JP2014106095A - Pressure sensor - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure sensor in which the occurrence of cracks in bonding glass and a sensor chip and the destruction of the bonding glass and the sensor chip can be suppressed.SOLUTION: The pressure sensor includes a metallic stem 10 having a diaphragm 11 for pressure detection, bonding glass 50 provided on the diaphragm 11, and a sensor chip 40 which is bonded to the diaphragm 11 via the bonding glass 50 and outputs a sensor signal corresponding to distortion of the diaphragm 11. When the sensor chip 40 has a thickness of 50 μm or larger, the pressure sensor satisfies 1≤T/R where T [μm] is the thickness of the bonding glass 50 and R [μm] is the maximum diameter of voids 51 existing in the bonding glass 50.

Description

本発明は、圧力検出用のダイヤフラムを有する金属ステムにセンサチップを接合してなる圧力センサに関し、特に、２０〜３００ＭＰａ程度の高圧を検出する高圧センサに適用されると好適である。   The present invention relates to a pressure sensor formed by joining a sensor chip to a metal stem having a pressure detection diaphragm, and is particularly suitable when applied to a high pressure sensor that detects a high pressure of about 20 to 300 MPa.

従来より、この種の圧力センサとしては、圧力検出用のダイヤフラムを有する金属ステムと、ダイヤフラム上に設けられた接合ガラスと、ダイヤフラムの歪みを検出する素子であって、接合ガラスを介してダイヤフラムに接合されたセンサチップとを備えるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, this type of pressure sensor includes a metal stem having a pressure detection diaphragm, a bonding glass provided on the diaphragm, and an element for detecting distortion of the diaphragm. One having a bonded sensor chip has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

このような圧力センサは、ダイヤフラム上にタブレット状の接合ガラスを介してセンサチップを配置し、接合ガラスを焼成することにより、接合ガラスを介してダイヤフラムにセンサチップを接合することで製造される。   Such a pressure sensor is manufactured by arranging a sensor chip on a diaphragm via a tablet-like bonding glass and firing the bonding glass to bond the sensor chip to the diaphragm via the bonding glass.

特開２００３−３０２２９９号公報JP 2003-302299 A

しかしながら、上記圧力センサでは、接合ガラスを焼成することでダイヤフラムとセンサチップとが接合されるため、接合ガラス内にボイド（気泡）が形成される。この場合、接合ガラス内に形成されたボイドが大きいと、外部環境が変化したときに金属ステムから接合ガラスに印加される熱応力により、ボイドを起点として接合ガラスやセンサチップに亀裂が発生したり、接合ガラスやセンサチップが破壊されたりするという問題がある。   However, in the pressure sensor, since the diaphragm and the sensor chip are bonded by baking the bonding glass, voids (bubbles) are formed in the bonding glass. In this case, if the voids formed in the bonded glass are large, cracks may occur in the bonded glass or sensor chip starting from the voids due to the thermal stress applied to the bonded glass from the metal stem when the external environment changes. There is a problem that the bonding glass and the sensor chip are destroyed.

本発明は上記点に鑑みて、接合ガラスおよびセンサチップに亀裂が発生したり、接合ガラスおよびセンサチップが破壊されたりすることを抑制できる圧力センサを提供することを目的とする。   In view of the above points, an object of the present invention is to provide a pressure sensor that can suppress cracks in the bonded glass and the sensor chip, or breakage of the bonded glass and the sensor chip.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、圧力検出用のダイヤフラム（１１）を有する金属ステム（１０）と、ダイヤフラム上に設けられた接合ガラス（５０）と、ダイヤフラムに接合ガラスを介して接合され、ダイヤフラムの歪みに応じたセンサ信号を出力するセンサチップ（４０）と、を備え、以下の点を特徴としている。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a metal stem (10) having a pressure detection diaphragm (11), a bonding glass (50) provided on the diaphragm, and a bonding glass on the diaphragm. And a sensor chip (40) that outputs a sensor signal corresponding to the distortion of the diaphragm, and has the following features.

すなわち、センサチップの厚さは５０μｍ以上とされており、接合ガラスの厚さをＴ［μｍ］、接合ガラス中に存在するボイド（５１）の最大直径をＲ［μｍ］としたとき、１≦Ｔ／Ｒであることを特徴としている。   That is, when the thickness of the sensor chip is 50 μm or more, the thickness of the bonding glass is T [μm], and the maximum diameter of the void (51) existing in the bonding glass is R [μm], 1 ≦ It is characterized by T / R.

これによれば、接合ガラスおよびセンサチップに亀裂が発生したり、接合ガラスおよびセンサチップが破壊されたりすることを抑制できる（図３参照）。   According to this, it can suppress that a crack generate | occur | produces in joining glass and a sensor chip, or destruction of joining glass and a sensor chip (refer FIG. 3).

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態における圧力センサの断面図である。It is sectional drawing of the pressure sensor in 1st Embodiment of this invention. 図１に示すダイヤフラム、センサチップ、接合ガラスの拡大図である。It is an enlarged view of the diaphragm, sensor chip, and bonding glass shown in FIG. 接合ガラス厚さ、ボイドの最大直径、接合状況、サイクル数の関係を示す図表である。It is a graph which shows the relationship between joining glass thickness, the maximum diameter of a void, a joining condition, and the number of cycles. 接合ガラス厚さ、センサチップ厚さ、接合状況の関係を示す図表である。It is a graph which shows the relationship between joining glass thickness, sensor chip thickness, and a joining condition.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other will be described with the same reference numerals.

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態の圧力センサは、例えば、自動車において燃料やブレーキ油の圧力を検出するために搭載され、２０〜３００ＭＰａ程度の高圧を検出する高圧センサとして用いられると好適である。 (First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the pressure sensor of the present embodiment is preferably used, for example, as a high-pressure sensor that is mounted to detect the pressure of fuel or brake oil in an automobile and detects a high pressure of about 20 to 300 MPa.

図１に示されるように、金属ステム１０は、ＳＵＳ４３０のようなステンレス鋼等で構成される有底筒状とされ、底面にて薄肉のダイヤフラム１１が構成されていると共に、ダイヤフラム１１と反対側の他端部が中空の開口部１２とされている。また、開口部１２側には、ダイヤフラム１１側に比べて外周径が大きい段付部１３が形成されている。そして、この金属ステム１０は、具体的には後述するが、ネジ部材２０がハウジング３０とネジ結合されることによって固定されている。   As shown in FIG. 1, the metal stem 10 has a bottomed cylindrical shape made of stainless steel or the like such as SUS430, and a thin-walled diaphragm 11 is formed on the bottom surface, and is opposite to the diaphragm 11. The other end is a hollow opening 12. Further, a stepped portion 13 having a larger outer diameter than that of the diaphragm 11 is formed on the opening 12 side. The metal stem 10 is fixed by screwing the screw member 20 and the housing 30 to be specifically described later.

金属ステム１０のダイヤフラム１１の表面には、図１および図２に示されるように、半導体基板を用いて構成されるセンサチップ４０が接合ガラス５０を介して接合されている。この接合ガラス５０は、ガラスとフィラーの混合粒子からなるタブレット状のガラスが焼成されて構成されるものであり、内部にボイド（気泡）５１が存在している。   As shown in FIGS. 1 and 2, a sensor chip 40 configured using a semiconductor substrate is bonded to the surface of the diaphragm 11 of the metal stem 10 via a bonding glass 50. The bonding glass 50 is formed by baking tablet-like glass composed of mixed particles of glass and filler, and has voids (bubbles) 51 therein.

センサチップ４０は、開口部１２から金属ステム１０の内部に導入された圧力媒体の圧力によってダイヤフラム１１が変形したときに発生する歪みを検出するものである。具体的には、センサチップ４０には、ダイヤフラム１１の歪みに応じたセンサ信号を出力する歪ゲージ４１が形成されている。   The sensor chip 40 detects distortion generated when the diaphragm 11 is deformed by the pressure of the pressure medium introduced into the metal stem 10 from the opening 12. Specifically, a strain gauge 41 that outputs a sensor signal corresponding to the strain of the diaphragm 11 is formed in the sensor chip 40.

ハウジング３０は、図１に示されるように、被取付対象となる燃料パイプに直接取り付けられるもので、外周面に取付用のネジ３１が形成されている。また、ハウジング３０の内部には、金属ステム１０の開口部１２と連通する圧力導入通路３２が形成されており、この圧力導入通路３２により、ハウジング３０が上記燃料パイプに取り付けられたときに上記燃料パイプ内と連通して、金属ステム１０内へ圧力媒体が導入できるようになっている。   As shown in FIG. 1, the housing 30 is directly attached to the fuel pipe to be attached, and has an attachment screw 31 formed on the outer peripheral surface. In addition, a pressure introduction passage 32 communicating with the opening 12 of the metal stem 10 is formed inside the housing 30, and the pressure introduction passage 32 allows the fuel 30 when the housing 30 is attached to the fuel pipe. A pressure medium can be introduced into the metal stem 10 in communication with the inside of the pipe.

ネジ部材２０は、金属ステム１０の外周を覆う円筒形状とされ、その外周面に雄ネジ部２１が形成されている。また、ハウジング３０のうち雄ネジ部２１と対応する部位には、雄ネジ部２１に対応した形状の雌ネジ部３３が形成されている。そして、これら両ネジ部２１、３３がネジ結合されている。   The screw member 20 has a cylindrical shape that covers the outer periphery of the metal stem 10, and a male screw portion 21 is formed on the outer peripheral surface thereof. A female screw portion 33 having a shape corresponding to the male screw portion 21 is formed in a portion of the housing 30 corresponding to the male screw portion 21. And these both screw parts 21 and 33 are screw-coupled.

これにより、金属ステム１０の段付部１３には、ネジ部材２０からの押圧力が印加され、金属ステム１０がハウジング３０に押圧固定される。また、この押圧力により、開口部１２と圧力導入通路３２との連通部、即ち、金属ステム１０の開口部１２側とハウジング３０の圧力導入通路３２側との境界部がシールされる。   Thereby, the pressing force from the screw member 20 is applied to the stepped portion 13 of the metal stem 10, and the metal stem 10 is pressed and fixed to the housing 30. Further, by this pressing force, the communication portion between the opening 12 and the pressure introduction passage 32, that is, the boundary between the opening 12 side of the metal stem 10 and the pressure introduction passage 32 side of the housing 30 is sealed.

また、ネジ部材２０には、ハウジング３０内におけるセンサチップ４０を囲むように、回路基板であるセラミック基板６０が接着、固定されている。そして、このセラミック基板６０上には信号処理回路等が形成されたＩＣチップ６１等が配置され、セラミック基板６０とＩＣチップ６１とがボンディングワイヤ６３を介して電気的に接続されている。   Further, a ceramic substrate 60 that is a circuit board is bonded and fixed to the screw member 20 so as to surround the sensor chip 40 in the housing 30. An IC chip 61 or the like on which a signal processing circuit or the like is formed is disposed on the ceramic substrate 60, and the ceramic substrate 60 and the IC chip 61 are electrically connected via bonding wires 63.

また、セラミック基板６０とセンサチップ４０とは、ボンディングワイヤ６４によって電気的に接続されている。そして、コネクタターミナル７０へ電気的接続するためのピン６５が、銀ろう等にてセラミック基板６０に接合されている。   Further, the ceramic substrate 60 and the sensor chip 40 are electrically connected by bonding wires 64. Then, pins 65 for electrical connection to the connector terminal 70 are joined to the ceramic substrate 60 with silver solder or the like.

コネクタターミナル７０は、ターミナル７１が樹脂７２にインサート成形されたアッシー（ＡＳＳＹ）である。そして、ターミナル７１とセラミック基板６０とはピン６５を介して電気的に接続されている。これにより、センサチップ４０からの出力は、ボンディングワイヤ６４からピン６５を介してターミナル７１へ伝達され、ターミナル７１を介して自動車のＥＣＵ等に配線部材を介して伝達される。   The connector terminal 70 is an assembly (ASSY) in which a terminal 71 is insert-molded in a resin 72. The terminal 71 and the ceramic substrate 60 are electrically connected via pins 65. Thereby, the output from the sensor chip 40 is transmitted from the bonding wire 64 to the terminal 71 via the pin 65, and is transmitted to the ECU of the automobile via the wiring member via the terminal 71.

また、コネクタターミナル７０は、コネクタケース８０の下面に押圧されることでネジ部材２０に押し付けられて固定保持されている。なお、ターミナル７１は、図１では１本示されているが、実際には、入力用、出力用等の複数本が備えられている。   In addition, the connector terminal 70 is pressed against the screw member 20 by being pressed against the lower surface of the connector case 80 and is fixedly held. Note that one terminal 71 is shown in FIG. 1, but actually, a plurality of terminals 71 are provided for input and output.

コネクタケース８０は、コネクタターミナル７０の外形を成すもので、Ｏリング９０を介してハウジング３０の一端側（圧力導入通路３２の他端側）の開口部に挿入され、ハウジング３０の開口端をかしめることで一体化される。つまり、コネクタケース８０は、ハウジング３０に組みつけられるパッケージを構成するものであり、パッケージ内部のセンサチップ４０や電気的接続部等を湿気や機械的外力より保護する機能を果たすものである。なお、コネクタケース８０は、加水分解性の高いＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等が用いられる。   The connector case 80 forms the outer shape of the connector terminal 70, and is inserted into the opening on one end side of the housing 30 (the other end side of the pressure introduction passage 32) via the O-ring 90, and the opening end of the housing 30 is connected to the connector case 80. It is integrated by tightening. That is, the connector case 80 constitutes a package assembled to the housing 30 and fulfills a function of protecting the sensor chip 40, the electrical connection portion, and the like inside the package from moisture and mechanical external force. The connector case 80 is made of highly hydrolyzable PPS (polyphenylene sulfide) or the like.

以上が本実施形態における圧力センサの基本的な構成である。次に、接合ガラス５０の詳細な構成について図３を参照しつつ説明する。   The above is the basic configuration of the pressure sensor in the present embodiment. Next, a detailed configuration of the bonding glass 50 will be described with reference to FIG.

なお、図３では、接合ガラス５０の厚さをＴ、接合ガラス５０内のボイド５１の最大直径をＲとしている（図２参照）。サイクル数は、圧力センサの外部環境を−４０℃から２５０℃に変化させた後に−４０℃に戻したときを１サイクルとしている。また、図３では、センサチップ４０として１００μｍの厚さのものを用い、接合ガラス５０として、ガラス粒子にフィラー粒子が混入され、ガラスとフィラーの混合粒子の平均粒度（Ｄ５０）が１〜５μｍ、最大粒度（Ｄ９９）が２０μｍ以下のものを用いている。   In FIG. 3, the thickness of the bonding glass 50 is T, and the maximum diameter of the void 51 in the bonding glass 50 is R (see FIG. 2). The number of cycles is defined as one cycle when the external environment of the pressure sensor is changed from −40 ° C. to 250 ° C. and then returned to −40 ° C. In FIG. 3, a sensor chip having a thickness of 100 μm is used as the sensor chip 40, filler particles are mixed into the glass particles as the bonding glass 50, and the average particle size (D50) of the mixed particles of glass and filler is 1 to 5 μm, The maximum particle size (D99) is 20 μm or less.

図３に示されるように、Ｔ／Ｒが１．０より大きい場合（実施例１〜１３）には、外部環境を２００サイクル変化させても、接合ガラス５０およびセンサチップ４０に亀裂が発生しておらず、また接合ガラス５０およびセンサチップ４０が破壊されていないことが確認される。しかしながら、Ｔ／Ｒが０．９の場合（比較例１）には、外部環境を４０サイクル変化させたときにセンサチップ４０に亀裂が発生し、Ｔ／Ｒが０．７の場合（比較例２）には、外部環境を１０サイクル変化させたときにセンサチップ４０に亀裂が発生すると共に接合ガラス５０の一部が破壊されたことが確認される。そして、Ｔ／Ｒが小さくなるにつれて（比較例３〜５）、少ないサイクル数でセンサチップ４０や接合ガラス５０が破壊されることが確認される。   As shown in FIG. 3, when T / R is larger than 1.0 (Examples 1 to 13), cracks occur in the bonding glass 50 and the sensor chip 40 even when the external environment is changed by 200 cycles. It is confirmed that the bonding glass 50 and the sensor chip 40 are not broken. However, when T / R is 0.9 (Comparative Example 1), a crack occurs in the sensor chip 40 when the external environment is changed for 40 cycles, and when T / R is 0.7 (Comparative Example). In 2), it is confirmed that when the external environment is changed for 10 cycles, a crack occurs in the sensor chip 40 and a part of the bonding glass 50 is broken. And as T / R becomes small (Comparative Examples 3 to 5), it is confirmed that the sensor chip 40 and the bonding glass 50 are broken with a small number of cycles.

このため、本実施形態では、Ｔ／Ｒが１以上とされている。また、接合ガラス５０は、ダイヤフラム１１とセンサチップ４０との間に配置されており、厚すぎるとダイヤフラム１１に印加された圧力がセンサチップ４０に伝達され難くなる。言い換えると、接合ガラス５０が厚すぎると感度が悪くなる。このため、接合ガラス５０の厚さは３００μｍ以下であることが好ましい。   For this reason, in this embodiment, T / R is set to 1 or more. Further, the bonding glass 50 is disposed between the diaphragm 11 and the sensor chip 40, and if it is too thick, the pressure applied to the diaphragm 11 is difficult to be transmitted to the sensor chip 40. In other words, if the bonding glass 50 is too thick, the sensitivity is deteriorated. For this reason, it is preferable that the thickness of the joining glass 50 is 300 micrometers or less.

さらに、図４に示されるように、センサチップ４０は、厚さが４０μｍの場合には破壊されるが、５０μｍの場合には破壊されないことが確認される。これは、センサチップ４０が薄すぎると金属ステム１０から印加される応力に耐えることができないためである。   Furthermore, as shown in FIG. 4, it is confirmed that the sensor chip 40 is destroyed when the thickness is 40 μm, but not destroyed when the thickness is 50 μm. This is because if the sensor chip 40 is too thin, it cannot withstand the stress applied from the metal stem 10.

したがって、センサチップ４０は厚さが５０μｍ以上であることが好ましい。なお、図４は、外部環境を最大で２００サイクル変化させたときの結果である。   Therefore, the sensor chip 40 preferably has a thickness of 50 μm or more. FIG. 4 shows a result when the external environment is changed by 200 cycles at the maximum.

以上より、本実施形態では、１≦Ｔ／Ｒであり、かつ接合ガラス５０の厚さが５０μｍ以上であって３００μｍ以下とされている。   From the above, in this embodiment, 1 ≦ T / R, and the thickness of the bonding glass 50 is 50 μm or more and 300 μm or less.

なお、このような圧力センサは、ダイヤフラム１１上にタブレット状の接合ガラス５０を介してセンサチップ４０を配置し、Ｔ／Ｒが１以上となるように適宜焼成温度を調整する以外は、従来と同様の製造方法により製造される。   Such a pressure sensor is different from the conventional one except that the sensor chip 40 is arranged on the diaphragm 11 via the tablet-like bonding glass 50 and the firing temperature is appropriately adjusted so that T / R becomes 1 or more. It is manufactured by the same manufacturing method.

以上説明したように、本実施形態では、接合ガラス５０の厚さをＴとし、ボイド５１の最大直径をＲとしたとき、Ｔ／Ｒを１以上としている。これにより、接合ガラス５０およびセンサチップ４０に亀裂が発生したり、接合ガラス５０およびセンサチップ４０が破壊されたりすることを抑制できる（図３参照）。   As described above, in this embodiment, when the thickness of the bonding glass 50 is T and the maximum diameter of the void 51 is R, T / R is 1 or more. Thereby, it can suppress that a crack generate | occur | produces in the joining glass 50 and the sensor chip 40, or the joining glass 50 and the sensor chip 40 are destroyed (refer FIG. 3).

（他の実施形態）
上記第１実施形態において、金属ステム１０とネジ部材２０とを一体化してもよいし、金属ステム１０、ネジ部材２０、ハウジング３０とを一体化してもよい。 (Other embodiments)
In the first embodiment, the metal stem 10 and the screw member 20 may be integrated, or the metal stem 10, the screw member 20, and the housing 30 may be integrated.

なお、上記第１実施形態では、金属ステム１０としてＳＵＳ４３０のようなステンレス鋼等を用い、接合ガラス５０としてガラス粒子にフィラー粒子が混入され、ガラスとフィラーの混合粒子の平均粒度（Ｄ５０）が１〜５μｍ、最大粒度（Ｄ９９）が２０μｍ以下のものを用いた例について説明した。しかしながら、金属ステム１０としてＳ４５Ｃのような炭素鋼、モリブデン鋼のような特殊鋼、コバール（商品名）のようなニッケルコバルト合金等を用い、接合ガラス５０としてフィラー粒子を有さないものを用いても、Ｔ／Ｒを１以上とすることにより同様の効果を得ることができる。また、ガラスとフィラーの混合粒子の平均粒度（Ｄ５０）が５μｍ、最大粒度（Ｄ９９）が２０μｍより大きいものを用いても、Ｔ／Ｒを１以上とすることにより同様の効果を得ることができる。つまり、本発明は、金属ステム１０を構成する材料や接合ガラス５０を構成する材料によらず、Ｔ／Ｒを１以上とすることにより、接合ガラス５０およびセンサチップ４０に亀裂が発生したり、接合ガラス５０およびセンサチップ４０が破壊されたりすることを抑制できる。   In the first embodiment, stainless steel such as SUS430 is used as the metal stem 10, filler particles are mixed into the glass particles as the bonding glass 50, and the average particle size (D50) of the mixed particles of glass and filler is 1. An example using ˜5 μm and a maximum particle size (D99) of 20 μm or less has been described. However, a carbon steel such as S45C, a special steel such as molybdenum steel, a nickel cobalt alloy such as Kovar (trade name), or the like is used as the metal stem 10, and a bonding glass 50 having no filler particles is used. However, the same effect can be obtained by setting T / R to 1 or more. Further, even if the average particle size (D50) of the mixed particles of glass and filler is 5 μm and the maximum particle size (D99) is larger than 20 μm, the same effect can be obtained by setting T / R to 1 or more. . That is, according to the present invention, the T / R is set to 1 or more regardless of the material constituting the metal stem 10 and the material constituting the bonding glass 50, so that the bonding glass 50 and the sensor chip 40 are cracked, It can suppress that the joining glass 50 and the sensor chip 40 are destroyed.

１０ 金属ステム
１１ ダイヤフラム
４０ センサチップ
５０ 接合ガラス
５１ ボイド 10 Metal Stem 11 Diaphragm 40 Sensor Chip 50 Bonding Glass 51 Void

Claims (3)

圧力検出用のダイヤフラム（１１）を有する金属ステム（１０）と、
前記ダイヤフラム上に設けられた接合ガラス（５０）と、
前記ダイヤフラムに前記接合ガラスを介して接合され、前記ダイヤフラムの歪みに応じたセンサ信号を出力するセンサチップ（４０）と、を備え、
前記センサチップの厚さは５０μｍ以上とされており、
前記接合ガラスの厚さをＴ［μｍ］、前記接合ガラス中に存在するボイド（５１）の最大直径をＲ［μｍ］としたとき、１≦Ｔ／Ｒであることを特徴とする圧力センサ。 A metal stem (10) having a diaphragm (11) for pressure detection;
Bonded glass (50) provided on the diaphragm;
A sensor chip (40) that is bonded to the diaphragm via the bonding glass and outputs a sensor signal corresponding to the distortion of the diaphragm;
The thickness of the sensor chip is 50 μm or more,
A pressure sensor, wherein 1 ≦ T / R, where T is a thickness of the bonding glass and R is a maximum diameter of a void (51) existing in the bonding glass. 前記接合ガラスの厚さは、３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ。   The pressure sensor according to claim 1, wherein the bonding glass has a thickness of 300 μm or less. 前記接合ガラスは、ガラス粒子にフィラー粒子が混入されたものであり、ガラスとフィラーの混合粒子の平均粒度［Ｄ５０］が１〜５μｍとされ、最大粒度［Ｄ９９］が２０μｍ以下とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧力センサ。
The bonding glass is obtained by mixing filler particles into glass particles, the average particle size [D50] of the mixed particles of glass and filler is 1 to 5 μm, and the maximum particle size [D99] is 20 μm or less. The pressure sensor according to claim 1 or 2.
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