JP2014082460A - Gas processing device, gas processing cartridge, and gas processing method - Google Patents

Gas processing device, gas processing cartridge, and gas processing method Download PDF

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Shizuo Tokuura
静雄 徳浦
Takashi Yoshida
吉田　　隆
Kazuhiko Hotta
和彦 堀田
Norimichi Minemura
則道 嶺村
Hidetsugu Yurizono
英嗣 百合園
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a gas processing device having excellent processing capacity.SOLUTION: A gas processing device 1 includes: an introduction port 11; an exhaust port 12; and a processing chamber 13. A processed gas is introduced from the introduction port 11. A gas which has been processed is exhausted from the exhaust port 12. The processing chamber 13 is connected with the introduction port 11 and the exhaust port 12. A processing agent for processing the processed gas is disposed in the processing chamber 13. The processing chamber 13 includes an upstream side portion 13a, a downstream side portion 13b, and an intermediate portion 13c. The downstream side portion 13b is positioned closer to the exhaust port 12 side than the upstream side portion 13a. The processing agent is disposed at the downstream side portion 13b. The intermediate portion 13c connects the upstream side portion 13a with the downstream side portion 13b. A passage area in the intermediate part 13c is larger than passage areas in the upstream side portion 13a and the downstream side portion 13b.

Description

本発明は、半導体、液晶製造プロセスにおいて排出されるドライエッチング排気ガスなどのガスの処理装置、ガスの処理カートリッジ及びガスの処理方法に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor, a gas processing apparatus such as dry etching exhaust gas discharged in a liquid crystal manufacturing process, a gas processing cartridge, and a gas processing method.

近年、排気ガスによる環境負荷を低減するために、排気ガスに対する規制が厳しくなってきている。これに伴い、排気ガスの処理方法が種々提案されている（例えば、特許文献１等を参照。）。   In recent years, regulations on exhaust gas have become stricter in order to reduce the environmental load caused by exhaust gas. Along with this, various exhaust gas treatment methods have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特開平８−１８６０６６号公報JP-A-8-186066

ガスの処理装置の処理能力を向上したいという要望がある。   There is a desire to improve the processing capacity of gas processing equipment.

本発明の主な課題は、優れた処理能力を有するガスの処理装置を提供することにある。   The main subject of this invention is providing the gas processing apparatus which has the outstanding processing capacity.

本発明に係るガスの処理装置は、導入口と、排出口と、処理室とを備える。導入口から、被処理ガスが導入される。排出口から、処理済みのガスが排出される。処理室は、導入口と排出口とに接続されている。処理室には、被処理ガスを処理する処理剤が配されている。処理室は、上流側部分と、下流側部分と、中間部とを有する。下流側部分は、上流側部分よりも排出口側に位置している。下流側部分には、処理剤が配されている。中間部は、上流側部分と下流側部分とを接続している。中間部における流路面積が上流側部分及び下流側部分のそれぞれにおける流路面積よりも大きい。   The gas processing apparatus according to the present invention includes an introduction port, a discharge port, and a processing chamber. A gas to be treated is introduced from the introduction port. The treated gas is discharged from the outlet. The processing chamber is connected to the inlet and the outlet. A processing agent for processing the gas to be processed is disposed in the processing chamber. The processing chamber has an upstream part, a downstream part, and an intermediate part. The downstream portion is located closer to the discharge port than the upstream portion. A processing agent is disposed in the downstream portion. The intermediate part connects the upstream part and the downstream part. The channel area in the intermediate part is larger than the channel areas in the upstream part and the downstream part.

本発明に係るガスの処理カートリッジは、導入口と、排出口と、処理室とを備える。導入口から、被処理ガスが導入される。排出口から、処理済みのガスが排出される。処理室は、導入口と排出口とに接続されている。処理室には、被処理ガスを処理する処理剤が配されている。処理室は、上流側部分と、下流側部分と、中間部とを有する。下流側部分は、上流側部分よりも排出口側に位置している。下流側部分には、処理剤が配されている。中間部は、上流側部分と下流側部分とを接続している。中間部における流路面積が上流側部分及び下流側部分のそれぞれにおける流路面積よりも大きい。   The gas processing cartridge according to the present invention includes an inlet, an outlet, and a processing chamber. A gas to be treated is introduced from the introduction port. The treated gas is discharged from the outlet. The processing chamber is connected to the inlet and the outlet. A processing agent for processing the gas to be processed is disposed in the processing chamber. The processing chamber has an upstream part, a downstream part, and an intermediate part. The downstream portion is located closer to the discharge port than the upstream portion. A processing agent is disposed in the downstream portion. The intermediate part connects the upstream part and the downstream part. The channel area in the intermediate part is larger than the channel areas in the upstream part and the downstream part.

本発明に係るガスの処理方法では、上記ガスの処理装置を用いてガスを処理する。   In the gas processing method according to the present invention, the gas is processed using the gas processing apparatus.

本発明によれば、優れた処理能力を有するガスの処理装置を提供する。   According to the present invention, a gas processing apparatus having an excellent processing capability is provided.

第１の実施形態に係るガスの処理装置の模式的側面図である。It is a typical side view of the gas processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るガスの処理装置の模式的側面図である。It is a typical side view of the gas processing apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施形態に係るガスの処理装置の模式的側面図である。It is a typical side view of the gas processing apparatus which concerns on 2nd Embodiment.

（第１の実施形態）
図１及び図２に示されるガスの処理装置１は、例えば、人体や環境等に有毒な成分を含むガスを処理し、無害化するための装置である。処理装置１は、粉体を含まない被処理ガスに加え、粉体を含む被処理ガスも好適に処理し得る。従って、処理装置１は、例えば、アルミニウム膜等のドライエッチング装置から排出される、三塩化ホウ素などのハロゲン化合物を含むガスを処理するために好適に用いられる。 (First embodiment)
The gas processing apparatus 1 shown in FIGS. 1 and 2 is an apparatus for processing and detoxifying a gas containing a component toxic to the human body, the environment, or the like. The processing apparatus 1 can suitably process a gas to be processed that includes powder in addition to a gas to be processed that does not include powder. Therefore, the processing apparatus 1 is preferably used for processing a gas containing a halogen compound such as boron trichloride discharged from a dry etching apparatus such as an aluminum film.

ガスの処理装置１への被処理ガスの供給量は、例えば、１Ｌ／分〜２０００Ｌ／分であることが好ましく、５Ｌ／分〜１０００Ｌ／分であることがより好ましい。ガスの処理装置１に供給される被処理ガスの温度は、１５０℃以下であることが好ましく、１００℃以下であることがより好ましい。   The supply amount of the gas to be processed to the gas processing apparatus 1 is, for example, preferably 1 L / min to 2000 L / min, and more preferably 5 L / min to 1000 L / min. The temperature of the gas to be processed supplied to the gas processing apparatus 1 is preferably 150 ° C. or lower, and more preferably 100 ° C. or lower.

処理装置１は、筐体と、筐体内に収容されたガスの処理カートリッジ１０を備えている。この処理カートリッジ１０によりガスの処理が行われる。処理カートリッジ１０は、導入口１１と、排出口１２と、処理室１３とを有する。導入口１１及び排出口１２は、それぞれ、処理室１３に接続されている。処理対象である被処理ガスは、導入口１１から処理室１３に導入される。被処理ガスは、処理室１３において処理される。処理済みのガスは、排出口１２を経由して処理室１３から排出される。本実施形態では、導入口１１が処理室１３の下方に設けられている。排出口１２は、処理室１３の上方に設けられている。もっとも、本発明は、この構成に限定されない。処理室の上方に導入口を設け、下方に排出口を設けてもよい。   The processing apparatus 1 includes a housing and a gas processing cartridge 10 accommodated in the housing. The processing cartridge 10 performs gas processing. The processing cartridge 10 has an introduction port 11, a discharge port 12, and a processing chamber 13. The introduction port 11 and the discharge port 12 are each connected to the processing chamber 13. A gas to be processed which is a processing target is introduced into the processing chamber 13 from the inlet 11. The gas to be processed is processed in the processing chamber 13. The treated gas is discharged from the processing chamber 13 via the discharge port 12. In the present embodiment, the introduction port 11 is provided below the processing chamber 13. The discharge port 12 is provided above the processing chamber 13. However, the present invention is not limited to this configuration. An introduction port may be provided above the processing chamber and a discharge port may be provided below.

処理室１３には、処理剤が配されている。具体的には、処理室１３には、処理剤を含む処理粒子１４が配されている。処理剤は、被処理ガスを処理するための薬剤である。具体的には、処理剤は、被処理ガスに含まれる有害物質の濃度を低減させる。   A processing agent is disposed in the processing chamber 13. Specifically, processing particles 14 containing a processing agent are arranged in the processing chamber 13. A processing agent is a chemical | medical agent for processing to-be-processed gas. Specifically, the treatment agent reduces the concentration of harmful substances contained in the gas to be treated.

処理室１３に流入した被処理ガスは、処理粒子１４に含まれる処理剤によって処理される。その結果、有害物質などの特定の物質の濃度が低減された処理済みガスが生成される。処理済みガスは、排出口１２を経由して処理カートリッジ１０の外部に排出される。   The gas to be processed that has flowed into the processing chamber 13 is processed by the processing agent contained in the processing particles 14. As a result, a processed gas is generated in which the concentration of a specific substance such as a harmful substance is reduced. The processed gas is discharged to the outside of the processing cartridge 10 via the discharge port 12.

処理剤は、例えば、被処理ガス中に含まれる、濃度を低減させようとする物質を吸着する吸着剤であってもよいし、濃度を低減させようとする物質と反応する反応剤、濃度を限定させようとする物質を反応させる触媒等であってもよい。処理剤は、吸着剤、反応剤及び触媒のうちの少なくとも２つを含んでいてもよい。処理剤は、被処理ガスの種類に応じて適宜選択することができる。吸着剤の具体例としては、例えば、ゼオライト、活性炭、活性白土、酸化鉄、水酸化カルシウム活性炭、添着活性炭（酸化銅及び酸化亜鉛の少なくとも一方が担持された活性炭）等が挙げられる。反応剤の具体例としては、例えば、酸化鉄、酸化マンガン等が挙げられる。好ましく用いられる酸化鉄の具体例としては、例えば、酸化鉄（ＩＩ）（ＦｅＯ）、酸化鉄（ＩＩＩ）（Ｆｅ２Ｏ３）等が挙げられる。好ましく用いられる酸化マンガンの具体例としては、例えば、一酸化マンガン（ＭｎＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、四酸化三マンガン（Ｍｎ３Ｏ４）、七酸化二マンガン（Ｍｎ２Ｏ７）等が挙げられる。触媒の具体例として、例えば、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）等が挙げられる。 The treatment agent may be, for example, an adsorbent that adsorbs a substance that is to be reduced in concentration, contained in the gas to be treated, or a reactant that reacts with a substance that is to be reduced in concentration, and a concentration. It may be a catalyst or the like for reacting a substance to be limited. The treatment agent may include at least two of an adsorbent, a reactant, and a catalyst. The treatment agent can be appropriately selected according to the type of gas to be treated. Specific examples of the adsorbent include zeolite, activated carbon, activated clay, iron oxide, calcium hydroxide activated carbon, impregnated activated carbon (activated carbon supporting at least one of copper oxide and zinc oxide), and the like. Specific examples of the reactant include iron oxide and manganese oxide. Specific examples of iron oxides preferably used include iron (II) oxide (FeO) and iron (III) oxide (Fe 2 O 3 ). Specific examples of manganese oxide preferably used include manganese monoxide (MnO), manganese dioxide (MnO 2 ), trimanganese tetroxide (Mn 3 O 4 ), dimanganese heptaoxide (Mn 2 O 7 ), and the like. Can be mentioned. Specific examples of the catalyst include copper oxide (CuO) and manganese oxide (MnO).

処理室１３は、上流側部分１３ａと、下流側部分１３ｂと、中間部１３ｃとを有する。上流側部分１３ａと下流側部分１３ｂとのそれぞれには、処理剤を含む処理粒子１４が配されている。具体的には、上流側部分１３ａには処理粒子１４ａが充填されている。下流側部分１３ｂには、処理粒子１４ｂが充填されている。中間部１３ｃには、処理剤が実質的に配されていない。中間部１３ｃは、中空である。   The processing chamber 13 includes an upstream portion 13a, a downstream portion 13b, and an intermediate portion 13c. Processing particles 14 containing a processing agent are disposed on each of the upstream portion 13a and the downstream portion 13b. Specifically, the upstream portion 13a is filled with the processing particles 14a. The downstream portion 13b is filled with processing particles 14b. A processing agent is not substantially disposed in the intermediate portion 13c. The intermediate part 13c is hollow.

下流側部分１３ｂは、上流側部分１３ａよりも排出口１２側に配されている。中間部１３ｃは、上流側部分１３ａと下流側部分１３ｂとを接続している。上流側部分１３ａと導入口１１との間には、中空の導入室１８が設けられている。導入室１８と上流側部分１３ａとは、第１の仕切り板１５により仕切られている。第１の仕切り板１５には、複数の貫通孔１５ａが設けられている。具体的には、第１の仕切り板１５は、パンチングメタルにより構成されている。貫通孔１５ａによって導入室１８と上流側部分１３ａとが接続されている。貫通孔１５ａの直径は、上流側部分１３ａに配された処理粒子１４ａの粒子径よりも小さい。このため、貫通孔１５ａを経由して処理粒子１４ａが導入室１８に移動することが抑制されている。   The downstream portion 13b is disposed closer to the discharge port 12 than the upstream portion 13a. The intermediate portion 13c connects the upstream portion 13a and the downstream portion 13b. A hollow introduction chamber 18 is provided between the upstream portion 13 a and the introduction port 11. The introduction chamber 18 and the upstream portion 13 a are partitioned by the first partition plate 15. The first partition plate 15 is provided with a plurality of through holes 15a. Specifically, the 1st partition plate 15 is comprised by the punching metal. The introduction chamber 18 and the upstream portion 13a are connected by the through hole 15a. The diameter of the through hole 15a is smaller than the particle diameter of the processing particles 14a disposed in the upstream portion 13a. For this reason, it is suppressed that the process particle 14a moves to the introduction chamber 18 via the through-hole 15a.

中空の中間部１３ｃと、処理粒子１４ａが充填された上流側部分１３ａとは、第２の仕切り板１６によって仕切られている。第２の仕切り板１６には、複数の貫通孔１６ａが設けられている。具体的には、第２の仕切り板１６は、パンチングメタルにより構成されている。貫通孔１６ａによって上流側部分１３ａと中間部１３ｃとが接続されている。貫通孔１６ａの直径は、上流側部分１３ａに配された処理粒子１４ａの粒子径よりも小さい。このため、貫通孔１６ａを経由して処理粒子１４ａが中間部１３ｃに移動することが抑制されている。   The hollow intermediate portion 13 c and the upstream portion 13 a filled with the processing particles 14 a are partitioned by the second partition plate 16. The second partition plate 16 is provided with a plurality of through holes 16a. Specifically, the second partition plate 16 is made of punching metal. The upstream portion 13a and the intermediate portion 13c are connected by the through hole 16a. The diameter of the through hole 16a is smaller than the particle diameter of the processing particles 14a disposed in the upstream portion 13a. For this reason, it is suppressed that the process particle 14a moves to the intermediate part 13c via the through-hole 16a.

中間部１３ｃと下流側部分１３ｂとは、第３の仕切り板１７によって仕切られている。第３の仕切り板１７には、複数の貫通孔１７ａが設けられている。具体的には、第３の仕切り板１７は、パンチングメタルにより構成されている。貫通孔１７ａによって中間部１３ｃと下流側部分１３ｂとが接続されている。貫通孔１７ａの直径は、下流側部分１３ｂに配された処理粒子１４ｂの粒子径よりも小さい。このため、貫通孔１７ａを経由して処理粒子１４ｂが中間部１３ｃに移動することが抑制されている。   The intermediate portion 13 c and the downstream portion 13 b are partitioned by the third partition plate 17. The third partition plate 17 is provided with a plurality of through holes 17a. Specifically, the third partition plate 17 is made of punching metal. The intermediate portion 13c and the downstream portion 13b are connected by the through hole 17a. The diameter of the through hole 17a is smaller than the particle diameter of the processing particles 14b arranged in the downstream portion 13b. For this reason, it is suppressed that the process particle 14b moves to the intermediate part 13c via the through-hole 17a.

なお、貫通孔１５ａ、１６ａ、１７ａの直径は、それぞれ、例えば、１ｍｍ〜５ｍｍ程度とすることができる。   The diameters of the through holes 15a, 16a, and 17a can be set to about 1 mm to 5 mm, for example.

ところで、処理装置の被処理ガスの処理可能量は、設けられた処理剤の量が多いほど多くなる。このため、通常は、処理室の全体に処理剤を充填することが好ましいと考えられる。しかしながら、本発明者らは、鋭意研究の結果、処理室の全体に処理剤を充填した場合、被処理ガスは、処理剤が充填された処理室全体を均一に流れず、処理室の一部のみを流れる傾向にあることを見出した。被処理ガスが処理室の一部のみを通過した場合、被処理ガスが通過した部分に位置していた処理剤のみがガスの処理に貢献し、それ以外の部分に位置していた処理剤は、ガスの処理に貢献しない。   By the way, the processable amount of the gas to be processed in the processing apparatus increases as the amount of the processing agent provided increases. For this reason, it is usually considered preferable to fill the processing chamber with the processing agent. However, as a result of intensive studies, the present inventors have found that when the processing agent is filled in the entire processing chamber, the gas to be processed does not flow uniformly throughout the processing chamber filled with the processing agent. Found that it tends to flow only. When the gas to be processed passes through only a part of the processing chamber, only the processing agent located in the part through which the gas to be processed passes contributes to the gas processing, and the processing agent located in the other part is Does not contribute to gas processing.

処理装置１では、中間部１３ｃが中空である。このため、中間部１３ｃにおける流路面積が、上流側部分１３ａ及び下流側部分１３ｂのそれぞれにおける流路面積よりも大きい。よって、上流側部分１３ａを通過したガスは、中間部１３ｃで一旦滞留する。従って、下流側部分１３ｂ全体に被処理ガスが高い均一性で供給される。よって、処理剤の利用効率が高い。従って、優れた処理能力を実現することができる。   In the processing apparatus 1, the intermediate part 13c is hollow. For this reason, the channel area in the intermediate part 13c is larger than the channel area in each of the upstream part 13a and the downstream part 13b. Therefore, the gas that has passed through the upstream portion 13a is temporarily retained in the intermediate portion 13c. Therefore, the gas to be processed is supplied to the entire downstream side portion 13b with high uniformity. Therefore, the utilization efficiency of the processing agent is high. Therefore, excellent processing capability can be realized.

より優れた処理能力を実現する観点からは、中間部１３ｃにおける流路面積が、上流側部分１３ａ及び下流側部分１３ｂのそれぞれにおける流路面積の０．０２倍以上であることが好ましく、０．０４倍以上であることがより好ましい。中間部１３ｃにおける流路面積は、上流側部分１３ａ及び下流側部分１３ｂのそれぞれにおける流路面積の０．２倍以下であることが好ましい。   From the viewpoint of realizing better processing capability, the flow path area in the intermediate portion 13c is preferably 0.02 times or more of the flow path area in each of the upstream portion 13a and the downstream portion 13b. It is more preferable that it is 04 times or more. The channel area in the intermediate portion 13c is preferably 0.2 times or less of the channel area in each of the upstream portion 13a and the downstream portion 13b.

より優れた処理能力を実現する観点からは、ガスの流れる方向において（図２における上向き方向において）、上流側部分１３ａの寸法（厚み）が、下流側部分１３ｂの寸法（厚み）よりも小さいことが好ましく、下流側部分１３ｂの寸法の０．５倍以下であることがより好ましく、０．１倍以下であることがさらに好ましい。   From the viewpoint of realizing better processing capability, the dimension (thickness) of the upstream portion 13a is smaller than the dimension (thickness) of the downstream portion 13b in the gas flow direction (in the upward direction in FIG. 2). Is preferably 0.5 times or less of the dimension of the downstream portion 13b, more preferably 0.1 times or less.

さらに優れた処理能力を実現する観点からは、貫通孔１６ａを有する仕切り板１６を設けることが好ましい。仕切り板１６を設けることにより、仕切り板１６が設けられた領域と中間部１３ｃとの境界において被処理ガスの流速の低下率がより大きくなる。従って、被処理ガスが中間部１３ｃにおいてさらに滞留しやすくなるためである。   Further, from the viewpoint of realizing excellent processing capability, it is preferable to provide a partition plate 16 having a through hole 16a. By providing the partition plate 16, the rate of decrease in the flow rate of the gas to be processed becomes larger at the boundary between the region where the partition plate 16 is provided and the intermediate portion 13c. Therefore, the gas to be treated is more likely to stay in the intermediate portion 13c.

なお、中間部１３ｃは、被処理ガスを一旦滞留できるものであればよい。このため、中間部１３ｃが中空である必要は必ずしもない。中間部１３ｃにおける流路面積が、上流側部分１３ａ及び下流側部分１３ｂのそれぞれにおける流路面積よりも大きい限りにおいて、中間部１３ｃに部材が配されていてもよい。例えば、中間部１３ｃに処理粒子１４が配されていてもよい。その場合、中間部１３ｃに配された処理粒子１４の平均粒子径は、上流側部分１３ａに配された処理粒子１４ａの平均粒子径よりも大きいことが好ましく、上流側部分１３ａに配された処理粒子１４ａの平均粒子径の２倍以上であることがより好ましく、１０倍以上であることがさらに好ましい。また、中間部１３ｃに、発泡材のような連続気泡を有する多孔質体が設けられていてもよい。   In addition, the intermediate part 13c should just be what can hold | maintain to-be-processed gas once. For this reason, the intermediate part 13c does not necessarily need to be hollow. As long as the channel area in the intermediate part 13c is larger than the channel area in each of the upstream part 13a and the downstream part 13b, a member may be arranged in the intermediate part 13c. For example, the processing particles 14 may be arranged in the intermediate part 13c. In that case, it is preferable that the average particle diameter of the treated particles 14 disposed in the intermediate portion 13c is larger than the average particle diameter of the treated particles 14a disposed in the upstream portion 13a, and the treatment disposed in the upstream portion 13a. The average particle diameter of the particles 14a is preferably 2 times or more, more preferably 10 times or more. Moreover, the porous body which has an open cell like a foaming material may be provided in the intermediate part 13c.

上流側部分１３ａは、中間部１３ｃに被処理ガスを一旦滞留させる機能を有していればよく、被処理ガスの処理能力を有している必要は必ずしもない。従って、上流側部分１３ａには、処理剤を含まない粒子が充填されていてもよい。もっとも、処理装置１に含まれる処理剤の量を多くすることにより処理能力を高める観点からは、上流側部分１３ａに処理剤が含まれていることが好ましい。   The upstream portion 13a only needs to have a function of temporarily retaining the gas to be processed in the intermediate portion 13c, and is not necessarily required to have the processing capability of the gas to be processed. Therefore, the upstream portion 13a may be filled with particles that do not contain a processing agent. However, from the viewpoint of increasing the processing capacity by increasing the amount of the processing agent contained in the processing apparatus 1, it is preferable that the processing agent is included in the upstream portion 13a.

ところで、被処理ガスが粉体を含む場合、被処理ガスに含まれる粉体によって処理室１３において目詰まりが生じる虞がある。処理装置１では、上流側部分１３ａが設けられているため、下流側部分１３ｂに粉体が到達することが抑制されている。このため、被処理ガスが主として処理される下流側部分１３ｂにおいて目詰まりが生じることが抑制されている。目詰まりの発生をより効果的に抑制する観点からは、上流側部分１３ａに充填された処理粒子１４ａの平均粒子径が、下流側部分１３ｂに充填された処理粒子１４ｂの平均粒子径よりも大きいことが好ましく、下流側部分１３ｂに充填された処理粒子１４ｂの平均粒子径の２倍〜４０倍であることがより好ましく、４倍〜２０倍であることがさらに好ましい。   By the way, when the gas to be processed contains powder, the powder contained in the gas to be processed may cause clogging in the processing chamber 13. In the processing apparatus 1, since the upstream part 13a is provided, it is suppressed that powder reaches | attains the downstream part 13b. For this reason, clogging is suppressed from occurring in the downstream portion 13b where the gas to be processed is mainly processed. From the viewpoint of more effectively suppressing the occurrence of clogging, the average particle diameter of the treated particles 14a filled in the upstream portion 13a is larger than the average particle diameter of the treated particles 14b filled in the downstream portion 13b. The average particle diameter of the treated particles 14b packed in the downstream portion 13b is preferably 2 to 40 times, more preferably 4 to 20 times.

具体的には、処理粒子１４ａの平均粒子径は、１ｍｍ〜２０ｍｍであることが好ましく、２ｍｍ〜１０ｍｍであることがより好ましい。処理粒子１４ｂの平均粒子径は、０．５ｍｍ〜１０ｍｍであることが好ましく、１ｍｍ〜５ｍｍであることがより好ましい。   Specifically, the average particle diameter of the treated particles 14a is preferably 1 mm to 20 mm, and more preferably 2 mm to 10 mm. The average particle diameter of the treated particles 14b is preferably 0.5 mm to 10 mm, and more preferably 1 mm to 5 mm.

以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。   Other examples of preferred embodiments of the present invention will be described below. In the following description, members having substantially the same functions as those of the first embodiment are referred to by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

（第２の実施形態）
図３は、第２の実施形態に係るガスの処理装置１ａの模式的側面図である。 (Second Embodiment)
FIG. 3 is a schematic side view of the gas processing apparatus 1a according to the second embodiment.

上記第１の実施形態に係るガスの処理装置１では、処理室１３が直線状に設けられている。具体的には、上流側部分１３ａと中間部１３ｃと下流側部分１３ｂとが直線状に配列されている。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図３に示されるガスの処理装置１ａのように、上流側部分１３ａ、中間部１３ｃ及び下流側部分１３ｂが非直線状に設けられていてもよい。処理装置１ａでは、上流側部分１３ａにおけるガスの流れる方向と、下流側部分１３ｂにおけるガスの流れる方向とが相互に異なっている。具体的には、処理装置１ａでは、上流側部分１３ａにおけるガスの流れる方向と、下流側部分１３ｂにおけるガスの流れる方向とが逆となっている（１８０°異なっている。）。このような場合であっても、下流側部分１３ｂに高い均一性で被処理ガスを供給することができる。従って、優れた処理能力を実現することができる。   In the gas processing apparatus 1 according to the first embodiment, the processing chamber 13 is linearly provided. Specifically, the upstream portion 13a, the intermediate portion 13c, and the downstream portion 13b are linearly arranged. However, the present invention is not limited to this configuration. For example, like the gas processing apparatus 1a shown in FIG. 3, the upstream portion 13a, the intermediate portion 13c, and the downstream portion 13b may be provided non-linearly. In the processing apparatus 1a, the gas flowing direction in the upstream portion 13a and the gas flowing direction in the downstream portion 13b are different from each other. Specifically, in the processing apparatus 1a, the gas flow direction in the upstream portion 13a and the gas flow direction in the downstream portion 13b are opposite (180 ° different). Even in such a case, the gas to be processed can be supplied to the downstream portion 13b with high uniformity. Therefore, excellent processing capability can be realized.

（その他の変形例）
ガスの処理装置において、処理室は、処理剤が配された部分を３つ以上有していてもよい。その場合、最も被処理ガスの導入側に位置する部分における処理粒子の平均粒子径が、その部分の下流側に隣接して設けられた部分における処理粒子の平均粒子径よりも大きいことが好ましい。 (Other variations)
In the gas processing apparatus, the processing chamber may have three or more portions where processing agents are arranged. In that case, it is preferable that the average particle diameter of the processing particles in the portion located closest to the introduction side of the gas to be processed is larger than the average particle diameter of the processing particles in a portion provided adjacent to the downstream side of the portion.

１：処理装置
１０：処理カートリッジ
１１：導入口
１２：排出口
１３：処理室
１３ａ：上流側部分
１３ｂ：下流側部分
１３ｃ：中間部
１４、１４ａ、１４ｂ：処理粒子
１５：第１の仕切り板
１６：第２の仕切り板
１７：第３の仕切り板
１５ａ、１６ａ、１７ａ：貫通孔
１８：導入室 1: Processing device 10: Processing cartridge 11: Inlet 12: Discharge port 13: Processing chamber 13a: Upstream portion 13b: Downstream portion 13c: Intermediate portions 14, 14a, 14b: Processing particles 15: First partition plate 16 : Second partition plate 17: third partition plates 15a, 16a, 17a: through hole 18: introduction chamber

Claims (10)

被処理ガスが導入される導入口と、処理済みのガスが排出される排出口と、前記導入口と前記排出口とに接続されており、前記被処理ガスを処理する処理剤が配された処理室とを備え、
前記処理室は、
上流側部分と、
前記上流側部分よりも前記排出口側に位置しており、前記処理剤が配された下流側部分と、
前記上流側部分と前記下流側部分とを接続している中間部と、
を有し、
前記中間部における流路面積が前記上流側部分及び下流側部分のそれぞれにおける流路面積よりも大きい、ガスの処理装置。 Connected to the inlet for introducing the gas to be processed, the outlet for discharging the processed gas, the inlet and the outlet, and the processing agent for processing the gas to be processed is arranged A processing chamber,
The processing chamber is
An upstream part,
It is located on the outlet side of the upstream portion, and the downstream portion on which the treatment agent is disposed,
An intermediate portion connecting the upstream portion and the downstream portion;
Have
The gas processing apparatus, wherein a flow path area in the intermediate portion is larger than flow path areas in the upstream portion and the downstream portion. 前記中間部が中空である、請求項１に記載のガスの処理装置。   The gas processing apparatus according to claim 1, wherein the intermediate portion is hollow. 前記上流側部分に前記処理剤が充填されている、請求項１または２に記載のガスの処理装置。   The gas processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the upstream portion is filled with the processing agent. ガスの流れる方向において、前記上流側部分の寸法が、前記下流側部分の寸法よりも小さい、請求項３に記載のガスの処理装置。   The gas processing apparatus according to claim 3, wherein a dimension of the upstream portion is smaller than a dimension of the downstream portion in a gas flow direction. 前記上流側部分及び下流側部分のそれぞれには、前記処理剤を含む処理粒子が充填されており、
前記上流側部分における前記処理粒子の平均粒子径が、前記下流側部分における処理粒子の平均粒子径よりも大きい、請求項３または４に記載のガスの処理装置。 Each of the upstream portion and the downstream portion is filled with processing particles containing the processing agent,
The gas processing apparatus according to claim 3 or 4, wherein an average particle diameter of the processing particles in the upstream portion is larger than an average particle diameter of the processing particles in the downstream portion. 前記上流側部分と前記中間部との間に配されており、前記上流側部分と前記中間部とを接続する貫通孔が設けられた仕切り板をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載のガスの処理装置。   6. The apparatus according to claim 1, further comprising a partition plate disposed between the upstream portion and the intermediate portion and provided with a through hole that connects the upstream portion and the intermediate portion. The gas processing apparatus according to item. 前記被処理ガスが粉体を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のガスの処理装置。   The gas processing apparatus according to claim 1, wherein the gas to be processed includes powder. 前記上流側部分におけるガスの流れる方向と前記下流側部分におけるガスの流れる方向とが相互に異なる、請求項１〜７のいずれか一項に記載のガスの処理装置。   The gas processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein a gas flowing direction in the upstream portion and a gas flowing direction in the downstream portion are different from each other. 被処理ガスが導入される導入口と、処理済みのガスが排出される排出口と、前記導入口と前記排出口とに接続されており、前記被処理ガスを処理する処理剤が配された処理室とを備え、
前記処理室は、
上流側部分と、
前記上流側部分よりも前記排出口側に位置しており、前記処理剤が配された下流側部分と、
前記上流側部分と前記下流側部分とを接続している中間部と、
を有し、
前記中間部における流路面積が前記上流側部分及び下流側部分のそれぞれにおける流路面積よりも大きい、ガスの処理カートリッジ。 Connected to the inlet for introducing the gas to be processed, the outlet for discharging the processed gas, the inlet and the outlet, and the processing agent for processing the gas to be processed is arranged A processing chamber,
The processing chamber is
An upstream part,
It is located on the outlet side of the upstream portion, and the downstream portion on which the treatment agent is disposed,
An intermediate portion connecting the upstream portion and the downstream portion;
Have
A gas processing cartridge, wherein a flow path area in the intermediate portion is larger than a flow path area in each of the upstream portion and the downstream portion. 請求項１〜８のいずれか一項に記載のガスの処理装置を用いてガスを処理する、ガスの処理方法。   The gas processing method of processing gas using the gas processing apparatus as described in any one of Claims 1-8.
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