JP2014022228A - Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same - Google Patents

Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2014022228A
JP2014022228A JP2012160824A JP2012160824A JP2014022228A JP 2014022228 A JP2014022228 A JP 2014022228A JP 2012160824 A JP2012160824 A JP 2012160824A JP 2012160824 A JP2012160824 A JP 2012160824A JP 2014022228 A JP2014022228 A JP 2014022228A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
oxide superconducting
oxide
protective layer
atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012160824A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shun Kurihara
駿 栗原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2012160824A priority Critical patent/JP2014022228A/en
Publication of JP2014022228A publication Critical patent/JP2014022228A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method of an oxide superconductive conductor in which agglomeration of an Ag atom generated when heating a protective layer can be reduced, and protective performance in an oxide superconduction layer principal plane can be improved; the oxide superconductive conductor; and a superconduction device using the same.SOLUTION: An oxide superconductive conductor 100 includes: a substrate 1; an interlayer 2 and an oxide superconduction layer 3 formed on a principal plane of the substrate 1; a protective layer 4 formed on a principal plane of the oxide superconduction layer 3 and including at least an Ag atom; and a metallic coating layer 5 formed so as to cover a principal plane of the protective layer 4 and including at least an Au atom.

Description

本発明は、酸化物超電導導体および酸化物超電導導体の製造方法並びにそれを用いた超電導機器に関するものである。   The present invention relates to an oxide superconducting conductor, a method for producing an oxide superconducting conductor, and a superconducting device using the same.

近年のエネルギー、環境、資源問題を解決できる高効率、低損失の電気機器の一つに低電流損失の材料として超電導体を用いたケーブル、コイル、モーター、マグネットなどの超電導機器が挙げられる。これらの超電導機器に用いられる超電導体には、例えば、RE−123系(REBaCu(7−x):REはYやGdなどを含む希土類元素)等の酸化物超電導体が知られている。この酸化物超電導体は、液体窒素温度付近で超電導特性を示し、強磁界内でも比較的高い臨界電流密度を維持することができるため、他の超電導体と比べると広範囲に応用できると考えられており、実用上有望な材料として期待されている。 One of the high-efficiency, low-loss electrical devices that can solve energy, environment, and resource problems in recent years includes superconducting devices such as cables, coils, motors, and magnets that use a superconductor as a low-current-loss material. As superconductors used in these superconducting devices, for example, oxide superconductors such as RE-123 series (REBa 2 Cu 3 O (7-x) : RE is a rare earth element including Y and Gd) are known. ing. This oxide superconductor exhibits superconducting properties near the temperature of liquid nitrogen and can maintain a relatively high critical current density even in a strong magnetic field, so it is considered that it can be applied in a wider range than other superconductors. Therefore, it is expected as a promising material for practical use.

ここで、酸化物超電導体を電気機器に使用するためには、酸化物超電導体を線材に加工して、電力供給用の導体あるいは磁気コイル等の酸化物超電導導体として用いるのが一般的である。具体的には、金属製の基材の主面上に中間層を介して酸化物超電導層を形成し、この酸化物超電導層の主面を覆って保護層を形成することで酸化物超電導導体を得ることができる。   Here, in order to use an oxide superconductor for an electric device, it is common to process the oxide superconductor into a wire and use it as a power supply conductor or an oxide superconductor such as a magnetic coil. . Specifically, the oxide superconducting conductor is formed by forming an oxide superconducting layer on the main surface of the metal base material via an intermediate layer and covering the main surface of the oxide superconducting layer to form a protective layer. Can be obtained.

このような酸化物超電導導体の製造方法の一つとして、超電導特性をより一層向上させるため、酸化物超電導層を加熱して、酸化物超電導層に酸素を適切に取り込む方法が提案されている。このため、保護層は、酸素透過率の高い材料として少なくともAgを含む材料を用いる必要がある。また、保護層と酸化物超電導層との界面には接触抵抗が生じるため、この接触抵抗を低減するために酸化物超電導層と保護層の形成後に熱処理を行うことが一般的である。   As one method for producing such an oxide superconducting conductor, a method has been proposed in which the oxide superconducting layer is heated and oxygen is appropriately taken into the oxide superconducting layer in order to further improve the superconducting characteristics. For this reason, the protective layer needs to use a material containing at least Ag as a material having a high oxygen permeability. In addition, since contact resistance is generated at the interface between the protective layer and the oxide superconducting layer, heat treatment is generally performed after the formation of the oxide superconducting layer and the protective layer in order to reduce the contact resistance.

このような酸化物超電導導体としては、例えば特許文献1に記載されているように、テープ状の基材上に中間層を介して酸化物超電導層を形成し、この酸化物超電導層上に、Ag、Ptなどの貴金属またはその合金製の良導電性の下地安定化薄膜を形成するものが一般的に知られている。   As such an oxide superconducting conductor, for example, as described in Patent Document 1, an oxide superconducting layer is formed on a tape-like substrate via an intermediate layer, and on this oxide superconducting layer, It is generally known to form a highly conductive base stabilizing thin film made of a noble metal such as Ag or Pt or an alloy thereof.

特開平07−073758号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-073758

しかし、上記特許文献1に記載の酸化物超電導導体では、保護層と酸化物超電導層の形成後における酸化物超電導導体の熱処理時において問題を有していた。即ち、保護層を加熱すると、図5に示すように、保護層を形成しているAg原子が酸化物超電導層の表面上で局所的に凝集してしまう。即ち、保護層が島状に孤立分散した複数のAg粒子の集合体となってしまう。これにより、酸化物超電導層が露出してしまい、酸化物超電導層の主面を覆っている保護層が酸化物超電導層の主面を十分に覆うことが出来なくなる。その結果、酸化物超電導層の主面の保護が不十分な酸化物超電導導体が形成され、水分や機械的負荷等の外的要因に対する酸化物超電導層主面の保護性能が低下するという問題を有していた。したがって、上記酸化物超電導導体は、酸化物超電導層の主面の保護において改善の余地を有していた。   However, the oxide superconductor described in Patent Document 1 has a problem during heat treatment of the oxide superconductor after the formation of the protective layer and the oxide superconductor layer. That is, when the protective layer is heated, the Ag atoms forming the protective layer are locally aggregated on the surface of the oxide superconducting layer as shown in FIG. That is, the protective layer becomes an aggregate of a plurality of Ag particles isolated and dispersed in an island shape. As a result, the oxide superconducting layer is exposed, and the protective layer covering the main surface of the oxide superconducting layer cannot sufficiently cover the main surface of the oxide superconducting layer. As a result, an oxide superconducting conductor with insufficient protection of the main surface of the oxide superconducting layer is formed, and the protection performance of the oxide superconducting layer main surface against external factors such as moisture and mechanical load is reduced. Had. Therefore, the oxide superconducting conductor has room for improvement in protecting the main surface of the oxide superconducting layer.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、保護層の加熱時に発生するAg原子の凝集を低減でき、酸化物超電導層主面における保護性能を向上することが可能な酸化物超電導導体および酸化物超電導導体の製造方法並びにそれを用いた超電導機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and can reduce aggregation of Ag atoms generated during heating of the protective layer, and can improve the protection performance on the main surface of the oxide superconducting layer. It is another object of the present invention to provide a method for producing an oxide superconducting conductor and a superconducting device using the same.

本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討し、保護層が酸化物超電導層の主面を十分に保護するために、保護層におけるAgの膜厚を増加させることも考えた。すなわち、保護層におけるAgの膜厚が増加すると、Ag原子の数が増加するため、保護層の加熱時に酸化物超電導層表面上において、Ag原子が凝集して元の位置から別の位置に移動しても、元の位置にあったAg原子の位置に別のAg原子が堆積することができる。このため、酸化物超電導層の露出を減らすことが出来ると考えた。しかし、この方法を用いても、結局、Ag原子の凝集を低減することができないため、保護層が酸化物超電導層の主面を十分に覆うことが出来ず、酸化物超電導層の主面の保護が不十分のままとなり、上記課題を十分に解決できないことを見出した。そこで、本発明者は、さらに鋭意研究を重ねた結果、保護層の加熱前に予め、凝集が発生しにくい状態にすることで、上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventor has intensively studied to solve the above problems, and has also considered increasing the thickness of Ag in the protective layer so that the protective layer sufficiently protects the main surface of the oxide superconducting layer. That is, as the thickness of Ag in the protective layer increases, the number of Ag atoms increases, so Ag atoms aggregate on the surface of the oxide superconducting layer during heating of the protective layer and move from the original position to another position. Even so, another Ag atom can be deposited at the position of the Ag atom in the original position. For this reason, it was considered that the exposure of the oxide superconducting layer could be reduced. However, even if this method is used, aggregation of Ag atoms cannot be reduced in the end, so that the protective layer cannot sufficiently cover the main surface of the oxide superconducting layer, and the main surface of the oxide superconducting layer cannot be covered. It has been found that the protection remains inadequate and the above problem cannot be solved sufficiently. Accordingly, as a result of further earnest research, the present inventor has found that the above problems can be solved by preliminarily causing aggregation before heating the protective layer, thereby completing the present invention. It came.

即ち本発明は、基材と、基材の主面上に形成される中間層および酸化物超電導層と、酸化物超電導層の主面上に形成され、少なくともAg原子を含む保護層と、保護層の主面を覆うように形成され、少なくともAu原子を含む金属被覆層と、を有することを特徴とする酸化物超電導導体である。   That is, the present invention relates to a base material, an intermediate layer and an oxide superconducting layer formed on the main surface of the base material, a protective layer formed on the main surface of the oxide superconducting layer and containing at least Ag atoms, An oxide superconducting conductor characterized by having a metal coating layer formed so as to cover the main surface of the layer and containing at least Au atoms.

上記酸化物超電導導体によれば、少なくともAu原子を含む金属被覆層が保護層の主面を覆うように形成されている。保護層中のAg原子と金属被覆層中のAu原子との結合エネルギーが保護層中のAg原子同士の結合エネルギーよりも大きいことから、Ag原子とAu原子との引き合う力が、Ag原子同士の引き合う力よりも大きく働くようになる。これにより、Ag原子とAu原子とがより強固に結合されるため、保護層の加熱時に、保護層と酸化物超電導層との界面におけるAg原子の表面エネルギーを極力小さくしようとAg原子が酸化物超電導層表面上で凝集して局所的に固まるのを防ぐことができる。したがって、保護層が酸化物超電導層の主面を十分に覆うことができるため、酸化物超電導層の露出が極力抑制される。その結果、水分が酸化物超電導層に浸入しにくくなるため、臨界電流特性の劣化を低減することが可能となる。また、酸化物超電導層と保護層との密着性がより向上するため、酸化物超電導層主面に掛かる、落下による衝撃や外部からの機械的負荷を低減することが可能となる。したがって、本発明の酸化物超電導導体によれば、酸化物超電導層主面における保護性能が向上した信頼性のより高い酸化物超電導導体を得ることができる。   According to the oxide superconducting conductor, the metal coating layer containing at least Au atoms is formed so as to cover the main surface of the protective layer. Since the binding energy between Ag atoms in the protective layer and Au atoms in the metal coating layer is larger than the binding energy between Ag atoms in the protective layer, the attractive force between Ag atoms and Au atoms is between Ag atoms. Work more than the power of attraction. As a result, the Ag atoms and the Au atoms are more strongly bonded, so that when the protective layer is heated, the Ag atoms are oxidized to reduce the surface energy of the Ag atoms as much as possible at the interface between the protective layer and the oxide superconducting layer. Aggregation on the surface of the superconducting layer and local solidification can be prevented. Therefore, since the protective layer can sufficiently cover the main surface of the oxide superconducting layer, exposure of the oxide superconducting layer is suppressed as much as possible. As a result, it becomes difficult for moisture to enter the oxide superconducting layer, so that deterioration of critical current characteristics can be reduced. In addition, since the adhesion between the oxide superconducting layer and the protective layer is further improved, it is possible to reduce the impact caused by dropping and the external mechanical load on the main surface of the oxide superconducting layer. Therefore, according to the oxide superconducting conductor of the present invention, it is possible to obtain a highly reliable oxide superconducting conductor with improved protection performance on the main surface of the oxide superconducting layer.

また、本発明に係る超電導機器においては、上記酸化物超電導導体を用いることが好ましい。   In the superconducting device according to the present invention, the oxide superconducting conductor is preferably used.

上記酸化物超電導導体を超電導機器に用いることで、酸化物超電導層の主面が保護層によって十分に覆われた酸化物超電導導体を有する信頼性の高い超電導機器を実現することができる。したがって、水分や機械的負荷等の外的要因に対する超電導機器の保護性能を向上させることが可能となるため、従来よりも高い信頼性を有する超電導機器を実現することが可能となる。   By using the oxide superconducting conductor in a superconducting device, a highly reliable superconducting device having an oxide superconducting conductor in which the main surface of the oxide superconducting layer is sufficiently covered with a protective layer can be realized. Therefore, since the protection performance of the superconducting device against external factors such as moisture and mechanical load can be improved, it is possible to realize a superconducting device having higher reliability than before.

また、本発明は、基材の主面上に中間層を形成する中間層形成工程と、中間層の主面上に酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程と、酸化物超電導層の主面上に少なくともAg原子を含む薄膜を成膜し、保護層を形成する保護層形成工程と、保護層の主面を覆うように少なくともAu原子を含む薄膜を成膜し、金属被覆層を形成する金属被覆層形成工程と、少なくとも酸化物超電導層を加熱する加熱工程と、を含むことを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法である。   The present invention also provides an intermediate layer forming step for forming an intermediate layer on the main surface of the substrate, an oxide superconducting layer forming step for forming an oxide superconducting layer on the main surface of the intermediate layer, and an oxide superconducting layer. A protective layer forming step of forming a thin film containing at least Ag atoms on the main surface of the metal, and forming a protective layer; and forming a thin film containing at least Au atoms so as to cover the main surface of the protective layer; And a heating step of heating at least the oxide superconducting layer.

上記製造方法によれば、保護層を加熱する前に、少なくともAu原子を含む金属被覆層を保護層の主面を覆うように成膜している。保護層中のAg原子と金属被覆層中のAu原子との結合エネルギーが保護層中のAg原子同士の結合エネルギーよりも高いことから、Ag原子とAu原子との引き合う力が、Ag原子同士の引き合う力よりも大きく働くようになる。これにより、Ag原子とAu原子とがより強固に結合するため、保護層を加熱しても、保護層と酸化物超電導層との界面におけるAg原子の表面エネルギーを極力小さくしようとAg原子が酸化物超電導層表面上で凝集して局所的に固まるのを防ぐことができる。したがって、保護層が酸化物超電導層の主面をより十分に覆うことができるため、酸化物超電導層の露出を極力抑制することが可能となる。その結果、水分が酸化物超電導層に浸入しにくくなるため、臨界電流特性の劣化を低減することが可能となる。また、酸化物超電導層と保護層との密着性をより向上できるため、酸化物超電導層主面に掛かる、落下による衝撃や外部からの機械的負荷を低減することが可能となる。したがって、本発明の酸化物超電導導体の製造方法によれば、酸化物超電導層主面に対して、より優れた保護性能を付与することが可能な信頼性の高い酸化物超電導導体を製造することができる。   According to the above manufacturing method, before heating the protective layer, the metal coating layer containing at least Au atoms is formed so as to cover the main surface of the protective layer. Since the binding energy between Ag atoms in the protective layer and Au atoms in the metal coating layer is higher than the binding energy between Ag atoms in the protective layer, the attractive force between Ag atoms and Au atoms is between Ag atoms. Work more than the power of attraction. As a result, Ag atoms and Au atoms are bonded more firmly. Therefore, even if the protective layer is heated, the Ag atoms are oxidized to minimize the surface energy of Ag atoms at the interface between the protective layer and the oxide superconducting layer. Aggregation on the surface of the superconducting layer and local solidification can be prevented. Therefore, since the protective layer can sufficiently cover the main surface of the oxide superconducting layer, exposure of the oxide superconducting layer can be suppressed as much as possible. As a result, it becomes difficult for moisture to enter the oxide superconducting layer, so that deterioration of critical current characteristics can be reduced. In addition, since the adhesion between the oxide superconducting layer and the protective layer can be further improved, it is possible to reduce the impact caused by dropping and the external mechanical load on the main surface of the oxide superconducting layer. Therefore, according to the method for manufacturing an oxide superconducting conductor of the present invention, it is possible to manufacture a highly reliable oxide superconducting conductor capable of imparting better protection performance to the main surface of the oxide superconducting layer. Can do.

また、上記酸化物超電導導体の製造方法においては、金属被覆層形成工程において、少なくともAu原子を含む薄膜を400℃以下の温度で成膜させることが好ましい。   In the method for producing an oxide superconducting conductor, in the metal coating layer forming step, it is preferable to form a thin film containing at least Au atoms at a temperature of 400 ° C. or lower.

この場合、上記範囲を外れた場合に比べて、Ag原子に熱エネルギーが付与されにくくなるため、熱的に活性化されにくくなる。このため、Ag原子の拡散がほとんど起こりにくくなるので、酸化物超電導層表面上においてAg原子が凝集して局所的に固まりにくくなる。したがって、保護層が酸化物超電導層の主面をより一層十分に覆うことができるため、酸化物超電導層の露出をより一層抑制することが可能となる。ここで、400℃よりも低温で成膜すると、Ag原子と同様、Au原子にも熱エネルギーが付与されにくくなるため、Au原子の拡散が起こりにくくなる。したがって、保護層の主面上において、金属被覆層が偏って堆積されるため、金属被覆層が保護層の主面をより十分に覆うことができなくなってしまう。このため、この問題を解決するためには、Ag原子の拡散を起こりにくくさせ、Au原子の拡散を起こりやすくさせる必要がある。したがって、成膜温度範囲は、室温以上400℃以下が好ましく、250℃以上400℃以下がより好ましい。さらに、酸化物超電導層に発生する過電流をより転流しやすくするために、銀や銅のような良導電性の金属よりなる安定化層を保護層の主面上に形成する場合においては、保護層が酸化物超電導層の主面をより十分に覆って形成されているため、保護層の主面上に安定化層をより十分に覆って形成することが可能となる。したがって、保護層と安定化層との密着性がより向上するため、過電流が保護層と安定化層により転流しやすくなるといった、より優れた信頼性を付与することが可能となる。   In this case, compared to a case outside the above range, thermal energy is less likely to be imparted to the Ag atoms, and thus thermal activation is difficult. For this reason, since the diffusion of Ag atoms hardly occurs, Ag atoms aggregate on the surface of the oxide superconducting layer and are not easily solidified locally. Therefore, since the protective layer can more fully cover the main surface of the oxide superconducting layer, exposure of the oxide superconducting layer can be further suppressed. Here, when the film is formed at a temperature lower than 400 ° C., it is difficult to impart thermal energy to Au atoms as in the case of Ag atoms, so that diffusion of Au atoms is difficult to occur. Therefore, since the metal coating layer is deposited unevenly on the main surface of the protective layer, the metal coating layer cannot sufficiently cover the main surface of the protective layer. Therefore, in order to solve this problem, it is necessary to make it difficult for Ag atoms to diffuse and to make Au atoms easily diffuse. Therefore, the film formation temperature range is preferably room temperature to 400 ° C., more preferably 250 ° C. to 400 ° C. Furthermore, in order to more easily commutate the overcurrent generated in the oxide superconducting layer, in the case of forming a stabilizing layer made of a highly conductive metal such as silver or copper on the main surface of the protective layer, Since the protective layer is formed so as to sufficiently cover the main surface of the oxide superconducting layer, the stabilization layer can be formed so as to sufficiently cover the main surface of the protective layer. Accordingly, since the adhesion between the protective layer and the stabilization layer is further improved, it is possible to provide more excellent reliability that overcurrent is easily commutated by the protection layer and the stabilization layer.

本発明によれば、保護層の加熱時に発生するAg原子の凝集を低減でき、酸化物超電導層主面における保護性能を向上することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, aggregation of Ag atom generated at the time of the heating of a protective layer can be reduced, and the protection performance in an oxide superconducting layer main surface can be improved.

本発明に係る酸化物超電導導体を示す断面傾視図である。1 is a cross-sectional perspective view showing an oxide superconducting conductor according to the present invention. 本発明に係る酸化物超電導導体の製造方法を行程順に示す図であり、図2(a)は、基材の主面上に中間層を形成した状態を示す断面図、図2(b)は、中間層の主面上に酸化物超電導層を形成した状態を示す断面図、図2(c)は、酸化物超電導層の主面上に保護層を形成した状態を示す断面図、図2(d)は、保護層の主面を覆う様に金属被覆層を形成した状態を示す断面図である。It is a figure which shows the manufacturing method of the oxide superconductor based on this invention in order of a process, Fig.2 (a) is sectional drawing which shows the state which formed the intermediate | middle layer on the main surface of a base material, FIG.2 (b) is FIG. FIG. 2C is a sectional view showing a state in which an oxide superconducting layer is formed on the main surface of the intermediate layer. FIG. 2C is a sectional view showing a state in which a protective layer is formed on the main surface of the oxide superconducting layer. (D) is sectional drawing which shows the state which formed the metal coating layer so that the main surface of a protective layer might be covered. 本発明に係る酸化物超電導導体の製造方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the oxide superconductor based on this invention. 本発明に係る酸化物超電導導体を400℃の温度で加熱した後における保護層の上面を電子顕微鏡で観察したときの写真図である。It is a photograph figure when the upper surface of the protective layer after heating the oxide superconductor which concerns on this invention at the temperature of 400 degreeC is observed with the electron microscope. 従来の酸化物超電導導体を加熱した後において、Ag原子が凝集した保護層の上面を電子顕微鏡で観察したときの写真図である。It is a photograph figure when the upper surface of the protective layer which Ag atoms aggregated was observed with the electron microscope, after heating the conventional oxide superconductor.

以下、酸化物超電導導体および酸化物超電導導体の製造方法並びにそれを用いた超電導機器の一実施形態を図1〜3に基づいて詳細に説明する。なお、本発明はこのような実施形態に限定されるものではない。また、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。   Hereinafter, an embodiment of an oxide superconducting conductor, a method for producing an oxide superconducting conductor, and a superconducting device using the same will be described in detail with reference to FIGS. Note that the present invention is not limited to such an embodiment. In addition, the drawings used in the following description may show the main part in an enlarged manner for the sake of convenience in order to make the characteristics of the present invention easier to understand. Not necessarily.

図1に示すように、本実施形態の酸化物超電導導体100は、基材1上に、中間層2、酸化物超電導層3、保護層4および金属被覆層5がこの順に積層されて構成されている。   As shown in FIG. 1, an oxide superconducting conductor 100 of this embodiment is configured by laminating an intermediate layer 2, an oxide superconducting layer 3, a protective layer 4 and a metal coating layer 5 in this order on a base material 1. ing.

基材1は、可撓性を有する長尺の超電導導体とするためにテープ状やシート状あるいは薄板状であることが好ましい。また、基材1に用いられる材料は、機械的強度が比較的高く、耐熱性があり、線材に加工することが容易な金属を有しているものが好ましく、例えば、ステンレス鋼、ハステロイ等のニッケル合金等の各種耐熱性金属材料、もしくはこれら各種金属材料上にセラミックスを配した材料などが挙げられる。中でも、市販品であれば、ハステロイ(商品名、米国ヘインズ社製)が好適である。このハステロイの種類には、モリブデン、クロム、鉄、コバルト等の成分量が異なる、ハステロイB、C、G、N、W等が挙げられ、ここではいずれの種類も使用できる。また、基材1の厚さは、目的に応じて適宜調整すれば良く、通常は10〜500μm、好ましくは20〜200μmである。   The substrate 1 is preferably in the form of a tape, a sheet or a thin plate in order to make a long superconducting conductor having flexibility. The material used for the substrate 1 is preferably a material having a relatively high mechanical strength, heat resistance, and a metal that can be easily processed into a wire, such as stainless steel and hastelloy. Examples thereof include various heat-resistant metal materials such as nickel alloys, or materials obtained by arranging ceramics on these various metal materials. Among them, Hastelloy (trade name, manufactured by Haynes, USA) is preferable as a commercial product. This kind of Hastelloy includes Hastelloy B, C, G, N, W, etc., which have different amounts of components such as molybdenum, chromium, iron, cobalt, etc., and any kind can be used here. Moreover, what is necessary is just to adjust the thickness of the base material 1 suitably according to the objective, and is 10-500 micrometers normally, Preferably it is 20-200 micrometers.

中間層2は、拡散防止層、ベッド層、配向層、およびキャップ層がこの順に積層された構造を適用することができる。   As the intermediate layer 2, a structure in which a diffusion prevention layer, a bed layer, an alignment layer, and a cap layer are laminated in this order can be applied.

拡散防止層は、この層よりも上面に他の層を形成する際に加熱処理した結果、基材1や他の層が熱履歴を受ける場合に、基材1の構成元素の一部が拡散し、不純物として酸化物超電導層3側に混入することを抑制する機能を有する。拡散防止層の具体的な構造としては、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、不純物の混入を防止する効果が比較的高いAl、Si、又はGZO(GdZr)等から構成される単層構造あるいは複層構造が望ましい。 As a result of heat treatment when another layer is formed on the upper surface of this layer, the diffusion preventing layer diffuses part of the constituent elements of the substrate 1 when the substrate 1 or other layers receive a thermal history. And it has a function which suppresses mixing into the oxide superconducting layer 3 side as an impurity. The specific structure of the diffusion preventing layer is not particularly limited as long as it can exhibit the above-described function, but Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , or GZO (which has a relatively high effect of preventing contamination of impurities) A single layer structure or a multilayer structure composed of Gd 2 Zr 2 O 7 ) or the like is desirable.

ベッド層は、基材1と酸化物超電導層3との界面における構成元素の反応を抑え、この層よりも上面に設ける層の配向性を向上させるために用いられる。ベッド層の具体的な構造としては、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、耐熱性が高いY、CeO、La、Dy、Er、Eu、Ho、などの希土類酸化物から構成される単層構造あるいは複層構造が望ましい。 The bed layer is used to suppress the reaction of the constituent elements at the interface between the base material 1 and the oxide superconducting layer 3 and improve the orientation of the layer provided on the upper surface than this layer. The specific structure of the bed layer is not particularly limited as long as it can exhibit the above functions, but Y 2 O 3 , CeO 2 , La 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Er 2 O, which have high heat resistance. 3 , a single layer structure or a multilayer structure composed of rare earth oxides such as Eu 2 O 3 and Ho 2 O 3 is desirable.

配向層は、その上に形成されるキャップ層や酸化物超電導層3の結晶配向性を制御したり、基材1の構成元素が酸化物超電導層3へ拡散することを抑制したり、基材1と酸化物超電導層3との熱膨張率や格子定数といった物理的特性の差を緩和したりする機能等を有するものである。配向層の材料には、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、GdZr、MgO、ZrO−Y(YSZ)等の金属酸化物を用いると、後述するイオンビームアシスト蒸着法(以下、IBAD法と呼ぶことがある。)において、結晶配向性の高い層が得られ、キャップ層や酸化物超電導層3の結晶配向性をより良好なものとすることができる為、特に好適である。 The alignment layer controls the crystal orientation of the cap layer and the oxide superconducting layer 3 formed thereon, suppresses the constituent elements of the substrate 1 from diffusing into the oxide superconducting layer 3, 1 and the oxide superconducting layer 3 have a function of relieving a difference in physical characteristics such as a coefficient of thermal expansion and a lattice constant. The material of the alignment layer is not particularly limited as long as it can express the above function, but when a metal oxide such as Gd 2 Zr 2 O 7 , MgO, ZrO 2 —Y 2 O 3 (YSZ) is used, In an ion beam assisted vapor deposition method (hereinafter also referred to as IBAD method) described later, a layer with high crystal orientation is obtained, and the crystal orientation of the cap layer and the oxide superconducting layer 3 is improved. This is particularly suitable.

キャップ層は、酸化物超電導層3の結晶配向性を配向層よりも強く制御したり、酸化物超電導層3を構成する元素の中間層2への拡散や、酸化物超電導層3の積層時に使用するガスと中間層2との反応を抑制したりする機能等を有するものである。キャップ層の材料には、上記機能を発現し得るものであれば特に限定されないが、CeO、Y、Al、Gd、Zr、Ho、Nd、Zr等の金属酸化物が酸化物超電導層3との格子整合性の観点から好適である。そのなかでも、中間層2の配向度よりもさらに配向度の優れた層を得られることから、CeOが特に好適である。ここで、キャップ層にCeOを用いる場合、キャップ層は、Ceの一部が他の金属原子又は金属イオンで置換されたCe−M−O系酸化物を含んでいても良い。 The cap layer is used for controlling the crystal orientation of the oxide superconducting layer 3 more strongly than the orientation layer, diffusing elements constituting the oxide superconducting layer 3 into the intermediate layer 2, or laminating the oxide superconducting layer 3. And a function of suppressing the reaction between the gas to be generated and the intermediate layer 2. The material of the cap layer is not particularly limited as long as it can express the above function, but CeO 2 , Y 2 O 3 , Al 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Zr 2 O 3 , Ho 2 O 3 , Metal oxides such as Nd 2 O 3 and Zr 2 O 3 are preferable from the viewpoint of lattice matching with the oxide superconducting layer 3. Among them, CeO 2 is particularly preferable because a layer having an even higher degree of orientation than that of the intermediate layer 2 can be obtained. Here, when CeO 2 is used for the cap layer, the cap layer may include a Ce—M—O-based oxide in which part of Ce is substituted with another metal atom or metal ion.

酸化物超電導層3は、超電導状態の時に電流を流す機能を有するものである。酸化物超電導層3に用いられる材料には、通常知られている組成の酸化物超電導体からなるものを広く適用することができ、例えば、Y系超電導体、Bi系超電導体などの銅酸化物超電導体などが挙げられる。Y系超電導体の組成は、例えば、REBaCu(7−x)(REはY、La、Nd、Sm、Er、Gd等の希土類元素、xは酸素欠損を表す。)が挙げられ、具体的には、Y123(YBaCu(7−x))、Gd123(GdBaCu(7−x))が挙げられる。Bi系超電導体の組成は、例えば、BiSrCan−1Cu4+2n+δ(nはCuOの層数、δは過剰酸素を表す。)が挙げられる。この銅酸化物超電導体は、母物質が絶縁体であるが、酸素を取り込むことで超電導体となり、超電導特性を示す性質を持っている。ここで、本発明に用いられる酸化物超電導層3の材料は、銅酸化物超電導体であり、以下、特に指定がなければ、酸化物超電導層3に用いる材料を銅酸化物超電導体とする。 The oxide superconducting layer 3 has a function of flowing current when in the superconducting state. The material used for the oxide superconducting layer 3 can be widely applied to an oxide superconductor having a generally known composition, such as a copper oxide such as a Y-based superconductor or a Bi-based superconductor. Examples include superconductors. Examples of the composition of the Y-based superconductor include REBa 2 Cu 3 O (7-x) (RE represents a rare earth element such as Y, La, Nd, Sm, Er, Gd, and x represents oxygen deficiency). Specifically, Y123 (YBa 2 Cu 3 O (7-x) ) and Gd123 (GdBa 2 Cu 3 O (7-x) ) can be mentioned. The composition of the Bi-based superconductor, for example, Bi 2 Sr 2 Ca n- 1 Cu n O 4 + 2n + δ (n is the number of layers of CuO 2, [delta] represents an excess oxygen.) Include. In this copper oxide superconductor, although the base material is an insulator, it becomes a superconductor by taking in oxygen, and has the property of exhibiting superconducting properties. Here, the material of the oxide superconducting layer 3 used in the present invention is a copper oxide superconductor. Unless otherwise specified, the material used for the oxide superconducting layer 3 is a copper oxide superconductor.

保護層4は、事故時に発生する過電流をバイパスしたり、酸化物超電導層3とこの層よりも上面に設ける層との間で起こる化学反応を抑制し、一方の層の元素の一部が他方の層側に侵入して組成がくずれることにより起こる超電導特性が低下するのを防いだりするなどの機能を有するものである。また、酸化物超電導層3に酸素を取り込ませやすくするために、加熱時には酸素を透過しやすくさせる機能も有する。このため、保護層4には、少なくともAgを含む材料が用いられる。また、この材料は、Au、Ptなどの貴金属を含む混合物もしくは合金であってもよく、これらを複数用いてもよい。なお、本発明に用いられる保護層4の材料はAgであり、以下、特に指定がなければ、保護層4に用いる材料をAgとする。   The protective layer 4 bypasses an overcurrent generated at the time of an accident, or suppresses a chemical reaction occurring between the oxide superconducting layer 3 and a layer provided on the upper surface of this layer. It has a function of preventing deterioration of superconducting characteristics caused by entering the other layer and breaking the composition. Moreover, in order to make it easy to take in oxygen to the oxide superconducting layer 3, it has the function to make oxygen permeate | transmit easily at the time of a heating. For this reason, the protective layer 4 is made of a material containing at least Ag. The material may be a mixture or alloy containing a noble metal such as Au or Pt, or a plurality of these may be used. Note that the material of the protective layer 4 used in the present invention is Ag, and hereinafter, the material used for the protective layer 4 is Ag unless otherwise specified.

金属被覆層5は、保護層4の加熱時に、保護層4に含まれているAg原子が酸化物超電導層3の表面上で凝集して局所的に固まって島状に孤立分散した複数のAg粒子の集合体となることを抑制し、酸化物超電導層3が露出するのを防ぐために保護層4の主面を覆うように形成されている。このようなAg原子の凝集を防ぐためには、Ag原子と金属被覆層5の原子との引き合う力が、Ag原子同士の引き合う力よりも大きく働くようになればよく、具体的には、保護層4のAg原子と金属被覆層5の原子との結合エネルギーが保護層4のAg原子同士の結合エネルギーよりも大きくなればよい。したがって、金属被覆層5には、少なくともAuを含む材料が用いられる。また、この材料は、Pt、Alなどの材料を含む混合物もしくは合金であってもよく、これらを複数用いてもよい。
金属被覆層5の膜厚は、通常、10nm以上、2000nm以下の範囲を選択できるが、Ag原子の凝集を抑制できる効果を得ること、膜厚を大きくし過ぎるとAuが高価であるため生産コストの面で不利になるという理由から、10nm以上、100nm以下の膜厚を選択することが好ましく、10nm以上、30nm以下の範囲を選択することがより好ましい。
また、酸化物超電導層3、保護層4、および金属被覆層5間の界面抵抗値は、酸化物超電導導体100が焼損しないよう、事故時に発生する過電流をより適切にバイパスさせるために、10−8cm以下であることが好ましい。なお、本発明に用いられる金属被覆層5の材料はAuであり、以下、特に指定がなければ、金属被覆層5に用いる材料をAuとする。
When the protective layer 4 is heated, the metal coating layer 5 includes a plurality of Ag atoms in which Ag atoms contained in the protective layer 4 aggregate on the surface of the oxide superconducting layer 3 and locally solidify and disperse in an island shape. In order to suppress the aggregation of particles and prevent the oxide superconducting layer 3 from being exposed, it is formed so as to cover the main surface of the protective layer 4. In order to prevent such agglomeration of Ag atoms, the attracting force between the Ag atoms and the atoms of the metal coating layer 5 only needs to be greater than the attracting force between the Ag atoms. The bond energy between the 4 Ag atoms and the atom of the metal coating layer 5 may be larger than the bond energy between the Ag atoms in the protective layer 4. Therefore, a material containing at least Au is used for the metal coating layer 5. Further, this material may be a mixture or alloy containing materials such as Pt and Al, and a plurality of these may be used.
The film thickness of the metal coating layer 5 can usually be selected in the range of 10 nm or more and 2000 nm or less, but the effect of suppressing the aggregation of Ag atoms can be obtained, and if the film thickness is made too large, the production cost is high because Au is expensive. Therefore, it is preferable to select a film thickness of 10 nm or more and 100 nm or less, and it is more preferable to select a range of 10 nm or more and 30 nm or less.
Further, the interface resistance value between the oxide superconducting layer 3, the protective layer 4, and the metal coating layer 5 is 10 in order to more appropriately bypass the overcurrent generated at the time of an accident so that the oxide superconducting conductor 100 is not burned. It is preferably −8 cm 2 or less. In addition, the material of the metal coating layer 5 used in the present invention is Au. Hereinafter, unless otherwise specified, the material used for the metal coating layer 5 is Au.

なお、必要に応じて、酸化物超電導導体100の構造は、金属被覆層5の主面上に安定化層(図示せず)を形成した構造を採用してもよい。安定化層の用途は、酸化物超電導導体100の用途により異なる。例えば、超電導ケーブルや超電導モーターなどに使用する場合は、クエンチが起こり常電導状態に転移した時に発生する過電流を転流させるバイパスのメイン部として用いられる。このとき、安定化層に用いられる材料は、銅、Cu−Zn合金(黄銅)、Cu−Ni合金等の銅合金、アルミ、アルミ合金、ステンレス等の比較的安価な材質からなるものを用いることが好ましく、中でも高い導電性を有し、安価であることから銅を用いることがより好ましい。また、超電導限流器に使用する場合、安定化層は、クエンチが起こり常電導状態に転移した時に発生する過電流を瞬時に抑制するために用いられる。このとき、安定化層に用いられる材料は、例えば、Ni−Cr等のNi系合金等の高抵抗金属が挙げられる。安定化層の構造は、他の層と同様に層構造や、酸化物超電導導体100の保護層4側から酸化物超電導導体100の外形に沿って折り曲げ、酸化物超電導導体100の両側面及び基材1の裏面を覆ったC型構造などが用いられる。ここで、C型構造にすることで、酸化物超電導層3の側面を比較的安定に覆うことができるため、酸化物超電導導体100の耐水性を向上することが可能となる。   If necessary, the oxide superconducting conductor 100 may have a structure in which a stabilization layer (not shown) is formed on the main surface of the metal coating layer 5. The use of the stabilization layer varies depending on the use of the oxide superconductor 100. For example, when used for a superconducting cable, a superconducting motor, etc., it is used as a main part of a bypass that commutates an overcurrent generated when a quench occurs and a transition to a normal conducting state occurs. At this time, the material used for the stabilization layer should be made of a relatively inexpensive material such as copper, a Cu-Zn alloy (brass), a Cu alloy such as a Cu-Ni alloy, aluminum, an aluminum alloy, or stainless steel. Of these, copper is more preferable because it has high conductivity and is inexpensive. In addition, when used in a superconducting fault current limiter, the stabilization layer is used to instantaneously suppress an overcurrent that occurs when quenching occurs and transitions to a normal conducting state. At this time, examples of the material used for the stabilization layer include high resistance metals such as Ni-based alloys such as Ni-Cr. The structure of the stabilization layer is the same as that of the other layers. The stabilization layer is bent along the outer shape of the oxide superconducting conductor 100 from the protective layer 4 side of the oxide superconducting conductor 100. A C-type structure covering the back surface of the material 1 is used. Here, with the C-type structure, the side surface of the oxide superconducting layer 3 can be covered relatively stably, so that the water resistance of the oxide superconducting conductor 100 can be improved.

また、必要に応じて、酸化物超電導導体100の構造は、基材1、中間層2、酸化物超電導層3、保護層4、金属被覆層5および安定化層が積層された積層体の全周を覆うようにテープ状、シート状、もしくは薄板状の絶縁被覆層(図示せず)が形成された構造を採用してもよい。絶縁被覆層は、外部との絶縁を図り、酸化物超電導導体100を補強する機能を有する。絶縁被覆層に用いられる材料は、絶縁性材料であれば特に限定されないが、例えば、ポリイミド等が挙げられる。   If necessary, the structure of the oxide superconducting conductor 100 is such that the base material 1, the intermediate layer 2, the oxide superconducting layer 3, the protective layer 4, the metal coating layer 5 and the stabilization layer are all laminated. A structure in which a tape-like, sheet-like, or thin plate-like insulating coating layer (not shown) is formed so as to cover the periphery may be adopted. The insulating coating layer has a function of reinforcing the oxide superconducting conductor 100 by providing insulation from the outside. The material used for the insulating coating layer is not particularly limited as long as it is an insulating material, and examples thereof include polyimide.

次に、図1〜図3を参照して本発明に係る酸化物超電導導体100の製造方法について説明する。ここで、図2は、本発明に係る酸化物超電導導体100の製造方法を行程順に示す図であり、図3は、本発明に係る酸化物超電導導体100の製造方法を示すフロー図である。   Next, with reference to FIGS. 1-3, the manufacturing method of the oxide superconductor 100 which concerns on this invention is demonstrated. Here, FIG. 2 is a diagram showing the manufacturing method of the oxide superconducting conductor 100 according to the present invention in the order of steps, and FIG. 3 is a flowchart showing the manufacturing method of the oxide superconducting conductor 100 according to the present invention.

まず、図2(a)に示すように、テープ状の基材1の一方の面上に、拡散防止層、ベッド層、配向層、およびキャップ層をこの順に積層して中間層2を形成する(ステップ1(ここでは、図3のS1をステップ1と読み替える。以下、同様に読み替える場合がある。))。   First, as shown in FIG. 2A, an intermediate layer 2 is formed by laminating a diffusion prevention layer, a bed layer, an orientation layer, and a cap layer in this order on one surface of a tape-like substrate 1. (Step 1 (Here, S1 in FIG. 3 is replaced with Step 1. Hereinafter, it may be replaced in the same manner.)).

拡散防止層は、結晶性が特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成することができる。また、層の膜厚は通常10〜400nmであればよい。ここで、拡散防止層の膜厚が10nm未満とすると、拡散防止層のみでは基材1の構成元素の拡散を十分に防止できなくなるおそれがある。一方、拡散防止層の膜厚が400nmを超えると、拡散防止層の内部応力が増大し、これにより、他の層を含めて全体が基材1から剥離しやすくなるおそれがある。   Since the diffusion preventing layer is not particularly limited in crystallinity, it can be formed by a film forming method such as a normal sputtering method. Moreover, the film thickness of a layer should just be 10-400 nm normally. Here, if the film thickness of the diffusion preventing layer is less than 10 nm, there is a possibility that the diffusion of the constituent elements of the substrate 1 cannot be sufficiently prevented only by the diffusion preventing layer. On the other hand, when the film thickness of the diffusion preventing layer exceeds 400 nm, the internal stress of the diffusion preventing layer increases, which may cause the whole including the other layers to easily peel from the substrate 1.

ベッド層は、拡散防止層と同様に結晶性が特に問われないので、通常のスパッタ法等の成膜法により形成できる。また、層の膜厚は通常10〜100nmであればよい。また、拡散防止層とベッド層は必ずしも両方用いる必要はなく、これらの層のうち少なくとも1層を用いた構造になればよく、場合によっては両方の層を略しても良い。拡散防止層とベッド層の両方の層を略する場合は、基材1上に直接、以下に説明する配向層が形成される。   The bed layer can be formed by a film forming method such as a normal sputtering method because crystallinity is not particularly limited as in the case of the diffusion preventing layer. Moreover, the film thickness of a layer should just be 10-100 nm normally. In addition, it is not always necessary to use both the diffusion preventing layer and the bed layer, and it is sufficient that a structure using at least one of these layers is used. In some cases, both layers may be omitted. When omitting both the diffusion preventing layer and the bed layer, an alignment layer described below is formed directly on the substrate 1.

配向層の形成には、真空蒸着法、レーザ蒸着法、IBAD法等、数多く存在するが、超電導層3やキャップ層の結晶配向性をより高く制御できることから、IBAD法を用いることが好ましい。ここで、IBAD法とは、蒸着時に、結晶の蒸着面に対して所定の角度でArなどのイオンビームを照射することにより、結晶軸を配向させる方法である。また、配向層は、前述した材料を一つ用いて単層構造を形成しても良いし、複数用いて複層構造を形成しても良い。   There are many methods for forming the alignment layer, such as a vacuum deposition method, a laser deposition method, and an IBAD method, but it is preferable to use the IBAD method because the crystal orientation of the superconducting layer 3 and the cap layer can be controlled to be higher. Here, the IBAD method is a method of orienting crystal axes by irradiating an ion beam such as Ar at a predetermined angle with respect to a crystal deposition surface during deposition. In addition, the alignment layer may have a single layer structure using one of the materials described above, or a plurality of layers may have a multilayer structure.

キャップ層の形成には、CeOを用いる場合、パルスレーザ蒸着法(以下、PLD法と呼ぶことがある。)、スパッタリング法等で成膜することができるが、大きな成膜速度を得られる点でPLD法を用いることが好ましい。また、キャップ層の膜厚は、50nm以上であればよいが、十分な配向性を得るには100nm以上が好ましい。但し、厚すぎると結晶配向性が悪くなるので、好ましくは50〜5000nm、より好ましくは100〜5000nmの範囲である。 For the formation of the cap layer, when CeO 2 is used, the film can be formed by a pulse laser deposition method (hereinafter sometimes referred to as a PLD method), a sputtering method, or the like, but a high film formation rate can be obtained. It is preferable to use the PLD method. Moreover, the film thickness of a cap layer should just be 50 nm or more, However 100 nm or more is preferable in order to acquire sufficient orientation. However, since crystal orientation will worsen when too thick, Preferably it is the range of 50-5000 nm, More preferably, it is the range of 100-5000 nm.

次に、図2(b)に示すように、中間層2の主面上に、酸化物超電導層3を形成する(ステップ2)。酸化物超電導層3の形成には、スパッタ法、真空蒸着法、レーザ蒸着法、PLD法もしくは電子ビーム蒸着法等の物理的蒸着法、化学気相成長法(CVD法)、もしくは、塗布熱分解法(MOD法)等の化学的蒸着法を用いることができるが、なかでもレーザ蒸着法が好ましい。一般的に、酸化物超電導層3に用いられる銅酸化物超電導体は、結晶構造中において、銅と酸素からなる2次元のCuO平面を持っている。ここで、このCuO平面に超電導電流が流れるためには、CuO平面がつながるようにc軸配向した膜を形成する必要がある。したがって、このような膜を形成するには、成膜時における基材1の表面温度を800℃前後の範囲に設定する必要がある。この範囲よりも低温であると、a軸配向した膜が形成されてしまい、超電導電流のパスが途切れてしまう。また、この範囲よりも高温であると、膜そのものが形成できなくなってしまう。また、酸化物超電導層3の膜厚は、500〜5000nm程度であって、均一な厚さであることが好ましい。 Next, as shown in FIG. 2B, the oxide superconducting layer 3 is formed on the main surface of the intermediate layer 2 (step 2). The oxide superconducting layer 3 can be formed by sputtering, vacuum vapor deposition, laser vapor deposition, physical vapor deposition such as PLD or electron beam vapor deposition, chemical vapor deposition (CVD), or coating pyrolysis. A chemical vapor deposition method such as the MOD method (MOD method) can be used, and the laser vapor deposition method is particularly preferable. Generally, the copper oxide superconductor used for the oxide superconducting layer 3 has a two-dimensional CuO 2 plane composed of copper and oxygen in the crystal structure. Here, in order for the superconducting current to flow in this CuO 2 plane, it is necessary to form a c-axis oriented film so that the CuO 2 plane is connected. Therefore, in order to form such a film, it is necessary to set the surface temperature of the substrate 1 at the time of film formation in a range of around 800 ° C. If the temperature is lower than this range, an a-axis oriented film is formed and the path of the superconducting current is interrupted. If the temperature is higher than this range, the film itself cannot be formed. The oxide superconducting layer 3 has a film thickness of about 500 to 5000 nm and preferably a uniform thickness.

続いて、図2(c)に示すように、酸化物超電導層3の主面上に少なくともAg原子を含む薄膜を成膜し、保護層4を形成する(ステップ3)。保護層4は、公知の方法で形成することができるが、なかでもDCスパッタ装置、RFスパッタ装置などの成膜装置を用いたスパッタ法で成膜することが好ましい。また、保護層4の膜厚は、通常は1〜30μmであればよい。   Subsequently, as shown in FIG. 2C, a thin film containing at least Ag atoms is formed on the main surface of the oxide superconducting layer 3 to form the protective layer 4 (step 3). The protective layer 4 can be formed by a known method, but it is preferable to form the protective layer 4 by a sputtering method using a film forming apparatus such as a DC sputtering apparatus or an RF sputtering apparatus. Moreover, the film thickness of the protective layer 4 should just be normally 1-30 micrometers.

次に、図2(d)に示すように、保護層4の主面を覆う様に少なくともAu原子を含む薄膜を成膜し、金属被覆層5を形成する(ステップ4)。ここで、金属被覆層5は、公知の方法で形成することができるが、なかでもDCスパッタ装置、RFスパッタ装置などの成膜装置を用いたスパッタ法で形成することが好ましい。また、金属被覆層5の膜厚は、通常は10〜2000nmであればよい。成膜温度は、400℃を超えると、保護層4のAg原子が凝集しやすくなるため、Ag原子が局所的に固まって酸化物超電導層3が露出しやすくなるおそれがある。また、成膜温度は、室温を下回ると、Au原子が十分に拡散しなくなり、保護層4を十分に覆うことができなくなるおそれがある。したがって、室温以上400℃以下で成膜するのが好ましい。   Next, as shown in FIG. 2D, a thin film containing at least Au atoms is formed so as to cover the main surface of the protective layer 4 to form the metal coating layer 5 (step 4). Here, although the metal coating layer 5 can be formed by a known method, it is preferably formed by a sputtering method using a film forming apparatus such as a DC sputtering apparatus or an RF sputtering apparatus. Moreover, the film thickness of the metal coating layer 5 should just be 10-2000 nm normally. When the film forming temperature exceeds 400 ° C., Ag atoms in the protective layer 4 are likely to aggregate, and therefore, the Ag atoms may be locally solidified to easily expose the oxide superconducting layer 3. On the other hand, if the film formation temperature is lower than room temperature, Au atoms are not sufficiently diffused and the protective layer 4 may not be sufficiently covered. Therefore, it is preferable to form a film at room temperature or higher and 400 ° C. or lower.

次に、加熱炉(図示せず)で酸化物超電導層3を加熱する(ステップ5)。ここで、酸化物超電導層3は、母物質が絶縁体であるため、そのままでは超電導特性を示さない。このため、酸化物超電導層3に酸素を供給してキャリアを注入することで、絶縁体は金属に転移して超電導体となり、超電導特性を示すようになる。したがって、加熱条件として、加熱炉内の雰囲気は、酸素ガスを含む雰囲気とすることが好ましい。また、酸化物超電導層3を形成して加熱した後に保護層4を形成すると、酸化物超電導層3と保護層4との界面に比較的大きな接触電気抵抗が生じる。さらに、保護層4を形成した後に、金属被覆層5を形成せずに酸化物超電導層3を加熱すると、保護層4のAg原子が凝集してしまう。したがって、これらの問題を解決するために、酸化物超電導層3の加熱は、保護層4および金属被覆層5の形成後に行う必要がある。また、加熱温度は、凝集をより適切に防止するため、250〜450℃とすることが好ましい。ここで、酸化物超電導層3に取り込む酸素量をより適切に調整すると、臨界電流特性などの超電導特性がより一層向上するようになる。したがって、取り込む酸素量をより適切な量にするために、加熱時間は、5〜10時間とすることが好ましい。これにより、加熱炉雰囲気中の酸素を保護層4および金属被覆層5を介して適切に酸化物超電導層3に供給することが可能となる。   Next, the oxide superconducting layer 3 is heated in a heating furnace (not shown) (step 5). Here, since the base material of the oxide superconducting layer 3 is an insulator, the oxide superconducting layer 3 does not exhibit superconducting characteristics as it is. For this reason, by supplying oxygen to the oxide superconducting layer 3 and injecting carriers, the insulator changes to a metal and becomes a superconductor, and exhibits superconducting characteristics. Therefore, as a heating condition, the atmosphere in the heating furnace is preferably an atmosphere containing oxygen gas. In addition, when the protective layer 4 is formed after the oxide superconducting layer 3 is formed and heated, a relatively large contact electric resistance is generated at the interface between the oxide superconducting layer 3 and the protective layer 4. Furthermore, if the oxide superconducting layer 3 is heated without forming the metal coating layer 5 after forming the protective layer 4, Ag atoms in the protective layer 4 aggregate. Therefore, in order to solve these problems, it is necessary to heat the oxide superconducting layer 3 after the formation of the protective layer 4 and the metal coating layer 5. The heating temperature is preferably 250 to 450 ° C. in order to prevent aggregation more appropriately. Here, when the amount of oxygen taken into the oxide superconducting layer 3 is adjusted more appropriately, the superconducting characteristics such as critical current characteristics are further improved. Therefore, in order to make the amount of oxygen taken in more appropriate, the heating time is preferably 5 to 10 hours. Thereby, oxygen in the heating furnace atmosphere can be appropriately supplied to the oxide superconducting layer 3 through the protective layer 4 and the metal coating layer 5.

次に、必要に応じて、金属被覆層5の主面上に安定化層を形成してもよい。ここで、安定化層は、公知の方法であれば、特に限定されないが、半田を用いて直接貼り合わせる方法やスパッタ法や蒸着法などで形成することが好ましい。また、安定化層の膜厚は、特に限定されず、適宜調整可能であるが、10〜300μmとすることが好ましい。   Next, you may form a stabilization layer on the main surface of the metal coating layer 5 as needed. Here, the stabilization layer is not particularly limited as long as it is a known method, but is preferably formed by a method of directly bonding using a solder, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. The thickness of the stabilizing layer is not particularly limited and can be adjusted as appropriate, but is preferably 10 to 300 μm.

また、必要に応じて、基材1、中間層2、酸化物超電導層3、保護層4、金属被覆層5および安定化層の各層が積層された積層体の全周をテープ状、シート状、もしくは薄板状の絶縁被覆層で覆ってもよい。ここで、絶縁被覆層の被覆方法は、公知の方法であれば、特に限定されないが、回転機により積層体を覆うように巻回することが好ましい。このようにして、絶縁被覆層を設けることで、外部との絶縁を図り、酸化物超電導導体100を補強することができる。   If necessary, the entire circumference of the laminate in which the base material 1, the intermediate layer 2, the oxide superconducting layer 3, the protective layer 4, the metal coating layer 5, and the stabilizing layer are laminated is formed in a tape shape or a sheet shape. Alternatively, it may be covered with a thin insulating coating layer. Here, the coating method of the insulating coating layer is not particularly limited as long as it is a known method, but it is preferable to wind the laminated body so as to cover the laminated body with a rotating machine. Thus, by providing the insulating coating layer, insulation from the outside can be achieved and the oxide superconducting conductor 100 can be reinforced.

以上の工程により、図1に示すように基材1、中間層2、酸化物超電導層3、保護層4および金属被覆層5を備える酸化物超電導導体100を作製することができる。   Through the above steps, an oxide superconducting conductor 100 including a base material 1, an intermediate layer 2, an oxide superconducting layer 3, a protective layer 4 and a metal coating layer 5 can be produced as shown in FIG.

上記のようにして酸化物超電導導体100を製造すると、少なくともAu原子を含む金属被覆層5が保護層4の主面を覆うように形成されているため、保護層4の加熱時に、Ag原子が酸化物超電導層3表面上で凝集して局所的に固まるのを防ぐことができる。したがって、保護層をAg粒子の孤立分散した集合体層としてしまうことがなく、保護層4が酸化物超電導層3の主面を十分に覆うことができるため、酸化物超電導層3の露出が極力抑制される。その結果、水分が酸化物超電導層3に浸入しにくくなるため、臨界電流特性の劣化を低減することが可能となる。また、酸化物超電導層3と保護層4との密着性がより向上するため、酸化物超電導層3主面に掛かる、落下による衝撃や外部からの機械的負荷を低減することが可能となる。したがって、本発明の酸化物超電導導体100によれば、酸化物超電導層3主面における保護性能が向上した信頼性のより高い酸化物超電導導体100を得ることができる。   When the oxide superconducting conductor 100 is manufactured as described above, the metal coating layer 5 containing at least Au atoms is formed so as to cover the main surface of the protective layer 4. Aggregation on the surface of the oxide superconducting layer 3 and local solidification can be prevented. Therefore, the protective layer does not become an aggregate layer in which Ag particles are isolated and dispersed, and the protective layer 4 can sufficiently cover the main surface of the oxide superconducting layer 3, so that the oxide superconducting layer 3 is exposed as much as possible. It is suppressed. As a result, it becomes difficult for moisture to enter the oxide superconducting layer 3, so that it is possible to reduce deterioration of the critical current characteristics. In addition, since the adhesion between the oxide superconducting layer 3 and the protective layer 4 is further improved, it is possible to reduce the impact caused by dropping and the external mechanical load on the main surface of the oxide superconducting layer 3. Therefore, according to the oxide superconducting conductor 100 of the present invention, it is possible to obtain the oxide superconducting conductor 100 having higher reliability with improved protection performance on the main surface of the oxide superconducting layer 3.

また、上記のようにして得られた酸化物超電導導体100を超電導機器に用いることで、酸化物超電導層3の主面が保護層4によって十分に覆われた酸化物超電導導体100を有する信頼性の高い超電導機器を実現することができる。したがって、水分や機械的負荷等の外的要因に対する超電導機器の保護性能を向上させることが可能となるため、従来よりも高い信頼性を有する超電導機器を実現することが可能となる。ここで、超電導機器は、上記酸化物超電導導体100を有するものであれば特に限定されず、例えば、超電導ケーブル、超電導コイル、超電導変圧器、超電導限流器、超電導電力貯蔵装置などが挙げられる。   Further, by using the oxide superconducting conductor 100 obtained as described above for a superconducting device, the reliability including the oxide superconducting conductor 100 in which the main surface of the oxide superconducting layer 3 is sufficiently covered with the protective layer 4 is provided. High superconducting equipment can be realized. Therefore, since the protection performance of the superconducting device against external factors such as moisture and mechanical load can be improved, it is possible to realize a superconducting device having higher reliability than before. Here, the superconducting device is not particularly limited as long as it has the oxide superconducting conductor 100, and examples thereof include a superconducting cable, a superconducting coil, a superconducting transformer, a superconducting current limiter, and a superconducting power storage device.

以下、本発明の内容を、実施例を挙げてより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the content of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
ハステロイ(商品名ハステロイC−276、米国ヘインズ社製)からなる幅10mm、厚さ0.1mm、長さ2000mmのテープ状の基材本体を用意し、Al砥粒により、表面粗さRaが4〜5nmとなるまで研磨した後、アルコール及び有機溶剤によって洗浄した。
Example 1
A tape-shaped substrate body having a width of 10 mm, a thickness of 0.1 mm, and a length of 2000 mm made of Hastelloy (trade name Hastelloy C-276, manufactured by Haynes, USA) is prepared, and the surface roughness is obtained with Al 2 O 3 abrasive grains. After polishing to Ra of 4 to 5 nm, the substrate was washed with alcohol and an organic solvent.

次に、以下の形成条件により、テープ状の基材の上に、拡散防止層、ベッド層、配向層、およびキャップ層をこの順に積層して中間層を形成した。以下に詳細を述べる。   Next, an intermediate layer was formed by laminating a diffusion prevention layer, a bed layer, an alignment layer, and a cap layer in this order on a tape-like substrate under the following formation conditions. Details are described below.

次に、イオンビームスパッタ法により、テープ状の基材の上にAlの拡散防止層を積層した。ここで、層の膜厚は80nmであった。 Next, a diffusion preventing layer of Al 2 O 3 was laminated on the tape-shaped substrate by ion beam sputtering. Here, the thickness of the layer was 80 nm.

次に、イオンビームスパッタ法により、拡散防止層の上にYのベッド層を積層した。ここで、層の膜厚は30nmであった。 Next, a bed layer of Y 2 O 3 was laminated on the diffusion prevention layer by ion beam sputtering. Here, the film thickness of the layer was 30 nm.

次に、IBAD法により、ベッド層の上にMgOの配向層を積層した。ここで、層の膜厚は10nmであった。   Next, an MgO alignment layer was laminated on the bed layer by the IBAD method. Here, the film thickness of the layer was 10 nm.

次に、PLD法により、配向層の上にCeOのキャップ層を積層して、中間層を形成した。ここで、層の膜厚は300nmであった。 Next, a CeO 2 cap layer was laminated on the alignment layer by the PLD method to form an intermediate layer. Here, the film thickness of the layer was 300 nm.

以上の方法により、テープ状の基材の上に、中間層を形成した。   By the above method, the intermediate layer was formed on the tape-shaped substrate.

次に、PLD法により、中間層の上にGdBaCu7−xの酸化物超電導層を形成した。ここで、層の膜厚は1μmであった。 Next, an oxide superconducting layer of GdBa 2 Cu 3 O 7-x was formed on the intermediate layer by the PLD method. Here, the film thickness of the layer was 1 μm.

次に、DCスパッタ法により、酸化物超電導層の上にAgの保護層を成膜した。ここで、層の膜厚は300nmであった。   Next, an Ag protective layer was formed on the oxide superconducting layer by DC sputtering. Here, the film thickness of the layer was 300 nm.

その後、DCスパッタ法により、保護層の上にAuの金属被覆層を400℃で成膜した。ここで、層の膜厚は100nmであった。このとき、図4に示すように、金属被覆層の成膜中に400℃で保護層を加熱しても、Ag原子の凝集がほとんど見られなかった。   Thereafter, a metal coating layer of Au was formed on the protective layer at 400 ° C. by DC sputtering. Here, the thickness of the layer was 100 nm. At this time, as shown in FIG. 4, even when the protective layer was heated at 400 ° C. during the formation of the metal coating layer, Ag atoms were hardly aggregated.

そして、各層が形成された積層体を、500℃で10時間、加熱炉内で酸素アニールし、加熱炉雰囲気中の酸素を保護層および金属被覆層を介して、酸化物超電導層に供給した。その後、26時間、炉内で冷却した後、炉内から取り出し、酸化物超電導導体を得た。   And the laminated body in which each layer was formed was oxygen-annealed in a heating furnace at 500 ° C. for 10 hours, and oxygen in the heating furnace atmosphere was supplied to the oxide superconducting layer through the protective layer and the metal coating layer. Then, after cooling in the furnace for 26 hours, it was taken out from the furnace to obtain an oxide superconducting conductor.

(実施例2)
実施例1で形成した金属被覆層の膜厚を、実施例2では30nmにしたこと以外は実施例1と同様の方法で酸化物超電導導体を作製した。
(Example 2)
An oxide superconducting conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the metal coating layer formed in Example 1 was 30 nm in Example 2.

(比較例1)
Agの安定化層の上に金属被覆層を形成しないこと以外は実施例1と同様にして酸化物超電導導体を作製した。
(Comparative Example 1)
An oxide superconducting conductor was produced in the same manner as in Example 1 except that the metal coating layer was not formed on the Ag stabilizing layer.

(比較例2)
比較例1で形成したAgの安定化層の膜厚を、比較例2では2000nmにしたこと以外は比較例1と同様の方法で酸化物超電導導体を作製した。
(Comparative Example 2)
An oxide superconducting conductor was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the Ag stabilizing layer formed in Comparative Example 1 was 2000 nm in Comparative Example 2.

その後、各実施例1、2と比較例1、2の試料に対し、耐久性評価として、酸化物超電導導体における24時間経過後の臨界電流値の維持率を以下のようにして評価した。   Thereafter, as a durability evaluation for the samples of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the maintenance ratio of the critical current value after 24 hours in the oxide superconducting conductor was evaluated as follows.

実施例1、2及び比較例1、2により作製された酸化物超電導導体を、温度121℃、湿度100%、2気圧の環境下に24時間保持した。次に、24時間経過した後の酸化物超電導導体を液体窒素に浸して冷却し、4端子法にて臨界電流値を測定した。このとき、測定温度は、77K、磁場は、0テスラであった。ここで、24時間経過後の臨界電流値の維持率を、
下記式:臨界電流値の維持率(%)=24時間経過後の臨界電流値/作製直後の臨界電流値×100
に従って算出した。以上の方法により算出した臨界電流値の維持率の結果をまとめて以下の表1に示す。
The oxide superconducting conductors produced according to Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were held for 24 hours in an environment of a temperature of 121 ° C., a humidity of 100%, and 2 atmospheres. Next, the oxide superconducting conductor after 24 hours was immersed in liquid nitrogen and cooled, and the critical current value was measured by a four-terminal method. At this time, the measurement temperature was 77 K, and the magnetic field was 0 Tesla. Here, the maintenance rate of the critical current value after 24 hours,
The following formula: critical current value retention rate (%) = critical current value after 24 hours / critical current value immediately after production × 100
Calculated according to The results of the maintenance ratio of the critical current value calculated by the above method are summarized in Table 1 below.

表1に示す結果より、実施例1、2の酸化物超電導導体は、比較例1、2の酸化物超電導導体に比べて、より優れた臨界電流値の維持率を示すことが分かった。また、実施例2の試料のように金属被覆層の膜厚を100nmから30nmに減らしても、臨界電流値の維持率の高い状態を保つことができることが分かった。これにより、一般的に高価であるAuの金属被覆層を比較的厚く使用しなくても、臨界電流値の維持率を比較的高く保つことができ、かつ、低コストの酸化物超電導導体を提供できることが分かった。   From the results shown in Table 1, it was found that the oxide superconducting conductors of Examples 1 and 2 exhibited a superior critical current value retention rate as compared with the oxide superconducting conductors of Comparative Examples 1 and 2. Further, it was found that even when the film thickness of the metal coating layer was reduced from 100 nm to 30 nm as in the sample of Example 2, a high critical current value retention rate could be maintained. This provides a low-cost oxide superconducting conductor that can maintain the critical current value relatively high without using a generally expensive Au metal coating layer that is relatively thick. I understood that I could do it.

以上より、本発明の酸化物超電導導体によれば、臨界電流特性の劣化を低減することが可能な作用極を作製できることが確認された。   From the above, it was confirmed that according to the oxide superconducting conductor of the present invention, a working electrode capable of reducing deterioration of critical current characteristics can be produced.

1…基材、2…中間層、3…酸化物超電導層、4…保護層、5…金属被覆層、100…酸化物超電導導体。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base material, 2 ... Intermediate | middle layer, 3 ... Oxide superconductor layer, 4 ... Protective layer, 5 ... Metal coating layer, 100 ... Oxide superconductor.

Claims (4)

基材と、
前記基材の主面上に形成される中間層および酸化物超電導層と、
前記酸化物超電導層の主面上に形成され、少なくともAg原子を含む保護層と、
前記保護層の主面を覆うように形成され、少なくともAu原子を含む金属被覆層と、
を有することを特徴とする酸化物超電導導体。
A substrate;
An intermediate layer and an oxide superconducting layer formed on the main surface of the substrate;
A protective layer formed on the main surface of the oxide superconducting layer and containing at least Ag atoms;
A metal coating layer formed so as to cover the main surface of the protective layer and containing at least Au atoms;
An oxide superconducting conductor characterized by comprising:
前記請求項1記載の酸化物超電導導体を有することを特徴とする超電導機器。   A superconducting device comprising the oxide superconducting conductor according to claim 1. 基材の主面上に中間層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層の主面上に酸化物超電導層を形成する酸化物超電導層形成工程と、
前記酸化物超電導層の主面上に少なくともAg原子を含む薄膜を成膜し、保護層を形成する保護層形成工程と、
前記保護層の主面を覆うように少なくともAu原子を含む薄膜を成膜し、金属被覆層を形成する金属被覆層形成工程と、
少なくとも前記酸化物超電導層を加熱する加熱工程と、
を含むことを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
An intermediate layer forming step of forming an intermediate layer on the main surface of the substrate;
An oxide superconducting layer forming step of forming an oxide superconducting layer on the main surface of the intermediate layer;
A protective layer forming step of forming a protective layer by forming a thin film containing at least Ag atoms on the main surface of the oxide superconducting layer;
A metal coating layer forming step of forming a metal coating layer by forming a thin film containing at least Au atoms so as to cover the main surface of the protective layer;
A heating step of heating at least the oxide superconducting layer;
A method for producing an oxide superconducting conductor, comprising:
前記金属被覆層形成工程において、少なくともAu原子を含む薄膜を室温以上400℃以下の温度で成膜させることを特徴とする請求項3記載の酸化物超電導導体の製造方法。   4. The method for producing an oxide superconductor according to claim 3, wherein in the metal coating layer forming step, a thin film containing at least Au atoms is formed at a temperature of room temperature to 400 ° C.
JP2012160824A 2012-07-19 2012-07-19 Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same Pending JP2014022228A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012160824A JP2014022228A (en) 2012-07-19 2012-07-19 Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012160824A JP2014022228A (en) 2012-07-19 2012-07-19 Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014022228A true JP2014022228A (en) 2014-02-03

Family

ID=50196877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012160824A Pending JP2014022228A (en) 2012-07-19 2012-07-19 Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014022228A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5806302B2 (en) Multifilament superconductor with reduced AC loss and its formation method
JP4800740B2 (en) Rare earth tape-shaped oxide superconductor and method for producing the same
WO2011129252A1 (en) Electrode unit joining structure for superconducting wire material, superconducting wire material, and superconducting coil
JP4268645B2 (en) Rare earth tape oxide superconductor and composite substrate used therefor
WO2016021343A1 (en) Oxide superconducting wire, superconducting device and method for producing oxide superconducting wire
JP6178779B2 (en) Superconducting wire connection structure and manufacturing method of superconducting wire connection structure
JP5757718B2 (en) Manufacturing method of oxide superconducting wire
JP5771751B2 (en) High temperature superconducting coil and superconducting equipment
JP5724029B2 (en) Superconducting current lead, superconducting current lead device, and superconducting magnet device
JP6329736B2 (en) Laminated pancake type superconducting coil and superconducting equipment provided with the same
JP6101490B2 (en) Oxide superconducting wire connection structure and superconducting equipment
JP5675232B2 (en) Superconducting current lead
JP2013247281A (en) Oxide superconducting coil
JP5405069B2 (en) Tape-shaped oxide superconductor and substrate used therefor
WO2014104208A1 (en) Oxide superconducting wire
JP2014220194A (en) Oxide superconductive wire material and production method thereof
JP6069269B2 (en) Oxide superconducting wire, superconducting equipment, and oxide superconducting wire manufacturing method
JP2012064323A (en) Superconductive current lead
JP2014022228A (en) Oxide superconductive conductor and production method of oxide superconductive conductor, and superconduction device using the same
JP6461776B2 (en) Superconducting wire and method of manufacturing superconducting wire
JP6404556B2 (en) Oxide superconducting conductor and manufacturing method thereof
JP6743232B1 (en) Oxide superconducting wire
JP5986871B2 (en) Oxide superconducting conductor and manufacturing method thereof
JP6707164B1 (en) Superconducting wire connection structure and superconducting wire
JP2012253128A (en) Oxide superconducting coil and manufacturing method thereof