JP2014075015A - 不揮発性記憶装置のデータを保護する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
キャッシュ・コントローラ27は、フラッシュ・メモリ21をキャッシュとしてライトバック・キャッシングでHDD19にデータを書き込む。キャッシュ・コントローラは、所定のアルゴリズムでフラッシュ・メモリのデータをHDD21にフラッシュするので書き込みデータがフラッシュ・メモリ21にだけ存在する状態が発生する。フラッシュ・メモリが記憶を維持できる限界記憶保持時間を計算し、フラッシュ・メモリが記憶するデータが限界記憶保持時間に到達したか否かを判断する。スリープ状態に遷移している間に限界記憶保持時間に到達したと判断したときにパワー・オン状態に移行してフラッシュする。
【選択図】図1
Description
図1は、ノートPC10のハードウェア構成の一例を示す機能ブロック図である。多くのハードウェアの構成は周知であるため、ここでは本発明の理解に必要な範囲で説明する。最初にノートPC10のパワー・ステートについて説明する。ノートPC10は、ACPI(Advanced Configuration and Power Interface)の省電力機能に対応している。ACPIでは、S1ステートからS4ステートまでの4つのスリーピング・ステート(省電力状態)、S0ステート(パワー・オン状態)、およびS5ステート(パワー・オフ状態)を定義している。
図3は、ハイバネーション状態に遷移したときにフラッシュ・メモリ21のデータを保護する手順を示すフローチャートで、図4はそれに対応するタイムチャートである。ブロック101では、時刻t0からt1までの間にノートPC10がパワー・オン状態に遷移している。キャッシュ・コントローラ27はライトバック・キャッシングで動作するように設定されている。また、AC/DCアダプタ65は接続されておらずノートPC10の電力源は電池ユニット61であるものとする。
これまで、スリープ状態でのフラッシュ・メモリのデータをフラッシュにより保護する方法を説明したが、本発明ではリフレッシュにより保護することもできる。図5は、サスペンド状態に遷移したときにフラッシュ・メモリ21のデータを保護する手順を示すフローチャートで、図6はそれに対応するタイムチャートである。図5の手順は図3の手順と多くの内容が重複する。図5の手順において図3の手順を参照して容易に理解できるものは、同一の参照番号を付して説明を省略する。
17 チップセット
41 エンベデッド・コントローラ
51 パワー・コントローラ
Claims (20)
- 第1の不揮発性記憶装置と第2の不揮発性記憶装置とを有する電子機器において、前記第2の不揮発性記憶装置が記憶するデータを保護する方法であって、
前記第2の不揮発性記憶装置にデータを書き込むステップと、
前記第2の不揮発性記憶装置の限界記憶保持時間を計算するステップと、
前記第2の不揮発性記憶装置が記憶するデータが前記限界記憶保持時間に到達したか否かを判断するステップと、
前記電子機器がスリープ状態に遷移している間に前記限界記憶保持時間に到達したと判断したときにパワー・オン状態に移行して前記第2の不揮発性記憶装置が記憶するデータを前記第1の不揮発性記憶装置に書き込むステップと
を有する方法。 - 前記第2の不揮発性記憶装置が、前記第1の不揮発性記憶装置のライトバック・キャッシング方式のキャッシュとして機能する請求項1に記載の方法。
- 前記スリープ状態がハイバネーション状態で前記第2の不揮発性記憶装置が半導体メモリであり、前記第1の不揮発性記憶装置に書き込むステップが、前記第2の不揮発性記憶装置が記憶するデータをリフレッシュするステップを含む請求項1または請求項2に記載の方法。
- 前記第2の不揮発性記憶装置に書き込んだ直後に前記ハイバネーション状態に戻るステップを有する請求項3に記載の方法。
- 前記限界保持時間に到達したか否かを判断するステップが、前記スリープ状態に移行してからの経過時間で判断する請求項1から請求項4のいずれかに記載の方法。
- 前記限界保持時間に到達したか否かを判断するステップが、前記第2の不揮発性記憶装置にデータを書き込んでからの経過時間で判断する請求項1から請求項4のいずれかに記載の方法。
- 前記電子機器に電池ユニットから電力を供給するステップを有し、前記第1の不揮発性記憶装置に書き込むステップが、
前記電池ユニットの残容量が所定値に到達したときには前記限界記憶保持時間に到達したと判断する前に前記第2の不揮発性半導体装置が記憶するデータを前記第1の不揮発性記憶装置に書き込む請求項1から請求項6のいずれかに記載の方法。 - スリープ状態における経過時間を前記電池ユニットの電気量の変化から計時するステップを含む請求項7に記載の方法。
- 前記限界記憶保持時間を計算するステップが、前記第2の不揮発性記憶装置の劣化パラメータの変化に応じて定期的に計算するステップを含む請求項1から請求項8のいずれかに記載の方法。
- 前記スリープ状態に移行する直前に前記第2の不揮発性記憶装置のデータの書き換えまたは前記第1の不揮発性記憶装置への書き込みを行うステップを有する請求項1から請求項9のいずれかに記載の方法。
- 電子機器に搭載された不揮発性記憶装置が記憶するデータを保護する方法であって、
前記不揮発性記憶装置にデータを書き込むステップと、
前記不揮発性記憶装置の限界記憶保持時間を計算するステップと、
前記不揮発性記憶装置が記憶するデータが前記限界記憶保持時間に到達したか否かを判断するステップと、
前記電子機器がスリープ状態に遷移している間に前記限界記憶保持時間に到達したと判断したときにパワー・オン状態に移行して前記不揮発性記憶装置が記憶するデータを書き換えるステップと
を有する方法。 - 前記スリープ状態がサスペンド状態である請求項11に記載の方法。
- プロセッサと、
第1の不揮発性記憶装置と、
第2の不揮発性記憶装置と、
前記第2の不揮発性記憶装置の劣化パラメータと限界記憶保持時間の関係を示す参照テーブルと、
前記劣化パラメータと前記参照テーブルから限界記憶保持時間を計算し、前記第2の不揮発性記憶装置にデータを書き込んでスリープ状態に移行してからの経過時間が前記限界記憶保持時間に到達したときにパワー・オン状態に移行して前記第2の不揮発性記憶装置に記憶したデータを前記第1の不揮発性記憶装置に記憶する制御部と
を有する電子機器。 - 前記第1の不揮発性記憶装置が磁気ディスク装置で前記第2の不揮発性記憶装置が半導体メモリである請求項13に記載の電子機器。
- 前記第2の不揮発性記憶装置をライトバック・キャッシング方式により前記第1の不揮発性記憶装置のキャッシュとして機能させるキャッシュ・コントローラを有する請求項13または請求項14に記載の電子機器。
- 前記電子機器に電力を供給する電池パックを有し、
前記制御部は前記電池パックの残量が所定値だけ減少したときにパワー・オン状態に移行して前記第2の不揮発性記憶装置に記憶したデータを前記第1の不揮発性記憶装置に記憶する請求項13から請求項15のいずれかに記載の電子機器。 - 前記劣化パラメータが、前記不揮発性記憶装置の累積使用時間である請求項13から請求項16のいずれかに記載の電子機器。
- プロセッサと、
不揮発性記憶装置と、
前記不揮発性記憶装置の劣化パラメータと限界記憶保持時間の関係を示す参照テーブルと、
前記劣化パラメータと前記参照テーブルから限界記憶保持時間を計算し、前記不揮発性記憶装置にデータを書き込んでスリープ状態に移行してからの経過時間が前記限界記憶保持時間に到達したときにパワー・オン状態に移行して前記不揮発性記憶装置に記憶したデータを書き換える制御部と
を有する電子機器。 - 第1の不揮発性記憶装置と第2の不揮発性記憶装置とを有するコンピュータに、
前記第2の不揮発性記憶装置にデータを書き込む機能と、
前記第2の不揮発性記憶装置の限界記憶保持時間を計算する機能と、
前記第2の不揮発性記憶装置にデータを書き込んでからの経過時間を計時する機能と、
前記電子機器がスリープ状態に遷移している間に前記経過時間が前記限界記憶保持時間に到達したときにパワー・オン状態に移行して前記第2の不揮発性記憶装置が記憶するデータを前記第1の不揮発性記憶装置に書き込む機能と
を実現させるためのコンピュータ・プログラム。 - 不揮発性記憶装置を有するコンピュータに、
前記不揮発性記憶装置にデータを書き込む機能と、
前記不揮発性記憶装置の限界記憶保持時間を計算する機能と、
前記不揮発性記憶装置にデータを書き込んでからの経過時間を計時する機能と、
前記電子機器がスリープ状態に遷移している間に前記経過時間が前記限界記憶保持時間に到達したときにパワー・オン状態に移行して前記不揮発性記憶装置が記憶するデータを書き換える機能と
を実現させるためのコンピュータ・プログラム。
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