JP2014057037A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【課題】発光ダイオードの提供。
【解決手段】この発光ダイオードは、第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、それはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具える。該第2発光ダイオードダイは、該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置される。そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層と該第2発光ダイオードダイの第2半導体層は接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層とに接続される。
【選択図】図1
【解決手段】この発光ダイオードは、第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、それはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具える。該第2発光ダイオードダイは、該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置される。そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層と該第2発光ダイオードダイの第2半導体層は接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層とに接続される。
【選択図】図1
Description
本発明は一種の発光ダイオードに係り、特に一種の、直列接続構造を具えた発光ダイオードに関する。
発光ダイオード(LED)技術の進歩は、LEDに、体積が小さく、重量が軽く、性能が高く及び使用寿命が長いという特徴を具備させた。LEDはすでに異なる単色光出力、たとえば、赤色、青色及び緑色出力において、優れた進歩を有している。単一色のLEDは、特別な表示器、たとえば、携帯電話、及び液晶ディスプレイ(LCD)中のバックライトとして用いられ得る。放熱はLED発光効率を改善するための主要な制限因子であり、且つこれにより、LEDの設計者にとって、熱伝導処理は重要なことである。
電流を用いてLEDを駆動する時、半導体チップ内部のリーク電流及び半導体チップより周辺環境への熱伝導不足により、素子温度が高くなる。高温は、素子の損害をもたらし老化を加速するのみならず、LEDの光学特性も温度に伴い変化する。たとえば、LEDの光出力は、一般に、素子温度の増加により減少する。さらに、半導体バンドギャップエネルギー中の変化により発射波長も温度に伴い変化し得る。
伝統的な発光ダイオードは有効に放熱の問題を解決できておらず、このため、新規な発光ダイオードを提出し、経済的且つ有効な方式で発光ダイオードのリーク電流と高温を減らす必要がある。
また、周知の技術中、発光ダイオードを駆動するのに必要な電圧は3Vとされ、これにより、発光ダイオードを駆動する駆動器は110Vから3Vに降圧する電圧変換回路を有している必要があり、該電圧変換回路は駆動器の体積を増加させるだけでなく、発光ダイオードの応用の自由度を減らす。
本発明は一種の発光ダイオードを提供することを目的とし、それは、隣り合う二つのダイ間の半導体層が接続されて直列接続の構造を形成し、これにより発光ダイオード全体が必要とする電流が減少し、これにより発光ダイオードが発生する熱度が下がり、並びにさらに放熱片のサイズを縮小でき、これにより発光ダイオードの発光輝度が高められるものとする。
本発明はまた、一種の発光ダイオードを提供することを目的とし、そのうち、発光ダイオードダイが具備するp型半導体層とそれに隣り合う別の発光ダイオードダイが具備するn型半導体層が接続されて直列接続の構造を形成し、これにより該発光ダイオード全体が必要とする電流が減少し、これにより発光ダイオードが発生する熱度が下がり、並びにさらに放熱片のサイズを縮小でき、これにより発光ダイオードの発光輝度が高められるものとする。
本発明はさらにまた、一種の発光ダイオードを提供することを目的とし、そのうち、発光ダイオードダイの第1半導体層は隣り合う発光ダイオードダイの第1と第2半導体層と接続され、これにより全体の発光ダイオードのpとn端が同一側と見なされ得て、これにより、直接チップオンボード(chip−on−board,COB)のチップパッケージ技術で、発光ダイオードを回路基板上にパッケージでき、ワイヤボンディング(wire bonding)のパッケージ方式を使用する必要がなく、これにより、発光ダイオードのワイヤボンディングのパッケージにより発生する不良率を減らし、発光ダイオードの信頼度(reliability)をアップし、且つ、ワイヤボンディングパッケージをCOBパッケージに変更することで、パッケージ後の発光ダイオードの体積を減らせるものとする。
ある実施例において、本発明は一種の発光ダイオードを提供し、それは、第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、それらはそれぞれが、第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具える。該第2発光ダイオードダイは、該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置される。そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層と該第2発光ダイオードダイの第2半導体層は接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層とに接続される。
請求項1の発明は、発光ダイオードにおいて、
第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、該第1発光ダイオードダイ、該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と該第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具え、該第2発光ダイオードダイは該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置され、
そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層は該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は、該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項2の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、該第1発光ダイオードダイと該第2発光ダイオードダイの間、及び、該第2発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間にそれぞれ第1絶縁部が設けられ、各該第1絶縁部にそれぞれ貫通孔が開設されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項3の発明は、請求項2記載の発光ダイオードにおいて、さらに第1電極構造及び第2電極構造を包含し、該第1電極構造は該第1発光ダイオードダイと該第2発光ダイオードダイの間の貫通孔を通して該第1発光ダイオードダイの第1半導体層及び該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2電極構造は、該第2発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間の貫通孔を通して、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層及び該第3発光ダイオードダイの第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項4の発明は、請求項3記載の発光ダイオードにおいて、該第1電極構造は、さらに第1電極部及び第2電極部を包含し、該第1電極部は該第1発光ダイオードダイの第1半導体層上に形成され、該第2電極部は、該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、且つ貫通孔を通して該第1電極部に接続され、該第2電極構造は、第3電極部及び第4電極部を具え、該第3電極部は該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイの第1半導体層上に形成され、該第4電極部は該第3発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、且つ対応する貫通孔を通して該第3電極部に接続されることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項5の発明は、請求項4記載の発光ダイオードにおいて、該第1発光ダイオードダイの第2半導体層はさらに第5電極部に接続され、該第5電極部は第2絶縁部により該第2電極部と絶縁されていることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項6の発明は、請求項5記載の発光ダイオードにおいて、該第5電極部は、さらに第1金属合金部に接続され、該第4電極部は、さらに第2金属合金部に接続され、該第1金属合金部と該第2金属合金部は第1凹溝により相互に絶縁されていることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項7の発明は、請求項6記載の発光ダイオードにおいて、該第1金属合金部と該第2金属合金部の間に、第3絶縁部が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項8の発明は、請求項7記載の発光ダイオードにおいて、該第3絶縁部が対応する該第2金属合金部上に第2凹溝が設けられ、それは該第1凹溝と位置がずれていることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項9の発明は、請求項6記載の発光ダイオードにおいて、該第1金属合金部と該第2金属合金部の表面にさらに保護層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項10の発明は、請求項2記載の発光ダイオードにおいて、該貫通孔の幅は1000μmより小さいことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、該第1発光ダイオードダイ、該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と該第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具え、該第2発光ダイオードダイは該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置され、
そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層は該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は、該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項2の発明は、請求項1記載の発光ダイオードにおいて、該第1発光ダイオードダイと該第2発光ダイオードダイの間、及び、該第2発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間にそれぞれ第1絶縁部が設けられ、各該第1絶縁部にそれぞれ貫通孔が開設されたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項3の発明は、請求項2記載の発光ダイオードにおいて、さらに第1電極構造及び第2電極構造を包含し、該第1電極構造は該第1発光ダイオードダイと該第2発光ダイオードダイの間の貫通孔を通して該第1発光ダイオードダイの第1半導体層及び該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2電極構造は、該第2発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間の貫通孔を通して、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層及び該第3発光ダイオードダイの第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項4の発明は、請求項3記載の発光ダイオードにおいて、該第1電極構造は、さらに第1電極部及び第2電極部を包含し、該第1電極部は該第1発光ダイオードダイの第1半導体層上に形成され、該第2電極部は、該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、且つ貫通孔を通して該第1電極部に接続され、該第2電極構造は、第3電極部及び第4電極部を具え、該第3電極部は該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイの第1半導体層上に形成され、該第4電極部は該第3発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、且つ対応する貫通孔を通して該第3電極部に接続されることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項5の発明は、請求項4記載の発光ダイオードにおいて、該第1発光ダイオードダイの第2半導体層はさらに第5電極部に接続され、該第5電極部は第2絶縁部により該第2電極部と絶縁されていることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項6の発明は、請求項5記載の発光ダイオードにおいて、該第5電極部は、さらに第1金属合金部に接続され、該第4電極部は、さらに第2金属合金部に接続され、該第1金属合金部と該第2金属合金部は第1凹溝により相互に絶縁されていることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項7の発明は、請求項6記載の発光ダイオードにおいて、該第1金属合金部と該第2金属合金部の間に、第3絶縁部が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項8の発明は、請求項7記載の発光ダイオードにおいて、該第3絶縁部が対応する該第2金属合金部上に第2凹溝が設けられ、それは該第1凹溝と位置がずれていることを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項9の発明は、請求項6記載の発光ダイオードにおいて、該第1金属合金部と該第2金属合金部の表面にさらに保護層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
請求項10の発明は、請求項2記載の発光ダイオードにおいて、該貫通孔の幅は1000μmより小さいことを特徴とする、発光ダイオードとしている。
本発明は一種の発光ダイオードを提供し、それは、隣り合う二つのダイ間の半導体層が接続されて直列接続の構造を形成し、これにより発光ダイオード全体が必要とする電流が減少し、これにより発光ダイオードが発生する熱度が下がり、並びにさらに放熱片のサイズを縮小でき、これにより発光ダイオードの発光輝度が高められる。
本発明は一種の発光ダイオードを提供し、そのうち、発光ダイオードダイが具備するp型半導体層とそれに隣り合うもう一つの発光ダイオードダイが具備するn型半導体層が接続されて直列接続の構造を形成し、これにより該発光ダイオード全体が必要とする電流が減少し、これにより発光ダイオードが発生する熱度が下がり、並びにさらに放熱片のサイズを縮小でき、これにより発光ダイオードの発光輝度が高められる。
図1を参照されたい。それは本発明の発光ダイオードの第1実施例の断面図である。該発光ダイオード2は、第1発光ダイオードダイ20a、第2発光ダイオードダイ20b、及び第3発光ダイオードダイ20cを包含する。該第2発光ダイオードダイ20bは該第1発光ダイオードダイ20a及び該第3発光ダイオードダイ20cの間に設置される。
該第1発光ダイオードダイ20a、該第2発光ダイオードダイ20b、及び第3発光ダイオードダイ20cは、それぞれが、第1半導体層200、第2半導体層202及び多重量子井戸(multiple quantum well,MQW)層201を具える。
該多重量子井戸層201は該第1半導体層200と該第2半導体層202の間に形成され、且つ該第1半導体層200及び該第2半導体層202と接続されている。
本実施例では、該第1半導体層200は該多重量子井戸層201の上表面に接続され、該第2半導体層202は該多重量子井戸層201の下表面に接続されている。
該第1半導体層200はp型半導体層或いはn型半導体層とされる。もし該第1半導体層200がp型半導体層とされるならば、該第2半導体層202はn型半導体層とされる。反対に、もし、該第1半導体層200がn型半導体層とされるならば、該第2半導体層202はp型半導体層とされる。
p型半導体層の材料はp型III族窒化物材料、たとえば、p−GaN、p−AlGaN、p−AlGaInN、p−InGaN或いはp−AlNとされ得るが、これに限定されるわけではない。本実施例では、p型半導体層はp−GaNとされる。
n型半導体層の材料はn型III族窒化物材料、たとえば、n−GaN、n−InGaN、n−AlGaN或いはn−AlInGaNとされ得る。本実施例ではn型半導体層はn−GaNとされる。
該多重量子井戸層201の材料は、たとえば、GaAs、AlGaAs等の半導体材料とされ得る。
上述の第1半導体層200、第2半導体層202及び多重量子井戸層201の形成方式は、たとえば、金属有機化学成長(MOCVD,metal−organic chemical vapor deposition)、分子ビームエピタキシー(MBE,molecular beam epitaxy)或いは気相エピタキシー(VPE,vapor phase epitaxy)等の技術により、三層構造を成長して形成した後、さらにドライエッチング、ウエットエッチング、反応性イオンエッチング(RIE,reacting)或いはレーザー等の方式で、不要な部分を除去し、発光ダイオードダイを形成する。
該第1発光ダイオードダイ20aの第1半導体層200と該第2発光ダイオードダイ20bの第2半導体層202は接続される。該第2発光ダイオードダイ20bの第1半導体層200は該第3発光ダイオードダイ20cと接続される。
本実施例では、該第2発光ダイオードダイ20bの第1半導体層200と、該第3発光ダイオードダイ20cの第1半導体層200と第2半導体層202及び多重量子井戸層201が接続される。
該第1発光ダイオードダイ20aと該第2発光ダイオードダイ20bの間に第1絶縁部22が形成され、該第2発光ダイオードダイ20bと該第3発光ダイオードダイ20cの間にも第1絶縁部22bが形成される。
これら第1絶縁部22a、22bには、それぞれ貫通孔23aと23bが開設される。
そのうち、貫通孔23aにより、該第1絶縁部22aが第1絶縁体220及び第2絶縁体221に分けられている。
該第1絶縁部22a、22bの材料は、SiO2 、Si3N4 、TiO2、Al2O3、HfO2、Ta2O5、ホトレジスト(photo resistance,PR)或いはエポキシ樹脂(Epoxy)等の材料より選択可能であり、さらに適合する成長法、たとえば、化学成長(chemical vapor deposition,CVD)、プラズマ補助化学成長(plasma enhanced CVD,PECVD)、原子層成長(Atomic Layer Deposition,ALD)、或いは、印刷(printing)、コーティング(coating)等の方式を利用し、さらにリソグラフィーと化学工程を結合させることで、図形が画定される。
該貫通孔23a、23bはドライエッチング、ウエットエッチング、反応性イオンエッチング或いはレーザーエッチング等の方式で形成される。
本実施例では、該第1絶縁部22a及び22bの材料は同じとされ、該第1絶縁体220及び該第2絶縁体221の材料は同じとされる。
該貫通孔23aと23bの孔径Dは1000μmより小さく、別の実施例では、該貫通孔23aと23bの孔径Dは200μmより小さく、また別の実施例では、該貫通孔23aと23bの孔径Dは100μmより小さい。
説明すべきことは、前述の第1絶縁部22a及び22bは同じ絶縁材料とされるが、別の実施例では、該第1絶縁部22a及び22bは異なる絶縁材料で構成可能であることである。また別の実施例では、該第1絶縁体220及び該第2絶縁体221は異なる絶縁材料で構成され得る。
本実施例では、該第1発光ダイオードダイ20aの第1半導体層200と該第2発光ダイオードダイ20bの第2半導体層202の接続の方式は、第1電極構造21aを該貫通孔23を通して相互に連接する。
そのうち、該第1絶縁体220は、該第1発光ダイオードダイ20aの側壁を、該第1電極構造21aと互いに絶縁させている。該第2絶縁体221は該第2発光ダイオードダイ20bの側壁を、該第1電極構造21aと互いに絶縁させている。及び、該第1絶縁部22bは、該第2発光ダイオードダイ20bの側壁を第2電極構造21bと絶縁させている。
ある実施例において、該第1電極構造21aは該第1発光ダイオードダイ20aの一部の第1半導体層200上に接続され、及び、該第2発光ダイオードダイ20bの一部の第2半導体層202に接続される。
該第2発光ダイオードダイ20bの第1半導体層200と該第3発光ダイオードダイ20cの第2半導体層202の接続の方式は、第2電極構造21bにより該貫通孔23bを通して相互に接続する。該第2電極構造21bは、第2発光ダイオードダイ20bの一部の第1半導体層200上に接続され、及び、該第3発光ダイオードダイ20cの一部の第1半導体層200及び一部の第2半導体層202上に接続される。
該第1電極構造21a及び該第2電極構造21bは導電の金属材質とされ、それは、単一金属層或いは多重金属層とされ、該単一金属層或いは多重金属層は、導電に用いられる任意の適合する材料、たとえば、Cr/Au、Cr/Al、Cr/Pt/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、Ti/Al、Ti/Au、Ti/TiW/Au、Ti/Al/Pt/Au、TiW/Au、Ti/Al/Ni/Au、NiV/Au、Al、Al/Pt/Au、Al/Pt/Al、Al/Ni/Au、Al/Ni/Al、Al/W/Al、Al/W/Au、Al/TaN/Al、Al/TaN/Au、Al/Mo/Au、或いはTi/NiV/Auで組成され、前述の材料中のAuは、Cuに置換できる。
図2を参照されたい。それは本発明の発光ダイオードの別の実施例の表示図である。本実施例中、該発光ダイオード2aは、第1発光ダイオードダイ20a、第2発光ダイオードダイ20b、及び第3発光ダイオードダイ20cを包含する。それらの構造は図1の実施例で述べられたとおりであるため、ここでは詳しく説明しない。
本実施例中、第1発光ダイオードダイ20a、第2発光ダイオードダイ20b、第3発光ダイオードダイ20cの具備する第1半導体層200はn型半導体層とされ、該第2半導体層202はp型半導体層とされる。
該第1発光ダイオードダイ20aと該第2発光ダイオードダイ20bの間、及び該第2発光ダイオードダイ20bと該第3発光ダイオードダイ20cの間にはそれぞれ第1絶縁部22aと22bがあり、各第1絶縁部22aと22b内に、それぞれ一つの貫通孔23aと23bが開設されている。該第1絶縁部22aの材料は、前述の絶縁部22a、22bの材料で述べたとおりであるため、詳しくは説明しない。
図2の実施例中、第1電極構造21aは該貫通孔23aを通して該第1発光ダイオードダイ20aの第1半導体層200及び該第2発光ダイオードダイ20bの第2半導体層202に接続される。
本実施例中、該第1電極構造21aは第1電極部210及び第2電極部211を包含する。該第1電極部210は該第1発光ダイオードダイ20aの第1半導体層200上に形成され、該第2電極部211は該第2発光ダイオードダイ20bの第2半導体層202上に形成される。該第2電極部211は該貫通孔23を通る延伸構造を具えて該第1電極部210と電気的に接続される。
このほか、第2電極構造21bは該貫通孔23bを通り該第2発光ダイオードダイ20bの第1半導体層200及び第3発光ダイオードダイ20cの第1半導体層200及び第2半導体層202及び多重量子井戸層201に接続される。
本実施例では、該第2電極構造21bは第3電極部212及び第4電極部213を包含する。該第3電極部212は該第2発光ダイオードダイ20bの第1半導体層200上に形成され、該第4電極部213は該第3発光ダイオードダイ20cの第2半導体層202上に形成される。
該第4電極部213は延伸構造を具えて、該貫通孔23bをとおり該第3電極部212及び該第3発光ダイオードダイ20cの第1半導体層200と第2半導体層202と多重量子井戸層201と電気的に接続される。
該第1発光ダイオードダイ20aの第2半導体層202の底面には、さらに第5電極部24が接続され、それは、第2絶縁部25により該第2電極部211及び第4電極部213と絶縁されている。
第1絶縁部22aと22b及び該第2絶縁部25の材料は、SiO2 、Si3N4 、TiO2、Al2O3、HfO2、Ta2O5、ホトレジスト(photo resistance,PR)或いはエポキシ樹脂(Epoxy)等の材料より選択可能であり、さらに適合する成長法、たとえば、化学成長(chemical vapor deposition,CVD)、プラズマ補助化学成長(plasma enhanced CVD,PECVD)、原子層成長(Atomic Layer Deposition,ALD)、或いは、印刷(printing)或いはコーティング(coating)等の方式を利用し、さらにリソグラフィーと化学工程を結合させることで図形が画定される。
また、該第2絶縁部25と該第1絶縁部22aと22bは必要により同じ或いは異なる材料を選択できる。
該第3電極部212、第4電極部213及び第5電極部214の材料は、前述の図1に示される第1電極構造21aと第2電極構造21bの材料選択性と同じであるため、ここでは詳しく説明しない。
説明しておくべきことは、もし該第2半導体層202がp型半導体層であれば、該第5電極部24はp型電極部とされ、反対に、もし該第2半導体層202がn型半導体層であれば、該第5電極部24はn型電極部とされるということである。
また、該第5電極部24の底部にはさらに第1金属合金部26aが接続され、該第4電極部213の底部には第2金属合金部26bが接続されている。
該第1金属合金部26aと該第2金属合金部26bの間は、第1凹溝3により相互に絶縁され且つ距離Lが隔てられ、該距離Lは1000μ以下とされる。
このほか、該第1金属合金部26aと第2金属合金部26bは、Cu、Ni、Ag、Co、Al、Sn、W、Mo、Pd、Pt、Rhのうちの、すくなくとも二種類の材料で形成された合金材料とされる。
該第1金属合金部26aと第2金属合金部26bを形成する方式は、スパッタリング、PVD、電気めっき、無電解めっき、或いは印刷等の方式を用いることができる。
該第1金属合金部26aと該第2金属合金部26bの表面にはさらに保護層27を形成してもよい。保護層27を堆積させる方式は、無電解メッキ或いは電気メッキの方式を利用でき、該保護層は金属材質とされ、それはNi或いはAuとされる。
図3を参照されたい。それは本発明の発光ダイオードの第3実施例表示図である。本実施例の発光ダイオード2bは、基本的には第2図に示される発光ダイオード2a構造と類似するが、違いは、本実施例中、該第1金属合金部26aと該第2金属合金部26bの間には、第3絶縁部29が形成されて、これにより、該第1金属合金部26aと該第2金属合金部26bが相互に絶縁されている。
該第3絶縁部29上には、第2凹溝290があり、隣り合う第1金属合金部26aと第2金属合金部26bの間には、第1凹溝3がある。該第1凹溝3は該第2凹溝290と相互に位置がずれ、該第2金属合金部26bは該第2凹溝290内に充填される。該第3絶縁部29の構造は、該発光ダイオード2bの構造を強化する。
説明が必要であることは、本実施例中、三つの発光ダイオードダイにより本発明の接続関係の特徴を説明しているが、実際の応用時には、三つの発光ダイオードダイに制限されるわけではなく、複数個Nm(m=1〜n,n>3)の発光ダイオードダイを有する時、第N1〜Nn-1の発光ダイオードダイの接続関係は、前述の実施例の第1発光ダイオードダイ20aと第2発光ダイオードダイ20bの接続関係とされ、Nn-1〜Nnの発光ダイオードダイの接続関係は、前述の実施例の第2発光ダイオードダイ20bと第3発光ダイオードダイ20cの接続関係とされる。
本発明の発光ダイオード2、2a或いは2bは、電流を受け取る時、発光ダイオード内のリーク電流を減らすことができる。
このほか、本発明の発光ダイオードはその具備する第1発光ダイオードダイ20a上の第1半導体層200と隣り合う第2発光ダイオードダイ20bの第2半導体層202が接続されて直列接続の構造を形成し、これにより、発光ダイオード2或いは2a全体が必要とする電流は減少し、発光効率がアップし、こうして廃熱と放熱に対する要求が減少し、並びにさらに放熱片のサイズを縮小できる。
このほか、高電圧LEDは簡単なブリッジ式整流のみ必要とし、そのためさらに発光ダイオードのパッケージ体積を減らせ、製造コストを下げることができる。
以上をうけ、直接或いは間接にさらに全体のモジュールの効果、及び発光ダイオードの応用の多様性及び実行可能性をアップできる。
このほか、本発明の発光ダイオード2、2a、2b中の第2発光ダイオードダイ20bの第1半導体層200は該第3発光ダイオードダイ20cの第1半導体層200と第2半導体層202に接続され、これにより全体の発光ダイオードのp端とn端が同一側にあると見なされ得て、これにより、直接COBチップパッケージの技術で、発光ダイオードを基板上にパッケージでき、ワイヤボンディング(wire bonding)のパッケージ方式を使用する必要がなく、これにより、発光ダイオードのワイヤボンディングにより発生する不良率を減らせ、発光ダイオードの信頼度(reliability)をアップでき、且つワイヤボンディングをCOBパッケージに改めることで、パッケージ後の発光ダイオードの体積を減らすことができる。
このほか、本発明の発光ダイオード構造が必要とする駆動電圧は12Vとされ、応用上、二組或いはそれ以上の発光ダイオード構造とされ得て、その駆動回路は、24V、36V、48V、或いはこれにより類推されるとおりであり、すなわち、電圧変換の駆動回路体積は伝統的なものよりも小さく、これにより、駆動器の体積を縮小できる。
本発明中、発光ダイオードが必要とする放熱片の体積は縮小され、及び、駆動器の体積も縮小され、これにより、実際の応用上、設計者はより自由に本発明の発光ダイオードを設置でき、これにより、発光ダイオードの応用層面を改善できる。
以上述べたことは、本発明の実施例にすぎず、本発明の実施の範囲を限定するものではなく、本発明の特許請求の範囲に基づきなし得る同等の変化と修飾は、いずれも本発明の権利のカバーする範囲内に属するものとする。
2、2a、2b 発光ダイオード
20a 第1発光ダイオードダイ
20b 第2発光ダイオードダイ
20c 第3発光ダイオードダイ
200 第1半導体層
201 多重量子井戸層
202 第2半導体層
21a 第1電極構造
210 第1電極部
211 第2電極部
21b 第2電極構造
212 第3電極部
213 第4電極部
22a、22b 第1絶縁部
220 第1絶縁体
221 第2絶縁体
23a、23b 貫通孔
24 第5電極部
25 第2絶縁部
26a 第1金属合金部
26b 第2金属合金部
27 保護層
29 第3絶縁部
290 第2凹溝
3 第1凹溝
20a 第1発光ダイオードダイ
20b 第2発光ダイオードダイ
20c 第3発光ダイオードダイ
200 第1半導体層
201 多重量子井戸層
202 第2半導体層
21a 第1電極構造
210 第1電極部
211 第2電極部
21b 第2電極構造
212 第3電極部
213 第4電極部
22a、22b 第1絶縁部
220 第1絶縁体
221 第2絶縁体
23a、23b 貫通孔
24 第5電極部
25 第2絶縁部
26a 第1金属合金部
26b 第2金属合金部
27 保護層
29 第3絶縁部
290 第2凹溝
3 第1凹溝
Claims (10)
- 発光ダイオードにおいて、
第1発光ダイオードダイ、第2発光ダイオードダイ、及び第3発光ダイオードダイを包含し、該第1発光ダイオードダイ、該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイはそれぞれが第1半導体層、第2半導体層、及び該第1半導体層と該第2半導体層の間に設置された多重量子井戸層を具え、該第2発光ダイオードダイは該第1発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間に設置され、
そのうち、該第1発光ダイオードダイの第1半導体層は該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層は、該第3発光ダイオードダイの第1半導体層と第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオード。 - 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、該第1発光ダイオードダイと該第2発光ダイオードダイの間、及び、該第2発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間にそれぞれ第1絶縁部が設けられ、各該第1絶縁部にそれぞれ貫通孔が開設されたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項2記載の発光ダイオードにおいて、さらに第1電極構造及び第2電極構造を包含し、該第1電極構造は該第1発光ダイオードダイと該第2発光ダイオードダイの間の貫通孔を通して該第1発光ダイオードダイの第1半導体層及び該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、該第2電極構造は、該第2発光ダイオードダイと該第3発光ダイオードダイの間の貫通孔を通して、該第2発光ダイオードダイの第1半導体層及び該第3発光ダイオードダイの第2半導体層に接続されることを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項3記載の発光ダイオードにおいて、該第1電極構造は、さらに第1電極部及び第2電極部を包含し、該第1電極部は該第1発光ダイオードダイの第1半導体層上に形成され、該第2電極部は、該第2発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、且つ貫通孔を通して該第1電極部に接続され、該第2電極構造は、第3電極部及び第4電極部を具え、該第3電極部は該第2発光ダイオードダイ及び該第3発光ダイオードダイの第1半導体層上に形成され、該第4電極部は該第3発光ダイオードダイの第2半導体層に接続され、且つ対応する貫通孔を通して該第3電極部に接続されることを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項4記載の発光ダイオードにおいて、該第1発光ダイオードダイの第2半導体層はさらに第5電極部に接続され、該第5電極部は第2絶縁部により該第2電極部と絶縁されていることを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項5記載の発光ダイオードにおいて、該第5電極部は、さらに第1金属合金部に接続され、該第4電極部は、さらに第2金属合金部に接続され、該第1金属合金部と該第2金属合金部は第1凹溝により相互に絶縁されていることを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項6記載の発光ダイオードにおいて、該第1金属合金部と該第2金属合金部の間に、第3絶縁部が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項7記載の発光ダイオードにおいて、該第3絶縁部が対応する該第2金属合金部上に第2凹溝が設けられ、それは該第1凹溝と位置がずれていることを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項6記載の発光ダイオードにおいて、該第1金属合金部と該第2金属合金部の表面にさらに保護層が設けられたことを特徴とする、発光ダイオード。
- 請求項2記載の発光ダイオードにおいて、該貫通孔の幅は1000μmより小さいことを特徴とする、発光ダイオード。
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