JP2014008608A - シリコンウェハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンウェハの表面に沿ってエッチング液を流し、前記エッチング液の流れの上流側から下流側に沿って複数の開口部が並んだ列を形成する、シリコンウェハの加工方法であって、前記列を構成する複数の開口部のうち、前記エッチング液の流れの最も上流側に形成された第1の開口部と、前記第1の開口部よりも前記エッチング液の流れの下流側に形成された第2の開口部とでは、開口部が形成された後の処理を異ならせることを特徴とするシリコンウェハの加工方法。
【選択図】 図3
Description
まず、表面の結晶方位が(100)のシリコンウェハ1を用意した(図6(a))。次に、シリコンウェハの表面上に、HIMAL−1200CH(商品名:日立化成工業製)をスピンコート法で塗布して保護層11を形成し、保護層11上にポジ型レジストであるTHMR−iP5700(商品名:東京応化工業製)を再びスピンコート法で塗布した(図6(b))。このようにして形成したレジスト層12に、露光装置により紫外光を照射し、さらに現像することによって、レジスト層12に開口を形成し、レジスト層12を保護層11のマスクとした。このマスクを用い、保護層11にドライエッチングを行い、保護層11に開口を形成した。その後、レジスト層12を除去した(図6(c))。保護層11へ形成した開口は、液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いる目的で形成した開口部に対応した開口と、その上流側の位置にダミーの開口部に対応した開口とした。
図7に示す方法で、シリコンウェハに開口部を形成した。図7(d)までは、実施例1の図6(d)と同様にした。次に、第1の開口部であるダミーの開口部にはレーザーを照射せず、それ以外の開口部にはレーザーを照射し、未貫通穴14を形成した。これ以外は実施例1と同様にした。
実施例1と異なり、シリコンウェハ1にダミーの開口部を形成しなかった。また、形成した全ての開口部を同じようにして、即ち全ての開口部を、開口部を形成した後の処理を同じようにして、液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いた。これ以外は、実施例1と同様にした。
Claims (11)
- シリコンウェハの表面に沿ってエッチング液を流し、前記エッチング液の流れの上流側から下流側に沿って複数の開口部が並んだ列を形成する、シリコンウェハの加工方法であって、
前記列を構成する複数の開口部のうち、前記エッチング液の流れの最も上流側に形成された第1の開口部と、前記第1の開口部よりも前記エッチング液の流れの下流側に形成された第2の開口部とでは、開口部が形成された後の処理を異ならせることを特徴とするシリコンウェハの加工方法。 - 前記複数の開口部が並んだ列を複数形成し、前記複数形成された列の各列において、列を構成する複数の開口部のうち、前記エッチング液の流れの最も上流側に形成された第1の開口部と、前記第1の開口部よりも前記エッチング液の流れの下流側に形成された第2の開口部とでは、開口部が形成された後の処理を異ならせる請求項1に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記第1の開口部は液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いず、前記第2の開口部は液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いることで、第1の開口部と第2の開口部とで開口部が形成された後の処理を異ならせる請求項1または2に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記第1の開口部は液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いるかどうかの判定を行い、前記第2の開口部は液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いるかどうかの判定を行わないことで、第1の開口部と第2の開口部とで開口部が形成された後の処理を異ならせる請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記列を構成する複数の開口部のうち、前記第1の開口部よりも前記エッチング液の流れの下流側に形成された全ての開口部は、開口部が形成された後の処理を同じとする請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記列を構成する複数の開口部のうち、前記エッチング液の流れの最も上流側に形成された第1の開口部よりも前記エッチング液の流れの下流側に形成された開口部は、液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いる目的で形成し、前記第1の開口部は、液体吐出ヘッドのシリコン基板の液体供給口として用いる目的ではなく、前記液体供給口のダミーの開口部として形成する請求項1〜5のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記第1の開口部は、シリコンウェハを貫通しない開口部である請求項1〜6のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記第1の開口部と前記第2の開口部とは、いずれも長方形であり、長方形の長手方向が互いの開口部で実質的に平行になるように形成されている請求項1〜7のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記列を構成する全ての開口部は、いずれも長方形であり、長方形の長手方向が互いの開口部で実質的に平行になるように形成されている請求項1〜8のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記第1の開口部と前記第2の開口部とは、前記エッチング液の流れと垂直方向の幅が実質的に同じである請求項1〜9のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
- 前記列を構成する全ての開口部は、前記エッチング液の流れと垂直方向の幅が実質的に同じである請求項1〜10のいずれか1項に記載のシリコンウェハの加工方法。
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