JP2013230502A - 接合方法 - Google Patents
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Abstract
レーザ光源の位置に狂いが生じたり、半田が破壊されたりするといった問題を生じることのない、信頼性の高いレーザモジュールを実現する。
【解決手段】本発明の接合方法は、2つの部材A,BをAu−Sn半田で接合する接合方法である。本発明の接合方法においては、接合後のAu−Sn半田S’におけるSnの重量%濃度を、38.0%以上82.3%以下としている。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態に係る接合方法について、図1を参照して説明する。本実施形態に係る接合方法は、2つの部材A,BをAu−Sn(金・錫)半田Sで接合する接合方法である。
次に、本実施形態に係る接合方法の適用例について、図3〜図4を参照して説明する。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
MA Au層
B 部材(第2の部材)
MB Au層
S Au−Sn半田(接合前)(Au−Sn90%半田)
S’ Au−Sn半田(接合後)
1 半導体レーザモジュール(レーザモジュール)
10 基板
11a〜11d 凸部
20 サブマウント
30 CoS
31 レーザマウント
32 半導体レーザチップ(レーザ光源)
40 ファイバマウント
50 ケース
61 軟質半田
62 硬質半田
Claims (5)
- 第1の部材と第2の部材とをAu−Sn半田で接合する接合方法であって、
接合前の上記Au−Sn半田におけるSnの重量%濃度が、82.3%よりも大きく、
接合後の上記Au−Sn半田におけるSnの重量%濃度が、38.0%以上82.3%以下である、ことを特徴とする接合方法。 - 第1の部材と第2の部材とをAu−Sn半田で接合する接合方法であって、
接合前の上記Au−Sn半田は、Au−Sn90%半田であり、
接合後の上記Au−Sn半田におけるSnの重量%濃度が、38.0%以上82.3%以下である、ことを特徴とする接合方法。 - 接合前の上記第1の部材の接合面、及び、接合前の上記第2の部材の接合面の少なくとも何れか一方には、Au層が形成されており、
接合前の上記Au−Sn半田に含まれるSnの質量をx、接合前の上記Au−Sn半田及び上記Au層に含まれるAuの合計質量をyとしたときに、0.380≦x/(x+y)≦0.823となる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の接合方法。 - 接合後の上記Au−Sn半田におけるSnの重量%濃度が、55.0%以上82.3%以下である、
ことを特徴とする請求項1から3までの何れか1項に記載の接合方法。 - 接合後の上記Au−Sn半田におけるSnの重量%濃度が、38.0%以上61.0%以下である、
ことを特徴とする請求項1から3までの何れか1項に記載の接合方法。
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