JP2014032157A - Probe cleaning necessity determination device, probe cleaning system, probe cleaning necessity determination method, and probe cleaning method - Google Patents

Probe cleaning necessity determination device, probe cleaning system, probe cleaning necessity determination method, and probe cleaning method Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe cleaning necessity determination device and the like which can appropriately determine the necessity of probe cleaning.SOLUTION: A probe cleaning system 1 which determines the necessity of cleaning a probe 100 that can be brought into conduction by contacting a pin 150 of a semiconductor device includes: a resistance value measuring unit 11 that measures a resistance value of the probe 100, which varies according to the amount of adhered substances E that are adhered on a contact surface 101 of the probe 100 that contacts the pin 150; and a cleaning necessity determination unit 12 that determines that the cleaning of the probe 100 is necessary if an actual resistance value measured by the resistance value measuring unit 11 is a predetermined resistance value or greater.

Description

本発明は、プローブ洗浄要否判定装置、プローブ洗浄システム、プローブ洗浄要否判定方法及びプローブ洗浄方法に関する。   The present invention relates to a probe cleaning necessity determination device, a probe cleaning system, a probe cleaning necessity determination method, and a probe cleaning method.

半導体デバイス等の電機子(電子部品)が正常であるか否かの検査(試験)は、半導体デバイスのピン(入出力端子)にプローブを接触させ、外部電源からプローブを介して半導体デバイスに給電し、半導体デバイスの応答動作(例えば、電圧変化)を確認することで行われている。   Inspecting (testing) whether or not the armature (electronic component) of a semiconductor device is normal, the probe is brought into contact with the pin (input / output terminal) of the semiconductor device, and power is supplied to the semiconductor device from the external power supply via the probe. The response operation (for example, voltage change) of the semiconductor device is confirmed.

このようなプローブは、その使用が進むにつれて、ピンとの接触面に酸化膜(付着物)が形成される。酸化膜は、例えば、プローブ自体が酸化することで形成されたものや、ピンの表面に形成されていた酸化膜が、プローブとの接触により剥ぎ取られ、プローブに移動したものである。そして、このようにプローブに酸化膜が付着すると、半導体デバイスの検査精度が低下してしまう虞がある。   As such a probe is used, an oxide film (attachment) is formed on the contact surface with the pin. The oxide film is formed, for example, by oxidation of the probe itself, or an oxide film formed on the surface of the pin is peeled off by contact with the probe and moved to the probe. And when an oxide film adheres to a probe in this way, there exists a possibility that the test | inspection precision of a semiconductor device may fall.

そこで、プローブをピンに接触させた累積回数が、所定回数増加する毎、プローブを洗浄する技術が提案されている(特許文献1参照)。   Therefore, a technique for cleaning the probe every time the cumulative number of times the probe is brought into contact with the pin increases a predetermined number has been proposed (see Patent Document 1).

特開2000−187056号公報JP 2000-187056 A

ここで、プローブは洗浄すると磨耗等により寿命が短くなるので、プローブの洗浄のタイミングはより適切に判断することが好ましい。   Here, since the lifetime of the probe is shortened due to wear or the like when it is cleaned, it is preferable to more appropriately determine the timing of cleaning the probe.

そこで、本発明は、プローブの洗浄の要否を適切に判定可能なプローブ洗浄要否判定装置及び洗浄要否判定方法を提供することを課題とする。また、プローブ洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a probe cleaning necessity determination device and a cleaning necessity determination method that can appropriately determine whether a probe needs to be cleaned. It is another object of the present invention to provide a probe cleaning system and a cleaning method.

ここで、本願発明者は、プローブの接触面に酸化膜等の付着物が付着すると、プローブの接触面を含む先端部の抵抗値が上昇し、半導体デバイス等の電機子の検査精度が低下する虞がある、という知見を得た。また、本願発明者は、プローブの抵抗値は付着物の量により変動し、付着物の量が多くなるにつれて抵抗値が高くなる、という知見を得た。   Here, when the deposit such as an oxide film adheres to the contact surface of the probe, the inventor of the present application increases the resistance value of the tip including the contact surface of the probe, and the inspection accuracy of the armature such as a semiconductor device decreases. The knowledge that there is a fear was acquired. Further, the inventor of the present application has found that the resistance value of the probe varies depending on the amount of deposits, and the resistance value increases as the amount of deposits increases.

前記課題を解決するための手段として、本発明は、電機子の入出力端子に接触することにより導通可能とするプローブの洗浄の要否を判定するプローブ洗浄要否判定装置であって、前記プローブの抵抗値は、前記入出力端子に接触する前記プローブの接触面に付着した付着物の量により変動し、前記プローブの抵抗値を計測する抵抗値計測手段と、前記抵抗値計測手段の計測した実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合、前記プローブの洗浄が必要であると判定する洗浄要否判定手段と、を備えることを特徴とするプローブ洗浄要否判定装置である。   As a means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides a probe cleaning necessity determination device for determining whether or not a probe needs to be cleaned by making contact with an input / output terminal of an armature. The resistance value fluctuates depending on the amount of deposits attached to the contact surface of the probe that is in contact with the input / output terminal, and is measured by a resistance value measuring unit that measures the resistance value of the probe and the resistance value measuring unit. A probe cleaning necessity determination device comprising: a cleaning necessity determination unit that determines that the probe needs to be cleaned when the measured resistance value is equal to or greater than a predetermined resistance value.

前記課題を解決するための手段として、本発明は、電機子の入出力端子に接触することにより導通可能とするプローブの洗浄の要否を判定するプローブ洗浄要否判定方法であって、前記プローブの抵抗値は、前記入出力端子に接触する前記プローブの接触面に付着した付着物の量により変動し、前記プローブの抵抗値を計測する抵抗値計測ステップと、前記抵抗値計測ステップにおいて計測した実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合、前記プローブの洗浄が必要であると判定する洗浄要否判定ステップと、を含むことを特徴とするプローブ洗浄要否判定方法である。   As means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides a probe cleaning necessity determination method for determining whether or not a probe needs to be cleaned by making contact with an input / output terminal of an armature. The resistance value fluctuates depending on the amount of deposits attached to the contact surface of the probe that contacts the input / output terminal, and is measured in the resistance value measuring step for measuring the resistance value of the probe and the resistance value measuring step. And a cleaning necessity determination step that determines that the probe needs to be cleaned when the measured resistance value is equal to or greater than a predetermined resistance value.

このような構成によれば、抵抗値計測手段の計測した実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合、洗浄要否判定手段がプローブの洗浄が必要であると判定する。
ここで、所定抵抗値は、事前試験やシミュレーションによって、実測抵抗値が所定抵抗値よりも大きくなると電機子の検査精度が低下し、接触面に付着した付着物を除去してプローブを洗浄すべきと判断される値に設定される。
このようにして、プローブの実測抵抗値に基づいて、プローブの洗浄の要否を適切に判定できる。
According to such a configuration, when the measured resistance value measured by the resistance value measuring unit is equal to or greater than the predetermined resistance value, the cleaning necessity determining unit determines that the probe needs to be cleaned.
Here, when the measured resistance value is larger than the predetermined resistance value by a preliminary test or simulation, the inspection accuracy of the armature decreases, and the probe should be cleaned by removing the adhered matter attached to the contact surface. Is set to a value determined as
In this way, it is possible to appropriately determine whether or not the probe needs to be cleaned based on the measured resistance value of the probe.

また、プローブ洗浄要否判定装置において、前記プローブの累積洗浄時間を算出する累積洗浄時間算出手段を備え、前記洗浄要否判定手段は、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出手段の算出した累積洗浄時間が所定時間以下であるとき、前記プローブの洗浄が必要であると判定することが好ましい。   Further, in the probe cleaning necessity determination device, the probe cleaning necessity calculation unit includes a cumulative cleaning time calculation unit that calculates a cumulative cleaning time of the probe, and the cleaning necessity determination unit is configured so that the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value. It is preferable to determine that the probe needs to be cleaned when the cumulative cleaning time calculated by the cumulative cleaning time calculator is equal to or shorter than a predetermined time.

また、プローブ洗浄要否判定方法において、前記プローブの累積洗浄時間を算出する累積洗浄時間算出ステップを含み、前記洗浄要否判定ステップにおいて、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出ステップで算出した累積洗浄時間が所定時間以下であるとき、前記プローブの洗浄が必要であると判定することが好ましい。   The probe cleaning necessity determination method includes a cumulative cleaning time calculation step for calculating the cumulative cleaning time of the probe, and in the cleaning necessity determination step, when the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value, It is preferable to determine that the probe needs to be cleaned when the cumulative cleaning time calculated in the cumulative cleaning time calculating step is equal to or shorter than a predetermined time.

ここで、プローブの接触面には、プローブ本体の酸化を防止するためや、電機子の入出力端子と接触した場合における導電率を高めるために、銅、白金、金等の導電率の高い金属からなるめっき層(導電層)が形成される。このめっき層は、付着物の除去に伴って、つまり、プローブの洗浄に伴って磨耗する。そして、プローブの累積洗浄時間が所定時間以上となり、めっき層が磨耗により消失した場合、付着物は通常の洗浄方法によって接触面(プローブ)から除去され難い、という特性を有する。なお、基準となる所定時間は、接触面(プローブ)の形状、めっき層の材質、洗浄装置の種類、等によって異なり、事前試験等によって求められる。   Here, the contact surface of the probe has a high conductivity metal such as copper, platinum, gold, etc. in order to prevent the probe body from being oxidized or to increase the conductivity when in contact with the input / output terminals of the armature. A plating layer (conductive layer) made of is formed. This plating layer is worn as the deposits are removed, that is, as the probe is cleaned. Then, when the accumulated cleaning time of the probe becomes a predetermined time or longer and the plating layer disappears due to wear, the deposit is difficult to remove from the contact surface (probe) by a normal cleaning method. Note that the reference predetermined time varies depending on the shape of the contact surface (probe), the material of the plating layer, the type of the cleaning device, and the like, and is obtained by a preliminary test or the like.

このような構成によれば、プローブの実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合において、累積洗浄時間が所定時間以下であるとき、洗浄要否判定手段がプローブの洗浄が必要であると判定する。すなわち、累積洗浄時間が所定時間以下であり、付着物を除去し易い場合、つまり、付着物を除去可能である場合、プローブの洗浄は必要であると適切に判定できる。   According to such a configuration, when the measured resistance value of the probe is equal to or greater than the predetermined resistance value, the cleaning necessity determination unit determines that the probe needs to be cleaned when the accumulated cleaning time is equal to or shorter than the predetermined time. . That is, when the accumulated cleaning time is less than or equal to the predetermined time and the deposit is easily removed, that is, when the deposit can be removed, it can be appropriately determined that the probe needs to be cleaned.

また、プローブ洗浄要否判定装置において、前記洗浄要否判定手段は、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出手段の算出した累積洗浄時間が前記所定時間を超えるとき、前記プローブの洗浄が不要であり、前記プローブの交換が必要であると判定することが好ましい。   Further, in the probe cleaning necessity determination device, the cleaning necessity determination means, when the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value, the cumulative cleaning time calculated by the cumulative cleaning time calculation means is the predetermined time. When exceeding, it is preferable to determine that cleaning of the probe is unnecessary and that the probe needs to be replaced.

また、プローブ洗浄要否判定方法において、前記洗浄要否判定ステップにおいて、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出ステップで算出した累積洗浄時間が前記所定時間を超えるとき、前記プローブの洗浄が不要であり、前記プローブの交換が必要であると判定することが好ましい。   In the probe cleaning necessity determination method, in the cleaning necessity determination step, when the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value, the cumulative cleaning time calculated in the cumulative cleaning time calculation step is set to the predetermined time. When exceeding, it is preferable to determine that cleaning of the probe is unnecessary and that the probe needs to be replaced.

このような構成によれば、プローブの実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合において、累積洗浄時間が所定時間を超えるとき、洗浄要否判定手段が、プローブの洗浄が不要であり、プローブの交換が必要であると判定する。すなわち、累積洗浄時間が所定時間よりも長く、付着物を除去し難い場合、つまり、付着物を除去不能である場合、プローブの洗浄は不要であり、プローブの交換が必要であると適切に判定できる。   According to such a configuration, when the measured resistance value of the probe is equal to or greater than the predetermined resistance value, when the cumulative cleaning time exceeds the predetermined time, the cleaning necessity determination unit does not need to clean the probe, It is determined that replacement is necessary. That is, if the accumulated cleaning time is longer than the specified time and it is difficult to remove the deposit, that is, if the deposit cannot be removed, it is determined that the probe needs to be replaced and the probe needs to be replaced. it can.

また、前記課題を解決するための手段として、本発明は、前記プローブ洗浄要否判定装置と、前記プローブの接触面に接触することで、前記接触面に付着した付着物を除去し前記プローブを洗浄する付着物除去手段と、前記プローブの抵抗値と付着物を除去するのに必要な最小除去時間とが関連付けられた除去時間マップが記憶されている記憶手段と、前記付着物除去手段を制御する制御手段と、を備え、前記洗浄要否判定手段が前記プローブの洗浄は必要であると判定した場合、前記制御手段は、前記抵抗値計測手段の計測した実測抵抗値と、前記除去時間マップとに基づいて、目標除去時間を算出し、前記目標除去時間に従って、前記付着物除去手段を制御することを特徴とするプローブ洗浄システムである。   Further, as a means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides a probe cleaning necessity determination device and a contact surface of the probe so as to remove deposits attached to the contact surface and remove the probe. The deposit removing means for cleaning, the storage means storing the removal time map in which the resistance value of the probe and the minimum removal time necessary for removing the deposit are stored, and the deposit removing means are controlled. Control means, and when the cleaning necessity determination means determines that the probe needs to be cleaned, the control means measures the actually measured resistance value measured by the resistance value measuring means and the removal time map. Based on the above, the probe removal system is characterized in that a target removal time is calculated and the deposit removal means is controlled according to the target removal time.

また、前記課題を解決するための手段として、本発明は、前記プローブ洗浄要否判定方法における前記洗浄要否判定ステップにおいて、前記プローブの洗浄は必要であると判定した場合、前記プローブの抵抗値と付着物を除去するのに必要な最小除去時間とが関連付けられた除去時間マップと、前記抵抗値計測ステップで計測した前記プローブの実測抵抗値と、に基づいて、目標除去時間を算出する目標除去時間算出ステップと、前記プローブの接触面に接触することで前記接触面に付着した付着物を除去し前記プローブを洗浄する付着物除去手段を、前記目標除去時間にて作動させる付着物除去ステップと、を含むことを特徴するプローブ洗浄方法である。   Further, as a means for solving the above-described problem, the present invention provides a probe resistance value in the case where it is determined that the probe needs to be cleaned in the cleaning necessity determination step in the probe cleaning necessity determination method. A target removal time based on the removal time map in which the minimum removal time necessary for removing the deposit and the attached matter and the measured resistance value of the probe measured in the resistance value measurement step are calculated. A removal time calculating step, and a deposit removing step for operating the deposit removing means for removing the deposit adhering to the contact surface by cleaning the probe by contacting the contact surface of the probe at the target removal time. And a probe cleaning method characterized by comprising:

一般に、プローブの抵抗値が大きくなると付着物の量が多くなるので、除去時間マップにおいて、プローブの抵抗値が大きくなるにつれて最小除去時間が長くなる関係となっている。
このような構成によれば、洗浄要否判定手段がプローブの洗浄は必要であると判定した場合、制御手段が、実測抵抗値と除去時間マップとに基づいて目標除去時間を算出し、目標除去時間に従って付着物除去手段を制御し、付着物を除去してプローブを洗浄する。
Generally, since the amount of deposits increases as the probe resistance value increases, the minimum removal time increases as the probe resistance value increases in the removal time map.
According to such a configuration, when the cleaning necessity determination unit determines that the probe needs to be cleaned, the control unit calculates the target removal time based on the actually measured resistance value and the removal time map, and performs target removal. The deposit removing means is controlled according to time to remove the deposit and wash the probe.

ここで、目標除去時間は、プローブの抵抗値(付着物の量)と関連付けられ、付着物を除去するのに必要な最小除去時間であるので、必要最小時間でプローブを洗浄でき、プローブを洗浄し過ぎることはない。これにより、プローブの洗浄を適切な短時間で実行しつつ、洗浄中にめっき層が剥がれ難くなるので、プローブの寿命を長くすることができる。   Here, the target removal time is related to the resistance value (amount of deposits) of the probe, and is the minimum removal time required to remove deposits. Don't overdo it. This makes it possible to prolong the lifetime of the probe because the plating layer is difficult to peel off during the cleaning while the probe is cleaned in an appropriate short time.

本発明によれば、プローブの洗浄の要否を適切に判定可能なプローブ洗浄要否判定装置及び洗浄要否判定方法を提供できる。また、プローブ洗浄システム及び洗浄方法を提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide a probe cleaning necessity determination device and a cleaning necessity determination method capable of appropriately determining whether a probe needs to be cleaned. Moreover, a probe cleaning system and a cleaning method can be provided.

本実施形態に係るプローブの側断面図であり、(a)は付着物の付着前、(b)は付着物の付着後、を示している。It is a sectional side view of the probe which concerns on this embodiment, (a) is before adhesion of a deposit | attachment, (b) has shown after adhesion of a deposit | attachment. 付着物量と抵抗値との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the amount of deposits, and resistance value. 付着物を除去した場合における抵抗値の変化を示すタイムチャートである。It is a time chart which shows the change of resistance value at the time of removing a deposit. 抵抗値差(実測抵抗値−目標抵抗値)と最小洗浄時間との関係を示す最小洗浄時間マップである。It is a minimum cleaning time map which shows the relationship between resistance value difference (measured resistance value-target resistance value) and minimum cleaning time. 累積洗浄時間と抵抗値との関係を示すマップである。It is a map which shows the relationship between accumulation cleaning time and resistance value. 本実施形態に係るプローブ洗浄システムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the probe washing | cleaning system which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る付着物除去装置の平面図である。It is a top view of the deposit removal apparatus concerning this embodiment. 本実施形態に係る付着物除去装置の側断面図であり、図7のX1−X1線断面に相当する図である。It is a sectional side view of the deposit removal apparatus which concerns on this embodiment, and is a figure corresponded to the X1-X1 line cross section of FIG. 本実施形態に係るプローブ洗浄システムの動作を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows operation | movement of the probe cleaning system which concerns on this embodiment.

本発明の一実施形態について、図1〜図9を参照して説明する。   An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

≪プローブ≫
まず、洗浄対象であるプローブ100について、説明する。
プローブ100は、半導体デバイス(電機子)を動作チェック等の検査をするため、外部電源から半導体デバイスに給電する際、半導体デバイスのピン150(入出力端子、図1参照)に接触することで、プローブ100(外部電源)と半導体デバイスとの間において電流を導通可能とする探針である。なお、プローブ100の基端側には、圧縮コイルばね(図示しない)が配置され、この圧縮コイルばねによってプローブ100はピン150側に付勢され、プローブ100は適切な接触圧でピン150に接触するようになっている。また、半導体デバイスの動作チェックは、プローブ100をピン150に接触した状態において、所定の動作電圧を半導体デバイスに印加した状態で実行される。
≪Probe≫
First, the probe 100 to be cleaned will be described.
The probe 100 contacts the pin 150 (input / output terminal, see FIG. 1) of the semiconductor device when power is supplied to the semiconductor device from an external power source in order to check the operation of the semiconductor device (armature). This is a probe that allows current to flow between the probe 100 (external power source) and the semiconductor device. A compression coil spring (not shown) is disposed on the proximal end side of the probe 100, and the probe 100 is biased toward the pin 150 by the compression coil spring, and the probe 100 contacts the pin 150 with an appropriate contact pressure. It is supposed to be. The operation check of the semiconductor device is performed in a state where a predetermined operation voltage is applied to the semiconductor device in a state where the probe 100 is in contact with the pin 150.

ピン150は、例えば、図1(a)に示すように、極細の円柱状や角柱状を呈し、その先端は面取りされ円錐台状等を呈しており、傾斜した外周面を有している。そして、ピン150の表面には、一般に酸化膜が形成されている。   For example, as shown in FIG. 1A, the pin 150 has an extremely thin columnar shape or prismatic shape, and its tip is chamfered to have a truncated cone shape or the like, and has an inclined outer peripheral surface. An oxide film is generally formed on the surface of the pin 150.

プローブ100は、例えば円柱状を呈しており、ピン150と接触する接触面101は、ピン150の前記傾斜した外周面と良好に接触するように、傾斜した斜面を有する凹凸面となっている。言い換えると、プローブ100のピン150側には、複数の尖部が形成されており、この複数の尖部の周面で接触面101が構成されている。   The probe 100 has, for example, a cylindrical shape, and the contact surface 101 that comes into contact with the pin 150 is an uneven surface having an inclined slope so as to make good contact with the inclined outer peripheral surface of the pin 150. In other words, a plurality of cusps are formed on the pin 150 side of the probe 100, and the contact surface 101 is configured by the peripheral surfaces of the cusps.

詳細には、プローブ100は、ピン150側に複数の尖部を有するプローブ本体111と、プローブ本体111を構成する前記複数の尖部の表面に薄膜状で形成されためっき層112と、を備えている。めっき層112は、(1)プローブ本体111の酸化を防止すると共に、(2)プローブ本体111とピン150との導電性を高めるための層であり、銅、白金、金等の導電性の高い材料で形成される。   Specifically, the probe 100 includes a probe main body 111 having a plurality of cusps on the pin 150 side, and a plating layer 112 formed in a thin film on the surface of the plurality of cusps constituting the probe main body 111. ing. The plating layer 112 (1) prevents oxidation of the probe main body 111 and (2) improves the conductivity between the probe main body 111 and the pin 150, and has high conductivity such as copper, platinum, and gold. Formed of material.

そして、同一のプローブ100を使用して検査を複数繰り返していくと、図1(b)に示すように、接触面101に付着物Eが付着する。付着物Eは、非導電性であり、例えば、めっき層112の一部が酸化することで形成された炭素系の酸化物や、プローブ100をピン150に接触した際、ピン150の酸化膜が剥ぎ取られて堆積したものである。   When a plurality of inspections are repeated using the same probe 100, the deposit E adheres to the contact surface 101 as shown in FIG. The deposit E is non-conductive. For example, a carbon-based oxide formed by oxidizing a part of the plating layer 112 or an oxide film of the pin 150 when the probe 100 is brought into contact with the pin 150. It is peeled off and deposited.

このような付着物Eの量が増加すると、図2に示すように、プローブ100の抵抗値が増加する。つまり、プローブ100の抵抗値は付着物Eの量に対応して変動する。プローブ100の抵抗値が増加すると、半導体デバイスの検査時、外部電源の出力電圧を一定とした場合、プローブ100で発生する電圧が大きくなり、半導体デバイスに印加される電圧が小さくなり、半導体デバイスの検査精度が低下してしまう。   When the amount of the deposit E increases, the resistance value of the probe 100 increases as shown in FIG. That is, the resistance value of the probe 100 varies corresponding to the amount of the deposit E. When the resistance value of the probe 100 is increased, when the output voltage of the external power supply is constant during the inspection of the semiconductor device, the voltage generated by the probe 100 increases, the voltage applied to the semiconductor device decreases, Inspection accuracy is reduced.

ここで、図2において、所定抵抗値は、半導体デバイスを検査可能なプローブ100の抵抗値の上限値であり、事前試験等により求められ、洗浄要否判定部12(図6参照)に記憶されている。すなわち、所定抵抗値は、半導体デバイスの動作電圧、半導体の種類等によって、変化するものである。そして、プローブ100の抵抗値が所定抵抗値よりも大きい抵抗値A1や抵抗値B1(抵抗値A1<抵抗値B1)である場合、半導体デバイスの検査精度が低下する虞があるので、付着物Eを除去すべき、つまり、プローブ100を洗浄すべきと判断される。   Here, in FIG. 2, the predetermined resistance value is an upper limit value of the resistance value of the probe 100 capable of inspecting the semiconductor device, is obtained by a preliminary test or the like, and is stored in the cleaning necessity determination unit 12 (see FIG. 6). ing. That is, the predetermined resistance value varies depending on the operating voltage of the semiconductor device, the type of semiconductor, and the like. If the resistance value of the probe 100 is a resistance value A1 or a resistance value B1 (resistance value A1 <resistance value B1) that is larger than the predetermined resistance value, the inspection accuracy of the semiconductor device may be reduced. Is to be removed, that is, the probe 100 should be cleaned.

目標抵抗値(洗浄後)は、プローブ100を洗浄し抵抗値を低下させる場合において、目標とする抵抗値である。目標抵抗値は、事前試験等により求められ、初期抵抗値以上であって所定抵抗値未満の範囲で設定され(初期抵抗値≦目標抵抗値<所定抵抗値)、例えば、図2に示すように、初期抵抗値よりも若干大きい値に設定され、制御部21(図6参照)に記憶されている。なお、初期抵抗値は、付着物Eの付着前、つまり、半導体デバイスの検査前におけるプローブ100の抵抗値である。   The target resistance value (after cleaning) is a target resistance value when the probe 100 is cleaned to reduce the resistance value. The target resistance value is obtained by a preliminary test or the like, and is set in a range that is greater than or equal to the initial resistance value and less than the predetermined resistance value (initial resistance value ≦ target resistance value <predetermined resistance value). For example, as shown in FIG. The initial resistance value is set to a value slightly larger than the initial resistance value and stored in the control unit 21 (see FIG. 6). The initial resistance value is the resistance value of the probe 100 before the deposit E is attached, that is, before the semiconductor device is inspected.

したがって、図2、図3に示すように、「所定抵抗値<抵抗値A1<抵抗値B1」であり、「抵抗値差A2<抵抗値差B2」である場合、「最小洗浄時間A3<最小洗浄時間B3」となる。
ここで、抵抗値差は、プローブ100の洗浄(付着物Eの除去)によって、抵抗値を目標抵抗値(洗浄後)に低下させるべき抵抗値の低下量(低下幅)、つまり、現在の抵抗値と目標抵抗値との差である。よって、現在の抵抗値が大きくなるにつれて、抵抗値差が大きくなる関係となる。
Therefore, as shown in FIGS. 2 and 3, when “predetermined resistance value <resistance value A1 <resistance value B1” and “resistance value difference A2 <resistance value difference B2”, “minimum cleaning time A3 <minimum Cleaning time B3 ".
Here, the difference in resistance value is the amount of decrease in resistance value (decrease width) that should be reduced to the target resistance value (after cleaning) by cleaning the probe 100 (removal of the deposit E), that is, the current resistance. The difference between the value and the target resistance value. Therefore, the resistance value difference increases as the current resistance value increases.

<最小洗浄時間マップ>
また、最小洗浄時間は、抵抗値を前記抵抗値差にて低下させるのに必要なプローブ100の最小の洗浄時間である。よって、図4の最小洗浄時間マップ(除去時間マップ)に示すように、抵抗値差が大きくなるにつれて、最小洗浄時間が大きくなる関係となっている。つまり、最小洗浄時間マップは、プローブ100の抵抗値と最小洗浄時間(最小除去時間)とが関連付けられたマップ(相関関係を示す曲線)である。このような最小洗浄時間マップは、事前試験等により求められ、後記する記憶部22(図6参照)に記憶されている。なお、図4に示すように、抵抗値差C2以上になると、最小洗浄時間C3に収束し略一定となる傾向となっている。
<Minimum cleaning time map>
The minimum cleaning time is the minimum cleaning time of the probe 100 necessary for reducing the resistance value by the resistance value difference. Therefore, as shown in the minimum cleaning time map (removal time map) in FIG. 4, the minimum cleaning time increases as the resistance value difference increases. That is, the minimum cleaning time map is a map (curve showing a correlation) in which the resistance value of the probe 100 is associated with the minimum cleaning time (minimum removal time). Such a minimum cleaning time map is obtained by a preliminary test or the like, and is stored in the storage unit 22 (see FIG. 6) described later. As shown in FIG. 4, when the resistance value difference is C2 or more, it tends to converge to the minimum cleaning time C3 and become substantially constant.

<累積洗浄時間マップ>
このようにして、プローブ100は繰り返して洗浄されることになる。ところで、本願発明者は、図5の累積洗浄時間マップに示すように、同一のプローブ100を繰り返して洗浄した場合、累積洗浄時間が所定時間以下の範囲では抵抗値が略一定で維持されるが、累積洗浄時間が所定時間よりも長くなると抵抗値が急激に増加する、という知見を得ている。
<Cumulative cleaning time map>
In this way, the probe 100 is repeatedly washed. By the way, as shown in the cumulative cleaning time map of FIG. 5, when the same probe 100 is repeatedly cleaned, the inventor of the present application maintains the resistance value substantially constant within a range where the cumulative cleaning time is a predetermined time or less. It has been found that the resistance value increases rapidly when the cumulative cleaning time is longer than the predetermined time.

これは、洗浄によってプローブ100のめっき層112が若干磨耗し、磨耗によりめっき層112が消失した後に付着物Eがプローブ本体111に付着した場合、通常の洗浄で使用するブラシ51(図8参照)では除去し難いからと考えられる。このように累積洗浄時間が所定時間を超えた場合、プローブ100を交換するべき、と判断される。   This is because when the plating layer 112 of the probe 100 is slightly worn by the cleaning, and the deposit E adheres to the probe main body 111 after the plating layer 112 disappears due to the wear, the brush 51 used in normal cleaning (see FIG. 8). Then, it is thought that it is difficult to remove. As described above, when the accumulated cleaning time exceeds the predetermined time, it is determined that the probe 100 should be replaced.

このような累積洗浄時間マップは、事前試験等により求められ、洗浄要否判定部12(図6参照)に記憶されている。   Such a cumulative cleaning time map is obtained by a preliminary test or the like and is stored in the cleaning necessity determination unit 12 (see FIG. 6).

≪プローブ洗浄システムの構成≫
次に、プローブ洗浄システム1について、説明する。
プローブ洗浄システム1は、図6に示すように、洗浄要否判定装置10と、洗浄装置20と、を備えている。
≪Configuration of probe cleaning system≫
Next, the probe cleaning system 1 will be described.
As shown in FIG. 6, the probe cleaning system 1 includes a cleaning necessity determination device 10 and a cleaning device 20.

≪洗浄要否判定装置≫
洗浄要否判定装置10は、プローブ100の洗浄の要否を判定する装置である。
洗浄要否判定装置10は、抵抗値計測部11(抵抗値計測手段)と、洗浄要否判定部12(洗浄要否判定手段)と、累積洗浄時間算出部13(累積洗浄時間算出手段)と、ランプ14(表示手段)と、を備えている。抵抗値計測部11、洗浄要否判定部12及び累積洗浄時間算出部13は、CPU、ROM、RAM、各種インタフェイス、電子回路などを含んで構成されている。
≪Cleaning necessity device≫
The cleaning necessity determination device 10 is a device that determines whether the probe 100 needs to be cleaned.
The cleaning necessity determination apparatus 10 includes a resistance value measurement unit 11 (resistance value measurement unit), a cleaning necessity determination unit 12 (cleaning necessity determination unit), and an accumulated cleaning time calculation unit 13 (cumulative cleaning time calculation unit). And a lamp 14 (display means). The resistance value measurement unit 11, the cleaning necessity determination unit 12, and the cumulative cleaning time calculation unit 13 include a CPU, a ROM, a RAM, various interfaces, an electronic circuit, and the like.

<抵抗値計測部>
抵抗値計測部11は、プローブ100の実際の抵抗値(実測抵抗値)を計測する部分である。プローブ100の実測抵抗値は、例えば、プローブ100を経由するように微小電流を通電させた状態において、プローブ100を経由する電流の電流値と、プローブ100に印加する電圧値とに基づいて算出される。したがって、抵抗値計測部11は、例えば、微小電流を発生する電源と、電流値を検出する電流センサと、電圧値を検出する電圧センサと、電圧値及び電流値に基づいて実測抵抗値を算出する実測抵抗値算出部と、を備えている。そして、抵抗値計測部11(実測抵抗値算出部)は、計測(算出)した実測抵抗値を洗浄要否判定部12に出力するようになっている。
<Resistance measurement unit>
The resistance value measurement unit 11 is a part that measures an actual resistance value (measured resistance value) of the probe 100. The actually measured resistance value of the probe 100 is calculated based on, for example, the current value of the current passing through the probe 100 and the voltage value applied to the probe 100 in a state where a minute current is passed through the probe 100. The Therefore, for example, the resistance value measurement unit 11 calculates a measured resistance value based on the voltage value and the current value, a power source that generates a minute current, a current sensor that detects the current value, a voltage sensor that detects the voltage value, and the like. An actually measured resistance value calculating unit. The resistance value measurement unit 11 (measured resistance value calculation unit) outputs the measured (calculated) measured resistance value to the cleaning necessity determination unit 12.

<洗浄要否判定部>
洗浄要否判定部12は、プローブ100の洗浄の要否、つまり、プローブ100の洗浄が必要であるか否かを判定する機能を備えている。また、洗浄要否判定部12は、プローブ100の交換の要否(継続使用の可否)を判定する機能を備えている。具体的内容は後で説明する。
<Cleaning necessity determination unit>
The cleaning necessity determination unit 12 has a function of determining whether or not the probe 100 needs to be cleaned, that is, whether or not the probe 100 needs to be cleaned. The cleaning necessity determination unit 12 has a function of determining whether or not the probe 100 needs to be replaced (whether or not it can be used continuously). Specific contents will be described later.

<累積洗浄時間算出部>
累積洗浄時間算出部13は、同一のプローブ100についての累積洗浄時間を算出する部分である。ここでは、累積洗浄時間算出部13は、制御部21から入力される付着物除去装置30のON時間が各洗浄工程における各洗浄時間と一致していると仮定し、前記ON時間を加算することで、累積洗浄時間を算出するように構成されている。
<Cumulative cleaning time calculator>
The cumulative cleaning time calculation unit 13 is a part that calculates the cumulative cleaning time for the same probe 100. Here, the cumulative cleaning time calculation unit 13 assumes that the ON time of the deposit removing device 30 input from the control unit 21 matches the cleaning time in each cleaning process, and adds the ON time. Thus, the cumulative cleaning time is calculated.

<ランプ>
ランプ14は、洗浄要否判定部12によってON/OFF及びその発色が制御されるものであり、プローブ100の交換不要(継続使用可能)又は交換必要(継続使用不能)を、外部(オペレータ等)に対して表示するものである。例えば、交換不要であると判定された場合、ランプ14は緑色でON(点灯)するように構成され、交換必要であると判定された場合、ランプ14は赤色でON(点灯)するように構成されている。
<Lamp>
The lamp 14 is controlled to be turned ON / OFF and its color by the necessity determination unit 12 for cleaning, and it is necessary to replace the probe 100 (continuous use) or not (continuous use is impossible). Is displayed. For example, when it is determined that replacement is not necessary, the lamp 14 is configured to be turned on (lit) in green, and when it is determined that replacement is required, the lamp 14 is configured to be turned on (lit) in red. Has been.

≪洗浄装置≫
洗浄装置20は、プローブ100を洗浄する装置である。
洗浄装置20は、制御部21(制御手段)と、記憶部22(記憶手段)と、付着物除去装置30(付着物除去手段)と、を備えている。
≪Cleaning equipment≫
The cleaning device 20 is a device that cleans the probe 100.
The cleaning device 20 includes a control unit 21 (control unit), a storage unit 22 (storage unit), and an attached matter removing device 30 (attached matter removing unit).

<制御部>
制御部21は、CPU、ROM、RAM、各種インタフェイス、電子回路などを含んで構成されており、実測抵抗値等に基づいて目標洗浄時間(目標除去時間)を算出し、この目標洗浄時間に従って付着物除去装置30を制御、つまり作動させ、プローブ100の洗浄を実行する機能を備えている。具体的内容は後で説明する。
<Control unit>
The control unit 21 includes a CPU, a ROM, a RAM, various interfaces, an electronic circuit, and the like. The control unit 21 calculates a target cleaning time (target removal time) based on an actually measured resistance value and the like, and according to the target cleaning time. The deposit removing device 30 is controlled, that is, operated to perform the cleaning of the probe 100. Specific contents will be described later.

<記憶部>
記憶部22は、各種メモリ、HDD装置等の記憶装置で構成され、その内部に図4の最小洗浄時間マップを記憶している。
<Storage unit>
The storage unit 22 is composed of storage devices such as various memories and HDD devices, and stores the minimum cleaning time map of FIG. 4 therein.

<付着物除去装置>
付着物除去装置30は、図7、図8に示すように、制御部21の指令に従って作動し、プローブ100から付着物Eを除去することでプローブ100を洗浄する装置である。付着物除去装置30は、筐体40と、ブラシ51と、モータ52と、を備えている。
<Adherent removal device>
As shown in FIGS. 7 and 8, the deposit removing device 30 is a device that operates according to a command from the control unit 21 and cleans the probe 100 by removing the deposit E from the probe 100. The deposit removing device 30 includes a housing 40, a brush 51, and a motor 52.

<付着物除去装置−筐体>
筐体40は、その内部に、上方が開口した直方体状の除去室41と、除去室41に連通し側断面視で渦巻状の貯留室42(回収室)と、を有している。貯留室42の渦巻き方向は、ブラシ51の回転方向と一致している。
<Adherent removal device-casing>
The housing 40 has a rectangular parallelepiped removal chamber 41 whose upper side is open, and a spiral storage chamber 42 (collection chamber) that communicates with the removal chamber 41 in a side sectional view. The spiral direction of the storage chamber 42 coincides with the rotation direction of the brush 51.

除去室41は、プローブ100から付着物Eの除去が実行される空間である。そして、除去室41の上部開口に蓋をするように板状の蓋43が着脱自在に取り付けられている。蓋43の適所には鉛直方向に延びる挿入孔43aが形成されており、プローブ100の下端部(先端部)が挿入孔43aを通って除去室41内に挿入可能となっている。   The removal chamber 41 is a space in which the deposit E is removed from the probe 100. A plate-like lid 43 is detachably attached so as to cover the upper opening of the removal chamber 41. An insertion hole 43a extending in the vertical direction is formed at an appropriate position of the lid 43, and the lower end portion (tip portion) of the probe 100 can be inserted into the removal chamber 41 through the insertion hole 43a.

除去室41の内壁面(内側面、底面等)には、吸着層44(接着層)が形成されている。これにより、プローブ100から除去された付着物Eが除去室41内で落下したとしても、この落下した付着物Eが吸着層44に吸着して保持されるようになっている。すなわち、プローブ100から除去され落下した付着物Eが、ブラシ51の回転風等によって舞い上がらず、プローブ100に再度付着しないようになっている。   An adsorption layer 44 (adhesive layer) is formed on the inner wall surface (inner side surface, bottom surface, etc.) of the removal chamber 41. Thereby, even if the deposit E removed from the probe 100 falls in the removal chamber 41, the fallen deposit E is adsorbed and held by the adsorption layer 44. That is, the deposit E that has been removed from the probe 100 and dropped does not rise due to the rotating air of the brush 51, and does not adhere to the probe 100 again.

このような吸着層44は、例えば、その表面が吸着性(接着性)を有するシートや、接着剤を塗布することで形成され、硬化後にその表面が吸着性(接着性)を有する層、で構成される。   Such an adsorption layer 44 is formed by, for example, a sheet having an adsorptive (adhesive) surface or an adhesive, and a layer having an adsorbent (adhesive) surface after curing. Composed.

貯留室42は、除去された付着物Eを回収すると共に一時的に貯留する空間である。貯留室42は、図8に示すように、側断面視において、右回りで回転するブラシ51の略接線上で除去室41に開口している。これにより、プローブ100の先端からブラシ51で除去され接線方向(図8において右向き)で飛散する付着物Eが、貯留室42に良好に取り込まれるようになっている。   The storage chamber 42 is a space for collecting and temporarily storing the removed deposit E. As shown in FIG. 8, the storage chamber 42 opens into the removal chamber 41 on a substantially tangent line of the brush 51 that rotates clockwise in a side sectional view. As a result, the deposit E removed from the tip of the probe 100 by the brush 51 and scattered in the tangential direction (rightward in FIG. 8) is well taken into the storage chamber 42.

貯留室42は、図8に示すように、側断面視において、前記開口から下流に向かって、ブラシ51と同一である右回りの渦巻状を呈している。そして、貯留室42に飛び込んだ付着物Eは、右回りで渦巻状の内面に沿って貯留室42内を進み、貯留室42の下流部分で一時的に貯留されるようになっている。   As shown in FIG. 8, the storage chamber 42 has a clockwise spiral shape that is the same as that of the brush 51 from the opening toward the downstream in a side sectional view. Then, the deposit E that has jumped into the storage chamber 42 advances clockwise inside the storage chamber 42 along the spiral inner surface, and is temporarily stored in the downstream portion of the storage chamber 42.

<付着物除去装置−ブラシ>
ブラシ51は、回転しながらプローブ100に接触することで、プローブ100から付着物Eを剥ぎ取って除去するものである。ブラシ51は、モータ52に片持ち支持されており(図7参照)、除去室41の底面からやや上方において、その回転軸線が水平方向(図8の紙面に垂直な方向)に延びている。ただし、ブラシ51の運動は、回転運動に限定されず、例えば、所定の円弧の範囲で往復回動運動するものや、所定の直線上で往復運動するものでもよい。
<Adherent removal device-brush>
The brush 51 peels off the deposit E from the probe 100 by removing contact with the probe 100 while rotating. The brush 51 is cantilevered by a motor 52 (see FIG. 7), and a rotation axis thereof extends in a horizontal direction (a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 8) slightly above the bottom surface of the removal chamber 41. However, the motion of the brush 51 is not limited to the rotational motion, and may be, for example, a reciprocating rotational motion within a predetermined arc range or a reciprocating motion on a predetermined straight line.

<付着物除去装置−モータ>
モータ52は、制御部21からの指令に従って作動する電動モータであり、ブラシ51を回転させる動力源である。そして、ここでは、モータ52のON時間(作動時間)が、プローブ100の洗浄時間と一致すると仮定した場合を例示する。
ただし、これに限定されず、例えば、蓋43にプローブ100がブラシ51に接触する所定位置まで挿入されたか否かを検出するプローブ挿入センサを取り付け、プローブ挿入センサを介してプローブ100がブラシ51に接触した状態において、モータ52のON時間が洗浄時間であると判断する構成としてもよい。
<Adherent removal device-motor>
The motor 52 is an electric motor that operates according to a command from the control unit 21, and is a power source that rotates the brush 51. Here, the case where it is assumed that the ON time (operation time) of the motor 52 coincides with the cleaning time of the probe 100 is illustrated.
However, the present invention is not limited to this. For example, a probe insertion sensor for detecting whether or not the probe 100 has been inserted to a predetermined position where it contacts the brush 51 is attached to the lid 43, and the probe 100 is attached to the brush 51 via the probe insertion sensor. It may be configured to determine that the ON time of the motor 52 is the cleaning time in the contact state.

≪プローブ洗浄システムの動作≫
図9を参照して、プローブ洗浄システム1の動作と共に、プローブ洗浄方法(プローブ洗浄要否判定方法)を説明する。
プローブ洗浄方法は、プローブ100の抵抗値を計測する抵抗値計測ステップ(S101)と、プローブ100の累積洗浄時間を算出する累積洗浄時間算出ステップ(S103)と、プローブ100の洗浄の要否を判定する洗浄要否判定ステップ(S102、S103)と、目標洗浄時間(目標除去時間)を算出する目標洗浄時間算出ステップ(S104)と、付着物Eを除去しプローブ100を洗浄する付着物除去ステップ(S105)と、を含んでいる。
なお、プローブ洗浄方法は、プローブ100を使用しての半導体デバイスの1回の検査毎、又は、複数回の検査毎に実行される。
≪Operation of probe cleaning system≫
A probe cleaning method (probe cleaning necessity determination method) will be described together with the operation of the probe cleaning system 1 with reference to FIG.
In the probe cleaning method, a resistance value measuring step (S101) for measuring the resistance value of the probe 100, a cumulative cleaning time calculating step (S103) for calculating the cumulative cleaning time of the probe 100, and the necessity of cleaning of the probe 100 are determined. A cleaning necessity determination step (S102, S103), a target cleaning time calculation step (S104) for calculating a target cleaning time (target removal time), and a deposit removal step (S104) for removing the deposit E and cleaning the probe 100. S105).
The probe cleaning method is executed for each inspection of the semiconductor device using the probe 100 or for each of a plurality of inspections.

ステップS101において、抵抗値計測部11は、プローブ100の実測抵抗値を計測する。そして、抵抗値計測部11は、実測抵抗値を洗浄要否判定部12に出力する。   In step S <b> 101, the resistance value measuring unit 11 measures the actually measured resistance value of the probe 100. Then, the resistance value measurement unit 11 outputs the actually measured resistance value to the cleaning necessity determination unit 12.

ステップS102において、洗浄要否判定部12は、実測抵抗値が所定抵抗値(図2、図3参照)以上であるか否か判定する。
実測抵抗値は所定抵抗値以上であると判定した場合(S102・Yes)、処理はステップS103に進む。実測抵抗値は所定抵抗値以上でないと判定した場合(S102・No)、処理はステップS111に進む。
In step S102, the cleaning necessity determination unit 12 determines whether or not the actually measured resistance value is greater than or equal to a predetermined resistance value (see FIGS. 2 and 3).
If it is determined that the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value (S102 / Yes), the process proceeds to step S103. When it is determined that the actually measured resistance value is not equal to or greater than the predetermined resistance value (No in S102), the process proceeds to step S111.

ステップS103において、洗浄要否判定部12は、累積洗浄時間算出部13から累積洗浄時間を読み出し、累積洗浄時間が所定時間(図5参照)以下であるか否か判定する。
累積洗浄時間は所定時間以下であると判定した場合(S103・Yes)、処理はステップS104に進む。なお、洗浄要否判定部12は、洗浄が必要である旨を示す信号及び実測抵抗値を制御部21に出力する。
In step S103, the cleaning necessity determination unit 12 reads the cumulative cleaning time from the cumulative cleaning time calculation unit 13, and determines whether the cumulative cleaning time is equal to or shorter than a predetermined time (see FIG. 5).
When it is determined that the accumulated cleaning time is equal to or shorter than the predetermined time (S103 / Yes), the process proceeds to step S104. The cleaning necessity determination unit 12 outputs a signal indicating that cleaning is necessary and an actually measured resistance value to the control unit 21.

累積洗浄時間は所定時間以下でないと判定した場合(S103・No)、つまり、累積洗浄時間は所定時間を超えると判定した場合、処理はステップS121に進む。   If it is determined that the cumulative cleaning time is not less than the predetermined time (S103, No), that is, if it is determined that the cumulative cleaning time exceeds the predetermined time, the process proceeds to step S121.

ステップS104において、制御部21は、その内部に記憶された目標抵抗値を読み出し、実測抵抗値と目標抵抗値(図2、図3参照)との差である抵抗値差を算出する。次いで、制御部21は、抵抗値差と記憶部22に記憶されている最小洗浄時間マップ(図4参照)とに基づいて、今回洗浄において目標とするべき目標洗浄時間を決定する。   In step S104, the control unit 21 reads the target resistance value stored therein, and calculates a resistance value difference that is a difference between the actually measured resistance value and the target resistance value (see FIGS. 2 and 3). Next, the control unit 21 determines a target cleaning time to be targeted in the current cleaning based on the resistance value difference and the minimum cleaning time map (see FIG. 4) stored in the storage unit 22.

ステップS105において、制御部21は、ステップS104で決定した目標洗浄時間に従って、付着物除去装置30を制御、つまり、付着物除去装置30のモータ52を駆動する。そうすると、ブラシ51が回転し、プローブ100から付着物Eが除去され、プローブ100が洗浄される。   In step S105, the control unit 21 controls the deposit removing device 30 according to the target cleaning time determined in step S104, that is, drives the motor 52 of the deposit removing device 30. Then, the brush 51 rotates, the deposit E is removed from the probe 100, and the probe 100 is washed.

モータ52を駆動している間、制御部21は、付着物除去装置30が作動している旨を示す信号を累積洗浄時間算出部13に出力する。そして、累積洗浄時間算出部13は、制御部21からの前記信号に基づいて、モータ52(付着物除去装置30)が駆動(作動)した時間に対応する今回洗浄時間を算出する。その他、制御部21がステップS104で算出した目標洗浄時間を累積洗浄時間算出部13に出力し、累積洗浄時間算出部13が目標洗浄時間を今回洗浄時間とする構成でもよい。   While driving the motor 52, the control unit 21 outputs a signal indicating that the deposit removal device 30 is operating to the cumulative cleaning time calculation unit 13. Then, the cumulative cleaning time calculation unit 13 calculates the current cleaning time corresponding to the time when the motor 52 (adherent removal device 30) is driven (actuated) based on the signal from the control unit 21. In addition, the control unit 21 may output the target cleaning time calculated in step S104 to the cumulative cleaning time calculation unit 13, and the cumulative cleaning time calculation unit 13 may set the target cleaning time as the current cleaning time.

ステップS106において、累積洗浄時間算出部13は、前回までの累積洗浄時間に今回洗浄時間を加算し、累積洗浄時間を更新する。
その後、処理はステップS101に進む。
In step S106, the cumulative cleaning time calculation unit 13 adds the current cleaning time to the previous cumulative cleaning time, and updates the cumulative cleaning time.
Thereafter, the process proceeds to step S101.

ステップS102・Noとなって進むステップS111を説明する。
ステップS111において、洗浄要否判定部12は、プローブ100を連続使用して半導体デバイスの検査継続可能であると判断し、ランプ14を検査継続可能であることに対応した色(例えば緑)で点灯する。
その後、処理はステップS101に進む。
Step S111 which advances to No in step S102 will be described.
In step S111, the cleaning necessity determination unit 12 determines that the inspection of the semiconductor device can be continued using the probe 100 continuously, and the lamp 14 is lit in a color (for example, green) corresponding to the fact that the inspection can be continued. To do.
Thereafter, the process proceeds to step S101.

ステップS103・Noとなって進むステップS121を説明する。
ステップS121において、洗浄要否判定部12は、プローブ100を連続使用して半導体デバイスの検査継続不能であると判断する。つまり、洗浄要否判定部12は、プローブ100の交換が必要であると判断(判定)する。
Step S121 which advances to No in step S103 will be described.
In step S121, the cleaning necessity determination unit 12 determines that the inspection of the semiconductor device cannot be continued using the probe 100 continuously. That is, the cleaning necessity determination unit 12 determines (determines) that the probe 100 needs to be replaced.

ステップS122において、洗浄要否判定部12は、プローブ100を交換するべきことをオペレータに報知するため、ランプ14をプローブ100の交換要求に対応した色(例えば赤)で点灯する。   In step S122, the cleaning necessity determination unit 12 lights the lamp 14 with a color (for example, red) corresponding to the probe 100 replacement request in order to notify the operator that the probe 100 should be replaced.

その後、処理はステップENDに進む。
なお、この後、プローブ100が交換されると、累積洗浄時間算出部13は、その内部に記憶している累積洗浄時間をリセット(0)にする。
Thereafter, the processing proceeds to step END.
After that, when the probe 100 is replaced, the cumulative cleaning time calculation unit 13 resets (0) the cumulative cleaning time stored therein.

≪プローブ洗浄システムの効果≫
このようなプローブ洗浄システム1によれば次の効果を得る。
実測抵抗値が、プローブ100で検査可能な上限値である所定抵抗値以上である場合(S102・Yes)、プローブ100を洗浄するので(S105)、プローブ100の無駄な洗浄を省略しつつ、プローブ100の寿命を長くできる。
≪Effect of probe cleaning system≫
According to such a probe cleaning system 1, the following effects are obtained.
When the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value that is the upper limit value that can be inspected by the probe 100 (S102 / Yes), the probe 100 is washed (S105), and thus the probe 100 is not wasted and the probe 100 is omitted. The lifetime of 100 can be extended.

そして、累積洗浄時間が所定時間以下である場合(S103・Yes)、つまり、洗浄によりプローブ100の抵抗値の低下が期待される場合のみ、プローブ100を洗浄するので(S105)、プローブ100の無駄な洗浄を省略しつつ、プローブ100の寿命を長くできる。また、累積洗浄時間に基づいて、プローブ100の洗浄の要否、つまり、プローブ100の交換の要否を判断するので、次回検査中における付着物Eの急増(抵抗値の急増)による検査不良を防止できる。   Since the probe 100 is cleaned only when the cumulative cleaning time is equal to or shorter than the predetermined time (Yes in S103), that is, when the resistance value of the probe 100 is expected to decrease due to the cleaning (S105), the probe 100 is wasted. The lifetime of the probe 100 can be extended while omitting unnecessary cleaning. In addition, since it is determined whether or not the probe 100 needs to be cleaned, that is, whether or not the probe 100 needs to be replaced based on the accumulated cleaning time, inspection defects due to a sudden increase in the deposit E (a rapid increase in resistance value) during the next inspection are determined. Can be prevented.

また、プローブ100を洗浄する場合、実測抵抗値と目標抵抗値との差である抵抗値差に基づいて、最小洗浄時間を算出し(S104)、これに従って洗浄するので(S105)、洗浄時間を最適としつつ、過剰な洗浄によるめっき層112の剥がれを防止でき、プローブ100の寿命を長くできる。また、過剰な洗浄によるブラシ51の磨耗も防止でき、ブラシ51の寿命も長くなる。   Further, when cleaning the probe 100, the minimum cleaning time is calculated based on the resistance value difference that is the difference between the actually measured resistance value and the target resistance value (S104), and the cleaning is performed accordingly (S105). While optimizing, peeling of the plating layer 112 due to excessive cleaning can be prevented, and the life of the probe 100 can be extended. Further, the wear of the brush 51 due to excessive cleaning can be prevented, and the life of the brush 51 is extended.

≪変形例≫
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、次のように変更できる。
≪Modification≫
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, For example, it can change as follows.

前記した実施形態では、回転するブラシ51をプローブ100に接触することで付着物Eを除去したが、付着物除去装置の構成はこれに限定されない。例えば、適度な弾力性を有するスポンジ状の除去用スポンジをプローブ100に接触させ摺接することで付着物Eを除去する構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the deposit E is removed by bringing the rotating brush 51 into contact with the probe 100, but the configuration of the deposit removing device is not limited to this. For example, it is good also as a structure which removes the deposit | attachment E by contacting the probe 100 with the sponge-like removal sponge which has moderate elasticity, and making sliding contact.

1 プローブ洗浄システム
10 洗浄要否判定装置
11 抵抗値計測部(抵抗値計測手段)
12 洗浄要否判定部(洗浄要否判定手段)
13 累積洗浄時間算出部(累積洗浄時間算出手段)
20 洗浄装置
21 制御部(制御手段)
22 記憶部(記憶手段)
30 付着物除去装置(付着物除去手段)
100 プローブ
101 接触面
150 ピン(入出力端子)
E 付着物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe cleaning system 10 Cleaning necessity determination apparatus 11 Resistance value measurement part (resistance value measurement means)
12 Cleaning necessity determination unit (cleaning necessity determination means)
13 Cumulative cleaning time calculation unit (cumulative cleaning time calculation means)
20 Cleaning device 21 Control part (control means)
22 Storage unit (storage means)
30 Deposit removal device (attachment removal means)
100 probe 101 contact surface 150 pin (input / output terminal)
E Deposit

Claims (8)

電機子の入出力端子に接触することにより導通可能とするプローブの洗浄の要否を判定するプローブ洗浄要否判定装置であって、
前記プローブの抵抗値は、前記入出力端子に接触する前記プローブの接触面に付着した付着物の量により変動し、
前記プローブの抵抗値を計測する抵抗値計測手段と、
前記抵抗値計測手段の計測した実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合、前記プローブの洗浄が必要であると判定する洗浄要否判定手段と、
を備える
ことを特徴とするプローブ洗浄要否判定装置。
A probe cleaning necessity determination device that determines whether or not a probe needs to be cleaned by making contact with an input / output terminal of an armature,
The resistance value of the probe varies depending on the amount of deposits attached to the contact surface of the probe that contacts the input / output terminal,
Resistance value measuring means for measuring the resistance value of the probe;
When the measured resistance value measured by the resistance value measuring unit is equal to or greater than a predetermined resistance value, a cleaning necessity determination unit that determines that the probe needs to be cleaned;
A probe cleaning necessity determination device comprising:
前記プローブの累積洗浄時間を算出する累積洗浄時間算出手段を備え、
前記洗浄要否判定手段は、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出手段の算出した累積洗浄時間が所定時間以下であるとき、前記プローブの洗浄が必要であると判定する
ことを特徴とする請求項1に記載のプローブ洗浄要否判定装置。
A cumulative cleaning time calculating means for calculating the cumulative cleaning time of the probe;
The cleaning necessity determination unit needs to clean the probe when the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value and the cumulative cleaning time calculated by the cumulative cleaning time calculation unit is equal to or less than a predetermined time. It is determined that there is a probe cleaning necessity determination device according to claim 1.
前記洗浄要否判定手段は、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出手段の算出した累積洗浄時間が前記所定時間を超えるとき、前記プローブの洗浄が不要であり、前記プローブの交換が必要であると判定する
ことを特徴とする請求項2に記載のプローブ洗浄要否判定装置。
When the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value, the cleaning necessity determination unit does not need to clean the probe when the cumulative cleaning time calculated by the cumulative cleaning time calculation unit exceeds the predetermined time. It is determined that the probe needs to be replaced. The probe cleaning necessity determination device according to claim 2, wherein the probe needs to be replaced.
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のプローブ洗浄要否判定装置と、
前記プローブの接触面に接触することで、前記接触面に付着した付着物を除去し前記プローブを洗浄する付着物除去手段と、
前記プローブの抵抗値と付着物を除去するのに必要な最小除去時間とが関連付けられた除去時間マップが記憶されている記憶手段と、
前記付着物除去手段を制御する制御手段と、
を備え、
前記洗浄要否判定手段が前記プローブの洗浄は必要であると判定した場合、
前記制御手段は、
前記抵抗値計測手段の計測した実測抵抗値と、前記除去時間マップとに基づいて、目標除去時間を算出し、
前記目標除去時間に従って、前記付着物除去手段を制御する
ことを特徴とするプローブ洗浄システム。
The probe cleaning necessity determination device according to any one of claims 1 to 3,
A deposit removing means for cleaning the probe by removing the deposit adhering to the contact surface by contacting the contact surface of the probe;
Storage means for storing a removal time map in which a resistance value of the probe and a minimum removal time necessary for removing the deposit are associated with each other;
Control means for controlling the deposit removal means;
With
When the cleaning necessity determination means determines that the probe needs to be cleaned,
The control means includes
Based on the measured resistance value measured by the resistance value measuring means and the removal time map, the target removal time is calculated,
The probe cleaning system, wherein the deposit removing means is controlled according to the target removal time.
電機子の入出力端子に接触することにより導通可能とするプローブの洗浄の要否を判定するプローブ洗浄要否判定方法であって、
前記プローブの抵抗値は、前記入出力端子に接触する前記プローブの接触面に付着した付着物の量により変動し、
前記プローブの抵抗値を計測する抵抗値計測ステップと、
前記抵抗値計測ステップにおいて計測した実測抵抗値が所定抵抗値以上である場合、前記プローブの洗浄が必要であると判定する洗浄要否判定ステップと、
を含む
ことを特徴とするプローブ洗浄要否判定方法。
A probe cleaning necessity determination method for determining whether or not a probe needs to be made conductive by contacting an input / output terminal of an armature,
The resistance value of the probe varies depending on the amount of deposits attached to the contact surface of the probe that contacts the input / output terminal,
A resistance value measuring step for measuring the resistance value of the probe;
When the measured resistance value measured in the resistance value measurement step is equal to or greater than a predetermined resistance value, a cleaning necessity determination step that determines that the probe needs to be cleaned;
A method for determining whether or not a probe needs to be cleaned.
前記プローブの累積洗浄時間を算出する累積洗浄時間算出ステップを含み、
前記洗浄要否判定ステップにおいて、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出ステップで算出した累積洗浄時間が所定時間以下であるとき、前記プローブの洗浄が必要であると判定する
ことを特徴とする請求項5に記載のプローブ洗浄要否判定方法。
A cumulative cleaning time calculating step of calculating a cumulative cleaning time of the probe,
In the cleaning necessity determination step, when the measured resistance value is equal to or greater than the predetermined resistance value, the probe needs to be cleaned when the cumulative cleaning time calculated in the cumulative cleaning time calculation step is equal to or less than a predetermined time. It is determined that there is a probe cleaning necessity determination method according to claim 5.
前記洗浄要否判定ステップにおいて、前記実測抵抗値が前記所定抵抗値以上である場合において、前記累積洗浄時間算出ステップで算出した累積洗浄時間が前記所定時間を超えるとき、前記プローブの洗浄が不要であり、前記プローブの交換が必要であると判定する
ことを特徴とする請求項6に記載のプローブ洗浄要否判定方法。
In the cleaning necessity determination step, when the measured resistance value is greater than or equal to the predetermined resistance value, the cleaning of the probe is not required when the cumulative cleaning time calculated in the cumulative cleaning time calculation step exceeds the predetermined time. It is determined that the probe needs to be replaced. The method for determining whether or not the probe needs to be cleaned according to claim 6.
請求項5から請求項7のいずれか1項に記載のプローブ洗浄要否判定方法における前記洗浄要否判定ステップにおいて、前記プローブの洗浄は必要であると判定した場合、
前記プローブの抵抗値と付着物を除去するのに必要な最小除去時間とが関連付けられた除去時間マップと、前記抵抗値計測ステップで計測した前記プローブの実測抵抗値と、に基づいて、目標除去時間を算出する目標除去時間算出ステップと、
前記プローブの接触面に接触することで前記接触面に付着した付着物を除去し前記プローブを洗浄する付着物除去手段を、前記目標除去時間にて作動させる付着物除去ステップと、
を含む
ことを特徴するプローブ洗浄方法。
In the cleaning necessity determination step in the probe cleaning necessity determination method according to any one of claims 5 to 7, when it is determined that the probe needs to be cleaned,
Based on the removal time map in which the resistance value of the probe and the minimum removal time necessary for removing the deposit are associated with each other, and the measured resistance value of the probe measured in the resistance value measurement step, target removal is performed. A target removal time calculating step for calculating time;
The deposit removing step of operating the deposit removing means for removing the deposit adhering to the contact surface by contacting the probe contact surface and cleaning the probe at the target removal time;
A probe cleaning method characterized by comprising:
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