JP2014025867A - 温度検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】感温ダイオードＴｗ＃（＃＝ｐ，ｎ）の検出値Ｖｆを補正することでスイッチング素子Ｓｗ＃の温度検出精度の低下を抑制できる新たな温度検出装置を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｓｗ＃の温度検出回路には、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出する感温ダイオードＴｗ＃及びサーミスタ３８が備えられている。ここで、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに含まれる誤差の取り得る範囲は、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差の取り得る範囲よりも狭くなっている。こうした構成において、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動前であると判断されてかつ、サーミスタ３８の設置箇所の温度が低温領域にないと判断された場合、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに基づき感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正するための補正値を算出する。そして、算出された補正値に基づき、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、所定の温度検出対象の温度を検出する温度検出装置に関する。

従来、下記特許文献１に見られるように、所定の温度検出対象（例えば半導体スイッチング素子）の温度を検出する温度センサについて、その検出値を補正する技術が知られている。この技術について説明すると、まず、温度センサが内蔵される製品の製造工程において、相違する一対の温度のそれぞれに対応した温度センサの検出値等のデータを取得する。そして、取得されたデータに基づき、温度センサの検出値を補正するための補正用データを算出し、算出された補正用データを製品内の制御基板に実装された不揮発性メモリに記憶させる。

こうした構成によれば、不揮発性メモリに記憶された補正用データに基づき温度センサの検出値を補正することができる。これにより、温度検出対象の温度検出精度の低下を回避することができる。

特開２００８−１９７０１１号公報

ここで、製品の出荷後、補正用データがなくなったり、補正用データが適切なデータではなくなったりすることがある。これは、例えば、製品に故障が生じ、製品の修理工場において不揮発性メモリが実装された制御基板が交換されることで生じる。この場合、温度センサの検出値を適切に補正することができず、温度検出対象の温度検出精度が低下するおそれがある。こうした問題に対処する上では、例えば製品の出荷後においても、温度センサの検出値を補正可能な技術が要求される。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、上記検出値の補正によって温度検出対象の温度検出精度の低下を抑制できる新たな温度検出装置を提供することにある。

上記課題を解決すべく、請求項１記載の発明は、所定の温度検出対象（Ｓｗ＃：＃＝ｐ，ｎ）の温度を検出する第１の温度検出手段（Ｔｗ＃）と、前記温度検出対象の温度を検出する第２の温度検出手段（３８）と、を備え、前記第２の温度検出手段の検出値（Ｖｓ）に含まれる誤差（Δｖｓ）の取り得る範囲（−ｂ〜＋ｂ）は、前記第１の温度検出手段の検出値（Ｖｆ）に含まれる誤差（Δｖｆ）の取り得る範囲（−ａ〜＋ａ）よりも狭く、前記第１の温度検出手段の設置箇所の温度及び前記第２の温度検出手段の設置箇所の温度が同一であると想定される状況下の前記第２の温度検出手段の検出値に基づき、前記第１の温度検出手段の検出値を補正する補正手段（３４）を備えることを特徴とする。

上記発明では、第２の温度検出手段として、上記第２の温度検出手段の検出値に含まれる誤差の取り得る範囲が上記態様のものを用いている。このため、第２の温度検出手段の検出値の信頼性は、第１の温度検出手段の検出値の信頼性よりも高い。こうした構成を前提として、上記発明では、補正手段を備えることで、信頼性の高い第２の温度検出手段の検出値に基づき第１の温度検出手段の検出値を補正することができる。これにより、第１の温度検出手段による温度検出対象の温度検出精度の低下を抑制することができる。

さらに、上記発明によれば、例えば、上記特許文献１に記載された技術と異なり、温度検出装置の出荷後において、例えば、この装置の内部部品等が交換される場合であっても、上記補正手段によって第１の温度検出手段の検出値を補正することもできる。

第１の実施形態にかかるシステム構成図。 同実施形態にかかるスイッチング素子の温度検出回路の構成図。 同実施形態にかかるパワーカードの構成図。 同実施形態にかかる制御基板の上面図。 同実施形態にかかる制御基板の側面断面図。 同実施形態にかかる誤差の概要を示す図。 同実施形態にかかる補正処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかるサーミスタの抵抗値の温度特性を示す図。 同実施形態にかかる補正処理の一例を示すタイムチャート。 第２の実施形態にかかる制御基板の上面図。 第３の実施形態にかかる異常検出処理の手順を示す流れ図。 第４の実施形態にかかる誤差の概要を示す図。 同実施形態にかかる補正処理の手順を示す流れ図。 同実施形態にかかる補正処理に用いるデータの取得タイミングを示す図。 その他の実施形態にかかるパワーカードの構成図。

（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる温度検出装置を車載主機として回転機を備える車両に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

図１に、本実施形態にかかる制御システムを示す。

図示されるように、車載主機としてのモータジェネレータ１０は、インバータＩＶに接続されており、インバータＩＶは、コンバータＣＶを介して高電圧バッテリ１２に接続されている。なお、コンバータＣＶは、高電圧バッテリ１２の電圧（例えば「２８８Ｖ」）を所定の電圧（例えば「６６６Ｖ」）を上限として昇圧する機能を有する。

インバータＩＶは、上アーム側のスイッチング素子Ｓｗｐ及び下アーム側のスイッチング素子Ｓｗｎの直列接続体が３つ並列接続されて構成されている。これら各スイッチング素子Ｓｗｐ及びスイッチング素子Ｓｗｎの接続点は、モータジェネレータ１０のＵ，Ｖ，Ｗ相にそれぞれ接続されている。ちなみに、本実施形態では、スイッチング素子Ｓｗ＃（＃＝ｐ，ｎ）として、電圧制御形のものが用いられており、より具体的には、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が用いられている。また、これらスイッチング素子Ｓｗ＃にはそれぞれ、フリーホイールダイオードＤｗ＃が逆並列に接続されている。さらに、図示しないが、これらスイッチング素子Ｓｗ＃付近には、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出する感温ダイオードが備えられている。感温ダイオードについては、後に詳述する。

制御装置１４は、低電圧バッテリ１６を電源とし、マイクロコンピュータを主体として構成されている。制御装置１４は、インターフェース１８を介して、インバータＩＶ等を操作することで、モータジェネレータ１０を制御する。詳しくは、制御装置１４は、インターフェース１８を介してインバータＩＶのスイッチング素子Ｓｗｐ，Ｓｗｎに駆動信号を伝達することで、これらスイッチング素子Ｓｗｐ，Ｓｗｎをオンオフ操作する。これにより、モータジェネレータ１０の制御量をその指令値に制御する。本実施形態では、モータジェネレータ１０の制御量として、トルクを想定している。

なお、上アーム側のスイッチング素子Ｓｗｐと、対応する下アーム側のスイッチング素子Ｓｗｎとは、交互にオン状態とされる。また、トルク指令値Ｔｒ＊は、例えば、車両の制御を統括する上位の制御装置から制御装置１４に入力される。

上記インターフェース１８は、高電圧バッテリ１２を備える高電圧システムと低電圧バッテリ１６を備える低電圧システムとの間を電気的に絶縁しつつ、これらの間の信号の授受を行うための伝達手段である。本実施形態では、インターフェース１８として、光絶縁素子（フォトカプラ）を備えたものを用いている。なお、本実施形態において、高電圧システムが第１の領域に相当し、低電圧システムが第２の領域に相当する。

続いて、図２を用いて、本実施形態にかかるスイッチング素子Ｓｗ＃（＃＝ｐ，ｎ）の駆動回路及び温度検出回路について説明する。なお、図２では、インターフェース１８のうち、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動信号伝達用のインターフェースの図示を省略している。

図示されるように、スイッチング素子Ｓｗ＃は、フリーホイールダイオードＤｗ＃及び感温ダイオードＴｗ＃とともにパワーカードＰＣに収容されてパッケージ化されている。パワーカードＰＣは、これら素子を備えるスイッチングモジュールである。ここで、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆ（電圧降下量）は、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆと負の相関を有している。ちなみに、本実施形態において、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆは、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度の１次式となっている。また、感温ダイオードＴｗ＃は、自身における電圧降下量に基づきスイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出する第１の温度検出手段に相当する。

スイッチング素子Ｓｗ＃の開閉制御端子（ゲート）は、集積回路２０に接続されている。集積回路２０は、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動回路を構成する専用の半導体装置であり、駆動制御部２２を備えている。駆動制御部２２は、制御装置１４から伝達された駆動信号に基づきスイッチング素子Ｓｗ＃をオンオフ操作したり、ローカルシャットダウン処理を行ったりする。ここで、ローカルシャットダウン処理は、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆ（補正回路３４の出力値Ｖｃｒ）が規定電圧を下回る（スイッチング素子Ｓｗ＃の温度が規定温度を上回る）と判断された場合、スイッチング素子Ｓｗ＃が過熱状態であるとしてスイッチング素子Ｓｗ＃の駆動を禁止する処理である。ここで、上記規定温度は、例えば、スイッチング素子Ｓｗ＃の信頼性が短時間に大きく低下するスイッチング素子Ｓｗ＃の温度の下限値であり、上記規定電圧は、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度が規定温度となる場合の感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに設定されている。ローカルシャットダウン処理によれば、スイッチング素子Ｓｗ＃を迅速にオフ状態とさせることができ、スイッチング素子Ｓｗ＃の過熱によってスイッチング素子Ｓｗ＃の信頼性が大きく低下する事態を回避できる。

ちなみに、集積回路２０は、インバータＩＶに備えられる６つのスイッチング素子Ｓｗ＃のそれぞれに対応して備えられている。また、パワーカードＰＣは、図３に示すように、ケルビンエミッタ電極ＫＥ、センス端子ＳＥ、スイッチング素子Ｓｗ＃のゲートＧ、感温ダイオードＴｗ＃のアノードＡ及びカソードＫの各端子が、集積回路２０等の実装された制御基板２４の接続部に挿入され接続されている。ここで、ケルビンエミッタ電極ＫＥとは、スイッチング素子Ｓｗ＃の出力端子（エミッタ）と同電位の電極であり、センス端子ＳＥとは、スイッチング素子Ｓｗ＃の入力端子（コレクタ）及びエミッタ間を流れる電流（コレクタ電流）と相関を有する微小電流を出力するための端子である。

先の図２の説明に戻り、集積回路２０は、更に、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを２値のパルス信号に変調する機能をも有する。詳しくは、集積回路２０は、電源２６、この電源２６を電力供給源とする定電流電源２８及びＰＷＭコンパレータ３０等を備えている。

定電流電源２８の出力側は、感温ダイオードＴｗ＃のアノードに接続されており、感温ダイオードＴｗ＃のカソードは、接地されている。なお、本実施形態では、接地部位の電位を「０」としている。

感温ダイオードＴｗ＃のアノードは、さらに、抵抗体３２及び補正回路３４を介してＰＷＭコンパレータ３０の非反転入力端子に接続されている。ＰＷＭコンパレータ３０の反転入力端子は、キャリア（三角波信号ｔｃ）を出力するキャリア生成回路３６に接続されている。なお、本実施形態において、ＰＷＭコンパレータ３０及びキャリア生成回路３６が変調手段を構成する。また、抵抗体３２は、例えば、補正回路３４へのノイズの伝達を抑制する機能を有する。さらに、補正回路３４は、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正するものである。補正回路３４については後に詳述する。

ＰＷＭコンパレータ３０では、補正回路３４の出力値Ｖｃｒと上記三角波信号ｔｃとの大小比較により、補正回路３４の出力値Ｖｃｒをパルス幅変調する。これにより、ＰＷＭコンパレータ３０の出力値は、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに応じて、論理「Ｈ」及び論理「Ｌ」の１周期に対する論理「Ｈ」の期間の比率（時比率Ｄｕｔｙ）が変化する信号となる。

ここで、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆとスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆとは負の相関を有することから、ＰＷＭコンパレータ３０の出力値の特性値である時比率Ｄｕｔｙは、上記検出値Ｖｆが大きくなるほど高くなる。すなわち、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆが高くなるほど、上記時比率Ｄｕｔｙは低くなる。

パワーカードＰＣと上記制御基板との接続部付近であってかつ制御基板上には、サーミスタ３８が実装されている。サーミスタ３８の一端は、端子電圧ＶＨを有する電源４０に接続され、他端は、抵抗体４２を介して感温ダイオードＴｗ＃と同一の接地部位（グランド）に接続されている。サーミスタ３８は、その温度が高くなるほど自身の抵抗値が小さくなる特性を有する。このため、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆが高くなるほど、サーミスタ３８及び抵抗体４２の接続点の電位（以下、サーミスタ３８の検出値Ｖｓ）が高くなる。すなわち、サーミスタ３８の検出値Ｖｓは、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆと正の相関を有する。なお、サーミスタ３８の検出値Ｖｓは、補正回路３４に入力される。また、本実施形態において、サーミスタ３８としては、例えばＮＴＣサーミスタを用いればよい。

ＰＷＭコンパレータ３０の出力端子は、インターフェース１８を構成するフォトカプラ４４の１次側（フォトダイオード）に接続されている。

一方、フォトカプラ４４の２次側には、上記制御装置１４が接続されている。制御装置１４は、ソフトウェア処理によってＰＷＭコンパレータ３０から出力されるアナログデータをデジタルデータに変換し、変換されたデジタルデータに基づきスイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出する温度検出処理を行う。詳しくは、制御装置１４は、ＰＷＭコンパレータ３０から出力されるパルス信号の時比率Ｄｕｔｙが低いほど、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度検出値を高く算出する。なお、上記温度検出処理は、具体的には例えば、上記時比率Ｄｕｔｙを入力として、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆがその中央特性値Ｖｆｔｙｐとなる場合の上記時比率Ｄｕｔｙ及び温度検出値が関係付けられたマップを用いて行われる。ここで、上記中央特性値Ｖｆｔｙｐとは、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆが所定温度となる場合において、量産された複数の感温ダイオードの検出値の平均値のことである。

制御装置１４は、さらに、上記温度検出値が上記規定温度よりも低い閾値温度以上になったと判断した場合、トルク指令値Ｔｒ＊を制限するパワーセーブ処理を行う。この処理によれば、コレクタ電流を制限することができ、スイッチング素子Ｓｗ＃を過熱から保護することができる。

なお、ＰＷＭコンパレータ３０、キャリア生成回路３６及びＰＷＭコンパレータ３０に接続されたインターフェース１８は、部品数の低減を図るべく、実際には、インバータＩＶに備えられる６つのスイッチング素子Ｓｗ＃のうちいずれか１つのみに対応して備えられている。具体的には、これら６つのスイッチング素子Ｓｗ＃のうち温度が最も高くなると想定されるものに対応したもののみに備えられている。また、サーミスタ３８も、インバータＩＶに備えられる６つのスイッチング素子Ｓｗ＃のうちいずれか１つのみに対応して備えられている。

続いて、図４及び図５を用いて、パワーカードＰＣの制御基板２４への接続手法及び制御基板２４へのサーミスタ３８の設置手法等について説明する。ここで、図４は、制御基板２４の板面の正面図であり、図５は、制御基板２４等の側面断面図である。詳しくは、図４は、図５のα方向から見た制御基板２４の図である。

図４に示すように、制御基板２４は、その板面の正面視において矩形状（長方形状）をなしている。制御基板２４には、パワーカードＰＣを接続するための接続部ｓｋｔがインバータＩＶを構成する６つのパワーカードＰＣのそれぞれに対応して設けられている。制御基板２４の板面の正面視において、これら接続部ｓｋｔのそれぞれは長方形状をなしており、これら接続部ｓｋｔは、一列に並ぶように配置されている。また、制御基板２４の板面の正面視において、これら接続部ｓｋｔは、互いに離間して平行となるように設けられている。そして、接続部ｓｋｔには、カソードＫ、アノードＡ、ゲートＧ、センス端子ＳＥ及びケルビンエミッタ電極ＫＥの順で一直線上に並ぶようにこれら端子等を取り付けるためのスルーホールが形成されている。ちなみに、パワーカードＰＣの各端子は、ハンダ付けによって接続部ｓｋｔに接続されている。すなわち、スイッチング素子Ｓｗ＃、感温ダイオードＴｗ＃、サーミスタ３８及び集積回路２０は、同一の制御基板２４に実装されている。

サーミスタ３８は、制御基板２４の板面のうち、接続部ｓｋｔ付近に設置されており、本実施形態では、対向する接続部ｓｋｔに挟まれた領域に配置されている。サーミスタ３８が接続部ｓｋｔ付近に設置されていることから、サーミスタ３８は、制御基板２４の板面のうち接続部ｓｋｔのランド付近の温度を検出することとなる。ランドがパワーカードＰＣに近接していることから、サーミスタ３８における電圧降下量に基づきスイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出することができる。すなわち、サーミスタ３８の温度検出対象をスイッチング素子Ｓｗ＃とすることができる。

ちなみに、図５に示すように、パワーカードＰＣは、冷却器４６によって冷却される。冷却器４６は、自身に形成された流路に冷却流体を流通させることで、パワーカードＰＣ等を冷却する機能を有する。

次に、本実施形態にかかる補正処理について説明する。

この処理は、補正回路３４によって実行され、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに誤差Δｖｆが含まれ得ることに鑑みて実行される処理である。ここで、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆとは、図６に示すように、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆについて、実際の値Ｖαと中央特性値Ｖｆｔｙｐとの差「Ｖα−Ｖｆｔｙｐ」のことである。上記誤差Δｖｆは、感温ダイオードＴｗ＃の個体差等に起因して生じる。本実施形態では、誤差Δｖｆの取り得る範囲を「−ａ〜＋ａ」（ａ＞０）としている。また、誤差Δｖｆは、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度依存性がないものとする。すなわち、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに誤差Δｖｆが含まれる場合、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆは、その中央特性値Ｖｆｔｙｐに対して誤差Δｖｆだけオフセットする。なお、上記誤差の取り得る範囲の高温側及び低温側の境界値「−ａ，＋ａ」は、感温ダイオードＴｗ＃の仕様等に応じて定まる固定値であり、例えば、感温ダイオードＴｗ＃の耐用期間において保証される範囲である。

図７に、上記補正処理の手順を示す。この処理は、補正回路３４によって例えば所定周期で繰り返し実行される。なお、本実施形態にかかる補正回路３４は、ハードウェアであるため、図７に示す処理は、実際にはロジック回路によって実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ１０において、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動前（より詳しくは、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動直前）であるか否かを判断する。すなわち、スイッチング素子Ｓｗ＃にコレクタ電流が流れていないか否かを判断する。この処理は、サーミスタ３８の設置箇所の温度と、感温ダイオードＴｗ＃の設置箇所の温度（スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆ）とが同一であるか否かを判断するための処理である。つまり、スイッチング素子Ｓｗ＃が駆動される前の状況は、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動が前回停止されてから十分時間が経過していると考えられる状況である。このため、インバータＩＶを構成する各種部材が熱的に平衡状態となり、サーミスタ３８の設置箇所の温度と、感温ダイオードＴｗ＃の設置箇所の温度とが同一である蓋然性が高い。

ステップＳ１０において肯定判断された場合には、ステップＳ１２に進み、サーミスタ３８の検出値Ｖｓが閾値Ｖｔｈ未満であるか否かを判断する。この処理は、サーミスタ３８の設置箇所の温度が低温領域にあるか否かを判断するための処理であり、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの補正精度が低下することを回避するための処理である。以下、この処理について説明する。

本実施形態では、サーミスタ３８の検出値Ｖｓがスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆを正確に示す情報であるとして、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆをサーミスタ３８の検出値Ｖｓに基づき補正する。ここで、サーミスタ３８の検出値Ｖｓがスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆを正確に示す情報であるのは、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの補正に用いられる上記検出値Ｖｓに含まれる誤差Δｖｓの取り得る範囲「―ｂ〜＋ｂ」が、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆの取り得る範囲「−ａ〜＋ａ」よりも狭いためである。すなわち、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに含まれる誤差Δｖｓの取り得る範囲の境界値の絶対値「｜ｂ｜」が、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆの取り得る範囲の境界値の絶対値「｜ａ｜」よりも小さいためである。ここで、図８に示すように、サーミスタ３８の抵抗値Ｒのばらつきは、サーミスタ３８の設置箇所の温度が低くなるほど大きくなる。このため、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに含まれる誤差Δｖｓの取り得る範囲「−ｂ〜＋ｂ」は、サーミスタ３８の設置箇所の温度が低いほど広くなる。したがって、サーミスタ３８が低温状態とされる状況下においては、サーミスタ３８の検出値Ｖｓの信頼性が大きく低下し、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに基づく感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの補正精度が大きく低下するおそれがある。こうした問題を回避すべく、本ステップの処理を行う。

なお、上記閾値Ｖｔｈは、具体的には例えば、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに含まれる誤差Δｖｓが高温側の境界値「ｂ」となるサーミスタ３８を用いた場合において、サーミスタ３８の設置箇所の実際の温度が規定温度（例えば０℃）となるときのサーミスタ３８の検出値Ｖｓに設定すればよい。

先の図７の説明に戻り、ステップＳ１２において肯定判断された場合には、サーミスタ３８の設置箇所の温度が低温領域にあると判断し、ステップＳ１３に進む。ステップＳ１３では、補正処理を禁止する処理を行う。具体的には、上記禁止する処理を、後述するステップＳ１８における補正値Δｃｏｒの算出を禁止することで行う。

一方、上記ステップＳ１２において否定判断された場合には、サーミスタ３８の設置箇所の温度が低温領域にないと判断し、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４では、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆ及びサーミスタ３８の検出値Ｖｓを取得する。

続くステップＳ１６では、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに基づき、感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐを算出する。ここで、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに基づき上記中央特性値Ｖｆｔｙｐが算出可能なのは、サーミスタ３８の検出値Ｖｓがスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆを正確に示す情報であることから、サーミスタ３８の検出値Ｖｓ及び感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐを関係付けることが可能であることによる。ちなみに、感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐは、具体的には例えば、サーミスタ３８の検出値Ｖｓを入力として、サーミスタ３８の検出値Ｖｓ及び感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐが関係付けられたマップを用いて算出すればよい。

続くステップＳ１８では、上記ステップＳ１６の処理で算出された感温ダイオードＴｗの検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐを上記ステップＳ１４の処理で取得された感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆで減算した値として補正値Δｃｏｒを算出する。そして、集積回路２０に備えられる記憶手段（例えば不揮発性メモリ）に算出された補正値Δｃｏｒを記憶させることで補正値Δｃｏｒを更新する。

一方、上記ステップＳ１０において否定判断された場合には、スイッチング素子Ｓｗ＃が駆動されていると判断し、ステップＳ２０に進む。ステップＳ２０では、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに補正値Δｃｏｒを加算することで上記検出値Ｖｆを補正する。

なお、ステップＳ１３、Ｓ１８、Ｓ２０の処理が完了した場合には、この一連の処理を一旦終了する。

ちなみに、上記ステップＳ１２において肯定判断されて補正値Δｃｏｒが更新されなかった場合、その後スイッチング素子Ｓｗ＃が駆動されたときに、前回更新された補正値Δｃｏｒを用いて感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正すればよい。

図９に、補正値Δｃｏｒの更新時期の一例を示す。詳しくは、図９（ａ）は、低電圧バッテリ１６から車載機器への給電の有無の推移を示し、図９（ｂ）は、制御装置１４からスイッチング素子Ｓｗ＃に対して出力される駆動信号の推移を示し、図９（ｃ）は、インターフェース１８を介して制御装置１４に入力されるＰＷＭコンパレータ３０の出力信号の推移を示す。

図示される例では、時刻ｔ１において車両の制御システムが起動され、低電圧バッテリ１６から各種車載機器に給電が開始される。そしてその後、制御装置１４にトルク指令値Ｔｒ＊が入力される時刻ｔ２以前の所定のタイミングにおいて補正値Δｃｏｒが更新される。

そして、時刻ｔ２において、制御装置１４からスイッチング素子に対して駆動信号が出力されることで、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動が開始され、また、補正回路３４において感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆが補正される。そして、インターフェース１８を介してＰＷＭコンパレータ３０の出力信号が制御装置１４に入力され始める。

以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。

（１）サーミスタ３８の検出値Ｖｓに基づき感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正する補正処理を行った。このため、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度検出精度の低下を好適に抑制することができる。また、上記補正処理によれば、製品の出荷後においても感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正することができる。このため、例えば、上記特許文献１に記載された技術と比較して、市場において何らかの要因で制御システムに不具合が生じ、車両のディーラーで制御基板２４が交換される事態が生じる場合であっても、上記検出値Ｖｆを補正することもできる。これにより、制御基板２４の交換性の向上が期待できる。

さらに、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動前に自動的に補正値Δｃｏｒを更新するため、例えば、製品の製造工程において、製品個別に感温ダイオードＴｗ＃の検出値の補正を行う工程を廃止することなども期待できる。

（２）感温ダイオードＴｗ＃及びサーミスタ３８を同一の制御基板２４に実装した。このため、サーミスタ３８に代えて、例えば、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出可能であってかつ制御基板２４に実装されない温度センサ（例えば、冷却器４６を流れる冷却流体の温度を検出するセンサ）を補正処理に用いる構成と比較して、温度センサの検出値を補正回路３４に伝達するための部材数を抑制することができる。これにより、補正処理を実行可能とすることに伴う回路規模の増大を抑制することができる。

（３）制御基板２４上の接続部ｓｋｔ付近にサーミスタ３８を設置した。接続部ｓｋｔ付近とスイッチング素子Ｓｗ＃とは近接していることから、サーミスタ３８の設置箇所の温度とスイッチング素子Ｓｗ＃の温度とが略同一となる。すなわち、サーミスタ３８によってスイッチング素子Ｓｗ＃の温度を適切に検出することができる。

（４）サーミスタ３８の検出値Ｖｆが閾値Ｖｔｈ未満であると判断された場合、上記検出値Ｖｆの補正を禁止した。このため、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの補正精度が大きく低下することを回避できる。

（５）感温ダイオードＴｗ＃及びサーミスタ３８が接続されるグランドを同一とした。こうした構成によれば、例えば、サーミスタ３８が接続されるグランドを低電圧システムのグランドとする構成と比較して、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度検出回路の複雑化を回避しつつ、集積回路２０内に感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正する手段（補正回路３４）を備えることができる。このため、集積回路２０において感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの補正を完結することができる。

（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、制御基板２４におけるサーミスタ３８の設置位置を変更する。

図１０に、サーミスタ３８の設置位置を示す。なお、図１０は、先の図４に対応している。

本実施形態では、サーミスタ３８を、制御基板２４の板面の正面視において、制御基板２４の板面のうち接続部ｓｋｔを通ってかつ接続部ｓｋｔと平行な直線上に設置する。こうした設置手法によれば、例えば、制御基板２４の板面のうち対向する接続部ｓｋｔに挟まれた領域にサーミスタ３８を設置する手法と比較して、パワーカードＰＣから放出される熱の影響をサーミスタ３８が受けにくい。このため、先の図７のステップＳ１０において肯定判断される状況下におけるサーミスタ３８の設置箇所の温度と感温ダイオードＴｗ＃の設置箇所の温度とが同一である蓋然性をより高くできる。これにより、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの補正精度を好適に高めることができる。

（第３の実施形態）
以下、第３の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

本実施形態では、サーミスタ３８による温度検出に関する異常を検出する異常検出処理を行う。ここで、上記異常には、サーミスタ３８のショート故障、サーミスタ３８のオープン故障、電源４０からサーミスタ３８を介して接地部位に至る電気経路（サーミスタ３８及び抵抗体４２を除く）の断線、抵抗体４２のショート故障及び抵抗体４２のオープン故障のうち少なくとも１つが含まれる。

図１１に、上記異常検出処理の手順を示す。この処理は、補正回路３４によって例えば所定周期で繰り返し実行される。なお、本実施形態にかかる補正回路３４は、ハードウェアであるため、図１１に示す処理は、実際にはロジック回路によって実行される。

この一連の処理では、まずステップＳ２２において、サーミスタ３８の検出値Ｖｓが「０」よりも高くてかつ電源４０の端子電圧ＶＨよりも低いか否かを判断する。この処理は、サーミスタ３８による温度検出に関する異常が生じているか否かを判断するための処理である。つまり、上記電気経路のうちサーミスタ３８及び抵抗体４２の接続点よりも電源４０側の断線や、サーミスタ３８のオープン故障、更には抵抗体４２のショート故障が生じると、サーミスタ３８の検出値Ｖｓは、温度検出回路の正常時に取り得ない値である「０」となる。一方、サーミスタ３８のショート故障や抵抗体４２のオープン故障が生じると、サーミスタ３８の検出値Ｖｓは、温度検出回路の正常時に取り得ない値である上記端子電圧「ＶＨ」となる。このため、本ステップの処理によって上記異常の有無が判断可能となる。

ステップＳ２２において否定判断された場合には、サーミスタ３８による温度検出に関する異常が生じている旨判断し、ステップＳ２４に進む。ステップＳ２４では、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆの取り得る範囲のうち高温側の境界値「−ａ」を感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに加えることで感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを補正する。この処理は、補正値Δｃｏｒの算出が不可能な状況下におけるフェールセーフのために設けられる。

なお、上記ステップＳ２２において肯定判断された場合や、ステップＳ２４の処理が完了した場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によれば、サーミスタ３８による温度検出に関する異常が生じた場合であっても、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度が実際には高いにもかかわらず、これが過小評価されることを回避できる。

（第４の実施形態）
以下、第４の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。

上記第１の実施形態では、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆとして温度依存性を有しないものを想定した。本実施形態では、図１２に示すように、上記誤差Δｖｆとして温度依存性を有するものを想定している。詳しくは、誤差Δｖｆは、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆの１次式となっている。なお、図１２に示す感温ダイオードＴｗ＃の実際の検出値Ｖαは、あくまでも一例である。

図１３に、本実施形態にかかる補正処理の手順を示す。この処理は、補正回路３４によって例えば所定周期で繰り返し実行される。なお、本実施形態にかかる補正回路３４は、ハードウェアであるため、図１３に示す処理は、実際にはロジック回路によって実行される。また、図１３において、先の図７に示した処理と同一の処理については、便宜上、同一のステップ番号を付している。

この一連の処理では、ステップＳ１２において否定判断された場合には、ステップＳ２６に進み、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動停止直後であるか否かを判断する。そして、ステップＳ２６において肯定判断された場合には、ステップＳ２８に進み、ステップＳ２６において肯定判断されたタイミングからの経過時間が規定時間ＴＡとなるまで待機する。

続くステップＳ３０では、上記規定時間ＴＡが経過したタイミングにおける感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆ１及びサーミスタ３８の検出値Ｖｓ１を取得する。そして、取得されたこれら検出値Ｖｆ１，Ｖｓ１をメモリに記憶させることでこれら検出値Ｖｆ１，Ｖｓ１を更新する。ここで、上記規定時間ＴＡは、図１４に示すように、パワーカードＰＣの温度Ｔｐｃ及びサーミスタ３８の温度Ｔｓｗが同一になる時間（固定時間）に設定されている。なお、図１４は、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動停止後のパワーカード等の温度推移を示す図である。

先の図１３の説明に戻り、続くステップＳ３２では、更新されたサーミスタ３８の検出値Ｖｓ１に基づき、感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐ１を算出する。そして、算出された中央特性値Ｖｆｔｙｐ１をメモリに記憶させることで上記中央特性値Ｖｆｔｙｐ１を更新する。なお、更新されたサーミスタ３８の検出値Ｖｓ１に基づき感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐ１を算出可能な理由は、先の図７のステップＳ１６の処理で説明した理由と同様である。

一方、上記ステップＳ２６において否定判断された場合には、ステップＳ１０に進む。そして、ステップＳ１０においてスイッチング素子Ｓｗ＃の駆動前であると判断された場合には、ステップＳ３４に進む。ステップＳ３４では、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動直前における感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆ２及びサーミスタ３８の検出値Ｖｓ２を取得する。そして、取得されたこれら検出値Ｖｆ２，Ｖｓ２をメモリに記憶させることでこれら検出値Ｖｆ２，Ｖｓ２を更新する。なお、本ステップにおいて取得された上記検出値Ｖｆ２，Ｖｓ２は、先の図１４に示すように、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動が前回停止されてから十分に時間が経過し、パワーカードＰＣ及びサーミスタ３８の設置箇所が熱的に平衡状態となっている状況（時刻ｔ３にて例示）の検出値である。

先の図１３の説明に戻り、続くステップＳ３６では、更新されたサーミスタ３８の検出値Ｖｓ２に基づき感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐ２を算出する。なお、更新されたサーミスタ３８の検出値Ｖｓ２に基づき感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐ２を算出可能な理由は、先の図７のステップＳ１６の処理で説明した理由と同様である。

ステップＳ３２、Ｓ３６の処理が完了した場合、ステップＳ３８に進み、上記ステップＳ３２、Ｓ３６の処理で更新されたデータＶｆ１，Ｖｆ２，Ｖｆｔｙｐ１，Ｖｆｔｙｐ２に基づき、補正値Δｃｏｒを算出し、更新する。本実施形態では、上述したように、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆがスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆの１次式であることから、相違する一対のスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆに対応するこれらデータＶｆ１，Ｖｆ２，Ｖｆｔｙｐ１，Ｖｆｔｙｐ２に基づき、補正値Δｃｏｒを感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆの１次式として算出する。

ステップＳ１３の処理が完了した場合や、上記ステップＳ１０において否定判断された場合には、ステップＳ２０ａに進み、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに基づき補正値Δｃｏｒを算出する。そして、算出された補正値Δｃｏｒを感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに加算することで上記検出値Ｖｆを補正する。

なお、ステップＳ２０ａ、Ｓ３８の処理が完了した場合には、この一連の処理を一旦終了する。

以上説明した本実施形態によれば、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆが温度依存性を有する場合であっても、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを適切に補正することができる。

（その他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。

・パワーカードＰＣ及び制御基板２４の接続手法としては、上記第１の実施形態の図３に示した手法に限らない。例えば、図１５に示すように、制御基板２４とパワーカードＰＣの端子との接続をコネクタ４８を介して行ってもよい。ここで、コネクタ４８は、図中、左側に拡大図にて示すように、導体４８ａを備え、導体４８ａがパワーカードＰＣの端子（図では、カソードＫを例示）との接触面の法線方向に力Ｆを及ぼすものである。こうした構成によれば、ハンダを用いることなくパワーカードＰＣの端子と制御基板２４とを接続することができる。これにより、制御基板２４等に経年劣化が生じる場合における制御基板２４の交換性を高めるとともに、パワーカードＰＣの交換を回避することができる。

・温度検出処理で用いられる「特性情報」としては、パルス信号の時比率Ｄｕｔｙ及び温度検出値が関係付けられたマップに限らず、上記時比率Ｄｕｔｙを独立変数としてかつ温度検出値を従属変数とする数式であってもよい。

・「変調手段」において用いられるキャリアとしては、三角波信号に限らず、例えばのこぎり波信号であってもよい。

また、「変調手段」としては、感温ダイオードの検出値をパルス幅変調するものに限らず、例えば、上記検出値を、スイッチング素子の温度が高いほど周波数が高いパルス信号として出力する周波数変調回路を備えるものであってもよい（特開２００９−１７１３１２号公報参照）。この場合、例えば、上記第１の実施形態において、周波数変調回路から出力されたパルス信号がインターフェース１８を介して制御装置１４に伝達されることとなる。そして、制御装置１４は、パルス信号の特性値であるパルス幅が短いほど、スイッチング素子の温度検出値を高く算出する。ここでは、特性情報として、パルス信号のパルス幅及び温度検出値が関係付けられたマップが用いられる。こうした構成を採用する場合であっても、制御基板２４の交換等によってスイッチング素子Ｓｗ＃の温度検出精度が低下するおそれがあることから、本願発明の適用が有効である。

・上記第４の実施形態において、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆがスイッチング素子Ｓｗ＃の温度Ｔｆの２次式であってもよい。この場合、例えば、サーミスタ３８の設置箇所及び感温ダイオードＴｗ＃の設置箇所の温度が同一であることを条件として、互いに相違する３つの上記設置箇所の温度に対応するサーミスタ３８の検出値Ｖｓ及び感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに基づき、補正値Δｃｏｒを算出してもよい。

・上記第１の実施形態では、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆに含まれる誤差Δｖｆの取り得る範囲のうち高温側の境界値及び低温側の境界値のそれぞれの絶対値同士が同一「ａ」となる感温ダイオードを採用したがこれに限らず、上記絶対値同士が相違する感温ダイオードを採用してもよい。なお、サーミスタ３８についても同様である。

・上記第１の実施形態において、インバータＩＶに備えられる６つのスイッチング素子Ｓｗ＃のそれぞれに対応してＰＷＭコンパレータ３０、キャリア生成回路３６及びＰＷＭコンパレータ３０に接続されたインターフェース１８が備えられていてもよい。この場合、制御装置１４における温度検出処理によって６つのスイッチング素子Ｓｗ＃のそれぞれの温度検出値が算出されることとなる。

・上記第１の実施形態において、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動が停止されてから上記規定時間ＴＡ経過したと判断された場合に補正値Δｃｏｒを算出してもよい。

・「低温判断手段」としては、上記第１の実施形態に例示したものに限らない。例えば、先の図７のステップＳ１２において、サーミスタ３８の検出値Ｖｓに代えて、感温ダイオードＴｗ＃の検出値Ｖｆを用いてもよい。

・補正処理の実行主体としては、補正回路３４に限らず、例えば、制御装置１４であってもよい。この場合、補正回路３４を除去してかつ抵抗体３２の一端をＰＷＭコンパレータ３０の非反転入力端子に接続し、また、サーミスタ３８の検出値を制御装置１４に伝達させる構成（例えば、フォトカプラを備えるインターフェース）を追加すればよい。こうした構成において、制御装置１４によって、サーミスタ３８の検出値に基づき算出されたスイッチング素子Ｓｗ＃の温度と上記温度検出処理によって算出された温度検出値との差を算出し、算出された上記差に基づき温度検出処理で算出された温度検出値を補正すればよい。

・上記第２の実施形態では、制御基板２４の板面の正面視において、接続部ｓｋｔを１行６列にて配置したがこれに限らない。例えば、制御基板２４の板面の正面視において、接続部ｓｋｔを２行３列にて配置してもよい。

・上記各実施形態では、サーミスタを、スイッチング素子Ｓｗ＃の温度を検出する専用のものとしたがこれに限らず、スイッチング素子Ｓｗ＃以外の部材を温度検出対象とするものであってもよい。ここでは、サーミスタがスイッチング素子Ｓｗ＃付近に設置されることを要しない。この場合であっても、スイッチング素子Ｓｗ＃の駆動前においてサーミスタの設置箇所とスイッチング素子Ｓｗ＃の温度とが同一であると考えられることから、サーミスタの検出値に基づき補正値Δｃｏｒを算出することができる。

また、サーミスタとしては、１つに限らず、複数であってもよい。この場合、例えば、上記第１の実施形態の図７のステップＳ１６において、複数のサーミスタの検出値の平均値に基づき感温ダイオードＴｗ＃の検出値の中央特性値Ｖｆｔｙｐを算出してもよい。上記平均値は、サーミスタの単一の検出値と比較して上記中央特性値Ｖｓｔｙｐに近い蓋然性が高くなることから、補正値Δｃｏｒの算出精度の向上が期待できる。

・「第１の温度検出手段」としては、温度検出対象の温度が高いほど、その検出値が小さくなるものに限らず、大きくなるものであってもよい。この場合、上記第３の実施形態の図１１のステップＳ２４において、補正に用いられる上記高温側の境界値は「ａ」となる。

また、「第１の温度検出手段」としては感温ダイオードに限らず、また、「第２の温度検出手段」としてはサーミスタに限らない。要は、第２の温度検出手段の検出値に含まれる誤差の取り得る範囲が第１の温度検出手段の検出値に含まれる誤差の取り得る範囲よりも狭いならば、第１，第２の温度検出手段として他の温度検出手段を採用してもよい。

・感温ダイオードＴｗ＃及びサーミスタ３８が接続されるグランドとしては、同一のものに限らない。例えば、感温ダイオードＴｗ＃を高電圧システムのグランドに接続してかつ、サーミスタ３８を低電圧システムのグランドに接続してもよい。この場合、集積回路２０から補正回路３４を除去してかつ、サーミスタ３８の検出値を制御装置１４に直接取り込む構成などを採用すれば、制御装置１４において補正処理を行うことはできる。

・インターフェース１８としては、フォトカプラ等の光絶縁素子を備えるものに限らず、例えば、磁気絶縁素子（例えばパルストランス）を備えるものであってもよい。

・「第１の領域」及び「第２の領域」としては、上記第１の実施形態に例示したものに限らない。例えば、低電圧システムにおける何らかの温度情報を低電圧システム側から高電圧システム側へと伝達する必要があるなら、低電圧システムを第１の領域とし、高電圧システムを第２の領域としてもよい。

・「所定の温度検出対象」であるスイッチング素子としては、ＩＧＢＴに限らず、例えばパワーＭＯＳ型電界効果トランジスタであってもよい。また、「所定の温度検出対象」としては、インバータＩＶに備えられるスイッチング素子に限らず、さらに、スイッチング素子に限らない。

３４…補正回路、３８…サーミスタ、Ｓｗ＃（＃＝ｐ，ｎ）…スイッチング素子、Ｔｗ＃…感温ダイオード。

Claims (9)

1. 所定の温度検出対象（Ｓｗ＃：＃＝ｐ，ｎ）の温度を検出する第１の温度検出手段（Ｔｗ＃）と、
   前記温度検出対象の温度を検出する第２の温度検出手段（３８）と、
   を備え、
   前記第２の温度検出手段の検出値（Ｖｓ）に含まれる誤差（Δｖｓ）の取り得る範囲（−ｂ〜＋ｂ）は、前記第１の温度検出手段の検出値（Ｖｆ）に含まれる誤差（Δｖｆ）の取り得る範囲（−ａ〜＋ａ）よりも狭く、
   前記第１の温度検出手段の設置箇所の温度及び前記第２の温度検出手段の設置箇所の温度が同一であると想定される状況下の前記第２の温度検出手段の検出値に基づき、前記第１の温度検出手段の検出値を補正する補正手段（３４）を備えることを特徴とする温度検出装置。
2. 前記第１の温度検出手段及び前記第２の温度検出手段は、同一の基板（２４）に実装されていることを特徴とする請求項１記載の温度検出装置。
3. 前記第２の温度検出手段は、前記温度検出対象付近に設置されていることを特徴とする請求項２記載の温度検出装置。
4. 前記第１の温度検出手段及び前記第２の温度検出手段のそれぞれは、同一のグランドに接続されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の温度検出装置。
5. 前記第２の温度検出手段の検出値に含まれる誤差の取り得る範囲は、該第２の温度検出手段の設置箇所の温度が低いほど広くなり、
   前記第２の温度検出手段の設置箇所の温度が低温領域にあるか否かを判断する低温判断手段と、
   前記低温判断手段によって低温領域にあると判断されたことに基づき、前記補正手段による補正を禁止する禁止手段と、
   を更に備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の温度検出装置。
6. 前記第２の温度検出手段による温度検出に関する異常が生じているか否かを判断する異常判断手段を更に備え、
   前記補正手段は、前記異常判断手段によって異常が生じている旨判断されたことに基づき、前記第１の温度検出手段の検出値に含まれる誤差の取り得る範囲のうち高温側の境界値（−ａ）を用いて該第１の温度検出手段の検出値を補正することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の温度検出装置。
7. 前記温度検出対象、前記第１の温度検出手段、前記第２の温度検出手段及び前記補正手段は、第１の領域に備えられ、
   前記第１の領域に備えられてかつ前記第１の温度検出手段の検出値をパルス信号に変調して出力する変調手段（３０、３６）と、
   前記第１の領域とは電気的に絶縁された第２の領域に備えられてかつ、前記変調手段の出力値と、該変調手段の出力値の特性値及び前記温度検出対象の温度が関係付けられた特性情報とに基づき、該温度検出対象の温度を算出する算出手段（１４）と、
   を更に備え、
   前記補正手段は、前記変調手段に入力される前記第１の温度検出手段の検出値を補正することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の温度検出装置。
8. 前記温度検出対象は、スイッチング素子（Ｓｗ＃）であり、
   前記スイッチング素子及び前記第１の温度検出手段は、スイッチングモジュール（ＰＣ）を構成し、
   前記スイッチングモジュールは、その接続端子（Ｋ、Ａ、Ｇ、ＳＥ、ＫＥ）によって基板（２４）上に設けられた接続部（ｓｋｔ）に接続され、
   前記接続部は、前記基板の板面の平面視において、矩形状をなしてかつ、互いに離間して平行に配置されており、
   前記第２の温度検出手段は、前記基板の板面のうち対向する前記接続部によって挟まれた領域以外の領域に設置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の温度検出装置。
9. 前記第２の温度検出手段は、前記基板の板面のうち前記接続部を通ってかつ該接続部と平行な直線上に設置されていることを特徴とする請求項８記載の温度検出装置。

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