JP2014049971A - Piezoelectric oscillator - Google Patents

Piezoelectric oscillator Download PDF

Info

Publication number
JP2014049971A
JP2014049971A JP2012192167A JP2012192167A JP2014049971A JP 2014049971 A JP2014049971 A JP 2014049971A JP 2012192167 A JP2012192167 A JP 2012192167A JP 2012192167 A JP2012192167 A JP 2012192167A JP 2014049971 A JP2014049971 A JP 2014049971A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
inter
vibrator
circuit board
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012192167A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5907003B2 (en
Inventor
Tetsuya Hanaki
哲也 花木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daishinku Corp
Original Assignee
Daishinku Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daishinku Corp filed Critical Daishinku Corp
Priority to JP2012192167A priority Critical patent/JP5907003B2/en
Publication of JP2014049971A publication Critical patent/JP2014049971A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5907003B2 publication Critical patent/JP5907003B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric oscillator having stable characteristics by reducing the effect of thermal noise on a piezoelectric oscillator while effectively reducing heat of an integrated circuit element.SOLUTION: In a discrete type crystal oscillator in which an oscillation circuit is configured by mounting a crystal oscillator 2, an IC 3 and other electronic components on a circuit board, a mounting pattern including a plurality of pads 5c, 5d for an oscillator, on which the crystal oscillator 2 is mounted, and a plurality of pads for an integrated circuit, on which the integrated circuit element 3 is mounted, is formed on the upper face of the circuit board. An inter-laminated layer pattern GP at a reference potential is arranged in separation between laminated layers of the circuit board. The inter-laminated layer pattern GP includes a first inter-laminated layer pattern GP1 electrically and mechanically connected to a pad 6G for an integrated circuit at a reference potential, and a second inter-laminated layer pattern GP2 electrically and mechanically connected to a pad 5c for an oscillator at a reference potential.

Description

本発明は、回路基板上に圧電振動子やその他の電子部品が実装されて発振回路が構成された圧電発振器であって、特に電圧を制御することによって周波数を可変させることができる圧電発振器に関する。   The present invention relates to a piezoelectric oscillator in which an oscillation circuit is configured by mounting a piezoelectric vibrator and other electronic components on a circuit board, and more particularly to a piezoelectric oscillator whose frequency can be varied by controlling a voltage.

光伝送機器や映像機器等に用いられる圧電発振器の一例として、例えばディスクリートタイプと呼ばれる水晶発振器がある。当該水晶発振器はセラミックなどの絶縁性材料からなるシートが複数積層された積層基板上に、水晶振動子とその他の電子部品を実装して発振回路を構成したものである。   As an example of a piezoelectric oscillator used for optical transmission equipment, video equipment, etc., there is a crystal oscillator called a discrete type, for example. In the crystal oscillator, an oscillation circuit is configured by mounting a crystal resonator and other electronic components on a laminated substrate in which a plurality of sheets made of an insulating material such as ceramic are laminated.

ディスクリートタイプの水晶発振器において、水晶振動子やその他の電子部品は通電時に発熱するが、これらの部品の中でも特に集積回路素子(IC)の温度が高くなる。そのため高温となるICの熱の水晶振動子への影響を抑制するために、回路基板の水平方向においては水晶振動子をICから可能な限り離れた位置に実装する必要がある。しかしながら近年のディスクリートタイプ水晶発振器の小型化により、離間配置の制約を受けるようになってきている。一方、鉛直方向においては高温となったICの熱を、回路基板の深さ方向に形成されたビア(Via)等を介して基板下方へ伝導させることによって回路基板の温度を降下させる方法が従来から用いられている(いわゆるヒートシンク)。   In a discrete type crystal oscillator, a crystal resonator and other electronic components generate heat when energized. Among these components, the temperature of an integrated circuit element (IC) is particularly high. Therefore, in order to suppress the influence of the heat of the IC, which becomes a high temperature, on the crystal resonator, it is necessary to mount the crystal resonator as far as possible from the IC in the horizontal direction of the circuit board. However, due to the recent miniaturization of discrete-type crystal oscillators, there are restrictions on the disposition. On the other hand, a method of lowering the temperature of the circuit board by conducting the heat of the IC, which has become high in the vertical direction, to the lower side of the board through vias (Via) formed in the depth direction of the circuit board is conventionally known. (So-called heat sink).

電圧制御圧電発振器において寄生容量発生による周波数可変幅の低減を抑制するために、回路基板の中間層に中空部分を有する基準電位配線面を備えた圧電発振器が特許文献1に開示されている。特許文献1の構成によれば、前記基準電位配線面は一体で形成されているとともに、中空部分を除けば中間層の略全面に亘って形成されている。このように基準電位配線面が中間層の略全面に亘って形成されている構成の従来の水晶発振器の例を図5に示す。   In order to suppress a reduction in frequency variable width due to the generation of parasitic capacitance in a voltage controlled piezoelectric oscillator, a piezoelectric oscillator including a reference potential wiring surface having a hollow portion in an intermediate layer of a circuit board is disclosed in Patent Document 1. According to the configuration of Patent Document 1, the reference potential wiring surface is formed integrally, and is formed over substantially the entire intermediate layer except for the hollow portion. FIG. 5 shows an example of a conventional crystal oscillator having a configuration in which the reference potential wiring surface is formed over substantially the entire intermediate layer.

図5は水晶発振器を構成する回路基板(2層)の下層の上面図となっている。図中の点線は回路基板上面に形成される実装パターンの一部を投影表示したものとなっており、符号5a〜5dは水晶振動子が実装される振動子用パッドとなっている。ICは符号3で示す領域に実装されるようになっている。回路基板の深さ方向の熱伝導手段として前述したビアが用いられており、IC下方から基板下方に伸長するビアV1と、振動子用パッドの一部から基板下方に伸長するビアV2とが一つの基準電位の積層間パターンGに電気機械的に接続されている。このような構成では水晶振動子をICから離れた位置に実装しても、高温となったICの熱が基準電位の積層間パターンGおよびビアV2を介して水晶振動子にも伝導してしまう。その結果、水晶振動子がICの発熱および当該発熱による熱雑音の影響を受けて水晶発振器の諸特性に悪影響を与えるという問題が生じていた。   FIG. 5 is a top view of the lower layer of the circuit board (two layers) constituting the crystal oscillator. A dotted line in the figure is a projection display of a part of the mounting pattern formed on the upper surface of the circuit board, and reference numerals 5a to 5d denote vibrator pads on which a crystal vibrator is mounted. The IC is mounted in an area indicated by reference numeral 3. The above-described via is used as the heat conduction means in the depth direction of the circuit board, and the via V1 extending from the lower part of the IC to the lower part of the board and the via V2 extending from a part of the vibrator pad to the lower part of the board are one. It is electromechanically connected to the inter-stack pattern G of one reference potential. In such a configuration, even if the crystal unit is mounted at a position away from the IC, the heat of the IC that has become high temperature is also conducted to the crystal unit via the inter-stack pattern G and the via V2 having the reference potential. . As a result, there has been a problem that the crystal resonator is adversely affected by various heat generation characteristics of the crystal oscillator due to the heat generated by the IC and thermal noise caused by the heat generation.

特開2001−144539号JP 2001-144539 A

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、集積回路素子の熱を効果的に低下させつつ、圧電振動子への熱雑音の影響を低減させることにより、安定した特性を有する圧電発振器を提供することを目的とするものである。   The present invention has been made in view of the above point, and a piezoelectric oscillator having stable characteristics by effectively reducing the heat of an integrated circuit element and reducing the influence of thermal noise on the piezoelectric vibrator. Is intended to provide.

上記目的を達成するために本発明は、回路基板上に圧電振動子と半導体集積回路素子と他の電子部品を実装して発振回路を構成してなる圧電発振器において、
前記回路基板は絶縁体からなる多層基板であり、最上層の基板上面には圧電振動子と半導体集積回路素子と他の電子部品が実装される実装パターンが形成されてなり、
前記実装パターンは、圧電振動子が実装される複数の振動子用パッドと、半導体集積回路素子が実装される複数の集積回路用パッドとを含み、
少なくとも前記回路基板の1つの積層間には基準電位の積層間パターンが分離して設けられ、
前記積層間パターンが、
前記複数の集積回路用パッドのうち、基準電位の集積回路用パッドと電気機械的に接続される第1積層間パターンと、
前記複数の振動子用パッドのうち、基準電位の振動子用パッドと電気機械的に接続される第2積層間パターンとからなっている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a piezoelectric oscillator in which an oscillation circuit is configured by mounting a piezoelectric vibrator, a semiconductor integrated circuit element, and other electronic components on a circuit board.
The circuit board is a multilayer substrate made of an insulator, and a mounting pattern on which a piezoelectric vibrator, a semiconductor integrated circuit element and other electronic components are mounted is formed on the upper surface of the uppermost substrate.
The mounting pattern includes a plurality of vibrator pads on which piezoelectric vibrators are mounted, and a plurality of integrated circuit pads on which semiconductor integrated circuit elements are mounted,
Between at least one of the circuit boards, a reference potential inter-layer pattern is provided separately,
The interlaminate pattern is
A first inter-stack pattern electromechanically connected to a reference potential integrated circuit pad among the plurality of integrated circuit pads;
Of the plurality of vibrator pads, the second laminate pattern is electromechanically connected to the vibrator pad having a reference potential.

上記発明によれば、少なくとも回路基板の1つの積層間には基準電位の積層間パターンが分離して設けられ、前記積層間パターンが、前記複数の集積回路用パッドのうち、基準電位のパッドと電気機械的に接続される第1積層間パターンと、前記複数の振動子用パッドのうち、基準電位の振動子用パッドと電気機械的に接続される第2積層間パターンとからなっている。このような構成により、高温となったICの熱が圧電振動子側に伝導するのを抑制することができる。これは基準電位の集積回路用パッドと電気機械的に接続された第1積層間パターンが、基準電位の振動子用パッドと電気機械的に接続された第2積層間パターンと分離していることによって、ICから伝導した熱の振動子側への伝導を遮断することができるためである。   According to the above invention, the inter-stack pattern of the reference potential is provided separately between at least one circuit board stack, and the inter-stack pattern is connected to the reference potential pad among the plurality of integrated circuit pads. It consists of a first inter-stack pattern that is electromechanically connected, and a second inter-stack pattern that is electromechanically connected to a vibrator pad of a reference potential among the plurality of vibrator pads. With such a configuration, it is possible to suppress the heat of the IC that has reached a high temperature from being conducted to the piezoelectric vibrator side. This is because the first inter-layer pattern electromechanically connected to the reference potential integrated circuit pad is separated from the second inter-layer pattern electromechanically connected to the reference potential vibrator pad. This is because the conduction of heat conducted from the IC to the vibrator side can be blocked.

また上記発明によれば、基準電位の積層間パターンが積層間に分離した状態で設けられていることによりICに流れる電流の経路が分断されるため、熱雑音の影響を軽減することができる。その結果、位相雑音特性への影響を軽減することができる。   Further, according to the above-described invention, the path of the current flowing through the IC is cut off by providing the reference potential inter-layer pattern separated between the layers, so that the influence of thermal noise can be reduced. As a result, the influence on the phase noise characteristics can be reduced.

また上記目的を達成するために、前記第1積層間パターンと前記第2積層間パターンとが、前記回路基板の最下層の基板下面に設けられた基準電位の底面パターンと各々電気機械的に接続されていてもよい。   In order to achieve the above object, the first inter-stack pattern and the second inter-stack pattern are each electromechanically connected to a bottom pattern of a reference potential provided on the bottom surface of the lowermost substrate of the circuit board. May be.

上記発明によれば、積層間の基準電位の積層間パターンに加え、回路基板の最下層の基板下面にも基準電位の底面パターンが形成されている。当該構成により、高温となったICの熱を積層間パターンから、例えば回路基板の深さ方向に伸長するビアを介して最下層の基板下面の底面パターンに伝導させることができる。つまり、積層間から回路基板の下層まで熱伝導によって熱を分散させることができるため回路基板全体の温度を均一化させ易くなる。上記構成により、高温となったICの熱が圧電振動子側に伝導するのを抑制できることに加え、熱応力による回路基板の反りも抑制することができる。   According to the above invention, in addition to the inter-stack pattern of the reference potential between the stacks, the bottom pattern of the reference potential is also formed on the lower surface of the lowermost substrate of the circuit board. With this configuration, the heat of the IC that has reached a high temperature can be conducted from the inter-stack pattern to the bottom pattern on the bottom surface of the lowermost substrate, for example, via vias that extend in the depth direction of the circuit board. That is, since heat can be dispersed by heat conduction from between the layers to the lower layer of the circuit board, the temperature of the entire circuit board can be easily made uniform. With the above-described configuration, it is possible to suppress the heat of the IC that has reached a high temperature from being conducted to the piezoelectric vibrator side, and it is also possible to suppress the warping of the circuit board due to thermal stress.

また上記発明によれば、回路基板上面の電子部品が実装される領域の,積層間パターンと平面視で重畳しない領域を補うように最下層の基板下面に底面パターンを配することによって電磁的シールド効果を向上させることができる。   According to the above invention, the electromagnetic shield is provided by arranging the bottom surface pattern on the bottom surface of the lowermost substrate so as to compensate for the region in which the electronic component on the top surface of the circuit board is mounted and does not overlap with the inter-stack pattern in plan view. The effect can be improved.

上記発明において、圧電振動子の入出力用の外部接続端子と対応する振動子用パッドが積層間パターンと平面視で重なるように配置することにより、圧電発振器を各種電子機器等の外部基板に実装した後の圧電発振器の特性変化を防止することができる。これは次の理由による。   In the above invention, the piezoelectric oscillator is mounted on an external substrate such as various electronic devices by arranging the vibrator pad corresponding to the external connection terminal for input / output of the piezoelectric vibrator so as to overlap with the interlaminate pattern in a plan view. Therefore, it is possible to prevent the change in the characteristics of the piezoelectric oscillator. This is due to the following reason.

積層間パターンが前記入出力用の振動子用パッドに対して下方の層に形成されていたとしても平面視で重ならない位置関係にあると、圧電発振器を外部基板に実装した際に一対の振動子用パッドと外部基板上の配線パターンとが平面視で重なったときには浮遊容量が発生してしまう。   Even if the inter-stack pattern is formed in a layer below the input / output vibrator pad, if it is in a positional relationship that does not overlap in a plan view, a pair of vibrations is generated when the piezoelectric oscillator is mounted on an external substrate. When the child pad and the wiring pattern on the external substrate overlap in plan view, stray capacitance is generated.

これに対して本発明の上述した構成であれば、外部基板への実装前の状態で既に前記一対の振動子用パッドと積層間パターンとが平面視で重なっているため、一対の振動子用パッドと外部基板の配線パターンとの平面視の重なりによる浮遊容量の増加を抑制することができる。その結果、浮遊容量の増加に伴う当初設定した圧電発振器の特性の変化を防止することができる。   On the other hand, with the above-described configuration of the present invention, the pair of vibrator pads and the interlaminate pattern already overlap in a plan view before being mounted on the external substrate. It is possible to suppress an increase in stray capacitance due to overlapping of the pad and the wiring pattern of the external substrate in plan view. As a result, it is possible to prevent changes in the characteristics of the initially set piezoelectric oscillator accompanying an increase in stray capacitance.

以上のように、本発明によれば、集積回路素子の熱を効果的に低下させつつ、圧電振動子への熱雑音の影響を低減させることにより、安定した特性を有する圧電発振器を提供することができる。   As described above, according to the present invention, a piezoelectric oscillator having stable characteristics can be provided by reducing the influence of thermal noise on the piezoelectric vibrator while effectively reducing the heat of the integrated circuit element. Can do.

本発明の実施形態に係る水晶発振器の回路基板の上面模式図The upper surface schematic diagram of the circuit board of the crystal oscillator which concerns on embodiment of this invention 図1のA−A線における断面模式図Schematic sectional view taken along line AA in FIG. 本発明の実施形態に係る回路基板の下層の上面模式図The upper surface schematic diagram of the lower layer of the circuit board which concerns on embodiment of this invention 本発明の実施形態に係る回路基板の下層の上面模式図The upper surface schematic diagram of the lower layer of the circuit board which concerns on embodiment of this invention 従来の水晶発振器の回路基板下層の上面模式図Schematic diagram of the top surface of the circuit board under the conventional crystal oscillator

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。本発明の実施形態においては圧電発振器としてディスクリートタイプの水晶発振器を例に挙げて説明する。なお本実施形態における水晶発振器で出力される発振周波数は基本波発振で350〜800MHzとなっている。前記発振周波数は一例であり、当該発振周波数以外の周波数にも本発明は適用可能である。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the embodiment of the present invention, a discrete type crystal oscillator will be described as an example of a piezoelectric oscillator. The oscillation frequency output from the crystal oscillator in this embodiment is 350 to 800 MHz in fundamental wave oscillation. The oscillation frequency is an example, and the present invention can be applied to frequencies other than the oscillation frequency.

本発明の実施形態について図1乃至4を用いて説明する。図1は本発明の第1の実施形態に係る水晶発振器に用いられる回路基板の上面模式図であり、複数の電子部品が搭載されていない状態を表している。図1において回路基板1は下層1aと上層1bの2枚のセラミックグリーンシートが積層され(図2参照)、焼成によって一体成形されている。図1において回路基板1は平面視略矩形であり、その外形寸法は7.0mm×5.0mmとなっている。なお、回路基板の基材としてセラミック以外にガラスエポキシ樹脂を用いてもよい。   An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic top view of a circuit board used in the crystal oscillator according to the first embodiment of the present invention, and shows a state where a plurality of electronic components are not mounted. In FIG. 1, a circuit board 1 is formed by laminating two ceramic green sheets, a lower layer 1a and an upper layer 1b (see FIG. 2), and is integrally formed by firing. In FIG. 1, the circuit board 1 has a substantially rectangular shape in plan view, and its outer dimensions are 7.0 mm × 5.0 mm. In addition, you may use glass epoxy resin as a base material of a circuit board other than a ceramic.

回路基板1の上面100には金属導体からなる所定の実装パターンが形成されており、当該実装パターン上に水晶振動子2や集積回路素子3(IC)やその他の電子部品(周波数調整部材と電圧制御部材を構成するコイル、コンデンサ、抵抗、バリキャプダイオード等)が実装されることによって発振回路が構成される。本実施形態では前記実装パターンには金(Au)が用いられている。なお、図1では実装パターンのうち、水晶振動子が実装される4つの振動子用パッド(5a〜5d)と当該振動子用パッドと接続される一対の振動子入出力用端子(4a,4b)と、ICが実装される8つのIC搭載用パッド(6)以外のパターンについては記載を省略している。そして水晶振動子2および集積回路素子3が実装される概略位置と、他の電子部品が実装される領域の実装パターン4の概略位置を点線で表示している。   A predetermined mounting pattern made of a metal conductor is formed on the upper surface 100 of the circuit board 1, and the crystal resonator 2, the integrated circuit element 3 (IC), and other electronic components (frequency adjusting member and voltage) are formed on the mounting pattern. An oscillation circuit is configured by mounting a coil, a capacitor, a resistor, a varicap diode, and the like constituting the control member. In this embodiment, gold (Au) is used for the mounting pattern. In FIG. 1, among the mounting patterns, four vibrator pads (5a to 5d) on which crystal vibrators are mounted and a pair of vibrator input / output terminals (4a, 4b) connected to the vibrator pads. ) And patterns other than the eight IC mounting pads (6) on which the IC is mounted are not shown. The approximate position where the crystal resonator 2 and the integrated circuit element 3 are mounted and the approximate position of the mounting pattern 4 in the area where other electronic components are mounted are indicated by dotted lines.

図1において8つのIC搭載用パッド(6)のうち、基準電位の集積回路用パッドは符号6Gにて表示している。この基準電位の集積回路用パッド6Gからは、対向する2辺上に整列配置された他の集積回路用パッド群に挟まれた領域に導出されている。そして前記領域に導出された部分には上層1bの基板下方に伸びる4本からなるビア群V1が形成されており、後述する第1積層間パターンGP1に電気機械的に接続されている。ここでビア群V1は、上層1bの基板を貫く略円筒状の貫通孔の内部に金属(本実施形態では銅)が充填された構造となっており、後述する他のビアV2〜V4も同様の構造・材料から成っている。なおビアの形状は略円筒形に限定されるものではなく、例えば略円錐形状であってもよく、平面視では円以外の形状であってもよい。さらに本実施例ではビア群の本数は一例として4本を挙げており、本発明の適用において当該本数に限定されるものではない。また、前記貫通孔の内部に充填される金属については銅以外に熱伝導度が良好な金属を用いてもよい。   In FIG. 1, among the eight IC mounting pads (6), the integrated circuit pad of the reference potential is indicated by reference numeral 6G. From the integrated circuit pad 6G of this reference potential, it is led out to a region sandwiched between other integrated circuit pad groups arranged on two opposite sides. In the portion led out to the region, four via groups V1 extending below the substrate of the upper layer 1b are formed and are electromechanically connected to a first inter-stack pattern GP1 described later. Here, the via group V1 has a structure in which a metal (copper in this embodiment) is filled in a substantially cylindrical through-hole penetrating the substrate of the upper layer 1b, and other vias V2 to V4 described later are also the same. It consists of the structure and material. The shape of the via is not limited to a substantially cylindrical shape, and may be a substantially conical shape, for example, or may be a shape other than a circle in plan view. Further, in this embodiment, the number of via groups is four as an example, and the number of vias is not limited to the number in the application of the present invention. Moreover, about the metal with which the inside of the said through-hole is filled, you may use a metal with favorable thermal conductivity other than copper.

図1において回路基板1の上面100の水晶振動子が実装される領域には、4つの振動子用パッド5a,5b,5c,5dが形成されている。これら4つの振動子用パッドは水晶振動子底面の4つの外部端子と対応するように回路基板上面100に平面視長方形状に配置されている。4つの振動子用パッド5a,5b,5c,5dは回路基板上面100の他の実装パターンと一括同時に形成されており、回路基板側からタングステン、ニッケルメッキ、金メッキの順に積層されている。   In FIG. 1, four vibrator pads 5a, 5b, 5c, and 5d are formed in the area on the upper surface 100 of the circuit board 1 where the crystal vibrator is mounted. These four vibrator pads are arranged in a rectangular shape in plan view on the circuit board upper surface 100 so as to correspond to the four external terminals on the bottom face of the crystal vibrator. The four vibrator pads 5a, 5b, 5c, and 5d are formed simultaneously with other mounting patterns on the circuit board upper surface 100, and are laminated in the order of tungsten, nickel plating, and gold plating from the circuit board side.

前記4つの振動子用パッド5a〜5dのうち、一対の振動子用パッド5a,5bは、振動子パッド5a〜5dを4つの角部として形成される長方形の一短辺側に隣接して配置されている。この隣接する一対の振動子用パッド5a,5bは、水晶振動子内部の水晶振動片に形成された励振電極と電気的に接続されている。そして一対の振動子用パッド5a,5bは配線DP1,DP2を介して一対の振動子入出力用端子4a,4bとそれぞれ接続されている。ここで一対の振動子入出力用端子4a,4bは、水晶振動子を励振させるための発振段を構成する実装パターンの一部となっており、水晶振動子に直列に接続される可変容量素子(バリキャップダイオード)に対する入出力のうちの一方の端子となっている(本実施形態では4aが出力用端子、4bが入力用端子)。本実施形態では振動子入出力用端子4a,4bにはコイルが実装され、バリキャップダイオードに直列に接続されている。なお振動子入出力用端子に実装される電子部品はコイルだけでなく、コンデンサやバリキャップダイオード等であってもよい。   Of the four transducer pads 5a to 5d, the pair of transducer pads 5a and 5b are arranged adjacent to one short side of a rectangle formed by using the transducer pads 5a to 5d as four corners. Has been. The adjacent pair of vibrator pads 5a and 5b is electrically connected to the excitation electrode formed on the crystal vibrating piece inside the crystal vibrator. The pair of vibrator pads 5a and 5b are connected to the pair of vibrator input / output terminals 4a and 4b via wirings DP1 and DP2, respectively. Here, the pair of vibrator input / output terminals 4a and 4b are part of a mounting pattern constituting an oscillation stage for exciting the crystal oscillator, and are connected to the crystal oscillator in series. One terminal of the input / output with respect to the (varicap diode) (in this embodiment, 4a is an output terminal, 4b is an input terminal). In the present embodiment, coils are mounted on the vibrator input / output terminals 4a and 4b, and are connected in series to the varicap diode. The electronic component mounted on the vibrator input / output terminal may be not only a coil but also a capacitor, a varicap diode, or the like.

上記構成によれば、隣接する一対の振動子用パッド5a,5bが水晶振動片に形成された励振電極と電気的に接続されるとともに一対の振動子入出力用端子4a,4bと隣接する位置に配されているため、従来のように振動子入出力用端子4a,4bから遠い側の振動子用パッドまで配線を引き回す必要がなくなる。これにより引き回し配線による浮遊容量の発生を抑制することができる。その結果、負性抵抗値の減少を抑制し、周波数可変量の低下を防止することができる。   According to the above configuration, the pair of adjacent vibrator pads 5a and 5b are electrically connected to the excitation electrode formed on the crystal vibrating piece and are adjacent to the pair of vibrator input / output terminals 4a and 4b. Therefore, it is not necessary to route the wiring to the transducer pad far from the transducer input / output terminals 4a and 4b as in the prior art. As a result, the generation of stray capacitance due to the routing wiring can be suppressed. As a result, it is possible to suppress a decrease in the negative resistance value and prevent a decrease in the frequency variable amount.

一対の振動子用パッド5c,5dは長方形の他短辺側に隣接して配置されており、基準電位の振動子用パッドとなっている。そして振動子用パッド5cには回路基板の下方に伸長するビアV2が形成されている。   The pair of transducer pads 5c and 5d are arranged adjacent to the other short side of the rectangle and serve as reference potential transducer pads. The vibrator pad 5c is formed with a via V2 extending below the circuit board.

回路基板1の積層間(上層1bと下層1aとの境界)には金属からなる基準電位の積層間パターンGP(以下、積層間パターンと略記)が形成されている(図2参照)。基準電位の積層間パターンGPは第1積層間パターンGP1と第2積層間パターンGP2とで構成され、1つの積層間において互いに分離した状態で形成されている。具体的に基準電位の積層間パターンGPは、平面視においては図3に示す位置および大きさで配置されている。すなわち、第1積層間パターンGP1は平面視でビア群V1を内包するとともに、ICの平面視の大きさよりも小さく形成されている。このような大きさで第1積層間パターンGP1を形成することにより、基板の水平方向へのICの熱の拡散を抑制することができる。   Between the laminations of the circuit board 1 (boundary between the upper layer 1b and the lower layer 1a), an interlaminar pattern GP (hereinafter abbreviated as an interlaminar pattern) made of metal is formed (see FIG. 2). The inter-stack pattern GP of the reference potential is composed of the first inter-stack pattern GP1 and the second inter-stack pattern GP2, and is formed in a state of being separated from each other in one stack. Specifically, the inter-stack pattern GP of the reference potential is arranged at the position and size shown in FIG. 3 in plan view. That is, the first inter-stack pattern GP1 includes the via group V1 in a plan view and is smaller than the size of the IC in a plan view. By forming the first inter-stack pattern GP1 with such a size, diffusion of heat of the IC in the horizontal direction of the substrate can be suppressed.

一方、下層1aの基板下面110(回路基板の底面)には基準電位の底面パターン(以下、底面パターンと略記)8が形成されている。本発明の実施形態では積層間パターンGPと底面パターン8はともに銅で形成されているが、銅以外の金属を使用することも可能である。   On the other hand, a bottom surface pattern (hereinafter abbreviated as a bottom surface pattern) 8 having a reference potential is formed on the lower surface 110 of the lower layer 1a (the bottom surface of the circuit board). In the embodiment of the present invention, the inter-stack pattern GP and the bottom surface pattern 8 are both formed of copper, but a metal other than copper can also be used.

第1積層間パターンGP1と底面パターン8との間の下層1aの基材には、3本からなるビア群V4が形成されている。また、第2積層間パターンGP2と底面パターン8との間の下層1aの基材にも4本からなるビア群V3が形成されている。なお本発明の実施形態に係る図面において説明の便宜上、複数形成されるビアのうち一部を省略している。   Three via groups V4 are formed on the base material of the lower layer 1a between the first inter-stack pattern GP1 and the bottom pattern 8. Further, four via groups V3 are also formed on the base material of the lower layer 1a between the second inter-stack pattern GP2 and the bottom pattern 8. In the drawings according to the embodiments of the present invention, for convenience of explanation, some of the plurality of vias formed are omitted.

本発明の実施形態ではビア群V3を構成する各々のビアは、ビア群V1を構成する各々のビアと一対一で対応しているとともに略同一径で形成されており、断面視では略一直線状に整列した状態となっている。このようなビアと積層間パターンの構成により、高温となったICの熱が水晶振動子側に伝導するのを抑制することができる。これは基準電位の集積回路用パッド6Gとビア群V1を介して電気機械的に接続された第1積層間パターンGP1が、基準電位の振動子用パッド5cとビアV2を介して電気機械的に接続された第2積層間パターンGP2と分離していることによって、ICから伝導した熱の振動子側への伝導を遮断することができるためである。   In the embodiment of the present invention, each via constituting the via group V3 has a one-to-one correspondence with each via constituting the via group V1 and is formed with substantially the same diameter. It is in a state aligned with. With such a configuration of the via and the inter-stack pattern, it is possible to suppress the heat of the IC that has reached a high temperature from being conducted to the crystal resonator side. This is because the first inter-stack pattern GP1 electromechanically connected to the reference potential integrated circuit pad 6G via the via group V1 is electromechanically connected to the reference potential vibrator pad 5c and the via V2. This is because the conduction to the vibrator side of the heat conducted from the IC can be blocked by separating from the connected second inter-stack pattern GP2.

さらに本実施形態においては、下層1aの基板下面にも基準電位の底面パターン8が形成され、当該底面パターン8にビア群V3,V4の各々が電気機械的に接続されている。このような構造により、高温となったICの熱をビア群V1→積層間パターンGP1→ビア群V3の経路を経由して底面パターン8に伝導させることができる。そして底面パターン8に伝導した熱はビア群V4側まで伝導するため、積層間から回路基板の下層まで熱を分散させることができ、回路基板全体の温度を均一化させ易くなる。その結果、高温となったICの熱が水晶振動子側に伝導するのを抑制できることに加え、熱応力による回路基板の反りも抑制することができる。なお、前述したようにビア群V3を構成する各々のビアと、ビア群V1を構成する各々のビアとは断面視では略一直線状に整列した状態となっているため、電気信号の回路基板厚み方向の経路が断面視で略同一直線となり、スタブによる信号への影響を軽減することができる。これは発振周波数が高周波化した際に特に効果的である。   Further, in the present embodiment, a bottom pattern 8 having a reference potential is also formed on the lower surface of the lower layer 1a, and each of the via groups V3 and V4 is electromechanically connected to the bottom pattern 8. With such a structure, the heat of the IC having a high temperature can be conducted to the bottom surface pattern 8 via the route of the via group V1 → the inter-stack pattern GP1 → the via group V3. Since the heat conducted to the bottom pattern 8 is conducted to the via group V4 side, the heat can be dispersed from between the layers to the lower layer of the circuit board, and the temperature of the entire circuit board can be easily made uniform. As a result, it is possible to suppress the heat of the IC that has reached a high temperature from being conducted to the crystal resonator side, and it is also possible to suppress warping of the circuit board due to thermal stress. As described above, each via constituting the via group V3 and each via constituting the via group V1 are aligned in a substantially straight line in a cross-sectional view. The path of the direction becomes substantially the same straight line in a sectional view, and the influence on the signal by the stub can be reduced. This is particularly effective when the oscillation frequency is increased.

本発明によれば、基準電位の積層間パターンGPが積層間に分離した状態で設けられていることによりICに流れる電流の経路が分断されるため、熱雑音の影響を軽減することができる。その結果、位相雑音特性への影響を軽減することができる。   According to the present invention, since the inter-stack pattern GP having the reference potential is provided in a state where it is separated between the stacks, the path of the current flowing through the IC is divided, so that the influence of thermal noise can be reduced. As a result, the influence on the phase noise characteristics can be reduced.

第2積層間パターンGP2は図3に示すように平面視では略台形状となっており、ビアV2とビア群V4および図示しない他のビアと電気機械的に接続されている。第2積層間パターンGP2の前記平面視形状は図示しない電源ラインとの干渉を避けるための形状となっている。したがって、電源ラインの配置に応じて第2積層間パターンの平面視形状を図3の平面視形状と異なる形状としてもよい。   As shown in FIG. 3, the second inter-stack pattern GP2 has a substantially trapezoidal shape in plan view, and is electromechanically connected to the via V2, the via group V4, and other vias (not shown). The planar view shape of the second inter-stack pattern GP2 is a shape for avoiding interference with a power line (not shown). Therefore, the plan view shape of the second inter-stack pattern may be different from the plan view shape of FIG. 3 according to the arrangement of the power supply lines.

図3において第2積層間パターンGP2は、他の電子部品が実装される領域の実装パターン4の一部と、振動子用パッド5a,5b全体と振動子用パッド5c,5dの一部と平面視で重なった状態となっている。つまり第2積層間パターンGP2は、上層1bの基板上面に実装される複数の電子部品の一部を平面視で内包する面積で形成されているため、電磁的シールド効果を得ることができる。   In FIG. 3, the second inter-stack pattern GP2 includes a part of the mounting pattern 4 in a region where other electronic components are mounted, the whole vibrator pads 5a and 5b, and a part of the vibrator pads 5c and 5d. It is in the state where it overlapped visually. That is, since the second inter-stack pattern GP2 is formed with an area including a part of the plurality of electronic components mounted on the upper surface of the substrate of the upper layer 1b in a plan view, an electromagnetic shielding effect can be obtained.

本発明の実施形態では図4に示すように基準電位からなる底面パターン8が下層1aの下面に平面視でアルファベットの「L」字状に形成されている。下層1aの基板下面110には6つの機能端子7a〜7f(外部基板と導電接合される端子)が形成されており、前記底面パターン8の一部は接地用端子7fを兼ねている。そして本実施形態では下層1aの基板下面110のうち、6つの機能端子7a〜7fを除いた領域には絶縁性保護膜(図示省略)が形成されている。前記絶縁性保護膜は絶縁性の樹脂材(レジスト)からなり、金属からなる底面パターン8の表面を外部環境から保護する役割を担っている。なお下層1aの基板下面100に前記絶縁性保護膜を形成しない構成であってもよい。   In the embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, a bottom surface pattern 8 having a reference potential is formed on the lower surface of the lower layer 1a in an alphabetic “L” shape in plan view. Six functional terminals 7a to 7f (terminals that are conductively joined to an external substrate) are formed on the lower surface 110 of the lower layer 1a, and a part of the bottom surface pattern 8 also serves as a grounding terminal 7f. In the present embodiment, an insulating protective film (not shown) is formed in a region excluding the six functional terminals 7a to 7f on the substrate lower surface 110 of the lower layer 1a. The insulating protective film is made of an insulating resin material (resist) and plays a role of protecting the surface of the bottom pattern 8 made of metal from the external environment. In addition, the structure which does not form the said insulating protective film in the board | substrate lower surface 100 of the lower layer 1a may be sufficient.

また回路基板上面の電子部品が実装される領域の,積層間パターンGPと平面視で重畳しない領域を補うように底面パターンを配することによって電磁的シールド効果を向上させることができる。   In addition, the electromagnetic shielding effect can be improved by arranging the bottom surface pattern so as to compensate for the region where the electronic component on the top surface of the circuit board is mounted and does not overlap with the inter-stack pattern GP in plan view.

本実施形態では図4に示すように、基準電位の振動子用パッド5cが下層1aの基板下面の電源用端子7aと平面視で重なる配置となっている。このような配置により、電源用端子7aからの入力電流に含まれるノイズを低減することができる。さらに電源用端子7aの一部は第2積層間パターンGP2と平面視で重なっており、振動子用パッド5cが電源用端子7aと平面視で重畳していない領域も第2積層間パターンGP2の一部が覆っている状態となり、前述のノイズ低減効果を向上させることができる。   In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the vibrator pad 5c having the reference potential is arranged so as to overlap the power supply terminal 7a on the lower surface of the substrate of the lower layer 1a in a plan view. With such an arrangement, noise included in the input current from the power supply terminal 7a can be reduced. Further, a part of the power supply terminal 7a overlaps with the second inter-stack pattern GP2 in a plan view, and an area where the vibrator pad 5c does not overlap with the power supply terminal 7a in a plan view is also the second inter-stack pattern GP2. A part of the cover is covered, and the above-described noise reduction effect can be improved.

また、本実施形態では水晶振動子の励振電極と電気的に接続される一対の振動子用パッド5a,5bが、第2積層間パターンGP2および底面パターン8と平面視で重なっているため、水晶発振器を各種電子機器の外部基板に実装した後の水晶発振器の特性変化を防止することができる。これは水晶発振器内で既に振動子用パッド5a,5bと、第2積層間パターンGP2および底面パターン8が平面視で重なっていることによるものである。   In the present embodiment, since the pair of vibrator pads 5a and 5b electrically connected to the excitation electrodes of the crystal vibrator overlap with the second inter-stack pattern GP2 and the bottom surface pattern 8 in plan view, the crystal It is possible to prevent a change in characteristics of the crystal oscillator after the oscillator is mounted on an external substrate of various electronic devices. This is because the vibrator pads 5a and 5b, the second inter-stack pattern GP2, and the bottom surface pattern 8 already overlap each other in plan view in the crystal oscillator.

つまり、振動子用パッド5a,5bが第2積層間パターンGP2および底面パターン8と平面視で重ならない位置関係にある場合は、水晶発振器を外部基板に実装した際に振動子用パッド5a,5bと外部基板上の配線パターンとが平面視で重なった場合には浮遊容量が発生してしまう。   That is, when the vibrator pads 5a and 5b are in a positional relationship that does not overlap with the second inter-stack pattern GP2 and the bottom surface pattern 8 in plan view, the vibrator pads 5a and 5b are mounted when the crystal oscillator is mounted on the external substrate. When the wiring pattern on the external substrate and the wiring pattern overlap in plan view, stray capacitance is generated.

これに対して上記構成であれば、外部基板への実装前の状態で既に振動子用パッド5a,5bと第2積層間パターンGP2および底面パターン8とが平面視で重なっているため、振動子用パッドと前記配線パターンとの平面視の重なりによる浮遊容量の増加を抑制することができる。その結果、浮遊容量の増加に伴う当初設定した水晶発振器の特性の変化を防止することができる。   On the other hand, in the above configuration, the vibrator pads 5a and 5b are already overlapped with the second inter-stack pattern GP2 and the bottom surface pattern 8 in a plan view before being mounted on the external substrate. It is possible to suppress an increase in stray capacitance due to overlapping of the pad for use and the wiring pattern in plan view. As a result, it is possible to prevent a change in the characteristics of the initially set crystal oscillator accompanying an increase in stray capacitance.

本実施形態では積層間パターンに加え、底面パターンも形成された構成となっているが、積層間パターンのみが形成され底面パターンが形成されていない構成であっても本発明は適用可能である。また、本実施形態では多層からなる回路基板の例として2層構成を例に挙げたが、回路基板は3層以上で構成されていてもよい。   In the present embodiment, a bottom pattern is formed in addition to the inter-stack pattern, but the present invention is applicable to a configuration in which only the inter-stack pattern is formed and the bottom pattern is not formed. In the present embodiment, a two-layer configuration is taken as an example of a multilayer circuit board, but the circuit board may be configured of three or more layers.

本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   The present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects and should not be interpreted in a limited manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent scope of the claims are within the scope of the present invention.

圧電発振器の量産に適用できる。   It can be applied to mass production of piezoelectric oscillators.

1 回路基板
1a 下層基板
1b 上層基板
2 水晶振動子
3 集積回路素子
4a,4b 振動子入出力用端子
5a〜5d 振動子用パッド
6 集積回路用パッド
6G 集積回路用パッド(基準電位)
7a〜7f 外部接続端子
GP 積層間パターン
GP1 第1積層間パターン
GP2 第2積層間パターン
8 底面パターン
V1 ビア
V2〜V4 ビア群
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Circuit board 1a Lower layer board 1b Upper layer board 2 Crystal oscillator 3 Integrated circuit element 4a, 4b vibrator input / output terminal 5a-5d vibrator pad 6 integrated circuit pad 6G integrated circuit pad (reference potential)
7a-7f External connection terminal GP Inter-stack pattern GP1 First inter-stack pattern GP2 Second inter-stack pattern 8 Bottom pattern V1 Via V2-V4 Via group

Claims (2)

回路基板上に圧電振動子と半導体集積回路素子と他の電子部品を実装して発振回路を構成してなる圧電発振器において、
前記回路基板は絶縁体からなる多層基板であり、最上層の基板上面には圧電振動子と半導体集積回路素子と他の電子部品が実装される実装パターンが形成されてなり、
前記実装パターンは、圧電振動子が実装される複数の振動子用パッドと、半導体集積回路素子が実装される複数の集積回路用パッドとを含み、
少なくとも前記回路基板の1つの積層間には基準電位の積層間パターンが分離して設けられ、
前記積層間パターンが、
前記複数の集積回路用パッドのうち、基準電位の集積回路用パッドと電気機械的に接続される第1積層間パターンと、
前記複数の振動子用パッドのうち、基準電位の振動子用パッドと電気機械的に接続される第2積層間パターンとからなることを特徴とする圧電発振器。
In a piezoelectric oscillator in which an oscillation circuit is configured by mounting a piezoelectric vibrator, a semiconductor integrated circuit element, and other electronic components on a circuit board,
The circuit board is a multilayer substrate made of an insulator, and a mounting pattern on which a piezoelectric vibrator, a semiconductor integrated circuit element and other electronic components are mounted is formed on the upper surface of the uppermost substrate.
The mounting pattern includes a plurality of vibrator pads on which piezoelectric vibrators are mounted, and a plurality of integrated circuit pads on which semiconductor integrated circuit elements are mounted,
Between at least one of the circuit boards, a reference potential inter-layer pattern is provided separately,
The interlaminate pattern is
A first inter-stack pattern electromechanically connected to a reference potential integrated circuit pad among the plurality of integrated circuit pads;
A piezoelectric oscillator comprising: a second inter-stack pattern electromechanically connected to a reference potential vibrator pad among the plurality of vibrator pads.
前記第1積層間パターンと前記第2積層間パターンとが、前記回路基板の最下層の基板下面に設けられた基準電位の底面パターンと各々電気機械的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電発振器。   The first interlaminar pattern and the second interlaminar pattern are each electromechanically connected to a bottom pattern of a reference potential provided on the lower surface of the lowermost substrate of the circuit board. Item 2. The piezoelectric oscillator according to Item 1.
JP2012192167A 2012-08-31 2012-08-31 Piezoelectric oscillator Active JP5907003B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012192167A JP5907003B2 (en) 2012-08-31 2012-08-31 Piezoelectric oscillator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012192167A JP5907003B2 (en) 2012-08-31 2012-08-31 Piezoelectric oscillator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014049971A true JP2014049971A (en) 2014-03-17
JP5907003B2 JP5907003B2 (en) 2016-04-20

Family

ID=50609216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012192167A Active JP5907003B2 (en) 2012-08-31 2012-08-31 Piezoelectric oscillator

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5907003B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9362886B2 (en) 2014-09-02 2016-06-07 Seiko Epson Corporation Electronic component, oscillator, electronic apparatus, and moving object

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1022734A (en) * 1996-06-28 1998-01-23 Hitachi Ltd Crystal oscillator
JP2001144539A (en) * 1999-11-18 2001-05-25 Citizen Watch Co Ltd Voltage controlled piezoelectric oscillator
JP2003124746A (en) * 2001-10-12 2003-04-25 Seiko Epson Corp Voltage controlled oscillator, shield case for oscillator, receiver and communication device
JP2008294585A (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting
JP2009004900A (en) * 2007-06-19 2009-01-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Surface-mounting crystal oscillator
JP2011501620A (en) * 2007-10-23 2011-01-06 ベクトロン・インターナショナル・インコーポレーテッド Heating system for a double oven oscillator on a single printed circuit board

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1022734A (en) * 1996-06-28 1998-01-23 Hitachi Ltd Crystal oscillator
JP2001144539A (en) * 1999-11-18 2001-05-25 Citizen Watch Co Ltd Voltage controlled piezoelectric oscillator
JP2003124746A (en) * 2001-10-12 2003-04-25 Seiko Epson Corp Voltage controlled oscillator, shield case for oscillator, receiver and communication device
JP2008294585A (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator for surface mounting
JP2009004900A (en) * 2007-06-19 2009-01-08 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Surface-mounting crystal oscillator
JP2011501620A (en) * 2007-10-23 2011-01-06 ベクトロン・インターナショナル・インコーポレーテッド Heating system for a double oven oscillator on a single printed circuit board

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9362886B2 (en) 2014-09-02 2016-06-07 Seiko Epson Corporation Electronic component, oscillator, electronic apparatus, and moving object
US9577604B2 (en) 2014-09-02 2017-02-21 Seiko Epson Corporation Electronic component, oscillator, electronic apparatus, and moving object

Also Published As

Publication number Publication date
JP5907003B2 (en) 2016-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8884712B2 (en) Oscillator
JP2009225093A (en) Piezoelectric device and electronic apparatus
JP2009206208A (en) Electronic component
JP6137442B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP2006344740A (en) Semiconductor package
JP2001127387A (en) Printed-wiring board
JP5958454B2 (en) Built-in module
JP5907003B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP2013012528A (en) Printed board
JP6350248B2 (en) Piezoelectric oscillator
JP5819170B2 (en) Piezoelectric oscillator and electronic equipment
JP2016103758A (en) Piezoelectric device
TWI706518B (en) Wiring board
JP2005167507A (en) Surface-mounting piezoelectric oscillator
JP2010062180A (en) Multilayer printed wiring board
JP3796104B2 (en) Multilayer wiring board
JP2015207867A (en) Oscillator device
JP2015225893A (en) Wiring board and electronic apparatus
JP5846187B2 (en) Built-in module
JP6264721B2 (en) Multi-layer wiring board heat dissipation structure
JP4983240B2 (en) Piezoelectric vibration oscillator
CN110784996B (en) Wiring board
JP2018113316A (en) Composite electronic component
JP2000151306A (en) Semiconductor device
JP2015226188A (en) Surface mount type piezoelectric device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150401

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160223

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160307

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5907003

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250