JP2013247259A - 磁気抵抗効果素子、磁界検出器および物理量検出器 - Google Patents
磁気抵抗効果素子、磁界検出器および物理量検出器 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板20の上方に形成されるCoFeB膜2と、CoFeB膜2上に形成されるMgO膜3と、MgO膜3の上方に形成される、自由層であるホイスラー合金4と、ホイスラー合金4上に形成される非磁性層5と、固着層41と、を備える。ホイスラー合金は、3種類以上の元素で示されるA2BCまたはA2B(CXD1−X)(0≦X≦1)から構成される。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る磁気抵抗効果素子100の断面構造を示す概略図である。
図3は、本発明の実施の形態1の変形例1における磁気抵抗効果素子100Aの断面構造を示す概略図である。
図4は、本発明の実施の形態1の変形例2に係る磁気抵抗効果素子100Bの断面構造を示す概略図である。
図5は、本発明の実施の形態2に係る磁気抵抗効果素子100Cの断面構造を示す概略図である。
図6は、本発明の実施の形態3に係る磁気抵抗効果素子100Dの断面構造を示す概略図である。
図7は、本発明の実施の形態4に係る磁気抵抗効果素子100Eの断面構造を示す概略図である。磁気抵抗効果素子100Eは、GMR効果を用いるGMR素子である。
図8は、本発明の実施の形態5に係る磁気抵抗効果素子100Fの断面構造を示す概略図である。
次に、本発明の実施の形態6に係る磁界検出器1000の構成について説明する。
図12は、本発明の実施の形態6の変形例に係る磁界検出器1000Aの構成を示す概略図である。
Claims (8)
- 基板の上方に形成される第1のCoFeB膜と、
前記第1のCoFeB膜上に形成される第1のMgO膜と、
前記第1のMgO膜の上方に形成される、自由層である第1のホイスラー合金と、
前記第1のホイスラー合金上に形成される第1の非磁性層または金属層である特定層と、
前記特定層の上方に形成される固着層と、を備え、
前記固着層は、
磁化方向が固着された強磁性層および反強磁性層を含み、
前記第1のホイスラー合金は、3種類以上の元素で示されるA2BCまたはA2B(CXD1−X)(0≦X≦1)から構成される
磁気抵抗効果素子。 - 前記特定層は、前記第1の非磁性層であり、
前記第1の非磁性層は、第2のMgO膜であり、
前記固着層は、さらに、3種類以上の元素で示されるA2BCまたはA2B(CXD1−X)(0≦X≦1)から構成される第2のホイスラー合金を含む
請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のMgO膜は、前記第2のMgO膜よりも薄い
請求項2に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記磁気抵抗効果素子は、さらに、
前記第1のCoFeB膜の下部に形成された第2の非磁性層および第2のCoFeB膜を備え、
前記第1のCoFeB膜の磁化の方向と、前記第2のCoFeB膜の磁化の方向とは、反平行であり、
前記第1のCoFeB膜は、前記第2の非磁性層を介して、前記第2のCoFeB膜と結合される
請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記第1のCoFeB膜の面積は、前記第1のホイスラー合金の面積より大きい
請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記特定層は、前記金属層であり、
前記磁気抵抗効果素子は、さらに、
前記MgO膜上に形成された金属層を備え、
前記MgO膜上に形成された前記金属層の面積は、前記特定層の面積より大きい
請求項5に記載の磁気抵抗効果素子。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の前記磁気抵抗効果素子を用いて磁界を検出する
磁界検出器。 - 請求項7に記載の前記磁界検出器を用いて物理量を検出する
物理量検出器。
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