JP2014120795A - 光電変換装置、光電変換システム、光電変換装置の駆動方法、光電変換システムの駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来の光電変換装置では、明るい被写体と暗い被写体とが映り込んだ撮影シーンの測光において、ダイナミックレンジが不足して測光精度が低下する場合があった。
【解決手段】 1フレーム期間に、n個の画素の光電変換信号を加算した信号を画素部から出力させ、
さらに1フレーム期間に、複数の画素の他の一部の画素に、n個とは異なる数のm個の画素の光電変換信号を加算した信号を画素部から出力する光電変換装置である。
【選択図】 図2
【解決手段】 1フレーム期間に、n個の画素の光電変換信号を加算した信号を画素部から出力させ、
さらに1フレーム期間に、複数の画素の他の一部の画素に、n個とは異なる数のm個の画素の光電変換信号を加算した信号を画素部から出力する光電変換装置である。
【選択図】 図2
Description
本発明は、光電変換装置、光電変換システム、光電変換装置の駆動方法に関する。
被写体からの光を光電変換する光電変換部を有する画素を有し、画素の出力する信号により、該被写体からの光の光量を測定する測光装置がある。特許文献1には、画素の出力する信号が、所定の範囲よりも大きい場合あるいは小さい場合に、光電変換部の電荷蓄積動作を繰り返す制御が記載されている。
特許文献1に記載の測光装置では、明るい被写体と暗い被写体とが映り込んだ撮影シーンの測光において、ダイナミックレンジが不足して測光精度が低下する場合があった。
本発明は、上記の課題を解決するために為されたものであり、その一の態様は、各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部と、制御部と、を有し、前記制御部が、1フレーム期間に、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置である。
また、別の態様は、各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部と、制御部と、を有し、前記制御部が、前記複数の画素の前記光電変換部に前記電荷を蓄積させ、さらに前記制御部が、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の、前記n個の画素と同一の期間に前記電荷が蓄積された画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の前記画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置である。
また、別の態様は、各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部を有する光電変換装置の駆動方法であって、1フレーム期間に、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置の駆動方法である。
また、別の態様は、各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部を有する光電変換装置の駆動方法であって、前記複数の画素の前記光電変換部に前記電荷を蓄積させ、さらに、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の、前記n個の画素と同一の期間に前記電荷が蓄積された画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の前記画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置の駆動方法である。
また、別の態様は、各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部を有する光電変換装置と、撮影画像を生成するための撮像信号を出力する撮像装置と、を有する光電変換システムの駆動方法であって、1フレーム期間に、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させ、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と、から前記撮像装置の露光量を決定することを特徴とする光電変換システムの駆動方法である。
本発明の光電変換装置は、同一の光量に対し、信号レベルの異なる複数の信号を1フレーム期間に出力することができる。これにより、1フレーム期間に光電変換装置から出力される信号のダイナミックレンジを拡大することができる。これにより、測光精度の向上した光電変換装置を提供することができる。
本明細書の光電変換装置とは、測光装置と、測光装置としても動作する撮像装置と、を含む名称である。
(実施例1)
図面を参照しながら、本実施例の測光装置について説明する。
図面を参照しながら、本実施例の測光装置について説明する。
図1(a)は、本実施例の測光装置の構成例を示した模式図である。図1(a)の測光装置は、測光センサ1、演算装置2を有する。演算装置2は、アナログ−デジタル変換部(以下A/D部)4、メモリ5、測光処理部6、測光制御部7を有する。演算装置2は、本実施例の演算部である。
測光センサ1は、被写体からの光を光電変換して生成した光電変換信号に基づく信号を演算装置2に出力する。測光センサ1から演算装置2に出力された信号は、A/D部4でアナログ−デジタル変換される。メモリ5は、デジタル信号に変換された信号を保持する。測光センサ1及びA/D部4の動作は、測光制御部7により制御される。更に、メモリ5は保持した信号を測光処理部6に出力し、測光処理部6は出力された信号に基づいて測光処理を行う。測光制御部7は、演算装置2の各部及び測光センサ1の制御を行う。
図1(b)は、測光センサ1の構成例を示したものである。測光センサ1は、画素部11、画素制御部12、CDS(Correlated Double Sampling)回路13、副走査回路14、出力アンプ15、タイミングジェネレータ(以下TG)16を備えている。本実施例の画素信号処理部は、CDS回路である。本実施例の制御部は、画素制御部12である。本実施例のタイミング制御部は、TG16である。
画素部11は、光電変換部を備えた複数の画素が2次元状に並んで配置されている。画素制御部12は、光電変換部に蓄積された電荷の読み出し、複数の光電変換部で蓄積された電荷の加算、光電変換部のリセットのそれぞれの制御を行う。画素部11は、画素制御部12の制御に基づいて、リセットレベルの信号と、被写体からの光を光電変換部が光電変換して生成した電荷に基づく光電変換信号とを出力する。CDS回路13は、複数の単位CDS回路を含む。各単位CDS回路は、画素部11の1つの画素列又は複数の画素列毎に配置され、画素制御部12によって読み出された信号をCDS処理する。具体的には、CDS回路13は、画素部11からのリセットレベルの信号と光電変換信号との差、あるいは画素部11からCDS回路13に至る電気的経路が有する固有のオフセットを含むリセットレベルと光電変換信号との差を出力する。このCDS処理により、CDS回路13は、ノイズ成分の低減された光電変換信号を出力アンプ15に出力する。副走査回路14は、各列の単位CDS回路に保持されているCDS処理後の光電変換信号を、各列の単位CDS回路から順次出力させる。出力アンプ15は、副走査回路14により単位CDS回路から出力された信号を増幅し、測光信号Voutとして演算装置2に出力する。本実施例の増幅部は、出力アンプ15である。測光信号Voutは、画素部11が出力する光電変換信号に基づく信号である。TG16には外部からクロック信号CLKが与えられている。TG16は、画素制御部12、CDS回路13、副走査回路14の動作を制御する。
図1(c)は、測光信号Voutと垂直同期信号VD、水平同期信号HDとの関係を示すタイミング図である。TG16が画素制御部12に出力する垂直同期信号VDをHighレベル(以下Hレベル)とすると、画素制御部12は画素部11から順次、CDS回路13にノイズレベルの信号と光電変換信号とを出力させる。垂直同期信号VDがLowレベル(以下Lレベル)の期間、すなわち時刻t1から時刻t2までの期間が主走査ブランキング期間である。また、垂直同期信号VDがHレベルの期間、すなわち時刻t2から時刻t5までの期間が主走査信号期間である。1つの主走査ブランキング期間と、1つの主走査信号期間とを合わせた期間、すなわち時刻t1から時刻t5までの期間が主走査期間である。また、TG16が副走査回路14に出力する水平同期信号HDをHレベルとすると、副走査回路14は各列の単位CDS回路の保持した光電変換信号を順次、各列の単位CDS回路から出力アンプ15に出力させる。水平同期信号HDがHレベルの期間、すなわち時刻t2から時刻t4までの期間が、副走査信号期間である。また、垂直同期信号VDがHレベルとなってから、水平同期信号HDがHレベルとなるまでの期間、すなわち時刻t2から時刻t3までの期間が、副走査ブランキング期間である。1つの副走査ブランキング期間と、1つの副走査信号期間と、を合わせた期間、すなわち時刻t2から時刻t4までの期間が副走査期間である。1フレーム期間とは、垂直同期信号VDがHレベルからLレベルになった時から、垂直同期信号VDがHレベルとなり再びLレベルになるまでの期間である。つまり、垂直同期信号の1周期に相当する。図1(c)の形態で言えば、時刻t1から時刻t5までの主走査期間が1フレーム期間である。尚、Hレベルの垂直同期信号VDは、制御部である画素制御部12に、画素部11からCDS回路13に複数画素の光電変換信号を加算した信号を出力させる第1の信号値の信号である。またLレベルの垂直同期信号VDは、第2の信号値の信号である。
図1(c)に示したVoutは図1の測光センサの測光信号Voutを模式的に示したものである。単位CDS回路に保持された光電変換信号は、クロック信号CLKに同期して出力アンプ15に出力される。
図2(a)、図2(b)は、複数の画素で生成した光電変換信号を加算して出力する場合の、画素と測光信号Voutとの関係を示した図である。図2(a)は、測光センサ1の画素部11の画素配列を模式化して表したものである。図2(a)では、12行16列、計192個の画素を配列した場合を示している。
ここで、図2(a)における画素部11の区分けを、4行4列の画素で構成される第一領域17(画素P1〜P4、画素P17〜P20、画素P33〜P36、画素P49〜P52)、第一領域17の4行2列で構成される第二領域18(画素P1、P2、P17、P18、P33、P34、P49、P50)、第一領域17の残りの領域である第三領域19(画素P3、P4、P19、P20、P35、P36、P51、P52)と定義する。第二領域18では、2つの画素の光電変換信号を加算した信号をCDS回路13に出力する。第三領域19では、4つの画素の光電変換信号を加算した信号をCDS回路13に出力する。
図2(b)は、水平同期信号HD、クロック信号CLK、測光信号Voutのタイミング図を示している。図2(b)のVoutについては加算される光電変換信号を模式的に示している。例えば、Vout−1は、図2(a)における画素P1と画素P33で生成した光電変換信号を加算した信号に基づく測光信号であることを示し、Vout−3は、図2(a)における画素P3、P19、P35及びP51で生成した光電変換信号を加算した信号に基づく測光信号であることを示している。測光信号Voutは、図2(b)で示した形態ではVout−48から降順で順次出力される。
図2(c)は、上述した画素部11の第二領域18及び第三領域19において、それぞれ2画素及び4画素の光電変換信号の加算を行う等価回路の一例である。図2(c)では、簡単のため上述した第一領域17を示す4行4列の画素を図示している。図2(c)において、画素P1は、フォトダイオード21と、フォトダイオード21に蓄積された電荷を転送するためのトランジスタ22で構成されている。トランジスタ22の制御ノードに、画素制御部12から転送制御線31を介して信号φTXが与えられる。図2(c)の下部から1行目の画素に与えられる信号φTX1−1、1−2と表記する。以下、図2(c)の下部からn行目の画素に与えられる信号φTXn−1、n−2と表記する。また、図2(c)の下部からn行目を、単にn行目として表記する。また、図2(c)の左からm列目を単にm列目として表記する。図2(c)には、単位画素セル20が1行4列設けられた図を示している。図2(a)に示した画素部11は、3行16列の単位画素セル20が配列されていると言える。転送制御線31は、1行目1列目、1行目2列目の画素のトランジスタ22の制御ノードに電気的に接続されている。転送制御線32は、1行目3列目、1行目4列目の画素のトランジスタ22の制御ノードに電気的に接続されている。つまり、n行目1列目、n行目2列目の画素のトランジスタ22の制御ノードは、共通の転送制御線に電気的に接続されている。同様に、n行目3列目、n行目4列目の画素のトランジスタ22の制御ノードは、共通の転送制御線に電気的に接続されている。増幅トランジスタ23の制御ノードは、4つの画素のトランジスタ22に電気的に接続されている。単位画素セル20は、1つの増幅トランジスタ23と、該増幅トランジスタ23の制御ノードに電気的に接続された4つの画素と、該増幅トランジスタ23に電気的に接続された選択トランジスタ25と、を有する。また、増幅トランジスタ23の制御ノードは、リセットトランジスタ27に電気的に接続されている。リセットトランジスタ27は単位画素セル20ごとに設けられている。リセットトランジスタ27の制御ノードには、画素制御部12からリセット制御線40を介して信号φRES1が与えられる。増幅トランジスタ23は、増幅トランジスタ23の制御ノードに与えられた電荷に基づく信号を選択トランジスタ25に出力する。4列の選択トランジスタ25の制御ノードには、画素制御部12から共通の信号φSEL1が与えられる。画素制御部12が信号φSEL1をHレベルとすると、増幅トランジスタ23の出力する信号が選択トランジスタ25を介して垂直信号線26に出力される。増幅トランジスタ23の制御ノードは、フォトダイオード21が生成する電荷が与えられる入力ノードである。また、増幅トランジスタ23は、入力ノードの電位に基づいて信号を出力する信号出力部である。
図3(a)は、図2(b)に示した動作を行う場合における、図2(c)に示した画素の動作の一例を示したタイミング図である。
時刻t31に、画素制御部12が信号φRES1をHレベルとすると、各リセットトランジスタ27がオンとなり、各単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードの電荷がリセットされる。その後、画素制御部12は信号φRES1をLレベルとする。
時刻t32に、画素制御部12が信号φSEL1をHレベルとすると、1〜4列目の単位画素セル20のそれぞれの選択トランジスタ25がオンとなり、増幅トランジスタ23の制御ノードのリセットされた電位に基づく信号が垂直信号線26に出力される。この時に出力される信号が、単位画素セル20のリセットレベルの信号である。
時刻t33に、画素制御部12は、信号φTX1−1、φTX1−2、φTX2−2、φTX3−1、φTX3−2、φTX4−2をHレベルとする。これにより、1列目の単位画素セル20では、画素P1、P33のフォトダイオード21の生成した電荷が増幅トランジスタ23の制御ノードに出力される。2列目の単位画素セル20では、画素P2、P34の生成した電荷が増幅トランジスタ23の制御ノードに出力される。3列目の単位画素セル20では、画素P3、P19、P35、P51のフォトダイオード21の生成した電荷が増幅トランジスタ23の制御ノードに出力される。4列目の単位画素セル20では、画素P4、P20、P36、P52のフォトダイオード21の生成した電荷が増幅トランジスタ23の制御ノードに出力される。従って、1列目の単位画素セル20では画素P1の光電変換信号と画素P3の光電変換信号とを加算した信号が垂直信号線26に出力される。2列目の単位画素セル20についても同様にして、画素P2の光電変換信号と画素P4の光電変換信号とを加算した信号が垂直信号線28に出力される。3列目では画素P3、P19、P35、P51のそれぞれの光電変換信号を加算した信号が垂直信号線29に出力される。4列目の単位画素セル20についても同様にして、画素P4、P20、P36、P52の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線30に出力される。このようにして、1列目、2列目の単位画素セル20からは2つの画素の光電変換信号を加算した信号がCDS回路13に出力される。また、3列目、4列目の単位画素セル20からは4つの画素の光電変換信号を加算した信号がCDS回路13に出力される。
時刻t34に、画素制御部12は信号φSEL1をLレベルとする。本実施例の動作では、画素P17、P18、P49、P50の光電変換信号の出力は行わない。
その後、画素制御部12は別行の単位画素セル20に出力する信号φSELをHレベルとする。
このようにして、本実施例の測光装置は、1つの主走査期間において、2つの画素の光電変換信号を加算した信号と、4つの画素の光電変換信号を加算した信号と、をそれぞれ得ることができる。
次に、図3(b)を参照しながら、本実施例の測光装置が行う測光処理を説明する。ステップS1で測光処理が開始されると、ステップS2に進み、測光制御部7は測光センサ1の光電変換部に、被写体からの光を光電変換して生成する電荷の蓄積動作を開始させる。ステップS3では、測光センサ1から演算装置2に測光信号Voutが出力される。A/D部4が、測光センサ1の出力する測光信号Voutをアナログ−デジタル変換する。そして、メモリ5は、A/D部4がデジタル信号に変換した測光信号を保持する。ステップS4では、測光処理部6がメモリ5に保持されている測光信号を用いて測光演算を行う。ステップS5では、測光処理部6が、測光演算の結果に基づいて、ステップS2からステップS4で行った処理を有効として終了するか、無効としてもう一度ステップS2に測光処理を戻すかを選択する。測光処理を無効と判定した場合には、ステップS6で、次回測光用蓄積時間を算出する。この算出した蓄積時間をステップS2の測光センサ蓄積に反映し、再びステップS2の動作を行う。
図4(a)は、図3(b)のステップS4で示した測光演算の処理を示したものである。図3(b)でステップS4の測光演算に進むと、図4(a)のステップS10の第二領域18の演算が行われる。ステップS10の第二領域18の演算の後、ステップS11の第三領域19の演算が行われる。ステップS4の測光演算の処理は、ステップS11の第三領域19の演算の後に終了する。
本実施例の測光装置では、2つの画素の光電変換信号を加算した信号と、4つの画素の光電変換信号を加算した信号と、がそれぞれ1つの主走査期間に出力される。よって、仮に同一の光量の光が第一領域17に入射した場合、第二領域18からは第三領域19よりも信号値の小さい測光信号が出力される。従って、4つの画素のフォトダイオード21の加算した電荷が、増幅トランジスタ23の制御ノードの保持可能な電荷量を越えている場合であっても、2つの画素の光電変換信号を加算した信号を測光演算に用いることができる場合がある。よって、測光センサ1の電荷蓄積動作の繰り返し回数を減らすことができる。これにより、被写体からの光の光量を測光する測光処理に要する時間を短縮することができる。
また、従来では、明るい被写体と暗い被写体とが同一シーンに存在する場合、明るい被写体に合わせて測光動作を行うと暗い被写体の信号レベルが低いため、暗い被写体を含めた測光を行うには、再度、暗い被写体に合わせた測光動作を行う必要があった。本実施例の測光装置では、2つの画素の光電変換信号を加算した信号に基づく第1画像と、4つの画素の光電変換信号を加算した信号に基づく第2画像と、を1フレーム期間に得ることに相当する。つまり、ダイナミックレンジの異なる2枚の画像を1フレーム期間に得ることに相当する。例えば、明るい被写体と暗い被写体とが同一シーンに存在する場合に、明るい被写体を2つの画素の光電変換信号を加算した信号に基づいて測光する。また、暗い被写体を4つの画素の光電変換信号を加算した信号に基づいて測光する。これにより、1フレーム期間で明るい被写体と暗い被写体の双方に対応した測光を行うことができるので、測光処理に要する時間を従来に比して短縮することができる。
また、測光センサ1から出力される測光信号の信号量は、複数の画素の光電変換信号を加算しない形態に比して本実施例の形態では少なくなる。これにより、演算装置2が行う測光処理に要する時間を、複数の画素の光電変換信号を加算しない形態に比して、短縮することができる。
本実施例では、連続する2列の画素が第二領域18に含まれていた。また、連続する2列の画素が第三領域19に含まれていた。本実施例はこの形態に限定されるものではなく、例えば、4列の第一領域17において、1列の画素の第二領域18と1列の画素の第三領域19とが交互に並ぶ形態としても良い。また、本実施例では、列単位で第二領域18と第三領域19とを設定していたが、行単位で第二領域18と第三領域19を設定しても良い。また、第二領域18と第三領域19とをマトリクス状に設定しても良い。第二領域18と第三領域19との配置は、測光装置の使用用途に応じて適宜変更すればよい。例えば、測光センサの中央部に明るい被写体が映ることの多い用途の場合には、測光センサの中央部に第二領域18を配置し、周辺部に第三領域19を配置する形態であっても良い。また、本実施例では、複数行の画素で光電変換信号を加算する形態を述べたが、複数列の画素で光電変換信号を加算する形態であっても良い。
また、本実施例では、光電変換信号を加算する画素数を2画素と4画素としていたが、この組み合わせに限定されるものではない。つまり、n個の画素の光電変換信号を加算した信号と、n個とは異なる個数のm個の画素の光電変換信号を加算した信号とが同じ1フレーム期間に画素部11から画素信号処理部に出力される形態であれば良い。
また、本実施例では、主走査信号期間の間、垂直同期信号VDがHレベルを維持する形態を示した。本実施例はこの形態に限定されるものではなく、垂直同期信号VDが例えばクロック信号の1周期分のみHレベルとなる形態であっても良い。この形態では、垂直同期信号VDがHレベルとなったことを受けて、画素制御部12は画素部11からCDS回路13に光電変換信号の順次出力を開始する。この形態の場合、垂直同期信号VDがLレベルとなってからも、所定の画素の選択動作を終えるまで、前記画素制御部は前記画素の走査を行う。この形態においても、垂直同期信号VDがLレベルとなってから、次に垂直同期信号VDがHレベルとなって再びLレベルとなるまでの期間に、主走査信号期間と主走査ブランキング期間とが含まれる。この1つの主走査信号期間と、1つの主走査ブランキング期間を含む期間が1フレーム期間である。
本実施例では、画素信号処理部の一例としてCDS回路を用いる形態を説明した。必ずしもCDSを行う必要はなく、画素部11から出力される光電変換信号を演算装置2に出力する形態であっても良い。
また、本実施例で説明した、n個の画素の光電変換信号を加算した信号と、n個とは異なる数のm個の画素の光電変換信号を加算した信号と、をそれぞれ1つの主走査期間に画素部11が出力する動作と、複数の画素の光電変換信号を加算せずに、各画素の光電変換信号を測光信号として画素部11が出力する動作と、をそれぞれ行うようにしても良い。例えば、複数の画素の光電変換信号を加算せずに、各画素の光電変換信号を測光信号として出力する動作を行う。演算装置2は測光センサ1から出力された測光信号によって、撮影シーンの検出を行う。そして、検出された撮影シーンに基づいて、n個の画素の光電変換信号を加算した信号と、m個の画素の光電変換信号を加算した信号と、をそれぞれ1つの主走査期間に出力する動作を行う。測光制御部7は、検出された撮影シーンに基づいて、n個とm個の個数を設定したり、第二領域17、第三領域18の配置を設定したりしても良い。例えば、人物が存在する撮影シーンで人物に注目した測光処理を行う場合には、人物が映り込む領域に第二領域17を多く配置する。これにより、人物が映り込む領域の測光処理の解像度を他の領域よりも高めて測光処理を行うことができる。
(実施例2)
本実施例の測光装置を、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光装置を、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光装置の構成は実施例1と同様とすることができる。本実施例の測光装置は、実施例1の測光装置とは動作が異なる。
図4(b)に、本実施例の測光演算を示す。図4(b)に示した測光演算の処理は、図3(b)のステップS4に対応する。
測光処理部6は、ステップS20でメモリ5に保持されている測光データのうち、第二領域18の測光信号に対して最大値及び最小値をそれぞれ取得する。次に、ステップS21で第三領域19の測光信号に対して最大値及び最小値を取得して、ステップS4の測光演算の処理を終了する。
そして、測光処理部6は、ステップS5において、ステップS4の測光演算で取得した、第二領域18と第三領域19のそれぞれの最大値、最小値に基づいて、ステップS2からステップS4で行った処理を有効として終了するか否かを判定する。
本実施例の測光装置は、実施例1と同様の効果を有する。さらに本実施例によれば、第二領域18、第三領域19のそれぞれの最大値、最小値に基づいて、ステップS5の測光処理の有効判定を行う。これにより、実施例1の測光装置に比して、ステップS5の測光処理の有効判定の精度を向上することができる。
次に、測光装置を有する光電変換システムについて図3(c)を参照しながら説明する。
図3(c)において、光電変換システムはレンズの保護のためのバリア151、被写体の光学像を本実施例の撮像装置154に結像させるレンズ152、レンズ152を通った光量を可変にするための絞り153を有する。さらに光電変換システムは、撮像装置154より出力される信号の処理を行う出力信号処理部155を有する。撮像装置154から出力される信号は、被写体を撮影した撮影画像を生成するための撮像信号である。出力信号処理部155は撮像装置154から出力される撮像信号を必要に応じて各種の補正、圧縮を行って処理する。レンズ152、絞り153は撮像装置154に光を集光する光学系である。
図3(c)に例示した光電変換システムはさらに、画像データを一時的に記憶する為のバッファメモリ部156、外部コンピュータ等と通信する為の外部インターフェース部157を有する。さらに光電変換システムは、撮像データの記録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体159、記録媒体159に記録または読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部158を有する。さらに光電変換システムは、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部1510を有する。
そして、図3(c)に例示した光電変換システムは測光装置1511を有する。測光装置1511の測光制御部7は、全体制御・演算部1510から出力される信号に基づいて動作する。測光装置1511から、全体制御・演算部1510に測光データが出力される。全体制御・演算部1510は、測光装置1511から出力された測光データに基づいて、撮像装置154の露光量を決定する。この露光量とは、撮像装置のシャッターを開いている期間、絞り152の絞り量、撮像装置154の感度等を指す。
この光電変換システムが有する測光装置1511は、本実施例で述べた形態とすることができる。これにより、本実施例の光電変換システムの測光装置においても、本実施例で述べた効果を得ることができる。さらに本実施例の測光装置は、測光処理の有効判定の精度を実施例1よりも向上できる。よって本実施例の測光装置は、測光装置から無効な測光データの出力を実施例1の形態よりも低減することができる。従って、撮像装置154の露光量を適切な値にしやすくできる効果を有する。
尚、本実施例で述べた光電変換システムは、測光装置1511がA/D部4、メモリ5、測光処理部6、測光制御部7を有する形態を示した。本実施例の光電変換システムはこの形態に限定されるものではない。例えばA/D部4、メモリ5、測光処理部6を出力信号処理部155が有し、測光制御部7を全体制御・演算部1510が有する形態であっても良い。
測光センサ1からの測光信号が出力信号処理部155に出力される場合には、演算部は出力信号処理部155である。また、測光センサ1から測光信号が全体制御・演算部1510に出力される場合には、演算部は全体制御・演算部1510である。
(実施例3)
本実施例の測光装置を、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光装置を、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光装置の構成は実施例1と同様とすることができる。本実施例では、測光演算の処理が実施例2とは異なる。
図4(c)に、本実施例の測光演算を示す。図4(c)に示した測光演算の処理は、図3(b)のステップS4に対応する。
本実施例の測光処理部6は、ステップS30でメモリ5に保持されている第二領域18の測光信号を、さらにs個の画素群に分割し、s個のそれぞれの画素群について最大値及び最小値を取得する。同様に、測光処理部6は、ステップS30でメモリ5に保持されている第三領域19の測光信号を、さらにt個の画素群に分割し、t個のそれぞれの画素群について最大値及び最小値を取得する。このs個、t個の画素群への分割は、被写体の輝度の分布に基づいて各画素群の単位画素セル数を変えて行っても良いし、各画素群に均等な数の単位画素セルが含まれるように行っても良い。本実施例のs個の画素群は第一の画素群、t個の画素群は第二の画素群である。
本実施例の測光装置は、実施例1と同様の効果を有する。さらに本実施形態によれば、第二領域18及び第三領域19のそれぞれを複数の画素群に分割し、各画素群の最大値と最小値を取得する。これにより、例えば、同一シーンで輝度が大きく異なる物体が存在するような複雑な被写体に対して、ステップS5の測光処理の有効判定の精度を実施例2よりも向上できる効果を有する。
(実施例4)
本実施例の測光装置を、図面を参照しながら説明する。本実施例の測光装置は、測光演算の処理が実施例2とは異なる。
本実施例の測光装置を、図面を参照しながら説明する。本実施例の測光装置は、測光演算の処理が実施例2とは異なる。
図5(a)に、本実施例の測光演算を示す。図5(a)に示した測光演算の処理は、図3(b)のステップS4に対応する。
測光処理部6は、メモリ5に保持されている測光信号のうち、ステップS40で第三領域19の測光信号の最大値を取得する。測光処理部6はステップS41で、ステップS40で得た第三領域19の最大値が測光信号の飽和レベル以上か飽和レベル未満かを判定する飽和判定を行う。測光処理部6は、ステップS40で得た第三領域19の最大値が飽和レベルに達していない場合、ステップS41を否定判定してステップS44に測光演算の処理を進める。ステップS40で得た最大値が飽和レベルに達している場合には、ステップS41を肯定判定してステップS42に測光演算の処理を進める。
ステップS41を否定判定した場合、測光処理部6は、ステップS44において、メモリ5に保持されている測光信号のうち、第三領域19の測光信号の最小値を取得する。そして、測光処理部6は、ステップS4の測光演算の処理を終了する。
ステップS41を肯定判定した場合、測光処理部6は、ステップS42において、メモリ5に保持されている測光信号のうち、第二領域18の測光信号の最大値を取得する。測光処理部6は、ステップS43で、ステップS42で得た第二領域18の最大値が飽和レベル以上か飽和レベル未満かを判定する飽和判定を行う。測光処理部6は、ステップS42で得た第二領域18の最大値が飽和レベル未満の場合、ステップS43を否定判定してステップS45に測光演算の処理を進める。ステップS42で得た最大値が飽和レベル以上の場合には、測光処理部6は、ステップS43を肯定判定して、ステップS4の測光演算の処理を終了する。
ステップS43を否定判定した場合、測光処理部6は、ステップS45において、ステップS40でメモリ5に保持されている測光信号のうち、第二領域18の測光信号の最小値を取得する。
本実施例の形態では、第二領域18、第三領域19の測光信号の最大値が共に飽和レベル以上の場合には、第二領域18、第三領域19のそれぞれの最小値を取得せずに測光演算の処理を終了する。そして、測光処理部6は、図3(b)に示したステップS5の判定を否定判定し、ステップS6に処理を進める。測光処理部6はステップS6で、先のステップS2で測光センサ1が蓄積を行った電荷量よりも、次回の測光センサ1の蓄積によって生成する電荷量が少なくなるように、次回測光用蓄積時間を算出する。
本実施例の形態では、第二領域18、第三領域19の測光信号の最大値が共に飽和レベル以上の場合には、再度、測光センサ1の電荷の蓄積をやり直すことができる。これにより、測光装置が、飽和レベルの信号に基づいて行った測光処理で得た測光データを出力することが少なくなる。また、第二領域18、第三領域19の測光信号が共に飽和レベル以上の場合、第二領域18、第三領域19の各々の最小値を取得する処理を行わない。これにより、第二領域18、第三領域19の測光信号が共に飽和レベル以上の場合、次回のステップS4の測光演算の処理に要する期間を、第二領域18、第三領域19の各々の最小値を取得する形態に比して短縮することができる。そして、測光処理部6は図3(b)に示したステップS5の判定を否定判定し、ステップS6に処理を進める。これにより、第二領域18、第三領域19の測光信号が共に飽和レベル以上の場合、測光処理部6は、次回のステップS2の測光センサ蓄積を、第二領域18、第三領域19の各々の最小値を取得する形態よりも早く開始することができる。
本実施例で述べた飽和レベルとは、例えば、増幅トランジスタ23の制御ノードが保持できる電荷量の最大値に基づいて設定しても良い。他の飽和レベルの決定の仕方として、例えば、増幅トランジスタ23の制御ノードに保持可能な電荷量の80%の電荷量が該制御ノードに保持された場合に単位画素セル20から出力される光電変換信号の信号値としても良い。また、他の飽和レベルの決定の仕方として、単位画素セル20の出力する信号の白飛び判定に用いる閾値を飽和レベルの光電変換信号の信号値としても良い。
また、第三領域18の最大値は飽和レベル未満であり、第二領域17の最大値が飽和レベル以上の場合は、測光処理部6はステップS5を否定判定としても良い。あるいは、測光処理部6は例えば被写体のシーンに応じてステップS5の判定結果を変えても良い。つまり、被写体の注目したい領域において、第三領域18の最大値は飽和レベル未満であり、第二領域17の最大値が飽和レベル以上の場合には、精度よく測光処理を行うためにステップS5を否定判定し、ステップS6を介してステップS2に測光処理を戻す形態であっても良い。
(実施例5)
本実施例の測光装置を、実施例4とは異なる部分を中心に、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光装置を、実施例4とは異なる部分を中心に、図面を参照しながら説明する。
図5(b)に、本実施例の測光演算を示す。図5(b)に示した測光演算の処理は、図3(b)のステップS4に対応する。
測光処理部6はメモリ5が保持している測光信号のうち、ステップS50で第二領域18の測光信号の最大値を取得する。
そして、測光処理部6はステップS51で、ステップS50で得た第二域の最大値が飽和レベル以上か飽和レベル未満かを判定する飽和判定を行う。
ステップS51を肯定判定した場合、測光処理部6は、測光演算の処理を終了する。そして、測光処理部6は、図3(b)に示したステップS5の判定を否定判定し、ステップS6に処理を進める。
ステップS51を否定判定した場合、測光処理部6は、ステップS52に測光演算の処理を進める。
測光処理部6は、メモリ5に保持されている測光信号のうち、ステップS52で第二領域18の測光信号の最小値を取得する。その後、測光処理部6は、ステップS53に測光演算の処理を進める。
測光処理部6は、メモリ5に保持されている測光信号のうち、ステップS53で第三領域19の測光信号の最大値を取得する。その後、測光処理部は、ステップS54に測光演算の処理を進める。
測光処理部6は、ステップS54で、ステップS53で得た第二域の最大値が飽和レベル以上か飽和レベル未満かを判定する飽和判定を行う。
ステップS54を肯定判定した場合、測光処理部6は、測光演算の処理を終了する。ステップS54を肯定判定して測光演算の処理を終了した場合、測光処理部6は図3(b)に示したステップS5の判定を否定判定し、ステップS6に処理を進める。
ステップS54を否定判定した場合、測光処理部6は、ステップS55に測光演算の処理を進める。
測光処理部6は、メモリ5に保持されている測光信号のうち、ステップS55で第三領域19の測光信号の最小値を取得する。その後、測光処理部6は、測光演算の処理を終了する。
本実施例の形態でも、実施例4で述べたのと同様の効果を得ることができる。また、本実施例の形態は、第二領域18の測光信号の最大値が飽和レベル以上の場合には、第三領域19の測光信号の最大値も飽和レベル以上であることが多いことに着目したものである。従って、第二領域18の測光信号の最大値が飽和レベル以上の場合には第三領域19の測光信号の演算処理を省略し、測光演算の処理を終了する。これにより、第二領域18の測光信号の最大値が飽和レベル以上の場合には、ステップS4の測光演算の処理に要する期間を実施例4の形態に比して短縮することができる。これにより、測光処理部6は、ステップS4の期間が短縮される分、次回のステップS2の測光センサ蓄積を実施例4の形態よりも早く開始することができる。
(実施例6)
本実施例の測光装置について、実施例1と異なる点を中心に、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光装置について、実施例1と異なる点を中心に、図面を参照しながら説明する。
本実施例の測光センサ1の各画素にはカラーフィルタを透過した光が入射する。図6(a)では、カラーフィルタの色であるR(Red)、G(Green)、B(Blue)を各画素の数字の前に付して表記している。図6(a)に示した形態では、各列の画素に同色のカラーフィルタが配されている。図6(a)では、第一領域17には4行6列の画素が含まれる。第二領域18は、第一領域17のうちの4行3列の画素を含む。第三領域19は、第一領域17のうち、第二領域18以外の4行3列の画素を含む。この形態においても、第二領域18では、同列の2画素の光電変換信号を加算した信号に基づく測光信号、第三領域19では、同列の4画素の光電変換信号を加算した信号に基づく測光信号が出力される。これにより、実施例1と同様の効果を得ることができる。
次に図6(b)に、図6(a)とは異なるカラーフィルタ配列を有する測光センサ1を示す。図6(b)に示した形態では、カラーフィルタをベイヤ―配列の形態としている。図6(b)に示した形態では、第一領域17は8行4列の画素を含む。第二領域18は、8行2列の画素を含む。第三領域19は、第一領域17のうち、第二領域18以外の8行2列の画素を含む。
図5(c)に、図6(b)に示した形態の第二領域18及び第三領域19において、それぞれ2画素及び4画素の光電変換信号の加算を行う等価回路の一例である。図5(c)では、図2(c)で示したものと同じ機能を有するものについては、図2(c)で付した符号と同一の符号を付して表している。
図5(c)の形態が図2(c)と異なる点を説明する。図5(c)の形態では、3列目において、1〜4行目の画素を有する単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードと、5〜8行目の画素を有する単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードと、の間の電気的経路の導通、非導通を切り替えるトランジスタ42を有する。4列目についても、トランジスタ42と同様の機能を有するトランジスタ43を有する。トランジスタ42、43の制御ノードには共通の信号φCONがTG16から与えられる。TG16が信号φCONをHレベルとすると、トランジスタ42、43はオンとなる。これにより、1〜4行目の画素を有する単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードと、5〜8行目の画素を有する単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードとの間の電気的経路が導通する。また、図2(c)では、各行に2本の転送制御線を設けていたが、図5(c)の形態では、各行に1本の転送制御線を設けている。
次に、図7(a)を参照しながら図6(c)で示した測光センサ1の動作について説明する。
時刻t40において、TG16は信号φSEL1、φSEL2、φRES1、φRES2、φTX1〜φTX8をLレベルとしている。TG16はφCONをHレベルとする。
時刻t41に、TG16は、φRES1、φRES2をHレベルとする。これにより、図6(c)に示したすべての単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードの電位がリセットされる。
時刻t42に、TG16は、φRES1、φRES2をLレベルとし、全ての単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードのリセットを解除する。
時刻t43に、TG16は、φSEL1をHレベルとする。これにより、垂直信号線26には、1〜4行目の画素を有する単位画素セル20の選択トランジスタ25からリセットレベルの信号が出力される。
時刻t44に、TG16は、φTX1、φTX3、φTX5、φTX7をHレベルとする。これにより、1列目の1〜4行目の単位画素セル20からは画素R11、R31の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線26に出力される。また、2列目の1〜4行目の単位画素セル20からは画素G11、G31の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線28に出力される。3列目の1〜4行目の単位画素セル20からは、画素R13、R33、R53、R73の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線29に出力される。また、4列目の1〜4行目の単位画素セル20からは、画素G14、G34、G54、G74の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線30に出力される。
時刻t45に、TG16は、φTX1、φTX3、φTX5、φTX7をLレベルとする。
時刻t46に、TG16は、φSEL1をLレベルとする。CDS回路13は、単位画素セル20から出力された、複数画素の光電変換信号を加算した信号と、リセットレベルの信号との差の信号を出力アンプ15に出力する。リセットレベルの信号は、時刻t43〜時刻t44の期間に出力された信号である。各単位CDS回路の信号が出力アンプ15に出力されると1つの副走査期間が終了する。その後、TG16は、時刻t40〜t46の動作を行った第一領域17とは別の第一領域17から垂直信号線に順次信号を出力させる。
次に、時刻t40〜t46を含む第一の主走査期間の後に行う第二の主走査期間内の動作を説明する。
時刻t47に、TG16は再びφRES1、φRES2をHレベルとする。これにより、図6(c)に示したすべての単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードの電位がリセットされる。
時刻t48に、TG16は、φRES1、φRES2をLレベルとし、全ての単位画素セル20の増幅トランジスタ23の制御ノードのリセットを解除する。
時刻t49に、TG16は、再びφSEL1をHレベルとする。
時刻t50に、TG16は、φTX2、φTX4、φTX6、φTX8をHレベルとする。
これにより、1列目の1〜4行目の単位画素セル20からは画素G21、G41の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線26に出力される。また、2列目の1〜4行目の単位画素セル20からは画素B22、B42の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線28に出力される。3列目の1〜4行目の単位画素セル20からは、画素G23、G43、G63、G83の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線29に出力される。また、4列目の1〜4行目の単位画素セル20からは、画素B24、B44、B64、B84の光電変換信号を加算した信号が垂直信号線30に出力される。
時刻t51に、TG16は、φTX2、φTX4、φTX6、φTX8をLレベルとする。
時刻t52に、TG16は、φSEL1をLレベルとする。CDS回路13は先の第一の主走査期間と同様に、単位画素セル20から出力された、複数画素の光電変換信号を加算した信号と、リセットレベルの信号との差の信号を出力アンプ15に出力する。
上記の通り、図6(c)に示した測光センサ1では、第二領域18からは同色のカラーフィルタを有する2画素の光電変換信号を加算した信号が出力される。同様に、第三領域19からは同色のカラーフィルタを有する4画素の光電変換信号を加算した信号が出力される。これにより、本実施例においても実施例1と同様に、n個の画素の光電変換信号を加算した信号と、n個とは異なる個数のm個の画素の光電変換信号を加算した信号とが同じ1フレーム期間に画素部11から画素信号処理部に出力される。これにより、本実施例の測光装置においても、実施例1と同様の効果を得ることができる。また、本実施例の測光センサと、実施例2〜4の測光演算の処理を組み合わせても良い。実施例2〜4の測光演算の処理を組み合わせた場合には、組み合わせた実施例2〜4のそれぞれで述べた効果を得ることができる。
また、本実施例では、時刻t47〜t52の動作を、第一の主走査期間の後の第二の主走査期間に行われる形態として説明した。本実施例はこの形態に限定されるものではなく、時刻t47〜t52の動作を第一の主走査期間に行う形態であっても良い。
本実施例では、カラーフィルタとしてR,G,Bの色を有する形態を説明したが、他の色のカラーフィルタを有する形態であっても良い。この場合においても、同色のカラーフィルタを有する画素同士で光電変換信号を加算するのが好適である。
(実施例7)
本実施例の光電変換システムについて、図7(b)を参照しながら説明する。
本実施例の光電変換システムについて、図7(b)を参照しながら説明する。
本実施例の光電変換システムは、撮像装置154が撮影画像の取得を行うだけでなく、測光装置としても動作する形態である。撮像装置154の構成は、実施例5の図6(a)あるいは図6(b)で示した形態とすることができる。全体制御・演算部1510は、撮像装置154に実施例5で述べた測光処理を行わせる。全体制御・演算部1510は、出力信号処理部155に撮像装置154から出力された測光データに基づいて、撮像装置154の露光量を決定する。そして、全体制御・演算部1510は、撮像装置154に決定された露光量に基づいて撮像動作を行わせる。
本実施例の光電変換システムの測光処理についても、実施例5に述べた測光処理と同様の効果を得ることができる。
1 測光センサ
2 演算装置
4 A/D部
5 メモリ
6 測光処理部
7 測光制御部
11 画素部
12 画素制御部
13 CDS回路
14 副走査回路
15 出力アンプ
16 TG(タイミングジェネレータ)
2 演算装置
4 A/D部
5 メモリ
6 測光処理部
7 測光制御部
11 画素部
12 画素制御部
13 CDS回路
14 副走査回路
15 出力アンプ
16 TG(タイミングジェネレータ)
Claims (22)
- 各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部と、
制御部と、
を有し、
前記制御部が、1フレーム期間に、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置。 - 前記複数の画素は、複数の行に分けて配されており、
前記制御部は、前記行を選択して、前記画素部から前記複数の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力させ、
前記1フレーム期間が、
前記制御部が前記行の選択を終了して前記画素部から前記信号の出力を終了してから、前記制御部が再び前記行の選択を開始して前記制御部が前記行の選択を再び終了するまでの期間であることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換装置は、前記制御部に垂直同期信号を出力するタイミング制御部をさらに有し、
前記1フレーム期間が、前記垂直同期信号の1周期であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換装置。 - 各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部と、
制御部と、
を有し、
前記制御部が、前記複数の画素の前記光電変換部に前記電荷を蓄積させ、
さらに前記制御部が、
n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、
前記n個の画素とは別の、前記n個の画素と同一の期間に前記電荷が蓄積された画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の前記画素の前記光電変換信号を加算した信号と、
を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置。 - 前記画素はさらにカラーフィルタを有し、
前記n個の画素同士が同色のカラーフィルタを有し、
前記m個の画素同士が同色のカラーフィルタを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光電変換装置。 - 前記光電変換装置はさらに画素信号処理部を有し、
前記画素部は、前記光電変換によって生成する電荷が与えられる入力ノードと、前記電荷が与えられた前記入力ノードの電位に基づいて信号を出力する信号出力部を有し、
前記制御部は、前記入力ノードのリセットを行った電位に基づいて前記信号出力部からリセットレベルの信号を前記画素信号処理部に出力させ、
前記画素信号処理部が、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と前記リセットレベルの前記信号との差の信号として、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく信号を出力し、
前記画素信号処理部が、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と前記リセットレベルの前記信号との差の信号として、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく信号を出力することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光電変換装置。 - 前記画素部が複数の垂直信号線を有し、
前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、が互いに異なる前記垂直信号線に同時に出力されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光電変換装置。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の前記光電変換装置と、
前記光電変換装置から前記複数の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号が与えられる演算部と、を有する光電変換システムであって、
前記演算部は、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号と、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号と、から前記光電変換装置の露光量を決定し、
前記光電変換装置は、前記露光量に基づいて撮像を行うことを特徴とする光電変換システム。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の前記光電変換装置と、
前記光電変換装置から前記複数の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号が与えられる演算部と、
撮影画像を生成するための撮像信号を出力する撮像装置と、
を有する光電変換システムであって、
前記演算部は、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号と、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号と、
から前記撮像装置の露光量を決定することを特徴とする光電変換システム。 - 前記m個は、前記n個よりも多い個数であり、
前記演算部は、
前記演算部は、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号の最大値を取得し、前記最大値が、前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号の飽和レベル以上の場合に、前記画素部に再び光電変換を行わせることを特徴とする請求項8または9に記載の光電変換システム。 - 前記演算部は、前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得し、
前記演算部は、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号に基づく前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得することを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の光電変換システム。 - 前記画素部は、
前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力する第一の画素群を複数有し、
さらに前記画素部は、
前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力する第二の画素群を複数有し、
前記演算部は、複数の前記第一の画素群の各々の前記画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得し、
前記演算部は、複数の前記第二の画素群の各々の前記画素の前記信号を加算した前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得することを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の光電変換システム。 - 各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部を有する光電変換装置の駆動方法であって、
1フレーム期間に、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。 - 前記画素部は、前記画素が複数行設けられた前記複数の画素を有し、
前記画素の行を選択して、前記画素部から前記複数の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力させ、
前記1フレーム期間が、
前記画素の行の選択を終了して前記画素部から前記信号の出力を終了してから、再び前記画素の行の選択を開始して前記画素の行の選択を再び終了するまでの期間であることを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置の駆動方法。 - 各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部を有する光電変換装置の駆動方法であって、
前記複数の画素の前記光電変換部に前記電荷を蓄積させ、
さらに、
n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、
前記n個の画素とは別の、前記n個の画素と同一の期間に前記電荷が蓄積された画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の前記画素の前記光電変換信号を加算した信号と、
を前記画素部から出力させることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。 - 前記n個の画素の前記信号を加算した前記光電変換信号と、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と、から前記光電変換装置の露光量を決定し、
前記光電変換装置は、前記露光量に基づいて撮像を行うことを特徴とする請求項13〜15のいずれかに記載の光電変換装置の駆動方法。 - 前記m個は、前記n個よりも多い個数であり、
前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値が飽和レベル以上の場合に、前記画素部に再び光電変換を行わせることを特徴とする請求項13〜16のいずれかに記載の光電変換装置の駆動方法。 - 前記画素部の第一の画素群から前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力させ、
さらに前記画素部の第二の画素群から前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力させ、
複数の前記第一の画素群の各々の前記画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得し、
複数の前記第二の画素群の各々の前記画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得することを特徴とする請求項13〜17のいずれかに記載の光電変換装置の駆動方法。 - 各々が被写体からの光を光電変換して電荷を蓄積する光電変換部を有し、前記電荷に基づく光電変換信号を出力する複数の画素を有する画素部を有する光電変換装置と、
撮影画像を生成するための撮像信号を出力する撮像装置と、
を有する光電変換システムの駆動方法であって、
1フレーム期間に、n個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、前記n個の画素とは別の画素であり、前記n個とは異なる個数のm個の画素の前記光電変換信号を加算した信号と、を前記画素部から出力させ、
前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と、前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号と、から前記撮像装置の露光量を決定することを特徴とする光電変換システムの駆動方法。 - 前記m個は、前記n個よりも多い個数であり、
前記n個の前記画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値が飽和レベル以上の場合に、前記画素部に再び光電変換を行わせることを特徴とする請求項19に記載の光電変換システムの駆動方法。 - 前記画素部の第一の画素群から前記n個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力させ、
さらに前記画素部の第二の画素群から前記m個の画素の前記光電変換信号を加算した前記信号を出力させ、
複数の前記第一の画素群の各々の前記画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得し、
複数の前記第二の画素群の各々の前記画素の前記光電変換信号を加算した前記信号の最大値と最小値をそれぞれ取得することを特徴とする請求項19または20に記載の光電変換システムの駆動方法。 - 前記光電変換システムの駆動方法はさらに、前記1フレーム期間とは別のフレーム期間に、
前記複数の画素の各々の前記信号を前記画素部から出力させることを特徴とする請求項19〜21のいずれかに記載の光電変換システムの駆動方法。
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