JP2014086720A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

発光装置およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014086720A
JP2014086720A JP2013143321A JP2013143321A JP2014086720A JP 2014086720 A JP2014086720 A JP 2014086720A JP 2013143321 A JP2013143321 A JP 2013143321A JP 2013143321 A JP2013143321 A JP 2013143321A JP 2014086720 A JP2014086720 A JP 2014086720A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
substrate
emitting device
emitting element
lower electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013143321A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Uchijo
城 強 内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2014086720A publication Critical patent/JP2014086720A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/30Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]

Abstract

【課題】輝度および解像度を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置500は、第1基板部110と、第1基板部110と平行するように配置された第2基板部120と、第1基板部110と第2基板部120とを連結する連結部130と、を含む基板100と、第1基板部110上に形成された複数の第1発光素子210と、第2基板部120上に形成された複数の第2発光素子220とを含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、発光装置およびその製造方法に関するものであり、より詳細には表示装置として使用される発光装置およびその製造方法に関するものである。
発光装置は、表示装置や照明装置などに使用される。例えば、有機発光表示装置(Organic Light Emitting Diode Display:OLED display)は、二つの電極の間に介在する有機発光層から発光される光を利用して画像を表示する。
表示装置では、解像度や輝度が重要である。特に、有機発光表示装置は、製造工程上、高い解像度を有することが容易ではないことが知られている。
韓国公開特許第2009−0131553号公報
本発明が解決しようとする課題は、輝度および解像度が増加した発光装置を提供することにある。
本発明が解決しようとする他の課題は、輝度および解像度が増加した発光装置の製造方法を提供することにある。
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
前記課題を解決するための本発明の一実施形態による発光装置は、第1基板部と、前記第1基板部と平行するように配置された第2基板部と、前記第1基板部と前記第2基板部とを連結する連結部と、を含む基板と、前記第1基板部上に形成された複数の第1発光素子と、前記第2基板部上に形成された複数の第2発光素子と、を含む。
前記課題を解決するための本発明の他の実施形態による発光装置は、第1基板と、前記第1基板に平行するように配置された第2基板と、前記第2基板に対向する前記第1基板の一面に形成された複数の第1発光素子と、前記第1基板に対向する前記第2基板の一面に形成された複数の第2発光素子と、を含み、前記第1発光素子の発光方向および前記第2発光素子の発光方向は、互いに同一である。
前記課題を解決するための本発明のまた他の実施形態による発光装置は、第1基板と、前記第1基板に平行するように配置された第2基板と、前記第2基板に対向する前記第1基板の一面に形成された複数の第1発光素子と、前記第2基板の一面であって、前記第1基板に対向する面の反対側の面に形成された複数の第2発光素子と、を含み、前記第1発光素子の発光方向と前記第2発光素子の発光方向とは、互いに同一であり、前記各第2発光素子は、前記各第1発光素子と平面視して交互に配列される。
前記他の課題を解決するための本発明の一実施形態による発光装置の製造方法は、第1基板部と第2基板部とに区分された基板を準備する段階と、前記第1基板部上に複数の第1発光素子を、前記第2基板部上に複数の第2発光素子を各々形成する段階と、前記第1基板部と前記第2基板部との境界を折り畳み、前記第2基板部を前記第1基板部に平行に対向するように配置させる段階と、を含む。
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
すなわち、発光素子が平面視して交互に入り混じるように配置され、一方向に発光するため、輝度および解像度が改善される。
本発明による効果は、以上で例示された内容により制限されるものでなく、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
本発明の一実施形態による発光装置の概略的な平面図である。 本発明の一実施形態による発光装置の概略的な断面図である。 本発明の一実施形態による発光装置の部分断面図である。 本発明の一実施形態による発光装置の発光素子に対する概略図である。 図2に示す発光装置を製造する方法を説明するための概略的な断面図である。 図2に示す発光装置を製造する方法を説明するための概略的な断面図である。 図3に示す発光装置の製造方法を説明するための工程段階別の断面図である。 図3に示す発光装置の製造方法を説明するための工程段階別の断面図である。 図3に示す発光装置の製造方法を説明するための工程段階別の断面図である。 図3に示す発光装置の製造方法を説明するための工程段階別の断面図である。 図3に示す発光装置の製造方法を説明するための工程段階別の断面図である。 本発明の他の実施形態による発光装置の部分断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による発光装置の概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による発光装置の概略的な断面図である。 本発明のさらに他の実施形態による発光装置の概略的な断面図である。 図15に示す発光装置の発光素子の概略図である。 本発明の多様な実施形態による発光装置の概略的な平面図である。 本発明の多様な実施形態による発光装置の概略的な平面図である。
本発明の利点、特徴、およびそれらを達成する方法は、添付される図面と共に詳細に後述される実施形態を参照することにより明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されることが可能である。本実施形態は、単に本発明の開示が完全になるように、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に対して発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によってのみ定義される。
本明細書において、素子(elements)または層が、他の素子または他の層の「上(on)」と指称されるのは、他の素子または他の層の真上にある場合、あるいは中間に他の素子または他の層を介在する場合をすべて含む。明細書全体において同一の参照符号は同一の構成要素を指す。
本明細書において、第1、第2等の用語が、多様な素子、構成要素を説明するために使用される。しかしながら、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及する第1構成要素は本発明の技術的な思想内で第2構成要素であり得る。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
本発明の実施形態による発光装置は、光を放出する装置として、有機発光表示装置、無機発光表示装置などのような表示装置や照明装置などにも使用され得る。以下の実施形態では、有機発光表示装置を例として説明するが、これに制限されないことはもちろんである。
図1は、本発明の一実施形態による発光装置の概略的な平面図である。図2は、本発明の一実施形態による発光装置の概略的な断面図である。
図1および図2を参照すると、発光装置500は、基板100と、基板100上に形成された複数の第1発光素子210および複数の第2発光素子220とを含む。
基板100は、透明な物質からなる。基板100は、絶縁基板でもよく、フレキシブル基板を使用することもできる。
基板100は、中央部が折られ、2つの基板部(110、120)を提供する。すなわち、基板100は、相互に離隔して平行に対向するように配列された第1基板部110および第2基板部120と、また第1基板部110と第2基板部120を連結する連結部130とを含む。例示的な実施形態で、第1基板部110と第2基板部120とは、各々長方形形状で形成され得る。したがって、第1基板部110と第2基板部120とは、各々前記長方形の各辺に対応する4個の側部を含み得る。第1基板部110の第1側部100S1と第2基板部120の第1側部100S1とは、連結部130によって相互連結される。連結部130は、外方に向けて突出するU字状の曲面を含み得る。
第1基板部110の第2側部100S2、第3側部100S3および第4側部100S4は、第2基板部120の第2側部100S2、第3側部100S3および第4側部100S4と各々離隔するが、これらの間にはシーラントなどのシーリング部材300が介在し、第1基板部110と第2基板部120との間の空間を密封することができる。すなわち、シーリング部材300は、第1基板部110および第2基板部120の3つの側部(100S2,100S3,100S4)に沿って形成され得る。
第1基板部110と第2基板部120との間には、発光装置500の内側空間(IS)が定義される。基板100の一面は内側空間(IS)に向かい、基板100の他面はその反対側の外側に向かう。本明細書において、発光装置の内側空間に対向する基板または基板部の面を内側面と定義し、その反対側の面を外側面と定義する。
図2に示す実施形態において、基板100の一面が基板100の内側面になり、基板100の他面が基板100の外側面になる。また、図2で下部方向を第1方向D1、その反対方向の上部方向を第2方向D2とするとき、第1基板部110の内側面は第2方向D2に向かい、第2基板部120の内側面は第1方向D1に向かう。第1基板部110の内側面と第2基板部120の内側面とは対向する。
第1基板部110の内側面上には、複数の第1発光素子210が形成され、第2基板部120の内側面上には、複数の第2発光素子220が形成される。各第1発光素子210と各第2発光素子220とは、一側優位発光をする。ここで、一側優位発光とは、素子から放出される光量が方向によって異なることを意味する。すなわち、一側に放出する光量が一側の反対方向の他側より大きい場合、一側優位発光という。
例示的な実施形態において、発光素子から放光する光は一側方向には全く放出されず、他側方向のみに放出される。基板の上面に発光素子が形成された場合、発光された光が主に基板の上部方向(発光素子を基準として基板の反対方向)に放出する素子は前面発光素子と呼び、基板を透過して基板の下部方向に放出する素子は裏面発光素子と呼ぶ。
図2を参照すると、第1基板部110の第1発光素子210から発光された光と、第2基板部120の第2発光素子220から発光された光とは、いずれも第1方向D1に放出される。ここで、第1発光素子210は、光が第1基板部110を透過して放出されるので裏面発光素子であり、第2発光素子220は第2発光素子220が形成された第2基板部120の上部に光が放出されるので前面発光素子である。しかし、第1基板部110と第2基板部120とは、互いに対向するため、第1基板部110の裏面方向と第2基板部120の前面方向とは、同一な方向になる。したがって、第1発光素子210から放出された光と、第2発光素子220から放出された光とは、同一方向に向かうようになる。したがって、発光装置の下部方向(第1方向D1)に放出される総光量は、複数の第1発光素子210から放出される光の量と複数の第2発光素子220から放出される光の量とを合算して計算する。本発明の他の実施形態において、第1発光素子210は前面発光素子であり、第2発光素子220は裏面発光素子であるため、発光装置の上部方向(第2方向D2)に発光され得る。
各第1発光素子210は、相互に離隔し、各第2発光素子220も、相互に離隔するように配置される。例示的な実施形態において、第1発光素子210と第2発光素子220とは平面視して交互に入り混じるように配列され得る。すなわち、第1発光素子210は、複数の第2発光素子220間の離隔空間にオーバーラップするように配置され、逆に、第2発光素子220は、複数の第1発光素子210間の離隔空間にオーバーラップするように配置され得る。図1は、このような配列に関する平面配置を示す。図1を参照すると、複数の第1発光素子210が第1マトリックス形状で配列され、複数の第2発光素子220が第2マトリックス形状で配列され、これらをオーバーラップすると第3マトリックス形状の配列が定義され得る。第3マトリックスは、第1マトリックスの各列の間に第2マトリックスの列が配列された形状である。第1マトリックスの行列数およびその間隔は第2マトリックスの行列数およびその間隔と実質的に同一であり得る。
図1の実施形態において、第1マトリックスは、5×5行列であり、第2マトリックスは5×5行列であるが、これらをオーバーラップして定義する第3マトリックスは5×10行列になる。第1マトリックスが占める第1面積S1は第2マトリックスが占める第2面積S2と実質的に同一であり、第3マトリックスが占める第3面積S3は第1面積S1および第2面積S2に近似すると仮定すれば、第3マトリックスは第1および第2マトリックスより行方向にさらに密集した配列を有する。発光装置が表示装置に適用され、各発光素子が表示装置のピクセルに対応すると、第3マトリックスはさらに高い解像度、例えば第1マトリックスや第2マトリックスの約2倍の解像度を実現することができる。
以下、図3および図4を参照して第1発光素子210および第2発光素子220の構造についてさらに詳細に説明する。
図3は、本発明の一実施形態による発光装置の部分断面図である。図4は、本発明の一実施形態による発光装置の発光素子に対する概略図である。
図3および図4を参照すると、第1基板部110上に第1下部電極214および第1画素定義膜212が形成される。第1画素定義膜212は、第1下部電極214を少なくとも部分的に露出する第1開口部OA1を定義する。第1開口部OA1により露出された第1下部電極214上には第1発光層216が形成される。第1発光層216および第1画素定義膜212上には第1上部電極218が形成される。本明細書においては、説明の便宜上、下部電極は基板を基準に相対的に下方に位置する電極をいい、上部電極は基板を基準に相対的に上方に位置する電極をいう。
第1下部電極214は、アノード電極であり、第1上部電極218はカソード電極であり得る。逆に第1下部電極214がカソード電極であり、第1上部電極218がアノード電極であり得る。第1下部電極214は透明電極であり、第1上部電極218は不透明電極であり得る。また、第1上部電極218は反射電極であり得る。例示的な実施形態で、第1下部電極214は、アノード電極であり、仕事関数が高い導電性物質、例えばITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などの物質であるが、これらの積層膜により形成され得る。第1上部電極218は、カソード電極であり、仕事関数が低い導電性物質、例えばAg、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、またはCaなどで形成され得る。
第1発光層216は、赤R、緑G、青Bのうち何れか一つの光を固有に出す高分子または低分子有機物質や高分子および低分子の混合物質から構成される。いくつかの実施形態において、第1発光層216は、ホスト物質およびドーパント物質を含んで構成される。
第1下部電極214がアノード電極である場合、第1下部電極214と第1発光層216との間には、正孔注入層、正孔輸送層、またはこれらの積層膜や正孔注入層および正孔輸送層の組合せ層が介在することができる(図4の「215」を参照)。第1上部電極218がカソード電極である場合、第1上部電極218と第1発光層216との間には、電子注入層、電子輸送層、またはこれらの積層膜や電子注入層および電子輸送層の組合せ層が介在することができる(図4の「217」を参照)。
第2基板部120は、第1基板部110に対向するように配置され、第1基板部110に対向する第2基板部120上には、第2下部電極224および第2画素定義膜222が形成される。第2画素定義膜222は、第2下部電極224を少なくとも部分的に露出する第2開口部OA2を定義する。第2開口部OA2により露出された第2下部電極224上には、第2発光層226が形成される。第2発光層226および第2画素定義膜222上には、第2上部電極228が形成される。
第2下部電極224はアノード電極であり、第2上部電極228はカソード電極であり得る。逆に第2下部電極224はカソード電極であり、第2上部電極228はアノード電極であり得る。
第2下部電極224は反射性物質を含み得る。第2下部電極224がアノード電極である場合、第2下部電極224は、Al、Ag、CrまたはMoなどの反射性物質からなる下部膜とITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などの仕事関数が高い物質からなる上部膜の積層膜からなる。
第2上部電極228は、透明または半透明電極であり得る。第2上部電極228がカソード電極である場合、第2上部電極228は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、LiF、Ba、Caおよびこれらの化合物などのような仕事関数が低い金属を光透過が可能な厚さで積層して形成することができる。さらに、第2上部電極228の抵抗を低くするため、前記金属膜にITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などの透明導電物質をさらに積層することもできる。
第2発光層226は、赤R、緑G、青Bのうち何れか一つの光を固有に出す高分子または低分子有機物質や高分子および低分子の混合物質から構成される。第2下部電極224がアノード電極である場合、第2下部電極224と第2発光層226との間には、正孔注入層、正孔輸送層、またはこれらの積層膜や正孔注入および正孔輸送層の組合せ層が介在することができる(図4の「225」を参照)。第2上部電極228がカソード電極である場合、第2上部電極228と第2発光層226との間には、電子注入層、電子輸送層、またはこれらの積層膜や電子注入層および電子輸送層の組合せ層が介在することができる(図4の「227」を参照)。
例示的な実施形態において、第2発光層226は、第1発光層216と実質的に同一であり得る。第2基板部120上の第2下部電極224と第2発光層226との間に介在する介在膜225は、前述した第1基板部110上の第1下部電極214と第1発光層216との間に介在する介在膜215と同一であり得る。第2基板部120上の第2上部電極228と第2発光層226との間に介在する介在膜227は、前述した第1基板部110上の第1上部電極218と第1発光層216との間に介在する介在膜217と同一であり得る。
第1画素定義膜212と第2画素定義膜222は、各々ベンゾシクロブテン(Benzo Cyclo Butene:BCB)、ポリイミド(polyimide:PI)、ポリアマイド(poly amaide:PA)、アクリル樹脂およびフェノール樹脂などから選択された少なくとも一つの有機物質を含んで構成される。第1画素定義膜212と第2画素定義膜222とは、同一な物質で構成され得る。
第2基板部120上には、第2上部電極228および第2画素定義膜222を覆うバッファ層250が形成され得る。バッファ層250は、透明な有機膜や透明な無機膜またはこれらの積層膜からなる。バッファ層250は、第1基板部110と第2基板部120とを空間的に分離して、第1上部電極218と第2上部電極228間との絶縁を担保する役割を果たす。
図4を参照すると、第1基板部110の第1下部電極214と第1上部電極218との間に電界が形成されると、第1発光層216から所定の光が発光される。第1上部電極218が反射電極であるため、光は第1基板部110を通過して図中の下方に放出される。同様に、第2基板部120の第2下部電極224と第2上部電極228との間に電界が形成されると、第2発光層226から光が発光される。しかし、第2基板部120上の第2下部電極224が反射電極であるため、光は第2基板部120とは反対方向である図中の下方に放出される。したがって、第1発光層216および第2発光層226が放出する光は、いずれも図中の下方に放出され得る。
図5および図6は、図2に示す発光装置を製造する方法を説明するための概略的な断面図である。
図5を参照すると、先ず、基板100は、第1基板部110と第2基板部120とに区分される。第1基板部110上には複数の第1発光素子210を、第2基板部120上には複数の第2発光素子220を形成する。
図6を参照すると、第1基板部110と第2基板部120との境界115を折り畳み、第2基板部120を第1基板部110に平行に対向するように配置する。次いで、第1基板部110および第2基板部120の3つの対応する側部(図1の100S2,100S3,100S4)に沿ってシーリング部材300を介在させ、発光装置500を完成する。他の実施形態において、第1基板部110の3つの側部(図1の100S2,100S3,100S4)にシーリング部材300をコーティングした後、第2基板部120を折り畳み、図2に示す発光装置500を完成することもできる。
図5の第1発光素子210および第2発光素子220を製造する方法について、さらに詳細に説明するため、図7〜図11を参照する。図7〜図11は、図3に示す発光装置の製造方法を説明するための工程段階別断面図である。
図7を参照すると、第1基板部110上に第1下部電極214を、第2基板部120上に第2下部電極224を形成する。第1下部電極214と第2下部電極224が相異なる物質からなる場合、第1下部電極214と第2下部電極224とは、マスク工程、印刷工程、インクジェット工程などパターニング工程により別途形成することができる。
図8を参照すると、第1基板部110上に第1下部電極214を露出する第1開口部OA1を定義する第1画素定義膜212を形成し、第2基板部120上に第2下部電極224を露出する第2開口部OA2を定義する第2画素定義膜222を形成する。第1開口部OA1を定義する第1画素定義膜212と第2開口部OA2を定義する第2画素定義膜222とは同一な物質で形成することができ、一つのマスクを利用して同時にパターニングすることができる。
図9を参照すると、第1開口部OA1により露出された第1下部電極214上に第1発光層216を形成し、第2開口部OA2により露出された第2下部電極224上に第2発光層226を形成する。第1発光層216と第2発光層226とが同一物質で構成される場合、これらを同時に形成することができる。
一方、第1発光層216および第2発光層226を形成する前に第1下部電極214および第2下部電極224上に正孔注入層、正孔輸送層、またはこれらの積層膜や正孔注入層および正孔輸送層の組合せ層の下部介在膜(図4の215および225を参照)を形成することができる。前記下部介在膜(215、225)は、第1基板部110および第2基板部120上に同時に形成することができる。また、第1発光層216および第2発光層226を形成した後、電子輸送層、電子注入層、またはこれらの積層膜や電子輸送層および電子注入層の組合せ層の上部介在膜(図4の217および227を参照)を形成することができる。前記上部介在膜(217、227)は、第1基板部110および第2基板部120上に同時に形成することができる。
図10を参照すると、第1発光層216上に第1上部電極218を形成し、第2発光層226上に第2上部電極228を形成する。第2下部電極224と第2上部電極228とは、マスク工程、印刷工程、インクジェット工程などパターニング工程により別途形成することができる。
図11を参照すると、第2基板部120上に第2上部電極228および第2画素定義膜222を覆うバッファ層250を形成する。次いで、図5および図6を参照して説明した方法を利用して発光装置500を完成する。
以下、本発明の他の実施形態について説明する。以下の実施形態において、すでに説明した構成と同一な構成に対しては同一参照番号を付与し、重複する説明は省略または簡略化する。
図12は、本発明の他の実施形態による発光装置の部分断面図である。図12を参照すると、本実施形態による発光装置501は、第1発光層216wおよび第2発光層226wが白(W)の光を放出する点が、図3に示す実施形態と異なる点である。このため、第1発光層216wおよび第2発光層226wは、2以上の発光層が積層されたものであり得る。例えば、第1発光層216wおよび第2発光層226wは、赤発光層、緑発光層、青発光層が積層されたものであるか、または青発光層と黄発光層が積層されたものであり得る。
フルカラーを実現するために、光の放出経路上にカラーフィルタ400が設けられ得る。図面では基板の一面に赤R、緑G、青Bカラーフィルタ400が形成された場合を例示するが、基板の他面に形成することもできる。
図13は、本発明のさらに他の実施形態による発光装置の概略的な断面図である。図13を参照すると、本実施形態による発光装置502は、連結部130と第1基板部110との境界に第1折曲部141が形成され、連結部130と第2基板部120との境界に第2折曲部142が形成される点が、図2に示す実施形態と異なる点である。第1折曲部141と第2折曲部142とを有することにより、基板全体がフレキシブルではなくても、図2と実質的に同一な構成を実現することができる。
図14は、本発明のさらに他の実施形態による発光装置の概略的な断面図である。図14を参照すると、本実施形態による発光装置503は、基板が第1基板111および第2基板121に分離している点が図2に示す実施形態と異なる点である。すなわち、本実施形態の場合、基板は連結部を含まず、第1側部(図1の100S1を参照)がシーリング部材301により封じられる。第2発光素子220は、第2基板121の一面および他面において、第1基板111に対向する面に形成される。したがって、第2発光素子220の配置は、図2に示す実施形態と実質的に同一である。
図15は、本発明のさらに他の実施形態による発光装置の概略的な断面図である。図16は、図15に示す発光装置の発光素子に対する概略図である。図15および図16を参照すると、本実施形態による発光装置504は、基板が第1基板111および第2基板121に分離しており、連結部なしで第1側部(図1の100S1を参照)がシーリング部材301により封じられる点は図14の実施形態と同一であるが、第2発光素子220aの形成位置が図14と異なる。すなわち、第2発光素子220aは、第2基板121の一面および他面において、第1基板111に対向する面ではないその反対側の面に形成される。
さらに具体的に説明すると、第1発光素子210aは第1基板111の一面に形成され、第2発光素子220aは第2基板121の一面に形成される。本実施形態の場合も第1発光素子210aから放出する光の方向と第2発光素子220aから放出する光の方向とは同一である。したがって、第1発光素子210aが第1基板111を透過して光を下部に放出する裏面発光素子であれば、第2発光素子220aも第2基板121を透過して光を下部に放出する裏面発光素子で構成される。
図16を参照すると、第1基板111の第1下部電極214aと第1上部電極218aとの間に電界が形成されると、第1発光層216aから所定の光が発光される。第1上部電極218aを反射電極として使用し、第1下部電極214aを透明電極として使用すると、光は第1基板111を通過して図中の下方に放出される。
同様に、第2基板121の第2下部電極224aと第2上部電極228aとの間に電界が形成されると第2発光層226aから光が発光される。第2上部電極228aを反射電極として使用し、第2下部電極224aを透明電極として使用すると、光は第2基板121を通過して図中の下方に放出され得る。
図面で示していないが、第1発光素子210が、光を上部に放出する前面発光素子であれば、第2発光素子220も前面発光素子であり得る。
したがって、本実施形態の場合、第1発光素子210aおよび第2発光素子220aの電極構造および発光層の構造は、実質的に同一なものであり得る。
第2基板121上には、第2発光素子220aを覆うキャッピング膜270が形成され得る。キャッピング膜270の代わりに保護基板も配置され得る。
図17および図18は、本発明の多様な実施形態による発光装置の概略的な平面図である。図17および図18を参照すると、第1発光素子210および第2発光素子220が多様な行列マトリックスを有することが分かる。
図17の発光装置505は、複数の第1発光素子210のマトリックスを複数の第2発光素子220のマトリックスとオーバーラップすれば、第1発光素子210のマトリックスの行間に第2発光素子220のマトリックスの行が配列された形状を有し得ることを例示する。
図18の発光装置506は、第1発光素子210および第2発光素子220の各行が交互に入り混じるように配列され、これらをオーバーラップして配列するとき、長方形状のマトリックスが作られることを例示する。その他にも多様な変形ができることはもちろんである。
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施できるということを理解することができる。したがって、上記実施形態はすべての面において例示的なものであり、限定的でないものと理解しなければならない。
100 基板、
110 第1基板部、
120 第2基板部、
130 連結部、
210 第1発光素子、
220 第2発光素子、
300 シーリング部材。

Claims (21)

  1. 第1基板部と、前記第1基板部と平行するように配置された第2基板部と、前記第1基板部と前記第2基板部とを連結する連結部と、を含む基板と、
    前記第1基板部上に形成された複数の第1発光素子と、
    前記第2基板部上に形成された複数の第2発光素子と、を含む発光装置。
  2. 前記複数の第1発光素子は、前記第2基板部に対向する前記第1基板部の一面に形成され、
    前記複数の第2発光素子は、前記第1基板部に対向する前記第2基板部の一面に形成される請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記各第2発光素子は、前記各第1発光素子と平面視して交互に配列される請求項1または請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記第1発光素子の発光方向および前記第2発光素子の発光方向は、互いに同一である請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第1発光素子は、裏面発光素子であり、
    前記第2発光素子は、前面発光素子である請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記第1発光素子は、第1下部電極と、第1発光層と、第1上部電極と、を含み、
    前記第2発光素子は、第2下部電極と、第2発光層と、第2上部電極と、を含む請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記第1下部電極および前記第2上部電極は、透明な導電物質を含み、
    前記第1上部電極および前記第2下部電極は、反射性物質を含む請求項6に記載の発光装置。
  8. 前記第1発光層および前記第2発光層は、同一物質からなる請求項6または請求項7に記載の発光装置。
  9. 前記連結部は、前記第1基板部の一側部と前記第2基板部の一側部とを連結し、
    前記第1基板部の他の側部と前記第2基板部の他の側部との間に介在し、前記第1基板部と前記第2基板部間とを密封するシーリング部材をさらに含む請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光装置。
  10. 前記基板は、フレキシブル基板からなり、
    前記連結部は、外方に向けて突出するU字状の曲面を含む請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光装置。
  11. 前記第1基板部と前記連結部との間に形成された第1折曲部と、
    前記第2基板部と前記連結部との間に形成された第2折曲部と、をさらに含む請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光装置。
  12. 第1基板と、
    前記第1基板に平行するように配置された第2基板と、
    前記第2基板に対向する前記第1基板の一面に形成された複数の第1発光素子と、
    前記第1基板に対向する前記第2基板の一面に形成された複数の第2発光素子と、を含み、
    前記第1発光素子の発光方向と前記第2発光素子の発光方向とは、互いに同一である発光装置。
  13. 前記各第2発光素子は、前記各第1発光素子と平面視して交互に配列される請求項12に記載の発光装置。
  14. 前記第1発光素子は裏面発光素子であり、
    前記第2発光素子は前面発光素子である請求項12または請求項13に記載の発光装置。
  15. 前記第1発光素子は、第1下部電極と、第1発光層と、第1上部電極とを含み、
    前記第2発光素子は、第2下部電極と、第2発光層と、第2上部電極とを含む請求項12〜14のいずれか一項に記載の発光装置。
  16. 前記第1下部電極および前記第2上部電極は、透明な導電物質を含み、
    前記第1上部電極および前記第2下部電極は、反射性物質を含む請求項15に記載の発光装置。
  17. 前記第1発光層および前記第2発光層は、同一物質からなる請求項15または請求項16に記載の発光装置。
  18. 第1基板と、
    前記第1基板に平行するように配置された第2基板と、
    前記第2基板に対向する前記第1基板の一面に形成された複数の第1発光素子と、
    前記第2基板の一面であって、前記第1基板に対向する面の反対側の面に形成された複数の第2発光素子と、を含み、
    前記第1発光素子の発光方向および前記第2発光素子の発光方向は、互いに同一であり、
    前記各第2発光素子は、前記各第1発光素子と平面視して交互に配列される発光装置。
  19. 前記第1発光素子および前記第2発光素子は、いずれも裏面発光素子であるか、またはいずれも前面発光素子である請求項18に記載の発光装置。
  20. 第1基板部と第2基板部とに区分された基板を準備する段階と、
    前記第1基板部上に複数の第1発光素子を、前記第2基板部上に複数の第2発光素子を各々形成する段階と、
    前記第1基板部と前記第2基板部との境界を折り畳み、前記第2基板部を前記第1基板部に平行に対向するように配置させる段階と、を含む発光装置の製造方法。
  21. 前記複数の第1発光素子を形成する段階は、第1下部電極と、第1発光層と、第1上部電極とを順次に形成する段階を含み、
    前記複数の第2発光素子を形成する段階は、第2下部電極と、第2発光層と、第2上部電極とを順次に形成する段階を含み、
    前記第1発光層と前記第2発光層とは、同一な物質で同時に形成される請求項20に記載の発光装置の製造方法。
JP2013143321A 2012-10-22 2013-07-09 発光装置およびその製造方法 Pending JP2014086720A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0117350 2012-10-22
KR1020120117350A KR20140050927A (ko) 2012-10-22 2012-10-22 발광 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014086720A true JP2014086720A (ja) 2014-05-12

Family

ID=50484556

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013143321A Pending JP2014086720A (ja) 2012-10-22 2013-07-09 発光装置およびその製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9165978B2 (ja)
JP (1) JP2014086720A (ja)
KR (1) KR20140050927A (ja)
CN (1) CN103779383A (ja)
TW (1) TWI570951B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9577220B2 (en) 2015-01-15 2017-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102090200B1 (ko) * 2013-08-08 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104637927B (zh) * 2013-11-12 2019-01-22 中国科学院微电子研究所 一种基于柔性基板的三维封装结构及工艺方法
CN106159104A (zh) * 2015-04-03 2016-11-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种柔性照明器件
CN106158904A (zh) * 2015-04-03 2016-11-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种高分辨率柔性显示屏及其制备方法
CN106158903B (zh) * 2015-04-03 2019-06-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种具备显示和照明功能的柔性电子结构
KR102610769B1 (ko) 2016-06-09 2023-12-07 삼성디스플레이 주식회사 박막태양전지를 구비한 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
US10756141B2 (en) * 2016-07-28 2020-08-25 Universal Display Corporation Very high resolution stacked OLED display
CN106838648A (zh) * 2017-03-31 2017-06-13 谊美吉斯光电科技(福建)有限公司 一种高分辨率的led光电玻璃及其制作方法
CN108987423B (zh) * 2017-06-05 2023-09-12 三星电子株式会社 显示装置
CN109216418A (zh) * 2017-07-06 2019-01-15 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 显示装置及显示装置的制造方法
JP2019050298A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 東芝ホクト電子株式会社 発光パネル
CN110459130A (zh) 2019-07-29 2019-11-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 组合式显示面板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08203669A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Seikosha Co Ltd El両面発光表示体
JPH1012380A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
JP2000194290A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Toyota Motor Corp 表示パネル及びその製造方法
JP2006302626A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2006310262A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置
US20070159070A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Au Optronics Corp. Dual emission display
JP2010080292A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 両面発光型有機エレクトロルミネッセンスパネル、及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2134299B (en) * 1982-12-23 1986-04-30 Epson Corp Liquid crystal display device
US5436744A (en) * 1993-09-03 1995-07-25 Motorola Inc. Flexible liquid crystal display with integrated driver circuit and display electrodes formed on opposite sides of folded substrate
JP2006073683A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Sony Corp 回路デバイス及び回路デバイスの製造方法
KR100670848B1 (ko) * 2005-03-04 2007-01-19 한국델파이주식회사 공조장치의 디씨모터 엑츄에이터 제어 방법
KR100670343B1 (ko) * 2005-05-27 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기발광소자 및 그의 제조방법
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
KR100634307B1 (ko) 2005-08-10 2006-10-16 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자 및 이의 제조 방법
EP1940202B1 (en) 2005-09-22 2013-05-01 Panasonic Corporation Organic light emitting element and its fabrication method
JP4474441B2 (ja) 2007-06-29 2010-06-02 株式会社沖データ 発光パネル、表示装置及び光源装置
KR100949339B1 (ko) 2008-05-06 2010-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 양면 발광형 유기발광 표시장치
KR100953541B1 (ko) 2008-06-18 2010-04-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100106053A (ko) 2009-03-23 2010-10-01 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 및 이들의 제조 방법
JP5589452B2 (ja) 2010-03-11 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器、発光装置の駆動方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08203669A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Seikosha Co Ltd El両面発光表示体
JPH1012380A (ja) * 1996-06-25 1998-01-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 多色発光装置およびその製造方法
JP2000194290A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Toyota Motor Corp 表示パネル及びその製造方法
JP2006302626A (ja) * 2005-04-19 2006-11-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP2006310262A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置
US20070159070A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Au Optronics Corp. Dual emission display
JP2010080292A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Dainippon Printing Co Ltd 両面発光型有機エレクトロルミネッセンスパネル、及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9577220B2 (en) 2015-01-15 2017-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
TW201417332A (zh) 2014-05-01
KR20140050927A (ko) 2014-04-30
US9165978B2 (en) 2015-10-20
CN103779383A (zh) 2014-05-07
US20140110726A1 (en) 2014-04-24
TWI570951B (zh) 2017-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014086720A (ja) 発光装置およびその製造方法
US9166199B2 (en) Organic electroluminescence device
JP6142982B2 (ja) 発光品質が向上した有機発光素子
WO2016123943A1 (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR101948207B1 (ko) 백색 발광 소자, 이를 포함하는 백색 발광 패널, 백색 발광 패널의 제조 방법, 및 백색 발광 소자를 포함하는 표시 장치
JP2007141847A5 (ja)
JP5654591B2 (ja) El表示パネル、el表示パネルを備えたel表示装置、有機el表示装置、およびel表示パネルの製造方法
US20090085471A1 (en) Organic El Display Device
WO2019192060A1 (zh) Oled显示装置及其制备方法
US10522775B2 (en) El display device including island shaped hole injection layer and island shaped electron injection layer and method of manufacturing the same
CN113629112B (zh) 显示面板
JP6030118B2 (ja) 発光デバイスの製造方法および発光デバイス
JP5654590B2 (ja) El表示パネル、el表示パネルを備えたel表示装置、有機el表示装置、およびel表示パネルの製造方法
KR102238642B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 패널
WO2021201032A1 (ja) 表示装置
US9206960B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20210408154A1 (en) Display substrate, preparation method thereof, and display device
WO2020049742A1 (ja) 表示デバイス及び表示デバイスの製造方法
WO2021049408A1 (ja) 発光装置
JP5943405B2 (ja) 有機el照明装置及びその製造方法
TWI283379B (en) Full-color organic electroluminescent display device and method for manufacturing the same
JP2015141808A (ja) 有機電界発光装置および電子機器
JP2004214154A (ja) 有機el表示装置
TW200841763A (en) Electroluminescent device
JP2011090874A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160701

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170131

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170314

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170421

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20170519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170815

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180313