JP2014066279A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ゲートバルブにおけるシール不良の発生を抑制する。
【解決手段】一面ＯＳ１に開口ＯＰ１を有するチャンバＣＨ１と、開口ＯＰ１を塞ぐゲートバルブＧＶ１と、を備え、ゲートバルブＧＶ１は、開口ＯＰ１をチャンバＣＨ１の外部側から覆いつつ、チャンバＣＨ１のうち開口ＯＰ１の周囲に位置する周縁部を押圧することにより、開口ＯＰ１を塞ぐ弁体ＶＬ１と、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを検出する検出部と、弁体ＶＬ１の傾きを変動させる調整部と、検出部により検出された傾きに基づいて調整部を制御する制御部ＣＵ１と、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、例えば、ゲートバルブを有する半導体製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法に適用可能な技術である。

ウェハ処理装置等の半導体製造装置において、例えばウェハが搬入されるチャンバと外部とを接続する開口を、ゲートバルブを用いて塞ぐ場合がある。このようなゲートバルブに関する技術として、例えば特許文献１および２に開示されるものが挙げられる。
特許文献１には、駆動手段からの直動力を、弁体をシール部材に押し付ける押し付け力に変換させ、かつ弁体をシール部材に対して均等に接触させる押し付け機構を備えるゲートバルブが開示されている。また、特許文献２には、通孔を閉鎖するための弁部材に対して小変位大パワーの拡開力を作用させる圧電素子が設けられたバルブが開示されている。

また、圧電素子を利用した技術としては、例えば特許文献３に記載のものがある。特許文献３は、機器と配管装置を管フランジを介して接続する配管装置において、管フランジの面圧を検出するための圧電素子を備えたリング状の検出器を有するというものである。

特開平１１−１４１６９５号公報 特開平５−１０６７６１号公報 特開平４−１８４２３１号公報

上述のように、ウェハ処理装置では、例えば一のチャンバと他のチャンバとを接続する開口、またはチャンバと外部とを接続する開口を、ゲートバルブにて塞ぐ。しかしながら、ゲートバルブにおいてシール不良が発生した場合、チャンバ間において、またはチャンバと外部との間において、リークが発生してしまう。この場合、ウェハ処理における信頼性の低下を招くこととなる。従って、ゲートバルブにおけるシール不良の発生を抑制することが求められている。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態によれば、チャンバの一面に設けられた開口を塞ぐ第１弁体の、当該一面に対する傾きを制御するゲートバルブを備える。

前記一実施の形態によれば、ゲートバルブにおけるシール不良の発生が抑制される。

第１の実施形態に係る半導体製造装置を示す断面図である。 図１に示す半導体製造装置を示す断面図である。 図１に示す検出部を示す平面図である。 本実施形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 本実施形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 本実施形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る半導体製造装置を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置ＭＥ１を示す断面図である。なお、図１は半導体製造装置ＭＥ１を示す模式図であり、半導体製造装置ＭＥ１の構成は図１に示すものに限られない。
図１に示すように、半導体製造装置ＭＥ１は、一面ＯＳ１に開口ＯＰ１を有するチャンバＣＨ１と、開口ＯＰ１を塞ぐゲートバルブＧＶ１と、を備えている。
ゲートバルブＧＶ１は、弁体ＶＬ１と、検出部と、調整部と、制御部ＣＵ１と、を含む。弁体ＶＬ１は、開口ＯＰ１をチャンバＣＨ１の外部側から覆いつつ、チャンバＣＨ１のうち開口ＯＰ１の周囲に位置する周縁部を押圧することにより、開口ＯＰ１を塞ぐ。検出部は、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを検出する。調整部は、弁体ＶＬ１の傾きを変動させる。制御部ＣＵ１は、検出部により検出された一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きに基づいて調整部を制御する。
以下、本実施形態に係る半導体製造装置ＭＥ１、およびこれを用いた半導体装置の製造方法について詳細に説明する。

図２は、図１に示す半導体製造装置ＭＥ１を示す断面図である。なお、図２は半導体製造装置ＭＥ１を示す模式図であり、半導体製造装置ＭＥ１の構成は図２に示すものに限られない。
図２に示すように、半導体製造装置ＭＥ１は、例えばウェハ処理装置である。本実施形態において、半導体製造装置ＭＥ１は、例えばドライエッチング工程にて使用される高純度ガス系真空処理装置である。

図２に示すように、半導体製造装置ＭＥ１は、例えばチャンバＣＨ１とチャンバＣＨ２を備えている。本実施形態において、チャンバＣＨ１は、例えば真空処理室である。すなわち、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、ウェハＷＦ１に対するドライエッチング工程等のプラズマ処理は、チャンバＣＨ１内にて行われる。チャンバＣＨ１の一面ＯＳ１には、開口ＯＰ１が設けられている。チャンバＣＨ１は、開口ＯＰ１を介してチャンバＣＨ２と接続している。
図１に示すように、チャンバＣＨ１は、例えば一面ＯＳ１上にシール面ＳＳ１を有している。本実施形態では、後述するように、ゲートバルブＧＶ１の弁体ＶＬ１によりシール面ＳＳ１を押圧することにより、開口ＯＰ１が塞がれる。シール面ＳＳ１は、例えばステンレス鋼等により構成される。また、シール面ＳＳ１の表面は、例えば鏡面処理等が施されている。

本実施形態において、チャンバＣＨ２は、例えばロードロック室である。このため、処理対象であるウェハＷＦ１はチャンバＣＨ２を介してチャンバＣＨ１内へ搬送される。チャンバＣＨ２の一面ＯＳ２には、開口ＯＰ２が設けられている。チャンバＣＨ２は、開口ＯＰ２を介して、半導体製造装置ＭＥ１の外部と接続している。
なお、チャンバＣＨ２は、例えば一面ＯＳ２上にシール面（不図示）を有している。本実施形態では、ゲートバルブＧＶ２の弁体ＶＬ１により当該シール面を押圧することにより、開口ＯＰ２が塞がれる。当該シール面は、例えばステンレス鋼等により構成される。また、当該シール面の表面は、例えば鏡面処理等が施されている。

図２に示すように、チャンバＣＨ１内には、例えばウェハＷＦ１を載置するためのウェハステージＳＴ１が設けられている。本実施形態における半導体装置の製造方法では、ウェハステージＳＴ１上に載置されたウェハＷＦ１に対して、プラズマ処理等が行われる。
図２に示すように、チャンバＣＨ２内には、例えばウェハＷＦ１を搬送するための搬送アームＣＡ１が設けられている。また、搬送アームＣＡ１上には、ウェハＷＦ１を保持するための搬送アームガイドＡＧ１が設けられている。外部から搬入されたウェハＷＦ１は、搬送アームＣＡ１によってチャンバＣＨ２内に保持され、またチャンバＣＨ１へ搬送される。また、処理後のウェハＷＦ１ついても、搬送アームＣＡ１によって、チャンバＣＨ２を介して外部へ搬出される。

図２に示すように、チャンバＣＨ１が有する開口ＯＰ１は、ゲートバルブＧＶ１によって開閉される。また、チャンバＣＨ２が有する開口ＯＰ２は、ゲートバルブＧＶ２によって開閉される。
以下、ゲートバルブＧＶ１の構成につき詳細に説明する。なお、本実施形態におけるゲートバルブＧＶ２は、例えばゲートバルブＧＶ１と同様の構成を有する。

図１に示すように、ゲートバルブＧＶ１は、弁体ＶＬ１を備えている。弁体ＶＬ１は、開口ＯＰ１をチャンバＣＨ１の外部側から覆いつつ、チャンバＣＨ１のうち開口ＯＰ１の周囲に位置する周縁部を押圧することにより、開口ＯＰ１を塞ぐ。
本実施形態において、ゲートバルブＧＶ１の弁体ＶＬ１は、例えば開口ＯＰ１をチャンバＣＨ２側から覆うことにより開口ＯＰ１を塞ぐ。また、弁体ＶＬ１は、開口ＯＰ１の周囲に位置するシール面ＳＳ１を押圧することにより、開口ＯＰ１を塞ぐ。
弁体ＶＬ１は、例えば平板状の形状を有する。なお、弁体ＶＬ１の平面形状は特に限定されず、例えば開口ＯＰ１の形状に合わせて適宜選択することが可能である。

図１に示すように、弁体ＶＬ１には、例えばＯリングＯＬ１が設けられている。ＯリングＯＬ１は、例えば弁体ＶＬ１に設けられた溝ＧＲ１内に嵌め込まれている。
ＯリングＯＬ１は、弁体ＶＬ１と垂直な方向から見て環状の形状を有する。また、ＯリングＯＬ１は、例えば弁体ＶＬ１により開口ＯＰ１を塞いだ際にシール面ＳＳ１と対向するよう弁体ＶＬ１上に設けられる。
本実施形態における半導体装置の製造方法では、弁体ＶＬ１により開口ＯＰ１を塞ぐ際に、ＯリングＯＬ１をシール面ＳＳ１に押しつけることによって開口ＯＰ１を密閉する。

図１に示すように、ゲートバルブＧＶ１は、例えば弁体ＶＬ１からみてチャンバＣＨ１と反対側に位置し、かつ弁体ＶＬ１を支持する弁体ＶＬ２をさらに備えている。
弁体ＶＬ２は、例えば平板状の形状を有する。なお、弁体ＶＬ２の平面形状は特に限定されず、例えば弁体ＶＬ１の形状に合わせて適宜選択することが可能である。
弁体ＶＬ１は、例えば弁体ＶＬ２上に設けられたボールジョイントＢＪ１を介して弁体ＶＬ２上に支持される。これにより、弁体ＶＬ２に対する弁体ＶＬ１の角度は、一定範囲内で変動することが可能となる。このため、後述するアクチュエータＡＣ１によって、弁体ＶＬ２に対する弁体ＶＬ１の角度を調整することが可能となる。

図１に示すように、弁体ＶＬ２は、例えば固定部ＦＵ１によって固定される。この場合、例えば弁体ＶＬ２のうち弁体ＶＬ１と対向する面と反対側の面が、固定部ＦＵ１により固定される。
また、固定部ＦＵ１は、例えば支持部ＢＵ１により支持されている。この場合、例えば支持部ＢＵ１の一端によって、固定部ＦＵ１が支持される。また、支持部ＢＵ１の他端は、例えばアクチュエータＡＣ２に接続されている。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、例えばこのアクチュエータＡＣ２を駆動することにより、ゲートバルブＧＶ１全体を移動させる。このようにして、ゲートバルブＧＶ１全体を移動させることにより、ゲートバルブＧＶ１による開口ＯＰ１の開閉が行われる。また、このアクチュエータＡＣ２を駆動させることにより、例えば弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部に印加される押圧力が調整される。

図３は、図１に示す検出部を示す平面図である。なお、図３は検出部を示す模式図であり、本実施形態の検出部は図３に示すものに限られない。
本実施形態におけるゲートバルブＧＶ１は、チャンバＣＨ１の一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを検出する検出部を含む。なお、この傾きとは、例えば弁体ＶＬ１により開口ＯＰ１を塞ぐ際の、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを指す。

図３に示すように、本実施形態における検出部は、例えば開口ＯＰ１の周縁部に配置された複数の圧力センサＳＥ１を有している。すなわち、本実施形態における複数の圧力センサＳＥ１は、例えばチャンバＣＨ１のシール面ＳＳ１に配置される。
複数の圧力センサＳＥ１は、例えば開口ＯＰ１の周縁部の全周に亘って配置される。これにより、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きの正確な検出が可能となる。また、各圧力センサＳＥ１は、互いに離間するように配置される。なお、隣接する圧力センサＳＥ１間の幅は特に限定されず、適宜選択することができる。

本実施形態における検出部は、複数の圧力センサＳＥ１によって、チャンバＣＨ１の一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを検出する。すなわち、各圧力センサＳＥ１は、開口ＯＰ１が弁体ＶＬ１によって塞がれる際に弁体ＶＬ１から受ける圧力を検出する。そして、この検出された圧力に基づいて、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが検出される。
例えば各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力にばらつきが生じる場合、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが生じていることとなる。このとき、弁体ＶＬ１のうち高い圧力値を検出する圧力センサＳＥ１に対向する部分が、低い圧力値を検出する圧力センサＳＥ１に対向する部分よりも一面ＯＳ１に近くなるように、弁体ＶＬ１が傾いていることが検出される。また、検出された圧力値の大きさから、弁体ＶＬ１の傾きの大きさが検出される。
一方で、各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力値が均一である場合、弁体ＶＬ１は一面ＯＳ１に対して傾いていないことが検出される。この場合、弁体ＶＬ１は、一面ＯＳ１に対して平行となる。

本実施形態において、圧力センサＳＥ１は、例えば圧電素子により構成される。この場合、例えば弁体ＶＬ１から受ける圧力により発生する起電力に基づいて、各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力値を算出することとなる。

図１に示すように、圧力センサＳＥ１は、例えば開口ＯＰ１の周縁部に設けられた凹部内に埋め込まれている。本実施形態において、圧力センサＳＥ１は、例えばシール面ＳＳ１に設けられた凹部内に埋め込まれている。
図１に示すように、圧力センサＳＥ１を埋め込むための凹部の側面と、圧力センサＳＥ１と、の間隙には、例えば固定材料ＦＭ１が充填されている。これにより、ゲートバルブＧＶ１によって開口ＯＰ１を塞ぐ際に、凹部と圧力センサＳＥ１との間隙を介して、チャンバＣＨ１とチャンバＣＨ２がリークしてしまうことを抑制することができる。
固定材料ＦＭ１は、例えば樹脂、または磁性流体等により構成される。固定材料ＦＭ１が樹脂により構成される場合、圧力センサＳＥ１の上面は、例えば固定材料ＦＭ１を構成する樹脂により覆われる。これにより、圧力センサＳＥ１と固定材料ＦＭ１との界面に起因してＯリングＯＬ１とシール面ＳＳ１との間に隙間が発生してしまうことを抑制することができる。

本実施形態に係るゲートバルブＧＶ１は、弁体ＶＬ１の傾きを変動させる調整部を含む。図１に示すように、調整部は、例えば弁体ＶＬ２上に設けられた複数のアクチュエータＡＣ１を有している。アクチュエータＡＣ１は、例えば圧電素子またはモータ等により構成される。本実施形態においては、アクチュエータＡＣ１として圧電素子を用いる例を示す。
調整部を構成する複数のアクチュエータＡＣ１は、それぞれ弁体ＶＬ１と接するように弁体ＶＬ２上に設けられる。複数のアクチュエータＡＣ１は、例えば弁体ＶＬ１の周縁部に配置される。各アクチュエータＡＣ１は、例えば互いに離間して配置される。

本実施形態においては、アクチュエータＡＣ１である圧電素子に電圧を印加して、圧電素子を伸縮させることにより、弁体ＶＬ１の傾きを変動させる。例えば、一のアクチュエータＡＣ１に電圧をかけて伸長させた場合、弁体ＶＬ１のうち当該アクチュエータＡＣ１に接する部分が弁体ＶＬ２から離れるように、弁体ＶＬ１の傾きが変動する。この場合、弁体ＶＬ１のうち伸長したアクチュエータＡＣ１に接する部分が一面ＯＳ１に近づくように、弁体ＶＬ１の傾きが変動することとなる。

本実施形態において、複数の圧力センサＳＥ１は、例えば開口ＯＰ１が弁体ＶＬ１により塞がれる際に一面ＯＳ１に垂直な方向から見て各アクチュエータＡＣ１と重なるように、弁体ＶＬ２上にそれぞれ配置される。これにより、検出部により検出した弁体ＶＬ１に基づいて弁体ＶＬ１の傾きを調整する際、圧力センサＳＥ１とアクチュエータＡＣ１とを一対一で制御することができる。すなわち、圧力センサＳＥ１により圧力が検出される検出点と、アクチュエータＡＣ１により動かされる可動点と、を一対一で制御することが可能となる。このため、弁体ＶＬ１の傾きの調整が容易となる。

図１に示すように、本実施形態におけるゲートバルブＧＶ１は、検出部により検出された弁体ＶＬ１の傾きに基づいて調整部を制御する制御部ＣＵ１を含む。すなわち、本実施形態において、制御部ＣＵ１は、検出部により検出された一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きに基づいて、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを補正するよう調整部を制御する。これにより、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが低減され、ゲートバルブＧＶ１によるシール不良の発生が抑制される。
図１に示すように、制御部ＣＵ１は、例えば検出部を構成する複数の圧力センサＳＥ１に接続している。また、制御部ＣＵ１は、例えば調整部を構成する複数のアクチュエータＡＣ１に接続している。

制御部ＣＵ１は、弁体ＶＬ１によって開口ＯＰ１が塞がれる際に圧力センサＳＥ１により検出される圧力値から、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正か否かを判断する。
一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正か否かの判断は、例えば各圧力センサＳＥ１の圧力値にばらつきがあるか否かを判断することにより行われる。各圧力センサＳＥ１の圧力値にばらつきがある場合、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが生じているものとして、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正ではないと判断される。この場合、後述するように、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを補正するよう調整部が制御部ＣＵ１によって制御されることとなる。
一方、各圧力センサＳＥ１の圧力値が一定値である場合、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが生じていないものとして、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正であると判断される。

制御部ＣＵ１は、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正ではないと判断された場合において、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きを補正するよう調整部を制御する。
一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きの補正は、例えば圧力センサＳＥ１により検出された圧力値に基づいて行われる。すなわち、各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力値が一定値となるよう、調整部によって弁体ＶＬ１の傾きを変動させる。本実施形態では、例えば各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力値が一定値となるよう、アクチュエータＡＣ１である圧電素子を伸縮させる。

本実施形態における制御部ＣＵ１は、弁体ＶＬ１の傾きの補正において異常を検知した場合に、異常を出力することができる。
本実施形態では、例えば予め設定された時間内に、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが補正されない場合に、異常を検知したとして異常を出力する。また、例えば各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力値が予め設定された範囲内にあるか否か判断し、当該圧力値が予め設定された範囲外である場合に、異常を検知したとして異常を出力する。

また、本実施形態における制御部ＣＵ１は、支持部ＢＵ１に接続するアクチュエータＡＣ２の駆動を制御することにより、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力を調整することもできる。

制御部ＣＵ１は、弁体ＶＬ１によって開口ＯＰ１が塞がれる際に圧力センサＳＥ１により検出される圧力値から、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力が適正か否かを判断する。弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力が適正か否かの判断は、例えば弁体ＶＬ１から印加される押圧力の値が、予め設定された範囲内にあるか否かを判断することにより行われる。弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力の値が、予め設定された範囲外である場合に、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力が適正ではないと判断される。この場合、後述するように、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力を補正するよう、支持部ＢＵ１に接続するアクチュエータＡＣ２が制御されることとなる。
なお、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力の値が、予め設定された範囲内である場合、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力が適正であると判断される。

制御部ＣＵ１は、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力が適正でないと判断された場合において、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力を補正するよう、支持部ＢＵ１へ接続するアクチュエータＡＣ２を制御する。
弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力の補正は、例えば圧力センサＳＥ１により検出された圧力値に基づいて行われる。すなわち、圧力センサＳＥ１により検出される圧力値が予め設定された範囲内となるよう、アクチュエータによってゲートバルブＧＶ１を駆動させる。

本実施形態における制御部ＣＵ１は、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力の補正において異常を検知した場合に、アラーム等により異常を出力することができる。本実施形態では、例えば予め設定された時間内に、開口ＯＰ１の周縁部へ印加される弁体ＶＬ１からの押圧力が補正されない場合に、異常を検知したとして異常を出力する。また、例えば各圧力センサＳＥ１が弁体ＶＬ１から受ける圧力値が予め設定された範囲内にあるか否か判断し、当該圧力値が予め設定された範囲外である場合に、異常を検知したとして異常を出力する。

次に、本実施形態に係る半導体製造装置ＭＥ１を用いた、半導体装置の製造方法について説明する。図４〜６は、本実施形態における半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態における半導体装置の製造方法は、ウェハＷＦ１が内部に配置され、かつ搬送先と接続する開口を有しており、かつ当該開口がゲートバルブにより塞がれているチャンバＣＨ２の圧力を、搬送先の圧力に近づくよう変動させる工程と、ゲートバルブを開放する工程と、チャンバＣＨ２から搬送先へウェハＷＦ１を移動させる工程と、を備える。

この場合の搬送先とは、チャンバＣＨ１、または半導体製造装置ＭＥ１の外部である。
搬送先がチャンバＣＨ１である場合、上記開口は開口ＯＰ１となる。また、上記ゲートバルブは、ゲートバルブＧＶ１となる。この場合、搬送先であるチャンバＣＨ１の圧力は、例えば真空である。なお、この場合における真空とは、例えば予め設定された圧力範囲内の減圧雰囲気を指す。このため、チャンバＣＨ２の圧力を変動させる工程では、チャンバＣＨ２の圧力を大気圧から減圧雰囲気へ変動させることとなる。
一方、搬送先が半導体製造装置ＭＥ１の外部である場合、上記開口は開口ＯＰ２となる。また、上記ゲートバルブは、ゲートバルブＧＶ２となる。この場合、搬送先である半導体製造装置ＭＥ１の外部の圧力は、例えば大気圧である。このため、チャンバＣＨ２の圧力を変動させる工程では、チャンバＣＨ２の圧力を減圧雰囲気から大気圧へ変動させることとなる。
このようにチャンバＣＨ２内の圧力を変動させることで、真空処理装置としての機能を実現することが可能となる。

本実施形態におけるゲートバルブＧＶ１を構成する制御部ＣＵ１は、少なくともチャンバＣＨ２の圧力を変動させる工程において、弁体ＶＬ１の傾きを調整するよう調整部を制御する。なお、ゲートバルブＧＶ１を構成する制御部ＣＵ１は、ゲートバルブＧＶ１により開口ＯＰ１が塞がれている間、常に弁体ＶＬ１の傾きを調整するよう調整部を制御していてもよい。
また、本実施形態におけるゲートバルブＧＶ２を構成する制御部ＣＵ１は、少なくともチャンバＣＨ２の圧力を変動させる工程において、弁体ＶＬ１の傾きを調整するよう調整部を制御する。なお、ゲートバルブＧＶ２を構成する制御部ＣＵ１は、ゲートバルブＧＶ２により開口ＯＰ２が塞がれている間、常に弁体ＶＬ１の傾きを調整するよう調整部を制御していてもよい。

以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、詳細に説明する。ここでは、半導体製造装置ＭＥ１として、真空処理装置を用いる場合を示す。このため、チャンバＣＨ２は、ロードロック室である。また、チャンバＣＨ１は、真空処理室である。
まず、図４に示すように、チャンバＣＨ１およびチャンバＣＨ２にウェハＷＦ１が搬入されていない状態において、ゲートバルブＧＶ１により開口ＯＰ１を、ゲートバルブＧＶ１により開口ＯＰ２を、それぞれ塞ぐ（Ｓ０１）。このとき、チャンバＣＨ１内およびチャンバＣＨ２内を、それぞれ真空引きされた状態とする。

ゲートバルブＧＶ１が開口ＯＰ１を塞いだ状態であることから、ゲートバルブＧＶ１のフィードバック制御が開始される。また、ゲートバルブＧＶ２が開口ＯＰ２を塞いだ状態であることから、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御が開始される。なお、このフィードバック制御とは、圧力センサＳＥ１により検出される圧力値に基づいて行われる、調整部による傾きの補正、またはアクチュエータＡＣ２による押圧力の補正を指す。

図５は、ゲートバルブＧＶ１のフィードバック制御を説明するフローチャートである。
まず、検出部を構成する圧力センサＳＥ１により、弁体ＶＬ１から受ける圧力値が検出される（ＳＩ０１）。次いで、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正か否かを判断する（ＳＩ０２）。
一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正でないと判断される場合には、調整部により弁体ＶＬ１の傾きが補正される（ＳＩ０３）。このとき、弁体ＶＬ１の傾きの補正に際し、装置の異常が検知されるか否かを判断される（ＳＩ０４）。異常は、例えば弁体ＶＬ１の傾きが設定時間内で補正されない場合や、圧力センサＳＥ１により検知される圧力値が予め設定された範囲内に補正されない場合等、に検知される。異常が検知された場合には、異常を出力する（ＳＩ０５）。異常が検知されず、適切に補正された場合には、再び弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＩ０１）。

一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正であると判断される場合、検出部を構成する圧力センサＳＥ１により圧力値を検出する（ＳＩ０６）。次いで、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部に印加される押圧力が適正か否かが判断される（ＳＩ０７）。
弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部に印加される押圧力が適正でないと判断される場合には、アクチュエータＡＣ２により弁体ＶＬ１から印加される押圧力が補正される（ＳＩ０８）。このとき、弁体ＶＬ１から印加される押圧力の補正に際し、装置の異常が検知されるか否かを判断される（ＳＩ０９）。異常は、例えば弁体ＶＬ１の押圧力が設定時間内で補正されない場合や、圧力センサＳＥ１により検知される圧力値が予め設定された範囲内に補正されない場合等に検知される。異常が検知された場合には、異常を出力する（ＳＩ１０）。異常が検知されず、適切に補正された場合には、再び弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＩ０１）。

弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部に印加される押圧力が適正であると判断される場合、ゲートバルブＧＶ１を開けるタイミングか否かが判断される（ＳＩ１１）。ゲートバルブＧＶ１を開けるタイミングであると判断される場合には、ゲートバルブＧＶ１のフィードバック制御を停止する（ＳＩ１２）。一方、ゲートバルブＧＶ１を開けるタイミングではないと判断される場合には、再び弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＩ０１）。
このため、例えばゲートバルブＧＶ１を閉めた後、ゲートバルブＧＶ１を開けるタイミングと判断されるまでの間、ゲートバルブＧＶ１に対して常にフィードバック制御が行われることとなる。

このように、本実施形態においては、ゲートバルブＧＶ１を閉めている状態においてゲートバルブＧＶ１に対しフィードバック制御を行う。このため、チャンバＣＨ２中の圧力が変動することによりチャンバＣＨ１とチャンバＣＨ２との差圧が変動した場合においても、一面ＯＳ１に対する弁体ＶＬ１の傾きや、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ１の周縁部へ印加される押圧力は一定に保たれることとなる。このため、チャンバＣＨ２の圧力を変動させる際に、ゲートバルブＧＶ１のシール不良が発生することを防止することができる。従って、チャンバＣＨ１とチャンバＣＨ２との間にリークが発生することを抑制することができる。

図６は、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御を説明するフローチャートである。
まず、検出部を構成する圧力センサＳＥ１により、弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＡ０１）。次いで、一面ＯＳ２に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正か否かを判断する（ＳＡ０２）。
一面ＯＳ２に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正でないと判断される場合には、調整部により弁体ＶＬ１の傾きが補正される（ＳＡ０３）。このとき、弁体ＶＬ１の傾きの補正に際し、装置の異常が検知されるか否かを判断される（ＳＡ０４）。異常は、例えば弁体ＶＬ１の傾きが設定時間内で補正されない場合や、圧力センサＳＥ１により検知される圧力値が予め設定された範囲内に補正されない場合等、に検知される。異常が検知された場合には、異常を出力する（ＳＡ０５）。異常が検知されず、適切に補正された場合には、再び弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＡ０１）。

一面ＯＳ２に対する弁体ＶＬ１の傾きが適正であると判断される場合、検出部を構成する圧力センサＳＥ１により圧力値を検出する（ＳＡ０６）。次いで、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ２の周縁部に印加される押圧力が適正か否かが判断される（ＳＡ０７）。
弁体ＶＬ１から開口ＯＰ２の周縁部に印加される押圧力が適正でないと判断される場合には、アクチュエータＡＣ２により弁体ＶＬ１から印加される押圧力が補正される（ＳＡ０８）。このとき、弁体ＶＬ１から印加される押圧力の補正に際し、装置の異常が検知されるか否かを判断される（ＳＡ０９）。異常は、例えば弁体ＶＬ１の押圧力が設定時間内で補正されない場合や、圧力センサＳＥ１により検知される圧力値が予め設定された範囲内に補正されない場合等に検知される。異常が検知された場合には、異常を出力する（ＳＡ１０）。異常が検知されず、適切に補正された場合には、再び弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＡ０１）。

弁体ＶＬ１から開口ＯＰ２の周縁部に印加される押圧力が適正であると判断される場合、ゲートバルブＧＶ２を開けるタイミングか否かが判断される（ＳＡ１１）。ゲートバルブＧＶ２を開けるタイミングであると判断される場合には、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御を停止する（ＳＡ１２）。一方、ゲートバルブＧＶ２を開けるタイミングではないと判断される場合には、再び弁体ＶＬ１から受ける圧力値を検出する（ＳＡ０１）。
このため、ゲートバルブＧＶ２を閉めた後、ゲートバルブＧＶ２を開けるタイミングと判断されるまでの間、ゲートバルブＧＶ２に対して常にフィードバック制御が行われることとなる。

このように、本実施形態においては、ゲートバルブＧＶ２を閉めている状態においてゲートバルブＧＶ２に対しフィードバック制御を行う。このため、チャンバＣＨ２中の圧力が変動することにより外部とチャンバＣＨ２との差圧が変動した場合においても、一面ＯＳ２に対する弁体ＶＬ１の傾きや、弁体ＶＬ１から開口ＯＰ２の周縁部へ印加される押圧力は一定に保たれることとなる。このため、チャンバＣＨ２の圧力を変動させる際に、ゲートバルブＧＶ２のシール不良が発生することを防止することができる。従って、半導体製造装置ＭＥ１の外部とチャンバＣＨ２との間にリークが発生することを抑制することができる。

次に、チャンバＣＨ２のベントを開始する（Ｓ０２）。これにより、チャンバＣＨ２の圧力を、半導体製造装置ＭＥ１の外部の圧力である大気圧に近づくように変動させる。ここで、チャンバＣＨ２の圧力が大気圧か否かが判断される（Ｓ０３）。チャンバＣＨ２の圧力が大気圧であると判断された場合は、ゲートバルブＧＶ２を開けて開口ＯＰ２を開放する（Ｓ０４）。このとき、ゲートバルブＧＶ２を開けるタイミングであるため（ＳＡ１１）、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御を停止する（ＳＡ１２）。なお、フィードバック制御の停止は、ゲートバルブＧＶ２を開けるのと同時に行われてもよく、ゲートバルブＧＶ２を開ける前後に行われてもよい。

次に、ウェハＷＦ１をチャンバＣＨ２内へ搬入する（Ｓ０５）。ウェハＷＦ１の搬入は、例えば搬送アームＣＡ１および搬送アームガイドＡＧ１を用いて行われる。
次に、ゲートバルブＧＶ２により開口ＯＰ２を塞ぐ（Ｓ０６）。このとき、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御が開始される。次いで、チャンバＣＨ２内を予め設定された設定圧力値を有する減圧雰囲気とするため、真空引きを開始する（Ｓ０７）。上記設定圧力値は、減圧雰囲気であるチャンバＣＨ１内の圧力と同等である。このため、チャンバＣＨ２内の圧力は、チャンバＣＨ１と同等の減圧雰囲気に近づけるように変動されることとなる。ここで、チャンバＣＨ２の圧力が上記設定圧力値か否かが判断される（Ｓ０８）。

次に、チャンバＣＨ２の圧力が上記設定圧力値となった後、ゲートバルブＧＶ１を開けて開口ＯＰ１を開放する（Ｓ０９）。このとき、ゲートバルブＧＶ１を開けるタイミングであるため（ＳＩ１１）、ゲートバルブＧＶ１のフィードバック制御を停止する（ＳＩ１２）。なお、フィードバック制御の停止は、ゲートバルブＧＶ１を開けるのと同時に行われてもよく、ゲートバルブＧＶ１を開ける前後に行われてもよい。

次に、ウェハＷＦ１をチャンバＣＨ１内へ搬入する（Ｓ１０）。次いで、ゲートバルブＧＶ１を閉めて開口ＯＰ１を塞ぐ（Ｓ１１）。次いで、ウェハＷＦ１に対して処理を行う（Ｓ１２）。ウェハＷＦ１に対する処理とは、例えばドライエッチング処理、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理、スパッタリング処理、アッシング処理等である。
なお、ウェハＷＦ１に対して処理を行う間、ゲートバルブＧＶ１に対するフィードバック制御が行われる。これにより、ゲートバルブＧＶ１におけるシール不良の発生が防止される。このため、チャンバＣＨ１とチャンバＣＨ２との間のリークが発生することによってウェハ処理の信頼性が低下してしまうことを抑制することができる。

次に、ゲートバルブＧＶ１を開けて開口ＯＰ１を開放する（Ｓ１３）。このとき、ゲートバルブＧＶ１を開けるタイミングであるため（ＳＩ１１）、ゲートバルブＧＶ１のフィードバック制御を停止する（ＳＩ１２）。なお、フィードバック制御の停止は、ゲートバルブＧＶ１を開けるのと同時に行われてもよく、ゲートバルブＧＶ１を開ける前後に行われてもよい。

次に、ウェハＷＦ１をチャンバＣＨ２内へ搬入する（Ｓ１４）。次いで、ゲートバルブＧＶ１を閉めて開口ＯＰ１を塞ぐ（Ｓ１５）。このとき、ゲートバルブＧＶ１のフィードバック制御が開始される。次いで、チャンバＣＨ２のベントを開始する（Ｓ１６）。これにより、チャンバＣＨ２の圧力を、半導体製造装置ＭＥ１の外部の圧力である大気圧に近づくように変動させる。ここで、チャンバＣＨ２の圧力が大気圧か否かが判断される（Ｓ１７）。

次に、チャンバＣＨ２内の圧力が大気圧となった後、ゲートバルブＧＶ２を開けて開口ＯＰ２を開放する（Ｓ１８）。このとき、ゲートバルブＧＶ２を開けるタイミングであるため（ＳＡ１１）、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御を停止する（ＳＡ１２）。なお、フィードバック制御の停止は、ゲートバルブＧＶ２を開けるのと同時に行われてもよく、ゲートバルブＧＶ２を開ける前後に行われてもよい。

次に、ウェハＷＦ１をチャンバＣＨ２から半導体製造装置ＭＥ１の外部へ搬出する（Ｓ１９）。次いで、ゲートバルブＧＶ２を閉めて開口ＯＰ２を塞ぐ（Ｓ２０）。このとき、ゲートバルブＧＶ２のフィードバック制御が開始される。次に、チャンバＣＨ２内を予め設定された設定圧力値を有する減圧雰囲気とするため、真空引きを開始する（Ｓ２１）。ここで、チャンバＣＨ２の圧力が上記設定圧力値か否かが判断される（Ｓ２２）。
このようにして、本実施形態に係る半導体装置の製造方法が行われる。

次に、本実施形態の効果を説明する。
半導体製造装置を構成するゲートバルブにおいてシール不良が発生した場合、一のチャンバと他のチャンバとの間、またはチャンバと外部との間において、リークが発生してしまうおそれがある。このようなリークは、例えばチャンバ内の圧力変動により二つのチャンバ間、またはチャンバと外部との間における差圧が変動する際に、特に生じやすい。一のチャンバと他のチャンバとの間、またはチャンバと外部との間において、リークが発生した場合、ウェハ処理における信頼性の低下を招いていた。

本願発明者は、ゲートバルブによるシール不良が、チャンバのうち開口が設けられている側面に対するゲートバルブの傾きに起因することを知見した。このようなゲートバルブにおける傾きは、例えばゲートバルブの調整不備や劣化によって生じるものと思われる。
本実施形態によれば、チャンバＣＨ１の一面ＯＳ１に設けられた開口ＯＰ１を塞ぐ弁体ＶＬ１の、一面ＯＳ１に対する傾きを制御することが可能なゲートバルブＧＶ１を備える。このため、一面ＯＳ１に対して、弁体ＶＬ１が傾いてしまうことを抑制することができる。これにより、ゲートバルブＧＶ１におけるシール不良の発生が防止される。従って、本実施形態によれば、チャンバＣＨ１とチャンバＣＨ２の間においてリークが発生することを抑制し、ウェハ処理における信頼性の低下を抑制することが可能となる。

また、チャンバＣＨ２の一面ＯＳ２に設けられた開口ＯＰ２を塞ぐ弁体ＶＬ２の一面に対する傾きを制御することが可能なゲートバルブＧＶ２を備える。このため、一面ＯＳ２に対して、弁体ＶＬ１が傾いてしまうことを抑制することができる。これにより、ゲートバルブＧＶ２におけるシール不良の発生が防止される。従って、本実施形態によれば、チャンバＣＨ２と外部との間においてリークが発生することを抑制し、ウェハ処理における信頼性の低下を抑制することが可能となる。

（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る半導体製造装置ＭＥ２を示す断面図である。なお、図７は半導体製造装置ＭＥ２を示す模式図であり、本実施形態に係る半導体製造装置ＭＥ２の構成は図７に示すものに限られない。
本実施形態に係る半導体製造装置ＭＥ２は、調整部の構成を除いて半導体製造装置ＭＥ１と同様の構成を有する。また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態と同様である。

図７に示すように、本実施形態に係る調整部は、一端が弁体ＶＬ２に固定され、他端が弁体ＶＬ１に接しており、かつ両端間のいずれかの位置においてアクチュエータＡＣ１を構成する圧電素子に接する増幅部材ＡＰ１を含む。このとき、圧電素子は、弁体ＶＬ２と増幅部材ＡＰ１との間に位置するように設けられる。
本実施形態では、アクチュエータＡＣ１を構成する圧電素子の伸縮により増幅部材ＡＰ１を駆動させることで、弁体ＶＬ１の傾きを変動させる。すなわち、てこの原理によりアクチュエータＡＣ１の変位量を、増幅部材ＡＰ１により増幅させることができる。

図７に示すように、増幅部材ＡＰ１は、例えば弁体ＶＬ２上に設けられた支点材ＦＬ１により固定されている。また、増幅部材ＡＰ１は、弁体ＶＬ２に対する角度を変動することが可能なように、支点材ＦＬ１に固定される。

本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施形態によれば、アクチュエータＡＣ１を構成する圧電素子の伸縮により増幅部材ＡＰ１を駆動させることで弁体ＶＬ１の傾きを変動させる。すなわち、増幅部材ＡＰ１によりアクチュエータＡＣ１の変位量を増幅させることができる。このため、アクチュエータＡＣ１を大型化せずとも、弁体ＶＬ１の角度を補正するために十分な変位量を有する調整部が実現される。従って、ゲートバルブの小型化を図ることが可能となる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

ＧＶ１ ゲートバルブ
ＧＶ２ ゲートバルブ
ＶＬ１ 弁体
ＶＬ２ 弁体
ＢＪ１ ボールジョイント
ＡＣ１ アクチュエータ
ＡＣ２ アクチュエータ
ＦＵ１ 固定部
ＢＵ１ 支持部
ＯＬ１ Ｏリング
ＧＲ１ 溝
ＳＥ１ 圧力センサ
ＦＭ１ 固定材料
ＣＨ１ チャンバ
ＣＨ２ チャンバ
ＯＳ１ 一面
ＯＳ２ 一面
ＯＰ１ 開口
ＯＰ２ 開口
ＳＳ１ シール面
ＣＵ１ 制御部
ＳＴ１ ウェハステージ
ＷＦ１ ウェハ
ＣＡ１ 搬送アーム
ＡＧ１ 搬送アームガイド
ＡＰ１ 増幅部材
ＦＬ１ 支点材
ＭＥ１ 半導体製造装置
ＭＥ２ 半導体製造装置

Claims (19)

1. 一面に開口を有するチャンバと、
   前記開口を塞ぐゲートバルブと、
   を備え、
   前記ゲートバルブは、
   前記開口を前記チャンバの外部側から覆いつつ、前記チャンバのうち前記開口の周囲に位置する周縁部を押圧することにより、前記開口を塞ぐ第１弁体と、
   前記一面に対する前記第１弁体の傾きを検出する検出部と、
   前記第１弁体の傾きを変動させる調整部と、
   前記検出部により検出された前記傾きに基づいて前記調整部を制御する制御部と、
   を含む半導体製造装置。
2. 請求項１に記載の半導体製造装置において、
   前記ゲートバルブは、前記第１弁体からみて前記チャンバと反対側に位置し、かつ前記第１弁体を支持する第２弁体をさらに備えており、
   前記調整部は、前記第２弁体上に設けられた複数の圧電素子を有しており、かつ前記圧電素子の伸縮により前記第１弁体の傾きを変動させる半導体製造装置。
3. 請求項２に記載の半導体製造装置において、
   前記検出部は、前記周縁部に複数配置された圧力センサにより構成されており、
   複数の前記圧力センサは、前記開口が前記第１弁体により塞がれる際に前記一面に垂直な方向から見て各前記圧電素子と重なるように、前記第２弁体上にそれぞれ配置される半導体製造装置。
4. 請求項２に記載の半導体製造装置において、
   前記調整部は、一端が前記第２弁体に固定され、他端が前記第１弁体に接しており、かつ両端間のいずれかの位置において前記圧電素子に接する増幅部材を含み、前記圧電素子の伸縮により前記増幅部材を駆動させることで前記第１弁体の傾きを変動させる半導体製造装置。
5. 請求項２に記載の半導体製造装置において、
   前記第１弁体は、前記第２弁体上に設けられたボールジョイントを介して、前記第２弁体上に支持されている半導体製造装置。
6. 請求項１に記載の半導体製造装置において、
   前記検出部は、前記周縁部に配置された複数の圧力センサを有する半導体製造装置。
7. 請求項６に記載の半導体製造装置において、
   前記圧力センサは、前記周縁部に設けられた凹部内に埋め込まれており、
   前記凹部の側面と前記圧力センサとの間隙には、固定材料が充填されている半導体製造装置。
8. 請求項７に記載の半導体製造装置において、
   前記固定材料は、樹脂であり、
   前記圧力センサの上面は、前記樹脂により覆われている半導体製造装置。
9. ウェハが内部に配置され、かつ搬送先と接続する開口を有しており、かつ前記開口がゲートバルブにより塞がれているチャンバ内の圧力を、前記搬送先の圧力に近づくよう変動させる工程と、
   前記ゲートバルブを開放する工程と、
   前記チャンバから前記搬送先へ前記ウェハを移動させる工程と、
   を備え、
   前記ゲートバルブは、
   前記開口の周囲に位置する周縁部を押圧することにより前記開口を塞ぐ第１弁体と、
   前記一面に対する前記第１弁体の傾きを検出する検出部と、
   前記第１弁体の傾きを変動させる調整部と、
   前記検出部により検出された前記傾きに基づいて前記調整部を制御する制御部と、
   を含む半導体装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記チャンバ内の圧力を変動させる前記工程において、前記制御部は前記第１弁体の傾きを調整するよう前記調整部を制御する半導体装置の製造方法。
11. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記搬送先の圧力は大気圧であり、
    前記チャンバの圧力を変動させる前記工程は、前記チャンバの圧力を減圧雰囲気から大気圧へ変動させる半導体装置の製造方法。
12. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記搬送先は減圧雰囲気であり、
    前記チャンバの圧力を変動させる前記工程は、前記チャンバの圧力を大気圧から減圧雰囲気へ変動させる半導体装置の製造方法。
13. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記ゲートバルブは、前記第１弁体からみて前記チャンバと反対側に位置し、かつ前記第１弁体を支持する第２弁体をさらに備えており、
    前記調整部は、前記第２弁体上に設けられた複数の圧電素子を有しており、かつ前記圧電素子の伸縮により前記第１弁体の傾きを変動させる半導体装置の製造方法。
14. 請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記検出部は、前記周縁部に複数配置された圧力センサにより構成されており、
    複数の前記圧力センサは、前記開口が前記第１弁体により塞がれる際に前記一面に垂直な方向から見て各前記圧電素子と重なるように、前記第２弁体上にそれぞれ配置される半導体装置の製造方法。
15. 請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記調整部は、一端が前記第２弁体に固定され、他端が前記第１弁体に接しており、かつ両端間のいずれかの位置において前記圧電素子に接する増幅部材を含み、前記圧電素子の伸縮により前記増幅部材を駆動させることで前記第１弁体の傾きを変動させる半導体装置の製造方法。
16. 請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記第１弁体は、前記第２弁体上に設けられたボールジョイントを介して、前記第２弁体上に支持されている半導体装置の製造方法。
17. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記検出部は、前記周縁部に配置された複数の圧力センサを有する半導体装置の製造方法。
18. 請求項１７に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記圧力センサは、前記周縁部に設けられた凹部内に埋め込まれており、
    前記凹部の側面と前記圧力センサとの間隙には、固定材料が充填されている半導体装置の製造方法。
19. 請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記固定材料は、樹脂であり、
    前記圧力センサの上面は、前記樹脂により覆われている半導体装置の製造方法。

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