizers.

本発明の組成物が耐熱安定化剤として酸性物質のみを含む場合は、当該酸性物質は、好ましくはポリアニリン複合体のプロトン供与体と異なる化合物であり、本発明の組成物が耐熱安定化剤として酸性物質の塩のみを含む場合には、当該酸性物質の塩は、好ましくはポリアニリン複合体のプロトン供与体と異なる化合物である。
また、本発明の組成物が耐熱安定化剤として酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合は、好ましくは当該酸性物質及び酸性物質の塩のうち、少なくとも1つはプロトン供与体と異なる化合物である。
When the composition of the present invention contains only an acidic substance as a heat stabilizer, the acidic substance is preferably a compound different from the proton donor of the polyaniline complex, and the composition of the present invention is used as a heat stabilizer. When only the salt of the acidic substance is contained, the salt of the acidic substance is preferably a compound different from the proton donor of the polyaniline complex.
In addition, when the composition of the present invention contains both an acidic substance and an acidic substance salt as a heat stabilizer, preferably at least one of the acidic substance and the acidic substance salt is a compound different from the proton donor. It is.

本発明の組成物が、耐熱安定化剤として酸性物質のみを含む場合には、好ましくは当該酸性物質はフェノール性化合物とは異なり、本発明の組成物が、耐熱安定化剤として酸性物質の塩のみを含む場合には、好ましくは当該酸性物質の塩は、フェノール性化合物とは異なる。
また、本発明の組成物が、耐熱安定化剤として酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合には、好ましくは当該酸性物質及び酸性物質の塩のうち少なくとも1つは、フェノール性化合物と異なる。
When the composition of the present invention contains only an acidic substance as a heat stabilizer, the acidic substance is preferably different from a phenolic compound, and the composition of the present invention is a salt of an acidic substance as a heat stabilizer. In the case where only the salt is contained, preferably the salt of the acidic substance is different from the phenolic compound.
Further, when the composition of the present invention contains both an acidic substance and an acidic substance salt as a heat stabilizer, preferably at least one of the acidic substance and the acidic substance salt is a phenolic compound and Different.

耐熱安定化剤である酸性物質は、好ましくは有機酸であり、より好ましくはスルホン酸基、カルボキシ基、リン酸基、又はホスホン酸基を1以上有する有機酸であり、さらに好ましくは、スルホン酸基を1以上有する有機酸である。   The acidic substance that is a heat-resistant stabilizer is preferably an organic acid, more preferably an organic acid having one or more sulfonic acid groups, carboxy groups, phosphoric acid groups, or phosphonic acid groups, and more preferably sulfonic acid. An organic acid having one or more groups.

上記スルホン酸基を1以上有する有機酸は、好ましくはスルホン酸基を1以上有する、環状、鎖状もしくは分岐のアルキルスルホン酸、置換もしくは無置換の芳香族スルホン酸、又はポリスルホン酸である。
上記アルキルスルホン酸としては、例えば、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ジ2−エチルヘキシルスルホコハク酸が挙げられる。ここでのアルキル基は、好ましくは炭素数が1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基である。
The organic acid having one or more sulfonic acid groups is preferably a cyclic, chain or branched alkyl sulfonic acid, substituted or unsubstituted aromatic sulfonic acid, or polysulfonic acid having one or more sulfonic acid groups.
Examples of the alkylsulfonic acid include methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid, and di-2-ethylhexylsulfosuccinic acid. The alkyl group here is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.

上記芳香族スルホン酸としては、例えば、ベンゼン環を有するスルホン酸、ナフタレン骨格を有するスルホン酸、アントラセン骨格を有するスルホン酸、置換又は無置換のベンゼンスルホン酸、置換又は無置換のナフタレンスルホン酸及び置換又は無置換のアントラセンスルホン酸が挙げられ、好ましくはナフタレンスルホン酸である。具体例としては、ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、アントラキノンスルホン酸が挙げられる。
置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、1以上置換していてもよい。
上記ポリスルホン酸は、高分子鎖の主鎖又は側鎖に複数のスルホン酸基が置換したスルホン酸である。例えば、ポリスチレンスルホン酸が挙げられる。
Examples of the aromatic sulfonic acid include a sulfonic acid having a benzene ring, a sulfonic acid having a naphthalene skeleton, a sulfonic acid having an anthracene skeleton, a substituted or unsubstituted benzenesulfonic acid, a substituted or unsubstituted naphthalenesulfonic acid, and a substituted Alternatively, unsubstituted anthracene sulfonic acid may be mentioned, and naphthalene sulfonic acid is preferable. Specific examples include naphthalene sulfonic acid, dodecylbenzene sulfonic acid, and anthraquinone sulfonic acid.
The substituent is, for example, a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a nitro group, a carboxy group, and an acyl group, and one or more substituents may be substituted.
The polysulfonic acid is a sulfonic acid in which a plurality of sulfonic acid groups are substituted on the main chain or side chain of the polymer chain. For example, polystyrene sulfonic acid is mentioned.

上記カルボキシ基を1以上有する有機酸は、好ましくはカルボキシ基を1以上有する、環状、鎖状もしくは分岐のアルキルカルボン酸、置換もしくは無置換の芳香族カルボン酸、又はポリカルボン酸である。
上記アルキルカルボン酸としては、例えばウンデシレン酸、シクロヘキサンカルボン酸、2−エチルヘキサン酸が挙げられる。ここでアルキル基は好ましくは炭素数が1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記置換もしくは無置換の芳香族カルボン酸としては、例えば、置換又は無置換のベンゼンカルボン酸及びナフタレンカルボン酸が挙げられる。ここで置換基は、例えば、スルホン酸基、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、1以上置換していてもよい。具体例としては、サリチル酸、安息香酸、ナフトエ酸、トリメシン酸が挙げられる。
The organic acid having one or more carboxy groups is preferably a cyclic, linear or branched alkyl carboxylic acid, substituted or unsubstituted aromatic carboxylic acid, or polycarboxylic acid having one or more carboxy groups.
Examples of the alkyl carboxylic acid include undecylenic acid, cyclohexane carboxylic acid, and 2-ethylhexanoic acid. Here, the alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.
Examples of the substituted or unsubstituted aromatic carboxylic acid include substituted or unsubstituted benzene carboxylic acid and naphthalene carboxylic acid. Here, the substituent is, for example, a substituent selected from the group consisting of a sulfonic acid group, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a nitro group, and an acyl group, and one or more substituents may be substituted. Specific examples include salicylic acid, benzoic acid, naphthoic acid, and trimesic acid.

上記リン酸基又はホスホン酸基を1以上有する有機酸は、好ましくはリン酸基又はホスホン酸基を1以上有する環状、鎖状もしくは分岐のアルキルリン酸もしくはアルキルホスホン酸;置換もしくは無置換の芳香族リン酸もしくは芳香族ホスホン酸;ポリリン酸もしくはポリホスホン酸である。
上記アルキルリン酸又はアルキルホスホン酸としては、例え、ドデシルリン酸、リン酸水素ビス(2−エチルヘキシル)が挙げられる。ここでアルキル基は好ましくは炭素数が1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基である。
上記芳香族リン酸及び芳香族ホスホン酸としては、置換又は無置換のベンゼンスルホン酸又はホスホン酸、及びナフタレンスルホン酸又はホスホン酸等が挙げられる。置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アシル基からなる群から選択される置換基であり、1以上置換していてもよい。例えば、フェニルホスホン酸が挙げられる。
The organic acid having at least one phosphoric acid group or phosphonic acid group is preferably a cyclic, linear or branched alkylphosphoric acid or alkylphosphonic acid having at least one phosphoric acid group or phosphonic acid group; substituted or unsubstituted aromatic An aromatic phosphoric acid or an aromatic phosphonic acid; a polyphosphoric acid or a polyphosphonic acid.
Examples of the alkyl phosphoric acid or alkylphosphonic acid include dodecyl phosphoric acid and bis (2-ethylhexyl) hydrogen phosphate. Here, the alkyl group is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms.
Examples of the aromatic phosphoric acid and aromatic phosphonic acid include substituted or unsubstituted benzene sulfonic acid or phosphonic acid, and naphthalene sulfonic acid or phosphonic acid. The substituent is, for example, a substituent selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxy group, a nitro group, a carboxy group, and an acyl group, and one or more substituents may be substituted. An example is phenylphosphonic acid.

本発明の組成物が含む酸性物質の塩としては、上記酸性物質の塩が挙げられる。
本発明の組成物は、耐熱安定化剤である酸性物質及び/又は酸性物質の塩を2つ以上含んでもよい。具体的には、本発明の組成物は、異なる複数の酸性物質及び/又は異なる複数の酸性物質の塩を含んでいてもよい。
Examples of the salt of the acidic substance contained in the composition of the present invention include the salt of the acidic substance.
The composition of the present invention may contain two or more acidic substances and / or salts of acidic substances that are heat-resistant stabilizers. Specifically, the composition of the present invention may include different acidic substances and / or salts of different acidic substances.

ポリアニリン複合体のプロトン供与体がスルホン酸であり、本発明の組成物が耐熱安定化剤として酸性物質のみを含む場合には、当該酸性物質がプロトン供与体と同一又は異なるスルホン酸であることが好ましい。また、本発明の組成物が耐熱安定化剤として酸性物質の塩のみを含む場合には、その酸性物質の塩が、ポリアニリン複合体のプロトン供与体と同一又は異なるスルホン酸の塩であることが好ましい。
本発明の組成物が耐熱安定化剤として酸性物質及び前記酸性物質の塩を含む場合には、酸性物質及び酸性物質の塩のうち少なくとも1つがプロトン供与体と同一又は異なるスルホン酸又はスルホン酸の塩であることが好ましい。
When the proton donor of the polyaniline complex is sulfonic acid and the composition of the present invention contains only an acidic substance as a heat stabilizer, the acidic substance may be the same or different sulfonic acid as the proton donor. preferable. Further, when the composition of the present invention contains only the salt of the acidic substance as the heat stabilizer, the salt of the acidic substance may be the same or different sulfonic acid salt as the proton donor of the polyaniline complex. preferable.
When the composition of the present invention includes an acidic substance and a salt of the acidic substance as a heat stabilizer, at least one of the acidic substance and the salt of the acidic substance is a sulfonic acid or a sulfonic acid that is the same as or different from the proton donor. A salt is preferred.

本発明の組成物が耐熱安定化剤としてスルホン酸のみを含む場合には、好ましくは式(12)を満たし、本発明の組成物が耐熱安定化剤としてスルホン酸の塩のみを含む場合には、好ましくは式(13)を満たし、本発明の組成物が耐熱安定化剤としてスルホン酸及びスルホン酸の塩を含む場合には、好ましくは式(14)を満たす。
0.01≦S/N≦0.5 (12)
0.01≦S/N≦0.5 (13)
0.01≦S/N≦0.5 (14)
(ここで、Sは本発明の組成物に含まれている全ての酸性物質の硫黄原子のモル数の合計であり、Nは本発明の組成物に含まれている全てのポリアニリン複合体の窒素原子のモル数の合計を意味し、Sは本発明の組成物に含まれている全ての酸性物質の塩の硫黄原子のモル数の合計であり、Nは本発明の組成物に含まれている全てのポリアニリン複合体の窒素原子のモル数の合計を意味し、Sは本発明の組成物に含まれている全ての酸性物質及び酸性物質の塩の硫黄原子のモル数の合計であり、Nは本発明の組成物に含まれている全てのポリアニリン複合体の窒素原子のモル数の合計を意味する。)
When the composition of the present invention contains only sulfonic acid as the heat stabilizer, preferably satisfies the formula (12), and when the composition of the present invention contains only the salt of sulfonic acid as the heat stabilizer. Preferably, when the formula (13) is satisfied and the composition of the present invention contains a sulfonic acid and a sulfonic acid salt as a heat stabilizer, the formula (14) is preferably satisfied.
0.01 ≦ S 2 / N 2 ≦ 0.5 (12)
0.01 ≦ S 3 / N 3 ≦ 0.5 (13)
0.01 ≦ S 4 / N 4 ≦ 0.5 (14)
(Here, S 2 is the total number of moles of sulfur atoms of all acidic substances contained in the composition of the present invention, and N 2 is all polyaniline complexes contained in the composition of the present invention. Is the sum of the number of moles of nitrogen atoms, S 3 is the sum of the number of moles of sulfur atoms of the salts of all acidic substances contained in the composition of the present invention, and N 3 is the composition of the present invention. means the total number of moles of nitrogen atoms of all the polyaniline complex contained in, S 4 are the number of moles of sulfur atoms in the salts of all the acidic substance and acidic substance contained in the composition of the present invention N 4 means the total number of moles of nitrogen atoms of all polyaniline complexes contained in the composition of the present invention.)

本発明の組成物が上記式(12)、(13)又は(14)のいずれかを満たす場合、当該組成物は、好ましくはさらに下記式(11)を満たす。
0.36≦S/N≦1.15 (11)
(ここで、Sは本発明の組成物に含まれる硫黄原子のモル数であり、Nは本発明の組成物に含まれる窒素原子のモル数を意味する。)
When the composition of the present invention satisfies any of the above formulas (12), (13), or (14), the composition preferably further satisfies the following formula (11).
0.36 ≦ S 1 / N 1 ≦ 1.15 (11)
(Here, S 1 is the number of moles of sulfur atoms contained in the composition of the present invention, and N 1 represents the number of moles of nitrogen atoms contained in the composition of the present invention.)

本発明の組成物が酸性物質のみを含む場合、当該酸性物質の酸性度(pKa)が5.0以下であることが好ましい。尚、酸性度の下限は特に制限されないが、例えば、酸性度が−4.0以下の酸性物質を含む場合では、ポリアニリン複合体が劣化するおそれがある。
本発明の組成物が酸性物質の塩のみを含む場合、当該酸性物質の塩の酸性度が5.0以下であることが好ましい。酸性度の下限については、上記酸性物質と同様である。
本発明の組成物が酸性物質及び酸性物質の塩の両方を含む場合、当該酸性物質の酸性度が5.0以下及び酸性度が5.0以下の酸性物質の塩のうち、少なくとも1つを満たすことが好ましい。酸性度の下限については、上記と同様である。
When the composition of this invention contains only an acidic substance, it is preferable that the acidity (pKa) of the said acidic substance is 5.0 or less. The lower limit of the acidity is not particularly limited. For example, when an acid substance having an acidity of −4.0 or less is included, the polyaniline complex may be deteriorated.
When the composition of this invention contains only the salt of an acidic substance, it is preferable that the acidity of the salt of the said acidic substance is 5.0 or less. About the minimum of acidity, it is the same as that of the said acidic substance.
When the composition of the present invention includes both an acidic substance and an acidic substance salt, at least one of the acidic substance salts having an acidity of 5.0 or less and an acidity of 5.0 or less is included. It is preferable to satisfy. The lower limit of acidity is the same as described above.

酸性度(pKa)は、計算化学法によって定義される。即ちA.Klamtらが開発した量子化学計算により分子表面の電荷密度を計算し、異種分子間の相互作用を活量係数として算出するJournal of Physical Chemistryの1995年、第99巻、p.2224に記載された方法を用いる。
具体的には、「TURBOMOLE Version 6.1」(COSMO logic社製)を用いて、基底関数にTZVPを用いて構造を最適化し、この構造を用いてCOSMO−RS法計算を「COSMO therm Version C2.1 Release 01.10」(COSMO logic社製)により行う。
ここで、「COSMO therm Version C2.1 Release 01.10」に25℃の水溶媒中との条件と、分子の化学式と、脱プロトンした分子の化学式と、を入力することで、pKaを算出することができる。
Acidity (pKa) is defined by computational chemistry methods. A. Journal of Physical Chemistry 1995, Vol. 99, p. 50, which calculates the charge density on the surface of a molecule by quantum chemical calculation developed by Klamt et al. The method described in 2224 is used.
Specifically, using “TURBOMOLE Version 6.1” (manufactured by COSMO logic), the structure is optimized using TZVP as a basis function, and the COSMO-RS method calculation is performed using this structure using “COSMO therm version C2”. .1 Release 01.10 "(manufactured by COSMO logic).
Here, the pKa is calculated by inputting the conditions of 25 ° C. in an aqueous solvent, the chemical formula of the molecule, and the chemical formula of the deprotonated molecule in “COSMO thermion C2.1 Release 01.10”. be able to.

本発明の組成物において、耐熱安定化剤の含有量は、好ましくはポリアニリン複合体100質量部に対して1〜1000質量部であり、より好ましくは10〜100質量部である。   In the composition of the present invention, the content of the heat resistance stabilizer is preferably 1 to 1000 parts by mass, more preferably 10 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the polyaniline complex.

溶剤は、有機溶剤でも水等の無機溶剤でもよく、また1種単独でも2種以上の混合溶媒でもよい。好ましくは有機溶剤である。
また、有機溶剤は、水溶性有機溶剤でも、実質的に水に混和しない有機溶剤(水不混和性有機溶剤)でもよい。
The solvent may be an organic solvent or an inorganic solvent such as water, or may be a single type or a mixed solvent of two or more types. An organic solvent is preferable.
The organic solvent may be a water-soluble organic solvent or an organic solvent that is substantially immiscible with water (water-immiscible organic solvent).

上記水溶性有機溶剤は、プロトン性極性溶媒でも非プロトン性極性溶媒でもよく、例えばイソプロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、2−ペンタノール、ベンジルアルコール等のアルコール類;アセトン等のケトン類、;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;Nメチルピロリドン等の非プロトン性極性溶剤等が挙げられる。   The water-soluble organic solvent may be a protic polar solvent or an aprotic polar solvent, for example, alcohols such as isopropanol, 1-butanol, 2-butanol, 2-pentanol and benzyl alcohol; ketones such as acetone; Ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; and aprotic polar solvents such as N-methylpyrrolidone.

上記水不混和性有機溶剤としては、例えばベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリン等の炭化水素系溶剤;塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロエタン、テトラクロロエタン等の含ハロゲン系溶剤;酢酸エチル、酢酸イソブチル、酢酸n−ブチル等のエステル系溶剤、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類溶剤、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル類溶剤等が挙げられる。これらの中では、ドープされたポリアニリンの溶解性に優れる点でトルエン、キシレン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、クロロホルム、トリクロロエタン及び酢酸エチルが好ましい。   Examples of the water-immiscible organic solvent include hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and tetralin; halogen-containing solvents such as methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, dichloroethane, and tetrachloroethane; ethyl acetate, Examples thereof include ester solvents such as isobutyl acetate and n-butyl acetate, ketone solvents such as methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, cyclopentanone and cyclohexanone, and ether solvents such as cyclopentyl methyl ether. Among these, toluene, xylene, methyl isobutyl ketone (MIBK), chloroform, trichloroethane, and ethyl acetate are preferable in that the solubility of the doped polyaniline is excellent.

溶剤として有機溶剤を用いる場合、水不混和性有機溶剤と水溶性有機溶剤を99〜50:1〜50(質量比)で混合した混合有機溶剤を用いることにより、保存時のゲル等の発生を防止でき、長期保存できることから好ましい。
上記混合有機溶剤の水不混和性有機溶剤としては、低極性有機溶剤が使用でき、当該低極性有機溶剤は、トルエンやクロロホルムが好ましい。また、混合有機溶剤の水溶性有機溶剤としては、高極性有機溶剤が使用でき、例えば、メタノール,エタノール,イソプロピルアルコール,2−メトキシエタノール,2−エトキシエタノール,ジアセトンアルコール、3−メトキシ−1−ブタノール、3−メチル−3−メトキシ−1−ブタノール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、アセトン,メチルエチルケトン,メチルイソブチルケトン,テトラヒドロフラン又はジエチルエーテルが好ましい。
When an organic solvent is used as a solvent, the use of a mixed organic solvent in which a water-immiscible organic solvent and a water-soluble organic solvent are mixed at a ratio of 99 to 50: 1 to 50 (mass ratio) causes generation of gels and the like during storage. This is preferable because it can be prevented and stored for a long time.
As the water-immiscible organic solvent of the mixed organic solvent, a low-polar organic solvent can be used, and the low-polar organic solvent is preferably toluene or chloroform. Moreover, as a water-soluble organic solvent of a mixed organic solvent, a highly polar organic solvent can be used, for example, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, diacetone alcohol, 3-methoxy-1- Butanol, 3-methyl-3-methoxy-1-butanol, ethyl carbitol, butyl carbitol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, tetrahydrofuran or diethyl ether are preferred.

溶剤中の導電性ポリマーの割合は、溶剤の種類によるが、通常、900g/kg以下であり、好ましくは0.01g/kg以上300g/kg以下であり、より好ましくは10g/kg以上300g/kg以下であり、さらに好ましくは30g/kg以上300g/kg以下の範囲である。
導電性ポリマーの含有量が多すぎると、溶液状態が保持できなくなり、成形体を成形する際の取り扱いが困難になり、成形体の均一性が損なわれ、ひいては成形体の電気特性や機械的強度、透明性の低下を生じるおそれがある。一方、導電性ポリマーの含有量が少なすぎると、後述する方法により成膜したとき、非常に薄い膜しか製造できず、均一な導電性膜の製造が難しくなるおそれがある。
The proportion of the conductive polymer in the solvent is usually 900 g / kg or less, preferably 0.01 g / kg or more and 300 g / kg or less, more preferably 10 g / kg or more and 300 g / kg depending on the type of the solvent. Or less, more preferably in the range of 30 g / kg to 300 g / kg.
If the content of the conductive polymer is too large, the solution state cannot be maintained, and handling during molding becomes difficult, the uniformity of the molded body is impaired, and consequently the electrical properties and mechanical strength of the molded body. There is a risk of lowering transparency. On the other hand, if the content of the conductive polymer is too small, only a very thin film can be produced when the film is formed by the method described later, which may make it difficult to produce a uniform conductive film.

本発明の組成物は、さらに他の樹脂、無機材料、硬化剤、可塑剤、有機導電材料等の添加剤を含んでもよい。
他の樹脂としては、例えば、バインダー基材、可塑剤、マトリックス基材等が挙げられる。
The composition of the present invention may further contain additives such as other resins, inorganic materials, curing agents, plasticizers, and organic conductive materials.
Examples of other resins include a binder substrate, a plasticizer, and a matrix substrate.

他の樹脂の具体例としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレングリコール、ポリエチレンオキサイド、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリビニルアルコールが挙げられる。   Specific examples of other resins include, for example, polyolefins such as polyethylene and polypropylene, chlorinated polyolefins, polystyrene, polyester, polyamide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyethylene glycol, polyethylene oxide, polyacrylic acid, polyacrylic acid ester, Examples thereof include polymethacrylic acid ester and polyvinyl alcohol.

また上記樹脂の代わりに、また樹脂と共に、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、もしくはこれら熱硬化性樹脂を形成し得る前駆体を含んでもよい。   Further, instead of the above resin, together with the resin, a thermosetting resin such as an epoxy resin, a urethane resin, or a phenol resin, or a precursor capable of forming these thermosetting resins may be included.

無機材料は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上、あるいは導電性等の電気特性を向上する目的で添加される。
無機材料の具体例としては、例えば、シリカ(二酸化ケイ素)、チタニア(二酸化チタン)、アルミナ(酸化アルミニウム)、Sn含有In(ITO)、Zn含有In、Inの共置換化合物(4価元素及び2価元素が3価のInに置換した酸化物)、Sb含有SnO(ATO)、ZnO、Al含有ZnO(AZO)、Ga含有ZnO(GZO)等が挙げられる。
The inorganic material is added, for example, for the purpose of improving strength, surface hardness, dimensional stability and other mechanical properties, or improving electrical properties such as conductivity.
Specific examples of the inorganic material include, for example, silica (silicon dioxide), titania (titanium dioxide), alumina (aluminum oxide), Sn-containing In 2 O 3 (ITO), Zn-containing In 2 O 3 , and In 2 O 3 . Examples include co-substituted compounds (oxides in which tetravalent elements and divalent elements are substituted with trivalent In), Sb-containing SnO 2 (ATO), ZnO, Al-containing ZnO (AZO), and Ga-containing ZnO (GZO). .

硬化剤は、例えば、強度、表面硬度、寸法安定性その他の機械的物性の向上等の目的で添加される。硬化剤の具体例としては、例えば、フェノール樹脂等の熱硬化剤、アクリレート系モノマーと光重合性開始剤による光硬化剤が挙げられる。   The curing agent is added for the purpose of, for example, improving strength, surface hardness, dimensional stability, and other mechanical properties. Specific examples of the curing agent include a thermosetting agent such as a phenol resin, and a photocuring agent using an acrylate monomer and a photopolymerization initiator.

可塑剤は、例えば、引張強度や曲げ強度等の機械的特性の向上等の目的で添加される。
可塑剤の具体例としては、例えば、フタル酸エステル類やリン酸エステル類が挙げられる。有機導電材料としては、カーボンブラック、カーボンナノチューブのような炭素材料、あるいは、本発明で得られるポリアニリン以外の、導電性ポリマー等が挙げられる。
For example, the plasticizer is added for the purpose of improving mechanical properties such as tensile strength and bending strength.
Specific examples of the plasticizer include phthalic acid esters and phosphoric acid esters. Examples of the organic conductive material include carbon materials such as carbon black and carbon nanotubes, and conductive polymers other than the polyaniline obtained in the present invention.

[無電解めっき下地膜]
本発明の無電解めっき下地膜(層)は、上記の組成物から得られる。本発明の無電解めっき下地膜の形成方法は後述する通りである。
無電解めっき下地膜の乾燥膜厚は0.1μm以上が好ましく、より好ましくは0.2μm以上である。膜厚が0.1μm未満であると、基材とめっき膜の密着力が保持できないため、剥離しやすくなってしまう。また、Pd金属が担持されない領域が多くなる恐れがあり、無電解めっきされない領域が多くなる恐れがある。
乾燥膜厚の上限は特にないが、例えば100μm以下、10μm以下、5.0μm以下である。
[Electroless plating base film]
The electroless plating base film (layer) of the present invention is obtained from the above composition. The method for forming the electroless plating base film of the present invention is as described later.
The dry film thickness of the electroless plating base film is preferably 0.1 μm or more, more preferably 0.2 μm or more. If the film thickness is less than 0.1 μm, the adhesion between the base material and the plating film cannot be maintained, so that the film is easily peeled off. Further, there is a possibility that the area where the Pd metal is not supported increases, and there is a possibility that the area where electroless plating is not performed increases.
The upper limit of the dry film thickness is not particularly limited, but is, for example, 100 μm or less, 10 μm or less, 5.0 μm or less.

[無電解めっき下地膜の製造方法]
本発明の無電解めっき下地膜の製造方法は、本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いる。本製造方法は、本発明の組成物を用いていれば特に限定されず、例えば、基材の上に本発明の組成物をバーコート法により塗工し、乾燥する塗工方法が挙げられる。
[Method of manufacturing electroless plating base film]
The method for producing an electroless plating base film of the present invention uses the composition for forming an electroless plating base film of the present invention. This manufacturing method will not be specifically limited if the composition of this invention is used, For example, the coating method of apply | coating the composition of this invention on a base material by the bar-coat method, and drying is mentioned.

[めっき積層体]
本発明のめっき積層体は、金属を含む無電解めっき層と、導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む無電解めっき下地層と、基板層とを含み、無電解めっき層の一方の面と、無電解めっき下地層の一方の面が接している。
[Plating laminate]
The plating laminate of the present invention includes an electroless plating layer containing a metal, an electroless plating base layer containing a conductive polymer and a urethane resin, and a substrate layer, one surface of the electroless plating layer, and electroless One surface of the plating underlayer is in contact.

図1は、本発明のめっき積層体の一実施形態の層構成を示す概略図である。
めっき積層体1は、基板10上に、無電解めっき下地層20及び無電解めっき層30をこの順に積層して含む。
本発明のめっき積層体は、後述する本発明のめっき積層体の製造方法により製造できる。
FIG. 1 is a schematic view showing a layer configuration of an embodiment of the plated laminate of the present invention.
The plating laminate 1 includes an electroless plating base layer 20 and an electroless plating layer 30 laminated on a substrate 10 in this order.
The plating laminated body of this invention can be manufactured with the manufacturing method of the plating laminated body of this invention mentioned later.

[基板]
基材は特に限定されず、金属、無機素材(セラミックス、ガラス等)、又は樹脂であってもよい。また、金属を樹脂で完全に覆った基材や、無機系素材と樹脂との複合材(例えば、FRP,ガラスエポキシ複合材)等であってもよい。樹脂の種類としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ナイロン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、スチレン樹脂、フェノール樹脂、PPS(ポリフェニレンサルファイド)樹脂等が挙げられる。
基材の具体例として、例えば易接着処理PET(東洋紡製A4300)が挙げられる。
[substrate]
The substrate is not particularly limited, and may be a metal, an inorganic material (ceramics, glass, or the like), or a resin. Moreover, the base material which covered the metal completely with resin, the composite material (For example, FRP, glass epoxy composite material) of an inorganic type material and resin, etc. may be sufficient. Examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, nylon resin, polyimide resin, polyester resin, styrene resin, phenol resin, and PPS (polyphenylene sulfide) resin.
As a specific example of the substrate, for example, easy-adhesion-treated PET (A4300 manufactured by Toyobo) can be mentioned.

[無電解めっき下地層]
無電解めっき下地層は、導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む。導電性ポリマー及びウレタン樹脂は上述した通りである。
無電解めっき下地層は、本発明の組成物を用いて製造することができる。また、形成方法は上述した通りである。
[Electroless plating underlayer]
The electroless plating underlayer includes a conductive polymer and a urethane resin. The conductive polymer and the urethane resin are as described above.
The electroless plating underlayer can be produced using the composition of the present invention. The formation method is as described above.

[無電解めっき層]
無電解めっき層の金属種としては、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、銀、金、白金及びスズ等が挙げられる。また、これらの他にリン、ホウ素、鉄等の元素が含有されていてもよい。また、形成方法は後述する通りである。
[Electroless plating layer]
Examples of the metal species of the electroless plating layer include copper, nickel, cobalt, palladium, silver, gold, platinum, and tin. In addition to these, elements such as phosphorus, boron, and iron may be contained. The forming method is as described later.

[無電解めっき積層体の製造方法]
本発明の無電解めっき積層体の製造方法は、基板層上に、本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて無電解めっき下地膜を形成する工程、及び無電解めっき下地膜上に、金属を含む無電解めっき層を形成する工程を含む。
[Method for producing electroless plating laminate]
The method for producing an electroless plating laminate of the present invention comprises a step of forming an electroless plating base film on the substrate layer using the electroless plating base film forming composition of the present invention, and an electroless plating base film The process of forming the electroless-plating layer containing a metal is included.

無電解めっき下地膜の形成は、上述した無電解めっき下地膜の製造方法により行うことができる。
下地膜を形成した後、無電解めっき層を形成する前に脱脂工程を行うことが好ましい。脱脂工程は、界面活性剤やアルコール等の溶剤でポリアニリン層表面を脱脂洗浄して濡れ性を改善する。
界面活性剤は、アニオン性、カチオン性又は非イオン性のものを適宜使用でき、カチオン性界面活性剤が好ましい。カチオン性界面活性剤を用いる場合は、例えばイオン交換水等で1〜3%に希釈して用いる。
The formation of the electroless plating base film can be performed by the above-described method for manufacturing an electroless plating base film.
It is preferable to perform a degreasing step after forming the base film and before forming the electroless plating layer. In the degreasing step, the surface of the polyaniline layer is degreased and washed with a solvent such as a surfactant or alcohol to improve wettability.
As the surfactant, an anionic, cationic or nonionic surfactant can be appropriately used, and a cationic surfactant is preferable. When a cationic surfactant is used, it is diluted to 1 to 3% with, for example, ion exchange water.

上記無電解めっき下地膜を形成後、好ましくは脱脂工程後、通常、下地膜上に無電解めっきの触媒作用を担うPd金属(触媒金属)を担持させるために、Pd化合物溶液を接触させる。
Pd化合物溶液を接触させると、ポリアニリン複合体等の導電性ポリマーはPdイオンを吸着し、その還元作用により、PdイオンがPd金属に還元される。尚、還元されたPd、即ち金属状態のPdでなければ、無電解めっきにおける触媒作用を発現しない。
上記単位面積当たりのPd付着量(Pdイオン及びPd金属を含む)は1.7μg/cm以上であることが好ましく、2.5μg/cm以上であることがさらに好ましい。
After the formation of the electroless plating base film, preferably after the degreasing step, a Pd compound solution is usually brought into contact with the base film in order to support Pd metal (catalyst metal) responsible for the electroless plating catalytic action.
When the Pd compound solution is brought into contact, a conductive polymer such as a polyaniline complex adsorbs Pd ions, and Pd ions are reduced to Pd metal by the reduction action. In addition, if it is not reduced Pd, that is, Pd in a metal state, it does not exhibit a catalytic action in electroless plating.
The Pd adhesion amount (including Pd ions and Pd metal) per unit area is preferably 1.7 μg / cm 2 or more, and more preferably 2.5 μg / cm 2 or more.

Pd化合物としては、塩化パラジウムが好ましい。溶媒としては、塩酸が一般に用いられる。しかしながら、Pdがイオン状態で水溶液中に存在していればよく、塩酸水溶液に限定されない。Pd化合物溶液としては、例えば、0.02%塩化パラジウム−0.01%塩酸水溶液(pH3)が挙げられる。   As the Pd compound, palladium chloride is preferable. As the solvent, hydrochloric acid is generally used. However, Pd is only required to be present in an aqueous solution in an ionic state, and is not limited to a hydrochloric acid aqueous solution. Examples of the Pd compound solution include 0.02% palladium chloride-0.01% hydrochloric acid aqueous solution (pH 3).

Pd化合物溶液との接触温度は、通常20〜50℃、好ましくは30〜40℃であり、接触時間は、通常0.1〜10分、好ましくは1〜5分である。   The contact temperature with the Pd compound solution is usually 20 to 50 ° C., preferably 30 to 40 ° C., and the contact time is usually 0.1 to 10 minutes, preferably 1 to 5 minutes.

次に、金属を含む層(めっき層)を下地層上に形成するために、上記で得られたフィルムを無電解めっき液に接触させる。下地層と無電解めっき液が接触すると、担持させたPd金属が触媒として働き、ポリアニリン層上にめっき層が形成される。   Next, in order to form a metal-containing layer (plating layer) on the base layer, the film obtained above is brought into contact with an electroless plating solution. When the underlayer and the electroless plating solution are in contact, the supported Pd metal acts as a catalyst, and a plating layer is formed on the polyaniline layer.

無電解めっき液に含まれる金属種としては、銅、ニッケル、コバルト、パラジウム、銀、金、白金及びスズ等が挙げられる。また、これらの他にリン、ホウ素、鉄等の元素が含有されていてもよい。   Examples of the metal species contained in the electroless plating solution include copper, nickel, cobalt, palladium, silver, gold, platinum, and tin. In addition to these, elements such as phosphorus, boron, and iron may be contained.

無電解めっき液との接触温度は、めっき浴種類や厚み等で異なるが、例えば低温浴であれば20〜50℃程度、高温では50〜90℃である。
また、無電解めっき液との接触時間もめっき浴種類や厚み等で異なるが、例えば1〜30分、5〜15分である。無電解めっきのみでもよく、または無電解めっきで金属薄膜を設けた後で電解めっきによりさらに同種、または異なる金属膜を設けることも可能である。
The contact temperature with the electroless plating solution varies depending on the type and thickness of the plating bath.
Moreover, although the contact time with an electroless-plating liquid also changes with plating bath types, thickness, etc., it is 1 to 30 minutes, for example, and 5 to 15 minutes. It is possible to use only electroless plating, or it is possible to provide a metal film of the same type or different by electrolytic plating after providing a metal thin film by electroless plating.

製造例1
[ポリアニリン複合体の製造]
エーロゾルOT(ジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム)(AOT)37.8g及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル構造を有する非イオン乳化剤であるソルボンT−20(東邦化学工業株式会社製)1.47gをトルエン600mLに溶解した溶液を、窒素気流下においた6Lのセパラブルフラスコに入れ、さらにこの溶液に、22.2gのアニリンを加えた。その後、1Mリン酸1800mLを溶液に添加し、トルエンと水の2つの液相を有する溶液の温度を5℃に冷却した。
Production Example 1
[Production of polyaniline complex]
37.8 g of aerosol OT (sodium di-2-ethylhexylsulfosuccinate) (AOT) and 1.47 g of sorbon T-20 (manufactured by Toho Chemical Co., Ltd.), which is a nonionic emulsifier having a polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester structure, were added to toluene. The solution dissolved in 600 mL was placed in a 6 L separable flask placed under a nitrogen stream, and 22.2 g of aniline was further added to this solution. Thereafter, 1800 mL of 1M phosphoric acid was added to the solution, and the temperature of the solution having two liquid phases of toluene and water was cooled to 5 ° C.

溶液内温が5℃に到達した時点で、毎分390回転で撹拌を行った。65.7gの過硫酸アンモニウムを1Mリン酸600mLに溶解した溶液を、滴下ロートを用いて2時間かけて滴下した。滴下開始から18時間、溶液内温を5℃に保ったまま反応を実施した。その後、反応温度を40℃まで上昇させ、1時間反応を継続した。その後、静置し、トルエン相を分離した。得られたトルエン相にトルエンを1500ml添加し、1Mリン酸500mL1回、イオン交換水500mLで3回洗浄し、トルエン相を静置分離し、濃度調整のための濃縮を行い、ポリアニリン複合体トルエン溶液900gを得た。このポリアニリン複合体トルエン溶液のポリアニリン複合体濃度は5.7重量%であった。   When the internal temperature of the solution reached 5 ° C., stirring was performed at 390 rpm. A solution obtained by dissolving 65.7 g of ammonium persulfate in 600 mL of 1M phosphoric acid was dropped using a dropping funnel over 2 hours. The reaction was carried out for 18 hours while maintaining the internal temperature of the solution at 5 ° C. Thereafter, the reaction temperature was raised to 40 ° C., and the reaction was continued for 1 hour. Then, it left still and isolate | separated the toluene phase. 1500 ml of toluene is added to the obtained toluene phase, 500 mL of 1M phosphoric acid is washed once with 500 mL of ion-exchanged water, the toluene phase is left to stand, concentrated for concentration adjustment, and a polyaniline complex toluene solution 900 g was obtained. The polyaniline complex concentration of this polyaniline complex toluene solution was 5.7% by weight.

製造例2
製造例1で得たポリアニリン/AOT複合体トルエン溶液を、60℃の湯浴で減圧乾燥し、乾固しポリアニリン複合体(粉末)を51.3g得た。
Production Example 2
The polyaniline / AOT complex toluene solution obtained in Production Example 1 was dried under reduced pressure in a 60 ° C. hot water bath and dried to obtain 51.3 g of a polyaniline complex (powder).

実施例1
[めっき下地膜形成工程]
製造例2で得たポリアニリン粉末2.8gをメチルイソブチルケトン(MIBK:和光純薬製)17gとイソプロパノール(和光純薬製)8.5gに溶解した。その後、ウレタン樹脂であるASPU112(DIC株式会社製、固形分濃度30%)を5.7g添加し、撹拌を行い、均一なめっき下地形成用塗液を作製した。
得られた塗液を、バーコーターを用いてポリカーボネートフィルムであるカーボグラスフィルムC110C(PCフィルム、旭硝子株式会社製)上に塗布し、120℃で30分乾燥してめっき下地膜を形成した。めっき下地膜の厚みは1μmであった。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%であった。
Example 1
[Plating foundation film forming process]
2.8 g of the polyaniline powder obtained in Production Example 2 was dissolved in 17 g of methyl isobutyl ketone (MIBK: manufactured by Wako Pure Chemical Industries) and 8.5 g of isopropanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Thereafter, 5.7 g of ASPU112 (made by DIC Corporation, solid content concentration 30%), which is a urethane resin, was added and stirred to prepare a uniform coating solution for forming a plating base.
The obtained coating solution was applied onto a carbo glass film C110C (PC film, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polycarbonate film, using a bar coater and dried at 120 ° C. for 30 minutes to form a plating base film. The thickness of the plating base film was 1 μm. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt%.

[脱脂工程]
得られたフィルム(めっき下地膜)を、3%ダイヤノールCDE(ヤシ油脂肪酸ジエタノールアミド;非イオン界面活性剤、第一工業製薬株式会社製)水溶液中へ室温で5分間浸漬して、脱脂処理を行った。尚、この脱脂処理は、濡れ性の向上を目的としている。
[Degreasing process]
The obtained film (plating base film) is degreased by immersing it in an aqueous solution of 3% Dianol CDE (coconut oil fatty acid diethanolamide; nonionic surfactant, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.) for 5 minutes at room temperature. Went. In addition, this degreasing process aims at the improvement of wettability.

[Pd化合物溶液に接触させる工程]
脱脂処理後のフィルムを、レッドシューマー(パラジウム水溶液、日本カニゼン株式会社製)の5倍希釈液中に30℃で5分間浸漬し、金属Pd担持処理を行った。
[Step of contacting with Pd compound solution]
The film after the degreasing treatment was immersed in a 5-fold diluted solution of red summer (palladium aqueous solution, manufactured by Nippon Kanisen Co., Ltd.) at 30 ° C. for 5 minutes to carry out a metal Pd carrying treatment.

[無電解めっき液に接触させる工程]
Pd金属担持処理後のフィルムについて、無電解銅めっき液「ATSアドカッパーIW」(奥野製薬工業株式会社製)を用いて33℃で15分間めっき処理を行った。
[Step of contacting with electroless plating solution]
The film after the Pd metal supporting treatment was subjected to a plating treatment at 33 ° C. for 15 minutes using an electroless copper plating solution “ATS Ad Copper IW” (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.).

[クロスカット試験]
得られためっき部分について、JIS−5600に準じて、めっき膜にカッターで格子状の傷をつけ、セロテープ(ニチバン株式会社製)をはり、勢いよくはがし、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
[Cross cut test]
About the obtained plating part, according to JIS-5600, the grid | lattice-like damage | wound was made to the plating film with the cutter, the cellophane (made by Nichiban Co., Ltd.) was peeled off, and it peeled off vigorously, and the crosscut test was done. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例2
ASPU112の代わりにウレタン樹脂であるユリアーノU301(荒川化学株式会社製、固形分濃度25%)を6.8g添加した以外は、実施例1と同様にしてめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 2
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 6.8 g of Juliano U301 (made by Arakawa Chemical Co., Ltd., solid concentration 25%), which is a urethane resin, was added instead of ASPU112. Produced. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例3
ASPU112の代わりにウレタン樹脂であるTSP3301(荒川化学株式会社製、固形分濃度25%)を6.8g添加した以外は実施例1と同様にしてめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 3
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 6.8 g of TSP3301 (made by Arakawa Chemical Co., Ltd., solid concentration 25%), which is a urethane resin, was added instead of ASPU112. . The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例4
ASPU112を添加する代わりにウレタン樹脂であるダイフェラミンMAU1008(大日精化株式会社製、固形分濃度30%)を5.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 4
A coating solution for forming a plating base and a plating base film in the same manner as in Example 1 except for adding 5.7 g of diferamin MAU1008 (manufactured by Dainichi Seika Co., Ltd., solid content concentration: 30%) instead of adding ASPU112. Was made. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例5
ASPU112を添加する代わりにウレタン樹脂であるダイフェラミンMAU1005(大日精化株式会社製、固形分濃度30%)を5.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 5
Instead of adding ASPU112, a coating solution for forming a plating base and a plating base film are the same as in Example 1 except for adding 5.7 g of urethane resin Diferamin MAU1005 (manufactured by Dainichi Seika Co., Ltd., solid content concentration 30%). Was made. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例6
ASPU112の代わりにウレタン樹脂であるダイフェラミンMAU4308HV(大日精化株式会社製、固形分濃度35%)を4.8g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 6
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 4.8 g of diferamin MAU4308HV (made by Dainichi Seika Co., Ltd., solid content concentration 35%), which is a urethane resin, was added instead of ASPU112. did. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例7
ASPU112の代わりにウレタン樹脂であるダイフェラミンMAU1008(大日精化株式会社製、固形分濃度30%)を2.8g、ウレタン樹脂であるASPU112(DIC株式会社製、固形分濃度30%)を2.8g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%(MAU1008:ASPU=1:1)であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 7
Instead of ASPU112, 2.8 g of urethane resin Daiferamin MAU1008 (manufactured by Dainichi Seika Co., Ltd., solid content concentration 30%) and 2.8 g of urethane resin ASPU112 (DIC Corporation, solid content concentration 30%) A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except for the addition. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt% (MAU1008: ASPU = 1: 1).
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例8
ASPU112の代わりにウレタン樹脂であるASPU112(DIC株式会社製、固形分濃度30%)を2.8g、ポリビニルブチラールであるKS−10(積水化学株式会社製)を0.85g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は18.75wt%、ポリビニルブチラール濃度は18.75wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 8
Example except that 2.8 g of ASPU112 (made by DIC Corporation, solid content concentration 30%) and 0.85 g of KS-10 (made by Sekisui Chemical Co., Ltd.) which is polyvinyl butyral were added instead of ASPU112. In the same manner as in Example 1, a coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, the urethane resin concentration was 18.75 wt%, and the polyvinyl butyral concentration was 18.75 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

比較例1
ASPU112を添加しなかった以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は100wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCuめっき層の界面で試験部分が全面剥離した。また、めっき下地膜が露出した部分でも同様にクロスカット試験を行った結果、PCフィルムとめっき下地膜界面でも試験部分が全面剥離した。
Comparative Example 1
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that the ASPU 112 was not added. The polyaniline concentration in the plating base film was 100 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the entire test part was peeled off at the interface between the plating base film and the Cu plating layer. Moreover, as a result of performing the crosscut test similarly in the part which the plating base film exposed, the test part also peeled the whole surface also in the PC film and plating base film interface.

比較例2
ASPU112の代わりにポリエステル樹脂であるバイロン20SS(東洋紡株式会社製、固形分濃度30%)を5.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ポリエステル樹脂濃度は37.5wt%であった。このとき、めっき下地膜を観察するとポリアニリン複合体とバイロン20SSの相溶性が悪く、めっき下地膜が不均一となり脆くなっていた。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜が脆くなっていたため、めっき下地膜の中間からの剥離が確認された。
Comparative Example 2
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 5.7 g of Byron 20SS (manufactured by Toyobo Co., Ltd., solid content concentration 30%), which is a polyester resin, was added instead of ASPU112. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the polyester resin concentration was 37.5 wt%. At this time, when the plating base film was observed, the compatibility between the polyaniline composite and Byron 20SS was poor, and the plating base film became non-uniform and fragile.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, since the plating base film was brittle, peeling from the middle of the plating base film was confirmed.

比較例3
ASPU112の代わりにポリエステル樹脂であるバイロン50DS(東洋紡株式会社製)を1.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜を観察するとポリアニリン複合体とバイロン50DSの相溶性が悪く、めっき下地膜が不均一となり脆くなっていた。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜が脆くなっていたため、めっき下地膜の中間からの剥離が確認された。
Comparative Example 3
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 1.7 g of Byron 50DS (Toyobo Co., Ltd.), which is a polyester resin, was added instead of ASPU112. When the plating base film was observed, the compatibility between the polyaniline composite and Byron 50DS was poor, and the plating base film was uneven and brittle.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, since the plating base film was brittle, peeling from the middle of the plating base film was confirmed.

比較例4
ASPU112の代わりに塩素化ポリオレフィンであるスーパークロン822(日本製紙ケミカル株式会社製、固形分濃度20%)を8.5g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、塩素化ポリオレフィン濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCu層界面の密着性は良好であったが、めっき下地膜とPCフィルム界面で試験部分が全面剥離した。
Comparative Example 4
In the same manner as in Example 1, except that 8.5 g of Super Clone 822 (Nippon Paper Chemical Co., Ltd., solid content concentration: 20%), which is a chlorinated polyolefin, was added instead of ASPU112, a plating base forming coating solution and a plating base film were used. Was made. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the chlorinated polyolefin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the adhesion between the plating base film and the Cu layer interface was good, but the entire test part was peeled off at the plating base film and PC film interface.

比較例5
ASPU112の代わりにフェノール樹脂であるGDP6140(群栄化学株式会社製、固形分濃度30%)を5.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、フェノール樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCu層界面の密着性は良好であったが、めっき下地膜とPCフィルム界面で試験部分が全面剥離した。
Comparative Example 5
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 5.7 g of GDP 6140 (manufactured by Gunei Chemical Co., Ltd., solid content concentration 30%), which is a phenol resin, was added instead of ASPU112. . The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the phenol resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the adhesion between the plating base film and the Cu layer interface was good, but the entire test part was peeled off at the plating base film and PC film interface.

比較例6
ASPU112の代わりにポリビニルブチラール樹脂であるKS−10(積水化学株式会社製)を1.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ポリビニルブチラール樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCu層界面の密着性は良好であったが、めっき下地膜とPCフィルム界面で試験部分が一部剥離した。
Comparative Example 6
A plating base forming coating solution and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 1.7 g of KS-10 (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.), which is a polyvinyl butyral resin, was added instead of ASPU112. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the polyvinyl butyral resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the adhesion between the plating base film and the Cu layer interface was good, but part of the test portion was peeled off at the plating base film and PC film interface.

比較例7
ASPU112の代わりにポリアミドイミド樹脂であるトレジンEF−30T(ナガセケムテックス株式会社製)を1.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ポリアミドイミド樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCu層界面で試験部分が全面剥離した。また、めっき下地膜が露出した部分にて同様のクロスカット試験を行った結果、めっき下地膜とPCフィルム界面での剥離はなく、密着性は良好であった。
Comparative Example 7
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 1.7 g of Toresin EF-30T (manufactured by Nagase ChemteX Corporation), which is a polyamideimide resin, was added instead of ASPU112. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the polyamideimide resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the entire test part was peeled off at the interface between the plating base film and the Cu layer. Moreover, as a result of performing the same crosscut test in the portion where the plating base film was exposed, there was no peeling at the interface between the plating base film and the PC film, and the adhesion was good.

比較例8
ASPU112の代わりにポリアミドイミド樹脂であるトレジンF−30K(ナガセケムテックス株式会社製)を1.7g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ポリアミドイミド樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCu層界面で試験部分が全面剥離した。また、めっき下地膜が露出した部分にて同様のクロスカット試験を行った結果、めっき下地膜とPCフィルム界面での剥離はなく、密着性は良好であった。
Comparative Example 8
A coating solution for forming a plating base and a plating base film were prepared in the same manner as in Example 1 except that 1.7 g of Toresin F-30K (manufactured by Nagase ChemteX Corporation), which is a polyamide-imide resin, was added instead of ASPU112. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the polyamideimide resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the entire test part was peeled off at the interface between the plating base film and the Cu layer. Moreover, as a result of performing the same crosscut test in the portion where the plating base film was exposed, there was no peeling at the interface between the plating base film and the PC film, and the adhesion was good.

比較例9
ASPU112の代わりにポリアミドイミド樹脂であるバイロマックスHR−87TD(東洋紡株式会社製、固形分濃度25%)を6.8g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液及びめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ポリアミドイミド樹脂濃度は37.5wt%であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、クロスカット試験を行った。その結果、めっき下地膜とCu層界面の密着性は良好であったが、めっき下地膜とPCフィルム界面で試験部分が一部剥離した。
Comparative Example 9
A coating solution for forming a plating base and a plating base film in the same manner as in Example 1 except that 6.8 g of Bilomax HR-87TD (made by Toyobo Co., Ltd., solid content concentration 25%), which is a polyamide-imide resin, was added instead of ASPU112. Was made. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the polyamideimide resin concentration was 37.5 wt%.
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was conducted. As a result, the adhesion between the plating base film and the Cu layer interface was good, but part of the test portion was peeled off at the plating base film and PC film interface.

実施例9
製造例2で得たポリアニリン粉末3.75gをMIBK(和光純薬製)17gとイソプロパノール(和光純薬製)8.5gに溶解した。その後、ウレタン樹脂であるASPU112(DIC株式会社製、固形分濃度30%)を2.5g添加し、撹拌を行い均一なめっき下地形成用塗液を作製した。得られた塗液をバーコーターにてポリカーボネートフィルムであるカーボグラスフィルムC110C(PCフィルム、旭硝子株式会社製)に塗布し、120℃30分乾燥してめっき下地膜を形成した。めっき下地膜の厚みは1μmであった。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は83wt%、ウレタン樹脂濃度は17wt%であった。
以降は実施例1と同様にめっきを行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 9
3.75 g of the polyaniline powder obtained in Production Example 2 was dissolved in 17 g of MIBK (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 8.5 g of isopropanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Thereafter, 2.5 g of ASPU112 (manufactured by DIC Corporation, solid content concentration 30%), which is a urethane resin, was added and stirred to prepare a uniform coating solution for forming a plating base. The obtained coating solution was applied to a Carboglass film C110C (PC film, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polycarbonate film, with a bar coater and dried at 120 ° C. for 30 minutes to form a plating base film. The thickness of the plating base film was 1 μm. The polyaniline concentration in the plating base film was 83 wt%, and the urethane resin concentration was 17 wt%.
Thereafter, plating was performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was performed. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例10
製造例2で得たポリアニリン粉末1.5gをMIBK(和光純薬製)17gとイソプロパノール(和光純薬製)8.5gに溶解した。その後、ウレタン樹脂であるASPU112(DIC株式会社製、固形分濃度30%)を10g添加し、撹拌を行い均一なめっき下地形成用塗液を作製した。得られた塗液をバーコーターにてポリカーボネートフィルムであるカーボグラスフィルムC110C(PCフィルム、旭硝子株式会社製)に塗布し、120℃30分乾燥してめっき下地膜を形成した。めっき下地膜の厚みは1μmであった。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は33wt%、ウレタン樹脂濃度は67wt%であった。
以降は実施例1と同様にめっきを行い、クロスカット試験を行った。その結果、剥離は観測されず、密着性が良好であった。
Example 10
1.5 g of the polyaniline powder obtained in Production Example 2 was dissolved in 17 g of MIBK (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) and 8.5 g of isopropanol (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.). Thereafter, 10 g of ASPU112 (made by DIC Corporation, solid content concentration 30%), which is a urethane resin, was added and stirred to prepare a uniform coating solution for forming a plating base. The obtained coating solution was applied to a Carboglass film C110C (PC film, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), which is a polycarbonate film, with a bar coater and dried at 120 ° C. for 30 minutes to form a plating base film. The thickness of the plating base film was 1 μm. The polyaniline concentration in the plating base film was 33 wt%, and the urethane resin concentration was 67 wt%.
Thereafter, plating was performed in the same manner as in Example 1, and a cross-cut test was performed. As a result, no peeling was observed and the adhesion was good.

実施例11
ASPU112(5.7g)の代わりにウレタン樹脂であるダイフェラミンMAU1008(大日精化株式会社製、固形分濃度30%)を2.8g、ウレタン樹脂であるASPU112(DIC株式会社製、固形分濃度30%)を2.8g添加した以外は実施例1と同様にめっき下地形成用塗液を調製した。また、C110Cの代わりにポリエステル樹脂であるコスモシャイン(PETフィルム、東洋紡株式会社製)を用いた他は実施例1と同様にめっき下地膜を作製した。めっき下地膜中のポリアニリン濃度は62.5wt%、ウレタン樹脂濃度は37.5wt%(MAU1008:ASPU=1:1)であった。
その後、実施例1と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、めっき積層体を得た。
Example 11
Instead of ASPU112 (5.7 g), 2.8 g of urethane resin, diferamin MAU1008 (manufactured by Dainichi Seika Co., Ltd., solid content concentration 30%), and ASPU112 (made by DIC Corporation, solid content concentration 30%), urethane resin ) Was added in the same manner as in Example 1 except that 2.8 g was added. Moreover, the plating base film was produced similarly to Example 1 except having used the cosmo shine (PET film, Toyobo Co., Ltd.) which is a polyester resin instead of C110C. The polyaniline concentration in the plating base film was 62.5 wt%, and the urethane resin concentration was 37.5 wt% (MAU1008: ASPU = 1: 1).
Thereafter, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 1 to obtain a plated laminate.

実施例12
コスモシャイン(PETフィルム、東洋紡製株式会社製)の代わりに、ポリイミド樹脂であるカプトン(東レ・デュポン株式会社製)を用いた他は、実施例11と同様にめっき積層体を得た。
その後、実施例11と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、めっき積層体を得た。
Example 12
A plated laminate was obtained in the same manner as in Example 11 except that Kapton (made by Toray DuPont), which is a polyimide resin, was used instead of Cosmo Shine (PET film, produced by Toyobo Co., Ltd.).
Then, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 11 to obtain a plated laminate.

実施例13
コスモシャイン(PETフィルム、東洋紡製株式会社製)の代わりに、PPS樹脂であるトレリナ(PPSフィルム、東レ株式会社製)を用いた他は、実施例11と同様にめっき積層体を得た。
その後、実施例11と同様にして脱脂、Pd担持及びめっき処理を行い、めっき積層体を得た。
Example 13
A plated laminate was obtained in the same manner as in Example 11 except that Torelina (PPS film, manufactured by Toray Industries, Inc.), which is a PPS resin, was used instead of Cosmo Shine (PET film, manufactured by Toyobo Co., Ltd.).
Then, degreasing, carrying Pd and plating were performed in the same manner as in Example 11 to obtain a plated laminate.

実施例及び比較例における密着性の評価結果を下記表1に示す。

Figure 2014132104
Table 1 below shows the results of evaluation of adhesion in Examples and Comparative Examples.

Figure 2014132104

実施例及び比較例における密着性の評価基準は下記の通りである。即ち、界面に剥離が観測されず密着性が良好であった場合を「○」、界面の一部に剥離が観測された場合を「△」、全界面に剥離が発生した場合又はめっき下地膜中間で剥離が発生した場合を「×」とした。   The evaluation criteria for adhesion in Examples and Comparative Examples are as follows. That is, “◯” indicates that no peeling is observed at the interface and the adhesion is good, “△” indicates that peeling is observed at a part of the interface, The case where peeling occurred in the middle was taken as “x”.

本発明の無電解めっき下地膜形成用組成物は、無電解めっきに用いることができる。   The composition for forming an electroless plating base film of the present invention can be used for electroless plating.

1 メッキ積層体
10 基板
20 無電解めっき下地膜
30 無電解めっき層
1 Plated Laminate 10 Substrate 20 Electroless Plating Underlayer 30 Electroless Plating Layer

Claims (19)

導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む無電解めっき下地膜形成用組成物。   A composition for forming an electroless plating base film comprising a conductive polymer and a urethane resin. 前記導電性ポリマーが置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である請求項1に記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to claim 1, wherein the conductive polymer is a polyaniline composite in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant. 前記ドーパントが下記式(III)で表されるスルホコハク酸誘導体である請求項2に記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。
Figure 2014132104
(式(III)中、Mは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。m’は、Mの価数である。R13及びR14は、それぞれ炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15は、それぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。R17は、それぞれ炭化水素基である。)
The composition for forming an electroless plating base film according to claim 2, wherein the dopant is a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 2014132104
(In formula (III), M is a hydrogen atom, an organic free radical or an inorganic free radical. M ′ is a valence of M. R 13 and R 14 are a hydrocarbon group or — (R 15 , respectively). O) r— R 16 group, wherein R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. R 17 is each a hydrocarbon group.)
前記ドーパントがジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである請求項2又は3に記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to claim 2 or 3, wherein the dopant is sodium di-2-ethylhexyl sulfosuccinate. 前記導電性ポリマー及びウレタン樹脂の合計に対する前記ウレタン樹脂の割合が20〜80重量%である請求項1〜4のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物。   The composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 4, wherein a ratio of the urethane resin to a total of the conductive polymer and the urethane resin is 20 to 80% by weight. 請求項1〜5のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物から得られる無電解めっき下地膜。   An electroless plating base film obtained from the composition for forming an electroless plating base film according to claim 1. 金属を含む無電解めっき層と、
導電性ポリマー及びウレタン樹脂を含む無電解めっき下地膜と、
基板とを含み、
前記無電解めっき層の一方の面と前記無電解めっき下地膜の一方の面が接しているめっき積層体。
An electroless plating layer containing metal;
An electroless plating base film containing a conductive polymer and a urethane resin;
Including a substrate,
A plating laminate in which one surface of the electroless plating layer is in contact with one surface of the electroless plating base film.
前記導電性ポリマーが置換又は無置換のポリアニリンがドーパントによってドープされたポリアニリン複合体である請求項7に記載のめっき積層体。   The plated laminate according to claim 7, wherein the conductive polymer is a polyaniline composite in which substituted or unsubstituted polyaniline is doped with a dopant. 前記ドーパントが下記式(III)で表されるスルホコハク酸誘導体である請求項8に記載のめっき積層体。
Figure 2014132104
(式(III)中、Mは、水素原子、有機遊離基又は無機遊離基である。m’は、Mの価数である。R13及びR14は、それぞれ炭化水素基又は−(R15O)−R16基である。R15は、それぞれ炭化水素基又はシリレン基であり、R16は水素原子、炭化水素基又はR17 Si−基であり、rは1以上の整数である。R17は、それぞれ炭化水素基である。)
The plating laminate according to claim 8, wherein the dopant is a sulfosuccinic acid derivative represented by the following formula (III).
Figure 2014132104
(In formula (III), M is a hydrogen atom, an organic free radical or an inorganic free radical. M ′ is a valence of M. R 13 and R 14 are a hydrocarbon group or — (R 15 , respectively). O) r— R 16 group, wherein R 15 is a hydrocarbon group or a silylene group, R 16 is a hydrogen atom, a hydrocarbon group or an R 17 3 Si— group, and r is an integer of 1 or more. R 17 is each a hydrocarbon group.)
前記ドーパントがジ−2−エチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウムである請求項8又は9に記載のめっき積層体。   The plated laminate according to claim 8 or 9, wherein the dopant is sodium di-2-ethylhexyl sulfosuccinate. 前記導電性ポリマー及びウレタン樹脂の合計に対する前記ウレタン樹脂の割合が20〜80重量%である請求項7〜10のいずれかに記載のめっき積層体。   The ratio of the said urethane resin with respect to the sum total of the said conductive polymer and urethane resin is 20 to 80 weight%, The plating laminated body in any one of Claims 7-10. 前記金属が銅である請求項7〜11のいずれかに記載のめっき積層体。   The plated laminate according to claim 7, wherein the metal is copper. 前記基板が樹脂である請求項7〜12のいずれかに記載のめっき積層体。   The plated laminate according to claim 7, wherein the substrate is a resin. 前記基板がポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、又はポリフェニレンサルファイド樹脂である請求項13に記載のめっき積層体。   The plating laminate according to claim 13, wherein the substrate is a polycarbonate resin, a polyester resin, a polyimide resin, or a polyphenylene sulfide resin. 請求項1〜5のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いる無電解めっき下地膜の製造方法。   The manufacturing method of the electroless-plating base film using the composition for electroless-plating base film formation in any one of Claims 1-5. 基板上に、請求項1〜5のいずれかに記載の無電解めっき下地膜形成用組成物を用いて無電解めっき下地膜を形成する工程、及び
前記無電解めっき下地膜上に、金属を含む無電解めっき層を形成する工程を含む
無電解めっき積層体の製造方法。
A step of forming an electroless plating base film using the composition for forming an electroless plating base film according to any one of claims 1 to 5 on a substrate, and a metal on the electroless plating base film The manufacturing method of the electroless-plating laminated body including the process of forming an electroless-plating layer.
前記無電解めっき下地膜にパラジウムを担持させ、その後前記無電解めっき液に接触させることにより無電解めっき層を形成する請求項16に記載の無電解めっき積層体の製造方法。   The manufacturing method of the electroless-plating laminated body of Claim 16 which forms an electroless-plating layer by carrying | supporting palladium on the said electroless-plating base film, and making it contact with the said electroless-plating liquid after that. 前記無電解めっき下地膜に塩化パラジウム溶液を接触させることによりパラジウムを担持させる請求項17に記載の無電解めっき積層体の製造方法。   The method for producing an electroless plating laminate according to claim 17, wherein palladium is supported by bringing a palladium chloride solution into contact with the electroless plating base film. 前記無電解めっき液がCu、Ni、Au、Pd、Ag、Sn、Co及びPtから選択される1以上の金属を含む請求項16〜18のいずれかに記載の無電解めっき積層体の製造方法。   The method for producing an electroless plating laminate according to any one of claims 16 to 18, wherein the electroless plating solution contains one or more metals selected from Cu, Ni, Au, Pd, Ag, Sn, Co, and Pt. .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014192287A1 (en) * 2013-05-28 2017-02-23 出光興産株式会社 Composition for forming electroless plating base film
WO2019216155A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film, and capacitor

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011190483A (en) * 2010-03-12 2011-09-29 Teijin Dupont Films Japan Ltd Metal laminate
JP2011208174A (en) * 2010-03-29 2011-10-20 Achilles Corp Plated article having polycarbonate resin as base material
JP2012062462A (en) * 2010-08-17 2012-03-29 Idemitsu Kosan Co Ltd Polyaniline electroconductive composition
WO2013031846A1 (en) * 2011-08-31 2013-03-07 ナガセケムテックス株式会社 Method for producing plated article, and plated article

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011190483A (en) * 2010-03-12 2011-09-29 Teijin Dupont Films Japan Ltd Metal laminate
JP2011208174A (en) * 2010-03-29 2011-10-20 Achilles Corp Plated article having polycarbonate resin as base material
JP2012062462A (en) * 2010-08-17 2012-03-29 Idemitsu Kosan Co Ltd Polyaniline electroconductive composition
WO2013031846A1 (en) * 2011-08-31 2013-03-07 ナガセケムテックス株式会社 Method for producing plated article, and plated article

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2014192287A1 (en) * 2013-05-28 2017-02-23 出光興産株式会社 Composition for forming electroless plating base film
WO2019216155A1 (en) * 2018-05-08 2019-11-14 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film, and capacitor
CN112088191A (en) * 2018-05-08 2020-12-15 出光兴产株式会社 Composition, method for producing conductive film, and capacitor
JPWO2019216155A1 (en) * 2018-05-08 2021-07-08 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film and capacitor
EP3792315A4 (en) * 2018-05-08 2022-03-16 Idemitsu Kosan Co.,Ltd. Composition, method for producing conductive film, conductive film, and capacitor
JP7279031B2 (en) 2018-05-08 2023-05-22 出光興産株式会社 Composition, method for producing conductive film, conductive film and capacitor
US11767399B2 (en) 2018-05-08 2023-09-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Composition, method for producing conductive film, conductive film, capacitor

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