JP2014027281A

JP2014027281A - Substrate processing apparatus

Info

Publication number: JP2014027281A
Application number: JP2013156708A
Authority: JP
Inventors: Jing Weng Choi; ウォンチョイ，ジン; Yon Ho You; ホユ，ヨン
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2012-07-30
Filing date: 2013-07-29
Publication date: 2014-02-06
Also published as: TW201405695A; KR20140016046A; CN103579050A

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus capable of efficiently correcting distortion of a substrate.SOLUTION: A substrate processing apparatus 100 of this invention includes: a chamber 110 in which a cavity 111 is formed inside thereof; a body 120 positioned in the cavity 111, the body 120 in which a substrate is mounted and formed in a manner that an upper surface faces the substrate; a vacuum part 130 which is formed in the body 120 and causes the upper surface of the body 120 to suction the substrate; and a heating part 140 which is formed in the body 120 and heats the substrate.

Description

本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.

通常、ウェハ一枚当たり数十個あるいは数百個のチップを形成することができるが、チップそのものでは、外部から電気の供給を受けて電気信号を送受信できないだけでなく、微細な回路を内蔵しているため、外部の衝撃によって損傷しやすい。そのため、チップを電気的に連結し、かつ外部の衝撃から保護するパッケージング技術が次第に発展した。 Usually, dozens or hundreds of chips can be formed per wafer, but the chips themselves are not only capable of receiving and receiving electrical signals from the outside but also sending and receiving electrical signals, as well as incorporating fine circuitry. Therefore, it is easily damaged by external impact. For this reason, packaging technology for electrically connecting chips and protecting them from external impacts has gradually developed.

近年、半導体装置の高集積化、メモリの容量の増加、多機能化および高密度実装の要求などが加速化しており、これらの要求を満たすために、ワイヤボンディング（ＷｉｒｅＢｏｎｄｉｎｇ）接合構造からフリップチップバンプ（ＦｌｉｐＣｈｉｐＢｕｍｐ）を利用する接合構造に拡大しており、このうちハイエンド（ＨｉｇｈＥｎｄ）級の機能を行う構造は、アセンブル収率向上のために、基板の状態でバンプを形成する。 In recent years, the demand for higher integration of semiconductor devices, increased memory capacity, multi-functionality, and high-density mounting has been accelerated, and in order to satisfy these demands, wire bonding bonding structures have been changed from flip chips. The bonding structure using a bump (Flip Chip Bump) has been expanded, and among these structures, a structure performing a high end (High End) function forms a bump in the state of the substrate in order to improve the assembly yield.

一方、半導体パッケージが益々軽薄短小化すると、基板を構成する層間の熱膨張係数の差により、基板に熱を加える際に、歪み（Ｗａｒｐａｇｅ）などの変形が発生する。このような基板の歪み現象が発生すると、基板に実装される半導体チップが浮いてバンプの大きさが均一に形成されず、半導体チップと基板との電気的連結に誤りが生じるという問題点がある。 On the other hand, when the semiconductor package is becoming lighter, thinner, and shorter, deformation such as warpage occurs when heat is applied to the substrate due to a difference in thermal expansion coefficient between layers constituting the substrate. When such a distortion phenomenon of the substrate occurs, the semiconductor chip mounted on the substrate floats and the size of the bumps is not formed uniformly, and there is a problem that an error occurs in the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate. .

このような問題点を解決するために、特許文献１のように、変形した基板を補正するなどの様々な方法が開発されている。 In order to solve such a problem, various methods such as correcting a deformed substrate have been developed as in Patent Document 1.

米国特許出願公開第２００７／０１８１６４４号明細書US Patent Application Publication No. 2007/0181644

本発明の目的は、基板の歪みを補正できる基板処理装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can correct distortion of a substrate.

本発明の実施例によれば、内部にキャビティが形成されたチャンバと、前記キャビティに位置し、基板が実装され、上面が前記基板と対向する形態で形成された本体と、前記本体の内部に形成され、前記基板を前記本体の上面に吸着させる真空部と、前記本体の内部に形成され、前記基板を加熱する加熱部と、を含む基板処理装置が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a chamber having a cavity formed therein, a body positioned in the cavity, a substrate is mounted, and an upper surface is formed so as to face the substrate; There is provided a substrate processing apparatus including a vacuum unit that is formed and adsorbs the substrate to an upper surface of the main body, and a heating unit that is formed inside the main body and heats the substrate.

前記本体の上面は、凹状に形成されることができる。 The upper surface of the main body may be formed in a concave shape.

前記本体の上面は、凸状に形成されることができる。 The upper surface of the main body may be formed in a convex shape.

前記真空部は、前記真空を発生させる真空発生部と、前記本体の上面を貫通するように形成され、前記真空発生部と連結されて前記基板を前記本体の上部に吸着させる真空ラインと、を含むことができる。 The vacuum part includes a vacuum generation part that generates the vacuum, and a vacuum line that is formed to penetrate the upper surface of the main body and is connected to the vacuum generation part to adsorb the substrate to the upper part of the main body. Can be included.

前記加熱部は、絶縁材またはソルダレジストのガラス転移温度（ＧｌａｓｓＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）以上に前記基板を加熱することができる。 The heating unit may heat the substrate to a glass transition temperature (Tg) or higher of an insulating material or a solder resist.

前記キャビティに位置し、前記加熱された基板を冷却させる冷却部をさらに含むことができる。 A cooling unit positioned in the cavity and cooling the heated substrate may be further included.

前記冷却部は、前記本体と分離され、前記本体の周りに形成されることができる。 The cooling unit may be separated from the main body and formed around the main body.

前記冷却部は、冷却ガスを用いて前記基板を冷却させることができる。 The cooling unit may cool the substrate using a cooling gas.

前記冷却ガスは、窒素またはアルゴンを含むことができる。 The cooling gas may include nitrogen or argon.

前記冷却部は、前記加熱された基板を室温まで冷却することができる。 The cooling unit may cool the heated substrate to room temperature.

本発明の実施例による基板処理装置は、基板の歪み方向と対向する形態で形成された本体を利用することにより、基板の歪みを効率的に補正することができる。 The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can efficiently correct the distortion of the substrate by using the main body formed in a form opposed to the distortion direction of the substrate.

本発明の実施例による基板処理装置に係る断面図である。It is sectional drawing which concerns on the substrate processing apparatus by the Example of this invention. 本発明の実施例による基板処理装置において基板の歪みを補正する順序を示すための例示図である。FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating an order of correcting substrate distortion in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例による基板処理装置において基板の歪みを補正する順序を示すための例示図である。FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating an order of correcting substrate distortion in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例による基板処理装置において基板の歪みを補正する順序を示すための例示図である。FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating an order of correcting substrate distortion in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施例による基板処理装置において基板の歪みを補正する順序を示すための例示図である。FIG. 5 is an exemplary diagram illustrating an order of correcting substrate distortion in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

本発明の目的、特定の長所および新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。 Objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and preferred embodiments with reference to the accompanying drawings. In this specification, it should be noted that when adding reference numerals to the components of each drawing, the same components are given the same number as much as possible even if they are shown in different drawings. I must. The terms “one side”, “other side”, “first”, “second” and the like are used to distinguish one component from another component, and the component is the term It is not limited by. Hereinafter, in describing the present invention, detailed descriptions of known techniques that may obscure the subject matter of the present invention are omitted.

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、本発明の実施例による基板処理装置に係る断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

図１を参照すると、基板処理装置１００は、チャンバ１１０と、本体１２０と、真空部１３０と、加熱部１４０と、冷却部１５０と、を含むものである。 Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a chamber 110, a main body 120, a vacuum unit 130, a heating unit 140, and a cooling unit 150.

基板処理装置１００は、バンプまたは回路などを形成する工程によって発生した基板（図示せず）の歪みを補正するための装置である。本発明の実施例によれば、基板処理装置１００は、基板（図示せず）を真空で吸着固定した後に加熱および冷却を行うことで、基板（図示せず）の歪みを補正することができる。 The substrate processing apparatus 100 is an apparatus for correcting distortion of a substrate (not shown) generated by a process of forming bumps or circuits. According to the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus 100 can correct the distortion of the substrate (not shown) by heating and cooling after the substrate (not shown) is sucked and fixed in vacuum. .

チャンバ１１０は、基板（図示せず）の歪みを補正する環境を提供することができる。チャンバ１１０は、内部にキャビティ１１１が形成され、密閉された形態で形成することができる。チャンバ１１０の内部に形成されたキャビティ１１１には、基板（図示せず）の歪みを補正するための本体１２０と、真空部１３０と、加熱部１４０と、冷却部１５０とを配置することができる。 The chamber 110 can provide an environment for correcting distortion of a substrate (not shown). The chamber 110 may be formed in a sealed form with a cavity 111 formed therein. In the cavity 111 formed in the chamber 110, a main body 120 for correcting distortion of a substrate (not shown), a vacuum unit 130, a heating unit 140, and a cooling unit 150 can be disposed. .

本体１２０には、基板（図示せず）を実装することができる。基板（図示せず）を配置する本体１２０の上面は、基板（図示せず）と対向する形態で形成することができる。本発明の実施例では、本体１２０の上面を凹状に形成することができる。しかし、本体１２０の上面の形態は、これに限定されない。例えば、基板（図示せず）が凹状に歪む場合、本体１２０の上面を凸状に形成することができる。あるいは、基板（図示せず）が凸状に歪む場合、本体１２０の上面を凹状に形成することができる。すなわち、本体１２０の上面の形態は、基板（図示せず）が歪む方向に応じて当業者によって容易に変更適用することができる。 A substrate (not shown) can be mounted on the main body 120. The upper surface of the main body 120 on which the substrate (not shown) is arranged can be formed in a form facing the substrate (not shown). In the embodiment of the present invention, the upper surface of the main body 120 can be formed in a concave shape. However, the form of the upper surface of the main body 120 is not limited to this. For example, when the substrate (not shown) is distorted in a concave shape, the upper surface of the main body 120 can be formed in a convex shape. Alternatively, when the substrate (not shown) is distorted in a convex shape, the upper surface of the main body 120 can be formed in a concave shape. That is, the form of the upper surface of the main body 120 can be easily changed and applied by those skilled in the art depending on the direction in which the substrate (not shown) is distorted.

真空部１３０は、本体１２０の上面に実装された基板（図示せず）を、本体１２０の上面に吸着させることができる。 The vacuum unit 130 can adsorb a substrate (not shown) mounted on the upper surface of the main body 120 to the upper surface of the main body 120.

真空部１３０は、真空発生部１３１と、真空ライン１３２と、を含むことができる。 The vacuum unit 130 may include a vacuum generation unit 131 and a vacuum line 132.

真空発生部１３１は、真空ライン１３２に真空圧を提供することができる。真空発生部１３１は、本体１２０の内部に形成することができる。しかし、真空発生部１３１が形成された位置は、これに限定されず、当業者によって容易に変更することができる。 The vacuum generator 131 can provide a vacuum pressure to the vacuum line 132. The vacuum generator 131 can be formed inside the main body 120. However, the position where the vacuum generator 131 is formed is not limited to this, and can be easily changed by those skilled in the art.

真空ライン１３２は、本体１２０の内部に形成することができる。また、真空ライン１３２は、本体１２０の上面を貫通するように形成することができる。真空ライン１３２の一側は本体１２０の上面を貫通し、真空ライン１３２の他側は真空発生部１３１と連結することができる。真空ライン１３２は、真空発生部１３１で発生した真空圧の貫通する通路になることができる。すなわち、真空発生部１３１で発生した真空圧が、真空ライン１３２を介して基板（図示せず）に加えられることにより、基板（図示せず）を本体１２０の上面に吸着固定することができる。 The vacuum line 132 can be formed inside the main body 120. Further, the vacuum line 132 can be formed so as to penetrate the upper surface of the main body 120. One side of the vacuum line 132 may penetrate the upper surface of the main body 120, and the other side of the vacuum line 132 may be connected to the vacuum generator 131. The vacuum line 132 can be a passage through which the vacuum pressure generated by the vacuum generation unit 131 passes. That is, the vacuum pressure generated in the vacuum generation unit 131 is applied to the substrate (not shown) via the vacuum line 132, so that the substrate (not shown) can be adsorbed and fixed to the upper surface of the main body 120.

加熱部１４０は、本体１２０の内部に形成することができる。加熱部１４０は、本体１２０の上面に吸着固定された基板（図示せず）を加熱することができる。すなわち、加熱部１４０は、本体１２０の上面に吸着固定された基板（図示せず）の歪みを除去するために、基板（図示せず）を加熱することができる。例えば、加熱部１４０は、ヒーター（Ｈｅａｔｅｒ）で形成することができる。 The heating unit 140 can be formed inside the main body 120. The heating unit 140 can heat a substrate (not shown) adsorbed and fixed on the upper surface of the main body 120. That is, the heating unit 140 can heat the substrate (not shown) in order to remove the distortion of the substrate (not shown) fixed to the upper surface of the main body 120. For example, the heating unit 140 can be formed of a heater.

冷却部１５０は、チャンバ１１０に形成されたキャビティ１１１に位置することができる。冷却部１５０は、本体１２０と分離して形成され、本体１２０の周りに配置することができる。本発明の実施例によれば、冷却部１５０は、本体１２０の上部に形成することができる。しかし、冷却部１５０の個数および配置は、これに限定されず、これは当業者によって容易に変更することができる。冷却部１５０は、加熱部１４０によって加熱された基板（図示せず）を冷却することができる。冷却部１５０は、冷却ガスを用いて基板（図示せず）を冷却することができる。冷却部１５０は、冷却ガスを用いて基板（図示せず）を室温に近い温度まで冷却することができる。基板（図示せず）を冷却する際に使用される冷却ガスとしては、基板（図示せず）に形成されたはんだバンプなどの酸化を抑制できる種類のものを用いることができる。例えば、冷却ガスは、窒素またはアルゴンを含む不活性ガスであってもよい。 The cooling unit 150 may be located in the cavity 111 formed in the chamber 110. The cooling unit 150 is formed separately from the main body 120 and can be disposed around the main body 120. According to the embodiment of the present invention, the cooling unit 150 may be formed on the upper portion of the main body 120. However, the number and arrangement of the cooling units 150 are not limited thereto, and can be easily changed by those skilled in the art. The cooling unit 150 can cool the substrate (not shown) heated by the heating unit 140. The cooling unit 150 can cool a substrate (not shown) using a cooling gas. The cooling unit 150 can cool a substrate (not shown) to a temperature close to room temperature using a cooling gas. As the cooling gas used when cooling the substrate (not shown), a kind of gas capable of suppressing oxidation of solder bumps and the like formed on the substrate (not shown) can be used. For example, the cooling gas may be an inert gas including nitrogen or argon.

本発明の実施例によれば、室温で発生する基板（図示せず）の歪み方向と反対方向に加工された本体１２０の上面に基板が吸着固定され、歪みを除去するための加熱および室温への冷却により、基板（図示せず）の歪みを補正することができる。 According to the embodiment of the present invention, the substrate is adsorbed and fixed to the upper surface of the main body 120 processed in the direction opposite to the direction of distortion of the substrate (not shown) generated at room temperature, and heated to remove the distortion and to room temperature. By cooling the substrate, distortion of the substrate (not shown) can be corrected.

図２から図５は、本発明の実施例による基板処理装置において基板の歪みを補正する順序を示す例示図である。 2 to 5 are exemplary views illustrating an order of correcting the distortion of the substrate in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

図２を参照すると、基板処理装置１００に基板２００を実装することができる。 Referring to FIG. 2, the substrate 200 can be mounted on the substrate processing apparatus 100.

基板処理装置１００は、チャンバ１１０と、本体１２０と、真空部１３０と、加熱部１４０と、冷却部１５０と、を含むものである。 The substrate processing apparatus 100 includes a chamber 110, a main body 120, a vacuum unit 130, a heating unit 140, and a cooling unit 150.

チャンバ１１０は、内部にキャビティ１１１が形成され、密閉された形態で形成することができる。 The chamber 110 may be formed in a sealed form with a cavity 111 formed therein.

本体１２０には、歪みが発生した基板２００を実装することができる。基板２００が位置する本体１２０の上面は、基板２００と対向する形態で形成することができる。本発明の実施例では、本体１２０の上面を凹状に形成されることができる。 A substrate 200 in which distortion has occurred can be mounted on the main body 120. The upper surface of the main body 120 on which the substrate 200 is located can be formed in a form facing the substrate 200. In the embodiment of the present invention, the upper surface of the main body 120 may be formed in a concave shape.

図２に示したように、バンプや回路などが形成された基板２００を、本体１２０の上面に実装することができる。基板２００は、以前の多くの工程によって歪みが発生した状態であってもよい。例えば、基板２００は、室温で凸状に歪みが発生する性質を有するものであってもよい。すなわち、室温状態で凸状に歪みが発生した基板２００を、凹状の上面を有する本体１２０に実装することができる。 As shown in FIG. 2, the substrate 200 on which bumps, circuits, and the like are formed can be mounted on the upper surface of the main body 120. The substrate 200 may be in a state in which distortion has occurred due to many previous processes. For example, the substrate 200 may have a property of generating distortion in a convex shape at room temperature. That is, the substrate 200 having a convex distortion at room temperature can be mounted on the main body 120 having a concave upper surface.

図３を参照すると、基板処理装置１００は、基板２００に歪み補正を施すことができる。 Referring to FIG. 3, the substrate processing apparatus 100 can perform distortion correction on the substrate 200.

本体１２０の上面に実装された基板２００は、真空部１３０によって吸着固定することができる。 The substrate 200 mounted on the upper surface of the main body 120 can be sucked and fixed by the vacuum unit 130.

真空部１３０は、真空発生部１３１と、真空ライン１３２と、を含むことができる。真空発生部１３１および真空ライン１３２は、本体１２０の内部に形成することができる。また、真空ライン１３２は、本体１２０の上面を貫通するように形成することができる。真空ライン１３２の一側が本体１２０の上面を貫通し、真空ライン１３２の他側が真空発生部１３１と連結することができる。本発明の実施例によれば、真空発生部１３１で発生した真空圧が真空ライン１３２を介して、基板２００を本体１２０の上面に吸着および固定することができる。この際、基板２００は、本体１２０の上面に対応する形態で固定することができる。すなわち、基板２００は、本体１２０の凹状の上面により、本体１２０に凹状に固定することができる。 The vacuum unit 130 may include a vacuum generation unit 131 and a vacuum line 132. The vacuum generator 131 and the vacuum line 132 can be formed inside the main body 120. Further, the vacuum line 132 can be formed so as to penetrate the upper surface of the main body 120. One side of the vacuum line 132 may penetrate the upper surface of the main body 120, and the other side of the vacuum line 132 may be connected to the vacuum generation unit 131. According to the embodiment of the present invention, the vacuum pressure generated in the vacuum generation unit 131 can be sucked and fixed to the upper surface of the main body 120 through the vacuum line 132. At this time, the substrate 200 can be fixed in a form corresponding to the upper surface of the main body 120. That is, the substrate 200 can be fixed to the main body 120 in a concave shape by the concave upper surface of the main body 120.

真空部１３０によって本体１２０の上面に凹状に固定された基板２００は、加熱部１４０によって加熱することができる。ここで、加熱部１４０は、本体１２０の内部に形成することができる。加熱部１４０は、基板２００に形成された絶縁材またはソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）などのガラス転移温度（ＧｌａｓｓＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）以上の温度に基板２００を加熱することができる。例えば、加熱部１４０は、基板２００を１５０℃以上に加熱することができる。加熱部１４０の加熱温度に関する事項は、図４に関する説明において後述する。 The substrate 200 fixed in a concave shape on the upper surface of the main body 120 by the vacuum unit 130 can be heated by the heating unit 140. Here, the heating unit 140 may be formed inside the main body 120. The heating unit 140 may heat the substrate 200 to a temperature equal to or higher than a glass transition temperature (Tg) such as an insulating material or a solder resist formed on the substrate 200. For example, the heating unit 140 can heat the substrate 200 to 150 ° C. or higher. Matters relating to the heating temperature of the heating unit 140 will be described later in the description of FIG.

加熱部１４０によって加熱された基板２００は、冷却部１５０によって冷却することができる。本発明の実施例において、冷却部１５０は、チャンバ１１０の上部の内壁に固定されるように形成することができる。冷却部１５０は、加熱部１４０によって加熱された基板２００を冷却ガスを用いて冷却することができる。この際、冷却部１５０は、基板２００を室温に近い温度まで冷却することができる。基板２００を冷却する際に使用される冷却ガスとしては、基板２００に形成されたはんだバンプなどの酸化を抑制できる種類のものを用いることができる。例えば、冷却ガスは、窒素またはアルゴンを含む不活性ガスであってもよい。 The substrate 200 heated by the heating unit 140 can be cooled by the cooling unit 150. In the embodiment of the present invention, the cooling unit 150 may be formed to be fixed to the inner wall of the upper part of the chamber 110. The cooling unit 150 can cool the substrate 200 heated by the heating unit 140 using a cooling gas. At this time, the cooling unit 150 can cool the substrate 200 to a temperature close to room temperature. As the cooling gas used when cooling the substrate 200, a kind of gas that can suppress oxidation of solder bumps and the like formed on the substrate 200 can be used. For example, the cooling gas may be an inert gas including nitrogen or argon.

図４を参照すると、歪みが発生した基板２００の加熱温度による歪みの改善程度を確認することができる。 Referring to FIG. 4, it is possible to confirm the degree of improvement in distortion due to the heating temperature of the substrate 200 in which distortion occurs.

本発明の実施例によれば、基板２００の歪みの改善程度を確認するために、まず、基板２００を５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、および２２０℃の加熱温度で１分間加熱した。基板２００を加熱した後、冷却ガスを用いて加熱された基板２００に冷却を行った。この際、冷却ガスの温度は１５℃に維持した。また、冷却ガスとしては窒素を用いた。このような基板２００の歪み改善工程を経た後、初期の基板２００の歪み程度と比較して基板２００の歪みが改善した程度を確認すると、図４に示したようなグラフを確認することができる。 According to the embodiment of the present invention, in order to confirm the degree of improvement of the distortion of the substrate 200, the substrate 200 is first heated at heating temperatures of 50 ° C, 100 ° C, 150 ° C, 200 ° C, and 220 ° C for 1 minute. . After heating the substrate 200, the heated substrate 200 was cooled using a cooling gas. At this time, the temperature of the cooling gas was maintained at 15 ° C. Nitrogen was used as the cooling gas. After such a distortion improvement process of the substrate 200, when the degree of improvement of the distortion of the substrate 200 is confirmed as compared with the initial distortion degree of the substrate 200, a graph as shown in FIG. 4 can be confirmed. .

図４を確認すると、基板２００を１５０℃以上の加熱温度で加熱した場合、基板２００の急激な歪みの改善程度を確認することができる。ここで、急激な歪み改善が現れた１５０℃は、基板２００に形成された絶縁材またはソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒＲｅｓｉｓｔ）などのガラス転移温度（ＧｌａｓｓＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）に近い温度である。すなわち、基板２００は、絶縁材またはソルダレジストなどのガラス転移温度（ＧｌａｓｓＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；Ｔｇ）以上の温度に加熱したときに歪み現象の改善程度が向上する。したがって、本発明の実施例による基板処理装置１００の加熱部１４０は、基板２００の歪みの改善程度を向上させるために、基板２００を１５０℃以上の加熱温度で加熱することができる。 When FIG. 4 is confirmed, when the substrate 200 is heated at a heating temperature of 150 ° C. or higher, it is possible to confirm the degree of improvement in the rapid distortion of the substrate 200. Here, the temperature of 150 ° C. at which rapid strain improvement appears is a temperature close to a glass transition temperature (Tg) such as an insulating material or a solder resist formed on the substrate 200. That is, when the substrate 200 is heated to a temperature equal to or higher than a glass transition temperature (Tg) such as an insulating material or a solder resist, the degree of improvement of the distortion phenomenon is improved. Therefore, the heating unit 140 of the substrate processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention can heat the substrate 200 at a heating temperature of 150 ° C. or more in order to improve the degree of improvement in distortion of the substrate 200.

図５を参照すると、室温に冷却後に歪みが改善した基板（図３の２００）を確認することができる。 Referring to FIG. 5, a substrate (200 in FIG. 3) with improved distortion after cooling to room temperature can be identified.

室温で凸状に歪みが発生する基板２００を凹状になるように基板処理装置（図３の１００）に固定して加熱することができる。基板処理装置（図３の１００）によって凹状に歪んで固定された加熱した基板２００を室温にまた冷却することができる。このように凹状に固定された基板２００は、室温に冷却する際に、室温でまた凸状に歪む恐れがある。すなわち、中心が下方に歪んだ基板２００がまた上部に歪むことにより、結局基板２００の歪みが除去されて、基板２００を平坦な形態にすることができる。 The substrate 200 that is convexly distorted at room temperature can be fixed to a substrate processing apparatus (100 in FIG. 3) and heated so as to be concave. The heated substrate 200 distorted and fixed in a concave shape by the substrate processing apparatus (100 in FIG. 3) can be cooled again to room temperature. The substrate 200 thus fixed in a concave shape may be distorted in a convex shape at room temperature when it is cooled to room temperature. That is, the substrate 200 whose center is distorted downward is distorted upward again, so that the distortion of the substrate 200 is eventually removed and the substrate 200 can be made flat.

本発明の実施例による基板処理装置は、基板の歪み方向と対向する形態で形成された本体を利用することで、効率的に基板の歪みを補正することができる。 The substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can efficiently correct the distortion of the substrate by using the main body formed in a form opposed to the distortion direction of the substrate.

以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。 As described above, the present invention has been described in detail based on the specific embodiments. However, the present invention is only for explaining the present invention, and the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that modifications and improvements within the technical idea of the present invention are possible.

本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。 All simple variations and modifications of the present invention belong to the scope of the present invention, and the specific scope of protection of the present invention will be apparent from the appended claims.

本発明は、基板処理装置に適用可能である。 The present invention is applicable to a substrate processing apparatus.

１００基板処理装置
１１０チャンバ
１１１キャビティ
１２０本体
１３０真空部
１３１真空発生部
１３２真空ライン
１４０加熱部
１５０冷却部
２００基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Substrate processing apparatus 110 Chamber 111 Cavity 120 Main body 130 Vacuum part 131 Vacuum generation part 132 Vacuum line 140 Heating part 150 Cooling part 200 Substrate

Claims

A chamber having a cavity formed therein;
A body located in the cavity, mounted with a substrate, and having an upper surface formed in a form facing the substrate;
A vacuum part formed inside the main body and adsorbing the substrate to the upper surface of the main body;
A substrate processing apparatus comprising: a heating unit that is formed inside the main body and heats the substrate.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an upper surface of the main body is formed in a concave shape.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an upper surface of the main body is formed in a convex shape.

The vacuum part is
A vacuum generating section for generating the vacuum;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a vacuum line that is formed so as to penetrate the upper surface of the main body and is connected to the vacuum generation unit to adsorb the substrate to the upper portion of the main body.

The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating unit heats the substrate to a glass transition temperature (Tg) or higher of an insulating material or a solder resist.

The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a cooling unit that is located in the cavity and cools the heated substrate.

The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the cooling unit is separated from the main body and formed around the main body.

The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the cooling unit cools the substrate using a cooling gas.

The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the cooling gas includes nitrogen or argon.

The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the cooling unit cools the heated substrate to room temperature.