JP2014053408A - Charged particle beam lens and manufacturing method thereof - Google Patents
Charged particle beam lens and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014053408A JP2014053408A JP2012196069A JP2012196069A JP2014053408A JP 2014053408 A JP2014053408 A JP 2014053408A JP 2012196069 A JP2012196069 A JP 2012196069A JP 2012196069 A JP2012196069 A JP 2012196069A JP 2014053408 A JP2014053408 A JP 2014053408A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- insulator
- charged particle
- particle beam
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
Description
本発明は、露光装置に用いられる電子光学系を構成する荷電粒子線レンズ及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a charged particle beam lens constituting an electron optical system used in an exposure apparatus and a method for manufacturing the same.
半導体デバイスを生産するにあたり、電子ビーム露光技術は、0.1μm以下のサイズの微細パターンの作製を可能とする次世代リソグラフィー技術の有力候補である。電子ビーム露光技術で使用される露光装置には、電子線の光学特性を制御するための電子光学素子が備えられている。またこの露光装置には、各電子線のビーム径や収差の制御をするための電子レンズも備えられている。ここで電子線を利用した露光装置に搭載されている電子レンズには、電磁型と静電型がある。静電型の電子レンズは電磁型(磁界型)の電子レンズと比較して、コイルコア等を設ける必要がないので、構成がシンプルであり装置の小型化・高集積化に有利である。ここで静電レンズの小型化・高集積化が可能になると、使用される電子線のビーム数の増加及び高密度化が実現できるので、結果として露光装置に要求されるスループット、解像線幅の高性能化に繋がる。 In producing semiconductor devices, electron beam exposure technology is a promising candidate for next-generation lithography technology that enables the production of fine patterns with a size of 0.1 μm or less. An exposure apparatus used in the electron beam exposure technique includes an electron optical element for controlling the optical characteristics of the electron beam. The exposure apparatus also includes an electron lens for controlling the beam diameter and aberration of each electron beam. Here, there are an electromagnetic type and an electrostatic type as an electron lens mounted on an exposure apparatus using an electron beam. An electrostatic electron lens does not require a coil core or the like as compared with an electromagnetic (magnetic field) electron lens, and thus has a simple configuration and is advantageous for downsizing and high integration of the device. If the electrostatic lens can be miniaturized and highly integrated, the number of electron beams used and the density can be increased, resulting in the required throughput and resolution line width of the exposure apparatus. Leads to higher performance.
ところで、静電型の電子レンズは、レンズに設けられている1対の電極間に電圧を印加するため、電極間に設けられている部材には絶縁性(耐圧性)が求められる。ここで電子レンズの耐圧性を向上させるための試みとしては、特許文献1にて提案された手法がある。具体的には、電圧印加部を有する基板において、基板間絶縁体と接する部位と電圧印加部との間に絶縁部を配置し、電圧印加部と絶縁体とを電気的に分離(絶縁)するといった手法である。
By the way, since an electrostatic electron lens applies a voltage between a pair of electrodes provided on the lens, the member provided between the electrodes is required to have insulation (pressure resistance). Here, as an attempt to improve the pressure resistance of the electron lens, there is a method proposed in
最近では、露光装置のさらなる高スループット化と、露光パターンのさらなる高精細化に伴い、荷電粒子線レンズに含まれる電極間においてはより高い電界を印加することが要求されている。しかし特許文献1の構成を備える荷電流子線レンズにおいて、電極間に高い電界を印加すると、絶縁耐圧の不足によって放電が発生する場合があった。
Recently, as the exposure apparatus further increases in throughput and exposure pattern further increases in definition, it is required to apply a higher electric field between the electrodes included in the charged particle beam lens. However, when a high electric field is applied between the electrodes in the load current element lens lens having the configuration of
そのメカニズムは以下の通りである。静電型の荷電粒子線レンズは、電極が絶縁体を介して積層された構造であり、真空領域と絶縁体と電極との境界は三重点となる。その電極間に電界を印加すると、電界集中効果により陰極側の三重点から電子が放出したり、絶縁体表面における二次電子なだれ現象が発生したりする等により、絶縁体の表面において沿面放電が生じやすくなる。 The mechanism is as follows. An electrostatic charged particle beam lens has a structure in which electrodes are stacked via an insulator, and the boundary between the vacuum region, the insulator, and the electrode is a triple point. When an electric field is applied between the electrodes, electrons are emitted from the triple point on the cathode side due to the electric field concentration effect, or a secondary electron avalanche phenomenon occurs on the insulator surface. It tends to occur.
また最近では、荷電粒子線レンズの小型化に伴い、レンズの組み立て時において繊細な位置合わせやハンドリングが求められるようになった。このとき、レンズ周辺部に、組み立て時の位置ずれやキズ、欠け等があると形状的にこれらキズ等に電界が集中することになり、これもまた放電の要因となる。即ち、レンズ周辺部の陰極側の三重点近傍において、特に、耐圧性に関してさらなる改善が望まれていた。 Recently, with the miniaturization of charged particle beam lenses, delicate alignment and handling have been required during lens assembly. At this time, if there is a positional deviation, a scratch, a chip, or the like at the time of assembling in the lens peripheral portion, the electric field concentrates on these scratches in terms of shape, which also causes discharge. That is, in the vicinity of the triple point on the cathode side of the lens periphery, further improvement in pressure resistance has been desired.
本発明は上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、レンズ周辺部における耐圧性が改善された荷電粒子線レンズ及びこの荷電粒子線レンズを安価に製造するための製造方法を提供することにある。 The present invention is made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a charged particle beam lens with improved pressure resistance in the lens peripheral portion and a manufacturing method for manufacturing the charged particle beam lens at a low cost. Is to provide.
本発明の荷電粒子線レンズの第一の態様は、少なくとも第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される絶縁体とを有し、
前記絶縁体と、前記第一電極と、前記第二電極と、が、それぞれ荷電ビームを通過させるためのビーム通過部を少なくとも一つ有し、
前記第一電極の外周縁部が、前記絶縁体の最外縁部及び前記第二電極の外周縁部より内側に配置されている荷電粒子線レンズであって、
前記第一電極に接触せずに露出している前記絶縁体の表面の少なくとも一部が、粗面となっていることを特徴とする。
The first aspect of the charged particle beam lens of the present invention has at least a first electrode and a second electrode, and an insulator disposed between the first electrode and the second electrode,
Each of the insulator, the first electrode, and the second electrode has at least one beam passing portion for allowing a charged beam to pass therethrough;
The outer peripheral edge of the first electrode is a charged particle beam lens arranged on the inner side of the outermost peripheral edge of the insulator and the outer peripheral edge of the second electrode,
At least a part of the surface of the insulator exposed without contacting the first electrode is a rough surface.
また本発明の荷電粒子線レンズの第二の態様は、少なくとも第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される絶縁体とを有し、
前記絶縁体と、前記第一電極と、前記第二電極と、が、それぞれ荷電ビームを通過させるためのビーム通過部を少なくとも一つ有し、
前記第一電極の外周縁部が、前記絶縁体の最外縁部及び前記第二電極の外周縁部より内側に配置されている荷電粒子線レンズであって、
前記第一電極に接触せずに露出している前記絶縁体の表面の少なくとも一部が、前記第一電極と前記絶縁体との接触面に対して後退する方向に段差が設けられていることを特徴とする。
The second aspect of the charged particle beam lens of the present invention has at least a first electrode and a second electrode, and an insulator disposed between the first electrode and the second electrode,
Each of the insulator, the first electrode, and the second electrode has at least one beam passing portion for allowing a charged beam to pass therethrough;
The outer peripheral edge of the first electrode is a charged particle beam lens arranged on the inner side of the outermost peripheral edge of the insulator and the outer peripheral edge of the second electrode,
A step is provided in a direction in which at least a part of the surface of the insulator exposed without contacting the first electrode recedes from the contact surface between the first electrode and the insulator. It is characterized by.
レンズ周辺部における耐圧性が改善された荷電粒子線レンズ及びこの荷電粒子線レンズを安価に製造するための製造方法を提供することができる。 It is possible to provide a charged particle beam lens with improved pressure resistance in the lens periphery and a manufacturing method for manufacturing the charged particle beam lens at low cost.
本発明の荷電粒子線レンズは、少なくとも第一電極と第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される絶縁体とを有している。 The charged particle beam lens of the present invention includes at least a first electrode and a second electrode, and an insulator disposed between the first electrode and the second electrode.
本発明において、絶縁体と、第一電極と、第二電極と、は、それぞれ荷電ビームを通過させるためのビーム通過部を少なくとも一つ有している。また本発明において、第一電極の外周縁部は、絶縁体の最外縁部及び第二電極の外周縁部より内側に配置されている。 In the present invention, each of the insulator, the first electrode, and the second electrode has at least one beam passing portion for allowing the charged beam to pass therethrough. In the present invention, the outer peripheral edge of the first electrode is disposed on the inner side of the outermost peripheral edge of the insulator and the outer peripheral edge of the second electrode.
さらに、本発明において、第一電極に接触せずに露出している絶縁体の表面の少なくとも一部は、粗面となっている、又は第一電極と絶縁体との接触面に対して後退する方向に段差が設けられている。尚、第一電極と絶縁体との接触面に対して後退する方向とは、第一電極と絶縁体との接触面から遠ざかる方向とほぼ同じ意味である。 Furthermore, in the present invention, at least a part of the surface of the insulator that is exposed without contacting the first electrode is a rough surface, or recedes with respect to the contact surface between the first electrode and the insulator. A step is provided in the direction of the movement. In addition, the direction retreating with respect to the contact surface between the first electrode and the insulator has substantially the same meaning as the direction moving away from the contact surface between the first electrode and the insulator.
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[第一の実施形態]
<荷電粒子線レンズ>
図1は、本発明の荷電粒子線レンズにおける第一の実施形態を示す模式図であり、(a)は、平面図であり、(b)は、断面図である。
[First embodiment]
<Charged particle beam lens>
FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of the charged particle beam lens of the present invention, wherein (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view.
図1の荷電粒子線レンズ1は、第一電極11と第二電極12と、第一電極11と第二電極12との間に配置される絶縁体13とを有している。図1の荷電粒子線レンズ1において、第一電極11、第二電極12及び絶縁体13には、それぞれ荷電ビーム(電子線)を通すためのビーム通過部(21、22、23)を一つ以上有している。また各ビーム通過部(21、22、23)は、それぞれ連通することにより、図1の荷電粒子線レンズ1は、少なくとも1個の連通孔20を有している。図1の荷電粒子線レンズ1において、第一電極11の外周縁部は、第二電極12の外周縁部及び絶縁体13の最外縁部よりも内側に配置されている。このため、絶縁体13は、第一電極11と接触する面において一部露出している。本発明において、絶縁体13の露出部は粗面14である。ただしこれに限定されず、粗面14の代わりに、後述する第一電極11と絶縁体13との接触面に対して後退する方向に設けられる段差であってもよい。
The charged
尚、本発明においては、少なくとも第一電極の外周縁部が、絶縁体の最外縁部及び第二電極の外周縁部より内側に配置されている。このため本発明においては、絶縁体の最外縁部と第二電極の外周縁部との相対的な位置関係は、特に限定されるものではない。例えば、図1(b)に示されるように絶縁体の最外縁部と第二電極の外周縁部とが一致するように絶縁体13と第二電極12とを配置してもよい。また第二電極12の外周縁部が絶縁体13の最外縁部よりも内側に配置されていてもよい。
In the present invention, at least the outer peripheral edge portion of the first electrode is disposed inside the outermost peripheral edge portion of the insulator and the outer peripheral edge portion of the second electrode. Therefore, in the present invention, the relative positional relationship between the outermost edge portion of the insulator and the outer peripheral edge portion of the second electrode is not particularly limited. For example, as shown in FIG. 1B, the
<荷電粒子線レンズの製造方法>
次に、図1の荷電粒子線レンズ1の製造プロセスについて説明する。図2は、図1の荷電粒子線レンズの製造プロセスの具体例を示す断面模式図である。
<Method for producing charged particle beam lens>
Next, a manufacturing process of the charged
(第一電極、第二電極、絶縁体)
まずビーム通過部21となる開口を有する第一電極11と、ビーム通過部22となる開口を有する第二電極12と、ビーム通過部23となる開口を有する絶縁体13と、をそれぞれ作製する。
(First electrode, second electrode, insulator)
First, the
図3は、本実施形態(第一の実施形態)において作製される電極の例を示す平面模式図である。本発明の荷電粒子線レンズを構成する第一電極11及び第二電極12を作製する際に使用される電極材料は、導電体であれば特に限定されない。特に、高性能の静電レンズを作製するためには、加工精度の観点からSiを有する基板を使用することが好ましくい。Siを有する基板として、Si基板、SOI基板等が挙げられる。また各電極(11、12)がそれぞれ有するビーム通過部(21、22)は、各電極にそれぞれ貫通孔を形成することによって設けられる。電極に貫通孔を形成する際は、精度よく微細な形状加工ができる方法を利用することが必要であり、例えば、リソグラフィーと深堀ドライエッチングとを組み合わせたプロセス等が利用される。尚、各電極(11、12)にそれぞれ設けられる貫通孔(ビーム通過部(21、22))の位置は、第一電極11と第二電極12とで一致させることが望ましい。
FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of electrodes produced in the present embodiment (first embodiment). The electrode material used when producing the
図4は、本実施形態(第一の実施形態)において作製される絶縁体の例を示す平面模式図である。本発明の荷電粒子線レンズを構成する絶縁体13は、第一電極11と第二電極12との間の距離を所望の距離で維持するために設けられる。また絶縁層13は、後述するように、第一電極11と第二電極12との間に挟持されるように固定されている。このため、第一電極11と第二電極12とがそれぞれ有する貫通孔(ビーム通過部(21、22))が一致するように位置決した状態を維持することができる。
FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of an insulator manufactured in the present embodiment (first embodiment). The
絶縁体13の構成材料としては、電気を通さない絶縁体であれば特に限定されないが、例えば、ホウケイ酸ガラスあるいは無アルカリガラスを使用することができる。また絶縁体13が有するビーム通過部23は、絶縁体13の中央部を除去して絶縁層13自体をドーナッツ状の部材にすることにより形成される。絶縁体が有するビーム通過部23を形成する方法としては、エッチングやブラスト加工等が挙げられる。
The constituent material of the
本発明において、絶縁層13の少なくとも第一電極11と接する面は、第一電極11に覆われる第一の領域(図4中のAの領域)と、第一電極11に覆われずに露出する第二の領域(図4中のBの領域)に分かれる。ここで、本発明においては、上記第二の領域は粗面14にする、あるいは、第一電極11と絶縁体13との接触面に対して後退する方向に段差を設けておく。尚、粗面14や段差を設ける具体的な方法については、後述する。
In the present invention, at least the surface of the insulating
(接合工程(図2(a)乃至(b)))
次に、第一電極11と第二電極2との間に絶縁体13を挟んだ状態で、各部材を接合する。まず図2(a)に示されるように、(加工前の)第一電極11と、第二電極12と、絶縁体13と、の位置合わせを行う。尚、位置合わせを行う際に各部材間の距離は特に限定されない。次に、各部材間の距離を縮めて、図2(b)に示されるように、各部材を接合する。
(Joint process (FIGS. 2A to 2B))
Next, each member is joined in a state where the
電極(11、12)と絶縁体13との具体的な接合手法としては、陽極接合、フュージョンボンディングによる接合等が挙げられる。また接合部分に金の薄膜を設けておく金−金接合や、より簡易な方法である接着剤による接合も採用できる。但し、荷電粒子線レンズとしてより性能を高くするためには、構成部材の高精度な位置決め状態の実現、維持が重要であることから、絶縁体表面と電極表面とが直接化学結合している状態にすることが好ましい。このため電極(11、12)と絶縁体13との接合手法として、好ましくは、陽極接合やフュージョンボンディングである。
Specific bonding techniques between the electrodes (11, 12) and the
陽極接合を利用した電極(11、12)と絶縁体13との接合として、具体的には、シリコン電極とホウケイ酸ガラス絶縁スペーサとの接合がある。またフュージョンボンディングを利用した電極(11、12)と絶縁体13との接合として、具体的には、シリコン電極とホウケイ酸ガラスもしくは無アルカリガラス絶縁スペーサとの接合がある。中でも、フュージョンボンディングを利用したシリコン電極とホウケイ酸ガラスもしくは無アルカリガラス絶縁スペーサとの接合は、アライメント後の仮接合工程を室温程度の低温で行なうことができ、部材の膨張収縮の影響を受けにくい点で、特に好ましい。
As the bonding between the electrodes (11, 12) and the
尚、第二電極12と絶縁体13とを接合するタイミングは、図2(a)乃至(b)に示されるように、第一電極11と絶縁体13との接合と同じタイミングで行ってもよいが、これに限定されるものではない。即ち、第一電極11と絶縁体13とを接合する前に第二電極12と絶縁体13とを接合してもよいし、第一電極11と絶縁体13とを接合した後でもよいし、後述する第一電極11の加工工程を終えた後で行ってもよい。
Note that the timing for joining the
(第一電極の加工工程(図2(b)乃至(c)))
次に、図2(b)のように電極と絶縁体とが一体化した部材について、第一電極11の一部を除去して、絶縁体13の第一電極11と接する側の面の一部を露出する(図2(b)乃至(c))。
(Processing of the first electrode (FIGS. 2B to 2C))
Next, with respect to the member in which the electrode and the insulator are integrated as shown in FIG. 2B, a part of the
接合工程の後で第一電極11を加工(切削・除去)する方法としては、例えば、第一電極11へのダイシング、パターニングとエッチング等の手段の組合せが挙げられる。ここで第一電極11へのダイシングを行う際には、例えば、図2(b)や図3に示されるように、第一電極11の任意の位置にスクライブライン11aを設けておく。尚、図2(b)は、粗面14が設けられている領域(図2(b)中のBの領域)と粗面14が設けられていない領域(図2(b)中のAの領域)との境界線上にスクライブライン11aが設けられる例を示している。このスクライブライン11aに沿って第一電極11のダイシングを行い、粗面14が設けられている領域にある第一電極11を部分的に除去する。ただし、スクライブライン11aを設ける位置は、図2(b)中のBの領域と図2(b)中のAの領域)との境界線上に限定されるものではなく、粗面14が設けられている領域(図2(b)中のBの領域)内であってもよい。
As a method of processing (cutting / removing) the
電極と絶縁体とを接合する際には、一般的にはしっかりと強力に接合されていることが好ましい。即ち、電極と絶縁体との接合力は、一般的に強力であることが好ましい。一方で、第一電極11においては、絶縁体13と接合した後に不要な部分を除去する必要がある。第一電極11の部分的除去を確実にかつ簡易に行うためには、第一電極11のうち除去したい部分について、絶縁体13と接合していない、もしくは、絶縁体13と接合していてもその接合力が小さいことが望ましい。絶縁体13と接合していなかったり、絶縁体13との接合力が小さかったりすると、第一電極11のダイシングを行ったときに機械的な手法で容易に電極の除去ができるからである。このため本発明においては、例えば、絶縁体13の第一電極11と接合する面(第一電極11との接合面)を二つの領域、即ち、第一の領域と、第二の領域と、に分割し、第二の領域における第一電極11との接合力を第一の領域よりも小さくする。尚、ここでいう第二の領域とは、具体的には、図2(b)や図4に示される第一の領域Aの外周に位置する領域Bである。
In general, it is preferable that the electrode and the insulator are firmly and strongly bonded. That is, it is generally preferable that the bonding force between the electrode and the insulator is strong. On the other hand, in the
ただし、本発明においては、絶縁体13(の第一電極11と接合する面)を二つの領域に分割する代わりに、第一電極11を二つの領域(第一の領域、第二の領域)に分割してもよい。
However, in the present invention, instead of dividing the insulator 13 (the surface bonded to the first electrode 11) into two regions, the
ここで図2(b)や図4に示される絶縁体13に含まれる二つの領域(第一の領域A、第二の領域B)において、第二の領域Bにおける第一電極11との接合力を第一の領域Aよりも小さくする具体的な方法を説明する。
Here, in the two regions (first region A and second region B) included in the
第一の方法は、第一の領域Aについては、第一電極11との接合に適した平滑な面とする一方で、第二の領域Bについては、粗面14として第一電極11との接合力を小さくする方法が挙げられる。陽極接合やフュージョンボンディング等の接合方式においては、接合強度を確保するためには接合面が平滑であることが重要である。これは逆にいえば、接合面を粗面にすることで第一電極11との接合力を小さくしたり、第一電極11と接合できない状態にしたりすることが可能であることを意味する。フュージョンボンディングの場合は、絶縁体13の第一電極11との接合面の表面粗さRaを2nmを超えるように設定しておくことにより絶縁体13は第一電極11と接合できなくなる。以上のように第二の領域Bにおいて、絶縁体13の第一電極11との接合面の表面粗さを設定することにより、絶縁体13を第一電極11とを接合した後でも当該接合面から第一電極11を容易に剥離することができる。
In the first method, the first region A is a smooth surface suitable for joining with the
ここで絶縁体13の第一電極11との接合面を部分的に荒らして粗面14にする具体的な手法としては、BHFやKOH等を用いたウエット法、スパッタリング法、ドライエッチング法、ブラスト法等が挙げられる。
Here, specific methods of partially roughening the bonding surface of the
第二の方法は、絶縁体13の第二の領域Bを加工して、第一電極11と絶縁体13とが接合される面に対して後退する方向の段差を形成する方法である。図5は、図1の荷電粒子線レンズの製造プロセスの具体例を示す断面模式図である。また図5は、図2に示される製造プロセスの変形例である。
The second method is a method of processing the second region B of the
図5の製造プロセスは、図2において粗面14を設ける代わりに、図5(a)に示される第一電極11側の絶縁体13の面のうち第二の領域Bに設けられる絶縁体13を切削加工して段差16を設けたことを除いては、図2で示されるプロセスと共通している。
In the manufacturing process of FIG. 5, instead of providing the
図5に示されるプロセスを用いると、図5(b)に示されるように、第二の領域Bにおいて、第一電極11と絶縁体13とは接触しない状態になるので、この領域においては、第一電極11と絶縁体13とは接合されていない状態になる。このため、第一電極11のダイシングを行ったときに第二の領域Bに設けられる第一電極11は容易に剥離される。
When the process shown in FIG. 5 is used, as shown in FIG. 5B, in the second region B, the
図5の製造プロセスに従って荷電粒子線レンズを製造する場合、段差16を設ける領域は、少なくとも最終的なレンズ形状とした際に第一電極が残る領域の周辺に設けるのが好ましい。第一電極11を除去したい領域の全体に段差16が形成されているのがより好ましい。第一電極11を除去したい領域の全体に段差16が形成されると第一電極11と絶縁体13とを接合した後で行う第一電極11の加工(第一電極11の部分的除去)がより容易に行える。図5に示されるプロセスを行う際に、絶縁体13に設ける段差16の深さ(図5(a)中のd)は、接合の方式、段差を設ける領域の広さ、加工のしやすさ等より適宜設定することができる。フュージョンボンディングにて第一電極11と絶縁体13とを接合する場合であれば、接合力を確実に奪うことを目的として段差16の深さを1μm以上とするのが好ましい。
When manufacturing a charged particle beam lens according to the manufacturing process of FIG. 5, it is preferable to provide the region where the
接着剤を用いて第一電極11と絶縁体13とを接合する場合では、以下に説明する第三の方法を採用することができる。図6は、図1の荷電粒子線レンズの製造プロセスの具体例を示す断面模式図である。また図6は、図2に示される製造プロセスの変形例である。
In the case where the
図6の製造プロセスは、図2において、粗面14を設ける代わりに、第一電極11及び第二電極12に接着剤17を設けたことを除いては、図2で示されるプロセスと共通している。ただし、第一電極11において、接着剤17は、第一の領域Aのみ塗布している。
The manufacturing process of FIG. 6 is common to the process shown in FIG. 2 except that the adhesive 17 is provided on the
図6の製造プロセスに従って荷電粒子線レンズを製造する場合、接着剤17が塗布されている領域(図6(a)中の第一の領域A)と塗布されていない領域(図6(a)中の第二の領域B)とでは、第一電極11と絶縁体13との接合力は異なる。このため、第一電極11のダイシングを行ったときに接着剤17が塗布されていない領域(図6(a)中の第二の領域B)に設けられる第一電極11は容易に剥離される。
When manufacturing a charged particle beam lens according to the manufacturing process of FIG. 6, the area | region (the 1st area | region A in FIG. 6 (a)) with which the
ところで本発明に係る製造プロセスでは、電極と絶縁体とを接合してから不要な部分を除去することで製品(荷電粒子線レンズ)が得られるため、量産を目的として、1組の電極基板から複数個の荷電粒子線レンズを作製するために多面取りを実施する場合に有利である。これは、多面取りを目的として絶縁体と接合する前に所望の数量・形状に電極を分割してから接合する場合と比較して、接合時の基板保持やアライメントがより簡単に確実にできる。従って、本発明に係る製造プロセス荷電粒子線レンズを安価に製造するのに適した製造方法である。 By the way, in the manufacturing process according to the present invention, a product (charged particle beam lens) can be obtained by joining an electrode and an insulator and then removing an unnecessary portion. Therefore, for the purpose of mass production, a set of electrode substrates is used. This is advantageous when multi-chamfering is performed to produce a plurality of charged particle beam lenses. Compared to the case where the electrodes are divided into a desired number and shape before being bonded to the insulator for the purpose of multi-cavity, the substrate can be held and aligned at the time of bonding more easily and reliably. Therefore, the manufacturing process according to the present invention is a manufacturing method suitable for manufacturing the charged particle beam lens at low cost.
<本発明の作用・効果>
次に、本発明の荷電粒子線レンズの作用、具体的には、耐圧性の向上作用について説明する。図7は、本発明の荷電粒子線レンズ及び本発明の荷電粒子線レンズがもたらす耐圧性の向上作用を説明する図である。
<Operation and effect of the present invention>
Next, the action of the charged particle beam lens of the present invention, specifically, the action of improving pressure resistance will be described. FIG. 7 is a diagram for explaining the pressure resistance improving effect brought about by the charged particle beam lens of the present invention and the charged particle beam lens of the present invention.
ここで図7(a)は、本発明の荷電粒子線レンズの例を示す図であり、その詳細は、図1(b)に示される荷電粒子線レンズ1と同じである。図7(b)は、図7(a)のb部分の部分拡大図である。一方、図7(c)は、本発明の荷電粒子線レンズの比較対象となる荷電粒子線レンズの例を示す図である。図7(c)の荷電粒子線レンズは、図7(a)の荷電粒子線レンズと比較して、絶縁体13が、第一電極11と相対する面の全てにおいて第一電極11と接合している点が相違する。図7(d)は、図7(c)のd部分の部分拡大図である。
Here, FIG. 7A is a diagram showing an example of the charged particle beam lens of the present invention, and the details thereof are the same as those of the charged
耐圧性は、絶縁体13の沿面耐圧距離に依存するが、絶縁体13の沿面耐圧距離は、電極(11、12)と接合していない絶縁体13の面の幅(断面的距離)で求められる。図7(a)の荷電粒子線レンズでは、電極(11、12)と接合していない絶縁体13の面は、粗面14が設けられている部分と、絶縁体13の側壁と、が該当する。ここで粗面14が設けられている部分の幅(断面的距離)をx、絶縁体13の厚さ(絶縁体13の側壁の断面的距離)をzとすると、図7(a)の荷電粒子線レンズにおける沿面耐圧距離はx+zで求められる。一方、図7(c)の荷電粒子線レンズにおける沿面耐圧距離は絶縁体13の厚さ(絶縁体13の側壁の断面的距離)zで求められる。つまり、図7(a)の荷電粒子線レンズは、距離x(粗面14が設けられている部分の幅(断面的距離))だけ沿面耐圧距離が長くなっている。
The pressure resistance depends on the creeping withstand voltage distance of the
また図7(a)及び(c)の荷電粒子線レンズにおける絶縁層13内での等電位線は、それぞれ図7(b)、(d)で示される通りとなる。尚、図7(b)、(d)で示される等電位線は、第一電極11をアース電位とし、第二電極12に負電圧を印加した場合の等電位線である。ここで図7(b)より、図7(a)における荷電粒子線レンズではレンズ周辺部における陰極側三重点にかかる電界が緩和されていることがわかる。以上より、本発明の荷電粒子線レンズは、沿面耐圧距離を長く確保することができると共に陰極三重点の電界が緩和されているので、著しく耐圧性を向上させることができる。
Further, the equipotential lines in the insulating
[第二の実施形態]
以上、第一の実施形態では、二枚の電極(第一電極11、第二電極12)と、二枚の電極間に設けられる一枚の絶縁体13からなる荷電粒子線レンズについて説明した。ただし、本発明において、荷電粒子線レンズを構成する電極及び絶縁体の枚数は特に限定されるものではない。本発明は、理論上、n+1(n≦1)枚の電極と各電極間に設けられる合計n枚の絶縁体とからなる荷電粒子線レンズについて適用することができる。
[Second Embodiment]
As described above, in the first embodiment, the charged particle beam lens including the two electrodes (the
図8は、本発明の荷電粒子線レンズにおける第二の実施形態を示す模式図である。図8(a)の荷電粒子線レンズ2は、第一電極11と第二電極12と第三電極15と、第一電極11と第三電極15との間及び第三電極15と第二電極12との間にそれぞれ配置される絶縁体13と、を有している。図8(a)の荷電粒子線レンズ2において、第一電極11、第二電極12、第三電極15及び絶縁体13には、それぞれ荷電ビーム(電子線)を通すためのビーム通過部(21、22、24、23)を一つ以上有している。図8(a)の荷電粒子線レンズ2において、第一電極11及び第二電極12の外周縁部は、絶縁体13の最外縁部よりも内側に配置されている。このため、図8(a)の荷電粒子線レンズ2が有する二枚の絶縁体13は、それぞれ第一電極11と接触する面又は第二電極12と接触する面において一部露出している。図8(a)の荷電粒子線レンズ2において、絶縁体13の露出部は粗面14となっている。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a second embodiment of the charged particle beam lens of the present invention. The charged
図8(a)の荷電粒子線レンズ2は、第三電極15について負の電圧を印加し、第一電極11及び第二電極12をアース電極とすると、いわゆるアインツェル型の静電レンズとして使用することができる。
The charged
また図8(a)の荷電粒子線レンズ2は、図1の荷電粒子線レンズ1と比較して、粗面の面積が広く、絶縁体13の総厚みが厚い。このため、図8(a)の荷電粒子線レンズ2の沿面耐圧距離は、図1の荷電粒子線レンズ1よりも長くなっている。従って、図8(a)の荷電粒子線レンズ2は、より一層の耐圧性の向上効果が期待できる。また絶縁体13の第一電極11又は第二電極12との接触面の一部の領域を粗面14としていることで、第一の実施形態で説明した方法により第一電極11及び第二電極12の加工(ダイシング等による電極の部分的除去)を容易に行うことができる。
Further, the charged
尚、図8(a)の荷電粒子線レンズ2の製造プロセスに含まれる第一電極11及び第二電極12の加工を行う際に、第一電極11及び第二電極12にそれぞれ設けるスクライブライン11aの位置は特に限定されない。図8(a)に示される粗面14を設ける領域と設けない領域との境界線、図8(b)に示される粗面14を設ける領域内の領域、図8(c)に示される粗面14を設ける領域よりも内側の領域のいずれでもよい。
In addition, when processing the
[第三の実施形態]
図9は、本発明の荷電粒子線レンズにおける第二の実施形態を示す模式図である。図9(a)の荷電粒子線レンズ3は、図8(a)の荷電粒子線レンズ2と比較して、絶縁体13の露出部が電極(11、12)と絶縁体13との接触面に対して後退する方向に段差16が設けられている点が相違する。
[Third embodiment]
FIG. 9 is a schematic view showing a second embodiment of the charged particle beam lens of the present invention. In the charged particle beam lens 3 in FIG. 9A, the exposed portion of the
図9(a)の荷電粒子線レンズ3は、図8(a)の荷電粒子線レンズ2と同様に沿面耐圧距離が図1の荷電粒子線レンズ1よりも長くなっている。従って、図8(a)の荷電粒子線レンズ2と同様により一層の耐圧性の向上効果が期待できる。また絶縁体13の第一電極11又は第二電極12との接触面の一部の領域を加工して段差16としていることで、第一の実施形態で説明した方法により第一電極11及び第二電極12の加工(ダイシング等による電極の部分的除去)を容易に行うことができる。
The charged particle beam lens 3 in FIG. 9A has a creeping withstand pressure distance longer than that of the charged
尚、図9(a)の荷電粒子線レンズ3の製造プロセスに含まれる第一電極11及び第二電極12の加工を行う際に、第一電極11及び第二電極12にそれぞれ設けるスクライブライン11aの位置は特に限定されない。図9(a)に示される段差16を設ける領域と設けない領域との境界線、図9(b)に示される段差16によって相対的に凹んでいる領域内の領域、図9(c)に示される段差16を設ける領域よりも内側の領域のいずれでもよい。
In addition, when processing the
以下、実施例により本発明について説明する。 Hereinafter, the present invention will be described by way of examples.
本実施例(実施例1)では、図2に示される製造プロセスに基づいて荷電粒子線レンズを製造した。 In this example (Example 1), a charged particle beam lens was manufactured based on the manufacturing process shown in FIG.
(1−1)電極
第一電極11及び第二電極12として、厚さ100μmの単結晶シリコンを使用した。尚、各電極(11、12)について、フォトリソグラフィと深堀ドライエッチングとを併用して、口径100μmの円形状の貫通孔(ビーム通過部21、22)を複数形成した。
(1-1) Electrode As the
(1−2)絶縁体
絶縁スペーサ(絶縁体13)として、厚さ300μmの無アルカリガラスを使用した。まず絶縁スペーサの両面を、フュージョンボンディングに適した表面粗さとなるように、Ra<1nm以下の粗さに研磨した。次に、ブラスト加工により、一辺8mmの正方形状の貫通孔(ビーム通過部23)を、絶縁スペーサの中央部に形成した。次に、絶縁スペーサが有する二つの面のうち、第一電極11と接合する面について、図4に示されるように、第一の領域A及び第二の領域Bを設定した後、第二の領域Bについて、ブラスト加工を行うことにより第二の領域Bを粗面14にした。尚、粗面14の表面粗さは、Ra=50nmであった。
(1-2) Insulator As the insulating spacer (insulator 13), an alkali-free glass having a thickness of 300 µm was used. First, both surfaces of the insulating spacer were polished to a roughness of Ra <1 nm or less so as to have a surface roughness suitable for fusion bonding. Next, a square through-hole (beam passage portion 23) having a side of 8 mm was formed in the central portion of the insulating spacer by blasting. Next, among the two surfaces of the insulating spacer, the first region A and the second region B are set as shown in FIG. About the area | region B, the 2nd area | region B was made into the
(2)接合工程
次に、フュージョンボンディングにより、(1−1)にて作製した電極(11、12)と、(1−2)にて作製した絶縁スペーサ(絶縁体13)と、を、絶縁スペーサを第一電極11と第二電極12との間に挟みこむようにして接合した。以下に、具体的な方法を説明する。
(2) Joining process Next, the electrodes (11, 12) produced in (1-1) and the insulating spacer (insulator 13) produced in (1-2) are insulated by fusion bonding. The spacers were joined so as to be sandwiched between the
まず絶縁スペーサの第一電極11との接合面を洗浄した後、プラズマ処理を実施してこの接合面を活性化した。次に、絶縁スペーサと第一電極11とのアライメントを行った後、常温にて絶縁スペーサと第一電極11とを仮接合した。次に、200℃に加熱してアニールを行い、絶縁スペーサと第一電極11とを本接合した。次に、絶縁スペーサの第二電極12との接合面を洗浄した後、プラズマ処理を実施してこの接合面を活性化した。次に、絶縁スペーサと第二電極12とのアライメントを行った後、常温にて絶縁スペーサと第二電極12とを仮接合した。次に、200℃に加熱してアニールを行い、絶縁スペーサと第二電極12とを本接合した。
First, after cleaning the joint surface of the insulating spacer with the
(3)第一電極の加工工程
次に、第一電極11について、図3に示されるようにスクライブライン11aを設けた。尚、このスクライブライン11aは、図2(b)に示されるように、絶縁スペーサの第一電極11との接合面に設定した第一の領域Aと第二の領域Bとの境界線とした。次に、このスクライブライン11aに従って第一電極11をダイシング加工した。次に、第二の領域Bにて絶縁スペーサ(の粗面14)と接触している第一電極11を除去した。このとき、第二の領域Bには粗面14が設けられていたため、この領域において第一電極11は絶縁スペーサとは実質的に接合されていないので絶縁スペーサから容易に剥離することができた(図2(c))。
(3) Processing Step of First Electrode Next, the
以上より、図1に示される荷電粒子線レンズ1を得た。
From the above, the charged
本実施例では、図8(a)に示される荷電粒子線レンズ2を作製した。
In this example, the charged
(1−1)電極
実施例1で使用した単結晶シリコンを使用し、実施例1と同様の方法で円形状の貫通孔(ビーム通過部21、22、24)を複数形成した第一電極11、第二電極12及び第三電極15をそれぞれ作製した。
(1-1) Electrode The
(1−2)絶縁体
実施例1で使用した無アルカリガラスを使用し、実施例1と同様の方法により、貫通孔(ビーム通過部23)が所定の領域に設けられ、電極との接合面に関して所定の表面処理が施されている絶縁スペーサ(絶縁体13)を二枚作製した。尚、本実施例で使用される二枚の絶縁スペーサは、第一電極11又は第二電極12との接合面であって、図4に示される第二の領域Bについては、粗面14が設けられている。
(1-2) Insulator The non-alkali glass used in Example 1 is used, and through holes (beam passing portions 23) are provided in a predetermined region by the same method as in Example 1, and the bonding surface with the electrodes Two insulating spacers (insulator 13) that have been subjected to a predetermined surface treatment are produced. Note that the two insulating spacers used in this embodiment are the joint surfaces with the
(2)接合工程
次に、実施例1と同様の方法により、絶縁スペーサと電極とを順次接合した。尚、接合の際には、下記(2−1)乃至(2−4)のプロセスを行うことになるが、各プロセスを行う順番については、特に限定されない。
(2−1)第一電極11と接合する絶縁スペーサと第三電極15との接合
(2−2)第二電極12と接合する絶縁スペーサと第三電極15との接合
(2−3)第一電極11と絶縁スペーサとの接合
(2−4)第二電極12と絶縁スペーサとの接合
(2) Joining process Next, the insulating spacer and the electrode were sequentially joined in the same manner as in Example 1. In the bonding, the following processes (2-1) to (2-4) are performed, but the order of performing each process is not particularly limited.
(2-1) Joining of the insulating spacer joined to the
(3)第一電極の加工工程
次に、実施例1と同様の方法により、第一電極11及び第二電極12にそれぞれ図3に示されるスクライブライン11aを設けた。次に、このスクライブライン11aに従って第一電極11及び第二電極12をそれぞれダイシング加工した。次に、実施例1と同様の方法により、絶縁スペーサ(の粗面14)と接触している第一電極11を除去した。
(3) Processing Step of First Electrode Next,
以上より、いわゆるアインツェル型の荷電粒子線レンズ2を得た。
Thus, a so-called Einzel-type charged
得られた荷電粒子線レンズ2を構成する第三電極15に−3.7kVの電圧を印加し、上下の電極(11、12)をアース電極とした上で、複数のビーム通過部(21、22、23、24)からなる連通孔に電子ビームを通過させたところ、放電は観測されなかった。従って、所望のレンズ作用を安定に長時間保つことができる、信頼性の高い電子レンズが得られたことが確認された。
A voltage of −3.7 kV is applied to the
以下に説明する作製プロセスに従って、9面取りにより、1組の電極基板から9個の荷電粒子線レンズを作製した。 In accordance with the manufacturing process described below, nine charged particle beam lenses were manufactured from one set of electrode substrates by chamfering.
(1−1)電極
図10は、本実施例(実施例3)で作製される電極を示す模式図である。図10において、(a)は、使用される電極の平面図であり、(b)は、(a)中のbb’断面図であり、(c)は、(a)及び(b)中に示される領域Xの拡大平面図であり、(d)は、(c)中のdd’断面図である。
(1-1) Electrode FIG. 10 is a schematic diagram showing an electrode produced in this example (Example 3). In FIG. 10, (a) is a plan view of the electrode used, (b) is a bb ′ cross-sectional view in (a), and (c) is in (a) and (b). It is an enlarged plan view of the area | region X shown, (d) is dd 'sectional drawing in (c).
図10の電極(11、12)は、フォトリソグラフィと深堀ドライエッチングとを併用し、厚さ150μmの単結晶シリコンの図10(a)に示される領域X内に、それぞれφ80μmの貫通孔(ビーム通過部21、22)を形成することにより作製した。尚、貫通孔(ビーム通過部21、22)は、具体的には、図10(c)に示されるように、合計25個(行方向5個×列方向5個)形成した。
The electrodes (11, 12) shown in FIG. 10 use photolithography and deep dry etching together, and each have a through-hole (beam) of 80 μm in the region X shown in FIG. 10A of single-crystal silicon having a thickness of 150 μm. It was produced by forming the
(1−2)絶縁体
図11は、本実施例(実施例3)で作製される絶縁体を示す模式図である。図11において、(a)は、使用される絶縁体の平面図であり、(b)は、使用される絶縁体の裏面図であり、(c)は、(a)中のcc’断面図である。尚、図12(a)に示される絶縁体13の平面は第一電極11と接合する接合面であり、図12(b)に示される絶縁体13の裏面は第二電極12と接合する接合面である。
(1-2) Insulator FIG. 11 is a schematic diagram showing an insulator manufactured in this example (Example 3). 11A is a plan view of the insulator used, FIG. 11B is a back view of the insulator used, and FIG. 11C is a cross-sectional view taken along line cc ′ in FIG. It is. In addition, the plane of the
図11の絶縁体13は、以下に説明する方法により作製した。まず厚さ300μmの無アルカリガラスの平面及び裏面を研磨して両面(平面、裏面)について高い平滑性を確保した。次に、ウエットエッチングを用いて絶縁体13を加工するにより、図10(a)の電極(11、12)にそれぞれ設けた9箇所の領域Xに対応する位置に、矩形(正方形)状の貫通孔(ビーム通過部23)を形成した。次に、ウエットエッチングを用いて、絶縁体13、具体的には、図11(a)に示される絶縁体13の平面内の領域Bを選択的に加工することにより、当該領域Bに段差16を形成した。このとき領域Bと領域Aとの相対的な段差(段差16を設けたことによる領域Aと領域Bとの間の相対的な高さの差)は、50μmであった。
The
(2)接合工程(図12)
次に、第一電極11、第二電極12及び絶縁体13の相対的な位置あわせを行った(図12(a))後、実施例1と同様の方法で接合し、図12(b)の状態とした。
(2) Joining process (FIG. 12)
Next, after the relative alignment of the
(3)面取り工程(図13)
次に、図13(a1)及び(a2)中に示されるスクライブライン11b(外周部30と段差16の境界線)に沿って2枚の電極(11、12)及び絶縁体13を一括でダイシングすることによって、外周部30を切り離した(図13(b1)、(b2))。
(3) Chamfering process (Fig. 13)
Next, the two electrodes (11, 12) and the
次に、図13(b1)及び(b2)中に示されるスクライブライン11c(段差16を設けた領域と設けられていない領域との境界線)に沿って第一電極11をダイシングした後、段差16を設けた領域にある第一電極11を除去した(図13(c1)、(c2))。尚、本実施例では、使用した絶縁体13が所定の領域(図11(a)中の領域B)に深さ50μmの段差16を有していたため、この領域において第一電極11と絶縁体13とは接合されておらず、第一電極11の除去を容易に行うことができた。
Next, after the
最後に、図13(c1)及び(c2)中に示されるスクライブライン11d(段差16を設けた領域内に設けられた任意のスクライブライン)に沿って2枚の電極(11、12)及び絶縁体13を一括でダイシングした。以上により、9個の荷電粒子線レンズを得ることができた(図13(d1)及び(d2))。尚、本実施例においては、先に、2枚の電極(11、12)及び絶縁体13を一括でダイシングする工程を一通り行ってから、図13(b1)及び(b2)中に示されるスクライブライン11cに沿ったダイシングを行った第一電極11の不要部分を除去してもよい。
Finally, two electrodes (11, 12) and insulation along the scribe line 11d (arbitrary scribe line provided in the region where the
ところで、得られたレンズが荷電粒子線を高精度に制御することのできるレンズであるためには、接合工程において第一電極11と第二電極12との位置合わせが高精度に行なわれていることが必須である。本発明においては、各電極が有する貫通孔(ビーム通過部21、22)は、領域X間の位置関係を含めてフォトリソグラフィを用いて高精度で形成されている。そのため、各電極(11、12)にそれぞれ設けたアライメント用マーク(不図示)を精度よく合せるだけで、第一電極11と第二電極12との位置あわせを、高精度の状態で一括かつ確実に実現することができる。さらに、電極(11、12)と絶縁体13との接合後に第一電極11の不要部を容易に除去できるように、絶縁体13の第一電極11との接合面の所定の領域において段差16が設けられている。このため、スクライブラインを設定してこのスクライブラインに沿って所定の部材を切断(ダイシング)することで容易に荷電粒子線レンズを複数作製することができる。
By the way, in order for the obtained lens to be a lens that can control the charged particle beam with high accuracy, the
1(2、3):荷電粒子線レンズ、11:第一電極、11a:スクライブライン、12:第二電極、13:絶縁体、14:粗面、15:第三電極、16:段差、17:接着剤、20:連通孔、21(22、23、24):ビーム通過部(貫通孔) 1 (2, 3): charged particle beam lens, 11: first electrode, 11a: scribe line, 12: second electrode, 13: insulator, 14: rough surface, 15: third electrode, 16: step, 17 : Adhesive, 20: Communication hole, 21 (22, 23, 24): Beam passage part (through hole)
Claims (6)
前記絶縁体と、前記第一電極と、前記第二電極と、が、それぞれ荷電ビームを通過させるためのビーム通過部を少なくとも一つ有し、
前記第一電極の外周縁部が、前記絶縁体の最外縁部及び前記第二電極の外周縁部より内側に配置されている荷電粒子線レンズであって、
前記第一電極に接触せずに露出している前記絶縁体の表面の少なくとも一部が、粗面となっていることを特徴とする、荷電粒子線レンズ。 Having at least a first electrode and a second electrode, and an insulator disposed between the first electrode and the second electrode;
Each of the insulator, the first electrode, and the second electrode has at least one beam passing portion for allowing a charged beam to pass therethrough;
The outer peripheral edge of the first electrode is a charged particle beam lens arranged on the inner side of the outermost peripheral edge of the insulator and the outer peripheral edge of the second electrode,
The charged particle beam lens, wherein at least a part of the surface of the insulator exposed without contacting the first electrode is a rough surface.
前記絶縁体と、前記第一電極と、前記第二電極と、が、それぞれ荷電ビームを通過させるためのビーム通過部を少なくとも一つ有し、
前記第一電極の外周縁部が、前記絶縁体の最外縁部及び前記第二電極の外周縁部より内側に配置されている荷電粒子線レンズであって、
前記第一電極に接触せずに露出している前記絶縁体の表面の少なくとも一部が、前記第一電極と前記絶縁体との接触面に対して後退する方向に段差が設けられていることを特徴とする、荷電粒子線レンズ。 Having at least a first electrode and a second electrode, and an insulator disposed between the first electrode and the second electrode;
Each of the insulator, the first electrode, and the second electrode has at least one beam passing portion for allowing a charged beam to pass therethrough;
The outer peripheral edge of the first electrode is a charged particle beam lens arranged on the inner side of the outermost peripheral edge of the insulator and the outer peripheral edge of the second electrode,
A step is provided in a direction in which at least a part of the surface of the insulator exposed without contacting the first electrode recedes from the contact surface between the first electrode and the insulator. A charged particle beam lens.
前記絶縁体と、前記第一電極と、前記第二電極と、が、それぞれ荷電ビームを通過させるためのビーム通過部を少なくとも一つ有し、
前記第一電極の外周縁部が、前記絶縁体の最外縁部及び前記第二電極の外周縁部より内側に配置されている荷電粒子線レンズの製造方法であって、
少なくとも前記第一電極と前記絶縁体とを接合する接合工程と、
前記第一電極の外周部を除去して前記絶縁体の前記第一電極との接合面の一部を露出させる第一電極の加工工程と、を含むことを特徴とする、荷電粒子線レンズの製造方法 Having at least a first electrode and a second electrode, and an insulator disposed between the first electrode and the second electrode;
Each of the insulator, the first electrode, and the second electrode has at least one beam passing portion for allowing a charged beam to pass therethrough;
The outer peripheral edge portion of the first electrode is a manufacturing method of a charged particle beam lens disposed inside the outermost peripheral edge portion of the insulator and the outer peripheral edge portion of the second electrode,
A bonding step of bonding at least the first electrode and the insulator;
A first electrode processing step of removing a peripheral portion of the first electrode to expose a part of a bonding surface of the insulator with the first electrode, and a charged particle beam lens comprising: Production method
前記第二の領域における前記絶縁体と前記第一電極との接合力が、前記第一の領域における前記絶縁体と前記第一電極との接合力よりも小さく、
前記第一電極の加工工程が、前記第二の領域にて前記絶縁体と接合している前記第一電極を除去する工程であることを特徴とする、請求項3記載の荷電粒子線レンズの製造方法。 The bonding surface of the insulator with the first electrode has a first region and a second region on the outer periphery of the first region,
The bonding force between the insulator and the first electrode in the second region is smaller than the bonding force between the insulator and the first electrode in the first region,
The charged particle beam lens according to claim 3, wherein the processing step of the first electrode is a step of removing the first electrode bonded to the insulator in the second region. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196069A JP2014053408A (en) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | Charged particle beam lens and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196069A JP2014053408A (en) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | Charged particle beam lens and manufacturing method thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014053408A true JP2014053408A (en) | 2014-03-20 |
Family
ID=50611635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012196069A Pending JP2014053408A (en) | 2012-09-06 | 2012-09-06 | Charged particle beam lens and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014053408A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9952317B2 (en) | 2016-05-27 | 2018-04-24 | Uber Technologies, Inc. | Vehicle sensor calibration system |
KR102118604B1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-03 | 박흥균 | Line Type Ion Beam Emission Device |
US10746858B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-08-18 | Uatc, Llc | Calibration for an autonomous vehicle LIDAR module |
US10775488B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-09-15 | Uatc, Llc | Calibration for an autonomous vehicle LIDAR module |
US11740355B2 (en) | 2015-12-15 | 2023-08-29 | Uatc, Llc | Adjustable beam pattern for LIDAR sensor |
-
2012
- 2012-09-06 JP JP2012196069A patent/JP2014053408A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11740355B2 (en) | 2015-12-15 | 2023-08-29 | Uatc, Llc | Adjustable beam pattern for LIDAR sensor |
US9952317B2 (en) | 2016-05-27 | 2018-04-24 | Uber Technologies, Inc. | Vehicle sensor calibration system |
US10718856B2 (en) | 2016-05-27 | 2020-07-21 | Uatc, Llc | Vehicle sensor calibration system |
US11009594B2 (en) | 2016-05-27 | 2021-05-18 | Uatc, Llc | Vehicle sensor calibration system |
US10746858B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-08-18 | Uatc, Llc | Calibration for an autonomous vehicle LIDAR module |
US10775488B2 (en) | 2017-08-17 | 2020-09-15 | Uatc, Llc | Calibration for an autonomous vehicle LIDAR module |
KR102118604B1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-03 | 박흥균 | Line Type Ion Beam Emission Device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5641391B2 (en) | A method of manufacturing a multi-beam deflector array apparatus having electrodes, a multi-beam deflector array apparatus, and an irradiation lithography system. | |
US8730644B2 (en) | Bipolar electrostatic chuck | |
JP2014053408A (en) | Charged particle beam lens and manufacturing method thereof | |
US8564176B2 (en) | Piezoelectric MEMS switch and method of manufacturing piezoelectric MEMS switch | |
CN105353506B (en) | Vertical comb teeth drives MOEMS micro mirror and preparation method thereof | |
US8963099B2 (en) | Electrode of electrostatic lens and method of manufacturing the same | |
US20070037310A1 (en) | Semiconductor sensor production method and semiconductor sensor | |
US20140087562A1 (en) | Method for processing silicon substrate and method for producing charged-particle beam lens | |
JPWO2015068399A1 (en) | Manufacturing method of electronic parts | |
JP2007266525A (en) | Charged particle beam lens array, charged particle beam exposure device employing the charged particle beam lens array | |
TWI718540B (en) | Touch structure and manufacturing method thereof and touch display device | |
US8710455B2 (en) | Charged-particle beam lens | |
KR20200138982A (en) | Transparent electro static chuck including ito and manufacturing method for the same | |
US9399573B2 (en) | Device comprising a spring and an element suspended thereon, and method for manufacturing same | |
CN217647714U (en) | Mask manufacturing apparatus | |
JP4541798B2 (en) | Charged particle beam lens array, and charged particle beam exposure apparatus using the charged particle beam lens array | |
CN117882155A (en) | Electrostatic device for influencing a charged particle beam | |
JP6818843B2 (en) | Super straight and how to use it | |
JP2014049683A (en) | Electrostatic lens member and process of manufacturing the same | |
JP2013084638A (en) | Electrostatic lens | |
JP2006049703A (en) | Electrically charged particle beam lens array and electrically charged particle beam exposure device using the same | |
KR102657424B1 (en) | Producing method of template for supporting mask and template for supporting mask and producing method of mask integrated frame | |
JP2013165200A (en) | Charged particle beam lens | |
JP2013149752A (en) | Charged particle beam lens | |
KR20050064560A (en) | Method for manufacturing micro-lens in silicon on insulator substrate and method for manufacturing micro-column module using the same |