JPS6024001Y2 - microwave integrated circuit - Google Patents

microwave integrated circuit

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JPS6024001Y2
JPS6024001Y2 JP4575484U JP4575484U JPS6024001Y2 JP S6024001 Y2 JPS6024001 Y2 JP S6024001Y2 JP 4575484 U JP4575484 U JP 4575484U JP 4575484 U JP4575484 U JP 4575484U JP S6024001 Y2 JPS6024001 Y2 JP S6024001Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
choke
conductor
integrated circuit
microwave integrated
strip line
Prior art date
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Expired
Application number
JP4575484U
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Japanese (ja)
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JPS59161702U (en
Inventor
弘之 八塚
正之 石崎
Original Assignee
富士通株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 (1)考案の技術分野 本考案はマイクロ波集積回路に係り、特に直流電源また
は低周波信号を供給するRF (Radi。
[Detailed Description of the Invention] (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to microwave integrated circuits, and particularly to RF (Radio) circuits that supply DC power or low frequency signals.

Frequency)チョークを形成するものに関する
Frequency) Concerning what forms a choke.

(2)従来技術と問題点 従来マイクロ波集積回路における発振器は例えば第1図
に示されるように、誘電体の基板上にストリップ線路用
の導体1が形威され、その導体1の一方に発振素子であ
るガンダイオード2が接続され、且つλ/4(λは所要
周波数の波長)の線路の導体3を分岐し更に導体3の他
端に該他端を中心とする入/2の線路の導体4を設け、
導体3と導体4とにより波長がλとある信号を遮断する
RFチョークを形威し、そのRFチョークから直流電源
10を印加して前記信号が電源側に吸い込まれないよう
にしている。
(2) Prior art and problems In the conventional oscillator in a microwave integrated circuit, for example, as shown in Fig. 1, a conductor 1 for a strip line is formed on a dielectric substrate, and one side of the conductor 1 oscillates. A Gunn diode 2, which is an element, is connected, and the conductor 3 of the line of λ/4 (λ is the wavelength of the required frequency) is branched, and the other end of the conductor 3 is connected with the line of input/2 centered at the other end. A conductor 4 is provided,
The conductor 3 and the conductor 4 form an RF choke that blocks a signal having a wavelength of λ, and a DC power supply 10 is applied from the RF choke to prevent the signal from being sucked into the power supply side.

また前記導体1の途中に切欠き5が設けられてこ)に方
向性結合器6が設けられ、これらの導体1と方向性結合
器6の導体7の一端に反射防止のためのダミーロード用
抵抗膜8,9がテーパ状に接触されており、導体7のダ
ミーロードがない端からガンダイオード2の発振による
マイクロ波信号を得るようになっている。
Further, a notch 5 is provided in the middle of the conductor 1, and a directional coupler 6 is provided therein, and a dummy load resistor is installed at one end of the conductor 1 and the conductor 7 of the directional coupler 6 to prevent reflection. The membranes 8 and 9 are in contact with each other in a tapered manner, so that the microwave signal generated by the oscillation of the Gunn diode 2 is obtained from the end of the conductor 7 where there is no dummy load.

ところで、ガンダイオードのように電流の大きいものは
、RFチョークの線路インピーダンスを高める(つまり
導体3を細くする)のに限度があり、更にガンダイオー
ドは広帯域にわたって負性抵抗となるため発振の安定化
のためにはRFチョークのりアクタンスの影響を抑えて
できるだけ広帯域にする必要がある。
By the way, a Gunn diode with a large current has a limit in increasing the line impedance of the RF choke (in other words, making the conductor 3 thinner), and since the Gunn diode has negative resistance over a wide band, it is difficult to stabilize oscillation. In order to achieve this, it is necessary to suppress the influence of RF choke actance and make the band as wide as possible.

前述のような発振器の場合に不要な発振を避けるために
は広帯域のダミーロードのみがそのま)みえればよいが
、RFチョークは入/4の線路であるから主線路からみ
れば、波長がλになる周波数f。
In the case of an oscillator like the one mentioned above, in order to avoid unnecessary oscillations, it is sufficient to see only the broadband dummy load (as is), but since the RF choke is an input/4 line, when viewed from the main line, the wavelength is The frequency f that becomes λ.

以外は完全に開放とはみえないため、並列共振に見える
Since it does not appear to be completely open except for this, it appears to be parallel resonance.

そして負荷の等価回路は第2図のようになり、Qの値は
、並列共振の容量CとインダクタンスL1及びダミーロ
ードのインピーダンス4から、 Q□=Z0・BB= (ωC−7) になる。
The equivalent circuit of the load is as shown in FIG. 2, and the value of Q is Q□=Z0·BB=(ωC-7) from the capacitance C of the parallel resonance, the inductance L1, and the impedance 4 of the dummy load.

Qが大きい(狭帯域) fo以外では安定化抵抗が小さ
くなりよって、fo以外の周波数でも発振し易くなる。
If Q is large (narrow band), the stabilizing resistance becomes small at frequencies other than fo, making it easier to oscillate at frequencies other than fo.

(3) 考案の目的 本考案はこのような事情に鑑みなされたもので、直流電
源、または低周波信号を供給するRFチョークを形成す
る際に、広帯域にわたりRFチョークを形成する際に、
広帯域にわたりRFチョークのインピーダンスの影響を
軽減するように改良したマイクロ波集積回路を提供する
ことを目的としている。
(3) Purpose of the invention The present invention was developed in view of the above circumstances.When forming an RF choke that supplies a DC power source or a low frequency signal, it is possible to form an RF choke over a wide band.
It is an object of the present invention to provide an improved microwave integrated circuit that reduces the influence of RF choke impedance over a wide band.

(4)考案の構成 上記目的を遠戚するため、本考案は、誘電体基板上で発
振素子に接続されたストリップ線路用導体に高周波成分
を阻止するRFチョークを介して直流電源または低周波
信号を供給するようにしたマイクロ波集積回路において
、前記ストリップ線路がダミーロードとなる抵抗膜とテ
ーパまたはステップ状に接触している部分からストリッ
プ線路用の導体を分岐して前翫只Fチョークを形成して
いる。
(4) Structure of the invention To distantly relate to the above object, the present invention provides a method for transmitting DC power or low frequency signals to a stripline conductor connected to an oscillation element on a dielectric substrate through an RF choke that blocks high frequency components. In a microwave integrated circuit configured to supply a dummy load, a conductor for the strip line is branched from a portion where the strip line is in contact with a resistive film serving as a dummy load in a tapered or step shape to form a front F choke. are doing.

(5)考案の実施例 以下に図面を参照して本考案の一実施例を具体的に説明
すると、第3図に示されるように、ガンダイオード2、
方向性結合器6を有する導体1の抵抗膜8とテーパ状に
接触している部分から入/4の線路の導体3′が分岐さ
れ、更に導体3′の他端に該他端を中心とするλ/2の
線路の導体4を設け、導体3と導体4とによりRFチョ
ークを形成し、そのRFチョークから直流電源10′を
印加するようになっている。
(5) Embodiment of the invention Hereinafter, an embodiment of the invention will be described in detail with reference to the drawings.As shown in FIG. 3, a Gunn diode 2,
The conductor 3' of the input/4 line is branched from the part of the conductor 1 having the directional coupler 6 that is in tapered contact with the resistive film 8, and the conductor 3' of the input line 3' is branched off from the part of the conductor 1 having the directional coupler 6 that is in tapered contact with the resistive film 8. An RF choke is formed by the conductor 3 and the conductor 4, and a DC power source 10' is applied from the RF choke.

かくして、抵抗膜によりRF信号が成る程度減衰した所
から直流給電されるので、周波数が離れた所でもRFチ
ョークによる反射成分が少なくダミーロードがよくみえ
るようになる。
In this way, DC power is supplied from a location where the RF signal is attenuated by the resistive film, so even at a location far away from the frequency, there are few reflected components due to the RF choke, and the dummy load can be clearly seen.

また本考案によると、ダミーロードの途中からRFチョ
ークを形成するため、RFチョークの前に抵抗成分が入
って等価回路は第4図のようになる。
Furthermore, according to the present invention, since the RF choke is formed from the middle of the dummy load, a resistance component is introduced before the RF choke, resulting in an equivalent circuit as shown in FIG.

こ)でRFチョークの接続されている中点より方向性結
合器側の抵抗分をR1、RFチョークの中点より後の抵
抗分をR2とし、K ” R1/R2、圧の共振周波数
での整合条件として4=R□+R2とすると、 R22 Q=R2臆+K(BH3)2+t) ”となる。
In this), the resistance on the side of the directional coupler from the midpoint where the RF choke is connected is R1, the resistance after the midpoint of the RF choke is R2, and K '' R1/R2, at the resonant frequency of the pressure. If we set 4=R□+R2 as a matching condition, then R22 Q=R2+K(BH3)2+t)''.

例えば第2図の場合のQをQ工として条件を、K =
IB=IZO=1とする。
For example, in the case of Fig. 2, let Q be Q engineering and set the condition as K =
Let IB=IZO=1.

又第4図の場合のQをQ2としてR1= R2= 0.
58 = IZo = 1とすると、Q2/Qi =
0.222 となり、本考案の方が、Qの値が低くなる。
Also, assuming Q in the case of Fig. 4 as Q2, R1=R2=0.
58 = IZo = 1, then Q2/Qi =
0.222, and the value of Q is lower in the present invention.

これにより第5図の実線のように広帯域になることがわ
かる。
It can be seen that this results in a wide band as shown by the solid line in FIG.

よって広帯域にわたりRFチョークのインピーダンスの
影響が軽減される。
Therefore, the influence of the impedance of the RF choke is reduced over a wide band.

本考案の他の実施例を第6図に示す。Another embodiment of the invention is shown in FIG.

第6図に於いては、抵抗膜8′をストリップ線路1の軸
方向にλ4の長さの単位で階段状に形成してダミーロー
ドとするものである。
In FIG. 6, a resistive film 8' is formed stepwise in the axial direction of the strip line 1 in units of length λ4 to form a dummy load.

(6)考案の効果 このように本考案によると、広帯域にわたりRFチョー
クのインピーダンスの影響が軽減されて、安定したマイ
クロ発振信号等を得ることが可能になる。
(6) Effects of the invention As described above, according to the invention, the influence of the impedance of the RF choke is reduced over a wide band, making it possible to obtain stable micro-oscillation signals and the like.

尚、本考案は発振器以外、低周波信号の供給にも通用す
ることができ、抵抗膜をステップ状にストリップ線路の
導体に接触させても良い。
The present invention can also be applied to supplies of low frequency signals other than oscillators, and the resistive film may be brought into contact with the conductor of the strip line in a stepped manner.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の発振器を示す回路図、第2図はその等価
回路図、第3図は本考案の一実施例を示す回路図、第4
図はその等価回路図、第5図は周波数と定在波比の関係
を示す線図、第6図はその他の実施例を示す図である。 1・・・・・・ストリップ線路用導体、2・・・・・・
ガンダイオード、3,3’、4,4’・・・・・・RF
阻止回路用導体、5・・・・・・切欠き、6・・・・・
・方向性結合器、7・・曲導体、8,9・・・・・・抵
抗膜、10,10’・・・・・・直流電源、11・・・
・・・ストリップライン共振器。
Fig. 1 is a circuit diagram showing a conventional oscillator, Fig. 2 is its equivalent circuit diagram, Fig. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and Fig. 4 is a circuit diagram showing a conventional oscillator.
The figure is an equivalent circuit diagram, FIG. 5 is a diagram showing the relationship between frequency and standing wave ratio, and FIG. 6 is a diagram showing another embodiment. 1... Conductor for strip line, 2...
Gunn diode, 3, 3', 4, 4'...RF
Blocking circuit conductor, 5... Notch, 6...
・Directional coupler, 7... Curved conductor, 8, 9... Resistive film, 10, 10'... DC power supply, 11...
...Stripline resonator.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 誘電体基板上で発振素子に接続されたストリック線路用
導体に高周波成分を阻止するRFチョークを介して直流
電源または低周波信号を供給するようにしたマイクロ波
集積回路において、前記ストリップ線路がダミーロード
となる抵抗膜とテーパ、又はステップ状に接触している
部分に対応するストリップ線路用の導体を分岐してRF
チョークを形威したことを特徴とするマイクロ波集積回
路。
In a microwave integrated circuit in which a DC power supply or a low frequency signal is supplied to a strip line conductor connected to an oscillation element on a dielectric substrate through an RF choke that blocks high frequency components, the strip line is a dummy conductor. RF
A microwave integrated circuit characterized by its shape as a choke.
JP4575484U 1984-03-29 1984-03-29 microwave integrated circuit Expired JPS6024001Y2 (en)

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JPS59161702U JPS59161702U (en) 1984-10-30
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