JP2013258255A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】地震によってプローブ試験を中断した場合にプローブ試験を再開するまでの時間を短くする。
【解決手段】制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、制御信号として第１の距離を示す信号を送信する。また制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第２の値以上であるときに、制御信号として第２の距離を示す信号を送信する。第２の距離は、第１の距離よりも大きい。そして制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値未満であるときに、制御信号を送信しない。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関し、特にプローブ試験を行う半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。

半導体装置の製造工程の一つに、プローブ試験がある。プローブ試験は、プローブカードのプローブ針を半導体装置の電極に接触させて行われる。このため、プローブ試験中に地震が発生すると、プローブカードが損傷する可能性がある。

これに対して特許文献１には、緊急地震速報信号を受信すると、テストヘッドの電源をオフにしてからウェハステージを降下させることが記載されている。

特開２０１０−１５７５５０号公報

緊急地震速報信号を受信してウェハステージを降下させた場合、その降下位置によっては、プローブ試験を再開するまでに時間を要してしまう。
その他の課題と新規な特徴は、本発明書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態によれば、プローブ試験装置を制御する制御装置は、外部から地震速報情報を受信する。そして、制御装置の制御信号送信部は、地震速報情報に基づいて、プローブ試験装置に対してプローブカードと半導体装置の距離を制御するための制御信号を送信する。制御信号送信部は、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、制御信号としてプローブカードと半導体装置の距離を第１の距離に修正するための信号を送信する。また制御信号送信部は、地震速報情報が示す揺れの大きさが第２の値以上であるときに、プローブカードと半導体装置の距離を制御信号として第１の距離よりも大きい第２の距離に修正するための信号を送信する。

他の一実施の形態によれば、プローブ試験装置を制御する制御装置は、外部から地震速報情報を受信する。そして、制御装置の制御信号送信部は、地震速報情報に基づいて、プローブ試験装置に対してプローブカードと半導体装置の距離の制御信号を送信する。制御信号送信部は、地震速報情報を用いて到達予想時刻までの猶予時間を算出し、猶予時間が第１の時間よりも短いときにはプローブ試験装置に対してプローブ試験の中断指令を送信することなく、制御信号を送信する。

前記一実施の形態によれば、プローブ試験を再開するまでの時間を短くすることができる。

実施形態に係る半導体製造システムの構成を示す図である。 プローバーの構成を示す図である。 制御装置の機能構成を示すブロック図である。 半導体装置のプローブ試験を行うときのステージのｚ方向の位置の遷移を示すチャートである。 半導体装置のプローブ試験を行うときのステージのｚ方向の位置の遷移を示すチャートである。 半導体装置のプローブ試験を行うときのステージのｚ方向の位置の遷移を示すチャートである。 図４〜図６の工程中に地震速報情報を受信したときの制御装置の動作を示すフローチャートである。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 ステージの高さの具体例を説明するための図である。 変形例１に係る半導体製造システムの構成を示す図である。 変形例１に係る制御装置の処理を示すフローチャートである。 変形例２に係る制御装置の動作を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

なお、以下に示す説明において、制御装置ＣＤの各構成要素は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。制御装置ＣＤの各構成要素は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされた本図の構成要素を実現するプログラム、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶メディア、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置には様々な変形例がある。

（実施形態）
図１は、実施形態に係る半導体製造システムの構成を示す図である。この半導体製造システムは、制御装置ＣＤ及び複数のプローブ試験装置ＰＲＴを有している。制御装置ＣＤは、外部から地震速報情報を受信する。地震速報情報は、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所に地震波が到達する可能性があることを示している。地震速報情報は、例えば、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所よりも震源に近い一つ又は複数の観測点で検出された地震波に基づいて生成される。また地震速報情報は、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所で予想される揺れの大きさを示す情報を含んでいる。例えば日本では、地震速報情報として緊急地震速報を用いることができる。

地震速報情報は、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所における地震波の到達予想時刻を算出するための情報、例えば震源地の緯度経度情報を含んでいる。この緯度経度情報は、例えば、複数の観測点における観測データに基づいて算出される。地震速報情報が震源地の緯度経度情報を含んでいる場合、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所における地震波の到達予想時刻は、制御装置ＣＤで算出される。ただし、地震波の到達予想時刻は、制御装置ＣＤの外部の装置で算出されても良い。この場合、到達予想時刻が制御装置ＣＤに送信される。

地震速報情報は、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所における揺れの大きさの予測値を算出するための情報を含んでいる。この情報は、揺れの大きさの予測値そのものであってもよいし、震源地の緯度経度情報及び震源の深さ、並びにマグニチュードであってもよい。後者の場合、揺れの大きさの予測値は、制御装置ＣＤによって算出される。

そして制御装置ＣＤは、受信した地震速報情報に基づいて、プローブ試験装置ＰＲＴを制御するための制御信号を生成し、生成した制御信号をプローブ試験装置ＰＲＴに送信する。

具体的には、制御信号は、プローブ試験装置ＰＲＴが有するカード保持部ＰＣＨ（図２に図示）とステージＳＴＧ（半導体装置保持部：図２に図示）の距離を制御するための信号である。プローブ試験装置ＰＲＴは、制御装置ＣＤから制御信号を受信すると、受信した制御信号に従ってカード保持部ＰＣＨとステージＳＴＧの距離を制御する。

そして制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満（又は第１の値より大きく第２の値以下）であるときに、制御信号として第１の距離を示す信号を送信する。また制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第２の値以上（又は第２の値より大きい）であるときに、制御信号として第２の距離を示す信号を送信する。第２の距離は、第１の距離よりも大きい。そして制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値未満であるときに、プローブカードと半導体装置の距離を第１または第２の距離に修正するための制御信号を送信しない。以下、詳細に説明する。

制御装置ＣＤは、プローブ試験装置ＰＲＴと同一の工場内に設置されている。制御装置ＣＤは、プローブ試験装置ＰＲＴと同じ建物の中に設置されていても良いし、異なる建物の中に設置されていても良い。制御装置ＣＤは、例えば社内ＬＡＮ（Local Area Network）を介して複数のプローブ試験装置ＰＲＴに接続されている。

プローブ試験装置ＰＲＴは、テスタＴＳ及びプローバーＰＲを有している。半導体装置ＳＤは第１の面に電極（電極パッド）を有する複数の半導体チップが配列形成されたウェハである。プローバーＰＲは、半導体装置ＳＤを保持するステージＳＴＧ（半導体装置保持部）、及びプローブカードＰＣを有しており、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮを半導体装置ＳＤの半導体チップのうち、試験対象となる１つまたは複数の半導体チップの電極に接触させる。テスタＴＳは、プローバーＰＲを介して半導体装置ＳＤの試験対象の半導体チップに試験信号を入力し、かつ試験信号に対する試験対象の半導体チップからの応答信号を、プローバーＰＲを介して受信する。テスタＴＳは、受信した応答信号を解析することにより、半導体装置ＳＤの個々の半導体チップの良否を判定する。

図２は、プローバーＰＲの構成を示す図である。プローバーＰＲは、ステージＳＴＧ、カード保持部ＰＣＨ、及び距離制御部ＤＣＰを有している。ステージＳＴＧは、上面に半導体装置ＳＤを、例えば真空吸着を用いて保持する。カード保持部ＰＣＨは、下面にプローブカードＰＣを保持する。プローブカードＰＣは、ステージＳＴＧと対向する面にプローブ針ＰＮを有している。プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮは、カード保持部ＰＣＨを介してテスタＴＳに接続している。

ステージＳＴＧは、移動部ＭＤ上に設けられている。移動部ＭＤは、ステージＳＴＧを、ｘｙｚの３方向に移動させる。なお、本図に示す例において、ｚ方向は、半導体装置ＳＤの電極形成面に対して垂直な方向であり、ステージＳＴＧからカード保持部ＰＣＨまでの距離を示す方向になっている。例えば移動部ＭＤは、ステージＳＴＧをｚ方向に移動させることにより、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮを半導体装置ＳＤの電極に接触させる。距離制御部ＤＣＰは、移動部ＭＤを制御する。

カード保持部ＰＣＨの横には、第１撮像装置ＣＭ１が設けられている。第１撮像装置ＣＭ１は、ステージＳＴＧ上の半導体装置ＳＤを撮像し、生成した画像データを距離制御部ＤＣＰに送信する。距離制御部ＤＣＰは、第１撮像装置ＣＭ１から送信されてきた画像データを用いることにより、半導体装置ＳＤの位置の微調整を行うためのデータを生成する（ウェハアライメント）。このデータは、半導体装置ＳＤの電極とプローブ針ＰＮとを接触させるときに用いられる。

また、移動部ＭＤは、ステージＳＴＧの横に、第２撮像装置ＣＭ２を有している。第２撮像装置ＣＭ２は、プローブカードＰＣを撮像し、生成した画像データを距離制御部ＤＣＰに送信する。距離制御部ＤＣＰは、第２撮像装置ＣＭ２から送信されてきた画像データを用いることにより、プローブカードＰＣに対する半導体装置ＳＤの位置を微調整するためのデータを生成する（プローブアライメント）。このデータは、半導体装置ＳＤの電極とプローブ針ＰＮとを接触させるときに用いられる。

また移動部ＭＤは、ステージＳＴＧの横に、研磨部ＰＲＤを有している。研磨部ＰＲＤはプローブ針ＰＮを研磨するための研磨手段（例えば研磨シート）を上面に有している。距離制御部ＤＣＰは、移動部ＭＤを制御することにより、研磨部ＰＲＤをプローブ針ＰＮに接触させる。これにより、プローブ針ＰＮは研磨部ＰＲＤによって研磨される。

図３は、制御装置ＣＤの機能構成を示すブロック図である。制御装置ＣＤは、地震速報受信部ＣＤ２及び制御信号送信部ＣＤ４を有している。地震速報受信部ＣＤ２は、地震速報情報を受信する。制御信号送信部ＣＤ４は、地震速報受信部ＣＤ２が受信した地震速報情報に基づいて、プローバーＰＲの距離制御部ＤＣＰに対して距離の制御信号を送信する。具体的には、距離制御部ＤＣＰは、地震速報情報が示す予測される揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、制御信号として第１の距離を示す信号を送信する。また距離制御部ＤＣＰは、地震速報情報が示す予測される揺れの大きさが第２の値以上であるときに、制御信号として第２の距離を示す信号を送信する。また距離制御部ＤＣＰは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値未満であるときに、プローブカードと半導体装置の距離を第１または第２の距離に修正するための制御信号を送信しない。

図４〜図６は、半導体装置ＳＤのプローブ試験を行うときのステージＳＴＧのｚ方向の位置の遷移、すなわちステージＳＴＧの半導体装置ＳＤからプローブカードＰＣまでの距離の遷移を示すチャートである。ステージＳＴＧのｚ方向の位置は、距離制御部ＤＣＰによって制御されている。なお、本図に示す例において、半導体装置ＳＤは、個々の半導体チップに個片化されていない状態、すなわち半導体ウェハの状態で、ステージＳＴＧに保持される。

プローブ試験の対象となっている半導体装置ＳＤは、例えば以下のようにして形成される。まず、半導体ウェハに素子分離膜を形成する。これにより、素子形成領域が分離される。素子分離膜は、例えばＳＴＩ法を用いて形成されるが、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成されても良い。次いで、素子形成領域に位置する半導体ウェハに、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。ゲート絶縁膜は酸化シリコン膜であってもよいし、酸化シリコン膜よりも誘電率が高い高誘電率膜（例えばハフニウムシリケート膜）であってもよい。ゲート絶縁膜が酸化シリコン膜である場合、ゲート電極はポリシリコン膜により形成される。またゲート絶縁膜が高誘電率膜である場合、ゲート電極は、金属膜（例えばＴｉＮ）とポリシリコン膜の積層膜により形成される。また、ゲート電極がポリシリコンにより形成される場合、ゲート電極を形成する工程において、素子分離膜上にポリシリコン抵抗を形成しても良い。

次いで、素子形成領域に位置する半導体ウェハに、ソース及びドレインのエクステンション領域を形成する。次いでゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する。次いで、素子形成領域に位置する半導体ウェハに、ソース及びドレインとなる不純物領域を形成する。このようにして、半導体ウェハ上にＭＯＳトランジスタが形成される。

次いで、素子分離膜上及びＭＯＳトランジスタ上に、多層配線層を形成する。最上層の配線層には、電極（電極パッド）が形成される。次いで、多層配線層上に、保護絶縁膜（パッシベーション膜）を形成する。保護絶縁膜には、電極上に位置する開口が形成される。

このようにして形成された半導体装置ＳＤは、以下のようにしてプローブ試験される。

まず図４に示すように、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを最も下の位置（高さＧ）に移動させる。高さＧは、ステージＳＴＧの初期化動作が行われる位置である。ここでの初期化動作は、ステージＳＴＧの原点位置を設定するための動作であり、後述する他の高さＡ〜Ｆは、この高さＧを原点として設定される。ステージＳＴＧが高さＧにあるとき、ステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離は、最大値となる。この状態でプローバーＰＲは初期化される（ステップＳ１０）。その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを、半導体装置ＳＤをステージＳＴＧ上にロードするための高さ（高さＦ）まで上昇させる。この状態で、半導体装置ＳＤは、ステージＳＴＧ上に保持される（ステップＳ２０）。

その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを、ウェハアライメント及びプローブアライメントを行うための位置（高さＤ，Ｅ）に上昇させる。高さＤ，Ｅは、互いに異なっていても良いが、図４〜図６においては、簡略化のため同一の高さとして図示する。そして高さＤ，Ｅにおいて、上述したウェハアライメント及びプローブアライメントが行われる（ステップＳ３０）。

その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＣに移動させる。高さＣは、試験中に半導体装置ＳＤの位置をスライドさせるときのステージＳＴＧの高さであり、高さＤ，Ｅよりも低いが、高さＦよりも高い。そして距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧをｘｙ方向に移動させ、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮを、試験対象となっている半導体装置ＳＤの電極に対向させる。その後、距離制御部ＤＣＰはステージＳＴＧを高さＡまで上昇させる。この状態において、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮは、半導体装置ＳＤのうち試験対象となっている半導体チップの電極に接触する。そしてプローブ試験装置ＰＲＴのテスタＴＳは、プローブ針ＰＮを介して半導体装置ＳＤの半導体チップに試験信号を入力し、かつ試験信号に対する半導体チップからの応答信号を、プローブ針ＰＮを介して受信する。テスタＴＳは、受信した応答信号を解析することにより、半導体装置ＳＤの中の、試験対象である半導体チップの良否を判定する。

その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＣまで下降させる。そして距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧをｘｙ方向に移動させ、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮを、次の試験対象となっている１つまたは複数の半導体チップの電極に対向させる。プローブ試験装置ＰＲＴは、このような動作を繰り返すことにより、半導体装置ＳＤ内に形成された複数の半導体チップの試験を行う（ステップＳ４０）。

距離制御部ＤＣＰは、所定の数の半導体チップを試験した後、ステージＳＴＧを高さＣまで下降させる。そして、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧをｘｙ方向に移動させ、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮに研磨部ＰＲＤの上面を対向させる。そして距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＢまで上昇させる。高さＢは、高さＡよりも低い。この状態で、プローブ針ＰＮは研磨部ＰＲＤの上面の研磨手段に接触する。これにより、プローブ針ＰＮの先端は研磨される（ステップＳ５０）。

その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを、高さＥに下降させてから、ｘｙ方向に移動させる。そして高さＥにおいて、上述したプローブアライメントが再び行われる（ステップＳ６０）。

その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＣまで下降させる。そしてプローブ試験装置ＰＲＴは、上述した動作を繰り返すことにより、半導体装置ＳＤが有する複数の半導体チップの試験を行う（ステップＳ７０，Ｓ９０）。また必要に応じて、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを、高さＥに下降させてからｘｙ方向に移動させる。そして高さＥにおいて、上述したプローブアライメントが再び行われる（ステップＳ８０）。

ステージＳＴＧが保持している半導体装置ＳＤが有する全ての半導体チップが検査されると、半導体装置ＳＤの入れ替えが行われる。この半導体装置ＳＤの入れ替えにおいて、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＦまで下降させる（ステップＳ１００）。

その後、図５に示すように、距離制御部ＤＣＰは、新たに検査対象となった半導体装置ＳＤが搭載されたステージＳＴＧを、ウェハアライメント及びプローブアライメントを行うための位置（高さＤ，Ｅ）に上昇させる。そして高さＤ，Ｅにおいて、上述したウェハアライメント及びプローブアライメントが行われる（ステップＳ１１０）。

そして、プローブ試験装置ＰＲＴは、複数の半導体チップの試験を行う（ステップＳ１２０）。またプローブ試験装置ＰＲＴは、必要に応じて、研磨部ＰＲＤを用いてプローブ針ＰＮの先端を研磨し（ステップＳ１３０）、その後、プローブアライメントを行う（ステップＳ１４０）。そして、プローブ試験装置ＰＲＴは、再び複数の半導体チップの試験を行い（ステップＳ１５０，Ｓ１７０）、また必要なタイミングでプローブアライメントを行う（ステップＳ１６０）。

ステージＳＴＧが保持している半導体装置ＳＤが有する全ての半導体チップが検査されると、再び半導体装置ＳＤの入れ替えが行われる。このとき、必要なタイミングで、研磨ウェハを用いてプローブ針ＰＮの研磨が行われる。具体的には、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＦまで下降させる。そしてプローブ試験装置ＰＲＴは、検査が終了した半導体装置ＳＤをアンロードし、研磨ウェハをステージＳＴＧ上にロードする（ステップＳ１８０）。そして、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＢまで上昇させる。この状態で、プローブ試験装置ＰＲＴのプローブ針ＰＮは研磨ウェハに接触する。これにより、プローブ針ＰＮの針先は研磨される（ステップＳ１９０）。その後、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを高さＦまで下降させる。そしてプローブ試験装置ＰＲＴは、研磨ウェハをアンロードし、次に検査が行われる半導体装置ＳＤをステージＳＴＧ上にロードする（ステップＳ２００）。

その後、図６に示すように、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを、ウェハアライメント及びプローブアライメントを行うための位置（高さＤ，Ｅ）に上昇させる。そして高さＤ，Ｅにおいて、上述したウェハアライメント及びプローブアライメントが行われる（ステップＳ２１０）。

そして、半導体装置ＳＤの試験（ステップＳ２２０，Ｓ２５０，Ｓ２７０）が行われる。このとき必要なタイミングで、研磨部ＰＲＤによるプローブ針ＰＮの研磨（ステップＳ２３０）及びプローブアライメント（ステップＳ２４０）、並びにプローブアライメント（ステップＳ２６０）が行われる。

ステージＳＴＧが保持している半導体装置ＳＤが有する全ての半導体チップが検査されると、半導体装置ＳＤの入れ替えが行われる（ステップＳ２８０，Ｓ３００）。このとき、検査済の半導体装置ＳＤをアンロードしてから（ステップＳ２８０）、次の半導体装置ＳＤをロードするまで（ステップＳ３００）に時間が空くことがある。この場合、距離制御部ＤＣＰは、ステージＳＴＧを、高さＣで待機させる（ステップＳ２９０）。

図７は、図４〜図６の工程中に地震速報情報を受信したときの制御装置ＣＤの動作を示すフローチャートである。制御装置ＣＤの地震速報受信部ＣＤ２は、地震速報情報を外部から受信する（ステップＳ５１０）。制御信号送信部ＣＤ４は、地震速報受信部ＣＤ２が受信した地震速報情報に含まれる情報に基づいて、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所で予想される揺れの大きさを判断する（ステップＳ５２０）。

揺れの大きさが第１の値以下である場合（ステップＳ５３０：Ｎｏ）、制御信号送信部ＣＤ４は、ステージＳＴＧの高さの制御信号を発信することなく、動作を終了する。また制御信号送信部ＣＤ４は、揺れの大きさが第１の値以上であり（ステップＳ５３０：Ｙｅｓ）、かつ第２の値以下の場合（ステップＳ５４０：Ｎｏ）、制御信号として、ステージＳＴＧからカード保持部ＰＣＨまでの距離を第１の距離とするための信号を生成する（ステップＳ５５０）。また制御信号送信部ＣＤ４は、揺れの大きさが第２の値以上の場合（ステップＳ５３０：ＹｅｓかつステップＳ５４０：Ｙｅｓ）、制御信号として、ステージＳＴＧからカード保持部ＰＣＨまでの距離を第２の距離とするための信号を生成する（ステップＳ５６０）。第１の距離及び第２の距離は、地震速報情報を受信したタイミングにおいてプローブ試験装置ＰＲＴがどの工程（例えば図４〜６のステップＳ１０〜ステップＳ３００のいずれか）を行っていたかによって、定められる。なお、プローブ試験装置ＰＲＴがどの工程を行っているかは、例えばプローブ試験装置ＰＲＴから制御装置ＣＤの制御信号送信部ＣＤ４にリアルタイムで送信される。そして制御信号送信部ＣＤ４は、生成した制御信号をプローブ試験装置ＰＲＴに送信する（ステップＳ５７０）。

そしてプローブ試験装置ＰＲＴは、制御装置ＣＤから受信した制御信号に従って、ステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を制御する。

なお、本図に示す高さの制御において、制御装置ＣＤの制御信号送信部ＣＤ４は、例えば、後述する高さＧ（原点）からの高さを示す情報（例えば第１の距離や第２の距離そのものを示す情報）を、制御信号として送信する。この場合、距離制御部ＤＣＰは、後述する高さＧ（原点）に、制御信号が示す高さを加えることにより、ステージＳＴＧが移動すべき高さを算出する。このようにすると、制御装置ＣＤの制御信号送信部ＣＤ４の処理負荷を少なくすることができる。なお、制御装置ＣＤの制御信号送信部ＣＤ４は、このステージＳＴＧが移動すべき高さを示す情報を、制御信号として送信しても良い。

図８〜図１８は、第１の距離及び第２の距離、すなわちステージＳＴＧの高さの具体例を説明するための図である。

図８は、ステージＳＴＧが初期化のための位置（高さＧ）から半導体装置ＳＤをロード（又はアンロード）するための位置（高さＦ）に移動する途中に、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図８（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧをそのまま高さＦに移動させるようにする。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、制御信号を距離制御部ＤＣＰに送信しても良いし、制御信号を送信しなくても良い。前者の場合、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＦを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図８（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図９は、ステージＳＴＧが半導体装置ＳＤをロード（又はアンロード）するための位置（高さＦ）にあるときに、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図９（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧをそのまま高さＦに保持させるようにする。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、制御信号を距離制御部ＤＣＰに送信しても良いし、制御信号を送信しなくても良い。前者の場合、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＦを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図９（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１０は、ステージＳＴＧが半導体装置ＳＤをロード（又はアンロード）するための位置（高さＦ）からアライメントポジション（高さＤ，Ｅ）に移動する途中に、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１０（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＣに保持させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１０（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１１は、ステージＳＴＧがアライメントポジション（高さＤ，Ｅ）に位置しているときに、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１１（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＣに移動させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１１（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１２は、ステージＳＴＧが半導体装置ＳＤに移動させるための位置（高さＣ）から試験ポジション（高さＡ）に移動する途中に、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１２（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＣに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１２（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧまで下降させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１３は、ステージＳＴＧが試験ポジション（高さＡ）にあるときに、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。ステージＳＴＧが高さＡにあるとき、半導体装置ＳＤが有する半導体チップの電極には、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮが接触している。例えば電極がＡｌで形成されている場合、プローブ針ＰＮは、電極表面の酸化膜を破る程度に電極に突き刺さっている。このため、このタイミングで地震波が来て、プローブカードＰＣと半導体装置ＳＤの相対位置が、面内方向（ｘｙ方向）にずれたり、又はｚ方向において互いに近づく向きにずれると、プローブカードＰＣが破損したり半導体装置ＳＤが不良になる可能性が高い。

予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１３（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＣに下降させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。これにより、プローブ針ＰＮと電極の接触が解除される。このため、プローブカードＰＣと半導体装置ＳＤの相対位置が、面内方向（ｘｙ方向）にずれても、プローブカードＰＣの破損や半導体装置ＳＤの不良化は生じない。また、ローブカードＰＣと半導体装置ＳＤの相対位置の、ｚ方向のマージンを確保できる。

また、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１３（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに下降させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。このため、高さ方向にプローブカードＰＣ又は半導体装置ＳＤの位置が変位した場合であっても、プローブ針ＰＮと半導体装置ＳＤが接触することを防止できる。また、プローブカードＰＣと半導体装置ＳＤの相対位置が、面内方向（ｘｙ方向）にずれても、プローブカードＰＣの破損や半導体装置ＳＤの不良化は生じない。

図１４は、ステージＳＴＧが試験ポジション（高さＡ）から半導体装置ＳＤをｘｙ方向に移動させるための位置（高さＣ）に移動する途中に、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１４（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧをそのまま高さＣに移動させるようにする。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、制御信号を距離制御部ＤＣＰに送信しても良いし、制御信号を送信しなくても良い。前者の場合、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１４（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１５は、ステージＳＴＧが半導体装置ＳＤをｘｙ方向に移動させるための位置（高さＣ）にあるときに、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１５（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧをそのまま高さＣに保持するようにする。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、制御信号を距離制御部ＤＣＰに送信しても良いし、制御信号を送信しなくても良い。前者の場合、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１５（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに下降させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１６は、ステージＳＴＧが半導体装置ＳＤをｘｙ方向に移動させるための位置（高さＣ）から研磨部ＰＲＤによる研磨を行うためのポジション（研磨ポジション：高さＢ）に移動する途中に、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１６（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＣに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１６（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに下降させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１７は、ステージＳＴＧが研磨ポジション（高さＢ）にあるときに、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。予想される揺れが第１の値以上第２の値未満の場合、図１７（ａ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧをそのまま高さＣに保持するようにする。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＣに戻すように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＣを選択する。

これに対して、予想される揺れが第２の値以上の場合、図１７（ｂ）に示すように、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧを高さＧに下降させるように制御信号を生成する。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、高さＧを選択する。

図１８は、ステージＳＴＧが初期化のためのポジション（高さＧ）に移動している途中に、制御装置ＣＤが地震速報情報を受信したときのステージＳＴＧの高さを示す図である。この場合、制御信号送信部ＣＤ４は、距離制御部ＤＣＰがステージＳＴＧをそのまま高さＧに移動させるようにする。このとき、制御信号送信部ＣＤ４は、制御信号を距離制御部ＤＣＰに送信しても良いし、制御信号を送信しなくても良い。前者の場合、制御信号送信部ＣＤ４は、第１の距離及び第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として、いずれも高さＧを選択する。

なお、ステージＳＴＧが高さＧにあるとき、制御装置ＣＤは、地震速報情報を受信した場合であっても、ステージＳＴＧを高さＧのままにする。

図８〜図１８に示した例において、プローブ試験装置ＰＲＴは、ステージＳＴＧを第１の距離にした後、プローブ試験装置ＰＲＴに異常が確認されなければ、動作を再開する。例えばプローブ試験装置ＰＲＴは、ある半導体装置ＳＤの試験を行っていた場合、その半導体装置ＳＤの試験から再開する。

なお、図８〜図１８に示す例において、予想される揺れが第２の値以上の場合、制御信号送信部ＣＤ４は、第２の距離（ステージＳＴＧの高さ）として高さＧを選択している。これは、以下の理由による。予想される揺れが第２の値以上の場合、実際にプローブ試験装置ＰＲＴに加わる揺れも大きい場合が多い。プローブ試験装置ＰＲＴの加わる揺れが大きい場合、プローブカードＰＣや半導体装置ＳＤの位置が、地震発生前からずれている可能性が高い。このため、制御装置ＣＤ４は、第２の距離として高さＧを選択し、上記したステージＳＴＧの初期化動作を行わせる。この場合、第２の距離として他の距離を選択した場合と比較して、揺れが収まってからステージＳＴＧの初期化動作を開始するまでの時間を短くすることができる。

ただし制御装置ＣＤ４は、第２の距離として高さＦを選択しても良いし、高さＦ〜Ｇの間の任意の高さに設定しても良い。一方、プローブ試験装置ＰＲＴは、ステージＳＴＧを第２の距離にした場合、図４の最初から処理をやり直す。

以上、本実施形態によれば、制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、制御信号として第１の距離を示す信号を送信する。また制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第２の値以上であるときに、制御信号として第２の距離を示す信号を送信する。第２の距離は、第１の距離よりも大きい。そして制御装置ＣＤは、地震速報情報が示す揺れの大きさが第１の値未満であるときに、制御信号を送信しない。このため、揺れが少ないと予想されるときには、ステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を必要以上に離さなくて済む。従って、プローブカードＰＣが破損することを抑制でき、かつ、プローブ試験を再開するまでの時間を短くすることができる。

また、地震速報情報は虚報（結果を見ると正しくない情報）の可能性もある。例えば余震などで地震速報情報が頻繁に発報される場合、実際に大きく揺れない場合があるため、その都度大きく退避していると半導体チップの生産性が著しく悪化してしまう。ステージＳＴＧの退避基準となる揺れの値を小さくすると、退避動作による生産性悪化は抑制できるが、この場合、予測より大きな揺れがきた場合にプローブカードＰＣの破損リスクが大きくなってしまう。

これに対して本実施形態では、単に退避する、しないを決めるのではなく、退避が必要な揺れが予測される場合の中でも、予測震度に基づき、復帰までの時間が相対的に短く生産性の低下が少ない第１の距離と、復帰までの時間は第１の距離の場合より長くなるが確実にプローブカードＰＣの破損を防止できる第２の距離と、を含む複数の退避距離を有している。これにより、半導体チップの生産性の維持と、プローブカードＰＣの破損防止を両立できる。従って平常時においては、仮に虚報を含む地震速報が発せられてもデリバリへの影響が殆ど無い状態での生産が可能であり、かつ、万が一大きな揺れに襲われた場合も退避によりプローブカードＰＣの破損を抑制でき、震災後も速やかに適切に検査された半導体装置の生産を再開することが可能となる。

また、本実施形態では、多くの場面において、第１の距離として、高さＣ、すなわち半導体装置ＳＤにおいて試験対象となる半導体チップを替えるときの距離（高さ）を選択している。高さＡ、Ｂ，Ｄ，Ｅから高さＣまでの距離は短い。従って、プローブ試験を再開するまでの時間を短くすることができる。

また、本実施形態では、第２の距離として、高さＧを選択している。高さＧは、高さＦ、すなわちステージＳＴＧ上の半導体装置ＳＤを取り替えるときの高さよりも低い。このため、地震による揺れが大きい場合であっても、プローブカードＰＣが破損することをさらに抑制できる。

また、本実施形態では、第２の距離として、ステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を最大値にしている。このため、地震による揺れが大きい場合であっても、プローブカードＰＣが破損することをさらに抑制できる。

（変形例１）
図１９は、変形例１に係る半導体製造システムの構成を示す図であり、実施形態における図１に対応している。本変形例において、半導体製造システムは、震度計ＩＭ（地震計）を有している点を除いて、実施形態に係る半導体製造システムと同様の構成である。

震度計ＩＭは、プローブ試験装置ＰＲＴが設置されている場所における実際の震度を測定する。震度計ＩＭは、まずＰ波の大きさを検出し、その検出値を制御装置ＣＤに出力する。震度計ＩＭは、制御装置ＣＤに内蔵されていても良いし、制御装置ＣＤとは別の場所に設置されていても良い。後者の場合、震度計ＩＭは、例えば社内ＬＡＮを介して制御装置ＣＤに接続されている。制御装置ＣＤは、震度計ＩＭが検出したＰ波の大きさに基づいて、制御信号の修正が必要か否かを判断する。

図２０は、変形例１に係る制御装置ＣＤの処理を示すフローチャートである。本図に示す処理は、ステップＳ５１０〜Ｓ５７０の処理は、実施形態の図７を用いて説明した処理と同様である。

制御信号送信部ＣＤ４は、生成した制御信号をプローブ試験装置ＰＲＴに送信した後（ステップＳ５７０）、震度計ＩＭから、Ｐ波の検出値を受信する（ステップＳ５８０）。そしてＰ波の検出値から、ステップＳ５３０〜Ｓ５６０で設定した制御信号を修正する必要があるか否かを判断する（ステップＳ５９０）。修正する必要があると判断した場合、制御信号送信部ＣＤ４は、距離の再設定すなわち制御信号の再生成を行う（ステップＳ６００）。

具体例として、制御信号送信部ＣＤ４は、震度計ＩＭの検出値が、地震速報情報による揺れの大きさよりも大きかった場合に、ステージＳＴＧからカード保持部ＰＣＨまでの距離の再設定を行う。例えば制御信号送信部ＣＤ４は、地震速報情報に基づく揺れの大きさが第１の値未満であったが、Ｐ波の検出値に基づく揺れの大きさが第１の値以上であった場合、Ｐ波の検出値に基づいて揺れの大きさが第２の値以上であるか否かを判断する。そして制御信号送信部ＣＤ４は、その判断結果に従ってステップＳ５５０，Ｓ５６０のいずれかの処理を行い、制御信号を生成する。

また制御信号送信部ＣＤ４は、地震速報情報に基づく揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満あったが、Ｐ波の検出値に基づく揺れの大きさが第２の値以上であった場合、Ｐ波の検出値に基づいてステップＳ５６０の処理を行い、制御信号を再生成する。

そして制御信号送信部ＣＤ４は、新たに生成した制御信号を、プローブ試験装置ＰＲＴに送信する（ステップＳ６１０）。プローブ試験装置ＰＲＴは、制御装置ＣＤから受信した制御信号に従って、ステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を制御する。

本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、制御装置ＣＤは、震度計ＩＭがプローブ試験装置ＰＲＴの設置場所で検出したＰ波の大きさに基づいて、プローブ試験装置ＰＲＴに送信する制御信号を再設定する。従って、Ｓ波が到達する前に、ステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を修正できることがある。このため、プローブカードＰＣが破損する確率をさらに小さくすることができる。

（変形例２）
図２１は、変形例２に係る制御装置ＣＤの動作を示すフローチャートである。本図に示す処理は、プローブ試験装置ＰＲＴがプローブ試験を行っている間に適用される。図２１において、地震速報情報は、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所に地震波が到達すると予想される時刻（以下、到達予想時刻）を算出するために必要な情報を有している。この情報は、例えば震源地の緯度経度情報及び地震の発生時刻である。制御装置ＣＤは、地震速報情報に基づいて、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所における到達予想時刻を算出し、さらに到達予想時刻までの猶予時間を算出する。

そして制御装置ＣＤは、猶予時間が長い場合は、プローブ試験の中断指令を送信し、かつ制御信号を送信する。この場合、プローブ試験装置ＰＲＴは、プローブ試験の中断処理を行った後、制御信号に従って距離を制御する。一方、制御装置ＣＤは、猶予時間が短い場合は、プローブ試験の中断指令を送信することなく、制御信号を送信する。この場合、プローブ試験装置ＰＲＴは、プローブ試験の中断処理を行うことなく、制御信号に従って距離を制御する。以下、詳細に説明する。

図２１において、ステップＳ５１０〜Ｓ５６０までの処理は、実施形態において図７を用いて説明した処理と同様であるため、説明を省略する。

制御装置ＣＤの制御信号送信部ＣＤ４は、制御信号を生成した後（ステップＳ５５０又はＳ５６０）、制御信号送信部ＣＤ４は、地震速報情報に基づいて、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所における到達予想時刻を算出する。例えば制御信号送信部ＣＤ４は、震源地の緯度経度情報と、プローブ試験装置ＰＲＴの設置場所の緯度経度情報を用いて、震源地からプローブ試験装置ＰＲＴの設置場所までの距離を算出する。そして制御信号送信部ＣＤ４は、算出した距離と地震波の速度に基づいて、地震発生から地震波到達までの時間を算出する。そして制御信号送信部ＣＤ４は、算出した時間と、地震の発生時刻に基づいて、到達予想時刻を算出する（ステップＳ５６２）。

そして制御信号送信部ＣＤ４は、ステップＳ５６２で算出した到達予想時刻と現在の時刻を用いて、到達予想時刻までの猶予時間を算出する。制御信号送信部ＣＤ４は、算出した到達予想時刻が第１の時間以上である場合（ステップＳ５６４：Ｙｅｓ）、プローブ試験の中断指令を送信し、かつ制御信号を送信する（ステップＳ５６６，Ｓ５７０）。また制御信号送信部ＣＤ４は、算出した到達予想時刻が第１の時間未満である場合（ステップＳ５６４：Ｎｏ）、プローブ試験の中断指令を送信することなく制御信号を送信する（ステップＳ５７０）。

プローブ試験装置ＰＲＴのテスタＴＳは、プローブ試験の中断指令を受信した場合、プローブ試験の中断処理を行う。そしてプローバーＰＲは、中断処理が完了した後、制御信号に従ってステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を制御する。

一方、プローブ試験装置ＰＲＴのテスタＴＳは、プローブ試験の中断指令を受信しない場合、プローブ試験の中断処理を行わない。そしてプローバーＰＲは、プローブ試験を行っている間に、制御信号に従ってステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を制御する。

本変形例によっても、実施形態と同様の効果を得ることができる。また、制御信号送信部ＣＤ４は、地震波の到達予想時刻までの猶予時間が長い場合、プローブ試験の中断指令を送信する。この場合、プローブ試験装置ＰＲＴのテスタＴＳは、ローブ試験の中断処理を行う。そしてプローバーＰＲは、中断処理が完了した後、制御信号に従ってステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を制御する。従って、プローブカードＰＣのプローブ針ＰＮが半導体チップの電極から離れるときには、検査のための通電が遮断されているため、プローブ針ＰＮと半導体チップの電極の間に過電流が流れることを抑制できる。このため、プローバーＰＲの回路や、半導体チップの回路に負荷が生じることを抑制できる。従って、迅速に半導体チップの検査を再開することができる。

また、制御信号送信部ＣＤ４は、地震波の到達予想時刻までの猶予時間が短い場合、プローブ試験の中断指令を送信することなく制御信号を送信する。このため、プローバーＰＲは、迅速にステージＳＴＧとカード保持部ＰＣＨの距離を確保することができる。従って、プローブカードＰＣが破損することをさらに抑制できる。なお、プローブ針ＰＮを半導体チップの電極から離すとき、プローブ針ＰＮと半導体チップの電極の間に過電流が流れる可能性がある。ただしこの場合であっても、プローブ針ＰＮの研磨、及び過電流が流れた半導体チップを破棄すれば済むため、プローブカードＰＣが破損した場合と比較して、半導体チップの検査を迅速に再開できる。

なお、上記実施の形態によれば、以下の発明が開示されている。
（付記１）
半導体装置にプローブ試験を行うプローブ試験装置と、
前記プローブ試験装置を制御する制御装置と、
を用い、
前記プローブ試験装置は、
プローブカードを保持するカード保持部と、
半導体装置を保持する半導体装置保持部と、
前記カード保持部と前記半導体装置保持部の距離を制御する距離制御部と、
を有し、
前記制御装置は、
外部から、前記プローブ試験装置の設置場所に地震波が到達する可能性が高いこと、及びその揺れの大きさを知らせる地震速報情報を受信する地震速報受信部と、
前記地震速報受信部が受信した地震速報情報に基づいて、前記距離制御部に対して前記距離の制御信号を送信する制御信号送信部と、
を有し、
前記制御信号送信部は、
前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、前記制御信号として第１の距離に修正するための信号を送信し、
前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさが前記第２の値以上であるときに、前記制御信号として、前記プローブカードと前記半導体装置の距離を前記第１の距離よりも大きい第２の距離に修正するための信号を送信する半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記制御装置の前記制御信号送信部は、前記プローブ試験装置の設置場所における実際の揺れを検出する地震計の検出結果を受信し、受信した前記検出結果が前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさよりも大きい場合、前記検出結果に基づいて前記制御信号の修正を行う半導体装置の製造方法。
（付記３）
半導体装置にプローブ試験を行うプローブ試験装置と、
前記プローブ試験装置を制御する制御装置と、
を備え、
前記プローブ試験装置は、
プローブカードを保持するカード保持部と、
半導体装置を保持する半導体装置保持部と、
前記カード保持部と前記半導体装置保持部の距離を制御する距離制御部と、
を有し、
前記制御装置は、
外部から、前記プローブ試験装置の設置場所に地震波が到達する可能性が高いことを示し、かつ前記プローブ試験装置の設置場所における地震波の到達予想時刻を算出するために必要な情報を含む地震速報情報を受信する地震速報受信部と、
前記地震速報受信部が受信した地震速報情報に基づいて、前記距離制御部に対して前記距離を大きくすることを示す制御信号を送信する制御信号送信部と、
を有し、
前記制御信号送信部は、
前記地震速報情報を用いて前記到達予想時刻までの猶予時間を算出し、
前記猶予時間が第１の時間よりも短いときには前記プローブ試験装置に対して前記プローブ試験の中断指令を送信することなく、前記制御信号を送信する半導体製造装置。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

ＣＤ 制御装置
ＣＤ２ 地震速報受信部
ＣＤ４ 制御信号送信部
ＣＭ１ 第１撮像装置
ＣＭ２ 第２撮像装置
ＤＣＰ 距離制御部
ＩＭ 震度計
ＭＤ 移動部
ＰＣ プローブカード
ＰＣＨ カード保持部
ＰＮ プローブ針
ＰＲ プローバー
ＰＲＤ 研磨部
ＰＲＴ プローブ試験装置
ＳＤ 半導体装置
ＳＴＧ ステージ
ＴＳ テスター

Claims (8)

1. 半導体装置にプローブ試験を行うプローブ試験装置と、
   前記プローブ試験装置を制御する制御装置と、
   を用い、
   前記プローブ試験装置は、
   プローブカードを保持するカード保持部と、
   前記半導体装置を保持する半導体装置保持部と、
   前記カード保持部と前記半導体装置保持部の距離を制御する距離制御部と、
   を有し、
   前記制御装置は、
   外部から、前記プローブ試験装置の設置場所に地震波が到達する可能性が高いこと、及びその揺れの大きさを知らせる地震速報情報を受信する地震速報受信部と、
   前記地震速報受信部が受信した地震速報情報に基づいて、前記距離制御部に対して前記距離の制御信号を送信する制御信号送信部と、
   を有し、
   前記制御信号送信部は、
   前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、前記制御信号として第１の距離に修正するための信号を送信し、
   前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさが前記第２の値以上であるときに、前記制御信号として、前記プローブカードと前記半導体装置の距離を前記第１の距離よりも大きい第２の距離に修正するための信号を送信する半導体装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   同一の前記半導体装置に複数の半導体チップが個片化されずに設けられており、
   前記プローブ試験装置の前記距離制御部は、
   同一の前記半導体装置において試験対象となる前記半導体チップを替えるときには前記距離を前記第１の距離とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記プローブ試験装置の前記距離制御部は、
   前記第２の距離を、前記半導体装置保持部が保持する前記半導体装置を替えるときの前記距離よりも大きい半導体装置の製造方法。
4. 請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記第２の距離は、前記プローブカードと前記半導体装置の距離の最大値である半導体装置の製造方法。
5. 請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記地震速報情報は、前記プローブ試験装置の設置場所における地震波の到達予想時刻を算出するために必要な情報を有しており、
   前記制御装置の前記制御信号送信部は、
   前記地震速報情報を用いて前記到達予想時刻までの猶予時間を算出し、
   前記猶予時間が第１の時間よりも短いときには前記プローブ試験装置に対して前記プローブ試験の中断指令を送信することなく、前記制御信号を送信し、
   前記猶予時間が前記第１の時間よりも長いときには前記プローブ試験装置に対して前記中断指令を送信し、かつ前記制御信号を送信し、
   前記プローブ試験装置は、
   前記中断指令を受信した場合、プローブ試験の中断処理を行った後、前記制御信号に従って前記距離を制御し、
   前記中断指令を受信しなかった場合、前記プローブ試験の中断処理を行うことなく前記制御信号に従って前記距離を制御する半導体装置の製造方法。
6. 半導体装置にプローブ試験を行うプローブ試験装置と、
   前記プローブ試験装置を制御する制御装置と、
   を用い、
   前記プローブ試験装置は、
   プローブカードを保持するカード保持部と、
   前記半導体装置を保持する半導体装置保持部と、
   前記カード保持部と前記半導体装置保持部の距離を制御する距離制御部と、
   を有し、
   前記制御装置は、
   外部から、前記プローブ試験装置の設置場所に地震波が到達する可能性が高いことを示し、かつ前記プローブ試験装置の設置場所における地震波の到達予想時刻を算出するために必要な情報を含む地震速報情報を受信する地震速報受信部と、
   前記地震速報受信部が受信した地震速報情報に基づいて、前記距離制御部に対して前記距離を大きくすることを示す制御信号を送信する制御信号送信部と、
   を有し、
   前記制御信号送信部は、
   前記地震速報情報を用いて前記到達予想時刻までの猶予時間を算出し、
   前記猶予時間が第１の時間よりも短いときには前記プローブ試験装置に対して前記プローブ試験の中断指令を送信することなく、前記制御信号を送信する半導体装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
   前記制御装置の前記制御信号送信部は、前記猶予時間が前記第１の時間よりも長いときには前記プローブ試験装置に対して前記中断指令を送信し、かつ前記制御信号を送信する半導体装置の製造方法。
8. 半導体装置にプローブ試験を行うプローブ試験装置と、
   前記プローブ試験装置を制御する制御装置と、
   を備え、
   前記プローブ試験装置は、
   プローブカードを保持するカード保持部と、
   前記半導体装置を保持する半導体装置保持部と、
   前記カード保持部と前記半導体装置保持部の距離を制御する距離制御部と、
   を有し、
   前記制御装置は、
   外部から、前記プローブ試験装置の設置場所に地震波が到達する可能性が高いこと、及びその揺れの大きさを知らせる地震速報情報を受信する地震速報受信部と、
   前記地震速報受信部が受信した地震速報情報に基づいて、前記距離制御部に対して前記距離の制御信号を送信する制御信号送信部と、
   を有し、
   前記制御信号送信部は、
   前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさが第１の値以上第２の値未満であるときに、前記制御信号として、前記プローブカードと前記半導体装置の距離を第１の距離に修正する信号を送信し、
   前記地震速報情報が示す前記揺れの大きさが前記第２の値以上であるときに、前記制御信号として、前記プローブカードと前記半導体装置の距離を前記第１の距離よりも大きい第２の距離に修正する信号を送信する半導体製造装置。

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