JP2014053355A - Wafer processing method - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 47
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 8
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 31
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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Abstract
Description
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer such as a semiconductor wafer.
近年、半導体デバイスの高集積化、高密化、小型化、薄型化を達成するために、MCP(マルチ・チップ・パッケージ)やSIP(システム・イン・パッケージ)といった複数の半導体チップを積層した積層型半導体パッケージが提案されている。 In recent years, in order to achieve high integration, high density, miniaturization, and thinning of semiconductor devices, a stacked type in which a plurality of semiconductor chips such as MCP (multi-chip package) and SIP (system in package) are stacked. Semiconductor packages have been proposed.
このような積層型半導体パッケージは、インターポーザと呼ばれるパッケージ基板上に複数の半導体チップを積層することで形成される。一般的には、インターポーザと半導体チップの電極同士、或いは複数積層した半導体チップの電極同士を、金線ワイヤで電気的に結線した後、半導体チップをインターポーザに樹脂でモールド封止することで積層型半導体パッケージが製造される。 Such a stacked semiconductor package is formed by stacking a plurality of semiconductor chips on a package substrate called an interposer. In general, the interposer and the semiconductor chip electrodes, or the electrodes of the stacked semiconductor chips are electrically connected with a gold wire, and then the semiconductor chip is molded and sealed with resin to the interposer. A semiconductor package is manufactured.
ところがこの方法では、半導体チップの電極にボンディングされた金線ワイヤは、半導体チップの外周余剰領域に張り出す形となるために、パッケージサイズは半導体チップよりも大きくなってしまうという問題があった。 However, in this method, since the gold wire bonded to the electrode of the semiconductor chip protrudes to the outer peripheral surplus region of the semiconductor chip, there is a problem that the package size becomes larger than the semiconductor chip.
また、樹脂でモールド封止する際に金線ワイヤが変形して断線や短絡が生じたり、モールド樹脂中に残存した空気が加熱時に膨張して半導体パッケージの破損を招いたりするという問題があった。 In addition, when the mold is sealed with the resin, the wire wire is deformed to cause a disconnection or a short circuit, or the air remaining in the mold resin expands upon heating and causes damage to the semiconductor package. .
そこで、半導体チップ内に、半導体チップを厚み方向に貫通して半導体チップの電極に接続する貫通電極(Via電極)を設け、半導体チップを積層するとともに貫通電極を接合させて電気的に結線する技術が提案されている(例えば、特開2004−207606号公報及び特開2004−241479号公報参照)。 Therefore, a technique of providing a through electrode (via electrode) that penetrates the semiconductor chip in the thickness direction and connects to the electrode of the semiconductor chip in the semiconductor chip, stacking the semiconductor chips and joining the through electrodes and electrically connecting the electrodes. Have been proposed (see, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2004-207606 and 2004-241479).
この方法では、シリコンウエーハの表面に複数の半導体デバイスが形成され、各半導体デバイスからは半導体デバイスの電極に接続されてシリコンウエーハの裏面側に伸長する複数の埋め込み銅電極(銅ポスト)が形成された所謂TSV(Through Silicon Via)ウエーハを利用する。 In this method, a plurality of semiconductor devices are formed on the surface of the silicon wafer, and from each semiconductor device, a plurality of embedded copper electrodes (copper posts) that are connected to the electrodes of the semiconductor device and extend to the back side of the silicon wafer are formed. A so-called TSV (Through Silicon Via) wafer is used.
埋め込み銅電極は半導体チップの仕上がり厚さ以上の高さを有し、研削装置でウエーハの裏面を研削及び研磨して埋め込み銅電極が裏面から露出する寸前の厚さまでウエーハを薄化する。その後、シリコンウエーハだけを選択的にエッチングすることでウエーハの裏面から埋め込み銅電極の先端を突出させ貫通電極とする。 The embedded copper electrode has a height equal to or higher than the finished thickness of the semiconductor chip, and the back surface of the wafer is ground and polished by a grinding device to thin the wafer to a thickness just before the embedded copper electrode is exposed from the back surface. Thereafter, by selectively etching only the silicon wafer, the tip of the buried copper electrode protrudes from the back surface of the wafer to form a through electrode.
上述したようなウエーハの加工方法においては、多くの工程を含んでいるが、中でも貫通電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削することは非常に難しい。もし貫通電極が裏面に露出してしまうと、電極を形成する銅等の金属イオンが溶出し、ウエーハのデバイスに付着してデバイスの機能に悪影響を与える恐れがあるため、高精度な研削量の制御及び均一な平坦さが求められる。 The wafer processing method as described above includes many steps, but it is extremely difficult to grind the back surface of the wafer to such an extent that the through electrode is not exposed on the back surface. If the through electrode is exposed on the back side, metal ions such as copper forming the electrode may elute and adhere to the wafer device, adversely affecting the function of the device. Control and uniform flatness are required.
また、貫通電極の形成されたウエーハの裏面からの深さにはばらつきが発生するため、個々のウエーハによって研削量が厳密には異なるので、それに対応しなければならないという難しさもある。 In addition, since the depth from the back surface of the wafer on which the through electrode is formed varies, there is a difficulty in that the amount of grinding is strictly different depending on the individual wafer, and it must be dealt with.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの裏面を高精度な平坦面に加工可能なウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method capable of processing the back surface of a wafer into a highly accurate flat surface.
本発明によると、表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され、該各デバイスからウエーハの仕上がり厚さ以上の深さに至る複数の埋め込み電極が埋設されるとともに、外周縁に面取り部を有するウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけてウエーハを表面側から仕上げ厚さを越えて円形に切削し、又はウエーハを裏面側から円形に完全切断して面取り部を除去する面取り部除去工程と、該面取り部除去工程を実施する前又は後に、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、該キャリアプレート配設工程を実施した後、ウエーハの裏面から該複数の埋め込み電極の先端の深さを検出する埋め込み電極検出工程と、該埋め込み電極検出工程を実施した後、該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、該裏面研削工程を実施した後、リング状に独立した複数のエアバッグが配設された研磨パッドをウエーハの裏面に接触させ、各エアバッグの圧力を適宜制御しながらスラリーを供給して該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、該研磨工程を実施した後、ウエーハの裏面からウエーハをエッチングして該埋め込み電極をウエーハの裏面から突出させて貫通電極とするエッチング工程と、該エッチング工程を実施した後、ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程と、該絶縁膜被覆工程を実施した後、ウエーハの裏面から突出した該貫通電極を除去して該絶縁膜から露出させるとともに該貫通電極の頭を該絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、該仕上げ工程を実施した後、該各貫通電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、該バンプ配設工程を実施した後、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにウエーハの表面から該キャリアプレートを取り外し、ウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、該移し替え工程を実施した後、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含むことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 According to the present invention, a plurality of embedded electrodes each having a device formed in each region partitioned by a plurality of scheduled division lines formed in a lattice pattern on the surface and reaching a depth equal to or greater than the finished thickness of the wafer. Is a wafer processing method in which a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge is divided into individual devices, and a cutting blade is positioned on the outer peripheral edge of the wafer so that the wafer exceeds the finished thickness from the surface side. A chamfered portion removing step of cutting the wafer into a circular shape or completely cutting the wafer into a circular shape from the back side to remove the chamfered portion, and a carrier plate via a resin on the wafer surface before or after the chamfered portion removing step is performed And a carrier plate disposing step for disposing the plurality of embedded electrodes from the back surface of the wafer after the carrier plate disposing step. Embedded electrode detection step for detecting the depth of the tip of the wafer, and after performing the embedded electrode detection step, a back surface grinding step for grinding and thinning the back surface of the wafer to such an extent that the embedded electrode is not exposed on the back surface, After carrying out the back surface grinding step, a polishing pad in which a plurality of independent air bags are arranged in a ring shape is brought into contact with the back surface of the wafer, and slurry is supplied while appropriately controlling the pressure of each air bag, thereby the embedded electrode A polishing step for polishing the back surface of the wafer to such an extent that the back surface is not exposed to the back surface, and after performing the polishing step, etching the wafer from the back surface of the wafer so that the embedded electrode protrudes from the back surface of the wafer to form a through electrode And after performing the etching step, the insulating film coating step of covering the back surface of the wafer with the insulating film, and the insulating film coating step. C) removing the through electrode protruding from the back surface of the insulating film to expose the insulating film and finishing the head of the through electrode on the same surface as the insulating film; and after performing the finishing step, the through electrodes A bump disposing step of disposing a bump on the head of the wafer, and after performing the bump disposing step, a dicing tape is attached to the back surface of the wafer, the carrier plate is removed from the front surface of the wafer, and the wafer is removed from the dicing tape. There is provided a wafer processing method characterized by including a transfer step of transferring to a wafer and a dividing step of dividing the wafer into individual devices after the transfer step is performed.
本発明のウエーハの加工方法によると、ウエーハ毎の裏面研磨時に用いる研磨パッドの所定の部位に所定の圧力をかけることのできるエアバック構造の研磨パッドを採用したので、中凸型や中凹型になってしまい易い装置状態でも、所定の位置に所定の圧力をかけることで研磨量の微調整が可能になるため、平坦な研磨面を得られるという効果を奏する。 According to the wafer processing method of the present invention, the air bag structure polishing pad capable of applying a predetermined pressure to a predetermined portion of the polishing pad used when polishing the back surface of each wafer is employed. Even in an apparatus state that is likely to become small, it is possible to finely adjust the polishing amount by applying a predetermined pressure to a predetermined position, so that a flat polishing surface can be obtained.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1(A)を参照すると、本発明加工方法の加工対象となるバンプ付き埋め込み銅電極を有する半導体ウエーハ11の斜視図が示されている。図1(B)はその縦断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1A, a perspective view of a
図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハからなっており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
A
図1(B)に示すように、半導体ウエーハ11に形成された各半導体デバイス15からはデバイスの仕上がり厚さt1以上の深さに埋め込まれた複数の埋め込み銅電極21が裏面11b側に伸長している。各埋め込み電極21の上端にはバンプ23が接合されている。電極21を他の導体材料から形成しても良い。
As shown in FIG. 1B, from each
このように構成された半導体ウエーハ(以下単にウエーハと略称することがある)11は、図1(A)に示されているように、複数の半導体デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aに備えている。また、図1(B)に示すように、ウエーハ11の外周部には円弧状の面取り部11eが形成されている。
As shown in FIG. 1 (A), the
本発明のウエーハの加工方法では、まず、ウエーハ11の面取り部11eを除去する面取り部除去工程を実施する。この面取り部除去工程では、図2に示すように、切削装置のチャックテーブル10でウエーハ11を吸引保持する。
In the wafer processing method of the present invention, first, a chamfered portion removing step for removing the chamfered
図2において、12は切削装置の切削ユニットであり、スピンドルハウジング14中にスピンドル16が回転可能に支持されており、スピンドル16の先端部には切削ブレード18が装着されている。
In FIG. 2,
この面取り部除去工程では、高速回転する切削ユニット12の切削ブレード18をウエーハ11の面取り部11eに表面11a側から所定深さ切り込ませ、チャックテーブル10を低速で回転させて、図3に示すように、ウエーハ11の外周部に円形の段差部11fを形成する。
In this chamfered portion removing step, the
この面取り部除去工程での切削ブレード18の切り込み深さは、少なくともウエーハ11の表面11aからウエーハ11の仕上げ厚みを越える深さであり、例えば深さ100μm程度の円形の段差部11fを形成する。切削ブレード18としては、例えば厚さが1〜2mm程度のワッシャーブレードを使用するのが好ましい。
The cutting depth of the
図2に示した面取り部除去工程は、切削ブレード18をウエーハ11の面取り部11eに切り込ませて実施しているが、研削ホイールの研削砥石をウエーハ11の面取り部11eに当接させて研削により面取り部11eの一部又は全てを除去するようにしてもよい。
The chamfered portion removing step shown in FIG. 2 is performed by cutting the
完全切断(フルカット)によって面取り部を全て除去しても良い。その場合、キャリアプレート配設工程の後に面取り部除去工程を実施する。フルカットはウエーハ11の裏面11b側から実施しても良い。
All of the chamfered portions may be removed by complete cutting (full cutting). In that case, the chamfered portion removing step is performed after the carrier plate arranging step. The full cut may be performed from the
面取り部除去工程実施後のウエーハ11の断面図が図3に示されている。円形の段差部11fは少なくともウエーハ11の表面11aからウエーハ11の仕上げ厚みを越える深さであり、例えばウエーハ11の表面11aから100μm程度の深さを有している。
A cross-sectional view of the
面取り部除去工程を実施した後、図4に示すように、ウエーハ11の表面11aに接着性を有する樹脂27を介してキャリアプレート25を配設するキャリアプレート配設工程を実施する。樹脂27は接着剤として作用し、キャリアプレート25はウエーハ11の表面11aに樹脂27により貼着される。
After performing the chamfered portion removing step, as shown in FIG. 4, a carrier plate disposing step of disposing the
キャリアプレート25は、例えば一様な厚みを有するシリコンウエーハ、又はガラス等から形成されている。本実施形態ではキャリアプレート25はガラスから形成されているものとして図示している。樹脂27の厚みは例えば20μm程度が好ましい。
The
キャリアプレート配設工程実施後、ウエーハ11の裏面11bから埋め込み銅電極21の先端の深さを検出する埋め込み銅電極検出工程を実施する。この埋め込み銅電極検出工程は、例えば図5に示すように、研削装置のチャックテーブル20でキャリアプレート25を吸引保持し、赤外線カメラ(IRカメラ)22でウエーハ11をその裏面11b側から撮像することにより実施する。
After the carrier plate placement step, a buried copper electrode detection step for detecting the depth of the tip of the buried
赤外線はシリコンウエーハ11を透過するため、IRカメラ22の焦点を変化させてそれぞれウエーハ11の表面11a、埋め込み銅電極21の先端及びウエーハ11の裏面11bに焦点を結ばせてその焦点距離を検出することにより、ウエーハ11の表面11a、埋め込み銅電極21の先端及びウエーハ11の裏面11bの高さを検出することができ、埋め込み銅電極21先端のウエーハの裏面11bからの深さを検出することができる。
Since infrared rays pass through the
IRカメラ21を矢印A方向に移動させながらウエーハ11を撮像して、全て又は複数の埋め込み銅電極21の深さを検出し、この検出した値を研削装置のコントローラに配設されたメモリに格納する。
The
埋め込み銅電極検出工程実施後、埋め込み銅電極21がウエーハ11の裏面11bに露出しない程度にウエーハ11の裏面11bを研削して薄化する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程では、研削装置のチャックテーブル20でキャリアプレート25を吸引保持し、ウエーハ11の裏面11bを露出させる。
After performing the embedded copper electrode detection process, a back surface grinding process is performed in which the
図6において、研削装置の研削ユニット24は、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル26と、スピンドル26の先端に固定されたホイールマウント28と、ホイールマウント28に着脱可能に装着された研削ホイール30とを含んでいる。研削ホイール30は、環状のホイール基台32と、ホイール基台32の下端部外周に固着された複数の研削砥石34とから構成される。
In FIG. 6, the grinding
この裏面研削工程では、チャックテーブル20を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール30を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を駆動して研削ホイール30の研削砥石34をウエーハ11の裏面11bに接触させる。
In this back grinding process, while rotating the chuck table 20 in the direction indicated by the arrow a at 300 rpm, for example, the grinding
そして、研削ホイール30を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。接触式又は非接触式の厚み測定ゲージでウエーハ11の厚みを測定しながら、図9に示すように、埋め込み銅電極21の先端がウエーハ11の裏面11bに露出する寸前の厚さまでウエーハ11を研削する。
Then, the grinding
裏面研削工程実施後、ウエーハ11の研削面を研磨して研削歪を除去する研磨工程を実施する。本実施形態では、この研磨工程を図7に示すような研磨パッド42を有する研磨ホイール40を用いて実施する。
After performing the back surface grinding process, a polishing process is performed to polish the ground surface of the
研磨ホイール40は、大径の円筒状側面と上面とを有する第1フレーム44と、第1フレーム44内に収容された中程度の直径の円筒状側面と上面とを有する第2フレーム46と、第2フレーム46内に収容された小径の円筒状側面と上面とを有する第3フレーム48を含んでいる。
The grinding
第1乃至第3フレーム44,46,48の下面に研磨パッド42が貼着されている。研磨パッド42は例えば不織布から形成されている。スピンドル38に形成されたスラリー供給路39は、例えばシリカ等の浮遊砥粒を含んだスラリー供給源に接続されている。
A
第1乃至第3フレーム44,46,48及び研磨パッド42を貫通してスピンドル38のスラリー供給路39に接続するスラリー供給路49が形成されている。第1フレーム44と第2フレーム46との間にリング状の第1エアバッグ50が収容され、第2フレーム46と第3フレーム48との間にリング状の第2エアバッグ52が収容され、第3フレーム48内にリング状の第3エアバッグ54が収容されている。
A
本実施形態の研磨工程では、スラリー供給路39,49を介してスラリーを供給しながら研磨パッド42をウエーハ11の研削面に当接させて、チャックテーブル20を矢印a方向に研磨パッド42を矢印b方向に異なる速度で回転させて、ウエーハ11と研磨パッド42とを相対的に摺動することで、ウエーハ11の研削面を研削して研削歪を除去する。
In the polishing process of the present embodiment, the
この研磨時には、それぞれリング状に独立した第1乃至第3エアバッグ50,52,54が研磨パッド42の背面に配設されているため、各エアバッグ50,52,54により研磨パッド42の当接圧を適宜制御しながら研磨を遂行できるため、平坦な研磨面を得ることができる。
At the time of this polishing, the first to
即ち、各エアバッグ50,52,54がそれぞれ独立して配設されているため、研磨パッド42の所定の位置に所定の圧力をかけることができ、研磨量の微調整が可能となる。本実施形態では、研磨量として2〜3μm研磨する。
That is, since the
裏面研磨工程実施後、ウエーハ11の裏面11bからウエーハ11を選択的にエッチングして、図10に示すように、埋め込み銅電極21をウエーハ11の裏面11bから突出させて貫通電極とするエッチング工程を実施する。このエッチング工程は、例えばプラズマエッチングにより実施するのが好ましい。
After performing the back surface polishing process, the
エッチング工程実施後、図11に示すように、ウエーハ11の裏面11bに絶縁膜29を被覆する絶縁膜被覆工程を実施する。この絶縁膜被覆工程により、ウエーハ11の裏面11bのみならず貫通電極21の先端面にも絶縁膜29が被覆される。
After performing the etching process, as shown in FIG. 11, an insulating film coating process for coating the
絶縁膜被覆工程実施後、ウエーハ11の裏面11bから突出した部分の貫通電極21を除去して絶縁膜29から貫通電極21を露出させるとともに貫通電極21の頭を絶縁膜29と同一面に仕上げる仕上げ工程を実施する。
After performing the insulating film coating step, the portion of the through
本実施形態では、この仕上げ工程を化学的機械研磨法、所謂CMP(Chemical Mechanical Polishing)で実施する。CMPは研磨パッドと被研磨物との間に研磨液(スラリー)を供給しつつ、研磨パッドと被研磨物とをそれぞれ回転させながら相対的に摺動することで遂行される。研磨パッドとしては一般的に不織布が使用され、例えばシリカ等の浮遊砥粒を含んだ研磨液(スラリー)を供給しながら研磨パッドで被研磨物の表面を研磨する。 In the present embodiment, this finishing step is performed by a chemical mechanical polishing method, so-called CMP (Chemical Mechanical Polishing). CMP is performed by supplying a polishing liquid (slurry) between the polishing pad and the object to be polished and sliding the polishing pad and the object to be rotated while rotating each other. A non-woven fabric is generally used as the polishing pad, and the surface of the object to be polished is polished with the polishing pad while supplying a polishing liquid (slurry) containing floating abrasive grains such as silica.
本実施形態では、研磨液(スラリー)を供給しながら研磨パッドを絶縁膜29に当接させてウエーハ11と研磨パッドとを相対的に摺動することで、貫通電極21に被覆された絶縁膜29と貫通電極21の突出部とを選択的に研磨し、図12に示すように、貫通電極21を絶縁膜29から露出させるとともに貫通電極21の頭を絶縁膜29と同一面に仕上げる。
In the present embodiment, the polishing film (slurry) is supplied while the polishing pad is brought into contact with the insulating
CMPによる仕上げ工程実施後、図13に示すように、貫通電極21の頭にバンプ21を配設するバンプ配設工程を実施する。バンプ31は例えば半田等から構成され、半田からなるバンプ31を貫通電極21の頭に接合する。
After performing the finishing process by CMP, as shown in FIG. 13, a bump disposing process for disposing the
バンプ配設工程実施後、図14に示すように、ウエーハ11の裏面11bにダイシングテープTを貼着するとともに、ウエーハ11の表面11aからキャリアプレート25を取り外し、ウエーハ11をダイシングテープTに移し替える移し替え工程を実施する。ダイシングテープTの外周部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハ11はダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された形態となる。
After the bump placement step, as shown in FIG. 14, the dicing tape T is adhered to the
この形態でウエーハ11を図示を省略した切削装置のチャックテーブルにダイシングテープTを介して吸引保持し、切削ブレードでウエーハ11を分割予定ライン13に沿ってダイシングテープTに至るまで切削し、ウエーハ11を個々のデバイス15に分割する。各デバイス15は、両端にバンプ23,31が接合された複数の貫通電極21を有している。
In this form, the
上述した実施形態のウエーハの加工方法によると、ウエーハの裏面研磨時に用いる研磨パッドとして所定の部位に所定の圧力をかけることができるエアバッグ構造を採用したため、研磨量の微調整が可能となり平坦な研磨面を得ることができる。 According to the wafer processing method of the above-described embodiment, since the airbag structure that can apply a predetermined pressure to a predetermined portion as a polishing pad used when polishing the back surface of the wafer is adopted, the amount of polishing can be finely adjusted and flattened. A polished surface can be obtained.
11 半導体ウエーハ
11e 面取り部
13 分割予定ライン
15 デバイス
18 切削ブレード
21 埋め込み銅電極(貫通電極)
22 IRカメラ
23,31 バンプ
25 キャリアプレート
29 絶縁膜
30 研削ホイール
34 研削砥石
36 研磨ユニット
40 研磨ホイール
42 研磨パッド
50 第1エアバッグ
52 第2エアバッグ
54 第3エアバッグ
T ダイシングテープ
F 環状フレーム
11
22
Claims (1)
ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけてウエーハを表面側から仕上げ厚さを越えて円形に切削し、又はウエーハを裏面側から円形に完全切断して面取り部を除去する面取り部除去工程と、
該面取り部除去工程を実施する前又は後に、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、
該キャリアプレート配設工程を実施した後、ウエーハの裏面から該複数の埋め込み電極の先端の深さを検出する埋め込み電極検出工程と、
該埋め込み電極検出工程を実施した後、該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、
該裏面研削工程を実施した後、リング状に独立した複数のエアバッグが配設された研磨パッドをウエーハの裏面に接触させ、各エアバッグの圧力を適宜制御しながらスラリーを供給して該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研磨する研磨工程と、
該研磨工程を実施した後、ウエーハの裏面からウエーハをエッチングして該埋め込み電極をウエーハの裏面から突出させて貫通電極とするエッチング工程と、
該エッチング工程を実施した後、ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程と、
該絶縁膜被覆工程を実施した後、ウエーハの裏面から突出した該貫通電極を除去して該絶縁膜から露出させるとともに該貫通電極の頭を該絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、
該仕上げ工程を実施した後、該各貫通電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、
該バンプ配設工程を実施した後、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにウエーハの表面から該キャリアプレートを取り外し、ウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
該移し替え工程を実施した後、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
を含むことを特徴とするウエーハの加工方法。 A device is formed in each region partitioned by a plurality of division lines formed in a lattice pattern on the surface, and a plurality of embedded electrodes extending from each device to a depth greater than the finished thickness of the wafer are embedded. A wafer processing method for dividing a wafer having a chamfered portion on the outer peripheral edge into individual devices,
A chamfered portion removing step in which a cutting blade is positioned on the outer peripheral edge of the wafer and the wafer is cut into a circle beyond the finish thickness from the surface side, or the wafer is completely cut into a circle from the back side to remove the chamfered portion;
Before or after performing the chamfered portion removing step, a carrier plate disposing step of disposing a carrier plate via a resin on the surface of the wafer;
After performing the carrier plate placement step, embedded electrode detection step of detecting the depth of the tip of the plurality of embedded electrodes from the back surface of the wafer;
After performing the embedded electrode detection step, a back surface grinding step of grinding and thinning the back surface of the wafer to such an extent that the embedded electrode is not exposed on the back surface;
After carrying out the back surface grinding step, a polishing pad in which a plurality of independent airbags are arranged in a ring shape is brought into contact with the back surface of the wafer, and slurry is supplied while appropriately controlling the pressure of each air bag to embed it. A polishing step of polishing the back surface of the wafer to such an extent that the electrode is not exposed on the back surface;
After performing the polishing step, etching the wafer from the back surface of the wafer, the etching step to project the embedded electrode from the back surface of the wafer to a through electrode, and
After performing the etching step, an insulating film coating step of coating an insulating film on the back surface of the wafer;
After performing the insulating film coating step, the through electrode protruding from the back surface of the wafer is removed and exposed from the insulating film, and the finishing step of finishing the head of the through electrode on the same surface as the insulating film;
After performing the finishing step, a bump disposing step of disposing a bump on the head of each through electrode;
After carrying out the bump arranging step, a dicing tape is attached to the back surface of the wafer and the carrier plate is removed from the front surface of the wafer, and a transferring step for transferring the wafer to the dicing tape;
A division step of dividing the wafer into individual devices after performing the transfer step;
A method for processing a wafer, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012194887A JP2014053355A (en) | 2012-09-05 | 2012-09-05 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2014053355A true JP2014053355A (en) | 2014-03-20 |
Family
ID=50611597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012194887A Pending JP2014053355A (en) | 2012-09-05 | 2012-09-05 | Wafer processing method |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2014053355A (en) |
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