JP2013251537A - Ledストリングのコントロールデバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】レイアウト過程を単純化し、生産コストを低下させられ、フリッカー現象を低下させられ、電気効率を高めることができるLEDストリングのコントロールデバイスを提供する。
【解決手段】LEDストリングのコントロールデバイスは、高圧NチャンネルパーツHV1−HV5と低圧電流制限スイッチ21−25、31−34、41−44ユニットとの直列接続結合を利用し、ルート上の電圧或いは電流を探知することで、設定値より大きい時には、低圧電流制限パーツに切換え、高圧NチャンネルパーツHV1−HV5は間接的にコントロールされ、アース端に最も近い低圧電流制限スイッチ21−25、31−34、41−44ユニットはオンにされ、他の電流制限スイッチユニットはオフになり、これにより高圧 LEDをコントロールする効果を達成する。
【選択図】図3
【解決手段】LEDストリングのコントロールデバイスは、高圧NチャンネルパーツHV1−HV5と低圧電流制限スイッチ21−25、31−34、41−44ユニットとの直列接続結合を利用し、ルート上の電圧或いは電流を探知することで、設定値より大きい時には、低圧電流制限パーツに切換え、高圧NチャンネルパーツHV1−HV5は間接的にコントロールされ、アース端に最も近い低圧電流制限スイッチ21−25、31−34、41−44ユニットはオンにされ、他の電流制限スイッチユニットはオフになり、これにより高圧 LEDをコントロールする効果を達成する。
【選択図】図3
Description
本発明はLEDストリングのコントロールデバイスに関し、特に低圧電流制限スイッチと高圧Nチャンネル(N−channel)パーツの組合せにより、高圧LEDをコントロールし、レイアウト過程を単純化でき、生産コストを低下させられ、伝統的高圧LEDが生じる120Hzフリッカー現象を効果的に低下させられるばかりか、電気効率を高めることができるLEDストリングのコントロールデバイスに関する。
ロングストリング高圧LEDの生産コストは、どんどん低廉になっており、既に広く市民に受け入れられるようになっている。
しかし、高圧コントロールの方法には、なお欠点が存在する。
例えば、特許文献1、2、3では、切換え時間点及び駆動電流が固定電流である等の問題が見られる。
例えば、特許文献1、2、3では、切換え時間点及び駆動電流が固定電流である等の問題が見られる。
上記した問題を解決するために、特許文献4は、高圧発光ダイオード電球を駆動する集積回路を開示する。
図1、2に示すように、その装置は、電流制限ユニット(NMOS)を備える。
電流制限ユニットをオン或いはオフにすることで、LEDスタックを切換え、力率改善を高め、全高調波歪を低下させることができる。
しかし、数個の高圧NMOSの導通電圧の間には、製造工程上の差異性及び温度変化があるため、交替時間及び電流のコントロールが難しい。
その結果、LEDに導通した瞬間の電流が過度に大きくなり、或いは電流消失時間が長くなりすぎ、フリッカー(Flicker)が発生する。
しかも、総電流を開くと、不連続及び瞬間的な電流過大の現象が発生する。
図1、2に示すように、その装置は、電流制限ユニット(NMOS)を備える。
電流制限ユニットをオン或いはオフにすることで、LEDスタックを切換え、力率改善を高め、全高調波歪を低下させることができる。
しかし、数個の高圧NMOSの導通電圧の間には、製造工程上の差異性及び温度変化があるため、交替時間及び電流のコントロールが難しい。
その結果、LEDに導通した瞬間の電流が過度に大きくなり、或いは電流消失時間が長くなりすぎ、フリッカー(Flicker)が発生する。
しかも、総電流を開くと、不連続及び瞬間的な電流過大の現象が発生する。
この他、伝統的な方法で、ロングストリングLEDを駆動する時には、前端のLEDは、平均導通時間が比較的長いため輝度が高いが、末端のLEDは、導通時間が短いため輝度が低く、暗くなってしまう。
これがいわゆる120Hz光学リップルで、すなわち伝統的な方法による高圧LED駆動の効率は高くない。
もし、コントロールノードを増やし効率を高めるなら、生産コストを拡大してしまうという問題がある。
本発明は、従来のLEDストリングのコントロールデバイスの上記した欠点に鑑み、出力ワット数を高め、フリッカーを低下させられるばかりか、電磁干渉とコストを低下させることができるLEDストリングのコントロールデバイスを開発するものである。
これがいわゆる120Hz光学リップルで、すなわち伝統的な方法による高圧LED駆動の効率は高くない。
もし、コントロールノードを増やし効率を高めるなら、生産コストを拡大してしまうという問題がある。
本発明は、従来のLEDストリングのコントロールデバイスの上記した欠点に鑑み、出力ワット数を高め、フリッカーを低下させられるばかりか、電磁干渉とコストを低下させることができるLEDストリングのコントロールデバイスを開発するものである。
本発明が解決しようとする課題は、生産コストを低下させ、切換えノイズ干渉を低下させ、コントロール回路レイアウトを単純化できるLEDストリングのコントロールデバイスを提供することである。
上記課題を解決するため、本発明は下記のLEDストリングのコントロールデバイスを提供する。
本発明のLEDストリングのコントロールデバイスにおいて、LEDストリングはアースし、或いはアースせず、複数の直列接続のLEDユニットにより組成し、該LEDユニットは、1個の或いは多数の、直列接続或いは並列接続のLEDを備える。
本発明のLEDストリングのコントロールデバイスは、複数の高圧Nチャンネルパーツ及び複数の低圧電流制限スイッチを備え、該各高圧Nチャンネルパーツは、対応するLEDユニットの電流出力端に電気的に連接し、該各低圧電流制限スイッチは、低圧Nチャンネルパーツを備え、対応する高圧Nチャンネルパーツに電気的に連接し、対応するLEDユニットと並列接続し、電流は、該高圧Nチャンネルパーツより対応する低圧電流制限スイッチへと流れ、いわゆる低圧及び高圧とは、それが相対するブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)に基づきいう。
これにより、該低圧電流制限スイッチを流れる導通電流が増加或いは減少すると、対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流もまた、これに従い増加或いは減少し、該高圧Nチャンネルパーツ或いは該低圧Nチャンネルパーツは、金属酸化物半導体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)トランジスター或いは電子が多数のポーラのバイポーラ(Bi−polar)トランジスターであるがこれに限定せず、他のスイッチパーツも適用可能である。
本発明のコントロールデバイスにより、該低圧電流制限スイッチの入力電流が増加すると、その内の電位が最低の低圧電流制限スイッチはオンとなり、電位が比較的高い他の低圧電流制限スイッチの導通電流は減らされ、しかも電位が比較的高い対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流も、これに従い減少する。
或いは、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチが、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチの「電流を減少させるコントロール信号」を受信すると、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチを流れる導通電流は減少し、対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流もこれに従い減少し、上記した低圧電流制限スイッチのオン或いは電流が減少すると、外部或いは内蔵のマスター−スレーブコントローラーにより判定し、或いは信号を伝送し、他の適当な配線を経て設計が達成されるがこれに限定されるものではない。
これにより、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチの導通電流は、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチのコントロールを受け、本発明のコントロールデバイスは、少なくとも1個の電圧或いは電流ディテクション回路を備え、対応するLEDユニットから対応する低圧電流制限スイッチまでのルート上の電圧或いは電流を探知する。
これにより、探知した電圧或いは電流が設定値より大きい時には、対応する低圧電流制限スイッチは、オフにされ、或いは、探知した電圧或いは電流が設定値より小さい時には、対応する低圧電流制限スイッチは、オンにされる。
この他、現在よく見られる高低圧モノリシックチップ(monolithic chip)は、すべての高低圧回路を単一チップ上に統合し、高圧Nチャンネルパーツ及び低圧Nチャンネルパーツの電流は共に水平式(lateral)である。
しかし、モノリシックチップの高圧パーツの導通レジスターは、水平方向の平面空間制限を受けるため、導通レジスター比は、伝統的な垂直式(vertical)高圧パーツに比べ高く、よって、本発明が使用する高圧Nチャンネルパーツは、伝統的な垂直式アーキテクチャより優れ、垂直式パーツのドレイン極は背面で、ソース極とゲート極は正面で、電流は背面から正面に流れ入るため、導通レジスター比は水平式のパーツより低く、金属ワイヤーボンド(Wire bond)或いは他の方式により、垂直式高圧Nチャンネルアセンブリ及び水平式低圧コントロール集積回路を結合し、製造コストを低下させられる。
本発明でいう電気的に連接とは、電気的カップリング(coupling)をいうこともでき、直接或いは間接連接に制限されるものではなく、本発明アーキテクチャの目的を達成できるものであるなら、それで良い。
本発明のLEDストリングのコントロールデバイスにおいて、LEDストリングはアースし、或いはアースせず、複数の直列接続のLEDユニットにより組成し、該LEDユニットは、1個の或いは多数の、直列接続或いは並列接続のLEDを備える。
本発明のLEDストリングのコントロールデバイスは、複数の高圧Nチャンネルパーツ及び複数の低圧電流制限スイッチを備え、該各高圧Nチャンネルパーツは、対応するLEDユニットの電流出力端に電気的に連接し、該各低圧電流制限スイッチは、低圧Nチャンネルパーツを備え、対応する高圧Nチャンネルパーツに電気的に連接し、対応するLEDユニットと並列接続し、電流は、該高圧Nチャンネルパーツより対応する低圧電流制限スイッチへと流れ、いわゆる低圧及び高圧とは、それが相対するブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)に基づきいう。
これにより、該低圧電流制限スイッチを流れる導通電流が増加或いは減少すると、対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流もまた、これに従い増加或いは減少し、該高圧Nチャンネルパーツ或いは該低圧Nチャンネルパーツは、金属酸化物半導体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)トランジスター或いは電子が多数のポーラのバイポーラ(Bi−polar)トランジスターであるがこれに限定せず、他のスイッチパーツも適用可能である。
本発明のコントロールデバイスにより、該低圧電流制限スイッチの入力電流が増加すると、その内の電位が最低の低圧電流制限スイッチはオンとなり、電位が比較的高い他の低圧電流制限スイッチの導通電流は減らされ、しかも電位が比較的高い対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流も、これに従い減少する。
或いは、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチが、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチの「電流を減少させるコントロール信号」を受信すると、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチを流れる導通電流は減少し、対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流もこれに従い減少し、上記した低圧電流制限スイッチのオン或いは電流が減少すると、外部或いは内蔵のマスター−スレーブコントローラーにより判定し、或いは信号を伝送し、他の適当な配線を経て設計が達成されるがこれに限定されるものではない。
これにより、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチの導通電流は、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチのコントロールを受け、本発明のコントロールデバイスは、少なくとも1個の電圧或いは電流ディテクション回路を備え、対応するLEDユニットから対応する低圧電流制限スイッチまでのルート上の電圧或いは電流を探知する。
これにより、探知した電圧或いは電流が設定値より大きい時には、対応する低圧電流制限スイッチは、オフにされ、或いは、探知した電圧或いは電流が設定値より小さい時には、対応する低圧電流制限スイッチは、オンにされる。
この他、現在よく見られる高低圧モノリシックチップ(monolithic chip)は、すべての高低圧回路を単一チップ上に統合し、高圧Nチャンネルパーツ及び低圧Nチャンネルパーツの電流は共に水平式(lateral)である。
しかし、モノリシックチップの高圧パーツの導通レジスターは、水平方向の平面空間制限を受けるため、導通レジスター比は、伝統的な垂直式(vertical)高圧パーツに比べ高く、よって、本発明が使用する高圧Nチャンネルパーツは、伝統的な垂直式アーキテクチャより優れ、垂直式パーツのドレイン極は背面で、ソース極とゲート極は正面で、電流は背面から正面に流れ入るため、導通レジスター比は水平式のパーツより低く、金属ワイヤーボンド(Wire bond)或いは他の方式により、垂直式高圧Nチャンネルアセンブリ及び水平式低圧コントロール集積回路を結合し、製造コストを低下させられる。
本発明でいう電気的に連接とは、電気的カップリング(coupling)をいうこともでき、直接或いは間接連接に制限されるものではなく、本発明アーキテクチャの目的を達成できるものであるなら、それで良い。
本発明のLEDストリングのコントロールデバイスは、以下の効果を備える。
1.高圧Nチャンネルパーツのソース極低圧を監視したところ、ドレイン極高圧或いはLEDの出力電圧と等価であった。よって、高圧環境に監視ポイントを設立する必要がなく、構造を簡単にすることができる。
2.低圧電流制限スイッチの切換え機能を利用し、高圧LED電流をコントロールし、LEDを迅速にオン或いはオフできるため、システム電流がさらに安定し、入力電流は連続となり、EMI干渉を大幅に低下させられ、全高調波歪を低くすることができる。
3.伝統式垂直式高圧Nチャンネルパーツをコントロールするゲート極及びソース極とコントローラー集積回路との接続を単純化でき、レイアウト過程を簡単にでき、従来の面倒で複雑だったレイアウトの問題を解決することができる。
4.コントロール集積回路がアースしない方式とロングストリングLEDの並列接続を利用し、コントロール回路の消費電力を減らし、さらにロングストリング時のLED位置が異なることで起きる120HZのリップル点滅を減らすことができる。
1.高圧Nチャンネルパーツのソース極低圧を監視したところ、ドレイン極高圧或いはLEDの出力電圧と等価であった。よって、高圧環境に監視ポイントを設立する必要がなく、構造を簡単にすることができる。
2.低圧電流制限スイッチの切換え機能を利用し、高圧LED電流をコントロールし、LEDを迅速にオン或いはオフできるため、システム電流がさらに安定し、入力電流は連続となり、EMI干渉を大幅に低下させられ、全高調波歪を低くすることができる。
3.伝統式垂直式高圧Nチャンネルパーツをコントロールするゲート極及びソース極とコントローラー集積回路との接続を単純化でき、レイアウト過程を簡単にでき、従来の面倒で複雑だったレイアウトの問題を解決することができる。
4.コントロール集積回路がアースしない方式とロングストリングLEDの並列接続を利用し、コントロール回路の消費電力を減らし、さらにロングストリング時のLED位置が異なることで起きる120HZのリップル点滅を減らすことができる。
以下に図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明高圧LEDのコントロールデバイスの第一実施例を示す。
LEDストリング70は、5個のLEDユニット701−705を備え、各LEDユニットは、数個のLEDを備える。
コントロールデバイスは、高電位から低電位へと順番に、5個の対応する高圧Nチャンネルパーツ(HV NMOS)HV1−HV5、5個の低圧電流制限スイッチ(或いは定電流スイッチ)21−25、外部のマスター−スレーブコントローラー51を備える。
本説明書でいう「外部」或いは「内蔵」とは、低圧電流制限スイッチに対していうものである。
LEDストリング70は、5個のLEDユニット701−705を備え、各LEDユニットは、数個のLEDを備える。
コントロールデバイスは、高電位から低電位へと順番に、5個の対応する高圧Nチャンネルパーツ(HV NMOS)HV1−HV5、5個の低圧電流制限スイッチ(或いは定電流スイッチ)21−25、外部のマスター−スレーブコントローラー51を備える。
本説明書でいう「外部」或いは「内蔵」とは、低圧電流制限スイッチに対していうものである。
LEDストリング70の電流入力端は、ブリッジ整流器902に連接し、ブリッジ整流器902の入力端は、AC交流電源901に連接する。
LEDストリング70は、LEDロングストリングの一部分とすることができ、コントロールデバイスもまた、対応するLEDストリングに直列接続しコントロールすることができる。
LEDストリング70は、LEDロングストリングの一部分とすることができ、コントロールデバイスもまた、対応するLEDストリングに直列接続しコントロールすることができる。
LEDストリング70中において、各LEDユニットの電流出力端は、対応する高圧Nチャンネルパーツのドレイン極に連接する。
高圧Nチャンネルパーツのソース極は、対応する低圧電流制限スイッチ21−25に連接し、ゲート極は、ツェナーダイオードZ1に連接し、固定バイアスを提供する。
ツェナーダイオードZ1は、レジスターR1を経由して、ブリッジ整流器902に連接し、キャパシターC1と並列接続する。
コントロールデバイスの電圧源は、ツェナーダイオードZ1により電圧安定を提供される。
高圧Nチャンネルパーツのソース極は、対応する低圧電流制限スイッチ21−25に連接し、ゲート極は、ツェナーダイオードZ1に連接し、固定バイアスを提供する。
ツェナーダイオードZ1は、レジスターR1を経由して、ブリッジ整流器902に連接し、キャパシターC1と並列接続する。
コントロールデバイスの電圧源は、ツェナーダイオードZ1により電圧安定を提供される。
各低圧電流制限スイッチは、信号入力端S1及び信号出力端S2を備え、マスター−スレーブコントローラー(master−slave)51の対応する信号出力端及び信号入力端にそれぞれ連接する。
各低圧電流制限スイッチもまた、電圧出力端及び電流出力端を備え、コントロールデバイスの電圧出力接点Vout及び電流出力接点Ioutにそれぞれ連接する。
電圧出力接点Voutは、レジスターR2を経由して、さらに電流出力接点Ioutに連接し、最後にIoutはツェナーダイオードZ1に連接する。
各低圧電流制限スイッチもまた、電圧出力端及び電流出力端を備え、コントロールデバイスの電圧出力接点Vout及び電流出力接点Ioutにそれぞれ連接する。
電圧出力接点Voutは、レジスターR2を経由して、さらに電流出力接点Ioutに連接し、最後にIoutはツェナーダイオードZ1に連接する。
図2は図1における高圧Nチャンネルパーツと対応する低圧電流制限スイッチのアーキテクチャを説明するが、高圧NチャンネルパーツHV2及び低圧電流制限スイッチ22を例とする。
低圧電流制限スイッチ22は、低圧Nチャンネルパーツ(LV NMOS)LV2、コンパレーターK2、高抵抗値レジスターR3を備える。
低圧電流制限スイッチ22は、低圧Nチャンネルパーツ(LV NMOS)LV2、コンパレーターK2、高抵抗値レジスターR3を備える。
コンパレーターK2及び高抵抗値レジスターR3は、電圧ディテクション回路を形成し、電圧ディテクション回路、マスター−スレーブコントローラー、OPアンプ(OPAMP)K1、電気的連接配線はコントロールアーキテクチャを形成する。
低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極は、対応する高圧NチャンネルパーツHV2のソース極、コンパレーターK2の入力プラス端、レジスターR3に連接する。
ゲート極は、低圧電流制限スイッチの信号入力端S1に連接し、マスター−スレーブコントローラー51の出力信号コントロールを受ける。
ソース極は、電圧出力接点Voutに連接する。
低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極は、対応する高圧NチャンネルパーツHV2のソース極、コンパレーターK2の入力プラス端、レジスターR3に連接する。
ゲート極は、低圧電流制限スイッチの信号入力端S1に連接し、マスター−スレーブコントローラー51の出力信号コントロールを受ける。
ソース極は、電圧出力接点Voutに連接する。
電流は、LEDユニット702の電流出力端より、高圧NチャンネルパーツHV2を経由して、低圧電流制限スイッチ22に至る。
レジスターR3はさらに、電流出力接点Ioutに連接する。
コンパレーターK2の入力マイナス端は、参考電位(Vref2)に連接し、電流制限ターニングポイント参考電位とする。
低圧電流制限スイッチ22の信号出力端S2は、マスター−スレーブコントローラー51の信号入力端に連接する。
図1において、マスター−スレーブコントローラー51は、OPアンプK1の出力端に連接し、OPアンプK1の入力プラス端は、参考電位(Vref1)に連接し、そのマイナス端は、電圧出力接点Voutに連接し、レジスターR2と相互に連結し、マスター−スレーブ式電流制限効果を形成する。
レジスターR3はさらに、電流出力接点Ioutに連接する。
コンパレーターK2の入力マイナス端は、参考電位(Vref2)に連接し、電流制限ターニングポイント参考電位とする。
低圧電流制限スイッチ22の信号出力端S2は、マスター−スレーブコントローラー51の信号入力端に連接する。
図1において、マスター−スレーブコントローラー51は、OPアンプK1の出力端に連接し、OPアンプK1の入力プラス端は、参考電位(Vref1)に連接し、そのマイナス端は、電圧出力接点Voutに連接し、レジスターR2と相互に連結し、マスター−スレーブ式電流制限効果を形成する。
LEDストリング70の入力電圧が増加すると、低圧電流制限スイッチ21−25は順番にオンになる。
低圧電流制限スイッチ22の電圧が参考電位Vref2より大きいと、コンパレーターK2は、信号出力端S2を経由して、「H」信号をマスター−スレーブコントローラー51に伝送する。
この時、マスター−スレーブコントローラー51もまた「H」信号を、信号入力端S1に伝送し、低圧NチャンネルパーツLV2は、オンとなる。
同時に、マスター−スレーブコントローラー51は、低圧電流制限スイッチ22の出力信号を反転後、信号を、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチ21に伝送し、これにより導通電流を減らし、或いはオフにする。
この過程において、高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ25の低圧Nチャンネルパーツのゲート極は、オープン状態を維持する。
低圧電流制限スイッチ22の電圧が参考電位Vref2より大きいと、コンパレーターK2は、信号出力端S2を経由して、「H」信号をマスター−スレーブコントローラー51に伝送する。
この時、マスター−スレーブコントローラー51もまた「H」信号を、信号入力端S1に伝送し、低圧NチャンネルパーツLV2は、オンとなる。
同時に、マスター−スレーブコントローラー51は、低圧電流制限スイッチ22の出力信号を反転後、信号を、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチ21に伝送し、これにより導通電流を減らし、或いはオフにする。
この過程において、高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ25の低圧Nチャンネルパーツのゲート極は、オープン状態を維持する。
同様に、低圧電流制限スイッチ23の電圧が参考電位Vref2より大きい時には、コンパレーターK2は、「H」信号を、マスター−スレーブコントローラー51に伝送する。
この時、マスター−スレーブコントローラー51は、信号を低圧電流制限スイッチ23に伝送し、それをオンにする。
同時に、信号を、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチ21、22に伝送し、これにより導通電流を減らし、或いはオフにする。
この時、マスター−スレーブコントローラー51は、信号を低圧電流制限スイッチ23に伝送し、それをオンにする。
同時に、信号を、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチ21、22に伝送し、これにより導通電流を減らし、或いはオフにする。
反対に、LEDストリング70の入力電圧が減少し、低圧電流制限スイッチ25の電圧が参考電位Vref2より小さくなった時には、コンパレーターK2は、「L」信号を、マスター−スレーブコントローラー51に伝送する。
この時、マスター−スレーブコントローラー51は、低圧電流制限スイッチ25の出力信号を反転後、信号を、低圧電流制限スイッチ24に伝送し、導通電流を増加させる。
この時、マスター−スレーブコントローラー51は、低圧電流制限スイッチ25の出力信号を反転後、信号を、低圧電流制限スイッチ24に伝送し、導通電流を増加させる。
上記したアーキテクチャに明らかなように、本発明装置の特徴は、以下の通りである。
比較的高い電位の低圧Nチャンネルパーツ或いは低圧電流制限スイッチの導通電流は、比較的低い電位のコントロールを受ける。
この他、LEDユニットのオン或いはオフは、低圧電流制限スイッチによりコントロールされ、高圧Nチャンネルパーツではない。
低圧パーツのオン及びオフ速度は比較的速いため、切換え過程において、LEDストリング不連続電流の問題を減少させることができる。
比較的高い電位の低圧Nチャンネルパーツ或いは低圧電流制限スイッチの導通電流は、比較的低い電位のコントロールを受ける。
この他、LEDユニットのオン或いはオフは、低圧電流制限スイッチによりコントロールされ、高圧Nチャンネルパーツではない。
低圧パーツのオン及びオフ速度は比較的速いため、切換え過程において、LEDストリング不連続電流の問題を減少させることができる。
図3は、本発明高圧LEDのコントロールデバイス第二実施例を示す。
本実施例のLEDストリング80は、5個のLEDユニット801−805を備え、各LEDユニットは、数個の直列接続のLEDを備える。
LEDユニット801−804は、対応する高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ31−34にそれぞれ連接し、LEDユニット805はアースする。
上記した第一実施例とは異なり、本実施例は、外部のマスター−スレーブコントローラー51の特定主体を備えず、分散式マスター−スレーブコントローラーを、各低圧電流制限スイッチ31−34中に内蔵する。
本実施例のLEDストリング80は、5個のLEDユニット801−805を備え、各LEDユニットは、数個の直列接続のLEDを備える。
LEDユニット801−804は、対応する高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ31−34にそれぞれ連接し、LEDユニット805はアースする。
上記した第一実施例とは異なり、本実施例は、外部のマスター−スレーブコントローラー51の特定主体を備えず、分散式マスター−スレーブコントローラーを、各低圧電流制限スイッチ31−34中に内蔵する。
図4に示すように、低圧電流制限スイッチ32を例とし、コンパレーターK2及び高抵抗値レジスターR3は、電圧ディテクション回路を形成する。
電圧ディテクション回路、分散式マスター−スレーブコントローラー52、セレクターSE1、OPアンプK1、及び電気的連接配線は、コントロールアーキテクチャを形成する。
分散式マスター−スレーブコントローラー52は、インバーター(inverter)とロジックパーツANDを備える。
電圧ディテクション回路、分散式マスター−スレーブコントローラー52、セレクターSE1、OPアンプK1、及び電気的連接配線は、コントロールアーキテクチャを形成する。
分散式マスター−スレーブコントローラー52は、インバーター(inverter)とロジックパーツANDを備える。
OPアンプK1の入力プラス端は同様に、参考電位Vref1に連接し、入力マイナス端は、低圧NチャンネルパーツLV2のソース極に連接し、出力端は、セレクターSE1の「1」入力端に連接する。
セレクターSE1は、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチ内蔵の分散式マスター−スレーブロジック52のコントロールを受ける。
もし、信号入力端S3が受信した信号が「H」なら、セレクターSE1は、OPアンプK1の出力端に切り換える。
もし、信号入力端S3の信号が「L」なら、セレクターSE1は、低圧NチャンネルパーツLV2のゲート極を、電流出力接点Ioutに連接し、低圧NチャンネルパーツLV2をオフにする。
セレクターSE1は、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチ内蔵の分散式マスター−スレーブロジック52のコントロールを受ける。
もし、信号入力端S3が受信した信号が「H」なら、セレクターSE1は、OPアンプK1の出力端に切り換える。
もし、信号入力端S3の信号が「L」なら、セレクターSE1は、低圧NチャンネルパーツLV2のゲート極を、電流出力接点Ioutに連接し、低圧NチャンネルパーツLV2をオフにする。
この実施例において、LEDストリング80の入力電圧が増加すると、低圧電流制限スイッチ31−34は順番にオンになる。
低圧電流制限スイッチ32を例とすると、低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極電圧が参考電位Vref2より大きい時には、その中のコンパレーターK2は、「H」信号を、分散式マスター−スレーブロジック52に伝送する。
この時、もし信号入力端S3も信号「H」を受信したなら、低圧NチャンネルパーツLV2はオンになる。
同時に、リバースは、信号を「L」に転換し、ロジックパーツANDに伝送し、信号出力端S4の出力信号を「L」にする。
よって、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチ31が信号「L」を受信すると、導通電流は減少し、或いはオフとなる。
オンとオフのプロセス全体のコントロール過程において、高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ34の低圧Nチャンネルパーツのゲート極は、オープン状態を維持する。
低圧電流制限スイッチ32を例とすると、低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極電圧が参考電位Vref2より大きい時には、その中のコンパレーターK2は、「H」信号を、分散式マスター−スレーブロジック52に伝送する。
この時、もし信号入力端S3も信号「H」を受信したなら、低圧NチャンネルパーツLV2はオンになる。
同時に、リバースは、信号を「L」に転換し、ロジックパーツANDに伝送し、信号出力端S4の出力信号を「L」にする。
よって、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチ31が信号「L」を受信すると、導通電流は減少し、或いはオフとなる。
オンとオフのプロセス全体のコントロール過程において、高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ34の低圧Nチャンネルパーツのゲート極は、オープン状態を維持する。
図5は、本発明高圧LEDのコントロールデバイスの第三実施例を示す。
第一及び二実施例とは異なり、本実施例には外部のマスター−スレーブコントローラーがなく、低圧電流制限スイッチ41−44内にも、分散式マスター−スレーブコントローラーはない。
第一及び二実施例とは異なり、本実施例には外部のマスター−スレーブコントローラーがなく、低圧電流制限スイッチ41−44内にも、分散式マスター−スレーブコントローラーはない。
図6に示すように、低圧電流制限スイッチ42を例とし、コンパレーターK2及び高抵抗値レジスターR3もまた、電圧ディテクション回路を形成する。
電圧ディテクション回路、セレクターSE1、OPアンプK1、及び電気的連接配線は、コントロールアーキテクチャを形成する。
コンパレーターK2の出力端は、内部配線により、セレクターSE1に連接する。
セレクターSE1の「0」入力端は、OPアンプK1の出力端に連接し、「1」入力端は、電流出力接点Ioutに連接する。
電圧ディテクション回路、セレクターSE1、OPアンプK1、及び電気的連接配線は、コントロールアーキテクチャを形成する。
コンパレーターK2の出力端は、内部配線により、セレクターSE1に連接する。
セレクターSE1の「0」入力端は、OPアンプK1の出力端に連接し、「1」入力端は、電流出力接点Ioutに連接する。
LEDストリング80の入力電圧が増加し、低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極電圧が参考電位Vref2より大きくなると、コンパレーターK2は「H」信号を、セレクターSE1のコントロール端に伝送し、SE1出力端は「1」入力端に連接する。
よって、低圧NチャンネルパーツLV2のゲート極は、電流出力接点Ioutに連接し、導通電流を減少し、或いはそれをオフにする。
反対に、もし低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極電圧が、参考電位Vref2より小さいなら、コンパレーターK2は「L」信号を、セレクターSE1に伝送し、これにより低圧NチャンネルパーツLV2のゲート極は、OPアンプK1の出力端に連接し、低圧電流制限スイッチ42をオンにする。
オンとオフのプロセス全体のコントロール過程において、高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ44の低圧Nチャンネルパーツのゲート極は、オープン状態を維持する。
よって、低圧NチャンネルパーツLV2のゲート極は、電流出力接点Ioutに連接し、導通電流を減少し、或いはそれをオフにする。
反対に、もし低圧NチャンネルパーツLV2のドレイン極電圧が、参考電位Vref2より小さいなら、コンパレーターK2は「L」信号を、セレクターSE1に伝送し、これにより低圧NチャンネルパーツLV2のゲート極は、OPアンプK1の出力端に連接し、低圧電流制限スイッチ42をオンにする。
オンとオフのプロセス全体のコントロール過程において、高圧NチャンネルパーツHV1−HV4及び低圧電流制限スイッチ44の低圧Nチャンネルパーツのゲート極は、オープン状態を維持する。
測定と分析:
第二実施例のアーキテクチャを基礎とし、単一高圧Nチャンネルパーツと簡易な低圧電流制限スイッチの組合せを、図7に示すようにテストする。
レジスターR1は約200KΩで、ツェナーダイオードZ1のブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)或いは耐圧は12Vである。
高圧NチャンネルパーツHV2のドレイン極のブレイクダウン電圧は約600Vで、ドレイン極設定DC電圧は、150Vで、ゲート極はツェナーダイオードZ1とレジスターR1の連接点に接続する。
第二実施例のアーキテクチャを基礎とし、単一高圧Nチャンネルパーツと簡易な低圧電流制限スイッチの組合せを、図7に示すようにテストする。
レジスターR1は約200KΩで、ツェナーダイオードZ1のブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)或いは耐圧は12Vである。
高圧NチャンネルパーツHV2のドレイン極のブレイクダウン電圧は約600Vで、ドレイン極設定DC電圧は、150Vで、ゲート極はツェナーダイオードZ1とレジスターR1の連接点に接続する。
簡易な低圧電流制限スイッチは、高圧NチャンネルパーツHV2のソース極に接続し、定電流設定はI=56Maで、しかも低圧パーツのドレイン極ブレイクダウン電圧は、40Vである。
簡易な低圧電流制限スイッチの信号入力端S3は、固定PWM信号(方形波周波数=20KHz,Duty cycle=50%)を入力する。
PWM信号が「H」である時、低圧電流制限スイッチはオン状態で、PWM信号が「L」である時、低圧電流制限スイッチはオフ状態である。
簡易な低圧電流制限スイッチの信号入力端S3は、固定PWM信号(方形波周波数=20KHz,Duty cycle=50%)を入力する。
PWM信号が「H」である時、低圧電流制限スイッチはオン状態で、PWM信号が「L」である時、低圧電流制限スイッチはオフ状態である。
切換え過程において、高圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧と寄生インダクタンスは、ノイズを生じる。
しかし、測定結果に明らかなように、高圧Nチャンネルパーツのソース極ノイズ電圧はわずか11.5Vに制限され、しかもゲート極電位12Vより常に小さい。
高圧NチャンネルパーツHV2のドレイン極が、150V電圧に瞬間的に切換える時、パーツソース極直列接続の低圧電流制限スイッチに対して、保護作用を備える。
しかし、測定結果に明らかなように、高圧Nチャンネルパーツのソース極ノイズ電圧はわずか11.5Vに制限され、しかもゲート極電位12Vより常に小さい。
高圧NチャンネルパーツHV2のドレイン極が、150V電圧に瞬間的に切換える時、パーツソース極直列接続の低圧電流制限スイッチに対して、保護作用を備える。
図8は、図7の簡易組合せアーキテクチャを示すが、高圧NチャンネルパーツHV2のドレイン極が直列接続するレジスターR5は約30 Ohmで、しかもDC=20V電圧に接続し、ゲート極の固定電圧は、12Vである。
測定結果に示すように、切換え時間が約14usである時、予め設定する定電流値(56mA)を達成し、定電流状態を保持する。
オフ時間は、約2usより短いため、高圧パーツ切換えと等価効果を完成させることができる。
測定結果に示すように、切換え時間が約14usである時、予め設定する定電流値(56mA)を達成し、定電流状態を保持する。
オフ時間は、約2usより短いため、高圧パーツ切換えと等価効果を完成させることができる。
低圧電流制限スイッチを、2個の定電流値(56mAと156mA)に設定する。
図9は、高圧Nチャンネルパーツの、異なるドレイン極電圧下でのドレイン極電流値を示す。
高圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧がターニングポイント電圧(VKnee-Point)0.6V及び1.3Vより高い時には、電流は定電流区で、しかも低圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧も高圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧の上昇に従い上昇し、両者の差異はわずかに〜0.4Vである。
図9は、高圧Nチャンネルパーツの、異なるドレイン極電圧下でのドレイン極電流値を示す。
高圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧がターニングポイント電圧(VKnee-Point)0.6V及び1.3Vより高い時には、電流は定電流区で、しかも低圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧も高圧Nチャンネルパーツのドレイン極電圧の上昇に従い上昇し、両者の差異はわずかに〜0.4Vである。
図3に示す実施例のアーキテクチャを使用し、LEDユニット801を6個のLEDとする。
LEDユニット802−804はそれぞれ13個のLEDを備え、LEDユニット805は7個のLEDを備え、合計52個のLEDを備える。
各LEDのVfは約3Vで、AC端の入力電圧は110Vで、ピーク電圧は155Vである。
LEDユニット802−804はそれぞれ13個のLEDを備え、LEDユニット805は7個のLEDを備え、合計52個のLEDを備える。
各LEDのVfは約3Vで、AC端の入力電圧は110Vで、ピーク電圧は155Vである。
4個の高圧NチャンネルパーツHV1−HV4のゲート極がみな、ツェナーダイオードZ1の陰極に連接すると、固定直流電圧36Vを生じる。
各Nチャンネル高圧パーツのソース極は、1個の低圧電流制限スイッチに対応する。
コントロール回路全体の最低電位は、最後1個のLEDユニット805の電流入力端に連接し、エネルギー利用率を向上させられる。
各Nチャンネル高圧パーツのソース極は、1個の低圧電流制限スイッチに対応する。
コントロール回路全体の最低電位は、最後1個のLEDユニット805の電流入力端に連接し、エネルギー利用率を向上させられる。
電流は、入力電圧の直線的上昇に従い、PF値を高く調整し、最大出力電流を80mAに設定し、出力ワット数は約6.23W(=110V×80/√2mA)である。
入力電圧は42Vより大きい時には、LEDユニット801の6個のLEDとLEDユニット805の7個のLEDは「最も先に」しかも「同時に」オンとなり点灯され、ランプの全体的発光の均一度を高めることができる。
測定数値データにより、以下が分かる。
力率改善(Power Factor Correction,PFC)=0.98
全高調波歪(Total Harmonic Distortion,THD)=12%
光束=120lm/W
入力電圧は42Vより大きい時には、LEDユニット801の6個のLEDとLEDユニット805の7個のLEDは「最も先に」しかも「同時に」オンとなり点灯され、ランプの全体的発光の均一度を高めることができる。
測定数値データにより、以下が分かる。
力率改善(Power Factor Correction,PFC)=0.98
全高調波歪(Total Harmonic Distortion,THD)=12%
光束=120lm/W
上記した実施例アーキテクチャ及びテスト結果により、本発明は以下の効果を備えることが証明される。
1.高圧Nチャンネルパーツのソース極低圧を監視したところ、ドレイン極高圧或いはLEDの出力電圧と等価であった。よって、高圧環境に監視ポイントを設立する必要がなく、構造を簡単にすることができる。
2.低圧電流制限スイッチの切換え機能を利用し、高圧LED電流をコントロールし、LEDを迅速にオン或いはオフできるため、システム電流がさらに安定し、入力電流は連続となり、EMI干渉を大幅に低下させられ、全高調波歪を低くすることができる。
3.伝統式垂直式高圧Nチャンネルパーツをコントロールするゲート極及びソース極とコントローラー集積回路との接続を単純化でき、レイアウト過程を簡単にでき、従来の面倒で複雑だったレイアウトの問題を解決することができる。
4.コントロール集積回路がアースしない方式とロングストリングLEDの並列接続を利用し、コントロール回路の消費電力を減らし、さらにロングストリング時のLED位置が異なることで起きる120HZのリップル点滅を減らすことができる。
1.高圧Nチャンネルパーツのソース極低圧を監視したところ、ドレイン極高圧或いはLEDの出力電圧と等価であった。よって、高圧環境に監視ポイントを設立する必要がなく、構造を簡単にすることができる。
2.低圧電流制限スイッチの切換え機能を利用し、高圧LED電流をコントロールし、LEDを迅速にオン或いはオフできるため、システム電流がさらに安定し、入力電流は連続となり、EMI干渉を大幅に低下させられ、全高調波歪を低くすることができる。
3.伝統式垂直式高圧Nチャンネルパーツをコントロールするゲート極及びソース極とコントローラー集積回路との接続を単純化でき、レイアウト過程を簡単にでき、従来の面倒で複雑だったレイアウトの問題を解決することができる。
4.コントロール集積回路がアースしない方式とロングストリングLEDの並列接続を利用し、コントロール回路の消費電力を減らし、さらにロングストリング時のLED位置が異なることで起きる120HZのリップル点滅を減らすことができる。
上記の本発明名称と内容は、本発明技術内容の説明に用いたのみで、本発明を限定するものではない。本発明の精神に基づく等価応用或いは部品(構造)の転換、置換、数量の増減はすべて、本発明の保護範囲に含むものとする。
本発明は特許登録の要件である新規性を備え、従来の同類製品に比べ十分な進歩を有し、実用性が高く、社会のニーズに合致しており、産業上の利用価値は非常に大きい。
21−25、31−34、41−44 低圧電流制限スイッチ
51 外部のマスター−スレーブコントローラー
52 内蔵の分散式マスター−スレーブコントローラー
70、80 LEDストリング
701−705、801−805 LEDユニット
901 AC交流電源
902 ブリッジ整流器
C1 キャパシター
HV1−HV5 高圧Nチャンネルパーツ
Iout 電流出力接点
K1 OPアンプ
K2 コンパレーター
LV2 低圧Nチャンネルパーツ
R1、R2、R4、R5 レジスター
R3 高抵抗値レジスター
S1、S3 信号入力端
S2、S4 信号出力端
SE1 セレクター
Vout 電圧出力接点
Z1 ツェナーダイオード
51 外部のマスター−スレーブコントローラー
52 内蔵の分散式マスター−スレーブコントローラー
70、80 LEDストリング
701−705、801−805 LEDユニット
901 AC交流電源
902 ブリッジ整流器
C1 キャパシター
HV1−HV5 高圧Nチャンネルパーツ
Iout 電流出力接点
K1 OPアンプ
K2 コンパレーター
LV2 低圧Nチャンネルパーツ
R1、R2、R4、R5 レジスター
R3 高抵抗値レジスター
S1、S3 信号入力端
S2、S4 信号出力端
SE1 セレクター
Vout 電圧出力接点
Z1 ツェナーダイオード
Claims (15)
- LEDストリングのコントロールデバイスにおいて、LEDストリングは、複数の直列接続のLEDユニットにより組成し、
前記コントロールデバイスは、複数の高圧Nチャンネルパーツ、複数の低圧電流制限スイッチを備え、
前記各高圧Nチャンネルパーツは、対応するLEDユニットの電流出力端に電気的に連接し、
前記複数の低圧電流制限スイッチは、対応する高圧Nチャンネルパーツに電気的に連接し、対応するLEDユニットと並列接続し、
電流は、前記高圧Nチャンネルパーツより、対応する低圧電流制限スイッチへと流れ、ここで、低圧及び高圧とは、それが相対するブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)に基づきいうことを特徴とする、
LEDストリングのコントロールデバイス。 - 前記LEDストリングは、アースし、或いはアースしないことを特徴とする請求項1に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記高圧Nチャンネルパーツは、金属酸化物半導体(MOS)トランジスター或いはバイポーラ(Bi−polar)トランジスターであることを特徴とする請求項1に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記コントロールデバイスは、前記低圧電流制限スイッチを流れる導通電流が増加或いは減少すると、対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流もまた、これに従い増加或いは減少することを特徴とする請求項1に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- LEDストリングのコントロールデバイスにおいて、LEDストリングは、複数の直列接続のLEDユニットにより組成し、
前記コントロールデバイスは、複数の高圧Nチャンネルパーツ、複数の低圧電流制限スイッチを備え、
前記複数の高圧Nチャンネルパーツは、対応するLEDユニットの電流出力端に電気的に連接し、
前記複数の低圧電流制限スイッチは、対応する高圧Nチャンネルパーツに電気的に連接し、対応するLEDユニットと並列接続し、
電流は、前記高圧Nチャンネルパーツより対応する低圧電流制限スイッチへと流れ、ここで、低圧及び高圧とは、それが相対するブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)に基づきいい、
これにより、前記低圧電流制限スイッチの入力電流が増加すると、その内の電位が最低の低圧電流制限スイッチはオンとなり、電位が比較的高い他の低圧電流制限スイッチの導通電流は減らされ、しかも電位が比較的高い対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流も、これに従い減少することを特徴とするLEDストリングのコントロールデバイス。 - 前記LEDストリングは、アースし、或いはアースしないことを特徴とする請求項5に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記高圧Nチャンネルパーツは、金属酸化物半導体(MOS)トランジスター或いはバイポーラ(Bi−polar)トランジスターであることを特徴とする請求項5に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記低圧電流制限スイッチのオン或いは電流減少は、外部或いは内蔵のマスター−スレーブコントローラーにより判定することを特徴とする請求項5に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- LEDストリングのコントロールデバイスにおいて、LEDストリングは、複数の直列接続のLEDユニットにより組成し、
前記コントロールデバイスは、複数の高圧Nチャンネルパーツ、複数の低圧電流制限スイッチを備え、
前記複数の高圧Nチャンネルパーツは、対応するLEDユニットの電流出力端に電気的に連接し、
前記複数の低圧電流制限スイッチは、対応する高圧Nチャンネルパーツに電気的に連接し、対応するLEDユニットと並列接続し、
電流は、該高圧Nチャンネルパーツより対応する低圧電流制限スイッチへと流れ、ここで、低圧及び高圧とは、それが相対するブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)に基づきいい、
これにより、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチが、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチの「電流を減少させるコントロール信号」を受信すると、比較的高い電位の低圧電流制限スイッチを流れる導通電流は減少し、対応する高圧Nチャンネルパーツを流れる導通電流もこれに従い減少することを特徴とするLEDストリングのコントロールデバイス。 - 前記LEDストリングは、アースし、或いはアースしないことを特徴とする請求項9に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記高圧Nチャンネルパーツは、金属酸化物半導体(MOS)トランジスター或いはバイポーラ(Bi−polar)トランジスターであることを特徴とする請求項9に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記比較的高い電位の低圧電流制限スイッチは、マスター−スレーブコントローラーを経由し、比較的低い電位の低圧電流制限スイッチの「電流を減少させるコントロール信号」を受信することを特徴とする請求項9に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- LEDストリングのコントロールデバイスにおいて、LEDストリングは、複数の直列接続のLEDユニットにより組成し、
前記コントロールデバイスは、少なくとも1個の高圧Nチャンネルパーツ、少なくとも1個の低圧電流制限スイッチ、少なくとも1個の電圧或いは電流ディテクション回路を備え、
前記少なくとも1個の高圧Nチャンネルパーツは、対応するLEDユニットの電流出力端に電気的に連接し、
前記少なくとも1個の低圧電流制限スイッチは、対応する高圧Nチャンネルパーツに電気的に連接し、対応するLEDユニットと並列接続し、
電流は、該高圧Nチャンネルパーツより対応する低圧電流制限スイッチへと流れ、ここで、低圧及び高圧とは、それが相対するブレイクダウン電圧(Breakdown Voltage)に基づきいい、
前記少なくとも1個の電圧或いは電流ディテクション回路は、対応するLEDユニットから対応する低圧電流制限スイッチまでのルート上の電圧或いは電流を探知し、
これにより、探知した電圧或いは電流が設定値より大きい時には、対応する低圧電流制限スイッチはオフにされ、或いは探知した電圧或いは電流が設定値より小さい時には、対応する低圧電流制限スイッチをオンにすることを特徴とするLEDストリングのコントロールデバイス。 - 前記LEDストリングは、アースし、或いはアースしないことを特徴とする請求項13に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
- 前記高圧Nチャンネルパーツは、金属酸化物半導体(MOS)トランジスター或いはバイポーラ(Bi−polar)トランジスターであることを特徴とする請求項13に記載のLEDストリングのコントロールデバイス。
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