JP2013236069A - 表示装置及び該表示装置の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート配線、及びソース配線でのチャージアップを抑制するため、各配線を形成する際、各配線の一部または全部を分断せずに形成しておく。そして、画素部での開口部を形成する工程において、前述の各配線上に達する開口部を設けておき、該開口部を用いて、トランジスタの作製工程が完了した後に各配線を分断するものである。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、表示装置が有する、駆動回路部及び画素部のトランジスタ及びその作製工程の例について、図1乃至図7を用いて説明する。なお本実施の形態に示す表示装置の構成例では、駆動回路部及び画素部のトランジスタが、同じ基板上で共通化した作製工程を経ることで作製されるものである。
本実施の形態では、実施の形態1における半導体層に用いることのできる酸化物半導体について詳述する。
本実施の形態では、同一基板上に、駆動回路部であるシフトレジスタ回路を具備する走査線駆動回路及び/または信号線駆動回路の一部と、画素部に配置するトランジスタとを設ける例について以下に説明する。
本実施形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
11 画素部
21A トランジスタ
21B トランジスタ
22A ゲート配線
22B ゲート配線
23A 半導体層
23B 半導体層
24A ソース配線
24B ソース配線
25A ソース配線
25B ソース配線
26A 開口部
26B 開口部
26C 開口部
27A 開口部
27B 開口部
27C 開口部
31 トランジスタ
32 ゲート配線
33 半導体層
34 ソース配線
35 ドレイン配線
36 開口部
37 画素電極
41 基板
42 絶縁膜
43 配線層
44 ゲート絶縁膜
45 配線層
47 層間絶縁膜
48A 開口部
48B 開口部
48C 開口部
49A 開口部
49B 開口部
49C 開口部
1700 筐体
1701 筐体
1702 表示部
1703 表示部
1704 蝶番
1705 電源入力端子
1706 操作キー
1707 スピーカ
1711 筐体
1712 表示部
1721 筐体
1722 表示部
1723 スタンド
1731 筐体
1732 表示部
1733 操作ボタン
1734 外部接続ポート
1735 スピーカ
1736 マイク
1737 操作ボタン
5300 基板
5301 画素部
5302 走査線駆動回路
5303 走査線駆動回路
5304 信号線駆動回路
Claims (11)
- 駆動回路部に設けられた複数の第1のゲート配線、複数の第1のソース配線、及び第1のトランジスタと、
画素部に設けられた第2のゲート配線、第2のソース配線、及び第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のゲート配線及び前記第2のゲート配線は、同じ層に形成された配線であり、
前記第1のソース配線及び前記第2のソース配線は、同じ層に形成された配線であり、
前記第1のトランジスタ上及び前記第2のトランジスタ上には、層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜は、前記駆動回路部に設けられた第1の開口部及び前記画素部に設けられた第2の開口部を有し、
前記第1の開口部は、複数の前記第1のゲート配線の間に設けられた開口部と、複数の前記第1のソース配線の間に設けられた開口部とを有する表示装置。 - 請求項1において、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、逆スタガ型のトランジスタである表示装置。
- 請求項1または請求項2において、前記第2の開口部は、前記第2のトランジスタと画素電極とを直接接続するための開口部である表示装置。
- 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタが有する半導体層は、酸化物半導体を含む表示装置。
- 基板上に、画素部のゲート配線及び駆動回路部の第1の配線層を形成する第1の工程と、
前記画素部のゲート配線上及び前記第1の配線層上に、ゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記ゲート絶縁膜を介した前記画素部のゲート配線上及び前記第1の配線層上に、半導体層を形成する第3の工程と、
前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体層上に、画素部のソース配線及び駆動回路部の第2の配線層を形成する第4の工程と、
前記ゲート絶縁膜上、前記半導体層上、前記画素部のソース配線上及び前記第2の配線層上に層間絶縁膜を設け、前記第1の配線層上及び前記第2の配線層上の前記層間絶縁膜に第1の開口部を形成し、前記画素部のソース配線上の前記層間絶縁膜に第2の開口部を形成する第5の工程と、
前記第1の開口部において、前記第1の配線層及び前記第2の配線層を分断し、前記駆動回路部のゲート配線及びソース配線を形成する第6の工程と、を有する表示装置の作製方法。 - 請求項5において、前記基板と、前記画素部のゲート配線及び前記第1の配線層との間に、絶縁膜が形成されることを表示装置の作製方法。
- 請求項5または請求項6において、前記半導体層は、酸化物半導体を含むことを特徴とする表示装置の作製方法。
- 請求項5乃至請求項7のいずれか一において、前記第1の開口部には、前記画素部に設けられるトランジスタに電気的に接続される画素電極が形成される表示装置の作製方法。
- 請求項5乃至請求項8のいずれか一において、前記第1の開口部は、前記第1の配線層の下層に達する開口部と、前記第2の配線層の下層に達する開口部と、により前記第1の配線層及び前記第2の配線層を分断し、前記駆動回路部のゲート配線及びソース配線とする表示装置の作製方法。
- 請求項5乃至請求項9のいずれか一において、前記第1の配線層は、前記第1の配線層を構成する導電層がつながった状態の層である表示装置の作製方法。
- 請求項5乃至請求項10のいずれか一において、前記第2の配線層は、前記第2の配線層を構成する導電層がつながった状態の層である表示装置の作製方法。
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Applications Claiming Priority (3)
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JP2013236069A5 JP2013236069A5 (ja) | 2016-04-28 |
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JP2013080908A Withdrawn JP2013236069A (ja) | 2012-04-13 | 2013-04-09 | 表示装置及び該表示装置の作製方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2013
- 2013-04-09 JP JP2013080908A patent/JP2013236069A/ja not_active Withdrawn
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