JP2014041406A - Semiconductor integrated circuit and operation method thereof - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent loss of control information of a control circuit, which is caused by re-executing a power-on reset operation in executing automatic selection for re-selecting a working power supply from a plurality of power supplies in response to a power failure.SOLUTION: A semiconductor integrated circuit 212 includes: a first power supply terminal T1; a second power supply terminal T2; an input voltage selection circuit 2124 that is connected to the terminals T1 and T2; first power switches SW1 and SW2; and a second power switch SW3. The input voltage selection circuit includes: a power-on reset circuit 21244; an input voltage detection circuit 21248; a first variable transmission circuit 2124Y1; a second variable transmission circuit 2124Y2; a voltage comparison/selection circuit 21243; and control circuits 21245 and 21246. In response to a power failure detection result, the control circuit sets the signal transmission amount of a variable transmission circuit, which corresponds to a power switch that has a lower priority out of first and second power switches, out of the first and second variable transmission circuits, so as to make it larger than the signal transmission amount of the other variable transmission circuit.

Description

本発明は、半導体集積回路およびその動作方法に関し、特に停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択を実行する際のパワーオンリセット動作の再度実行による制御回路の制御情報の消失を解消するのに有効な技術に関するものである。   The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and an operation method thereof, and more particularly, to control information of a control circuit by re-execution of a power-on reset operation when performing automatic selection for re-selecting a power source to be used from a plurality of power sources in response to a power failure. The present invention relates to a technique effective in eliminating the disappearance.

例えば、下記特許文献1や下記特許文献2に記載されているように、ICカードに半導体集積回路とアンテナコイルとを搭載して、このICカードの電源供給はカードリーダー・カードライターと呼ばれる読み出し・書き込み装置からのRF信号をアンテナコイルによる受信と整流回路による整流で行われるものである。このようにカード側に電源を持たないICカードは自動改札システム、電子マネー、物流管理等で普及しつつある。このようにこのICカードはRF給電される一方、ユニークな識別情報(ID情報)が内蔵不揮発性メモリに格納されているので、RFIDカードと呼ばれる。   For example, as described in Patent Document 1 and Patent Document 2 below, a semiconductor integrated circuit and an antenna coil are mounted on an IC card, and the power supply of this IC card is read / read called a card reader / card writer. The RF signal from the writing device is received by an antenna coil and rectified by a rectifier circuit. Thus, IC cards that do not have a power source on the card side are becoming widespread in automatic ticket gate systems, electronic money, logistics management, and the like. Thus, while this IC card is RF-fed, unique identification information (ID information) is stored in the built-in nonvolatile memory, so it is called an RFID card.

一方、スマートフォン等の携帯機器に電源ケーブルを接続することなく、携帯機器を専用の充電テーブルに置くだけで携帯機器の充電が可能な「置くだけ充電」と呼ばれるワイヤレス給電システムが普及している。このワイヤレス給電システムは、スマートフォンと呼ばれる携帯電話の電池の消耗が大きいことに対応するものである。すなわち、スマートフォンは、インターネットとの親和性が高く、パーソナルコンピュータの機能をベースとした多機能携帯電話もしくは電話・メールにPDA機能が付加された多機能携帯電話であり、「スマフォ」、「スマホ」と略されることもある。ワイヤレス給電システムは業界団体のWireless Power Consortium (WPC)によって策定されたQi(チー)と呼ばれる国際標準規格に基づくもので、送信側機器と受信側機器の両者がそれぞれコイルを持つことで、電磁誘導方式により送信側機器から受信側機器への給電を可能とするものである。このワイヤレス給電システムの利点は、充電のために電源コネクターを抜き差しする必要が無く、特に携帯機器の電源コネクターのコネクターカバーを開け閉めする作業を省略することが可能となる。   On the other hand, a wireless power feeding system called “just-on-placement charging” that allows charging of a mobile device by simply placing the mobile device on a dedicated charging table without connecting a power cable to the mobile device such as a smartphone has become widespread. This wireless power supply system corresponds to the fact that the battery of a mobile phone called a smartphone is consumed greatly. In other words, smartphones are multifunctional mobile phones that have high compatibility with the Internet and are based on the functions of a personal computer, or multi-function mobile phones that have a PDA function added to phone / mail. Sometimes abbreviated. The wireless power supply system is based on an international standard called Qi (Qi) established by the industry group Wireless Power Consortium (WPC). According to the method, power can be supplied from the transmitting device to the receiving device. The advantage of this wireless power supply system is that it is not necessary to connect and disconnect the power connector for charging, and in particular, the work of opening and closing the connector cover of the power connector of the portable device can be omitted.

更に下記特許文献3には、2種類以上の電源と選択的に接続されることによりバッテリーを充電する電子機器において、電力供給を受けている電源との接続が解除されると速やかに他の電源と接続してバッテリーの充電を開始するコントローラを使用することが記載されている。すなわち、コントローラによる制御は、AC電源からAC接続部へ電流が供給されている間ではAC電源によってバッテリーを充電して、AC電源からAC接続部へ電流が供給されず外部機器から外部機器接続部へ電流が供給されている間では外部機器の電源でバッテリーを充電する。特にコントローラは、バッテリーがAC電源によって充電されている間に、外部機器接続部が外部機器に接続された場合に、外部機器と初期通信を行って外部機器を介してバッテリーを充電するために必要な充電設定を行うものである。外部機器接続部は具体的にはUSB接続部であり、IEEE1394等の他の規格のインターフェースも採用可能であるとされている。電子機器がAC電源と外部機器の両者と接続されている場合には、AC電源からの電流が外部機器からの電流よりも大きいので、コントローラはAC電源によりバッテリーを充電するものである。   Further, in Patent Document 3 below, in an electronic device that charges a battery by being selectively connected to two or more types of power sources, the connection with the power source receiving the power supply is immediately released. And use a controller to start charging the battery. That is, in the control by the controller, while the current is supplied from the AC power source to the AC connection unit, the battery is charged by the AC power source, and the current is not supplied from the AC power source to the AC connection unit. While current is being supplied to the battery, the battery is charged by the power supply of the external device. In particular, the controller is necessary to charge the battery via the external device by performing initial communication with the external device when the external device connection unit is connected to the external device while the battery is being charged by the AC power source. To set the correct charge. Specifically, the external device connection unit is a USB connection unit, and an interface of another standard such as IEEE1394 can be used. When the electronic device is connected to both the AC power source and the external device, the current from the AC power source is larger than the current from the external device, so the controller charges the battery with the AC power source.

下記特許文献4には、第1入出力端子間に第1NチャネルパワーMOSトランジスタのソース・ドレイン経路を接続して、第2入出力端子間に第2NチャネルパワーMOSトランジスタのソース・ドレイン経路を接続して、第3入出力端子間に第3NチャネルパワーMOSトランジスタのソース・ドレイン経路を接続したパワースイッチICが記載されている。第3NチャネルパワーMOSトランジスタのゲートと接地電位の間に第3MOSトランジスタのドレイン・ソース経路が接続され、第2NチャネルパワーMOSトランジスタのゲートと接地電位の間に第4MOSトランジスタのドレイン・ソース経路が接続され、第1NチャネルパワーMOSトランジスタのゲートと接地電位の間に第5MOSトランジスタのドレイン・ソース経路が接続される。第1入力端子は第1インバータ回路の入力端子と第2インバータ回路の入力端子に接続され、第2入力端子と第3入力端子とは第1インバータ回路の電源端子と第2インバータ回路の電源端子とにそれぞれ接続される。第1インバータ回路の出力端子は第3MOSトランジスタのゲートに接続され、第2インバータ回路の出力端子は第4MOSトランジスタのゲートに接続されて、第1インバータ回路の出力端子と第2インバータ回路の出力端子とは2入力ノアゲート回路の2入力端子に接続される。更に、2入力ノアゲート回路の出力端子は第3インバータ回路の入力端子と接続され、第3インバータ回路の出力端子は第5MOSトランジスタのゲートに接続される。異常が発生によって第1入力端子の電位が低下すると、第1インバータ回路の出力端子と第2インバータ回路の出力端子と第3インバータ回路の出力端子とがハイレベルとなり、第3MOSトランジスタと第4MOSトランジスタと第5MOSトランジスタとがオン状態となる。従って、第1入出力端子間に接続された第1NチャネルパワーMOSトランジスタと第2入出力端子間に接続された第2NチャネルパワーMOSトランジスタと第3入出力端子間に接続された第3NチャネルパワーMOSトランジスタの全てのパワーMOSトランジスタが、オフ状態に制御されるものとなる。   In Patent Document 4 below, the source / drain path of the first N-channel power MOS transistor is connected between the first input / output terminals, and the source / drain path of the second N-channel power MOS transistor is connected between the second input / output terminals. Thus, there is described a power switch IC in which a source / drain path of a third N-channel power MOS transistor is connected between third input / output terminals. The drain / source path of the third MOS transistor is connected between the gate of the third N-channel power MOS transistor and the ground potential, and the drain / source path of the fourth MOS transistor is connected between the gate of the second N-channel power MOS transistor and the ground potential. The drain / source path of the fifth MOS transistor is connected between the gate of the first N-channel power MOS transistor and the ground potential. The first input terminal is connected to the input terminal of the first inverter circuit and the input terminal of the second inverter circuit. The second input terminal and the third input terminal are the power supply terminal of the first inverter circuit and the power supply terminal of the second inverter circuit. And connected respectively. The output terminal of the first inverter circuit is connected to the gate of the third MOS transistor, the output terminal of the second inverter circuit is connected to the gate of the fourth MOS transistor, and the output terminal of the first inverter circuit and the output terminal of the second inverter circuit Is connected to the two input terminals of the two-input NOR gate circuit. Further, the output terminal of the 2-input NOR gate circuit is connected to the input terminal of the third inverter circuit, and the output terminal of the third inverter circuit is connected to the gate of the fifth MOS transistor. When the potential of the first input terminal decreases due to the occurrence of an abnormality, the output terminal of the first inverter circuit, the output terminal of the second inverter circuit, and the output terminal of the third inverter circuit become high level, and the third MOS transistor and the fourth MOS transistor And the fifth MOS transistor are turned on. Accordingly, the first N-channel power MOS transistor connected between the first input / output terminals, the second N-channel power MOS transistor connected between the second input / output terminals, and the third N-channel power connected between the third input / output terminals. All the power MOS transistors of the MOS transistor are controlled to be in an off state.

特開2009−4949号 公報JP 2009-4949 A 特開2010−9353号 公報JP 2010-9353 A 特開2011−155830号 公報JP 2011-155830 A 特開2006−180226号 公報JP 2006-180226 A

本発明者は本発明に先立って、AC電源からのAC電源電圧の整流・平滑によって生成されるAC−DC電源電圧とUSB接続からのUSB電源電圧と上述したワイヤレス給電システムのワイヤレス給電による電源電圧の複数の電源電圧により動作することが可能なバッテリー充電制御のための半導体集積回路の開発に従事した。   Prior to the present invention, the present inventor has determined the AC-DC power supply voltage generated by rectification and smoothing of the AC power supply voltage from the AC power supply, the USB power supply voltage from the USB connection, and the power supply voltage by the wireless power supply of the wireless power supply system described above. Engaged in the development of semiconductor integrated circuits for battery charge control that can be operated with multiple power supply voltages.

この開発の過程では、本発明者は上記特許文献3に記載された複数の電源によるバッテリーの充電方法を検討したが、複数の電源の給電の有無に従って使用電源を自動的に選択するための実現方法が上記特許文献3に記載されていないと言う問題が、本発明者による検討によって明らかとされた。すなわち、上述した複数の電源電圧によって動作することが可能なバッテリー充電制御のための半導体集積回路では、複数の電源から使用電源の自動選択する電子回路をインプリメントすることが必要とされるものである。   In the course of this development, the present inventor examined the method of charging a battery with a plurality of power sources described in Patent Document 3, but an implementation for automatically selecting a power source to be used according to whether or not a plurality of power sources are powered. The problem that the method is not described in Patent Document 3 has been clarified by the study by the present inventor. That is, in the above-described semiconductor integrated circuit for battery charge control that can be operated by a plurality of power supply voltages, it is necessary to implement an electronic circuit that automatically selects a power supply to be used from a plurality of power supplies. .

更に、この開発の過程における本発明者の検討によって、上記特許文献4に記載された方式では、複数の電源から使用電源を自動選択することは不可能であることが明らかとされた。   Furthermore, as a result of the study of the present inventor in the course of this development, it has been clarified that the method described in Patent Document 4 cannot automatically select a power source to be used from a plurality of power sources.

本発明者は本発明に先立って、パワーオンリセット回路と入力電圧検出回路と制御回路とを使用することによって複数の電源から使用電源の自動選択する電子回路をインプリメントする方式を検討した。第1電源電圧と第2電源電圧の少なくともいずれか1つの供給に応答するパワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作によって、第1電源電圧の選択のための第1電源スイッチと第2電源電圧の選択のための第2電源スイッチとを制御する制御回路がリセットされる。   Prior to the present invention, the present inventor studied a method of implementing an electronic circuit that automatically selects a power supply to be used from a plurality of power supplies by using a power-on reset circuit, an input voltage detection circuit, and a control circuit. Selection of the first power supply switch and the second power supply voltage for selecting the first power supply voltage by the power-on reset operation of the power-on reset circuit that responds to supply of at least one of the first power supply voltage and the second power supply voltage The control circuit for controlling the second power switch for resetting is reset.

入力電圧検出回路は、パワーオンリセット動作の終了に応答して、第1電源電圧の供給有無と第2電源電圧の供給有無とを検出する。入力電圧検出回路が第1電源電圧の供給を検出するが第2電源電圧の非供給を検出する場合に、制御回路は第1電源スイッチと第2電源スイッチとをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する。反対に入力電圧検出回路が第2電源電圧の供給を検出するが第1電源電圧の非供給を検出する場合に、制御回路は第1電源スイッチと第2電源スイッチとをオフ状態とオン状態とにそれぞれ制御する。更に入力電圧検出回路が第1電源電圧の供給と第2電源電圧の供給の両者を検出する場合には、制御回路は事前に設定された優先順序に従って第1電源スイッチと第2電源スイッチとの一方と他方とをオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御する。   The input voltage detection circuit detects whether the first power supply voltage is supplied and whether the second power supply voltage is supplied in response to the end of the power-on reset operation. When the input voltage detection circuit detects the supply of the first power supply voltage but detects the non-supply of the second power supply voltage, the control circuit sets the first power switch and the second power switch to the on state and the off state, respectively. Control. On the other hand, when the input voltage detection circuit detects the supply of the second power supply voltage but detects the non-supply of the first power supply voltage, the control circuit sets the first power switch and the second power switch to the off state and the on state. To control each. Further, when the input voltage detection circuit detects both the supply of the first power supply voltage and the supply of the second power supply voltage, the control circuit sets the first power switch and the second power switch according to a preset priority order. One and the other are controlled to an on state and an off state, respectively.

本発明者は本発明に先立って、上述した方式を更に詳細に検討したところ、入力電圧検出回路が第1電源電圧の供給と第2電源電圧の供給との両者を検出した後に、例えば高い方の優先順序に設定された第1電源電圧の停電が発生すると、この停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択を実行する必要がある。   Prior to the present invention, the inventor examined the above-described method in more detail. After the input voltage detection circuit detects both the supply of the first power supply voltage and the supply of the second power supply voltage, for example, the higher one is used. When a power failure occurs in the first power supply voltage set in the priority order, it is necessary to execute automatic selection in which a power source to be used is selected again from a plurality of power sources in response to the power failure.

しかし、そのためには停電に応答して、パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作を再度実行する必要がある。その結果、パワーオンリセット動作の再度実行によって、制御回路に設定された初期設定情報と制御回路に格納されている制御情報とがクリアされて消失すると言う問題が明らかとされた。   However, for that purpose, it is necessary to execute the power-on reset operation of the power-on reset circuit again in response to the power failure. As a result, it has been clarified that the initial setting information set in the control circuit and the control information stored in the control circuit are cleared and lost by re-execution of the power-on reset operation.

従って、制御回路で消失した初期設定情報はフラッシュメモリ等の不揮発性メモリに格納されたブートプログラムから再ロードする必要がある一方、制御回路で消失した制御情報は不揮発性メモリ等にバックアップされていないので消失した制御情報を回復することは不可能である言う問題が明らかとされた。   Therefore, the initial setting information lost in the control circuit must be reloaded from the boot program stored in the non-volatile memory such as the flash memory, while the control information lost in the control circuit is not backed up in the non-volatile memory or the like. Therefore, the problem that it is impossible to recover the lost control information was revealed.

このような課題を解決するための手段等を以下に説明するが、その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。   Means for solving such problems will be described below, but other problems and novel features will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

本願において開示される代表的な実施の形態の概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。   The outline of the typical embodiment disclosed in the present application will be briefly described as follows.

すなわち、代表的な実施の形態による半導体集積回路(212)は、第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子(T1)と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子(T2)と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路(2124)と、第1電源スイッチ(SW1、SW2)と、第2電源スイッチ(SW3)とを具備する(図2参照)。   That is, the semiconductor integrated circuit (212) according to the representative embodiment includes a first supply terminal (T1) capable of supplying a first power supply voltage and a second supply terminal capable of supplying a second power supply voltage. (T2), an input voltage selection circuit (2124) connected to the first supply terminal and the second supply terminal, a first power switch (SW1, SW2), and a second power switch (SW3). (See FIG. 2).

入力電圧選択回路(2124)は、パワーオンリセット回路(21244)と入力電圧検出回路(21248)と第1可変伝達回路(2124Y1)と第2可変伝達回路(2124Y2)と電圧比較・選択回路(21243)と制御回路(21245、21246)とを含む。   The input voltage selection circuit (2124) includes a power-on reset circuit (21244), an input voltage detection circuit (21248), a first variable transmission circuit (2124Y1), a second variable transmission circuit (2124Y2), and a voltage comparison / selection circuit (21243). ) And a control circuit (21245, 21246).

電圧比較・選択回路(21243)は第1入力端子(T1)の電圧と第2入力端子(T2)の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を出力端子からパワーオンリセット回路(21244)と入力電圧検出回路(21248)とに供給される動作電圧として出力する(図7参照)。   The voltage comparison / selection circuit (21243) compares the voltage of the first input terminal (T1) and the voltage of the second input terminal (T2) and selects a high voltage, so that the high voltage is power-on reset from the output terminal. The operation voltage supplied to the circuit (21244) and the input voltage detection circuit (21248) is output (see FIG. 7).

パワーオンリセット回路(21244)のパワーオンリセット動作終了時に第1と第2のいずれか電源電圧の第1と第2のいずれかの供給端子への供給を入力電圧検出回路(21248)が検出する第1の場合には、その検出に応答した制御回路路(21245、21246)は第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御する。   At the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit (21244), the input voltage detection circuit (21248) detects the supply of the first or second power supply voltage to either the first or second supply terminal. In the first case, the control circuit path (21245, 21246) responding to the detection controls the power switch corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first and second power switches to be turned on. .

第1の場合には、制御回路は、第1可変伝達回路と第2可変伝達回路のうちの供給が検出された供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量を供給が検出されない供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する。   In the first case, the control circuit sets the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal detected to be supplied from among the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit to the supply terminal where supply is not detected. Set larger than the signal transmission amount of the corresponding variable transmission circuit.

パワーオンリセット回路(21244)のパワーオンリセット動作終了時に第1および第2の電源電圧の両者の第1および第2の供給端子の両者への供給を入力電圧検出回路(21248)が検出する第2の場合には、その検出に応答した制御回路は第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順序の高い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御する。   When the power-on reset circuit (21244) ends the power-on reset operation, the input voltage detection circuit (21248) detects the supply of both the first and second power supply voltages to both the first and second supply terminals. In the case of 2, the control circuit responding to the detection controls the power switch having the higher priority order set in advance among the first and second power switches to the ON state.

第2の場合には、制御回路は、第1可変伝達回路と第2可変伝達回路のうちの第1および第2の電源スイッチのうちの高い優先順序を持った電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を高い優先順序を持った電源スイッチに対応しない可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する。   In the second case, the control circuit corresponds to a power switch having a high priority order among the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. Is set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit that does not correspond to the power switch having a high priority order.

高い優先順序を持った電源スイッチがオン状態に制御された後に、入力電圧検出回路(21248)は第1および第2の電源スイッチのうちの高い優先順序を持った電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものである。   After the power switch having a high priority order is controlled to be in the ON state, the input voltage detection circuit (21248) supplies the power supply voltage supplied to the power switch having the high priority order among the first and second power switches. This is to detect a power outage.

入力電圧検出回路による停電の検出結果に応答して、制御回路は、第1および第2の電源スイッチのうち事前に設定された優先順序の低い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御する。   In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit controls the power switch having a low priority order set in advance among the first and second power switches to an ON state. .

入力電圧検出回路による停電の検出結果に応答して、制御回路は、第1可変伝達回路と第2可変伝達回路のうちの第1および第2の電源スイッチのうちの低い優先順序を持った電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を高い優先順序を持った電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する(図9、図10参照)。   In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit has a power supply having a low priority order among the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the switch is set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the power switch having a high priority order (see FIGS. 9 and 10).

本願において開示される実施の形態のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。   The following is a brief description of an effect obtained by the typical embodiment of the embodiments disclosed in the present application.

すなわち、本半導体集積回路(212)によれば、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択を実行する際のパワーオンリセット動作の再度実行による制御回路の制御情報の消失を解消することができる。   That is, according to this semiconductor integrated circuit (212), the control information of the control circuit is lost due to the re-execution of the power-on reset operation when the automatic selection for re-selecting the power source to be used is selected from a plurality of power sources in response to a power failure. Can be eliminated.

図1は、実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212が搭載された多機能携帯電話の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a multi-function mobile phone equipped with a semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment. 図2は、図1に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment shown in FIG. 図3は、図2に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の外部端子の機能を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing functions of external terminals of the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment shown in FIG. 図4は、本発明の比較参考例として本発明に先立って本発明者によって検討された半導体集積回路212の起動時の動作モード選択のための入力電圧選択回路2124の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an input voltage selection circuit 2124 for selecting an operation mode at the start-up of the semiconductor integrated circuit 212 examined by the inventor prior to the present invention as a comparative reference example of the present invention. 図5は、図4に示した本発明の比較参考例による入力電圧選択回路2124の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining the operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the comparative reference example of the present invention shown in FIG. 図6は、図4に示した本発明の比較参考例による入力電圧選択回路2124の他の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining another operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the comparative reference example of the present invention shown in FIG. 図7は、図2に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の起動時の動作モード選択のための入力電圧選択回路2124の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an input voltage selection circuit 2124 for selecting an operation mode at the time of activation of the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment shown in FIG. 図8は、図7に示した実施の形態1による入力電圧選択回路2124に含まれた可変伝達回路2124Yの第1可変伝達回路2124Y1と第2可変伝達回路2124Y2の構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a configuration of first variable transmission circuit 2124Y1 and second variable transmission circuit 2124Y2 of variable transmission circuit 2124Y included in input voltage selection circuit 2124 according to the first embodiment shown in FIG. 図9は、図7に示した実施の形態1による入力電圧選択回路2124の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining the operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the first embodiment shown in FIG. 図10は、図7に示した実施の形態1による入力電圧選択回路2124の他の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining another operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the first embodiment shown in FIG.

1.実施の形態の概要
まず、本願において開示される代表的な実施の形態についてその概要を説明する。代表的な実施の形態の概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
1. First, an outline of a typical embodiment disclosed in the present application will be described. The reference numerals of the drawings referred to in parentheses in the outline description of the representative embodiment merely exemplify what is included in the concept of the component to which the reference numeral is attached.

〔1〕代表的な実施の形態による半導体集積回路(212)は、第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子(T1)と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子(T2)と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路(2124)と、第1電源スイッチ(SW1、SW2)と、第2電源スイッチ(SW3)とを具備する(図2参照)。   [1] A semiconductor integrated circuit (212) according to a typical embodiment includes a first supply terminal (T1) capable of supplying a first power supply voltage and a second supply capable of supplying a second power supply voltage. A terminal (T2), an input voltage selection circuit (2124) connected to the first supply terminal and the second supply terminal, a first power switch (SW1, SW2), a second power switch (SW3), (See FIG. 2).

前記入力電圧選択回路(2124)は、パワーオンリセット回路(21244)と入力電圧検出回路(21248)と第1可変伝達回路(2124Y1)と第2可変伝達回路(2124Y2)と電圧比較・選択回路(21243)と制御回路(21245、21246)とを含む。   The input voltage selection circuit (2124) includes a power-on reset circuit (21244), an input voltage detection circuit (21248), a first variable transmission circuit (2124Y1), a second variable transmission circuit (2124Y2), and a voltage comparison / selection circuit ( 21243) and control circuits (21245, 21246).

前記第1可変伝達回路(2124Y1)の入力端子と前記第2可変伝達回路(2124Y2)の入力端子とは、前記第1の供給端子(T1)と前記第2の供給端子(T2)とにそれぞれ接続される。   The input terminal of the first variable transmission circuit (2124Y1) and the input terminal of the second variable transmission circuit (2124Y2) are respectively connected to the first supply terminal (T1) and the second supply terminal (T2). Connected.

前記電圧比較・選択回路(21243)は第1入力端子(Node1)と第2入力端子(Node2)と出力端子とを有して、前記第1入力端子(Node1)は前記第1可変伝達回路(2124Y1)の出力端子に接続され、前記第2入力端子(Node2)は前記第2可変伝達回路(2124Y2)の出力端子に接続される。   The voltage comparison / selection circuit (21243) has a first input terminal (Node1), a second input terminal (Node2), and an output terminal, and the first input terminal (Node1) is the first variable transmission circuit ( 2124Y1) and the second input terminal (Node2) is connected to the output terminal of the second variable transmission circuit (2124Y2).

前記電圧比較・選択回路(21243)の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される動作電圧(Vcc、AVDD、DVDD)が生成される。 Operating voltages (Vcc, AV DD , DV DD ) supplied to the power-on reset circuit and the input voltage detection circuit are generated from the output terminal of the voltage comparison / selection circuit (21243).

前記電圧比較・選択回路は前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される前記動作電圧として出力する(図7参照)。   The voltage comparison / selection circuit compares the voltage of the first input terminal and the voltage of the second input terminal to select a high voltage, and thereby selects the high voltage from the output terminal to the power-on reset circuit and the input. The operation voltage supplied to the voltage detection circuit is output (see FIG. 7).

前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1と第2のいずれか電源電圧の前記第1と第2のいずれかの供給端子への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第1の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御する。   The first input voltage detection circuit detects the supply of either the first or second power supply voltage to the first or second supply terminal at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit responding to the detection controls to turn on the power switch corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first and second power switches.

前記第1の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの供給が検出された供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量を供給が検出されない供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する。   In the first case, the control circuit detects the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. It is set to be larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal that is not set.

前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1および第2の電源電圧の両者の前記第1および第2の供給端子の両者への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第2の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順序の高い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御する。   The input voltage detection circuit detects the supply of both the first and second power supply voltages to both the first and second supply terminals at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit responding to the detection controls the power switch having a higher priority order set in advance among the first and second power switches to the ON state.

前記第2の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応しない可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する。   In the second case, the control circuit includes the power supply having the higher priority order among the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the switch is set to be larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit not corresponding to the power switch having the high priority order.

前記高い優先順序を持った前記電源スイッチが前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路(21248)は前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものである。   After the power switch having the higher priority order is controlled to be in the ON state, the input voltage detection circuit (21248) is configured to supply the power source having the higher priority order among the first and second power switches. It detects a power failure in the power supply voltage supplied to the switch.

前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1および第2の電源スイッチのうち前記事前に設定された優先順序の低い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御する。   In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit has a power switch having a low priority order set in advance among the first power switch and the second power switch. To turn on.

前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記低い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する(図9、図10参照)。   In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit includes the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the power switch having the low priority order is set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the power switch having the high priority order (FIGS. 9 and 9). 10).

前記実施の形態の半導体集積回路(212)によれば、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択を実行する際のパワーオンリセット動作の再度実行による制御回路の制御情報の消失を解消することができる。   According to the semiconductor integrated circuit (212) of the above-described embodiment, control information of the control circuit by re-execution of the power-on reset operation when performing automatic selection for re-selecting the power source to be used from a plurality of power sources in response to a power failure Can be eliminated.

好適な実施の形態による半導体集積回路(212)は、負荷としての第1外部負荷(3)と第2外部負荷(26)とに前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧をそれぞれ供給する第1外部出力端子(T4)と第2外部出力端子(T3)を更に具備する。   The semiconductor integrated circuit (212) according to a preferred embodiment supplies the first power supply voltage or the second power supply voltage to the first external load (3) and the second external load (26) as loads, respectively. A first external output terminal (T4) and a second external output terminal (T3).

前記半導体集積回路(212)は、前記第1外部出力端子と前記第2外部出力端子との間に接続された出力PチャネルMOSトランジスタ(Mp0)を更に具備する。   The semiconductor integrated circuit (212) further includes an output P-channel MOS transistor (Mp0) connected between the first external output terminal and the second external output terminal.

前記パワーオンリセット動作終了の後におよび前記停電の検出結果に応答して、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路(21245、21246)により前記出力PチャネルMOSトランジスタ(Mp0)がオン状態に制御される。   When one of the first power switch and the second power switch is controlled to be in an ON state after the power-on reset operation is completed and in response to the detection result of the power failure, the control circuit (21245, 21246) controls the output P-channel MOS transistor (Mp0) to the on state.

前記出力PチャネルMOSトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧が前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子(T3)とを介して供給可能とされたことを特徴とするものである(図2、図7参照)。   When the output P-channel MOS transistor is controlled to be in the ON state, the first power supply voltage or the second power supply voltage is applied to the second external load from the output P-channel MOS transistor and the second external output terminal. (T3) and can be supplied (see FIGS. 2 and 7).

他の好適な実施の形態では、前記第1外部出力端子(T4)は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第1外部負荷(3)に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものである。   In another preferred embodiment, the first external output terminal (T4) is connected to the first power supply voltage or the second voltage to the first external load (3) which is another semiconductor integrated circuit as an active device. The power supply voltage can be supplied.

前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とは、バッテリーである前記第2外部負荷(26)に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成されたことを特徴とするものである(図2参照)。   The output P-channel MOS transistor and the second external output terminal can supply the first power supply voltage or the second power supply voltage to the second external load (26) which is a battery. It is characterized by being configured (see FIG. 2).

更に他の好適な実施の形態では、前記第1可変伝達回路(2124Y1)と前記第2可変伝達回路(2124Y2)とは、それぞれ第1可変利得増幅器と第2可変利得増幅器とにより構成されたことを特徴とするものである(図8参照)。   In still another preferred embodiment, the first variable transmission circuit (2124Y1) and the second variable transmission circuit (2124Y2) are configured by a first variable gain amplifier and a second variable gain amplifier, respectively. (See FIG. 8).

より好適な実施の形態では、前記第1可変伝達回路(2124Y1)と前記第2可変伝達回路(2124Y2)とは、それぞれ第1可変減衰器と第2可変減衰器とにより構成されたことを特徴とするものである。   In a more preferred embodiment, the first variable transmission circuit (2124Y1) and the second variable transmission circuit (2124Y2) are configured by a first variable attenuator and a second variable attenuator, respectively. It is what.

他のより好適な実施の形態では、前記電圧比較・選択回路(21243)は、第1PチャネルMOSトランジスタ(Mp3)と第2PチャネルMOSトランジスタ(Mp4)と差動増幅器(DA1)とを含む。   In another more preferred embodiment, the voltage comparison / selection circuit (21243) includes a first P-channel MOS transistor (Mp3), a second P-channel MOS transistor (Mp4), and a differential amplifier (DA1).

前記第1PチャネルMOSトランジスタ(Mp3)のソースとドレインとは、前記電圧比較・選択回路(21243)の前記第1入力端子(Node1)と前記出力端子とにそれぞれ接続される。   The source and drain of the first P-channel MOS transistor (Mp3) are connected to the first input terminal (Node1) and the output terminal of the voltage comparison / selection circuit (21243), respectively.

前記第2PチャネルMOSトランジスタ(Mp4)のソースとドレインとは、前記電圧比較・選択回路(21243)の前記第2入力端子(Node2)と前記出力端子とにそれぞれ接続される。   The source and drain of the second P-channel MOS transistor (Mp4) are connected to the second input terminal (Node2) and the output terminal of the voltage comparison / selection circuit (21243), respectively.

前記差動増幅器(DA1)の一方の差動入力端子の他方の差動入力端子とは、前記電圧比較・選択回路(21243)の前記第1入力端子(Node1)と前記第2入力端子(Node2)とに接続される。   The other differential input terminal of one differential input terminal of the differential amplifier (DA1) is the first input terminal (Node1) and the second input terminal (Node2) of the voltage comparison / selection circuit (21243). ) And connected.

前記差動増幅器(DA1)の一方の差動出力端子の他方の差動出力端子とは、前記第1PチャネルMOSトランジスタ(Mp3)のゲートと前記第2PチャネルMOSトランジスタ(Mp4)のゲートとにそれぞれ接続されたことを特徴とするものである(図7参照)。   The other differential output terminal of the differential amplifier (DA1) is connected to the gate of the first P-channel MOS transistor (Mp3) and the gate of the second P-channel MOS transistor (Mp4), respectively. It is characterized by being connected (see FIG. 7).

更に他のより好適な実施の形態による半導体集積回路(212)は、外部のマイクロコントローラユニット(22)とシリアルデータ通信を実行する外部インターフェース(2125)を更に具備する。   The semiconductor integrated circuit (212) according to still another more preferred embodiment further includes an external interface (2125) for executing serial data communication with an external microcontroller unit (22).

前記入力電圧選択回路(2124)の前記制御回路(21245、21246)は、前記外部インターフェース(2125)の動作を制御することを特徴とするものである(図2、図7参照)。   The control circuit (21245, 21246) of the input voltage selection circuit (2124) controls the operation of the external interface (2125) (see FIGS. 2 and 7).

別のより好適な実施の形態では、前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作によって、前記制御回路(21245、21246)がリセットされることを特徴とするものである(図2、図7参照)。   In another more preferred embodiment, the control circuit (21245, 21246) is reset by a power-on reset operation of the power-on reset circuit (see FIGS. 2 and 7). .

具体的な実施の形態による半導体集積回路(212)は、前記第1供給端子(T1)と前記第1電源スイッチ(SW1、SW2)との間に並列接続された降圧DC−DCコンバータ(2121)とリニア・レギュレータ(2122)を更に具備する。   A semiconductor integrated circuit (212) according to a specific embodiment includes a step-down DC-DC converter (2121) connected in parallel between the first supply terminal (T1) and the first power switch (SW1, SW2). And a linear regulator (2122).

前記リニア・レギュレータは、前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものである。   The linear regulator operates as a series regulator that operates immediately after power is turned on by the supply of the first power supply voltage to the first supply terminal.

前記降圧DC−DCコンバータ2121は、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作することを特徴とするものである(図2参照)。   The step-down DC-DC converter 2121 operates as a switching regulator having higher power efficiency than the linear regulator (see FIG. 2).

最も具体的な実施の形態は、前記第1供給端子(T1)に第1ショットキーダイオード(D1)を介してワイヤレス給電の電源電圧と第2ショットキーダイオード(D2)を介してAC電源接続インターフェース(24)のAC−DC変換電源電圧とが供給可能なように、前記第1供給端子(T1)が構成されたものである。   In the most specific embodiment, the first power supply terminal T1 is connected to the power supply voltage of wireless power supply via the first Schottky diode D1 and the AC power supply connection interface via the second Schottky diode D2. The first supply terminal (T1) is configured so that the AC-DC conversion power supply voltage (24) can be supplied.

前記第2供給端子(T2)にUSB接続インターフェース(23)のUSB電源電圧が供給可能なように、前記第2供給端子(T2)が構成されたことを特徴とするものである(図2参照)。   The second supply terminal (T2) is configured so that the USB power supply voltage of the USB connection interface (23) can be supplied to the second supply terminal (T2) (see FIG. 2). ).

〔2〕別の観点の代表的な実施の形態は、第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子(T1)と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子(T2)と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路(2124)と、第1電源スイッチ(SW1、SW2)と、第2電源スイッチ(SW3)とを具備する半導体集積回路(212)の動作方法である(図2参照)。   [2] A typical embodiment of another aspect is that a first supply terminal (T1) capable of supplying a first power supply voltage and a second supply terminal (T2) capable of supplying a second power supply voltage. ), An input voltage selection circuit (2124) connected to the first supply terminal and the second supply terminal, a first power switch (SW1, SW2), and a second power switch (SW3). This is an operation method of the semiconductor integrated circuit (212) (see FIG. 2).

前記入力電圧選択回路(2124)は、パワーオンリセット回路(21244)と入力電圧検出回路(21248)と第1可変伝達回路(2124Y1)と第2可変伝達回路(2124Y2)と電圧比較・選択回路(21243)と制御回路(21245、21246)とを含む。   The input voltage selection circuit (2124) includes a power-on reset circuit (21244), an input voltage detection circuit (21248), a first variable transmission circuit (2124Y1), a second variable transmission circuit (2124Y2), and a voltage comparison / selection circuit ( 21243) and control circuits (21245, 21246).

前記第1可変伝達回路(2124Y1)の入力端子と前記第2可変伝達回路(2124Y2)の入力端子とは、前記第1の供給端子(T1)と前記第2の供給端子(T2)とにそれぞれ接続される。   The input terminal of the first variable transmission circuit (2124Y1) and the input terminal of the second variable transmission circuit (2124Y2) are respectively connected to the first supply terminal (T1) and the second supply terminal (T2). Connected.

前記電圧比較・選択回路(21243)は第1入力端子(Node1)と第2入力端子(Node2)と出力端子とを有して、前記第1入力端子(Node1)は前記第1可変伝達回路(2124Y1)の出力端子に接続され、前記第2入力端子(Node2)は前記第2可変伝達回路(2124Y2)の出力端子に接続される。   The voltage comparison / selection circuit (21243) has a first input terminal (Node1), a second input terminal (Node2), and an output terminal, and the first input terminal (Node1) is the first variable transmission circuit ( 2124Y1) and the second input terminal (Node2) is connected to the output terminal of the second variable transmission circuit (2124Y2).

前記電圧比較・選択回路(21243)の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される動作電圧(Vcc、AVDD、DVDD)が生成される。 Operating voltages (Vcc, AV DD , DV DD ) supplied to the power-on reset circuit and the input voltage detection circuit are generated from the output terminal of the voltage comparison / selection circuit (21243).

前記電圧比較・選択回路は前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される前記動作電圧として出力する(図7参照)。   The voltage comparison / selection circuit compares the voltage of the first input terminal and the voltage of the second input terminal to select a high voltage, and thereby selects the high voltage from the output terminal to the power-on reset circuit and the input. The operation voltage supplied to the voltage detection circuit is output (see FIG. 7).

前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1と第2のいずれか電源電圧の前記第1と第2のいずれかの供給端子への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第1の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御する。   The first input voltage detection circuit detects the supply of either the first or second power supply voltage to the first or second supply terminal at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit responding to the detection controls to turn on the power switch corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first and second power switches.

前記第1の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの供給が検出された供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量を供給が検出されない供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する。   In the first case, the control circuit detects the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. It is set to be larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal that is not set.

前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1および第2の電源電圧の両者の前記第1および第2の供給端子の両者への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第2の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順序の高い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御する。   The input voltage detection circuit detects the supply of both the first and second power supply voltages to both the first and second supply terminals at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit responding to the detection controls the power switch having a higher priority order set in advance among the first and second power switches to the ON state.

前記第2の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応しない可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する。   In the second case, the control circuit includes the power supply having the higher priority order among the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the switch is set to be larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit not corresponding to the power switch having the high priority order.

前記高い優先順序を持った前記電源スイッチが前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路(21248)は前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものである。   After the power switch having the higher priority order is controlled to be in the ON state, the input voltage detection circuit (21248) is configured to supply the power source having the higher priority order among the first and second power switches. It detects a power failure in the power supply voltage supplied to the switch.

前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1および第2の電源スイッチのうち前記事前に設定された優先順序の低い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御する。   In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit has a power switch having a low priority order set in advance among the first power switch and the second power switch. To turn on.

前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記低い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する(図9、図10参照)。   In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit includes the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the power switch having the low priority order is set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the power switch having the high priority order (FIGS. 9 and 9). 10).

前記実施の形態の半導体集積回路(212)によれば、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択を実行する際のパワーオンリセット動作の再度実行による制御回路の制御情報の消失を解消することができる。   According to the semiconductor integrated circuit (212) of the above-described embodiment, control information of the control circuit by re-execution of the power-on reset operation when performing automatic selection for re-selecting the power source to be used from a plurality of power sources in response to a power failure Can be eliminated.

2.実施の形態の詳細
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
2. Details of Embodiment Next, the embodiment will be described in more detail. In all the drawings for explaining the best mode for carrying out the invention, components having the same functions as those in the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals, and repeated description thereof is omitted.

[実施の形態1]
《多機能携帯電話の構成》
図1は、実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212が搭載された多機能携帯電話の構成を示す図である。
[Embodiment 1]
<Configuration of multi-function mobile phone>
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a multi-function mobile phone equipped with a semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment.

図1に示した多機能携帯電話は、送電回路1と受電回路2と受電側システム3とによって構成されている。特に図1に示した多機能携帯電話では、送電側アンテナコイル13からのRF信号が受信側アンテナコイル25によって受信されることにより2次電池26の充電と受電側システム3への電源供給とが実行される。   The multi-function mobile phone shown in FIG. 1 includes a power transmission circuit 1, a power reception circuit 2, and a power reception side system 3. In particular, in the multi-function mobile phone shown in FIG. 1, the RF signal from the power transmission side antenna coil 13 is received by the reception side antenna coil 25, thereby charging the secondary battery 26 and supplying power to the power receiving side system 3. Executed.

《送信側の送電回路》
図1に示したように、ワイヤレス電力伝送システムの送信側の送電回路1にはACアダプタ10を介してAC電源が供給される。送電回路1は、マイクロコントローラユニット(MCU)11と送電制御回路12とによって構成され、マイクロコントローラユニット(MCU)11は認証処理機能111と暗号処理機能112とを有し、送電制御回路12は整流回路121とRFドライバ122を含み、RFドライバ122は送電側アンテナコイル13と接続される。
<< Transmission circuit on the transmission side >>
As shown in FIG. 1, AC power is supplied to the power transmission circuit 1 on the transmission side of the wireless power transmission system via the AC adapter 10. The power transmission circuit 1 includes a microcontroller unit (MCU) 11 and a power transmission control circuit 12, and the microcontroller unit (MCU) 11 has an authentication processing function 111 and an encryption processing function 112. The power transmission control circuit 12 is rectified. A circuit 121 and an RF driver 122 are included, and the RF driver 122 is connected to the power transmission side antenna coil 13.

ACアダプタ10を介して供給されるAC電源が整流回路121によって整流・平滑されることによって生成されるDC電源電圧が、送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11とRFドライバ122等とに供給される。送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11の認証処理機能111と暗号処理機能112とは、受電回路2である多機能携帯電話のユーザーが正当な使用権利を有するユーザーか否か等を判断するための相互認証処理と通信データの改竄を防止するための暗号処理とをそれぞれ実行するものである。すなわち、送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11は、受電回路2に含まれるマイクロコントローラユニット(MCU)22の認証処理機能221と暗号処理機能222との間の通信プロトコルに関する暗号鍵の生成と保持と更新と削除等に関係する鍵管理動作を実行するものである。   A DC power supply voltage generated by rectifying and smoothing the AC power supplied via the AC adapter 10 by the rectifier circuit 121 is supplied to the microcontroller unit (MCU) 11 and the RF driver 122 of the power transmission circuit 1. Is done. The authentication processing function 111 and the encryption processing function 112 of the microcontroller unit (MCU) 11 of the power transmission circuit 1 determine whether or not the user of the multi-function mobile phone that is the power receiving circuit 2 has a right to use. Mutual authentication processing and encryption processing for preventing tampering of communication data are executed. That is, the microcontroller unit (MCU) 11 of the power transmission circuit 1 generates an encryption key related to a communication protocol between the authentication processing function 221 and the encryption processing function 222 of the microcontroller unit (MCU) 22 included in the power receiving circuit 2. Key management operations related to holding, updating, and deletion are executed.

その結果、送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11によって受電回路2である多機能携帯電話のユーザーが正当な使用権利を有するユーザーであることが判定されると、RFドライバ122は図示しないRF発振器から生成されるRF発振出力信号に応答して送電側アンテナコイル13に供給されるRF駆動信号を生成する。更に、送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11からの認証処理と暗号処理との通信データは、RFドライバ122と送電側アンテナコイル13と受電側アンテナコイル25を介して受電回路2に供給される。   As a result, when it is determined by the microcontroller unit (MCU) 11 of the power transmission circuit 1 that the user of the multi-function mobile phone that is the power receiving circuit 2 is a valid user, the RF driver 122 performs an RF (not shown). An RF drive signal supplied to the power transmission side antenna coil 13 is generated in response to the RF oscillation output signal generated from the oscillator. Further, communication data of authentication processing and encryption processing from the microcontroller unit (MCU) 11 of the power transmission circuit 1 is supplied to the power reception circuit 2 via the RF driver 122, the power transmission side antenna coil 13, and the power reception side antenna coil 25. The

《受信側の受電回路》
図1に示したように、ワイヤレス電力伝送システムの受信側の受電回路2は受電制御回路21とマイクロコントローラユニット(MCU)22とによって構成され、マイクロコントローラユニット(MCU)22は認証処理機能221と暗号処理機能222を有し、受電制御回路21は整流回路211とバッテリー充電制御のための半導体集積回路212とを含むものである。
<< Receiving circuit on the receiving side >>
As shown in FIG. 1, the power reception circuit 2 on the reception side of the wireless power transmission system includes a power reception control circuit 21 and a microcontroller unit (MCU) 22, and the microcontroller unit (MCU) 22 includes an authentication processing function 221. The power reception control circuit 21 includes an encryption processing function 222, and includes a rectification circuit 211 and a semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control.

図1に示したワイヤレス電力伝送システムでは、最初に送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11と受電回路2のマイクロコントローラユニット(MCU)22との間で上述した通信プロトコルに従った通信が、送電側アンテナコイル13と受電側アンテナコイル25とを介して実行される。この通信のために、受電回路2では、受電制御回路21とマイクロコントローラユニット(MCU)22との間でシリアル通信と電源供給等が可能とされたものである。送電回路1のマイクロコントローラユニット(MCU)11によって受電回路2である多機能携帯電話のユーザーが正当な使用権利を有するユーザーであることが判定されると、RFドライバ122から生成されるRF駆動信号が受電回路2に送電側アンテナコイル13と受電側アンテナコイル25とを介して供給される。   In the wireless power transmission system shown in FIG. 1, communication according to the communication protocol described above is first performed between the microcontroller unit (MCU) 11 of the power transmission circuit 1 and the microcontroller unit (MCU) 22 of the power reception circuit 2. This is executed via the power transmission side antenna coil 13 and the power reception side antenna coil 25. For this communication, the power receiving circuit 2 enables serial communication and power supply between the power receiving control circuit 21 and the microcontroller unit (MCU) 22. When it is determined by the microcontroller unit (MCU) 11 of the power transmission circuit 1 that the user of the multi-function mobile phone that is the power reception circuit 2 is a valid user, the RF drive signal generated from the RF driver 122 Is supplied to the power reception circuit 2 via the power transmission side antenna coil 13 and the power reception side antenna coil 25.

送電側アンテナコイル13と受電側アンテナコイル25とを介して供給されるRF駆動信号が整流回路211によって整流・平滑されることによって生成されるDC電源電圧が、半導体集積回路212とマイクロコントローラユニット(MCU)22とに供給される。整流回路211から半導体集積回路212に供給されるDC電源電圧は、2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3の電源供給にも使用される。   A DC power supply voltage generated by rectifying and smoothing the RF drive signal supplied via the power transmission side antenna coil 13 and the power reception side antenna coil 25 by the rectification circuit 211 is converted into a semiconductor integrated circuit 212 and a microcontroller unit ( MCU) 22. The DC power supply voltage supplied from the rectifier circuit 211 to the semiconductor integrated circuit 212 is used for charging the secondary battery 26 and also for supplying power to the power receiving side system 3.

ワイヤレス電力伝送システムの受信側が多機能携帯電話である場合には、受電側システム3はアプリケーションプロセッサやベースバンドプロセッサや液晶表示ドライバICやRF信号処理半導体集積回路(RFIC)やメインメモリやフラッシュメモリ等の不揮発性メモリ等を含むものである。   When the receiving side of the wireless power transmission system is a multi-function mobile phone, the power receiving side system 3 includes an application processor, baseband processor, liquid crystal display driver IC, RF signal processing semiconductor integrated circuit (RFIC), main memory, flash memory, etc. Non-volatile memory and the like.

また、ワイヤレス電力伝送システムの受信側がタブレットPCのような携帯型パーソナルコンピュータである場合には、受電側システム3は中央処理ユニット(CPU)とハードディスク置き換えの大規模記憶容量のフラッシュメモリストレージを更に含むものである。   Further, when the receiving side of the wireless power transmission system is a portable personal computer such as a tablet PC, the power receiving side system 3 further includes a central processing unit (CPU) and a flash memory storage having a large-scale storage capacity replacing a hard disk. It is a waste.

更にバッテリー充電制御とシステム電源供給のための半導体集積回路212には、整流回路211により生成されるDC電源電圧以外にも、USB接続インターフェース23からのUSB電源電圧とAC電源接続インターフェース24からのAC電源電圧の整流・平滑により生成されるAC−DC変換電源電圧とが供給可能とされる。従って、バッテリー充電制御とシステム電源供給とのための半導体集積回路212は、整流回路211のDC電源電圧とUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧とAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧の複数の電源電圧からバッテリー充電制御とシステム電源供給のための電源電圧を自動選択する機能を有するものである。尚、USBは、Universal Serial Busの略である。   In addition to the DC power supply voltage generated by the rectifier circuit 211, the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control and system power supply includes the USB power supply voltage from the USB connection interface 23 and the AC power supply from the AC power supply connection interface 24. An AC-DC conversion power supply voltage generated by rectification and smoothing of the power supply voltage can be supplied. Accordingly, the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control and system power supply includes a plurality of DC power supply voltages of the rectifier circuit 211, USB power supply voltage of the USB connection interface 23, and AC-DC conversion power supply voltage of the AC power supply connection interface 24. It has a function of automatically selecting a power supply voltage for battery charge control and system power supply from the power supply voltage. USB is an abbreviation for Universal Serial Bus.

《バッテリー充電制御のための半導体集積回路の構成》
図2は、図1に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の構成を示す図である。
<Structure of semiconductor integrated circuit for battery charge control>
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment shown in FIG.

図2に示すように、バッテリー充電制御とシステム電源供給のための半導体集積回路212は、降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122とUSB種別検出回路2123と入力電圧選択回路2124と外部インターフェース2125と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127とを含んでいる。更に、バッテリー充電制御とシステム電源供給のための半導体集積回路212は、PチャネルMOSトランジスタMp0とスイッチSW1、SW2、SW3、SW4とを含んでいる。   As shown in FIG. 2, a semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control and system power supply includes a step-down DC-DC converter 2121, a linear regulator 2122, a USB type detection circuit 2123, an input voltage selection circuit 2124, and an external interface 2125. And a built-in regulator 2126 and a gate drive control circuit 2127. Further, the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control and system power supply includes a P-channel MOS transistor Mp0 and switches SW1, SW2, SW3, SW4.

第1入力電圧1の供給端子T1には第1ショットキーダイオードD1を介して送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧と第2ショットキーダイオードD2を介してAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧とが供給され、第2入力電圧2の供給端子T2にはUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧が供給される。ショットキーダイオードD1、D2は、送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧とAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧との間で逆流防止素子として機能する一方、PN接合ダイオードと比較して低い順方向電圧で電源電圧を伝達する電圧伝達素子として機能する。尚、送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧は5.5ボルトから20ボルトの電圧であり、AC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧は略7ボルトの電圧であり、USB接続インターフェース23のUSB電源電圧は5ボルトの電圧である。   The supply terminal T1 of the first input voltage 1 has a power supply voltage for wireless power feeding of the power transmission circuit 1 via the first Schottky diode D1 and an AC-DC conversion power source of the AC power connection interface 24 via the second Schottky diode D2. The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 is supplied to the supply terminal T2 for the second input voltage 2. The Schottky diodes D1 and D2 function as a backflow prevention element between the power supply voltage of the wireless power feeding of the power transmission circuit 1 and the AC-DC conversion power supply voltage of the AC power connection interface 24, but are lower than the PN junction diode. It functions as a voltage transmission element that transmits a power supply voltage with a forward voltage. The power supply voltage of the wireless power feeding of the power transmission circuit 1 is 5.5 to 20 volts, the AC-DC conversion power supply voltage of the AC power connection interface 24 is approximately 7 volts, and the USB connection interface 23 The USB power supply voltage is 5 volts.

降圧DC−DCコンバータ2121には、外部端子DDOUT1(T5)、DDOUT2(T6)を介してインダクターL1と容量C1とが接続されている。従って、降圧DC−DCコンバータ2121はリニア・レギュレータ2122よりも電源投入時の起動が遅いが、リニア・レギュレータ2122よりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する。一方、リニア・レギュレータ2122は、電源投入の直後に即座に動作するシリーズレギュレータとして動作するものである。   The step-down DC-DC converter 2121 is connected to an inductor L1 and a capacitor C1 via external terminals DDOUT1 (T5) and DDOUT2 (T6). Therefore, the step-down DC-DC converter 2121 starts up more slowly when the power is turned on than the linear regulator 2122, but operates as a switching regulator having higher power efficiency than the linear regulator 2122. On the other hand, the linear regulator 2122 operates as a series regulator that operates immediately after power-on.

すなわち、降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122は、5.5ボルトから20ボルトの送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧もしくは略7ボルトのAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧から3.5ボルトから5ボルトのシステム供給電圧を生成する。従って、降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122からの5ボルトのシステム供給電圧は、スイッチSW2、SW4と外部端子SYS(T4)とを介して受電側システム3に供給される一方、5ボルトのUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧は、スイッチSW3と外部端子SYS(T4)とを介して受電側システム3に供給される。   That is, the step-down DC-DC converter 2121 and the linear regulator 2122 are generated from the power supply voltage of the power transmission circuit 1 of 5.5 to 20 volts or the AC-DC conversion power supply voltage of the AC power connection interface 24 of approximately 7 volts. Generate a system supply voltage of 3.5 to 5 volts. Accordingly, the 5 volt system supply voltage from the step-down DC-DC converter 2121 and the linear regulator 2122 is supplied to the power receiving side system 3 via the switches SW2 and SW4 and the external terminal SYS (T4), while 5 volt. The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 is supplied to the power receiving system 3 via the switch SW3 and the external terminal SYS (T4).

USBインターフェース23には、データ通信を行うUSBホストあるいはUSBハブまたはデータ通信は行わないUSBチャージャーの種類により電流供給能力が変化する。従って、これらのUSB機器の電流供給能力の検出は例えばUSB Implementers Forum, Incから提供されているBattery Charging Specificationに記載されているような方法、具体的には差動データ信号端子D+、D−を検出することで、検出することが可能である。   The current supply capability of the USB interface 23 varies depending on the type of the USB host that performs data communication, the USB hub, or the USB charger that does not perform data communication. Therefore, the current supply capability of these USB devices can be detected by a method described in, for example, the Battery Charging Specification provided by USB Implementers Forum, Inc., specifically, differential data signal terminals D + and D−. It is possible to detect by detecting.

USB種別検出回路2123は、USBインターフェース23が接続された場合、バス電圧、差動データ信号端子D+、D−を検出して、供給可能な電流能力を検出する。すなわち、USB種別検出回路2123は、外部端子SYS(T4)に供給電流能力以上に電流が供給されないように電流制限を実行してスイッチSW3がこの電流制限機能を有している。   When the USB interface 23 is connected, the USB type detection circuit 2123 detects the bus voltage and the differential data signal terminals D + and D− to detect the current capability that can be supplied. That is, the USB type detection circuit 2123 executes current limiting so that the current exceeding the supply current capability is not supplied to the external terminal SYS (T4), and the switch SW3 has this current limiting function.

入力電圧選択回路2124は起動時の動作モード選択のために第1入力電圧1の供給端子T1の電圧検出と第2入力電圧2の供給端子T2の供給端子の電圧検出とを実行して、更にスイッチSW1、SW2、SW3、SW4のオンオフ制御と降圧DC−DCコンバータ2121、内蔵レギュレータ2126、ゲート駆動制御回路2127の制御とを実行する。更に入力電圧選択回路2124は、USB種別検出回路2123の制御を実行するとともに外部インターフェース2125を介してUSB種別検出回路2123によるUSB種別検出データをマイクロコントローラユニット(MCU)22と受電側システム3とに供給する機能を有するものである。   The input voltage selection circuit 2124 executes the voltage detection of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 and the voltage detection of the supply terminal of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 in order to select the operation mode at the time of startup. On / off control of the switches SW1, SW2, SW3, and SW4 and control of the step-down DC-DC converter 2121, the built-in regulator 2126, and the gate drive control circuit 2127 are executed. Further, the input voltage selection circuit 2124 executes control of the USB type detection circuit 2123 and transmits the USB type detection data from the USB type detection circuit 2123 to the microcontroller unit (MCU) 22 and the power receiving side system 3 via the external interface 2125. It has a function to supply.

従って、外部インターフェース2125は、受電側システム3およびマイクロコントローラユニット(MCU)22とクロックおよびシリアルデータの双方向通信を実行する。   Therefore, the external interface 2125 performs bidirectional communication of clock and serial data with the power receiving system 3 and the microcontroller unit (MCU) 22.

内蔵レギュレータ2126には、降圧DC−DCコンバータ2121またはリニア・レギュレータ2122を介して送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧またはAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧が供給されるか、もしくはUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧が供給される。その結果、内蔵レギュレータ2126から1.8ボルトの動作電圧VDD18と3.0ボルトの動作電圧VDD30とが生成され、マイクロコントローラユニット(MCU)22に供給される。 The built-in regulator 2126 is supplied with the power supply voltage for wireless power supply of the power transmission circuit 1 or the AC-DC conversion power supply voltage of the AC power connection interface 24 via the step-down DC-DC converter 2121 or the linear regulator 2122, or the USB The USB power supply voltage of the connection interface 23 is supplied. As a result, an operating voltage V DD 18 of 1.8 volts and an operating voltage V DD 30 of 3.0 volts are generated from the built-in regulator 2126 and supplied to the microcontroller unit (MCU) 22.

PチャネルMOSトランジスタMp0は入力電圧選択回路2124およびゲート駆動制御回路2127によってオン状態に駆動制御されることによって、外部端子SYS(T4)の3.5ボルト〜5ボルトのシステム供給電圧を外部端子BAT(T3)を介して2次電池26に供給することで、2次電池26の充電が実行される。例えば、2次電池26は多機能携帯電話等に内蔵されるリチウムイオン電池であって、その充電電流は略0.5A〜1.0の比較的大きな電流となる。   The P-channel MOS transistor Mp0 is controlled to be turned on by the input voltage selection circuit 2124 and the gate drive control circuit 2127, so that the system supply voltage of 3.5 to 5 volts of the external terminal SYS (T4) is supplied to the external terminal BAT. By supplying the secondary battery 26 via (T3), the secondary battery 26 is charged. For example, the secondary battery 26 is a lithium ion battery built in a multifunctional mobile phone or the like, and its charging current is a relatively large current of about 0.5 A to 1.0.

更にゲート駆動制御回路2127は、PチャネルMOSトランジスタMp0が外部端子SYS(T4)と外部端子BAT(T3)との間で双方向に導通するようにPチャネルMOSトランジスタMp0のゲートを駆動する出力信号を生成する。従って、2次電池26の充電が実行される期間では外部端子SYS(T4)から外部端子BAT(T3)へ2次電池26の充電電流が流される一方、それと反対に2次電池26の放電によるバッテリー動作期間では外部端子BAT(T3)から外部端子SYS(T4)へ2次電池26の放電電流が流されるものである。また更にゲート駆動制御回路2127は、2次電池26の充電動作と放電動作との間に充電電流と放電電流との電流制御を実行することよって過充電と過放電とを防止する機能を有するものである。   Further, the gate drive control circuit 2127 outputs an output signal for driving the gate of the P-channel MOS transistor Mp0 so that the P-channel MOS transistor Mp0 conducts bidirectionally between the external terminal SYS (T4) and the external terminal BAT (T3). Is generated. Accordingly, during the period in which the secondary battery 26 is charged, the charging current of the secondary battery 26 flows from the external terminal SYS (T4) to the external terminal BAT (T3). During the battery operation period, the discharge current of the secondary battery 26 flows from the external terminal BAT (T3) to the external terminal SYS (T4). Further, the gate drive control circuit 2127 has a function of preventing overcharge and overdischarge by executing current control of the charge current and the discharge current between the charging operation and the discharging operation of the secondary battery 26. It is.

《半導体集積回路の外部端子の機能》
図3は、図2に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の外部端子の機能を示す図である。
<External terminal function of semiconductor integrated circuit>
FIG. 3 is a diagram showing functions of external terminals of the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment shown in FIG.

図3に示すように、第1入力電圧1の外部供給端子は、第1ショットキーダイオードD1または第2ショットキーダイオードD2を介して送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧またはAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧を供給する機能を有するものである。   As shown in FIG. 3, the external supply terminal of the first input voltage 1 is connected to the power supply voltage of the wireless power feeding of the power transmission circuit 1 or the AC power connection interface 24 via the first Schottky diode D1 or the second Schottky diode D2. It has a function of supplying an AC-DC conversion power supply voltage.

更に、第2入力電圧2の外部供給端子は、USB接続インターフェース23のUSB電源電圧を供給する機能を有している。   Further, the external supply terminal of the second input voltage 2 has a function of supplying the USB power supply voltage of the USB connection interface 23.

差動データ信号D+の外部供給端子は、USB接続インターフェース23の差動データの非反転入力信号D+を供給する機能を有する。   The external supply terminal of the differential data signal D + has a function of supplying the non-inverted input signal D + of the differential data of the USB connection interface 23.

更に、差動データ信号D−の外部供給端子は、USB接続インターフェース23の差動データの反転入力信号D−を供給する機能を有する。   Further, the external supply terminal of the differential data signal D− has a function of supplying the inverted input signal D− of the differential data of the USB connection interface 23.

クロックの外部入出力端子は、外部インターフェース2125のクロックの双方向通信を実行する機能を有する。   The external input / output terminal of the clock has a function of performing bidirectional communication of the clock of the external interface 2125.

更にシリアルデータの外部入出力端子は、外部インターフェース2125のシリアルデータの双方向通信を実行する機能を有する。   Further, the serial data external input / output terminal has a function of executing serial data bidirectional communication of the external interface 2125.

外部端子DDOUT1は、降圧DC−DCコンバータ2121でのスイッチングレギュレータ動作によるスイッチング出力信号を出力する機能を有する。   The external terminal DDOUT1 has a function of outputting a switching output signal by a switching regulator operation in the step-down DC-DC converter 2121.

更に、外部端子DDOUT2は、インダクターL1と容量C1とから構成されるローパスフィルタを通過した降圧DC−DCコンバータ2121の出力電圧を出力する機能を有する。   Further, the external terminal DDOUT2 has a function of outputting the output voltage of the step-down DC-DC converter 2121 that has passed through a low-pass filter composed of an inductor L1 and a capacitor C1.

外部端子SYSは、受電側システム3へ電源電圧を出力する機能を有する。   The external terminal SYS has a function of outputting a power supply voltage to the power receiving side system 3.

外部端子BATは、2次電池26を接続する機能を有する。   The external terminal BAT has a function of connecting the secondary battery 26.

外部端子VDD18は、1.8ボルトの動作電圧VDD18をマイクロコントローラユニット(MCU)22に出力する機能を有する。 The external terminal V DD 18 has a function of outputting an operating voltage V DD 18 of 1.8 volts to the microcontroller unit (MCU) 22.

外部端子VDD30は、3.0ボルトの動作電圧VDD30をマイクロコントローラユニット(MCU)22に出力する機能を有する。 The external terminal V DD 30 has a function of outputting an operating voltage V DD 30 of 3.0 volts to the microcontroller unit (MCU) 22.

《本発明の比較参考例による入力電圧検出回路の構成》
図4は、本発明の比較参考例として本発明に先立って本発明者によって検討された半導体集積回路212の起動時の動作モード選択のための入力電圧選択回路2124の構成を示す図である。
<< Configuration of Input Voltage Detection Circuit According to Comparative Reference Example of the Present Invention >>
FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an input voltage selection circuit 2124 for selecting an operation mode at the start-up of the semiconductor integrated circuit 212 examined by the inventor prior to the present invention as a comparative reference example of the present invention.

図4に示すように、本発明の比較参考例の入力電圧選択回路2124は、リニア・レギュレータ21241と入力電圧選択スイッチ21242と第1基準電圧発生回路Ref_Gen1と第1バッファ回路BA1と第2バッファ回路BA2とパワーオンリセット回路21244とパワーオンリセット補助回路2124とを含んでいる。更に入力電圧選択回路2124は、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とクロック発生回路21247と入力電圧検出回路21248とゲート駆動回路21249とを含んでいる。   As shown in FIG. 4, the input voltage selection circuit 2124 of the comparative reference example of the present invention includes a linear regulator 21241, an input voltage selection switch 21242, a first reference voltage generation circuit Ref_Gen1, a first buffer circuit BA1, and a second buffer circuit. A BA2, a power-on reset circuit 21244, and a power-on reset auxiliary circuit 2124 are included. Further, the input voltage selection circuit 2124 includes a control logic circuit 21245, an input voltage selection switch control logic circuit 21246, a clock generation circuit 21247, an input voltage detection circuit 21248, and a gate drive circuit 21249.

図4の左上部に示したように、第1入力電圧1の供給端子T1に送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧とAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧とが供給され、第2入力電圧2の供給端子T2にUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧が供給される。   As shown in the upper left part of FIG. 4, the power supply voltage of the wireless power feeding of the power transmission circuit 1 and the AC-DC conversion power supply voltage of the AC power connection interface 24 are supplied to the supply terminal T1 of the first input voltage 1, and the second The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 is supplied to the supply terminal T2 for the input voltage 2.

第1入力電圧1の供給端子T1の5.5ボルトから20ボルトの電圧を有するワイヤレス給電の電源電圧またはAC−DC変換電源電圧はリニア・レギュレータ21241によって略5ボルトの出力電源電圧Voutに変換され、略5ボルトの出力電源電圧Voutは入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1のソースとゲート駆動回路21249とに供給される。尚、PチャネルMOSトランジスタMp1のソースとバックゲートとは短絡され、PチャネルMOSトランジスタMp1のバックゲートにはボディーダイオードd1のカソードが接続され、PチャネルMOSトランジスタMp1のドレインにはボディーダイオードd1のアノードが接続されている。   The power supply voltage or the AC-DC conversion power supply voltage of the wireless power supply having the voltage of 5.5 to 20 volts at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is converted into the output power supply voltage Vout of about 5 volts by the linear regulator 21241. The output power supply voltage Vout of about 5 volts is supplied to the source of the P-channel MOS transistor Mp1 of the input voltage selection switch 21242 and the gate drive circuit 21249. The source and back gate of the P channel MOS transistor Mp1 are short-circuited, the cathode of the body diode d1 is connected to the back gate of the P channel MOS transistor Mp1, and the anode of the body diode d1 is connected to the drain of the P channel MOS transistor Mp1. Is connected.

第2入力電圧2の供給端子T2に供給される5ボルトの電圧を有するUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧は、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp2のソースに供給される。尚、PチャネルMOSトランジスタMp2のソースとバックゲートとは短絡されて、PチャネルMOSトランジスタMp2のバックゲートにはボディーダイオードd2のカソードが接続され、PチャネルMOSトランジスタMp2のドレインにはボディーダイオードd2のアノードが接続されている。   The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 having a voltage of 5 volts supplied to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is supplied to the source of the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242. The source and back gate of the P channel MOS transistor Mp2 are short-circuited, the cathode of the body diode d2 is connected to the back gate of the P channel MOS transistor Mp2, and the body diode d2 is connected to the drain of the P channel MOS transistor Mp2. The anode is connected.

入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1のゲートはゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gによって駆動され、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp2のゲートはゲート駆動回路21249の第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gによって駆動される。電源投入時の以下に詳述するパワーオンリセット期間ではゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはともにローレベルに設定されるので、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはともにオン状態に制御される。   The gate of the P-channel MOS transistor Mp1 of the input voltage selection switch 21242 is driven by the first gate drive output signal Mp1_G of the gate drive circuit 21249, and the gate of the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 is the first gate drive circuit 21249. It is driven by a two-gate drive output signal Mp2_G. Since both the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G of the gate drive circuit 21249 are set to the low level in the power-on reset period described in detail below when the power is turned on, the input voltage selection switch 21242 is set. Both P channel MOS transistor Mp1 and P channel MOS transistor Mp2 are controlled to be in an on state.

電圧比較・選択回路21243はPチャネルMOSトランジスタMp3とPチャネルMOSトランジスタMp4と差動増幅器DA1とによって構成されることによって、第1ノードNode1の電圧と第2ノードNode2の電圧を比較して、第1ノードNode1の電圧と第2ノードNode2の電圧との高い電圧を選択して出力電圧Vccとして生成する。PチャネルMOSトランジスタMp3のボディーダイオードd3の電流通過方向とPチャネルMOSトランジスタMp4のボディーダイオードd4の電流通過方向は、第1入力電圧1の供給端子T1と第2入力電圧2の供給端子T2の間に逆流電流が通過しないように設定されたものである。   The voltage comparison / selection circuit 21243 includes the P-channel MOS transistor Mp3, the P-channel MOS transistor Mp4, and the differential amplifier DA1, thereby comparing the voltage of the first node Node1 with the voltage of the second node Node2. A voltage higher than the voltage of the first node Node1 and the voltage of the second node Node2 is selected and generated as the output voltage Vcc. The current passing direction of the body diode d3 of the P-channel MOS transistor Mp3 and the current passing direction of the body diode d4 of the P-channel MOS transistor Mp4 are between the supply terminal T1 for the first input voltage 1 and the supply terminal T2 for the second input voltage 2. The reverse current is set so as not to pass through.

すなわち、第1入力電圧1の供給端子T1が5.5ボルト〜20ボルトの高電圧レベルに設定されて第2入力電圧2の供給端子T2がゼロボルトの低電圧に設定される場合には、2個のPチャネルMOSトランジスタMp3、Mp4の共通接続ノードから第2入力電圧2の供給端子T2の方向に逆流電流が流れる可能性がある。しかしながら、図4の電圧比較・選択回路21243に示したPチャネルMOSトランジスタMp4に接続されたボディーダイオードd4の電流通過方向は、この逆流電流の通過を防止するものである。   That is, when the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is set to a high voltage level of 5.5 to 20 volts and the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is set to a low voltage of zero volts, 2 There is a possibility that a reverse current flows from the common connection node of the P channel MOS transistors Mp3 and Mp4 in the direction of the supply terminal T2 of the second input voltage 2. However, the current passage direction of the body diode d4 connected to the P-channel MOS transistor Mp4 shown in the voltage comparison / selection circuit 21243 in FIG. 4 prevents the passage of the reverse current.

更に、第1入力電圧1の供給端子T1がゼロボルトの低電圧レベルに設定され第2入力電圧2の供給端子T2が略5ボルトの高電圧に設定される場合には、2個のPチャネルMOSトランジスタMp3、Mp4の共通接続ノードから第1入力電圧1の供給端子T1の方向に逆流電流が流れる可能性がある。しかしながら、図4の電圧比較・選択回路21243に示したPチャネルMOSトランジスタMp3に接続されたボディーダイオードd3の電流通過方向は、この逆流電流の通過を防止するものである。   Further, when the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is set to a low voltage level of zero volts and the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is set to a high voltage of approximately 5 volts, two P-channel MOSs There is a possibility that a reverse current flows from the common connection node of the transistors Mp3 and Mp4 to the supply terminal T1 of the first input voltage 1. However, the current passage direction of the body diode d3 connected to the P-channel MOS transistor Mp3 shown in the voltage comparison / selection circuit 21243 in FIG. 4 prevents the passage of the reverse current.

尚、以下の説明におけるPチャネルMOSトランジスタMp3、Mp4のソースおよびドレインは、上述した2種類の逆流電流が流れず、第1入力電圧1の供給端子T1と第2入力電圧2の供給端子T2とのいずれか一方のみが高電圧に設定され他方が低電圧に設定された状態における定義である。   Note that the two types of backflow currents described above do not flow through the sources and drains of the P-channel MOS transistors Mp3 and Mp4 in the following description, and the supply terminal T1 for the first input voltage 1 and the supply terminal T2 for the second input voltage 2 This is a definition in a state in which only one of these is set to a high voltage and the other is set to a low voltage.

すなわち、第1ノードNode1はPチャネルMOSトランジスタMp3のソースと差動増幅器DA1の反転入力端子−とボディーダイオードd3のアノードに接続され、PチャネルMOSトランジスタMp3のドレインとバックゲートとは短絡される。ボディーダイオードd3のカソードは、PチャネルMOSトランジスタMp3の短絡されたドレインとバックゲートとに接続される。第2ノードNode2はPチャネルMOSトランジスタMp4のソースと差動増幅器DA1の非反転入力端子+とボディーダイオードd4のアノードに接続されて、PチャネルMOSトランジスタMp3のドレインとバックゲートとは短絡される。ボディーダイオードd4のカソードは、PチャネルMOSトランジスタMp4の短絡されたドレインとバックゲートとに接続される。差動増幅器DA1の非反転出力端子+と反転出力端子−とはPチャネルMOSトランジスタMp3のゲートとPチャネルMOSトランジスタMp4のゲートとそれぞれ接続されて、PチャネルMOSトランジスタMp3のドレインとPチャネルMOSトランジスタMp4のドレインとは共通接続され出力電圧Vccを生成する。   That is, the first node Node1 is connected to the source of the P channel MOS transistor Mp3, the inverting input terminal of the differential amplifier DA1, and the anode of the body diode d3, and the drain and back gate of the P channel MOS transistor Mp3 are short-circuited. The cathode of body diode d3 is connected to the short-circuited drain and back gate of P-channel MOS transistor Mp3. The second node Node2 is connected to the source of the P channel MOS transistor Mp4, the non-inverting input terminal + of the differential amplifier DA1, and the anode of the body diode d4, so that the drain and back gate of the P channel MOS transistor Mp3 are short-circuited. The cathode of body diode d4 is connected to the shorted drain and back gate of P-channel MOS transistor Mp4. The non-inverting output terminal + and the inverting output terminal − of the differential amplifier DA1 are connected to the gate of the P channel MOS transistor Mp3 and the gate of the P channel MOS transistor Mp4, respectively, and the drain of the P channel MOS transistor Mp3 and the P channel MOS transistor. The drain of Mp4 is commonly connected to generate an output voltage Vcc.

電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccは、差動増幅器DA1と第1基準電圧発生回路Ref_Gen1と第1バッファ回路BA1と第2バッファ回路BA2とに動作電源電圧として供給される。   The output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243 is supplied as an operation power supply voltage to the differential amplifier DA1, the first reference voltage generation circuit Ref_Gen1, the first buffer circuit BA1, and the second buffer circuit BA2.

第1基準電圧発生回路Ref_Gen1は、電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccを動作電源電圧として動作することによって、基準電圧VREFを生成する。 The first reference voltage generating circuit Ref_Gen1, by operating the output voltage Vcc from the voltage comparison and selection circuit 21243 as an operating power supply voltage, generates a reference voltage V REF.

第1バッファ回路BA1と第2バッファ回路BA2は、第1基準電圧発生回路Ref_Gen1から生成される基準電圧VREFに応答して、基準電圧VREFの電圧レベルに比例したアナログ回路電源電圧AVDDとデジタル回路電源電圧DVDDとをそれぞれ生成する。 The first buffer circuit BA1 and the second buffer circuit BA2 are responsive to the reference voltage V REF generated from the first reference voltage generation circuit Ref_Gen1, and the analog circuit power supply voltage AV DD proportional to the voltage level of the reference voltage V REF A digital circuit power supply voltage DV DD is generated.

パワーオンリセット回路21244は、第2基準電圧発生回路Ref_Gen2と差動増幅器DA2と抵抗Rpと容量Cpと第3バッファ回路BA3とによって構成される。パワーオンリセット回路21244の第2基準電圧発生回路Ref_Gen2と差動増幅器DA2には第2バッファ回路BA2により生成されるデジタル回路電源電圧DVDDが供給され、差動増幅器DA2の非反転入力端子+と反転入力端子−とにデジタル回路電源電圧DVDDと第2基準電圧発生回路Ref_Gen2から生成される基準電圧VBBとがそれぞれ供給される。 The power-on reset circuit 21244 includes a second reference voltage generation circuit Ref_Gen2, a differential amplifier DA2, a resistor Rp, a capacitor Cp, and a third buffer circuit BA3. The second reference voltage generation circuit Ref_Gen2 of the power-on reset circuit 21244 and the differential amplifier DA2 are supplied with the digital circuit power supply voltage DV DD generated by the second buffer circuit BA2, and the non-inverting input terminal + of the differential amplifier DA2 The digital circuit power supply voltage DV DD and the reference voltage V BB generated from the second reference voltage generation circuit Ref_Gen 2 are supplied to the inverting input terminal −.

パワーオンリセット回路21244の差動増幅器DA2の出力電圧は抵抗Rpの一端に供給されて、抵抗Rpの他端は容量Cpの一端と第3バッファ回路BA3の入力端子とに接続されて、容量Cpの他端は接地電位に接続される。パワーオンリセット期間に第3バッファ回路BA3から生成されるローレベルのパワーオンリセット信号PORは、制御ロジック回路21245の反転リセット入力端子/Resetと入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の反転リセット入力端子/Resetとに供給される。   The output voltage of the differential amplifier DA2 of the power-on reset circuit 21244 is supplied to one end of the resistor Rp, and the other end of the resistor Rp is connected to one end of the capacitor Cp and the input terminal of the third buffer circuit BA3. Is connected to the ground potential. The low-level power-on reset signal POR generated from the third buffer circuit BA3 during the power-on reset period is the inverted reset input terminal / Reset of the control logic circuit 21245 and the inverted reset input terminal / of the input voltage selection switch control logic circuit 21246. Supplied to Reset.

電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccと第2バッファ回路BA2からのデジタル回路電源電圧DVDDとが供給されるクロック発生回路21247から生成されるクロック信号は、制御ロジック回路21245のクロック入力端子CLKと入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のクロック入力端子CLKとに供給される。 The clock signal generated from the clock generation circuit 21247 to which the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243 and the digital circuit power supply voltage DV DD from the second buffer circuit BA2 are supplied is the clock input terminal of the control logic circuit 21245. CLK and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 are supplied to the clock input terminal CLK.

入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245は、図2に示した半導体集積回路212の全体の動作を制御する。すなわち、図4に示す入力電圧選択回路2124に接続されたアナログ回路2128は、図2に示した半導体集積回路212の降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122とUSB種別検出回路2123と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127とのアナログ回路を含んだものである。従って、これらのアナログ回路の動作は、全て図4に示した入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245によって制御される。尚、アナログ回路2128には、電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccと第1バッファ回路BA1からのアナログ回路電源電圧AVDDとが供給される。 A control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 controls the overall operation of the semiconductor integrated circuit 212 shown in FIG. That is, the analog circuit 2128 connected to the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 4 includes the step-down DC-DC converter 2121, the linear regulator 2122, the USB type detection circuit 2123, and the built-in regulator of the semiconductor integrated circuit 212 shown in FIG. An analog circuit of 2126 and a gate drive control circuit 2127 is included. Therefore, the operations of these analog circuits are all controlled by the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. The analog circuit 2128 is supplied with the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243 and the analog circuit power supply voltage AV DD from the first buffer circuit BA1.

更に入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の動作も、同様に図4に示した入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245によって制御される。   Further, the operation of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is similarly controlled by the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG.

また更に、図2に示したスイッチSW1、SW2、SW3、SW4と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127の動作も、同様に図4に示した入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245によって制御される。   Furthermore, the operations of the switches SW1, SW2, SW3, SW4, the built-in regulator 2126, and the gate drive control circuit 2127 shown in FIG. 2 are similarly controlled by the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. The

入力電圧検出回路21248には、電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccと第1バッファ回路BA1からのアナログ回路電源電圧AVDDとが供給される。パワーオンリセット期間の経過後において入力電圧検出回路21248は、第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電またはAC−DC変換の電源電圧の電圧レベルと第2入力電圧2の供給端子T2のUSB電源電圧の電圧レベルを検出する。その結果、入力電圧検出回路21248からの2ビットの電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2は、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とに供給される。すなわち、電圧検出出力信号Vdet1は第1入力電圧1の供給端子T1へのワイヤレス給電またはAC−DC変換の電源電圧の供給有無を検出したものであり、また電圧検出出力信号Vdet2は第2入力電圧2の供給端子T2へのUSB電源電圧の供給有無を検出したものである。 The input voltage detection circuit 21248 is supplied with the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243 and the analog circuit power supply voltage AV DD from the first buffer circuit BA1. After the elapse of the power-on reset period, the input voltage detection circuit 21248 has the power level of the power supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 or the power supply voltage of the AC-DC conversion and the USB of the supply terminal T2 of the second input voltage 2. The voltage level of the power supply voltage is detected. As a result, the 2-bit voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 from the input voltage detection circuit 21248 are supplied to the control logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246. That is, the voltage detection output signal Vdet1 is obtained by detecting whether or not the power supply voltage for wireless power feeding or AC-DC conversion is supplied to the supply terminal T1 of the first input voltage 1, and the voltage detection output signal Vdet2 is the second input voltage. In this case, it is detected whether or not the USB power supply voltage is supplied to the second supply terminal T2.

パワーオンリセット期間の経過後に、2ビットの電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答した入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の出力信号によってゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとの一方と他方とがそれぞれローレベルとハイレベルに設定され、使用電源の自動選択が実行される。   After the power-on reset period, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive of the gate drive circuit 21249 are output by the output signal of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 in response to the 2-bit voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2. One and the other of the output signal Mp2_G are set to a low level and a high level, respectively, and automatic selection of the power source to be used is executed.

ハイレベルの電圧検出出力信号Vdet1によって第1入力電圧1の供給端子T1への電源電圧の供給が検出され、ローレベルの電圧検出出力信号Vdet2によって第2入力電圧2の供給端子T2への電源電圧の非供給が検出された場合を想定する。この場合には、レベルの相違する電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答して制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオン状態に制御する一方、スイッチSW3をオフ状態に制御する。その結果、第1入力電圧1の供給端子T1からの供給電圧が、降圧DC−DCコンバータ2121とスイッチSW2とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。更にこの場合には、ゲート駆動回路21249は、第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとをそれぞれローレベルとハイレベルとに設定する。更に電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2よりも高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。   The supply of the power supply voltage to the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is detected by the high level voltage detection output signal Vdet1, and the power supply voltage to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is detected by the low level voltage detection output signal Vdet2. Assume that a non-supply of is detected. In this case, in response to the voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 having different levels, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 in the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. On the other hand, the switch SW3 is controlled to be turned off. As a result, the supply voltage from the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is used for charging the secondary battery 26 via the step-down DC-DC converter 2121, the switch SW2, and the P-channel MOS transistor Mp0, and also on the power receiving side. Used to supply power to the system 3. Furthermore, in this case, the gate drive circuit 21249 sets the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G to a low level and a high level, respectively. Further, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 of the first node Node1 is voltage comparison / selection. It is generated as the output voltage Vcc of the circuit 21243.

ローレベルの電圧検出出力信号Vdet1によって第1入力電圧1の供給端子T1への電源電圧の非供給が検出され、ハイレベルの電圧検出出力信号Vdet2によって第2入力電圧2の供給端子T2への電源電圧の供給が検出された場合を想定する。この場合には、レベルの相違する電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答して制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオフ状態に制御する一方、スイッチSW3をオン状態に制御する。その結果、第2入力電圧2の供給端子T2からの供給電圧が、スイッチSW3とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。更にこの場合には、ゲート駆動回路21249は、第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとをそれぞれハイレベルとローレベルとに設定する。更に電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1よりも高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。   The low-level voltage detection output signal Vdet1 detects the non-supply of the power supply voltage to the supply terminal T1 of the first input voltage 1, and the high-level voltage detection output signal Vdet2 detects the power supply to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 Assume that a voltage supply is detected. In this case, in response to the voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 having different levels, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. On the other hand, the switch SW3 is controlled to be on. As a result, the supply voltage from the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is used for charging the secondary battery 26 via the switch SW3 and the P-channel MOS transistor Mp0, and for supplying power to the power receiving system 3. used. Furthermore, in this case, the gate drive circuit 21249 sets the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G to a high level and a low level, respectively. Further, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 of the second node Node2 is voltage comparison / selection. It is generated as the output voltage Vcc of the circuit 21243.

入力電圧検出回路21248の2ビットの電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2により第1入力電圧1の供給端子T1へのワイヤレス給電またはAC−DC変換の電源電圧の供給と第2入力電圧2の供給端子T2へのUSB電源電圧の供給とが同時に検出された場合を、想定する。この場合には、ともにハイレベルである電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答して制御ロジック回路21245は、リニア・レギュレータ21241の略5ボルトの出力電源電圧Voutの電圧レベルを調整する。   The power supply voltage for the wireless power feeding or AC-DC conversion to the supply terminal T1 of the first input voltage 1 and the supply terminal T2 of the second input voltage 2 by the 2-bit voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248 Assume that the USB power supply voltage is simultaneously detected. In this case, the control logic circuit 21245 adjusts the voltage level of the output power supply voltage Vout of approximately 5 volts of the linear regulator 21241 in response to the voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 which are both at the high level.

すなわち、同時に検出された第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧より優先される場合には、リニア・レギュレータ21241の略5ボルトの出力電源電圧Voutを第2入力電圧2の供給端子T2に供給される5ボルトの電圧を有するUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧よりも高い例えば5.2ボルトに設定する。更に、制御ロジック回路21245によって制御されるゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはローレベルとハイレベルとにそれぞれ設定される。その結果、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2よりも高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。更に制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオン状態に制御する一方、スイッチSW3をオフ状態に制御する。その結果、第1入力電圧1の供給端子T1からの供給電圧が、降圧DC−DCコンバータ2121とスイッチSW2とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。   That is, when the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 detected simultaneously has priority over the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2, the output power supply of about 5 volts of the linear regulator 21241. The voltage Vout is set to, for example, 5.2 volts, which is higher than the USB power supply voltage of the USB connection interface 23 having a voltage of 5 volts supplied to the supply terminal T2 of the second input voltage 2. Further, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G of the gate drive circuit 21249 controlled by the control logic circuit 21245 are set to a low level and a high level, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 of the first node Node1 is compared with the voltage. Generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243 Further, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 in the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to be in an on state, and controls the switch SW3 to be in an off state. As a result, the supply voltage from the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is used for charging the secondary battery 26 via the step-down DC-DC converter 2121, the switch SW2, and the P-channel MOS transistor Mp0, and also on the power receiving side. Used to supply power to the system 3.

それと反対に、同時に検出された第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧よりも第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が優先される場合には、リニア・レギュレータ21241の略5ボルトの出力電源電圧Voutを第2入力電圧2の供給端子T2に供給される5ボルトの電圧を有するUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧よりも低い例えば4.8ボルトに設定する。更に、制御ロジック回路21245によって制御されるゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはハイレベルとローレベルとにそれぞれ設定される。その結果、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1よりも高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。更に制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオフ状態に制御する一方、スイッチSW3をオン状態に制御する。その結果、第2入力電圧2の供給端子T2からの供給電圧が、スイッチSW3とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。   On the other hand, when the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is prioritized over the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 detected simultaneously, the linear regulator 21241 has approximately 5 volts. The output power supply voltage Vout is set to, for example, 4.8 volts, which is lower than the USB power supply voltage of the USB connection interface 23 having a voltage of 5 volts supplied to the supply terminal T2 of the second input voltage 2. Further, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G of the gate drive circuit 21249 controlled by the control logic circuit 21245 are set to a high level and a low level, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 of the second node Node2 is compared with the voltage. Generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243 Further, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to the off state, and controls the switch SW3 to the on state. As a result, the supply voltage from the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is used for charging the secondary battery 26 via the switch SW3 and the P-channel MOS transistor Mp0, and for supplying power to the power receiving system 3. used.

一方、パワーオンリセット期間の経過以前では、ローレベルのパワーオンリセット信号PORに応答した入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の出力信号によって、ゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはともにローレベルに設定される。その結果、入力電圧選択スイッチ21242に含まれたPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とは、ともにオン状態に制御される。   On the other hand, before the elapse of the power-on reset period, the first gate drive output signal Mp1_G of the gate drive circuit 21249 and the second output signal of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 in response to the low-level power-on reset signal POR. Both the gate drive output signal Mp2_G are set to a low level. As a result, both P channel MOS transistor Mp1 and P channel MOS transistor Mp2 included in input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an on state.

図4に示した入力電圧選択回路2124のパワーオンリセット補助回路2124Xは、第3基準電圧発生回路Ref_Gen3と第4基準電圧発生回路Ref_Gen4と2個の差動増幅器DA3、DA4と2個のNチャネルMOSトランジスタMn1、Mn2とによって構成されている。   The power-on reset auxiliary circuit 2124X of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 4 includes a third reference voltage generation circuit Ref_Gen3, a fourth reference voltage generation circuit Ref_Gen4, two differential amplifiers DA3 and DA4, and two N channels. MOS transistors Mn1 and Mn2 are used.

第1入力電圧1の供給端子T1の電源電圧は、リニア・レギュレータ21241と入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とを介して、パワーオンリセット補助回路2124Xの第4基準電圧発生回路Ref_Gen4と差動増幅器DA4とに動作電源電圧として供給される。尚、第1入力電圧1の供給端子T1の電源電圧は、送電回路1からのワイヤレス給電の電源電圧またはAC電源接続インターフェース24からのAC−DC変換の電源電圧である。第4基準電圧発生回路Ref_Gen4は、第1入力電圧1の供給端子T1の電源電圧を動作電源電圧として動作することによって基準電圧を生成する。差動増幅器DA4の反転入力端子−と非反転入力端子+とにデジタル回路電源電圧DVDDと第4基準電圧発生回路Ref_Gen4から生成される基準電圧とがそれぞれ供給され、差動増幅器DA4の出力端子はNチャネルMOSトランジスタMn2のゲートに供給される。NチャネルMOSトランジスタMn2のソースとドレインは、接地電位とパワーオンリセット回路21244の抵抗Rpと容量Cpの共通接続ノードとにそれぞれ接続されている。 The power supply voltage at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is supplied to the fourth reference voltage generation circuit Ref_Gen4 of the power-on reset auxiliary circuit 2124X via the linear regulator 21241 and the P-channel MOS transistor Mp1 of the input voltage selection switch 21242. An operating power supply voltage is supplied to the differential amplifier DA4. The power supply voltage at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is a power supply voltage for wireless power feeding from the power transmission circuit 1 or a power supply voltage for AC-DC conversion from the AC power connection interface 24. The fourth reference voltage generation circuit Ref_Gen4 generates the reference voltage by operating with the power supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 as the operation power supply voltage. The digital circuit power supply voltage DV DD and the reference voltage generated from the fourth reference voltage generation circuit Ref_Gen4 are respectively supplied to the inverting input terminal − and the non-inverting input terminal + of the differential amplifier DA4, and the output terminal of the differential amplifier DA4. Is supplied to the gate of the N-channel MOS transistor Mn2. The source and drain of the N-channel MOS transistor Mn2 are connected to the ground potential and a common connection node of the resistor Rp and the capacitor Cp of the power-on reset circuit 21244, respectively.

また第2入力電圧2の供給端子T2の電源電圧は、パワーオンリセット補助回路2124Xの第3基準電圧発生回路Ref_Gen3と差動増幅器DA3とに動作電源電圧として供給される。尚、第2入力電圧2の供給端子T2の電源電圧は、USB接続インターフェース23からの電源電圧である。第3基準電圧発生回路Ref_Gen3は、第2入力電圧2の供給端子T2の電源電圧を動作電源電圧として動作することによって基準電圧を生成する。差動増幅器DA3の反転入力端子−と非反転入力端子+とにデジタル回路電源電圧DVDDと第3基準電圧発生回路Ref_Gen3から生成される基準電圧とがそれぞれ供給され、差動増幅器DA4の出力端子はNチャネルMOSトランジスタMn1のゲートに供給される。NチャネルMOSトランジスタMn1のソースとドレインとは、接地電位とパワーオンリセット回路21244の抵抗Rpと容量Cpの共通接続ノードとにそれぞれ接続されている。 The power supply voltage at the supply terminal T2 for the second input voltage 2 is supplied as the operation power supply voltage to the third reference voltage generation circuit Ref_Gen3 and the differential amplifier DA3 of the power-on reset auxiliary circuit 2124X. The power supply voltage of the supply terminal T2 for the second input voltage 2 is the power supply voltage from the USB connection interface 23. The third reference voltage generation circuit Ref_Gen3 generates the reference voltage by operating with the power supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 as the operation power supply voltage. The digital circuit power supply voltage DV DD and the reference voltage generated from the third reference voltage generation circuit Ref_Gen3 are respectively supplied to the inverting input terminal − and the non-inverting input terminal + of the differential amplifier DA3, and the output terminal of the differential amplifier DA4. Is supplied to the gate of the N-channel MOS transistor Mn1. The source and drain of the N-channel MOS transistor Mn1 are connected to the ground potential and the common connection node of the resistor Rp and the capacitor Cp of the power-on reset circuit 21244, respectively.

図4に示した入力電圧選択回路2124のパワーオンリセット補助回路2124Xの内部では、第3基準電圧発生回路Ref_Gen3と差動増幅器DA3とNチャネルMOSトランジスタMn1とは、USB給電の優先順位よりワイヤレス給電の優先順位が高く設定された場合でのワイヤレス給電の停電を検出する。尚、制御ロジック回路21245の内部では、USB給電の優先順位よりワイヤレス給電の優先順位が高く設定されたものである。   In the power-on reset auxiliary circuit 2124X of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 4, the third reference voltage generation circuit Ref_Gen3, the differential amplifier DA3, and the N-channel MOS transistor Mn1 are wirelessly fed in accordance with the priority of USB feeding. Detects a wireless power failure when the priority is set high. In the control logic circuit 21245, the priority of wireless power feeding is set higher than the priority of USB power feeding.

図4に示した入力電圧選択回路2124のパワーオンリセット補助回路2124Xの内部では、第4基準電圧発生回路Ref_Gen4と差動増幅器DA4とNチャネルMOSトランジスタMn2とは、ワイヤレス給電の優先順位よりUSB給電の優先順位が高く設定された場合でのUSB給電の停電を検出する。尚、制御ロジック回路21245の内部では、ワイヤレス給電の優先順位よりUSB給電の優先順位が高く設定されたものである。   In the power-on reset auxiliary circuit 2124X of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 4, the fourth reference voltage generation circuit Ref_Gen4, the differential amplifier DA4, and the N-channel MOS transistor Mn2 are powered by USB in accordance with the priority of wireless power feeding. The power failure of the USB power supply is detected when the priority order of is set high. In the control logic circuit 21245, the USB power feeding priority is set higher than the wireless power feeding priority.

《本発明の比較参考例による動作説明波形図》
図5は、図4に示した本発明の比較参考例による入力電圧選択回路2124の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。
<< Explanation of operation waveforms according to comparative example of the present invention >>
FIG. 5 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining the operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the comparative reference example of the present invention shown in FIG.

図5に示すように、期間T1では、最初に第1入力電圧1の供給端子T1への電源電圧の供給により第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の上昇が開始される。ワイヤレス給電の電源電圧が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧選択回路21248の電圧検出出力信号Vdet1がローレベルからハイレベルに変化する。   As shown in FIG. 5, in the period T1, the power supply voltage of the wireless power feeding of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is first started by the supply of the power supply voltage to the supply terminal T1 of the first input voltage 1. . When the power supply voltage of the wireless power supply reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet1 of the input voltage selection circuit 21248 changes from the low level to the high level.

ワイヤレス電源電圧の上昇に応答して、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇が開始される。更に、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇に応答して、第2バッファ回路BA2から生成されるデジタル回路電源電圧DVDDの上昇が開始される。このデジタル回路電源電圧DVDDが第2基準電圧発生回路Ref_Gen2の基準電圧VBBに対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット回路21244の差動増幅器DA2の出力がローレベルからハイレベルに変化して、時定数回路の抵抗Rpと容量Cpの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが第3バッファ回路BA3のしきい値電圧に対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号PORがローレベルからハイレベルに変化して、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のパワーオンリセット動作が終了される。 In response to the increase of the wireless power supply voltage, the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243 starts to increase. Further, in response to the increase in the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, the increase in the digital circuit power supply voltage DV DD generated from the second buffer circuit BA2 is started. When the digital circuit power supply voltage DV DD reaches the detection threshold voltage corresponding to the reference voltage V BB of the second reference voltage generating circuit Ref_Gen2, power on the output is at a high level from the low level of the differential amplifier DA2 of the reset circuit 21244 Then, a power-on reset period is started by charging the resistor Rp and the capacitor Cp of the time constant circuit. When the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit reaches the detection threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the third buffer circuit BA3, the power-on reset signal POR changes from the low level to the high level, and the control is performed. The power-on reset operation of the logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is finished.

パワーオンリセット動作の終了によって期間T2では、入力電圧選択回路21248は入力電圧選択回路21248のハイレベルの電圧検出出力信号Vdet1とローレベルの電圧検出出力信号Vdet2とに応答するものである。従って、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とゲート駆動回路21249による制御によって、第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはローレベルとハイレベルにそれぞれ設定される。従って、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御されるので、USB給電はオフ状態に制御され、ワイヤレス給電はオン状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。   The input voltage selection circuit 21248 responds to the high level voltage detection output signal Vdet1 and the low level voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage selection circuit 21248 in the period T2 by the end of the power-on reset operation. Accordingly, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G are set to a low level and a high level, respectively, under the control of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 and the gate drive circuit 21249. Accordingly, the P-channel MOS transistor Mp1 and the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an on state and an off state, respectively, so that USB power feeding is controlled to an off state and wireless power feeding is controlled to an on state. And automatic selection of the power source to be used is executed.

この状態で、期間T2の最後に第2入力電圧2の供給端子T2の電源電圧の供給によって、第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧の上昇が開始される。その結果、USB給電の電源電圧の上昇が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧選択回路21248の電圧検出出力信号Vdet2がローレベルからハイレベルに変化する。   In this state, by the supply of the power supply voltage at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 at the end of the period T2, the increase of the power supply voltage for USB power supply at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is started. As a result, when the increase in the power supply voltage for USB power supply reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage selection circuit 21248 changes from the low level to the high level.

期間T2の最後のタイミングでは、入力電圧選択回路21248からはハイレベルの両方の電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2が生成されている。しかし、制御ロジック回路21245の内部ではUSB給電の優先順位よりワイヤレス給電の優先順位が高く設定されているので、期間T2の最後のタイミングではゲート駆動回路21249からローレベルの第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gとハイレベルの第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gが生成されている。その結果、入力電圧選択スイッチ21242では、PチャネルMOSトランジスタMp1はオン状態に維持される一方、PチャネルMOSトランジスタMp2はオフ状態に維持されているので、第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧が電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccとして選択される。   At the last timing of the period T2, the input voltage selection circuit 21248 generates both high-level voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2. However, since the priority of the wireless power supply is set higher than the priority of the USB power supply in the control logic circuit 21245, the low-level first gate drive output signal Mp1_G is output from the gate drive circuit 21249 at the final timing of the period T2. And a high-level second gate drive output signal Mp2_G is generated. As a result, in the input voltage selection switch 21242, the P-channel MOS transistor Mp1 is maintained in the on state, while the P-channel MOS transistor Mp2 is maintained in the off state. The power supply voltage for power supply is selected as the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243.

しかし、図5に示すように、期間T2と期間T3との切り替わりタイミングにおいて、高い方の優先順序に設定された第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の停電が発生する。この停電直後のタイミングにおいて、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはオン状態とオフ状態とにそれぞれ設定されている。従って、停電による第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の低下が、オン状態のPチャネルMOSトランジスタMp1を介して、電圧比較・選択回路21243の第1ノードNode1に伝達されるものとなる。一方、電圧比較・選択回路21243の第2ノードNode2は接地電位であるので、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2と比較して高レベルである第1ノードNode1に伝達された第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の低下を出力電圧Vccとして出力する。   However, as shown in FIG. 5, at the switching timing between the period T2 and the period T3, a power failure occurs in the power supply voltage of the wireless power supply of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 set in the higher priority order. At the timing immediately after the power failure, the P-channel MOS transistor Mp1 and the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 are set to an on state and an off state, respectively. Therefore, a drop in the power supply voltage of the wireless power supply at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 due to the power failure is transmitted to the first node Node1 of the voltage comparison / selection circuit 21243 via the P-channel MOS transistor Mp1 in the on state. It will be a thing. On the other hand, since the second node Node2 of the voltage comparison / selection circuit 21243 is at the ground potential, the voltage comparison / selection circuit 21243 receives the first input transmitted to the first node Node1 which is at a higher level than the second node Node2. A drop in the power supply voltage of the wireless power feeding at the supply terminal T1 of the voltage 1 is output as the output voltage Vcc.

従って、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの低下に応答して、第2バッファ回路BA2のデジタル回路電源電圧DVDDが低下するので、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcと第3バッファ回路のパワーオンリセット信号PORとが若干低下する。その結果、パワーオンリセット補助回路2124Xの差動増幅器DA3の反転入力端子−のデジタル回路電源電圧DVDDが非反転入力端子+に供給される第3基準電圧発生回路Ref_Gen3の基準電圧よりも低レベルとなるので、差動増幅器DA3の出力信号がローレベルからハイレベルに変化する。 Accordingly, the digital circuit power supply voltage DV DD of the second buffer circuit BA2 decreases in response to the decrease of the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, so that the terminal of the capacitor Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 The voltage Vc and the power-on reset signal POR of the third buffer circuit are slightly reduced. As a result, the digital circuit power supply voltage DV DD at the inverting input terminal − of the differential amplifier DA3 of the power-on reset auxiliary circuit 2124X is lower than the reference voltage of the third reference voltage generating circuit Ref_Gen3 supplied to the non-inverting input terminal +. Therefore, the output signal of the differential amplifier DA3 changes from low level to high level.

従って、パワーオンリセット補助回路2124XのNチャネルMOSトランジスタMn1がオフ状態からオン状態となるので、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpがオン状態のNチャネルMOSトランジスタMn1を介して接地電位に放電される。その結果、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcと第3バッファ回路のパワーオンリセット信号PORが接地電位であるローレベルに変化するので、ローレベルのパワーオンリセット信号PORの反転リセット入力端子/Resetへの供給により制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とがリセットされる。従って、パワーオンリセット期間が再開されて、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の出力信号に応答してゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gの両者はローレベルに設定される。その結果、入力電圧選択スイッチ21242に含まれたPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2の両者は、オン状態に制御される。   Accordingly, since the N-channel MOS transistor Mn1 of the power-on reset auxiliary circuit 2124X changes from the off state to the on-state, the capacitor Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 is grounded via the N-channel MOS transistor Mn1 in the on state. Discharged. As a result, since the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 and the power-on reset signal POR of the third buffer circuit change to the low level which is the ground potential, the low-level power-on reset signal POR Is supplied to the inverting reset input terminal / Reset, the control logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 are reset. Accordingly, the power-on reset period is resumed, and both the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G of the gate drive circuit 21249 are low in response to the output signal of the input voltage selection switch control logic circuit 21246. Set to level. As a result, both P-channel MOS transistor Mp1 and P-channel MOS transistor Mp2 included in input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an on state.

その結果、ワイヤレス給電の停電の期間T3においては、第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の高レベルの電源電圧が、入力電圧選択スイッチ21242でオン状態に制御されたPチャネルMOSトランジスタMp2を介して、電圧比較・選択回路21243の第2ノードNode2に伝達されるものとなる。一方、電圧比較・選択回路21243の第1ノードNode1は接地電位であるので、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1と比較して高レベルである第2ノードNode2に伝達された第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の高レベルの電源電圧を出力電圧Vccとして出力する。   As a result, during the power failure period T3 of the wireless power supply, the P-channel MOS transistor Mp2 in which the USB power supply high-level power supply voltage at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is controlled to be turned on by the input voltage selection switch 21242. Is transmitted to the second node Node2 of the voltage comparison / selection circuit 21243. On the other hand, since the first node Node1 of the voltage comparison / selection circuit 21243 is at the ground potential, the voltage comparison / selection circuit 21243 receives the second input transmitted to the second node Node2 that is at a higher level than the first node Node1. The USB power supply high level power supply voltage at the voltage 2 supply terminal T2 is output as the output voltage Vcc.

従って、電圧比較・選択回路21243の高レベルの出力電圧Vccに応答して、第2バッファ回路BA2のデジタル回路電源電圧DVDDも上昇するので、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが上昇する。 Accordingly, in response to the high level output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, the digital circuit power supply voltage DV DD of the second buffer circuit BA2 also rises, so that the capacitance Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 is increased. The terminal voltage Vc increases.

時定数回路の抵抗Rpと容量Cpの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが第3バッファ回路BA3のしきい値電圧に対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号PORがローレベルからハイレベルに変化して制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のパワーオンリセット動作が終了される。   A power-on reset period is started by charging the resistor Rp and the capacitor Cp of the time constant circuit. When the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit reaches the detection threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the third buffer circuit BA3, the power-on reset signal POR changes from the low level to the high level, and the control logic The power-on reset operation of the circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is terminated.

再開されたパワーオンリセット動作の終了により期間T4では、入力電圧選択回路21248はローレベルの電圧検出出力信号Vdet1とハイレベルの電圧検出出力信号Vdet2とを生成するものである。従って、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とゲート駆動回路21249による制御によって、第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはハイレベルとローレベルにそれぞれ設定される。従って、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはオフ状態とオン状態とにそれぞれ制御されるので、ワイヤレス給電はオフ状態に制御され、USB給電はオン状態に制御されて、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択が実行されるものである。   The input voltage selection circuit 21248 generates the low-level voltage detection output signal Vdet1 and the high-level voltage detection output signal Vdet2 in the period T4 due to the end of the restarted power-on reset operation. Accordingly, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G are set to a high level and a low level, respectively, under the control of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 and the gate drive circuit 21249. Accordingly, since the P-channel MOS transistor Mp1 and the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an off state and an on state, respectively, wireless power feeding is controlled to an off state and USB power feeding is controlled to an on state. Thus, automatic selection is performed in which a power source to be used is selected again from a plurality of power sources in response to a power failure.

しかし、図5に示した入力電圧選択回路2124の動作では、ワイヤレス給電の停電の期間T3のパワーオンリセット期間の再開によるローレベルのパワーオンリセット信号PORによって入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246がリセットされるものである。特に、制御ロジック回路21245は、図4のアナログ回路2128(図2に示した半導体集積回路212の降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122とUSB種別検出回路2123と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127)を制御する。また、制御ロジック回路21245は、図2のスイッチSW1、SW2、SW3、SW4と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127の動作も制御する一方、マイクロコントローラユニット(MCU)22と受電システム3とシリアル通信を実行する外部インターフェース2125の動作も制御する。   However, in the operation of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 5, the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 by the low-level power-on reset signal POR due to the restart of the power-on reset period in the power failure period T3 of the wireless power feeding. The input voltage selection switch control logic circuit 21246 is reset. In particular, the control logic circuit 21245 includes the analog circuit 2128 of FIG. 4 (step-down DC-DC converter 2121, linear regulator 2122, USB type detection circuit 2123, built-in regulator 2126, and gate drive control of the semiconductor integrated circuit 212 shown in FIG. The circuit 2127) is controlled. The control logic circuit 21245 also controls the operations of the switches SW1, SW2, SW3, and SW4, the built-in regulator 2126, and the gate drive control circuit 2127 in FIG. 2, while serially communicating with the microcontroller unit (MCU) 22 and the power receiving system 3. It also controls the operation of the external interface 2125 that executes.

従って、入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245のリセットにより上述した種々の被制御回路の制御情報がリセットされるが、初期設定情報はフラッシュメモリ等の不揮発性メモリに格納されたブートプログラムから再ロードする必要がある。一方、不揮発性メモリ等にバックアップされていない制御情報は回復不可能であるので、種々の被制御回路の動作再開によってやっと制御情報が入手可能となるものである。   Therefore, resetting the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 resets the control information of the various controlled circuits described above, but the initial setting information is restored from a boot program stored in a nonvolatile memory such as a flash memory. Need to load. On the other hand, since the control information that is not backed up in the nonvolatile memory or the like cannot be recovered, the control information can finally be obtained by restarting the operation of various controlled circuits.

《本発明の比較参考例による他の動作波形》
図6は、図4に示した本発明の比較参考例による入力電圧選択回路2124の他の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。
<< Other operation waveforms according to comparative example of the present invention >>
FIG. 6 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining another operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the comparative reference example of the present invention shown in FIG.

すなわち、図6は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245の内部でワイヤレス給電の優先順位よりUSB給電の優先順位が高く設定された場合のUSB給電の停電での入力電圧選択回路2124の各部の波形を示すものである。   That is, FIG. 6 shows that the USB power supply priority is set higher than the wireless power supply priority in the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 of the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. The waveform of each part of the input voltage selection circuit 2124 at the time of USB power failure is shown.

図6に示すように、期間T1では、最初に第2入力電圧2の供給端子T2への電源電圧の供給により第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧の上昇が開始される。USB給電の電源電圧が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧選択回路21248の電圧検出出力信号Vdet2がローレベルからハイレベルに変化する。   As shown in FIG. 6, in the period T1, the supply of the power supply voltage of the USB power supply to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is first started by the supply of the power supply voltage to the supply terminal T2 of the second input voltage 2. . When the USB power supply voltage reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage selection circuit 21248 changes from the low level to the high level.

USB電源電圧の上昇に応答して、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇が開始される。更に電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇に応答して、第2バッファ回路BA2から生成されるデジタル回路電源電圧DVDDの上昇が開始される。このデジタル回路電源電圧DVDDが第2基準電圧発生回路Ref_Gen2の基準電圧VBBに対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット回路21244の差動増幅器DA2の出力がローレベルからハイレベルに変化して、時定数回路の抵抗Rpと容量Cpの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが第3バッファ回路BA3のしきい値電圧に対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号PORがローレベルからハイレベルに変化して、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のパワーオンリセット動作が終了される。 In response to the rise of the USB power supply voltage, the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243 starts to rise. Further, in response to the increase of the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, the increase of the digital circuit power supply voltage DV DD generated from the second buffer circuit BA2 is started. When the digital circuit power supply voltage DV DD reaches the detection threshold voltage corresponding to the reference voltage V BB of the second reference voltage generating circuit Ref_Gen2, power on the output is at a high level from the low level of the differential amplifier DA2 of the reset circuit 21244 Then, a power-on reset period is started by charging the resistor Rp and the capacitor Cp of the time constant circuit. When the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit reaches the detection threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the third buffer circuit BA3, the power-on reset signal POR changes from the low level to the high level, and the control is performed. The power-on reset operation of the logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is finished.

パワーオンリセット動作の終了によって期間T2では、入力電圧選択回路21248は入力電圧選択回路21248のローレベルの電圧検出出力信号Vdet1とハイレベルの電圧検出出力信号Vdet2とに応答するものである。従って、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とゲート駆動回路21249による制御によって、第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはハイレベルとローレベルにそれぞれ設定される。従って、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはオフ状態とオン状態とにそれぞれ制御されるので、ワイヤレス給電はオフ状態に制御され、USB給電はオン状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。   The input voltage selection circuit 21248 responds to the low level voltage detection output signal Vdet1 and the high level voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage selection circuit 21248 in the period T2 by the end of the power-on reset operation. Accordingly, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G are set to a high level and a low level, respectively, under the control of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 and the gate drive circuit 21249. Accordingly, since the P-channel MOS transistor Mp1 and the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an off state and an on state, respectively, wireless power feeding is controlled to an off state and USB power feeding is controlled to an on state. And automatic selection of the power source to be used is executed.

この状態で、期間T2の最後に第1入力電圧1の供給端子T1の電源電圧の供給によって、第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の上昇が開始される。その結果、ワイヤレス給電の電源電圧の上昇が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧選択回路21248の電圧検出出力信号Vdet1が、ローレベルからハイレベルに変化する。   In this state, by the supply of the power supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 at the end of the period T2, the increase of the power supply voltage of the wireless power feeding of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is started. As a result, when the increase in the power supply voltage for wireless power feeding reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet1 of the input voltage selection circuit 21248 changes from the low level to the high level.

期間T2の最後のタイミングでは、入力電圧選択回路21248からはハイレベルの両方の電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2が生成されている。しかし、制御ロジック回路21245の内部ではワイヤレス給電の優先順位よりUSB給電の優先順位が高く設定されているので、期間T2の最後のタイミングではゲート駆動回路21249からハイレベルの第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gとローレベルの第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gが生成されている。その結果、入力電圧選択スイッチ21242では、PチャネルMOSトランジスタMp2はオン状態に維持される一方、PチャネルMOSトランジスタMp1はオフ状態に維持されているので、第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧が電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccとして選択される。   At the last timing of the period T2, the input voltage selection circuit 21248 generates both high-level voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2. However, since the priority of the USB power supply is set higher than the priority of the wireless power supply in the control logic circuit 21245, the first gate drive output signal Mp1_G at the high level from the gate drive circuit 21249 is set at the final timing of the period T2. And a low-level second gate drive output signal Mp2_G is generated. As a result, in the input voltage selection switch 21242, the P-channel MOS transistor Mp2 is maintained in the on state while the P-channel MOS transistor Mp1 is maintained in the off state, so that the USB of the supply terminal T2 for the second input voltage 2 is supplied. The power supply voltage for power supply is selected as the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243.

しかし、図6に示したように期間T2と期間T3との切り替わりタイミングにおいて、高い方の優先順序に設定された第1入力電圧1の供給端子T1のUSB給電の電源電圧の停電が発生する。この停電の直後のタイミングにおいて、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはオフ状態とオン状態とにそれぞれ設定されている。従って、停電による第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧の低下が、オン状態のPチャネルMOSトランジスタMp2を介して、電圧比較・選択回路21243の第2ノードNode2に伝達されるものとなる。一方、電圧比較・選択回路21243の第1ノードNode1は接地電位であるので、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1と比較して高レベルである第2ノードNode2に伝達された第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧の低下を出力電圧Vccとして出力する。   However, as shown in FIG. 6, at the switching timing between the period T2 and the period T3, a power failure occurs in the power supply voltage of the USB power supply at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 set in the higher priority order. At the timing immediately after the power failure, the P-channel MOS transistor Mp1 and the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 are set to an off state and an on state, respectively. Accordingly, a decrease in the USB power supply voltage at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 due to a power failure is transmitted to the second node Node2 of the voltage comparison / selection circuit 21243 via the P-channel MOS transistor Mp2 in the on state. It will be a thing. On the other hand, since the first node Node1 of the voltage comparison / selection circuit 21243 is at the ground potential, the voltage comparison / selection circuit 21243 receives the second input transmitted to the second node Node2 that is at a higher level than the first node Node1. A decrease in the USB power supply voltage at the supply terminal T2 of the voltage 2 is output as the output voltage Vcc.

従って、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの低下に応答して、第2バッファ回路BA2のデジタル回路電源電圧DVDDが低下するので、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcと第3バッファ回路のパワーオンリセット信号PORとが若干低下する。その結果、パワーオンリセット補助回路2124Xの差動増幅器DA4の反転入力端子−のデジタル回路電源電圧DVDDが非反転入力端子+に供給される第4基準電圧発生回路Ref_Gen4の基準電圧よりも低レベルとなるので、差動増幅器DA4の出力信号がローレベルからハイレベルに変化する。 Accordingly, the digital circuit power supply voltage DV DD of the second buffer circuit BA2 decreases in response to the decrease of the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, so that the terminal of the capacitor Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 The voltage Vc and the power-on reset signal POR of the third buffer circuit are slightly reduced. As a result, the digital circuit power supply voltage DV DD at the inverting input terminal − of the differential amplifier DA4 of the power-on reset auxiliary circuit 2124X is lower than the reference voltage of the fourth reference voltage generating circuit Ref_Gen4 supplied to the non-inverting input terminal +. Therefore, the output signal of the differential amplifier DA4 changes from low level to high level.

従って、パワーオンリセット補助回路2124XのNチャネルMOSトランジスタMn2がオフ状態からオン状態となるので、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpがオン状態のNチャネルMOSトランジスタMn2を介して接地電位に放電される。その結果、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcと第3バッファ回路のパワーオンリセット信号PORが接地電位であるローレベルに変化するので、ローレベルのパワーオンリセット信号PORの反転リセット入力端子/Resetへの供給により制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とがリセットされる。従って、パワーオンリセット期間が再開されて、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の出力信号に応答してゲート駆動回路21249の第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gの両者はローレベルに設定される。その結果、入力電圧選択スイッチ21242に含まれたPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2の両者は、オン状態に制御される。   Accordingly, since the N-channel MOS transistor Mn2 of the power-on reset auxiliary circuit 2124X is changed from the OFF state to the ON state, the capacitance Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 is grounded via the N-channel MOS transistor Mn2. Discharged. As a result, since the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 and the power-on reset signal POR of the third buffer circuit change to the low level which is the ground potential, the low-level power-on reset signal POR Is supplied to the inverting reset input terminal / Reset, the control logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 are reset. Accordingly, the power-on reset period is resumed, and both the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G of the gate drive circuit 21249 are low in response to the output signal of the input voltage selection switch control logic circuit 21246. Set to level. As a result, both P-channel MOS transistor Mp1 and P-channel MOS transistor Mp2 included in input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an on state.

従って、ワイヤレス給電の停電の期間T3においては、第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の高レベルの電源電圧が、入力電圧選択スイッチ21242でオン状態に制御されたPチャネルMOSトランジスタMp1を介して、電圧比較・選択回路21243の第1ノードNode1に伝達されるものとなる。一方、電圧比較・選択回路21243の第2ノードNode2は接地電位であるので、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2と比較して高レベルである第1ノードNode1に伝達された第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の高レベルの電源電圧を出力電圧Vccとして出力する。   Therefore, during the power failure period T3 of the wireless power supply, the high-level power supply voltage of the wireless power supply at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is applied to the P-channel MOS transistor Mp1 controlled by the input voltage selection switch 21242. Then, it is transmitted to the first node Node1 of the voltage comparison / selection circuit 21243. On the other hand, since the second node Node2 of the voltage comparison / selection circuit 21243 is at the ground potential, the voltage comparison / selection circuit 21243 receives the first input transmitted to the first node Node1 which is at a higher level than the second node Node2. A high-level power supply voltage for wireless power feeding at the supply terminal T1 of voltage 1 is output as the output voltage Vcc.

従って、電圧比較・選択回路21243の高レベルの出力電圧Vccに応答して、第2バッファ回路BA2のデジタル回路電源電圧DVDDも上昇するので、パワーオンリセット回路21244の時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが上昇する。 Accordingly, in response to the high level output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, the digital circuit power supply voltage DV DD of the second buffer circuit BA2 also rises, so that the capacitance Cp of the time constant circuit of the power-on reset circuit 21244 is increased. The terminal voltage Vc increases.

時定数回路の抵抗Rpと容量Cpの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが第3バッファ回路BA3のしきい値電圧に対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号PORがローレベルからハイレベルに変化して制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のパワーオンリセット動作が終了される。   A power-on reset period is started by charging the resistor Rp and the capacitor Cp of the time constant circuit. When the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit reaches the detection threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the third buffer circuit BA3, the power-on reset signal POR changes from the low level to the high level, and the control logic The power-on reset operation of the circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is terminated.

再開されたパワーオンリセット動作の終了により期間T4では、入力電圧選択回路21248はハイレベルの電圧検出出力信号Vdet1とローレベルの電圧検出出力信号Vdet2とを生成するものである。従って、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とゲート駆動回路21249による制御によって、第1ゲート駆動出力信号Mp1_Gと第2ゲート駆動出力信号Mp2_Gとはローレベルとハイレベルにそれぞれ設定される。従って、入力電圧選択スイッチ21242のPチャネルMOSトランジスタMp1とPチャネルMOSトランジスタMp2とはオン状態とオフ状態とにそれぞれ制御されるので、USB給電はオフ状態に制御され、ワイヤレス給電はオン状態に制御されて、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択が実行されるものである。   The input voltage selection circuit 21248 generates a high-level voltage detection output signal Vdet1 and a low-level voltage detection output signal Vdet2 during the period T4 due to the end of the restarted power-on reset operation. Accordingly, the first gate drive output signal Mp1_G and the second gate drive output signal Mp2_G are set to a low level and a high level, respectively, under the control of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 and the gate drive circuit 21249. Accordingly, the P-channel MOS transistor Mp1 and the P-channel MOS transistor Mp2 of the input voltage selection switch 21242 are controlled to be in an on state and an off state, respectively, so that USB power feeding is controlled to an off state and wireless power feeding is controlled to an on state. Thus, automatic selection is performed in which a power source to be used is selected again from a plurality of power sources in response to a power failure.

更に図6に示した入力電圧選択回路2124の動作でも、ワイヤレス給電の停電の期間T3のパワーオンリセット期間の再開によるローレベルのパワーオンリセット信号PORによって入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246がリセットされるものである。特に、制御ロジック回路21245は、図4のアナログ回路2128(図2に示した半導体集積回路212の降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122とUSB種別検出回路2123と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127)を制御する。また、制御ロジック回路21245は、図2のスイッチSW1、SW2、SW3、SW4と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127の動作も制御する一方、マイクロコントローラユニット(MCU)22と受電システム3とシリアル通信を実行する外部インターフェース2125の動作も制御する。   Further, in the operation of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 6, the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 and the low-level power-on reset signal POR by the restart of the power-on reset period in the power failure period T3 of the wireless power supply The input voltage selection switch control logic circuit 21246 is reset. In particular, the control logic circuit 21245 includes the analog circuit 2128 of FIG. 4 (step-down DC-DC converter 2121, linear regulator 2122, USB type detection circuit 2123, built-in regulator 2126, and gate drive control of the semiconductor integrated circuit 212 shown in FIG. The circuit 2127) is controlled. The control logic circuit 21245 also controls the operations of the switches SW1, SW2, SW3, and SW4, the built-in regulator 2126, and the gate drive control circuit 2127 in FIG. 2, while serially communicating with the microcontroller unit (MCU) 22 and the power receiving system 3. It also controls the operation of the external interface 2125 that executes.

従って、入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245のリセットにより上述した種々の被制御回路の制御情報がリセットされるが、初期設定情報はフラッシュメモリ等の不揮発性メモリに格納されたブートプログラムから再ロードする必要がある。一方、不揮発性メモリ等にバックアップされていない制御情報は回復不可能であるので、種々の被制御回路の動作再開によってやっと制御情報が入手可能となるものである。   Therefore, resetting the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 resets the control information of the various controlled circuits described above, but the initial setting information is restored from a boot program stored in a nonvolatile memory such as a flash memory. Need to load. On the other hand, since the control information that is not backed up in the nonvolatile memory or the like cannot be recovered, the control information can finally be obtained by restarting the operation of various controlled circuits.

《実施の形態1による入力電圧検出回路の構成》
図7は、図2に示した実施の形態1によるバッテリー充電制御のための半導体集積回路212の起動時の動作モード選択のための入力電圧選択回路2124の構成を示す図である。
<< Configuration of Input Voltage Detection Circuit According to Embodiment 1 >>
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of an input voltage selection circuit 2124 for selecting an operation mode at the time of activation of the semiconductor integrated circuit 212 for battery charge control according to the first embodiment shown in FIG.

図7に示した実施の形態1の入力電圧選択回路2124が図4に示した本発明の比較参考例の入力電圧選択回路2124と相違するのは、下記の点である。   The input voltage selection circuit 2124 of the first embodiment shown in FIG. 7 is different from the input voltage selection circuit 2124 of the comparative reference example of the present invention shown in FIG. 4 in the following points.

すなわち、図7に示した実施の形態1の入力電圧検出回路2124では、図4に示した本発明の比較参考例の入力電圧検出回路2124に含まれていたパワーオンリセット補助回路2124Xとゲート駆動回路21249とが削除されている。更に、図7に示した実施の形態1の入力電圧検出回路2124では、図4に示した本発明の比較参考例の入力電圧検出回路2124に含まれていた入力電圧選択スイッチ21242は、可変伝達回路2124Yに置換されている。   That is, in the input voltage detection circuit 2124 of the first embodiment shown in FIG. 7, the power-on reset auxiliary circuit 2124X included in the input voltage detection circuit 2124 of the comparative reference example of the present invention shown in FIG. The circuit 21249 is deleted. Further, in the input voltage detection circuit 2124 of the first embodiment shown in FIG. 7, the input voltage selection switch 21242 included in the input voltage detection circuit 2124 of the comparative reference example of the present invention shown in FIG. The circuit 2124Y is replaced.

図7に示したように、可変伝達回路2124Yは、第1可変伝達回路2124Y1と第2可変伝達回路2124Y2とによって構成される。第1可変伝達回路2124Y1の入力端子はリニア・レギュレータ21241の出力端子に接続され、第2可変伝達回路2124Y2の入力端子はUSB電源電圧が供給される第2入力電圧2の供給端子T2に接続される。第1可変伝達回路2124Y1の出力端子と第2可変伝達回路2124Y2の出力端子は、電圧比較・選択回路21243の第1ノードNode1と第2ノードNode2とにそれぞれ接続されている。また第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とは、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第1ゲイン制御信号CNT1と第2ゲイン制御信号CNT2とによって設定される。   As shown in FIG. 7, the variable transmission circuit 2124Y includes a first variable transmission circuit 2124Y1 and a second variable transmission circuit 2124Y2. The input terminal of the first variable transmission circuit 2124Y1 is connected to the output terminal of the linear regulator 21241, and the input terminal of the second variable transmission circuit 2124Y2 is connected to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 to which the USB power supply voltage is supplied. The The output terminal of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the output terminal of the second variable transmission circuit 2124Y2 are connected to the first node Node1 and the second node Node2 of the voltage comparison / selection circuit 21243, respectively. The first gain Gain1 of the first variable transfer circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transfer circuit 2124Y2 are the first gain control signal CNT1 generated from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 and the second gain control. It is set by the signal CNT2.

図7の左上部に示したように、第1入力電圧1の供給端子T1に送電回路1のワイヤレス給電の電源電圧とAC電源接続インターフェース24のAC−DC変換電源電圧とが供給され、第2入力電圧2の供給端子T2にUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧が供給される。   As shown in the upper left part of FIG. 7, the power supply voltage of the wireless power feeding of the power transmission circuit 1 and the AC-DC conversion power supply voltage of the AC power connection interface 24 are supplied to the supply terminal T1 of the first input voltage 1, and the second The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 is supplied to the supply terminal T2 for the input voltage 2.

第1入力電圧1の供給端子T1の5.5ボルトから20ボルトの電圧を有するワイヤレス給電の電源電圧またはAC−DC変換電源電圧はリニア・レギュレータ21241によって略5ボルトの出力電源電圧に変換され、略5ボルトの出力電源電圧は可変伝達回路2124Yの第1可変伝達回路2124Y1の入力端子に供給される。   The power supply voltage or the AC-DC conversion power supply voltage of the wireless power supply having the voltage of 5.5 volts to 20 volts at the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is converted into the output power supply voltage of about 5 volts by the linear regulator 21241; The output power supply voltage of about 5 volts is supplied to the input terminal of the first variable transmission circuit 2124Y1 of the variable transmission circuit 2124Y.

第2入力電圧2の供給端子T2に供給される5ボルトの電圧を有するUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧は、可変伝達回路2124Yの第2可変伝達回路2124Y2の入力端子に供給される。   The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 having a voltage of 5 volts supplied to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is supplied to the input terminal of the second variable transmission circuit 2124Y2 of the variable transmission circuit 2124Y.

電圧比較・選択回路21243はPチャネルMOSトランジスタMp3とPチャネルMOSトランジスタMp4と差動増幅器DA1とによって構成されることによって、第1ノードNode1の電圧と第2ノードNode2の電圧を比較して、第1ノードNode1の電圧と第2ノードNode2の電圧との高い電圧を選択して出力電圧Vccとして生成する。PチャネルMOSトランジスタMp3のボディーダイオードd3の電流通過方向とPチャネルMOSトランジスタMp4のボディーダイオードd4の電流通過方向は、第1入力電圧1の供給端子T1と第2入力電圧2の供給端子T2の間に逆流電流が通過しないように設定されたものである。   The voltage comparison / selection circuit 21243 includes the P-channel MOS transistor Mp3, the P-channel MOS transistor Mp4, and the differential amplifier DA1, thereby comparing the voltage of the first node Node1 with the voltage of the second node Node2. A voltage higher than the voltage of the first node Node1 and the voltage of the second node Node2 is selected and generated as the output voltage Vcc. The current passing direction of the body diode d3 of the P-channel MOS transistor Mp3 and the current passing direction of the body diode d4 of the P-channel MOS transistor Mp4 are between the supply terminal T1 for the first input voltage 1 and the supply terminal T2 for the second input voltage 2. The reverse current is set so as not to pass through.

すなわち、第1入力電圧1の供給端子T1が5.5ボルト〜20ボルトの高電圧レベルに設定されて第2入力電圧2の供給端子T2がゼロボルトの低電圧に設定される場合には、2個のPチャネルMOSトランジスタMp3、Mp4の共通接続ノードから第2入力電圧2の供給端子T2の方向に逆流電流が流れる可能性がある。しかしながら、図7の電圧比較・選択回路21243に示したPチャネルMOSトランジスタMp4に接続されたボディーダイオードd4の電流通過方向は、この逆流電流の通過を防止するものである。   That is, when the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is set to a high voltage level of 5.5 to 20 volts and the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is set to a low voltage of zero volts, 2 There is a possibility that a reverse current flows from the common connection node of the P channel MOS transistors Mp3 and Mp4 in the direction of the supply terminal T2 of the second input voltage 2. However, the current passage direction of the body diode d4 connected to the P-channel MOS transistor Mp4 shown in the voltage comparison / selection circuit 21243 in FIG. 7 prevents the passage of the reverse current.

更に、第1入力電圧1の供給端子T1がゼロボルトの低電圧レベルに設定され第2入力電圧2の供給端子T2が略5ボルトの高電圧に設定される場合には、2個のPチャネルMOSトランジスタMp3、Mp4の共通接続ノードから第1入力電圧1の供給端子T1の方向に逆流電流が流れる可能性がある。しかしながら、図7の電圧比較・選択回路21243に示したPチャネルMOSトランジスタMp3に接続されたボディーダイオードd3の電流通過方向は、この逆流電流の通過を防止するものである。   Further, when the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is set to a low voltage level of zero volts and the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is set to a high voltage of approximately 5 volts, two P-channel MOSs There is a possibility that a reverse current flows from the common connection node of the transistors Mp3 and Mp4 to the supply terminal T1 of the first input voltage 1. However, the current passage direction of the body diode d3 connected to the P-channel MOS transistor Mp3 shown in the voltage comparison / selection circuit 21243 in FIG. 7 prevents the passage of the reverse current.

尚、以下の説明におけるPチャネルMOSトランジスタMp3、Mp4のソースおよびドレインは、上述した2種類の逆流電流が流れず、第1入力電圧1の供給端子T1と第2入力電圧2の供給端子T2とのいずれか一方のみが高電圧に設定され他方が低電圧に設定された状態における定義である。   Note that the two types of backflow currents described above do not flow through the sources and drains of the P-channel MOS transistors Mp3 and Mp4 in the following description, and the supply terminal T1 for the first input voltage 1 and the supply terminal T2 for the second input voltage 2 This is a definition in a state in which only one of these is set to a high voltage and the other is set to a low voltage.

すなわち、第1ノードNode1はPチャネルMOSトランジスタMp3のソースと差動増幅器DA1の反転入力端子−とボディーダイオードd3のアノードに接続され、PチャネルMOSトランジスタMp3のドレインとバックゲートとは短絡される。ボディーダイオードd3のカソードは、PチャネルMOSトランジスタMp3の短絡されたドレインとバックゲートとに接続される。第2ノードNode2はPチャネルMOSトランジスタMp4のソースと差動増幅器DA1の非反転入力端子+とボディーダイオードd4のアノードに接続されて、PチャネルMOSトランジスタMp3のドレインとバックゲートとは短絡される。ボディーダイオードd4のカソードは、PチャネルMOSトランジスタMp4の短絡されたドレインとバックゲートとに接続される。差動増幅器DA1の非反転出力端子+と反転出力端子−とはPチャネルMOSトランジスタMp3のゲートとPチャネルMOSトランジスタMp4のゲートとそれぞれ接続されて、PチャネルMOSトランジスタMp3のドレインとPチャネルMOSトランジスタMp4のドレインとは共通接続され出力電圧Vccを生成する。   That is, the first node Node1 is connected to the source of the P channel MOS transistor Mp3, the inverting input terminal of the differential amplifier DA1, and the anode of the body diode d3, and the drain and back gate of the P channel MOS transistor Mp3 are short-circuited. The cathode of body diode d3 is connected to the short-circuited drain and back gate of P-channel MOS transistor Mp3. The second node Node2 is connected to the source of the P channel MOS transistor Mp4, the non-inverting input terminal + of the differential amplifier DA1, and the anode of the body diode d4, so that the drain and back gate of the P channel MOS transistor Mp3 are short-circuited. The cathode of body diode d4 is connected to the shorted drain and back gate of P-channel MOS transistor Mp4. The non-inverting output terminal + and the inverting output terminal − of the differential amplifier DA1 are connected to the gate of the P channel MOS transistor Mp3 and the gate of the P channel MOS transistor Mp4, respectively, and the drain of the P channel MOS transistor Mp3 and the P channel MOS transistor. The drain of Mp4 is commonly connected to generate an output voltage Vcc.

電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccは、差動増幅器DA1と第1基準電圧発生回路Ref_Gen1と第1バッファ回路BA1と第2バッファ回路BA2とに動作電源電圧として供給される。   The output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243 is supplied as an operation power supply voltage to the differential amplifier DA1, the first reference voltage generation circuit Ref_Gen1, the first buffer circuit BA1, and the second buffer circuit BA2.

第1基準電圧発生回路Ref_Gen1は、電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccを動作電源電圧として動作することによって、基準電圧VREFを生成する。 The first reference voltage generating circuit Ref_Gen1, by operating the output voltage Vcc from the voltage comparison and selection circuit 21243 as an operating power supply voltage, generates a reference voltage V REF.

第1バッファ回路BA1と第2バッファ回路BA2は、第1基準電圧発生回路Ref_Gen1から生成される基準電圧VREFに応答して、基準電圧VREFの電圧レベルに比例したアナログ回路電源電圧AVDDとデジタル回路電源電圧DVDDとをそれぞれ生成する。 The first buffer circuit BA1 and the second buffer circuit BA2 are responsive to the reference voltage V REF generated from the first reference voltage generation circuit Ref_Gen1, and the analog circuit power supply voltage AV DD proportional to the voltage level of the reference voltage V REF A digital circuit power supply voltage DV DD is generated.

パワーオンリセット回路21244は、第2基準電圧発生回路Ref_Gen2と差動増幅器DA2と抵抗Rpと容量Cpと第3バッファ回路BA3とによって構成される。パワーオンリセット回路21244の第2基準電圧発生回路Ref_Gen2と差動増幅器DA2には第2バッファ回路BA2により生成されるデジタル回路電源電圧DVDDが供給され、差動増幅器DA2の非反転入力端子+と反転入力端子−とにデジタル回路電源電圧DVDDと第2基準電圧発生回路Ref_Gen2から生成される基準電圧VBBとがそれぞれ供給される。 The power-on reset circuit 21244 includes a second reference voltage generation circuit Ref_Gen2, a differential amplifier DA2, a resistor Rp, a capacitor Cp, and a third buffer circuit BA3. The second reference voltage generation circuit Ref_Gen2 of the power-on reset circuit 21244 and the differential amplifier DA2 are supplied with the digital circuit power supply voltage DV DD generated by the second buffer circuit BA2, and the non-inverting input terminal + of the differential amplifier DA2 The digital circuit power supply voltage DV DD and the reference voltage V BB generated from the second reference voltage generation circuit Ref_Gen 2 are supplied to the inverting input terminal −.

パワーオンリセット回路21244の差動増幅器DA2の出力電圧は抵抗Rpの一端に供給されて、抵抗Rpの他端は容量Cpの一端と第3バッファ回路BA3の入力端子とに接続されて、容量Cpの他端は接地電位に接続される。パワーオンリセット期間に第3バッファ回路BA3から生成されるローレベルのパワーオンリセット信号PORは、制御ロジック回路21245の反転リセット入力端子/Resetと入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の反転リセット入力端子/Resetとに供給される。   The output voltage of the differential amplifier DA2 of the power-on reset circuit 21244 is supplied to one end of the resistor Rp, and the other end of the resistor Rp is connected to one end of the capacitor Cp and the input terminal of the third buffer circuit BA3. Is connected to the ground potential. The low-level power-on reset signal POR generated from the third buffer circuit BA3 during the power-on reset period is the inverted reset input terminal / Reset of the control logic circuit 21245 and the inverted reset input terminal / of the input voltage selection switch control logic circuit 21246. Supplied to Reset.

電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccと第2バッファ回路BA2からのデジタル回路電源電圧DVDDとが供給されるクロック発生回路21247から生成されるクロック信号は、制御ロジック回路21245のクロック入力端子CLKと入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のクロック入力端子CLKとに供給される。 The clock signal generated from the clock generation circuit 21247 to which the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243 and the digital circuit power supply voltage DV DD from the second buffer circuit BA2 are supplied is the clock input terminal of the control logic circuit 21245. CLK and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 are supplied to the clock input terminal CLK.

入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245は、図2に示した半導体集積回路212の全体の動作を制御する。すなわち、図7に示す入力電圧選択回路2124に接続されたアナログ回路2128は、図2に示した半導体集積回路212の降圧DC−DCコンバータ2121とリニア・レギュレータ2122とUSB種別検出回路2123と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127とのアナログ回路を含んだものである。従って、これらのアナログ回路の動作は、全て図7に示した入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245によって制御される。尚、アナログ回路2128には、電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccと第1バッファ回路BA1からのアナログ回路電源電圧AVDDとが供給される。 A control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 controls the overall operation of the semiconductor integrated circuit 212 shown in FIG. That is, the analog circuit 2128 connected to the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. 7 includes the step-down DC-DC converter 2121, the linear regulator 2122, the USB type detection circuit 2123, and the built-in regulator of the semiconductor integrated circuit 212 shown in FIG. An analog circuit of 2126 and a gate drive control circuit 2127 is included. Therefore, the operations of these analog circuits are all controlled by the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. The analog circuit 2128 is supplied with the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243 and the analog circuit power supply voltage AV DD from the first buffer circuit BA1.

更に入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246の動作も、同様に図7に示した入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245によって制御される。   Further, the operation of the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is similarly controlled by the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG.

また更に、図2に示したスイッチSW1、SW2、SW3、SW4と内蔵レギュレータ2126とゲート駆動制御回路2127の動作も、同様に図4に示した入力電圧選択回路2124の制御ロジック回路21245によって制御される。更に、制御ロジック回路21245は、マイクロコントローラユニット(MCU)22と受電システム3とシリアル通信を実行する外部インターフェース2125の動作も制御する。   Furthermore, the operations of the switches SW1, SW2, SW3, SW4, the built-in regulator 2126, and the gate drive control circuit 2127 shown in FIG. 2 are similarly controlled by the control logic circuit 21245 of the input voltage selection circuit 2124 shown in FIG. The Furthermore, the control logic circuit 21245 also controls the operation of the external interface 2125 that executes serial communication with the microcontroller unit (MCU) 22 and the power receiving system 3.

入力電圧検出回路21248には、電圧比較・選択回路21243からの出力電圧Vccと第1バッファ回路BA1からのアナログ回路電源電圧AVDDが供給される。パワーオンリセット期間の経過後および使用電源の再度の選択時に、入力電圧検出回路21248は、第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電またはAC−DC変換の電源電圧の電圧レベルと第2入力電圧2の供給端子T2のUSB電源電圧の電圧レベルを検出する。その結果、入力電圧検出回路21248からの2ビットの電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2は、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246とに供給される。すなわち、電圧検出出力信号Vdet1は第1入力電圧1の供給端子T1へのワイヤレス給電またはAC−DC変換の電源電圧の供給有無を検出したものであり、また電圧検出出力信号Vdet2は第2入力電圧2の供給端子T2へのUSB電源電圧の供給有無を検出したものである。 The input voltage detection circuit 21248 is supplied with the output voltage Vcc from the voltage comparison / selection circuit 21243 and the analog circuit power supply voltage AV DD from the first buffer circuit BA1. After the elapse of the power-on reset period and when the power source to be used is selected again, the input voltage detection circuit 21248 has the second input and the voltage level of the power supply voltage for the wireless power feeding or AC-DC conversion of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 The voltage level of the USB power supply voltage at the supply terminal T2 for the voltage 2 is detected. As a result, the 2-bit voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 from the input voltage detection circuit 21248 are supplied to the control logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246. That is, the voltage detection output signal Vdet1 is obtained by detecting whether or not the power supply voltage for wireless power feeding or AC-DC conversion is supplied to the supply terminal T1 of the first input voltage 1, and the voltage detection output signal Vdet2 is the second input voltage. In this case, it is detected whether or not the USB power supply voltage is supplied to the second supply terminal T2.

パワーオンリセット期間の経過後および使用電源の再度の選択時には、入力電圧検出回路21248からの出力信号の2ビットの電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答する入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第1ゲイン制御信号CNT1と第2ゲイン制御信号CNT2との一方と他方とがそれぞれハイレベルとローレベルに設定される。従って、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2との一方と他方とがそれぞれ高ゲインと低ゲインに設定され、使用電源の自動選択が実行される。   When the power-on reset period has elapsed and when the power supply to be used is selected again, the input voltage selection switch control logic circuit 21246 responds to the 2-bit voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 of the output signal from the input voltage detection circuit 21248. One and the other of the first gain control signal CNT1 and the second gain control signal CNT2 are set to a high level and a low level, respectively. Accordingly, one of the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 is set to a high gain and a low gain, respectively, and automatic selection of the power source to be used is executed. The

ハイレベルの電圧検出出力信号Vdet1によって第1入力電圧1の供給端子T1への電源電圧の供給が検出され、ローレベルの電圧検出出力信号Vdet2によって第2入力電圧2の供給端子T2への電源電圧の非供給が検出された場合を想定する。この場合には、レベルの相違する電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答して制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオン状態に制御する一方、スイッチSW3をオフ状態に制御する。その結果、第1入力電圧1の供給端子T1からの供給電圧が、降圧DC−DCコンバータ2121とスイッチSW2とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。更にこの場合には、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とをそれぞれ高ゲインと低ゲインに設定する。更に電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2よりも高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。   The supply of the power supply voltage to the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is detected by the high level voltage detection output signal Vdet1, and the power supply voltage to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is detected by the low level voltage detection output signal Vdet2. Assume that a non-supply of is detected. In this case, in response to the voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 having different levels, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 in the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. On the other hand, the switch SW3 is controlled to be turned off. As a result, the supply voltage from the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is used for charging the secondary battery 26 via the step-down DC-DC converter 2121, the switch SW2, and the P-channel MOS transistor Mp0, and also on the power receiving side. Used to supply power to the system 3. Further, in this case, the input voltage selection switch control logic circuit 21246 sets the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 to high gain and low gain, respectively. . Further, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 of the first node Node1 is voltage comparison / selection. It is generated as the output voltage Vcc of the circuit 21243.

ローレベルの電圧検出出力信号Vdet1によって第1入力電圧1の供給端子T1への電源電圧の非供給が検出され、ハイレベルの電圧検出出力信号Vdet2によって第2入力電圧2の供給端子T2への電源電圧の供給が検出された場合を想定する。この場合には、レベルの相違する電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答して制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオフ状態に制御する一方、スイッチSW3をオン状態に制御する。その結果、第2入力電圧2の供給端子T2からの供給電圧が、スイッチSW3とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。更にこの場合に、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とをそれぞれ低ゲインと高ゲインに設定する。更に電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1よりも高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。   The low-level voltage detection output signal Vdet1 detects the non-supply of the power supply voltage to the supply terminal T1 of the first input voltage 1, and the high-level voltage detection output signal Vdet2 detects the power supply to the supply terminal T2 of the second input voltage 2 Assume that a voltage supply is detected. In this case, in response to the voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 having different levels, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. On the other hand, the switch SW3 is controlled to be on. As a result, the supply voltage from the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is used for charging the secondary battery 26 via the switch SW3 and the P-channel MOS transistor Mp0, and for supplying power to the power receiving system 3. used. Further, in this case, the input voltage selection switch control logic circuit 21246 sets the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 to low gain and high gain, respectively. Further, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 of the second node Node2 is voltage comparison / selection. It is generated as the output voltage Vcc of the circuit 21243.

入力電圧検出回路21248の2ビットの電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2により第1入力電圧1の供給端子T1へのワイヤレス給電またはAC−DC変換の電源電圧の供給と第2入力電圧2の供給端子T2へのUSB電源電圧の供給とが同時に検出された場合を、想定する。この場合には、ともにハイレベルである電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2に応答して制御ロジック回路21245は、リニア・レギュレータ21241の略5ボルトの出力電源電圧Voutの電圧レベルを調整する。   The power supply voltage for the wireless power feeding or AC-DC conversion to the supply terminal T1 of the first input voltage 1 and the supply terminal T2 of the second input voltage 2 by the 2-bit voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248 Assume that the USB power supply voltage is simultaneously detected. In this case, the control logic circuit 21245 adjusts the voltage level of the output power supply voltage Vout of approximately 5 volts of the linear regulator 21241 in response to the voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2 which are both at the high level.

すなわち、同時に検出された第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧より優先される場合には、リニア・レギュレータ21241の略5ボルトの出力電源電圧Voutを第2入力電圧2の供給端子T2に供給される5ボルトの電圧を有するUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧よりも高い例えば5.2ボルトに設定する。更に入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とをそれぞれ高ゲインと低ゲインに設定する。その結果、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2よりも高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。更に制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオン状態に制御する一方、スイッチSW3をオフ状態に制御する。その結果、第1入力電圧1の供給端子T1からの供給電圧が、降圧DC−DCコンバータ2121とスイッチSW2とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。   That is, when the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 detected simultaneously has priority over the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2, the output power supply of about 5 volts of the linear regulator 21241. The voltage Vout is set to, for example, 5.2 volts, which is higher than the USB power supply voltage of the USB connection interface 23 having a voltage of 5 volts supplied to the supply terminal T2 of the second input voltage 2. Further, the input voltage selection switch control logic circuit 21246 sets the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 to high gain and low gain, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 of the first node Node1 is compared with the voltage. Generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243 Further, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 in the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to be in an on state, and controls the switch SW3 to be in an off state. As a result, the supply voltage from the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is used for charging the secondary battery 26 via the step-down DC-DC converter 2121, the switch SW2, and the P-channel MOS transistor Mp0, and also on the power receiving side. Used to supply power to the system 3.

それと反対に、同時に検出された第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧よりも第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が優先される場合には、リニア・レギュレータ21241の略5ボルトの出力電源電圧Voutを第2入力電圧2の供給端子T2に供給される5ボルトの電圧を有するUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧よりも低い例えば4.8ボルトに設定する。更に、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とをそれぞれ低ゲインと高ゲインに設定する。その結果、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1よりも高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。更に制御ロジック回路21245は、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオフ状態に制御する一方、スイッチSW3をオン状態に制御する。その結果、第2入力電圧2の供給端子T2からの供給電圧が、スイッチSW3とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。   On the other hand, when the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is prioritized over the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 detected simultaneously, the linear regulator 21241 has approximately 5 volts. The output power supply voltage Vout is set to, for example, 4.8 volts, which is lower than the USB power supply voltage of the USB connection interface 23 having a voltage of 5 volts supplied to the supply terminal T2 of the second input voltage 2. Further, the input voltage selection switch control logic circuit 21246 sets the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 to low gain and high gain, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 of the second node Node2 is compared with the voltage. Generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243 Further, the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to the off state, and controls the switch SW3 to the on state. As a result, the supply voltage from the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is used for charging the secondary battery 26 via the switch SW3 and the P-channel MOS transistor Mp0, and for supplying power to the power receiving system 3. used.

一方、パワーオンリセット期間の経過以前では、ローレベルのパワーオンリセット信号PORに応答した入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第1ゲイン制御信号CNT1と第2ゲイン制御信号CNT2とがともにハイレベルに設定される。従って、可変伝達回路2124Yの第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2がともに高ゲインに設定される。   On the other hand, before the elapse of the power-on reset period, the first gain control signal CNT1 and the second gain control signal CNT2 generated from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 in response to the low-level power-on reset signal POR are both Set to high level. Therefore, the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 of the variable transmission circuit 2124Y and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 are both set to a high gain.

《可変伝達回路の構成》
図8は、図7に示した実施の形態1による入力電圧選択回路2124に含まれた可変伝達回路2124Yの第1可変伝達回路2124Y1と第2可変伝達回路2124Y2の構成を示す図である。
<Configuration of variable transmission circuit>
FIG. 8 is a diagram showing a configuration of first variable transmission circuit 2124Y1 and second variable transmission circuit 2124Y2 of variable transmission circuit 2124Y included in input voltage selection circuit 2124 according to the first embodiment shown in FIG.

図8に示すように、第1可変伝達回路2124Y1は、第1差動増幅器2124Y11と第1PチャネルMOSトランジスタ2124Y12と第1基準電圧発生回路2124Y13と第1抵抗2124Y14と第2抵抗2124Y15と第3抵抗2124Y16と第2PチャネルMOSトランジスタ2124Y17とによって構成されている。リニア・レギュレータ21241の出力電源電圧が入力電圧選択回路2124の第1入力信号Vin1として、第1差動増幅器2124Y11と第1基準電圧発生回路2124Y13と第1PチャネルMOSトランジスタ2124Y12のソースに供給される。第1基準電圧発生回路2124Y13から生成される第1基準電圧が第1差動増幅器2124Y11の反転入力端子−に供給され、第1差動増幅器2124Y11の出力信号が第1PチャネルMOSトランジスタ2124Y12のゲートに供給される。第1PチャネルMOSトランジスタ2124Y12のドレインから第1出力信号Vout1が生成され、第1出力信号Vout1が第1抵抗2124Y14の一端と第2PチャネルMOSトランジスタ2124Y17のソースとに供給される。第1抵抗2124Y14の他端と第2PチャネルMOSトランジスタ2124Y17のドレインと第3抵抗2124Y16の一端とは第1差動増幅器2124Y11の非反転入力端子+に接続され、第3抵抗2124Y16の他端は接地電位に接続される。入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から供給される第1ゲイン制御信号CNT1がハイレベルの場合には第2PチャネルMOSトランジスタ2124Y17がオフとなり、第1差動増幅器2124Y11の負帰還量が小となり、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1は高ゲインとなる。入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から供給される第1ゲイン制御信号CNT1がローレベルの場合には第2PチャネルMOSトランジスタ2124Y17がオンとなり、第1差動増幅器2124Y11の負帰還量が大となり、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1は低ゲインとなる。   As shown in FIG. 8, the first variable transmission circuit 2124Y1 includes a first differential amplifier 2124Y11, a first P-channel MOS transistor 2124Y12, a first reference voltage generation circuit 2124Y13, a first resistor 2124Y14, a second resistor 2124Y15, and a third resistor. 2124Y16 and a second P-channel MOS transistor 2124Y17. The output power supply voltage of the linear regulator 21241 is supplied as the first input signal Vin1 of the input voltage selection circuit 2124 to the sources of the first differential amplifier 2124Y11, the first reference voltage generation circuit 2124Y13, and the first P-channel MOS transistor 2124Y12. The first reference voltage generated from the first reference voltage generation circuit 2124Y13 is supplied to the inverting input terminal − of the first differential amplifier 2124Y11, and the output signal of the first differential amplifier 2124Y11 is supplied to the gate of the first P-channel MOS transistor 2124Y12. Supplied. A first output signal Vout1 is generated from the drain of the first P-channel MOS transistor 2124Y12, and the first output signal Vout1 is supplied to one end of the first resistor 2124Y14 and the source of the second P-channel MOS transistor 2124Y17. The other end of the first resistor 2124Y14, the drain of the second P-channel MOS transistor 2124Y17, and one end of the third resistor 2124Y16 are connected to the non-inverting input terminal + of the first differential amplifier 2124Y11, and the other end of the third resistor 2124Y16 is grounded. Connected to potential. When the first gain control signal CNT1 supplied from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is at a high level, the second P-channel MOS transistor 2124Y17 is turned off, the negative feedback amount of the first differential amplifier 2124Y11 is reduced, and the first The 1st gain Gain1 of 1 variable transmission circuit 2124Y1 becomes a high gain. When the first gain control signal CNT1 supplied from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is at a low level, the second P-channel MOS transistor 2124Y17 is turned on, the negative feedback amount of the first differential amplifier 2124Y11 becomes large, The 1st gain Gain1 of 1 variable transmission circuit 2124Y1 becomes a low gain.

図8に示すように、第2可変伝達回路2124Y2は、第2差動増幅器2124Y21と第3PチャネルMOSトランジスタ2124Y22と第2基準電圧発生回路2124Y23と第4抵抗2124Y24と第5抵抗2124Y25と第6抵抗2124Y26と第4PチャネルMOSトランジスタ2124Y27とによって構成されている。供給端子T2のUSB接続インターフェース23のUSB電源電圧が入力電圧選択回路2124の第2入力信号Vin2として、第2差動増幅器2124Y21と第2基準電圧発生回路2124Y23と第3PチャネルMOSトランジスタ2124Y22のソースに供給される。第2基準電圧発生回路2124Y23から生成される第2基準電圧が第2差動増幅器2124Y21の反転入力端子−に供給され、第2差動増幅器2124Y21の出力信号が第3PチャネルMOSトランジスタ2124Y22のゲートに供給される。第3PチャネルMOSトランジスタ2124Y22のドレインから第1出力信号Vout1が生成され、第2出力信号Vout2が第4抵抗2124Y24の一端と第4PチャネルMOSトランジスタ2124Y27のソースとに供給される。第4抵抗2124Y24の他端と第4PチャネルMOSトランジスタ2124Y27のドレインと第6抵抗2124Y26の一端とは第2差動増幅器2124Y21の非反転入力端子+に接続され、第6抵抗2124Y26の他端は接地電位に接続される。入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から供給される第2ゲイン制御信号CNT2がハイレベルの場合には第4PチャネルMOSトランジスタ2124Y27がオフとなり、第2差動増幅器2124Y21の負帰還量が小となり、第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2は高ゲインとなる。入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から供給される第2ゲイン制御信号CNT2がローレベルの場合には第4PチャネルMOSトランジスタ2124Y27がオンとなり、第2差動増幅器2124Y21の負帰還量が大となり、第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2は低ゲインとなる。   As shown in FIG. 8, the second variable transmission circuit 2124Y2 includes a second differential amplifier 2124Y21, a third P-channel MOS transistor 2124Y22, a second reference voltage generation circuit 2124Y23, a fourth resistor 2124Y24, a fifth resistor 2124Y25, and a sixth resistor. 2124Y26 and a fourth P-channel MOS transistor 2124Y27. The USB power supply voltage of the USB connection interface 23 of the supply terminal T2 is used as the second input signal Vin2 of the input voltage selection circuit 2124 as the source of the second differential amplifier 2124Y21, the second reference voltage generation circuit 2124Y23, and the third P-channel MOS transistor 2124Y22. Supplied. The second reference voltage generated from the second reference voltage generation circuit 2124Y23 is supplied to the inverting input terminal − of the second differential amplifier 2124Y21, and the output signal of the second differential amplifier 2124Y21 is supplied to the gate of the third P-channel MOS transistor 2124Y22. Supplied. The first output signal Vout1 is generated from the drain of the third P-channel MOS transistor 2124Y22, and the second output signal Vout2 is supplied to one end of the fourth resistor 2124Y24 and the source of the fourth P-channel MOS transistor 2124Y27. The other end of the fourth resistor 2124Y24, the drain of the fourth P-channel MOS transistor 2124Y27, and one end of the sixth resistor 2124Y26 are connected to the non-inverting input terminal + of the second differential amplifier 2124Y21, and the other end of the sixth resistor 2124Y26 is grounded. Connected to potential. When the second gain control signal CNT2 supplied from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is at a high level, the fourth P-channel MOS transistor 2124Y27 is turned off, and the negative feedback amount of the second differential amplifier 2124Y21 is reduced. The second gain Gain2 of the two variable transmission circuit 2124Y2 is a high gain. When the second gain control signal CNT2 supplied from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is at a low level, the fourth P-channel MOS transistor 2124Y27 is turned on, the negative feedback amount of the second differential amplifier 2124Y21 becomes large, The second gain Gain2 of the two variable transmission circuit 2124Y2 is a low gain.

《実施の形態1による入力電圧選択回路の各部の波形》
図9は、図7に示した実施の形態1による入力電圧選択回路2124の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。
<< Waveforms of Each Part of Input Voltage Selection Circuit According to Embodiment 1 >>
FIG. 9 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining the operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the first embodiment shown in FIG.

図9に示すように、期間T1では、最初に第1入力電圧1の供給端子T1への電源電圧の供給により第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の上昇が開始される。ワイヤレス給電の電源電圧が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧検出回路21248の電圧検出出力信号Vdet1がローレベルからハイレベルに変化する。   As shown in FIG. 9, in the period T <b> 1, the power supply voltage for the wireless power feeding at the supply terminal T <b> 1 of the first input voltage 1 is first started by supplying the power supply voltage to the supply terminal T <b> 1 of the first input voltage 1. . When the power supply voltage for wireless power feeding reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet1 of the input voltage detection circuit 21248 changes from low level to high level.

ワイヤレス電源電圧の上昇に応答して、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇が開始される。更に、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇に応答して、第2バッファ回路BA2から生成されるデジタル回路電源電圧DVDDの上昇が開始される。このデジタル回路電源電圧DVDDが第2基準電圧発生回路Ref_Gen2の基準電圧VBBに対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット回路21244の差動増幅器DA2の出力がローレベルからハイレベルに変化して、時定数回路の抵抗Rpと容量Cpの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが第3バッファ回路BA3のしきい値電圧に対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号PORがローレベルからハイレベルに変化して、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のパワーオンリセット動作が終了される。 In response to the increase of the wireless power supply voltage, the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243 starts to increase. Further, in response to the increase in the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, the increase in the digital circuit power supply voltage DV DD generated from the second buffer circuit BA2 is started. When the digital circuit power supply voltage DV DD reaches the detection threshold voltage corresponding to the reference voltage V BB of the second reference voltage generating circuit Ref_Gen2, power on the output is at a high level from the low level of the differential amplifier DA2 of the reset circuit 21244 Then, a power-on reset period is started by charging the resistor Rp and the capacitor Cp of the time constant circuit. When the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit reaches the detection threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the third buffer circuit BA3, the power-on reset signal POR changes from the low level to the high level, and the control is performed. The power-on reset operation of the logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is finished.

パワーオンリセット動作の終了によって期間T2では、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は入力電圧検出回路21248のハイレベルの電圧検出出力信号Vdet1とローレベルの電圧検出出力信号Vdet2とに応答するものである。従って、入力電圧検出回路21248と制御ロジック回路21245とによる制御によって、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオン状態に制御する一方、スイッチSW3をオフ状態に制御する。その結果、第1入力電圧1の供給端子T1からの供給電圧が、降圧DC−DCコンバータ2121とスイッチSW2とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。更に入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246による制御によって、第1ゲイン制御信号CNT1と第2ゲイン制御信号CNT2とがそれぞれハイレベルとローレベルに設定され、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とがそれぞれ高ゲインと低ゲインに設定される。その結果、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2よりも高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。従って、ワイヤレス給電はオン状態に制御され、USB給電はオフ状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。   By the end of the power-on reset operation, in the period T2, the control logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 are switched to the high level voltage detection output signal Vdet1 and the low level voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248. It is a response. Therefore, the control by the input voltage detection circuit 21248 and the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to the on state, while setting the switch SW3 to the off state. Control. As a result, the supply voltage from the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is used for charging the secondary battery 26 via the step-down DC-DC converter 2121, the switch SW2, and the P-channel MOS transistor Mp0, and also on the power receiving side. Used to supply power to the system 3. Further, by the control by the input voltage selection switch control logic circuit 21246, the first gain control signal CNT1 and the second gain control signal CNT2 are set to the high level and the low level, respectively, and the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and The second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 is set to a high gain and a low gain, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 of the first node Node1 is compared with the voltage. Generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243 Accordingly, the wireless power feeding is controlled to be in the on state, the USB power feeding is controlled to be in the off state, and automatic selection of the power source to be used is executed.

この状態で、期間T2の最後に第2入力電圧2の供給端子T2の電源電圧の供給によって、第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧の上昇が開始される。その結果、USB給電の電源電圧の上昇が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧検出回路21248の電圧検出出力信号Vdet2がローレベルからハイレベルに変化する。   In this state, by the supply of the power supply voltage at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 at the end of the period T2, the increase of the power supply voltage for USB power supply at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is started. As a result, when the rise of the USB power supply voltage reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248 changes from the low level to the high level.

期間T2の最後のタイミングでは、入力電圧検出回路21248からはハイレベルの両方の電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2が生成されている。しかし、制御ロジック回路21245の内部ではUSB給電の優先順位よりワイヤレス給電の優先順位が高く設定されているので、期間T2の最終タイミングで入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246からハイレベルの第1ゲイン制御信号CNT1とローレベルの第2ゲイン制御信号CNT2が生成されている。従って、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とがそれぞれ高ゲインと低ゲインに設定される。その結果、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2より高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。従って、ワイヤレス給電はオン状態に制御され、USB給電はオフ状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。   At the last timing of the period T2, the input voltage detection circuit 21248 generates both high-level voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2. However, since the priority of the wireless power feeding is set higher than the priority of the USB power feeding inside the control logic circuit 21245, the high-level first gain control is performed from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 at the final timing of the period T2. A signal CNT1 and a low-level second gain control signal CNT2 are generated. Accordingly, the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 are set to a high gain and a low gain, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 of the first node Node1 is compared with the voltage comparison / selection circuit 21243. It is generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243. Accordingly, the wireless power feeding is controlled to be in the on state, the USB power feeding is controlled to be in the off state, and automatic selection of the power source to be used is executed.

しかし、図9に示すように、期間T2と期間T3との切り替わりタイミングにおいて、高い方の優先順序に設定された第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の停電が発生する。従って、この切り替わりタイミングの以降では、第2供給端子T2のUSB給電電源電圧の第2可変伝達回路2124Y2の低ゲインの第2ゲインGain2による増幅結果である第2ノードNode2の電圧が、第1供給端子T1のワイヤレス給電供給電圧の第1可変伝達回路2124Y1の高ゲインの第1ゲインGain1による増幅結果よりも高レベルとなる。   However, as shown in FIG. 9, at the switching timing between the period T2 and the period T3, a power failure occurs in the power supply voltage of the wireless power supply of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 set in the higher priority order. Therefore, after this switching timing, the voltage of the second node Node2, which is the result of amplification of the USB power supply voltage of the second supply terminal T2 by the low gain second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2, is the first supply. The level of the wireless power supply voltage at the terminal T1 is higher than the result of amplification by the first gain Gain1 of the high gain of the first variable transmission circuit 2124Y1.

従って、図9に示すように、期間T3と期間T4との切り替わりタイミングにおいて、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第1ゲイン制御信号CNT1はハイレベルからローレベルに変化して入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第2ゲイン制御信号CNT2はローレベルからハイレベルに変化する。従って、期間T3と期間T4との切り替わりタイミングにおいて、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1は高ゲインから低ゲインに変化して、第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2は低ゲインから高ゲインに変化する。   Therefore, as shown in FIG. 9, at the switching timing between the period T3 and the period T4, the first gain control signal CNT1 generated from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 changes from the high level to the low level to change the input voltage. The second gain control signal CNT2 generated from the selection switch control logic circuit 21246 changes from low level to high level. Accordingly, at the switching timing between the period T3 and the period T4, the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 changes from high gain to low gain, and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 changes from low gain. Change to high gain.

その結果、図9に示すように、期間T4から、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1より高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。更に入力電圧検出回路21248と制御ロジック回路21245とによる制御によって、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオフ状態に制御する一方、スイッチSW3をオン状態に制御する。その結果、第2入力電圧2の供給端子T2からの供給電圧が、スイッチSW3とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。従って、ワイヤレス給電はオフ状態に制御され、USB給電はオン状態に制御され、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択が実行される。   As a result, as shown in FIG. 9, from the period T4, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the second input voltage 2 of the second node Node2 The supply voltage of the supply terminal T2 is generated as the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243. Further, the control by the input voltage detection circuit 21248 and the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to the off state, while controlling the switch SW3 to the on state. To do. As a result, the supply voltage from the supply terminal T2 of the second input voltage 2 is used for charging the secondary battery 26 via the switch SW3 and the P-channel MOS transistor Mp0, and for supplying power to the power receiving system 3. used. Therefore, the wireless power supply is controlled to be in an off state, the USB power supply is controlled to be in an on state, and automatic selection is performed in which a power supply to be used is selected again from a plurality of power supplies in response to a power failure.

《実施の形態1による入力電圧選択回路の各部の波形》
図10は、図7に示した実施の形態1による入力電圧選択回路2124の他の動作を説明するための入力電圧選択回路2124の各部の波形を示す図である。
<< Waveforms of Each Part of Input Voltage Selection Circuit According to Embodiment 1 >>
FIG. 10 is a diagram showing waveforms of respective parts of the input voltage selection circuit 2124 for explaining another operation of the input voltage selection circuit 2124 according to the first embodiment shown in FIG.

図10に示すように、期間T1では、最初に第2入力電圧2の供給端子T2への電源電圧の供給により第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電電源電圧の上昇が開始される。USB給電電源電圧が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧検出回路21248の電圧検出出力信号Vdet2がローレベルからハイレベルに変化する。   As shown in FIG. 10, in the period T1, the USB power supply voltage at the supply terminal T2 for the second input voltage 2 starts to rise due to the supply of the power supply voltage to the supply terminal T2 for the second input voltage 2 first. When the USB power supply voltage reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248 changes from low level to high level.

USB電源電圧の上昇に応答して、電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇が開始される。更に電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccの上昇に応答して、第2バッファ回路BA2から生成されるデジタル回路電源電圧DVDDの上昇が開始される。このデジタル回路電源電圧DVDDが第2基準電圧発生回路Ref_Gen2の基準電圧VBBに対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット回路21244の差動増幅器DA2の出力がローレベルからハイレベルに変化して、時定数回路の抵抗Rpと容量Cpの充電によるパワーオンリセット期間が開始される。時定数回路の容量Cpの端子電圧Vcが第3バッファ回路BA3のしきい値電圧に対応する検出しきい値電圧に到達すると、パワーオンリセット信号PORがローレベルからハイレベルに変化して、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246のパワーオンリセット動作が終了される。 In response to the rise of the USB power supply voltage, the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243 starts to rise. Further, in response to the increase of the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243, the increase of the digital circuit power supply voltage DV DD generated from the second buffer circuit BA2 is started. When the digital circuit power supply voltage DV DD reaches the detection threshold voltage corresponding to the reference voltage V BB of the second reference voltage generating circuit Ref_Gen2, power on the output is at a high level from the low level of the differential amplifier DA2 of the reset circuit 21244 Then, a power-on reset period is started by charging the resistor Rp and the capacitor Cp of the time constant circuit. When the terminal voltage Vc of the capacitor Cp of the time constant circuit reaches the detection threshold voltage corresponding to the threshold voltage of the third buffer circuit BA3, the power-on reset signal POR changes from the low level to the high level, and the control is performed. The power-on reset operation of the logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 is finished.

パワーオンリセット動作の終了によって期間T2では、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は入力電圧検出回路21248のローレベルの電圧検出出力信号Vdet1とハイレベルの電圧検出出力信号Vdet2とに応答するものである。従って、制御ロジック回路21245と入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246は入力電圧検出回路21248のローレベルの電圧検出出力信号Vdet1とハイレベルの電圧検出出力信号Vdet2とに応答するものである。従って、入力電圧検出回路21248と制御ロジック回路21245とによる制御によって、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオフ状態に制御する一方、スイッチSW3をオン状態に制御する。その結果、第1入力電圧2の供給端子T2からの供給電圧が、スイッチSW3とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。更に入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246による制御によって、第1ゲイン制御信号CNT1と第2ゲイン制御信号CNT2とがそれぞれローレベルとハイレベルに設定され、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とがそれぞれ低ゲインと高ゲインに設定される。その結果、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1よりも高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。従って、ワイヤレス給電はオフ状態に制御され、USB給電はオン状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。   The input voltage selection switch control logic circuit 21246 responds to the low level voltage detection output signal Vdet1 and the high level voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248 in the period T2 due to the end of the power-on reset operation. . Therefore, the control logic circuit 21245 and the input voltage selection switch control logic circuit 21246 are responsive to the low level voltage detection output signal Vdet1 and the high level voltage detection output signal Vdet2 of the input voltage detection circuit 21248. Therefore, the control by the input voltage detection circuit 21248 and the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to the off state, while turning the switch SW3 to the on state. Control. As a result, the supply voltage from the supply terminal T2 of the first input voltage 2 is used for charging the secondary battery 26 via the switch SW3 and the P-channel MOS transistor Mp0, and for supplying power to the power receiving side system 3. used. Further, under the control of the input voltage selection switch control logic circuit 21246, the first gain control signal CNT1 and the second gain control signal CNT2 are set to a low level and a high level, respectively, and the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and The second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 is set to a low gain and a high gain, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 of the second node Node2 is compared with the voltage. Generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243 Accordingly, the wireless power feeding is controlled to be in the off state, the USB power feeding is controlled to be in the on state, and automatic selection of the power source to be used is executed.

この状態で、期間T2の最後に第1入力電圧1の供給端子T1の電源電圧の供給によって、第1入力電圧1の供給端子T1のワイヤレス給電の電源電圧の上昇が開始される。その結果、ワイヤレス給電の電源電圧の上昇が検出しきい値電圧に到達すると、入力電圧検出回路21248の電圧検出出力信号Vdet1がローレベルからハイレベルに変化する。   In this state, by the supply of the power supply voltage of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 at the end of the period T2, the increase of the power supply voltage of the wireless power feeding of the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is started. As a result, when the increase of the power supply voltage for wireless power feeding reaches the detection threshold voltage, the voltage detection output signal Vdet1 of the input voltage detection circuit 21248 changes from the low level to the high level.

期間T2の最後のタイミングでは、入力電圧検出回路21248からはハイレベルの両方の電圧検出出力信号Vdet1、Vdet2が生成されている。しかし、制御ロジック回路21245の内部ではUSB給電の優先順位よりワイヤレス給電の優先順位が高く設定されているので、期間T2の最終タイミングで入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246からローレベルの第1ゲイン制御信号CNT1とハイレベルの第2ゲイン制御信号CNT2が生成されている。従って、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1と第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2とがそれぞれ低ゲインと高ゲインに設定される。その結果、電圧比較・選択回路21243は第2ノードNode2の電圧が第1ノードNode1より高いことを検出して、第2ノードNode2の第2入力電圧2の供給端子T2の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。従って、ワイヤレス給電はオフ状態に制御され、USB給電はオン状態に制御され、使用電源の自動選択が実行される。   At the last timing of the period T2, the input voltage detection circuit 21248 generates both high-level voltage detection output signals Vdet1 and Vdet2. However, since the priority of wireless power supply is set higher than the priority of USB power supply in the control logic circuit 21245, the low-level first gain control is performed from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 at the final timing of the period T2. A signal CNT1 and a high-level second gain control signal CNT2 are generated. Accordingly, the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 are set to a low gain and a high gain, respectively. As a result, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the second node Node2 is higher than the first node Node1, and the supply voltage of the supply terminal T2 of the second input voltage 2 of the second node Node2 is It is generated as the output voltage Vcc of the selection circuit 21243. Accordingly, the wireless power feeding is controlled to be in the off state, the USB power feeding is controlled to be in the on state, and automatic selection of the power source to be used is executed.

しかし、図10に示すように期間T2と期間T3との切り替わりタイミングにおいて、高い方の優先順序に設定された第2入力電圧2の供給端子T2のUSB給電の電源電圧の停電が発生する。従って、この切り替わりタイミングの以降では、第1供給端子T1のワイヤレス給電供給電圧の第1可変伝達回路2124Y1の低ゲインの第1ゲインGain1による増幅結果が、第2供給端子T2のUSB給電電源電圧の第2可変伝達回路2124Y2の高ゲインの第2ゲインGain2による増幅結果である第2ノードNode2の電圧よりも高レベルとなる。   However, as shown in FIG. 10, at the switching timing between the period T2 and the period T3, a power failure occurs in the power supply voltage of the USB power supply at the supply terminal T2 of the second input voltage 2 set in the higher priority order. Therefore, after this switching timing, the result of amplification of the wireless power supply voltage at the first supply terminal T1 by the low gain first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 is the USB power supply voltage at the second supply terminal T2. The voltage becomes higher than the voltage of the second node Node2, which is the result of amplification by the second gain Gain2 of the high gain of the second variable transmission circuit 2124Y2.

従って、図10に示すように期間T3と期間T4との切り替わりタイミングにおいて、入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第1ゲイン制御信号CNT1はローレベルからハイレベルに変化して入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路21246から生成される第2ゲイン制御信号CNT2はハイレベルからローレベルに変化する。従って、期間T3と期間T4との切り替わりタイミングにおいて、第1可変伝達回路2124Y1の第1ゲインGain1は低ゲインから高ゲインに変化して、第2可変伝達回路2124Y2の第2ゲインGain2は高ゲインから低ゲインに変化する。   Therefore, as shown in FIG. 10, at the switching timing between the period T3 and the period T4, the first gain control signal CNT1 generated from the input voltage selection switch control logic circuit 21246 changes from the low level to the high level to select the input voltage. The second gain control signal CNT2 generated from the switch control logic circuit 21246 changes from a high level to a low level. Therefore, at the switching timing between the period T3 and the period T4, the first gain Gain1 of the first variable transmission circuit 2124Y1 changes from low gain to high gain, and the second gain Gain2 of the second variable transmission circuit 2124Y2 changes from high gain. Change to low gain.

その結果、図10に示すように期間T4から、電圧比較・選択回路21243は第1ノードNode1の電圧が第2ノードNode2より高いことを検出して、第1ノードNode1の第1入力電圧1の供給端子T1の供給電圧が電圧比較・選択回路21243の出力電圧Vccとして生成される。更に、入力電圧検出回路21248と制御ロジック回路21245とによる制御によって、図2に示した実施の形態1による半導体集積回路212の内部のスイッチSW2をオン状態に制御する一方、スイッチSW3をオフ状態に制御する。その結果、第1入力電圧1の供給端子T1からの供給電圧が、降圧DC−DCコンバータ2121とスイッチSW2とPチャネルMOSトランジスタMp0とを介して2次電池26の充電に使用されるとともに受電側システム3への電源供給に使用される。従って、ワイヤレス給電はオン状態に制御され、USB給電はオフ状態に制御され、停電に応答して複数の電源から使用電源を再度選択する自動選択が実行される。   As a result, as shown in FIG. 10, from period T4, the voltage comparison / selection circuit 21243 detects that the voltage of the first node Node1 is higher than the second node Node2, and the first input voltage 1 of the first node Node1 The supply voltage of the supply terminal T1 is generated as the output voltage Vcc of the voltage comparison / selection circuit 21243. Further, the control by the input voltage detection circuit 21248 and the control logic circuit 21245 controls the switch SW2 inside the semiconductor integrated circuit 212 according to the first embodiment shown in FIG. 2 to the on state, while setting the switch SW3 to the off state. Control. As a result, the supply voltage from the supply terminal T1 of the first input voltage 1 is used for charging the secondary battery 26 via the step-down DC-DC converter 2121, the switch SW2, and the P-channel MOS transistor Mp0, and also on the power receiving side. Used to supply power to the system 3. Accordingly, the wireless power supply is controlled to be in an on state, the USB power supply is controlled to be in an off state, and automatic selection is performed in which a power supply to be used is selected again from a plurality of power supplies in response to a power failure.

以上、本発明者によってなされた発明を種々の実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。   As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on various embodiments. However, the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

例えば、図7に示した実施の形態1の入力電圧選択回路2124の可変伝達回路2124Yの第1可変伝達回路2124Y1と第2可変伝達回路2124Y2とは、図8に示した可変利得増幅器だけではなく、ゲインしての減衰量が可変制御される可変減衰器(Variable Attenuator)によって構成することも可能である。   For example, the first variable transmission circuit 2124Y1 and the second variable transmission circuit 2124Y2 of the variable transmission circuit 2124Y of the input voltage selection circuit 2124 of the first embodiment shown in FIG. 7 are not limited to the variable gain amplifier shown in FIG. Further, it is also possible to configure with a variable attenuator (variable attenuator) in which the attenuation amount as a gain is variably controlled.

更に本半導体集積回路が搭載される電子機器は、多機能携帯電話やタブレットPC等のような携帯型パーソナルコンピュータに限定されるものではなく、デジタルビデオカメラやデジタルスチルカメラや携帯音楽プレイヤーや携帯DVDプレイヤー等に適用することが可能である。   Furthermore, the electronic device on which the semiconductor integrated circuit is mounted is not limited to a portable personal computer such as a multi-function mobile phone or a tablet PC, but a digital video camera, a digital still camera, a portable music player, a portable DVD, etc. It can be applied to players and the like.

更に、本半導体集積回路が搭載される電子機器は、RFIDカードを内蔵することで自動改札システム、電子マネー等の機能を有する携帯電話に適用することが可能である。   Furthermore, an electronic device in which the semiconductor integrated circuit is mounted can be applied to a mobile phone having functions such as an automatic ticket gate system and electronic money by incorporating an RFID card.

1…送電回路
2…受電回路
3…受電側システム
10…ACアダプタ
11…マイクロコントローラユニット(MCU)
111…認証処理機能
112…暗号処理機能
12…送電制御回路
121…整流回路
122…RFドライバ122
13…送電側アンテナコイル
21…受電制御回路
211…整流回路
22…マイクロコントローラユニット(MCU)
221…認証処理機能
222…暗号処理機能
23…USB接続インターフェース
24…AC電源接続インターフェース24
25…受電側アンテナコイル
26…2次電池
212…半導体集積回路
T1〜T10…端子
D1、D2…ショットキーダイオード
2121…降圧DC−DCコンバータ
2122…リニア・レギュレータ
2123…USB種別検出回路
2124…入力電圧検出回路
2125…外部インターフェース
2126…内蔵レギュレータ
2127…ゲート駆動制御回路
Mp0…PチャネルMOSトランジスタ
SW1、SW2、SW3、SW4…スイッチ
L1…インダクター
C1…容量
21241…リニア・レギュレータ
21242…入力電圧選択スイッチ
21243…電圧比較・選択回路
2124X…パワーオンリセット補助回路2124X
2124Y…可変伝達回路
2124Y1…第1可変伝達回路
2124Y2…第2可変伝達回路
CNT1…第1ゲイン制御信号
CNT2…第2ゲイン制御信号
Ref_Gen1…第1基準電圧発生回路
Ref_Gen2…第2基準電圧発生回路
Ref_Gen3…第3基準電圧発生回路
Ref_Gen4…第4基準電圧発生回路
DA1…差動増幅器
DA2…差動増幅器
DA3…差動増幅器
DA4…差動増幅器
BA1…第1バッファ回路
BA2…第2バッファ回路
21244…パワーオンリセット回路
21245…制御ロジック回路
21246…入力電圧選択スイッチ制御ロジック回路
21247…クロック発生回路
21248…入力電圧検出回路
21249…ゲート駆動回路
2128…アナログ回路
Mn1、Mn2…NチャネルMOSトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Power transmission circuit 2 ... Power reception circuit 3 ... Power receiving side system 10 ... AC adapter 11 ... Microcontroller unit (MCU)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 111 ... Authentication processing function 112 ... Encryption processing function 12 ... Power transmission control circuit 121 ... Rectification circuit 122 ... RF driver 122
DESCRIPTION OF SYMBOLS 13 ... Power transmission side antenna coil 21 ... Power reception control circuit 211 ... Rectification circuit 22 ... Microcontroller unit (MCU)
221 ... Authentication processing function 222 ... Encryption processing function 23 ... USB connection interface 24 ... AC power connection interface 24
25 ... Receiving side antenna coil 26 ... Secondary battery 212 ... Semiconductor integrated circuit T1-T10 ... Terminals D1, D2 ... Schottky diode 2121 ... Step-down DC-DC converter 2122 ... Linear regulator 2123 ... USB type detection circuit 2124 ... Input voltage Detection circuit 2125 ... External interface 2126 ... Built-in regulator 2127 ... Gate drive control circuit Mp0 ... P-channel MOS transistor SW1, SW2, SW3, SW4 ... Switch L1 ... Inductor C1 ... Capacitance 21241 ... Linear regulator 21242 ... Input voltage selection switch 21243 ... Voltage comparison / selection circuit 2124X ... Power-on reset auxiliary circuit 2124X
2124Y ... variable transmission circuit 2124Y1 ... first variable transmission circuit 2124Y2 ... second variable transmission circuit CNT1 ... first gain control signal CNT2 ... second gain control signal Ref_Gen1 ... first reference voltage generation circuit Ref_Gen2 ... second reference voltage generation circuit Ref_Gen3 ... 3rd reference voltage generation circuit Ref_Gen4 ... 4th reference voltage generation circuit DA1 ... Differential amplifier DA2 ... Differential amplifier DA3 ... Differential amplifier DA4 ... Differential amplifier BA1 ... 1st buffer circuit BA2 ... 2nd buffer circuit 21244 ... Power On-reset circuit 21245 ... Control logic circuit 21246 ... Input voltage selection switch control logic circuit 21247 ... Clock generation circuit 21248 ... Input voltage detection circuit 21249 ... Gate drive circuit 2128 ... Analog circuit Mn1, Mn2 ... N channel MOS transistor

Claims (20)

半導体集積回路は、第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路と、第1電源スイッチと、第2電源スイッチとを具備して、
前記入力電圧選択回路は、パワーオンリセット回路と入力電圧検出回路と第1可変伝達回路と第2可変伝達回路と電圧比較・選択回路と制御回路とを含み、
前記第1可変伝達回路の入力端子と前記第2可変伝達回路の入力端子とは、前記第1の供給端子と前記第2の供給端子とにそれぞれ接続され、
前記電圧比較・選択回路は第1入力端子と第2入力端子と出力端子とを有して、前記第1入力端子は前記第1可変伝達回路の出力端子に接続され、前記第2入力端子は前記第2可変伝達回路の出力端子に接続され、
前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される動作電圧が生成され、
前記電圧比較・選択回路は前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される前記動作電圧として出力して、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1と第2のいずれか電源電圧の前記第1と第2のいずれかの供給端子への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第1の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御して、
前記第1の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの供給が検出された供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量を供給が検出されない供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定して、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1および第2の電源電圧の両者の前記第1および第2の供給端子の両者への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第2の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順序の高い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御して、
前記第2の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応しない可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定して、
前記高い優先順序を持った前記電源スイッチが前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものであり、
前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1および第2の電源スイッチのうち前記事前に設定された優先順序の低い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御して、
前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記低い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する
半導体集積回路。
The semiconductor integrated circuit includes: a first supply terminal capable of supplying a first power supply voltage; a second supply terminal capable of supplying a second power supply voltage; and the first supply terminal and the second supply terminal. A connected input voltage selection circuit, a first power switch, and a second power switch;
The input voltage selection circuit includes a power-on reset circuit, an input voltage detection circuit, a first variable transmission circuit, a second variable transmission circuit, a voltage comparison / selection circuit, and a control circuit,
The input terminal of the first variable transmission circuit and the input terminal of the second variable transmission circuit are connected to the first supply terminal and the second supply terminal, respectively.
The voltage comparison / selection circuit has a first input terminal, a second input terminal, and an output terminal, the first input terminal is connected to the output terminal of the first variable transmission circuit, and the second input terminal is Connected to the output terminal of the second variable transmission circuit;
An operating voltage supplied to the power-on reset circuit and the input voltage detection circuit is generated from the output terminal of the voltage comparison / selection circuit,
The voltage comparison / selection circuit compares the voltage of the first input terminal and the voltage of the second input terminal to select a high voltage, and thereby selects the high voltage from the output terminal to the power-on reset circuit and the input. Output as the operating voltage supplied to the voltage detection circuit,
The first input voltage detection circuit detects the supply of either the first or second power supply voltage to the first or second supply terminal at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit in response to the detection controls to turn on the power switch corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first and second power switches,
In the first case, the control circuit detects the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. Set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal that is not
The input voltage detection circuit detects the supply of both the first and second power supply voltages to both the first and second supply terminals at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit in response to the detection controls the power switch having a higher priority order set in advance among the first and second power switches to an ON state,
In the second case, the control circuit includes the power supply having the higher priority order among the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the switch is set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit not corresponding to the power switch having the high priority order,
After the power switch having the high priority order is controlled to the on state, the input voltage detection circuit supplies the power switch having the high priority order among the first and second power switches. To detect a power failure of the power supply
In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit has a power switch having a low priority order set in advance among the first power switch and the second power switch. Control to ON state,
In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit includes the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. A semiconductor integrated circuit that sets a signal transmission amount of a variable transmission circuit corresponding to the power switch having a low priority order to be larger than a signal transmission amount of a variable transmission circuit corresponding to the power switch having a high priority order.
請求項1において、
前記半導体集積回路は、負荷としての第1外部負荷と第2外部負荷とに前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧をそれぞれ供給する第1外部出力端子と第2外部出力端子を更に具備して、
前記半導体集積回路は、前記第1外部出力端子と前記第2外部出力端子との間に接続された出力PチャネルMOSトランジスタを更に具備して、
前記パワーオンリセット動作終了の後におよび前記停電の検出結果に応答して、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路により前記出力PチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御され、
前記出力PチャネルMOSトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧が前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とを介して供給可能とされた
半導体集積回路。
In claim 1,
The semiconductor integrated circuit further includes a first external output terminal and a second external output terminal for supplying the first power supply voltage or the second power supply voltage to a first external load and a second external load as loads, respectively. Equipped
The semiconductor integrated circuit further comprises an output P-channel MOS transistor connected between the first external output terminal and the second external output terminal,
When either the first power switch or the second power switch is controlled to be in the on state after the power-on reset operation is completed and in response to the detection result of the power failure, the output is performed by the control circuit. The P-channel MOS transistor is controlled to be on,
When the output P-channel MOS transistor is controlled to be in the ON state, the first power supply voltage or the second power supply voltage is applied to the second external load from the output P-channel MOS transistor and the second external output terminal. A semiconductor integrated circuit that can be supplied via
請求項2において、
前記第1外部出力端子は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第1外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものであり、
前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とは、バッテリーである前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成された
半導体集積回路。
In claim 2,
The first external output terminal is configured to be able to supply the first power supply voltage or the second power supply voltage to the first external load which is another semiconductor integrated circuit as an active device. Is,
The output P-channel MOS transistor and the second external output terminal are configured to be able to supply the first power supply voltage or the second power supply voltage to the second external load that is a battery. Semiconductor integrated circuit.
請求項3において、
前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路とは、それぞれ第1可変利得増幅器と第2可変利得増幅器とにより構成された
半導体集積回路。
In claim 3,
The first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit are semiconductor integrated circuits each including a first variable gain amplifier and a second variable gain amplifier.
請求項3において、
前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路とは、それぞれ第1可変減衰器と第2可変減衰器とにより構成された
半導体集積回路。
In claim 3,
The first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit are semiconductor integrated circuits each including a first variable attenuator and a second variable attenuator.
請求項3において、
前記電圧比較・選択回路は、第1PチャネルMOSトランジスタと第2PチャネルMOSトランジスタと差動増幅器とを含み、
前記第1PチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは、前記電圧比較・選択回路の前記第1入力端子と前記出力端子とにそれぞれ接続され、
前記第2PチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは、前記電圧比較・選択回路の前記第2入力端子と前記出力端子とにそれぞれ接続され、
前記差動増幅器の一方の差動入力端子の他方の差動入力端子とは、前記電圧比較・選択回路の前記第1入力端子と前記第2入力端子とに接続され、
前記差動増幅器の一方の差動出力端子の他方の差動出力端子とは、前記第1PチャネルMOSトランジスタのゲートと前記第2PチャネルMOSトランジスタのゲートとにそれぞれ接続された
半導体集積回路。
In claim 3,
The voltage comparison / selection circuit includes a first P-channel MOS transistor, a second P-channel MOS transistor, and a differential amplifier,
The source and drain of the first P-channel MOS transistor are connected to the first input terminal and the output terminal of the voltage comparison / selection circuit, respectively.
The source and drain of the second P-channel MOS transistor are connected to the second input terminal and the output terminal of the voltage comparison / selection circuit, respectively.
The other differential input terminal of one differential input terminal of the differential amplifier is connected to the first input terminal and the second input terminal of the voltage comparison / selection circuit,
A semiconductor integrated circuit connected to the gate of the first P-channel MOS transistor and the gate of the second P-channel MOS transistor, respectively, with one of the differential output terminals of the differential amplifier.
請求項6において、
前記半導体集積回路は、外部のマイクロコントローラユニットとシリアルデータ通信を実行する外部インターフェースを更に具備して、
前記入力電圧選択回路の前記制御回路は、前記外部インターフェースの動作を制御する
半導体集積回路。
In claim 6,
The semiconductor integrated circuit further comprises an external interface for executing serial data communication with an external microcontroller unit,
The control circuit of the input voltage selection circuit is a semiconductor integrated circuit that controls the operation of the external interface.
請求項7において、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作によって、前記制御回路がリセットされる
半導体集積回路。
In claim 7,
A semiconductor integrated circuit in which the control circuit is reset by a power-on reset operation of the power-on reset circuit.
請求項8において、
前記半導体集積回路は、前記第1供給端子と前記第1電源スイッチとの間に並列接続された降圧DC−DCコンバータとリニア・レギュレータを更に具備して、
前記リニア・レギュレータは、前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものであり、
前記降圧DC−DCコンバータ2121は、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する
半導体集積回路。
In claim 8,
The semiconductor integrated circuit further comprises a step-down DC-DC converter and a linear regulator connected in parallel between the first supply terminal and the first power switch,
The linear regulator operates as a series regulator that operates immediately after power-on due to the supply of the first power supply voltage to the first supply terminal,
The step-down DC-DC converter 2121 is a semiconductor integrated circuit that operates as a switching regulator having higher power efficiency than the linear regulator.
請求項9において、
前記第1供給端子に第1ショットキーダイオードを介してワイヤレス給電の電源電圧と第2ショットキーダイオードを介してAC電源接続インターフェースのAC−DC変換電源電圧とが供給可能なように、前記第1供給端子が構成されたものであり、
前記第2供給端子にUSB接続インターフェースのUSB電源電圧が供給可能なように、前記第2供給端子が構成された
半導体集積回路。
In claim 9,
The first supply terminal can be supplied with a power supply voltage for wireless power feeding via a first Schottky diode and an AC-DC conversion power supply voltage for an AC power connection interface via a second Schottky diode. The supply terminal is configured,
A semiconductor integrated circuit in which the second supply terminal is configured so that a USB power supply voltage of a USB connection interface can be supplied to the second supply terminal.
第1の電源電圧が供給可能である第1供給端子と、第2の電源電圧が供給可能である第2供給端子と、前記第1供給端子と前記第2供給端子とに接続された入力電圧選択回路と、第1電源スイッチと、第2電源スイッチとを具備する半導体集積回路の動作方法であって、
前記入力電圧選択回路は、パワーオンリセット回路と入力電圧検出回路と第1可変伝達回路と第2可変伝達回路と電圧比較・選択回路と制御回路とを含み、
前記第1可変伝達回路の入力端子と前記第2可変伝達回路の入力端子とは、前記第1の供給端子と前記第2の供給端子とにそれぞれ接続され、
前記電圧比較・選択回路は第1入力端子と第2入力端子と出力端子とを有して、前記第1入力端子は前記第1可変伝達回路の出力端子に接続され、前記第2入力端子は前記第2可変伝達回路の出力端子に接続され、
前記電圧比較・選択回路の前記出力端子から、前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される動作電圧が生成され、
前記電圧比較・選択回路は前記第1入力端子の電圧と前記第2入力端子の電圧を比較して高い電圧を選択することにより、当該高い電圧を前記出力端子から前記パワーオンリセット回路と前記入力電圧検出回路とに供給される前記動作電圧として出力して、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1と第2のいずれか電源電圧の前記第1と第2のいずれかの供給端子への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第1の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの供給が検出された供給端子に対応する電源スイッチをオン状態に制御して、
前記第1の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの供給が検出された供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量を供給が検出されない供給端子に対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定して、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作終了時に前記第1および第2の電源電圧の両者の前記第1および第2の供給端子の両者への供給を前記入力電圧検出回路が検出する第2の場合には、その検出に応答した前記制御回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの事前に設定された優先順序の高い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御して、
前記第2の場合には、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応しない可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定して、
前記高い優先順序を持った前記電源スイッチが前記オン状態に制御された後に、前記入力電圧検出回路は前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに供給された電源電圧の停電を検出するものであり、
前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1および第2の電源スイッチのうち前記事前に設定された優先順序の低い優先順序を持った電源スイッチをオン状態に制御して、
前記入力電圧検出回路による前記停電の検出結果に応答して、前記制御回路は、前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路のうちの前記第1および第2の電源スイッチのうちの前記低い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量を前記高い優先順序を持った前記電源スイッチに対応する可変伝達回路の信号伝達量よりも大きく設定する
半導体集積回路の動作法方法。
A first supply terminal capable of supplying a first power supply voltage, a second supply terminal capable of supplying a second power supply voltage, and an input voltage connected to the first supply terminal and the second supply terminal An operation method of a semiconductor integrated circuit comprising a selection circuit, a first power switch, and a second power switch,
The input voltage selection circuit includes a power-on reset circuit, an input voltage detection circuit, a first variable transmission circuit, a second variable transmission circuit, a voltage comparison / selection circuit, and a control circuit,
The input terminal of the first variable transmission circuit and the input terminal of the second variable transmission circuit are connected to the first supply terminal and the second supply terminal, respectively.
The voltage comparison / selection circuit has a first input terminal, a second input terminal, and an output terminal, the first input terminal is connected to the output terminal of the first variable transmission circuit, and the second input terminal is Connected to the output terminal of the second variable transmission circuit;
An operating voltage supplied to the power-on reset circuit and the input voltage detection circuit is generated from the output terminal of the voltage comparison / selection circuit,
The voltage comparison / selection circuit compares the voltage of the first input terminal and the voltage of the second input terminal to select a high voltage, and thereby selects the high voltage from the output terminal to the power-on reset circuit and the input. Output as the operating voltage supplied to the voltage detection circuit,
The first input voltage detection circuit detects the supply of either the first or second power supply voltage to the first or second supply terminal at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit in response to the detection controls to turn on the power switch corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first and second power switches,
In the first case, the control circuit detects the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal from which the supply is detected among the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. Set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the supply terminal that is not
The input voltage detection circuit detects the supply of both the first and second power supply voltages to both the first and second supply terminals at the end of the power-on reset operation of the power-on reset circuit. In this case, the control circuit in response to the detection controls the power switch having a higher priority order set in advance among the first and second power switches to an ON state,
In the second case, the control circuit includes the power supply having the higher priority order among the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. The signal transmission amount of the variable transmission circuit corresponding to the switch is set larger than the signal transmission amount of the variable transmission circuit not corresponding to the power switch having the high priority order,
After the power switch having the high priority order is controlled to the on state, the input voltage detection circuit supplies the power switch having the high priority order among the first and second power switches. To detect a power failure of the power supply
In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit has a power switch having a low priority order set in advance among the first power switch and the second power switch. Control to ON state,
In response to the detection result of the power failure by the input voltage detection circuit, the control circuit includes the first and second power switches of the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit. Operation of a semiconductor integrated circuit for setting a signal transmission amount of a variable transmission circuit corresponding to the power switch having a low priority order to be larger than a signal transmission amount of a variable transmission circuit corresponding to the power switch having a high priority order Law method.
請求項11において、
前記半導体集積回路は、負荷としての第1外部負荷と第2外部負荷とに前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧をそれぞれ供給する第1外部出力端子と第2外部出力端子を更に具備して、
前記半導体集積回路は、前記第1外部出力端子と前記第2外部出力端子との間に接続された出力PチャネルMOSトランジスタを更に具備して、
前記パワーオンリセット動作終了の後におよび前記停電の検出結果に応答して、前記第1電源スイッチと前記第2電源スイッチのいずれかがオン状態に制御される場合には、前記制御回路により前記出力PチャネルMOSトランジスタがオン状態に制御され、
前記出力PチャネルMOSトランジスタが前記オン状態に制御されることによって、前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧が前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とを介して供給可能とされた
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 11,
The semiconductor integrated circuit further includes a first external output terminal and a second external output terminal for supplying the first power supply voltage or the second power supply voltage to a first external load and a second external load as loads, respectively. Equipped
The semiconductor integrated circuit further comprises an output P-channel MOS transistor connected between the first external output terminal and the second external output terminal,
When either the first power switch or the second power switch is controlled to be in the on state after the power-on reset operation is completed and in response to the detection result of the power failure, the output is performed by the control circuit. The P-channel MOS transistor is controlled to be on,
When the output P-channel MOS transistor is controlled to be in the ON state, the first power supply voltage or the second power supply voltage is applied to the second external load from the output P-channel MOS transistor and the second external output terminal. A method of operating a semiconductor integrated circuit that can be supplied via
請求項12において、
前記第1外部出力端子は、能動デバイスとしての他の半導体集積回路である前記第1外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成されたものであり、
前記出力PチャネルMOSトランジスタと前記第2外部出力端子とは、バッテリーである前記第2外部負荷に前記第1の電源電圧または前記第2の電源電圧を供給することが可能なように構成された
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 12,
The first external output terminal is configured to be able to supply the first power supply voltage or the second power supply voltage to the first external load which is another semiconductor integrated circuit as an active device. Is,
The output P-channel MOS transistor and the second external output terminal are configured to be able to supply the first power supply voltage or the second power supply voltage to the second external load that is a battery. Method of operating a semiconductor integrated circuit.
請求項13において、
前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路とは、それぞれ第1可変利得増幅器と第2可変利得増幅器とにより構成された
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 13,
A method of operating a semiconductor integrated circuit, wherein the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit are respectively constituted by a first variable gain amplifier and a second variable gain amplifier.
請求項13において、
前記第1可変伝達回路と前記第2可変伝達回路とは、それぞれ第1可変減衰器と第2可変減衰器とにより構成された
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 13,
A method of operating a semiconductor integrated circuit, wherein the first variable transmission circuit and the second variable transmission circuit are each composed of a first variable attenuator and a second variable attenuator.
請求項13において、
前記電圧比較・選択回路は、第1PチャネルMOSトランジスタと第2PチャネルMOSトランジスタと差動増幅器とを含み、
前記第1PチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは、前記電圧比較・選択回路の前記第1入力端子と前記出力端子とにそれぞれ接続され、
前記第2PチャネルMOSトランジスタのソースとドレインとは、前記電圧比較・選択回路の前記第2入力端子と前記出力端子とにそれぞれ接続され、
前記差動増幅器の一方の差動入力端子の他方の差動入力端子とは、前記電圧比較・選択回路の前記第1入力端子と前記第2入力端子とに接続され、
前記差動増幅器の一方の差動出力端子の他方の差動出力端子とは、前記第1PチャネルMOSトランジスタのゲートと前記第2PチャネルMOSトランジスタのゲートとにそれぞれ接続された
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 13,
The voltage comparison / selection circuit includes a first P-channel MOS transistor, a second P-channel MOS transistor, and a differential amplifier,
The source and drain of the first P-channel MOS transistor are connected to the first input terminal and the output terminal of the voltage comparison / selection circuit, respectively.
The source and drain of the second P-channel MOS transistor are connected to the second input terminal and the output terminal of the voltage comparison / selection circuit, respectively.
The other differential input terminal of one differential input terminal of the differential amplifier is connected to the first input terminal and the second input terminal of the voltage comparison / selection circuit,
Operation method of a semiconductor integrated circuit connected to the gate of the first P-channel MOS transistor and the gate of the second P-channel MOS transistor, respectively, with one of the differential output terminals of the differential amplifier Method.
請求項16において、
前記半導体集積回路は、外部のマイクロコントローラユニットとシリアルデータ通信を実行する外部インターフェースを更に具備して、
前記入力電圧選択回路の前記制御回路は、前記外部インターフェースの動作を制御する
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 16,
The semiconductor integrated circuit further comprises an external interface for executing serial data communication with an external microcontroller unit,
A method for operating a semiconductor integrated circuit, wherein the control circuit of the input voltage selection circuit controls the operation of the external interface.
請求項17において、
前記パワーオンリセット回路のパワーオンリセット動作によって、前記制御回路がリセットされる
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 17,
A method for operating a semiconductor integrated circuit, wherein the control circuit is reset by a power-on reset operation of the power-on reset circuit.
請求項18において、
前記半導体集積回路は、前記第1供給端子と前記第1電源スイッチとの間に並列接続された降圧DC−DCコンバータとリニア・レギュレータを更に具備して、
前記リニア・レギュレータは、前記第1供給端子への前記第1の電源電圧の前記供給による電源投入直後に即座動作するシリーズレギュレータとして動作するものであり、
前記降圧DC−DCコンバータ2121は、前記リニア・レギュレータよりも高い電力効率を有するスイッチングレギュレータとして動作する
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 18,
The semiconductor integrated circuit further comprises a step-down DC-DC converter and a linear regulator connected in parallel between the first supply terminal and the first power switch,
The linear regulator operates as a series regulator that operates immediately after power-on due to the supply of the first power supply voltage to the first supply terminal,
The step-down DC-DC converter 2121 is a method of operating a semiconductor integrated circuit that operates as a switching regulator having higher power efficiency than the linear regulator.
請求項19において、
前記第1供給端子に第1ショットキーダイオードを介してワイヤレス給電の電源電圧と第2ショットキーダイオードを介してAC電源接続インターフェースのAC−DC変換電源電圧とが供給可能なように、前記第1供給端子が構成されたものであり、
前記第2供給端子にUSB接続インターフェースのUSB電源電圧が供給可能なように、前記第2供給端子が構成された
半導体集積回路の動作法方法。
In claim 19,
The first supply terminal can be supplied with a power supply voltage for wireless power feeding via a first Schottky diode and an AC-DC conversion power supply voltage for an AC power connection interface via a second Schottky diode. The supply terminal is configured,
A method of operating a semiconductor integrated circuit in which the second supply terminal is configured so that the USB supply voltage of the USB connection interface can be supplied to the second supply terminal.
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