JP2014059497A - Variable wavelength interference filter, optical filter device, optical module, electronic equipment, and mems device - Google Patents

Variable wavelength interference filter, optical filter device, optical module, electronic equipment, and mems device Download PDF

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靖史 松野
Akira Sano
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a variable wavelength interference filter, an optical filter device, an optical module, electronic equipment and a MEMS device in which electrostatic attraction force is generated between electrodes in a well balanced manner.SOLUTION: A variable wavelength interference filter 5 includes, in a movable substrate 51, an annular-shaped inner movable electrode 542, outer movable partial electrodes 543A, 543B which are coaxial with the inner movable electrode 542, inner movable connection wires 545A, 545B extending from the inner movable electrode 542 through between the outer movable partial electrodes 543A, 543B, and outer movable connection wires 546A, 546B extending from the outer movable partial electrodes 543A, 543B. The outer movable connection wires 546A, 546B and the inner movable connection wires 545A, 545B are each arranged at equal angular interval around a center point O of the plane.

Description

本発明は、波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びMEMSデバイスに関する。   The present invention relates to a tunable interference filter, an optical filter device, an optical module, an electronic apparatus, and a MEMS device.

従来、対向する一対の基板と、この基板間のギャップを変化させるギャップ変更手段とを備え、基板間ギャップを変更可能に構成されるデバイスが知られている。
このようなデバイスとして、互いに対向する一対の反射膜を有し、この反射膜間の距離を変化させることで、測定対象の光から所定波長の光を取り出す波長可変干渉フィルターが例示される(例えば、特許文献1参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a device that includes a pair of opposing substrates and a gap changing unit that changes the gap between the substrates, and is configured to be able to change the gap between the substrates.
An example of such a device is a wavelength variable interference filter that has a pair of reflective films facing each other and changes the distance between the reflective films to extract light of a predetermined wavelength from the light to be measured (for example, , See Patent Document 1).

特許文献1に記載の波長可変干渉フィルターは、互いに対向する第一基板及び第二基板と、各基板にそれぞれ配置されてギャップを介して互いに対向する反射膜と、各基板にそれぞれ配置されて互いに対向する電極とを備えている。このような波長可変干渉フィルターでは、電極間に電圧を印加することで、第二基板を変形させ、反射膜間のギャップを調整することが可能となる。   The wavelength tunable interference filter described in Patent Document 1 includes a first substrate and a second substrate facing each other, a reflective film disposed on each substrate and facing each other through a gap, and a substrate disposed on each substrate and each other. And an opposing electrode. In such a wavelength tunable interference filter, by applying a voltage between the electrodes, it is possible to deform the second substrate and adjust the gap between the reflective films.

特開2011−106936号公報JP 2011-106936 A

ところで、上記特許文献1の波長可変干渉フィルターでは、一対の電極により構成される1つの静電アクチュエーターが備える一対の電極間に発生する静電引力により反射膜間ギャップを制御している。
さらに、静電引力を利用してより高精度に反射膜間ギャップを制御するために、二対の電極を備える、すなわち二重電極構成を有する静電アクチュエーターを備える波長可変干渉フィルターがある。二重電極構成を備える波長可変干渉フィルターとして、一方の基板に、円環状の内側電極と、C字状の外側電極と、外側電極のC字開口部分を通る内側電極の引出線とを備え、他方の基板に、一方の基板に設けられた上記内側電極及び外側電極のそれぞれに対向する内側電極及び外側電極とを備える構成が考えられる。
By the way, in the wavelength variable interference filter of Patent Document 1, the gap between the reflective films is controlled by electrostatic attraction generated between a pair of electrodes included in one electrostatic actuator composed of a pair of electrodes.
Furthermore, in order to control the gap between the reflection films with higher accuracy using electrostatic attraction, there is a wavelength variable interference filter including two pairs of electrodes, that is, including an electrostatic actuator having a double electrode configuration. As a tunable interference filter having a double electrode configuration, one substrate is provided with an annular inner electrode, a C-shaped outer electrode, and an inner electrode lead line passing through a C-shaped opening of the outer electrode, A configuration is conceivable in which the other substrate is provided with an inner electrode and an outer electrode facing each of the inner electrode and the outer electrode provided on one substrate.

しかし、一対の内側電極間の電位差と、一対の外側電極間の電位差とが異なるように制御した場合、一方の基板に設けられた外側電極のC字開口部分を含む領域と、基板の平面視においてその反対側に位置する領域とで、異なる大きさの静電引力が印加される。すなわち、上記C字開口部分を含む領域では、内側電極と同電位である引出線部分と、外側電極とが対向しているので、一対の外側電極が対向する反対側の領域と異なる電位差が生じている。これにより、電極間に印加される静電引力のバランスが悪くなるおそれがある。   However, when the potential difference between the pair of inner electrodes is controlled to be different from the potential difference between the pair of outer electrodes, a region including the C-shaped opening portion of the outer electrode provided on one substrate and a plan view of the substrate In the region located on the opposite side of FIG. That is, in the region including the C-shaped opening portion, the lead wire portion having the same potential as the inner electrode and the outer electrode face each other, so that a potential difference different from the opposite region where the pair of outer electrodes face each other is generated. ing. Thereby, there exists a possibility that the balance of the electrostatic attractive force applied between electrodes may worsen.

本発明は、基板間にバランス良く静電引力を発生させることができる波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器、及びMEMSデバイスを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a variable wavelength interference filter, an optical filter device, an optical module, an electronic apparatus, and a MEMS device that can generate electrostatic attractive force in a balanced manner between substrates.

本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極と、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極と、前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極と、前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極と、を備え、前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられたことを特徴とする。   The wavelength tunable interference filter of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflective film provided on the first substrate, and provided on the second substrate. In a plan view of the second reflective film facing the one reflective film, the annular first inner electrode provided on the first substrate, and the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, Outside the first inner electrode of the first substrate, a plurality of first outer electrodes provided along a virtual circle that is concentric with the first inner electrode, and each having the same shape, and the plan view A plurality of outer peripheral edges of the first substrate extending from the outer peripheral edge of the first inner electrode to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. A linear first inner connection electrode and an outer side of each first outer electrode in the plan view. A plurality of linear first outer connection electrodes extending from the edge to the outer peripheral side of the first substrate; and provided on the second substrate, and at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view. A second electrode provided in a region overlapping with, the first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to a center point of the first inner electrode, and the first outer connection electrode is The first inner electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode.

本発明の波長可変干渉フィルターは、円環状の第一内側電極と、第一内側電極と同心円となる仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、第一内側電極及び第一外側電極と重なる領域に対向して設けられた第二電極とを備える。
このように構成される波長可変干渉フィルターでは、第一内側電極及び第一外側電極に異なる電圧を印加することで、第一内側電極と第二電極との間に発生する静電引力、及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力を異ならせることができる。これにより、第一反射膜と第二反射膜との間のギャップ(反射膜間ギャップ)を精度よく所望のギャップ量に変更させることが可能となる。
The wavelength tunable interference filter of the present invention includes an annular first inner electrode, a plurality of first outer electrodes provided along a virtual circle that is concentric with the first inner electrode, and each formed in the same shape; A second electrode provided to face the region overlapping with the one inner electrode and the first outer electrode.
In the tunable interference filter configured as described above, by applying different voltages to the first inner electrode and the first outer electrode, the electrostatic attractive force generated between the first inner electrode and the second electrode, and the first The electrostatic attractive force generated between the one outer electrode and the second electrode can be made different. As a result, the gap between the first reflective film and the second reflective film (the gap between the reflective films) can be accurately changed to a desired gap amount.

ここで、本発明では、第一内側接続電極が、第一内側電極の中心に対して等角度間隔に設けられている。また、第一外側電極は、第一内側電極の外側で、かつ第一内側電極と同心円となる仮想円上に沿って複数設けられており、これらの第一外側電極は同一形状に形成され、第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられている。さらに、第一外側接続電極は、各第一外側電極から、外側に向かって延出し、これらの第一外側接続電極が、第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられている。一方、第二基板に設けられる第二電極は、平面視において、第一内側電極及び第二外側電極と重なる領域に設けられている。
このような構成では、第一内側電極及び第二電極の間、第一外側電極及び第二電極の間に静電引力が作用することになり、これらの領域は、第一内側電極の中心点に対して等角度間隔に設けられる領域となる。また、第一内側接続電極及び第一外側接続電極もそれぞれ等角度間隔で設けられているので、各接続電極により発生する静電引力の発生領域も等角度間隔に設けられる領域となる。したがって、反射膜間のギャップを静電引力により変化させる際、第一内側電極の中心点に対してバランスよく静電引力を、作用させることができる。これにより、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法を変更することができる。すなわち、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法をより高精度に制御することができる。
Here, in the present invention, the first inner connection electrodes are provided at equiangular intervals with respect to the center of the first inner electrode. The first outer electrode is provided outside the first inner electrode and along a virtual circle that is concentric with the first inner electrode, and these first outer electrodes are formed in the same shape, They are provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode. Further, the first outer connection electrodes extend outward from the respective first outer electrodes, and these first outer connection electrodes are provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode. . On the other hand, the second electrode provided on the second substrate is provided in a region overlapping the first inner electrode and the second outer electrode in plan view.
In such a configuration, electrostatic attraction acts between the first inner electrode and the second electrode, and between the first outer electrode and the second electrode, and these regions are the center points of the first inner electrode. The regions are provided at equiangular intervals. In addition, since the first inner connection electrode and the first outer connection electrode are also provided at equiangular intervals, the electrostatic attraction generation regions generated by the connection electrodes are also regions provided at equiangular intervals. Therefore, when the gap between the reflective films is changed by the electrostatic attractive force, the electrostatic attractive force can be applied in a balanced manner to the center point of the first inner electrode. Thereby, the dimension of the gap between reflection films can be changed, maintaining the parallelism between board | substrates. That is, the dimension of the gap between the reflective films can be controlled with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates.

これに加え、基板に設けられた電極や接続電極に内部応力が発生する場合がある。そして、この内部応力が基板の平面視において釣り合っていないと、基板が平面視において異なる撓み量で撓み、反射膜間ギャップが不均一になり。反射膜間ギャップを高精度に調整することができないおそれがある。
これに対して、本発明では、第一内側電極を円環状とし、同一形状の第一外側電極を第一内側電極の中心点に対して等角度間隔に設けている。さらに、第一内側接続電極及び第一外側接続電極を、第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けている。
このような構成では、第一内側電極、第一外側電極、第一内側接続電極及び第二外側接続電極のそれぞれが、第一内側電極の中心点に対して対称性を有する領域に設けられている。したがって、電極や接続電極に内部応力が発生したとしても、その内部応力が基板中心(第一内側電極の中心点)に対して対称性を有する領域に作用する、すなわち、釣り合った状態で作用する。従って、上記構成によれば、各電極や接続電極の内部応力を基板中心に対してバランスよく作用させることができる。これにより、内部応力の影響で反射膜間ギャップの寸法制御の精度が低下することを抑制でき、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法をより高精度に調整することができる。
In addition, internal stress may occur in the electrodes and connection electrodes provided on the substrate. If the internal stress is not balanced in the plan view of the substrate, the substrate bends with a different amount of deflection in the plan view, and the gap between the reflective films becomes non-uniform. There is a possibility that the gap between the reflective films cannot be adjusted with high accuracy.
In contrast, in the present invention, the first inner electrode has an annular shape, and the first outer electrode having the same shape is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode. Furthermore, the first inner connection electrode and the first outer connection electrode are provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode.
In such a configuration, each of the first inner electrode, the first outer electrode, the first inner connection electrode, and the second outer connection electrode is provided in a region having symmetry with respect to the center point of the first inner electrode. Yes. Therefore, even if an internal stress is generated in the electrode or the connection electrode, the internal stress acts on a region having symmetry with respect to the center of the substrate (the center point of the first inner electrode), that is, acts in a balanced state. . Therefore, according to the said structure, the internal stress of each electrode and a connection electrode can be made to act with sufficient balance with respect to a substrate center. As a result, it is possible to suppress a decrease in the accuracy of the dimensional control of the gap between the reflective films due to the influence of the internal stress, and the dimension of the gap between the reflective films can be adjusted with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates. .

すなわち、本発明の波長可変干渉フィルターは、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力、並びに、第一内側電極、第一外側電極、第一内側接続電極及び第一外側接続電極による内部応力を、平面視において、バランスよく基板に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法をより高精度に調整することができる。   That is, the wavelength tunable interference filter of the present invention includes an electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode, and the first inner electrode, the first outer electrode, and the first inner connection. The internal stress due to the electrode and the first outer connection electrode can be applied to the substrate in a plan view in a plan view, and the dimension of the gap between the reflective films can be adjusted with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates. it can.

なお、本発明では、基板に設けられた導電体膜からなパターンを電極と称している。例えば、複数の第一内側接続電極の少なくとも1つは、第一内側電極に電圧を印加するために電力供給源に接続するための引出電極であり、それ以外の第一内側接続電極は、引出電極として機能しないダミー電極である。本発明では、このようなダミー電極も含めた基板に設けられた導電体膜からなるパターンを電極と称している。   In the present invention, a pattern made of a conductor film provided on a substrate is referred to as an electrode. For example, at least one of the plurality of first inner connection electrodes is an extraction electrode for connecting to a power supply source in order to apply a voltage to the first inner electrode, and the other first inner connection electrodes are the extraction electrodes. It is a dummy electrode that does not function as an electrode. In the present invention, a pattern made of a conductor film provided on a substrate including such a dummy electrode is referred to as an electrode.

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第二電極は、前記第一内側電極と重なる領域に設けられた第二内側電極と、前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二外側電極とを備え、前記第二外側電極は、前記第一内側接続電極と重ならない領域に設けられた
ことが好ましい。
これにより、第二電極と第一内側接続電極との間に静電引力が発生することがなく、静電引力が発生しない領域が等間隔に設けられる。第一内側接続電極と第二電極との間に静電引力が発生する場合、それを考慮して反射膜間ギャップの制御を行う、すなわち、第一内側電極及び第一外側電極に印加する電圧を制御する必要がある。これに対して、本発明では、それを考慮する必要がなく、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力を利用して反射膜間ギャップを調整することができる。従って、反射膜間ギャップを高精度に調整することができる。
In the wavelength tunable interference filter of the present invention, the second electrode includes a second inner electrode provided in a region overlapping the first inner electrode, and a second outer electrode provided in a region overlapping the first outer electrode. The second outer electrode is preferably provided in a region that does not overlap the first inner connection electrode.
Thereby, an electrostatic attractive force is not generated between the second electrode and the first inner connection electrode, and regions where no electrostatic attractive force is generated are provided at equal intervals. When an electrostatic attractive force is generated between the first inner connection electrode and the second electrode, the gap between the reflective films is controlled in consideration thereof, that is, a voltage applied to the first inner electrode and the first outer electrode. Need to control. On the other hand, in the present invention, it is not necessary to consider this, and the gap between the reflective films is adjusted using electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode. be able to. Therefore, the gap between the reflective films can be adjusted with high accuracy.

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第二内側電極及び前記第二外側電極を接続し、前記第一内側接続電極と重ならない領域に設けられた第二内側接続電極を備えることが好ましい。
このように、第二内側接続電極が第一内側接続電極と重ならない領域に配設されることにより、第一内側接続電極と第二内側接続電極との間に静電引力が発生することがなく、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力を利用して反射膜間ギャップを調整することができる。従って、反射膜間ギャップをより高精度に調整することができる。
In the variable wavelength interference filter according to the aspect of the invention, it is preferable that the second inner connection electrode is provided in a region that connects the second inner electrode and the second outer electrode and does not overlap the first inner connection electrode.
As described above, when the second inner connection electrode is disposed in the region that does not overlap with the first inner connection electrode, an electrostatic attractive force may be generated between the first inner connection electrode and the second inner connection electrode. In addition, the gap between the reflective films can be adjusted using the electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode. Therefore, the gap between the reflective films can be adjusted with higher accuracy.

本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記第一基板は、前記第一反射膜、前記第一内側電極及び前記第一外側電極が設けられ、前記第二基板に対して進退する可動部と、前記可動部の外周縁に接続され、前記可動部を前記第二基板に対して進退可能に保持する保持部と、を備えることが好ましい。
このように、第一基板を、第二基板に対して進退する可動部を有する可動基板として構成する。上述のように、可動基板である第一基板は、平面視において対称性を有する構成とし、第一内側電極及び第一外側電極及び第二電極の間に発生する静電引力、並びに、第一内側電極、第一外側電極、第一内側接続電極及び第一外側接続電極による内部応力が、平面視において対称性を有する領域に作用する。従って、静電引力及び内部応力を平面視において、バランスよく基板に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法をより高精度に調整することができる。
In the wavelength tunable interference filter of the present invention, the first substrate is provided with the first reflective film, the first inner electrode, and the first outer electrode, and a movable portion that moves forward and backward with respect to the second substrate; It is preferable to include a holding portion that is connected to an outer peripheral edge of the movable portion and holds the movable portion so as to be movable back and forth with respect to the second substrate.
In this way, the first substrate is configured as a movable substrate having a movable portion that moves forward and backward with respect to the second substrate. As described above, the first substrate, which is a movable substrate, is configured to have symmetry in plan view, and the electrostatic attraction generated between the first inner electrode, the first outer electrode, and the second electrode, and the first Internal stress due to the inner electrode, the first outer electrode, the first inner connection electrode, and the first outer connection electrode acts on a region having symmetry in plan view. Therefore, the electrostatic attractive force and the internal stress can be applied to the substrates in a plan view in a plan view, and the dimension of the gap between the reflective films can be adjusted with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates.

本発明の光学フィルターデバイスは、第一基板、前記第一基板に対向する第二基板、前記第一基板に設けられた第一反射膜、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極、前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極、前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極、及び前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極を備え、前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納し、少なくとも一部に前記波長可変干渉フィルターに光を導く導光部が設けられた筐体と、を備えることを特徴とする。   The optical filter device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflective film provided on the first substrate, and provided on the second substrate, In the plan view of the second reflecting film, the first annular inner electrode provided on the first substrate, the first substrate, and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, the first substrate of the first substrate Outside the one inner electrode, a plurality of first outer electrodes provided along a virtual circle that is concentric with the first inner electrode and formed in the same shape, respectively, in the plan view, the first substrate A plurality of linear first inner connections extending from the outer peripheral edge of the first inner electrode to the outer peripheral side of the first substrate through between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle Electrode, in the plan view, from the outer periphery of each first outer electrode, A plurality of linear first outer connection electrodes extending to the outer peripheral side of the substrate and provided in the second substrate, and provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view. The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode, and the first outer connection electrode is a center point of the first inner electrode. A wavelength tunable interference filter provided at equiangular intervals, and a housing that houses the wavelength tunable interference filter, and at least partially includes a light guide that guides light to the wavelength tunable interference filter. It is characterized by providing.

本発明では、上述したような波長可変干渉フィルターが筐体内部に収納されるため、波長可変干渉フィルターを外部からの衝撃から保護することができる。また、筐体により外部からの帯電粒子の侵入を抑制でき、各電極や各接続電極が帯電粒子により帯電することを防止できる。従って、帯電によるクーロン力の影響で、静電引力のバランスが崩れる不都合を回避でき、反射膜間ギャップの不均一を抑制することができる。   In the present invention, since the wavelength variable interference filter as described above is housed in the housing, the wavelength variable interference filter can be protected from an external impact. In addition, the housing can suppress the entry of charged particles from the outside, and can prevent each electrode and each connection electrode from being charged by the charged particles. Accordingly, it is possible to avoid the disadvantage that the electrostatic attraction balance is lost due to the influence of the Coulomb force due to charging, and to suppress the non-uniformity of the gap between the reflection films.

本発明の光学モジュールは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極と、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極と、前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極と、前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極と、前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を備え、前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられたことを特徴とする。   The optical module of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflection film provided on the first substrate, and a first reflection film provided on the second substrate. A second reflection film facing the film; an annular first inner electrode provided on the first substrate; and the first substrate and the second substrate in a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction. Outside the first inner electrode of the substrate, a plurality of first outer electrodes provided along one virtual circle that is concentric with the first inner electrode and formed in the same shape, and in the plan view, A plurality of linear shapes extending from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. The first inner connection electrode and the outer peripheral edge of each first outer electrode in the plan view A plurality of linear first outer connection electrodes extending to the outer peripheral side of the first substrate and provided on the second substrate, and overlap at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view. A second electrode provided in a region; and a detection unit that detects light extracted by the first reflective film and the second reflective film, wherein the first inner connection electrode is formed of the first inner electrode. The first outer connection electrodes are provided at equiangular intervals with respect to the center point, and the first outer connection electrodes are provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode.

この発明では、光学モジュールは、上述したような波長可変干渉フィルターと同様の構成を備えている。これにより、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力、並びに、第一内側電極、第一外側電極、第一内側接続電極及び第一外側接続電極による内部応力を、平面視において、バランスよく基板に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法をより高精度に調整することができる。   In the present invention, the optical module has the same configuration as the wavelength variable interference filter as described above. Thereby, the electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode, and the first inner electrode, the first outer electrode, the first inner connection electrode and the first outer connection electrode. The internal stress can be applied to the substrates in a balanced manner in a plan view, and the dimension of the gap between the reflective films can be adjusted with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates.

本発明の電子機器は、第一基板、前記第一基板に対向する第二基板、前記第一基板に設けられた第一反射膜、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極、前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極、前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極、及び前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極を備え、前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備えることを特徴とする。   The electronic device according to the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, a first reflective film provided on the first substrate, and provided on the second substrate and facing the first reflective film. The first reflective electrode, the annular first inner electrode provided on the first substrate, the first substrate, and the second substrate in the plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction. Outside the inner electrode, a plurality of first outer electrodes provided along one virtual circle that is concentric with the first inner electrode and formed in the same shape, respectively, in the plan view, the first substrate A plurality of linear first inner connection electrodes extending from the outer peripheral edge of the first inner electrode to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. The outer peripheral side of the first substrate from the outer peripheral edge of each first outer electrode in the plan view A plurality of linear first outer connection electrodes that extend, and a second electrode that is provided on the second substrate and that is provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view. The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode, and the first outer connection electrode is equiangular with respect to the center point of the first inner electrode. A variable wavelength interference filter provided at intervals, and a control unit that controls the variable wavelength interference filter are provided.

ここで、電子機器としては、第一反射膜及び第二反射膜により取り出された光に基づいて、測定対象光の色度や明るさなどを分析する光測定器、ガスの吸収波長を検出してガスの種類を検査するガス検出装置、受光した光からその波長の光に含まれるデータを取得する光通信装置などを例示することができる。
この発明では、電子機器は、上述したような波長可変干渉フィルターと同様の構成を備えている。これにより、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力、並びに、第一内側電極、第一外側電極、第一内側接続電極及び第一外側接続電極による内部応力を、平面視において、バランスよく基板に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップの寸法をより高精度に調整することができ、高分解能で所望の光を取り出すことができる。従って、電子機器において、このような高分解能で取り出された光に基づいて、高精度な各種処理を実施することができる。
Here, as an electronic device, based on the light extracted by the first reflective film and the second reflective film, a light measuring device that analyzes the chromaticity, brightness, etc. of the measurement target light, detects the absorption wavelength of the gas. Examples thereof include a gas detection device that inspects the type of gas, and an optical communication device that acquires data contained in light of that wavelength from received light.
In the present invention, the electronic device has the same configuration as the wavelength variable interference filter as described above. Thereby, the electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode, and the first inner electrode, the first outer electrode, the first inner connection electrode and the first outer connection electrode. The internal stress can be applied to the substrates in a plan view in a plan view, and the dimension of the gap between the reflective films can be adjusted with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates. Can be taken out. Therefore, various high-precision processes can be performed in the electronic device based on such light extracted with high resolution.

本発明のMEMSデバイスは、第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極と、前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極と、前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極と、前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極と、を備え、前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられたことを特徴とする。   The MEMS device of the present invention includes a first substrate, a second substrate facing the first substrate, an annular first inner electrode provided on the first substrate, the first substrate, and the second substrate. In plan view when viewed from the thickness direction of the substrate, a plurality of them are provided along one virtual circle that is concentric with the first inner electrode outside the first inner electrode of the first substrate, and each has the same shape. The formed first outer electrode, and in the plan view, from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate, between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle, A plurality of linear first inner connection electrodes extending to the outer peripheral side of the first substrate, and a plurality of straight lines extending from the outer peripheral edge of each first outer electrode to the outer peripheral side of the first substrate in the plan view First outer connection electrode and the second substrate, the plan view And at least a second electrode provided in a region overlapping with the first inner electrode and the first outer electrode, and the first inner connection electrode is at a center point of the first inner electrode, etc. The first outer connection electrodes are provided at an angular interval, and the first outer connection electrodes are provided at an equal angular interval with respect to a center point of the first inner electrode.

ここで、MEMSデバイスとは、例えば、第一基板の、第二基板と対向する面とは逆の面に、反射膜を備えるミラーデバイス等、第一基板と第二基板との間のギャップ(基板間ギャップ)を変更したり、一方の基板に対する他方の基板の角度や向きを調整したりする制御を行うことができるように構成されたデバイスである。
この発明では、MEMSデバイスは、上述したような波長可変干渉フィルターと同様の電極及び接続電極構成を有する。これにより、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力、並びに、第一内側電極、第一外側電極、第一内側接続電極及び第一外側接続電極による内部応力を、平面視において、バランスよく基板に作用させることができる。従って、第一基板と第二基板との間のギャップの寸法を平面視において均一に変更したり、第一基板と第二基板との角度を調整する等の、第一基板と第二基板との位置関係の制御を高精度に行うことができる。
Here, the MEMS device refers to, for example, a gap between the first substrate and the second substrate, such as a mirror device having a reflective film on the surface opposite to the surface facing the second substrate. The device is configured to be able to perform control to change the inter-substrate gap) or adjust the angle and orientation of the other substrate with respect to one substrate.
In the present invention, the MEMS device has the same electrode and connection electrode configuration as the wavelength variable interference filter as described above. Thereby, the electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode, and the first inner electrode, the first outer electrode, the first inner connection electrode and the first outer connection electrode. The internal stress can be applied to the substrate in a balanced manner in plan view. Therefore, the dimension of the gap between the first substrate and the second substrate can be changed uniformly in a plan view, or the angle between the first substrate and the second substrate can be adjusted. The positional relationship can be controlled with high accuracy.

本発明に係る第一実施形態の測色装置(電子機器)の概略構成を示す図。1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a color measurement device (electronic device) according to a first embodiment of the invention. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment. 図2をIII−III線で断面した波長可変干渉フィルターの断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a wavelength tunable interference filter taken along line III-III in FIG. 2. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板を固定基板側から見た平面図。The top view which looked at the movable substrate of the wavelength variable interference filter of the first embodiment from the fixed substrate side. 第一実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板を可動基板側から見た平面図。The top view which looked at the fixed board | substrate of the wavelength variable interference filter of 1st embodiment from the movable substrate side. 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。The top view which shows schematic structure of the wavelength variable interference filter of 2nd embodiment. 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの可動基板を固定基板側から見た平面図。The top view which looked at the movable substrate of the wavelength variable interference filter of the second embodiment from the fixed substrate side. 第二実施形態の波長可変干渉フィルターの固定基板を可動基板側から見た平面図。The top view which looked at the fixed board | substrate of the wavelength variable interference filter of 2nd embodiment from the movable board | substrate side. 第三実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the optical filter device of 3rd embodiment. 第四実施形態のMEMSデバイスの概略構成を示す断面図。Sectional drawing which shows schematic structure of the MEMS device of 4th embodiment. 本発明の波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置を示す概略図。Schematic which shows the gas detection apparatus provided with the wavelength variable interference filter of this invention. 図11のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。The block diagram which shows the structure of the control system of the gas detection apparatus of FIG. 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた食物分析装置の概略構成を示す図。The figure which shows schematic structure of the food analyzer provided with the wavelength variable interference filter of this invention. 本発明の波長可変干渉フィルターを備えた分光カメラの概略構成を示す模式図。The schematic diagram which shows schematic structure of the spectroscopic camera provided with the wavelength variable interference filter of this invention.

[第一実施形態]
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
〔測色装置の全体構成〕
図1は、本発明に係る実施形態の測色装置(電子機器)の概略構成を示す図である。
この測色装置1は、本発明の電子機器であり、図1に示すように、測定対象Aに光を射出する光源装置2と、本発明の光学モジュールである測色センサー3と、測色装置1の全体動作を制御する制御装置4とを備えている。そして、この測色装置1は、光源装置2から射出される光を測定対象Aにて反射させ、反射された測定対象光を測色センサー3にて受光し、測色センサー3から出力される検出信号に基づいて、測定対象光の色度、すなわち測定対象Aの色を分析して測定する装置である。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[Overall configuration of color measuring device]
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a color measurement device (electronic device) according to an embodiment of the present invention.
The color measuring device 1 is an electronic apparatus according to the present invention. As shown in FIG. 1, a light source device 2 that emits light to a measuring object A, a color measuring sensor 3 that is an optical module according to the present invention, and a color measuring device. And a control device 4 that controls the overall operation of the device 1. The colorimetric device 1 reflects the light emitted from the light source device 2 by the measurement object A, receives the reflected measurement object light by the colorimetry sensor 3, and outputs the light from the colorimetry sensor 3. This is an apparatus that analyzes and measures the chromaticity of the measurement target light, that is, the color of the measurement target A based on the detection signal.

〔光源装置の構成〕
光源装置2は、光源21、複数のレンズ22(図1には1つのみ記載)を備え、測定対象Aに対して白色光を射出する。複数のレンズ22には、コリメーターレンズが含まれていてもよく、この場合、光源装置2は、光源21から射出された白色光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから測定対象Aに向かって射出する。
なお、本実施形態では、光源装置2を備える測色装置1を例示するが、例えば測定対象Aが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置2が設けられない構成としてもよい。
[Configuration of light source device]
The light source device 2 includes a light source 21 and a plurality of lenses 22 (only one is shown in FIG. 1), and emits white light to the measurement target A. The plurality of lenses 22 may include a collimator lens. In this case, the light source device 2 converts the white light emitted from the light source 21 into parallel light by the collimator lens and measures from the projection lens (not shown). Inject toward A.
In the present embodiment, the colorimetric device 1 including the light source device 2 is illustrated. However, when the measurement target A is a light emitting member such as a liquid crystal panel, the light source device 2 may not be provided.

〔測色センサーの構成〕
測色センサー3は、本発明の光学モジュールを構成する。この測色センサー3は、図1に示すように、波長可変干渉フィルター5と、波長可変干渉フィルター5を透過した光を受光して検出する検出部31と、波長可変干渉フィルター5に駆動電圧を印加する電圧制御部32と、を備えている。また、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5に対向する位置に、測定対象Aで反射された反射光(測定対象光)を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5により、入射光学レンズから入射した測定対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光を検出部31にて受光する。
検出部31は、複数の光電交換素子により構成されており、受光量に応じた電気信号を生成する。そして、検出部31は、制御装置4に接続されており、生成した電気信号を受光信号として制御装置4に出力する。
[Configuration of colorimetric sensor]
The colorimetric sensor 3 constitutes the optical module of the present invention. As shown in FIG. 1, the colorimetric sensor 3 includes a wavelength variable interference filter 5, a detection unit 31 that receives and detects light transmitted through the wavelength variable interference filter 5, and a drive voltage to the wavelength variable interference filter 5. And a voltage control unit 32 to be applied. Further, the colorimetric sensor 3 includes an incident optical lens (not shown) that guides the reflected light (measurement target light) reflected by the measurement target A at a position facing the wavelength variable interference filter 5. In the colorimetric sensor 3, the wavelength variable interference filter 5 separates light having a predetermined wavelength from the measurement target light incident from the incident optical lens, and the detected light is received by the detection unit 31.
The detection unit 31 includes a plurality of photoelectric exchange elements, and generates an electrical signal corresponding to the amount of received light. And the detection part 31 is connected to the control apparatus 4, and outputs the produced | generated electric signal to the control apparatus 4 as a light reception signal.

〔波長可変干渉フィルターの構成〕
図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図であり、図3は、図2をIII−III線で断面した波長可変干渉フィルター5の断面図である。
波長可変干渉フィルター5は、図2に示すように、例えば平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター5は、図3に示すように、本発明の第一基板である可動基板51、及び本発明の第二基板である固定基板52を備えている。これらの2枚の基板51,52は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの可動基板51及び固定基板52は、可動基板51の第一接合部513及び固定基板52の第二接合部523が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜53により接合されることで、一体的に構成されている。
[Configuration of wavelength tunable interference filter]
FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the variable wavelength interference filter 5, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the variable wavelength interference filter 5 taken along line III-III in FIG.
As shown in FIG. 2, the variable wavelength interference filter 5 is, for example, a planar square plate-like optical member. As shown in FIG. 3, the variable wavelength interference filter 5 includes a movable substrate 51 that is a first substrate of the present invention and a fixed substrate 52 that is a second substrate of the present invention. These two substrates 51 and 52 are each formed of, for example, various glasses such as soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium glass, borosilicate glass, and alkali-free glass, or crystal. . The movable substrate 51 and the fixed substrate 52 are bonded to each other by the first bonding portion 513 of the movable substrate 51 and the second bonding portion 523 of the fixed substrate 52 formed of, for example, a plasma polymerized film mainly containing siloxane. By being joined by the film 53, it is configured integrally.

可動基板51には、本発明の第一反射膜を構成する可動反射膜56が設けられ、固定基板52には、本発明の第二反射膜を構成する固定反射膜57が設けられる。ここで、可動反射膜56は、可動基板51の固定基板52に対向する面に固定され、固定反射膜57は、固定基板52の可動基板51に対向する面に固定される。また、これらの可動反射膜56及び固定反射膜57は、所定の反射膜間ギャップGを介して対向配置される。
さらに、可動基板51と固定基板52との間には、可動反射膜56及び固定反射膜57の間のギャップGの寸法を調整するために用いられる静電アクチュエーター54が設けられる。この静電アクチュエーター54は、可動基板51側に設けられる可動電極541と、固定基板52側に設けられる固定電極551とを備える。ここで、これらの電極541,551は、それぞれ可動基板51及び固定基板52の基板表面に直接設けられる構成であってもよく、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。
また、波長可変干渉フィルター5を可動基板51(固定基板52)の基板厚み方向における可動基板51側から見た図2に示すような平面視において、可動基板51及び固定基板52の平面中心点Oは、可動反射膜56及び固定反射膜57の中心点と一致し、かつ後述する可動部511の中心点と一致する。
なお、以降の説明に当たり、可動基板51又は固定基板52の基板厚み方向から見た平面視、つまり、可動基板51、接合膜53、及び固定基板52の積層方向から波長可変干渉フィルター5を見た平面視を、フィルター平面視と称する。
The movable substrate 51 is provided with a movable reflective film 56 constituting the first reflective film of the present invention, and the fixed substrate 52 is provided with a fixed reflective film 57 constituting the second reflective film of the present invention. Here, the movable reflective film 56 is fixed to the surface of the movable substrate 51 facing the fixed substrate 52, and the fixed reflective film 57 is fixed to the surface of the fixed substrate 52 facing the movable substrate 51. Further, the movable reflective film 56 and the fixed reflective film 57 are arranged to face each other with a predetermined gap G between the reflective films.
Further, an electrostatic actuator 54 used for adjusting the size of the gap G between the movable reflective film 56 and the fixed reflective film 57 is provided between the movable substrate 51 and the fixed substrate 52. The electrostatic actuator 54 includes a movable electrode 541 provided on the movable substrate 51 side and a fixed electrode 551 provided on the fixed substrate 52 side. Here, the electrodes 541 and 551 may be provided directly on the substrate surfaces of the movable substrate 51 and the fixed substrate 52, respectively, or may be provided via other film members.
Further, when the wavelength variable interference filter 5 is viewed from the movable substrate 51 side in the substrate thickness direction of the movable substrate 51 (fixed substrate 52) as shown in FIG. Coincides with the center point of the movable reflective film 56 and the fixed reflective film 57, and coincides with the center point of the movable part 511 described later.
In the following description, the wavelength tunable interference filter 5 was seen from a plan view seen from the thickness direction of the movable substrate 51 or the fixed substrate 52, that is, from the stacking direction of the movable substrate 51, the bonding film 53, and the fixed substrate 52. The plan view is referred to as a filter plan view.

〔可動基板の構成〕
図4は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における可動基板51を固定基板52側から見た平面図である。
可動基板51は、例えばガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、可動基板51は、図2、図4に示すようなフィルター平面視において、基板中心点(平面中心点O)を中心とした円形の可動部511と、可動部511と同軸であり可動部511を保持する保持部512とを備える。
また、可動基板51は、図2及び図4に示すように、頂点T3の位置に切欠部514を備えており、波長可変干渉フィルター5の可動基板51側に、固定電極パッド557Pが露出する。
[Configuration of movable substrate]
FIG. 4 is a plan view of the movable substrate 51 in the variable wavelength interference filter 5 of the first embodiment as viewed from the fixed substrate 52 side.
The movable substrate 51 is formed, for example, by processing a glass base material by etching.
Specifically, the movable substrate 51 has a circular movable portion 511 centered on the substrate center point (plane center point O), and coaxial with the movable portion 511 in the filter plan view as shown in FIGS. And a holding portion 512 that holds the movable portion 511.
2 and 4, the movable substrate 51 includes a notch 514 at the position of the vertex T3, and the fixed electrode pad 557P is exposed on the movable substrate 51 side of the wavelength variable interference filter 5.

可動部511は、保持部512よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板51の厚み寸法と同一寸法に形成される。また、可動部511は、反射膜設置部522に平行な可動面511Aを備え、この可動面511Aに、可動反射膜56、及び可動電極541が設けられる。
なお、可動基板51は、可動部511の固定基板52とは反対側の面において、可動反射膜56に対応する位置に反射防止膜(AR)を設ける構成としてもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成され、可動基板51の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
The movable part 511 is formed to have a thickness dimension larger than that of the holding part 512. For example, in this embodiment, the movable part 511 is formed to have the same dimension as the thickness dimension of the movable substrate 51. The movable portion 511 includes a movable surface 511A parallel to the reflective film installation portion 522, and the movable reflective film 56 and the movable electrode 541 are provided on the movable surface 511A.
The movable substrate 51 may have a configuration in which an antireflection film (AR) is provided at a position corresponding to the movable reflective film 56 on the surface of the movable portion 511 opposite to the fixed substrate 52. This antireflection film is formed by alternately laminating low refractive index films and high refractive index films, and reduces the reflectance of visible light on the surface of the movable substrate 51 and increases the transmittance.

可動反射膜56は、可動部511の可動面511Aの中心部に、固定反射膜57と反射膜間ギャップGを介して対向して設けられる。この可動反射膜56としては、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。また、例えば高屈折層をTiO、低屈折層をSiOとした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜(又は合金膜)を積層した反射膜や、金属膜(又は合金膜)上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層(TiOやSiO等)と金属膜(又は合金膜)とを積層した反射膜などを用いてもよい。 The movable reflective film 56 is provided at the center of the movable surface 511 </ b> A of the movable part 511 so as to face the fixed reflective film 57 with the gap G between the reflective films. As the movable reflective film 56, for example, a metal film such as Ag or an alloy film such as an Ag alloy can be used. For example, a dielectric multilayer film in which the high refractive layer is TiO 2 and the low refractive layer is SiO 2 may be used. Further, a reflective film in which a metal film (or alloy film) is laminated on a dielectric multilayer film, a reflective film in which a dielectric multilayer film is laminated on a metal film (or alloy film), a single refractive layer (TiO 2 or SiO 2) and a metal film (or alloy film) and the like may be used reflective film formed by laminating a.

保持部512は、可動部511の周囲を囲う円環状のダイヤフラムであり、可動部511よりも厚み方向に対する剛性が小さく形成される。
このため、保持部512は可動部511よりも撓みやすく、僅かな静電引力により固定基板52側に撓ませることが可能となる。この際、可動部511は、保持部512よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、静電引力により可動基板51を撓ませる力が作用した場合でも、可動部511の撓みはほぼなく、可動部511に形成された可動反射膜56の撓みも防止できる。
The holding portion 512 is an annular diaphragm that surrounds the periphery of the movable portion 511, and is formed with less rigidity in the thickness direction than the movable portion 511.
For this reason, the holding part 512 is more easily bent than the movable part 511, and can be bent toward the fixed substrate 52 by a slight electrostatic attraction. At this time, the movable portion 511 has a thickness dimension larger than that of the holding portion 512, and the rigidity is increased. Therefore, even when a force that bends the movable substrate 51 by electrostatic attraction acts, the movable portion 511 is hardly bent. The bending of the movable reflective film 56 formed on the movable portion 511 can also be prevented.

可動電極541は、図4に示すように、平面中心点Oを中心とした円環状の内側可動電極542と、フィルター平面視において、内側可動電極542の外側に、一つの仮想円Pの円周に沿って配設される外側可動電極543により構成される。内側可動電極542は、本発明の第一内側電極を構成し、外側可動電極543は、本発明の第一外側電極を構成する。
ここで、内側可動電極542は、本発明の第一内側接続電極を構成する内側可動接続線545A,545Bが接続される。これら内側可動接続線545A,545Bは、フィルター平面視において、平面中心点Oを通る仮想直線L1に沿って配設され、直線形状を有する。換言すると、図4に示すように、これら一対の内側可動接続線545A,545Bは、内側可動電極542の周方向に沿って180度の間隔で、すなわち、内側可動電極542の周方向に沿って等角度間隔で配設される。
As shown in FIG. 4, the movable electrode 541 includes an annular inner movable electrode 542 centered on the plane center point O, and the circumference of one virtual circle P outside the inner movable electrode 542 in the filter plan view. The outer movable electrode 543 is arranged along the outer periphery. The inner movable electrode 542 constitutes the first inner electrode of the present invention, and the outer movable electrode 543 constitutes the first outer electrode of the present invention.
Here, the inner movable electrode 542 is connected to inner movable connection lines 545A and 545B constituting the first inner connection electrode of the present invention. These inner movable connection lines 545A and 545B are arranged along a virtual straight line L1 passing through the plane center point O in the filter plan view, and have a linear shape. In other words, as shown in FIG. 4, the pair of inner movable connection lines 545A and 545B are spaced by 180 degrees along the circumferential direction of the inner movable electrode 542, that is, along the circumferential direction of the inner movable electrode 542. Arranged at equiangular intervals.

内側可動接続線545Aは、内側可動電極542の外周縁から、頂点T1方向に延出し、その先端部には、電圧制御部32に接続される可動電極パッド547P1が設けられる。
一方、内側可動接続線545Bは、外側可動電極543の外周縁から、頂点T3方向に延出し、その先端部は、フィルター平面視において、保持部512の外縁よりも外側に位置する。具体的には、内側可動接続線545Bの先端部は、反射膜設置部522の外縁に対して、所定の長さ、例えば保持部512の厚み程度の長さ分だけ突出している。
The inner movable connection line 545A extends from the outer peripheral edge of the inner movable electrode 542 in the direction of the vertex T1, and a movable electrode pad 547P1 connected to the voltage control unit 32 is provided at the tip.
On the other hand, the inner movable connection line 545B extends from the outer peripheral edge of the outer movable electrode 543 in the direction of the vertex T3, and the tip thereof is located outside the outer edge of the holding portion 512 in the filter plan view. Specifically, the distal end portion of the inner movable connection line 545B protrudes from the outer edge of the reflective film installation portion 522 by a predetermined length, for example, a length about the thickness of the holding portion 512.

内側可動接続線545Aが保持部512の内外に亘って設けられる構成に対して、内側可動接続線545Bが保持部512の外まで延出していない場合や、保持部512の外周縁に対して十分な長さ分延出していない場合、保持部512が撓んだ際に内側可動接続線545Aに係る復元力と、内側可動接続線545Bに係る復元力が異なり、保持部512の撓みがアンバランスになるおそれがある。これに対して、上記構成では、保持部512が撓んだ際に、内側可動接続線545A,545Bに係る応力がほぼ同等となり、バランスよく保持部512を撓ませることができる。
すなわち、所定の長さとは、保持部512の内外に亘って設けられた内側可動接続線545Aに係る復元力と、内側可動接続線545Bに係る復元力とがほぼ同等となるのに十分な長さであり、保持部512の厚みや内側可動接続線545Bの形状などに応じて決まる。
Compared to the configuration in which the inner movable connection line 545A is provided over the inside and outside of the holding portion 512, the inner movable connection line 545B is sufficient for the outer peripheral edge of the holding portion 512 or when the inner movable connecting line 545B does not extend to the outside of the holding portion 512. When the holding portion 512 is bent, the restoring force related to the inner movable connection line 545A is different from the restoring force related to the inner movable connection line 545B, and the bending of the holding portion 512 is unbalanced. There is a risk of becoming. On the other hand, in the said structure, when the holding | maintenance part 512 bends, the stress which concerns on the inner side movable connection lines 545A and 545B becomes substantially equivalent, and the holding | maintenance part 512 can be bent with sufficient balance.
That is, the predetermined length is long enough for the restoring force related to the inner movable connecting line 545A provided over the inside and outside of the holding portion 512 and the restoring force related to the inner movable connecting line 545B to be substantially equal. That is, it depends on the thickness of the holding portion 512 and the shape of the inner movable connecting line 545B.

なお、内側可動接続線545Bは、内側可動接続線545Aと同様、可動基板51の外周側に引き出されていてもよい。また、内側可動接続線545Bも、可動基板51の外周部において電極パッドを介して電圧制御部32に接続されてもよい。さらに、この場合、例えば、内側可動接続線545A,545Bの一方を駆動電圧印加用電極に、他方を静電容量検出量電極として用いてもよい。   The inner movable connection line 545B may be drawn to the outer peripheral side of the movable substrate 51, like the inner movable connection line 545A. The inner movable connection line 545B may also be connected to the voltage control unit 32 via the electrode pad on the outer peripheral portion of the movable substrate 51. Further, in this case, for example, one of the inner movable connection lines 545A and 545B may be used as a drive voltage application electrode and the other may be used as a capacitance detection amount electrode.

ここで、内側可動接続線545A,545Bは、本発明の第一内側接続電極を構成するとしたが、本明細書では、各基板51,52に設けられた導電体膜からなパターンの一部及び全てを電極とも称する。例えば、内側可動接続線545Aは、内側可動電極542に電圧を印加するために可動電極パッド547P1に接続される引出電極である。一方、内側可動接続線545Bは、可動電極パッド547P1に接続されない、すなわち、引出電極として機能しないダミー電極である。すなわち、本明細書では、このようなダミー電極も含めた、基板に設けられた導電体膜からなるパターンの一部及び全てを電極とも称する。   Here, although the inner movable connection lines 545A and 545B constitute the first inner connection electrode of the present invention, in this specification, a part of a pattern made of a conductor film provided on each of the substrates 51 and 52 and All are also referred to as electrodes. For example, the inner movable connection line 545A is a lead electrode connected to the movable electrode pad 547P1 in order to apply a voltage to the inner movable electrode 542. On the other hand, the inner movable connection line 545B is a dummy electrode that is not connected to the movable electrode pad 547P1, that is, does not function as an extraction electrode. That is, in this specification, a part and all of the pattern made of the conductor film provided on the substrate including such a dummy electrode is also referred to as an electrode.

外側可動電極543は、平面中心点Oを中心とした仮想円Pの円周に沿う円弧状の複数の外側可動部分電極543A,543Bにより構成されている。これらの外側可動部分電極543A,543Bのそれぞれが、本発明の第一外側電極を構成する。なお、図4に示すように、頂点T2側を外側可動部分電極543Aとし、頂点T4側を外側可動部分電極543Bとする。
本実施形態では、フィルター平面視において、各外側可動部分電極543A,543Bは同一形状に形成される。また、外側可動部分電極543A,543Bは、それぞれの重心点Ga1,Gb1が仮想円Pの円周上において等角度間隔(180度間隔)となるように設けられる。
また、仮想円Pの円周上において外側可動部分電極543A,543Bの間には第一離間部544A,544Bが存在し、それぞれにおいて内側可動接続線545A,545Bが、外側可動電極543と非接触に設けられている。すなわち、第一離間部544Aと第一離間部544Bとは、仮想円Pと仮想直線L1とが交差する位置に、外側可動電極543の周方向に沿って180度の間隔で存在する。
The outer movable electrode 543 includes a plurality of arc-shaped outer movable partial electrodes 543A and 543B along the circumference of the virtual circle P with the plane center point O as the center. Each of these outer movable partial electrodes 543A and 543B constitutes a first outer electrode of the present invention. As shown in FIG. 4, the vertex T2 side is the outer movable partial electrode 543A, and the vertex T4 side is the outer movable partial electrode 543B.
In the present embodiment, the outer movable partial electrodes 543A and 543B are formed in the same shape in the filter plan view. Further, the outer movable partial electrodes 543A and 543B are provided so that the respective gravity center points G a1 and G b1 are equiangularly spaced (180 degrees apart) on the circumference of the virtual circle P.
Further, on the circumference of the virtual circle P, there are first separation portions 544A and 544B between the outer movable partial electrodes 543A and 543B, and the inner movable connection lines 545A and 545B are not in contact with the outer movable electrode 543, respectively. Is provided. That is, the first separation portion 544A and the first separation portion 544B are present at an interval of 180 degrees along the circumferential direction of the outer movable electrode 543 at a position where the virtual circle P and the virtual straight line L1 intersect.

また、外側可動電極543には、本発明の第一外側接続電極を構成する外側可動接続線546A,546Bが接続される。これら一対の外側可動接続線546A,546Bは、フィルター平面視において、平面中心点Oを通り、仮想直線L1と直交する仮想直線L2に沿って配設され、直線形状を有する。換言すると、図4に示すように、これら外側可動接続線546A,546Bは、外側可動電極543の周方向に沿って180度の間隔で、すなわち、外側可動電極543の周方向に沿って等角度間隔で配設される。また、外側可動接続線546A,546Bは、それぞれ、内側可動接続線545A及び内側可動接続線545Bが成す角を等角度(90度)に分割する位置に配設される。   The outer movable electrode 543 is connected to outer movable connection lines 546A and 546B constituting the first outer connection electrode of the present invention. The pair of outer movable connection lines 546A and 546B are disposed along a virtual straight line L2 that passes through the plane center point O and is orthogonal to the virtual straight line L1 in the filter plan view, and have a linear shape. In other words, as shown in FIG. 4, the outer movable connection lines 546A and 546B are spaced at an interval of 180 degrees along the circumferential direction of the outer movable electrode 543, that is, equiangular along the circumferential direction of the outer movable electrode 543. Arranged at intervals. The outer movable connection lines 546A and 546B are disposed at positions that divide the angle formed by the inner movable connection line 545A and the inner movable connection line 545B into equal angles (90 degrees), respectively.

外側可動接続線546Aは、外側可動電極543の外周縁から、頂点T2方向に延出し、その先端部には、電圧制御部32に接続される可動電極パッド547P2が設けられている。
また、外側可動接続線546Bは、外側可動電極543の外周縁から、頂点T4方向に延出する。そして、外側可動接続線546Bの先端部には、電圧制御部32に接続される可動電極パッド547P3が頂点T4に設けられている。
The outer movable connection line 546A extends from the outer peripheral edge of the outer movable electrode 543 in the direction of the apex T2, and a movable electrode pad 547P2 connected to the voltage control unit 32 is provided at the tip.
Further, the outer movable connection line 546B extends from the outer peripheral edge of the outer movable electrode 543 toward the vertex T4. A movable electrode pad 547P3 connected to the voltage control unit 32 is provided at the apex T4 at the tip of the outer movable connection line 546B.

このような構成では、外側可動部分電極543A,543Bは、同一の形状を有し、第一離間部544A,544Bを通る仮想直線L1に対して、互いに線対称な関係にある。また、外側可動部分電極543A,543Bのそれぞれは、仮想直線L2に対して線対称な形状を有する。
また、可動基板51が変形する可動部511及び保持部512を含む可動領域Ar1において、可動電極541、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bからなる導体部分は、フィルター平面視において、平面中心点Oを中心とし、仮想直線L1,L2に対して線対称な形状を有する。また、上記導体部分は、可動領域Ar1において、平面中心点Oに対して点対称な形状を有する。
なお、これらの可動電極541上には、可動電極541及び固定電極551の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層されている。
In such a configuration, the outer movable partial electrodes 543A and 543B have the same shape and are in a line-symmetric relationship with each other with respect to the virtual straight line L1 passing through the first separation portions 544A and 544B. Each of the outer movable partial electrodes 543A and 543B has a shape that is line-symmetric with respect to the virtual straight line L2.
Further, in the movable region Ar1 including the movable portion 511 and the holding portion 512 where the movable substrate 51 is deformed, the conductor portion composed of the movable electrode 541, the inner movable connection lines 545A and 545B, and the outer movable connection lines 546A and 546B is a filter plane. In view, it has a shape symmetrical about the virtual straight lines L1 and L2 with the plane center point O as the center. The conductor portion has a point-symmetric shape with respect to the plane center point O in the movable region Ar1.
Note that an insulating film (not shown) for preventing discharge between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551 is laminated on the movable electrode 541.

〔固定基板の構成〕
図5は、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5における固定基板52を可動基板51側から見た平面図である。
固定基板52は、例えばガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図3に示すように、固定基板52には、エッチングにより電極配置溝521及び反射膜設置部522が形成される。この固定基板52は、可動基板51に対して厚み寸法が大きく形成され、可動電極541及び固定電極551間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極551の内部応力による固定基板52の撓みはない。
また、固定基板52の頂点T1(図2参照)には、切欠部524が形成されており、波長可変干渉フィルター5の固定基板52側に、可動電極パッド547P1が露出する。同様に、頂点T2,T4にも、切欠部524が形成されており、可動電極パッド547P2,547P3がそれぞれ露出する。
[Configuration of fixed substrate]
FIG. 5 is a plan view of the fixed substrate 52 in the variable wavelength interference filter 5 of the first embodiment as viewed from the movable substrate 51 side.
The fixed substrate 52 is formed by processing a glass base material, for example. Specifically, as illustrated in FIG. 3, the electrode placement groove 521 and the reflective film installation portion 522 are formed on the fixed substrate 52 by etching. The fixed substrate 52 is formed to have a thickness larger than that of the movable substrate 51, and the fixed substrate 52 has an electrostatic attraction when a voltage is applied between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551 and internal stress of the fixed electrode 551. There is no deflection.
Further, a notch 524 is formed at the apex T1 (see FIG. 2) of the fixed substrate 52, and the movable electrode pad 547P1 is exposed on the fixed substrate 52 side of the variable wavelength interference filter 5. Similarly, notches 524 are formed at the vertices T2 and T4, and the movable electrode pads 547P2 and 547P3 are exposed, respectively.

電極配置溝521は、図5に示すように、フィルター平面視で、固定基板52の平面中心点Oを中心とした円形に形成される。反射膜設置部522は、フィルター平面視において、電極配置溝521の中心部から可動基板51側に突出して形成される。ここで、電極配置溝521の溝底面は、固定電極551が配設される電極設置面521Aとなる。また、反射膜設置部522の突出先端面は、反射膜設置面522Aとなる。
また、固定基板52には、電極配置溝521から、固定基板52の外周縁の頂点T1,頂点T2,頂点T4に向かって延出する電極引出溝521Bが設けられる。また、頂点T3及び頂点T4の間にも電極引出溝521Cが設けられる。
As shown in FIG. 5, the electrode placement groove 521 is formed in a circular shape centered on the plane center point O of the fixed substrate 52 in the filter plan view. The reflection film installation portion 522 is formed to protrude from the center portion of the electrode placement groove 521 toward the movable substrate 51 in the filter plan view. Here, the groove bottom surface of the electrode placement groove 521 is an electrode installation surface 521A on which the fixed electrode 551 is disposed. Further, the protruding front end surface of the reflection film installation portion 522 becomes a reflection film installation surface 522A.
In addition, the fixed substrate 52 is provided with an electrode extraction groove 521B extending from the electrode arrangement groove 521 toward the vertex T1, the vertex T2, and the vertex T4 of the outer peripheral edge of the fixed substrate 52. Further, an electrode lead-out groove 521C is also provided between the apex T3 and the apex T4.

電極配置溝521の電極設置面521Aには、本発明の第二電極を構成する、固定電極551が設けられる。
この固定電極551は、本発明の第二内側電極を構成する内側固定電極552、及び本発明の第二外側電極を構成する外側固定電極553を有し、可動電極541と対向する領域に配設される。
内側固定電極552は、図5に示すように、平面中心点Oを中心とする円環形状を有し、内側可動電極542と同じ形状を有する。また、内側固定電極552は、内側可動電極542に対向するように配設される。
The electrode placement surface 521A of the electrode placement groove 521 is provided with a fixed electrode 551 that constitutes the second electrode of the present invention.
This fixed electrode 551 has an inner fixed electrode 552 constituting the second inner electrode of the present invention and an outer fixed electrode 553 constituting the second outer electrode of the present invention, and is disposed in a region facing the movable electrode 541. Is done.
As shown in FIG. 5, the inner fixed electrode 552 has an annular shape centered on the plane center point O, and has the same shape as the inner movable electrode 542. The inner fixed electrode 552 is disposed so as to face the inner movable electrode 542.

外側固定電極553は、平面中心点Oを中心とした仮想円Pの円周に沿う円弧状の複数の外側固定部分電極553A,553Bにより構成されている。これらの外側固定部分電極553A,553Bのそれぞれが、本発明の第二外側電極を構成する。なお、図5に示すように、頂点T2側を外側可動部分電極543Aとし、頂点T4側を外側可動部分電極543Bとする。
本実施形態では、フィルター平面視において、各外側固定部分電極553A,553Bは同一形状に形成される。また、外側固定部分電極553A,553Bは、それぞれの重心点Ga2,Gb2が仮想円Pの円周上において等角度間隔(180度間隔)となるように設けられる。
また、仮想円Pの円周上において外側固定部分電極553A,553Bの間には第二離間部554A,554Bが存在する。すなわち、第二離間部554Aと第二離間部554Bとは、仮想円Pと仮想直線L1とが交差する位置に、外側可動電極543の周方向に沿って180度の間隔で存在する。
The outer fixed electrode 553 includes a plurality of arc-shaped outer fixed partial electrodes 553A and 553B along the circumference of the virtual circle P with the plane center point O as the center. Each of these outer fixed partial electrodes 553A and 553B constitutes a second outer electrode of the present invention. As shown in FIG. 5, the vertex T2 side is the outer movable partial electrode 543A, and the vertex T4 side is the outer movable partial electrode 543B.
In the present embodiment, the outer fixed partial electrodes 553A and 553B are formed in the same shape in the filter plan view. Further, the outer fixed partial electrodes 553A and 553B are provided so that the respective center-of-gravity points G a2 and G b2 are equiangularly spaced (180 degrees apart) on the circumference of the virtual circle P.
Further, on the circumference of the virtual circle P, the second separation portions 554A and 554B exist between the outer fixed partial electrodes 553A and 553B. That is, the second separation portion 554A and the second separation portion 554B are present at an interval of 180 degrees along the circumferential direction of the outer movable electrode 543 at a position where the virtual circle P and the virtual straight line L1 intersect.

ここで、外側固定部分電極553Aは、外側可動部分電極543Aに、外側固定部分電極553Bは、外側可動部分電極543Bに、それぞれ対向して重なるように設けられる。従って、第一離間部544Aは第二離間部554Aと、第一離間部544Bは第二離間部554Bと、それぞれ重なる位置に存在する。
すなわち、可動基板51に設けられた内側可動接続線545A,545Bは、第二離間部554A,554Bに対応する第一離間部544A,544Bの存在領域を通って延出されている。従って、外側固定部分電極553Aは、内側可動接続線545A,545Bと重ならない領域に設けられている。
なお、これらの固定電極551上には、可動電極541及び固定電極551の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層されている。
Here, the outer fixed partial electrode 553A and the outer fixed partial electrode 553B are provided to face and overlap the outer movable partial electrode 543A, respectively. Accordingly, the first separation portion 544A and the first separation portion 544B are located at positions overlapping the second separation portion 554A and the second separation portion 554B, respectively.
That is, the inner movable connection lines 545A and 545B provided on the movable substrate 51 extend through the existence areas of the first separation portions 544A and 544B corresponding to the second separation portions 554A and 554B. Accordingly, the outer fixed partial electrode 553A is provided in a region that does not overlap with the inner movable connection lines 545A and 545B.
Note that an insulating film (not shown) for preventing discharge between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551 is laminated on these fixed electrodes 551.

ここで、内側固定電極552及び外側固定電極553は、本発明の第二内側接続電極を構成する内側固定接続線555A,555Bによって接続される。これら内側固定接続線555A,555Bは、フィルター平面視において、仮想直線L2に沿う直線形状を有し、固定電極551及び内側固定電極552を接続する。換言すると、図5に示すように、これら内側固定接続線555A,555Bは、内側固定電極552の周方向に沿って180度の間隔である等角度間隔で配設されている。また、内側固定接続線555A,555Bは、仮想直線L1に沿って可動基板51に配設される内側可動接続線545A,545Bと重ならない領域(対向しない位置)に設けられる。なお、内側可動接続線545A,545Bは、仮想直線L2に沿っていなくともよく、少なくとも内側可動接続線545A,545Bと重ならない領域に設けられていればよい。   Here, the inner fixed electrode 552 and the outer fixed electrode 553 are connected by inner fixed connection lines 555A and 555B constituting the second inner connection electrode of the present invention. These inner fixed connection lines 555A and 555B have a linear shape along the virtual straight line L2 in the filter plan view, and connect the fixed electrode 551 and the inner fixed electrode 552. In other words, as shown in FIG. 5, the inner fixed connection lines 555A and 555B are arranged at equal angular intervals that are 180 degrees along the circumferential direction of the inner fixed electrode 552. Further, the inner fixed connection lines 555A and 555B are provided in regions (positions that do not face each other) that do not overlap with the inner movable connection lines 545A and 545B disposed on the movable substrate 51 along the virtual straight line L1. The inner movable connection lines 545A and 545B may not be along the virtual straight line L2, and may be provided at least in a region that does not overlap with the inner movable connection lines 545A and 545B.

また、外側固定電極553は、外側固定接続線556A,556Bが接続される。外側固定接続線556A,556Bは、フィルター平面視において、仮想直線L2に沿って配設され、直線形状を有する。換言すると、図5に示すように、外側固定接続線556A,556Bは、外側固定電極553の周方向に沿って180度の間隔、すなわち等角度間隔で配設される。また、外側固定接続線556A,556Bは、仮想直線L2に沿って可動基板51に配設される外側可動接続線546A,546Bとそれぞれ対向する位置に配設される。   The outer fixed electrode 553 is connected to outer fixed connection lines 556A and 556B. The outer fixed connection lines 556A and 556B are arranged along the virtual straight line L2 in the filter plan view and have a straight line shape. In other words, as shown in FIG. 5, the outer fixed connection lines 556 </ b> A and 556 </ b> B are arranged at an interval of 180 degrees along the circumferential direction of the outer fixed electrode 553, that is, at an equal angular interval. The outer fixed connection lines 556A and 556B are disposed at positions facing the outer movable connection lines 546A and 546B disposed on the movable substrate 51 along the virtual straight line L2.

外側固定接続線556Aは、外側固定電極553の外周縁から、頂点T2方向に延出し、その先端部は、フィルター平面視において、反射膜設置部522の外縁よりも外側に位置する。
外側固定接続線556Bは、外側固定電極553の外周縁から、頂点T4方向に延出する。さらに、外側固定接続線556Bは、電極引出溝521Cを通り、頂点T4周辺から頂点T3方向に延出する。そして、外側固定接続線556Bの先端部には、電圧制御部32に接続される固定電極パッド557Pが頂点T3に設けられている。
The outer fixed connection line 556 </ b> A extends from the outer peripheral edge of the outer fixed electrode 553 in the direction of the vertex T <b> 2, and the distal end portion thereof is located outside the outer edge of the reflective film installation portion 522 in the filter plan view.
The outer fixed connection line 556B extends from the outer peripheral edge of the outer fixed electrode 553 in the direction of the vertex T4. Further, the outer fixed connection line 556B passes through the electrode lead-out groove 521C and extends from the periphery of the vertex T4 in the direction of the vertex T3. A fixed electrode pad 557P connected to the voltage control unit 32 is provided at the apex T3 at the tip of the outer fixed connection line 556B.

なお、外側固定接続線556Aの仮想直線L2方向の長さは、上記長さに限定されない。本実施形態では、可動領域Ar1内において、外側可動接続線546Aと外側固定接続線556Aとが対向し、外側可動接続線546Bと外側固定接続線556Bとが対向し、これらが対向している領域が、対称、すなわち等角度間隔に設けらされていればよい。
また、外側固定接続線556Aは、外側固定接続線556Bと同様、固定基板52の外周側に引き出されていてもよい。また、外側固定接続線556Aも、固定基板52の外周部において電極パッドを介して電圧制御部32に接続されてもよい。さらに、この場合、例えば、外側固定接続線556A,556Bの一方を駆動電圧印加用電極に、他方を静電容量検出量電極として用いてもよい。
The length of the outer fixed connection line 556A in the virtual straight line L2 direction is not limited to the above length. In the present embodiment, in the movable region Ar1, the outer movable connection line 546A and the outer fixed connection line 556A face each other, the outer movable connection line 546B and the outer fixed connection line 556B face each other, and these are opposed to each other. Should be provided symmetrically, that is, at equiangular intervals.
Further, the outer fixed connection line 556A may be drawn to the outer peripheral side of the fixed substrate 52, similarly to the outer fixed connection line 556B. Also, the outer fixed connection line 556A may be connected to the voltage control unit 32 via the electrode pad on the outer peripheral portion of the fixed substrate 52. Further, in this case, for example, one of the outer fixed connection lines 556A and 556B may be used as the drive voltage application electrode and the other as the capacitance detection amount electrode.

このような構成では、外側固定部分電極553A,553Bは同一の形状を有し、第二離間部554A,554Bを通る仮想直線L1に対して、互いに線対称な関係にある。また、外側固定部分電極553A,553Bのそれぞれは、仮想直線L2に対して線対称な形状を有する。
また、可動領域Ar1において、固定電極551、内側固定接続線555A,555B、及び外側固定接続線556A,556Bからなる導体部分は、フィルター平面視において、平面中心点Oを中心とし、仮想直線L1,L2に対して線対称の形状を有する。また、上記導体部分は、可動領域Ar1において、平面中心点Oに対して点対称の形状を有する。
なお、これらの固定電極551上には、可動電極541及び固定電極551の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層されている。
In such a configuration, the outer fixed partial electrodes 553A and 553B have the same shape, and are in a line-symmetric relationship with each other with respect to the virtual straight line L1 passing through the second separation portions 554A and 554B. Also, each of the outer fixed partial electrodes 553A and 553B has a shape that is line-symmetric with respect to the virtual straight line L2.
Further, in the movable region Ar1, the conductor portion composed of the fixed electrode 551, the inner fixed connection lines 555A and 555B, and the outer fixed connection lines 556A and 556B is centered on the plane center point O in the filter plan view, and the virtual straight line L1, It has a line-symmetric shape with respect to L2. The conductor portion has a point-symmetric shape with respect to the plane center point O in the movable region Ar1.
Note that an insulating film (not shown) for preventing discharge between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551 is laminated on these fixed electrodes 551.

反射膜設置部522は、上述したように、電極配置溝521と同軸上で、電極配置溝521よりも小さい径寸法となる円柱状に形成されている。なお、本実施形態では、図3に示すように、反射膜設置部522の可動基板51に対向する反射膜設置面522Aが、電極設置面521Aよりも可動基板51に近接して形成される例を示すが、これに限らない。電極設置面521A及び反射膜設置面522Aの高さ位置は、反射膜間ギャップGの寸法、可動電極541及び固定電極551の間の寸法、可動反射膜56や固定反射膜57の厚み寸法、測定対象波長域等により適宜設定される。従って、例えば、電極設置面521Aと反射膜設置面522Aとが同一面に形成される構成や、電極設置面521Aの中心部に、円柱凹溝上の反射膜固定溝が形成され、この反射膜固定溝の底面に反射膜固定面が形成される構成などとしてもよい。   As described above, the reflection film installation portion 522 is formed in a columnar shape that is coaxial with the electrode arrangement groove 521 and has a smaller diameter than the electrode arrangement groove 521. In the present embodiment, as shown in FIG. 3, an example in which the reflective film installation surface 522A facing the movable substrate 51 of the reflective film installation unit 522 is formed closer to the movable substrate 51 than the electrode installation surface 521A is formed. However, it is not limited to this. The height positions of the electrode installation surface 521A and the reflection film installation surface 522A are the dimensions of the gap G between the reflection films, the dimensions between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551, the thickness dimensions of the movable reflection film 56 and the fixed reflection film 57, and the measurement. It is set as appropriate depending on the target wavelength range. Therefore, for example, a configuration in which the electrode installation surface 521A and the reflection film installation surface 522A are formed on the same surface, or a reflection film fixing groove on the cylindrical concave groove is formed at the center of the electrode installation surface 521A. A configuration in which a reflecting film fixing surface is formed on the bottom surface of the groove may be employed.

そして、反射膜設置面522Aには、円形状に形成される固定反射膜57が固定されている。この固定反射膜57としては、上述した可動反射膜56と同一の構成の反射膜が用いられる。
さらに、固定基板52は、可動基板51と同様に、可動基板51に対向する面とは反対側の面において、固定反射膜57に対応する位置に反射防止膜(AR)を設ける構成としてもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成され、固定基板52の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
A fixed reflective film 57 formed in a circular shape is fixed to the reflective film installation surface 522A. As the fixed reflection film 57, a reflection film having the same configuration as that of the movable reflection film 56 described above is used.
Further, similarly to the movable substrate 51, the fixed substrate 52 may be provided with an antireflection film (AR) at a position corresponding to the fixed reflective film 57 on the surface opposite to the surface facing the movable substrate 51. . This antireflection film is formed by alternately laminating low refractive index films and high refractive index films, and reduces the reflectance of visible light on the surface of the fixed substrate 52 and increases the transmittance.

そして、固定基板52の可動基板51に対向する面のうち、エッチングにより、電極配置溝521、反射膜設置部522、及び電極引出溝521B,電極引出溝521Cが形成されない面は、第二接合部523を構成する。この第二接合部523は、上述したように、接合膜53を介して可動基板51の第一接合部513に接合される。   Of the surface of the fixed substrate 52 that faces the movable substrate 51, the surface on which the electrode placement groove 521, the reflective film installation portion 522, the electrode extraction groove 521B, and the electrode extraction groove 521C are not formed by etching is the second bonding portion. 523 is configured. As described above, the second bonding portion 523 is bonded to the first bonding portion 513 of the movable substrate 51 via the bonding film 53.

〔電圧制御手段の構成〕
電圧制御部32は、制御装置4から入力される制御信号に基づいて、静電アクチュエーター54に印加する電圧を制御する。具体的には、電圧制御部32は、固定電極551を接地電位とし、可動電極541に駆動電圧を印加する。
[Configuration of voltage control means]
The voltage control unit 32 controls the voltage applied to the electrostatic actuator 54 based on the control signal input from the control device 4. Specifically, the voltage control unit 32 sets the fixed electrode 551 to the ground potential and applies a driving voltage to the movable electrode 541.

〔制御装置の構成〕
制御装置4は、測色装置1の全体動作を制御する。
この制御装置4としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。
そして、制御装置4は、図1に示すように、光源制御部41、測色センサー制御部42、及び本発明の分析処理部を構成する測色処理部43などを備えて構成されている。
光源制御部41は、光源装置2に接続されている。そして、光源制御部41は、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置2に所定の制御信号を出力し、光源装置2から所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部42は、測色センサー3に接続されている。そして、測色センサー制御部42は、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー3にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の制御信号を測色センサー3に出力する。これにより、測色センサー3の電圧制御部32は、制御信号に基づいて、利用者が所望する光の波長のみを透過させるよう、静電アクチュエーター54への印加電圧を設定する。
測色処理部43は、検出部31により検出された受光量から、測定対象Aの色度を分析する。
[Configuration of control device]
The control device 4 controls the overall operation of the color measurement device 1.
As the control device 4, for example, a general-purpose personal computer, a portable information terminal, other color measurement dedicated computer, or the like can be used.
As shown in FIG. 1, the control device 4 includes a light source control unit 41, a colorimetric sensor control unit 42, a colorimetric processing unit 43 that constitutes an analysis processing unit of the present invention, and the like.
The light source control unit 41 is connected to the light source device 2. Then, the light source control unit 41 outputs a predetermined control signal to the light source device 2 based on, for example, a user setting input, and causes the light source device 2 to emit white light with a predetermined brightness.
The colorimetric sensor control unit 42 is connected to the colorimetric sensor 3. The colorimetric sensor control unit 42 sets a wavelength of light received by the colorimetric sensor 3 based on, for example, a user's setting input, and outputs a control signal for detecting the amount of light received at this wavelength. Output to the colorimetric sensor 3. Accordingly, the voltage control unit 32 of the colorimetric sensor 3 sets the voltage applied to the electrostatic actuator 54 so as to transmit only the wavelength of light desired by the user, based on the control signal.
The colorimetric processing unit 43 analyzes the chromaticity of the measurement target A from the amount of received light detected by the detection unit 31.

〔第一実施形態の作用効果〕
上述したように、上記実施形態の波長可変干渉フィルター5は、可動部511を固定基板52に向かって進退させるための静電引力を発生させる静電アクチュエーター54を備える。この静電アクチュエーター54は、可動基板51に設けられた可動電極541と、固定基板52に設けられた固定電極551とから構成される。また、可動電極541は、円環状の内側可動電極542と、内側可動電極542と同心円上に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状の外側可動部分電極543A,543Bとを備える。また、固定電極551は、可動電極541と重なる領域に対向して設けられる。
このように構成される波長可変干渉フィルター5では、固定電極551を接地電位とし、可動電極541に駆動電圧を印加して、可動電極541及び固定電極551の間に駆動電圧を印加することにより、可動電極541及び固定電極551の間に静電引力を発生させる。この静電引力により、可動反射膜56と固定反射膜57との間の反射膜間ギャップGを変更させる。この際、内側可動電極542及び外側可動電極543に異なる電圧を印加することで、内側可動電極542と固定電極551との間に発生する静電引力、及び外側可動電極543と固定電極551との間に発生する静電引力を異ならせることができる。これにより、反射膜間ギャップGを精度よく所望のギャップ量に変更させることが可能となる。
[Operational effects of the first embodiment]
As described above, the variable wavelength interference filter 5 according to the embodiment includes the electrostatic actuator 54 that generates an electrostatic attractive force for moving the movable portion 511 toward and away from the fixed substrate 52. The electrostatic actuator 54 includes a movable electrode 541 provided on the movable substrate 51 and a fixed electrode 551 provided on the fixed substrate 52. In addition, the movable electrode 541 includes an annular inner movable electrode 542 and a plurality of outer movable partial electrodes 543A and 543B that are provided along a concentric circle with the inner movable electrode 542 and have the same shape. The fixed electrode 551 is provided so as to face a region overlapping with the movable electrode 541.
In the tunable interference filter 5 configured as described above, the fixed electrode 551 is set to the ground potential, the drive voltage is applied to the movable electrode 541, and the drive voltage is applied between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551. An electrostatic attractive force is generated between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551. By this electrostatic attraction, the inter-reflection film gap G between the movable reflection film 56 and the fixed reflection film 57 is changed. At this time, by applying different voltages to the inner movable electrode 542 and the outer movable electrode 543, electrostatic attraction generated between the inner movable electrode 542 and the fixed electrode 551, and between the outer movable electrode 543 and the fixed electrode 551. The electrostatic attractive force generated between them can be made different. As a result, the gap G between the reflection films can be accurately changed to a desired gap amount.

ここで、波長可変干渉フィルター5では、内側可動電極542から延出される直線状の内側可動接続線545A,545Bは、平面中心点Oに対して等角度間隔で設けられる。また、外側可動電極543から延出される直線状の外側可動接続線546A,546Bは、平面中心点Oに対して等角度間隔で設けられる。また、固定電極551は、可動電極541と重なる領域に対向して設けられる。
このような構成では、内側可動電極542及び固定電極551の間、外側可動電極543及び固定電極551の間、外側可動接続線546A及び外側固定接続線556Aの間、並びに外側可動接続線546B及び外側固定接続線556Bの間に静電引力が作用することになる。そして、これら静電引力が発生する領域は、平面中心点O(内側可動電極542の中心点)に対して等角度間隔に設けられる領域となる。したがって、反射膜間ギャップGの寸法を静電引力により変化させる際、平面中心点Oに対してバランスよく静電引力を作用させることができる。これにより、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法を変更することができる。すなわち、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法をより高精度に制御することができる。
Here, in the wavelength variable interference filter 5, the linear inner movable connection lines 545 A and 545 B extending from the inner movable electrode 542 are provided at equal angular intervals with respect to the plane center point O. The linear outer movable connection lines 546A and 546B extending from the outer movable electrode 543 are provided at equal angular intervals with respect to the plane center point O. The fixed electrode 551 is provided so as to face a region overlapping with the movable electrode 541.
In such a configuration, between the inner movable electrode 542 and the fixed electrode 551, between the outer movable electrode 543 and the fixed electrode 551, between the outer movable connection line 546A and the outer fixed connection line 556A, and between the outer movable connection line 546B and the outer side. An electrostatic attractive force acts between the fixed connection lines 556B. The regions where the electrostatic attractive force is generated are regions provided at equiangular intervals with respect to the plane center point O (the center point of the inner movable electrode 542). Therefore, when the dimension of the gap G between the reflection films is changed by the electrostatic attractive force, the electrostatic attractive force can be applied to the plane center point O in a balanced manner. Thereby, the dimension of the gap G between reflection films can be changed, maintaining the parallelism between board | substrates. That is, the dimension of the gap G between the reflection films can be controlled with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates.

ところで、可動基板51に形成された各電極及び接続線に内部応力が発生する場合がある。そして、この内部応力が可動基板51の平面視において釣り合っていないと、可動基板51の保持部512が、平面視において異なる撓み量で撓み、反射膜間ギャップGが不均一になってしまうおそれがある。すなわち、内部応力が平面視においてアンバランスに作用することにより、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGを高精度に調整することができないおそれがある。   By the way, internal stress may occur in each electrode and connection line formed on the movable substrate 51. If this internal stress is not balanced in the plan view of the movable substrate 51, the holding portion 512 of the movable substrate 51 may be bent with different deflection amounts in the plan view, and the gap G between the reflection films may be non-uniform. is there. That is, since the internal stress acts on the unbalance in a plan view, the gap G between the reflection films may not be adjusted with high accuracy while maintaining the parallelism between the substrates.

これに対して、波長可変干渉フィルター5では、内側可動電極542を円環状とし、同一形状の外側可動部分電極543A,543Bを平面中心点Oに対して等角度間隔に設けている。さらに、内側可動接続線545A,545B及び外側可動接続線546A,546Bを、平面中心点Oに対して等角度間隔で設けている。
このような構成では、内側可動電極542、外側可動部分電極543A,543B、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bのそれぞれが、平面中心点Oに対して対称性を有する領域に設けられている。したがって、各電極や接続線に内部応力が発生したとしても、その内部応力が平面中心点Oに対して対称性を有する領域に作用し、釣り合った状態となる。従って、各電極や接続電極の内部応力を平面中心点Oに対してバランスよく作用させることができる。これにより、内部応力の影響で反射膜間ギャップGの寸法制御の精度が低下することを抑制でき、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法をより高精度に調整することができる。
On the other hand, in the variable wavelength interference filter 5, the inner movable electrode 542 has an annular shape, and the outer movable partial electrodes 543A and 543B having the same shape are provided at equal angular intervals with respect to the plane center point O. Further, the inner movable connection lines 545A and 545B and the outer movable connection lines 546A and 546B are provided at equiangular intervals with respect to the plane center point O.
In such a configuration, each of the inner movable electrode 542, the outer movable partial electrodes 543A and 543B, the inner movable connection lines 545A and 545B, and the outer movable connection lines 546A and 546B has symmetry with respect to the plane center point O. It is provided in the area. Therefore, even if an internal stress is generated in each electrode or connection line, the internal stress acts on a region having symmetry with respect to the plane center point O, resulting in a balanced state. Therefore, the internal stress of each electrode or connection electrode can be applied to the plane center point O in a balanced manner. As a result, it is possible to suppress a decrease in the accuracy of dimensional control of the gap G between the reflection films due to the influence of internal stress, and to adjust the dimension of the gap G between the reflection films with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates. Can do.

すなわち、波長可変干渉フィルター5では、内側可動電極542及び外側可動部分電極543A,543Bと、固定電極551との間に発生する静電引力、並びに、内側可動電極542、外側可動部分電極543A,543B、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bによる内部応力を、平面視において、バランスよく基板に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法をより高精度に調整することができる。   That is, in the wavelength variable interference filter 5, the electrostatic attractive force generated between the inner movable electrode 542 and the outer movable partial electrodes 543A and 543B and the fixed electrode 551, and the inner movable electrode 542 and the outer movable partial electrodes 543A and 543B. The internal stress caused by the inner movable connection lines 545A and 545B and the outer movable connection lines 546A and 546B can be applied to the substrates in a plan view in a balanced manner, and the gap G between the reflective films is maintained while maintaining the parallelism between the substrates. Can be adjusted with higher accuracy.

また、このような波長可変干渉フィルター5を備えた測色センサー3では、検出部31にて、高分解能で分光された光を検出することができ、正確な光量検出結果を得ることができる。さらに、測色装置1では、この測色センサー3により検出された光量により、測定対象Aの測色を行うことで、精度の高い測色処理を行うことができる。   Further, in the colorimetric sensor 3 provided with such a variable wavelength interference filter 5, the detection unit 31 can detect light that has been dispersed with high resolution, and an accurate light amount detection result can be obtained. Furthermore, the colorimetric device 1 can perform highly accurate colorimetric processing by performing colorimetry on the measuring object A based on the amount of light detected by the colorimetric sensor 3.

また、波長可変干渉フィルター5では、固定電極551の外側固定電極553は、内側可動接続線545A,545Bと重なる領域に第二離間部554A,554Bが存在する。
ここで、内側可動接続線545A,545Bは、内側固定電極552と対向する内側可動電極542と同電位となっている。すなわち、内側可動接続線545A,545Bと外側固定電極553とは静電引力を発生させるべき関係ではない。これに対して、上述の構成により、本来、静電引力を発生させる必要がない、外側固定電極553と内側可動接続線545A,545Bとの間に静電引力が発生することがないので、基板間に所望の静電引力を発生させることができ、反射膜間ギャップGをより高精度に調整することができる。
In the wavelength tunable interference filter 5, the outer fixed electrode 553 of the fixed electrode 551 has the second separation portions 554 </ b> A and 554 </ b> B in a region overlapping with the inner movable connection lines 545 </ b> A and 545 </ b> B.
Here, the inner movable connection lines 545A and 545B have the same potential as the inner movable electrode 542 facing the inner fixed electrode 552. That is, the inner movable connection lines 545A and 545B and the outer fixed electrode 553 are not in a relationship that should generate electrostatic attraction. On the other hand, since the electrostatic attraction force is not generated between the outer fixed electrode 553 and the inner movable connection lines 545A and 545B, it is not necessary to generate the electrostatic attraction by the above-described configuration. A desired electrostatic attractive force can be generated in the meantime, and the gap G between the reflection films can be adjusted with higher accuracy.

また、波長可変干渉フィルター5では、固定電極551は、内側可動電極542と重なる領域に設けられた内側固定電極552と、外側可動電極543と重なる領域に設けられた外側固定電極553とを備え、外側固定電極553は、内側可動接続線545A,545Bと重ならない領域に設けられている。
これにより、第二電極と第一内側接続線との間に静電引力が発生することがなく、第一内側電極及び第一外側電極と第二電極との間に発生する静電引力を利用して反射膜間ギャップGを調整することができる。従って、反射膜間ギャップGを高精度に調整することができる。
これにより、固定電極551と内側可動接続線545A,545Bとの間に静電引力が発生することがないので、平面視においてアンバランスな静電引力が基板間に発生することを抑制することができる。
In the variable wavelength interference filter 5, the fixed electrode 551 includes an inner fixed electrode 552 provided in a region overlapping the inner movable electrode 542 and an outer fixed electrode 553 provided in a region overlapping the outer movable electrode 543. The outer fixed electrode 553 is provided in a region that does not overlap with the inner movable connection lines 545A and 545B.
Thereby, electrostatic attraction is not generated between the second electrode and the first inner connection line, and the electrostatic attraction generated between the first inner electrode and the first outer electrode and the second electrode is used. Thus, the gap G between the reflection films can be adjusted. Therefore, the gap G between the reflection films can be adjusted with high accuracy.
Thereby, since electrostatic attraction is not generated between the fixed electrode 551 and the inner movable connection lines 545A and 545B, it is possible to suppress generation of unbalanced electrostatic attraction between the substrates in plan view. it can.

また、波長可変干渉フィルター5は、外側固定接続線556A,556Bを有し、この外側固定接続線556A,556Bは、外側可動接続線546A,546Bに重なる領域に配設される。ここで、外側可動接続線546A,546Bは、内側可動接続線545A,545Bが成す角を等角度間隔に分割するように配設され、仮想直線L1,L2に対して線対称となる形状を有する。同様に、外側固定接続線556A,556Bも、仮想直線L1,L2に対して線対称となる形状を有する。外側可動接続線546A,546B及び外側固定接続線556A,556Bの間に発生する静電引力の発生領域も、フィルター平面視において対称性を有するので、平面視においてバランスよく静電引力を発生させることができる。   The wavelength variable interference filter 5 includes outer fixed connection lines 556A and 556B, and the outer fixed connection lines 556A and 556B are disposed in regions overlapping the outer movable connection lines 546A and 546B. Here, the outer movable connection lines 546A and 546B are arranged so as to divide the angle formed by the inner movable connection lines 545A and 545B into equal angular intervals, and have a shape that is line symmetric with respect to the virtual straight lines L1 and L2. . Similarly, the outer fixed connection lines 556A and 556B also have shapes that are line symmetric with respect to the virtual straight lines L1 and L2. The region of electrostatic attraction generated between the outer movable connection lines 546A and 546B and the outer fixed connection lines 556A and 556B also has symmetry in the filter plan view, so that the electrostatic attraction force is generated in a balanced manner in the plan view. Can do.

また、波長可変干渉フィルター5では、内側固定電極552及び外側固定電極553を接続し、内側可動接続線545A,545Bと重ならない領域に設けられた内側固定接続線555A,555Bを備える。
これにより、内側可動接続線545A,545Bと内側固定接続線555A,555Bとの間に静電引力が発生することがなく、内側可動電極542及び外側可動電極543と固定電極551との間にバランス良く静電引力を発生させることができる。従って、反射膜間ギャップGをより高精度に調整することができる。
The variable wavelength interference filter 5 includes inner fixed connection lines 555A and 555B that connect the inner fixed electrode 552 and the outer fixed electrode 553 and are provided in a region that does not overlap with the inner movable connection lines 545A and 545B.
Thus, electrostatic attraction is not generated between the inner movable connection lines 545A and 545B and the inner fixed connection lines 555A and 555B, and the balance is achieved between the inner movable electrode 542 and the outer movable electrode 543 and the fixed electrode 551. Electrostatic attractive force can be generated well. Therefore, the gap G between the reflection films can be adjusted with higher accuracy.

また、波長可変干渉フィルター5では、可動部511及び保持部512を備える。
上述のように、可動基板51を平面視において対称性を有する電極配置とし、内側可動電極542及び外側可動部分電極543A,543Bと、固定電極551との間に発生する静電引力、並びに、内側可動電極542、外側可動部分電極543A,543B、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bによる可動基板51に対する内部応力が、平面視において対称性を有する領域に作用する。従って、静電引力及び内部応力を平面視において、バランスよく可動基板51に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法をより高精度に調整することができる。
The wavelength variable interference filter 5 includes a movable part 511 and a holding part 512.
As described above, the movable substrate 51 has a symmetrical electrode arrangement in plan view, the electrostatic attractive force generated between the inner movable electrode 542 and the outer movable partial electrodes 543A and 543B, and the fixed electrode 551, and the inner Internal stress on the movable substrate 51 by the movable electrode 542, the outer movable partial electrodes 543A and 543B, the inner movable connection lines 545A and 545B, and the outer movable connection lines 546A and 546B acts on a region having symmetry in plan view. Therefore, the electrostatic attractive force and the internal stress can be applied to the movable substrate 51 in a balanced manner in a plan view, and the dimension of the gap G between the reflection films can be adjusted with higher accuracy while maintaining the parallelism between the substrates. it can.

さらに、波長可変干渉フィルター5では、フィルター平面視において、平面中心点Oを中心として、可動部511は、円形状、保持部512は、円環形状であり、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bは、保持部512の外周縁から少なくとも所定の長さ分突出して延設される。   Further, in the variable wavelength interference filter 5, the movable portion 511 has a circular shape and the holding portion 512 has an annular shape around the plane center point O in the filter plan view, and the inner movable connection lines 545A, 545B, and The outer movable connection lines 546A and 546B extend from the outer peripheral edge of the holding portion 512 so as to protrude at least by a predetermined length.

このように、可動部511及び保持部512を平面中心点Oに対して点対称な構成とする。これにより、可動部511の基板厚み方向の変位に伴う保持部512からの復元力を、フィルター平面視においてバランスよく作用させることができる。
また、波長可変干渉フィルター5では、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bは、保持部512の外周縁から少なくとも所定の長さ分突出して延設される。所定の長さとは、保持部512の内外に亘って設けられた内側可動接続線545Aに係る復元力と、内側可動接続線545Bに係る復元力とがほぼ同等となるのに十分な長さである。
これにより、内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bから保持部512に対して付与される内部応力の位置及び大きさが、フィルター平面視において、対称性を有するように構成することができる。
従って、波長可変干渉フィルター5では、可動部511及び保持部512に対して、フィルター平面視において対称性が高い静電引力、内部応力及び復元力を付与することができる。このため、基板間の平行関係を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法を抑制することができ、分解能の低下を抑制することができる。
As described above, the movable portion 511 and the holding portion 512 are configured to be point-symmetric with respect to the plane center point O. Thereby, the restoring force from the holding | maintenance part 512 accompanying the displacement of the board | substrate thickness direction of the movable part 511 can be made to act with sufficient balance in filter planar view.
In the wavelength tunable interference filter 5, the inner movable connection lines 545 A and 545 B and the outer movable connection lines 546 A and 546 B are extended from the outer peripheral edge of the holding portion 512 by at least a predetermined length. The predetermined length is long enough for the restoring force related to the inner movable connecting line 545A provided over the inside and outside of the holding portion 512 and the restoring force related to the inner movable connecting line 545B to be substantially equal. is there.
Thereby, the position and magnitude | size of the internal stress provided with respect to the holding | maintenance part 512 from inner side movable connection line 545A, 545B and outer side movable connection line 546A, 546B are comprised so that it may have symmetry in filter planar view. can do.
Therefore, in the variable wavelength interference filter 5, electrostatic attractive force, internal stress, and restoring force having high symmetry in the filter plan view can be applied to the movable portion 511 and the holding portion 512. For this reason, the dimension of the gap G between the reflection films can be suppressed while maintaining the parallel relationship between the substrates, and a reduction in resolution can be suppressed.

[第二実施形態]
次に、本発明の第二実施形態について図面に基づいて説明する。
上述した第一実施形態の波長可変干渉フィルター5では、外側可動電極が二つの部分電極からなり、内側可動電極542、外側可動電極543、内側固定電極552及び外側固定電極553のそれぞれが、2つの接続線を備える構成を示した。
これに対して、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、外側可動電極が三つの部分電極からなり、内側可動電極、外側可動電極、内側固定電極及び外側固定電極それぞれが、3つの接続線を備える。以下、このような波長可変干渉フィルター5Aの構成について詳述する。
図6は、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aの概略構成を示す平面図である。図7は、波長可変干渉フィルター5Aの可動基板51を固定基板52側から見た平面図である。図8は、波長可変干渉フィルター5Aの固定基板52を可動基板51側から見た平面図である。なお、上記第一実施形態と同一の構成については同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
In the wavelength tunable interference filter 5 of the first embodiment described above, the outer movable electrode is composed of two partial electrodes, and each of the inner movable electrode 542, the outer movable electrode 543, the inner fixed electrode 552, and the outer fixed electrode 553 has two. A configuration with connecting lines is shown.
On the other hand, in the variable wavelength interference filter 5A of the second embodiment, the outer movable electrode includes three partial electrodes, and the inner movable electrode, the outer movable electrode, the inner fixed electrode, and the outer fixed electrode each have three connection lines. Is provided. Hereinafter, the configuration of such a wavelength variable interference filter 5A will be described in detail.
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of a variable wavelength interference filter 5A of the second embodiment. FIG. 7 is a plan view of the movable substrate 51 of the wavelength tunable interference filter 5A as viewed from the fixed substrate 52 side. FIG. 8 is a plan view of the fixed substrate 52 of the variable wavelength interference filter 5A as viewed from the movable substrate 51 side. In addition, about the structure same as said 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted or simplified.

〔可動基板の構成〕
波長可変干渉フィルター5Aの可動基板51には、可動基板51の可動面511Aに可動電極581が設けられる。
可動電極581は、図7に示すように、平面中心点Oを中心とした円環状の内側可動電極582と、フィルター平面視において、内側可動電極582の外側に、仮想円Pの円周に沿って配設される外側可動電極583により構成される。
[Configuration of movable substrate]
The movable substrate 51 of the variable wavelength interference filter 5A is provided with a movable electrode 581 on the movable surface 511A of the movable substrate 51.
As shown in FIG. 7, the movable electrode 581 includes an annular inner movable electrode 582 centered on the plane center point O, and outside the inner movable electrode 582 in the filter plan view, along the circumference of the virtual circle P. The outer movable electrode 583 is provided.

内側可動電極582は、3つの内側可動接続線585A,585B,585Cが接続される。具体的には、内側可動接続線585A,585B,585Cは、内側可動電極582の周方向に沿って120度の間隔、すなわち、等角度間隔で配設される。内側可動接続線585Aは、フィルター平面視において、平面中心点Oを通る仮想直線L3に沿って配設され、内側可動接続線585Bは、仮想直線L3に対して反時計周りに60度の角度を成す仮想直線L4に沿って配設され、内側可動接続線585Cは、仮想直線L4に対して反時計周りに60度の角度を成す仮想直線L5に沿って配設され、それぞれ直線形状を有する。   The inner movable electrode 582 is connected to three inner movable connection lines 585A, 585B, and 585C. Specifically, the inner movable connection lines 585A, 585B, and 585C are arranged at intervals of 120 degrees along the circumferential direction of the inner movable electrode 582, that is, at equal angular intervals. The inner movable connection line 585A is disposed along a virtual straight line L3 passing through the plane center point O in the filter plan view, and the inner movable connection line 585B has an angle of 60 degrees counterclockwise with respect to the virtual straight line L3. The inner movable connection line 585C is disposed along a virtual straight line L5 that forms an angle of 60 degrees counterclockwise with respect to the virtual straight line L4, and has a linear shape.

内側可動接続線585A,585Bは、フィルター平面視において、保持部512の外縁よりも外側まで延出する。
なお、内側可動接続線585A,585Bの先端部は、反射膜設置部522の外縁に対して、所定の長さ、例えば、保持部512の厚み程度の長さ分だけ突出している。
また、内側可動接続線585Cは、内側可動電極582の外周縁から、頂点T2方向に延出し、頂点T2において、電圧制御部32に接続される可動電極パッド587P1を構成する。
The inner movable connection lines 585A and 585B extend to the outside of the outer edge of the holding portion 512 in the filter plan view.
Note that the distal end portions of the inner movable connection lines 585A and 585B protrude from the outer edge of the reflective film installation portion 522 by a predetermined length, for example, the length of the thickness of the holding portion 512.
The inner movable connection line 585C extends from the outer peripheral edge of the inner movable electrode 582 in the direction of the vertex T2, and forms a movable electrode pad 587P1 connected to the voltage control unit 32 at the vertex T2.

外側可動電極583は、平面中心点Oを中心とした仮想円Pの円周に沿う円弧状の複数の外側可動部分電極583A,583B,583Cにより構成されている。これらの外側可動部分電極583A,583B,583Cのそれぞれが、本発明の第一外側電極を構成する。
本実施形態では、フィルター平面視において、各外側可動部分電極583A,583B,583Cは同一形状に形成される。また、外側可動部分電極583A,583B,583Cは、それぞれの重心点Ga3,Gb3,Gc3が仮想円Pの円周上において等角度間隔(120度間隔)となるように設けられる。
また、仮想円Pの円周上において、各外側可動部分電極583A,583B,583Cの間には第一離間部584A,584B,584Cが存在し、それぞれにおいて内側可動接続線585A,585B,585Cが、外側可動部分電極583A,583B,583Cと非接触に設けられている。
The outer movable electrode 583 includes a plurality of arc-shaped outer movable partial electrodes 583A, 583B, and 583C along the circumference of the virtual circle P with the plane center point O as the center. Each of these outer movable partial electrodes 583A, 583B, 583C constitutes a first outer electrode of the present invention.
In the present embodiment, the outer movable partial electrodes 583A, 583B, and 583C are formed in the same shape in the filter plan view. Further, the outer movable partial electrodes 583A, 583B, 583C are provided such that the respective gravity center points G a3 , G b3 , G c3 are equiangularly spaced (120 degree intervals) on the circumference of the virtual circle P.
Further, on the circumference of the virtual circle P, there are first separating portions 584A, 584B, 584C between the outer movable partial electrodes 583A, 583B, 583C, and the inner movable connection lines 585A, 585B, 585C are respectively present. The outer movable partial electrodes 583A, 583B and 583C are provided in a non-contact manner.

ここで、外側可動部分電極583A,583B,583Cには、外側可動接続線586A,586B,586Cがそれぞれ接続される。外側可動接続線586Aは、フィルター平面視において、仮想直線L3に沿って配設され、外側可動接続線586Bは、仮想直線L4に沿って配設され、外側可動接続線586Cは、仮想直線L5に沿って配設され、それぞれ直線形状を有する。これら外側可動接続線586A,586B,586Cは、外側可動電極583の周方向に沿って120度の間隔、すなわち、等角度間隔で配設される。また、外側可動接続線586A,586B,586Cは、内側可動接続線585A,585B,585Cのうち隣り合う内側接続線が成す角を等角度に分割する位置に配設される。すなわち、外側可動接続線586Aは、内側可動接続線585B及び内側可動接続線585Cが成す角を、外側可動接続線586Bは、内側可動接続線585C及び内側可動接続線585Aが成す角を、外側可動接続線586Cは、内側可動接続線585A及び内側可動接続線585Bが成す角を等角度(60度)に分割する位置に配設される。   Here, the outer movable connection lines 586A, 586B, and 586C are connected to the outer movable partial electrodes 583A, 583B, and 583C, respectively. The outer movable connection line 586A is disposed along the virtual straight line L3, the outer movable connection line 586B is disposed along the virtual straight line L4, and the outer movable connection line 586C is disposed along the virtual straight line L5 in the filter plan view. Arranged along each of them, each having a linear shape. These outer movable connection lines 586A, 586B, and 586C are arranged at intervals of 120 degrees along the circumferential direction of the outer movable electrode 583, that is, at equal angular intervals. The outer movable connection lines 586A, 586B, and 586C are disposed at positions that divide the angle formed by the adjacent inner connection lines among the inner movable connection lines 585A, 585B, and 585C into equal angles. That is, the outer movable connection line 586A has an angle formed by the inner movable connection line 585B and the inner movable connection line 585C, and the outer movable connection line 586B has an angle formed by the inner movable connection line 585C and the inner movable connection line 585A. The connection line 586C is disposed at a position that divides the angle formed by the inner movable connection line 585A and the inner movable connection line 585B into equal angles (60 degrees).

外側可動接続線586A,586Bは、可動領域Ar1外で互いに接続され、頂点T4に設けられ、電圧制御部32に接続される可動電極パッド587P2に接続される。
また、外側可動接続線586Cは、外側可動電極583の外周縁から、頂点T4方向に延出し、可動電極パッド587P1に接続される。
The outer movable connection lines 586A and 586B are connected to each other outside the movable region Ar1, are provided at the vertex T4, and are connected to the movable electrode pad 587P2 connected to the voltage control unit 32.
The outer movable connection line 586C extends from the outer peripheral edge of the outer movable electrode 583 in the direction of the vertex T4 and is connected to the movable electrode pad 587P1.

このような構成では、外側可動部分電極583A,583B,583Cは同一の形状を有し、外側可動電極583は、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称な形状を有する。また、外側可動部分電極583Aは仮想直線L3に対して、外側可動部分電極583Bは仮想直線L4に対して、外側可動部分電極583Cは仮想直線L5に対して線対称な形状を有する。
また、可動領域Ar1において、可動電極581、内側可動接続線585A,585B,585C、及び外側可動接続線586A,586B,586Cからなる導体部分は、フィルター平面視において、平面中心点Oを中心とし、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称な形状を有する。また、上記導体部分は、可動領域Ar1において、平面中心点Oに対して回転対称性を有する。
なお、可動電極581上には、可動電極581及び固定電極591の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層される。
In such a configuration, the outer movable partial electrodes 583A, 583B, and 583C have the same shape, and the outer movable electrode 583 has a line-symmetric shape with respect to the virtual straight lines L3, L4, and L5. Further, the outer movable partial electrode 583A has a shape symmetrical with respect to the virtual straight line L3, the outer movable partial electrode 583B has a shape symmetrical with respect to the virtual straight line L4, and the outer movable partial electrode 583C has a shape symmetrical with respect to the virtual straight line L5.
Further, in the movable region Ar1, the conductor portion composed of the movable electrode 581, the inner movable connection lines 585A, 585B, 585C, and the outer movable connection lines 586A, 586B, 586C is centered on the plane center point O in the filter plan view, It has a shape symmetrical with respect to the virtual straight lines L3, L4, and L5. The conductor portion has rotational symmetry with respect to the plane center point O in the movable region Ar1.
Note that an insulating film (not shown) for preventing discharge between the movable electrode 581 and the fixed electrode 591 is stacked on the movable electrode 581.

〔固定基板の構成〕
固定基板52には、電極配置溝521及び反射膜設置部522が形成される。また、固定基板52には、電極配置溝521から、固定基板52の外周縁の頂点T2,頂点T3,頂点T4に向かって延出する電極引出溝521Dが設けられる。また、外側可動接続線586A及び外側可動接続線586Bを頂点T4に設けられた可動電極パッド587P2に向かって引き回すための電極引出溝521Eが設けられる。
[Configuration of fixed substrate]
In the fixed substrate 52, an electrode arrangement groove 521 and a reflection film installation part 522 are formed. In addition, the fixed substrate 52 is provided with an electrode extraction groove 521D extending from the electrode arrangement groove 521 toward the vertex T2, the vertex T3, and the vertex T4 of the outer peripheral edge of the fixed substrate 52. In addition, an electrode lead-out groove 521E for routing the outer movable connection line 586A and the outer movable connection line 586B toward the movable electrode pad 587P2 provided at the vertex T4 is provided.

電極配置溝521の電極設置面521Aには、可動電極581に対向する固定電極591が設けられる。この固定電極591は、内側固定電極592及び外側固定電極593を有し、可動電極581と対向する領域に設けられる。
内側固定電極592は、図8に示すように、平面中心点Oを中心とする円環形状を有し、内側可動電極582と同じ幅寸法を有する。また、内側固定電極592は、内側可動電極582に対向するように配設される。
A fixed electrode 591 facing the movable electrode 581 is provided on the electrode placement surface 521A of the electrode placement groove 521. The fixed electrode 591 has an inner fixed electrode 592 and an outer fixed electrode 593 and is provided in a region facing the movable electrode 581.
As shown in FIG. 8, the inner fixed electrode 592 has an annular shape centered on the plane center point O, and has the same width as the inner movable electrode 582. The inner fixed electrode 592 is disposed so as to face the inner movable electrode 582.

外側固定電極593は、図8に示すように、平面中心点Oを中心とした仮想円Pの円周に沿う円弧状の複数の外側固定部分電極593A,593B,593Cにより構成されている。これらの外側固定部分電極593A,593B,593Cのそれぞれが、本発明の第二外側電極を構成する。
本実施形態では、フィルター平面視において、各外側固定部分電極593A,593B,593Cは同一形状に形成される。また、外側固定部分電極593A,593B,593Cは、それぞれの重心点Ga4,Gb4,Gc4が仮想円Pの円周上において等角度間隔(120度間隔)となるよう設けられる。
また、仮想円Pの円周上において外側固定部分電極593A,593B,593Cの間には第二離間部594A,594B,594Cが存在する。すなわち、第二離間部594Aは仮想円Pと仮想直線L3とが交差する位置に、第二離間部594Bは仮想円Pと仮想直線L4とが交差する位置に、第二離間部594Cは仮想円Pと仮想直線L5とが交差する位置に、外側固定電極593の周方向に沿って120度の間隔で存在する。
As shown in FIG. 8, the outer fixed electrode 593 is composed of a plurality of arc-shaped outer fixed partial electrodes 593A, 593B, and 593C along the circumference of the virtual circle P with the plane center point O as the center. Each of these outer fixed partial electrodes 593A, 593B, and 593C constitutes a second outer electrode of the present invention.
In the present embodiment, the outer fixed partial electrodes 593A, 593B, and 593C are formed in the same shape in the filter plan view. Further, the outer fixed partial electrodes 593A, 593B, and 593C are provided so that the respective center of gravity points G a4 , G b4 , and G c4 are equiangularly spaced (120 degree intervals) on the circumference of the virtual circle P.
Further, on the circumference of the virtual circle P, there are second separation portions 594A, 594B, 594C between the outer fixed partial electrodes 593A, 593B, 593C. That is, the second separation portion 594A is at a position where the virtual circle P and the virtual straight line L3 intersect, the second separation portion 594B is at a position where the virtual circle P and the virtual straight line L4 intersect, and the second separation portion 594C is the virtual circle. At the position where P and the virtual line L5 cross each other, there are intervals of 120 degrees along the circumferential direction of the outer fixed electrode 593.

外側固定部分電極593Aは、外側可動部分電極583Aに、外側固定部分電極593Bは、外側可動部分電極583Bに、外側固定部分電極593Cは、外側可動部分電極583Cにそれぞれ対向して重なるように設けられる。従って、第一離間部584Aは第二離間部594Aと、第一離間部584Bは第二離間部594Bと、第一離間部584Cは第二離間部594Cとそれぞれ重なる位置に存在する。
すなわち、可動基板51に設けられた内側可動接続線585A,585B,585Cは、第二離間部594A,594B,594Cに対応する第一離間部584A,584B,584Cの存在領域を通って延出されており、外側固定電極593は、内側可動接続線585A,585B,585Cと重ならない領域に設けられている。
The outer fixed partial electrode 593A, the outer fixed partial electrode 593B, the outer movable partial electrode 583B, and the outer fixed partial electrode 593C are provided so as to face and overlap the outer movable partial electrode 583C, respectively. . Accordingly, the first separation portion 584A and the first separation portion 584B overlap with the second separation portion 594A, the second separation portion 594B, and the first separation portion 584C, respectively.
That is, the inner movable connection lines 585A, 585B, 585C provided on the movable substrate 51 are extended through the existence regions of the first separation portions 584A, 584B, 584C corresponding to the second separation portions 594A, 594B, 594C. The outer fixed electrode 593 is provided in a region that does not overlap with the inner movable connection lines 585A, 585B, and 585C.

ここで、内側固定電極592及び外側固定電極593は、内側固定接続線595A,595B,595Cによって接続される。フィルター平面視において、内側固定接続線595Aは、仮想直線L3に沿って配設され、内側可動電極582と外側固定部分電極593Aとを接続する。同様に、内側固定接続線595Bは、仮想直線L4に沿って配設され、内側可動電極582と外側固定部分電極593Bとを接続する。595Cは、仮想直線L5に沿って配設され、内側可動電極582と外側固定部分電極593Cとを接続する。これら内側固定接続線595A,595B,595Cは、内側可動電極582の周方向に沿って120度の間隔、すなわち、等角度間隔で配設される。また、内側固定接続線595A,595B,595Cは、可動基板51に配設される内側可動接続線585A,585B,585Cと対向しない位置に配設される。   Here, the inner fixed electrode 592 and the outer fixed electrode 593 are connected by inner fixed connection lines 595A, 595B, and 595C. In the filter plan view, the inner fixed connection line 595A is disposed along the virtual straight line L3, and connects the inner movable electrode 582 and the outer fixed partial electrode 593A. Similarly, the inner fixed connection line 595B is disposed along the virtual straight line L4 and connects the inner movable electrode 582 and the outer fixed partial electrode 593B. 595C is disposed along the virtual straight line L5, and connects the inner movable electrode 582 and the outer fixed partial electrode 593C. These inner fixed connection lines 595A, 595B, 595C are arranged at intervals of 120 degrees along the circumferential direction of the inner movable electrode 582, that is, at equal angular intervals. Further, the inner fixed connection lines 595A, 595B, and 595C are disposed at positions that do not face the inner movable connection lines 585A, 585B, and 585C disposed on the movable substrate 51.

また、外側固定電極593は、外側固定接続線596A,596B,596Cが接続される。これら外側固定接続線596A,596B,596Cは、外側固定電極593の周方向に沿って120度の間隔、すなわち、等角度間隔で配設される。具体的には、外側固定接続線596Aは、フィルター平面視において、仮想直線L3に沿って配設され、外側固定接続線596Bは、仮想直線L4に沿って配設され、外側固定接続線596Cは、仮想直線L5に沿って配設され、それぞれ直線形状を有する。   The outer fixed electrode 593 is connected to outer fixed connection lines 596A, 596B, 596C. These outer fixed connection lines 596A, 596B, 596C are arranged at intervals of 120 degrees along the circumferential direction of the outer fixed electrode 593, that is, at equal angular intervals. Specifically, the outer fixed connection line 596A is disposed along the virtual straight line L3, the outer fixed connection line 596B is disposed along the virtual straight line L4, and the outer fixed connection line 596C is And arranged along the virtual straight line L5, each having a straight line shape.

外側固定接続線596Aは、外側固定部分電極593Aの外周縁から、頂点T3方向に延出し、頂点T3において、電圧制御部32に接続される固定電極パッド597Pを構成する。
また、外側固定接続線596Bは、外側固定部分電極593Bの外周縁から、頂点T1及び頂点T2との間の固定基板52の一辺に向かって延出する。また、外側固定接続線596Cは、外側固定部分電極593Cの外周縁から、頂点T4方向に延出する。外側固定接続線596B及び外側固定接続線596Cの先端部は、フィルター平面視において、保持部512の外縁よりも外側に位置する。
The outer fixed connection line 596A extends from the outer peripheral edge of the outer fixed partial electrode 593A in the direction of the vertex T3, and forms a fixed electrode pad 597P connected to the voltage control unit 32 at the vertex T3.
The outer fixed connection line 596B extends from the outer peripheral edge of the outer fixed partial electrode 593B toward one side of the fixed substrate 52 between the vertex T1 and the vertex T2. Further, the outer fixed connection line 596C extends in the direction of the apex T4 from the outer peripheral edge of the outer fixed partial electrode 593C. The distal ends of the outer fixed connection line 596B and the outer fixed connection line 596C are located outside the outer edge of the holding part 512 in the filter plan view.

このような構成では、外側固定部分電極593A,593B,593Cは、同一の形状を有し、外側固定電極593は、各第二離間部594A,594B,594Cを通る仮想直線L3,L4,L5のそれぞれに対して線対称な形状を有する。また、外側固定部分電極593Aは仮想直線L3に対して、外側固定部分電極593Bは仮想直線L4に対して、外側固定部分電極593Cは仮想直線L5に対して線対称な形状を有する。
また、可動領域Ar1において、固定電極591、内側固定接続線595A,595B,595C、及び外側固定接続線596A,596B,596Cからなる導体部分は、フィルター平面視において、平面中心点Oを中心とし、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称な形状を有する。また、上記導体部分は、可動領域Ar1において、平面中心点Oに対して回転対称性を有する。
In such a configuration, the outer fixed partial electrodes 593A, 593B, and 593C have the same shape, and the outer fixed electrode 593 has an imaginary straight line L3, L4, L5 passing through each of the second spacing portions 594A, 594B, 594C. Each has a line-symmetric shape. Further, the outer fixed partial electrode 593A has a shape symmetrical with respect to the virtual straight line L3, the outer fixed partial electrode 593B has a shape symmetrical with respect to the virtual straight line L4, and the outer fixed partial electrode 593C has a shape symmetrical with respect to the virtual straight line L5.
In the movable region Ar1, the conductor portion composed of the fixed electrode 591, the inner fixed connection lines 595A, 595B, 595C, and the outer fixed connection lines 596A, 596B, 596C is centered on the plane center point O in the filter plan view. It has a shape symmetrical with respect to the virtual straight lines L3, L4, and L5. The conductor portion has rotational symmetry with respect to the plane center point O in the movable region Ar1.

なお、これらの固定電極591上には、可動電極581及び固定電極591の間の放電を防止するための絶縁膜(図示略)が積層されている。
また、反射膜設置部522及び固定反射膜57の構成は、上記第一実施形態と同様であるため、ここでの説明は省略する。
Note that an insulating film (not shown) for preventing discharge between the movable electrode 581 and the fixed electrode 591 is laminated on the fixed electrodes 591.
The configurations of the reflective film installation part 522 and the fixed reflective film 57 are the same as those in the first embodiment, and a description thereof is omitted here.

〔第二実施形態の作用効果〕
第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、可動基板51に、可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称の形状を有する、可動電極581、内側可動接続線585A,585B,585C、及び外側可動接続線586A,586B,586Cが設けられる。また、固定基板52に、可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称の形状を有する、固定電極591、内側固定接続線595A,595B,595C、及び外側固定接続線596A,596B,596Cが設けられる。また、固定電極591は、可動電極581と重なる領域に、対向して設けられる。そして、内側固定接続線595A,595B,595Cは、内側可動接続線585A,585B,585Cと対向しない位置に設けられ、外側可動接続線586A,586B,586Cは、外側固定接続線596A,596B,596Cと対向する位置に設けられる。
[Effects of Second Embodiment]
In the wavelength tunable interference filter 5A of the second embodiment, the movable substrate 51, the movable electrode 581 having an axisymmetric shape with respect to the virtual straight lines L3, L4, and L5 in the filter plan view in the movable region Ar1, are connected to the inner movable connection. Lines 585A, 585B, 585C and outer movable connection lines 586A, 586B, 586C are provided. Further, fixed electrode 591, inner fixed connection lines 595 </ b> A, 595 </ b> B, 595 </ b> C, and outer fixed have a shape symmetrical with respect to virtual lines L <b> 3, L <b> 4, and L <b> 5 in the filter planar view in movable region Ar <b> 1. Connection lines 596A, 596B, and 596C are provided. In addition, the fixed electrode 591 is provided opposite to a region overlapping the movable electrode 581. The inner fixed connection lines 595A, 595B, 595C are provided at positions that do not face the inner movable connection lines 585A, 585B, 585C, and the outer movable connection lines 586A, 586B, 586C are the outer fixed connection lines 596A, 596B, 596C. It is provided in the position which opposes.

このため、上記第一実施形態と同様に、可動電極581及び固定電極591の間、並びにそれぞれ対向する外側可動接続線586A,586B,586C及び外側固定接続線596A,596B,596Cの間に発生する静電引力と、可動基板51に設けられた各電極及び各接続線による内部応力とを、平面視において、バランスよく基板に作用させることができ、基板間の平行度を維持したまま反射膜間ギャップGの寸法をより高精度に調整することができる。
また、このような波長可変干渉フィルター5Aを備えた測色センサー3では、検出部31にて、高分解能で分光された光を検出することができ、正確な光量検出結果を得ることができる。さらに、測色装置1では、この測色センサー3により検出された光量により、測定対象Aの測色を行うことで、精度の高い測色処理を行うことができる。
For this reason, as in the first embodiment, it occurs between the movable electrode 581 and the fixed electrode 591 and between the outer movable connection lines 586A, 586B, and 586C and the outer fixed connection lines 596A, 596B, and 596C facing each other. The electrostatic attraction and the internal stress due to each electrode and each connecting line provided on the movable substrate 51 can be applied to the substrate in a plan view in a balanced manner, and the reflection film is maintained while maintaining the parallelism between the substrates. The dimension of the gap G can be adjusted with higher accuracy.
Further, in the colorimetric sensor 3 provided with such a variable wavelength interference filter 5A, the detection unit 31 can detect the light dispersed with high resolution, and an accurate light amount detection result can be obtained. Furthermore, the colorimetric device 1 can perform highly accurate colorimetric processing by performing colorimetry on the measuring object A based on the amount of light detected by the colorimetric sensor 3.

そして、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、可動基板51、各電極及び各接続線が、可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称の形状を有する。すなわち、3本の対称軸を有する、より高い対称性を有する構成となっている。従って、可動基板51及び固定基板52間の平行関係をより確実に維持することができる。   In the tunable interference filter 5A of the second embodiment, the movable substrate 51, each electrode, and each connection line are symmetrical with respect to the virtual straight lines L3, L4, L5 in the filter plan view in the movable region Ar1. Have. That is, it has a configuration with higher symmetry having three symmetry axes. Therefore, the parallel relationship between the movable substrate 51 and the fixed substrate 52 can be more reliably maintained.

[第三実施形態]
次に、本発明の第三実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の測色装置1では、光学モジュールである測色センサー3に対して、波長可変干渉フィルター5が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター5を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター5を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。なお、本実施形態では、測色センサー3は、波長可変干渉フィルター5を用いる構成として説明するが、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aを用いる構成としてもよい。
図9は、本発明の第三実施形態に係る光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
In the color measurement device 1 of the first embodiment, the wavelength variable interference filter 5 is directly provided to the color measurement sensor 3 that is an optical module. However, some optical modules have a complicated configuration, and it may be difficult to directly provide the variable wavelength interference filter 5 particularly for a miniaturized optical module. In the present embodiment, an optical filter device that enables the wavelength variable interference filter 5 to be easily installed even for such an optical module will be described below. In the present embodiment, the colorimetric sensor 3 is described as a configuration using the wavelength variable interference filter 5, but may be configured to use the wavelength variable interference filter 5A of the second embodiment.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the optical filter device according to the third embodiment of the present invention.

図9に示すように、光学フィルターデバイス600は、波長可変干渉フィルター5と、当該波長可変干渉フィルター5を収納する筐体601と、を備えている。
筐体601は、ベース基板610と、リッド620と、ベース側ガラス基板630と、リッド側ガラス基板640と、を備える。
As shown in FIG. 9, the optical filter device 600 includes a wavelength tunable interference filter 5 and a housing 601 that houses the wavelength tunable interference filter 5.
The housing 601 includes a base substrate 610, a lid 620, a base side glass substrate 630, and a lid side glass substrate 640.

ベース基板610は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板610には、波長可変干渉フィルター5の可動基板51が設置される。ベース基板610への可動基板51の設置としては、例えば接着層等を介して配設されるものであってもよく、他の固定部材等に嵌合等されることで配設されるものであってもよい。また、ベース基板610には、波長可変干渉フィルター5の反射膜(可動反射膜56,固定反射膜57)に対向する領域に、光通過孔611が開口形成される。そして、この光通過孔611を覆うように、ベース側ガラス基板630が接合される。ベース側ガラス基板630の接合方法としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。   The base substrate 610 is configured by, for example, a single layer ceramic substrate. On the base substrate 610, the movable substrate 51 of the variable wavelength interference filter 5 is installed. As the installation of the movable substrate 51 on the base substrate 610, for example, it may be disposed through an adhesive layer or the like, and may be disposed by being fitted to another fixing member or the like. There may be. In addition, a light passage hole 611 is formed in the base substrate 610 in a region facing the reflective film (the movable reflective film 56 and the fixed reflective film 57) of the wavelength variable interference filter 5. And the base side glass substrate 630 is joined so that this light passage hole 611 may be covered. As a method for joining the base side glass substrate 630, for example, glass frit joining using a glass frit that is a piece of glass that has been melted at a high temperature and rapidly cooled, adhesion by an epoxy resin, or the like can be used.

このベース基板610のリッド620に対向するベース内側面612には、波長可変干渉フィルター5の各電極パッド547P1,547P2,547P3,557Pと接続される内側端子部615が設けられている。なお、各電極パッド547P1,547P2,547P3,557Pと内側端子部615との接続は、例えばFPC(Flexible Printed Circuits)615Aを用いることができ、例えばAgペースト、ACF(Anisotropic Conductive Film)、ACP(Anisotropic Conductive Paste)等により接合する。なお、内部空間650を真空状態に維持する場合は、デガス(ガスの放出)が少ないAgペーストを用いることが好ましい。また、FPC615Aによる接続に限られず、例えばワイヤーボンディング等による配線接続を実施してもよい。
また、ベース基板610は、各内側端子部615が設けられる位置に対応して、貫通孔614が形成されており、各内側端子部615は、貫通孔614に充填された導電性部材を介して、ベース基板610のベース内側面612とは反対側のベース外側面613に設けられた外側端子部616に接続されている。
そして、ベース基板610の外周部には、リッド620に接合されるベース接合部617が設けられている。
An inner terminal portion 615 connected to each electrode pad 547P1, 547P2, 547P3, 557P of the wavelength variable interference filter 5 is provided on the base inner side surface 612 of the base substrate 610 facing the lid 620. For example, FPC (Flexible Printed Circuits) 615A can be used for connection between the electrode pads 547P1, 547P2, 547P3, 557P and the inner terminal portion 615, for example, Ag paste, ACF (Anisotropic Conductive Film), ACP (Anisotropic). Join with Conductive Paste etc. In addition, when maintaining the internal space 650 in a vacuum state, it is preferable to use an Ag paste with less degas (gas release). Further, the connection is not limited to the connection by the FPC 615A, and wiring connection by wire bonding or the like may be performed, for example.
In addition, the base substrate 610 has through holes 614 corresponding to positions where the respective inner terminal portions 615 are provided, and the respective inner terminal portions 615 are interposed via conductive members filled in the through holes 614. The base substrate 610 is connected to an outer terminal portion 616 provided on the base outer surface 613 opposite to the base inner surface 612.
A base joint 617 that is joined to the lid 620 is provided on the outer periphery of the base substrate 610.

リッド620は、図9に示すように、ベース基板610のベース接合部617に接合されるリッド接合部624と、リッド接合部624から連続し、ベース基板610から離れる方向に立ち上がる側壁部625と、側壁部625から連続し、波長可変干渉フィルター5の固定基板52側を覆う天面部626とを備えている。このリッド620は、例えばコバール等の合金又は金属により形成することができる。
このリッド620は、リッド接合部624と、ベース基板610のベース接合部617とが、接合されることで、ベース基板610に密着接合されている。
この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板610及びリッド620の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。
As shown in FIG. 9, the lid 620 includes a lid joint 624 that is joined to the base joint 617 of the base substrate 610, a side wall 625 that continues from the lid joint 624 and rises in a direction away from the base substrate 610, A top surface portion 626 that is continuous from the side wall portion 625 and covers the fixed substrate 52 side of the wavelength variable interference filter 5 is provided. The lid 620 can be formed of an alloy such as Kovar or a metal, for example.
The lid 620 is tightly bonded to the base substrate 610 by bonding the lid bonding portion 624 and the base bonding portion 617 of the base substrate 610.
As this joining method, for example, in addition to laser welding, soldering using silver brazing, sealing using a eutectic alloy layer, welding using low melting glass, glass adhesion, glass frit bonding, epoxy resin Adhesion etc. are mentioned. These bonding methods can be appropriately selected depending on the materials of the base substrate 610 and the lid 620, the bonding environment, and the like.

リッド620の天面部626は、ベース基板610に対して平行となる。この天面部626には、波長可変干渉フィルター5の各反射膜56,57に対向する領域に、光通過孔621が開口形成されている。そして、この光通過孔621を覆うように、リッド側ガラス基板640が接合される。リッド側ガラス基板640の接合方法としては、ベース側ガラス基板630の接合と同様に、例えばガラスフリット接合や、エポキシ樹脂等による接着などを用いることができる。   The top surface portion 626 of the lid 620 is parallel to the base substrate 610. In the top surface portion 626, a light passage hole 621 is formed in a region facing each reflective film 56, 57 of the wavelength variable interference filter 5. And the lid side glass substrate 640 is joined so that this light passage hole 621 may be covered. As a method for bonding the lid-side glass substrate 640, for example, glass frit bonding, adhesion using an epoxy resin, or the like can be used as in the case of bonding the base-side glass substrate 630.

〔第三実施形態の作用効果〕
本実施形態の光学フィルターデバイス600では、筐体601により波長可変干渉フィルター5が保護されているため、異物や大気に含まれるガス等による波長可変干渉フィルター5の特性変化を防止でき、また、外的要因による波長可変干渉フィルター5の破損を防止できる。また、帯電粒子の侵入を防止できるため、可動電極541や固定電極551の帯電を防止できる。従って、帯電によるクーロン力の発生を抑制でき、反射膜56,57の平行関係をより確実に維持することができる。
[Operational effects of the third embodiment]
In the optical filter device 600 of the present embodiment, since the wavelength tunable interference filter 5 is protected by the housing 601, it is possible to prevent changes in the characteristics of the wavelength tunable interference filter 5 due to foreign matters, gases contained in the atmosphere, and the like. It is possible to prevent the wavelength tunable interference filter 5 from being damaged due to mechanical factors. In addition, since intrusion of charged particles can be prevented, charging of the movable electrode 541 and the fixed electrode 551 can be prevented. Therefore, the generation of Coulomb force due to charging can be suppressed, and the parallel relationship between the reflective films 56 and 57 can be more reliably maintained.

また、例えば工場で製造された波長可変干渉フィルター5を、光学モジュールや電子機器を組み立てる組み立てライン等まで運搬する場合に、光学フィルターデバイス600により保護された波長可変干渉フィルター5では、安全に運搬することが可能となる。
また、光学フィルターデバイス600は、筐体601の外周面に露出する外側端子部616が設けられているため、光学モジュールや電子機器に対して組み込む際にも容易に配線を実施することが可能となる。
For example, when the wavelength tunable interference filter 5 manufactured in a factory is transported to an assembly line for assembling an optical module or an electronic device, the wavelength tunable interference filter 5 protected by the optical filter device 600 is transported safely. It becomes possible.
In addition, since the optical filter device 600 is provided with the outer terminal portion 616 exposed on the outer peripheral surface of the housing 601, wiring can be easily performed even when the optical filter device 600 is incorporated into an optical module or an electronic device. Become.

[第四実施形態]
次に、本発明の第四実施形態について図面に基づいて説明する。
本発明のMEMSデバイスの一例として、上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター5において、可動基板51及び固定基板52が反射膜の変わりに、可動基板の固定基板と対向する面と逆側の面に反射膜を備えるミラーデバイスについて詳述する。
図10は、第四実施形態のミラーデバイス6の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態のミラーデバイス6は、可動反射膜56及び固定反射膜57を備えず、固定基板に反射膜設置部522が形成されていない点を除いて、上記第一実施形態と同様の構成を有するので、同一の構成については同符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
[Fourth embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described based on the drawings.
As an example of the MEMS device of the present invention, in the wavelength tunable interference filter 5 of the first embodiment, the movable substrate 51 and the fixed substrate 52 have a surface opposite to the surface facing the fixed substrate instead of the reflective film. A mirror device having a reflective film will be described in detail.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the mirror device 6 of the fourth embodiment. The mirror device 6 of the present embodiment is the same as that of the first embodiment except that the movable reflective film 56 and the fixed reflective film 57 are not provided, and the reflective film installation portion 522 is not formed on the fixed substrate. Since it has a structure, the same code | symbol is attached | subjected about the same structure and the description is abbreviate | omitted or simplified.

〔ミラーデバイスの構成〕
ミラーデバイス6は、図10に示すように、本発明の第一基板である可動基板51A、及び本発明の第二基板である固定基板52Aを備えている。これらの可動基板51A及び固定基板52Aは、可動基板51Aの第一接合部513及び固定基板52Aの第二接合部523が、接合膜53により接合されることで、一体的に構成される。
[Configuration of mirror device]
As shown in FIG. 10, the mirror device 6 includes a movable substrate 51A that is a first substrate of the present invention and a fixed substrate 52A that is a second substrate of the present invention. The movable substrate 51A and the fixed substrate 52A are integrally configured by bonding the first bonding portion 513 of the movable substrate 51A and the second bonding portion 523 of the fixed substrate 52A by the bonding film 53.

可動基板51Aには、反射膜61が設けられる。可動基板51Aと固定基板52Aとの間には、基板間のギャップの寸法や、固定基板52Aに対する可動基板51Aの角度を調整するために用いられる静電アクチュエーター54が設けられる。この静電アクチュエーター54は、第一実施形態と同様に、可動基板51A側に設けられる可動電極541と、固定基板52A側に設けられる固定電極551とを備える。   A reflective film 61 is provided on the movable substrate 51A. Between the movable substrate 51A and the fixed substrate 52A, an electrostatic actuator 54 used for adjusting the dimension of the gap between the substrates and the angle of the movable substrate 51A with respect to the fixed substrate 52A is provided. As in the first embodiment, the electrostatic actuator 54 includes a movable electrode 541 provided on the movable substrate 51A side and a fixed electrode 551 provided on the fixed substrate 52A side.

〔可動基板の構成〕
可動基板51Aは、図10に示すように、可動部511と、可動部511を保持する保持部512とを備える。
可動部511は、固定基板52Aと対向する面と逆側に可動面511Bを備え、この可動面511Bに、反射膜61が設けられる。
反射膜61は、可動部511の可動面511Bの中心部に設けられる。この反射膜61としては、例えばAg等の金属膜や、Ag合金等の合金膜を用いることができる。
保持部512は、可動部511の周囲を囲う円環状のダイヤフラムである。
[Configuration of movable substrate]
As shown in FIG. 10, the movable substrate 51 </ b> A includes a movable portion 511 and a holding portion 512 that holds the movable portion 511.
The movable portion 511 includes a movable surface 511B on the opposite side of the surface facing the fixed substrate 52A, and the reflective film 61 is provided on the movable surface 511B.
The reflective film 61 is provided at the center of the movable surface 511 </ b> B of the movable part 511. As the reflective film 61, for example, a metal film such as Ag or an alloy film such as an Ag alloy can be used.
The holding portion 512 is an annular diaphragm that surrounds the periphery of the movable portion 511.

可動電極541は、第一実施形態と同様の構成を有する(図4参照)。また、可動電極541に接続される内側可動接続線545A,545B、及び外側可動接続線546A,546Bについても第一実施形態と同様の構成を有する(図4参照)。
すなわち、本実施形態においても、可動電極541、一対の内側可動接続線545A,545B、及び一対の外側可動接続線546A,546Bは、フィルター平面視において、可動領域Ar1において、仮想直線L1,L2に対して線対称の形状を有する。また、可動電極541、一対の内側可動接続線545A,545B、及び一対の外側可動接続線546A,546Bは、可動領域Ar1において、平面中心点Oに対して点対称の形状を有する。
The movable electrode 541 has a configuration similar to that of the first embodiment (see FIG. 4). The inner movable connection lines 545A and 545B and the outer movable connection lines 546A and 546B connected to the movable electrode 541 have the same configuration as that of the first embodiment (see FIG. 4).
That is, also in the present embodiment, the movable electrode 541, the pair of inner movable connection lines 545A and 545B, and the pair of outer movable connection lines 546A and 546B are imaginary straight lines L1 and L2 in the movable region Ar1 in the filter plan view. On the other hand, it has a line-symmetric shape. The movable electrode 541, the pair of inner movable connection lines 545A and 545B, and the pair of outer movable connection lines 546A and 546B have a point-symmetric shape with respect to the plane center point O in the movable region Ar1.

〔固定基板の構成〕
固定基板52Aには、第一実施形態と同様に、フィルター平面視で、平面中心点Oを中心とした円形の電極配置溝521が形成される。なお、本実施形態では、上述のように、反射膜設置部522は形成されない。
また、固定基板52Aには、電極配置溝521から、固定基板52Aの外周縁の頂点T1,頂点T2,頂点T4に向かって延出する電極引出溝521Bが設けられる。また、頂点T3及び頂点T4の間にも電極引出溝521Cが設けられる。
[Configuration of fixed substrate]
Similar to the first embodiment, the fixed substrate 52A is formed with a circular electrode arrangement groove 521 centered on the plane center point O in the filter plan view. In the present embodiment, as described above, the reflective film installation portion 522 is not formed.
The fixed substrate 52A is provided with an electrode lead-out groove 521B extending from the electrode arrangement groove 521 toward the vertex T1, vertex T2, and vertex T4 of the outer peripheral edge of the fixed substrate 52A. Further, an electrode lead-out groove 521C is also provided between the apex T3 and the apex T4.

電極配置溝521の電極設置面521Aには、固定電極551が設けられる。
固定電極551は、第一実施形態と同様の構成を有する(図5参照)。また、固定電極551に接続される内側固定接続線555A,555B、及び外側固定接続線556A,556Bについても第一実施形態と同様の構成を有する(図5参照)。
すなわち、本実施形態においても、固定電極551、一対の内側固定接続線555A,555B、及び一対の外側固定接続線556A,556Bは、フィルター平面視において、平面中心点Oを中心とする可動領域Ar1において、仮想直線L1,L2に対して線対称の形状を有する。また、固定電極551、一対の内側固定接続線555A,555B、及び一対の外側固定接続線556A,556Bは、可動領域Ar1において、平面中心点Oに対して点対称の形状を有する。
A fixed electrode 551 is provided on the electrode placement surface 521A of the electrode placement groove 521.
The fixed electrode 551 has a configuration similar to that of the first embodiment (see FIG. 5). Also, the inner fixed connection lines 555A and 555B and the outer fixed connection lines 556A and 556B connected to the fixed electrode 551 have the same configuration as that of the first embodiment (see FIG. 5).
That is, also in this embodiment, the fixed electrode 551, the pair of inner fixed connection lines 555A and 555B, and the pair of outer fixed connection lines 556A and 556B are movable regions Ar1 centered on the plane center point O in the filter plan view. In FIG. 2, the shape has line symmetry with respect to the virtual straight lines L1 and L2. The fixed electrode 551, the pair of inner fixed connection lines 555A and 555B, and the pair of outer fixed connection lines 556A and 556B have a point-symmetric shape with respect to the plane center point O in the movable region Ar1.

〔第四実施形態の作用効果〕
第四実施形態のミラーデバイス6では、第一実施形態と同様に、可動基板51Aの可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L1,L2に対して線対称の形状を有する、可動電極541、内側可動接続線545A,545B及び外側可動接続線546A,546Bが設けられる。また、固定基板52Aの可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L1,L2に対して線対称の形状を有する、固定電極551、内側固定接続線555A,555B及び外側固定接続線556A,556Bが設けられる。また、固定電極551は、可動電極541と重なる領域に、対向して設けられる。そして、内側固定接続線555A,555Bは、内側可動接続線545A,545Bと対向しない位置に設けられ、外側可動接続線546A,546Bは、外側固定接続線556A,556Bと対向する位置に設けられる。
[Effects of the fourth embodiment]
In the mirror device 6 of the fourth embodiment, similarly to the first embodiment, the movable electrode 541 having a line-symmetric shape with respect to the virtual straight lines L1 and L2 in the filter plan view in the movable region Ar1 of the movable substrate 51A, Inner movable connection lines 545A and 545B and outer movable connection lines 546A and 546B are provided. Further, in the filter plan view in the movable region Ar1 of the fixed substrate 52A, the fixed electrode 551, the inner fixed connection lines 555A and 555B, and the outer fixed connection lines 556A and 556B having a shape symmetrical with respect to the virtual straight lines L1 and L2 are provided. Provided. In addition, the fixed electrode 551 is provided to face the region overlapping with the movable electrode 541. The inner fixed connection lines 555A and 555B are provided at positions that do not face the inner movable connection lines 545A and 545B, and the outer movable connection lines 546A and 546B are provided at positions that face the outer fixed connection lines 556A and 556B.

このため、上記第一実施形態と同様に、可動電極541及び固定電極551の間に発生する静電引力、並びに、可動基板51Aに設けられた各電極及び各接続線による内部応力を、平面視において、バランスよく基板に作用させることができる。従って、ミラーデバイス6では、可動基板51Aと固定基板52Aとの平行関係を維持したまま基板間のギャップを変更することができる。また、二つの外側可動部分電極543A,543Bに対して異なる駆動電圧を印加することにより、可動基板51Aの固定基板52Aに対する傾きを調整することができる。すなわち、ミラーデバイス6では、基板間に発生する静電引力や、各電極及び各接続線による内部応力が、所望の電圧制御に応じて生じる差以外において、アンバランスに作用することを抑制でき、可動基板51Aと固定基板52Aとの位置関係の制御を高精度に行うことができる。   For this reason, as in the first embodiment, the electrostatic attraction generated between the movable electrode 541 and the fixed electrode 551 and the internal stress due to each electrode and each connection line provided on the movable substrate 51A are viewed in a plan view. In this case, the substrate can be balanced. Therefore, in the mirror device 6, the gap between the substrates can be changed while maintaining the parallel relationship between the movable substrate 51A and the fixed substrate 52A. Further, by applying different driving voltages to the two outer movable partial electrodes 543A and 543B, the inclination of the movable substrate 51A with respect to the fixed substrate 52A can be adjusted. That is, in the mirror device 6, it is possible to suppress the electrostatic attraction generated between the substrates and the internal stress due to each electrode and each connection line from acting on an imbalance other than the difference caused according to the desired voltage control, The positional relationship between the movable substrate 51A and the fixed substrate 52A can be controlled with high accuracy.

なお、本実施形態では、ミラーデバイス6は、第一実施形態と同様の構成を有するとしたが、第二実施形態と同様に構成してもよい。すなわち、可動基板51Aに、可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称の形状を有する、可動電極581、内側可動接続線585A,585B,585C、及び外側可動接続線586A,586B,586Cが設けられる。また、固定基板52Aに、可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称の形状を有する、固定電極591、内側固定接続線595A,595B,595C、及び外側固定接続線596A,596B,596Cが設けられる。また、固定電極591は、可動電極581と重なる領域に、対向して設けられる。そして、内側固定接続線595A,595B,595Cは、内側可動接続線585A,585B,585Cと対向しない位置に設けられ、外側可動接続線586A,586B,586Cは、外側固定接続線596A,596B,596Cと対向する位置に設けられる構成としてもよい。   In the present embodiment, the mirror device 6 has the same configuration as that of the first embodiment, but may be configured similarly to the second embodiment. That is, on the movable substrate 51A, the movable electrode 581, the inner movable connection lines 585A, 585B, 585C, and the outer movable body having a line-symmetric shape with respect to the virtual straight lines L3, L4, L5 in the filter plan view in the movable area Ar1. Connection lines 586A, 586B, 586C are provided. Further, fixed electrode 591, inner fixed connection lines 595 </ b> A, 595 </ b> B, 595 </ b> C, and outer fixed are formed on fixed substrate 52 </ b> A having a shape symmetrical with respect to virtual straight lines L <b> 3, L <b> 4, L <b> 5 in the filter plan view in movable region Ar <b> 1. Connection lines 596A, 596B, and 596C are provided. In addition, the fixed electrode 591 is provided opposite to a region overlapping the movable electrode 581. The inner fixed connection lines 595A, 595B, 595C are provided at positions that do not face the inner movable connection lines 585A, 585B, 585C, and the outer movable connection lines 586A, 586B, 586C are the outer fixed connection lines 596A, 596B, 596C. It is good also as a structure provided in the position which opposes.

このように構成する場合、上記第二実施形態と同様に、可動基板51A、各電極及び各接続線が、可動領域Ar1におけるフィルター平面視において、仮想直線L3,L4,L5に対して線対称の形状を有する。すなわち、3本の対称軸を有する、より高い対称性を有する構成とすることができる。従って、可動基板51Aと固定基板52Aとの位置関係の制御をより高精度に行うことができる。
また、可動電極581、3つの外側可動部分電極583A,583B,583Cを有する。すなわち、3つの外側可動部分電極583A,583B,583Cに印加する駆動電圧を個別に制御することにより、可動基板51Aの向きを制御することができる。
すなわち、第二実施形態と同様の構成を採用することにより、可動基板51Aと固定基板52Aとの位置関係の制御を高精度に行うことができるとともに、可動基板51Aの向きを高い自由度で調整することができる。
When configured in this manner, as in the second embodiment, the movable substrate 51A, each electrode, and each connection line are line-symmetric with respect to the virtual straight lines L3, L4, and L5 in the filter plan view in the movable region Ar1. Has a shape. That is, it can be set as the structure which has three symmetry axes and has higher symmetry. Therefore, the positional relationship between the movable substrate 51A and the fixed substrate 52A can be controlled with higher accuracy.
The movable electrode 581 has three outer movable partial electrodes 583A, 583B, and 583C. That is, the direction of the movable substrate 51A can be controlled by individually controlling the drive voltages applied to the three outer movable partial electrodes 583A, 583B, and 583C.
That is, by adopting the same configuration as that of the second embodiment, the positional relationship between the movable substrate 51A and the fixed substrate 52A can be controlled with high accuracy, and the orientation of the movable substrate 51A can be adjusted with a high degree of freedom. can do.

[他の実施形態]
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
[Other Embodiments]
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.

例えば、上記各実施形態では、第一基板である可動基板51に可動部511が設けられ、可動基板51の可動部511が第二基板である固定基板52側に向かって変位する構成としたが、本発明はこれに限定されない。例えば、固定基板52を第一基板とし、可動基板51を第二基板として構成してもよい。すなわち、可動基板51側に設けられる可動電極541及び各接続線として詳述した構成を有する電極及び接続線を固定基板に配設し、固定基板を第一基板としてもよい。逆に、固定基板52側に設けられる固定電極551及び各接続線として詳述した構成を有する電極及び接続線を可動基板に配設し、可動基板を第二基板としてもよい。この場合、固定基板側に設けられた固定電極に駆動電圧を印加し、可動基板側に設けられた可動電極を接地電位とするように電圧を制御する。   For example, in each of the above embodiments, the movable portion 511 is provided on the movable substrate 51 that is the first substrate, and the movable portion 511 of the movable substrate 51 is displaced toward the fixed substrate 52 that is the second substrate. However, the present invention is not limited to this. For example, the fixed substrate 52 may be configured as a first substrate and the movable substrate 51 may be configured as a second substrate. That is, the movable electrode 541 provided on the movable substrate 51 side and the electrodes and connection lines having the configuration described in detail as each connection line may be disposed on the fixed substrate, and the fixed substrate may be the first substrate. Conversely, the fixed electrode 551 provided on the fixed substrate 52 side and the electrodes and connection lines having the configuration described in detail as each connection line may be disposed on the movable substrate, and the movable substrate may be the second substrate. In this case, a driving voltage is applied to the fixed electrode provided on the fixed substrate side, and the voltage is controlled so that the movable electrode provided on the movable substrate side is set to the ground potential.

また、上記実施形態では、固定電極及び各接続線が対称性を有するように配設される構成について説明したが、本発明はこれに限定されない。すなわち、固定基板は、各電極や各接続線の内部応力に対して撓みが生じることがないように、厚みを適宜設定することができる。従って、固定電極及び各接続線は必ずしも対称性を有する構成でなくともよい。
具体的には、第一実施形態において、少なくとも、固定電極551が可動電極541と重なる領域に設けられる構成であればよい。また、内側固定接続線555A,555Bは、内側可動接続線545A,545Bと重ならない位置であれば、内側固定電極552の外周に沿った任意の位置に設ければよい。
また、第二実施形態においても同様に、固定電極591が可動電極581と重なる領域に設けられる構成であればよい。また、少なくとも、内側固定接続線595A,595B,595Cは、内側可動接続線585A,585B,585Cと重ならない位置であれば、内側固定電極592の外周に沿った任意の位置に設ければよい。
Moreover, although the said embodiment demonstrated the structure arrange | positioned so that a fixed electrode and each connection line may have symmetry, this invention is not limited to this. That is, the thickness of the fixed substrate can be appropriately set so that the internal substrate does not bend with respect to the internal stress of each electrode or each connection line. Therefore, the fixed electrode and each connection line do not necessarily have a symmetric configuration.
Specifically, in the first embodiment, any configuration may be used as long as at least the fixed electrode 551 is provided in a region overlapping the movable electrode 541. The inner fixed connection lines 555A and 555B may be provided at arbitrary positions along the outer periphery of the inner fixed electrode 552 as long as they do not overlap with the inner movable connection lines 545A and 545B.
Similarly, in the second embodiment, any configuration may be used as long as the fixed electrode 591 is provided in a region overlapping the movable electrode 581. Further, at least the inner fixed connection lines 595A, 595B, and 595C may be provided at arbitrary positions along the outer periphery of the inner fixed electrode 592 as long as they do not overlap the inner movable connection lines 585A, 585B, and 585C.

また、上記各実施形態では、外側固定接続線が、外側可動接続線と対向する位置に配設される構成としたが、本発明はこれに限定されず、外側固定接続線が外側可動接続線と対向しない位置に配設される構成としてもよい。このように構成したい場合、基板間において静電引力が発生するのは、可動電極と固定電極とが重なる領域のみとすることができる。これにより、フィルター平面視において、平面中心点Oに対する静電引力の対称性を向上させることができ、基板間ギャップ(反射膜間ギャップ)を高精度に制御することができる。   In each of the above embodiments, the outer fixed connection line is disposed at a position facing the outer movable connection line. However, the present invention is not limited to this, and the outer fixed connection line is the outer movable connection line. It is good also as a structure arrange | positioned in the position which does not oppose. When such a configuration is desired, the electrostatic attraction between the substrates can be generated only in the region where the movable electrode and the fixed electrode overlap. Thereby, the symmetry of the electrostatic attractive force with respect to the plane center point O can be improved in the filter plan view, and the gap between the substrates (the gap between the reflection films) can be controlled with high accuracy.

また、上記各実施形態では、隣り合う内側可動接続線が成す角を二等分する位置に一つの外側可動電極が配設される構成としたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、隣り合う内側可動電極が成す角を等角度間隔に分割するように複数の外側可動接続線が配設される構成としてもよい。
さらに、上記第各実施形態では、内側可動接続線を二又は三つ備える構成としたが、本発明はこれに限定されず、内側可動接続線を四つ以上備える構成としてもよい。
In each of the above embodiments, one outer movable electrode is arranged at a position that bisects the angle formed by adjacent inner movable connection lines, but the present invention is not limited to this. In other words, a plurality of outer movable connection lines may be arranged so as to divide the angle formed by the adjacent inner movable electrodes into equal angular intervals.
Furthermore, in each said embodiment, although it was set as the structure provided with two or three inner side movable connection lines, this invention is not limited to this, It is good also as a structure provided with four or more inner side movable connection lines.

また、上記各実施形態では、外側可動電極は、内側可動接続線の配設位置に第一離間部が存在する構成としたが、本発明はこれに限定されず、内側可動接続線の配設位置以外にも第一離間部が存在する構成としてもよい。この場合、第一離間部は、外側可動電極の周方向に沿って等角度間隔に存在する。そして、複数の外側可動部分電極のそれぞれに外側可動接続線が配設される。   In each of the above embodiments, the outer movable electrode is configured such that the first separation portion exists at the position where the inner movable connection line is disposed. However, the present invention is not limited to this, and the inner movable connection line is disposed. It is good also as a structure in which a 1st separation part exists besides a position. In this case, the first separation portions exist at equiangular intervals along the circumferential direction of the outer movable electrode. An outer movable connection line is disposed on each of the plurality of outer movable partial electrodes.

上記各実施形態では、可動基板51,51Aが可動部511及び保持部512を備える構成としたが、これに限定されない。例えば、可動基板として、保持部512が設けられない、均一厚みの板状部材であってもよい。この場合、可動基板の基板厚み方向から見た平面視において、可動反射膜56の中心点を中心に、可動基板が固定基板側に撓むように、静電アクチュエーターが設けられることが好ましい。すなわち、平面中心点Oを、可動反射膜56の中心点に設定することが好ましい。   In each of the above embodiments, the movable substrates 51 and 51A include the movable portion 511 and the holding portion 512, but the present invention is not limited to this. For example, the movable substrate may be a plate-like member having a uniform thickness in which the holding portion 512 is not provided. In this case, it is preferable that an electrostatic actuator is provided so that the movable substrate bends toward the fixed substrate with the central point of the movable reflective film 56 as a center in a plan view of the movable substrate viewed from the substrate thickness direction. That is, it is preferable to set the plane center point O as the center point of the movable reflective film 56.

また、上記各実施形態では、ダイヤフラム状の保持部512を例示するが、例えば、可動部の中心に対して等角度間隔に配設された複数の梁構造を有する保持部が設けられる構成などとしてもよい。
この場合、梁状保持部が等角度間隔で配設される構成とすることで、保持部が撓んだ際の応力バランスを均一にでき、可動部の傾斜を抑えることができる。また、この場合、静電アクチュエーターは、各梁状保持部の位置に対応して各接続線が配設される構成とすればよい。
Moreover, in each said embodiment, although the diaphragm-shaped holding | maintenance part 512 is illustrated, as a structure etc. with which the holding part which has the some beam structure arrange | positioned at equal angular intervals with respect to the center of a movable part is provided, for example. Also good.
In this case, by adopting a configuration in which the beam-shaped holding portions are arranged at equal angular intervals, the stress balance when the holding portion is bent can be made uniform, and the inclination of the movable portion can be suppressed. In this case, the electrostatic actuator may be configured such that each connection line is arranged corresponding to the position of each beam-shaped holding portion.

また、本発明の電子機器として、第一実施形態において測色装置1を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルター、光学フィルターデバイス、光学モジュール、電子機器を用いることができる。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
Moreover, although the colorimetric apparatus 1 has been exemplified in the first embodiment as the electronic apparatus of the present invention, the wavelength variable interference filter, the optical filter device, the optical module, and the electronic apparatus of the present invention may be used in various other fields. it can.
For example, it can be used as a light-based system for detecting the presence of a specific substance. As such a system, for example, an in-vehicle gas leak detector that detects a specific gas with high sensitivity by adopting a spectroscopic measurement method using the variable wavelength interference filter of the present invention, or a photoacoustic rare gas detection for a breath test. A gas detection device such as a vessel can be exemplified.
An example of such a gas detection device will be described below with reference to the drawings.

図11は、波長可変干渉フィルターを備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図12は、図11のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置100は、図11に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、及び排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。
本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、波長可変干渉フィルター5、及び受光素子137(検出部)等を含む検出装置と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,135D,135Eと、により構成されている。なお、波長可変干渉フィルター5の代わりに、波長可変干渉フィルター5Aや光学フィルターデバイス600を配置してもよい。
また、図12に示すように、ガス検出装置100の表面には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置100の制御部138は、図12に示すように、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、波長可変干渉フィルター5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、及び排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。
FIG. 11 is a schematic diagram illustrating an example of a gas detection device including a wavelength variable interference filter.
FIG. 12 is a block diagram showing a configuration of a control system of the gas detection device of FIG.
As shown in FIG. 11, the gas detection apparatus 100 includes a sensor chip 110, a flow path 120 including a suction port 120A, a suction flow path 120B, a discharge flow path 120C, and a discharge port 120D, a main body 130, It is configured with.
The main body unit 130 includes a sensor unit cover 131 having an opening through which the flow channel 120 can be attached, a discharge unit 133, a housing 134, an optical unit 135, a filter 136, a wavelength variable interference filter 5, a light receiving element 137 (detection unit), and the like. And a control unit 138 that processes the detected signal and controls the detection unit, a power supply unit 139 that supplies power, and the like. The optical unit 135 emits light, and a beam splitter 135B that reflects light incident from the light source 135A toward the sensor chip 110 and transmits light incident from the sensor chip toward the light receiving element 137. And lenses 135C, 135D, and 135E. Instead of the variable wavelength interference filter 5, a variable wavelength interference filter 5A or an optical filter device 600 may be disposed.
As shown in FIG. 12, an operation panel 140, a display unit 141, a connection unit 142 for interface with the outside, and a power supply unit 139 are provided on the surface of the gas detection device 100. When the power supply unit 139 is a secondary battery, a connection unit 143 for charging may be provided.
Further, as shown in FIG. 12, the control unit 138 of the gas detection device 100 controls a signal processing unit 144 configured by a CPU or the like, a light source driver circuit 145 for controlling the light source 135A, and the variable wavelength interference filter 5. Voltage control unit 146, a light receiving circuit 147 that receives a signal from the light receiving element 137, a sensor chip detection that reads a code of the sensor chip 110 and receives a signal from a sensor chip detector 148 that detects the presence or absence of the sensor chip 110 A circuit 149, a discharge driver circuit 150 for controlling the discharge means 133, and the like are provided.

次に、上記のようなガス検出装置100の動作について、以下に説明する。
本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
Next, operation | movement of the above gas detection apparatuses 100 is demonstrated below.
A sensor chip detector 148 is provided inside the sensor unit cover 131 at the upper part of the main body unit 130, and the sensor chip detector 148 detects the presence or absence of the sensor chip 110. When the signal processing unit 144 detects the detection signal from the sensor chip detector 148, the signal processing unit 144 determines that the sensor chip 110 is attached, and displays a display signal for displaying on the display unit 141 that the detection operation can be performed. put out.

そして、例えば利用者により操作パネル140が操作され、操作パネル140から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部144へ出力されると、まず、信号処理部144は、光源ドライバー回路145に光源作動の信号を出力して光源135Aを作動させる。光源135Aが駆動されると、光源135Aから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源135Aには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部144へ出力される。そして、信号処理部144は、光源135Aから入力された温度や光量に基づいて、光源135Aが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路150を制御して排出手段133を作動させる。これにより、検出すべき標的物質(ガス分子)を含んだ気体試料が、吸引口120Aから、吸引流路120B、センサーチップ110内、排出流路120C、排出口120Dへと誘導される。なお、吸引口120Aには、除塵フィルター120A1が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。   For example, when the operation panel 140 is operated by the user and an instruction signal to start the detection process is output from the operation panel 140 to the signal processing unit 144, the signal processing unit 144 first sends the signal processing unit 144 to the light source driver circuit 145. A light source activation signal is output to activate the light source 135A. When the light source 135A is driven, laser light having a single wavelength and stable linear polarization is emitted from the light source 135A. The light source 135A includes a temperature sensor and a light amount sensor, and the information is output to the signal processing unit 144. When the signal processing unit 144 determines that the light source 135A is stably operating based on the temperature and light quantity input from the light source 135A, the signal processing unit 144 controls the discharge driver circuit 150 to operate the discharge unit 133. Thereby, the gas sample containing the target substance (gas molecule) to be detected is guided from the suction port 120A to the suction channel 120B, the sensor chip 110, the discharge channel 120C, and the discharge port 120D. The suction port 120A is provided with a dust removal filter 120A1 to remove relatively large dust, some water vapor, and the like.

また、センサーチップ110は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ110では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146を制御し、波長可変干渉フィルター5に印加する電圧を調整し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。
信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。
The sensor chip 110 is a sensor that incorporates a plurality of metal nanostructures and uses localized surface plasmon resonance. In such a sensor chip 110, an enhanced electric field is formed between the metal nanostructures by the laser light, and when gas molecules enter the enhanced electric field, Raman scattered light and Rayleigh scattered light including information on molecular vibrations are generated. Occur.
These Rayleigh scattered light and Raman scattered light enter the filter 136 through the optical unit 135, and the Rayleigh scattered light is separated by the filter 136, and the Raman scattered light enters the wavelength variable interference filter 5. Then, the signal processing unit 144 controls the voltage control unit 146 to adjust the voltage applied to the wavelength variable interference filter 5, and causes the wavelength variable interference filter 5 to split the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected. . Thereafter, when the dispersed light is received by the light receiving element 137, a light reception signal corresponding to the amount of received light is output to the signal processing unit 144 via the light receiving circuit 147.
The signal processing unit 144 compares the spectrum data of the Raman scattered light corresponding to the gas molecule to be detected obtained as described above and the data stored in the ROM, and determines whether or not the target gas molecule is the target gas molecule. To determine the substance. Further, the signal processing unit 144 displays the result information on the display unit 141 or outputs the result information from the connection unit 142 to the outside.

なお、上記図11及び図12において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置100を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルターを用いてガスの成分を検出することができる。   11 and 12 exemplify the gas detection device 100 that performs gas detection from the Raman scattered light obtained by spectrally dividing the Raman scattered light with the variable wavelength interference filter 5. You may use as a gas detection apparatus which specifies gas classification by detecting the light absorbency of. In this case, a gas sensor that allows gas to flow into the sensor and detects light absorbed by the gas in the incident light is used as the optical module of the present invention. A gas detection device that analyzes and discriminates the gas flowing into the sensor by such a gas sensor is an electronic apparatus of the present invention. Even in such a configuration, it is possible to detect a gas component using the wavelength variable interference filter.

また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
In addition, the system for detecting the presence of a specific substance is not limited to the detection of the gas as described above, but a non-invasive measuring device for saccharides by near-infrared spectroscopy and non-invasive information on food, living body, minerals, etc. A substance component analyzer such as a measuring device can be exemplified.
Hereinafter, a food analyzer will be described as an example of the substance component analyzer.

図13は、波長可変干渉フィルター5を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置200は、図13に示すように、検出器210(光学モジュール)と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター5と、分光された光を検出する撮像部213(検出部)と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター5に代えて、波長可変干渉フィルター5Aや光学フィルターデバイス600が配置されてもよい。
また、制御部220は、光源211の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部221と、波長可変干渉フィルター5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。
FIG. 13 is a diagram illustrating a schematic configuration of a food analyzer that is an example of an electronic apparatus using the wavelength variable interference filter 5.
As shown in FIG. 13, the food analysis apparatus 200 includes a detector 210 (optical module), a control unit 220, and a display unit 230. The detector 210 includes a light source 211 that emits light, an imaging lens 212 into which light from the measurement target is introduced, a wavelength variable interference filter 5 that splits the light introduced from the imaging lens 212, and the dispersed light. And an imaging unit 213 (detection unit) for detecting. Instead of the variable wavelength interference filter 5, a variable wavelength interference filter 5A or an optical filter device 600 may be disposed.
In addition, the control unit 220 controls the light source control unit 221 that controls the turning on / off of the light source 211 and the brightness control at the time of lighting, the voltage control unit 222 that controls the wavelength variable interference filter 5, and the imaging unit 213. , A detection control unit 223 that acquires a spectral image captured by the imaging unit 213, a signal processing unit 224, and a storage unit 225.

この食物分析装置200は、システムを駆動させると、光源制御部221により光源211が制御されて、光源211から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ212を通って波長可変干渉フィルター5に入射する。波長可変干渉フィルター5は電圧制御部222の制御により所望の波長を分光可能な電圧が印加されており、分光された光が、例えばCCDカメラ等により構成される撮像部213で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部225に蓄積される。また、信号処理部224は、電圧制御部222を制御して波長可変干渉フィルター5に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。   In the food analyzer 200, when the system is driven, the light source 211 is controlled by the light source control unit 221, and light is irradiated from the light source 211 to the measurement object. Then, the light reflected by the measurement object enters the wavelength variable interference filter 5 through the imaging lens 212. The variable wavelength interference filter 5 is applied with a voltage capable of dispersing a desired wavelength under the control of the voltage control unit 222, and the dispersed light is imaged by an imaging unit 213 configured by, for example, a CCD camera. The captured light is accumulated in the storage unit 225 as a spectral image. In addition, the signal processing unit 224 controls the voltage control unit 222 to change the voltage value applied to the wavelength tunable interference filter 5, and acquires a spectral image for each wavelength.

そして、信号処理部224は、記憶部225に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部225には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部224は、求めたスペクトルのデータを、記憶部225に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部224は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。
Then, the signal processing unit 224 performs arithmetic processing on the data of each pixel in each image accumulated in the storage unit 225, and obtains a spectrum at each pixel. In addition, the storage unit 225 stores, for example, information related to food components with respect to the spectrum, and the signal processing unit 224 analyzes the obtained spectrum data based on the information related to food stored in the storage unit 225. The food component contained in the detection target and its content are obtained. Moreover, a food calorie, a freshness, etc. are computable from the obtained food component and content. Furthermore, by analyzing the spectral distribution in the image, it is possible to extract a portion of the food to be inspected that has reduced freshness, and to detect foreign substances contained in the food. Can also be implemented.
Then, the signal processing unit 224 performs processing for causing the display unit 230 to display information such as the components and contents of the food to be examined, the calories, and the freshness obtained as described above.

また、図13において、食物分析装置200の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
FIG. 13 shows an example of the food analysis apparatus 200, but it can also be used as a non-invasive measurement apparatus for other information as described above with a substantially similar configuration. For example, it can be used as a biological analyzer for analyzing biological components such as measurement and analysis of body fluid components such as blood. As such a bioanalytical device, for example, a device that detects ethyl alcohol as a device that measures a body fluid component such as blood, it can be used as a drunk driving prevention device that detects the drunk state of the driver. Further, it can also be used as an electronic endoscope system provided with such a biological analyzer.
Furthermore, it can also be used as a mineral analyzer for performing component analysis of minerals.

さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
Furthermore, the variable wavelength interference filter, the optical module, and the electronic apparatus of the present invention can be applied to the following apparatuses.
For example, it is possible to transmit data using light of each wavelength by changing the intensity of light of each wavelength over time. In this case, light of a specific wavelength is transmitted by a wavelength variable interference filter provided in the optical module. The data transmitted by the light of the specific wavelength can be extracted by separating the light and receiving the light at the light receiving unit, and the electronic data having such a data extraction optical module can be used to extract the light data of each wavelength. By processing, optical communication can be performed.

また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルターを内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図14は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ300は、図14に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330(検出部)とを備えている。
カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、図14に示すように、対物レンズ321、結像レンズ322、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター5を備えて構成されている。なお、波長可変干渉フィルター5に代えて、波長可変干渉フィルター5Aや光学フィルターデバイス600が配置されてもよい。
撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ300では、波長可変干渉フィルター5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
Further, the electronic apparatus can be applied to a spectroscopic camera, a spectroscopic analyzer, or the like that captures a spectroscopic image by dispersing light with the variable wavelength interference filter of the present invention. An example of such a spectroscopic camera is an infrared camera incorporating a wavelength variable interference filter.
FIG. 14 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the spectroscopic camera. As shown in FIG. 14, the spectroscopic camera 300 includes a camera main body 310, an imaging lens unit 320, and an imaging unit 330 (detection unit).
The camera body 310 is a part that is gripped and operated by a user.
The imaging lens unit 320 is provided in the camera body 310 and guides incident image light to the imaging unit 330. As shown in FIG. 14, the imaging lens unit 320 includes an objective lens 321, an imaging lens 322, and a wavelength variable interference filter 5 provided between these lenses. Instead of the variable wavelength interference filter 5, a variable wavelength interference filter 5A or an optical filter device 600 may be disposed.
The imaging unit 330 includes a light receiving element, and images the image light guided by the imaging lens unit 320.
In such a spectroscopic camera 300, a spectral image of light having a desired wavelength can be captured by transmitting light having a wavelength to be imaged by the variable wavelength interference filter 5.

さらには、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルターで分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
Furthermore, the wavelength tunable interference filter of the present invention may be used as a bandpass filter. For example, only light in a narrow band centered on a predetermined wavelength out of light in a predetermined wavelength range emitted from the light emitting element can be wavelength-variable. It can also be used as an optical laser device that spectrally transmits through an interference filter.
In addition, the tunable interference filter of the present invention may be used as a biometric authentication device, and can be applied to authentication devices such as blood vessels, fingerprints, retinas, and irises using light in the near infrared region and visible region.

さらには、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルターにより、物質から射出された赤外エネルギー(赤外光)を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。   Furthermore, an optical module and an electronic device can be used as a concentration detection device. In this case, the infrared energy (infrared light) emitted from the substance is spectrally analyzed by the variable wavelength interference filter, and the analyte concentration in the sample is measured.

上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、1デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。従って、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。   As described above, the tunable interference filter, the optical module, and the electronic device of the present invention can be applied to any device that splits predetermined light from incident light. Since the wavelength tunable interference filter according to the present invention can split a plurality of wavelengths with one device as described above, it is possible to accurately measure a spectrum of a plurality of wavelengths and detect a plurality of components. it can. Therefore, compared with the conventional apparatus which takes out a desired wavelength with a plurality of devices, it is possible to promote downsizing of the optical module and the electronic apparatus, and for example, it can be suitably used as a portable or in-vehicle optical device.

また、上記第四実施形態では、MEMSデイバスの一例として、ミラーデバイス6について説明したが、本発明のMEMSデバイスはこれに限定されない。例えば、対向する一対の基板と、一対の基板のそれぞれの対向面に配設された電極とを少なくとも備え、電極間に発生する静電引力により基板間ギャップを制御するようなデイバスであればよく、このような任意のデバイスに対して本発明を適用することができる。   Moreover, although the said 4th embodiment demonstrated the mirror device 6 as an example of a MEMS device, the MEMS device of this invention is not limited to this. For example, a device that includes at least a pair of substrates facing each other and electrodes disposed on the opposing surfaces of the pair of substrates and controls the gap between the substrates by electrostatic attraction generated between the electrodes may be used. Therefore, the present invention can be applied to such arbitrary devices.

その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で上記各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせることで構成してもよく、また他の構造などに適宜変更してもよい。   In addition, the specific structure in the implementation of the present invention may be configured by appropriately combining the above-described embodiments and modifications as long as the object of the present invention can be achieved. It may be changed.

1…電子機器としての測色装置、3…光学モジュールとしての測色センサー、5,5A…波長可変干渉フィルター、6…MEMSデバイスとしてのミラーデバイス、31…検出部、51…第一基板である可動基板、52…第二基板である固定基板、56…第一反射膜である可動反射膜、57…第二反射膜である固定反射膜、100…電子機器としてのガス検出装置、200…電子機器としての食物分析装置、300…電子機器としての分光カメラ、511…可動部、512…保持部、541…第一電極である可動電極、542…第一内側電極としての内側可動電極、543A,543B…第一外側電極としての外側可動部分電極、545A,545B…第一内側接続線としての内側可動接続線、546A,546B…第一外側接続線としての外側可動接続線、551…第二電極である固定電極、552…第二内側電極としての内側固定電極、553…第二外側電極としての外側固定電極、555A,555B…第二内側接続線としての内側固定接続線、600…光学フィルターデバイス、601…筐体   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Color measuring apparatus as electronic equipment, 3 ... Color measuring sensor as optical module, 5, 5A ... Wavelength variable interference filter, 6 ... Mirror device as MEMS device, 31 ... Detection part, 51 ... 1st board | substrate Movable substrate, 52... Fixed substrate as second substrate, 56... Movable reflective film as first reflective film, 57... Fixed reflective film as second reflective film, 100. Food analyzer as device, 300 ... spectral camera as electronic device, 511 ... movable part, 512 ... holding part, 541 ... movable electrode as first electrode, 542 ... inner movable electrode as first inner electrode, 543A, 543B: outer movable partial electrode as the first outer electrode, 545A, 545B ... inner movable connection line as the first inner connection line, 546A, 546B ... as the first outer connection line Side movable connection line, 551... Fixed electrode as second electrode, 552... Inner fixed electrode as second inner electrode, 553... Outer fixed electrode as second outer electrode, 555A, 555B. Inner fixed connection line, 600 ... optical filter device, 601 ... housing

Claims (8)

第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極と、
前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、
前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極と、
前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極と、
前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極と、を備え、
前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、
前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on the first substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film;
An annular first inner electrode provided on the first substrate;
In a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, along the one virtual circle that is concentric with the first inner electrode outside the first inner electrode of the first substrate. A plurality of first outer electrodes each formed in the same shape;
In the plan view, it extends from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. A plurality of linear first inner connection electrodes
In the plan view, a plurality of linear first outer connection electrodes extending from the outer peripheral edge of each first outer electrode to the outer peripheral side of the first substrate;
A second electrode provided on the second substrate and provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view;
The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode,
The tunable interference filter according to claim 1, wherein the first outer connection electrode is provided at equal angular intervals with respect to a center point of the first inner electrode.
請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二電極は、前記第一内側電極と重なる領域に設けられた第二内側電極と、前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二外側電極とを備え、
前記第二外側電極は、前記第一内側接続電極と重ならない領域に設けられた
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
The tunable interference filter according to claim 1,
The second electrode includes a second inner electrode provided in a region overlapping the first inner electrode, and a second outer electrode provided in a region overlapping the first outer electrode,
The wavelength tunable interference filter, wherein the second outer electrode is provided in a region that does not overlap the first inner connection electrode.
請求項2に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第二内側電極及び前記第二外側電極を接続し、前記第一内側接続電極と重ならない領域に設けられた第二内側接続電極を備える
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
The tunable interference filter according to claim 2,
A wavelength tunable interference filter, comprising: a second inner connection electrode connected to the second inner electrode and the second outer electrode and provided in a region not overlapping the first inner connection electrode.
請求項1から請求項3のいずれかに記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板は、前記第一反射膜、前記第一内側電極及び前記第一外側電極が設けられ、前記第二基板に対して進退する可動部と、
前記可動部の外周縁に接続され、前記可動部を前記第二基板に対して進退可能に保持する保持部と、
を備えることを特徴とする波長可変干渉フィルター。
In the wavelength variable interference filter according to any one of claims 1 to 3,
The first substrate is provided with the first reflective film, the first inner electrode, and the first outer electrode, and a movable portion that moves forward and backward with respect to the second substrate;
A holding unit connected to an outer peripheral edge of the movable unit, and holding the movable unit so as to be movable back and forth with respect to the second substrate;
A wavelength tunable interference filter comprising:
第一基板、
前記第一基板に対向する第二基板、
前記第一基板に設けられた第一反射膜、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、
前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極、
前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極、
前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極、
前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極、及び
前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極を備え、
前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、
前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを収納し、少なくとも一部に前記波長可変干渉フィルターに光を導く導光部が設けられた筐体と、
を備えることを特徴とする光学フィルターデバイス。
First substrate,
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on the first substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film;
An annular first inner electrode provided on the first substrate;
In a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, along the one virtual circle that is concentric with the first inner electrode outside the first inner electrode of the first substrate. A plurality of first outer electrodes each having the same shape,
In the plan view, it extends from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. A plurality of linear first inner connection electrodes,
In the plan view, a plurality of linear first outer connection electrodes extending from the outer peripheral edge of each first outer electrode to the outer peripheral side of the first substrate, and provided on the second substrate, in the plan view, A second electrode provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode;
The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode,
The first outer connection electrode is a wavelength variable interference filter provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode;
A housing that houses the wavelength tunable interference filter, and at least partially includes a light guide that guides light to the wavelength tunable interference filter;
An optical filter device comprising:
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜と、
前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極と、
前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、
前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極と、
前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極と、
前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極と、
前記第一反射膜及び前記第二反射膜により取り出された光を検出する検出部と、を備え、
前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、
前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた
ことを特徴とする光学モジュール。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on the first substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film;
An annular first inner electrode provided on the first substrate;
In a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, along the one virtual circle that is concentric with the first inner electrode outside the first inner electrode of the first substrate. A plurality of first outer electrodes each formed in the same shape;
In the plan view, it extends from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. A plurality of linear first inner connection electrodes
In the plan view, a plurality of linear first outer connection electrodes extending from the outer peripheral edge of each first outer electrode to the outer peripheral side of the first substrate;
A second electrode provided on the second substrate and provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view;
A detection unit for detecting light extracted by the first reflective film and the second reflective film,
The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode,
The optical module, wherein the first outer connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to a center point of the first inner electrode.
第一基板、
前記第一基板に対向する第二基板、
前記第一基板に設けられた第一反射膜、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向する第二反射膜、
前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極、
前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極、
前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極、
前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極、及び
前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極を備え、
前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、
前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、
を備えることを特徴とする電子機器。
First substrate,
A second substrate facing the first substrate;
A first reflective film provided on the first substrate;
A second reflective film provided on the second substrate and facing the first reflective film;
An annular first inner electrode provided on the first substrate;
In a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, along the one virtual circle that is concentric with the first inner electrode outside the first inner electrode of the first substrate. A plurality of first outer electrodes each having the same shape,
In the plan view, it extends from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. A plurality of linear first inner connection electrodes,
In the plan view, a plurality of linear first outer connection electrodes extending from the outer peripheral edge of each first outer electrode to the outer peripheral side of the first substrate, and provided on the second substrate, in the plan view, A second electrode provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode;
The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode,
The first outer connection electrode is a wavelength variable interference filter provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode;
A control unit for controlling the variable wavelength interference filter;
An electronic device comprising:
第一基板と、
前記第一基板に対向する第二基板と、
前記第一基板に設けられた円環状の第一内側電極と、
前記第一基板及び前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外で、前記第一内側電極と同心円となる一つの仮想円に沿って複数設けられ、かつそれぞれ同一形状に形成された第一外側電極と、
前記平面視において、前記第一基板の前記第一内側電極の外周縁から、前記仮想円に沿って並んだ2つの第一外側電極の間を通って、前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一内側接続電極と、
前記平面視において、各第一外側電極の外周縁から前記第一基板の外周側に延出する複数の直線状の第一外側接続電極と、
前記第二基板に設けられ、前記平面視において、少なくとも前記第一内側電極及び前記第一外側電極と重なる領域に設けられた第二電極と、を備え、
前記第一内側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられ、
前記第一外側接続電極は、前記第一内側電極の中心点に対して等角度間隔で設けられた
ことを特徴とするMEMSデバイス。
A first substrate;
A second substrate facing the first substrate;
An annular first inner electrode provided on the first substrate;
In a plan view of the first substrate and the second substrate viewed from the substrate thickness direction, along the one virtual circle that is concentric with the first inner electrode outside the first inner electrode of the first substrate. A plurality of first outer electrodes each formed in the same shape;
In the plan view, it extends from the outer peripheral edge of the first inner electrode of the first substrate to the outer peripheral side of the first substrate through the space between the two first outer electrodes arranged along the virtual circle. A plurality of linear first inner connection electrodes
In the plan view, a plurality of linear first outer connection electrodes extending from the outer peripheral edge of each first outer electrode to the outer peripheral side of the first substrate;
A second electrode provided on the second substrate and provided in a region overlapping at least the first inner electrode and the first outer electrode in the plan view;
The first inner connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to the center point of the first inner electrode,
The MEMS device, wherein the first outer connection electrode is provided at equiangular intervals with respect to a center point of the first inner electrode.
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