JP2014068291A - Differential amplifier connection circuit and differential amplifier circuit - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To interconnect differential amplifiers, and suppress an increase in power consumption and an increase in gain fluctuation due to a temperature fluctuation or supply voltage fluctuation.SOLUTION: An emitter follower 2 as a differential amplifier connection circuit comprises transistors q31, q32, resistors r31-r34 and capacitors c31, c32. A Gilbert cell type differential amplifier 1 as a front stage differential amplifier comprises transistors q11-q16, current sources I11, I12 and resistors r11-r13. A Gilbert cell type differential amplifier 3 as a rear stage differential amplifier comprises transistors q21-q26, current sources I21, I22 and resistors r21-r23.

Description

本発明は、半導体集積回路中の高速・高周波で動作する複数の差動アンプ間を接続する差動アンプ接続回路、および差動アンプ接続回路を含む差動アンプ回路に関するものである。   The present invention relates to a differential amplifier connection circuit for connecting a plurality of differential amplifiers operating at high speed and high frequency in a semiconductor integrated circuit, and a differential amplifier circuit including the differential amplifier connection circuit.

先行技術を図6に示す。図6は、非特許文献1に記載されている回路図の一部を転載したものである。図6において、Cherry−Hooper型差動アンプ100と差動アンプ102との間は、差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ101により接続され、差動アンプ102と差動アンプ104(50Ω出力バッファ)との間は、同じく差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ103により接続されている。   The prior art is shown in FIG. FIG. 6 is a reprint of a part of the circuit diagram described in Non-Patent Document 1. In FIG. 6, the Cherry-Hooper type differential amplifier 100 and the differential amplifier 102 are connected by an emitter follower 101 which is a differential amplifier connection circuit, and the differential amplifier 102 and the differential amplifier 104 (50Ω output buffer). Are connected by an emitter follower 103 which is also a differential amplifier connection circuit.

Cherry−Hooper型差動アンプ100は、トランジスタqc11,qc12,qc13,qc14,qc15,qc16と、抵抗rc11,rc12,rc13,rc14,rc15,rc16,rc17,rc18,rc19,rc110,rc111,rc112とから構成される。差動アンプ102は、トランジスタqc31,qc32と、抵抗rc31,rc32,rc33,rc34,rc35と、インダクタンスlc31,lc32とから構成される。差動アンプ104は、トランジスタqc51,qc52と、抵抗rc51,rc52,rc53,rc54,rc56,rc57とから構成される。   The Cherry-Hooper type differential amplifier 100 includes transistors qc11, qc12, qc13, qc14, qc15, qc16, and resistors rc11, rc12, rc13, rc14, rc15, rc16, rc17, rc18, rc19, rc110, rc111, rc112. Composed. The differential amplifier 102 includes transistors qc31, qc32, resistors rc31, rc32, rc33, rc34, rc35, and inductances lc31, lc32. The differential amplifier 104 includes transistors qc51 and qc52 and resistors rc51, rc52, rc53, rc54, rc56, and rc57.

また、エミッタフォロワ101は、トランジスタqc21,qc22と、抵抗rc21,rc22とから構成される。トランジスタqc21,qc22のエミッタがエミッタフォロワ101の信号出力端子であり、次段の差動アンプ102の信号入力端子(トランジスタqc31,qc32のベース)と接続されている。また、トランジスタqc21,qc22のエミッタには、抵抗rc21,rc22の一端が接続され、抵抗rc21,rc22の他端は電源電圧VEEに接続されている。抵抗rc21,rc22は、エミッタフォロワ101の電流源の役割を果たしている。   The emitter follower 101 includes transistors qc21 and qc22 and resistors rc21 and rc22. The emitters of the transistors qc21 and qc22 are the signal output terminals of the emitter follower 101, and are connected to the signal input terminals (bases of the transistors qc31 and qc32) of the differential amplifier 102 at the next stage. The emitters of the transistors qc21 and qc22 are connected to one ends of the resistors rc21 and rc22, and the other ends of the resistors rc21 and rc22 are connected to the power supply voltage VEE. The resistors rc21 and rc22 serve as a current source for the emitter follower 101.

エミッタフォロワ103は、トランジスタqc41,qc42と、抵抗rc41,rc42とから構成される。トランジスタqc41,qc42のエミッタがエミッタフォロワ103の信号出力端子であり、次段の差動アンプ104の信号入力端子(トランジスタqc51,qc52のベース)と接続されている。また、トランジスタqc41,qc42のエミッタには、抵抗rc41,rc42の一端が接続され、抵抗rc41,rc42の他端は電源電圧VEEに接続されている。抵抗rc41,rc42は、エミッタフォロワ103の電流源の役割を果たしている。   The emitter follower 103 includes transistors qc41 and qc42 and resistors rc41 and rc42. The emitters of the transistors qc41 and qc42 are signal output terminals of the emitter follower 103, and are connected to the signal input terminals (bases of the transistors qc51 and qc52) of the differential amplifier 104 at the next stage. The emitters of the transistors qc41 and qc42 are connected to one ends of resistors rc41 and rc42, and the other ends of the resistors rc41 and rc42 are connected to the power supply voltage VEE. The resistors rc41 and rc42 serve as a current source for the emitter follower 103.

一般にエミッタフォロワは、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低い特性を有する。このため、エミッタフォロワを差動アンプ間に接続することで、前段の差動アンプに対しては出力負荷を小さくし、後段の差動アンプに対しては入力駆動パワーを大きくする効果が得られる。これらの効果は、前段の差動アンプおよび後段の差動アンプを高速・高周波動作させるのに有用な効果であり、同時にエミッタフォロワ自身の応答特性も一般的に高速であることから、図6のようにエミッタフォロワを差動アンプ間の接続回路として用いる構成は、高速・高周波動作を保証するのに適した回路構成である。   In general, an emitter follower has a characteristic of high input impedance and low output impedance. For this reason, by connecting the emitter follower between the differential amplifiers, it is possible to reduce the output load with respect to the preceding differential amplifier and to increase the input drive power with respect to the subsequent differential amplifier. . These effects are useful for operating the differential amplifier at the front stage and the differential amplifier at the rear stage at high speed and high frequency, and at the same time, the response characteristic of the emitter follower itself is generally high speed. Thus, the configuration using the emitter follower as a connection circuit between the differential amplifiers is a circuit configuration suitable for guaranteeing high-speed and high-frequency operation.

J.-Y.Dupuy et al.,“InP DHBT Transimpedance Amplifiers with Automatic Offset Compensation for 100Gbit/s Optical Communications”,Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference,pp.341-344,2010J.-Y.Dupuy et al., “InP DHBT Transimpedance Amplifiers with Automatic Offset Compensation for 100 Gbit / s Optical Communications”, Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, pp.341-344, 2010

しかしながら、図6に示したようなエミッタフォロワの回路構成では、当該エミッタフォロワの出力DC(平均)電位が、後段の差動アンプの入力DC(平均)電位と整合しない場合があり、エミッタフォロワと後段の差動アンプとを接続できない場合があった。
エミッタフォロワと後段の差動アンプとを接続できない場合を、図7を用いてより詳細に説明する。図7において、前段の差動アンプはギルバートセル型差動アンプ200であり、後段の差動アンプも同じ回路構成のギルバートセル型差動アンプ202である。この2つのギルバートセル型差動アンプ200と202との間を図6に示した差動アンプ接続回路と同じ構成のエミッタフォロワ201で接続しようとしている。ここで、2つのギルバートセル型差動アンプ200,202は、それぞれ利得可変回路として用いることが可能である。図7の回路構成は、2つの利得可変回路をエミッタフォロワを介して縦続接続し、全体の利得可変範囲を大きくすることを企図したものである。
However, in the emitter follower circuit configuration as shown in FIG. 6, the output DC (average) potential of the emitter follower may not match the input DC (average) potential of the subsequent differential amplifier. In some cases, it was not possible to connect the differential amplifier in the subsequent stage.
A case where the emitter follower cannot be connected to the subsequent differential amplifier will be described in more detail with reference to FIG. In FIG. 7, the front-stage differential amplifier is a Gilbert cell type differential amplifier 200, and the back-stage differential amplifier is also a Gilbert cell type differential amplifier 202 having the same circuit configuration. The two Gilbert cell differential amplifiers 200 and 202 are to be connected by an emitter follower 201 having the same configuration as the differential amplifier connection circuit shown in FIG. Here, each of the two Gilbert cell type differential amplifiers 200 and 202 can be used as a variable gain circuit. The circuit configuration of FIG. 7 is intended to increase the overall variable gain range by cascading two variable gain circuits via an emitter follower.

ギルバートセル型差動アンプ200は、トランジスタq11,q12,q13,q14,q15,q16と、抵抗r11,r12,r13と、電流源I11,I12とから構成されている。抵抗r11,r12の値が250Ω、電流源I11,I12の流す電流が2mAに設定されていることから、ギルバートセル型差動アンプ200の平衡時に抵抗r11,r12には2mAの電流が流れる。トランジスタq11〜q16のコレクタ電流2mA時のベース−エミッタ間オン電圧は0.95Vである。このとき、抵抗r11の一端とトランジスタq11のコレクタとの接続点n12、および抵抗r12の一端とトランジスタq12のコレクタとの接続点n11の電位は、電源電圧VCC=+3.3Vから抵抗r11,r12の電圧降下分250Ω×2mA=0.5Vを差し引いた2.8Vである。抵抗r11,r12での電圧降下分0.5Vは、ギルバートセル型差動アンプ200が最大で0.5V×2=1Vppの出力振幅(差動の片側分)を出力できるよう設定・設計されたものである。   The Gilbert cell differential amplifier 200 includes transistors q11, q12, q13, q14, q15, q16, resistors r11, r12, r13, and current sources I11, I12. Since the values of the resistors r11 and r12 are set to 250Ω and the current flowing through the current sources I11 and I12 is set to 2 mA, a current of 2 mA flows through the resistors r11 and r12 when the Gilbert cell type differential amplifier 200 is balanced. The base-emitter on-voltage of the transistors q11 to q16 when the collector current is 2 mA is 0.95V. At this time, the potential of the connection point n12 between one end of the resistor r11 and the collector of the transistor q11 and the connection point n11 between one end of the resistor r12 and the collector of the transistor q12 are from the power supply voltage VCC = + 3.3V to the resistances r11 and r12. The voltage drop is 2.8 V obtained by subtracting 250 Ω × 2 mA = 0.5 V. The voltage drop 0.5V at the resistors r11 and r12 is set and designed so that the Gilbert cell differential amplifier 200 can output an output amplitude of 0.5V × 2 = 1Vpp at maximum (for one side of the differential). Is.

また、ギルバートセル型差動アンプ200の利得制御端子GT,GCにはそれぞれ+2.75V,+2.65Vが印加され、差動信号入力端子IT,ICにはそれぞれ+1.5Vが印加されているものとする。また、ノードn13,n14の電位は、利得制御端子GTの電位が+2.75Vであり、且つトランジスタq11,q14のコレクタ電流2mA時のベース−エミッタ間オン電圧が0.95Vであることから、2.75V−0.95V=+1.8Vと決まる。   Further, the gain control terminals GT and GC of the Gilbert cell type differential amplifier 200 are applied with +2.75 V and +2.65 V, respectively, and the differential signal input terminals IT and IC are applied with +1.5 V respectively. And Further, since the potentials of the nodes n13 and n14 are + 2.75V at the gain control terminal GT and the base-emitter on-voltage at the collector current 2mA of the transistors q11 and q14 is 0.95V, .75V-0.95V = + 1.8V

ここで、差動信号入力端子IT,ICと接続されたトランジスタq15,q16のベースには+1.5Vが印加され、トランジスタq15,q16のコレクタであるノードn13,n14の電位が+1.8Vと決まることから、差動信号を受けるトランジスタq15,q16のコレクタ−ベース間電圧は+0.3V(コレクタの電位がベースの電位より0.3V高い)となり、高速動作を阻害するコレクタ−ベース間容量が少なくなるように設定されている。すなわち、これまで述べてきた各端子・ノードの電位、特に端子GT,GC,IT,ICおよびノードn13,n14の電位は、高速動作が確保されるように設計・設定されたものであり、理由なく設計・設定されたものではない。また、ギルバートセル型差動アンプ200は、利得制御端子GT,GC間の差動電圧を変化させることで利得を変化させることができる。すなわち本アンプは、利得可変回路として用いることができる差動アンプである。   Here, + 1.5V is applied to the bases of the transistors q15 and q16 connected to the differential signal input terminals IT and IC, and the potentials of the nodes n13 and n14 which are collectors of the transistors q15 and q16 are determined to be + 1.8V. Therefore, the collector-base voltage of the transistors q15 and q16 that receive the differential signal is + 0.3V (the collector potential is 0.3V higher than the base potential), and the collector-base capacitance that impedes high-speed operation is small. It is set to be. That is, the potentials of the terminals and nodes described so far, particularly the potentials of the terminals GT, GC, IT, and IC and the nodes n13 and n14 are designed and set so as to ensure high-speed operation. It was not designed or set up. The Gilbert cell differential amplifier 200 can change the gain by changing the differential voltage between the gain control terminals GT and GC. That is, this amplifier is a differential amplifier that can be used as a variable gain circuit.

ギルバートセル型差動アンプ202は、ギルバートセル型差動アンプ200と同一の回路構成を有するものであり、トランジスタq21,q22,q23,q24,q25,q26と、抵抗r21,r22,r23と、電流源I21,I22とから構成されている。よって、各端子の電位をギルバートセル型差動アンプ200と同様に設定する必要があり、差動信号入力端子IT2,IC2にもギルバートセル型差動アンプ200と同様に+1.5Vを印加する必要がある。また、ギルバートセル型差動アンプ202もギルバートセル型差動アンプ200と同様に、利得可変回路として用いることができる差動アンプである。   The Gilbert cell differential amplifier 202 has the same circuit configuration as the Gilbert cell differential amplifier 200, and includes transistors q21, q22, q23, q24, q25, q26, resistors r21, r22, r23, and a current. It consists of sources I21 and I22. Therefore, it is necessary to set the potential of each terminal similarly to the Gilbert cell type differential amplifier 200, and it is necessary to apply + 1.5V to the differential signal input terminals IT2 and IC2 as well as the Gilbert cell type differential amplifier 200. There is. The Gilbert cell type differential amplifier 202 is also a differential amplifier that can be used as a variable gain circuit, like the Gilbert cell type differential amplifier 200.

エミッタフォロワ201は、トランジスタqc21,qc22と、抵抗rc21,rc22とから構成されており、抵抗rc21,rc22には平衡時2mAの電流が流れている。トランジスタqc21,qc22のコレクタ電流2mA時のベース−エミッタ間オン電圧は、トランジスタq11〜q16の場合と同一で0.95Vである。このとき、エミッタフォロワ201の信号入力端子であるノードn11,n12の電位は、前記のとおり+2.8Vであり、エミッタフォロワ201の信号出力端子OT,OCの電位は、ノードn11,n12の電位からトランジスタqc21,qc22のベース−エミッタ間オン電圧だけ下がった電位、すなわち+2.8V−0.95V=1.85Vとなる。   The emitter follower 201 includes transistors qc21 and qc22 and resistors rc21 and rc22. A current of 2 mA flows through the resistors rc21 and rc22 at equilibrium. The base-emitter turn-on voltage of the transistors qc21 and qc22 when the collector current is 2 mA is the same as that of the transistors q11 to q16 and is 0.95V. At this time, the potentials of the nodes n11 and n12 which are signal input terminals of the emitter follower 201 are + 2.8V as described above, and the potentials of the signal output terminals OT and OC of the emitter follower 201 are from the potentials of the nodes n11 and n12. The potential is reduced by the base-emitter ON voltage of the transistors qc21 and qc22, that is, + 2.8V-0.95V = 1.85V.

以上のように、後段のギルバートセル型差動アンプ202が入力電位として+1.5Vを必要とするにも関わらず、エミッタフォロワ201ではその出力電位が+1.85Vとなってしまい、接続にあたって電位が整合しないことがわかる。よって、図6、図7に示したようなエミッタフォロワでは、図7に示すような差動アンプの接続は不可能である。   As described above, although the subsequent Gilbert cell type differential amplifier 202 requires + 1.5V as an input potential, the output potential of the emitter follower 201 becomes +1.85 V, and the potential becomes low at the time of connection. It can be seen that they do not match. Therefore, the emitter follower as shown in FIGS. 6 and 7 cannot connect the differential amplifier as shown in FIG.

また、従来のエミッタフォロワの回路構成を使用しながら、2つのギルバートセル型差動アンプ200,202を縦続接続する方法として、図8に示した回路構成が容易に考えられる。図8の回路構成は、エミッタフォロワ201の出力とギルバートセル型差動アンプ202の入力との間に、緩衝差動アンプ203とエミッタフォロワ204を挿入した構成となっている。   Further, as a method of cascading two Gilbert cell type differential amplifiers 200 and 202 while using the circuit configuration of a conventional emitter follower, the circuit configuration shown in FIG. 8 can be easily considered. The circuit configuration of FIG. 8 is configured such that a buffer differential amplifier 203 and an emitter follower 204 are inserted between the output of the emitter follower 201 and the input of the Gilbert cell type differential amplifier 202.

緩衝差動アンプ203は、トランジスタq81,q82と、抵抗r81,r82,r83,r84と、電流源I81,I82とから構成されている。緩衝差動アンプ203の信号入力端子(トランジスタq81,q82のベース)の電位は、図8に示されているように+1.85Vである。電流源I81,I82に2mAの電流が流れることから、平衡動作時、抵抗r81,r82にはそれぞれ2mAの電流が流れる。また、抵抗r81,r82の値が425Ωに設定されていることから、抵抗r81とトランジスタq81のコレクタとの接続点n82、および抵抗r82とトランジスタq82のコレクタとの接続点n81の電位は、3.3V−425Ω×2mA=2.45Vとなる。   The buffer differential amplifier 203 includes transistors q81 and q82, resistors r81, r82, r83, and r84, and current sources I81 and I82. The potential of the signal input terminal (base of the transistors q81 and q82) of the buffer differential amplifier 203 is +1.85 V as shown in FIG. Since a current of 2 mA flows through the current sources I81 and I82, a current of 2 mA flows through the resistors r81 and r82 during the balanced operation. Further, since the values of the resistors r81 and r82 are set to 425Ω, the potential at the connection point n82 between the resistor r81 and the collector of the transistor q81 and the potential at the connection point n81 between the resistor r82 and the collector of the transistor q82 are 3. 3V-425Ω × 2 mA = 2.45V.

エミッタフォロワ204は、エミッタフォロワ201と同一の回路構成を有するものであり、トランジスタqc31,qc32と、抵抗rc31,rc32とから構成されている。エミッタフォロワ204の出力電位は、入力電位2.55Vからトランジスタq31,q32のコレクタ電流2mA時のベース−エミッタ間電圧だけ下がった電位、すなわち2.45V−0.95V=1.5Vとなる。   The emitter follower 204 has the same circuit configuration as the emitter follower 201, and includes transistors qc31 and qc32 and resistors rc31 and rc32. The output potential of the emitter follower 204 is a potential that is lowered from the input potential of 2.55V by the base-emitter voltage when the collector current of the transistors q31 and q32 is 2 mA, that is, 2.45V-0.95V = 1.5V.

このように緩衝差動アンプ203とエミッタフォロワ204の組み合わせ回路は、入力電位が+1.85V、出力電位が+1.5Vであり、出力電位が+1.85Vのエミッタフォロワ201、入力電位が+1.5Vのギルバートセル型差動アンプ202と電位的に整合するので、エミッタフォロワ201と後段のギルバートセル型差動アンプ202の接続が可能となる。また、緩衝差動アンプ203とエミッタフォロワ204の組み合わせ回路は、図8の回路全体として、前段のギルバートセル型差動アンプ200と後段のギルバートセル型差動アンプ202との間をエミッタフォロワで接続する構成を崩さない。よって、高速・高周波動作も維持される構成となっている。   Thus, the combination circuit of the buffer differential amplifier 203 and the emitter follower 204 has an input potential of +1.85 V, an output potential of +1.5 V, an emitter follower 201 with an output potential of +1.85 V, and an input potential of +1.5 V. Therefore, the emitter follower 201 and the subsequent Gilbert cell differential amplifier 202 can be connected to each other. Further, the combined circuit of the buffer differential amplifier 203 and the emitter follower 204 is connected to the former stage Gilbert cell type differential amplifier 200 and the latter stage Gilbert cell type differential amplifier 202 by an emitter follower as the entire circuit of FIG. The structure to do is not destroyed. Therefore, the high-speed and high-frequency operation is maintained.

しかしながら、図8の回路構成は、図7の回路に対して新たに緩衝差動アンプ203とエミッタフォロワ204を追加して実現されたものであり、消費電力が増加するという問題点がある。また、図8の回路構成は、図7の回路に対して差動アンプの段数が一段増加している。図8の回路構成では、図7の回路の利得に対して、温度変動や電源電圧変動による緩衝差動アンプ203の利得変動が重畳されるため、図7の回路と比べて温度変動や電源電圧変動による利得の変動が増大する。   However, the circuit configuration of FIG. 8 is realized by newly adding a buffer differential amplifier 203 and an emitter follower 204 to the circuit of FIG. 7, and there is a problem that power consumption increases. Further, in the circuit configuration of FIG. 8, the number of stages of differential amplifiers is increased by one step compared to the circuit of FIG. In the circuit configuration of FIG. 8, the gain fluctuation of the buffered differential amplifier 203 due to temperature fluctuation and power supply voltage fluctuation is superimposed on the gain of the circuit of FIG. The fluctuation of gain due to fluctuation increases.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、差動アンプ間の接続を可能とし、消費電力の増大、および温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大を抑えることができる差動アンプ接続回路を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and enables connection between differential amplifiers, and suppresses an increase in power consumption and an increase in gain fluctuation during temperature fluctuations and power supply voltage fluctuations. An object of the present invention is to provide a differential amplifier connection circuit that can be used.

本発明の差動アンプ接続回路は、第1のエミッタフォロワと、第2のエミッタフォロワとを備え、前記第1のエミッタフォロワは、ベースが正相信号入力端子に接続され、コレクタが第1の電源電圧に接続された第1のトランジスタと、一端が前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、他端が正相信号出力端子に接続された第1の抵抗と、一端が前記正相信号出力端子に接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第2の抵抗と、前記第1の抵抗と並列に接続される第1の容量とから構成され、前記第2のエミッタフォロワは、ベースが逆相信号入力端子に接続され、コレクタが第1の電源電圧に接続された第2のトランジスタと、一端が前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、他端が逆相信号出力端子に接続された第3の抵抗と、一端が前記逆相信号出力端子に接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の抵抗と、前記第3の抵抗と並列に接続される第2の容量とから構成されることを特徴とするものである。
また、本発明の差動アンプ回路は、第1の差動アンプと、第2の差動アンプと、前記第1の差動アンプと前記第2の差動アンプとの間を接続する、請求項1記載の差動アンプ接続回路とを備えることを特徴とするものである。
The differential amplifier connection circuit of the present invention includes a first emitter follower and a second emitter follower, wherein the first emitter follower has a base connected to a positive phase signal input terminal and a collector connected to the first emitter follower. A first transistor connected to the power supply voltage, a first resistor having one end connected to the emitter of the first transistor and the other end connected to the positive phase signal output terminal, and one end connected to the positive phase signal output A second resistor connected to the terminal and having the other end connected to the second power supply voltage, and a first capacitor connected in parallel with the first resistor, and the second emitter follower is The base is connected to the negative phase signal input terminal, the collector is connected to the first power supply voltage, one end is connected to the emitter of the second transistor, and the other end is the negative phase signal output terminal. Connected to the third And a fourth resistor having one end connected to the negative phase signal output terminal and the other end connected to the second power supply voltage, and a second capacitor connected in parallel with the third resistor. It is characterized by being configured.
Further, the differential amplifier circuit of the present invention connects the first differential amplifier, the second differential amplifier, and the first differential amplifier and the second differential amplifier. The differential amplifier connection circuit according to Item 1 is provided.

また、本発明の差動アンプ回路の1構成例において、前記第1の差動アンプは、ギルバートセル型差動アンプであり、ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第1の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第3、第4のトランジスタと、ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第1の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第5、第6のトランジスタと、ベースが第1の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続され、コレクタが前記第3、第4のトランジスタのエミッタ、前記第5、第6のトランジスタのエミッタに接続された下部差動対を構成する第7、第8のトランジスタと、一端が前記第7のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第1の電流源と、一端が前記第8のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第2の電流源と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第3、第5のトランジスタのコレクタに接続された第5の抵抗と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第4、第6のトランジスタのコレクタに接続された第6の抵抗と、一端が前記第7のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記8のトランジスタのエミッタに接続された第7の抵抗とから構成されることを特徴とするものである。   In one configuration example of the differential amplifier circuit of the present invention, the first differential amplifier is a Gilbert cell type differential amplifier, a base is connected to a gain control terminal, and a collector is a first differential amplifier. The third and fourth transistors constituting the upper differential pair connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal, the base is connected to the gain control terminal, and the collector is the first differential amplifier. The fifth and sixth transistors constituting the upper differential pair connected to the negative phase signal output terminal and the positive phase signal output terminal, and the base is the positive phase signal input terminal and negative phase signal input of the first differential amplifier Seventh and eighth transistors constituting a lower differential pair connected to a terminal and having a collector connected to the emitters of the third and fourth transistors and the emitters of the fifth and sixth transistors, and one end of An error of the seventh transistor; A first current source having a second end connected to the second power supply voltage, a first end connected to the emitter of the eighth transistor, and a second end connected to the second power supply voltage. A second current source, one end connected to the first power supply voltage, the other end connected to the collectors of the third and fifth transistors, and one end connected to the first power supply voltage The other end is connected to the collector of the fourth and sixth transistors, one end is connected to the emitter of the seventh transistor, and the other end is connected to the emitter of the eighth transistor. And a seventh resistor.

また、本発明の差動アンプ回路の1構成例において、前記第1の差動アンプは、ベースが第1の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続され、コレクタが第1の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された差動対を構成する第3、第4のトランジスタと、一端が前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第1の電流源と、一端が前記第4のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第2の電流源と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第3のトランジスタのコレクタに接続された第5の抵抗と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第4のトランジスタのコレクタに接続された第6の抵抗と、一端が前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第4のトランジスタのエミッタに接続された第7の抵抗とから構成されることを特徴とするものである。   Moreover, in one configuration example of the differential amplifier circuit of the present invention, the first differential amplifier has a base connected to a positive phase signal input terminal and a negative phase signal input terminal of the first differential amplifier, and a collector. Third and fourth transistors constituting a differential pair connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal of the first differential amplifier, and one end connected to the emitter of the third transistor, A first current source having the other end connected to the second power supply voltage; a second current source having one end connected to the emitter of the fourth transistor and the other end connected to the second power supply voltage; , One end connected to the first power supply voltage, the other end connected to the collector of the third transistor, one end connected to the first power supply voltage, and the other end connected to the fourth power supply voltage. A sixth resistor connected to the collector of the transistor and one end of the third resistor Connected to the emitter of the transistor, is characterized in that the other end is constituted by a seventh resistor and the connected to the emitter of said fourth transistor.

また、本発明の差動アンプ回路の1構成例において、前記第2の差動アンプは、ギルバートセル型差動アンプであり、ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第2の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第9、第10のトランジスタと、ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第2の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第11、第12のトランジスタと、ベースが第2の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続され、コレクタが前記第9、第10のトランジスタのエミッタ、前記第11、第12のトランジスタのエミッタに接続された下部差動対を構成する第13、第14のトランジスタと、一端が前記第13のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第3の電流源と、一端が前記第14のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の電流源と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第9、第11のトランジスタのコレクタに接続された第8の抵抗と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第10、第12のトランジスタのコレクタに接続された第9の抵抗と、一端が前記第13のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第14のトランジスタのエミッタに接続された第10の抵抗とから構成されることを特徴とするものである。   In the configuration example of the differential amplifier circuit of the present invention, the second differential amplifier is a Gilbert cell type differential amplifier, the base is connected to the gain control terminal, and the collector is the second differential amplifier. The ninth and tenth transistors constituting the upper differential pair connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal, the base is connected to the gain control terminal, and the collector is the second differential amplifier. Eleventh and twelfth transistors constituting the upper differential pair connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal, and the base is the positive-phase signal input terminal and negative-phase signal input of the second differential amplifier A thirteenth and fourteenth transistor constituting a lower differential pair connected to a terminal and having a collector connected to the emitters of the ninth and tenth transistors and the emitters of the eleventh and twelfth transistors; Said thirteenth A third current source connected to the emitter of the transistor, the other end connected to the second power supply voltage, one end connected to the emitter of the fourteenth transistor, and the other end connected to the second power supply voltage. A fourth current source, one end connected to the first power supply voltage, the other end connected to the collectors of the ninth and eleventh transistors, and one end connected to the first power supply voltage. A ninth resistor connected to the collectors of the tenth and twelfth transistors, one end connected to the emitter of the thirteenth transistor, and the other end connected to the emitter of the fourteenth transistor. And a tenth resistor connected thereto.

また、本発明の差動アンプ回路の1構成例において、前記第2の差動アンプは、カスコード型差動アンプであり、ベースが第2の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続された下部差動対を構成する第9、第10のトランジスタと、ベースがバイアス端子に接続され、コレクタが第2の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続され、エミッタが前記第9、第10のトランジスタのコレクタに接続された上部差動対を構成する第11、第12のトランジスタと、一端が前記第9のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第3の電流源と、一端が前記第10のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の電流源と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第11のトランジスタのコレクタに接続された第8の抵抗と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第12のトランジスタのコレクタに接続された第9の抵抗と、一端が前記第9のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第10のトランジスタのエミッタに接続された第10の抵抗とから構成されることを特徴とするものである。   Further, in one configuration example of the differential amplifier circuit of the present invention, the second differential amplifier is a cascode differential amplifier, and a base is a positive-phase signal input terminal and a negative-phase signal of the second differential amplifier. Ninth and tenth transistors constituting the lower differential pair connected to the input terminal, the base is connected to the bias terminal, the collector is the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal of the second differential amplifier Eleventh and twelfth transistors constituting the upper differential pair, the emitters of which are connected to the collectors of the ninth and tenth transistors, one end of which is connected to the emitter of the ninth transistor and the other. A third current source having one end connected to the second power supply voltage, a fourth current source having one end connected to the emitter of the tenth transistor and the other end connected to the second power supply voltage; One end is connected to the first power supply voltage And an eighth resistor having the other end connected to the collector of the eleventh transistor and a ninth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collector of the twelfth transistor. The resistor is composed of a tenth resistor having one end connected to the emitter of the ninth transistor and the other end connected to the emitter of the tenth transistor.

また、本発明の差動アンプ回路の1構成例において、前記第2の差動アンプは、Cherrry−Hooper型差動アンプであり、ベースが第2の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続された下部差動対を構成する第9、第10のトランジスタと、ベースが第2の差動アンプの正相信号出力端子、逆相信号出力端子に接続され、コレクタが第1の電源電圧に接続された上部差動対を構成する第11、第12のトランジスタと、ベースが前記第9、第10のトランジスタのコレクタに接続され、コレクタが第2の差動アンプの正相信号出力端子、逆相信号出力端子に接続された中部差動対を構成する第13、第14のトランジスタと、一端が前記第9、第10のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第3の電流源と、一端が前記第13、第14のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の電流源と、一端が前記第11のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第9のトランジスタのコレクタおよび前記第13のトランジスタのベースに接続された第8の抵抗と、一端が第12のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第10のトランジスタのコレクタおよび前記第14のトランジスタのベースに接続された第9の抵抗と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第11のトランジスタのベースおよび前記第13のトランジスタのコレクタに接続された第10の抵抗と、一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第12のトランジスタのベースおよび前記第14のトランジスタのコレクタに接続された第11の抵抗とから構成されることを特徴とするものである。   Further, in one configuration example of the differential amplifier circuit of the present invention, the second differential amplifier is a Cherry-Hooper type differential amplifier, and the base is a positive-phase signal input terminal of the second differential amplifier, Ninth and tenth transistors constituting the lower differential pair connected to the phase signal input terminal, the base is connected to the positive phase signal output terminal and the negative phase signal output terminal of the second differential amplifier, and the collector is The eleventh and twelfth transistors constituting the upper differential pair connected to the first power supply voltage, the base is connected to the collectors of the ninth and tenth transistors, and the collector is the second differential amplifier. The thirteenth and fourteenth transistors constituting the middle differential pair connected to the positive-phase signal output terminal and the negative-phase signal output terminal, one end connected to the emitters of the ninth and tenth transistors, and the other end Second power supply voltage A connected third current source, one end connected to the emitters of the thirteenth and fourteenth transistors, and the other end connected to a second power supply voltage, and one end connected to the eleventh. The other end of which is connected to the collector of the ninth transistor and the base of the thirteenth transistor, and the other end of which is connected to the emitter of the twelfth transistor. Has a ninth resistor connected to the collector of the tenth transistor and the base of the fourteenth transistor, one end connected to the first power supply voltage, and the other end connected to the base of the eleventh transistor and the A tenth resistor connected to the collector of the thirteenth transistor; one end connected to the first power supply voltage; the other end connected to the base of the twelfth transistor and the fourteenth It is characterized in that is composed of the 11 resistance of which is connected to the collector of the transistor.

本発明によれば、差動アンプ接続回路は、後段の差動アンプが必要とする入力電位を出力電位として有することで後段の差動アンプとの接続を可能とすると同時に、特に高周波領域で必要となる、差動アンプに対する入力駆動パワーを損なうことなく提供することができる。また、本発明では、差動アンプ接続回路は、この差動アンプ接続回路および前後段の差動アンプを含む差動アンプ回路全体の高速・高周波動作も担保することができる。さらに、本発明では、差動アンプ間を接続する際に、緩衝差動アンプの追加を必要としないので、消費電力の増大、および温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大を抑えることができる。   According to the present invention, the differential amplifier connection circuit can be connected to the subsequent differential amplifier by having the input potential required by the subsequent differential amplifier as the output potential, and at the same time, particularly required in the high frequency region. Thus, the input drive power for the differential amplifier can be provided without loss. In the present invention, the differential amplifier connection circuit can also ensure high-speed and high-frequency operation of the entire differential amplifier circuit including the differential amplifier connection circuit and the front and rear differential amplifiers. Furthermore, in the present invention, when connecting between the differential amplifiers, it is not necessary to add a buffer differential amplifier. Therefore, an increase in power consumption and an increase in gain fluctuation amount during temperature fluctuations and power supply voltage fluctuations are suppressed. be able to.

本発明の第1の実施の形態に係る差動アンプ回路の構成を示す回路図である。1 is a circuit diagram showing a configuration of a differential amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る差動アンプ回路の出力応答波形、および利得−周波数特性のシミュレーション結果を示す図である。It is a figure which shows the simulation result of the output response waveform of the differential amplifier circuit which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and a gain-frequency characteristic. 本発明の第1の実施の形態に係る差動アンプ回路および従来の差動アンプ回路の温度変動および電源電圧変動による利得変動を示す図である。It is a figure which shows the gain fluctuation by the temperature fluctuation | variation and power supply voltage fluctuation | variation of the differential amplifier circuit which concerns on the 1st Embodiment of this invention, and the conventional differential amplifier circuit. 本発明の第2の実施の形態に係る差動アンプ回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the differential amplifier circuit which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3の実施の形態に係る差動アンプ回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the differential amplifier circuit which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 従来の差動アンプ接続回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the conventional differential amplifier connection circuit. 従来の差動アンプ接続回路の問題点を説明する回路図である。It is a circuit diagram explaining the problem of the conventional differential amplifier connection circuit. 従来の差動アンプ接続回路の問題点を説明する回路図である。It is a circuit diagram explaining the problem of the conventional differential amplifier connection circuit.

[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本発明の第1の実施の形態に係る差動アンプ回路の構成を示す回路図である。本実施の形態では、前段のギルバートセル型差動アンプ1と後段のギルバートセル型差動アンプ3との間を差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ2で接続している。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a differential amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention. In this embodiment, the former Gilbert cell differential amplifier 1 and the latter Gilbert cell differential amplifier 3 are connected by an emitter follower 2 which is a differential amplifier connection circuit.

ギルバートセル型差動アンプ1は、図7、図8に示したギルバートセル型差動アンプ200と同一の回路構成を有するものであり、ベースが利得制御端子GT,GCに接続された上部差動対(振幅調整部)を構成するトランジスタq11,q12と、ベースが利得制御端子GC,GTに接続された上部差動対(振幅調整部)を構成するトランジスタq13,q14と、ベースが差動信号入力端子IT,ICに接続された下部差動対(増幅部)を構成するトランジスタq15,q16と、一端がトランジスタq15のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I11と、一端がトランジスタq16のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I12と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq11,q13のコレクタに接続された抵抗r11と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq12,q14のコレクタに接続された抵抗r12と、一端がトランジスタq15のエミッタに接続され、他端がトランジスタq16のエミッタに接続された抵抗r13とから構成される。トランジスタq15のコレクタは、トランジスタq11,q12のエミッタと接続され、トランジスタq16のコレクタは、トランジスタq13,q14のエミッタと接続される。そして、トランジスタq12,q14のコレクタ(ノードn11)から正相出力信号が出力され、トランジスタq11,q13のコレクタ(ノードn12)から逆相出力信号が出力される。   The Gilbert cell type differential amplifier 1 has the same circuit configuration as that of the Gilbert cell type differential amplifier 200 shown in FIGS. 7 and 8, and an upper differential whose base is connected to the gain control terminals GT and GC. Transistors q11 and q12 constituting a pair (amplitude adjustment unit), and transistors q13 and q14 constituting an upper differential pair (amplitude adjustment unit) having bases connected to gain control terminals GC and GT, and a base serving as a differential signal Transistors q15 and q16 constituting a lower differential pair (amplifier) connected to the input terminals IT and IC, and a current source I11 having one end connected to the emitter of the transistor q15 and the other end connected to the power supply voltage VEE. , One end connected to the emitter of the transistor q16, the other end connected to the power supply voltage VEE, one end connected to the power supply voltage VCC, and the other end A resistor r11 connected to the collectors of the transistors q11 and q13; one end connected to the power supply voltage VCC; the other end connected to the collectors of the transistors q12 and q14; and one end connected to the emitter of the transistor q15; The other end is composed of a resistor r13 connected to the emitter of the transistor q16. The collector of transistor q15 is connected to the emitters of transistors q11 and q12, and the collector of transistor q16 is connected to the emitters of transistors q13 and q14. A normal phase output signal is output from the collectors (node n11) of the transistors q12 and q14, and a negative phase output signal is output from the collectors (node n12) of the transistors q11 and q13.

ギルバートセル型差動アンプ3は、図7、図8に示したギルバートセル型差動アンプ202と同一の回路構成を有するものであり、ベースが利得制御端子GT2,GC2に接続された上部差動対(振幅調整部)を構成するトランジスタq21,q22と、ベースが利得制御端子GC2,GT2に接続された上部差動対(振幅調整部)を構成するトランジスタq23,q24と、ベースが差動信号入力端子IT2,IC2に接続された下部差動対(増幅部)を構成するトランジスタq25,q26と、一端がトランジスタq25のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I21と、一端がトランジスタq26のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I22と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq21,q23のコレクタに接続された抵抗r21と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq22,q24のコレクタに接続された抵抗r22と、一端がトランジスタq25のエミッタに接続され、他端がトランジスタq26のエミッタに接続された抵抗r23とから構成される。トランジスタq25のコレクタは、トランジスタq21,q22のエミッタと接続され、トランジスタq26のコレクタは、トランジスタq23,q24のエミッタと接続される。そして、トランジスタq22,q24のコレクタ(ノードn21)から正相出力信号が出力され、トランジスタq21,q23のコレクタ(ノードn22)から逆相出力信号が出力される。   The Gilbert cell type differential amplifier 3 has the same circuit configuration as the Gilbert cell type differential amplifier 202 shown in FIGS. 7 and 8, and the base is connected to the gain control terminals GT2 and GC2. Transistors q21 and q22 constituting a pair (amplitude adjustment unit), transistors q23 and q24 constituting an upper differential pair (amplitude adjustment unit) having bases connected to gain control terminals GC2 and GT2, and a base serving as a differential signal Transistors q25 and q26 constituting a lower differential pair (amplifier) connected to the input terminals IT2 and IC2, and a current source I21 having one end connected to the emitter of the transistor q25 and the other end connected to the power supply voltage VEE. One end is connected to the emitter of the transistor q26, the other end is connected to the power source voltage VEE, and one end is connected to the power source voltage VCC. The other end of the resistor r21 is connected to the collectors of the transistors q21 and q23, the other end is connected to the power supply voltage VCC, the other end is connected to the collectors of the transistors q22 and q24, and the other end is connected to the emitter of the transistor q25. The resistor r23 is connected and the other end is connected to the emitter of the transistor q26. The collector of transistor q25 is connected to the emitters of transistors q21 and q22, and the collector of transistor q26 is connected to the emitters of transistors q23 and q24. A normal phase output signal is output from the collectors (node n21) of the transistors q22 and q24, and a negative phase output signal is output from the collectors (node n22) of the transistors q21 and q23.

ギルバートセル型差動アンプ1,3の各端子・各ノードの電位は、図7、図8の場合と同様とする。したがって、差動信号入力端子IT,IC,IT2,IC2には入力電位として+1.5Vを印加することが必要であり、ギルバートセル型差動アンプ1の差動信号出力端子であるノードn11,n12の電位、およびギルバートセル型差動アンプ3の差動信号出力端子であるノードn21,n22の電位は+2.8Vとなる。   The potentials of the terminals and nodes of the Gilbert cell differential amplifiers 1 and 3 are the same as those in FIGS. Therefore, it is necessary to apply +1.5 V as the input potential to the differential signal input terminals IT, IC, IT2 and IC2, and the nodes n11 and n12 which are differential signal output terminals of the Gilbert cell type differential amplifier 1 are required. And the potentials of the nodes n21 and n22 which are differential signal output terminals of the Gilbert cell type differential amplifier 3 are + 2.8V.

本実施の形態の差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ2は、ベースがエミッタフォロワ2の正相信号入力端子に接続され、コレクタが電源電圧VCCに接続されたトランジスタq31と、ベースがエミッタフォロワ2の逆相信号入力端子に接続され、コレクタが電源電圧VCCに接続されたトランジスタq32と、一端がトランジスタq31のエミッタに接続され、他端がエミッタフォロワ2の正相信号出力端子OTに接続された抵抗r31と、一端が正相信号出力端子OTに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された抵抗r32と、一端がトランジスタq32のエミッタに接続され、他端がエミッタフォロワ2の逆相信号出力端子OCに接続された抵抗r33と、一端が逆相信号出力端子OCに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された抵抗r34と、一端がトランジスタq31のエミッタに接続され、他端が正相信号出力端子OTに接続された容量c31と、一端がトランジスタq32のエミッタに接続され、他端が逆相信号出力端子OCに接続された容量c32とから構成される。   The emitter follower 2 which is a differential amplifier connection circuit of the present embodiment has a transistor q31 whose base is connected to the positive phase signal input terminal of the emitter follower 2 and whose collector is connected to the power supply voltage VCC, and whose base is the emitter follower 2. A transistor q32 having a collector connected to the power supply voltage VCC, one end connected to the emitter of the transistor q31, and the other end connected to the positive phase signal output terminal OT of the emitter follower 2. A resistor r31, one end connected to the positive phase signal output terminal OT, the other end connected to the power supply voltage VEE, one end connected to the emitter of the transistor q32, and the other end connected to the negative phase signal of the emitter follower 2. The resistor r33 connected to the output terminal OC, one end connected to the negative phase signal output terminal OC, and the other end to the power supply voltage VEE. The connected resistor r34, one end connected to the emitter of the transistor q31, the other end connected to the positive phase signal output terminal OT, one end connected to the emitter of the transistor q32, and the other end to the negative phase signal. And a capacitor c32 connected to the output terminal OC.

エミッタフォロワ2の正相信号入力端子(トランジスタq31のベース)は、ギルバートセル型差動アンプ1の正相信号出力端子(ノードn11)と接続され、エミッタフォロワ2の逆相信号入力端子(トランジスタq32のベース)は、ギルバートセル型差動アンプ1の逆相信号出力端子(ノードn12)と接続される。エミッタフォロワ2の正相信号出力端子OTは、ギルバートセル型差動アンプ3の正相信号入力端子IT2と接続され、エミッタフォロワ2の逆相信号出力端子OCは、ギルバートセル型差動アンプ3の逆相信号入力端子IC2と接続される。   The positive phase signal input terminal (base of the transistor q31) of the emitter follower 2 is connected to the positive phase signal output terminal (node n11) of the Gilbert cell type differential amplifier 1, and the negative phase signal input terminal (transistor q32) of the emitter follower 2. Is connected to the negative phase signal output terminal (node n12) of the Gilbert cell type differential amplifier 1. The positive phase signal output terminal OT of the emitter follower 2 is connected to the positive phase signal input terminal IT2 of the Gilbert cell type differential amplifier 3, and the negative phase signal output terminal OC of the emitter follower 2 is connected to the Gilbert cell type differential amplifier 3. The negative phase signal input terminal IC2 is connected.

エミッタフォロワ2に抵抗r31,r33および容量c31,c32が挿入接続されている点が、図6〜図8に示した従来のエミッタフォロワと異なる点である。抵抗r31,r33は、次段のギルバートセル型差動アンプ3の入力電位である+1.5Vを作り出すための抵抗である。本実施の形態では、トランジスタq31,q32のエミッタ(ノードn31,n32)の電位が+1.85Vであり、この+1.85Vから0.35V電圧降下させるべく、抵抗r31,r33に流れる電流量2mAを考慮して、抵抗r31,r33の値を0.35V/2mA=175Ωに設定している。   The point that resistors r31, r33 and capacitors c31, c32 are inserted and connected to the emitter follower 2 is different from the conventional emitter follower shown in FIGS. The resistors r31 and r33 are resistors for generating +1.5 V that is the input potential of the next-stage Gilbert cell type differential amplifier 3. In the present embodiment, the potentials of the emitters (nodes n31 and n32) of the transistors q31 and q32 are +1.85 V, and a current amount 2 mA flowing through the resistors r31 and r33 is reduced so as to drop the voltage by 0.35 V from +1.85 V. Considering this, the values of the resistors r31 and r33 are set to 0.35 V / 2 mA = 175Ω.

また、抵抗r31,r33と並列に接続されている容量c31,c32は、高周波になるほどエミッタフォロワ2の出力インピーダンスを低下させて、高周波領域におけるエミッタフォロワ2のギルバートセル型差動アンプ3に対する入力駆動パワーを上昇させるための容量である。これら容量c31,c32により、本実施の形態のエミッタフォロワ2を差動アンプ接続回路として用いても、差動アンプ回路全体の高速・高周波動作が保証される。仮にこれら容量c31,c32が無い場合は、追加接続された抵抗r31,r33によりエミッタフォロワ2の出力インピーダンスが上昇した分だけ後段のギルバートセル型差動アンプ3に対する入力パワーが減じられ、ギルバートセル型差動アンプ3の入力容量成分の存在のために大きな入力パワーが必要な高周波領域においては特段、パワー伝達特性すなわち利得が損なわれてしまう。   Capacitors c31 and c32 connected in parallel with the resistors r31 and r33 lower the output impedance of the emitter follower 2 as the frequency becomes higher, and drive the input of the emitter follower 2 to the Gilbert cell differential amplifier 3 in the high frequency region. It is a capacity for increasing power. These capacitors c31 and c32 ensure high-speed and high-frequency operation of the entire differential amplifier circuit even when the emitter follower 2 of the present embodiment is used as a differential amplifier connection circuit. If these capacitors c31 and c32 are not provided, the input power to the subsequent Gilbert cell differential amplifier 3 is reduced by the amount of increase in the output impedance of the emitter follower 2 by the additionally connected resistors r31 and r33, and the Gilbert cell type. In the high frequency region where a large input power is required due to the presence of the input capacitance component of the differential amplifier 3, the power transfer characteristic, that is, the gain is particularly impaired.

以上のように、本実施の形態のエミッタフォロワ2は、後段のギルバートセル型差動アンプ3が必要とする入力電位を出力電位として有することで後段のギルバートセル型差動アンプ3との接続を可能とすると同時に、特に高周波領域で必要となる、ギルバートセル型差動アンプ3に対する入力駆動パワーを損なうことなく提供する回路構成であることが分かる。また、同時に、エミッタフォロワ2は、エミッタフォロワ2および前後段のギルバートセル型差動アンプ1,3を含む差動アンプ回路全体の高速・高周波動作も担保する。   As described above, the emitter follower 2 according to the present embodiment has an input potential required by the latter-stage Gilbert cell differential amplifier 3 as an output potential so that the connection with the latter-stage Gilbert cell-type differential amplifier 3 can be achieved. It can be seen that the circuit configuration provides the input drive power to the Gilbert cell type differential amplifier 3 without impairing it, which is necessary particularly in the high frequency region. At the same time, the emitter follower 2 ensures high-speed and high-frequency operation of the entire differential amplifier circuit including the emitter follower 2 and the preceding and following Gilbert cell differential amplifiers 1 and 3.

また、本実施の形態では、図8に示したような緩衝差動アンプ203およびエミッタフォロワ204の追加を必要としない。よって、本実施の形態によれば、図8の従来例で顕在化する消費電力の増大および温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大といった問題も解決することができる。図8の従来例と比較して、本実施の形態において温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大が抑えられるのは、緩衝差動アンプ203を追加しないため、緩衝差動アンプ203の利得変動量が重畳されないためである。   Further, in the present embodiment, it is not necessary to add the buffer differential amplifier 203 and the emitter follower 204 as shown in FIG. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to solve problems such as an increase in power consumption and an increase in gain fluctuation amount at the time of temperature fluctuation and power supply voltage fluctuation, which are manifested in the conventional example of FIG. Compared with the conventional example of FIG. 8, the increase in the gain fluctuation amount at the time of temperature fluctuation or power supply voltage fluctuation can be suppressed in this embodiment because the buffer differential amplifier 203 is not added. This is because the amount of gain fluctuation is not superimposed.

図2(A)に本実施の形態の差動アンプ回路の32Gbit/s出力応答波形のシミュレーション結果を示し、図2(B)に本実施の形態の差動アンプ回路の利得−周波数特性のシミュレーション結果を示す。図2(B)によれば、利得が1/√2になる−3dB帯域f-3dBは37.8GHzであった。本実施の形態において、32Gbit/sのデジタル高速信号に対し明瞭な開口を有するアイパターン波形が出力され、且つ利得の−3dB帯域f-3dBとしても35GHz以上確保されていることが確認できる。なお、本実施の形態のシミュレーションは、エミッタ幅1μmのInP HBT(ヘテロ接合バイポーラトランジスタ)のパラメータを用いて実施した。 FIG. 2A shows the simulation result of the 32 Gbit / s output response waveform of the differential amplifier circuit of this embodiment, and FIG. 2B shows the simulation of the gain-frequency characteristics of the differential amplifier circuit of this embodiment. Results are shown. According to FIG. 2B, the −3 dB band f −3 dB at which the gain becomes 1 / √2 was 37.8 GHz. In the present embodiment, it can be confirmed that an eye pattern waveform having a clear aperture is output for a 32 Gbit / s digital high-speed signal and that a gain of −3 dB band f −3 dB is secured at 35 GHz or more. The simulation of the present embodiment was performed using parameters of an InP HBT (heterojunction bipolar transistor) having an emitter width of 1 μm.

図3(A)に温度変動および電源電圧変動による本実施の形態の差動アンプ回路の1GHz利得の変動を示し、図3(B)に温度変動および電源電圧変動による図8の回路の1GHz利得の変動を示す。図3(A)、図3(B)は、電源電圧VCC=3.3V、温度40℃の1GHz利得を基準(0dB)として、電源電圧VCCの変動および温度変動に対してどのように1GHz利得が変化するかを示している。−5℃〜+100℃およびVCC=3.135V〜3.465Vの範囲で、図8に示した従来例では5.5dBの利得変動があるのに対し、本実施の形態では5.0dBの利得変動に低減されている。   FIG. 3A shows fluctuations in 1 GHz gain of the differential amplifier circuit of this embodiment due to temperature fluctuations and power supply voltage fluctuations, and FIG. 3B shows 1 GHz gain in the circuit of FIG. 8 due to temperature fluctuations and power supply voltage fluctuations. Shows fluctuations. 3A and 3B show how the 1 GHz gain against the fluctuation of the power supply voltage VCC and the temperature fluctuation with the 1 GHz gain of the power supply voltage VCC = 3.3 V and the temperature of 40 ° C. as a reference (0 dB). Indicates how it will change. In the range of −5 ° C. to + 100 ° C. and VCC = 3.135 V to 3.465 V, there is a gain fluctuation of 5.5 dB in the conventional example shown in FIG. Reduced to fluctuations.

本実施の形態において利得変動が低減されているのは、図8の緩衝差動アンプ203のようなアンプを追加しないためである。本実施の形態では0.5dBの利得変動抑圧であったが、ギルバートセル型差動アンプを更に多段数縦続接続する際、本実施の形態で使用したエミッタフォロワ2を差動アンプ接続回路として用い、緩衝差動アンプを省くことで更なる利得変動抑圧効果が得られる。   The reason why the gain fluctuation is reduced in this embodiment is that an amplifier such as the buffered differential amplifier 203 in FIG. 8 is not added. In this embodiment, the gain fluctuation was suppressed by 0.5 dB. However, when the Gilbert cell type differential amplifier is further cascade-connected, the emitter follower 2 used in this embodiment is used as a differential amplifier connection circuit. Further, by eliminating the buffer differential amplifier, a further effect of suppressing the gain fluctuation can be obtained.

[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図4は本発明の第2の実施の形態に係る差動アンプ回路の構成を示す回路図であり、図1と同一の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態では、ギルバートセル型差動アンプ1が前段の差動アンプを構成し、カスコード型差動アンプ4が後段の差動アンプを構成し、これらギルバートセル型差動アンプ1とカスコード型差動アンプ4との間を差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ2で接続している。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a differential amplifier circuit according to the second embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the present embodiment, the Gilbert cell differential amplifier 1 constitutes a differential amplifier in the previous stage, and the cascode differential amplifier 4 constitutes a differential amplifier in the subsequent stage. These Gilbert cell differential amplifier 1 and the cascode differential amplifier 1 The differential amplifier 4 is connected with an emitter follower 2 which is a differential amplifier connection circuit.

ギルバートセル型差動アンプ1およびエミッタフォロワ2の構成は第1の実施の形態で説明したとおりである。
カスコード型差動アンプ4は、ベースがカスコード型差動アンプ4の正相信号入力端子IT3に接続されたトランジスタq41と、ベースがカスコード型差動アンプ4の逆相信号入力端子IC3に接続されたトランジスタq42と、ベースがバイアス端子CASに接続され、コレクタがカスコード型差動アンプ4の逆相信号出力端子OC3に接続され、エミッタがトランジスタq41のコレクタに接続されたトランジスタq43と、ベースがバイアス端子CASに接続され、コレクタがカスコード型差動アンプ4の正相信号出力端子OT3に接続され、エミッタがトランジスタq42のコレクタに接続されたトランジスタq44と、一端がトランジスタq41のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I41と、一端がトランジスタq42のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I42と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端が逆相信号出力端子OC3に接続された抵抗r41と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端が正相信号出力端子OT3に接続された抵抗r42と、一端がトランジスタq41のエミッタに接続され、他端がトランジスタq42のエミッタに接続された抵抗r43とから構成される。
The configurations of the Gilbert cell type differential amplifier 1 and the emitter follower 2 are as described in the first embodiment.
The cascode type differential amplifier 4 has a base connected to the positive phase signal input terminal IT3 of the cascode type differential amplifier 4 and a base connected to the negative phase signal input terminal IC3 of the cascode type differential amplifier 4. The transistor q42, the base is connected to the bias terminal CAS, the collector is connected to the negative phase signal output terminal OC3 of the cascode differential amplifier 4, the emitter is connected to the collector of the transistor q41, and the base is the bias terminal. The transistor q44 is connected to the CAS, the collector is connected to the positive phase signal output terminal OT3 of the cascode differential amplifier 4, the emitter is connected to the collector of the transistor q42, and one end is connected to the emitter of the transistor q41. Is connected to the power supply voltage VEE and one end A current source I42 connected to the emitter of the transistor q42, the other end connected to the power supply voltage VEE, one end connected to the power supply voltage VCC, and the other end connected to the negative phase signal output terminal OC3, and one end Is connected to the power supply voltage VCC, the other end is connected to the positive-phase signal output terminal OT3, the resistor r42 is connected to the emitter of the transistor q41, and the other end is connected to the resistor r43 connected to the emitter of the transistor q42. Composed.

カスコード型差動アンプ4の正相信号入力端子IT3は、エミッタフォロワ2の正相信号出力端子OTと接続され、カスコード型差動アンプ4の逆相信号入力端子IC3は、エミッタフォロワ2の逆相信号出力端子OCと接続される。これらの入力端子IT3,IC3の入力電位が+1.5Vとなるようにカスコード型差動アンプ4が設計されている。バイアス端子CASに印加されるバイアス電圧は+2.75Vである。   The positive phase signal input terminal IT3 of the cascode type differential amplifier 4 is connected to the positive phase signal output terminal OT of the emitter follower 2, and the negative phase signal input terminal IC3 of the cascode type differential amplifier 4 is opposite to the negative phase signal output terminal OT of the emitter follower 2. Connected to the signal output terminal OC. The cascode differential amplifier 4 is designed so that the input potentials of these input terminals IT3 and IC3 are + 1.5V. The bias voltage applied to the bias terminal CAS is + 2.75V.

カスコード型差動アンプ4は、入力端子IT3,IC3にベースが接続されているトランジスタq41,q42におけるミラー効果、すなわちトランジスタq41,q42の入力容量値が差動アンプの利得倍増加されてしまう効果を、トランジスタq43,q44の接続で減じる構成である。つまり、カスコード型差動アンプ4を用いることにより、通常の差動アンプよりも入力容量を減らすことができるので、高速・高周波動作が可能となる。   The cascode differential amplifier 4 has a mirror effect in the transistors q41 and q42 whose bases are connected to the input terminals IT3 and IC3, that is, an effect that the input capacitance value of the transistors q41 and q42 is increased by a gain of the differential amplifier. The configuration is reduced by connecting the transistors q43 and q44. That is, by using the cascode type differential amplifier 4, the input capacitance can be reduced as compared with a normal differential amplifier, so that high-speed and high-frequency operation is possible.

本実施の形態においても、エミッタフォロワ2は、後段のカスコード型差動アンプ4が必要とする入力電位を出力電位として有することで後段のカスコード型差動アンプ4との接続を可能とすると同時に、特に高周波領域で必要となる、カスコード型差動アンプ4に対する入力駆動パワーを損なうことなく提供している。また、前段のギルバートセル型差動アンプ1およびエミッタフォロワ2が第1の実施の形態と同様の高速・高周波動作を実現し、後段のカスコード型差動アンプ4がより高速・高周波動作可能な構成であることから、本実施の形態の差動アンプ回路によれば、第1の実施の形態と同等以上の高速・高周波動作が可能となる。   Also in this embodiment, the emitter follower 2 has the input potential required by the subsequent cascode differential amplifier 4 as the output potential, thereby enabling connection with the subsequent cascode differential amplifier 4. In particular, the input driving power for the cascode differential amplifier 4 that is necessary in the high frequency region is provided without impairing. Further, the former stage Gilbert cell type differential amplifier 1 and the emitter follower 2 realize the same high speed / high frequency operation as in the first embodiment, and the latter stage cascode type differential amplifier 4 can operate at higher speed / high frequency. Therefore, according to the differential amplifier circuit of the present embodiment, high-speed and high-frequency operation equivalent to or higher than that of the first embodiment is possible.

更に、本実施の形態においても、図8に示したような緩衝差動アンプ203およびエミッタフォロワ204の追加を必要としない。よって、本実施の形態においても、図8の従来例で顕在化する消費電力の増大および温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大といった問題を解決することができる。図8の従来例と比較して、本実施の形態において温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大が抑えられるのは、緩衝差動アンプ203を追加しないため、緩衝差動アンプ203の利得変動量が重畳されないためである。   Furthermore, in this embodiment, it is not necessary to add the buffer differential amplifier 203 and the emitter follower 204 as shown in FIG. Therefore, the present embodiment can also solve problems such as an increase in power consumption and an increase in gain fluctuation amount at the time of temperature fluctuation and power supply voltage fluctuation, which are manifested in the conventional example of FIG. Compared with the conventional example of FIG. 8, the increase in the gain fluctuation amount at the time of temperature fluctuation or power supply voltage fluctuation can be suppressed in this embodiment because the buffer differential amplifier 203 is not added. This is because the amount of gain fluctuation is not superimposed.

[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図5は本発明の第3の実施の形態に係る差動アンプ回路の構成を示す回路図であり、図1と同一の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態では、差動アンプ5が前段の差動アンプを構成し、Cherry−Hooper型差動アンプ7が後段の差動アンプを構成し、これら差動アンプ5とCherry−Hooper型差動アンプ7との間を差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ6で接続している。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of a differential amplifier circuit according to the third embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In the present embodiment, the differential amplifier 5 constitutes a differential amplifier in the previous stage, and the Cherry-Hooper type differential amplifier 7 constitutes a differential amplifier in the subsequent stage, and these differential amplifiers 5 and the Cherry-Hooper type differential amplifiers. The amplifier 7 is connected by an emitter follower 6 which is a differential amplifier connection circuit.

差動アンプ5は、ベースが差動信号入力端子IT,ICに接続され、コレクタが差動信号出力端子(ノードn51,n52)に接続された差動対を構成するトランジスタq51,q52と、一端がトランジスタq51のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I51と、一端がトランジスタq52のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I52と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq51のコレクタに接続された抵抗r51と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq52のコレクタに接続された抵抗r52と、一端がトランジスタq51のエミッタに接続され、他端がトランジスタq52のエミッタに接続された抵抗r53とから構成される。トランジスタq52のコレクタ(ノードn51)から正相出力信号が出力され、トランジスタq51のコレクタ(ノードn52)から逆相出力信号が出力される。   The differential amplifier 5 includes transistors q51 and q52 constituting a differential pair having a base connected to the differential signal input terminals IT and IC and a collector connected to the differential signal output terminals (nodes n51 and n52), and one end. Is connected to the emitter of the transistor q51, the other end is connected to the power supply voltage VEE, one end is connected to the emitter of the transistor q52, the other end is connected to the power supply voltage VEE, and one end Is connected to the power supply voltage VCC, the other end is connected to the collector of the transistor q51, the other end is connected to the power supply voltage VCC, the other end is connected to the collector of the transistor q52, and the other end is a transistor. The resistor r53 is connected to the emitter of q51 and the other end is connected to the emitter of the transistor q52. A normal phase output signal is output from the collector (node n51) of the transistor q52, and a negative phase output signal is output from the collector (node n52) of the transistor q51.

抵抗r51,r52の値は250Ωであり、平衡時に抵抗r51,r52に2mAの電流が流れるように差動アンプ5が設計されている。なお、トランジスタq51,q52のコレクタ電流2mA時のベース−エミッタ間オン電圧は、従来例および第1、第2の実施の形態の構成トランジスタと同様に0.95Vである。このとき、差動アンプ5の差動信号出力端子であるn51,n52の電位は、電源電圧VCC=+3.3Vから抵抗r51,r52における電位降下分250Ω×2mA=0.5Vを差し引いた2.8Vである。   The values of the resistors r51 and r52 are 250Ω, and the differential amplifier 5 is designed so that a current of 2 mA flows through the resistors r51 and r52 during equilibrium. Note that the base-emitter on-voltage when the collector currents of the transistors q51 and q52 are 2 mA is 0.95 V as in the conventional example and the constituent transistors of the first and second embodiments. At this time, the potentials of the differential signal output terminals n51 and n52 of the differential amplifier 5 are obtained by subtracting the potential drop 250Ω × 2 mA = 0.5V in the resistors r51 and r52 from the power supply voltage VCC = + 3.3V. 8V.

Cherry−Hooper型差動アンプ7は、ベースが差動信号入力端子IT4,IC4に接続された差動対を構成するトランジスタq61,q62と、ベースが差動信号出力端子n65,n66に接続され、コレクタが電源電圧VCCに接続された差動対を構成するトランジスタq63,q64と、ベースがトランジスタq61,q62のコレクタに接続され、コレクタが差動信号出力端子n65,n66に接続された差動対を構成するトランジスタq65,q66と、一端がトランジスタq61,q62のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I61と、一端がトランジスタq65,q66のエミッタに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された電流源I62と、一端がトランジスタq63のエミッタに接続され、他端がトランジスタq61のコレクタおよびトランジスタq65のベースに接続された抵抗r61と、一端がトランジスタq64のエミッタに接続され、他端がトランジスタq62のコレクタおよびトランジスタq66のベースに接続された抵抗r62と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq63のベースおよびトランジスタq65のコレクタに接続された抵抗r63と、一端が電源電圧VCCに接続され、他端がトランジスタq64のベースおよびトランジスタq66のコレクタに接続された抵抗r64とから構成される。   The Cherry-Hooper type differential amplifier 7 includes transistors q61 and q62 that form a differential pair whose bases are connected to the differential signal input terminals IT4 and IC4, and bases that are connected to the differential signal output terminals n65 and n66. Transistors q63 and q64 constituting a differential pair with a collector connected to the power supply voltage VCC, a base connected to the collectors of the transistors q61 and q62, and a collector connected to the differential signal output terminals n65 and n66. Q1 and one end connected to the emitters of the transistors q61 and q62, the other end connected to the power supply voltage VEE, and one end connected to the emitters of the transistors q65 and q66. Is connected to the power supply voltage VEE, and one end is connected to the emitter of the transistor q63. A resistor r61 having the other end connected to the collector of the transistor q61 and the base of the transistor q65, and a resistor having one end connected to the emitter of the transistor q64 and the other end connected to the collector of the transistor q62 and the base of the transistor q66. r62, one end connected to the power supply voltage VCC, the other end connected to the base of the transistor q63 and the collector of the transistor q65, one end connected to the power supply voltage VCC, and the other end to the base of the transistor q64 and the transistor a resistor r64 connected to the collector of q66.

抵抗r61,r62の値は75Ω、抵抗r63,r64の値は250Ωであり、平衡時に抵抗r61,r62,r63,r64に2mAの電流が流れるようにCherry−Hooper型差動アンプ7が設計されている。本差動アンプ7を構成するトランジスタq61〜q66についてもコレクタ電流2mA時のベース−エミッタ間オン電圧は0.95Vである。   The values of the resistors r61 and r62 are 75Ω, the values of the resistors r63 and r64 are 250Ω, and the Cherry-Hooper type differential amplifier 7 is designed so that a current of 2 mA flows through the resistors r61, r62, r63, and r64 at equilibrium. Yes. The transistors q61 to q66 constituting the differential amplifier 7 also have a base-emitter on-state voltage of 0.95 V when the collector current is 2 mA.

以上の設定・設計、およびトランジスタのベース−エミッタ間オン電圧が0.95Vであることから、トランジスタq61,q62のコレクタであるノードn61,n62の電位は+1.7V、トランジスタq63,q64のエミッタであるノードn63,n64の電位は+1.85V、差動信号出力端子であるノードn65,n66の電位は+2.8Vとなる。また、差動信号を受けるトランジスタq61,q62のコレクタ−ベース間電圧が+0.2V(コレクタの電位がベースの電位より0.2V高い)確保されるように、差動信号入力端子IT4,IC4の電位を+1.5Vに設定している。Cherry−Hooper型差動アンプ7は、トランジスタq63,q64を介して得られる負帰還効果により、高速・高周波動作を可能としているアンプである。   Since the above-described setting and design and the base-emitter on-voltage of the transistor is 0.95V, the potentials of the nodes n61 and n62, which are the collectors of the transistors q61 and q62, are + 1.7V and the emitters of the transistors q63 and q64 are the emitters. The potentials of certain nodes n63 and n64 are + 1.85V, and the potentials of nodes n65 and n66 which are differential signal output terminals are + 2.8V. Further, the differential signal input terminals IT4 and IC4 have a collector-base voltage of + 0.2V (collector potential is 0.2V higher than the base potential) of the transistors q61 and q62 receiving the differential signal. The potential is set to + 1.5V. The Cherry-Hooper type differential amplifier 7 is an amplifier that enables high-speed and high-frequency operation by a negative feedback effect obtained through the transistors q63 and q64.

本実施の形態の差動アンプ接続回路であるエミッタフォロワ6は、ベースがエミッタフォロワ6の正相信号入力端子に接続され、コレクタが電源電圧VCCに接続されたトランジスタq71と、ベースがエミッタフォロワ6の逆相信号入力端子に接続され、コレクタが電源電圧VCCに接続されたトランジスタq72と、一端がトランジスタq71のエミッタに接続され、他端がエミッタフォロワ6の正相信号出力端子OTに接続された抵抗r71と、一端が正相信号出力端子OTに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された抵抗r72と、一端がトランジスタq72のエミッタに接続され、他端がエミッタフォロワ6の逆相信号出力端子OCに接続された抵抗r73と、一端が逆相信号出力端子OCに接続され、他端が電源電圧VEEに接続された抵抗r74と、一端がトランジスタq71のエミッタに接続され、他端が正相信号出力端子OTに接続された容量c71と、一端がトランジスタq72のエミッタに接続され、他端が逆相信号出力端子OCに接続された容量c72とから構成される。   The emitter follower 6 which is the differential amplifier connection circuit of the present embodiment has a transistor q71 whose base is connected to the positive phase signal input terminal of the emitter follower 6 and whose collector is connected to the power supply voltage VCC, and whose base is the emitter follower 6. The transistor q72 has a collector connected to the power supply voltage VCC, one end connected to the emitter of the transistor q71, and the other end connected to the positive phase signal output terminal OT of the emitter follower 6. A resistor r71, one end connected to the positive phase signal output terminal OT, the other end connected to the power supply voltage VEE, one end connected to the emitter of the transistor q72, and the other end to the negative phase signal of the emitter follower 6. The resistor r73 connected to the output terminal OC, one end connected to the negative phase signal output terminal OC, and the other end to the power supply voltage VEE. The connected resistor r74, one end connected to the emitter of the transistor q71, the other end connected to the positive phase signal output terminal OT, one end connected to the emitter of the transistor q72, and the other end to the negative phase signal. And a capacitor c72 connected to the output terminal OC.

エミッタフォロワ6の正相信号入力端子(トランジスタq71のベース)は、差動アンプ5の正相信号出力端子(ノードn51)と接続され、エミッタフォロワ6の逆相信号入力端子(トランジスタq72のベース)は、差動アンプ5の逆相信号出力端子(ノードn52)と接続される。エミッタフォロワ6の正相信号出力端子OTは、Cherry−Hooper型差動アンプ7の正相信号入力端子IT4と接続され、エミッタフォロワ6の逆相信号出力端子OCは、Cherry−Hooper型差動アンプ7の逆相信号入力端子IC4と接続される。   The positive phase signal input terminal (base of the transistor q71) of the emitter follower 6 is connected to the positive phase signal output terminal (node n51) of the differential amplifier 5, and the negative phase signal input terminal of the emitter follower 6 (base of the transistor q72). Is connected to the negative-phase signal output terminal (node n52) of the differential amplifier 5. The positive-phase signal output terminal OT of the emitter follower 6 is connected to the positive-phase signal input terminal IT4 of the Cherry-Hooper type differential amplifier 7, and the negative-phase signal output terminal OC of the emitter follower 6 is the Cherry-Hooper type differential amplifier. 7 reverse-phase signal input terminal IC4.

ここで、平衡時に抵抗r71〜r74には1mAの電流が流れるようにエミッタフォロワ6が設計されている。第1の実施の形態および第2の実施の形態においては、エミッタフォロワ2を流れる電流は2mAであったが、本実施の形態では低消費電流動作を指向し1mAに設定・設計されている。トランジスタq71,q72のコレクタ電流1mA時のベース−エミッタ間オン電圧は0.9Vである。第1の実施の形態および第2の実施の形態の場合と比較して、エミッタフォロワ6を構成するトランジスタq71,q72のコレクタ電流が半分になり、その結果としてベース−エミッタ間オン電圧が0.05V低下している。   Here, the emitter follower 6 is designed so that a current of 1 mA flows through the resistors r71 to r74 at equilibrium. In the first embodiment and the second embodiment, the current flowing through the emitter follower 2 is 2 mA. However, in this embodiment, the current is directed to low current consumption operation and set and designed to 1 mA. The base-emitter on-voltage of the transistors q71 and q72 when the collector current is 1 mA is 0.9V. Compared with the case of the first and second embodiments, the collector currents of the transistors q71 and q72 constituting the emitter follower 6 are halved. As a result, the base-emitter on-voltage is 0. It has dropped by 05V.

以上から、トランジスタq71,q72のエミッタの電位(ノードn71,n72の電位)は、ベースの電位(ノードn51,n52の電位)2.8Vから0.9V低下した1.9Vとなっている。ここで、後段のCherry−Hooper型差動アンプ7の入力電位が+1.5Vであることから、本エミッタフォロワ6の出力電位も+1.5Vである必要がある。エミッタフォロワ6の出力電位はノードn71,n72の電位から抵抗r71,r73の電位降下分だけ低下した電位となることから、抵抗r71,r73の電位降下分を0.4Vとすることで、本エミッタフォロワ6の出力電位は+1.5Vとなる。   From the above, the emitter potentials of the transistors q71 and q72 (the potentials of the nodes n71 and n72) are 1.9V, which is 0.9V lower than the base potential (the potentials of the nodes n51 and n52) of 2.8V. Here, since the input potential of the later-stage Cherry-Hooper type differential amplifier 7 is + 1.5V, the output potential of the emitter follower 6 also needs to be + 1.5V. Since the output potential of the emitter follower 6 becomes a potential that is lowered from the potential of the nodes n71 and n72 by the potential drop of the resistors r71 and r73, the potential drop of the resistors r71 and r73 is set to 0.4 V, thereby The output potential of the follower 6 is + 1.5V.

抵抗r71,r73を流れる電流が1mAで、得たい電位降下分が0.4Vであるので、抵抗r71,r73の値として0.4V/1mA=400Ωが設定されている。また、抵抗r71,r73と並列に接続されている容量c71,c72は、第1の実施の形態および第2の実施の形態と同様に、高周波になるほどエミッタフォロワ6の出力インピーダンスを低下させて、高周波領域におけるエミッタフォロワ6のCherry−Hooper型差動アンプ7に対する入力駆動パワーを上昇させるための容量である。   Since the current flowing through the resistors r71 and r73 is 1 mA and the potential drop to be obtained is 0.4 V, the value of the resistors r71 and r73 is set to 0.4 V / 1 mA = 400Ω. Also, the capacitors c71 and c72 connected in parallel with the resistors r71 and r73 reduce the output impedance of the emitter follower 6 as the frequency becomes higher, as in the first and second embodiments. This is a capacitance for increasing the input drive power to the Cherry-Hooper type differential amplifier 7 of the emitter follower 6 in the high frequency region.

以上のように、本実施の形態のエミッタフォロワ6は、後段のCherry−Hooper型差動アンプ7が必要とする入力電位を出力電位として有することで後段のCherry−Hooper型差動アンプ7との接続を可能とすると同時に、特に高周波領域で必要となる、Cherry−Hooper型差動アンプ7に対する入力駆動パワーを損なうことなく提供する。また、前段の差動アンプ5およびエミッタフォロワ6が第1の実施の形態と同様の高速・高周波動作を実現し、後段のCherry−Hooper型差動アンプ7がより高速・高周波動作可能な構成であることから、本実施の形態の差動アンプ回路によれば、第1の実施の形態と同等以上の高速・高周波動作が可能となる。   As described above, the emitter follower 6 according to the present embodiment has the input potential required by the later-stage Cherry-Hooper type differential amplifier 7 as the output potential, so that At the same time as enabling connection, the input drive power for the Cherry-Hooper type differential amplifier 7 which is required particularly in the high frequency region is provided without impairing. In addition, the differential amplifier 5 and the emitter follower 6 in the previous stage realize the same high-speed and high-frequency operation as in the first embodiment, and the Cherry-Hooper type differential amplifier 7 in the subsequent stage can operate at a higher speed and a higher frequency. Therefore, according to the differential amplifier circuit of the present embodiment, high-speed and high-frequency operation equivalent to or higher than that of the first embodiment is possible.

更に、本実施の形態においても、図8に示したような緩衝差動アンプ203およびエミッタフォロワ204の追加を必要としない。よって、本実施の形態においても、図8の従来例で顕在化する消費電力の増大および温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大といった問題を解決することができる。図8の従来例と比較して、本実施の形態において温度変動時や電源電圧変動時の利得変動量の増大が抑えられるのは、緩衝差動アンプ203を追加しないため、緩衝差動アンプ203の利得変動量が重畳されないためである。   Furthermore, in this embodiment, it is not necessary to add the buffer differential amplifier 203 and the emitter follower 204 as shown in FIG. Therefore, the present embodiment can also solve problems such as an increase in power consumption and an increase in gain fluctuation amount at the time of temperature fluctuation and power supply voltage fluctuation, which are manifested in the conventional example of FIG. Compared with the conventional example of FIG. 8, the increase in the gain fluctuation amount at the time of temperature fluctuation or power supply voltage fluctuation can be suppressed in this embodiment because the buffer differential amplifier 203 is not added. This is because the amount of gain fluctuation is not superimposed.

なお、本発明は、第1〜第3の実施の形態の構成に限るものではなく、第1〜第3の実施の形態を適宜組み合わせてもよいことは言うまでもない。   The present invention is not limited to the configurations of the first to third embodiments, and it goes without saying that the first to third embodiments may be appropriately combined.

本発明は、高速・高周波で動作する複数の差動アンプ間を接続する技術に適用することができる。   The present invention can be applied to a technique for connecting a plurality of differential amplifiers operating at high speed and high frequency.

1,3…ギルバートセル型差動アンプ、2,6…エミッタフォロワ、4…カスコード型差動アンプ、5…差動アンプ、7…Cherry−Hooper型差動アンプ、q11〜q16,q21〜q26,q31,q32,q41〜q44,q51,q52,q61〜q64,q71,q72…トランジスタ、I11,I12,I21,I22,I41,I42,I51,I52,I61,I62…電流源、r11〜r13,r21〜r23,r31〜r34,r41〜r43,r51〜r53,r61〜r64,r71〜r74…抵抗、c31,c32,c71,c72…容量。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,3 ... Gilbert cell type | mold differential amplifier, 2,6 ... Emitter follower, 4 ... Cascode type | mold differential amplifier, 5 ... Differential amplifier, 7 ... Cherry-Hooper type | mold differential amplifier, q11-q16, q21-q26, q31, q32, q41 to q44, q51, q52, q61 to q64, q71, q72 ... transistors, I11, I12, I21, I22, I41, I42, I51, I52, I61, I62 ... current sources, r11 to r13, r21 ˜r23, r31 to r34, r41 to r43, r51 to r53, r61 to r64, r71 to r74... Resistance, c31, c32, c71, c72.

Claims (7)

第1のエミッタフォロワと、
第2のエミッタフォロワとを備え、
前記第1のエミッタフォロワは、
ベースが正相信号入力端子に接続され、コレクタが第1の電源電圧に接続された第1のトランジスタと、
一端が前記第1のトランジスタのエミッタに接続され、他端が正相信号出力端子に接続された第1の抵抗と、
一端が前記正相信号出力端子に接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第2の抵抗と、
前記第1の抵抗と並列に接続される第1の容量とから構成され、
前記第2のエミッタフォロワは、
ベースが逆相信号入力端子に接続され、コレクタが第1の電源電圧に接続された第2のトランジスタと、
一端が前記第2のトランジスタのエミッタに接続され、他端が逆相信号出力端子に接続された第3の抵抗と、
一端が前記逆相信号出力端子に接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の抵抗と、
前記第3の抵抗と並列に接続される第2の容量とから構成されることを特徴とする差動アンプ接続回路。
A first emitter follower;
A second emitter follower,
The first emitter follower is:
A first transistor having a base connected to a positive phase signal input terminal and a collector connected to a first power supply voltage;
A first resistor having one end connected to the emitter of the first transistor and the other end connected to the positive-phase signal output terminal;
A second resistor having one end connected to the positive phase signal output terminal and the other end connected to a second power supply voltage;
A first capacitor connected in parallel with the first resistor;
The second emitter follower is:
A second transistor having a base connected to the negative-phase signal input terminal and a collector connected to the first power supply voltage;
A third resistor having one end connected to the emitter of the second transistor and the other end connected to the negative-phase signal output terminal;
A fourth resistor having one end connected to the negative-phase signal output terminal and the other end connected to a second power supply voltage;
A differential amplifier connection circuit comprising: a second capacitor connected in parallel with the third resistor.
第1の差動アンプと、
第2の差動アンプと、
前記第1の差動アンプと前記第2の差動アンプとの間を接続する、請求項1記載の差動アンプ接続回路とを備えることを特徴とする差動アンプ回路。
A first differential amplifier;
A second differential amplifier;
The differential amplifier circuit comprising: the differential amplifier connection circuit according to claim 1, wherein the differential amplifier connection circuit connects the first differential amplifier and the second differential amplifier.
請求項2記載の差動アンプ回路において、
前記第1の差動アンプは、ギルバートセル型差動アンプであり、
ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第1の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第3、第4のトランジスタと、
ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第1の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第5、第6のトランジスタと、
ベースが第1の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続され、コレクタが前記第3、第4のトランジスタのエミッタ、前記第5、第6のトランジスタのエミッタに接続された下部差動対を構成する第7、第8のトランジスタと、
一端が前記第7のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第1の電流源と、
一端が前記第8のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第2の電流源と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第3、第5のトランジスタのコレクタに接続された第5の抵抗と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第4、第6のトランジスタのコレクタに接続された第6の抵抗と、
一端が前記第7のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記8のトランジスタのエミッタに接続された第7の抵抗とから構成されることを特徴とする差動アンプ回路。
The differential amplifier circuit according to claim 2,
The first differential amplifier is a Gilbert cell differential amplifier;
Third and fourth transistors constituting an upper differential pair having a base connected to the gain control terminal and a collector connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal of the first differential amplifier;
Fifth and sixth transistors constituting an upper differential pair having a base connected to the gain control terminal and a collector connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal of the first differential amplifier;
The base is connected to the positive phase signal input terminal and the negative phase signal input terminal of the first differential amplifier, and the collector is connected to the emitters of the third and fourth transistors and the emitters of the fifth and sixth transistors. Seventh and eighth transistors constituting the lower differential pair;
A first current source having one end connected to the emitter of the seventh transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
A second current source having one end connected to the emitter of the eighth transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
A fifth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collectors of the third and fifth transistors;
A sixth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collectors of the fourth and sixth transistors;
And a seventh resistor having one end connected to the emitter of the seventh transistor and the other end connected to the emitter of the eighth transistor.
請求項2記載の差動アンプ回路において、
前記第1の差動アンプは、
ベースが第1の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続され、コレクタが第1の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された差動対を構成する第3、第4のトランジスタと、
一端が前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第1の電流源と、
一端が前記第4のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第2の電流源と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第3のトランジスタのコレクタに接続された第5の抵抗と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第4のトランジスタのコレクタに接続された第6の抵抗と、
一端が前記第3のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第4のトランジスタのエミッタに接続された第7の抵抗とから構成されることを特徴とする差動アンプ回路。
The differential amplifier circuit according to claim 2,
The first differential amplifier is:
A differential whose base is connected to the positive phase signal input terminal and negative phase signal input terminal of the first differential amplifier, and whose collector is connected to the negative phase signal output terminal and positive phase signal output terminal of the first differential amplifier Third and fourth transistors constituting a pair;
A first current source having one end connected to the emitter of the third transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
A second current source having one end connected to the emitter of the fourth transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
A fifth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collector of the third transistor;
A sixth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collector of the fourth transistor;
A differential amplifier circuit comprising: a seventh resistor having one end connected to the emitter of the third transistor and the other end connected to the emitter of the fourth transistor.
請求項2乃至4のいずれか1項に記載の差動アンプ回路において、
前記第2の差動アンプは、ギルバートセル型差動アンプであり、
ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第2の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第9、第10のトランジスタと、
ベースが利得制御端子に接続され、コレクタが第2の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続された上部差動対を構成する第11、第12のトランジスタと、
ベースが第2の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続され、コレクタが前記第9、第10のトランジスタのエミッタ、前記第11、第12のトランジスタのエミッタに接続された下部差動対を構成する第13、第14のトランジスタと、
一端が前記第13のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第3の電流源と、
一端が前記第14のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の電流源と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第9、第11のトランジスタのコレクタに接続された第8の抵抗と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第10、第12のトランジスタのコレクタに接続された第9の抵抗と、
一端が前記第13のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第14のトランジスタのエミッタに接続された第10の抵抗とから構成されることを特徴とする差動アンプ回路。
The differential amplifier circuit according to any one of claims 2 to 4,
The second differential amplifier is a Gilbert cell differential amplifier;
Ninth and tenth transistors constituting an upper differential pair having a base connected to the gain control terminal and a collector connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal of the second differential amplifier;
Eleventh and twelfth transistors constituting an upper differential pair having a base connected to the gain control terminal and a collector connected to the negative-phase signal output terminal and the positive-phase signal output terminal of the second differential amplifier;
The base is connected to the positive phase signal input terminal and the negative phase signal input terminal of the second differential amplifier, and the collector is connected to the emitters of the ninth and tenth transistors and the emitters of the eleventh and twelfth transistors. Thirteenth and fourteenth transistors constituting the lower differential pair;
A third current source having one end connected to the emitter of the thirteenth transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
A fourth current source having one end connected to the emitter of the fourteenth transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
An eighth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collectors of the ninth and eleventh transistors;
A ninth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collectors of the tenth and twelfth transistors;
A differential amplifier circuit comprising: a tenth resistor having one end connected to the emitter of the thirteenth transistor and the other end connected to the emitter of the fourteenth transistor.
請求項2乃至4のいずれか1項に記載の差動アンプ回路において、
前記第2の差動アンプは、カスコード型差動アンプであり、
ベースが第2の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続された下部差動対を構成する第9、第10のトランジスタと、
ベースがバイアス端子に接続され、コレクタが第2の差動アンプの逆相信号出力端子、正相信号出力端子に接続され、エミッタが前記第9、第10のトランジスタのコレクタに接続された上部差動対を構成する第11、第12のトランジスタと、
一端が前記第9のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第3の電流源と、
一端が前記第10のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の電流源と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第11のトランジスタのコレクタに接続された第8の抵抗と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第12のトランジスタのコレクタに接続された第9の抵抗と、
一端が前記第9のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第10のトランジスタのエミッタに接続された第10の抵抗とから構成されることを特徴とする差動アンプ回路。
The differential amplifier circuit according to any one of claims 2 to 4,
The second differential amplifier is a cascode differential amplifier;
Ninth and tenth transistors that form a lower differential pair whose base is connected to the positive-phase signal input terminal and the negative-phase signal input terminal of the second differential amplifier;
An upper difference in which the base is connected to the bias terminal, the collector is connected to the negative phase signal output terminal and the positive phase signal output terminal of the second differential amplifier, and the emitter is connected to the collectors of the ninth and tenth transistors. Eleventh and twelfth transistors constituting a dynamic pair;
A third current source having one end connected to the emitter of the ninth transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
A fourth current source having one end connected to the emitter of the tenth transistor and the other end connected to a second power supply voltage;
An eighth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collector of the eleventh transistor;
A ninth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the collector of the twelfth transistor;
A differential amplifier circuit comprising: a tenth resistor having one end connected to the emitter of the ninth transistor and the other end connected to the emitter of the tenth transistor.
請求項2乃至4のいずれか1項に記載の差動アンプ回路において、
前記第2の差動アンプは、Cherrry−Hooper型差動アンプであり、
ベースが第2の差動アンプの正相信号入力端子、逆相信号入力端子に接続された下部差動対を構成する第9、第10のトランジスタと、
ベースが第2の差動アンプの正相信号出力端子、逆相信号出力端子に接続され、コレクタが第1の電源電圧に接続された上部差動対を構成する第11、第12のトランジスタと、
ベースが前記第9、第10のトランジスタのコレクタに接続され、コレクタが第2の差動アンプの正相信号出力端子、逆相信号出力端子に接続された中部差動対を構成する第13、第14のトランジスタと、
一端が前記第9、第10のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第3の電流源と、
一端が前記第13、第14のトランジスタのエミッタに接続され、他端が第2の電源電圧に接続された第4の電流源と、
一端が前記第11のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第9のトランジスタのコレクタおよび前記第13のトランジスタのベースに接続された第8の抵抗と、
一端が第12のトランジスタのエミッタに接続され、他端が前記第10のトランジスタのコレクタおよび前記第14のトランジスタのベースに接続された第9の抵抗と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第11のトランジスタのベースおよび前記第13のトランジスタのコレクタに接続された第10の抵抗と、
一端が第1の電源電圧に接続され、他端が前記第12のトランジスタのベースおよび前記第14のトランジスタのコレクタに接続された第11の抵抗とから構成されることを特徴とする差動アンプ回路。
The differential amplifier circuit according to any one of claims 2 to 4,
The second differential amplifier is a Cherry-Hooper type differential amplifier,
Ninth and tenth transistors that form a lower differential pair whose base is connected to the positive-phase signal input terminal and the negative-phase signal input terminal of the second differential amplifier;
Eleventh and twelfth transistors constituting an upper differential pair having a base connected to the positive phase signal output terminal and the negative phase signal output terminal of the second differential amplifier and a collector connected to the first power supply voltage; ,
A thirteenth, constituting a middle differential pair having a base connected to the collectors of the ninth and tenth transistors and a collector connected to the positive phase signal output terminal and the negative phase signal output terminal of the second differential amplifier. A fourteenth transistor;
A third current source having one end connected to the emitters of the ninth and tenth transistors and the other end connected to a second power supply voltage;
A fourth current source having one end connected to the emitters of the thirteenth and fourteenth transistors and the other end connected to a second power supply voltage;
An eighth resistor having one end connected to the emitter of the eleventh transistor and the other end connected to the collector of the ninth transistor and the base of the thirteenth transistor;
A ninth resistor having one end connected to the emitter of the twelfth transistor and the other end connected to the collector of the tenth transistor and the base of the fourteenth transistor;
A tenth resistor having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the base of the eleventh transistor and the collector of the thirteenth transistor;
A differential amplifier having one end connected to the first power supply voltage and the other end connected to the base of the twelfth transistor and the collector of the fourteenth transistor circuit.
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