JP2013229956A - パワー半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】大きな静的アバランシェ耐量を有するSiC−SBD2を選定し、このSiC−SBD2の静的アバランシェ電圧をSi−IGBT1のダイナミックアバランシェ電圧Vavdより低くすることで、SiC−SBD2の基板の厚さを薄くし、オン電圧を低下させる。オン電圧の低下によりオン損失が低下して、SiC−SBD2のパワーサイクル耐量を向上させることができる。
【選択図】 図3
Description
以下の説明において、Siはシリコンであり、SiCは炭化珪素を指し、シリコン基板に形成したデバイスをSiで示し、炭化珪素基板に形成したデバイスをSiCで示す。また、SBDはショットキーバリアダイオードである。つまり、Si−IGBTはSi基板に形成されたIGBTであり、SiC−SBDはSiC基板に形成されたSBDである。さらに、前記したようにFWD(フリー・ホイーリング・ダイオード)は還流ダイオードであり、ここではSBDである。
また、特許請求の範囲の請求項4に記載の発明によれば、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発明において、前記スイッチング素子が絶縁ゲート型バイポーラトランジスタもしくはMOS型電界効果トランジスタであり、前記還流ダイオードがショットキーバリアダイオードであるとよい。
<実施例>
図1は、この発明の一実施例に係るパワー半導体モジュール100の回路構成図である。ここで、パワー半導体モジュール100は、スイッチング素子とFWDとの逆並列回路1組をパッケージに格納し、1in1モジュールを構成する場合を例に挙げた。上記の逆並列回路を2個直列に接続して1つのパッケージに格納すると2in1モジュールとなる。上記の逆並列回路を2個直列に接続し、この直列回路をを2個並列接続して1つのパッケージに格納すると4in1モジュールとなり単相インバータが構成される。同様に、上記の直列回路を3個並列接続して1つのパッケージに格納すると6in1の3相インバータが構成される。
1a コレクタ
1b エミッタ
2 SiC−SBD
2a アノード
2b カソード
3 コレクタ端子
4 エミッタ端子
5 ゲート端子
10 基板
11 結晶格子
12 格子振動
13 電子
13a 弾き飛んだ電子
15 チップ
15a 端部
16 耐圧構造
17 コーナー
18 活性領域
100 パワー半導体モジュール
Iav アバランシェ電流
Vavs1、Vavs2 静的アバランシェ電圧
Vavd ダイナミックアバランシェ電圧
Claims (5)
- スイッチング素子と、該スイッチング素子と逆並列接続される還流ダイオードを有するパワー半導体モジュールにおいて、
前記スイッチング素子がシリコン基板に形成され、前記還流ダイオードがワイドバンドギャップ基板に形成され、使用中の接合温度の全範囲において前記還流ダイオードの静的アバランシェ電圧が前記スイッチング素子のダイナミックアバランシェ電圧より低いことを特徴とするパワー半導体モジュール。 - 前記スイッチング素子のターンオフ時のダイナミックアバランシェ期間に発生する損失より前記還流ダイオードのアバランシェ耐量が大きいことを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記ワイドバンドギャップ基板が炭化珪素からなる半導体基板であることを特徴とする請求項1または2に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記スイッチング素子が絶縁ゲート型バイポーラトランジスタもしくはMOS型電界効果トランジスタであり、前記還流ダイオードがショットキーバリアダイオードであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記還流ダイオードがボンディングワイヤで外部導出端子に接続することを特徴とする請求項1〜4に記載のパワー半導体モジュール。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017153064A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-08-31 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | 半導体スイッチングデバイスおよびクランプダイオードを含む電気組立体 |
WO2022158596A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2022158597A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000116114A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体電力変換装置 |
JP2006339508A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011108684A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000116114A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Hitachi Ltd | 半導体電力変換装置 |
JP2006339508A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2011108684A (ja) * | 2009-11-12 | 2011-06-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017153064A (ja) * | 2015-10-23 | 2017-08-31 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーInfineon Technologies Ag | 半導体スイッチングデバイスおよびクランプダイオードを含む電気組立体 |
US10333387B2 (en) | 2015-10-23 | 2019-06-25 | Infineon Techonologies Ag | Electric assembly including a semiconductor switching device and a clamping diode |
WO2022158596A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
WO2022158597A1 (ja) * | 2021-01-25 | 2022-07-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置 |
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