JP2014037629A - スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置 - Google Patents
スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014037629A JP2014037629A JP2013168621A JP2013168621A JP2014037629A JP 2014037629 A JP2014037629 A JP 2014037629A JP 2013168621 A JP2013168621 A JP 2013168621A JP 2013168621 A JP2013168621 A JP 2013168621A JP 2014037629 A JP2014037629 A JP 2014037629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- black matrix
- organic light
- light emitting
- emitting display
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012388 gravitational sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置に係り、より詳しくは、ブラックマトリックスの形成のためのスパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置に関する。
【解決手段】このために、本発明は、ブラックマトリックスを蒸着させるためのスパッタリング工程に用いられるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットは、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、前記ＭｏまたはＷの含有量が前記Ｓｉの含有量の０．５倍以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
【選択図】図１
【解決手段】このために、本発明は、ブラックマトリックスを蒸着させるためのスパッタリング工程に用いられるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットは、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、前記ＭｏまたはＷの含有量が前記Ｓｉの含有量の０．５倍以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
【選択図】図１
Description
本発明は、スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置に関し、より詳しくは、ブラックマトリックスの形成のためのスパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置に関する。
一般に、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ；ＯＬＥＤ）は、アノード（ａｎｏｄｅ）、有機発光層、及びカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）を含んでなる。ここで、アノードとカソードとの間に電圧を印加すると、正孔はアノードから正孔注入層内に注入され、正孔輸送層を経て発光層へと移動し、電子はカソードから電子注入層内に注入され、電子輸送層を経て発光層へと移動する。このとき、発光層内に注入された正孔と電子は発光層で再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、このような励起子が励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に遷移しながら光を放出するようになる。
一方、この種の有機発光素子からなる有機発光表示装置は、マトリックス形態で配置されたＮ×Ｍ個の画素を駆動する方式に応じて、パッシブマトリックス（ｐａｓｓｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式とアクティブマトリックス（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）方式とに分けられる。
ここで、アクティブマトリックス方式の場合、単位画素領域には発光領域を画成する画素電極と、該画素電極に電流または電圧を印加するための単位画素駆動回路が配設される。このとき、単位画素駆動回路は、少なくとも二つの薄膜トランジスター（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）と一つのキャパシタを具備し、これらを介して、画素数に関わらず一定の電流の供給が可能になり、安定した輝度を示すことができる。この種のアクティブマトリックス方式の有機発光表示装置は、電力消耗が少ないため、高解像度及び大型ディスプレイへの適用に有利であるという長所を持っている。
しかし、有機発光素子を構成する有機発光層は、その厚さが極めて薄いため、楕円偏光板のような光学フィルターを有機発光ディスプレイ装置に取り付けていない場合、外部光がカソードまたはアノードで反射することで、フルブラック（Ｆｕｌｌ Ｂｌａｃｋ）の実現が難しいという不具合がある。特に、現在商用化された有機発光ディスプレイ装置の場合、カソードとアノードのいずれも金属からなるＭＭ構造を選択しており、その結果、外部光が内部反射層で反射して明室におけるコントラスト比を低下させるという問題がより深化する。
これを解決するために、有機発光ディスプレイ装置に楕円偏光板を取り付ける方法が採用されている。
しかしながら、楕円偏光板は、線偏光板と位相差板とで構成されているため、外部光を遮断させる役割をするものの、逆に内部発生光を消滅させるという不具合を招く。さらには、楕円偏光板は、線偏光板と位相差板とを接合してなるため、一般の光学フィルターに比べて価格が高く且つ板厚が厚いため、フレキシブルまたは折り畳み可能なディスプレイに適用した場合、線偏光板と位相差板とが分離されたり、基板から剥離されたりする問題を生じさせることがある。
これを解決するために、楕円偏光板に代わって、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）と光学フィルターの使用を試みる研究が行われている。
しかしながら、有機発光ディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ）とは違って、駆動素子としてエキシマレーザーを用いて結晶化した多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ｐｏｌｙ-Ｓｉ ＴＦＴ）を使用し、このとき、エキシマレーザーによる結晶化過程を従来の有機ブラックマトリックスが耐えられないという不具合があった。さらには、従来のブラックマトリックスに多く使用されていたクロム（Ｃｒ）及びクロム酸化物（Ｃｒ２Ｏ３）の場合、環境汚染物質として判定され、もはやその使用が難しい実情である。
また、このような問題点は、ＯＬＥＤ用ブラックマトリックスに限るものではなく、ブラックマトリックスが使用されるＬＣＤやタッチセンサ分野の全般において見られている。
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、高抵抗、低反射特性を有するブラックマトリックスを形成することができるスパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置を提供することである。
このために、本発明は、ブラックマトリックスを蒸着させるためのスパッタリング工程に用いられるスパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットは、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、前記ＭｏまたはＷの含有量が前記Ｓｉの含有量の０．５倍以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。
また、本発明は、第１の領域と第２の領域が画成されている基板；前記第２の領域に形成されるブラックマトリックス；前記第１の領域と前記ブラックマトリックス上に形成される絶縁層；前記第１の領域に対応する前記絶縁層上に形成される有機発光素子；及び前記第２の領域に対応する前記絶縁層上に形成される薄膜トランジスター；を含み、前記ブラックマトリックスは、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、前記ＭｏまたはＷの含有量が前記Ｓｉの含有量の０．５倍以上であることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置を提供する。
ここで、前記有機発光ディスプレイ装置は、背面発光型であってよい。
そして、前記絶縁層は、Ｓｉからなるものであってよい。
また、前記ブラックマトリックスは、５％以下の透過率を有することが好ましい。
さらに、前記スパッタリング工程は、ＤＣマグネトロンスパッタリング工程であってよい。
本発明によれば、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、ＭｏまたはＷの含有量がＳｉの含有量の０．５倍以上であるスパッタリングターゲットを用いることで、従来の有機ブラックマトリックスとは異なり、高温工程における酸化及び脱気（ｄｅｇａｓｓｉｎｇ）現象を防止することができ、且つ高抵抗及び低反射率を有するブラックマトリックスを形成することができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係るスパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置について詳しく説明する。
なお、本発明を説明するにあたって、関連公知機能あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断された場合、その詳細な説明は省略することにする。
本発明の実施例に係るスパッタリングターゲットは、図１に示すように、有機発光ディスプレイ装置において外部光を遮断し、且つ複数の画素領域を画成する役割をするブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ）１０５を蒸着させるためのスパッタリング工程に用いられるターゲットである。本発明に係る有機発光ディスプレイ装置は、図１に示す構造のものに限定されるものではなく、その他種々の構造を有していてよい。ここで、スパッタリングとは、プラズマ粒子をターゲットに高速で衝突させて、そこから飛び出したターゲットの粒子をターゲットの向かい側にある基板１００上に蒸着させる方法である。これによって、スパッタリングターゲットを成す物質とこれによって蒸着される物質とは同一の物質になる。
従来のＣに基づく有機ブラックマトリックスを成す材料を除いて、金属と金属酸化物とが混合されたサーメット構造であって、ブラックマトリックスを実現することができる金属としては、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｗ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｎなどがある。しかし、Ｃｒの場合は、有害性の問題のため商用製品への使用が困難であり、Ｎｉ、Ｃｏの場合は、磁性のため、現在の大面積生産ラインで主に用いられているＤＣマグネトロンスパッタへの適用は困難である。
そこで、本発明のスパッタリングターゲットは、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、ＭｏまたはＷの含有量がＳｉの含有量の０．５倍以上となるように構成される。
スパッタリングターゲットがサーメット構造のＭｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなることで、本発明のスパッタリングターゲットを用いて高抵抗特性を有するブラックマトリックスを実現することができる。
また、ＭｏまたはＷの含有量がＳｉの含有量の０．５倍以上となるように構成することで、本発明のスパッタリングターゲットを用いて低反射特性を有するブラックマトリックスを実現することができる。特に、ＭｏまたはＷの含有量をＳｉの含有量の０．５倍未満とする場合、黒膜の性能を示すことができず、ブラックマトリックスとしての使用は不可能である。
このように、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、ＭｏまたはＷの含有量がＳｉの含有量の０．５倍以上であるスパッタリングターゲットを形成し、これを用いてスパッタリング工程にて有機発光ディスプレイ装置の基板１００上にブラックマトリックス１０５を蒸着させると、従来の有機ブラックマトリックスとは異なり、高温工程における酸化及び脱気現象を防止することができ、且つ高抵抗及び低反射率を有するブラックマトリックスを形成することができるため、従来用いられていた楕円偏光板を省略することができる。また、高抵抗特性により、従来、ブラックマトリックスの低抵抗、伝導性特性によりブラックマトリックスと有機発光素子との間に寄生容量が生じるという問題を低減することができる。
このようなスパッタリングターゲットは、金属及び金属酸化物粉末を混合した後、コールドプレス（ｃｏｌｄ ｐｒｅｓｓ）、スリップキャスティング（ｓｌｉｐ ｃａｓｔｉｎｇ）、フィルタープレス（ｆｉｌｔｅｒ ｐｒｅｓｓ）、冷間静水圧プレス（ｃｏｌｄ ｉｓｏｓｔａｔｉｃ ｐｒｅｓｓ）、ゲルキャスティング（ｇｅｌ ｃａｓｔｉｎｇ）、遠心沈降（ｃｅｎｔｒｉｆｕｇａｌ ｓｅｄｉｍｅｎｔａｔｉｏｎ）、重力沈降（ｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ ｓｅｄｉｍｅｎｔａｔｉｏｎ）などの成形法にて成形した後、これに対して焼結を施すことで製造されていてよい。また、このようにして製造されたターゲットは、例えば、金属材からなるバックキングプレート（ｂａｃｋｉｎｇ ｐｌａｔｅ）と接合されて支持された状態でスパッタリング工程に供されていてよい。
一方、図１に示すように、本発明の実施例に係るスパッタリングターゲットを用いて蒸着されたブラックマトリックス１０５を含む有機発光ディスプレイ装置は、基板１００、ブラックマトリックス１０５、絶縁層１１５、有機発光素子、及び薄膜トランジスターを含む。このとき、有機発光ディスプレイ装置は、背面発光構造を成す。
基板１００には、有機発光素子が形成される第１の領域１０１と、薄膜トランジスターが形成される第２の領域１０２とが画成されている。
ブラックマトリックス１０５は、有機発光素子が形成される第１の領域１０１を除いた第２の領域１０２に形成される。このとき、ブラックマトリックス１０５は、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、ＭｏまたはＷの含有量がＳｉの含有量の０．５倍以上であるスパッタリングターゲットにて基板１００上に蒸着される。
スパッタリングターゲットにて基板１００上にブラックマトリックス１０５を蒸着するスパッタリング工程は、大型化が可能で且つ維持費が低廉であり、高密度の欠点のない薄膜を蒸着可能なＤＣマグネトロンスパッタリング工程であってよい。
ブラックマトリックス１０５は、外部光を効率よく遮断するために、５％以下の透過率を有することが好ましい。
絶縁層１１５は、ブラックマトリックス１０５と第１の領域１０１を含む基板１００上に形成される。また、第２の領域１０２に形成された絶縁層１１５上にソース／ドレイン領域１２１、１２２が形成された半導体層１２０と、その上部に形成されたゲート電極１３１、及びコンタクトホール１３６、１３７からソース／ドレイン領域１２１、１２２とそれぞれコンタクトされるソース／ドレイン電極１４１、１４２を含む薄膜トランジスターが形成される。
ここで、絶縁層１１５は、Ｓｉからなるものであってよい。
また、第２の領域１０２上には、ゲート電極１３１と同一の物質からなる第１の電極１３２、及びソース／ドレイン電極１４１、１４２のうちの一方、例えば、ソース電極１４１に接続される第２の電極１４３を具備したキャパシタが形成される。さらに、半導体層１２０、ゲート電極１３１、及び第１の電極１３２の間、そしてソース／ドレイン電極１４１、１４２及び第２の電極１４３の間には、ゲート絶縁膜１２５と層間絶縁膜１３５がそれぞれ形成される。
そして、ソース／ドレイン電極１４１、１４２のうちの一方、例えば、ドレイン電極１４２の一部分を露出させるビアホール１５５を有する保護膜１５０が、基板１００を基準に前面に形成され、保護膜１５０上にはビアホール１５５を介してドレイン電極１４２とコンタクトされる画素電極１６０が形成される。
画素電極１６０を含む保護膜１５０上には、画素電極１６０を露出させる開口部１７５を有する平坦化膜１７０が形成され、その上に有機発光層１８０とカソード電極１９０が形成されて、画素電極１６０をアノードとする有機発光素子が形成される。
すなわち、有機発光素子は、アノードである画素電極１６０、有機発光層１８０、及びカソード電極１９０の積層構造からなる。このとき、画素電極１６０は、正孔注入が起こりやすいように仕事関数の大きい金属のＡｕ、Ｉｎ、ＳｎまたはＩＴＯのような金属或いは酸化物からなるものであってよく、また、カソード電極１９０は、電子注入が起こりやすいように仕事関数の小さいＡｌ、Ａｌ：ＬｉまたはＭｇ：Ａｇの金属薄膜からなるものであってよい。そして、有機発光層１８０は、画素電極１６０上に順に積層される正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含んでなる。このような構造によって、画素電極１６０とカソード電極１９０との間に順方向電圧が印加されると、カソード電極１９０から電子が電子注入層及び電子輸送層を介して発光層に移動し、また、画素電極１６０から正孔が正孔注入層及び正孔輸送層を介して発光層に移動するようになる。そして、有機発光層１８０内へ注入された電子と正孔は、有機発光層１８０で再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成し、このような励起子が励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に遷移しながら光を放出するようになり、このとき、放出される光の明るさは画素電極１６０とカソード電極１９０との間を流れる電流量に比例するようになる。
以上のように、本発明を限定された実施例や図面に基づいて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から種々の修正及び変形が可能である。
したがって、本発明の範囲は前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲や特許請求の範囲と均等なものなどによって決められるべきである。
１００ 基板
１０１、１０２ 第１の領域、第２の領域
１０５ ブラックマトリックス
１１５ 絶縁層
１２０ 半導体層
１２１、１２２ ソース／ドレイン領域
１２５ ゲート絶縁膜
１３２、１４３ 第１の電極、第２の電極
１３５ 層間絶縁膜
１３６、１３７ コンタクトホール
１４１、１４２ ソース／ドレイン電極
１５０ 保護膜
１６０ 画素電極
１７０ 平坦化膜
１７５ 開口部
１８０ 有機発光層
１９０ カソード電極
１０１、１０２ 第１の領域、第２の領域
１０５ ブラックマトリックス
１１５ 絶縁層
１２０ 半導体層
１２１、１２２ ソース／ドレイン領域
１２５ ゲート絶縁膜
１３２、１４３ 第１の電極、第２の電極
１３５ 層間絶縁膜
１３６、１３７ コンタクトホール
１４１、１４２ ソース／ドレイン電極
１５０ 保護膜
１６０ 画素電極
１７０ 平坦化膜
１７５ 開口部
１８０ 有機発光層
１９０ カソード電極
Claims (6)
- ブラックマトリックスを蒸着させるためのスパッタリング工程に用いられるスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは、Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、
前記ＭｏまたはＷの含有量が前記Ｓｉの含有量の０．５倍以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 第１の領域と第２の領域が画成されている基板；
前記第２の領域に形成されるブラックマトリックス；
前記第１の領域と前記ブラックマトリックス上に形成される絶縁層；
前記第１の領域に対応する前記絶縁層上に形成される有機発光素子；及び
前記第２の領域に対応する前記絶縁層上に形成される薄膜トランジスター；
を含み、
前記ブラックマトリックスは、
Ｍｏ−Ｓｉ−Ｏ、Ｗ−Ｓｉ−Ｏ、及びＭｏ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏのいずれかからなり、前記ＭｏまたはＷの含有量が前記Ｓｉの含有量の０．５倍以上であることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。 - 前記有機発光ディスプレイ装置は、背面発光型であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記絶縁層は、Ｓｉからなることを特徴とする請求項２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記ブラックマトリックスは、５％以下の透過率を有することを特徴とする請求項２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
- 前記スパッタリング工程は、ＤＣマグネトロンスパッタリング工程であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光ディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2012-0089333 | 2012-08-16 | ||
| KR1020120089333A KR20140023492A (ko) | 2012-08-16 | 2012-08-16 | 스퍼터링 타겟 및 이에 의해 증착된 블랙 매트릭스를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014037629A true JP2014037629A (ja) | 2014-02-27 |
Family
ID=50080317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013168621A Withdrawn JP2014037629A (ja) | 2012-08-16 | 2013-08-14 | スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20140048783A1 (ja) |
| JP (1) | JP2014037629A (ja) |
| KR (1) | KR20140023492A (ja) |
| CN (1) | CN103590009A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017002328A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性基板、導電性基板の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014086286A (ja) * | 2012-10-24 | 2014-05-12 | Samsung Display Co Ltd | 発光素子及びそれを備える表示装置 |
| KR102256083B1 (ko) * | 2014-03-26 | 2021-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| CN104133317A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-11-05 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示器及液晶显示器的制造方法 |
| KR101728793B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2017-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법 |
| KR101727108B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2017-04-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인셀 터치 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법 |
| KR20180028084A (ko) * | 2016-09-07 | 2018-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20180051692A (ko) | 2016-11-07 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 센서, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN109509778B (zh) * | 2018-11-30 | 2024-02-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 抗反射底发光型oled显示装置及其制作方法 |
| CN112981315A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 惠州市聚飞光电有限公司 | 一种黑矩阵形成方法、显示模组及显示装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3919589A (en) * | 1973-04-06 | 1975-11-11 | Rca Corp | Electroluminescent cell with a current-limiting layer of high resistivity |
| US4143297A (en) * | 1976-03-08 | 1979-03-06 | Brown, Boveri & Cie Aktiengesellschaft | Information display panel with zinc sulfide powder electroluminescent layers |
| US4599538A (en) * | 1982-09-30 | 1986-07-08 | Gte Prod Corp | Electroluminescent display device |
| US4547702A (en) * | 1983-10-11 | 1985-10-15 | Gte Products Corporation | Thin film electroluminscent display device |
| JPH0982604A (ja) * | 1995-09-12 | 1997-03-28 | Sony Corp | 無機反射防止膜並びにその製造方法及びパターニング方法 |
| CA2419121A1 (en) * | 2002-05-03 | 2003-11-03 | Luxell Technologies, Inc. | Dark layer for an electroluminescent device |
| KR100496287B1 (ko) * | 2002-08-03 | 2005-06-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리콘 박막의 결정화 방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터및 상기 박막 트랜지스터를 구비한 평판 디스플레이 소자 |
| US7616368B2 (en) * | 2005-02-23 | 2009-11-10 | Pixtronix, Inc. | Light concentrating reflective display methods and apparatus |
| KR100864884B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2008-10-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터, 그의 제조방법 및 이를 구비한유기전계발광표시장치 |
| EP1950804A2 (en) * | 2007-01-26 | 2008-07-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
| KR100949339B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2010-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 양면 발광형 유기발광 표시장치 |
| JP5702920B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
| KR20100039663A (ko) * | 2008-10-08 | 2010-04-16 | 삼성전자주식회사 | 표시 패널 및 그를 포함하는 액정 표시 장치 |
| JP2011040244A (ja) * | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Sony Corp | 発光素子 |
| US8993209B2 (en) * | 2010-07-14 | 2015-03-31 | Lg Chem, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition and black bank of an organic light-emitting device including same |
| JP5154626B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2013-02-27 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
| KR101913244B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| TWI470288B (zh) * | 2012-07-27 | 2015-01-21 | Innocom Tech Shenzhen Co Ltd | 液晶顯示裝置 |
-
2012
- 2012-08-16 KR KR1020120089333A patent/KR20140023492A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-08-08 US US13/962,114 patent/US20140048783A1/en not_active Abandoned
- 2013-08-14 JP JP2013168621A patent/JP2014037629A/ja not_active Withdrawn
- 2013-08-16 CN CN201310357338.8A patent/CN103590009A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017002328A (ja) * | 2015-06-04 | 2017-01-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性基板、導電性基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140048783A1 (en) | 2014-02-20 |
| CN103590009A (zh) | 2014-02-19 |
| KR20140023492A (ko) | 2014-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014037629A (ja) | スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置 | |
| US10916611B2 (en) | Organic light emitting display device and fabricating method thereof | |
| US9806279B2 (en) | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof | |
| JP5642142B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板及びそれらの製造方法 | |
| KR102199696B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| KR102311454B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US20150236082A1 (en) | Dual-side display, device for controlling the dual-side display and method for manufacturing the same | |
| KR101147414B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2010278412A (ja) | 酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| US8426861B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| US9146418B2 (en) | Display device | |
| US20220393122A1 (en) | Display Substrate and Preparation Method thereof, and Display Apparatus | |
| EP2669950B1 (en) | Oxide semiconductor sputtering target, method of manufacturing thin-film transistors using the same, and thin-film transistor manufactured using the same | |
| GB2530222A (en) | Organic light emitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof | |
| KR20120072949A (ko) | 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법 | |
| US8445910B2 (en) | High resolution organic light emitting display with increased aperture ratio | |
| WO2013168774A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、表示装置、イメージセンサ及びｘ線センサ | |
| KR101298611B1 (ko) | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| JP2014037628A (ja) | スパッタリングターゲット及びこれによって蒸着されたブラックマトリックスを含む有機発光ディスプレイ装置 | |
| KR102277988B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| US9159775B1 (en) | Anode connection structure of organic light-emitting diode and manufacturing method thereof | |
| KR20150047035A (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| WO2024000297A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| CN110854162A (zh) | 一种oled显示面板、其制备方法及其显示装置 | |
| KR20110081694A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150813 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150813 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20151225 |