JP2014066739A - Method of manufacturing sealing element - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel technique for forming a cell structure of a glass substrate and a film substrate.SOLUTION: A method of manufacturing a sealing element includes the steps of; preparing a glass substrate which includes a cell formation region and an outside region of the cell formation region and has a thermosetting sealant formed on the cell formation region; disposing, on the glass substrate, a film member which includes a film substrate part to be disposed on the cell formation region and a dummy film substrate part arranged on the outside of the film substrate part and has the film substrate part completely or partially separated from the dummy film substrate part; hardening the thermosetting sealant by heat press to form an empty cell having a structure where the glass substrate and the film substrate part face each other; and removing the dummy film substrate part from on the glass substrate.

Description

本発明は、例えば液晶等が封止された封止素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a sealing element in which, for example, liquid crystal is sealed.

液晶素子の製造技術において、ガラス基板とガラス基板とを対向させてセル構造を形成する方法に替えて、ガラス基板とプラスチック基板とを対向させてセル構造を形成する方法が提案されている(例えば特許文献1参照)。   In the manufacturing technology of a liquid crystal element, a method of forming a cell structure by making a glass substrate and a plastic substrate face each other is proposed instead of a method of forming a cell structure by making a glass substrate and a glass substrate face each other (for example, Patent Document 1).

プラスチック基板として、プラスチックフィルム基板を用いることが考えられる。ガラス基板とフィルム基板とでセル構造を形成しようとするとき、種々の新たな技術的困難が生じ得る。   It is conceivable to use a plastic film substrate as the plastic substrate. When trying to form a cell structure with a glass substrate and a film substrate, various new technical difficulties can arise.

特開2002−268042号公報JP 2002-268042 A

本発明の一目的は、ガラス基板とフィルム基板とでセル構造を形成するための新規な技術を提供することである。   An object of the present invention is to provide a novel technique for forming a cell structure with a glass substrate and a film substrate.

本発明の一観点によれば、
セル形成領域と前記セル形成領域の外側領域とを含み、前記セル形成領域上に熱硬化性シール材が形成されたガラス基板を準備する工程と、
前記セル形成領域上に配置されるフィルム基板部分と、前記フィルム基板部分の外側に配置されるダミーフィルム基板部分とを含み、前記フィルム基板部分が、前記ダミーフィルム基板部分から完全に切り離されているか、または、部分的に切り離されているフィルム部材を、前記ガラス基板上に配置する工程と、
熱プレスにより前記熱硬化性シール材を硬化させ、前記ガラス基板と前記フィルム基板部分とが対向した構造の空セルを形成する工程と、
前記ガラス基板上から前記ダミーフィルム基板部分を除去する工程と
を有する封止素子の製造方法
が提供される。
According to one aspect of the present invention,
Including a cell forming region and an outer region of the cell forming region, and preparing a glass substrate having a thermosetting sealing material formed on the cell forming region;
Whether the film substrate portion includes a film substrate portion disposed on the cell formation region and a dummy film substrate portion disposed outside the film substrate portion, and the film substrate portion is completely separated from the dummy film substrate portion. Or a step of disposing a partially separated film member on the glass substrate;
Curing the thermosetting sealing material by hot pressing to form an empty cell having a structure in which the glass substrate and the film substrate portion face each other;
And a step of removing the dummy film substrate portion from the glass substrate.

フィルム基板部分の外側にダミーフィルム基板部分が配置された状態で、熱プレスが行われることにより、熱プレスに起因するガラス基板の損傷を抑制することができる。   By performing the hot press in a state where the dummy film substrate portion is disposed outside the film substrate portion, it is possible to suppress damage to the glass substrate due to the hot press.

図1は、第1実施例及び第2実施例による液晶表示素子の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment and a second embodiment. 図2A〜図2Cは、第1実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。2A to 2C are schematic perspective views showing main steps of the method of manufacturing the liquid crystal display element according to the first embodiment. 図2D〜図2Gは、第1実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。2D to 2G are schematic perspective views illustrating main processes of the method of manufacturing the liquid crystal display element according to the first embodiment. 図3A〜図3Cは、第2実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。FIG. 3A to FIG. 3C are schematic perspective views showing main steps of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment. 図3D〜図3Gは、第2実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。3D to 3G are schematic perspective views illustrating main processes of the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the second embodiment. 図4は、第3実施例による液晶表示素子の概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the third embodiment. 図5A〜図5Cは、第4実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。FIG. 5A to FIG. 5C are schematic perspective views showing main steps of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the fourth embodiment.

図1を参照して、本発明の第1実施例及び第2実施例による液晶表示素子について説明する。図1は、第1実施例及び第2実施例による垂直配向(VA)型液晶表示素子の概略構造を示す断面図である。   With reference to FIG. 1, liquid crystal display elements according to first and second embodiments of the present invention will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic structure of a vertical alignment (VA) type liquid crystal display device according to a first embodiment and a second embodiment.

液晶セルを形成する一対の透明基板1及び11のうち、一方はガラス基板1であり、他方はフィルム基板11である。ガラス基板1は、厚さが例えば0.3mm〜0.4mmである。基板を曲げた状態で使用する液晶素子では、ガラス基板1の厚さは0.4mm以下が好ましい。ガラス基板1の厚さは、必要に応じ適当に選択することができる。なお、ガラス基板1の厚さが0.7mm以上であると、強度が高くなり、曲げた状態での使用には適さない。   One of the pair of transparent substrates 1 and 11 forming the liquid crystal cell is a glass substrate 1 and the other is a film substrate 11. The glass substrate 1 has a thickness of, for example, 0.3 mm to 0.4 mm. In the liquid crystal element used with the substrate bent, the thickness of the glass substrate 1 is preferably 0.4 mm or less. The thickness of the glass substrate 1 can be appropriately selected as necessary. In addition, when the thickness of the glass substrate 1 is 0.7 mm or more, the strength is increased and it is not suitable for use in a bent state.

フィルム基板11は、可撓性を有するプラスチックフィルムである。表示素子を形成する場合、フィルム基板11は、面内位相差が小さい材料で形成することが好ましく、面内位相差が小さい材料として、例えばポリカーボネートを用いることができる。フィルム基板11の厚さは、例えば100μm〜130μm程度である。   The film substrate 11 is a plastic film having flexibility. When forming a display element, it is preferable to form the film substrate 11 with a material with a small in-plane retardation, and polycarbonate can be used as a material with a small in-plane retardation, for example. The thickness of the film substrate 11 is, for example, about 100 μm to 130 μm.

ガラス基板1とフィルム基板11との間に、液晶層4が挟まれている。ガラス基板1及びフィルム基板11のそれぞれについて、液晶層側内面に電極層2、12が形成され、電極層2、12上に配向膜3、13が形成されている。ガラス基板1及びフィルム基板11の外側に、それぞれ、偏光板5及び15が配置されている。   A liquid crystal layer 4 is sandwiched between the glass substrate 1 and the film substrate 11. For each of the glass substrate 1 and the film substrate 11, electrode layers 2 and 12 are formed on the inner surface on the liquid crystal layer side, and alignment films 3 and 13 are formed on the electrode layers 2 and 12. Polarizing plates 5 and 15 are disposed outside the glass substrate 1 and the film substrate 11, respectively.

次に、第1実施例及び第2実施例による液晶表示素子の製造方法について説明する。一枚のマザーガラス基板から複数個の液晶セルを取る多面取りを行う。まず、第1実施例及び第2実施例に共通な工程について説明する。   Next, a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the first and second embodiments will be described. Multi-cavity taking a plurality of liquid crystal cells from one mother glass substrate is performed. First, steps common to the first and second embodiments will be described.

マザーガラス基板となるガラス基板として、例えば、大きさが150mm×150mmで、厚さが0.3mmの白板ガラスを用意する。ガラス基板に、例えば、インジウムスズ酸化物(ITO)層をスパッタリングで厚さ200nm成膜して、電極層を形成する。電極層を、所望の表示に対応する形状となるように、例えば、リソグラフィー及びウエットエッチングによりパターニングする。   As a glass substrate to be a mother glass substrate, for example, white plate glass having a size of 150 mm × 150 mm and a thickness of 0.3 mm is prepared. For example, an indium tin oxide (ITO) layer is formed into a thickness of 200 nm by sputtering on a glass substrate to form an electrode layer. The electrode layer is patterned by lithography and wet etching, for example, so as to have a shape corresponding to a desired display.

電極層を形成したガラス基板上に、非導電性黒色遮光樹脂膜をスピンナーで成膜し、仮焼成する。スペーサのパターンを有するフォトマスクを用いて遮光樹脂膜を露光し、現像を行った後、遮光樹脂膜を焼成して、遮光樹脂膜によるスペーサを形成する。スペーサのパターンは、例えば、一辺20μmの菱形形状のスペーサが、上下左右100μmピッチで配置されたものである。   On the glass substrate on which the electrode layer is formed, a non-conductive black light-shielding resin film is formed with a spinner and temporarily fired. The light shielding resin film is exposed and developed using a photomask having a spacer pattern, and then the light shielding resin film is baked to form a spacer made of the light shielding resin film. The spacer pattern is, for example, a diamond-shaped spacer having a side of 20 μm arranged at a pitch of 100 μm vertically and horizontally.

さらに、感光性透光樹脂膜をスピンナーで成膜し、仮焼成する。遮光樹脂膜によるスペーサのパターンと同様なパターンを有するフォトマスクを用いて透光樹脂膜を露光し、現像を行った後、透光樹脂膜を焼成する。このようにして、ガラス基板上に、遮光樹脂膜と透光樹脂膜との積層構造のスペーサが形成される。スペーサの積層厚さは、例えば約3.3μmである。なお、透光樹脂膜単層のスペーサとしてもよい。   Further, a photosensitive translucent resin film is formed with a spinner and pre-baked. The light-transmitting resin film is exposed and developed using a photomask having a pattern similar to the spacer pattern of the light-blocking resin film, and then the light-transmitting resin film is baked. In this manner, a spacer having a laminated structure of a light shielding resin film and a light transmitting resin film is formed on the glass substrate. The spacer thickness is, for example, about 3.3 μm. Note that the spacer may be a single layer of translucent resin film.

電極層が形成されたフィルム部材として、例えば、帝人デュポン製ポリカーボネートフィルム上に、30Ω□の透明導電膜が全面に形成され、大きさがマザーガラス基板とほぼ等しく、透明導電膜を含めた厚さが略120μm(透明導電膜の厚さはおそらく200nm程度)のものを用意する。   As a film member on which an electrode layer is formed, for example, a 30Ω □ transparent conductive film is formed on the entire surface of a Teijin DuPont polycarbonate film, and the thickness is approximately the same as the mother glass substrate. Is approximately 120 μm (the thickness of the transparent conductive film is probably about 200 nm).

フィルム部材上の電極層を、所望の表示に対応する形状となるようにパターニングする。フィルム部材上の電極層に対して、レーザ光照射により透明導電膜を蒸発させてパターニングを行うレーザエッチング(アブレーション)を用いることができる。レーザエッチングは、ウエットエッチングによるパターニングで用いられる酸性薬液(塩酸等)への耐性が低いフィルム材料に対しても用いることができる。   The electrode layer on the film member is patterned so as to have a shape corresponding to a desired display. Laser etching (ablation) for patterning by evaporating the transparent conductive film by laser light irradiation can be used for the electrode layer on the film member. Laser etching can also be used for film materials that have low resistance to acidic chemicals (such as hydrochloric acid) used in patterning by wet etching.

引き続き、第1実施例による液晶表示素子の製造方法について説明する。ガラス基板及びフィルム部材に、それぞれ、配向膜を形成する。例えば、表面自由エネルギーが35mN/m〜38mN/mである日産化学製垂直配向膜を、フレキソ印刷により、各液晶セルのシール枠内にパターン印刷する。90℃、15分の仮焼成を行い、180℃、30分の本焼成を行う。次に、ガラス基板側の配向膜にラビング処理を行う。配向膜形成後、フィルム部材から、各液晶セルの基板として使用される部分であるフィルム基板を切り取る。   Subsequently, a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described. An alignment film is formed on each of the glass substrate and the film member. For example, a vertical alignment film manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. having a surface free energy of 35 mN / m to 38 mN / m is pattern-printed in a seal frame of each liquid crystal cell by flexographic printing. Pre-baking is performed at 90 ° C. for 15 minutes, and main baking is performed at 180 ° C. for 30 minutes. Next, a rubbing process is performed on the alignment film on the glass substrate side. After the alignment film is formed, a film substrate which is a portion used as a substrate of each liquid crystal cell is cut out from the film member.

図2A〜図2Gは、第1実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。   2A to 2G are schematic perspective views showing main steps of the method of manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment.

図2Aを参照する。配向膜を形成しラビング処理を行ったガラス基板1上に、熱硬化性のシール材21を形成する。熱硬化性シール材21として、焼成温度が例えば70℃以下の低温のものを用いることが好ましく、例えば、70℃で焼成可能なエポキシ系のシール材を用いることができる。   Refer to FIG. 2A. A thermosetting sealing material 21 is formed on the glass substrate 1 on which the alignment film has been formed and subjected to the rubbing treatment. As the thermosetting sealing material 21, it is preferable to use a low-temperature one having a firing temperature of, for example, 70 ° C. or less, and for example, an epoxy-based sealing material that can be fired at 70 ° C. can be used.

より具体的には、例えば、粒径3.2μmのシリカ粒子が2wt%添加された三井化学製シール材を、各液晶セル形成領域22において、ガラス基板1とフィルム基板11の対向部分の外周より1mm内側に、ディスペンサーにより塗布する。   More specifically, for example, a Mitsui Chemicals sealing material to which 2 wt% of silica particles having a particle diameter of 3.2 μm are added is formed from the outer periphery of the facing portion of the glass substrate 1 and the film substrate 11 in each liquid crystal cell formation region 22. Apply 1 mm inside with a dispenser.

なお、ガラス基板1とフィルム基板11との間の導通パッド部では、例えば、粒径3.5μmの金コートプラスチック粒子が2wt%、上記シリカ粒子に加えて添加されている。また、図2Aにおいて各液晶セルの右側縁部に、真空注入用の注入口が配置されている。   In the conductive pad portion between the glass substrate 1 and the film substrate 11, for example, 2 wt% of gold-coated plastic particles having a particle size of 3.5 μm is added in addition to the silica particles. Further, in FIG. 2A, an injection port for vacuum injection is disposed at the right edge of each liquid crystal cell.

図2Bを参照する。図2Bは、全体のフィルム部材から切り取られた、各液晶セルのフィルム基板部分11を示す。   Refer to FIG. 2B. FIG. 2B shows the film substrate portion 11 of each liquid crystal cell cut from the entire film member.

図2Cを参照する。図2Cは、全体のフィルム部材からフィルム基板部分11が切り取られた残りの部分であるダミーフィルム基板11aを示す。ダミーフィルム基板部分11aに、斜線のハッチングを付す。なお、ダミーフィルム基板部分11aは、全体のフィルム部材の四隅の部分が、後の工程における紫外線硬化性接着剤の配置部分として、さらに切り取られている。   Refer to FIG. 2C. FIG. 2C shows a dummy film substrate 11a which is a remaining portion obtained by cutting the film substrate portion 11 from the entire film member. The dummy film substrate portion 11a is hatched. In addition, as for the dummy film board | substrate part 11a, the four corner parts of the whole film member are further cut off as an arrangement | positioning part of the ultraviolet curable adhesive in a next process.

ダミーフィルム基板11aは、後述のように、シール材の熱プレス時にフィルム基板11の外側に配置されてガラス基板1の損傷を抑制し、熱プレスの終了後は除去されるものである。   As will be described later, the dummy film substrate 11a is disposed outside the film substrate 11 during hot pressing of the sealing material to suppress damage to the glass substrate 1, and is removed after the hot pressing is completed.

図2Dを参照する。シール材21が形成されたガラス基板1上の、各液晶セル形成領域22に、各フィルム基板11を位置合わせする。また、フィルム基板11の外側領域を覆うように、ダミーフィルム基板11aを位置合わせする。   Reference is made to FIG. 2D. Each film substrate 11 is aligned with each liquid crystal cell formation region 22 on the glass substrate 1 on which the sealing material 21 is formed. Further, the dummy film substrate 11 a is aligned so as to cover the outer region of the film substrate 11.

ダミーフィルム基板11aに覆われない、ガラス基板1の四隅の部分に、紫外線硬化性接着剤23を形成する。紫外線硬化性接着剤23として、例えば、アクリル系紫外線硬化樹脂を用いることができる。   UV curable adhesives 23 are formed on the four corners of the glass substrate 1 that are not covered with the dummy film substrate 11a. As the ultraviolet curable adhesive 23, for example, an acrylic ultraviolet curable resin can be used.

熱プレス用基板24を、ガラス基板1と重ね合わせる。なお、図示の煩雑さを避けるため、図2Dでは、熱プレス用基板24をガラス基板1から離して示している。熱プレス用基板24として、例えば、マザーガラス基板1と大きさ及び厚さが等しいガラス基板を用いることができる。   The hot press substrate 24 is superposed on the glass substrate 1. In addition, in order to avoid the complexity of illustration, in FIG. 2D, the hot-press substrate 24 is shown separated from the glass substrate 1. As the hot press substrate 24, for example, a glass substrate having the same size and thickness as the mother glass substrate 1 can be used.

紫外線硬化性接着剤23に紫外線を照射して硬化させ、熱プレス用基板24をガラス基板1に固定する。ガラス基板1と熱プレス用基板24とに挟まれることにより、フィルム基板11及びダミーフィルム基板11aの位置も固定される(フィルム基板11が仮止めされる)。   The ultraviolet curable adhesive 23 is irradiated with ultraviolet rays to be cured, and the hot press substrate 24 is fixed to the glass substrate 1. By being sandwiched between the glass substrate 1 and the hot press substrate 24, the positions of the film substrate 11 and the dummy film substrate 11a are also fixed (the film substrate 11 is temporarily fixed).

次に、熱プレスにより、熱硬化性シール材21を硬化し、ガラス基板1に各フィルム基板11を接着して、各液晶セルの空セルを形成する。熱硬化性シール材21の焼成条件は、例えば、70℃、30分である。ガラス基板1及び熱プレス用基板24の間に加える圧力は、例えば1.1kgf/cmである。熱プレス装置の治具は、基板を保持する金属板間にラバーや布等を挟むことにより、基板に掛かる衝撃を緩和することができる。 Next, the thermosetting sealing material 21 is cured by hot pressing, and each film substrate 11 is bonded to the glass substrate 1 to form an empty cell of each liquid crystal cell. The firing conditions of the thermosetting sealing material 21 are, for example, 70 ° C. and 30 minutes. The pressure applied between the glass substrate 1 and the hot press substrate 24 is, for example, 1.1 kgf / cm 2 . The jig of the hot press apparatus can alleviate the impact on the substrate by sandwiching rubber or cloth between the metal plates holding the substrate.

第1実施例の製造方法において、ダミーフィルム基板11aを配置しない場合を第1比較例とする。本願発明者は、第1比較例の方法では、熱プレスの衝撃をラバー等で緩和しても、ガラス基板1が割れ易いことを発見した。第1比較例の方法では、フィルム基板11の配置部分とその外側とで、フィルム厚さに起因する段差が生じることにより、このような割れが起こりやすいと考えられる。   In the manufacturing method of the first embodiment, the case where the dummy film substrate 11a is not disposed is taken as a first comparative example. The inventor of the present application has found that the glass substrate 1 is easily broken even when the impact of the hot press is reduced by rubber or the like in the method of the first comparative example. In the method of the first comparative example, it is considered that such a crack is likely to occur due to a step caused by the film thickness between the arrangement portion of the film substrate 11 and the outside thereof.

第1実施例の方法では、フィルム基板11の外側に、ダミーフィルム基板11aを配置することにより、フィルム状部材の配置されない段差領域を生じにくくしている。これにより、熱プレス時のガラス基板1の割れを抑制することができる。   In the method of the first embodiment, by arranging the dummy film substrate 11 a outside the film substrate 11, it is difficult to generate a step region where no film-like member is arranged. Thereby, the crack of the glass substrate 1 at the time of hot press can be suppressed.

図2Eを参照する。熱硬化性シール材21の硬化後、熱プレス用基板24を取り外し、ダミーフィルム基板11aを除去する。   Refer to FIG. 2E. After the thermosetting sealing material 21 is cured, the hot press substrate 24 is removed, and the dummy film substrate 11a is removed.

図2Fを参照する。マザーガラス基板1をスクライブして、各液晶セルを分離する。このようにして、個々の空セルが形成される。外部取り出し電極端子は、ガラス基板1側に形成されている。このため、各液晶セルは、外部取り出し電極端子の配置された一辺の部分25で、ガラス基板1がフィルム基板11よりも大きい。   Refer to FIG. 2F. The mother glass substrate 1 is scribed to separate the liquid crystal cells. In this way, individual empty cells are formed. The external extraction electrode terminal is formed on the glass substrate 1 side. For this reason, in each liquid crystal cell, the glass substrate 1 is larger than the film substrate 11 at a portion 25 on one side where the external extraction electrode terminals are arranged.

図2Gを参照する。空セルに液晶材料4を真空注入した後、注入口を紫外線硬化樹脂で封止する。例えば、DIC製のΔε<0、Δnが約0.1の液晶材料を用いることができる。   Reference is made to FIG. 2G. After the liquid crystal material 4 is vacuum-injected into the empty cell, the inlet is sealed with an ultraviolet curable resin. For example, a liquid crystal material manufactured by DIC having Δε <0 and Δn of about 0.1 can be used.

その後、外部取り出し電極端子部のガラス基板端面を面取りし、液晶セルを中性洗剤で洗浄し、乾燥させる。そして、セグメント基板(例えばガラス基板)の外側に、視角補償板と偏光板とを積層して貼り合わせ、コモン基板(例えばフィルム基板)の外側に、偏光板を貼り合わせる。例えば、面内位相差55nm、厚さ方向位相差220nmを有する負の二軸光学異方性の視角補償板を用いることができる。最後に、端子部にリードフレームを接続する。このようにして、第1実施例による液晶表示素子が形成される。   Thereafter, the glass substrate end face of the external extraction electrode terminal portion is chamfered, and the liquid crystal cell is washed with a neutral detergent and dried. Then, the viewing angle compensation plate and the polarizing plate are laminated and bonded to the outside of the segment substrate (for example, glass substrate), and the polarizing plate is bonded to the outside of the common substrate (for example, film substrate). For example, a negative biaxial optical anisotropy viewing angle compensator having an in-plane retardation of 55 nm and a thickness direction retardation of 220 nm can be used. Finally, a lead frame is connected to the terminal portion. In this way, the liquid crystal display element according to the first embodiment is formed.

次に、第2実施例による液晶表示素子の製造方法について説明する。ガラス基板上の電極層のパターニング、ガラス基板上へのスペーサ形成、及び、フィルム部材上の電極層のパターニングまでは、第1実施例と同様である。   Next, a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment will be described. The patterning of the electrode layer on the glass substrate, the formation of the spacer on the glass substrate, and the patterning of the electrode layer on the film member are the same as in the first embodiment.

第1実施例では、フィルム部材から、各液晶セルの基板として使用されるフィルム基板部分を完全に切り離した。第2実施例では、フィルム部材に、フィルム基板部分を部分的に切り離すハーフカットを施す。なお、フィルム基板部分を部分的に切り離す処理は、ハーフカットに限られず、例えば、ミシン目を形成してもよい。   In the first example, the film substrate portion used as the substrate of each liquid crystal cell was completely separated from the film member. In the second embodiment, the film member is subjected to a half cut that partially cuts the film substrate portion. In addition, the process which partly separates a film substrate part is not restricted to a half cut, For example, you may form a perforation.

ガラス基板及びフィルム部材に、それぞれ、配向膜を形成する。例えば、表面自由エネルギーが35mN/m〜38mN/mである日産化学製垂直配向膜を、フレキソ印刷により、各液晶セルのシール枠内にパターン印刷する。90℃、15分の仮焼成を行い、180℃、30分の本焼成を行う。次に、ガラス基板側の配向膜にラビング処理を行う。   An alignment film is formed on each of the glass substrate and the film member. For example, a vertical alignment film manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd. having a surface free energy of 35 mN / m to 38 mN / m is pattern-printed in a seal frame of each liquid crystal cell by flexographic printing. Pre-baking is performed at 90 ° C. for 15 minutes, and main baking is performed at 180 ° C. for 30 minutes. Next, a rubbing process is performed on the alignment film on the glass substrate side.

図3A〜図3Gは、第2実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。   3A to 3G are schematic perspective views showing main steps of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the second embodiment.

図3Aを参照する。第1実施例と同様にして、配向膜を形成しラビング処理を行ったガラス基板1上に、熱硬化性のシール材21を形成する。   Refer to FIG. 3A. In the same manner as in the first embodiment, a thermosetting sealing material 21 is formed on the glass substrate 1 on which the alignment film is formed and the rubbing process is performed.

図3Bを参照する。図3Bは、ハーフカット処理が施されたフィルム部材11bを示す。フィルム基板部分11とその外側部分(ダミーフィルム基板部分)11aとの境界部に、ハーフカット26が形成されている。ハーフカット26を、点線で示す。なお、フィルム部材11bの四隅の部分が、後の工程における紫外線硬化性接着剤の配置部分として切り取られている。   Refer to FIG. 3B. FIG. 3B shows the film member 11b that has been subjected to a half-cut process. A half cut 26 is formed at the boundary between the film substrate portion 11 and the outer portion (dummy film substrate portion) 11a. The half cut 26 is indicated by a dotted line. In addition, the four corner parts of the film member 11b are cut out as the arrangement | positioning part of the ultraviolet curable adhesive in a next process.

図3Cを参照する。シール材21が形成されたガラス基板1上に、フィルム部材11bを位置合わせする。フィルム部材11bが切り取られた、ガラス基板1の四隅の部分に、紫外線硬化性接着剤23を形成する。第1実施例と同様に、熱プレス用基板24を、ガラス基板1と重ね合わせる。なお、図示の煩雑さを避けるため、図3Cでは、熱プレス用基板24をガラス基板1から離して示している。   Refer to FIG. 3C. The film member 11b is aligned on the glass substrate 1 on which the sealing material 21 is formed. The ultraviolet curable adhesive 23 is formed at the four corners of the glass substrate 1 from which the film member 11b has been cut. Similar to the first embodiment, the hot press substrate 24 is superposed on the glass substrate 1. In addition, in order to avoid the complexity of illustration, in FIG. 3C, the hot-press substrate 24 is shown separately from the glass substrate 1.

その後、第1実施例と同様に、紫外線硬化性接着剤23を硬化させ熱プレス用基板24をガラス基板1に固定し、熱プレスにより熱硬化性シール材21を硬化させガラス基板1に各フィルム基板部分11を接着して、各液晶セルの空セルを形成する。   Thereafter, as in the first embodiment, the ultraviolet curable adhesive 23 is cured, the hot press substrate 24 is fixed to the glass substrate 1, the thermosetting sealing material 21 is cured by hot pressing, and each film is applied to the glass substrate 1. The substrate portion 11 is bonded to form an empty cell for each liquid crystal cell.

図3Dを参照する。熱硬化性シール材21の硬化後、熱プレス用基板24を取り外す。そして、フィルム部材11bから、フィルム基板11の外側部分であるダミーフィルム基板11aを、引き剥がして除去する。ハーフカット26により、ダミーフィルム基板部分11aのみを容易に引き剥がすことができる。   Reference is made to FIG. 3D. After the thermosetting sealing material 21 is cured, the hot press substrate 24 is removed. And the dummy film board | substrate 11a which is the outer part of the film board | substrate 11 is peeled off and removed from the film member 11b. With the half cut 26, only the dummy film substrate portion 11a can be easily peeled off.

図3Eを参照する。図3Eは、引き剥がされたダミーフィルム基板部分11aを示す。ダミーフィルム基板部分11aに、斜線のハッチングを付す。   Refer to FIG. 3E. FIG. 3E shows the dummy film substrate portion 11a that has been peeled off. The dummy film substrate portion 11a is hatched.

図3Fを参照する。第1実施例と同様に、マザーガラス基板1をスクライブして各液晶セルを分離する。   Reference is made to FIG. 3F. As in the first embodiment, the mother glass substrate 1 is scribed to separate the liquid crystal cells.

図3Gを参照する。第1実施例と同様に、空セルに液晶材料4を注入し、注入口を封止する。   Reference is made to FIG. 3G. As in the first embodiment, the liquid crystal material 4 is injected into the empty cell and the injection port is sealed.

さらに、偏光板の貼り合わせ等を行って、第2実施例による液晶表示素子が形成される。   Further, the liquid crystal display element according to the second embodiment is formed by attaching a polarizing plate or the like.

第2実施例の製造方法において、フィルム基板にハーフカット等の部分的な切り離し処理を施さない場合を、第2比較例とする。第2比較例の方法では、熱硬化性シール材の硬化後、フィルム基板を、カッター等で切り取る工程が必要となる。   In the manufacturing method of the second embodiment, the case where the film substrate is not subjected to a partial cutting process such as a half cut is defined as a second comparative example. The method of the second comparative example requires a step of cutting the film substrate with a cutter or the like after the thermosetting sealing material is cured.

上述のように、各液晶セルの外部取り出し電極端子はガラス基板側に形成されており、外部取り出し電極端子の配置部分25で、ガラス基板1がフィルム基板11よりも大きい。従って、外部取り出し電極端子の配置部分25の、フィルム基板11の縁は、ガラス基板1に形成された外部取り出し電極と交差する。第2比較例の方法では、フィルム基板をカッターで切り取る際に、外部取り出し電極を損傷させる恐れがある。   As described above, the external extraction electrode terminal of each liquid crystal cell is formed on the glass substrate side, and the glass substrate 1 is larger than the film substrate 11 in the arrangement portion 25 of the external extraction electrode terminal. Accordingly, the edge of the film substrate 11 of the arrangement portion 25 of the external extraction electrode terminal intersects with the external extraction electrode formed on the glass substrate 1. In the method of the second comparative example, the external extraction electrode may be damaged when the film substrate is cut with a cutter.

第2実施例の方法では、フィルム基板の縁を予め部分的に切り離してあることにより、フィルム基板の外側部分(ダミーフィルム基板部分)を容易に除去することができる。これにより、上述のような電極の損傷が抑制される。   In the method of the second embodiment, the outer portion (dummy film substrate portion) of the film substrate can be easily removed by partially separating the edge of the film substrate in advance. Thereby, the damage of the above electrodes is suppressed.

第2実施例の方法は、また、第1実施例と同様に、熱プレス時、フィルム基板の外側にダミーフィルム基板が配置されて、段差が抑制されている。これにより、ガラス基板の割れを抑制することができる。   In the method of the second embodiment, similarly to the first embodiment, the dummy film substrate is disposed outside the film substrate during hot pressing, and the step is suppressed. Thereby, the crack of a glass substrate can be suppressed.

第1実施例の方法では、各液晶セルのフィルム基板、及びダミーフィルム基板を、それぞれ位置合わせする。第2実施例の方法では、フィルム基板部分がダミーフィルム基板部分から完全には切り離されておらず、全体のフィルム部材を一体的に扱うことができる。従って、フィルム部材の位置合わせにより、各液晶セルのフィルム基板、及びダミーフィルム基板の位置合わせを同時に行うことができる。   In the method of the first embodiment, the film substrate and the dummy film substrate of each liquid crystal cell are aligned. In the method of the second embodiment, the film substrate portion is not completely separated from the dummy film substrate portion, and the entire film member can be handled integrally. Therefore, alignment of the film substrate of each liquid crystal cell and the dummy film substrate can be performed simultaneously by alignment of the film member.

第1実施例及び第2実施例の方法は、熱硬化性シール材を硬化させる熱プレスの前に、光硬化性接着剤でガラス基板と熱プレス用基板とを固定している。これにより、フィルム基板を仮止めすることができる。フィルム基板の仮止めを行わずに熱プレスを行えば、熱プレス時にフィルム基板の位置ずれが生じやすい。第1実施例及び第2実施例の方法により、このような位置ずれを抑制することができる。   In the methods of the first and second embodiments, the glass substrate and the hot-press substrate are fixed with a photo-curable adhesive before the hot press for curing the thermosetting sealing material. Thereby, a film substrate can be temporarily fixed. If hot pressing is performed without temporarily fixing the film substrate, the film substrate is likely to be displaced during hot pressing. Such misalignment can be suppressed by the methods of the first and second embodiments.

熱プレス時の高温により、フィルム基板は伸張し、フィルム基板が伸張した状態で、シール材が硬化される。フィルム基板は、冷却により収縮する。これに起因して、マザーガラス基板に湾曲が生じる。マザーガラス基板が湾曲していると、スクライブ装置やブレーキング装置等の使用が難しくなる。また、ガラス基板が湾曲を解消しようとする応力が常に加わることから、シールの剥離、破断が懸念される。   The film substrate expands due to the high temperature during hot pressing, and the sealing material is cured while the film substrate is expanded. The film substrate shrinks by cooling. Due to this, the mother glass substrate is curved. When the mother glass substrate is curved, it becomes difficult to use a scribing device or a braking device. Moreover, since the stress which tries to eliminate a curvature is always added to a glass substrate, there exists a concern about peeling of a seal | sticker and a fracture | rupture.

熱プレス時のシール焼成温度が低いほど、このような湾曲を抑制することができる。第1実施例及び第2実施例では、例えば、(焼成温度150℃や120℃のシール材に比べ)70℃の低温で焼成可能なシール材を用いている。   Such curvature can be suppressed as the seal firing temperature during hot pressing is lower. In the first embodiment and the second embodiment, for example, a seal material that can be fired at a low temperature of 70 ° C. (compared to a seal material having a firing temperature of 150 ° C. or 120 ° C.) is used.

このような湾曲を抑制する技術として、本願発明者は、シール焼成温度を例えば70℃以下に低温化することが好ましいことを発見するとともに、フィルムに予め熱処理(アニール)を行っておくことが好ましいことを発見した。   As a technique for suppressing such bending, the inventor of the present application has found that it is preferable to lower the seal firing temperature to, for example, 70 ° C. or less, and preferably heat-treats (anneal) the film in advance. I discovered that.

基板に用いるフィルムは、例えばポリカーボネートで形成され、ポリカーボネートのガラス転移温度は215℃である。ガラス転移温度よりは低い高温、例えば160℃〜200℃の間の高温で、例えば30分〜3時間熱処理し、冷却させることにより、フィルムに、予め収縮を与えておくことができる。アニールにより収縮を与えたフィルムに、カール形状が残る。アニールを施したフィルムを、ガラス基板上に配置し、熱硬化性シール材を焼成して、シール材を硬化させる。   The film used for the substrate is made of polycarbonate, for example, and the glass transition temperature of polycarbonate is 215 ° C. The film can be preliminarily contracted by heat treatment at a high temperature lower than the glass transition temperature, for example, at a high temperature between 160 ° C. and 200 ° C., for example, for 30 minutes to 3 hours and cooling. The curl shape remains on the film that has been shrunk by annealing. The annealed film is placed on a glass substrate and the thermosetting sealing material is baked to cure the sealing material.

シール焼成温度及びアニールと、湾曲の大きさとの関係を実験的に調べた。その結果、湾曲の大きさは、150℃焼成シールとアニール無しフィルム>150℃焼成シールとアニール有りフィルム>120℃焼成シールとアニール無しフィルム>120℃焼成シールとアニール有りフィルム、となった。このように、シール焼成温度の低温化により湾曲を小さくできるとともに、フィルムのアニールにより湾曲を小さくできることがわかった。   The relationship between the seal firing temperature and annealing and the size of the curve was experimentally investigated. As a result, the curvature was 150 ° C. fired seal and film without annealing> 150 ° C. fired seal and film with annealing> 120 ° C. fired seal and film without annealing> 120 ° C. fired seal and film with annealing. Thus, it was found that the curvature can be reduced by lowering the seal firing temperature, and the curvature can be reduced by annealing the film.

第1実施例及び第2実施例の方法では、フィルム基板に配向膜が形成される。配向膜の焼成として、例えば180℃、30分の熱処理が行われる。第1、第2実施例では、この熱処理が、フィルムに収縮を付与するアニールを兼ねている。なお、アニールを施したフィルムをガラス基板上に配置する際のカールの向きは、特に問題とはならない。配向膜形成に伴うカールの向きは、配向膜側に凸となる。   In the methods of the first and second embodiments, an alignment film is formed on the film substrate. As firing of the alignment film, for example, heat treatment is performed at 180 ° C. for 30 minutes. In the first and second embodiments, this heat treatment also serves as annealing for imparting shrinkage to the film. The direction of curl when the annealed film is placed on the glass substrate is not particularly problematic. The direction of curl accompanying the formation of the alignment film is convex toward the alignment film.

次に、図4を参照して、第3実施例による液晶表示素子について説明する。図4は、第3実施例によるインプレーンスイッチング(IPS)型液晶表示素子の概略構造を示す断面図である。   Next, with reference to FIG. 4, the liquid crystal display element by 3rd Example is demonstrated. FIG. 4 is a sectional view showing a schematic structure of an in-plane switching (IPS) type liquid crystal display device according to the third embodiment.

液晶セルを形成する一対の透明基板1、31のうち、一方がガラス基板1であり、他方がフィルム基板31である点は、第1、第2実施例のVA型液晶表示素子と同様である。第3実施例では、ガラス基板1側に、IPS動作用の電極層2が形成されており、フィルム基板31側には、電極層が形成されていない。   The point that one of the pair of transparent substrates 1 and 31 forming the liquid crystal cell is the glass substrate 1 and the other is the film substrate 31 is the same as the VA liquid crystal display elements of the first and second embodiments. . In the third embodiment, the electrode layer 2 for IPS operation is formed on the glass substrate 1 side, and no electrode layer is formed on the film substrate 31 side.

フィルム基板31は偏光板を兼ね、ガラス基板1の外側に配置された偏光板5と対になる。フィルム基板31は、例えば、ポリビニルアルコール(PVA)で形成された厚さ250μm程度の偏光フィルムである。ガラス基板1の電極層2上に配向膜3が形成されている。フィルム基板31上には、配向膜が形成されていない。   The film substrate 31 also serves as a polarizing plate and is paired with the polarizing plate 5 disposed outside the glass substrate 1. The film substrate 31 is a polarizing film having a thickness of about 250 μm formed of, for example, polyvinyl alcohol (PVA). An alignment film 3 is formed on the electrode layer 2 of the glass substrate 1. An alignment film is not formed on the film substrate 31.

第3実施例の液晶表示素子の製造方法においても、ガラス基板上にフィルム基板を配置し、熱硬化性シール材を硬化させて空セル構造を形成する方法として、第1、第2実施例の方法を適用することができる。なお、PVA製フィルム基板にアニールを施すならば、例えば70℃程度で2、3分程度の熱処理がよいであろう。   Also in the method of manufacturing the liquid crystal display element of the third embodiment, as a method of forming an empty cell structure by arranging a film substrate on a glass substrate and curing a thermosetting sealing material, the first and second embodiments are used. The method can be applied. If annealing is performed on the PVA film substrate, for example, heat treatment at about 70 ° C. for about 2 to 3 minutes would be preferable.

次に、図5A〜図5Cを参照して、第4実施例による液晶表示素子の製造方法について説明する。図5A〜図5Cは、第4実施例による液晶表示素子の製造方法の主要工程を示す概略斜視図である。   Next, with reference to FIG. 5A-FIG. 5C, the manufacturing method of the liquid crystal display element by 4th Example is demonstrated. FIG. 5A to FIG. 5C are schematic perspective views showing main steps of a method for manufacturing a liquid crystal display device according to the fourth embodiment.

第1及び第2実施例では、液晶セルの多面取りを行った。以下に説明するように、液晶セルの一面取りを行うこともできる。   In the first and second embodiments, the multi-cavity of the liquid crystal cell was performed. As will be described below, the liquid crystal cell can be chamfered.

図5Aを参照する。第4実施例では、1個分の液晶セルに対応する大きさのガラス基板1を用意する。ただし、ガラス基板1は、実際の液晶セルとなる領域の外側両側に、紫外線硬化性接着剤の形成領域1aが確保されている。第1実施例等と同様にして、配向膜を形成しラビング処理を行ったガラス基板1上に、熱硬化性のシール材21を形成する。   Refer to FIG. 5A. In the fourth embodiment, a glass substrate 1 having a size corresponding to one liquid crystal cell is prepared. However, the glass substrate 1 has a UV curable adhesive forming region 1a on both sides outside the region to be an actual liquid crystal cell. In the same manner as in the first embodiment, a thermosetting sealing material 21 is formed on the glass substrate 1 on which the alignment film is formed and the rubbing process is performed.

図5Bを参照する。シール材21が形成されたガラス基板1上に、フィルム部材11bを位置合わせする。フィルム部材11bは、フィルム基板部分11とダミーフィルム基板部分11aとを含む。ダミーフィルム基板部分11aは、液晶セル形成時にガラス基板1がフィルム基板11よりも大きくなっている部分である外部取り出し電極端子配置部分25上に配置されている。ダミーフィルム基板部分11aに、斜線のハッチングを付す。   Refer to FIG. 5B. The film member 11b is aligned on the glass substrate 1 on which the sealing material 21 is formed. The film member 11b includes a film substrate portion 11 and a dummy film substrate portion 11a. The dummy film substrate portion 11a is arranged on the external extraction electrode terminal arrangement portion 25 which is a portion where the glass substrate 1 is larger than the film substrate 11 when the liquid crystal cell is formed. The dummy film substrate portion 11a is hatched.

フィルム基板部分11とダミーフィルム基板部分11aとは、第1実施例のように完全に切り離されていてもよく、また、第2実施例のようにハーフカット等で部分的に切り離されていてもよい。   The film substrate portion 11 and the dummy film substrate portion 11a may be completely separated as in the first embodiment, or may be partially separated by a half cut or the like as in the second embodiment. Good.

ガラス基板1の領域1a上に、紫外線硬化性接着剤23を形成する。第1実施例等と同様に、熱プレス用基板24を、ガラス基板1と重ね合わせる。その後、第1実施例等と同様に、紫外線硬化性接着剤23を硬化させ熱プレス用基板24をガラス基板1に固定し、熱プレスにより熱硬化性シール材21を硬化させガラス基板1にフィルム基板11を接着する。   An ultraviolet curable adhesive 23 is formed on the region 1 a of the glass substrate 1. As in the first embodiment, the hot press substrate 24 is superposed on the glass substrate 1. Thereafter, as in the first embodiment, the ultraviolet curable adhesive 23 is cured, the hot press substrate 24 is fixed to the glass substrate 1, and the thermosetting sealing material 21 is cured by hot pressing to form a film on the glass substrate 1. The substrate 11 is bonded.

図5Cを参照する。熱硬化性シール材21の硬化後、熱プレス用基板24を取り外し、ダミーフィルム基板11aを除去する。さらに、紫外線硬化性接着剤23の形成のために用意されていた領域1aを除去するように、ガラス基板1をスクライブして、空セルを完成させる。   Refer to FIG. 5C. After the thermosetting sealing material 21 is cured, the hot press substrate 24 is removed, and the dummy film substrate 11a is removed. Furthermore, the glass substrate 1 is scribed so as to remove the region 1 a prepared for the formation of the ultraviolet curable adhesive 23, thereby completing the empty cell.

その後、第1実施例等と同様に、液晶の注入等を行って、液晶セルを完成させる。このようにして、第4実施例による液晶表示素子が形成される。第4実施例のように、液晶セルを一面取りする場合でも、第1実施例や第2実施例で説明したような、ダミーフィルム基板配置によるガラス基板の割れの抑制や、熱プレス用基板の固定によるフィルム基板の仮止め等を図ることができる。   Thereafter, as in the first embodiment, liquid crystal is injected to complete the liquid crystal cell. In this way, the liquid crystal display element according to the fourth embodiment is formed. Even in the case where the liquid crystal cell is chamfered as in the fourth embodiment, the glass substrate is prevented from cracking by the dummy film substrate arrangement as described in the first embodiment and the second embodiment, and the substrate for hot press is used. It is possible to temporarily fix the film substrate by fixing.

以上、第1〜第4実施例に沿って説明したように、ガラス基板とフィルム基板とを対向させ、熱硬化性シール材によりシールを形成する際、フィルム基板の外側にダミーフィルム基板を配置して熱プレスを行うことにより、ガラス基板の割れを抑制することができる。   As described above with reference to the first to fourth embodiments, when a glass substrate and a film substrate are opposed to each other and a seal is formed by a thermosetting sealing material, a dummy film substrate is disposed outside the film substrate. By carrying out hot pressing, it is possible to suppress cracking of the glass substrate.

フィルム基板部分とダミーフィルム基板部分との間に部分的な切り離し構造の形成された一体的なフィルム部材を用意しておくことにより、フィルム基板部分とダミーフィルム基板部分とを別々に位置合わせする手間が省け、また、シール材硬化後にダミーフィルム基板部分を容易に取り去ることができる。   The trouble of aligning the film substrate portion and the dummy film substrate portion separately by preparing an integral film member with a partial separation structure formed between the film substrate portion and the dummy film substrate portion. In addition, the dummy film substrate portion can be easily removed after the sealing material is cured.

ガラス基板と熱プレス用基板とを光硬化性接着剤により固定し、間に挟まれたフィルム基板が仮止めされた状態で熱プレスを行なうことにより、フィルム基板の位置ずれを抑制することができる。   By fixing the glass substrate and the substrate for hot pressing with a photocurable adhesive and performing the heat pressing with the film substrate sandwiched between them temporarily fixed, it is possible to suppress the positional deviation of the film substrate. .

例えば70℃以下の低温で焼成可能なシール材を使用することや、予めフィルム基板に熱処理を行って収縮(カール)を与えておくことにより、フィルム基板のガラス基板への貼り合わせ後に生じる湾曲を低減させることができる。   For example, by using a sealing material that can be baked at a low temperature of 70 ° C. or lower, or by preliminarily shrinking (curling) the film substrate by heat treatment, the curvature that occurs after the film substrate is bonded to the glass substrate Can be reduced.

なお、第1〜第4実施例では液晶表示素子を作製したが、上述の技術は、液晶表示素子に限らず、ガラス基板とフィルム基板とを対向させ、熱硬化性シール材によりシールを形成して空セル構造を形成し、空セルに液晶等の動作流体を注入し封止して形成する封止素子の作製に対して、広く適用することができる。   In addition, although the liquid crystal display element was produced in the 1st-4th Example, the above-mentioned technique makes not only a liquid crystal display element but a glass substrate and a film substrate face each other, and forms a seal with a thermosetting sealing material. Thus, the present invention can be widely applied to the production of a sealing element in which an empty cell structure is formed and a working fluid such as liquid crystal is injected into the empty cell and sealed.

表示素子以外の液晶素子としては、例えば、プリズム層により光偏向を行う液晶光学素子等が挙げられる。また、液晶素子以外の封止素子としては、例えば、エレクトロクロミック素子、有機発光素子、電気泳動素子等が挙げられる。   Examples of the liquid crystal element other than the display element include a liquid crystal optical element that performs light deflection by a prism layer. Moreover, as sealing elements other than a liquid crystal element, an electrochromic element, an organic light emitting element, an electrophoretic element etc. are mentioned, for example.

なお、可撓性を有するプラスチックフィルム基板材料として、上述のポリカーボネートやPVAの他、ポリエチレンテレフタレート(PET)、アクリル樹脂等も挙げられる。   In addition, examples of the flexible plastic film substrate material include polyethylene terephthalate (PET) and acrylic resin in addition to the above-described polycarbonate and PVA.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

1 ガラス基板
2、12 電極層
3、13 配向膜
4 液晶層
5、15 偏光板
11 フィルム基板
11a ダミーフィルム基板
11b フィルム部材
21 熱硬化性シール材
22 液晶セル形成領域
23 光硬化性接着剤
24 熱プレス用基板
25 外部取り出し電極端子配置部分
26 ハーフカット
31 フィルム基板
1a ガラス基板の接着剤形成領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2, 12 Electrode layer 3, 13 Orientation film 4 Liquid crystal layer 5, 15 Polarizing plate 11 Film substrate 11a Dummy film substrate 11b Film member 21 Thermosetting sealing material 22 Liquid crystal cell formation area 23 Photocurable adhesive 24 Heat Substrate 25 for press External electrode terminal arrangement part 26 Half cut 31 Film substrate 1a Adhesive formation area of glass substrate

Claims (7)

セル形成領域と前記セル形成領域の外側領域とを含み、前記セル形成領域上に熱硬化性シール材が形成されたガラス基板を準備する工程と、
前記セル形成領域上に配置されるフィルム基板部分と、前記フィルム基板部分の外側に配置されるダミーフィルム基板部分とを含み、前記フィルム基板部分が、前記ダミーフィルム基板部分から完全に切り離されているか、または、部分的に切り離されているフィルム部材を、前記ガラス基板上に配置する工程と、
熱プレスにより前記熱硬化性シール材を硬化させ、前記ガラス基板と前記フィルム基板部分とが対向した構造の空セルを形成する工程と、
前記ガラス基板上から前記ダミーフィルム基板部分を除去する工程と
を有する封止素子の製造方法。
Including a cell forming region and an outer region of the cell forming region, and preparing a glass substrate having a thermosetting sealing material formed on the cell forming region;
Whether the film substrate portion includes a film substrate portion disposed on the cell formation region and a dummy film substrate portion disposed outside the film substrate portion, and the film substrate portion is completely separated from the dummy film substrate portion. Or a step of disposing a partially separated film member on the glass substrate;
Curing the thermosetting sealing material by hot pressing to form an empty cell having a structure in which the glass substrate and the film substrate portion face each other;
And a step of removing the dummy film substrate portion from the glass substrate.
前記フィルム基板部分は、前記ダミーフィルム基板部分から部分的に切り離されている請求項1に記載の封止素子の製造方法。   The method for manufacturing a sealing element according to claim 1, wherein the film substrate portion is partially separated from the dummy film substrate portion. さらに、前記ガラス基板の前記外側領域上に、光硬化性接着剤を形成する工程を有し、
前記フィルム部材を前記ガラス基板上に配置する工程は、前記光硬化性接着剤の形成部分には、前記ダミーフィルム基板を配置せず、
さらに、熱プレス用基板を、前記フィルム部材を挟んで前記ガラス基板上に配置し、前記光硬化性接着剤を硬化させて、前記ガラス基板上に前記熱プレス用基板を固定する工程を有し、
前記熱プレスにより前記熱硬化性シール材を硬化させる工程は、前記ガラス基板上に前記熱プレス用基板を固定した状態で行われる請求項1または2に記載の封止素子の製造方法。
Furthermore, it has a step of forming a photocurable adhesive on the outer region of the glass substrate,
The step of disposing the film member on the glass substrate does not dispose the dummy film substrate in the formation part of the photocurable adhesive,
Furthermore, it has the process of arrange | positioning the board | substrate for hot press on the said glass substrate on both sides of the said film member, hardening the said photocurable adhesive agent, and fixing the said board | substrate for hot press on the said glass substrate. ,
The method for manufacturing a sealing element according to claim 1, wherein the step of curing the thermosetting sealing material by the hot pressing is performed in a state where the hot pressing substrate is fixed on the glass substrate.
前記熱硬化性シール材は、70℃以下で硬化が可能な熱硬化性シール材である請求項1〜3のいずれか1項に記載の封止素子の製造方法。   The said thermosetting sealing material is a thermosetting sealing material which can be hardened | cured at 70 degrees C or less, The manufacturing method of the sealing element of any one of Claims 1-3. さらに、前記フィルム部材を前記ガラス基板上に配置する工程の前に、前記フィルム部材を熱処理する工程を有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の封止素子の製造方法。   Furthermore, the manufacturing method of the sealing element of any one of Claims 1-4 which has the process of heat-processing the said film member before the process of arrange | positioning the said film member on the said glass substrate. さらに、前記空セルに液晶を注入する工程を有し、
前記封止素子が液晶素子である請求項1〜5のいずれか1項に記載の封止素子の製造方法。
And a step of injecting liquid crystal into the empty cell,
The said sealing element is a liquid crystal element, The manufacturing method of the sealing element of any one of Claims 1-5.
前記フィルム基板部分が、偏光フィルムを含む請求項1〜6のいずれか1項に記載の封止素子の製造方法。   The method for manufacturing a sealing element according to claim 1, wherein the film substrate portion includes a polarizing film.
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59191014A (en) * 1983-04-15 1984-10-30 Hitachi Ltd Liquid crystal display element
JPH04204823A (en) * 1990-11-30 1992-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color liquid crystal panel
JPH0634956A (en) * 1992-07-15 1994-02-10 Casio Comput Co Ltd Manufacture of liquid crystal display device
JP2000241822A (en) * 1999-02-17 2000-09-08 Seiko Epson Corp Manufacture of liquid crystal panel
JP2000241821A (en) * 1999-02-24 2000-09-08 Seiko Epson Corp Manufacture of liquid crystal panel
JP2000284303A (en) * 1999-03-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp Production of liquid crystal device
JP2004029410A (en) * 2002-06-26 2004-01-29 Advanced Display Inc Method for manufacturing liquid crystal display device
WO2007094082A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-23 Kuraray Co., Ltd. Method of bonding together superior and inferior substrates of display device, bonding apparatus and electronic equipment
JP2009175180A (en) * 2008-01-21 2009-08-06 Mitsui Chemicals Inc Curable resin composition for sealing liquid crystal, and method of manufacturing liquid crystal display panel using the same
US20100252599A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-07 Hitachi Displays, Ltd. Manufacturing method for display device
US20120154344A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 E Ink Holdings Inc. Electric paper display apparatus

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59191014A (en) * 1983-04-15 1984-10-30 Hitachi Ltd Liquid crystal display element
JPH04204823A (en) * 1990-11-30 1992-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Color liquid crystal panel
JPH0634956A (en) * 1992-07-15 1994-02-10 Casio Comput Co Ltd Manufacture of liquid crystal display device
JP2000241822A (en) * 1999-02-17 2000-09-08 Seiko Epson Corp Manufacture of liquid crystal panel
JP2000241821A (en) * 1999-02-24 2000-09-08 Seiko Epson Corp Manufacture of liquid crystal panel
JP2000284303A (en) * 1999-03-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp Production of liquid crystal device
JP2004029410A (en) * 2002-06-26 2004-01-29 Advanced Display Inc Method for manufacturing liquid crystal display device
WO2007094082A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-23 Kuraray Co., Ltd. Method of bonding together superior and inferior substrates of display device, bonding apparatus and electronic equipment
JP2009175180A (en) * 2008-01-21 2009-08-06 Mitsui Chemicals Inc Curable resin composition for sealing liquid crystal, and method of manufacturing liquid crystal display panel using the same
US20100252599A1 (en) * 2009-04-01 2010-10-07 Hitachi Displays, Ltd. Manufacturing method for display device
JP2010243556A (en) * 2009-04-01 2010-10-28 Hitachi Displays Ltd Method of manufacturing display device
US20120154344A1 (en) * 2010-12-15 2012-06-21 E Ink Holdings Inc. Electric paper display apparatus

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