JP2014107002A - 磁気素子、装置および磁気素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁気素子は、少なくとも、各々が空気軸受面(ABS)から予め定められたストライプ高さを伴う第1および第2の自由磁気層を有する磁気スタックを用いて構成され得る。第1および第2の磁気自由層は、それぞれ、ABSに対して交差するとともに予め定められたストライプ高さに応答して角度が付けられた第1および第2の一軸異方性を用いて構成され得る。
【選択図】図2
Description
データ記憶装置業界は、より高いデータ容量、より高速なデータアクセス時間、より低減されたフォームファクタへの向上を続けている。このような事項は、より小さいデータ記憶要素、ならびに、磁気不安定さおよび効率的なデータアクセスを阻害するノイズを引き起こし得るより狭い寸法公差に対応する。磁気不安定性を軽減するために、磁気バイアシングスキームを用いることができるが、プロセスおよび設計の変化は、そのようなバイアシングスキームの効果を低減し得る。このように、低減されたフォームファクタにおける磁気不安定性の緩和、および高データビット密度記憶装置に対する、業界の継続的な需要が存在する。
Claims (19)
- 磁気素子であって、
各々が空気軸受面(ABS)から予め定められたストライプ高さを伴う第1および第2の磁気自由層を有する磁気スタックを備え、
前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSに対して交差するとともに前記予め定められたストライプ高さに応答して角度が付けられた、第1および第2の一軸異方性でそれぞれ構成される、磁気素子。 - 前記第1および第2の磁気自由層は、非磁気スペーサ層によって分離される、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記磁気スタックは、固定基準構造がなく、
前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSの遠位に位置付けられた後面バイアス磁石によってデフォルト磁化に設定される、請求項1に記載の磁気素子。 - 前記第1の磁気自由層は、斜入射角堆積で堆積される、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1の磁気自由層は、予め定められたテクスチャでテクスチャ化されたシード層上に堆積される、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記予め定められたテクスチャは、斜入射角堆積で堆積される、請求項5に記載の磁気素子。
- 前記第1および第2の一軸異方性は、前記第1および第2の磁気自由層のそれぞれに対して交差した磁化を誘導する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記磁気自由層の各々は、強磁性材料を含む、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSからの共通のストライプ高さを有する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSからの異なるストライプ高さを有する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1の一軸異方性は、前記第1および第2の磁気自由層の横軸に対して実質的に30°に構成される、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第2の一軸異方性は、前記第1および第2の磁気自由層の横軸に対して実質的に150°に構成される、請求項1に記載の磁気素子。
- 装置であって、
各々が空気軸受面(ABS)から予め定められたストライプ高さを伴う第1および第2の磁気自由層を有する磁気スタックを備え、
前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSに対して交差し、前記予め定められたストライプ高さに応答して角度が付けられ、さらに逆方向に向けられた第1および第2の一軸異方性でそれぞれ構成される、装置。 - 前記第1および第2の一軸異方性は、それぞれ、第1および第2の磁化に一致する、請求項13に記載の装置。
- 前記第1および第2の磁化は、隣接データビットに応答して、交差しかつ逆に向いた方向に維持される、請求項14に記載の装置。
- 少なくとも1つの磁気自由層は、前記磁気スタックの縦軸に沿って焼鈍される、請求項13に記載の装置。
- 後面バイアス磁石は、前記第1および第2の磁化をデフォルト磁化構成に設定する、請求項14に記載の装置。
- 方法であって、
第1および第2の磁気自由層を堆積して磁気スタックを形成するステップを備え、
各磁気自由層は、空気軸受面(ABS)からの予め定められたストライプ高さを有し、
前記方法は、
前記ABSに対して交差するとともに、前記予め定められたストライプ高さに応答して角度付けられた第1および第2の一軸異方性をそれぞれ有するように、前記第1および第2の磁気自由層を構成するステップをさらに備える、方法。 - 前記第1および第2の磁気自由層は、前記磁気スタックの横軸に沿って、予め定められた温度で焼鈍される、請求項18に記載の方法。
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