JP6158531B2 - 磁気素子、装置および磁気素子の製造方法 - Google Patents
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Description
データ記憶装置業界は、より高いデータ容量、より高速なデータアクセス時間、より低減されたフォームファクタへの向上を続けている。このような事項は、より小さいデータ記憶要素、ならびに、磁気不安定さおよび効率的なデータアクセスを阻害するノイズを引き起こし得るより狭い寸法公差に対応する。磁気不安定性を軽減するために、磁気バイアシングスキームを用いることができるが、プロセスおよび設計の変化は、そのようなバイアシングスキームの効果を低減し得る。このように、低減されたフォームファクタにおける磁気不安定性の緩和、および高データビット密度記憶装置に対する、業界の継続的な需要が存在する。
生成するために回転するスピンドルモータ112に取付けられ、ABS上においては、作動アセンブリ102のスライダ部114が、変換ヘッド104を含むヘッドジンバルアセンブリ(head gimbal assembly:HGA)を、媒体106の予め定められた部分の上方に位置付けるように飛行する。
第1の磁化168およびセグメント化された第2の磁化170を平行に近づける。これは、予期しない磁化の切換えを誘導し、自由層部160の磁気検知精度を変更し得る。
れて、磁気自由層162,164において予め定められた一軸異方性および磁化168,170を形成するのを助ける所定のテクスチャを生成し得る。
Claims (17)
- 磁気素子であって、
各々が空気軸受面(ABS)から前記ABSの遠位までの、第1の磁化容易軸方向を有する形状異方性に対応する、前記ABSと直交する方向の、後面バイアス磁石の長さよりも大きいストライプ高さを伴う第1および第2の磁気自由層を有する磁気スタックを備え、
前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSに対して交差するとともに前記ストライプ高さによって、前記ABSとは直交せずに実質的に前記ABSに向かうように方向づけられ、かつ前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記第1の磁化容易軸方向とは異なる方向に角度が付けられた、第1および第2の一軸異方性をそれぞれ有し、前記第1および第2の磁気自由層は、それぞれ、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記第1および第2の一軸異方性に整合するように角度が付けられた第1および第2の磁化を有し、
前記第1の磁化および前記第2の磁化は、前記ABSから前記ABSの遠位までの方向に関して対称である、磁気素子。 - 前記第1および第2の磁気自由層は、非磁気スペーサ層によって分離される、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記磁気スタックは、固定磁化基準構造がなく、
前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSおよび前記磁気スタックから離された前記後面バイアス磁石によってデフォルト磁化に設定される、請求項1に記載の磁気素子。 - 前記第1および第2の一軸異方性は、互いに交差した第1および第2の磁化をそれぞれ誘導する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記磁気自由層の各々は、強磁性材料を含む、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSからの共通のストライプ高さ、または異なるストライプ高さを有する、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第1の一軸異方性は、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記ABSに平行な方向の横軸に対して実質的に30°に構成される、請求項1に記載の磁気素子。
- 前記第2の一軸異方性は、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記ABSに平行な方向の横軸に対して実質的に150°に構成される、請求項1に記載の磁気素子。
- 装置であって、
各々が空気軸受面(ABS)からの、第1の磁化容易軸方向を有する形状異方性に対応する、前記ABSと直交する方向の、後面バイアス磁石の長さよりも大きいストライプ高さを伴う第1および第2の磁気自由層を有する磁気スタックを備え、
前記第1および第2の磁気自由層は、前記ABSに対して交差し、前記ストライプ高さによって、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記ABSとは直交せずかつ前記第1の磁化容易軸方向とは異なる方向に角度が付けられ、さらに逆方向に向けられた第1および第2の一軸異方性をそれぞれ有し、前記第1および第2の一軸異方性は、前記ABSに対する平行および垂直な磁化成分のバランスを提供し、
前記第1および第2の磁気自由層は、それぞれ、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記第1および第2の一軸異方性に整合するように角度が付けられた第1および第2の磁化を有し、
前記第1の磁化および前記第2の磁化は、前記ABSから前記ABSの遠位までの方向に関して対称である、装置。 - 前記第1および第2の一軸異方性は、それぞれ、前記ABSに対して、第1および第2の磁化のそれぞれの第3および第4の角度に一致する第1および第2の角度で方向づけられる、請求項9に記載の装置。
- 前記第1および第2の磁化は、隣接データビットに応答して、交差しかつ逆に向いた方向に維持される、請求項10に記載の装置。
- 方法であって、
第1および第2の磁気自由層を堆積して磁気スタックを形成するステップを備え、
各磁気自由層は、空気軸受面(ABS)からの第1の磁化容易軸方向を有する形状異方性に対応する、前記ABSと直交する方向の、後面バイアス磁石の長さよりも大きいストライプ高さを有し、
前記方法は、
前記ABSに対して交差するとともに、前記ストライプ高さによって、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記ABSとは直交せずかつ前記第1の磁化容易軸方向とは異なる方向に角度が付けられた第1および第2の一軸異方性をそれぞれ有するように、前記第1および第2の磁気自由層を構成するステップをさらに備え、
前記第1および第2の磁気自由層は、それぞれ、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記第1および第2の一軸異方性に整合するように角度が付けられた第1および第2の磁化を有し、
前記第1の磁化および前記第2の磁化は、前記ストライプ高さの方向に対して対称である、方法。 - 前記第1および第2の磁気自由層は、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記ABSに平行な方向の前記磁気スタックの横軸に沿って、予め定められた温度で焼鈍される、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の磁気自由層は、前記第1の一軸異方性を提供するために斜入射角堆積で堆積される、請求項12に記載の方法。
- 前記第1の磁気自由層は、前記第1の一軸異方性を形成するのを助けるための所定のテクスチャでテクスチャ化されたシード層上に堆積される、請求項12に記載の方法。
- 前記所定のテクスチャは、前記第1の一軸異方性を提供するために斜入射角堆積で堆積される、請求項15に記載の方法。
- 少なくとも1つの磁気自由層は、前記第1および第2の磁気自由層の平面内において前記ABSに直交する方向の前記磁気スタックの縦軸に沿って焼鈍される、請求項12に記載の方法。
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