JP2014031470A - Method for maintaining the hydrophilicity of a substrate surface - Google Patents

Method for maintaining the hydrophilicity of a substrate surface Download PDF

Info

Publication number
JP2014031470A
JP2014031470A JP2012173998A JP2012173998A JP2014031470A JP 2014031470 A JP2014031470 A JP 2014031470A JP 2012173998 A JP2012173998 A JP 2012173998A JP 2012173998 A JP2012173998 A JP 2012173998A JP 2014031470 A JP2014031470 A JP 2014031470A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
hydrophilic
group
substance
positively charged
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012173998A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6124276B2 (en
Inventor
Shiro Ogata
四郎 緒方
Yoshimitsu Matsui
義光 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sustainable Titania Technology Inc
Original Assignee
Sustainable Titania Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sustainable Titania Technology Inc filed Critical Sustainable Titania Technology Inc
Priority to JP2012173998A priority Critical patent/JP6124276B2/en
Publication of JP2014031470A publication Critical patent/JP2014031470A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6124276B2 publication Critical patent/JP6124276B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel methodology capable of easily bestowing, regardless of environments where a substrate is placed, an anticlouding and/or antifouling property onto the substrate surface and of maintaining the anticlouding and/or antifouling property of the substrate over a long period.SOLUTION: The surface hydrophilicity of a substrate having a hydrophilic surface is maintained over a long period by treating the hydrophilic surface of the substrate at least with an oxidant such as hydrogen peroxide, etc. Moreover, it is desirable to treat the hydrophilic surface with a base such as ammonia, etc.

Description

本発明は、基体表面の防曇及び/又は防汚を長期間維持可能な新規な方法、並びに、長期防曇性又は長期防汚性を備える基体及びその製造方法に関する。
に関する。
The present invention relates to a novel method capable of maintaining antifogging and / or antifouling on a substrate surface for a long period of time, a substrate having long-term antifogging property or long-term antifouling property, and a method for producing the same.
About.

ガラス板等の各種基体の表面が結露したり、又は、経時的に汚染されたりして、基体の視覚的又は物理的特性が劣化することがある。したがって、窓ガラス、照明器具等の用途においては、基体表面の結露及び/又は汚染をできるだけ長期間防止乃至低減することが望まれている。   The surface of various substrates such as glass plates may condense or become contaminated over time, and the visual or physical characteristics of the substrate may deteriorate. Therefore, in applications such as window glass and lighting equipment, it is desired to prevent or reduce condensation and / or contamination on the surface of the substrate as long as possible.

従来、結露防止又は低減を目的として、結露の原因である水蒸気の凝縮が生じないように、基体を加熱したり、熱伝導を低下させる真空層を設けたり、断熱材を積層することが実施されている。しかし、基体が置かれる環境によっては基体の均一な加熱は困難であり、また、真空層の設置、断熱材の積層は、複雑な処理を必要とし、更に、基体表面付近の構成を複雑化させてしまう。   Conventionally, for the purpose of preventing or reducing condensation, it has been practiced to heat the substrate, to provide a vacuum layer that lowers heat conduction, or to laminate a heat insulating material so that condensation of water vapor that causes condensation does not occur. ing. However, depending on the environment in which the substrate is placed, it is difficult to heat the substrate uniformly. In addition, the installation of the vacuum layer and the lamination of the heat insulating material require complicated processing, and further complicate the structure near the substrate surface. End up.

一方、汚染の防止又は低減を目的として、基体の表面に光触媒能を持たせること等が提案されている。しかし、室内等の太陽光を直接受けることのない環境下では十分な光触媒機能を発揮することが困難である。   On the other hand, for the purpose of preventing or reducing contamination, it has been proposed that the surface of the substrate has photocatalytic activity. However, it is difficult to exhibit a sufficient photocatalytic function in an environment that does not receive sunlight directly such as indoors.

なお、特開2004−256736号公報には、チタン又はケイ素の化合物を1層目に、ケイ素化合物を2層目とする防汚性積層体が開示されているが、1層目はあくまでも光学特性付与のためであり、防汚性はあくまでも2層目のケイ素化合物が担っている。   JP-A-2004-256736 discloses an antifouling laminate having a titanium or silicon compound as a first layer and a silicon compound as a second layer, but the first layer is only an optical property. This is for the purpose of imparting, and the antifouling property is borne solely by the silicon compound in the second layer.

特開2004−256736号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2004-256736

本発明は、基体が置かれる環境に関わらず、防曇性及び/又は防汚性を基体表面に簡便に付与することが可能であり、また、基体の防曇性及び/又は防汚性を長期間維持することの可能な新たな手法を提供することをその目的とする。   The present invention can easily impart antifogging properties and / or antifouling properties to the surface of the substrate regardless of the environment in which the substrate is placed, and also improve the antifogging properties and / or antifouling properties of the substrate. The purpose is to provide a new method that can be maintained for a long time.

本発明の目的は、親水性表面を少なくとも酸化剤で処理する工程を含む、親水性表面を有する基体の当該表面の親水性維持方法によって達成される。また、前記親水性表面を塩基で処理する工程を更に含むことが好ましい。   The object of the present invention is achieved by a method for maintaining hydrophilicity of a surface of a substrate having a hydrophilic surface, comprising a step of treating the hydrophilic surface with at least an oxidizing agent. Moreover, it is preferable to further include a step of treating the hydrophilic surface with a base.

前記酸化剤としては過酸化物を含むものが好ましく、過酸化物としては過酸化水素が好ましい。
また、塩基としては無機塩基が好ましく、アンモニアがより好ましい。
The oxidizing agent preferably contains a peroxide, and the peroxide is preferably hydrogen peroxide.
Moreover, as a base, an inorganic base is preferable and ammonia is more preferable.

前記親水性表面は少なくとも1種の親水性基を有することが好ましい。親水性基としては、ケイ素原子結合水酸基及び/又はケイ素原子結合ポリエーテル基が好ましい。   The hydrophilic surface preferably has at least one hydrophilic group. The hydrophilic group is preferably a silicon atom-bonded hydroxyl group and / or a silicon atom-bonded polyether group.

本発明の親水性維持方法は、基体の表面に、シラノール、ポリシリケート、水酸基変性シリコーン及び/又はポリエーテル変性シリコーンを塗布することによって前記親水性表面を形成する工程を更に含むことができる。   The hydrophilicity maintaining method of the present invention can further include a step of forming the hydrophilic surface by applying silanol, polysilicate, hydroxyl group-modified silicone and / or polyether-modified silicone to the surface of the substrate.

そして、本発明の親水性維持方法は、前記親水性表面を形成する工程の前に、前記基体の表面に、正電荷物質及び/又は負電荷物質を配置する工程を更に含むことができる。一方、前記基体が正電荷物質及び/又は負電荷物質を含んでいてもよい。   The hydrophilicity maintaining method of the present invention may further include a step of disposing a positively charged substance and / or a negatively charged substance on the surface of the substrate before the step of forming the hydrophilic surface. Meanwhile, the substrate may include a positively charged substance and / or a negatively charged substance.

前記正電荷物質は
(1)陽イオン;
(2)正電荷を有する導電体又は誘電体;並びに
(3)正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される1種以上であることが好ましい。
The positively charged material is (1) a cation;
It is preferably at least one selected from the group consisting of (2) a positively charged conductor or dielectric; and (3) a positively charged conductor and dielectric or semiconductor.

前記負電荷物質は
(4)陰イオン;
(5)負電荷を有する導電体又は誘電体;
(6)負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体;並びに
(7)光触媒機能を有する物質
からなる群から選択される1種以上であること画好ましい。
The negatively charged substance is (4) an anion;
(5) a negatively charged conductor or dielectric;
(6) A composite of a negatively charged conductor and a dielectric or semiconductor; and (7) at least one selected from the group consisting of substances having a photocatalytic function.

本発明は、親水性表面を有する基体の当該表面を酸化剤で処理する工程を含む、長期防曇性又は長期防汚性を備える基体の製造方法にも関する。前記親水性表面を塩基で処理する工程を更に含むことが好ましい。   The present invention also relates to a method for producing a substrate having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property, comprising a step of treating the surface of a substrate having a hydrophilic surface with an oxidizing agent. It is preferable to further include a step of treating the hydrophilic surface with a base.

本発明の製造方法は、シラノール、ポリシリケート、水酸基変性シリコーン及び/又はポリエーテル変性シリコーンを基体の表面に塗布して前記親水性表面を形成する工程を更に含むことができる。   The production method of the present invention may further comprise a step of forming the hydrophilic surface by applying silanol, polysilicate, hydroxyl group-modified silicone and / or polyether-modified silicone to the surface of the substrate.

そして、本発明の製造方法は、前記親水性表面を形成する工程の前に、前記基体の表面上に、正電荷物質、負電荷物質、又は、正電荷物質及び負電荷物質を配置する工程を更に含むことができる。一方、前記基体が正電荷物質及び/又は負電荷物質を含んでいてもよい。   The manufacturing method of the present invention includes a step of disposing a positively charged substance, a negatively charged substance, or a positively charged substance and a negatively charged substance on the surface of the substrate before the step of forming the hydrophilic surface. Further, it can be included. Meanwhile, the substrate may include a positively charged substance and / or a negatively charged substance.

また、本発明は、酸化剤で処理された親水性表面を有する長期防曇性又は長期防汚性を備える基体にも関する。前記親水性表面が塩基で更に処理されていることが好ましい。   The present invention also relates to a substrate having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property having a hydrophilic surface treated with an oxidizing agent. It is preferred that the hydrophilic surface is further treated with a base.

更に、本発明は、基体上の、正電荷物質及び/又は負電荷物質含有層、並びに、少なくとも酸化剤で処理された親水性物質層からなる、長期防曇性又は長期防汚性を有する積層構造にも関する。   Furthermore, the present invention provides a laminate having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property, comprising a positively charged substance and / or negatively charged substance-containing layer and a hydrophilic substance layer treated with at least an oxidizing agent on a substrate. Also related to structure.

本発明によれば、基体が置かれる環境に関わらず、防曇性及び/又は防汚性を基体表面に簡便に付与することが可能であり、また、基体の防曇性及び/又は防汚性を長期間維持することの可能である。   According to the present invention, it is possible to easily impart antifogging properties and / or antifouling properties to the surface of the substrate regardless of the environment in which the substrate is placed, and the antifogging properties and / or antifouling properties of the substrate. It is possible to maintain the sex for a long time.

本発明では、基体の親水性表面を過酸化水素等の酸化剤で処理するという簡潔な方法により、基体表面の親水性を長期間に維持することができる。したがって、例えば、雨天時には基体表面に水の膜が形成されて、基体表面に付着した汚染物を流れ落とすことができ、基体表面の清浄な状態を長期間に亘って維持することができる。また、アンモニア等の塩基によって親水性表面を処理することによって、本発明の効果を更に増強することができる。   In the present invention, the hydrophilicity of the substrate surface can be maintained for a long period of time by a simple method of treating the hydrophilic surface of the substrate with an oxidizing agent such as hydrogen peroxide. Therefore, for example, a film of water is formed on the surface of the substrate when it rains, and contaminants adhering to the surface of the substrate can flow down, and the clean state of the substrate surface can be maintained for a long period of time. Moreover, the effect of the present invention can be further enhanced by treating the hydrophilic surface with a base such as ammonia.

そして、本発明の基体表面に正電荷物質及び/又は負電荷物質が存在する場合には、静電反発により、基体表面への汚染物への付着をより効果的に防止乃至低減することができる。   If a positively charged substance and / or a negatively charged substance is present on the substrate surface of the present invention, the adhesion of contaminants to the substrate surface can be more effectively prevented or reduced by electrostatic repulsion. .

しかも、本発明の基体表面はセルフクリーニングされるのでメンテナンスが不要であり、基体の清浄化のための労力を削減することができる。   Moreover, since the surface of the substrate of the present invention is self-cleaned, maintenance is not required, and labor for cleaning the substrate can be reduced.

また、本発明では、基体の親水性表面を過酸化水素等の酸化剤で処理するという簡潔な方法により、任意の材質の基体に長期の防曇性を付与することができる。また、基体の親水性表面の全面を酸化剤で処理することにより、基体の親水性表面の全面に亘って均一な防曇性が発揮可能である。また、アンモニア等の塩基によって親水性表面を処理することによって、本発明の効果を更に増強することができる。   In the present invention, a long-term antifogging property can be imparted to a substrate of any material by a simple method of treating the hydrophilic surface of the substrate with an oxidizing agent such as hydrogen peroxide. Further, by treating the entire hydrophilic surface of the substrate with an oxidizing agent, uniform antifogging properties can be exhibited over the entire hydrophilic surface of the substrate. Moreover, the effect of the present invention can be further enhanced by treating the hydrophilic surface with a base such as ammonia.

したがって、本発明は、屋内外で使用される建材、土木・工作物、冷蔵・冷凍庫、電気・電子機器、車両、航空機等の、特にガラスや高分子樹脂透明基板、及び、鏡に好適に使用することができる。   Therefore, the present invention is preferably used for building materials, civil engineering / workpieces, refrigeration / freezers, electrical / electronic devices, vehicles, aircrafts, etc., particularly glass and polymer resin transparent substrates and mirrors used indoors and outdoors. can do.

複合体による正電荷付与機構を示す概念図Conceptual diagram showing the mechanism of positive charge imparted by a composite 本発明における正電荷及び負電荷付与機構の一例を示す概念図The conceptual diagram which shows an example of the positive charge and negative charge provision mechanism in this invention 本発明における正電荷及び負電荷付与機構の他の例を示す概念図The conceptual diagram which shows the other example of the positive charge and negative charge provision mechanism in this invention 酸化チタンの第1の製造方法の一例の概略を示す図The figure which shows the outline of an example of the 1st manufacturing method of a titanium oxide. 基体表面に正電荷物質、負電荷物質、並びに、正電荷物質及び負電荷物質をそれぞれ配置し、その後、基体表面に親水性基を更に設けた本発明の一態様を示す概略断面図Schematic cross-sectional view showing one embodiment of the present invention in which a positively charged substance, a negatively charged substance, and a positively charged substance and a negatively charged substance are arranged on the surface of the substrate, and then a hydrophilic group is further provided on the surface of the substrate 基体が正電荷物質、負電荷物質、並びに、正電荷物質及び負電荷物質をそれぞれ含む場合に、基体表面に親水性基を設けた本発明の他の一態様を示す概略断面図A schematic cross-sectional view showing another embodiment of the present invention in which a hydrophilic group is provided on the surface of a substrate when the substrate includes a positively charged substance, a negatively charged substance, and a positively charged substance and a negatively charged substance, respectively. 正電荷を帯びる基体表面から汚染物質が除去される機構を示す概念図Conceptual diagram showing the mechanism by which contaminants are removed from the positively charged substrate surface 正電荷及び負電荷を帯びる基体表面から汚染物質が除去される機構を示す概念図Schematic diagram showing the mechanism by which contaminants are removed from the surface of a positively and negatively charged substrate

本発明において使用される基体は、特に限定されるものではなく、親水性又は疎水性の、並びに、無機系又は有機系の各種材料から構成されてもよい。   The substrate used in the present invention is not particularly limited, and may be composed of various hydrophilic or hydrophobic materials and inorganic or organic materials.

無機系基体としては、例えば、ソーダライムガラス、石英ガラス、耐熱ガラス等の透明若しくは半透明ガラス、又は、インジウムスズ酸化物(ITO)等の金属酸化物からなる基体、及び、シリコン若しくは金属等が挙げられる。また、有機系基体としては、例えば、プラスチックからなる基体が挙げられる。プラスチックをより具体的に例示すると、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ボリカーボネート、アクリル樹脂、PET等のポリエステル、ポリアミド、ABS樹脂、ポリ塩化ビニル等の熱可塑性樹脂、及び、ポリウレタン、メラミン樹脂、尿素樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。耐熱性の点では無機系基体が好ましく、特に、少なくとも一部若しくは好ましくは全部が、樹脂、金属又はガラス製の基体が好ましい。なお、有機系基体の材質としては熱硬化性樹脂が好ましい。基体の少なくとも一部若しくは好ましくは全部が少なくとも可視光領域において透明であることが好ましい。   Examples of the inorganic base include transparent or translucent glass such as soda lime glass, quartz glass, and heat-resistant glass, or a base made of a metal oxide such as indium tin oxide (ITO), and silicon or metal. Can be mentioned. Examples of the organic base include a base made of plastic. Specific examples of plastics include, for example, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, acrylic resin, polyester such as PET, polyamide, ABS resin, thermoplastic resin such as polyvinyl chloride, and polyurethane, melamine resin, urea resin, Examples thereof include thermosetting resins such as silicone resins, fluororesins, and epoxy resins. In view of heat resistance, an inorganic base is preferable, and a base made of resin, metal, or glass is particularly preferable at least partially or preferably all. The material of the organic base is preferably a thermosetting resin. It is preferred that at least a part or preferably all of the substrate is transparent at least in the visible light region.

基体の形状は特に限定されるものではなく、立方体、直方体、球形、紡錘形、シート形、フィルム形、繊維状等の任意の形状をとることができる。基体表面は平面及び/又は曲面を備えていてもよく、また、エンボス加工されていてもよいが、平滑性を有することが好ましい。   The shape of the substrate is not particularly limited, and can be any shape such as a cube, a rectangular parallelepiped, a sphere, a spindle, a sheet, a film, and a fiber. The substrate surface may have a flat surface and / or a curved surface, and may be embossed, but preferably has smoothness.

基体の表面は塗装されていてもよく、塗装材としては、アルキド樹脂、アクリル樹脂、アミノ樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリルシリコン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、紫外線硬化樹脂、フェノール樹脂、塩化ビニル樹脂、含成樹脂エマルジョン等の合成樹脂と着色剤とを含有するいわゆるペンキ塗料を好適に使用することができる。   The surface of the substrate may be painted, and coating materials include alkyd resin, acrylic resin, amino resin, polyurethane resin, epoxy resin, silicone resin, fluorine resin, acrylic silicon resin, unsaturated polyester resin, UV curable resin, A so-called paint coating containing a synthetic resin such as a phenol resin, a vinyl chloride resin, or an organic resin emulsion and a colorant can be suitably used.

前記塗装膜の厚みは0.01〜100μmが好ましく、0.1〜50μmがより好ましく、特に、0.5μm〜10μmが好ましい。また、塗装手段としては、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、フローコーティング法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、刷毛塗り、スポンジ塗り等が適用できる。なお、塗装膜の硬度、基体との密着性等の物理的性能を向上させるために、基体及び塗装膜の許容範囲内で加熱することが望ましい。   The thickness of the coating film is preferably 0.01 to 100 μm, more preferably 0.1 to 50 μm, and particularly preferably 0.5 μm to 10 μm. Examples of the coating means that can be used include spray coating, dip coating, flow coating, spin coating, roll coating, brush coating, and sponge coating. In order to improve the physical performance such as the hardness of the coating film and the adhesion to the substrate, it is desirable to heat within the allowable range of the substrate and the coating film.

本発明において使用される基体は、少なくともその一部、好ましくは全部、に親水性表面を有する。親水性表面の形成方法は任意であり、例えば、基体の表面にコロナ放電処理、紫外線照射処理、プラズマ処理等を施すことによって親水性表面を形成することができる。   The substrate used in the present invention has a hydrophilic surface on at least a part, preferably all of the substrate. The hydrophilic surface can be formed by any method. For example, the hydrophilic surface can be formed by subjecting the surface of the substrate to corona discharge treatment, ultraviolet irradiation treatment, plasma treatment or the like.

親水性表面は少なくとも1種の親水性基を有することが好ましい。親水性基としては、例えば、水酸基、エーテル基、ポリエーテル基、カルボニル基、アルカノイル基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、ホスホ基等が挙げられる。水酸基及びポリエーテル基が好ましく、ケイ素原子結合水酸基及びケイ素原子結合ポリエーテル基がより好ましい。   The hydrophilic surface preferably has at least one hydrophilic group. Examples of the hydrophilic group include a hydroxyl group, an ether group, a polyether group, a carbonyl group, an alkanoyl group, a carboxy group, an amino group, a sulfo group, and a phospho group. A hydroxyl group and a polyether group are preferable, and a silicon atom-bonded hydroxyl group and a silicon atom-bonded polyether group are more preferable.

前記親水性基は基体の表面処理によって形成することができる。表面処理の種類は特に限定されるものではなく、上記のコロナ放電、紫外線照射、プラズマ処理の他に、親水性基を提供可能な親水性物質を含む表面処理剤を基体表面に塗布することによっても実施可能である。この場合に使用される親水性物質としては、例えば、アルコール、エーテル、ポリエーテル、カルボン酸、アルデヒド、ケトン、アミン、スルホン酸、ホスホン酸等が挙げられる。塗布方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、フローコーティング法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、刷毛塗り、スポンジ塗り等が適用できる。なお、基体がガラス製の場合は、高温、例えば300℃以上、好ましくは400〜900℃に加熱後、常温に冷却する工程によって、ガラス表面に親水性基を形成することもできる。   The hydrophilic group can be formed by surface treatment of the substrate. The type of surface treatment is not particularly limited. In addition to the above corona discharge, ultraviolet irradiation, and plasma treatment, a surface treatment agent containing a hydrophilic substance capable of providing a hydrophilic group is applied to the substrate surface. Can also be implemented. Examples of the hydrophilic substance used in this case include alcohol, ether, polyether, carboxylic acid, aldehyde, ketone, amine, sulfonic acid, and phosphonic acid. The application method is not particularly limited, and for example, spray coating method, dip coating method, flow coating method, spin coating method, roll coating method, brush coating, sponge coating, and the like can be applied. In addition, when a base | substrate is glass, a hydrophilic group can also be formed in the glass surface by the process cooled to normal temperature after heating to high temperature, for example, 300 degreeC or more, Preferably it is 400-900 degreeC.

一方、親水性基がケイ素原子結合水酸基である場合は、シラノール、ポリシリケート、水酸基変性シリコーン等を親水性物質として使用することができる。また、親水性基がケイ素原子結合ポリエーテル基である場合は、ポリエーテル変性シリコーン等を親水性物質として使用することができる。したがって、本発明では、基体の表面にシラノール、ポリシリケート、水酸基変性シリコーン及びポリエーテル変性シリコーンからなる群から選択される少なくとも1種を塗布して前記親水性表面を形成することができる。   On the other hand, when the hydrophilic group is a silicon atom-bonded hydroxyl group, silanol, polysilicate, hydroxyl group-modified silicone or the like can be used as the hydrophilic substance. When the hydrophilic group is a silicon atom-bonded polyether group, polyether-modified silicone or the like can be used as the hydrophilic substance. Therefore, in the present invention, at least one selected from the group consisting of silanol, polysilicate, hydroxyl group-modified silicone and polyether-modified silicone can be applied to the surface of the substrate to form the hydrophilic surface.

シラノールとしては、ケイ素原子結合水酸基を有するシラノール化合物であれば特に限定されるものではないが、一般式:RSiOH(式中、R、R及びRは、それぞれ独立して、炭素数1〜20の、置換又は非置換の一価炭化水素基を表す)で表されるトリオルガノシラノール化合物が好ましい。 The silanol is not particularly limited as long as it is a silanol compound having a silicon atom-bonded hydroxyl group, but the general formula: R 1 R 2 R 3 SiOH (wherein R 1 , R 2 and R 3 are independent of each other). And a triorganosilanol compound represented by a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.

炭素数1〜20の、置換又は非置換の一価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等のアルキル基;シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基等のアリール基;ベンジル基等のアラルキル基;及び、これらの基の炭素原子に結合した水素原子が少なくとも部分的にフッ素、塩素、ヨウ素等のハロゲン原子、又は、エポキシ基、グリシジル基、アシル基、カルボキシル基、アミノ基、メタクリル基、メルカプト基等の有機基で置換された基(但し、総炭素原子数は1〜20)が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group, and an octyl group; Cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group; alkenyl groups such as vinyl group, allyl group and butenyl group; aryl groups such as phenyl group and tolyl group; aralkyl groups such as benzyl group; and carbon atoms of these groups A group in which the bonded hydrogen atom is at least partially substituted with a halogen atom such as fluorine, chlorine or iodine, or an organic group such as an epoxy group, glycidyl group, acyl group, carboxyl group, amino group, methacryl group or mercapto group (However, the total number of carbon atoms is 1 to 20).

トリオルガノシラノール化合物としては、例えば、tert−ブチルジメチルシラノール、メチルジイソプロピルシラノール、tert−アミルジメチルシラノール、エチルジイソプロピルシラノール、ヘキシルジメチルシラノール、トリイソプロピルシラノール、プロピルジイソプロピルシラノール、3−クロロプロピルジイソプロピルシラノール、3-アセトキシプロピルジイソプロピルシラノール、3−(2−オキソピロリジノ)プロピルジイソプロピルシラノール、メチルジ−sec−ブチルシラノール、1−メチルシクロヘキシルジメチルシラノール、ブチルジイソプロピルシラノール、tert−ブチルジイソプロピルシラノール、エチルジ−sec−ブチルシラノール、フェニルジエチルシラノール、ヘキシルジエチルシラノール、イソプロピルジイソブチルシラノール、ペンチルジイソプロピルシラノール、シクロペンチルジイソプロピルシラノール、プロピルジ−sec−ブチルシラノール、イソプロピルジ−sec−ブチルシラノール、アリルジ−sec−ブチルシラノール、3−クロロプロピルジ−sec−ブチルシラノール、3−アセトキシプロピルジ−sec−ブチルシラノール、3−(2−オキソピロリジノ)プロピルジ−sec−ブチルシラノール、フェニルイソプロピルエチルシラノール、メチルジシクロペンチルシラノール、ヘキシルジイソプロピルシラノール、シクロヘキシルジイソプロピルシラノール、フェニルジイソプロピルシラノール、ブチルジ−sec−ブチルシラノール、sec−ブチルジイソブチルシラノール、エチルジシクロペンチルシラノール、ベンジルジイソプロピルシラノール、プロピルジシクロペンチルシラノール、イソプロピルジシクロペンチルシラノール、アリルジシクロペンチルシラノール、3−クロロプロピルジシクロペンチルシラノール、3−アセトキシプロピルジシクロペンチルシラノール、3−(2−オキソピロリジノ)プロピルジシクロペンチルシラノール、メチルジフェニルシラノール、オクチルジイソプロピルシラノール、2−エチルヘキシルジイソプロピルシラノール、エチルジフェニルシラノール、デシルジイソプロピルシラノール、ブチルジフェニルシラノール、tert−ブチルジフェニルシラノール、ドデシルジイソプロピルシラノール、トリ−m−トリルシラノール、オクタデシルジイソプロピルシラノール、4−[4−(ジフェニルアミノ)スチリル]フェニルジイソプロピルシラノール、4−[4−(ジメチルアミノ)スチリル]フェニルジイソプロピルシラノール、5−[4−(ジフェニルアミノ)フェニル]−5’−[3−(ヒドロキシジイソプロピルシリル)スチリル]−2,2’−ビチオフェン、5−[4−(ビス(9,9−ジメチルフルオレン−2−イル)アミノ)フェニル]−5’−[3−(ヒドロキシジイソプロピルシリル)スチリル]−2,2’−ビチオフェン等が挙げられる。   Examples of the triorganosilanol compound include tert-butyldimethylsilanol, methyldiisopropylsilanol, tert-amyldimethylsilanol, ethyldiisopropylsilanol, hexyldimethylsilanol, triisopropylsilanol, propyldiisopropylsilanol, 3-chloropropyldiisopropylsilanol, 3- Acetoxypropyldiisopropylsilanol, 3- (2-oxopyrrolidino) propyldiisopropylsilanol, methyldi-sec-butylsilanol, 1-methylcyclohexyldimethylsilanol, butyldiisopropylsilanol, tert-butyldiisopropylsilanol, ethyldi-sec-butylsilanol, phenyldiethylsilanol , Hexyl diethylsilano , Isopropyldiisobutylsilanol, pentyldiisopropylsilanol, cyclopentyldiisopropylsilanol, propyldi-sec-butylsilanol, isopropyldi-sec-butylsilanol, allyldi-sec-butylsilanol, 3-chloropropyldi-sec-butylsilanol, 3-acetoxy Propyl di-sec-butylsilanol, 3- (2-oxopyrrolidino) propyl di-sec-butylsilanol, phenylisopropylethylsilanol, methyldicyclopentylsilanol, hexyldiisopropylsilanol, cyclohexyldiisopropylsilanol, phenyldiisopropylsilanol, butyldi-sec-butylsilanol , Sec-butyldiisobutylsilanol, ethyl dicyclope Tilsilanol, benzyldiisopropylsilanol, propyldicyclopentylsilanol, isopropyldicyclopentylsilanol, allyldicyclopentylsilanol, 3-chloropropyldicyclopentylsilanol, 3-acetoxypropyldicyclopentylsilanol, 3- (2-oxopyrrolidino) propyldicyclopentylsilanol, Methyldiphenylsilanol, octyldiisopropylsilanol, 2-ethylhexyldiisopropylsilanol, ethyldiphenylsilanol, decyldiisopropylsilanol, butyldiphenylsilanol, tert-butyldiphenylsilanol, dodecyldiisopropylsilanol, tri-m-tolylsilanol, octadecyldiisopropylsilanol, 4- [ 4- ( Phenylamino) styryl] phenyldiisopropylsilanol, 4- [4- (dimethylamino) styryl] phenyldiisopropylsilanol, 5- [4- (diphenylamino) phenyl] -5 ′-[3- (hydroxydiisopropylsilyl) styryl]- 2,2′-bithiophene, 5- [4- (bis (9,9-dimethylfluoren-2-yl) amino) phenyl] -5 ′-[3- (hydroxydiisopropylsilyl) styryl] -2,2′- And bithiophene.

ポリシリケートとしては、メチルポリシリケート、エチルポリシリケート等のアルキルポリシリケートが好ましい。メチルポリシリケートとしては、例えば、メチルシリケート51(三菱化学(株)製)を使用することができ、エチルポリシリケートとしては、例えば、エチルシリケート48(コルコート(株)製)を使用することができる。   As the polysilicate, alkyl polysilicate such as methyl polysilicate and ethyl polysilicate is preferable. As the methyl polysilicate, for example, methyl silicate 51 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) can be used, and as the ethyl polysilicate, for example, ethyl silicate 48 (manufactured by Colcoat Co., Ltd.) can be used. .

水酸基変性シリコーンとしては、方末端又は両末端水酸基変性ジオルガノポリシロキサンが好ましい。方末端水酸基変性ジオルガノポリシロキサンとしては、例えば、X−22−176DX、X−22−176F(信越化学工業(株)製)等の方末端シラノール変性ジメチルポリシロキサンを使用することができる。両末端水酸基変性ジオルガノポリシロキサンとしては、例えば、X−21−5841、KF−9701(信越化学工業(株)製)等の両末端シラノール変性ジメチルポリシロキサンを使用することができる。   As the hydroxyl group-modified silicone, one or both end hydroxyl group-modified diorganopolysiloxane is preferable. As the terminal hydroxyl group-modified diorganopolysiloxane, for example, a terminal silanol-modified dimethylpolysiloxane such as X-22-176DX, X-22-176F (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used. As both-end hydroxyl group-modified diorganopolysiloxane, for example, both-end silanol-modified dimethylpolysiloxanes such as X-21-5841 and KF-9701 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used.

ポリエーテル変性シリコーンとしては、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレン、又は、これらの組合せからなるポリオキシアルキレン基によって変性されたシリコーンが好ましい。ポリエーテル変性シリコーンとしては、例えば、SH3771M、SH3772M、SH3773M3、SH3775M(東レ・ダウコーニング(株)製)等のポリオキシエチレン変性ジメチルポリシロキサン、SH3749(東レ・ダウコーニング(株)製)等のポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレン変性ジメチルポリシロキサン、ポリシリコーン13等のポリ(オキシエチレン・オキシプロピレン)/オルガノポリシロキサン共重合体、並びに、3−(ポリオキシエチレン)プロピルヘプタメチルトリシロキサン及びビス(ポリオキシエチレン)プロピルオクタメチルテトラシロキサンの混合物であるSH3746(東レ・ダウコーニング(株)製)等のポリオキシエチレン変性ジメチルポリシロキサンの混合物を使用することができる。   As the polyether-modified silicone, a silicone modified with a polyoxyalkylene group comprising polyoxyethylene, polyoxypropylene, polyoxybutylene, or a combination thereof is preferable. Examples of the polyether-modified silicone include polyoxyethylene-modified dimethylpolysiloxanes such as SH3771M, SH3772M, SH3773M3, and SH3775M (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.); Poly (oxyethylene / oxypropylene) / organopolysiloxane copolymers such as oxyethylene / polyoxypropylene-modified dimethylpolysiloxane, polysilicone 13 and the like, and 3- (polyoxyethylene) propylheptamethyltrisiloxane and bis (poly It is possible to use a mixture of polyoxyethylene-modified dimethylpolysiloxane such as SH3746 (manufactured by Dow Corning Toray), which is a mixture of oxyethylene) propyloctamethyltetrasiloxane Kill.

親水性物質をメタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール等のアルコール、水、又は、これらの混合物によって適宜希釈されて表面処理剤とすることが好ましい。表面処理剤中の親水性物質の濃度は特には限定されないが、0.1〜10質量%が好ましく、0.2〜5質量%がより好ましく、0.3〜2質量%が更により好ましい。   It is preferable that the hydrophilic substance is appropriately diluted with alcohol such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 1-butyl alcohol, water, or a mixture thereof to form a surface treatment agent. Although the density | concentration of the hydrophilic substance in a surface treating agent is not specifically limited, 0.1-10 mass% is preferable, 0.2-5 mass% is more preferable, 0.3-2 mass% is still more preferable.

基体表面への表面処理剤の塗布後に、基体表面を乾燥することが好ましい。乾燥温度は特に限定されるものではないが、15〜100℃が好ましく、20〜80℃がより好ましく、25〜60℃が更により好ましい。室温(25℃)での乾燥が特に好ましい。基体表面上の親水性物質層の厚みは1〜200nmが好ましく、50〜100nmがより好ましい。   The substrate surface is preferably dried after the surface treatment agent is applied to the substrate surface. Although drying temperature is not specifically limited, 15-100 degreeC is preferable, 20-80 degreeC is more preferable, and 25-60 degreeC is still more preferable. Drying at room temperature (25 ° C.) is particularly preferred. The thickness of the hydrophilic substance layer on the substrate surface is preferably 1 to 200 nm, more preferably 50 to 100 nm.

基体表面の乾燥前に、表面処理剤が塗布された基体表面を流水にて更に処理してもよい。これにより、シリカ(SiO)成分を除去して、親水性基のみを基体表面に設けることができる。 Before the substrate surface is dried, the substrate surface to which the surface treatment agent is applied may be further treated with running water. Thus, the silica to remove (SiO 2) component, only the hydrophilic groups can be provided on the substrate surface.

基体の表面処理後に、基体を加熱してもよい。加熱温度は、親水性物質の種類によるが、親水性基をより強固に固定するためには、加熱温度は、80℃〜800℃が好ましく、150℃〜750℃がより好ましい。   The substrate may be heated after the surface treatment of the substrate. The heating temperature depends on the type of the hydrophilic substance, but in order to fix the hydrophilic group more firmly, the heating temperature is preferably 80 ° C to 800 ° C, more preferably 150 ° C to 750 ° C.

本発明では、基体表面に正電荷物質及び/又は負電荷物質が存在することが好ましい。したがって、前記親水性表面を基体上に形成する前に、当該基体の表面上に、正電荷物質及び/又は負電荷物質を配置することが好ましい。一方、基体が正電荷物質及び/又は負電荷物質をもともと含んでいてもよく、その場合は、正電荷物質及び/又は負電荷物質を基体の表面上に新たに配置する必要はないが、必要に応じて、そのようにしてもよい。   In the present invention, a positively charged substance and / or a negatively charged substance is preferably present on the surface of the substrate. Therefore, it is preferable to arrange a positively charged substance and / or a negatively charged substance on the surface of the substrate before forming the hydrophilic surface on the substrate. On the other hand, the substrate may originally contain a positively charged material and / or a negatively charged material. In this case, it is not necessary to newly arrange the positively charged material and / or the negatively charged material on the surface of the substrate. This may be done depending on the situation.

前記正電荷物質は、正電荷を有する物質であれば、特に限定されるものではないが、
(1)陽イオン;
(2)正電荷を有する導電体又は誘電体;並びに
(3)正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される1種又は2種以上であることが好ましい。
The positively charged substance is not particularly limited as long as it has a positive charge.
(1) cations;
(2) a positively charged conductor or dielectric; and (3) one or more selected from the group consisting of a positively charged conductor and a dielectric or semiconductor composite. Is preferred.

前記陽イオンとしては、特に限定されるものではないが、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属のイオン;カルシウム等のアルカリ土類金属のイオン;アルミニウム、セシウム、インジウム、セリウム、セレン、クロム、ニッケル、アンチモン、鉄、銅、マンガン、タングステン、ジルコニウム、亜鉛等の金属元素のイオンが好ましく、特に銅イオンが好ましい。更に、メチルバイオレット、ビスマルクブラウン、メチレンブルー、マラカイトグリーン等のカチオン性染料、第4級窒素原子含有基により変性されたシリコーン等のカチオン基を備えた有機分子も使用可能である。イオンの価数も特に限定されるものではなく、例えば、1〜4価の陽イオンが使用可能である。   The cation is not particularly limited, but ions of alkali metals such as sodium and potassium; ions of alkaline earth metals such as calcium; aluminum, cesium, indium, cerium, selenium, chromium, nickel and antimony Ions of metal elements such as iron, copper, manganese, tungsten, zirconium and zinc are preferred, and copper ions are particularly preferred. Furthermore, cationic molecules such as methyl violet, bismarck brown, methylene blue and malachite green, and organic molecules having a cationic group such as silicone modified with a quaternary nitrogen atom-containing group can also be used. The valence of ions is not particularly limited, and for example, a cation having 1 to 4 valences can be used.

前記金属イオンの供給源として、金属塩を使用することも可能である。具体的には、塩化アルミニウム、塩化クロム、塩化ニッケル、塩化第1及び第2アンチモン、塩化第1及び第2鉄、塩化セシウム、三塩化インジウム、塩化第1セリウム、四塩化セレン、塩化第2銅、塩化マンガン、四塩化タングステン、オキシ二塩化タングステン、タングステン酸カリウム、オキシ塩化ジルコニウム、塩化亜鉛、炭酸バリウム等の各種の金属塩が挙げられる。更に、水酸化アルミニウム、水酸化鉄、水酸化クロム、水酸化インジウム等の金属水酸化物、ケイタングステン酸等の水酸化物、又は、油脂酸化物等の酸化物も使用可能である。   It is also possible to use a metal salt as a source of the metal ions. Specifically, aluminum chloride, chromium chloride, nickel chloride, first and second antimony chlorides, first and second iron chlorides, cesium chloride, indium trichloride, cerium chloride, selenium tetrachloride, cupric chloride And various metal salts such as manganese chloride, tungsten tetrachloride, tungsten oxychloride, potassium tungstate, zirconium oxychloride, zinc chloride, and barium carbonate. Furthermore, metal hydroxides such as aluminum hydroxide, iron hydroxide, chromium hydroxide, and indium hydroxide, hydroxides such as silicotungstic acid, and oxides such as oil and fat oxides can also be used.

正電荷を有する導電体又は誘電体としては、上記の陽イオン以外の、正電荷が発生した導電体又は誘電体を挙げることができ、例えば、使用される導電体は耐久性の点から金属が望ましく、アルミニウム、錫、セシウム、インジウム、セリウム、セレン、クロム、ニッケル、アンチモン、鉄、銅、マンガン、タングステン、ジルコニウム、亜鉛等の金属や酸化金属が挙げられる。また、これらの金属の複合体又は合金も使用することができる。導電体の形状は特に限定されるものではなく、粒子状、薄片状、繊維状等の任意の形状をとることができる。   Examples of the positively charged conductor or dielectric may include a conductor or dielectric having a positive charge other than the above-mentioned cation. For example, the conductor used may be a metal from the viewpoint of durability. Desirably, metals such as aluminum, tin, cesium, indium, cerium, selenium, chromium, nickel, antimony, iron, copper, manganese, tungsten, zirconium, and zinc, and metal oxides can be used. A composite or alloy of these metals can also be used. The shape of the conductor is not particularly limited, and may be any shape such as a particle shape, a flake shape, or a fiber shape.

導電体としては、一部の金属の金属塩も使用可能である。具体的には、塩化アルミニウム、塩化第1及び第2錫、塩化クロム、塩化ニッケル、塩化第1及び第2アンチモン、塩化第1及び第2鉄、塩化セシウム、三塩化インジウム、塩化第1セリウム、四塩化セレン、塩化第2銅、塩化マンガン、四塩化タングステン、オキシ二塩化タングステン、タングステン酸カリウム、塩化第2金、オキシ塩化ジルコニウム、塩化亜鉛等の各種の金属塩が例示できる。また、水酸化インジウム、ケイタングステン酸等の水酸化物又は酸化物等も使用可能である。   A metal salt of some metals can also be used as the conductor. Specifically, aluminum chloride, first and second tin chloride, chromium chloride, nickel chloride, first and second antimony chloride, first and second iron chloride, cesium chloride, indium trichloride, first cerium chloride, Examples include various metal salts such as selenium tetrachloride, cupric chloride, manganese chloride, tungsten tetrachloride, tungsten oxychloride, potassium tungstate, gold chloride, zirconium oxychloride, and zinc chloride. Also, hydroxides or oxides such as indium hydroxide and silicotungstic acid can be used.

正電荷を有する誘電体としては、例えば、摩擦により正に帯電した羊毛、ナイロン等の誘電体が挙げられる。   Examples of the dielectric having a positive charge include dielectrics such as wool and nylon that are positively charged by friction.

次に、前記複合体によって正電荷を付与する原理を図1に示す。図1は図示を省略する基体の表面に、導電体−誘電体又は半導体−導電体の組み合わせを配置した概念図である。導電体は、内部に自由に移動できる自由電子が高い濃度で存在することによって、表面に正電荷状態を有することができる。なお、導電体として陽イオンを含む導電性物質を使用することも可能である。   Next, the principle of applying a positive charge by the composite is shown in FIG. FIG. 1 is a conceptual diagram in which a conductor-dielectric or semiconductor-conductor combination is disposed on the surface of a substrate not shown. The conductor can have a positively charged state on the surface by the presence of a high concentration of free electrons that can freely move inside. Note that a conductive substance containing a cation may be used as the conductor.

一方、導電体に隣接する誘電体又は半導体は、導電体の表面電荷状態の影響により誘電分極される。この結果、導電体に隣接する側には負電荷が、また、非隣接側には正電荷が誘電体又は半導体に発生する。これらの作用により導電体−誘電体又は半導体−導電体の組み合わせの表面は正電荷を帯びることとなり、基体表面に正電荷が付与される。前記複合体のサイズ(複合体を通過する最長軸の長さをいう)は1nmから100μm、好ましくは1nmから10μm、より好ましくは1nmから1μm、より好ましくは1nmから100nmの範囲とすることができる。   On the other hand, the dielectric or semiconductor adjacent to the conductor is dielectrically polarized due to the influence of the surface charge state of the conductor. As a result, negative charges are generated in the dielectric or semiconductor on the side adjacent to the conductor and positive charges are generated on the non-adjacent side. By these actions, the surface of the conductor-dielectric or semiconductor-conductor combination is positively charged, and a positive charge is imparted to the substrate surface. The size of the complex (referring to the length of the longest axis passing through the complex) can be in the range of 1 nm to 100 μm, preferably 1 nm to 10 μm, more preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 1 nm to 100 nm. .

本発明において使用される複合体を構成する導電体は耐久性の点から金属が望ましく、アルミニウム、錫、セシウム、インジウム、セリウム、セレン、クロム、ニッケル、アンチモン、鉄、銀、銅、マンガン、白金、タングステン、ジルコニウム、亜鉛等の金属が挙げられる。また、これらの金属の酸化物や複合体又は合金も使用することができる。導電体の形状は特に限定されるものではなく、粒子状、薄片状、繊維状等の任意の形状をとることができる。   The conductor constituting the composite used in the present invention is preferably a metal from the viewpoint of durability. Aluminum, tin, cesium, indium, cerium, selenium, chromium, nickel, antimony, iron, silver, copper, manganese, platinum , Metals such as tungsten, zirconium and zinc. Also, oxides, composites or alloys of these metals can be used. The shape of the conductor is not particularly limited, and may be any shape such as a particle shape, a flake shape, or a fiber shape.

導電体としては、一部の金属の金属塩も使用可能である。具体的には、塩化アルミニウム、塩化第1及び第2錫、塩化クロム、塩化ニッケル、塩化第1及び第2アンチモン、塩化第1及び第2鉄、硝酸銀、塩化セシウム、三塩化インジウム、塩化第1セリウム、四塩化セレン、塩化第2銅、塩化マンガン、塩化第2白金、四塩化タングステン、オキシ二塩化タングステン、タングステン酸カリウム、塩化第2金、オキシ塩化ジルコニウム、塩化亜鉛、リン酸鉄リチウム等の各種の金属塩が例示できる。また、水酸化アルミニウム、水酸化鉄、水酸化クロム等の上記導電体金属の水酸化物、並びに、酸化亜鉛等の上記導電体金属の酸化物も使用可能である。   A metal salt of some metals can also be used as the conductor. Specifically, aluminum chloride, first and second tin chlorides, chromium chloride, nickel chloride, first and second antimony chlorides, first and second iron chlorides, silver nitrate, cesium chloride, indium trichloride, first chloride chloride Such as cerium, selenium tetrachloride, cupric chloride, manganese chloride, platinum platinum chloride, tungsten tetrachloride, tungsten oxychloride, potassium tungstate, gold chloride, zirconium oxychloride, zinc chloride, lithium iron phosphate, etc. Various metal salts can be exemplified. In addition, hydroxides of the above conductor metals such as aluminum hydroxide, iron hydroxide and chromium hydroxide, and oxides of the above conductor metals such as zinc oxide can also be used.

導電体としては、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリチオフェンビニロン、ポリイソチアナフテン、ポリアセチレン、ポリアルキルピロール、ポリアルキルチオフェン、ポリ−p−フェニレン、ポリフェニレンビニロン、ポリメトキシフェニレン、ポリフェニレンスルファイド、ポリフェニレンオキシド、ポリアントラセン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン等の導電性高分子も使用可能である。   As conductors, polyaniline, polypyrrole, polythiophene, polythiophene vinylon, polyisothianaphthene, polyacetylene, polyalkylpyrrole, polyalkylthiophene, poly-p-phenylene, polyphenylene vinylon, polymethoxyphenylene, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polyphenylene oxide Conductive polymers such as anthracene, polynaphthalene, polypyrene, and polyazulene can also be used.

半導体としては、例えば、C、Si、Ge、Sn、GaAs、Inp、GeN、ZnSe、PbSnTe等があり、半導体酸化金属や光半導体金属、光半導体酸化金属も使用可能である。好ましくは、酸化チタン(TiO)の他に、ZnO、SrTiOP、CdS、CdO、CaP、InP、In、CaAs、BaTiO、KNbO、Fe、Ta、WO、NiO、CuO、SiC、SiO、MoS、InSb、RuO、CeO等が使用されるが、Na等で光触媒能を不活性化したものが望ましい。 Examples of the semiconductor include C, Si, Ge, Sn, GaAs, Inp, GeN, ZnSe, and PbSnTe. A semiconductor metal oxide, a photo semiconductor metal, and a photo semiconductor metal oxide can also be used. Preferably, besides titanium oxide (TiO 2 ), ZnO, SrTiOP 3 , CdS, CdO, CaP, InP, In 2 O 3 , CaAs, BaTiO 3 , K 2 NbO 3 , Fe 2 O 3 , Ta 2 O 3 , WO 3 , NiO, Cu 2 O, SiC, SiO 2 , MoS 3 , InSb, RuO 2 , CeO 2, etc. are used, and those in which the photocatalytic ability is inactivated with Na or the like are desirable.

誘電体としては、強誘電体であるチタン酸バリウム(PZT)いわゆるSBT、BLTや次に挙げる PZT、PLZT―(Pb、La)(Zr、Ti)O、SBT、SBTN―SrBi(Ta、Nb)、BST―(Ba、Sr)TiO、LSCO―(La、Sr)CoO、BLT、BIT―(Bi、La)Ti12、BSO―BiSiO等の複合金属が使用可能である。また、有機ケイ素化合物であるシラン化合物、シリコーン化合物、いわゆる有機変性シリカ化合物、また、有機ポリマー絶縁膜アリレンエーテル系ポリマー、ベンゾシクロブテン、フッ素系ポリマーパリレンN、またはF、フッ素化アモルファス炭素等の各種低誘電材料も使用可能である。 Examples of the dielectric include barium titanate (PZT), which is a ferroelectric material, so-called SBT, BLT, and the following PZT, PLZT- (Pb, La) (Zr, Ti) O 3 , SBT, SBTN-SrBi 2 (Ta, Nb) 2 O 9 , BST— (Ba, Sr) TiO 3 , LSCO— (La, Sr) CoO 3 , BLT, BIT— (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 , BSO—Bi 2 SiO 5, etc. Metal can be used. Also, silane compounds, silicone compounds, so-called organic modified silica compounds, which are organosilicon compounds, organic polymer insulating films, arylene ether-based polymers, benzocyclobutene, fluorine-based polymer parylene N, or F, fluorinated amorphous carbon, etc. Various low dielectric materials can also be used.

前記負電荷物質は、負電荷を有する物質であれば、特に限定されるものではないが、
(4)陰イオン;
(5)負電荷を有する導電体又は誘電体;
(6)負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体、並びに
(7)光触媒機能を有する物質
からなる群から選択される1種又は2種であることが好ましい。
The negatively charged substance is not particularly limited as long as it has a negative charge.
(4) anion;
(5) a negatively charged conductor or dielectric;
(6) a composite of a negatively charged conductor and a dielectric or semiconductor, and (7) a substance having a photocatalytic function
It is preferable that it is 1 type or 2 types selected from the group which consists of.

前記陰イオンとしては、特に限定されるものではないが、フッ化物イオン、塩化物イオン、ヨウ化物イオン等のハロゲン化物イオン;水酸化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン等の無機系イオン;酢酸イオン等の有機系イオンが挙げられる。イオンの価数も特に限定されるものではなく、例えば、1〜4価の陰イオンが使用可能である。   The anion is not particularly limited, but halide ions such as fluoride ion, chloride ion and iodide ion; inorganic ions such as hydroxide ion, sulfate ion, nitrate ion and carbonate ion An organic ion such as acetate ion. The valence of ions is not particularly limited, and for example, a 1 to 4 valent anion can be used.

負電荷を有する導電体又は誘電体としては、上記の陰イオン以外の、負電荷が発生した導電体又は誘電体を挙げることができ、例えば、金、銀、白金、スズ等の金属;石墨、硫黄、セレン、テルル等の元素;硫化ヒ素、硫化アンチモン、硫化水銀等の硫化物;粘土、ガラス粉、石英粉、石綿、澱粉、木綿、絹、羊毛等;コンジョウ、インジゴ、アニリンブルー、エオシン、ナフトールイエロー等の染料のコロイドが挙げられる。これらの中でも金、銀、白金、スズ等の金属のコロイドが好ましく、特に銀コロイドがより好ましい。この他に、既述した各種の導電体からなる電池の負電極、並びに、負に帯電したテフロン(登録商標)、塩化ビニル、ポリエチレン、ポリエステル等の誘電体が挙げられる。   Examples of the conductor or dielectric having a negative charge include conductors or dielectrics in which a negative charge is generated other than the above anions, such as gold, silver, platinum, tin and other metals; Elements such as sulfur, selenium, tellurium; sulfides such as arsenic sulfide, antimony sulfide, mercury sulfide; clay, glass powder, quartz powder, asbestos, starch, cotton, silk, wool, etc .; conger, indigo, aniline blue, eosin, Examples thereof include colloids of dyes such as naphthol yellow. Among these, colloids of metals such as gold, silver, platinum and tin are preferable, and silver colloids are more preferable. In addition, the negative electrode of the battery made of the various conductors described above, and dielectrics such as negatively charged Teflon (registered trademark), vinyl chloride, polyethylene, and polyester can be used.

半導体としては既述したものを使用することができる。   As the semiconductor, those described above can be used.

光触媒機能を有する物質としては、特定の金属化合物を含んでおり、光励起により当該層表面の有機及び/又は無機化合物を酸化分解する機能を有するものを使用することができる。光触媒の原理は、特定の金属化合物が光励起により、空気中の水又は酸素からOHやO のラジカル種を発生させ、このラジカル種が有機及び/又は無機化合物を酸化還元分解することであると一般的に理解されている。 As the substance having a photocatalytic function, a substance containing a specific metal compound and having a function of oxidizing and decomposing organic and / or inorganic compounds on the surface of the layer by photoexcitation can be used. The principle of photocatalyst by photoexcitation specific metal compounds, from the water or oxygen in the air OH - or O 2 - radical species is generated in, that the radical species oxidize reductive decomposition of organic and / or inorganic compound It is generally understood that there is.

前記金属化合物としては、代表的な酸化チタン(TiO)の他、ZnO、SrTiOP、CdS、CdO、CaP、InP、In、CaAs、BaTiO、KNbO、Fe、Ta、WO、NiO、CuO、SiC、SiO、MoS、InSb、RuO、CeO等が知られている。 Examples of the metal compound include typical titanium oxide (TiO 2 ), ZnO, SrTiOP 3 , CdS, CdO, CaP, InP, In 2 O 3 , CaAs, BaTiO 3 , K 2 NbO 3 , Fe 2 O 3. , Ta 2 O 5 , WO 3 , NiO, Cu 2 O, SiC, SiO 2 , MoS 3 , InSb, RuO 2 , CeO 2 and the like are known.

光触媒機能を有する物質は光触媒性能が向上する金属(Ag、Pt)を含んでいてもよい。また、金属塩等の各種物質を、光触媒機能を失活させない程度の範囲で含むことできる。前記金属塩としては、例えば、アルミニウム、錫、クロム、ニッケル、アンチモン、鉄、銀、セシウム、インジウム、セリウム、セレン、銅、マンガン、カルシウム、白金、タングステン、ジルコニウム、亜鉛等の金属塩があり、それ以外にも一部の金属或いは非金属等については水酸化物又は酸化物も使用可能である。具体的には、塩化アルミニウム、塩化第一及び第二錫、塩化クロム、塩化ニッケル、塩化第一及び第二アンチモン、塩化第一及び第二鉄、硝酸銀、塩化セシウム、三塩化インジウム、塩化第一セリウム、四塩化セレン、塩化第二銅、塩化マンガン、塩化カルシウム、塩化第二白金、四塩化タングステン、オキシ二塩化タングステン、タングステン酸カリウム、塩化第二金、オキシ塩化ジルコニウム、塩化亜鉛等の各種金属塩が例示できる。また、金属塩以外の化合物としては、水酸化インジウム、ケイタングステン酸、シリカゾル、水酸化カルシウム等が例示できる。   The substance having a photocatalytic function may contain a metal (Ag, Pt) that improves the photocatalytic performance. Moreover, various substances, such as a metal salt, can be included in a range that does not deactivate the photocatalytic function. Examples of the metal salt include metal salts such as aluminum, tin, chromium, nickel, antimony, iron, silver, cesium, indium, cerium, selenium, copper, manganese, calcium, platinum, tungsten, zirconium, and zinc. In addition, hydroxides or oxides can be used for some metals or nonmetals. Specifically, aluminum chloride, stannous chloride, stannic chloride, chromium chloride, nickel chloride, primary and secondary antimony chloride, ferrous chloride, silver nitrate, cesium chloride, indium trichloride, primary chloride Various metals such as cerium, selenium tetrachloride, cupric chloride, manganese chloride, calcium chloride, platinum chloride, tungsten tetrachloride, tungsten oxychloride, potassium tungstate, ferric chloride, zirconium oxychloride, zinc chloride A salt can be illustrated. Examples of compounds other than metal salts include indium hydroxide, silicotungstic acid, silica sol, and calcium hydroxide.

前記の光触媒機能を有する物質は、励起状態においてはその物質表面の物理的吸着水や酸素からOH(水酸化ラジカル)、O (酸素化ラジカル)を吸着させて、その表面は陰イオンの特性を有しているが、そこに正電荷物質を共存させると、その濃度比に合せて、いわゆる光触媒活性は低下もしくは喪失する。しかし、本発明では、光触媒機能を有する物質が汚染物質に対して酸化分解作用をする必要はないので、負電荷物質として使用できる。そして、正電荷物質を共存させることにより、光触媒機能を有する物質のバインダー(典型的には無機系高分子及び有機系高分子)の酸化分解による劣化を回避することができる。したがって、光触媒機能を有する物質をバインダーによって固定して使用する場合であっても、正電荷物質と共存させることにより、当該バインダーの劣化を抑制しつつ正・負両方の電荷特性による防汚機能を発現させることができる。 In the excited state, the substance having the photocatalytic function adsorbs OH (hydroxylated radical) and O 2 (oxygenated radical) from physically adsorbed water or oxygen on the surface of the substance, and the surface has an anion. However, when a positively charged substance coexists therewith, so-called photocatalytic activity is reduced or lost in accordance with the concentration ratio. However, in the present invention, a substance having a photocatalytic function does not need to oxidatively decompose a pollutant, and therefore can be used as a negatively charged substance. By coexisting a positively charged substance, deterioration due to oxidative decomposition of a binder (typically inorganic polymer and organic polymer) of a substance having a photocatalytic function can be avoided. Therefore, even when a substance having a photocatalytic function is used by being fixed with a binder, the antifouling function due to both positive and negative charge characteristics can be suppressed by coexisting with a positively charged substance while suppressing deterioration of the binder. Can be expressed.

正電荷物質及び負電荷物質は、それぞれ単独で基体表面に配置されてもよく、或いは、組合されて基体表面に配置されてもよい。   The positively-charged substance and the negatively-charged substance may each be disposed on the substrate surface alone, or may be combined and disposed on the substrate surface.

図2は、基体表面に正電荷及び負電荷の両方を配置する一つの態様を示す概念図であり、誘電体又は半導体−負電荷を有する導電体−誘電体又は半導体−正電荷を有する導電体の組み合わせを基体表面に設けた例である。図2に示す負電荷を有する導電体及び正電荷を有する導電体としては、既述したものを使用することができる。   FIG. 2 is a conceptual diagram showing one embodiment in which both positive and negative charges are arranged on the surface of a substrate, and dielectric or semiconductor-conductor having negative charge-dielectric or semiconductor-conductor having positive charge. This combination is an example in which the combination is provided on the substrate surface. As the conductor having a negative charge and the conductor having a positive charge shown in FIG. 2, those described above can be used.

図2に示すように、負電荷を有する導電体に隣接する誘電体又は半導体は、導電体の表面電荷状態の影響により誘電分極される。この結果、負電荷を有する導電体に隣接する側には正電荷が、また、正電荷を有する導電体に隣接する側には負電荷が誘電体又は半導体に発生する。これらの作用により図2に示す誘電体又は半導体−導電体−誘電体又は半導体−導電体の組み合わせの表面は正電荷又は負電荷を帯びることとなる。前記導電体と誘電体又は半導体との複合体のサイズ(複合体を通過する最長軸の長さをいう)は1nmから100μm、好ましくは1nmから10μm、より好ましくは1nmから1μm、より好ましくは1nmから100nmの範囲とすることができる。また、正もしくは正負電荷表面を形成する導電体及び誘電体、又は、半導体を含む複合体の場合の組成材比率は微細粒子又は容積比として1:1〜1:20が望ましい。   As shown in FIG. 2, a dielectric or semiconductor adjacent to a negatively charged conductor is dielectrically polarized due to the influence of the surface charge state of the conductor. As a result, a positive charge is generated in the dielectric or semiconductor on the side adjacent to the conductor having a negative charge, and a negative charge is generated on the side adjacent to the conductor having a positive charge. Due to these actions, the surface of the dielectric or semiconductor-conductor-dielectric or semiconductor-conductor combination shown in FIG. 2 is charged with a positive charge or a negative charge. The size of the composite of the conductor and dielectric or semiconductor (referring to the length of the longest axis passing through the composite) is 1 nm to 100 μm, preferably 1 nm to 10 μm, more preferably 1 nm to 1 μm, more preferably 1 nm. To 100 nm. In addition, the ratio of the composition material in the case of a composite including a conductor and dielectric forming a positive or negative charge surface or a semiconductor is preferably 1: 1 to 1:20 as a fine particle or volume ratio.

図3は、基体表面に正電荷及び負電荷を付与する他の態様を示す概念図である。   FIG. 3 is a conceptual diagram showing another embodiment in which a positive charge and a negative charge are applied to the substrate surface.

図3では、負電荷を有する導電体と正電荷を有する導電体とが隣接し、正電荷及び負電荷が接触消滅等して少ない状態である。なお、負電荷を有する導電体及び正電荷を有する導電体としては、既述したものを使用することができる。   In FIG. 3, a conductor having a negative charge and a conductor having a positive charge are adjacent to each other, and the positive charge and the negative charge are reduced due to contact disappearance or the like. As the conductor having a negative charge and the conductor having a positive charge, those already described can be used.

正電荷物質及び/又は負電荷物質の配置方法は特に限定されるものではないが、特に、金属ドープ酸化チタンの形態で、正又は負電荷物質の層を基体表面上に形成することが好ましい。   The arrangement method of the positively charged substance and / or the negatively charged substance is not particularly limited, but it is particularly preferable to form a positive or negatively charged substance layer on the substrate surface in the form of metal-doped titanium oxide.

前記金属としては、セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄及び亜鉛からなる群から選択された金属元素の少なくとも1つが好ましく、少なくとも2つがより好ましく、特に、銀又は錫、並びに、銅又は鉄が好ましい。正電荷付与可能な金属元素としては、例えば、銅、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛等があり、負電荷付与可能な金属元素としては、例えば、セリウム、金、銀、白金、錫等がある。酸化チタンとしてはTiO、TiO、TiO、TiO/nHO等の各種の酸化物、過酸化物が使用可能である。特に、ペルオキソ基を有する過酸化チタンが好ましい。酸化チタンはアモルファス型、アナターゼ型、ブルッカイト型、ルチル型のいずれでもよく、これらが混在していてもよいが、アモルファス型酸化チタンが好ましい。 The metal is preferably at least one metal element selected from the group consisting of cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron and zinc, more preferably at least two, Silver or tin, and copper or iron are preferred. Examples of metal elements that can impart a positive charge include copper, manganese, nickel, cobalt, iron, and zinc. Examples of metal elements that can impart a negative charge include cerium, gold, silver, platinum, and tin. is there. As the titanium oxide, various oxides and peroxides such as TiO 2 , TiO 3 , TiO, and TiO 3 / nH 2 O can be used. In particular, titanium peroxide having a peroxo group is preferable. The titanium oxide may be any of amorphous type, anatase type, brookite type, and rutile type, and these may be mixed, but amorphous type titanium oxide is preferred.

アモルファス型酸化チタンは光触媒機能を有さない。一方、アナターゼ型、ブルッカイト型及びルチル型の酸化チタンは光触媒機能を有するが、銅、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄又は亜鉛を一定濃度以上に複合させると光触媒機能を喪失する。したがって、前記金属ドープチタン酸化物は光触媒機能を有さないものである。なお、アモルファス型酸化チタンは太陽光加熱等により経時的にアナターゼ型酸化チタンに変換されるが、銅、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄又は亜鉛と複合させるとアナターゼ型酸化チタンは光触媒機能を失うので、結局のところ、前記金属ドープチタン酸化物は経時的に光触媒機能を示さないものである。一方、セリウム、金、銀、白金、錫をドープしたチタン酸化物は、酸化チタンがアモルファス型からアナターゼ型に変換した場合は光触媒性能を有するようになるが、正電荷物質が一定濃度以上共存する場合は光触媒性能を示さないため、前記金属ドープチタン酸化物を使用した場合にも経時的に光触媒機能を有さないものである。   Amorphous titanium oxide does not have a photocatalytic function. On the other hand, anatase type, brookite type, and rutile type titanium oxides have a photocatalytic function. However, when copper, manganese, nickel, cobalt, iron, or zinc is combined at a certain concentration or more, the photocatalytic function is lost. Therefore, the metal-doped titanium oxide does not have a photocatalytic function. Amorphous titanium oxide is converted to anatase titanium oxide over time by solar heating or the like. However, anatase titanium oxide loses its photocatalytic function when combined with copper, manganese, nickel, cobalt, iron or zinc. After all, the metal-doped titanium oxide does not exhibit a photocatalytic function over time. On the other hand, titanium oxide doped with cerium, gold, silver, platinum, and tin has photocatalytic performance when titanium oxide is converted from amorphous type to anatase type, but positively charged substances coexist at a certain concentration or more. Since the case does not show photocatalytic performance, even when the metal-doped titanium oxide is used, it does not have a photocatalytic function over time.

正電荷物質及び/又は負電荷物質の層を構成する前記金属ドープチタン酸化物の製造方法としては、一般的な二酸化チタン粉末の製造方法である塩酸法又は硫酸法をベースとする製造方法を採用してもよいし、各種の液体分散チタニア溶液の製造方法を採用してもよい。そして、上記金属は、製造段階の如何を問わずチタン酸化物と複合化することができる。   As a method for producing the metal-doped titanium oxide constituting the layer of the positively charged substance and / or the negatively charged substance, a production method based on a hydrochloric acid method or a sulfuric acid method, which is a general method for producing titanium dioxide powder, is employed. Alternatively, various methods for producing a liquid-dispersed titania solution may be employed. And the said metal can be compounded with a titanium oxide regardless of a manufacturing stage.

第1の製造方法
まず、四塩化チタン等の四価チタンの化合物とアンモニア等の塩基とを反応させて、水酸化チタンを形成する。次に、この水酸化チタンを酸化剤でペルオキソ化し、超微細粒子のアモルファス型過酸化チタンを形成する。この反応は好ましくは水性媒体中で行なわれる。さらに、任意に加熱処理することによりアナターゼ型過酸化チタンに転移させることも可能である。上記の各工程のいずれかにおいて、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、セリウム、金、銀、白金、錫、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。
First Production Method First, a titanium hydroxide is formed by reacting a tetravalent titanium compound such as titanium tetrachloride with a base such as ammonia. Next, this titanium hydroxide is peroxo-oxidized with an oxidizing agent to form ultrafine particles of amorphous titanium peroxide. This reaction is preferably carried out in an aqueous medium. Furthermore, it is also possible to transfer to anatase-type titanium peroxide by arbitrary heat treatment. In any of the above steps, as a metal element having a positive charge or a negative charge, for example, cerium, gold, silver, platinum, tin, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron, zinc or their At least one of the compounds is mixed.

ペルオキソ化用酸化剤は特に限定されるものではなく、チタンのペルオキソ化物、すなわち過酸化チタンが形成できるものであれば各種のものが使用できるが、過酸化水素が好ましい。酸化剤として過酸化水素水を使用する場合は、過酸化水素の濃度は特に制限されることはないが、30〜40%のものが好適である。ペルオキソ化前には水酸化チタンを冷却することが好ましい。その際の冷却温度は1〜5℃が好ましい。   The peroxidation oxidizing agent is not particularly limited, and various agents can be used as long as they can form a titanium peroxo compound, that is, titanium peroxide, but hydrogen peroxide is preferred. When hydrogen peroxide is used as the oxidizing agent, the concentration of hydrogen peroxide is not particularly limited, but is preferably 30 to 40%. It is preferred to cool the titanium hydroxide before peroxolation. The cooling temperature at that time is preferably 1 to 5 ° C.

図4に上記第1の製造方法の一例を示す。図示される製造方法では、四塩化チタン水溶液とアンモニア水とを、セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛の化合物の少なくとも1つの存在下で混合し、当該金属の水酸化物及びチタンの水酸化物の混合物を生成させる。その際の反応混合液の濃度及び温度については、特に限定されるわけではないが、希薄且つ常温とすることが好ましい。この反応は中和反応であり、反応混合液のpHは最終的に7前後に調整されることが好ましい。   FIG. 4 shows an example of the first manufacturing method. In the illustrated manufacturing method, an aqueous solution of titanium tetrachloride and aqueous ammonia are mixed in the presence of at least one compound of cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron, and zinc. And a mixture of the metal hydroxide and titanium hydroxide is formed. The concentration and temperature of the reaction mixture at that time are not particularly limited, but are preferably dilute and normal temperature. This reaction is a neutralization reaction, and it is preferable that the pH of the reaction mixture is finally adjusted to around 7.

このようにして得られた金属及びチタンの水酸化物は純水で洗浄した後、5℃前後に冷却され、次に、過酸化水素水でペルオキソ化される。これにより、金属がドープされた、アモルファス型のペルオキソ基を有するチタン酸化物微細粒子を含有する水性分散液、すなわち金属ドープチタン酸化物を含有する水性分散液を製造することができる。   The metal and titanium hydroxides thus obtained are washed with pure water, cooled to around 5 ° C., and then peroxoated with hydrogen peroxide. Thereby, an aqueous dispersion containing titanium oxide fine particles having amorphous peroxo groups doped with metal, that is, an aqueous dispersion containing metal-doped titanium oxide can be produced.

第2の製造方法
四塩化チタン等の四価チタンの化合物を酸化剤でペルオキソ化し、これとアンモニア等の塩基とを反応させて超微細粒子のアモルファス型過酸化チタンを形成する。この反応は好ましくは水性媒体中で行なわれる。さらに、任意に加熱処埋することによりアナターゼ型過酸化チタンに転移させることも可能である。上記の各工程のいずれかにおいて、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。
Second Production Method A tetravalent titanium compound such as titanium tetrachloride is peroxo-oxidized with an oxidizing agent, and this is reacted with a base such as ammonia to form amorphous fine titanium peroxide. This reaction is preferably carried out in an aqueous medium. Furthermore, it is possible to transfer to anatase-type titanium peroxide by arbitrarily heat-treating. In any of the above steps, as a metal element having a positive charge or a negative charge, for example, cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron, zinc or a compound thereof At least one of them is mixed.

第3の製造方法
四塩化チタン等の四価チタンの化合物を、酸化剤及び塩基と同時に反応させて、水酸化チタン形成とそのペルオキソ化とを同時に行い、超微細粒子のアモルファス型過酸化チタンを形成する。この反応は好ましくは水性媒体中で行なわれる。さらに、任意に加熱処埋することによりアナターゼ型過酸化チタンに転移させることも可能である。上記の各工程のいずれかにおいて、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。
Third production method A tetravalent titanium compound such as titanium tetrachloride is reacted simultaneously with an oxidizing agent and a base to form titanium hydroxide and peroxotate at the same time. Form. This reaction is preferably carried out in an aqueous medium. Furthermore, it is possible to transfer to anatase-type titanium peroxide by arbitrarily heat-treating. In any of the above steps, as a metal element having a positive charge or a negative charge, for example, cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron, zinc or a compound thereof At least one of them is mixed.

なお、第1乃至第3の製造方法において、アモルファス型過酸化チタンと、これを加熱して得られるアナターゼ型過酸化チタンとの混合物を金属ドープチタン酸化物として使用できることは言うまでもない。   In the first to third manufacturing methods, it goes without saying that a mixture of amorphous titanium peroxide and anatase titanium peroxide obtained by heating the same can be used as the metal-doped titanium oxide.

ゾル−ゲル法による製造方法
チタンアルコキシドに、水、アルコール等の溶媒、酸又は塩基触媒を混合撹拌し、チタンアルコキシドを加水分解させ、超微粒子のチタン酸化物のゾル溶液を生成する。この加水分解の前後のいずれかに、正電荷又は負電荷を有する金属元素として、例えば、セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛又はそれらの化合物の少なくともいずれか1つが混合される。なお、このようにして得られるチタン酸化物は、ペルオキソ基を有するアモルファス型である。
Production Method by Sol-Gel Method A titanium alkoxide is mixed and stirred with a solvent such as water or alcohol, an acid or a base catalyst, and the titanium alkoxide is hydrolyzed to produce a sol solution of ultrafine titanium oxide. As a metal element having a positive or negative charge before or after the hydrolysis, for example, cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron, zinc or a compound thereof At least one of the above is mixed. The titanium oxide thus obtained is an amorphous type having a peroxo group.

上記チタンアルコキシドとしては、一般式:Ti(OR´)(ただし、R´はアルキル基)で表示される化合物、又は上記一般式中の1つ或いは2つのアルコキシド基(OR´)がカルボキシル基或いはβ−ジカルボニル基で置換された化合物、或いは、それらの混合物が好ましい。 As the titanium alkoxide, a compound represented by the general formula: Ti (OR ′) 4 (where R ′ is an alkyl group), or one or two alkoxide groups (OR ′) in the general formula is a carboxyl group. Alternatively, a compound substituted with a β-dicarbonyl group or a mixture thereof is preferable.

上記チタンアルコキシドの具体例としては、Ti(O−isoC、Ti(O−nC、Ti(O−CHCH(C)C、Ti(O−C1735、Ti(O−isoC[CO(CH)CHCOCH、Ti(O−nC[OCN(COH)、Ti(OH)[OCH(CH)COOH]、Ti(OCHCH(C)CH(OH)C、Ti(O−nC(OCOC1735)等が挙げられる。 Specific examples of the titanium alkoxide include Ti (O—isoC 3 H 7 ) 4 , Ti (O—nC 4 H 9 ) 4 , Ti (O—CH 2 CH (C 2 H 5 ) C 4 H 9 ) 4. , Ti (O—C 17 H 35 ) 4 , Ti (O—isoC 3 H 7 ) 2 [CO (CH 3 ) CHCOCH 3 ] 2 , Ti (O—nC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N ( C 2 H 4 OH) 2] 2, Ti (OH) 2 [OCH (CH 3) COOH] 2, Ti (OCH 2 CH (C 2 H 5) CH (OH) C 3 H 7) 4, Ti (O -nC 4 H 9) 2 (OCOC 17 H 35) , and the like.

四価チタンの化合物
金属ドープチタン酸化物の製造に使用する四価チタンの化合物としては、塩基と反応させた際に、オルトチタン酸(HTiO)とも呼称される水酸化チタンを形成できるものであれば各種のチタン化合物が使用でき、例えば四塩化チタン、硫酸チタン、硝酸チタン、燐酸チタン等のチタンの水溶性無機酸塩がある。それ以外にも蓚酸チタン等のチタンの水溶性有機酸塩も使用できる。なお、これらの各種チタン化合物の中では、水溶性に特に優れ、かつ金属ドープチタン酸化物の分散液中にチタン以外の成分が残留しない点で、四塩化チタンが好ましい。
Tetravalent titanium compound As a tetravalent titanium compound used in the production of metal-doped titanium oxide, titanium hydroxide, also called orthotitanic acid (H 4 TiO 4 ), can be formed when reacted with a base. Any titanium compound can be used as long as it is a water-soluble inorganic acid salt of titanium such as titanium tetrachloride, titanium sulfate, titanium nitrate, and titanium phosphate. In addition, water-soluble organic acid salts of titanium such as titanium oxalate can be used. Of these various titanium compounds, titanium tetrachloride is preferred because it is particularly excellent in water solubility and no components other than titanium remain in the dispersion of metal-doped titanium oxide.

また、四価チタンの化合物の溶液を使用する場合は、当該溶液の濃度は、水酸化チタンのゲルが形成できる範囲であれば特に制限されるものではないが、比較的希薄な溶液が好ましい。具体的には、四価チタンの化合物の溶液濃度は、5〜0.01wt%が好ましく、0.9〜0.3wt%がより好ましい。   When a solution of a tetravalent titanium compound is used, the concentration of the solution is not particularly limited as long as a titanium hydroxide gel can be formed, but a relatively dilute solution is preferable. Specifically, the solution concentration of the tetravalent titanium compound is preferably 5 to 0.01 wt%, and more preferably 0.9 to 0.3 wt%.

塩基
上記四価チタンの化合物と反応させる塩基は、四価チタンの化合物と反応して水酸化チタンを形成できるものであれば、各種のものが使用可能であり、それにはアンモニア、苛性ソーダ、炭酸ソーダ、苛性カリ等が例示できるが、アンモニアが好ましい。
As the base to be reacted with the tetravalent titanium compound, various substances can be used as long as they can react with the tetravalent titanium compound to form titanium hydroxide. For example, ammonia, caustic soda, sodium carbonate Examples thereof include caustic potash, and ammonia is preferable.

また、上記の塩基の溶液を使用する場合は、当該溶液の濃度は、水酸化チタンのゲルが形成できる範囲であれば特に制限されるものではないが、比較的希薄な溶液が好ましい。具体的には、塩基溶液の濃度は、10〜0.01wt%が好ましく、1.0〜0.1wt%がより好ましい。特に、塩基溶液としてアンモニア水を使用した場合のアンモニアの濃度は、10〜0.01wt%が好ましく、1.0〜0.1wt%がより好ましい。   When the above base solution is used, the concentration of the solution is not particularly limited as long as a titanium hydroxide gel can be formed, but a relatively dilute solution is preferable. Specifically, the concentration of the base solution is preferably 10 to 0.01 wt%, and more preferably 1.0 to 0.1 wt%. In particular, the concentration of ammonia when ammonia water is used as the base solution is preferably 10 to 0.01 wt%, and more preferably 1.0 to 0.1 wt%.

金属化合物
セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄又は亜鉛の化合物としては、それぞれ以下のものが例示できる。
Ce化合物:CeO、CeCl、Ce(SO、Ce(NO及びこれらの水和物
Au化合物:AuCl、AuCl、AuOH、Au(OH)、AuO、AuO
Ag化合物:AgNO、AgF、AgClO、AgOH、Ag(NH)OH、AgSO
Pt化合物:PtCl、PtO、Pt(NH)Cl、PtO、PtCl、〔Pt(OH)2−
Ni化合物:Ni(OH)、NiCl
Co化合物:Co(OH)NO、Co(OH)、CoSO、CoCl
Cu化合物:Cu(OH)、Cu(NO、CuSO、CuCl、Cu(CHCOO)
Zr化合物:Zr(OH)、ZrCl、ZrCl
Sn化合物:SnCl、SnCl、[Sn(OH)]
Mn化合物:MnNO、MnSO、MnCl
Fe化合物:Fe(OH)、Fe(OH)、FeCl
Zn化合物:Zn(NO、ZnSO、ZnCl
Metal compounds Examples of the compounds of cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron or zinc are as follows.
Ce compound: CeO 2 , CeCl 3 , Ce 2 (SO 4 ) 3 , Ce (NO 3 ) 3 and their hydrates Au compound: AuCl, AuCl 3 , AuOH, Au (OH) 2 , Au 2 O, Au 2 O 3
Ag compound: AgNO 3 , AgF, AgClO 3 , AgOH, Ag (NH 3 ) OH, Ag 2 SO 4
Pt compounds: PtCl 2 , PtO, Pt (NH 3 ) Cl 2 , PtO 2 , PtCl 4 , [Pt (OH) 6 ] 2−
Ni compound: Ni (OH) 2 , NiCl 2
Co compound: Co (OH) NO 3 , Co (OH) 2 , CoSO 4 , CoCl 2
Cu compound: Cu (OH) 2 , Cu (NO 3 ) 2 , CuSO 4 , CuCl 2 , Cu (CH 3 COO) 2
Zr compound: Zr (OH) 3 , ZrCl 2 , ZrCl 4
Sn compound: SnCl 2 , SnCl 4 , [Sn (OH)] +
Mn compound: MnNO 3 , MnSO 4 , MnCl 2
Fe compound: Fe (OH) 2 , Fe (OH) 3 , FeCl 3
Zn compound: Zn (NO 3 ) 2 , ZnSO 4 , ZnCl 2

第1乃至第3の製造方法で得られる水性分散液中の過酸化チタン濃度(共存するセリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄又は亜鉛を含む合計量)は、0.05〜15wt%が好ましく、0.1〜5wt%がより好ましい。また、正電荷又は負電荷を有する金属元素、例えば、セリウム、金、銀、白金、銅、ジルコニウム、錫、マンガン、ニッケル、コバルト、鉄又は亜鉛の配合量については、チタンと金属成分とのモル比で、本発明からは1:1が望ましいが、水性分散液の安定性から1:0.01〜1:0.5が好ましく、1:0.03〜1:0.1がより好ましい。   Titanium peroxide concentration in the aqueous dispersion obtained by the first to third production methods (total amount including cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron, or zinc present together) ) Is preferably 0.05 to 15 wt%, and more preferably 0.1 to 5 wt%. Further, regarding the compounding amount of a metal element having a positive charge or a negative charge, for example, cerium, gold, silver, platinum, copper, zirconium, tin, manganese, nickel, cobalt, iron or zinc, the mole of titanium and the metal component The ratio is preferably 1: 1 from the present invention, but is preferably from 1: 0.01 to 1: 0.5, more preferably from 1: 0.03 to 1: 0.1, from the stability of the aqueous dispersion.

本発明では、上記の製造方法で得られる溶液、懸濁液若しくはエマルジョンの形態の金属ドープ(過)酸化チタン含有組成物中に基体を浸漬してディップコーティングを行い、或いは、当該組成物を基体上にスプレー、ロール、刷毛、スポンジ等で塗布した後に、非加熱乾燥又は加熱乾燥して溶媒乃至媒体を揮散させる工程を少なくとも1回行うことによって金属ドープ酸化チタンの層を基体表面に形成することができる。   In the present invention, the substrate is immersed in a metal-doped (per) titanium oxide-containing composition in the form of a solution, suspension or emulsion obtained by the above production method, or dip coating is performed, or the composition is applied to the substrate. Forming a metal-doped titanium oxide layer on the substrate surface by performing at least one step of non-heat drying or heat drying to volatilize the solvent or medium after coating with a spray, roll, brush, sponge, etc. Can do.

加熱する場合の温度は特に限定されるものではなく、例えば、30℃以上の任意の温度に加熱することができる。なお、加熱により、前記組成物中の過酸化チタンは酸化チタン(二酸化チタン)に変化する。このとき、更に、アモルファス型酸化チタンはアナターゼ型酸化チタンに転移する(一般に、アモルファス型酸化チタンは、100℃以上に加熱することによりアナターゼ型に転移する)。したがって、前記組成物中にアモルファス型過酸化チタンが含まれる場合は、100℃以上に加熱することが好ましい。この場合、アモルファス型過酸化チタン→アモルファス型酸化チタン→アナターゼ型酸化チタンのプロセスにより得られたアナターゼ型酸化チタンが基体表面上に存在する。更に、前記組成物中にアナターゼ型過酸化チタンが既に含まれている場合は、加熱により、そのままアナターゼ型酸化チタンに変化する。   The temperature in the case of heating is not specifically limited, For example, it can heat to arbitrary temperature of 30 degreeC or more. In addition, the titanium peroxide in the said composition changes to a titanium oxide (titanium dioxide) by heating. At this time, the amorphous titanium oxide is further transferred to anatase titanium oxide (in general, amorphous titanium oxide is transferred to anatase type by heating to 100 ° C. or higher). Therefore, when amorphous titanium peroxide is contained in the composition, it is preferable to heat to 100 ° C. or higher. In this case, anatase-type titanium oxide obtained by the process of amorphous-type titanium peroxide → amorphous-type titanium oxide → anatase-type titanium oxide is present on the substrate surface. Further, when anatase-type titanium peroxide is already contained in the composition, it is directly converted into anatase-type titanium oxide by heating.

前記組成物は、有機ケイ素化合物及び/又は無機ケイ素化合物を更に含むことが好ましい。   The composition preferably further contains an organosilicon compound and / or an inorganic silicon compound.

前記有機ケイ素化合物としては、例えば、各種の有機シラン化合物、並びに、シリコーンオイル、シリコーンゴム及びシリコーンレジン等のシリコーンが挙げられる。これらは単独で使用されてもよく、混合物であってもよい。シリコーンとしては、分子中にアルキルシリケート構造若しくはポリエーテル構造を有するもの、又は、アルキルシリケート構造及びポリエーテル構造の両方を有するものが好ましい。ここで、アルキルシリケート構造とは、シロキサン骨格のケイ素原子にアルキル基が結合した構造をさす。一方、ポリエーテル構造とは、エーテル結合を有する構造をさし、これらに限定されるものではないが、具体的には、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリテトラメチレンオキサイド、ポリエチレンオキサイド―ポリプロピレンオキサイドブロック共重合体、ポリエチレンポリテトラメチレングリコール共重合体、ポリテトラメチレングリコール―ポリプロピレンオキサイド共重合体等の分子構造が挙げられる。そのなかでも、ポリエチレンオキサイド―ポリプロピレンオキサイドブロック共重合体は、そのブロック度及び分子量により、基体表面における濡れ性を制御できる観点から好適である。   Examples of the organosilicon compound include various organosilane compounds, and silicones such as silicone oil, silicone rubber, and silicone resin. These may be used alone or in a mixture. As the silicone, those having an alkyl silicate structure or a polyether structure in the molecule, or those having both an alkyl silicate structure and a polyether structure are preferable. Here, the alkyl silicate structure refers to a structure in which an alkyl group is bonded to a silicon atom of a siloxane skeleton. On the other hand, a polyether structure refers to a structure having an ether bond, and is not limited to these. Specifically, polyethylene oxide, polypropylene oxide, polytetramethylene oxide, polyethylene oxide-polypropylene oxide block copolymer are used. Examples thereof include molecular structures such as a polymer, a polyethylene polytetramethylene glycol copolymer, and a polytetramethylene glycol-polypropylene oxide copolymer. Among these, a polyethylene oxide-polypropylene oxide block copolymer is preferable from the viewpoint that the wettability on the substrate surface can be controlled by the block degree and the molecular weight.

有機ケイ素化合物としては、分子中にアルキルシリケート構造及びポリエーテル構造の双方を有するシリコーンが特に好ましい。具体的には、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン等のポリエーテル変性シリコーンが好適である。これは公知の方法で製造することができ、例えば、特開平4―242499号公報の合成例1,2,3,4や、特開平9−165318号公報の参考例記載の方法等により製造することができる。特に、両末端メタリルポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイドブロック共重合体とジヒドロポリジメチルシロキサンとを反応させて得られるポリエチレンオキサイド−ポリプロピレンオキサイドブロック共重合体変性ポリジメチルシロキサンが好適である。具体的には、TSF4445、TSF4446(GE東芝シリコーン(株))、KPシリーズ(信越化学工業(株))、並びに、SH 200、SH3746M、DC3PA、ST869A(東レ・ダウコーニング(株))等を用いることができる。   As the organosilicon compound, silicone having both alkyl silicate structure and polyether structure in the molecule is particularly preferable. Specifically, polyether-modified silicone such as polyether-modified polydimethylsiloxane is suitable. This can be produced by a known method, for example, by the method described in Synthesis Examples 1, 2, 3, 4 of JP-A-4-242499, or Reference Example of JP-A-9-165318. be able to. In particular, polyethylene oxide-polypropylene oxide block copolymer-modified polydimethylsiloxane obtained by reacting both terminal methallyl polyethylene oxide-polypropylene oxide block copolymers with dihydropolydimethylsiloxane is preferred. Specifically, TSF4445, TSF4446 (GE Toshiba Silicone Co., Ltd.), KP series (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SH 200, SH3746M, DC3PA, ST869A (Toray Dow Corning Co., Ltd.), etc. are used. be able to.

前記組成物中の有機ケイ素化合物の濃度は、基体の表面処理の程度に応じて適宜変更することができるが、典型的には0.01〜5.0重量%であり、好ましくは0.05〜2.0重量%であり、より好ましくは0.1〜1.0重量%である。   The concentration of the organosilicon compound in the composition can be appropriately changed according to the degree of surface treatment of the substrate, but is typically 0.01 to 5.0% by weight, preferably 0.05. It is -2.0 weight%, More preferably, it is 0.1-1.0 weight%.

無機ケイ素化合物としては、シリカ(二酸化ケイ素)、窒化ケイ素、炭化ケイ素、シリケート、ポリシリケート、シラン等が挙げられるが、シリカが好ましい。シリカとしては、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ、沈降シリカ等を使用することができるがコロイダルシリカが好ましい。市販のコロイダルシリカとしては、例えば、PL−1,PL−3(扶桑化学工業(株))、ポリシリケートとして、WM−12(多摩化学工業(株)製)、シリカゾル51(コルコート(株)製)等を用いることができる。   Examples of the inorganic silicon compound include silica (silicon dioxide), silicon nitride, silicon carbide, silicate, polysilicate, silane and the like, and silica is preferable. As the silica, fumed silica, colloidal silica, precipitated silica and the like can be used, but colloidal silica is preferable. Examples of commercially available colloidal silica include PL-1 and PL-3 (Fuso Chemical Co., Ltd.). Examples of polysilicate include WM-12 (manufactured by Tama Chemical Industry Co., Ltd.) and silica sol 51 (manufactured by Colcoat Co., Ltd.). ) Etc. can be used.

前記組成物中の無機ケイ素化合物の濃度は、基体の表面処理の程度に応じて適宜変更することができるが、典型的には0.01〜98重量%であり、好ましくは0.1〜90重量%であり、より好ましくは10.0〜80重量%である。   The concentration of the inorganic silicon compound in the composition can be appropriately changed according to the degree of surface treatment of the substrate, but is typically 0.01 to 98% by weight, preferably 0.1 to 90%. % By weight, more preferably 10.0 to 80% by weight.

前記組成物は、水の他に、アルコール等の親水性媒体、或いは、有機溶媒等の非水性媒体を含むことができる。これらの媒体の濃度は典型的には10〜99.99重量%であり、好ましくは50〜99.9重量%であり、より好ましくは80〜99重量%である。   In addition to water, the composition may contain a hydrophilic medium such as alcohol, or a non-aqueous medium such as an organic solvent. The concentration of these media is typically 10 to 99.99% by weight, preferably 50 to 99.9% by weight, more preferably 80 to 99% by weight.

正電荷物質及び/又は負電荷物質の層と、基体表面との間には中間層が形成されてもよい。   An intermediate layer may be formed between the layer of the positively charged substance and / or the negatively charged substance and the substrate surface.

前記中間層は、親水性又は疎水性の、任意の有機又は無機物質からなることができる。   The intermediate layer may be made of any organic or inorganic substance that is hydrophilic or hydrophobic.

親水性の有機物質としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールブロック共重合体等のポリエーテル;ポリビニルアルコール;ポリアクリル酸(アルカリ金属塩、アンモニウム塩等の塩を含む)、ポリメタクリル酸(アルカリ金属塩、アンモニウム塩等の塩を含む)、ポリアクリル酸−ポリメタクリル酸(アルカリ金属塩、アンモニウム塩等の塩を含む)共重合体;ポリアクリルアミド;ポリビニルピロリドン;カルボキシメチルセルロース(CMC)、メチルセルロース(MC)等の親水性セルロース類;多糖類等の天然親水性高分子化合物等が挙げられる。これらの高分子材料にガラス繊維、炭素繊維、シリカ等の無機系誘電体を配合して複合化したものも使用可能である。また、上記の高分子材料として塗料を使用することも可能である。   Examples of hydrophilic organic substances include polyethers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polyethylene glycol-polypropylene glycol block copolymers; polyvinyl alcohol; polyacrylic acid (including salts such as alkali metal salts and ammonium salts), polymethacryl Acid (including salts such as alkali metal salts and ammonium salts), polyacrylic acid-polymethacrylic acid (including salts such as alkali metal salts and ammonium salts) copolymers; polyacrylamide; polyvinylpyrrolidone; carboxymethylcellulose (CMC) And hydrophilic celluloses such as methylcellulose (MC); natural hydrophilic polymer compounds such as polysaccharides. It is also possible to use a composite material obtained by blending these polymer materials with an inorganic dielectric such as glass fiber, carbon fiber or silica. It is also possible to use a paint as the polymer material.

親水性の無機材料としては、例えば、SiO又はその他のケイ素化合物が挙げられる。 Examples of the hydrophilic inorganic material include SiO 2 and other silicon compounds.

撥水性の有機物質としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン等のポリオレフィン;ポリアクリレート、アクリロニトリル・スチレン共重合体(AS)、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体(ABS)等のアクリル樹脂;ポリアクリロニトリル;ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のポリハロゲン化ビニル;ポリテトラフルオロエチレン、フルオロエチレン・プロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)、ポリビニリデンフルオライド(PVDF)、フッ化ビニリデン・トリフルオロエチレン共重合体等のフッ素樹脂;ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート等のポリエステル;フェノール樹脂;ユリア樹脂;メラミン樹脂;ポリイミド樹脂;ナイロン等のポリアミド樹脂;エポキシ樹脂;ポリウレタン等が挙げられる。   Examples of water-repellent organic materials include polyolefins such as polyethylene, polypropylene and polystyrene; acrylic resins such as polyacrylates, acrylonitrile / styrene copolymers (AS) and acrylonitrile / butadiene / styrene copolymers (ABS); polyacrylonitriles; Polyvinyl halides such as vinyl chloride and polyvinylidene chloride; polytetrafluoroethylene, fluoroethylene / propylene copolymer, polychlorotrifluoroethylene (PCTFE), polyvinylidene fluoride (PVDF), vinylidene fluoride / trifluoroethylene Fluorine resins such as copolymers; Polyesters such as polyethylene terephthalate and polycarbonate; Phenol resins; Urea resins; Melamine resins; Polyimide resins; Polyamide resins such as nylon Epoxy resins; and polyurethane.

撥水性の有機物質としてはフッ素樹脂が好ましく、特に、強誘電性と撥水性を有するフッ化ビニリデン・トリフルオロエチレン共重合体、ポリビニリデンフルオライドのβ型結晶体及びそれを含有するものが好ましい。フッ素樹脂としては市販のものを使用することが可能であり、市販品としては、例えば、NTT−AT(株)製のHIREC1550等が挙げられる。   As the water-repellent organic substance, a fluororesin is preferable, and in particular, a vinylidene fluoride / trifluoroethylene copolymer having ferroelectricity and water repellency, a β-type crystal of polyvinylidene fluoride and those containing it are preferable. . Commercially available products can be used as the fluororesin, and examples of commercially available products include HIREC1550 manufactured by NTT-AT Co., Ltd.

更に、フッ素原子を含有するオレフィンの2種以上からなる共重合体、フッ素原子を含有するオレフィンと炭化水素モノマーとの共重合体、およびフッ素原子を含有するオレフィンの2種以上からなる共重合体と熱可塑性アクリル樹脂との混合物からなる群より選ばれた少なくとも1種のフッ素樹脂と界面活性剤からなるフッ素樹脂エマルジョン、並びに硬化剤(特開平5−124880号公報、特開平5−117578号公報、特開平5−179191号公報参照)および/又は上記シリコーン樹脂系撥水剤からなる組成物(特開2000−121543号公報、特開2003−26461号公報参照)も使用することができる。このフッ素樹脂エマルジョンとしては、市販されているものを使用することができ、ダイキン工業(株)よりゼッフルシリーズとして、旭硝子(株)よりルミフロンシリーズとして購入可能である。上記硬化剤としては、メラミン系硬化剤、アミン系硬化剤、多価イソシアネート系硬化剤、及びブロック多価イソシアネート系硬化剤が好ましく使用される。   Furthermore, a copolymer comprising two or more types of olefins containing fluorine atoms, a copolymer of an olefin containing fluorine atoms and a hydrocarbon monomer, and a copolymer comprising two or more types of olefins containing fluorine atoms And a fluororesin emulsion comprising a surfactant and at least one fluororesin selected from the group consisting of a mixture of an acrylic resin and a thermoplastic acrylic resin, and a curing agent (JP-A-5-124880, JP-A-5-117578) JP-A-5-179191) and / or a composition comprising the above-mentioned silicone resin water repellent (see JP-A-2000-121543, JP-A-2003-26461). As this fluororesin emulsion, what is marketed can be used, and it can be purchased as a Zaffle series from Daikin Industries, Ltd. and as a Lumiflon series from Asahi Glass Co., Ltd. As the curing agent, a melamine curing agent, an amine curing agent, a polyvalent isocyanate curing agent, and a block polyvalent isocyanate curing agent are preferably used.

撥水性の無機系材料としては、例えば、シラン系、シリコネート系、シリコーン系及びシラン複合系、又は、フッ素系の撥水剤或いは吸水防止剤等が挙げられる。特に、フッ素系撥水剤が好ましく、例としては、パーフルロロアルキル基含有化合物などの含フッ素化合物又は含フッ素化合物含有組成物が挙げられる。なお、基材表面への吸着性が高い含フッ素化合物を中間層に含む場合は、基材表面に適用した後、撥水剤又は吸水防止剤の化学成分が基材と反応して化学結合を生じたり、又は化学成分どうしが架橋したりする必要はかならずしもない。   Examples of the water-repellent inorganic material include silane-based, siliconate-based, silicone-based and silane composite-based, or fluorine-based water repellent or water absorption inhibitor. In particular, fluorine-based water repellents are preferable, and examples include fluorine-containing compounds such as perfluoroalkyl group-containing compounds or fluorine-containing compound-containing compositions. When the intermediate layer contains a fluorine-containing compound with high adsorptivity to the substrate surface, the chemical component of the water repellent or water absorption inhibitor reacts with the substrate to form a chemical bond after being applied to the substrate surface. It does not necessarily have to occur or the chemical components cross-link.

このようなフッ素系撥水剤として用いることができる含フッ素化合物は、分子中にパーフルオロアルキル基を含有する分子量1,000〜20,000のものが好ましく、具体的には、パーフルオロスルホン酸塩、パーフルオロスルホン酸アンモニウム塩、パーフルオロカルボン酸塩、パーフルオロアルキルベタイン、パーフルオロアルキルエチレンオキサイド付加物、パーフルオロアルキルアミンオキシド、パーフルオロアルキルリン酸エステル、及びパーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩などが挙げられる。中でも、基材表面への吸着性に優れることから、パーフルオロアルキルリン酸エステル、及びパーフルオロアルキルトリメチルアンモニウム塩が好ましい。このような材料としては、サーフロンS−112、及びサーフロンS−121(共に商品名、セイミケミカル(株)製)などが市販されている。   The fluorine-containing compound that can be used as such a fluorine-based water repellent preferably has a molecular weight of 1,000 to 20,000 containing a perfluoroalkyl group in the molecule, and specifically, perfluorosulfonic acid. Salt, perfluorosulfonic acid ammonium salt, perfluorocarboxylate, perfluoroalkyl betaine, perfluoroalkyl ethylene oxide adduct, perfluoroalkylamine oxide, perfluoroalkyl phosphate ester, perfluoroalkyltrimethylammonium salt, etc. Can be mentioned. Especially, since it is excellent in the adsorptivity to the base-material surface, perfluoroalkyl phosphate ester and perfluoroalkyl trimethyl ammonium salt are preferable. As such materials, Surflon S-112, Surflon S-121 (both trade names, manufactured by Seimi Chemical Co., Ltd.) and the like are commercially available.

なお、吸水性の高い基体の場合では、シラン化合物を含む中間層を予め基体上に形成することが好ましい。この中間層は、Si―O結合を大量に含有する為、正若しくは負電荷物質含有層の強度や基体との密着性を向上することが可能になる。また、前記中間層は、基体への水分の浸入を防止する機能をも有している。   In the case of a substrate having high water absorption, an intermediate layer containing a silane compound is preferably formed on the substrate in advance. Since this intermediate layer contains a large amount of Si—O bonds, the strength of the positive or negative charge substance-containing layer and the adhesion to the substrate can be improved. The intermediate layer also has a function of preventing moisture from entering the substrate.

前記シラン化合物としては、加水分解性シラン、その加水分解物及びこれらの混合物が挙げられる。加水分解性シランとしては各種のアルコキシシランが使用でき、具体的には、テトラアルコキシシラン、アルキルトリアルコキシシラン、ジアルキルジアルコキシシラン、トリアルキルアルコキシシランが挙げられる。これらの内、1種類の加水分解性シランを単独で使用してもよく、必要に応じて2種類以上の加水分解性シランを混合して使用してもよい。またこれらのシラン化合物に、各種のオルガノポリシロキサンを配合してもよい。このようなシラン化合物を含有する中間層の構成材料としては、例えば、ドライシールS(東レ・ダウコーニング(株)製)がある。   Examples of the silane compound include hydrolyzable silanes, hydrolysates thereof, and mixtures thereof. Various alkoxysilanes can be used as the hydrolyzable silane, and specific examples include tetraalkoxysilane, alkyltrialkoxysilane, dialkyldialkoxysilane, and trialkylalkoxysilane. Of these, one type of hydrolyzable silane may be used alone, or two or more types of hydrolyzable silanes may be mixed and used as necessary. Moreover, you may mix | blend various organopolysiloxane with these silane compounds. As a constituent material of the intermediate layer containing such a silane compound, for example, there is Dry Seal S (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.).

また、中間層の構成材料として、メチルシリコーン樹脂及びメチルフェニルシリコーン樹脂等の室温硬化型シリコーン樹脂を使用してもよい。このような室温硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、AY42−170、SR2510、SR2406、SR2410、SR2405、SR2411(東レ・ダウコーニング(株)製)がある。   Further, room temperature curable silicone resins such as methyl silicone resin and methyl phenyl silicone resin may be used as the constituent material of the intermediate layer. Examples of such room temperature curable silicone resins include AY42-170, SR2510, SR2406, SR2410, SR2405, and SR2411 (manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.).

中間層は塗装膜であってもよい。塗装膜を構成する塗装材料としては、アルキド樹脂、アクリル樹脂、アミノ樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリルシリコン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、紫外線硬化樹脂、フェノール樹脂、塩化ビニル樹脂、含成樹脂エマルジョン等の合成樹脂と着色剤とを含有するいわゆるペンキ塗料を好適に使用することができる。   The intermediate layer may be a paint film. Coating materials that make up the coating film include alkyd resins, acrylic resins, amino resins, polyurethane resins, epoxy resins, silicone resins, fluororesins, acrylic silicone resins, unsaturated polyester resins, UV curable resins, phenol resins, and vinyl chloride resins. A so-called paint coating containing a synthetic resin such as an impregnated resin emulsion and a colorant can be preferably used.

上記塗装膜の厚みは0.01〜100μmが好ましく、0.1〜50μmがより好ましく、特に、0.5μm〜10μmが好ましい。また、塗装手段としては、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、フローコーティング法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、刷毛塗り、スポンジ塗り等が適用できる。なお、塗装膜の硬度、基体との密着性等の物理的性能を向上させるために、基体及び塗装膜の許容範囲内で加熱することが望ましい。   The thickness of the coating film is preferably 0.01 to 100 μm, more preferably 0.1 to 50 μm, and particularly preferably 0.5 μm to 10 μm. Examples of the coating means that can be used include spray coating, dip coating, flow coating, spin coating, roll coating, brush coating, and sponge coating. In order to improve the physical performance such as the hardness of the coating film and the adhesion to the substrate, it is desirable to heat within the allowable range of the substrate and the coating film.

本発明では、基体の親水性表面を少なくとも酸化剤で処理することによって、当該親水性表面の親水性を長期に亘って維持することができる。これにより、酸化剤で処理された親水性表面を有する本発明の基体は長期防曇性又は長期防汚性を発揮することができる。したがって、本発明の長期防曇性又は長期防汚性を備える基体は、親水性表面を有する基体の当該表面を酸化剤で処理することによって製造することができる。   In the present invention, the hydrophilicity of the hydrophilic surface can be maintained over a long period of time by treating the hydrophilic surface of the substrate with at least an oxidizing agent. Thereby, the base | substrate of this invention which has the hydrophilic surface processed with the oxidizing agent can exhibit long-term antifogging property or long-term antifouling property. Therefore, the base | substrate provided with the long-term antifogging property or long-term antifouling property of this invention can be manufactured by processing the said surface of the base | substrate which has a hydrophilic surface with an oxidizing agent.

本発明で使用される酸化剤は、酸化作用を有する限り特に限定されるものではなく、各種の無機系酸化剤及び有機系酸化剤を使用することができる。無機系酸化剤としては、例えば、次亜塩素酸、亜塩素酸、塩素酸、過塩素酸等の無機酸、硝酸カリウム、過マンガン酸塩、硝酸セリウムアンモニウム等の無機塩、過炭酸ナトリウム、過酸化水素等の無機系過酸化物を使用することができ、また、有機系酸化剤としては、例えば、過酸化ベンゾイル、過酸化アセトン、メチルエチルケトンペルオキシド、ジ−tert-ブチルペルオキシド、過酢酸等の有機系過酸化物を使用することができるが、過酸化物が好ましい。また、過酸化物の中では、基体上に有機物が残留しない点で、無機系過酸化物が好ましく、分解後に有害な副生成物が発生しないという観点から、過酸化水素がより好ましい。   The oxidizing agent used in the present invention is not particularly limited as long as it has an oxidizing action, and various inorganic oxidizing agents and organic oxidizing agents can be used. Examples of the inorganic oxidizing agent include inorganic acids such as hypochlorous acid, chlorous acid, chloric acid, and perchloric acid, inorganic salts such as potassium nitrate, permanganate, and cerium ammonium nitrate, sodium percarbonate, and peroxidation. An inorganic peroxide such as hydrogen can be used, and examples of the organic oxidizing agent include organic systems such as benzoyl peroxide, acetone peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, di-tert-butyl peroxide, and acetic acid. Although peroxides can be used, peroxides are preferred. Among the peroxides, inorganic peroxides are preferable in that no organic substances remain on the substrate, and hydrogen peroxide is more preferable from the viewpoint that no harmful by-products are generated after decomposition.

本発明では、酸化剤を、そのまま、又は、適切な媒体中に希釈した組成物の状態で、基体の親水性表面に塗布することによって基体の親水性表面を処理することができる。前記組成物は室温で液体であることが好ましく、また、水系液体であることが好ましい。したがって、前記媒体としては、水、又は、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール等のアルコールと水の混合物が好ましい。組成物中の酸化剤の濃度は限定されるものではないが、1〜80質量%が好ましく、2〜50質量%がより好ましい。塗布方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、フローコーティング法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、刷毛塗り、スポンジ塗り等を使用することができる。   In the present invention, the hydrophilic surface of the substrate can be treated by applying the oxidizing agent to the hydrophilic surface of the substrate as it is or in the form of a composition diluted in an appropriate medium. The composition is preferably a liquid at room temperature, and is preferably an aqueous liquid. Therefore, the medium is preferably water or a mixture of water such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, 1-butyl alcohol and water. Although the density | concentration of the oxidizing agent in a composition is not limited, 1-80 mass% is preferable and 2-50 mass% is more preferable. The application method is not particularly limited, and for example, spray coating method, dip coating method, flow coating method, spin coating method, roll coating method, brush coating, sponge coating, and the like can be used.

基体の親水性表面への酸化剤の塗布後は、当該表面を乾燥することが好ましい。乾燥は、常温(25℃)乃至高温(例えば、40〜100℃)下で行うことができ、また、数分〜数時間(好ましくは数分〜数十分)の間、実施することができる。   After applying the oxidizing agent to the hydrophilic surface of the substrate, it is preferable to dry the surface. Drying can be performed at room temperature (25 ° C.) to high temperature (for example, 40 to 100 ° C.), and can be performed for several minutes to several hours (preferably several minutes to several tens of minutes). .

本発明では、基体の親水性表面を更に塩基で処理することが好ましい。酸化剤と塩基の混合物によって基体の親水性表面を処理してもよいが、酸化剤での処理後に塩基で処理することが好ましい。   In the present invention, it is preferable to further treat the hydrophilic surface of the substrate with a base. The hydrophilic surface of the substrate may be treated with a mixture of an oxidant and a base, but is preferably treated with a base after the treatment with the oxidant.

本発明で使用される塩基は、特に限定されるものではなく、各種の無機塩基及び有機塩基を使用することができるが、アンモニアの他、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が好ましく、残留成分が発生しない観点からは、揮発性であるアンモニアが望ましい。   The base used in the present invention is not particularly limited, and various inorganic bases and organic bases can be used. In addition to ammonia, inorganic bases such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, and sodium bicarbonate are used. A base is preferable, and volatile ammonia is desirable from the viewpoint of preventing generation of residual components.

酸化剤による処理によって、基体の親水性表面の親水性が長期に亘って維持できる理由は明らかではないが、基体表面に親水性基が存在する場合は、酸化剤が、当該親水性基を基体表面に強固に固定するものと考えられる。また、塩基を併用する場合は、親水性基の固定状態を安定化するものと考えられる。   Although the reason why the hydrophilicity of the hydrophilic surface of the substrate can be maintained over a long period of time by the treatment with the oxidizing agent is not clear, when a hydrophilic group exists on the surface of the substrate, the oxidizing agent attaches the hydrophilic group to the substrate. It is considered to be firmly fixed on the surface. Moreover, when using a base together, it is thought that the fixed state of a hydrophilic group is stabilized.

以下、本発明の作用効果についてより詳細に説明する。   Hereinafter, the function and effect of the present invention will be described in more detail.

本発明において、酸化剤で処理された親水性表面を有する基体は、当該親水性表面での水滴の形成が困難であり、したがって、結露形成が困難なために、防曇性を発揮することができる。特に、化粧鏡、自動車用窓内面、バックミラー等に防曇性が付与できることにより、視覚障害を低減させることができる。また、基体表面の親水性により、例えば、雨天時には基体表面に水の膜が形成されて、基体表面に付着した汚染物を流れ落とすことができ、基体表面を清浄化することができる。したがって、本発明は、基体が置かれる環境に関わらず、防曇性及び/又は防汚性を基体表面に簡便に付与することが可能である。   In the present invention, a substrate having a hydrophilic surface treated with an oxidant is difficult to form water droplets on the hydrophilic surface, and therefore, it is difficult to form condensation, so that it can exhibit antifogging properties. it can. In particular, visual impairment can be reduced by providing anti-fogging properties to makeup mirrors, automobile window inner surfaces, rearview mirrors, and the like. Further, due to the hydrophilicity of the substrate surface, for example, a film of water is formed on the substrate surface in rainy weather, and contaminants attached to the substrate surface can flow down, and the substrate surface can be cleaned. Therefore, according to the present invention, it is possible to easily impart antifogging properties and / or antifouling properties to the substrate surface regardless of the environment in which the substrate is placed.

また、本発明では、基体の親水性表面を過酸化水素等の酸化剤、好ましくは更に塩基、で処理するという簡潔な方法により、基体表面の親水性を長期間に維持することができる。したがって、複雑な方法・装置を使用することなく、基体の防曇性及び/又は防汚性を長期間維持することが可能である。   In the present invention, the hydrophilicity of the substrate surface can be maintained for a long time by a simple method of treating the hydrophilic surface of the substrate with an oxidizing agent such as hydrogen peroxide, preferably further with a base. Therefore, it is possible to maintain the antifogging property and / or antifouling property of the substrate for a long period without using a complicated method or apparatus.

しかも、これらの基体表面の保護作用は自然に継続されるので、基体表面の清浄な状態を長期間に亘って維持することができる。また、基体表面はセルフクリーニングされるので、基体表面の清浄化のためのメンテナンスは不要であり、労力を大幅に低減することができる。   In addition, since the protective action of these substrate surfaces continues naturally, the clean state of the substrate surfaces can be maintained over a long period of time. Further, since the surface of the substrate is self-cleaned, maintenance for cleaning the surface of the substrate is unnecessary, and labor can be greatly reduced.

そして、本発明の基体表面に正電荷物質及び/又は負電荷物質が存在する場合、特に、基体上の、正電荷物質及び/又は負電荷物質含有層、並びに、少なくとも酸化剤で処理された親水性物質層からなる、長期防曇性又は長期防汚性を有する積層構造の場合には、静電反発により、基体表面への汚染物への付着をより効果的に防止乃至低減することができる。以下、この点につき更に説明する。   When a positively charged substance and / or a negatively charged substance is present on the surface of the substrate of the present invention, in particular, a positively charged substance and / or a negatively charged substance-containing layer on the substrate, and at least a hydrophilic treated with an oxidizing agent. In the case of a laminated structure having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property composed of a conductive material layer, adhesion of contaminants to the substrate surface can be more effectively prevented or reduced by electrostatic repulsion. . This point will be further described below.

図5(a)〜(c)は、基体表面に正電荷物質、負電荷物質、並びに、正電荷物質及び負電荷物質をそれぞれ配置し、その後、基体表面に親水性基(ここでは「−OH」で表す)を更に設けた本発明の一態様を示す概略断面図である。図示を省略しているが、図5における親水性基は少なくとも酸化剤による処理を受けている。   5A to 5C show a case where a positively charged substance, a negatively charged substance, and a positively charged substance and a negatively charged substance are arranged on the surface of the substrate, respectively, and then a hydrophilic group (here, “—OH” Is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the present invention. Although not shown, the hydrophilic group in FIG. 5 is at least treated with an oxidizing agent.

図6(a)〜(c)は、基体が正電荷物質、負電荷物質、並びに、正電荷物質及び負電荷物質をそれぞれ含む場合に、基体表面に親水性基(ここでは「−OH」で表す)を設けた本発明の他の一態様を示す概略断面図である。図示を省略しているが、図6における親水性基は少なくとも酸化剤による処理を受けている。   6A to 6C show a case where a hydrophilic group (here, “—OH”) is formed on the surface of the substrate when the substrate includes a positively charged material, a negatively charged material, and a positively charged material and a negatively charged material, respectively. It is a schematic sectional drawing which shows another one aspect | mode of this invention provided. Although not shown, the hydrophilic group in FIG. 6 is at least treated with an oxidizing agent.

基体表面の退色乃至変色の原因の一つである汚染物質は、大気中に浮遊しているカーボン等の無機物質及び/又は油等の有機物質が基体表面に徐々に堆積することによって基体表面に付着していく。   Contaminants that are one of the causes of discoloration or discoloration of the substrate surface are caused by the gradual deposition of inorganic substances such as carbon and / or organic substances such as oil floating in the atmosphere on the substrate surface. Adhere.

屋内外の大気中に浮遊している汚染物質、特に油分は、太陽光をはじめとして各種の電磁波により、いわゆる光酸化反応を受けたり、燃焼排出物で、「酸化」された状態にあるといわれている。   It is said that pollutants, especially oil, floating in the air indoors and outdoors are subjected to so-called photo-oxidation reaction by various electromagnetic waves including sunlight and are "oxidized" by combustion emissions. ing.

光酸化反応とは、太陽光をはじめとした電磁波の作用により、有機物又は無機物表面の水分(HO)、酸素(O)からヒドロキシルラジカル(・OH)や一重項酸素()が生成される際に当該有機物又は無機物から電子(e)が引き抜かれて酸化される現象をいう。この酸化により、有機物では分子構造が変化し、劣化と称される変色又は脆化現象がみられ、無機物、特に金属では錆が発生する。これら「酸化」された有機物又は無機物の表面は、電子(e)の引き抜きにより、正に帯電する。 The photo-oxidation reaction is the action of electromagnetic waves such as sunlight, from the moisture (H 2 O) and oxygen (O 2 ) on the organic or inorganic surface to hydroxyl radical (.OH) and singlet oxygen ( 1 O 2 ). Is a phenomenon in which electrons (e ) are extracted from the organic or inorganic material and oxidized. Due to this oxidation, the molecular structure of the organic substance is changed, and a discoloration or embrittlement phenomenon called deterioration is observed, and rust is generated in the inorganic substance, particularly metal. These “oxidized” organic or inorganic surfaces are positively charged by the extraction of electrons (e ).

本発明では、基体表面上又は基体表面層中に正電荷、負電荷、又は、その両方が存在するので、前記有機物又は無機物を、静電反発力を利用して基体表面から自然に離脱させることができる。すなわち、本発明では、基体がもたらす静電的な反発作用によって、これらの汚染物質を基体から除去し、又は、これらの汚染物質の基体への付着を回避乃至低減することが可能である。   In the present invention, since a positive charge, a negative charge, or both exist on the substrate surface or in the substrate surface layer, the organic substance or inorganic substance is naturally released from the substrate surface using electrostatic repulsion. Can do. That is, in the present invention, these contaminants can be removed from the substrate or the adhesion of these contaminants to the substrate can be avoided or reduced by the electrostatic repulsion effect provided by the substrate.

正電荷を帯びる基体表面(図5(a)及び図6(a))から汚染物質が除去される機構を図7に示す。なお、図7では親水性基の表示を省略する。   FIG. 7 shows a mechanism for removing contaminants from a positively charged substrate surface (FIGS. 5A and 6A). In FIG. 7, the display of the hydrophilic group is omitted.

図7に示す態様では、基体表面上又は基体表面層中に正電荷物質が配置されており、これにより、基体表面に正電荷が付与される(図7−(1))。   In the embodiment shown in FIG. 7, a positively charged substance is disposed on the substrate surface or in the substrate surface layer, whereby a positive charge is imparted to the substrate surface (FIG. 7- (1)).

基体表面に汚染物質が堆積し、太陽光等の電磁波の作用により光酸化される。こうして汚染物質にも正電荷が付与される(図7−(2))。   Contaminants accumulate on the substrate surface and are photooxidized by the action of electromagnetic waves such as sunlight. In this way, a positive charge is also given to the contaminant (FIG. 7- (2)).

基体表面と汚染物質との間に正電荷同士の静電反発が発生し、反発離脱力が汚染物質に発生する。これにより、基体表面への汚染物質の固着力が低減される(図7−(3))。   An electrostatic repulsion between positive charges occurs between the surface of the substrate and the contaminant, and a repulsive separation force is generated in the contaminant. Thereby, the adhering force of the contaminant to the substrate surface is reduced (FIG. 7- (3)).

風雨等の物理的な作用により、汚染物質は基体表面から容易に除去される(図7−(4))。これにより、基体はセルフクリーニングされる。   Contaminants are easily removed from the substrate surface by physical action such as wind and rain (FIG. 7- (4)). Thereby, the substrate is self-cleaned.

上記のように正電荷を基体表面に付与することによって、正電荷を帯びた汚染物質の基体表面への付着を回避することができる。   By applying a positive charge to the substrate surface as described above, adhesion of a positively charged contaminant to the substrate surface can be avoided.

その一方で、汚染物質の中には水道水中の塩化物イオン等のように負電荷を帯びたもの、或いは、花粉や藻菌類等のように正電荷を当初有していたが他物体との相互作用(摩擦等)により負電荷を帯びるに至ったもの等が存在する。そこで、基体表面に負電荷を配置する(図5(b)及び図6(b))ことによって、上記と同様に、負電荷を帯びた汚染物質の基体表面への付着を回避することができる。   On the other hand, some of the pollutants are negatively charged such as chloride ions in tap water, or initially had a positive charge such as pollen and algae, but with other objects Some of them have negative charges due to interaction (friction, etc.). Therefore, by arranging a negative charge on the substrate surface (FIGS. 5B and 6B), it is possible to avoid the adhesion of the negatively charged contaminants to the substrate surface, as described above. .

そして、本発明では、基体表面の親水性基が長期に亘って安定に存在することにより、雨水やシャワー水、及び、各種の散水により早期の汚れの除去と共に超親水防曇効果により水滴の生成が無いことで、水分中の汚染物の点在による汚染を防ぐことが出来る。又、防曇・防汚効果により視覚的透明性を長期に維持することが出来る。基体表面に水が存在する場合に、基体表面からの汚染物質の除去がより促進される。   In the present invention, since the hydrophilic group on the surface of the substrate is present stably over a long period of time, raindrops, shower water, and various sprinklings can be used to quickly remove dirt and produce water droplets by the superhydrophilic antifogging effect. The absence of contamination can prevent contamination due to the presence of contaminants in the moisture. Further, the visual transparency can be maintained for a long time by the anti-fogging / anti-fouling effect. When water is present on the substrate surface, the removal of contaminants from the substrate surface is further facilitated.

しかし、正電荷又は負電荷の帯電量が比較的少ない絶縁物(例えばシリコーンオイル)からなる汚染物質は、当該物質の種類によっては、基体表面に強い正電荷又は負電荷のみが存在すると、その汚染物質の表面電荷が反転してしまい、結果的に当該基体表面に当該汚染物質が吸着する恐れがあるので、正電荷及び負電荷の両者を共存させることによって、そのような吸着を回避することができる。   However, a contaminant made of an insulator (for example, silicone oil) having a relatively small amount of positive charge or negative charge may be contaminated depending on the type of the substance if only a strong positive charge or negative charge is present on the surface of the substrate. Since the surface charge of the substance is reversed and as a result, the contaminant may be adsorbed on the surface of the substrate, it is possible to avoid such adsorption by coexisting both positive and negative charges. it can.

正電荷及び負電荷を帯びる基体表面から汚染物質が除去される機構を図8に示す。なお、図7では親水性基の表示を省略する。   FIG. 8 shows a mechanism by which contaminants are removed from the surface of the substrate having a positive charge and a negative charge. In FIG. 7, the display of the hydrophilic group is omitted.

図8に示す態様では、基体表面上又は基体表面層中に既述した正電荷物質及び負電荷物質を配置することにより、正電荷及び負電荷を付与する(図8−(1))。   In the embodiment shown in FIG. 8, positive and negative charges are imparted by arranging the positively charged substance and the negatively charged substance described above on the substrate surface or in the substrate surface layer (FIG. 8- (1)).

基体表面に汚染物質が堆積し、太陽光等の電磁波の作用により継続的に光酸化される。こうして汚染物質にも正電荷が付与される(図8−(2))。   Contaminants accumulate on the substrate surface and are continuously photooxidized by the action of electromagnetic waves such as sunlight. Thus, a positive charge is also given to the contaminant (FIG. 8- (2)).

基体表面と汚染物質との間に正電荷同士の静電反発が発生し、反発離脱力が汚染物質に発生する。これにより、基体表面への汚染物質の固着力が低減される(図8−(3))。   An electrostatic repulsion between positive charges occurs between the surface of the substrate and the contaminant, and a repulsive separation force is generated in the contaminant. Thereby, the adhering force of the contaminant to the substrate surface is reduced (FIG. 8- (3)).

風雨、シャワー水等の散水物理的な作用により、汚染物質は基体表面から容易に除去される(図8−(4))。これにより、基体はセルフクリーニングされる。   Contaminants are easily removed from the surface of the substrate by the physical action of water spray such as wind and rain, shower water, etc. (FIG. 8- (4)). Thereby, the substrate is self-cleaned.

そして、本発明では、基体表面の親水性基が長期に亘って安定に存在することにより、雨水や各種の散水等により基体表面に水が存在する場合に、基体表面からの汚染物質の除去がより促進されると同時に、防曇超親水により水滴痕汚染を低減することが出来る。   In the present invention, the hydrophilic group on the substrate surface is stably present for a long period of time, so that when water is present on the substrate surface due to rain water, various water sprays, etc., contaminants can be removed from the substrate surface. At the same time, it is possible to reduce water droplet trace contamination by the anti-fogging super hydrophilic property.

本発明は人工的なエネルギーを使用することなく、簡便に且つ長期に亘って、自然に汚染物質を除去できるので、屋内外の任意の分野において利用可能であり、例えば、ガラス、金属、セラミックス、コンクリート、木材、石材、高分子樹脂カバー、高分子樹脂シート、繊維(衣類、カーテン等)、シーリング剤等又はこれらの組み合わせからなる、建材;空調屋外機;厨房機器;衛生機器;照明器具;自動車;自転車;自動二輪車;航空機;列車;船舶等の屋内外で利用される物品、また、各種機械、電子機器、テレビ等のディスプレイのフェイスパネル、光学デバイス、或いは、太陽電池等に好適に使用される。特に、機器装置のフェイスパネル、浴室、洗面室等の鏡、又、冷蔵庫扉ガラスや、自動車用の窓・透明基板やミラ−に好適であり、当然、屋内外で使用される建築部材に好ましく、当該建築部材を使用して建造された家屋、ビルディング、道路、トンネル等の建築物、土木・工作物は経時的に高い効果を発揮することができる。   Since the present invention can remove contaminants easily and over a long period of time without using artificial energy, it can be used in any field indoors and outdoors, such as glass, metal, ceramics, Concrete, wood, stone, polymer resin cover, polymer resin sheet, fiber (clothing, curtain, etc.), sealing agent, etc., or a combination thereof; building materials; air-conditioning outdoor units; kitchen equipment; sanitary equipment; lighting equipment; Bicycles; Motorcycles; Airplanes; Trains; Goods used indoors and outdoors, such as ships, and for various machines, electronic devices, television displays, face panels, optical devices, solar cells, etc. The In particular, it is suitable for face panels of equipment, mirrors for bathrooms, washrooms, etc., refrigerator door glass, windows for automobiles, transparent substrates, and mirrors, and naturally preferred for building members used indoors and outdoors. Buildings such as houses, buildings, roads, and tunnels, and civil engineering / workpieces constructed using the building members can exhibit high effects over time.

以下、実施例により本発明をより詳細に例証するが、本発明は実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to an Example.

(作製例1)
メチルシリケート51(三菱化学(株)製)30g、メタノール変性アルコール(エタノール88重量%、メタノール5重量%、水7重量%の混合物)60g、純水5.7g、及び、アセチルアセトンアルミニウム0.3gを混合し60℃に加温しながら24時間撹拌することによって、固形分濃度16重量%のポリシリケート液96gを作製した。
(Production Example 1)
30 g of methyl silicate 51 (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), 60 g of methanol-modified alcohol (mixture of 88% by weight of ethanol, 5% by weight of methanol and 7% by weight of water), 5.7 g of pure water, and 0.3 g of acetylacetone aluminum By mixing and stirring for 24 hours while heating to 60 ° C., 96 g of a polysilicate liquid having a solid concentration of 16% by weight was produced.

(作製例2)
作製例1で得られたポリシリケート液5.3gを純水94.7gで希釈して固形分濃度0.85重量%のポリシリケート液100gを製造した。
(Production Example 2)
The polysilicate liquid 5.3g obtained in Preparation Example 1 was diluted with 94.7 g of pure water to produce 100 g of a polysilicate liquid having a solid content concentration of 0.85% by weight.

(作製例3)
純水1000gにCeCl・7HO(塩化第一セリウム)1.298gを完全に溶かした溶液に、更に50%四塩化チタン溶液((株)大阪チタニウムテクノロジーズ製)20gを添加し純水を加え2000gにメスアップした溶液を準備する。この液に25%アンモニア水(高杉製薬(株)製)を10倍希釈したアンモニア水を滴下してpH7.0に調整して水酸化セリウムと水酸化チタンの混合物を沈殿させた。この沈殿物を純水で上澄み液の導電率が0.8mS/m以下になるまで洗浄した。導電率が0.679mS/mになったところで洗浄を終了すると濃度0.79重量%の水酸化物分散液650gが得られた。次に、この液を室温下で35重量%過酸化水素水(タイキ薬品工業(株)製)を112g添加し16時間撹拌すると黄褐色の透明なセリウムがドープされた濃度0.82重量%のアモルファス型過酸化チタン溶液760gが得られた。
(Production Example 3)
A solution of CeCl 3 · 7H 2 O (cerous chloride) 1.298G in pure water 1000g completely was further addition of 50% titanium tetrachloride solution (KK OSAKA Titanium Technologies) 20 g Pure water In addition, prepare a solution up to 2000 g. To this liquid, ammonia water diluted 10 times with 25% aqueous ammonia (manufactured by Takasugi Pharmaceutical Co., Ltd.) was added dropwise to adjust the pH to 7.0 to precipitate a mixture of cerium hydroxide and titanium hydroxide. This precipitate was washed with pure water until the conductivity of the supernatant liquid was 0.8 mS / m or less. When washing was completed when the electrical conductivity reached 0.679 mS / m, 650 g of a hydroxide dispersion having a concentration of 0.79% by weight was obtained. Next, 112 g of 35% by weight hydrogen peroxide (Taiki Pharmaceutical Co., Ltd.) was added to this solution at room temperature and stirred for 16 hours. 760 g of amorphous titanium peroxide solution was obtained.

(正電荷付与液)
固形分濃度0.85重量%の市販のアナターゼ型過酸化チタン分散液(STi−Z18−1600:サスティナブル・テクノロジー(株)製)と市販のカリウムドープポリシリケート(MS−AAAL1K10:サスティナブル・テクノロジー(株)製)を純水で固形分濃度0.85重量%に調整した液を1:1の重量比で混合したものに、市販の変性シリコーン(SH3746:東レ・ダウコーニング(株)製)を濃度0.1重量%となる量添加して正電荷付与液とした。
(Positive charge imparting liquid)
Commercially available anatase type titanium peroxide dispersion (STi-Z18-1600: manufactured by Sustainable Technology Co., Ltd.) having a solid content concentration of 0.85% by weight and commercially available potassium doped polysilicate (MS-AAAL1K10: Sustainable Technology Co., Ltd.) )) Prepared with pure water to a solid content concentration of 0.85% by weight and mixed with a 1: 1 weight ratio, commercially available modified silicone (SH3746: manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) An amount of 0.1% by weight was added to obtain a positive charge imparting solution.

(負電荷付与液)
作製例2で得られたポリシリケート液と作製例3で得られたセリウムドープアモルファス型過酸化チタン溶液を1:1の重量比で混合したものに、市販の変性シリコーン(SH3746:東レ・ダウコーニング(株)製)を濃度0.1重量%となる量添加して負電荷付与液とした。
(Negative charge imparting liquid)
A commercially available modified silicone (SH3746: Toray Dow Corning) was mixed with the polysilicate solution obtained in Production Example 2 and the cerium-doped amorphous titanium peroxide solution obtained in Production Example 3 at a weight ratio of 1: 1. (Made by Co., Ltd.) was added in an amount of 0.1% by weight to give a negative charge imparting solution.

(両性電荷付与液)
市販のシリカベース正電荷付与液(MS−AAAL1K10:サスティナブル・テクノロジー(株)製)を純水で固形分濃度0.85重量%に調整した液と作製例3で得られたセリウムドープアモルファス型過酸化チタン溶液を1:1の重量比で混合したものに、市販の変性シリコーン(SH3746:東レ・ダウコーニング(株)製)を濃度0.1重量%となる量添加して両性電荷付与液とした。
(Amphoteric charge imparting solution)
A commercially available silica-based positive charge-providing liquid (MS-AAAL1K10: manufactured by Sustainable Technology Co., Ltd.) was adjusted to a solid content concentration of 0.85% by weight with pure water and the cerium-doped amorphous type liquid obtained in Preparation Example 3 To a mixture of titanium oxide solution at a weight ratio of 1: 1, commercially available modified silicone (SH3746: manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) was added in an amount of 0.1% by weight, and did.

(作製例4)
市販の変性シリコーン(SH3746:東レ・ダウコーニング(株))100gをメタノール変性アルコール81gで希釈して固形分濃度50重量%の変性シリコーン液181gを製造した。
(Production Example 4)
100 g of commercially available modified silicone (SH3746: Toray Dow Corning Co., Ltd.) was diluted with 81 g of methanol-modified alcohol to produce 181 g of a modified silicone liquid having a solid content concentration of 50% by weight.

(過酸化水素水)
市販の35重量%工業用過酸化水素水(タイキ薬品工業(株)製)を過酸化水素水として使用した。
(Hydrogen peroxide solution)
A commercially available 35% by weight industrial hydrogen peroxide solution (manufactured by Taiki Pharmaceutical Co., Ltd.) was used as the hydrogen peroxide solution.

(アンモニア水)
市販の工業用25wt%アンモニア水(高杉製薬(株)製)をイオン交換水で10倍希釈して濃度2.5wt%のアンモニア水を得た。
(Ammonia water)
Commercially available 25 wt% aqueous ammonia (manufactured by Takasugi Pharmaceutical Co., Ltd.) was diluted 10 times with ion-exchanged water to obtain 2.5 wt% ammonia water.

[評価基板1]
建材用青フロートガラス(厚さ3mm)上に、スポンジスキージー塗布方法で、正電荷付与液を12g/mの割合で塗布し、常温乾燥後、500℃で15分間加熱して、正電荷層(約100nm厚)を形成した。その後、常温で、作製例1で得られたポリシリケート液を、2〜3g/mの割合で塗布し、流水でSiO分を除去して親水基を形成した後に、乾燥を行った。その後、スプレーで過酸化水素水を2〜3g/mの割合で塗布し、その後、アンモニア水を同量塗布し、20分間常温乾燥して評価基板1とした。
[Evaluation board 1]
A positive charge applying liquid is applied at a rate of 12 g / m 2 on a blue float glass (thickness 3 mm) for building materials by a sponge squeegee coating method, dried at room temperature, and then heated at 500 ° C. for 15 minutes to form a positive charge layer (About 100 nm thick) was formed. Thereafter, the polysilicate liquid obtained in Preparation Example 1 was applied at a rate of 2 to 3 g / m 2 at room temperature, and after removing SiO 2 with running water to form a hydrophilic group, drying was performed. Thereafter, hydrogen peroxide solution was applied by spraying at a rate of 2 to 3 g / m 2 , and then the same amount of ammonia water was applied, followed by drying at room temperature for 20 minutes to obtain an evaluation substrate 1.

[評価基板2]
作製例1で得られたポリシリケート液を作製例4で得られた変性シリコーン液とした以外は、評価基板1の上記製造工程を繰り返して、評価基板2を得た。
[Evaluation board 2]
An evaluation substrate 2 was obtained by repeating the above production process of the evaluation substrate 1 except that the polysilicate liquid obtained in Production Example 1 was changed to the modified silicone liquid obtained in Production Example 4.

[比較基板1]
過酸化水素水の塗布及びその後のアンモニア塗布並びに常温乾燥を行わない以外は、評価基板1の上記製造工程を繰り返して、比較基板1を得た。
[Comparative board 1]
A comparative substrate 1 was obtained by repeating the above-described production process of the evaluation substrate 1 except that the application of hydrogen peroxide solution and the subsequent application of ammonia and room temperature drying were not performed.

[比較基板2]
作製例1で得られたポリシリケート液の塗布並びにその後の流水処理及び乾燥を行わない以外は、評価基板1の上記製造工程を繰り返して、比較基板2を得た。
[Comparison board 2]
A comparative substrate 2 was obtained by repeating the above production process of the evaluation substrate 1 except that the polysilicate liquid obtained in Production Example 1 was not applied and the subsequent running water treatment and drying were not performed.

[比較基板3]
過酸化水素水の塗布及びその後のアンモニア塗布並びに常温乾燥を行わない以外は、評価基板2の上記製造工程を繰り返して、比較基板3を得た。
[Comparative board 3]
A comparative substrate 3 was obtained by repeating the above manufacturing process of the evaluation substrate 2 except that the application of hydrogen peroxide solution and the subsequent application of ammonia and room temperature drying were not performed.

[評価基板3]
建材用青フロートガラス(厚さ3mm)上に、スポンジスキージー塗布方法で、両性電荷付与液を12g/mの割合で塗布し、常温乾燥後、500℃で15分間加熱して、正及び負電荷層(約100nm厚)を形成した。その後、常温で、作製例1で得られたポリシリケート液を、2〜3g/mの割合で塗布し、流水でSiO分を除去して親水基を形成した後に、乾燥を行った。その後、スプレーで過酸化水素水を2〜3g/mの割合で塗布し、その後、アンモニア水を同量塗布し、20分間常温乾燥して評価基板3とした。
[Evaluation board 3]
On a building blue float glass (thickness 3 mm), an amphoteric charge imparting solution is applied at a rate of 12 g / m 2 by a sponge squeegee coating method, dried at room temperature, heated at 500 ° C. for 15 minutes, positive and negative A charge layer (about 100 nm thick) was formed. Thereafter, the polysilicate liquid obtained in Preparation Example 1 was applied at a rate of 2 to 3 g / m 2 at room temperature, and after removing SiO 2 with running water to form a hydrophilic group, drying was performed. Thereafter, hydrogen peroxide solution was applied by spraying at a rate of 2 to 3 g / m 2 , and then the same amount of aqueous ammonia was applied, followed by drying at room temperature for 20 minutes to obtain Evaluation substrate 3.

[評価基板4]
作製例1で得られたポリシリケート液を作製例4で得られた変性シリコーン液とした以外は、評価基板3の上記製造工程を繰り返して、評価基板4を得た。
[Evaluation board 4]
An evaluation substrate 4 was obtained by repeating the above production process of the evaluation substrate 3 except that the polysilicate liquid obtained in Production Example 1 was changed to the modified silicone liquid obtained in Production Example 4.

[比較基板4]
過酸化水素水の塗布及びその後アンモニア塗布並びに常温乾燥を行わない以外は、評価基板3の上記製造工程を繰り返して、比較基板4を得た。
[Comparison board 4]
A comparative substrate 4 was obtained by repeating the above-described manufacturing process of the evaluation substrate 3 except that the application of hydrogen peroxide solution and the subsequent application of ammonia and drying at room temperature were not performed.

[比較基板5]
作製例1で得られたポリシリケート液の塗布並びにその後の流水処理及び乾燥を行わない以外は、評価基板3の上記製造工程を繰り返して、比較基板5を得た。
[Comparison board 5]
A comparative substrate 5 was obtained by repeating the above production steps of the evaluation substrate 3 except that the polysilicate liquid obtained in Production Example 1 was not applied and the subsequent running water treatment and drying were not performed.

[比較基板6]
過酸化水素水の塗布及びその後のアンモニア塗布並びに常温乾燥を行わない以外は、評価基板4の上記製造工程を繰り返して、比較基板6を得た。
[Comparative board 6]
A comparative substrate 6 was obtained by repeating the above manufacturing process of the evaluation substrate 4 except that the application of hydrogen peroxide solution and the subsequent application of ammonia and room temperature drying were not performed.

[評価基板5]
建材用青フロートガラス(厚さ3mm)上に、スポンジスキージー塗布方法で、負電荷付与液を12g/mの割合で塗布し、常温乾燥後、500℃で15分間加熱して、負電荷層(約100nm厚)を形成した。その後、常温で、作製例1で得られたポリシリケート液を、2〜3g/mの割合で塗布し、流水でSiO分を除去して親水基を形成した後に、乾燥を行った。その後、スプレーで過酸化水素水を2〜3g/mの割合で塗布し、その後、アンモニア水を同量塗布し、20分間常温乾燥して評価基板5とした。
[Evaluation board 5]
On a building blue float glass (thickness 3 mm), a negative charge applying liquid is applied at a rate of 12 g / m 2 by a sponge squeegee coating method, dried at room temperature, and then heated at 500 ° C. for 15 minutes to form a negative charge layer (About 100 nm thick) was formed. Thereafter, the polysilicate liquid obtained in Preparation Example 1 was applied at a rate of 2 to 3 g / m 2 at room temperature, and after removing SiO 2 with running water to form a hydrophilic group, drying was performed. Thereafter, hydrogen peroxide water was applied by spraying at a rate of 2 to 3 g / m 2 , and then the same amount of ammonia water was applied, followed by drying at room temperature for 20 minutes to obtain an evaluation substrate 5.

[評価基板6]
作製例1で得られたポリシリケート液を作製例4で得られた変性シリコーン液とした以外は、評価基板5の上記製造工程を繰り返して、評価基板6を得た。
[Evaluation board 6]
An evaluation substrate 6 was obtained by repeating the above production process of the evaluation substrate 5 except that the polysilicate liquid obtained in Production Example 1 was changed to the modified silicone liquid obtained in Production Example 4.

[比較基板7]
過酸化水素水の塗布及びその後アンモニア塗布並びに常温乾燥を行わない以外は、評価基板5の上記製造工程を繰り返して、比較基板7を得た。
[Comparative board 7]
A comparative substrate 7 was obtained by repeating the above-described manufacturing process of the evaluation substrate 5 except that the application of hydrogen peroxide solution and the subsequent application of ammonia and drying at room temperature were not performed.

[比較基板8]
作製例1で得られたポリシリケート液の塗布並びにその後の流水処理及び乾燥を行わない以外は、評価基板5の上記製造工程を繰り返して、比較基板8を得た。
[Comparative board 8]
A comparative substrate 8 was obtained by repeating the above production steps of the evaluation substrate 5 except that the polysilicate liquid obtained in Production Example 1 was not applied and the subsequent running water treatment and drying were not performed.

[比較基板9]
過酸化水素水の塗布及びその後アンモニア塗布並びに常温乾燥を行わない以外は、評価基板6の上記製造工程を繰り返して、比較基板9を得た。
[Comparative board 9]
A comparative substrate 9 was obtained by repeating the above manufacturing process of the evaluation substrate 6 except that the application of hydrogen peroxide solution, the subsequent application of ammonia, and the drying at room temperature were not performed.

[評価基板7]
ソーダライムガラス板(厚さ3mm)の表面を研磨、洗浄して表面の付着物を除去・乾燥後、スプレーで過酸化水素水を2〜3g/m2の割合で塗布し、表面乾燥後アンモニアを同量塗布して、更に、20分間常温乾燥して評価基板7とした。
[Evaluation board 7]
Polish and clean the surface of a soda lime glass plate (thickness 3 mm) to remove and dry the deposits on the surface, then apply hydrogen peroxide solution at a rate of 2 to 3 g / m2 by spraying, dry the surface and then add ammonia. The same amount was applied and further dried at room temperature for 20 minutes to obtain an evaluation substrate 7.

[評価基板8]
ソーダライムガラス板(厚さ3mm)の表面を洗浄して表面の付着物を除去・乾燥後、センエンジニアリング(株)製PL16−11001Dを使用して184.9nm及び253.7nmの紫外線を照射後、スプレーで過酸化水素水を2〜3g/mの割合で塗布し、表面乾燥後アンモニアを同量塗布して、更に、20分間常温乾燥して評価基板8とした。
[Evaluation board 8]
After cleaning the surface of the soda lime glass plate (thickness 3 mm) to remove the deposits on the surface and drying, after irradiating with UV light of 184.9 nm and 253.7 nm using PL16-11001D manufactured by Sen Engineering Co., Ltd. Then, a hydrogen peroxide solution was applied by spraying at a rate of 2 to 3 g / m 2 , and after drying the surface, the same amount of ammonia was applied, and further dried at room temperature for 20 minutes to obtain an evaluation substrate 8.

[比較基板10]
過酸化水素水の塗布及びその後の常温乾燥を行わない以外は、評価基板7の上記製造工程を繰り返して、比較基板10を得た。
[Comparative board 10]
A comparative substrate 10 was obtained by repeating the above manufacturing process of the evaluation substrate 7 except that the application of the hydrogen peroxide solution and subsequent room temperature drying were not performed.

[比較基板11]
過酸化水素水の塗布及びその後の常温乾燥を行わない以外は、評価基板8の上記製造工程を繰り返して、比較基板11を得た。
[Comparative board 11]
A comparative substrate 11 was obtained by repeating the above manufacturing process of the evaluation substrate 8 except that the application of hydrogen peroxide solution and subsequent drying at room temperature were not performed.

[評価基板9]
ポリカーボネート板(厚さ2mm)の表面を洗浄して表面の付着物を除去・乾燥後、センエンジニアリング(株)製PL16−11001Dを使用して184.9nm及び253.7nmの紫外線を照射後、スプレーで過酸化水素水を2〜3g/mの割合で塗布し、表面乾燥後アンモニアを同量塗布して、更に、20分間常温乾燥して評価基板9とした。
[Evaluation board 9]
After washing the surface of the polycarbonate plate (thickness 2 mm) to remove the deposits on the surface and drying it, spray it with UV light of 184.9 nm and 253.7 nm using PL16-11001D manufactured by Sen Engineering Co., Ltd. Then, a hydrogen peroxide solution was applied at a rate of 2 to 3 g / m 2 , and after drying the surface, the same amount of ammonia was applied, and further dried at room temperature for 20 minutes to obtain an evaluation substrate 9.

[比較基板12]
過酸化水素水の塗布及びその後の常温乾燥を行わない以外は、評価基板9の上記製造工程を繰り返して、比較基板12を得た。
[Comparative board 12]
A comparative substrate 12 was obtained by repeating the above manufacturing process of the evaluation substrate 9 except that the application of hydrogen peroxide solution and subsequent room temperature drying were not performed.

(評価1)
評価基板1〜9及び比較基板1〜12について、イオン交換水を表面に滴下して、手動分度角度計を用いて目視で初期水接触角を測定した。次に、評価基板1〜9及び比較基板1〜12を水道水に浸漬後、暗室に24時間放置する作業を5回繰り返し、更に、その度に、ウェットウェスでの手動磨きを4回繰り返した。その後、イオン交換水を表面に滴下して、同様に、手動分度角度計を用いて目視で水接触角を測定した。結果を表1〜5に示す。
(Evaluation 1)
About the evaluation board | substrates 1-9 and the comparison board | substrates 1-12, ion-exchange water was dripped on the surface, and the initial stage water contact angle was measured visually using the manual fraction angle meter. Next, after immersing the evaluation substrates 1 to 9 and the comparative substrates 1 to 12 in tap water, the operation of leaving them in a dark room for 24 hours was repeated 5 times, and each time manual polishing with wet waste was repeated 4 times. . Thereafter, ion-exchanged water was dropped on the surface, and the water contact angle was measured visually using a manual protractor angle meter. The results are shown in Tables 1-5.

(評価2)
評価基板1〜9及び比較基板1〜12について、光度計V−550DS(日本分光(株))を用いて、可視光(380nm〜780nm)の平均透過率を測定した。次に、評価基板1〜9及び比較基板1〜12を水道水に浸漬後、暗室に24時間放置する作業を5回繰り返し、更に、その度に、ウェットウェスでの手動磨きを4回繰り返した。その後、同様に、光度計V−550DS(日本分光(株))を用いて、可視光(380nm〜780nm)の平均透過率を測定した。測定結果から、平均透過率の変化率を算出した。結果を表1〜5に示す
(Evaluation 2)
About the evaluation board | substrates 1-9 and the comparison board | substrates 1-12, the average transmittance | permeability of visible light (380 nm-780 nm) was measured using the photometer V-550DS (JASCO Corporation). Next, after immersing the evaluation substrates 1 to 9 and the comparative substrates 1 to 12 in tap water, the operation of leaving them in a dark room for 24 hours was repeated 5 times, and each time manual polishing with wet waste was repeated 4 times. . Thereafter, similarly, the average transmittance of visible light (380 nm to 780 nm) was measured using a photometer V-550DS (JASCO Corporation). From the measurement result, the rate of change in average transmittance was calculated. The results are shown in Tables 1-5.

Figure 2014031470
Figure 2014031470

Figure 2014031470
Figure 2014031470

Figure 2014031470
Figure 2014031470

Figure 2014031470
Figure 2014031470

Figure 2014031470
Figure 2014031470

一般に、水接触角が10°以下の場合に防曇性が優れていると云える。また、可視光平均透過率の変化率が3%未満の場合に防汚性が優れていると云える。表1〜5から、本発明に対応する処理を受けた基板は、基板表面が液体物・固形物の接触を受けても親水性を維持することができ、優れた防曇性及び防汚性を発揮することが分かる。一方、酸化・塩基性化処理、或いは、ポリシリケート液又は変性シリコーン液による処理を受けていない比較基板は、基板表面が液体物・固体物の接触を受けて親水性が経時的に低下し、防曇性及び防汚性が悪化することが分かる。したがって、本発明の処理方法を施された基板は、長期間使用されても、優れた防曇性及び防汚性を発揮することができる。   In general, it can be said that the antifogging property is excellent when the water contact angle is 10 ° or less. Moreover, it can be said that antifouling property is excellent when the change rate of the visible light average transmittance is less than 3%. From Tables 1-5, the board | substrate which received the process corresponding to this invention can maintain hydrophilicity, even if the substrate surface receives the contact of a liquid thing and a solid substance, and was excellent in anti-fogging property and antifouling property It can be seen that On the other hand, the comparative substrate that has not been subjected to the oxidation / basification treatment or the treatment with the polysilicate liquid or the modified silicone liquid has the hydrophilicity of the substrate surface decreased due to contact with the liquid / solid matter over time, It turns out that antifogging property and antifouling property deteriorate. Therefore, the substrate subjected to the treatment method of the present invention can exhibit excellent antifogging properties and antifouling properties even when used for a long time.

また、酸化処理において、過酸化水素水とアンモニアを混合して同時に使用しても親水性表面の長期維持に有効であることが認められた。更に、親水性表面の長期維持のためには、80℃〜300℃程度加熱することが好ましいことも解った。   In addition, in the oxidation treatment, it was confirmed that even when hydrogen peroxide solution and ammonia were mixed and used at the same time, it was effective in maintaining the hydrophilic surface for a long time. Further, it has been found that it is preferable to heat at about 80 ° C. to 300 ° C. for long-term maintenance of the hydrophilic surface.

Claims (14)

親水性表面を酸化剤で処理する工程を含む、親水性表面を有する基体の当該表面の親水性維持方法。 A method for maintaining hydrophilicity of a surface of a substrate having a hydrophilic surface, comprising a step of treating the hydrophilic surface with an oxidizing agent. 前記親水性表面を塩基で処理する工程を更に含む、請求項1記載の方法。 The method of claim 1, further comprising treating the hydrophilic surface with a base. 前記親水性表面が少なくとも1種の親水性基を有する、請求項1又は2記載の方法。 The method according to claim 1, wherein the hydrophilic surface has at least one hydrophilic group. 前記親水性基がケイ素原子結合水酸基及び/又はケイ素原子結合ポリエーテル基である、請求項3記載の方法。 The method according to claim 3, wherein the hydrophilic group is a silicon atom-bonded hydroxyl group and / or a silicon atom-bonded polyether group. 前記基体の表面にシラノール、ポリシリケート、水酸基変性シリコーン及び/又はポリエーテル変性シリコーンを塗布して前記親水性表面を形成する工程を更に含む、請求項1乃至4のいずれかに記載の方法。 The method according to any one of claims 1 to 4, further comprising the step of forming the hydrophilic surface by applying silanol, polysilicate, hydroxyl group-modified silicone and / or polyether-modified silicone to the surface of the substrate. 前記親水性表面を形成する工程の前に、前記基体の表面上に、正電荷物質及び/又は負電荷物質を配置する工程を更に含む、請求項5記載の方法。 6. The method of claim 5, further comprising disposing a positively charged material and / or a negatively charged material on the surface of the substrate prior to the step of forming the hydrophilic surface. 前記基体が正電荷物質及び/又は負電荷物質を含む、請求項1乃至6のいずれかに記載の方法。 The method according to claim 1, wherein the substrate includes a positively charged substance and / or a negatively charged substance. 前記正電荷物質が
(1)陽イオン;
(2)正電荷を有する導電体又は誘電体;並びに
(3)正電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体
からなる群から選択される1種以上である、請求項6又は7記載の方法。
The positively charged substance is (1) a cation;
7. A positively charged conductor or dielectric; and (3) one or more selected from the group consisting of a composite of positively charged conductor and dielectric or semiconductor. Or the method of 7.
前記負電荷物質が
(4)陰イオン;
(5)負電荷を有する導電体又は誘電体;
(6)負電荷を有する導電体、及び、誘電体又は半導体、の複合体;並びに
(7)光触媒機能を有する物質
からなる群から選択される1種以上である、請求項6又は7記載の方法。
The negatively charged substance is (4) an anion;
(5) a negatively charged conductor or dielectric;
(6) A composite of a conductor having a negative charge and a dielectric or semiconductor; and (7) one or more selected from the group consisting of substances having a photocatalytic function. Method.
親水性表面を有する基体の当該表面を酸化剤で処理する工程を含む、長期防曇性又は長期防汚性を備える基体の製造方法。 A method for producing a substrate having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property, comprising a step of treating the surface of a substrate having a hydrophilic surface with an oxidizing agent. 前記親水性表面を塩基で処理する工程を更に含む、請求項10記載の製造方法。 The manufacturing method of Claim 10 which further includes the process of processing the said hydrophilic surface with a base. 酸化剤で処理された親水性表面を有する長期防曇性又は長期防汚性を備える基体。 A substrate having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property having a hydrophilic surface treated with an oxidizing agent. 前記親水性表面が塩基で更に処理されている、請求項12記載の基体。 13. A substrate according to claim 12, wherein the hydrophilic surface is further treated with a base. 基体上の、正電荷物質及び/又は負電荷物質含有層、並びに、少なくとも酸化剤で処理された親水性物質層からなる、長期防曇性又は長期防汚性を有する積層構造。 A laminated structure having a long-term antifogging property or a long-term antifouling property, comprising a positively charged substance and / or a negatively charged substance-containing layer on a substrate and a hydrophilic substance layer treated with at least an oxidizing agent.
JP2012173998A 2012-08-06 2012-08-06 Method for maintaining hydrophilicity of substrate surface Active JP6124276B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012173998A JP6124276B2 (en) 2012-08-06 2012-08-06 Method for maintaining hydrophilicity of substrate surface

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012173998A JP6124276B2 (en) 2012-08-06 2012-08-06 Method for maintaining hydrophilicity of substrate surface

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014031470A true JP2014031470A (en) 2014-02-20
JP6124276B2 JP6124276B2 (en) 2017-05-10

Family

ID=50281560

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012173998A Active JP6124276B2 (en) 2012-08-06 2012-08-06 Method for maintaining hydrophilicity of substrate surface

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6124276B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017002380A (en) * 2015-06-12 2017-01-05 サスティナブル・テクノロジー株式会社 Protection method of surface of metallic substrate or metal inclusion electrode substrate
CN116651712A (en) * 2023-04-21 2023-08-29 富联裕展科技(深圳)有限公司 Method for protecting coating

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03238818A (en) * 1990-02-15 1991-10-24 Mitsubishi Electric Corp Cleaning method
JPH05138020A (en) * 1991-04-30 1993-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hydrophilic chemical adsorbing monomolecular film and production thereof
JPH07330930A (en) * 1994-06-03 1995-12-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Treating method for surface of polymer film
JPH08213356A (en) * 1995-01-31 1996-08-20 Komatsu Electron Metals Co Ltd Cleaning method of wafer
JPH11291408A (en) * 1998-04-06 1999-10-26 Shin Etsu Chem Co Ltd Article having hydrophilic coat film
JP2000279905A (en) * 1998-02-06 2000-10-10 Toto Ltd Method of cleaning composite material and self-cleaning composite mechanism
JP2002088306A (en) * 2000-09-12 2002-03-27 Toto Ltd Silicone emulsion composition for coating and method for producing the composition
JP2003100687A (en) * 2001-09-21 2003-04-04 Ebara Corp Substrate treating device and its cleaning method
JP2003160745A (en) * 2001-08-21 2003-06-06 Sustainable Titania Technology Inc Film-forming aqueous liquid having electroconductivity and photocatalytic property, its production method and structure equipped with film
JP2003313499A (en) * 2002-04-23 2003-11-06 Kawasaki Heavy Ind Ltd Hydrophilic coating composition, method for producing the same, and method for using the same
JP2004202949A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Nisshin Steel Co Ltd Photocatalyst-coated metal plate excellent in contamination resistance and coating film adhesiveness, and its manufacturing method
JP2004285097A (en) * 2003-03-19 2004-10-14 Central Glass Co Ltd Detergent and washing method
JP2005113063A (en) * 2003-10-09 2005-04-28 Jsr Corp Coating composition and structure
JP2006124221A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Onid Technology Corp Component making hydrophilic surface of glass material and method
JP2009142753A (en) * 2007-12-14 2009-07-02 Meidensha Corp Method of regenerating photocatalyst member
WO2009125846A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 中央精機株式会社 Substrate protection method
WO2010098422A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 国立大学法人東京大学 Method for producing two-dimensionally patterned carbon nanotube and two-dimensionally patterned carbon nanotube
JP2011000557A (en) * 2009-06-19 2011-01-06 Sony Chemical & Information Device Corp Method for manufacturing small reactor

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03238818A (en) * 1990-02-15 1991-10-24 Mitsubishi Electric Corp Cleaning method
JPH05138020A (en) * 1991-04-30 1993-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Hydrophilic chemical adsorbing monomolecular film and production thereof
JPH07330930A (en) * 1994-06-03 1995-12-19 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Treating method for surface of polymer film
JPH08213356A (en) * 1995-01-31 1996-08-20 Komatsu Electron Metals Co Ltd Cleaning method of wafer
JP2000279905A (en) * 1998-02-06 2000-10-10 Toto Ltd Method of cleaning composite material and self-cleaning composite mechanism
JPH11291408A (en) * 1998-04-06 1999-10-26 Shin Etsu Chem Co Ltd Article having hydrophilic coat film
JP2002088306A (en) * 2000-09-12 2002-03-27 Toto Ltd Silicone emulsion composition for coating and method for producing the composition
JP2003160745A (en) * 2001-08-21 2003-06-06 Sustainable Titania Technology Inc Film-forming aqueous liquid having electroconductivity and photocatalytic property, its production method and structure equipped with film
JP2003100687A (en) * 2001-09-21 2003-04-04 Ebara Corp Substrate treating device and its cleaning method
JP2003313499A (en) * 2002-04-23 2003-11-06 Kawasaki Heavy Ind Ltd Hydrophilic coating composition, method for producing the same, and method for using the same
JP2004202949A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Nisshin Steel Co Ltd Photocatalyst-coated metal plate excellent in contamination resistance and coating film adhesiveness, and its manufacturing method
JP2004285097A (en) * 2003-03-19 2004-10-14 Central Glass Co Ltd Detergent and washing method
JP2005113063A (en) * 2003-10-09 2005-04-28 Jsr Corp Coating composition and structure
JP2006124221A (en) * 2004-10-28 2006-05-18 Onid Technology Corp Component making hydrophilic surface of glass material and method
JP2009142753A (en) * 2007-12-14 2009-07-02 Meidensha Corp Method of regenerating photocatalyst member
WO2009125846A1 (en) * 2008-04-11 2009-10-15 中央精機株式会社 Substrate protection method
WO2010098422A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 国立大学法人東京大学 Method for producing two-dimensionally patterned carbon nanotube and two-dimensionally patterned carbon nanotube
JP2011000557A (en) * 2009-06-19 2011-01-06 Sony Chemical & Information Device Corp Method for manufacturing small reactor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017002380A (en) * 2015-06-12 2017-01-05 サスティナブル・テクノロジー株式会社 Protection method of surface of metallic substrate or metal inclusion electrode substrate
CN116651712A (en) * 2023-04-21 2023-08-29 富联裕展科技(深圳)有限公司 Method for protecting coating

Also Published As

Publication number Publication date
JP6124276B2 (en) 2017-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4926176B2 (en) Substrate protection method
WO2010137337A1 (en) Method for removing or detoxifying gas
JP4439515B2 (en) Substrate protection method
JP5624458B2 (en) Substrate protection method
JP4995738B2 (en) Substrate protection method
JPWO2007091479A1 (en) Substrate protection method
JP6124276B2 (en) Method for maintaining hydrophilicity of substrate surface
JP5936132B2 (en) Method for protecting substrate surface
JP6376563B2 (en) Method for protecting surface of metal substrate or metal-containing electrode substrate
JP2017197695A (en) Film for surface protection of substrate and surface protection method of substrate
JP6436462B2 (en) Substrate surface protective film and method for forming substrate surface protective film
JP6875667B2 (en) A substance containing a substrate surface protective film, a substrate surface protective film using the substance, a film-forming liquid thereof, and a method for producing the same.
JP2012240851A (en) Method of preventing or reducing elution of alkali metal on surface of substrate
TW201736273A (en) Particulate laminated material for forming charges on substrate surface and film shaping liquid for forming charges on substrate surface
JP2017196874A (en) Surface protection structure for substrate and surface protection method for substrate

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20140603

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150415

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20150415

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160325

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160524

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160714

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161220

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170217

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170329

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6124276

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250