JP2013243174A - 支持体 - Google Patents

Abstract

【課題】接着層を溶解して基板から支持体を剥離することが可能となった状態において、基板上に形成されているバンプが支持体によって損傷されるおそれを回避することができる支持体を提供する。
【解決手段】サポートプレート２は、厚さ方向に貫通する四つ以上の貫通孔１０を有し、当該貫通孔１０・１０同士はサポートプレート２全面に規則的に配置されており、全貫通孔のうち一部の貫通孔は塞がれることで複数の非貫通部１１を形成し、当該非貫通部１１・１１同士がサポートプレート２全面に規則的に配置されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、接着層を介して基板を支持する支持体に関する。

接着層を介して基板を支持する支持体に関して、例えば、特許文献１には、ウエハとサポートプレートとを剥離するときに生じるウエハのストレスを抑制することを目的としたサポートプレートとして、厚み方向に複数の貫通孔が形成され、前記貫通孔が形成されていない、帯状または島状の平坦部を備えるサポートプレートが記載されている。

また、例えば、特許文献２には、剛性を高めたサポートプレートとして、撓み防止用の補強部を供える孔開きサポートプレートが記載されている。

特開２００８−２１９２９号公報（２００８年１月３１日公開） 特開２００８−１６６５６６号公報（２００８年７月１７日公開）

しかしながら、特許文献１，２においては、基板（ウエハ）を支持した状態の支持体（サポートプレート）や、支持体に支持されている状態の基板については考慮がなされているものの、基板から支持体を剥離した後の支持体の状態、つまり、接着層を溶解して基板から支持体を剥離した後、当該支持体を搬送するまでの間における、基板上に形成されているバンプと支持体との位置関係については、特段の考慮がなされていない。

特許文献１，２に記載のサポートプレートでは、接着層を溶解してウエハからサポートプレートを剥離した後、当該サポートプレートをロボットアーム等の搬送装置を用いて搬送するまでの間、ウエハ上にサポートプレートが載置された状態となり、サポートプレートがウエハ上に形成されているバンプに接触して損傷を与えるおそれがあるという不都合を有している。バンプが損傷されると、実装時に基板（ウエハ）を接合するときに接合不良を生じてしまう。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、接着層を溶解して基板から支持体を剥離することが可能となった状態において、基板上に形成されているバンプが支持体によって損傷されるおそれを回避することができる支持体を提供することを、主たる目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明に係る支持体は、接着層を介して基板を支持する支持体であって、厚さ方向に貫通する四つ以上の貫通孔を有し、当該貫通孔同士は支持体全面に規則的に配置されており、全貫通孔のうち一部の貫通孔は塞がれることで複数の非貫通部を形成し、当該非貫通部同士が支持体全面に規則的に配置されていることを特徴としている。

また、本発明に係る積層体は、基板と、接着層と、上記支持体とをこの順に積層してなることを特徴としている。

さらに、本発明に係る基板の支持方法は、基板と、接着層と、上記支持体とをこの順に積層し、接着層を介して基板を支持体で支持することを特徴としている。

本発明に係る支持体によれば、例えば基板と、接着層と、当該支持体とがこの順に積層されてなる積層体において、溶剤を用いて接着層を溶解して基板から支持体を剥離することが可能となった状態で、複数の非貫通部の直下に、接着層が溶解せずに残った柱状の未溶解部分を生じさせることができる。つまり、本発明に係る支持体は、接着層に、規則的に配置された柱状の未溶解部分を生じさせることにより、接着層を溶剤で溶解して基板から支持体を剥離することが可能となった状態においても、基板上に支持体が載置されることを当該未溶解部分によって回避することができる。従って、接着層を溶解して基板から支持体を剥離することが可能となった状態において、基板上に形成されているバンプが支持体によって損傷されるおそれを回避することができる。

本発明の一実施形態に係る支持体の概略の構成を示す正面図である。 上記支持体を用いた積層体の概略の構成を示す断面図である。 上記支持体を用いた積層体の接着層を溶剤で溶解して、基板から支持体を剥離することが可能となった状態を示す概略の断面図である。 上記支持体を用いた他の積層体の接着層を溶剤で溶解して、基板から支持体を剥離することが可能となった状態を示す概略の断面図である。 （ａ）はサポートプレートの背面図であり、（ｂ）はサポートプレートの平面図であり、（ｃ）はサポートプレートの正面図であり、（ｄ）はサポートプレートの右側面図である。 図５（ｂ）の平面図におけるＡＢ部分の拡大図である。

本発明に係る支持体は、接着層を介して基板を支持する支持体であって、厚さ方向に貫通する四つ以上の貫通孔を有し、当該貫通孔同士は支持体全面に規則的に配置されており、全貫通孔のうち一部の貫通孔は塞がれることで複数の非貫通部を形成し、当該非貫通部同士が支持体全面に規則的に配置されている構成である。本発明に係る基板の支持方法は、基板と、接着層と、上記支持体とをこの順に積層し、接着層を介して基板を支持体で支持する方法である。

また、本発明に係る積層体は、基板と、接着層と、本発明に係る支持体とをこの順に積層してなる構成である。

本実施形態に係る支持体および積層体について、図１〜３を参照しながら以下に説明する。

〔積層体〕
図２に示すように、本実施形態に係る積層体１は、ウエハ（基板）３と、接着層４と、上記ウエハ３を支持する本実施形態に係るサポートプレート（支持体）２とがこの順に積層されて形成されている。即ち、積層体１は、ウエハ３およびサポートプレート２の何れか一方に接着剤が塗布されることによって、または、接着剤が塗布されてなる接着テープを貼着することによって接着層４が形成された後、ウエハ３と、接着層４と、サポートプレート２とがこの順に積層されることによって形成されている。

但し、積層体１を形成する形成方法および形成装置、つまり、接着層４の形成方法や接着層形成装置、並びに、ウエハ３およびサポートプレート２の重ね合わせ方法や重ね合わせ装置は、特に限定されるものではなく、種々の方法や装置を採用することができる。以下、ウエハ３、接着層４およびサポートプレート２について説明する。

＜ウエハ（基板）＞
上記ウエハ３は、シリコンからなる半導体ウエハに限定されるものではなく、サポートプレート２による支持が必要な、薄いセラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板であってもよい。ウエハ３の形状は、円形状であってもよく、一部にオリフラを有することにより円形状でないものであってもよい。図２に示すように、ウエハ３の表面、つまり、サポートプレート２の対向面には、電子回路等の電子素子の微細構造が形成されると共に、実装時にウエハ３を接合するための複数のバンプ３ａが形成されている。当該バンプ３ａの大きさは、特に限定されるものではないが、通常、直径８０μｍ以下、より好ましくは４０μｍ以下である。

上記ウエハ３は、サポートプレート２に支持された（貼り付けられた）状態で、薄化、搬送、実装等のプロセスに供される。

また、ウエハ３の裏面、つまり、サポートプレート２の背向面には、少なくともウエハ３からサポートプレート２を剥離する剥離工程を行うまでの段階（工程）で、ダイシングテープ（図示しない）が貼着されている。当該ダイシングテープとしては、ベースフィルムがＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）やポリオレフィン、ポリプロピレン等の樹脂フィルムを用いることができる。そして、ダイシングテープは、ウエハ３からサポートプレート２を剥離する剥離する剥離工程を行うまでの段階で、ダイシングフレームに固定される。

＜接着層＞
上記接着層４は、溶剤に対して溶解性を示す接着化合物によって形成されている。従って、接着層４は、溶剤によって溶解し、これにより、ウエハ３からサポートプレート２を剥離することが可能となっている。

溶剤に対して溶解性を示す接着化合物としては、例えば、炭化水素樹脂、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー等、またはこれらを組み合わせたもの等が挙げられる。

当該炭化水素樹脂としては、シクロオレフィンから誘導される構成単位を有する例えばシクロオレフィン系ポリマー等の樹脂、テルペン系樹脂等が挙げられるが、これに限定されるものではない。

具体的には、接着層４は、これら接着化合物のうち、剥離に用いる溶剤との組み合わせ等の各種条件を考慮した上で、積層体１に施す各種処理に適した接着化合物が選択されて使用される。

接着層４の形成方法、即ち、ウエハ３またはサポートプレート２に接着剤を塗布する塗布方法、或いは、基材に接着剤を塗布して接着テープを形成する形成方法は、特に限定されるものではないが、接着剤の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、ディッピング法、ローラーブレード法、スプレー法、ドクターブレード法、スリットノズル法による塗布法等が挙げられる。

接着層４の厚さ（層厚）は、ウエハ３の表面に形成されたバンプ３ａの高さよりも厚ければよいが、ウエハ３とサポートプレート２との接着性および耐熱性を維持することができる厚さであることが好ましい。具体的には、接着層の厚さは、１０μｍ以上、１５０μｍ以下の範囲内であることが好ましく、１５μｍ以上、１００μｍ以下の範囲内であることがより好ましい。接着層４は、ウエハ３またはサポートプレート２上に上記接着化合物を塗布して層状に固化させることによって形成することができる。また、接着化合物を予め層状に固化させたものをウエハ３またはサポートプレート２上に貼着することによって形成してもよい。

また、接着層４は、必要に応じて、シリコーン樹脂や各種フィラー等からなる公知のスペーサー４ｂ（図４を参照）を含んでいてもよい。当該スペーサー４ｂの大きさ（直径）は、バンプ３ａの大きさ（直径）よりも大きく、かつ、接着層４の厚さよりも小さければよく、特に限定されるものではない。接着層４におけるスペーサー４ｂの含有量は、接着層４の機能を損なわない限りにおいて、特に限定されるものではない。

＜サポートプレート（支持体）＞
図１および図２に示すように、サポートプレート２は、厚さ方向に貫通する四つ以上の、具体的には数千以上の多数の貫通孔１０を有する、いわゆる孔開きサポートプレートである（図１では便宜上、貫通孔１０の記載を省略している）。貫通孔１０を有するサポートプレート２を用いることによって、ウエハ３からサポートプレート２を剥離するときに、上記貫通孔１０を介して接着層４全体への溶剤の供給が可能となっている。サポートプレート２の材質は、ガラスやステンレス等の金属に限定されるものではなく、ウエハ３を支持することができる強度を備えた材質であればよい。また、サポートプレート２は、ウエハ３を支持することができる形状であればよいが、ウエハ３の形状に対応する形状であることが好ましい。

尚、本明細書における「サポートプレート」とは、ウエハ３の取り扱い時に、当該ウエハ３を保護するために一時的に用いられる支持板のことであり、より好ましくは、例えば半導体ウエハを研削するときに、半導体ウエハに貼り合せることによって、研削により薄化した半導体ウエハにクラックおよび反りが生じないように保護するために一時的に用いられる支持板のことである。但し、本発明に係る支持体は、上記「サポートプレート」に限定されるものではなく、ウエハ３を支持する支持板であればよい。

上記多数の貫通孔１０は、サポートプレート２全面に規則的に配置されている。具体的には、上記多数の貫通孔１０は、サポートプレート２の全面に亘って、格子状または同心円状に配置されている。互いに隣り合う貫通孔１０・１０の中心間の距離（ピッチ）は、例えば接着層４を形成する接着化合物と溶剤との組み合わせにもよるものの、０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることが好ましく、０．５ｍｍ以上、０．７ｍｍ以下であることがより好ましい。また、貫通孔１０の直径は、０．２ｍｍ以上、０．５ｍｍ以下であることが好ましく、０．２５ｍｍ以上、０．４ｍｍ以下であることがより好ましい。

さらに、貫通孔１０は、積層体１における中心部と周辺部とで溶剤による接着化合物の溶解速度、つまり、接着層４の溶解速度が異なることを考慮して、サポートプレート２の中央部から周辺部に向かうに従い、疎に配置されていてもよい。

そして、本発明に係るサポートプレート２においては、全貫通孔１０のうち一部の貫通孔が塞がれることで、複数の、具体的には数十以上の多数の非貫通部１１が形成されている。これら多数の非貫通部１１は、サポートプレート２全面に規則的に配置されている。具体的には、上記多数の非貫通部１１は、サポートプレート２の全面に亘って、格子状または同心円状に配置されている。

ここで、本発明における「非貫通部」とは、貫通孔１０・１０間に存在する元々貫通孔が形成されていない部分（領域）や、塞がれた貫通孔そのものの部分（領域）を単に指すのではなく、サポートプレート２の表面において、少なくとも一つの塞がれた貫通孔を内包し、当該塞がれた貫通孔に隣り合う複数の貫通孔１０に外接する外接円で囲まれた部分（領域）を指す。従って、「非貫通部」は、塞がれた貫通孔そのものの部分（領域）を必ず含み、塞がれた貫通孔そのものの部分（領域）と、当該塞がれた貫通孔の周囲に存在する元々貫通孔が形成されていない部分（領域）とで構成されていることになる。一つの「非貫通部」に内包される「塞がれた貫通孔」は、一つであってもよいが、複数であることがより好ましい。また、本発明における「塞がれた貫通孔」とは、実際に貫通孔を一旦形成した後、当該貫通孔を塞いだ状態である必要はなく、規則的に配置されている貫通孔における本来形成されるべき位置に形成されていない貫通孔を指す。従って、「塞がれた貫通孔」は、貫通孔が本来形成されるべきところに形成されていない部分（領域）を指していることになる。

上記非貫通部１１は、例えば接着層４を形成する接着化合物と溶剤との組み合わせにもよるものの、直径２ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円で囲まれた部分（領域）であることが好ましく、３ｍｍ以上、４ｍｍ以下の円で囲まれた部分（領域）であることがより好ましい。

また、互いに隣り合う非貫通部１１・１１の中心間の距離（ピッチ）は、例えば接着層４を形成する接着化合物と溶剤との組み合わせにもよるものの、５ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であることが好ましく、１０ｍｍ以上、１５ｍｍ以下であることがより好ましい。

さらに、非貫通部１１は、積層体１における中心部と周辺部とで溶剤による接着化合物の溶解速度、つまり、接着層４の溶解速度が異なることを考慮して、サポートプレート２の中央部から周辺部に向かうに従い、疎に配置されていてもよい。

上記構成のサポートプレート２によれば、ウエハ３と、接着層４と、当該サポートプレート２とがこの順に積層されてなる積層体１において、溶剤を用いて接着層４を溶解してウエハ３からサポートプレート２を剥離することが可能となった状態で、図３に示すように、複数の非貫通部１１の直下に、接着層４が溶解せずに残った柱状の（円錐台状の）未溶解部分４ａを生じさせることができる。つまり、上記構成のサポートプレート２は、接着層４に、規則的に配置された柱状の未溶解部分４ａを生じさせることにより、接着層４を溶剤で溶解してウエハ３からサポートプレート２を剥離することが可能となった状態においても、ウエハ３上にサポートプレート２が載置されることを当該未溶解部分４ａによって回避することができる。従って、接着層４を溶解してウエハ３からサポートプレート２を剥離することが可能となった状態において、ウエハ３上に形成されているバンプ３ａがサポートプレート２によって損傷されるおそれを回避することができる。

本発明に係るサポートプレートの更なる具体的な一例については、後段にて詳述する。

〔剥離方法〕
上記構成のサポートプレート２を用いた積層体１の剥離処理、即ち、ウエハ３からサポートプレート２を剥離する剥離方法について、以下に説明する。

図２に示すように、先ず、ウエハ３を下側にして積層体１を例えば剥離工程を行うステージ（図示しない）に載置した後、当該積層体１に、サポートプレート２の上側から接着層４を溶解させる溶剤を供給し、より好ましくは積層体１を浸漬するように当該溶剤を滞留させる。尚、積層体１を浸漬するように溶剤を滞留させるには、例えば、ステージとチャンバー（図示しない）とで積層体１を収容する空間を形成することが好ましい。

接着層４を溶解する溶剤は、特に限定されるものではなく、接着層４を形成する接着化合物の組成に応じて、種々の溶剤を用いることができる。

具体的には、有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコールまたはジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテルまたはモノフェニルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体；ジオキサン等の環式エーテル類；乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；炭化水素系溶剤；および縮合多環式炭化水素等が挙げられる。これら有機溶剤は単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。

上記炭化水素系溶剤としては、例えば、α−ピネン、カンフェン、ピナン、ミルセン、ジヒドロミルセン、ｐ−メンタン、３−カレン、ｐ−メンタジエン、α−テルピネン、β−テルピネン、α−フェランドレン、オシメン、リモネン、ｐ−サイメン、γ−テルピネン、テルピノーレン、１，４−シネオール、１，８−シネオール、ローズオキサイド、リナロールオキサイド、フェンコン、α−シクロシトラール、オシメノール、テトラヒドロリナロール、リナロール、テトラヒドロムゴール、イソプレゴール、ジヒドロリナロール、イソジヒドロラバンジュロール、β−シクロシトラール、シトロネラール、Ｌ−メントン、ギ酸リナリル、ジヒドロテルピネオール、β−テルピネオール、メントール、ミルセノール、Ｌ−メントール、ピノカルベオール、α−テルピネオール、γ−テルピネオール、ノポール、ミルテノール、ジヒドロカルベオール、シトロネロール、ミルテナール、ジヒドロカルボン、ｄ−プレゴン、ゲラニルエチルエーテル、ギ酸ゲラニル、ギ酸ネリル、ギ酸テルピニル、酢酸イソジヒドロラバンジュリル、酢酸テルピニル、酢酸リナリル、酢酸ミルセニル、酢酸ボルニル、プロピオン酸メンチル、プロピオン酸リナリル、ネロール、カルベオール、ペリラアルコール、ゲラニオール、サフラナール、シトラール、ペリラアルデヒド、シトロネリルオキシアセトアルデヒド、ヒドロキシシトロネラール、ベルベノン、ｄ−カルボン、Ｌ−カルボン、ピペリトン、ピペリテノン、ギ酸シトロネリル、酢酸イソボルニル、酢酸メンチル、酢酸シトロネリル、酢酸カルビル、酢酸ジメチルオクタニル、酢酸ネリル、酢酸イソプレゴール、酢酸ジヒドロカルビル、酢酸ノピル、酢酸ゲラニル、プロピオン酸ボルニル、プロピオン酸ネリル、プロピオン酸カルビル、プロピオン酸テルピニル、プロピオン酸シトロネリル、プロピオン酸イソボルニル、イソ酪酸リナリル、イソ酪酸ネリル、酪酸リナリル、酪酸ネリル、イソ酪酸テルピニル、酪酸テルピニル、イソ酪酸ゲラニル、酪酸シトロネリル、ヘキサン酸シトロネリル、イソ吉草酸メンチル、β−カリオフィレン、セドレン、ビサボレン、ヒドロキシシトロネロール、ファルネソールおよびイソ酪酸ロジニル等が挙げられる。これら炭化水素系溶剤のなかでも、溶解性の観点から、リモネンおよびｐ−メンタンがより好ましく、ｐ−メンタンが特に好ましい。

また、上記縮合多環式炭化水素とは、二つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに一つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、本発明では二つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。

そのような炭化水素としては、５員環および６員環の組み合わせ、または二つの６員環の組み合わせが挙げられる。５員環および６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、二つの６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタリン（テトラリン）およびデカヒドロナフタリン（デカリン）等が挙げられる。

尚、溶剤は、接着層４への浸透および接着層４の溶解を促進するために、加温等の温度調節が適宜なされていてもよい。

積層体１に溶剤を供給すると、溶剤は、積層体１の側面から接着層４に達すると共に、サポートプレート２の貫通孔１０を介して積層体１内に浸入し、接着層４に達する。これにより、サポートプレート２における中心部、つまり、積層体１の中心部に位置する接着層４にも溶剤が浸透するので、接着層４を効率的に溶解させることができる。

一方、サポートプレート２における非貫通部１１では、溶剤が積層体１内に浸入しないので、供給された溶剤が直下の接着層４に達することはない。

従って、積層体１に溶剤を供給した後、所定時間、具体的には３〜１５分間が経過すると、接着層４には溶解した箇所と溶解せずに残った箇所とが生じることになる。つまり、図３に示すように、サポートプレート２の貫通孔１０の下方に位置する接着層４は溶剤によってその殆どが溶解される一方、サポートプレート２の非貫通部１１の直下に位置する接着層４は溶剤によって溶解されずに、柱状の未溶解部分４ａとして残る。このとき、サポートプレート２は、接着層４の大部分が溶解されて除去されているにも関わらず、上記柱状の未溶解部分４ａで支持された状態となり、ウエハ３の表面に形成されたバンプ３ａに接触することはない。

ここで、接着層４を溶剤によって溶解させるときには、必要に応じて、溶剤および積層体１を振動させてもよい。つまり、積層体１に溶剤を供給すると共に、超音波（ＵＳ）を発生させる超音波発生器やバイブレータ等の振動装置（図示しない）を用いて、溶剤および積層体１を振動、好ましくは超音波振動させてもよい。具体的には、例えば内部に振動伝達部を備えた上記チャンバー（図示しない）上に振動装置を設置して、当該振動装置で発生させた振動をチャンバーの振動伝達部を介して溶剤および積層体１に伝達し、これら溶剤および積層体１を振動させてもよい。サポートプレート２は、接着層４の大部分が溶解されて除去されても柱状の未溶解部分４ａで支持されており、バンプ３ａに接触することはないので、振動、好ましくは超音波振動させても、サポートプレート２によってバンプ３ａが損傷するおそれはない。従って、接着層が溶解されるとサポートプレートとバンプとが接触する従来の構成と比較して、溶剤および積層体１を充分に振動させることができるので、接着層４をより短時間で溶解させることができる。尚、溶剤および積層体１の振動は、積層体１に溶剤が供給された後に行ってもよく、溶剤の供給と同時に行ってもよい。

次に、接着層４を溶解させた溶剤を回収した後、例えばロボットアーム等の搬送装置を用いて、サポートプレート２をウエハ３から剥離する。このとき、サポートプレート２と柱状の未溶解部分４ａとの接触面積はサポートプレート２表面と比較して充分に小さいので、搬送装置がサポートプレート２を持ち上げると、当該サポートプレート２は未溶解部分４ａから簡単に剥離される。即ち、サポートプレート２を持ち上げることにより、ウエハ３に損傷を与えることなく、当該サポートプレート２を剥離することができる。サポートプレート２が剥離されたウエハ３は、従来のサポートプレートが剥離されたウエハと同様に、溶剤によって洗浄され、柱状の未溶解部分４ａを含む残りの（溶解せずに残った）接着層４が溶解されて除去される。つまり、ウエハ３上に残存する接着層４を洗浄して取り除く。その後、必要に応じて、ウエハ３の水洗等を行ってもよい。

上記剥離処理、即ち、上記剥離方法を行うことにより、ウエハ３上に形成されているバンプ３ａがサポートプレート２によって損傷されることなく、ウエハ３からサポートプレート２を剥離することができる。

また、図４に示すように、接着層４にスペーサー４ｂが含まれている場合には、接着層４が溶解された後において、柱状の未溶解部分４ａと共に、当該スペーサー４ｂがサポートプレート２を支持することになる。従って、サポートプレート２に形成する非貫通部１１の個数や大きさを低減することができる。尚、スペーサー４ｂは、ウエハ３上に残存する接着層４を洗浄して取り除くときに同時に除去される。

＜サポートプレート（支持体）の更なる具体的な一例＞
次に、本発明に係るサポートプレート（支持体）の更なる具体的な一例について、図５，６を参照しながら以下に説明する。

図５（ａ）はサポートプレートの背面図であり、図５（ｂ）はサポートプレートの平面図であり、図５（ｃ）はサポートプレートの正面図であり、図５（ｄ）はサポートプレートの右側面図である。サポートプレートの底面図は平面図と同じであり、サポートプレートの左側面図は右側面図と同じである。図６は図５（ｂ）の平面図におけるＡＢ部分の拡大図である。

図５（ｂ）に示すように、更なる具体的な一例としてのサポートプレート４２は、例えばガラスで形成されており、例えば直径３００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍに設計されている。

貫通孔５０は、図５（ｂ）に示すように、サポートプレート４２の中心を基準として、サポートプレート４２の略全域に亘って格子状に（図６を参照）配列されている。尚、サポートプレート４２の大きさに比べて個々の貫通孔５０は非常に小さいため、図５（ｂ）においては、便宜上、貫通孔５０が配列されている領域を網掛けで表現している。

上記貫通孔５０は、例えば直径０．３ｍｍであり、例えばサンドブラストで形成されている。

そして、図６に示すように、格子状に配列されている貫通孔５０は、貫通孔５０・５０同士の中心の間隔が例えば０．７ｍｍで、互いに隣り合う三つの貫通孔５０・５０・５０が正三角形を形作るように配置されている。従って、格子状に配列されている貫通孔５０は、或る一つの貫通孔を六つの貫通孔が取り囲むように配置されている。

複数の非貫通部５１は、図５（ｂ）に示すように、各々の直径が例えば約３．００ｍｍであり、サポートプレート４２の中心に配置された上で、上記領域に格子状に配列されている。上記領域における非貫通部５１・５１同士の中心の間隔は、例えば３０ｍｍである。そして、図６に示した例では、一つの「非貫通部」に１９個の「塞がれた貫通孔」が内包されている。

上記構成のサポートプレート４２は、ウエハからサポートプレート４２を剥離することが可能となった状態において、ウエハ上に形成されているバンプがサポートプレート４２によって損傷されるおそれを回避することができる。

尚、サポートプレートにおける上述した各種寸法は、サポートプレートの更なる具体的な一例をより判り易くするために便宜上付記した寸法であり、本発明に係るサポートプレートは上述した各種寸法に限定されるものではない。

以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。もちろん、本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部については様々な態様が可能であることはいうまでもない。さらに、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。また、本明細書中に記載された文献の全てが参考として援用される。

〔実施例１〕
直径０．３ｍｍの貫通孔がピッチ０．７ｍｍで全面に亘って格子状に配置されると共に、直径３．４ｍｍの非貫通部がピッチ１５ｍｍで全面に亘って格子状に配置されている１２インチサポートプレート（ガラス）を用いて積層体を形成した。接着層は炭化水素系接着剤である、ＴＺＮＲ−Ａ３００７（東京応化工業株式会社製）を用いて形成し、厚さ６０μｍとした。１２インチシリコンウエハ上に形成されたバンプの大きさは、直径４０μｍであった。

上記構成の積層体を溶剤であるｐ−メンタンに浸漬し、超音波振動させながら１０分間、室温（２３℃）で接着層の溶解を行った。その結果、接着層の大部分が溶解されて除去され、１２インチサポートプレートは、１２インチシリコンウエハから剥離することが可能な状態となった。そして、この状態において、１２インチサポートプレートは、柱状の未溶解部分によって支持され、１２インチシリコンウエハ上に形成されたバンプに接触していなかった。つまり、１２インチサポートプレートは、１２インチシリコンウエハ上に載置された状態になっておらず、従って、１２インチシリコンウエハ上に形成されているバンプに損傷は認められなかった。

本発明に係る支持体は、例えば、微細化された半導体装置の製造工程において広範に利用することができる。

１ 積層体
２ サポートプレート（支持体）
３ ウエハ（基板）
３ａ バンプ
４ 接着層
４ａ 柱状の未溶解部分
４ｂ スペーサー
１０ 貫通孔
１１ 非貫通部
４２ サポートプレート（支持体）
５０ 貫通孔
５１ 非貫通部

Claims (10)

1. 接着層を介して基板を支持する支持体であって、
   厚さ方向に貫通する四つ以上の貫通孔を有し、当該貫通孔同士は支持体全面に規則的に配置されており、全貫通孔のうち一部の貫通孔は塞がれることで複数の非貫通部を形成し、当該非貫通部同士が支持体全面に規則的に配置されていることを特徴とする支持体。
2. 上記非貫通部が、格子状または同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の支持体。
3. 上記非貫通部が、直径２ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円で囲まれた部分であることを特徴とする請求項１または２に記載の支持体。
4. 互いに隣り合う非貫通部の中心間の距離が、５ｍｍ以上、２０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の支持体。
5. 上記非貫通部が、支持体の中央部から周辺部に向かうに従い、疎に配置されていることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の支持体。
6. 上記貫通孔が、格子状または同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の支持体。
7. 互いに隣り合う貫通孔の中心間の距離が、０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の支持体。
8. スペーサーが含まれている接着層を介して基板を支持することを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の支持体。
9. 基板と、接着層と、請求項１から８の何れか一項に記載の支持体とをこの順に積層してなることを特徴とする積層体。
10. 基板と、接着層と、請求項１から８の何れか一項に記載の支持体とをこの順に積層し、接着層を介して基板を支持体で支持することを特徴とする基板の支持方法。

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