JP2014118610A - Work holder and film formation device - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a work holder and a film formation device such that momentary separation of a work from a work holder is eliminated, an abnormal discharge between the work and work holder can be suppressed by enhancing conductivity between the work and work holder, and a film which is more uniform than before can be formed.SOLUTION: A work holder 9 is so installed as to rotate or revolve, and a work W1 having its one end part W1a housed and held in a recessed part 9a is applied with a voltage to be heated at a necessary temperature in contact with a raw material gas, so that a coating is formed on the work W1 except at the one end part W1a. The recessed part 9a is formed large enough to have a predetermined gap at a periphery of the one end part W1a of the work W1, and a spacer 10 is provided to fill the gap, the spacer 10 being formed including a material which has electric conductivity and a larger coefficient of linear expansion than the work holder 9.

Description

本発明は、ワークホルダおよびこのワークホルダを用いた被膜形成装置に関する。   The present invention relates to a work holder and a film forming apparatus using the work holder.

特許文献1には、高硬度、高耐摩耗、低摩擦、耐焼きつき性および高絶縁性などに優れるDLC膜が形成された溶射用マスキング治具が開示されている。   Patent Document 1 discloses a masking jig for thermal spraying on which a DLC film excellent in high hardness, high wear resistance, low friction, seizure resistance, high insulation, and the like is formed.

特許文献2には、DLC膜を形成する方法が開示されている。この成膜方法は、真空蒸着室内にプラズマを発生させ材料ガスを供給し、材料ガスの温度で被成膜体を高温にし、被成膜体にパルス電圧を印加しDLC膜を形成する。   Patent Document 2 discloses a method for forming a DLC film. In this film forming method, plasma is generated in a vacuum deposition chamber, a material gas is supplied, the film formation body is heated to a temperature of the material gas, and a pulse voltage is applied to the film formation body to form a DLC film.

このほか、従来の被膜形成技術では、様々な形状のワークにDLC膜を形成することが一般的に行われている。棒状のワークの一端部を除く残り部分にDLC膜を形成することを多量処理可能な方法が行われている。   In addition, in the conventional film forming technique, it is generally performed to form a DLC film on a workpiece having various shapes. A method capable of performing a large amount of processing to form a DLC film on the remaining portion of the rod-like workpiece excluding one end portion has been performed.

この方法は、ホルダ支持軸に、短軸形状のワークホルダを載置接続し、このワークホルダの上面より陥没する凹部にワークの一端部を挿入し、ワークの下端面とワークホルダの凹部の底面との間で導電性を保持してワークに−50〜1000vの電圧を印加し、かつ自転および公転させてDLC膜を形成する。   In this method, a work holder having a short shaft shape is placed and connected to a holder support shaft, one end of the work is inserted into a recess recessed from the upper surface of the work holder, and the lower end surface of the work and the bottom surface of the recess of the work holder A DLC film is formed by applying a voltage of −50 to 1000 V to the workpiece while maintaining electrical conductivity, and rotating and revolving.

特開2011−241442号公報JP 2011-241442 A 特開2012−036438号公報JP 2012-036438 A

上述した棒状のワークにDLC膜を形成する方法によれば、ワークの一端部と、ワークホルダの凹部の内周面との間には僅かながら隙間がある。このため、この成膜方法は、成膜中に、ワークに自転公転力が作用しワークがワークホルダに対してガタツキが生じると、DLC膜を均一に形成できないおそれがある。詳述すると、ワークとワークホルダとの導電性を保持する接触領域は、点接触であるので、成膜中に、ワークがワークホルダに対してガタツキが生じると、ワークとワークホルダとの導電性を保持する接触領域が瞬間的に離れることがある。   According to the method for forming the DLC film on the rod-shaped workpiece described above, there is a slight gap between one end of the workpiece and the inner peripheral surface of the recess of the workpiece holder. Therefore, in this film forming method, there is a possibility that the DLC film cannot be formed uniformly when the rotation and revolution force acts on the work during film formation and the work is rattled with respect to the work holder. More specifically, since the contact area that retains the conductivity between the workpiece and the work holder is a point contact, if the workpiece becomes loose with respect to the work holder during film formation, the conductivity between the workpiece and the work holder is reduced. There is a case where the contact area that holds is momentarily separated.

このとき、ワークは0vになり、ワークホルダは−50〜1000vが印加されたままであるので、ワークホルダの凹部の開口端とワークの大径部下端との間で大きな電位差が誘因して異常放電が発生する。このため、ワークの大径部に形成されるDLC膜は、ワークの大径部下端付近で放電痕を生じるとともに、放電痕周辺で膜質が不均一になる。   At this time, since the workpiece becomes 0 v and −50 to 1000 v remains applied to the work holder, a large potential difference is induced between the open end of the concave portion of the work holder and the lower end of the large-diameter portion of the work, thereby causing abnormal discharge. Will occur. For this reason, the DLC film formed on the large-diameter portion of the workpiece has a discharge trace near the lower end of the large-diameter portion of the workpiece, and the film quality becomes non-uniform around the discharge trace.

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、成膜中にワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくし異常放電を抑制して均一な膜を形成することができるワークホルダおよび被膜形成装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in order to solve such a problem, and it is possible to form a uniform film by preventing the work from instantaneously leaving the work holder during film formation and suppressing abnormal discharge. An object is to provide a holder and a film forming apparatus.

本発明に係るワークホルダは、上記目的を達成するため、(1)自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部にワークの一端部を収容保持し前記ワークに電圧を印加し原料ガスに接触させ所要温度に加熱し前記ワークの一端部以外の部分に被膜を形成するワークホルダにおいて、前記凹部は、前記ワークの一端部の周囲に所定の隙間を有する大きさに形成され、前記隙間を埋めるスペーサを備え、前記スペーサは、導電性を有しかつ線膨張係数が前記ワークホルダの線膨張係数よりも大きい材料を含んで構成されている。   In order to achieve the above-mentioned object, the work holder according to the present invention is provided to rotate at least one of (1) rotation and revolution, and accommodates and holds one end of the work in the recess, and voltage is applied to the work. Is applied to the material gas and heated to a required temperature to form a film on a portion other than one end of the workpiece, the recess has a size having a predetermined gap around one end of the workpiece. The spacer is formed and includes a spacer that fills the gap, and the spacer includes a material having conductivity and a linear expansion coefficient larger than that of the work holder.

この構成により、本発明に係るワークホルダは、スペーサをワークホルダの凹部に緩く挿入し、またスペーサの内側にワークを緩く挿入することができて、成膜中にスペーサが熱膨張してワークとスペーサとワークホルダとが強い密着状態になり、ワークとワークホルダとの間の導電性が向上する。   With this configuration, the work holder according to the present invention allows the spacer to be loosely inserted into the concave portion of the work holder, and the work to be loosely inserted inside the spacer. The spacer and the work holder are in close contact with each other, and the conductivity between the work and the work holder is improved.

このため、ワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制でき、ワークホルダに印加される電圧がスペーサを介してワークに伝わり、従来に比べてより均一な被膜を形成することができる。   For this reason, abnormal discharge between a workpiece | work and a workpiece holder can be suppressed, the voltage applied to a workpiece | work holder is transmitted to a workpiece | work via a spacer, and a more uniform film can be formed compared with the past.

本発明に係るワークホルダは、上記(1)に記載のワークホルダにおいて、(2)前記スペーサは、一側に母線方向に沿ってスリットを備えた構成を有する。   The work holder which concerns on this invention is a work holder as described in said (1), (2) The said spacer has the structure provided with the slit along the generatrix direction on one side.

この構成により、本発明に係るワークホルダは、ペンチ等の挟圧具によりスペーサの外周面を挟圧することで縮径させてスペーサをワークホルダの凹部に挿入すると、スペーサが拡径してワークホルダの凹部に密着した状態になる。   With this configuration, when the work holder according to the present invention reduces the diameter by pinching the outer peripheral surface of the spacer with a pinching tool such as pliers and inserts the spacer into the concave portion of the work holder, the spacer expands to increase the diameter of the work holder. It will be in the state closely_contact | adhered to the recessed part.

スペーサは、成膜時における周方向の熱膨張が外径および内径を大きくする。スペーサは、外面が熱膨張によりワークホルダの凹部の内面に密着した後は、外径が大きくなることができず、スリットを狭める周方向の熱膨張変化と内径を縮径する方向の熱膨張変化を生じる。スペーサは、内径を縮径する方向の熱膨張変化によりワークに密着すると、シバリバメとなり密着力を高める。これにより、ワークとスペーサとワークホルダとが密着状態になる。スペーサは、周方向の熱膨張がスリットを狭める変化となるので応力の異常な増大を回避することができる。   In the spacer, the thermal expansion in the circumferential direction during film formation increases the outer diameter and inner diameter. After the outer surface is brought into close contact with the inner surface of the concave portion of the work holder due to thermal expansion, the outer diameter cannot be increased, and the thermal expansion change in the circumferential direction that narrows the slit and the thermal expansion change in the direction that reduces the inner diameter. Produce. When the spacer is brought into close contact with the workpiece due to a thermal expansion change in the direction of reducing the inner diameter, the spacer becomes a crisp and increases the adhesion. Thereby, a workpiece | work, a spacer, and a workpiece | work holder will be in contact | adherence state. In the spacer, since the thermal expansion in the circumferential direction changes the slit, the abnormal increase in stress can be avoided.

スペーサにスリットを備えていると、スペーサの内径をワークの一端部の径よりも十分大きく取ることができるので、スペーサの内側空間へのワークの挿入作業を一層容易に行うことができ、ならびに成膜後のワークの取り出し作業をスペーサの抜出を伴わない状態で容易に行うことができて、多量処理を行う場合において一層有利である。そうして、スペーサの取り出しも容易に行うことができる。   If the spacer is provided with a slit, the inner diameter of the spacer can be made sufficiently larger than the diameter of one end of the work, so that the work can be more easily inserted into the inner space of the spacer. The work of taking out the workpiece after film formation can be easily performed without the removal of the spacer, which is more advantageous when a large amount of processing is performed. Thus, the spacer can be easily taken out.

また、本発明に係る被膜形成装置は、上記目的を達成するため、(3)チャンバ内に、自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部を有しこの凹部にワークの一端部を収容保持するワークホルダと、を備え、ワークを回転し、ワークに電圧を印加し、被膜形成を行う被膜形成装置において、前記ワークホルダは、上記(1)または(2)のいずれかに記載のワークホルダを備えた構成を有する。   In order to achieve the above object, the film forming apparatus according to the present invention is (3) provided in the chamber so as to rotate at least one of rotation and revolution, and has a recess. And a workpiece holder that accommodates and holds one end of the workpiece, rotates the workpiece, applies a voltage to the workpiece, and forms a coating, wherein the workpiece holder is the above (1) or (2) It has the structure provided with the work holder in any one.

この構成により、本発明に係る被膜形成装置は、成膜中にスペーサが熱膨張してワークとスペーサとワークホルダとが強い密着状態になり、ワークとワークホルダとの間の導電性が向上するので、従来において生じていたワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制できる。   With this configuration, in the film forming apparatus according to the present invention, the spacer is thermally expanded during film formation, and the workpiece, the spacer, and the workpiece holder are in a tight contact state, and the conductivity between the workpiece and the workpiece holder is improved. Therefore, it is possible to suppress abnormal discharge between the work and the work holder that has occurred in the past.

したがって、本発明に係る被膜形成装置は、従来に比べてより均一な被膜を形成することができ、また多量処理を行う場合において、スペーサの内側へのワークの挿入作業、成膜後のスペーサの抜出を伴わないワークの取り出し作業が容易に行うことができる。   Therefore, the film forming apparatus according to the present invention can form a more uniform film than the conventional one. Also, when performing a large amount of processing, the work insertion work inside the spacer, The work can be easily taken out without being extracted.

本発明によれば、成膜中にワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくし異常放電を抑制して均一な膜を形成することができるワークホルダおよび被膜形成装置を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the workpiece | work holder and film forming apparatus which can form a uniform film | membrane without the workpiece | work leaving | separating from a workpiece holder instantaneously during film-forming and suppressing abnormal discharge can be provided.

本発明の実施の形態に係るワークホルダ及びこのワークホルダを用いた被膜形成装置の概略の原理図である。1 is a schematic principle diagram of a work holder according to an embodiment of the present invention and a film forming apparatus using the work holder. 本発明の実施の形態に係る被膜形成装置の室温時のワーク保持部分を拡大して示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which expands and shows the workpiece | work holding | maintenance part at the time of room temperature of the film forming apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図2の被膜形成装置のワークホルダに組込まれるスペーサを示し、(A)はその正面図、(B)は端面図である。The spacer assembled in the work holder of the film formation apparatus of FIG. 2 is shown, (A) is the front view, (B) is an end view. 本発明の実施の形態に係る被膜形成装置を用いたAIP−CVD法により、ワークにDLCコーティングが行われることを分子レベルで示す模式図である。It is a schematic diagram which shows that DLC coating is performed to a workpiece | work by the AIP-CVD method using the film forming apparatus which concerns on embodiment of this invention at a molecular level. 図2に示すワーク保持部分のスペーサが成膜中に熱膨張した状態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the state which the spacer of the workpiece holding part shown in FIG. 2 expanded thermally during film-forming. 本発明の実施の形態に係るワークホルダを用いた被膜形成装置により製膜したDLC膜を示す写真のコピーである。It is a copy of the photograph which shows the DLC film formed into a film by the film forming apparatus using the work holder which concerns on embodiment of this invention. 従来の被膜形成装置に係るワーク保持部分を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the workpiece holding part which concerns on the conventional film formation apparatus. 従来の被膜形成装置により製膜したDLC膜を示す写真のコピーである。It is a copy of the photograph which shows the DLC film formed into a film by the conventional film formation apparatus.

以下、本発明に係るワークホルダおよびワークホルダを用いた被膜形成装置に係る実施の形態について図面を参照して説明する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of a work holder and a film forming apparatus using the work holder according to the invention will be described with reference to the drawings.

この実施の形態では、アークイオンプレーティング−化学蒸着法、いわゆるAIP−CVD法を採用してDLCコーティングを行う被膜形成装置を示している。   In this embodiment, a film forming apparatus that performs DLC coating using an arc ion plating-chemical vapor deposition method, so-called AIP-CVD method, is shown.

図1は、実施の形態にかかる被膜形成装置100の概略の原理図である。被膜形成装置100は、内部を真空とされ原料ガスを供給されターゲットを陰極とする真空アーク放電を行うチャンバ1と、チャンバ1内に設けられ複数のワークホルダ9を備えて各ワークホルダ9でワークW1を保持し回転させるワーク回転手段5を備えている。   FIG. 1 is a schematic principle diagram of a film forming apparatus 100 according to an embodiment. The film forming apparatus 100 includes a chamber 1 for performing a vacuum arc discharge in which the inside is evacuated, a raw material gas is supplied and a target is a cathode, and a plurality of work holders 9 provided in the chamber 1. A work rotating means 5 for holding and rotating W1 is provided.

チャンバ1は、一側面部の下部にガス入口2を備え、ガス入口2が外部設置される図示しないガス供給手段として例えばアセチレンガスボンベと接続され、上面部のガス入口2の対角側の位置に希薄ガスを排出するガス出口3を備え、ガス出口3が図示しない希薄ガス回収手段と接続されている。なお、希薄ガス回収手段は後処理装置を含んで構成されてもよい。   The chamber 1 includes a gas inlet 2 at a lower portion of one side surface portion, and is connected to, for example, an acetylene gas cylinder as a gas supply means (not shown) that is externally installed. A gas outlet 3 for discharging the lean gas is provided, and the gas outlet 3 is connected to a lean gas recovery means (not shown). Note that the lean gas recovery means may include an aftertreatment device.

前述のように、チャンバ1は、ガス入口2とガス出口3とアセチレンガスボンベとを備えているので、チャンバ内部にアセチレンガスが一定流量で供給され、アセチレンガスがDLC膜の形成に消費されても常に一定濃度となるように補給される。   As described above, since the chamber 1 includes the gas inlet 2, the gas outlet 3, and the acetylene gas cylinder, the acetylene gas is supplied into the chamber at a constant flow rate, and the acetylene gas is consumed for forming the DLC film. It is replenished so that the concentration is always constant.

ガス出口3は、希薄ガス回収手段に替えて図示しない真空発生装置と切換接続される。これにより、チャンバ1は、ガス入口2から不活性ガスの導入に先行し、ガス出口3が真空発生装置と接続されることにより、真空とされるように構成され、真空度が高まった時点で、ガスボンベから被膜形成に関与する原料ガスが供給される。   The gas outlet 3 is switched and connected to a vacuum generator (not shown) instead of the lean gas recovery means. Thus, the chamber 1 is configured to be evacuated by introducing the inert gas from the gas inlet 2 and connecting the gas outlet 3 to the vacuum generator, and when the degree of vacuum is increased. A raw material gas involved in film formation is supplied from the gas cylinder.

チャンバ1のガス入口2と反対側の一側面には、ターゲット金属としての単数または複数のチタン基板4が備えられ、チタン基板4には例えば100アンペアの電流が流れるように構成されている。   One or more titanium substrates 4 as target metals are provided on one side surface of the chamber 1 opposite to the gas inlet 2, and a current of, for example, 100 amperes flows through the titanium substrate 4.

ワーク回転手段5は、チャンバ1内の底部に設けられ、図示しないモータにより回転される回転テーブル6と、下端部を回転テーブル6に回転可能に支持され回転テーブル6の上方に延びて設けられ、回転テーブル6の回転に伴いこの回転の動力の一部を伝達されて自転する複数の回転軸7を備えている。したがって、回転軸7は、自転するとともに回転テーブル6により公転される。   The work rotating means 5 is provided at the bottom of the chamber 1 and is provided by a rotary table 6 that is rotated by a motor (not shown) and a lower end portion that is rotatably supported by the rotary table 6 and extends above the rotary table 6. As the rotary table 6 rotates, a plurality of rotating shafts 7 are provided that rotate by being transmitted with a part of the rotational power. Therefore, the rotating shaft 7 rotates and revolves around the rotating table 6.

ワーク回転手段5は、さらに、各回転軸7にフランジ状に複数段に設けられた複数のワークホルダテーブル8と、各ワークホルダテーブル8上に立設された複数のワークホルダ9と、を備えている。   The work rotating means 5 further includes a plurality of work holder tables 8 provided in a plurality of stages in a flange shape on each rotary shaft 7, and a plurality of work holders 9 erected on each work holder table 8. ing.

したがって、各ワークホルダ9は、対応する回転軸7を回転中心として小回りで公転されるとともに回転テーブル6により大回りで公転される。なお、最上段のワークホルダテーブル8の中心位置のワークホルダ9は、回転テーブル6により大回りで公転されるとともに、小回りの公転ではなく自転される。   Accordingly, each work holder 9 is revolved in a small rotation around the corresponding rotation shaft 7 and is revolved in a large rotation by the rotary table 6. In addition, the work holder 9 at the center position of the uppermost work holder table 8 is revolved by the rotary table 6 on the large rotation, and is rotated instead of the small rotation.

図示しないが、回転テーブル6の軸部に対して摺動接触して軸部と導電接続する端子が設けられ、この端子が例えば−50〜1000vの間で所望の電圧に設定可能な電源11の陰極に接続されている。回転テーブル6の軸部と回転軸7とワークホルダテーブル8とワークホルダ9とは導通するように一体に組み立てられ、回転テーブル6に対して導通状態に着脱自在に組み立てられている。したがって、ワーク回転手段5が、ワークホルダ9に保持されるワークW1に小回りと大回りの複合公転を行わせながら、例えば−500vの電圧を印加しうるように構成されている。   Although not shown, a terminal is provided which is in sliding contact with the shaft portion of the rotary table 6 and electrically connected to the shaft portion, and this terminal can be set to a desired voltage between, for example, −50 to 1000 V. Connected to the cathode. The shaft portion of the rotary table 6, the rotary shaft 7, the work holder table 8, and the work holder 9 are integrally assembled so as to be conductive, and are assembled in a conductive state so as to be detachable with respect to the rotary table 6. Therefore, the work rotating means 5 is configured to be able to apply a voltage of −500 V, for example, while causing the work W1 held by the work holder 9 to perform the combined revolution of the small turn and the large turn.

図2に示すように、ワークホルダ9は、上端より円筒空間形状に陥没する凹部9aを有し、この凹部9aに、導電性を有しかつ線膨張係数がワークホルダ9の線膨張係数よりも大きい材料により構成されたスペーサ10を備え、このスペーサ10の内側にワークW1の小径な一端部W1aを収容し保持するように構成されている。   As shown in FIG. 2, the work holder 9 has a concave portion 9 a that is recessed from the upper end into a cylindrical space shape. The concave portion 9 a has conductivity and has a linear expansion coefficient larger than that of the work holder 9. A spacer 10 made of a large material is provided, and the small-diameter end W1a of the workpiece W1 is accommodated and held inside the spacer 10.

したがって、各ワークホルダ9は、スペーサ10を介してワークW1を保持し、対応する回転軸7を回転中心として公転されるとともに回転テーブル6により公転される。これにより、ワーク回転手段5は、ワークW1が、大きな公転と小さな公転を行い、アセチレンガスおよび真空アーク放電によるTiイオンの放射に対して万遍なく均一に接触するように構成されている。   Accordingly, each work holder 9 holds the work W <b> 1 via the spacer 10, revolves around the corresponding rotation shaft 7 as a center of rotation, and revolves around the turntable 6. Thereby, the workpiece | work rotation means 5 is comprised so that the workpiece | work W1 may perform a big revolution and a small revolution, and may contact uniformly and uniformly with respect to the radiation of Ti ion by acetylene gas and vacuum arc discharge.

スペーサ10は、ワークホルダ9の凹部9aに緩く挿入されうる外径を有しているとともに、自己の内側にワークW1の一端部W1aを緩く挿入しうる内径を有している。したがって、回転軸7とワークホルダテーブル8とワークホルダ9のアセンブリをチャンバ1の外で立てた状態で、各ワークホルダ9にスペーサ10を組み込み、さらに、ワークW1を差し込み、この状態でチャンバ1内に収容し、回転テーブル6に導通を確保して組付ける。   The spacer 10 has an outer diameter that can be loosely inserted into the recess 9a of the work holder 9, and an inner diameter that allows the one end W1a of the work W1 to be loosely inserted inside itself. Therefore, in the state where the assembly of the rotary shaft 7, the work holder table 8 and the work holder 9 is stood outside the chamber 1, the spacer 10 is incorporated in each work holder 9, and the work W1 is further inserted. And is assembled to the turntable 6 while ensuring conduction.

凹部9aは、成膜時の加熱によりスペーサ10の肉厚方向の熱膨張が凹部9aとの隙間およびワークW1の一端部W1aとの隙間を埋めることができるように、スペーサ10においてこの熱膨張が生じうる一定の肉厚寸法が確保しうる空間を保有する大きさに形成されている。   The concave portion 9a has a thermal expansion in the spacer 10 so that the thermal expansion in the thickness direction of the spacer 10 can fill the gap with the concave portion 9a and the gap with the one end W1a of the workpiece W1 by heating during film formation. It is formed in such a size as to hold a space where a certain thickness dimension that can be generated can be secured.

これにより、スペーサ10をワークホルダ9の凹部9aに緩く挿入し、スペーサ10の内側にワークW1を緩く挿入しても、スペーサ10が成膜中に熱膨張してワークW1とスペーサ10とワークホルダ9とが一体的になり、ワークW1とワークホルダ9との間の導電性が向上し、ワークホルダ9に印加される電圧がスペーサ10を介してワークW1に確実に伝わる構成とされている。   As a result, even if the spacer 10 is loosely inserted into the recess 9a of the work holder 9 and the work W1 is loosely inserted inside the spacer 10, the spacer 10 is thermally expanded during film formation and the work W1, the spacer 10, and the work holder 9, the electrical conductivity between the workpiece W1 and the workpiece holder 9 is improved, and the voltage applied to the workpiece holder 9 is reliably transmitted to the workpiece W1 via the spacer 10.

図3に示すように、スペーサ10は、一側にスリット10aを有している。スリット10aは、スペーサ10が筒状の形状であり周方向の長さが大きいから、熱膨張による周方向の長さの変化が大きくなるので、熱膨張による周方向に長くなることに対する応力の増大を回避する手段として設けられている。   As shown in FIG. 3, the spacer 10 has a slit 10a on one side. Since the spacer 10 has a cylindrical shape and the circumferential length is large, the slit 10a has a large change in the circumferential length due to thermal expansion. It is provided as a means to avoid this.

なお、スリット10aは、筒面の母線に対し斜めに傾けて設けられ、あるいは屈曲線となるように設けられていてもよい。また、スペーサ10の内面および外面は、ワークホルダ9の凹部9aまたはワークW1に対して全周密着となる円筒面ではなくて、周方向の少なくとも3ヶ所でスプラインのように母線方向に沿った接触が行われるように設けられていてもよい。   In addition, the slit 10a may be provided obliquely with respect to the generatrix on the cylindrical surface, or may be provided so as to be a bent line. Further, the inner surface and the outer surface of the spacer 10 are not cylindrical surfaces that are in close contact with the concave portion 9a of the work holder 9 or the work W1, but contact along the generatrix direction like splines at least at three locations in the circumferential direction. May be provided to be performed.

続いて、上記のように構成された被膜形成装置100の機能を説明する。   Next, functions of the film forming apparatus 100 configured as described above will be described.

図1に示すように、チャンバ1の図示しない扉を開扉し、ワーク回転手段5の各ワークホルダ9にスペーサ10を挿入し、スペーサ10の内側にワークW1を挿入し、チャンバ1の扉を閉扉する。   As shown in FIG. 1, a door (not shown) of the chamber 1 is opened, a spacer 10 is inserted into each work holder 9 of the work rotating means 5, a work W1 is inserted inside the spacer 10, and the door of the chamber 1 is opened. Close the door.

次に、ワーク回転手段5を起動して各ワークW1に大回りと小回りの公転を与え、チャンバ1内を真空としてから、チャンバ1内に例えば400℃に加熱されたアセチレンガスを供給する。   Next, the work rotating means 5 is activated to give each work W1 revolutions of large and small directions, and after the chamber 1 is evacuated, acetylene gas heated to, for example, 400 ° C. is supplied into the chamber 1.

次に、チタン基板4を陽極として例えば100アンペアの電流を流すとともに電圧を発生させ、ワークW1に例えば−500vの電圧を印加する。これにより、被膜形成装置100は、各ワークW1に対し、アークイオンプレーティング−化学蒸着法、いわゆるAIP−CVD法によるDLCコーティングを行う機能を発揮する。   Next, with the titanium substrate 4 as an anode, for example, a current of 100 amperes is passed and a voltage is generated, and a voltage of −500 V, for example, is applied to the workpiece W1. Thereby, the film forming apparatus 100 exhibits a function of performing DLC coating by arc ion plating-chemical vapor deposition method, so-called AIP-CVD method, on each workpiece W1.

図4は、チャンバ1内においてアークイオンプレーティング−化学蒸着法により、ワークW1にDLCコーティングを行われることを分子レベルで示す模式図である。   FIG. 4 is a schematic diagram showing that the DLC coating is performed on the workpiece W1 by the arc ion plating-chemical vapor deposition method in the chamber 1 at a molecular level.

チャンバ1内が高温とされ、チタン基板4とワークW1との間に高電圧を印加されると、チタン基板4の表面より真空アーク放電が起こり、Tiイオンがチタン基板4の表面より放出され陰極であるワークW1の方向に向かいワークW1の表面に導かれ、当該Tiイオンの存在によりアセチレンガスがC2+イオンとH2+イオンとに分離し、C2+イオンが陰極であるワークW1の表面に吸い寄せられDLC膜として成膜する。   When the chamber 1 is heated to a high temperature and a high voltage is applied between the titanium substrate 4 and the workpiece W1, a vacuum arc discharge is generated from the surface of the titanium substrate 4, and Ti ions are emitted from the surface of the titanium substrate 4 to be cathode. Is directed to the surface of the workpiece W1, facing the workpiece W1, the acetylene gas is separated into C2 + ions and H2 + ions due to the presence of the Ti ions, and the C2 + ions are attracted to the surface of the workpiece W1 which is the cathode, and the DLC film. As a film formation.

このDLC(Diamond Like Carbon)膜は、ダイヤモンド結合とグラファイト結合を併せ持つ構造を有し、高硬度・高耐摩耗・低摩擦・低い相手攻撃性・耐焼きつき性・高絶縁性・赤外透過性・高ガスバリア性・生体適合性などの優れた特長を兼ね備えている。   This DLC (Diamond Like Carbon) film has a structure that combines diamond bond and graphite bond, and has high hardness, high wear resistance, low friction, low attack resistance, seizure resistance, high insulation, and infrared transmission.・ Excellent features such as high gas barrier properties and biocompatibility.

各ワークW1は、DLC膜の成膜中において、小回りと大回りの公転により複雑な遠心力を受ける。このため、ワークW1は、スペーサ10との間に隙間があると、ガタツキが生じてしまうことになる。   Each workpiece W1 is subjected to a complicated centrifugal force due to the small and large revolutions during the formation of the DLC film. For this reason, if there is a gap between the workpiece W1 and the spacer 10, rattling will occur.

しかしながら、この実施の形態では、図5に示すように、スペーサ10は、成膜中に熱膨張してワークW1とスペーサ10とワークホルダ9とが一体的になり、ワークW1とワークホルダ9との間の導電性が確保され、ワークホルダ9に印加される電圧がスペーサ10を介してワークW1に確実に伝わる。このため、ワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制でき、均一な膜を形成することができる。   However, in this embodiment, as shown in FIG. 5, the spacer 10 is thermally expanded during film formation, so that the workpiece W1, the spacer 10, and the workpiece holder 9 are integrated, and the workpiece W1, the workpiece holder 9, The voltage applied to the work holder 9 is reliably transmitted to the work W1 through the spacer 10. For this reason, the abnormal discharge between a workpiece | work and a workpiece holder can be suppressed, and a uniform film | membrane can be formed.

ステンレスの線膨張係数は〜12x10−6/℃であり、銅系合金の線膨張係数は〜25x10−6/℃である。したがって、スペーサ10は、ワークホルダ9とワークW1の材質がステンレスであるとき、銅合金、アルミ合金等を用いることができ、表面にクロムメッキして耐摩耗性を備えるようにしてもよい。   The linear expansion coefficient of stainless steel is ˜12 × 10 −6 / ° C., and the linear expansion coefficient of copper-based alloy is ˜25 × 10 −6 / ° C. Therefore, when the material of the work holder 9 and the work W1 is stainless steel, the spacer 10 can be made of a copper alloy, an aluminum alloy, or the like, and may be plated with chromium to have wear resistance.

室温(25℃)時におけるスペーサ10とワークW1との隙間を例えば0.05mmにとると、成膜(〜400℃)時には、スペーサ10がワークホルダ9とワークW1よりも大きく熱膨張し、スペーサ10とワークW1との隙間が0のシマリバメとなる。   If the gap between the spacer 10 and the workpiece W1 at room temperature (25 ° C.) is 0.05 mm, for example, the spacer 10 is thermally expanded more than the workpiece holder 9 and the workpiece W1 during film formation (˜400 ° C.), and the spacer The gap between the workpiece 10 and the work W1 is zero.

以上のように、本実施の形態に係るワークホルダ9は、凹部9aとワークW1との隙間に、凹部9aとワークW1のいずれにもユルミバメで嵌合し得るスペーサ10を備え、スペーサ10が成膜中に直径方向に熱膨張し凹部9aとワークW1のいずれにもシマリバメの嵌合状態になる。   As described above, the work holder 9 according to the present embodiment includes the spacer 10 that can be fitted to both the concave portion 9a and the workpiece W1 by a slug in the gap between the concave portion 9a and the workpiece W1. The film thermally expands in the diametrical direction in the film, and a dip is fitted into both the recess 9a and the work W1.

すなわち、スペーサ10は、成膜時の肉厚方向の熱膨張により内外径を拡径していくが、外面が凹部9aに当接すると内径を縮径していきワークW1に当接する。これにより、ワークW1とスペーサ10とワークホルダ9とが密着し、ワークW1とワークホルダ9との間の導電性が向上し、ワークホルダ9に印加される電圧がスペーサ10を介してワークW1に確実に伝わり、従来に比べてより均一な被膜を形成することができる。なお、多量処理を行う場合において、スペーサ10の内側へのワークW1の挿入作業、成膜後のスペーサ10の抜出を伴わないワークW1の取り出し作業が容易に行うことができる。   That is, the spacer 10 increases the inner and outer diameters by thermal expansion in the thickness direction during film formation, but when the outer surface comes into contact with the recess 9a, the inner diameter is reduced and comes into contact with the work W1. Thereby, the work W1, the spacer 10, and the work holder 9 are in close contact with each other, the conductivity between the work W1 and the work holder 9 is improved, and the voltage applied to the work holder 9 is applied to the work W1 via the spacer 10. It is transmitted reliably and a more uniform film can be formed as compared to the conventional case. In the case of performing a large amount of processing, the work W1 can be easily inserted into the spacer 10 and the work W1 can be taken out without the spacer 10 being removed after the film formation.

また本実施の形態に係るワークホルダ9は、スリット10aを有するスペーサ10を備えたので、ペンチ等の挟圧具によりスペーサ10の外周面を挟圧することでスペーサ10を縮径させてワークホルダ9の凹部9aに挿入することができる。これにより、スペーサ10の外径をワークホルダ9の凹部9aに対し隙間ゼロとなる大きさにすることができる。   In addition, since the work holder 9 according to the present embodiment includes the spacer 10 having the slit 10a, the work holder 9 is reduced in diameter by pressing the outer peripheral surface of the spacer 10 with a pressing tool such as pliers. Can be inserted into the recess 9a. Thereby, the outer diameter of the spacer 10 can be set to a size such that there is no gap with respect to the recess 9 a of the work holder 9.

スペーサ10は、成膜時の周方向の熱膨張がスリット10aを狭める変形として顕れ、スリット10aがあることで、周方向の応力の異常な増大を回避することができる。また本実施の形態に係るワークホルダ9は、スペーサ10はスリット10aを有するから、スペーサ10の内径をワークW1の一端部W1aの径に対してシマリバメとなる大きさにして、予め、スペーサ10をワークW1の一端部W1aの一端部に嵌めておいて、ワークホルダ9の凹部9aに挿入することもできる。   In the spacer 10, thermal expansion in the circumferential direction during film formation appears as deformation that narrows the slit 10 a, and the presence of the slit 10 a can avoid an abnormal increase in circumferential stress. Further, in the work holder 9 according to the present embodiment, since the spacer 10 has the slit 10a, the inner diameter of the spacer 10 is set to a size that makes a squeeze relative to the diameter of the one end W1a of the work W1, and the spacer 10 is It can also be fitted into one end of the one end W1a of the work W1 and inserted into the recess 9a of the work holder 9.

この場合は、成膜時におけるスペーサ10の熱膨張はもっぱら外径を拡径する方向に行われる。このため、スペーサ10の外径をワークホルダ9の凹部9aの内径よりも十分小さく取ることができるので、スペーサが被嵌したワークW1のワークホルダ9の凹部9aへの挿入作業を容易に行うことができ、成膜後に取り出して、別の同様の処理でスペーサを必要とする場合には、スペーサ10の使い回しができる。   In this case, the thermal expansion of the spacer 10 during film formation is performed exclusively in the direction of expanding the outer diameter. For this reason, since the outer diameter of the spacer 10 can be made sufficiently smaller than the inner diameter of the recess 9a of the work holder 9, the work W1 with the spacer fitted thereon can be easily inserted into the recess 9a of the work holder 9. The spacer 10 can be reused when it is taken out after film formation and a spacer is required in another similar process.

また、本実施の形態に係る被膜形成装置100は、上記のワークホルダ9を用いているので、成膜中にスペーサ10が熱膨張してワークW1とスペーサ10とワークホルダ9とが強い密着状態になり、ワークW1とワークホルダ9との間の導電性が向上するので、従来において生じていたワークW1とワークホルダ9との間の異常放電を抑制でき、また従来に比べてより均一な被膜を形成することができる。また多量処理を行う場合において、スペーサ10の内側へのワークW1の挿入作業、成膜後のスペーサの抜出を伴わないワークW1の取り出し作業が容易に行うことができる。   In addition, since the film forming apparatus 100 according to the present embodiment uses the work holder 9 described above, the spacer 10 is thermally expanded during film formation, and the work W1, the spacer 10, and the work holder 9 are in strong contact with each other. Since the conductivity between the workpiece W1 and the workpiece holder 9 is improved, the abnormal discharge between the workpiece W1 and the workpiece holder 9 that has occurred in the past can be suppressed, and more uniform coating than in the past. Can be formed. In addition, when performing a large amount of processing, the work W1 can be easily inserted into the spacer 10 and the work W1 can be taken out without the spacer being removed after film formation.

図6は、図2に示すスペーサ10を配したワークホルダ9を備えた図1に示す被膜形成装置を用いてワークW1に製膜したDLC膜を示す写真のコピーである。この写真のコピーから明らかなように、放電痕を生じないのでDLC膜が均一に形成される。   6 is a copy of a photograph showing the DLC film formed on the workpiece W1 using the film forming apparatus shown in FIG. 1 provided with the work holder 9 provided with the spacer 10 shown in FIG. As apparent from the copy of this photograph, no DLC film is formed because no discharge traces are formed.

比較例Comparative example

図7は、従来のワークホルダ12でワークW2を保持し成膜を行うところを示す縦断面図である。従来のワークホルダ12は、スペーサを設けないので凹部12aの径を小さくしているが、凹部12aとワークW2の小径な一端部W2aとの間に隙間が生じる。   FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a state where the work W2 is held by the conventional work holder 12 and film formation is performed. Since the conventional work holder 12 has no spacer, the diameter of the recess 12a is reduced. However, a gap is formed between the recess 12a and the one end W2a having a small diameter of the work W2.

このため、ワークW2は、小回りと大回りの公転により複雑な遠心力を受けてガタツキが生じ、ワークW2とワークホルダ12との導電性を保持する接触領域が瞬間的に離れることがある。これに起因して、ワークホルダ12の凹部の開口端とワークW2の大径部下端との間で大きな電位差が誘因して異常放電13が発生し、ワークW2の大径部に形成されるDLC膜は、後述するように、ワークW2の大径部下端付近で放電痕を生じるとともに、放電痕周辺で膜質が不均一になる。   For this reason, the workpiece W2 receives a complicated centrifugal force due to the revolving of the small turn and the large turn to cause rattling, and the contact area that holds the conductivity between the work W2 and the work holder 12 may be instantaneously separated. Due to this, a large potential difference is induced between the open end of the concave portion of the work holder 12 and the lower end of the large-diameter portion of the work W2, and an abnormal discharge 13 is generated, and the DLC formed in the large-diameter portion of the work W2. As will be described later, the film produces a discharge trace near the lower end of the large-diameter portion of the workpiece W2, and the film quality becomes non-uniform around the discharge trace.

図8は、図7に示す従来のワークホルダ12を備えた図1に示す被膜形成装置と同等の被膜形成装置を用いてワークW2に製膜したDLC膜を示す写真のコピーである。この写真のコピーから明らかなように、放電痕を生じDLC膜が形成された後に剥離したような表面性状になる。   FIG. 8 is a copy of a photograph showing a DLC film formed on the workpiece W2 using a film forming apparatus equivalent to the film forming apparatus shown in FIG. 1 provided with the conventional work holder 12 shown in FIG. As is apparent from a copy of this photograph, the surface texture is such that the discharge marks are generated and the DLC film is formed and then peeled off.

〔その他の実施の形態〕
本発明は、上記の実施の形態に限定されるものでなく、特許請求の範囲の技術的範囲には、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々、設計変更した形態が含まれる。上記実施の形態では、ワークホルダ9が大きな公転と小さな公転を行うように、ワーク回転手段5を構成した例を示したが、ワークホルダ9が自転と公転を行うように、ワーク回転手段5を構成してもよい。
[Other Embodiments]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and the technical scope of the claims includes various design changes within the scope not departing from the gist of the invention. In the said embodiment, although the example which comprised the workpiece | work rotation means 5 was shown so that the workpiece holder 9 might perform a big revolution and a small revolution, the workpiece | work rotation means 5 was changed so that the workpiece holder 9 might rotate and revolve. It may be configured.

各ワークホルダテーブル8上に自転回転するワークホルダ支持軸を立設しこのワークホルダ支持軸の上方に延長軸線上に位置するように接続固定されたワークホルダ9を備える構成としてもよい。   A work holder support shaft that rotates and rotates on each work holder table 8 may be provided, and a work holder 9 that is connected and fixed so as to be positioned on the extended axis above the work holder support shaft may be provided.

本発明に係るワークホルダ9およびこのワークホルダ9を用いる被膜形成装置は、トライボコーティングとして、DLCに限定されず、TiC,TiCN,CrC,Al2O3,CrC,SiCなどにも適用され、また他のCVD法、PVD法、溶射法であるアーク溶射、ガスフレーム溶射などにも適用される。   The work holder 9 and the film forming apparatus using the work holder 9 according to the present invention are not limited to DLC as tribo coating, but are also applied to TiC, TiCN, CrC, Al2O3, CrC, SiC, and other CVD. The present invention is also applicable to arc, PVD, gas flame spraying, and the like.

本発明に係るワークホルダおよびこのワークホルダを用いる被膜形成装置は、成膜中にワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくし異常放電を抑制して均一な膜を形成することができるという効果を奏するものであり、ワークの一端部を収容保持しワークを所要温度に加熱しかつワークに電圧を印加し被膜を形成するワークホルダを用いる被膜形成装置に有用である。   The work holder and the film forming apparatus using the work holder according to the present invention are capable of forming a uniform film by preventing the work from being instantaneously separated from the work holder during film formation and suppressing abnormal discharge. It is useful for a film forming apparatus that uses a work holder that houses and holds one end of a work, heats the work to a required temperature, and applies a voltage to the work to form a film.

1…チャンバ、5…ワーク回転手段、6…回転テーブル、9…ワークホルダ、9a…凹部、10…スペーサ、10a…スリット、100…被膜形成装置、W1…ワーク DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Chamber, 5 ... Work rotating means, 6 ... Rotary table, 9 ... Work holder, 9a ... Recessed part, 10 ... Spacer, 10a ... Slit, 100 ... Film formation apparatus, W1 ... Workpiece

Claims (3)

自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部にワークの一端部を収容保持し前記ワークに電圧を印加し原料ガスに接触させ所要温度に加熱し前記ワークの一端部以外の部分に被膜を形成するワークホルダにおいて、
前記凹部は、前記ワークの一端部の周囲に所定の隙間を有する大きさに形成され、前記隙間を埋めるスペーサを備え、
前記スペーサは、導電性を有しかつ線膨張係数が前記ワークホルダの線膨張係数よりも大きい材料を含んで構成されている、ことを特徴とするワークホルダ。
One end of the workpiece is provided to rotate at least one of rotation and revolution, and holds and holds one end of the workpiece in the recess, applies a voltage to the workpiece, contacts the source gas, and heats to a required temperature. In the work holder that forms a film on the part other than
The recess is formed in a size having a predetermined gap around one end of the workpiece, and includes a spacer that fills the gap.
The said spacer is comprised including the material which has electroconductivity and whose linear expansion coefficient is larger than the linear expansion coefficient of the said work holder, The work holder characterized by the above-mentioned.
前記スペーサは、一側に母線方向に沿ってスリットを備えた、ことを特徴とする請求項1に記載のワークホルダ。   The work holder according to claim 1, wherein the spacer includes a slit on one side along a generatrix direction. チャンバ内に、自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部を有しこの凹部にワークの一端部を収容保持するワークホルダと、を備え、ワークを回転し、ワークに電圧を印加し、被膜形成を行う被膜形成装置において、
前記ワークホルダは、請求項1または2のいずれかに記載のワークホルダを備えた、ことを特徴とする被膜形成装置。
A work holder provided in the chamber to rotate at least one of rotation and revolution, and having a recess and accommodating and holding one end of the work in the recess. In a film forming apparatus for forming a film by applying a voltage to
The said work holder is provided with the work holder in any one of Claim 1 or 2, The film forming apparatus characterized by the above-mentioned.
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