JP2014030086A - Microwave/quasi-millimeter wave band oscillator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明はマイクロ波/準ミリ波帯発振器、特に樹脂基板上に共振回路及び発振回路を形成した自励発振型の発振器の構成に関する。 The present invention relates to a microwave / quasi-millimeter wave band oscillator, and more particularly to a self-oscillation type oscillator in which a resonance circuit and an oscillation circuit are formed on a resin substrate.
図6には、従来の高周波発振器(下記特許文献1)の構成が示されており、図6に示されるように、誘電体基板1上(表面)に、誘電体共振器2、第1マイクロストリップ線路3及び第2マイクロストリップ線路4からなる共振回路(共振器)が形成され、この共振回路に対し、発振回路としてトランジスタ5、バイアス抵抗6,7、発振制御用キャパシタ8及び直流電源供給端子Vccが設けられ、上記トランジスタ5のコレクタに、出力負荷抵抗9、容量結合部10を介して出力端子が接続される。なお、基板1の裏面側にはGND面が形成される。
FIG. 6 shows a configuration of a conventional high-frequency oscillator (
上記の構成によれば、上記誘電体共振器2と第1マイクロストリップ線路3及び第2マイクロストリップ線路4とが結合することで、この誘電体共振器2の共振周波数に基づき、所望の周波数で発振する。
According to the above configuration, the
図7には、従来の発振器の他の例(パターン共振回路を用いたもの)が示されており、図7の例では、基板1の上に、銅膜12が設けられ、この銅膜12の中に、共振回路として、コプレーナ線路となる第1入出力線路13、第2入出力線路14、パターン共振部15が形成される(銅膜12を除去した領域Hに、銅膜からなる線路13,14及び共振部15が設けられる)。また、発振回路として、上記第1入出力線路13と第2入出力線路14に接続された増幅器16等が配置され、これらの回路の全体は筺体17で覆われ、基板1の裏面側にもGND面が形成される。このような構成によっても、パターン共振部15を用いた共振に基づき、所望の発振周波数が得られる。
FIG. 7 shows another example of a conventional oscillator (using a pattern resonance circuit). In the example of FIG. 7, a
しかしながら、従来の発振器では、上記基板1として、テフロン(登録商標)を除く、熱硬化型の樹脂の高周波基板を用いた場合、この基板1の樹脂表面が空気に触れることにより、表面から徐々に酸化し、誘電率が変化することが知られている。
However, in the conventional oscillator, when a thermosetting resin high-frequency substrate excluding Teflon (registered trademark) is used as the
図8(A)には、図6の発振器の一部の構成が示されており、基板1の表面に、第1マイクロストリップ線路3及び第2マイクロストリップ線路4が設けられ、基板1の裏面にGND(接地導体)19が設けられるが、マイクロストリップ線路3,4が存在する基板1の表面が空気に触れることで、表面から酸化が進み、図8(B)に示されるように、時間の経過と共に等価誘電率が高くなる。
FIG. 8A shows the configuration of a part of the oscillator of FIG. 6, where the
また、図7の発振器の場合も、図7(A)のハッチ部分のパターン共振回路部分の誘電率が高くなる。そして、このパターン共振回路を用いたものでは、共振回路のQが低く、共振回路自体が樹脂基板で構成されていると、共振周波数、即ち発振周波数が保管又は運用の際に徐々に変化し(例えば、2年で100MHz程度の変化)、数年で電波法により許可された周波数範囲を外れてしまうという問題があった。 Also in the case of the oscillator of FIG. 7, the dielectric constant of the pattern resonance circuit portion of the hatched portion of FIG. In the case of using this pattern resonance circuit, when the resonance circuit has a low Q and the resonance circuit itself is made of a resin substrate, the resonance frequency, that is, the oscillation frequency gradually changes during storage or operation ( For example, there is a problem that the frequency range permitted by the Radio Law is deviated in several years.
図6のように、誘電体共振器2を用いた場合は、共振回路のQが高いため、誘電率の変化(例えば、5年で100MHz程度の変化)が緩やかであるが、誘電体共振器2を基板に接着するため、共振周波数自体が基板酸化の影響を受け易いという問題がある。
As shown in FIG. 6, when the
また、図6、図7の発振器の場合、基板1の裏面全体にGND19が設けられるため、裏面に回路を配置できないという不都合もある。
Further, in the case of the oscillators of FIGS. 6 and 7, since the
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に誘電率の変化がある場合でも、共振周波数及び発振周波数に与える影響を極力小さくすることができ、また基板に回路を効率良く配置できるマイクロ波/準ミリ波帯発振器を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and the object thereof is to reduce the influence on the resonance frequency and the oscillation frequency as much as possible even when there is a change in the dielectric constant of the substrate. It is an object of the present invention to provide a microwave / quasi-millimeter wave band oscillator that can be efficiently arranged.
上記目的を達成するために、請求項1に係る発明は、樹脂基板上に発振回路及び共振回路を配置するマイクロ波/準ミリ波帯発振器において、一端が開放、他端が閉塞された円筒体の上記開放端を上記基板上に接続し、この基板上の上記円筒体の外周から中心へ向けてコプレーナ線路からなる2つのプローブを配置した表面実装型空洞共振回路と、この空洞共振回路の2つのプローブを上記発振回路に接続するコプレーナ線路の伝送線路と、を備え、上記2つのプローブを上記円筒体円周の180度未満の角度位置にて上記円筒体から上記発振回路側へ取り出し、上記プローブと上記伝送線路が発振条件を満たす最短の長さとなるようにしたことを特徴とする。
請求項2の発明は、上記円筒体を配置した上記基板の裏面側に、回路を形成したことを特徴とする。
In order to achieve the above object, the invention according to
According to a second aspect of the present invention, a circuit is formed on the back side of the substrate on which the cylindrical body is disposed.
上記の構成によれば、簡易な構造でQの高い表面実装型空洞共振回路を用いると共に、主に円筒体空洞内で共振が行われることから、共振回路の共振周波数が基板の誘電率変化の影響を受け難い構造となる。また、2つのプローブ(入出力プローブ)が円筒体から発振回路側へ取り出される角度を、円筒体円周の180度未満の角度、例えば90度或いは0度(平行位置)だけ離れた位置とし、プローブと伝送線路の長さを発振条件が満たされる最短の長さとするので、発振周波数への影響もなくすことができる。即ち、発振器では、発振条件が満たされるように、プローブを含む伝送線路の全体の位相を合わせる必要があり、また伝送線路が長くなればなる程、基板の酸化の影響を受ける範囲が広くなる。本発明では、プローブと伝送線路の長さを発振条件が満たされる最短の長さにすることで、基板の酸化による誘電率の変化を小さくし、発振周波数への影響も少なくすることが可能になる。 According to the above configuration, since a surface-mounted cavity resonance circuit having a simple structure and a high Q is used, and resonance is mainly performed in a cylindrical cavity, the resonance frequency of the resonance circuit is caused by a change in the dielectric constant of the substrate. The structure is not easily affected. In addition, the angle at which the two probes (input / output probes) are taken out from the cylindrical body to the oscillation circuit side is a position that is less than 180 degrees of the circumference of the cylindrical body, for example, 90 degrees or 0 degrees (parallel position), Since the length of the probe and the transmission line is the shortest length that satisfies the oscillation condition, the influence on the oscillation frequency can be eliminated. That is, in the oscillator, it is necessary to match the phase of the entire transmission line including the probe so that the oscillation condition is satisfied, and the longer the transmission line, the wider the range affected by the oxidation of the substrate. In the present invention, by making the length of the probe and the transmission line as short as possible to satisfy the oscillation condition, it is possible to reduce the change in the dielectric constant due to the oxidation of the substrate and reduce the influence on the oscillation frequency. Become.
本発明のマイクロ波/準ミリ波帯発振器によれば、共振回路のQが高く、かつ円筒体空洞内の共振となるから、基板に誘電率の変化が生じた場合でも、共振周波数に与える影響を極力小さくすることができ、またプローブと伝送線路(帰還線路)の位相変化も最小に抑え、発振周波数への影響を小さくすることができ、長期に周波数安定度の優れた発振器を得ることが可能になる。 According to the microwave / quasi-millimeter wave oscillator of the present invention, since the resonance circuit has a high Q and resonance occurs in the cylindrical cavity, even if a change in the dielectric constant occurs in the substrate, it has an effect on the resonance frequency. The phase change between the probe and the transmission line (feedback line) can be minimized, the influence on the oscillation frequency can be reduced, and an oscillator with excellent frequency stability can be obtained over a long period of time. It becomes possible.
また、プローブ部はコプレーナ線路で構成され、円筒体はコプレーナ線路のグランドパターンに接続されるので、プローブ部を除く部分の基板の裏面には、必要な回路を効率良く配置することができる。 Further, since the probe portion is composed of a coplanar line and the cylindrical body is connected to the ground pattern of the coplanar line, a necessary circuit can be efficiently arranged on the back surface of the substrate excluding the probe portion.
図1乃至図4には、本発明の第1実施例に係るマイクロ波/準ミリ波帯発振器の構成が示されており、図1(A),(B)において、樹脂基板1の上(表面)に、銅膜(導電性膜)12が形成され、この銅膜12(のグランドパターン)の上に、銀ペースト等の導電性接着剤(又は半田等)21により金属製円筒体22(図1(A)の円筒体22は鎖線で示される)が接続される。この円筒体22は、上面が閉塞され、下面が開放されており、この開放端が銅膜12に接着される。
FIGS. 1 to 4 show the configuration of a microwave / quasi-millimeter wave band oscillator according to the first embodiment of the present invention. In FIGS. A copper film (conductive film) 12 is formed on the surface), and a metal cylinder 22 (with a conductive adhesive (or solder or the like) 21 such as a silver paste is formed on the copper film 12 (the ground pattern). 1A is connected). The
また、基板1上の円筒体22内には、コプレーナ線路とされた第1プローブ(入出力プローブ)23と第2プローブ(入出力プローブ)24が形成され、この第1プローブ23は第1伝送線路25、第2プローブ24は、第2伝送線路26を介して基板1上の増幅素子(FET等)27に接続される。これら第1伝送線路25及び第2伝送線路26もコプレーナ線路とされる。即ち、上記円筒体22と第1プローブ23及び第2プローブ24により、表面実装型空洞共振回路(共振器)が構成され、上記増幅素子27と端子28までのその他の回路(線路)にて、発振回路が構成されており、この共振回路と発振回路が第1及び第2伝送線路25,26で接続される。なお、29は裏面のグランド(GND)と表面のグランド(銅膜12)を接続するスルーホールである。
Further, a first probe (input / output probe) 23 and a second probe (input / output probe) 24, which are coplanar lines, are formed in the
そして、第1実施例では、上記第1プローブ23と第2プローブ24が円筒体22から0度の角度離れた位置にて取り出される。即ち、これらプローブ23,24は、例えば点線矢示Fで示したように、円筒体円周において180度離れた位置から取り出すこともできるが、実施例では、第1プローブ23と第1伝送線路25の長さ及び第2プローブ24と第2伝送線路26の長さが発振条件を満たす最短の長さ(例えば伝送信号の1波長)となるように、0度、即ち平行位置にて取り出すようにしている。このようにプローブ23,24と伝送線路25,26の長さを短くすることで、これらが配置される基板1の領域を小さくすることができる。
In the first embodiment, the
図3には、上記円筒体22を用いた空洞共振回路での共振モードが示されており、図3(B),(C)のように、例えばTM010の基本モードの共振を利用している。このような空洞共振回路では、共振が主に円筒体22で行われ、その共振周波数は円筒体22の内径で略決定されるため、基板1の誘電率の変化が共振周波数に与える影響は非常に小さくなる。
FIG 3 has resonant modes in the cavity resonance circuit using the
図4には、図1の発振器を組み込んだマイクロ波センサの構成例が示されており、この例では、基板1に組み込まれた共振回路及び発振回路を筺体31で覆い、基板1の裏面には、パッチ状アンテナ32が設けられる。このパッチ状アンテナ32は、スルーホール33を介して基板1の表面側の入出力回路に接続されており、実施例では、図4(C)に示されるように、基板1の裏面側に、グランド34と共に、複数個のアンテナ32を配置する構成とされる。
FIG. 4 shows a configuration example of a microwave sensor in which the oscillator of FIG. 1 is incorporated. In this example, the resonance circuit and the oscillation circuit incorporated in the
このような第1実施例によれば、表面実装型空洞共振回路を用いるので、共振のQが高くなり、また共振が円筒体空洞内で行われるので、基板1の誘電率が経年変化した場合でも、共振回路の共振周波数はその影響を受け難くなる。更に、第1及び第2プローブ23,24が円筒体22から取り出される角度を、0度とし、プローブ23,24及び伝送線路25,26の長さを発振条件が満たされる最短の長さにしたので、誘電率変化による発振周波数への影響もなくすことができる。
According to the first embodiment, since the surface mount type cavity resonance circuit is used, the resonance Q becomes high, and the resonance is performed in the cylindrical cavity, so that the dielectric constant of the
即ち、発振器においては、発振条件が満たされるように、第1のプローブ23と伝送線路25、第2のプローブ24と伝送線路26(帰還線路)の全体の位相を合わせる必要があり、これらの線路の位相がずれると発振周波数も若干変化する。一方、伝送線路25,26が長くなればなる程、基板1上の広い範囲に線路を形成することになり、樹脂基板1の酸化による誘電率の変化を助長することになる。そこで、実施例では、これらプローブ23,24と伝送線路25,26の長さを発振条件が満たされる最短の長さ(例えば1波長)とし、基板の酸化による誘電率の変化を小さくすることで、発振周波数への影響を少なくしている。
That is, in the oscillator, it is necessary to match the phases of the
更に、プローブ23,24及び伝送線路25,26をコプレーナ線路で構成し、円筒体22はコプレーナ線路のグランドパターン12に接続されているので、図4に示すように、基板1の裏面にアンテナ32等の回路を効率良く配置することが可能となる。
Furthermore, the
図5には、プローブの取出し角度を90度とした第2実施例の構成が示されており、図5に示されるように、第2実施例は、第1プローブ35と第2プローブ36を円筒体22の円周方向で90度離れた位置に形成し、第1伝送線路37と第2伝送線路38を第1プローブ35と第2プローブ36に対し同じ方向に設ける。そして、この第1プローブ35と第1伝送線路37の長さ及び第2プローブ36と第2伝送線路38の長さが発振条件を満たす最短の長さとなるようにする。また、基板1の裏面には、アンテナ等の他の回路としての伝送線路39が形成される。
FIG. 5 shows the configuration of the second embodiment in which the probe take-out angle is 90 degrees. As shown in FIG. 5, the second embodiment includes the
このような構成によっても、プローブ35,36と伝送線路37,38が配置される基板1の領域を小さくし、共振周波数及び発振周波数に対する影響を小さくすることができ、また基板1の裏面を有効に利用することが可能となる。
Even with such a configuration, the area of the
本発明の発振器をホモダインミキサと共に用いることで、簡単な構造でマイクロ波/ミリ波帯のドップラーセンサ等を構成することができ、マイクロ波を用いた移動物体の検知、速度測定等に適用することができる。 By using the oscillator of the present invention together with a homodyne mixer, a microwave / millimeter wave band Doppler sensor or the like can be configured with a simple structure, and applied to detection of moving objects using microwaves, speed measurement, and the like. Can do.
1…基板、 12…銅膜、
16,27…増幅素子、 21…導電性接着剤(又は半田)、
22…円筒体、
23,35…第1プローブ、 24,36…第2プローブ、
25,37…第1伝送線路、 26,38…第2伝送線路、
29,33…スルーホール、
32…パッチアンテナ。
1 ...
16, 27 ... Amplifying element, 21 ... Conductive adhesive (or solder),
22 ... Cylinder,
23, 35 ... first probe, 24, 36 ... second probe,
25, 37 ... first transmission line, 26, 38 ... second transmission line,
29,33 ... through hole,
32: Patch antenna.
Claims (2)
一端が開放、他端が閉塞された円筒体の上記開放端を上記基板上に接続し、この基板上の上記円筒体の外周から中心へ向けてコプレーナ線路からなる2つのプローブを配置した表面実装型空洞共振回路と、
この空洞共振回路の2つのプローブを上記発振回路に接続するコプレーナ線路の伝送線路と、を備え、
上記2つのプローブを上記円筒体円周の180度未満の角度位置にて上記円筒体から上記発振回路側へ取り出し、上記プローブと上記伝送線路が発振条件を満たす最短の長さとなるようにしたことを特徴とするマイクロ波/準ミリ波帯発振器。 In a microwave / quasi-millimeter wave band oscillator in which an oscillation circuit and a resonance circuit are arranged on a resin substrate,
A surface mount in which the open end of a cylindrical body whose one end is open and the other end is closed is connected to the substrate, and two probes comprising coplanar lines are arranged from the outer periphery to the center of the cylindrical body on the substrate. Mold cavity resonant circuit,
A coplanar transmission line connecting the two probes of the cavity resonance circuit to the oscillation circuit, and
The two probes are taken out from the cylindrical body to the oscillation circuit side at an angular position of less than 180 degrees on the circumference of the cylindrical body so that the probe and the transmission line have the shortest length that satisfies the oscillation condition. A microwave / quasi-millimeter wave oscillator.
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